Irf9530 datasheet на русском. IRF9530: мощный P-канальный MOSFET транзистор для силовой электроники

Каковы основные характеристики IRF9530. Как правильно использовать этот P-канальный MOSFET в схемах. Какие меры предосторожности нужно соблюдать при работе с IRF9530. На что обратить внимание при выборе этого транзистора.

Ключевые характеристики и параметры IRF9530

IRF9530 — это мощный P-канальный MOSFET транзистор, широко используемый в силовой электронике. Давайте рассмотрим его основные характеристики:

• Максимальное напряжение сток-исток: -100 В
• Максимальный ток стока: -12 А (при 25°C)
• Сопротивление канала в открытом состоянии: 0.2 Ом (типовое значение)
• Максимальная рассеиваемая мощность: 75 Вт
• Пороговое напряжение затвора: от -2 до -4 В
• Входная емкость: 800 пФ (типовое значение)
• Время включения: 27 нс (типовое значение)
• Время выключения: 68 нс (типовое значение)
• Корпус: TO-220AB

Эти параметры делают IRF9530 отличным выбором для многих применений в силовой электронике, где требуется коммутация больших токов.

Области применения IRF9530

Благодаря своим характеристикам, IRF9530 находит применение во многих областях:

• Импульсные источники питания
• Драйверы двигателей постоянного тока
• Инверторы
• Зарядные устройства
• Аудиоусилители класса D
• Системы управления нагрузкой

В каких конкретных схемах наиболее часто используется IRF9530? Этот транзистор отлично подходит для высокочастотных импульсных преобразователей благодаря низкому сопротивлению канала и быстрому переключению. Также его часто применяют в Н-мостах для управления двигателями.

Особенности подключения IRF9530 в схеме

При использовании IRF9530 в схемах важно учитывать несколько ключевых моментов:

1. Правильная ориентация выводов. У IRF9530 три вывода: затвор (G), сток (D) и исток (S). Важно не перепутать их при монтаже.
2. Управление затвором. Для полного открытия транзистора необходимо подать на затвор напряжение не менее -10 В относительно истока.
3. Защита затвора. Рекомендуется использовать защитный диод между затвором и истоком для предотвращения пробоя.
4. Охлаждение. При работе с большими токами необходимо обеспечить адекватный теплоотвод.

Как правильно рассчитать цепь управления затвором IRF9530? Для быстрого переключения транзистора следует использовать драйвер затвора, способный обеспечить ток не менее 1 А. Резистор в цепи затвора должен иметь сопротивление порядка 10-100 Ом.

Меры предосторожности при работе с IRF9530

При использовании IRF9530 необходимо соблюдать следующие меры предосторожности:

• Защита от статического электричества. MOSFET транзисторы чувствительны к ESD, поэтому при работе с ними нужно использовать антистатический браслет.
• Соблюдение температурного режима. Не допускайте перегрева транзистора выше максимально допустимой температуры перехода (175°C).
• Правильное подключение. Убедитесь, что напряжение и ток в схеме не превышают предельно допустимых значений для IRF9530.
• Защита от перенапряжений. Используйте снабберные цепи для защиты транзистора от выбросов напряжения.

Какие типичные ошибки допускают при использовании IRF9530? Одна из распространенных ошибок — недостаточное напряжение на затворе, что приводит к увеличению потерь и перегреву транзистора. Также часто забывают про необходимость теплоотвода при работе с большими токами.

Сравнение IRF9530 с аналогами

Как IRF9530 соотносится с другими P-канальными MOSFET транзисторами? Давайте сравним его с некоторыми популярными аналогами:

Параметр	IRF9530	IRF4905	FQP47P06
Макс. напряжение сток-исток	-100 В	-55 В	-60 В
Макс. ток стока	-12 А	-74 А	-47 А
Сопротивление канала	0.2 Ом	0.02 Ом	0.03 Ом

Как видим, IRF9530 имеет более высокое рабочее напряжение, но уступает по максимальному току и сопротивлению канала. Выбор конкретной модели зависит от требований конкретной схемы.

Особенности монтажа IRF9530

При монтаже IRF9530 на печатную плату следует учитывать несколько важных моментов:

• Обеспечьте достаточную площадь медной фольги на плате для отвода тепла от транзистора.
• Используйте качественный теплопроводящий компаунд между корпусом транзистора и радиатором.
• Располагайте транзистор так, чтобы минимизировать длину проводников в силовой цепи.
• При необходимости используйте дополнительный радиатор для улучшения теплоотвода.

Какие типы корпусов доступны для IRF9530? Помимо стандартного TO-220AB, этот транзистор также выпускается в корпусах TO-220FP (с изолированным теплоотводом) и D2PAK (для поверхностного монтажа).

Тестирование и диагностика IRF9530

Как проверить исправность IRF9530? Вот несколько простых способов:

1. Проверка омметром. Сопротивление между затвором и истоком/стоком должно быть высоким (МОм), между стоком и истоком — также высоким в закрытом состоянии.
2. Проверка тестером транзисторов. Многие мультиметры имеют функцию проверки MOSFET, которая позволяет быстро оценить основные параметры.
3. Проверка в схеме. Измерьте напряжение на стоке при различных условиях работы схемы.

Какие признаки указывают на выход IRF9530 из строя? Основные симптомы включают короткое замыкание между стоком и истоком, обрыв затвора, значительное увеличение тока утечки.

Влияние температуры на характеристики IRF9530

Температура оказывает существенное влияние на работу IRF9530:

• С ростом температуры увеличивается сопротивление канала в открытом состоянии.
• Максимально допустимый ток стока снижается при повышении температуры.
• Пороговое напряжение затвора уменьшается с ростом температуры.

Как учитывать температурные эффекты при проектировании? Всегда закладывайте температурный запас при расчете мощности и выборе радиатора. Используйте температурную компенсацию в цепях управления затвором для стабильной работы схемы.

Fehler in der Bauteilbibliothek? — Поддержка Eagle (Deutsch) — Autodesk Eagle

Hallo Zusammen,

Habe den mosfet irf9530 aus der bibliothek in der version 4.16 standart

verwendet und gemerkt, dass die pinbelegung nicht so wie dem dem dem dem dem dem dem demattlet und gemerkt. :

http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/IRF9530.pdf

 

Ist das ein Fehler?

Beheben ließe sich das ja in dem Editor, aber sind dann nicht auch eine

Reihe anderer MOSFETs falsch, da die Ähnlichkeit groß ist.

Ich habe mich gewundert, da der Transistor in meiner Schaltung auch nicht

funktionierte.

 

MfG

Роберт Вальтер

 

 

 

• «Роберт Вальтер», запись:

   

  MOSFET IRF9530 в библиотеке версии 4. 16 Standard

  verwendet und gemerkt, dass die Pinbelegung nicht so wie im dem 9 Datenblank0003

  des Bauteils ist:

  http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/IRF9530.pdf

   

  Ist das ein Fehler?

   

  Schau nochmal genau den Schaltplan, insbesondere das FET-Symbol an,

  dann merkst Du es.

   

  Beheben ließe sich das ja in dem Editor, aber sind dann nicht auch eine

  Reihe anderer MOSFETs falsch, da die Ähnlichkeit groß ist.

   

   

  Сервус

   

  Оливер

   

• Robert Walther schrieb:

  Hallo zusammen,

   

  habe den MOSFET IRF9530 aus der Bibliothek in der Version 4. 16 Standart

  verwendet und gemerkt, dass die Pinbelegung nicht so wie im dem Datenblatt

  des Bauteils ist:

  http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/IRF9530.pdf

   

  Ist das ein Fehler?

  Beheben ließe sich das ja in dem Editor, aber sind dann nicht auch eine

  Reihe anderer MOSFETs falsch, da die Ähnlichkeit groß ist.

  Ich habe mich gewundert, da der Transistor in meiner Schaltung auch nicht

  funktionierte.

  MfG

  Robert Walther

  Ich sehen nicht, das es dort einen Fehler gibt. Bitte schreib dann auch

  den Namen der lib dazu, wen es was zu anzumerken gibt. Манш Батейль

  sind in mehreren libs vorhanden, wie in diesem Fall in der Transistor

  Power bzw. библиотека FET.

   

  —

  Грусс Йорн

   

• element14.com/products/eagle/f/eagle-support-deutsch/3026/fehler-in-der-bauteilbibliothek/88252″>

  Joern Paschedag schrieb:

   

   

  Ich sehen nicht, das es dort einen Fehler gibt. Bitte schreib dann auch

  den Namen der lib dazu, wen es was zu anzumerken gibt. Manche Bauteile

  sind in mehreren libs vorhanden, wie in diesem Fall in der Transistor

  Мощность bzw. библиотека FET.

   

  das Символ мощности транзистора неверный. Die Buchstaben sind

  Richtig. Бёзе Фалле…

   

  Сервус

   

  Оливер

   

•  

  Также wenn du in der richtigen Version in der lib irf9530 eingibts und dann im Datenblatt ganz unten nachschaust sieht man doch, dass die Pinbelegungen nicht übereinstimen.

   

  Также умирает библиотека также мощность транзистора.

   

   

   

  Ich sehen nicht, das es dort einen Fehler gibt. Bitte schreib dann auch

  den Namen der lib dazu, wen es was zu anzumerken gibt. Manche Bauteile

  Синд в более крупных библиотеках vorhanden, wie in diesem Fall in der Transistor

  Power bzw. библиотека FET.

   

  —

  Грусс Йорн

   

   

   

   

   

  Вложения:

• Robert Walther schrieb:

  Hallo zusammen,

   

  habe den MOSFET IRF9530 aus der Bibliothek in der Version 4.16 Standart

  verwendet und gemerkt, dass die Pinbelegung nicht so wie im dem Datenblatt

  des Bauteils ist:

  http://www. datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/IRF9530.pdf

   

  Ist das ein Fehler?

  Beheben ließe sich das ja in dem Editor, aber sind dann nicht auch eine

  Reihe anderer MOSFETs falsch, da die Ähnlichkeit groß ist.

  Ich habe mich gewundert, da der Transistor in meiner Schaltung auch nicht

  funktionierte.

   

  MfG

  Robert Walther

   

  Da es sich um einen P-Kanal-MOSFET handelt (Pfeil in Richtung Source),

  ist dasop Источник ист обен и слив унтен,

  da man sonst im SCH das Symbol auf den Kopf stellen müßte (ПОВОРОТ)

  um ‘+’ von oben kommend an Source anzuschliessen.

  Bitte Symbol beachten, G, S, Dist im Pins-Layer als Text

  platziert (ДИСПЛЕЙ 93).

  —

  MFG / С уважением

  A. Zaffran

  Горячая линия 08635-698930, Fax 08635-698940, электронная почта

  Cadsoft Computermb, hofmark 2, hofmark 2, hofmark 2, hofmark.

  Регистрационный суд: Amtsgericht Traunstein HRB 5573

  Geschäftsführer: Dipl.-Ing. (FH) Рудольф Хофер, дипл.-инж. Клаус Шмидингер

   

• Moin,

   

  A. Zaffran schrieb:

  Da es sich um einen P-Kanal-MOSFET handelt (Pfeil in Richtung Source),

  ist das Symbol auf den Kopf gestellt. Source ist oben und Drain unten,

  da man sonst im SCH das Symbol auf den Kopf stellen müßte (ПОВОРОТ)

  um ‘+’ от oben kommend an Source anzuschliessen.

  Bitte Symbol beachten, G, S, Dist im Pins-Layer als Text

  platziert (ДИСПЛЕЙ 93).

   

  sehen Sie sich doch bitte mal das Datenblatt von IR an. Entweder weiß

  IR nicht, wie man einen P-Kanal Mosfet zeichnet oder in der Lib sind

  S und D im SCH vertauscht. Und der Pfeil sollte zwar auf den Source

  zeigen, zeigt aber auf Drain.

   

  MfG, Георг Гизе

• Hans Georg Giese schrieb:

  Moin,

   

  sehen Sie sich doch bitte mal das Datenblatt von IR an. Entweder weiß

  IR nicht, wie man einen P-Kanal Mosfet zeichnet oder in der Lib sind

  S und D im SCH vertauscht. Und der Pfeil sollte zwar auf den Source

  zeigen, zeigt aber auf Drain.

   

  MfG, Georg Giese

   

   

   

  Nun, ich würde mal vorschlagen sich das device in ein schematic zu holen

  und nur drain oder source mit der Schaltung zu verbinden und sich dann

  im board ansehen, welcher Pin dort verbunden ist. Ich kann nach wie vor

  keinen Fehler entdecken. Gegenüber dem Symbol im irf-datasheet steht es

  in der lib nur «auf dem Kopf». Das soll wohl в Anlehnung bipolare

  Transistorn sein, die man als PNP mit Emitter oben Коллектор unten, bei

  NPN mit Коллектор oben Emitter unten zeichnet.

  час. Zaffran hat sich ja schon so ähnlich ausgedrückt.

   

  —

  Грусс Йорн

   

• Moin,

   

  Joern Paschedag schrieb:

  Gegenüber dem Symbol im irf-datasheet steht es

  in der lib nur «auf dem Kopf». Das soll wohl в Anlehnung bipolare

  Transistorn sein, die man als PNP mit Emitter oben Коллектор unten, bei

  NPN mit Коллектор oben Emitter unten zeichnet.

   

  Источник oben ist richtig. Aber der Pfeil in der Mitte gehört nicht an den

  Дренажный зонд и источник. Und damit werden viele Entwickler das Ding

  falsch herum einbauen. Denn man sieht erst einmal auf das Symbol und

  erst später (wenn es zu spät ist) auf die Buchstaben D und S.

   

  MfG, Георг Гизе

   

• Hallo Herr Zaffran,

   

   

  Da es sich um einen P-Kanal-MOSFET handelt (Pfeil in Richtung Source),

  ist das Symbol auf den Kopf gestellt. Source ist oben und Drain unten,

   

  das wäre für mich schon mal kein Grund, aber das ist noch nicht der

  Fehler.

   

  da man sonst im SCH das Symbol auf den Kopf stellen müßte (ПОВОРОТ)

  um ‘+’ от oben kommend an Source anzuschliessen.

  Bitte Symbol beachten, G, S, Dist im Pins-Layer als Text

  platziert (ДИСПЛЕЙ 93).

   

  Was muß ich noch tun, Sie davon zu überzeugen, daß das Symbol falsch

  ist?

   

  Корректировка для Art P-FET:

   

  Und ich würde auch nicht das Symbol einer Zenerdiode verwenden, nicht

  jeder FET ist «лавинный рейтинг».

   

  Грюссе

   

  Оливер Бетц

   

• Hans Georg Giese Schrieb:

  Moin,

  Jeron Paschedag Schrieb:

  Gegenüber Dembol Im Irf-Datasheet ES в Der Lib rif dem

  Kop ». Das soll wohl in Anlehnung an bipolar Transistorn sein, die

  man als PNP mit Emitter oben Collector unten, bei NPN mit Kollektor

  oben Emitter unten zeichnet.

   

  Источник oben ist richtig. Aber der Pfeil in der Mitte gehört nicht an den

  Дренажный зонд и источник. Und damit werden viele Entwickler das Ding

  falsch herum einbauen. Denn man sieht erst einmal auf das Symbol und

  erst später (wenn es zu spät ist) auf die Buchstaben D und S.

   

  MfG, Georg Giese

  0003

  Электрод дренажа и источника. Erst mit der Verbindung des Mittelpfeils an

  eine Elektrode wird diese zum Source.

   

  Aaaaaaaber möglicherweise reden wir gar nicht von der selben lib!

   

  10.05.2007 gab es von Cadsoft Eine Корректировка транзистора-power.lbr в

  der das Symbol der P-Mos geändert wurde. Проверьте загрузку mal.

   

  —

  Грусс Йорн

   

Чувствительны ли дискретные МОП-транзисторы к электростатическим разрядам?

спросил 11 лет, 11 месяцев назад

Изменено 4 года, 10 месяцев назад

Просмотрено 14 тысяч раз

\$\начало группы\$

Входы CMOS на микроконтроллерах и других ИС могут быть повреждены разрядами электростатического разряда. Может ли затвор большого дискретного MOSFET (2N7000, IRF9530 и т. д.) могут быть повреждены разрядами электростатического разряда?

• МОП-транзистор
• ESD

\$\конечная группа\$

4

\$\начало группы\$

Да. Я использовал полевые МОП-транзисторы с проводящей резиновой лентой вокруг контактов для защиты затвора (затворов) путем короткого замыкания контактов, которые необходимо удалить после пайки. (ТО-39, IIRC)

\$\конечная группа\$

1

\$\начало группы\$

Любой полевой МОП-транзистор вне схемы будет чрезвычайно чувствителен к электростатическим разрядам, так как один всплеск на затворе поднимет его напряжение выше максимального, и он выйдет из строя. МОП-транзисторы в схемах очень часто имеют явную защиту (стабилитроны на затворах или фиксирующие диоды в драйверах) и другие случайные защиты от электростатического разряда, такие как понижение напряжения или, возможно, повышенная емкость.

Более того, «большие (и/или) дискретные МОП-транзисторы менее чувствительны» по двум причинам:

1. Оксид затвора, скорее всего, будет толще, и для его пробоя потребуется больше напряжения (хотя входные линии на ИС, вероятно, также переработаны таким образом), и
2. Емкость затвора будет намного больше, поэтому для создания смертельного напряжения потребуется гораздо больше заряда.

В цепи наиболее распространенными видами отказов (по моему опыту) являются индуктивные выбросы на выводе истока, выбивающие затвор, или выбросы на стоке, которые могут вызвать фатальный лавинный пробой. Я не думаю, что когда-либо точно определял отказ dV / dt, когда напряжение на MOSFET растет так быстро, что паразитные емкости между стоком-затвором-истоком могут включать MOSFET, вызывая плохие вещи. случаться.

Тем не менее, если вы хорошо заземлите свой источник и выстрелите в ворота прямо по пакету из ESD-пушки на 11, вы, возможно, сможете его убить. Пользователи не должны иметь возможности засовывать свои грязные маленькие ручки в ваши ворота, потому что они могли просто перетасовать свои шерстяные носки по ковру из полиэстера, но если они могут по какой-то причине (???), Zener должен защитить почти все.

\$\конечная группа\$

2

\$\начало группы\$

ДА абсолютно.

Раньше я делал ошибку, добавляя 2N7000 в свои проекты, и работал над ними в средах, которые не были хорошо защищены от электростатического разряда. Делая это, я уничтожил буквально десятки 2N7000.

Ключевым вопросом для меня является «насколько» защита необходима в проектах. Особенно для производства, когда добавление защиты стоит денег.