Irf9Z34N: IRF9Z34N — Полевые импортные MOSFET — ТРАНЗИСТОРЫ — Электронные компоненты (каталог)

РКС Компоненти — РАДІОМАГ

05/07/2022 — Пластикові та алюмінієві корпуси

04/07/2022 — Мультиметри, осцилографи і лабораторні блоки живлення Uni-Trend

04/07/2022 — Клемники DEGSON

04/07/2022 — Трансивери Ebyte з інтерфейсами Bluetooh, SPI, UART, ZigBee

04/07/2022 — Пальні станції, набори для пайки, лупи, термофени та лабораторні блоки живлення

13/06/2022 — Хімія для виробництва та пайки від компанії AG TermoPasty

13/06/2022 — Вентилятори, зумери, кнопки, клемники, потенціометри

13/06/2022 — Домашня електроніка та інструмент

02/05/2022 — Розширився асортимент стяжок та ізоляційних стрічок

28/04/2022 — Розширився асортимент крокових двигунів

27/04/2022 — Пластикові та алюмінієві корпуси

06/04/2022 — Мережеві фільтри та мережеві розєми виробника Yunpen

06/04/2022 — Термопринтер Xprinter Jepod

06/04/2022 — Світлодіоди G-NOR і Shining Opto

06/04/2022 — Паяльне обладнання AOYUE

17/02/2022 — Вентилятори, зумери, кнопки, клемники, потенціометри

17/02/2022 — Поповнення складу від постачальника HITANO

26/01/2022 — Напівпровідники, силові дроселі, кварцеві резонатори, кнопки тактові, з’єднувачі

26/01/2022 — Паяльне обладнання AOYUE

29/12/2021 — Нарешті можемо вас познайомити!

19/12/2021 — Підшипники, муфти, ходові гвинти, направляючі, ролики, ремені

15/12/2021 — Пластикові та алюмінієві корпуси

15/12/2021 — Клемники DEGSON

15/12/2021 — Акумулятори Li-poly, NiMH і Li-Ion від виробника GEB

15/12/2021 — Пальні станції, набори для пайки, лупи, термофени та лабораторні блоки живлення

09/12/2021 — Реле, гвинти, шлейф, корпуси, кнопки, перемикачі, з’єднувачі, розрядники

25/11/2021 — Пластикові та алюмінієві корпуси

25/11/2021 — Домашня електроніка та інструмент

10/11/2021 — Трансивери Ebyte з інтерфейсами Bluetooh, SPI, UART, ZigBee

03/11/2021 — Світлодіоди G-NOR і Shining Opto

02/11/2021 — Інвертори Swipower, мультиметри Richmeters та UNI-T, логічні аналізатори Kingst

02/11/2021 — Клемники DEGSON

02/11/2021 — Ультразвукові ванни Granbo

02/11/2021 — Напівпровідники, силові дроселі, кварцеві резонатори, кнопки тактові, з’єднувачі

02/11/2021 — Реле твердо-тільні, термостати, термопари, шунти

02/11/2021 — Домашня електроніка та інструмент

02/11/2021 — Паяльне обладнання YIHUA та AOYUE

18/10/2021 — Хімія для виробництва та пайки від компанії AG TermoPasty

18/10/2021 — Вентилятори, зумери, кнопки, клемники, потенціометри

18/10/2021 — Поповнення складу від постачальника HITANO

21/04/2021 — Припої та флюси виробництва CYNEL

02/04/2021 — Пластикові та гумові елементи від KangYang

02/04/2021 — Домашня електроніка та інструмент

01/04/2021 — Прилади від виробника Hantek Electronics

01/04/2021 — Акумулятори та батарейки LiitoKala

26/11/2020 — Модеми та радіомодулі HOPE RF

24/11/2020 — Паяльне обладнання YIHUA й AOYUE

23/11/2020 — Магазин Радіомаг в Києві змінює свій графік роботи

01/11/2020 — Оптичні інкрементні енкодери

19/10/2020 — Модеми й радіомодулі Ebyte

07/09/2020 — Домашня електроніка

04/09/2020 — Термопринтер Xprinter Jepod

03/09/2020 — Реле твердо-тільні, термостати, термопари, шунти

03/09/2020 — Батарейки та акумулятори від виробника PKCELL

18/08/2020 — Granbo — ультразвукові ванни

09/07/2020 — Припої та флюси виробництва CYNEL

16/06/2020 — Поповнення складу від постачальника HITANO

26/05/2020 — Графік роботи магазинів РАДІОМАГ

17/04/2020 — Елементи розумного будинку від Sonoff

16/04/2020 — Поповнення складских запасів

29/03/2020 — Паяльне обладнання YIHUA

24/03/2020 — Осцилографи Hantek Electronics

23/03/2020 — Спеціальна пропозиція на період карантину

28/02/2020 — Клемники DEGSON розширення складського асортименту

20/02/2020 — ИБП 500VA/300W UPS (Eg500pb)

19/02/2020 — Значне розширення асортименту неодимових магнітів

12/02/2020 — Мультиметри і аксесуари Mastech

11/02/2020 — Припої та флюси виробництва CYNEL

16/12/2019 — Практична електроніка — тепер і англійською

16/12/2019 — Набори RADIOMAG для самостійної збірки

05/11/2019 — Мультиметри і аксесуари Richmeters

07/10/2019 — Хімія для виробництва та пайки від компанії AG TermoPasty

17/09/2019 — Паяльне обладнання YIHUA

11/09/2019 — Найбільше за 17 років поповнення складу продукцією виробника Hitano

10/09/2019 — Припої та флюси виробництва CYNEL

29/08/2019 — Акумулятори Li-poly і Li-Ion від виробника GEB

14/08/2019 — Поповнення складу від постачальника HITANO

08/08/2019 — Поповнення складу та розширення асортименту

29/07/2019 — Розширення асортименту.

10/07/2019 — Хімія для виробництва та пайки від компанії AG TermoPasty

09/07/2019 — Розширився асортимент крокових двигунів

05/07/2019 — Паяльне обладнання YIHUA

02/07/2019 — Припої та флюси виробництва CYNEL

26/06/2019 — Жала для паяльних станцій від виробника Leisto

17/04/2019 — Касетниці TRESTON для зберігання компонентів

20/03/2019 — Клемники DEGSON розширення складського асортименту

11/03/2019 — Свинцево-кислотні акумулятори та джерела безперебійного живлення (UPS)

25/02/2019 — Нові моделі паяльного обладнання AOYUE та YIHUA

06/02/2019 — Неодимові магніти

28/01/2019 — Акумулятори Li-poly і Li-Ion від виробника GEB

09/01/2019 — Макетні плати для пайки, безпаєчні та аксесуари до них.

29/11/2018 — Припої та флюси виробництва CYNEL

13/09/2018 — Асортимент акумуляторів Li-poly та LiFePo4 розширено новими позиціями

12/09/2018 — Безгвинтові з’єднувачі проводів виробництва Anson

14/08/2018 — Розширення асортименту: обладнання від виробника YiHua Electronic

23/07/2018 — Хімія для виробництва та пайки від компанії AG TermoPasty

19/07/2018 — Degson нова продукція DG221-5. 6, DG271V-3.5, DSKK2.5 и 2CDG-5.08

12/07/2018 — Поповнення складських запасів блоків живлення Ovision та RS Power

11/07/2018 — Корпуси для електроніки — найбільший в Україні асортимент

05/07/2018 — Магазин РАДІОМАГ у Львові переїхав!

16/05/2018 — Свинцево-кислотні акумулятори

24/04/2018 — Паяльне обладнання й аксесуари від виробника YiHua Electronic

23/04/2018 — Запрошуємо на стенд компанії «РАДІОМАГ УКРАЇНА» на Dnipro Maker Faire 2018

06/04/2018 — Клеммники виробництва компанії DEGSON

24/01/2018 — Мережеві фільтри та мережеві розєми виробника Yunpen

12/01/2018 — Паяльне обладнання виробництва AOYUE

04/01/2018 — Припой і флюс виробництва CYNEL

12/12/2017 — Розширення асортименту інструментів і паяльних аксесуарів

12/12/2017 — Припій і флюс виробництва CYNEL

06/12/2017 — Паста, флюс, термопаста і інша хімія для пайки і не тільки.

01/12/2017 — Відкрився новий магазин

29/11/2017 — Розширення асортименту паяльного обладнання

21/11/2017 — Зарядні пристрої для акумуляторів.

16/11/2017 — Поповнення складу від виробника HITANO

14/11/2017 — Поповнення складу і розширення асортименту

14/11/2017 — Склад поповнився блоками живлення виробника Ovision

07/11/2017 — На склад надійшли літієві батареї XenoEnergy

22/05/2017 — Корпуса GAINTA пластикові та алюмінієві зі складу

19/05/2017 — Корпуса універсальні пластикові зі складу

19/05/2017 — Макетні плати, з’єднувачі та корпуси виробника E-CALL

19/05/2017 — Паяльне обладнання та аксесуари

18/05/2017 — Кейс захисний універсальний пластиковий

16/03/2017 — Паяльне обладнання виробництва AOYUE

16/03/2017 — Діоди, діодні мости, стабілітрони зі складу

14/03/2017 — Склад поповнився! В том числі новими товарами!

14/03/2017 — Паяльне обладнання і вимірювальні прилади SINOMETER, PEAKMETER, MASTECH,

28/02/2017 — Наш склад поповнився припоями і флюсами виробництва CYNEL

28/02/2017 — На склад надійшли літій-тіонілхлоридні батареї виробництва компанії Saft

06/12/2016 — Новий набір на курси з електроніки для дітей

02/08/2016 — На склад надійшло більше 400 найменувань

03/06/2016 — Конструктори »ПРАКТИЧНА ЕЛЕКТРОНІКА»

27/04/2016 — УВАГА! Краща цінова пропозиція на продукцію Atmel, IR, Vishay, MIC, ST!

24/03/2016 — Неодимові магніти на складі

06/05/2015 — На склад надійшло вимірювальне обладнання Mastech

05/05/2015 — Поповнено склад вимірювальними приладами Mastech.

27/02/2015 — Розміщуємо замовлення на корпуси виробництва GAINTA

17/02/2015 — Надійшли бездротові модулі HOPE RF

16/02/2015 — Склад поповнено дротовими припоями зі сплаву олова та свинцю

04/02/2015 — Світлодіодна продукція G-Nor

06/11/2014 — На склад надійшло паяльне обладнання AOYUE

23/09/2014 — Світлодіоди та світлодіодні стрічки надійшли до складу!

19/09/2014 — Нові надходження приладів та паяльного обладнання Sinometer

19/09/2014 — Корпуса SANHE надійшли на склад

11/09/2014 — Блоки живлення

28/08/2014 — І знову багато цікавого надійшло до складу

21/08/2014 — Нові надходження корпусів Sanhe

15/08/2014 — Світлодіоди вже на складі

13/08/2014 — Цікаві товари поступили на склад

07/08/2014 — Продукція G-NOR

04/08/2014 — Відсіки для батарейок та акумуляторів

09/07/2014 — Відкрито магазин РАДІОМАГ в Одесі!

08/05/2014 — Корпуси Sanhe

31/03/2014 — Світлодіодні стрічки від виробника KENTO

19/03/2014 — Вбудовувані блоки живлення

18/03/2014 — Світлодіодні стрічки від виробника KENTO

12/03/2014 — Паяльне обладнання AOYUE

12/03/2014 — Блоки живлення (AC / DC адаптери) HGPower та інші

12/03/2014 — На склад надійшов великий асортимент корпусів Kradex для РЕА

12/03/2014 — Магніти

12/03/2014 — Танталові конденсатори Vishay / AVX

12/03/2014 — На склад надійшла продукція від виробника KLS ELECTRONIC Co. Ltd

12/03/2014 — Поповнено асортимент і склад світлодіодних стрічок в Україні!

12/03/2014 — Джерела живлення для світлодіодів фірми Camelight

12/03/2014 — Найбільший в Україні асортимент корпусів для РЕА зі складу

12/03/2014 — Потужні світлодіоди

11/03/2014 — ZigBee радіомодеми

11/03/2014 — На склад надійшла чергова партія вимірювальних приладів Sinometer

11/03/2014 — Формуємо поставку корпусів KRADEX (Польща)

11/03/2014 — Продукція KLS Electronic

11/03/2014 — Sinometer вимірювальне та паяльне обладнання

11/03/2014 — Акумуляторні батареї Wanmabattery

11/03/2014 — Продукція HITANO

07/03/2014 — Запобіжники HOLLYLAND

07/03/2014 — Продукція GAINTA

07/03/2014 — Блоки живлення від виробника RS-POWER

07/03/2014 — Діоди, випрямлячі, діодні мости і інша продукція Yangjie

07/03/2014 — Поставка продукції G-NOR

07/03/2014 — Запобіжники ZEEMAN

10/06/2013 — Радіомодулі HOPE RF

IRF9Z34N техническое описание — -55В один P-канальный HexFET Power MOSFET в TO-220AB

Подробная информация, техническое описание, цитата по номеру детали: IRF9Z34N

Деталь	IRF9Z34N
Категория	Дискретные => Транзисторы => FET (полевые транзисторы) => MOSFET => P-Channel
Описание	-55 В Одиночный P-канальный силовой полевой МОП-транзистор HexFET в корпусе TO-220AB
Компания	International Rectifier Corp.
Техническое описание	Загрузить IRF9Z34N Техническое описание
Крест.	Аналогичные детали: MTP23P06VG, ​​MTP23P06VG
Цитата	Где купить

 

Функции, приложения

Усовершенствованная технология обработки Динамический рейтинг dv/dt l Рабочая температура 175°C l Быстрое переключение l P-канал l Полностью лавинный номинал Описание В МОП-транзисторах пятого поколения компании International Rectifier используются передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади кремния. Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны мощные полевые МОП-транзисторы HEXFET, дает разработчику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных приложениях. Корпус TO-220 повсеместно предпочтительнее для всех коммерческих и промышленных приложений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое термическое сопротивление и низкая стоимость упаковки TO-220 способствуют его широкому распространению в отрасли. = 100C IDM PD @TC = 25C ​​VGS EAS IAR EAR dv/dt TJ TSTG Непрерывный ток стока, VGS при -10 В Непрерывный ток стока, VGS при -10 В Импульсный ток стока Рассеиваемая мощность Линейный Коэффициент снижения мощности Напряжение затвор-исток Одиночный импульс Лавинная энергия Лавинный ток Повторяющаяся лавинная энергия Пиковое восстановление диода dv/dt Рабочий диапазон температур перехода и хранения Температура пайки, в течение 10 секунд Момент затяжки или винт M3 RJC RCS RJA Соединение между корпусом и раковиной, плоская, смазанная поверхность Соединение с окружающей средой RDS(on) VGS(th) gfs IDSS I GSS gd t d(on) tr t d(off) LD LS Ciss Coss Crss Параметр Напряжение пробоя сток-исток Напряжение пробоя Темп. Коэффициент Статический Сопротивление сток-исток Пороговое напряжение затвора Прямая крутизна Ток утечки сток-исток Прямая утечка затвор-исток Обратная утечка Затвор-исток Суммарный заряд затвора Заряд затвор-исток Заряд затвор-сток («Миллер») Заряд Время задержки включения Время нарастания Время задержки выключения Время спада Индуктивность внутреннего стока Индуктивность внутреннего источника Входная емкость Выходная емкость Обратная передаточная емкость Макс. Единицы измерения Условия V VGS = -250A V/C Эталонное значение -1 мA 0,10 VGS -4,0 В VDS = VGS -250A S VDS -10A -25 VDS = -55В, VGS A -250 VDS = -44В, VGS нА -100 VGS 7,9 нКл VDS = -10 В, см. рис. 6 и 13 VDD = 2,6, см. рис. 10 Между выводом, nH G от корпуса и центром контакта кристалла VGS 0 В пФ VDS = 1,0 МГц, см. рис. 5 Параметр Непрерывный ток источника (корпусной диод) Импульсный ток источника (корпусной диод) Диод Прямое напряжение Время обратного восстановления Обратное восстановление Время включения при прямом заряде Условия D Символ MOSFET -19, показывающий диод с обратным p-n переходом AG -68. 160 нКл di/dt = -100 А/с Собственное время включения незначительно (на включение преобладает LS+LD)

 

Номер детали того же производителя International Rectifier Corp.

IRF9Z34NL -55V Одиночный P-канальный силовой МОП-транзистор HexFET в корпусе TO-262

IRF9Z34S -60V Одиночный P-канальный силовой МОП-транзистор HexFET в корпусе D2-Pak

IRFAC30 600 В Одиночный N-канальный полевой МОП-транзистор Hi-rel в корпусе TO-204AA

IRFAC40

IRFAE30 800 В Одиночный N-канальный полевой МОП-транзистор Hi-rel в корпусе TO-204AA

ИРФАЭ40

ИРФАЕ50

IRFAF30 Одиночный N-канальный полевой МОП-транзистор Hi-rel 900 В в корпусе TO-204AA

ИРФАФ40

ИРФАФ50

IRFAG30 Одиночный N-канальный полевой МОП-транзистор Hi-rel 1000 В в корпусе TO-204AA

IRFAG40

IRFAG50

IRFB11N50A Одиночный N-канальный силовой полевой МОП-транзистор HexFET, 500 В, в корпусе TO-220AB

IRFB11N50APBF Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором без свинца, 500 В, в корпусе TO-220AB

IRFB13N50A Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 500 В, в корпусе TO-220AB

ИРФБ16Н50К

IRFB16N60L Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET 600 В в корпусе TO-220AB

IRFB17N20D Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 200 В, в корпусе TO-220AB

IRFB17N50L Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 500 В, в корпусе TO-220AB

IRFB17N60K Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET 600 В в корпусе TO-220AB

180NQ035 : Дискретный диод Шоттки > 100 А, 35 В, 180 А в корпусе D-67 Half-pak IRU1175 : IRU3048CF: Двойной синхронный ШИМ-контроллер со схемой распределения тока и LDO-контроллером IRHSNA53064 : Радиационностойкий синхронный выпрямитель для поверхностного монтажа (smd-2), 30 В, N-канальный AMA2812D/EMPBF: 2-ВЫХОДНЫЙ МОДУЛЬ ПИТАНИЯ REG PWR 5 Вт DC-DC Технические характеристики: Тип упаковки: Другой, ГЕРМЕТИЧНО ЗАКРЫТЫЙ, КЕРАМИЧЕСКИЙ УПАКОВКА-7/8 ; Выходное напряжение: от 11,76 до 12,24 вольт; Входное напряжение: от 16 до 40 вольт; Выходная мощность: 5 Вт (0,0067 л. с.); Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F) IRFIZ44-012PBF : 30 А, 60 В, 0,028 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET Технические характеристики: Полярность: N-канальный; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 60 вольт; RDS(вкл.): 0,0280 Ом; Количество единиц в IC: 1 IRKD250-12 : 250 А, 400 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Технические характеристики: Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД ; Применение диодов: выпрямитель высокого напряжения; ЕСЛИ: 250000 мА; Соответствует RoHS: RoHS; Упаковка: СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, POWER, MAGN-A-PAK-3; Количество выводов: 3; Количество диодов: 2 SD453R20S30PSCPBF : 400 А, 2000 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Технические характеристики: Конфигурация: Одинарный; Упаковка: КЕРАМИЧЕСКАЯ, B-8, 1 PIN; Количество выводов: 1; Количество диодов: 1 ; ЕСЛИ: 400000 мА; трр: 2 нс; ВРРМ: 2000 вольт; Соответствует RoHS: RoHS ST230C04CPBF: 810 А, 400 В, SCR, TO-200AB Технические характеристики: VDRM: 400 В; ВРРМ: 400 вольт; ИТ (RMS): 810 ампер; IGT: 150 мА; Количество выводов: 2 10JTF40-018 : 10 А, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Спецификации: Расположение: Общий анод; Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель, СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ; ЕСЛИ: 10000 мА; Соответствует RoHS: RoHS; Комплектация: ТО-220, ТО-220АБ, 3 PIN; Количество выводов: 3; Количество диодов: 2

Та же категория

2SK2152 : N-канальный кремниевый полевой МОП-транзистор, очень быстродействующее коммутационное приложение. s Параметр Напряжение сток-исток Напряжение затвор-исток Ток стока (постоянный) Ток стока (импульсный) Допустимая рассеиваемая мощность Температура канала Температура хранения Обозначение VDSS VGSS ID IDP PD Tch Tstg 1 : Gate 2 : Drain 3 : Источник SANYO : PCP (вид снизу) Параметр Напряжение пробоя сток-исток Напряжение пробоя затвор-исток Напряжение нулевого затвора. 2SK3290 : Мощный маломощный полевой МОП-транзистор. Что касается изменения названий, упомянутых в документе, таких как Hitachi Electric и Hitachi XX, в Renesas Technology Corp. Полупроводниковые операции Mitsubishi Electric и Hitachi были переданы Renesas Technology Corporation 1 апреля 2003 года. Эти операции включают микрокомпьютер, логику, аналоговые и дискретные устройства, и микросхемы памяти. 802GB061-259CTV : . SKiiP 802GB061-259CTV I. Силовая часть Абсолютные максимальные характеристики Обозначение Условия IGBT VCES VCC 1) Рабочее напряжение звена постоянного тока VGES (70) C Обратный диод IF = -IC (70) C IFSM = 150 C, = 10 мс; sin I2t (Diode) Диод, = 150 C, Tj , (Tstg) Visol AC, 1мин. Обозначение IGBT VCEsat VCEO rCE ICES Условия Технология SKiiP внутри IGBT с малыми потерями CAL-диодная технология. AZ984 : Электромеханические реле. Номинал (А) = 20А ;; Контактная форма = Spst/spdt ;; Разрешения регулирующих органов =   ;; Диэлектрическая прочность = 500 В переменного тока Диэлектрик ;; Класс изоляции =   ;; Способ крепления = Гнездо ;;. BC489BRL1 : Сильноточный транзистор Npn, упаковка: TO-92 (TO-226), контакты = 3. Номинальное значение CollectorEmitter Voltage CollectorBase Voltage EmitterBase Voltage Collector Current Continuous Total Dissipation = 25C ​​Снижение номинального значения выше 25C Общее рассеивание устройства = 25C ​​Снижение номинального значения выше 25C Рабочая температура и диапазон хранения Температура перехода Символ VCEO VCBO VEBO IC PD TJ, Tstg Значение до +150 Единица измерения В пост. тока Adc Характеристика Тепловая Сопротивление,. BCP6925 : Транзистор PNP Low Sat. ВЫПУСК 3 ФЕВРАЛЬ 1996 7 * Для драйверов AF и выходных каскадов * Высокий ток коллектора и низкое VCE(sat) ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ТИП МАРКИРОВКА ДЕТАЛЬ 25 C ПАРАМЕТР Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Пиковый импульсный ток Непрерывный ток коллектора Рассеиваемая мощность при Tamb =25C Диапазон температур эксплуатации и хранения ПАРАМЕТР. BT138B-600G : Серия BT138B; Триаки. Пассивированные симисторы в пластиковом корпусе, пригодные для поверхностного монтажа, предназначены для использования в приложениях, требующих высоких двунаправленных переходных и запирающих напряжений, а также высоких характеристик термоциклирования. Типичные области применения включают управление двигателем, промышленное и бытовое освещение, отопление и статическое переключение. СИМВОЛ ПАРАМЕТР BT138BBT138BBT138BПовторяется. LSM835G : Выпрямитель Шоттки, упаковка: DO-215AB. PDTA144T : Транзисторы с резистором PNP; R1 = 47 кОм, R2 = транзистор с резистором Open. pnp (подробные сведения о корпусе см. в разделе «Упрощенная схема, символ и вывод»). Встроенные резисторы смещения. Упрощенная конструкция схемы. Сокращение количества компонентов. Снижение затрат на сборку и размещение. Области применения Универсальные коммутационные и усилительные инверторы и интерфейсные схемы. S307 : Ресивер Silicon Power. SD404BD : Высокоскоростной N-канальный коммутатор Dmos. Это устройство N-Channel Enhancement Mode, обработанное с помощью сверхвысокоскоростной боковой DMOS-технологии Calogic. Это отличный драйвер переключателя или аналоговый переключатель. Его низкий порог дает разработчику преимущество в применении преимуществ низкого сопротивления и высокой скорости переключения в цепях низкого напряжения. ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ ЗАКАЗА Часть Температура упаковки. SKN340F : Диоды выпрямителя с быстрым восстановлением. СКН 340 Ф СКН 2М400 Единицы А мА Типичные области применения Инверторные диоды для GTO и несимметричных тиристоров Инверторы и прерыватели Управление электродвигателями переменного тока Источники бесперебойного питания Малая рекуперация заряда Мягкая рекуперация обратного напряжения 1800 В Герметичные металлические корпуса капсульного типа с керамическими изоляторами. 05х3L : 0,5 А, 100 В, КРЕМНИЯ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Упаковка: СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, ПЛАСТИКОВАЯ УПАКОВКА-2; Количество диодов: 1 ; ЕСЛИ: 500 мА; Соответствует RoHS: RoHS. B772SSG-E-AE3-R : 3000 мА, 30 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: ПАКЕТ БЕЗ ГАЛОГЕНА-3. BUK455-100B127 : 23 A, 100 В, 0,1 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB. s: Полярность: N-канальный ; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 100 вольт; RDS(вкл.): 0,1000 Ом; Количество единиц в IC: 1. OM27SP1 : 30 А, 100 В, 0,065 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, СИЛОВОЙ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канальный ; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 100 вольт; RDS(вкл.): 0,0650 Ом; Тип упаковки: 6-контактный; Количество единиц в ИС: 1. PCX233710103 : КОНДЕНСАТОР, МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫЙ ПЛЕНОЧНЫЙ, ПОЛИПРОПИЛЕН, 0,01 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Технология: пленочные конденсаторы; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: Полипропилен ; Диапазон емкости: 0,0100 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая Температура:.

 

© 2004-2023 digchip.com 9Z34 60V 18A TO 220 Новый

Реклама

Реклама

Реклама

1 из 8

Верхний обрезанный слайд

Скачать для чтения в автономном режиме

Engineering

Оригинальный P-канальный Mosfet IRF9Z34 IRF9Z34N IRF9Z34NPBF 9Z34 60В 18А ДО 220 Новый https://authelectronic.com/original-p-channel-mosfet-irf9z34-irf9z34n-irf9z34npbf-9z34-60v-18a-to-220-new

Реклама

Реклама

Оригинальный P-канальный Mosfet IRF9ZNP3B3Z34 IRF9Z4Z34 IRF9Z4Z34 IRF9Z34N IRF9Z4Z34 60В 18А ДО 220 Новый

1. IRF9Z34N Мощный МОП-транзистор HEXFET® ПД — 9.1485Б Шестигранные полевые транзисторы пятого поколения от International Rectifier использовать передовые методы обработки для достижения чрезвычайно низкое сопротивление во включенном состоянии на единицу площади кремния. Этот преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочная конструкция устройства, которая обеспечивает мощность HEXFET Полевые МОП-транзисторы хорошо известны, как сообщает разработчик. с чрезвычайно эффективным и надежным устройством для использования в самых разных приложениях. Пакет TO-220 является предпочтительным для всех Коммерчески-промышленные приложения при рассеивании мощности достигает примерно 50 Вт. Низкая тепловая стойкость и низкая стоимость упаковки ТО-220 способствуют его широкому распространению во всем мире. промышленность. Параметр Макс. Единицы ID при TC = 25°C Непрерывный ток стока, VGS при -10 В -19ID при TC = 100°C Непрерывный ток стока, VGS при -10 В -14 A Импульсный ток стока IDM -68 PD @TC = 25°C Рассеиваемая мощность 68 Вт Линейный коэффициент снижения характеристик 0,45 Вт/°C Напряжение затвор-исток VGS ± 20 В Энергия лавины одиночного импульса EAS‚ 180 мДж IAR Лавинный ток -10 A Энергия повторяющейся лавины EAR 6,8 мДж dv/dt Пиковое восстановление диода dv/dt ƒ -5,0 В/нс Рабочий узел TJ и от -55 до + 175 Диапазон температур хранения ТСТГ Температура пайки, за 10 секунд 300 (1,6 мм от корпуса) °С Момент затяжки, винт 6-32 или M3 10 фунт-сила•дюйм (1,1 Н•м) Абсолютные максимальные значения Параметр Тип. Макс. Единицы Переход RθJC к корпусу ––– 2.2 RθCS Корпус-раковина, плоская, смазанная поверхность 0,50 ––– °C/Вт RθJA Переход к окружающей среде ––– 62 Термическое сопротивление VDSS = -55В RDS(вкл.) = 0,10 Ом ID = -19А ТО-220АБ l Усовершенствованная технология обработки l Динамический рейтинг dv/dt л 175 ° C Рабочая температура л быстрое переключение л P-канал l Полностью лавинный рейтинг Описание 25.08.97 С Д г
2. ИРФ9З34Н Параметр Мин. тип. Макс. Единицы Условия IS Непрерывный источник тока Символ MOSFET (тело диод) ––– ––– показывая ISM Импульсный источник тока, обратный интеграл тока (корпусной диод) ––– ––– диод с p-n переходом. Прямое напряжение диода преобразователя частоты ––– ––– -1,6 В TJ = 25°C, IS = -10 A, VGS = 0 В „ trr Время обратного восстановления ––– 54 82 нс TJ = 25°C, IF = -10A Qrr Reverse RecoveryCharge ––– 110 160 нКл di/dt = -100 А/мкс „ ton Время прямого включения Собственное время включения незначительно (включение преобладает при LS+LD) Параметр Мин. тип. Макс. Единицы Условия V(BR)DSS Напряжение пробоя сток-исток -55 ––– ––– В VGS = 0 В, ID = -250 мкА ∆V(BR)DSS/∆TJ Напряжение пробоя Темп. Коэффициент ––– -0,05 ––– В/°C Относительно 25°C, ID = -1 мА RDS(on) Статическое сопротивление сток-исток во включенном состоянии ––– ––– 0,10 Ом VGS = -10 В, ID = -10 A „ Пороговое напряжение затвора VGS(th) -2,0 ––– -4,0 В VDS = VGS, ID = -250 мкА gfs Прямая крутизна 4.2 ––– ––– S VDS = 25 В, ID = -10 А ––– ––– -25 мкА VDS = -55В, VGS = 0В ––– ––– -250 VDS = -44 В, VGS = 0 В, TJ = 150°C Прямая утечка от затвора к истоку ––– ––– 100 VGS = 20 В Обратная утечка от ворот к источнику ––– ––– -100 нА ВГС = -20В Qg Общий заряд затвора ––– ––– 35 ID = -10A Qgs Заряд от ворот к источнику ––– ––– 7,9нС VDS = -44В Qgd Заряд от ворот к стоку («Миллер») ––– ––– 16 VGS = -10 В, см. рис. 6 и 13. td(on) Время задержки включения ––– 13 ––– VDD = -28 В tr Время нарастания ––– 55 ––– ID = -10A td(off) Время задержки выключения ––– 30 ––– RG = 13 Ом tf Fall Time ––– 41 ––– RD = 2,6 Ом, см. рис. 10. Между свинцом, ––– ––– 6 мм (0,25 дюйма) из пакета и центр контакта штампа Ciss Входная емкость ––– 620 ––– VGS = 0 В Выходная емкость Coss ––– 280 ––– пФ VDS = -25 В Емкость обратной передачи Crss ––– 140 ––– ƒ = 1,0 МГц, см. рис. 5 нГн Электрические характеристики при TJ = 25°C (если не указано иное) Индуктивность внутреннего стока LD Индуктивность внутреннего источника LS ––– ––– ИГСС нс 4,5 7,5 IDSS Ток утечки сток-исток Повторяющийся рейтинг; ширина импульса ограничена Макс. температура соединения. (см. рис. 11) ƒ ISD ≤ -10A, di/dt ≤ -290 А/мкс, VDD ≤ V(BR)DSS, ТДж ≤ 175°С Примечания: ‚ Начальная TJ = 25°C, L = 3,6 мГн. RG = 25 Ом, IAS = -10 А. (См. рис. 12) длительность импульса ≤ 300 мкс; рабочий цикл ≤ 2%. С Д г Рейтинги и характеристики источников и стоков А С Д г -19 -68
3. ИРФ9З34Н Рис. 4. Нормализованное сопротивление в открытом состоянии Против. Температура Рис. 2. Типичные выходные характеристики. Рис. 1. Типичные выходные характеристики. Рис. 3. Типичные передаточные характеристики 1 1 0 1 0 0 0,1 1 1 0 1 0 0 Д Д С ДЛИТЕЛЬНОСТЬ ИМПУЛЬСОВ 20 мкс T = 25°Cc А -I, Ток стока к источнику (A) -V , Напряжение сток-исток (В) ВГС ВЕРХ — 15В — 10В — 8,0 В — 7,0 В — 6,0 В — 5,5 В — 5,0 В НИЖНЯЯ — 4,5 В -4,5 В 1 10 100 0,1 1 10 100D Д С А -I, Ток стока к источнику (A) -V , Напряжение сток-исток (В) ВГС ВЕРХ — 15В — 10В — 8,0 В — 7,0 В — 6,0 В — 5,5 В — 5,0 В НИЖНЯЯ — 4,5 В -4,5 В ДЛИТЕЛЬНОСТЬ ИМПУЛЬСА 20 мкс Т = 175°С 1 1 0 1 0 0 4 5 6 7 8 91 0 T = 2 5°CJ Г С Д А -I, Ток стока к источнику (A) -V , напряжение затвор-исток (В) В = -2 5В ДЛИТЕЛЬНОСТЬ ИМПУЛЬСА 20 мкс ДС Т = 175°СДж 0,0 0,5 1,0 1,5 2. 0 -60 -40 -20 0 2 0 4 0 6 0 8 0 1 0 0 1 2 0 1 4 0 1 6 0 1 8 0 JT , температура перехода (°C) R,Drain-to-SourceOnResistanceDS(on) (нормализованный) А В = -10ВГС я = -17 г. н.э.
4. ИРФ9З34Н Рис. 8. Максимальная безопасная рабочая зона Рис. 6. Типичный заряд затвора по сравнению с. Напряжение затвор-исток Рис. 5. Типичная емкость по сравнению с. Напряжение сток-исток Рис. 7. Типичный диод исток-сток Прямое напряжение 0 4 8 12 16 20 0 10 20 30 40 г GS А -V, напряжение от затвора к источнику (V) Q , общий заряд затвора (нКл) ДЛЯ ИСПЫТАТЕЛЬНОЙ ЦЕПИ СМ. РИСУНОК 13 я = -10А В = -44В В = -28В Д ДС ДС 0,1 1 1 0 1 0 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 Т = 25°CJ В = 0ВГ С SD SD А -I,ОбратныйТокСлива(A) -V , Напряжение исток-сток (В) Т = 175°СДж 1 10 100 1000 1 10 100 ЭКСПЛУАТАЦИЯ В ЭТОЙ ОБЛАСТИ ОГРАНИЧЕНИЙ ПО РД С(о) 10 мс А -I,СливнойТок(А) -V , Напряжение сток-исток (В) DS Д 10 мкс 100 мкс 1 мс Т = 25°С Т = 175°С Один импульс С Дж 0 200 400 600 800 1000 1200 1 10 100 C, Емкость (пФ) А DS-V , Напряжение сток-исток (В) В = 0 В, f = 1 МГц C = C + C , C КОРОТКИЙ D С = С С = С + С GS iss gs gd ds rss gd осс д с гд С это с К осс C рс с
5. ИРФ9З34Н Рис. 10а. Цепь проверки времени переключения Рис. 10б. Переключение сигналов времени Рис. 11. Максимальное эффективное переходное тепловое сопротивление переход-корпус Рис. 9. Максимальный ток стока по сравнению с. Температура корпуса VDS -10В Длительность импульса ≤ 1 мкс Коэффициент заполнения ≤ 0,1 % РД ВГС ВДД РГ Д.У.Т. + — VDS 90% 10% ВГС td(on) tr td(off) tf 0,01 0,1 1 10 0,00001 0,0001 0,001 0,01 0,1 Примечания: 1. Коэффициент заполнения D = t / t 2. Пик T = P x Z + T 1 2 J DM thJC C п т т ДМ 1 2 t , длительность прямоугольного импульса (сек) Тепловой ответ (Z) 1 thJC 0,01 0,02 0,05 0,10 0,20 Д = 0,50 ОДИНОЧНЫЙ ИМПУЛЬС (ТЕПЛОВОЙ ОТКЛИК) 25 50 75 100 125 150 175 0 5 10 15 20 T, температура корпуса (C) I, ток стока (A) °С Д
6. ИРФ9З34Н Рис. 13б. Схема тестирования заряда затвора Рис. 13а. Базовая форма волны заряда затвора Рис. 12с. Максимальная энергия лавины Против. Ток стока QG QGS QGD ВГ Заряжать -10В Д.У.Т. VDS Я КОПАЮ -3мА ВГС 0,3 мкФ 50 кОм 0,2 мкФ 12 В Текущий регулятор Тот же тип, что и D. U.T. Резисторы выборки тока + — Рис. 12б. Нефиксированные индуктивные сигналы Рис 12а. Незамкнутая индуктивная тестовая цепь тп В(БР)ДСС МСФО Р Г МСФО 0,0 1 Омtp Д.У.Т ЛВД С ВД Д ВОДИТЕЛЬ А 15В -20В 0 100 200 300 400 500 25 50 75 100 125 150 175 Дж E,Одиночный ИмпульсЛавинаЭнергия(мДж)AS А Начальная температура, температура перехода (°C) я ВЕРХНИЙ -4,2А -7,2 А НИЖНЯЯ -10А Д
7. ИРФ9З34Н Цепь тестирования пикового восстановления диода dv/dt П.В. Период ди/дт Восстановление диода дв/дт Пульсация ≤ 5% Корпус Диод Прямое падение Повторно применен Напряжение Обеспечить регресс Восстановление Текущий Кузов Диод Вперед Текущий ВГС=10В ВДД ИСД Привод ворот водителя Д.У.Т. Форма сигнала ISD Д.У.Т. Форма сигнала VDS Индуктор Ток Д = П.В. Период + — + + +- — — ƒ „ ‚ РГ ВДД • dv/dt контролируется RG • ISD, контролируемый коэффициентом заполнения «D» • Т.У.Т. — Тестируемое устройство Т.У.Т.* Рекомендации по компоновке схемы • Низкая паразитная индуктивность • Заземляющая плоскость • Низкая индуктивность рассеяния Трансформатор тока Ё * Обратная полярность ИУ для P-канала ВГС [ ] [ ] *** VGS = 5,0 В для логического уровня и приводных устройств 3 В. [ ] *** Рис. 14. Для P-Channel HEXFETS
8. ИРФ9З34Н Л Е А Д А С И Н М Е Н Т Ы 1 — Г А Т Е 2 — СЛИВ 3 — ИСТОЧНИК 4 — СЛИВ — Б — 1,3 2 (0,0 52 ) 1,2 2 (0,048) 3X 0,5 5 (0,02 2) 0,4 6 (0,01 8) 2,9 2 (0,11 5 ) 2,6 4 (0,10 4 ) 4 .69 ( .1 85 ) 4 .20 ( .1 65 ) 3X 0,93 (0,037) 0,69 (0,027) 4,0 6 (0,16 0) 3,5 5 (0,14 0) 1,15 (0,0 4 5) М В 6,4 7 (0,25 5) 6,1 0 (0,24 0) 3,78 (0,14 9) 3,54 (0,13 9) — А — 1 0,5 4 (0,41 5) 1 0,2 9 (0,40 5)2 ,87 ( 0,1 13 ) 2 .62 ( .1 03 ) 1 5,24 ( 0,6 0 0) 1 4,84 ( 0,5 8 4) 1 4,09 (0,5 5 5) 1 3,47 (0,5 3 0) 3 х 1,4 0 (0,05 5 ) 1 ,1 5 (0,04 5 ) 2 .54 ( .1 00 ) 2Х 0,3 6 (0,01 4) М Б А М 4 1 2 3 ПРИМЕЧАНИЯ : 1 РАЗМЕРЫ И ДОПУСТИМЫЕ РАЗМЕРЫ 14 ,5 М , 1 98 2. 3 ВНЕШНЯЯ ЛИНИЯ ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ФОРМА S T O JE D E C U T Line E T O -2 20 A B. 2 КОНТРОЛИРУЮЩИЕ РАЗМЕРЫ : ДЮЙМЫ 4 ТЕПЛОПРОВОДНИКИ И ЛИДЕРОВЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ НЕ ВКЛЮЧАЮТ ЗАРЕЗЫ . НОМЕР ДЕТАЛИМЕЖДУНАРОДНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ЛОГОТИП ПРИМЕР: ЭТО IRF1010 В СБОРЕ КОД ЛОТА 9B1M СБОРКА КОД ЛОТА КОД ДАТЫ (ГГГВ) ГГ = ГОД W W = НЕДЕЛЯ ЕЕК 9246 IRF1010 9Б 1М А Информация о маркировке деталей ТО-220АБ Схема пакета ТО-220АБ Схема Размеры указаны в миллиметрах (дюймах) НОМЕР ДЕТАЛИМЕЖДУНАРОДНЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ ЛОГОТИП ПРИМЕР: ЭТО IRF1010 В СБОРЕ КОД лота 9Б1М СБОРКА КОД ЛОТА КОД ДАТЫ (ГГГВ) ГГ = ГОД W W = НЕДЕЛЯ ЕЕК 9246 IRF1010 9Б 1М А МИРОВАЯ ШТАБ-КВАРТИРА: 233 Kansas St.