Irfp140 характеристики: Серия irfp140 (Vishay-IR)

Схема. УМЗЧ с выходными каскадами на мощных МОП-транзисторах

      
      УМЗЧ с выходными каскадами на мощных МОП-транзисторах с т.н. вертикальной структурой (SIPMOS фирмы Siemens), на новом витке эволюции схемотехники решил применить современные n-канальные HEXFET транзисторы International Rectifier IRFP140, обладающие существенно лучшими характеристиками (180 Вт, 100 В, 31 А, 0,055 Ом, 14 См, 1275 пФ) при более чем умеренной цене $3 за пару. И если (см. схему УМЗЧ с выходными каскадами на мощных МОП-транзисторах на рис. 13) входной дифференциальный каскад на транзисторах Т1, Т2 с генератором тока ТЗ, пассивным радиочастотным ФНЧ R4C11 и цепью общей ООС R7C2R6C1 до боли знаком всем аудиофилам, то во втором каскаде есть на что положить глаз. Т5, Т6 с генератором тока Т4 не просто дифкаскад усилителя напряжения с главным полюсом коррекции АЧХ (задан конденсаторами С7, С8), это еще и драйвер выходного двухтактного каскада на однотипных полевых Q2, Q3, да к тому же еще и термостабилизатор режима выходных транзисторов с возможностью быстрого перехода в ждуще-приглушенный режим.

      Но давайте «есть этого вкусного слона по частям». Во-первых, в режиме покоя ток коллектора Т4 поровну распределен между Т5 и Т6 и поэтому создает на резисторах R16, R15 равные напряжения смещения, приложенные между затворами и истоками соответственно Q3 и Q2. С другой стороны, ток эмиттера Т4 (его можно считать равным току коллектора) равен сумме напряжений на резисторах R17 и R9, деленной на сумму сопротивлений этих резисторов (закон Ома в чистом виде). А в связи с тем, что диод D1 расположен в непосредственной близости с транзистором Т4 (т.е. оба имеют одинаковую температуру), падение напряжения на открытом диоде и эмиттерном переходе Т4 компенсируют друг друга. Значит, напряжение на резисторах R17 и R9 в точности равно напряжению на полевом транзисторе Q1, и поскольку он точно такой же, как и выходные Q2, Q3 (как по типу, так и по температуре, поскольку все три смонтированы рядом на одном радиаторе), то описанные элементы формируют теоретически идеальную петлю термостабилизации режима выходного каскада.

Здесь самое время упомянуть, что нижний по схеме вывод резистора R10 можно считать заземленным — он через разъем К2 (и ключевые транзисторы Т1/Т2 блока питания -рис. 14, но о нем позднее) в штатном режиме соединен с общим проводом.

      По второму каскаду осталось дополнить, что начальный ток стока транзисторов выходного каскада триммером R17 при налаживании устанавливают равным 100 мА. Выходной двухтактный каскад выполнен на однотипных (в смысле не комплементарных) транзисторах и поэтому асимметричен: Q2 работает в режиме с общим стоком (т.е. истоковым повторителем — чисто усилителем тока), a Q3 в режиме с общим истоком (т.е. усилителем и тока, и напряжения). Впрочем, из-за линеаризующего действия довольно глубокой общей ООС (поступает через R7C2R6C1 на базу Т2) проблем с нелинейностью при малых и средних уровнях сигнала не возникает. А для того, чтобы избежать недооткрытия Q2 на максимуме положительной полуволны выходного напряжения, второй каскад (драйвер) питается повышенным напряжением 45 В, с двукратным запасом (45 В — 33 В = 12В) перекрывающим напряжение затвор-исток полностью открытого Q2 (для тока стока 20 А это, как следует из семейства выходных характеристик IRFP140, примерно 5,5…6 В).
R18L1 и R19C17 — стандартные цепочки, предотвращающие потерю устойчивости при работе на емкостную нагрузку.

      На рис. 14 изображена схема блока питания. Здесь собственно мощный двухполярный выпрямитель М1С1С2С9С11 и 12-вольтовая «насадка» на интегральном стабилизаторе I01 формируют питание выходного каскада ±33 В и входных каскадов +45 В. Транзисторные ключи Т1, Т2 благодаря относительно медленному заряду конденсатора С4 через резистор R1 сразу после включения питания остаются закрытыми, поэтому резисторы R10 схемы усилителя (рис.73) «висят в воздухе», а второй и выходной каскады УМЗЧ остаются некоторое время (около двух секунд) обесточенными. Затем С4 заражается до напряжения, достаточного для открывания ключей Т1, Т2 и усилитель плавно, без щелчков переходит в рабочее состояние — ведь к этому времени переходные процессы установления всех напряжений питания уже завершены. При выключении питания форсированный разряд С4 через диод D2 (рис. 14) приводит к запиранию второго и выходного каскадов усилителя до того, как успеют разрядиться «толстые» электролиты С1С2С9С11, что также предотвращает щелчок в динамиках.

Замыкание контактов разъема К4 обеспечивает принудительный перевод УМЗЧ в ждущий режим с минимальным энергопотреблением.

      Описанный УМЗЧ на нагрузке сопротивлением 4 Ома развивает мощность 70 Вт при коэффициенте гармоник 0,03% и коэффициенте интермодуляционных искажений (250 Гц, 8 кГц, 4:1) 0,05%. Чувствительность 0,5 В (коэффициент усиления 34 задается выражением Ки = 1 + R7/R6), входное сопротивление 36 кОм, коэффициент демпфирования 200, АЧХ при полной выходной мощности 20 Гц… 60 кГц, малосигнальная (<12 Вт) 7 Гц… 200 кГц.

Похожие статьи:
УМЗЧ с выходным каскадом на полевых транзисторах одинаковой структуры
УМЗЧ С КОМПЛЕМЕНТАРНЫМИ ПОЛЕВЫМИ ТРАНЗИСТОРАМИ

Post Views: 1 800

Основные характеристики импортных транзисторов IRFBC40 — IRFZ48



Основные характеристики импортных транзисторов IRFBC40 — IRFZ48 | Радиолюбитель-конструктор

lari

12.08.2017

IRFBC40 600 В 6. 2 А 1R2 125 Вт N-FET
IRFBE30 800 В 4.1 А <3E 125 Вт N-FET
IRFD120 100 В 1.3 А <E27 1.3 Вт N-FET
IRFD9120 100 В 1 А <E6 1.3 Вт P-FET
IRFD9220 200 В 0.6 А 1E5 1 Вт P-FET
IRFF120 100 В 6 А 0.3E 20 Вт N-FET
IRFP054 60 В 70 А <0E014 230 Вт N-FET
IRFP064 60 В 70 А <E009 300 Вт N-FET
IRFP140 100 В 31 А OE77 180 Вт N-FET
IRFP150 100 В 40 А 0E55
180 Вт
N-FET
IRFP240 200 В 20 А 0E18 150 Вт N-FET
IRFP250 200 В 33 А   180 Вт N-FET
IRFP340 400 В 11 А <E55 150 Вт N-FET
IRFP350 400 В 18 А 0E3 250 Вт N-FET
IRFP360 400 В 28 А 0. 2E 410 Вт N-FET
IRFP450 500 В 14 А 0E4 180 Вт N-FET
IRFP460 500 В 25 А OE27 410 Вт N-FET
IRFP9140
100 В
19 А OE2 150 Вт P-FET
IRFP9240 200 В 12 А   150 Вт P-FET
IRFPC40 600 В 6.8 А 1.2E 150 Вт N-FET
IRFPC50 600 В 13 А 0.60E 250 Вт N-FET
IRFPE40 800 В 5.4 А <2E 150 Вт N-FET
IRFPE50 900 В 7.8 А <1E2 190 Вт N-FET
IRFPF40 900 В 4.7 А <2E5 150 Вт N-FET
IRFPF50 900 В 6. 7 А <1E6 190 Вт N-FET
IRFR9024 60 В 9.6 А 0.28 Вт 50 Вт P-FET
IRFZ20 50 В 15 А <120/70 40 Вт N-FET
IRFZ44 60 В 46 А 0E028 250 Вт N-FET
IRFZ48 60 В 50 А 0.018E 250 Вт N-FET
  • GE-N — германиевый n-p-n
  • SI-N — кремниевый n-p-n
  • GE-P — германиевый
  • n-n-p
  • SI-P — кремниевый p-n-p
  • АRRАY — транзисторная матрица
  • D — с диодом
  • DARL — составной
  • N-FET — полевой с
  • N-каналом
  • P-FET — полевой с
  • P-каналом

    Метки: зарубежные транзисторы, справочник по транзисторам, транзисторы

    ← Основные характеристики импортных транзисторов DTC143EK — HPA150R

    Основные характеристики импортных транзисторов ITT, J, KS, KT, LM →

Полупроводниковые и системные решения — Infineon Technologies

Новый TRENCHSTOP™ IGBT7 H7, 1200 В

TRENCHSTOP™ IGBT7 H7, 1200 В, предназначен для применения в системах обезуглероживания, таких как фотогальваника

Скачать техническое описание

PCIM Europe 2023

С 9 по 11 мая. Зал 7 / Стенд 412. В этом году мы все о декарбонизации и цифровизации

Полная программа здесь

Приборная панель TRAVEO™ T2G

TRAVEO™ T2G предлагает более высокое разрешение дисплея, превосходную производительность и несколько дисплеев с динамическим контентом. Все это при меньшем энергопотреблении и меньшем объеме памяти

Узнать больше

Превращение зеленого водорода в реальность

Сочетание возобновляемых источников энергии и эффективных силовых полупроводников делает экологически чистый водород возможным. Наши решения поддерживают устойчивую экономику h3

Узнайте, как

Высококачественный звук для интеллектуальных устройств

Микрофоны XENSIV™ MEMS со сверхнизким уровнем шума и сверхнизким энергопотреблением обеспечивают высокое качество звука при вызове, активное шумоподавление и длительное время работы от батареи

Посмотреть вебинар по запросу

SECORA™ Pay теперь доступна с технологией 28 нм

Мы расширяем портфолио решений SECORA™ Pay, используя технологию 28 нм для лучшей производительности транзакций в сочетании с простым в интеграции полносистемным решением

Узнать больше

Новости

03 апреля 2023 г. | Business & Financial Press

Infineon оптимизирует свой профиль обезуглероживания: подразделение промышленных приложений будет работать под названием Green Industrial Power (GIP)

28 марта 2023 г. | Business & Financial Press

Устойчивая динамика бизнеса: Infineon ожидает более сильных результатов за второй финансовый квартал и весь 2023 финансовый год

Новости рынка

23 марта 2023 г. | Новости рынка

Infineon AIROC™ CYW20829 SoC Bluetooth LE с новейшей спецификацией Bluetooth 5.4

Посетите Infineon в Твиттере

CETRONIC :: Электронные компоненты онлайн

CETRONIC :: Электронные компоненты онлайн
bmp» nowrap=»nowrap»> Автобус
Категории
Куэнта
Информация
 
La página solicitada не существует

Cetronic предлагает электрические компоненты онлайн и электрические материалы.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *