IRFP260: мощный N-канальный MOSFET транзистор для силовой электроники

Что такое IRFP260 и каковы его основные характеристики. Где применяется этот транзистор. Какие у него особенности и преимущества. Как правильно использовать IRFP260 в схемах.

Основные характеристики и параметры IRFP260

IRFP260 — это мощный N-канальный MOSFET транзистор, выпускаемый компанией International Rectifier (сейчас принадлежит Infineon Technologies). Рассмотрим его ключевые параметры:

  • Максимальное напряжение сток-исток: 200 В
  • Максимальный постоянный ток стока: 46 А
  • Максимальный импульсный ток стока: 180 А
  • Сопротивление канала в открытом состоянии: 0,055 Ом
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 280 Вт
  • Корпус: TO-247AC

Эти характеристики делают IRFP260 отличным выбором для применения в силовой электронике, где требуется коммутация больших токов при высоком напряжении.

Области применения и использование IRFP260

Благодаря своим характеристикам, IRFP260 находит широкое применение в различных областях силовой электроники:


  • Импульсные источники питания
  • Инверторы
  • DC-DC преобразователи
  • Контроллеры электродвигателей
  • Системы управления освещением
  • Зарядные устройства
  • Источники бесперебойного питания (UPS)
  • Системы управления батареями (BMS)
  • Усилители мощности звука

В этих приложениях IRFP260 обеспечивает эффективное переключение больших токов при высоком напряжении, что позволяет создавать компактные и энергоэффективные устройства.

Особенности и преимущества IRFP260

IRFP260 обладает рядом важных особенностей, которые делают его привлекательным выбором для разработчиков:

  1. Низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) — всего 0,055 Ом. Это обеспечивает минимальные потери при работе транзистора.
  2. Высокая скорость переключения. IRFP260 способен быстро переходить из открытого состояния в закрытое и обратно, что критично для многих применений в импульсной технике.
  3. Большой допустимый ток. Способность пропускать постоянный ток до 46 А и импульсный до 180 А позволяет использовать IRFP260 в мощных устройствах.
  4. Хорошая теплоотдача. Корпус TO-247AC обеспечивает эффективный отвод тепла, что важно при работе с большими токами.
  5. Встроенный защитный диод между стоком и истоком. Это упрощает схемотехнику и повышает надежность устройств.

Эти особенности делают IRFP260 универсальным решением для широкого спектра задач в силовой электронике.


Правила безопасного использования IRFP260

Чтобы обеспечить надежную и долговременную работу IRFP260, следует соблюдать несколько важных правил:

  • Не превышать максимально допустимые параметры. Рекомендуется использовать транзистор на уровне не более 80% от предельных значений.
  • Обеспечить эффективное охлаждение. При работе с большими токами критично использование качественного радиатора.
  • Защищать затвор от перенапряжений. Максимальное напряжение затвор-исток не должно превышать ±20 В.
  • Учитывать паразитные индуктивности. При быстром переключении больших токов могут возникать опасные выбросы напряжения.
  • Использовать защитные цепи. Рекомендуется применять снабберные цепи для защиты транзистора от перенапряжений.

Соблюдение этих правил поможет избежать выхода транзистора из строя и обеспечит его стабильную работу в вашем устройстве.

Схемотехника и особенности применения IRFP260

При разработке схем с использованием IRFP260 следует учитывать несколько важных моментов:

  1. Драйвер затвора. Для эффективного управления IRFP260 требуется мощный драйвер, способный быстро заряжать и разряжать емкость затвора.
  2. Параллельное соединение. IRFP260 хорошо подходит для параллельного включения, что позволяет увеличить общий рабочий ток.
  3. Защита от перенапряжений. Рекомендуется использовать защитные цепи (например, RC-снабберы) для предотвращения выбросов напряжения при коммутации индуктивной нагрузки.
  4. Тепловой расчет. Необходимо тщательно рассчитывать тепловой режим работы транзистора и подбирать соответствующий радиатор.
  5. Размещение на плате. Для минимизации паразитных индуктивностей важно правильное расположение транзистора и сопутствующих компонентов на печатной плате.

Учет этих особенностей позволит создать надежные и эффективные устройства на базе IRFP260.


Сравнение IRFP260 с аналогами

IRFP260 имеет несколько аналогов с похожими характеристиками. Рассмотрим, как он соотносится с некоторыми из них:

  • IRFP260N: улучшенная версия IRFP260 с немного лучшими параметрами
  • STW40N20: аналог от STMicroelectronics с похожими характеристиками
  • IRFP264: транзистор той же серии, но с более высоким допустимым напряжением (250 В)
  • IRFP250N: транзистор с меньшим допустимым напряжением (200 В), но бóльшим током (30 А)

Выбор между IRFP260 и его аналогами зависит от конкретных требований вашего проекта. IRFP260 остается популярным выбором благодаря хорошему балансу характеристик и доступности.

Тенденции развития MOSFET-транзисторов и будущее IRFP260

Технологии MOSFET-транзисторов продолжают развиваться. Какие тенденции наблюдаются в этой области?

  • Уменьшение сопротивления канала в открытом состоянии
  • Увеличение плотности тока
  • Улучшение теплового сопротивления
  • Развитие технологий на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN)

Несмотря на появление новых технологий, IRFP260 и подобные ему кремниевые MOSFET-транзисторы еще долго будут оставаться востребованными благодаря своей надежности, доступности и отработанной технологии производства.


Как выбрать оптимальный MOSFET-транзистор для своего проекта?

При выборе MOSFET-транзистора для конкретного применения следует учитывать несколько ключевых факторов:

  1. Максимальное рабочее напряжение
  2. Требуемый рабочий ток
  3. Допустимые потери мощности
  4. Скорость переключения
  5. Тепловые характеристики
  6. Стоимость и доступность

IRFP260 может быть отличным выбором для многих проектов, но всегда стоит рассматривать и альтернативные варианты, чтобы найти оптимальное решение для конкретной задачи.

Практические советы по работе с IRFP260

Чтобы максимально эффективно использовать возможности IRFP260, следуйте этим практическим советам:

  • Используйте качественный теплопроводящий компаунд при монтаже на радиатор
  • Обеспечьте хорошее заземление для минимизации паразитных эффектов
  • Применяйте многослойные печатные платы для улучшения теплоотвода
  • Используйте короткие и широкие дорожки для силовых цепей
  • Тщательно рассчитывайте цепи управления затвором

Эти рекомендации помогут вам создать надежные и эффективные устройства на базе IRFP260.



Транзистор IRFP260 Распиновка, эквивалент, особенности, области применения и другая техническая информация

Объявления

Объявления

 

Характеристики/Технические характеристики:
  • Тип упаковки: ТО-247, ТО-14П 9000
  • Тип транзистора: Канал N
  • Максимальное напряжение от стока к источнику: 200 В
  • Максимальное напряжение между затвором и источником должно быть: ± 20 В
  • Максимальный постоянный ток утечки: 46A
  • Максимальный импульсный ток стока: 180 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 280 Вт
  • Макс. сопротивление сток-исток во включенном состоянии (RDS вкл.): 0,055 мОм
  • Максимальная температура хранения и рабочая температура должна быть: от -55 до +150 градусов Цельсия

Замена и эквивалент:

IRFP260N, STW40N20, MTW32N20E, STW38NB20

IRFP260 Эффект. Он доступен в корпусе TO-247, который также показан на распиновке IRFP260 выше. Он имеет множество функций, а именно:

 

Надежное устройство

Прочное и надежное устройство, благодаря которому его можно использовать в различных коммерческих и промышленных целях.

 

Особенности упаковки

Монтажное отверстие транзистора изолировано, а расстояние между выводами транзистора увеличено, что обеспечивает большую надежность и безопасность.

 

Быстрое переключение:

Он также имеет возможность быстрого переключения, что делает его идеальным для использования в схемах или конструкциях, требующих быстродействующего переключающего транзистора.

 

Требования к простому приводу:

Транзистор имеет простые требования к приводу, что означает, что им можно легко управлять с выходом микросхем, микроконтроллеров и многих электронных платформ, таких как arduino и raspberry pi.

 

Другими характеристиками являются устойчивость к повторяющимся лавинным нагрузкам, простота параллельного подключения, динамический рейтинг dV/dt, низкое сопротивление сток-исток и т. д. непрерывный ток стока составляет 46 А, импульсный ток стока составляет 180 А, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 280 Вт. Основными приложениями IRFP260 являются преобразователи переменного тока в постоянный, преобразователи постоянного тока в постоянный, высокоскоростное переключение и т. д.

 

Где мы можем его использовать и как использовать:

Как упоминалось выше, основное применение транзистора — это высокоскоростное переключение, преобразователи постоянного тока в постоянный и переменного тока в постоянный, высокоскоростное переключение и т. д., но не ограничивается эти приложения и могут использоваться в различных приложениях в соответствии с рейтингами спецификаций. Кроме того, его также можно использовать для создания схем усилителей звука высокой мощности.

 

Применение:

Цепи зарядных устройств

UPS Circuits

BMS Circuits

DC to DC converters

AC to DC converters

Switch Mode Power Supplies

Solar Chargers

Solar Power Supplies

Motor Drivers

Audio Amplification Applications

 

Safe Руководство по эксплуатации / Абсолютные максимальные номинальные значения:

Перед использованием транзистора в вашей конструкции или схеме мы рекомендуем проверить его абсолютные максимальные номинальные значения и рекомендации по безопасной эксплуатации. Для безопасной эксплуатации транзистора всегда используйте его на 20% ниже его абсолютного максимума. Максимальный непрерывный ток стока составляет 46 А, поэтому не подключайте нагрузку более 36 А, максимальное напряжение сток-исток составляет 200 В, поэтому не подключайте нагрузку более 160 В. Используйте подходящий радиатор с транзистором и всегда храните и эксплуатируйте транзистор в температура выше -55°С и ниже +150°С.

 

Техническое описание:

Чтобы загрузить техническое описание, просто скопируйте и вставьте ссылку ниже в адресную строку браузера.

https://cdn.datasheetspdf.com/pdf-down/I/R/F/IRFP260-InternationalRectifier.pdf номер: IRFP260

силы канала
Часть
IRFP260
Категория Дискретный => Транзисторы => FET (полевые транзисторы) => MOSFET => N-канальный
Описание N — Транзисторы MOSFET 200v 46a 280w To-247ac
Компания International Rectifier Corp.
Техническое описание Загрузить IRFP260 Техническое описание
Цитата

Где купить

 

 

Некоторые номера деталей того же производителя International Rectifier Corp.
IRFP260N Одиночный N-канальный силовой полевой МОП-транзистор HexFET, 200 В, в корпусе TO-247AC
IRFP264 Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 250 В, в корпусе TO-247AC
IRFP264N
IRFP264NPBF Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором без свинца, 250 В, в корпусе TO-247AC
IRFP264PBF Одиночный N-канальный бессвинцовый силовой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором, 250 В, в корпусе TO-247AC
IRFP26N60L Одиночный N-канальный силовой полевой МОП-транзистор HexFET 600 В в корпусе TO-247AC
ИРФП27Н60К
IRFP2907 Одиночный силовой полевой МОП-транзистор N-channel HexFET, 75 В, в корпусе TO-247AC
IRFP2907Z
IRFP31N50L Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 500 В, в корпусе TO-247AC
IRFP32N50K
IRFP340 Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 400 В, в корпусе TO-247AC
IRFP3415 Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 150 В, в корпусе TO-247AC
IRFP344 Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 450 В, в корпусе TO-247AC
IRFP350 Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 400 В, в корпусе TO-247AC
IRFP350LC
IRFP350PBF 400 В Один N-канальный силовой полевой МОП-транзистор HexFET без свинца в корпусе TO-247AC
IRFP354 Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 450 В, в корпусе TO-247AC
IRFP360 Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 400 В, в корпусе TO-247AC
IRFP360LC
IRFP3703 Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 30 В, в корпусе TO-247AC

OM6228SS : N-канальный МОП-транзистор 500 В

IRKT14AS90 : Модули питания Add-a-pak-tm GEN V

IRLMS1902TRPBF: одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET на 20 В в корпусе TSOP-6 (Micro 6)

AUIPS1011STRR: BUF ИЛИ INV НА ОСНОВЕ PRPHL DRVR, PSFM3 Спецификации: Тип устройства: Драйвер линии/шины; Напряжение питания: Другое, 14 В; Тип упаковки: СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, ПЛАСТИК, TO-220AB, 3 PIN; контакты: 3 ; Особенности: RoHS

B40J60L : 40 А, 600 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Технические характеристики: Расположение: Общий анод; Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель; ЕСЛИ: 40000 мА; Комплектация: СИЛОВОЙ МОДУЛЬ-3 ; Количество выводов: 3; Количество диодов: 2

HFA35HB120CD: 15 А, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Технические характеристики: Расположение: Общий катод; Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель, БЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ; ЕСЛИ: 15000 мА; Упаковка: ГЕРМЕТИЧНАЯ УПАКОВКА-3 ; Количество выводов: 3; Количество диодов: 2

IRKHF180-04HJS20PBF: 282,6 А, 400 В, SCR Технические характеристики: Тип тиристора: SCR; Количество выводов: 5; ВДРМ: 400 вольт; ВРРМ: 400 вольт; ИТ (RMS): 283 ампер

IRL510-003 : 5,6 А, 100 В, 0,54 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET Технические характеристики: Полярность: N-канальный; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 100 вольт; RDS(вкл. ): 0,5400 Ом; Количество единиц в IC: 1

2N6788EAPBF : 100 В, 0,3 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF Технические характеристики: Полярность: N-канальный; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 100 вольт; RDS(вкл.): 0,3000 Ом; Количество единиц в IC: 1

5962-0520801QYX : 2-ВЫХОДНЫЙ МОДУЛЬ ПИТАНИЯ РЕГИСТРАЦИОННОГО ПИТАНИЯ 12 Вт DC-DC Технические характеристики: Тип упаковки: Другое, ГЕРМЕТИЧНАЯ УПАКОВКА-8 ; Выходное напряжение: от 4,95 до 5,05 вольт; Входное напряжение: от 16 до 40 вольт; Выходная мощность: 12 Вт (0,0161 л.с.); Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F)

Та же категория

2N5671 : Доступные параметры экранирования = ;; Полярность = NPN ;; Пакет = ТО3 (ТО204АА) ;; Всео = 90В ;; IC(cont) = 30A ;; HFE(мин) = 20 ;; HFE(max) = 100 ;; @ Vce/ic = 2В/15А ;; FT = 50 МГц ;; ПД = 140 Вт.

2SK2520-01MR : N-канальный МОП-транзистор.

AT505 : . Повторяющееся напряжение до Среднее значение тока во включенном состоянии Импульсный ток 5,6 кА Повторяющееся пиковое обратное напряжение Неповторяющееся пиковое обратное напряжение Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии Повторяющееся пиковое обратное напряжение Повторяющееся пиковое значение тока в закрытом состоянии V=VRRM V=VDRM Средний ток во включенном состоянии Средний ток в открытом состоянии Импульсный ток в открытом состоянии I t Напряжение в открытом состоянии Пороговое напряжение.

FS50VSJ-3 : N-канальный силовой МОП-транзистор с высокой скоростью переключения Использование: 150 В, 50 А. ПРИВОД 4 В VDSS150 В rDS (ON) (МАКС.) 30 м ID50A Встроенный диод быстрого восстановления (ТИП.) 125 нс ПРИМЕНЕНИЕ Управление двигателем, управление лампой, управление соленоидом, преобразователь постоянного тока и т. д. Параметр Напряжение сток-исток Напряжение затвор-исток Ток стока Ток стока (Импульсный) Ток лавинного стока (Импульсный) Ток источника Ток источника (Импульсный) Максимальная рассеиваемая мощность.

HUFA75344S3 : 75a, 55v, 0,008 Ом, N-канальные силовые МОП-транзисторы UltraFET. Эти силовые N-канальные полевые МОП-транзисторы производятся с использованием инновационного процесса UltraFET. Этот передовой технологический процесс обеспечивает минимально возможное сопротивление в открытом состоянии на единицу площади кремния, что обеспечивает выдающуюся производительность. Это устройство способно выдерживать высокую энергию в лавинном режиме, а диод демонстрирует очень малое время обратного восстановления и хранения.

MTSF2P03HDR2 : Запасная часть: NTTS2P03R2, упаковка: Micro-8, контакты = 8. Эти силовые МОП-транзисторы способны выдерживать высокую энергию в лавинном и коммутационном режимах, а диод сток-исток имеет очень малое время обратного восстановления. Устройства Micro8 предназначены для использования в устройствах с низким напряжением и высокой скоростью переключения, где важна энергоэффективность. Типичными приложениями являются преобразователи постоянного тока и управление питанием.

NTE2345 : кремниевый комплементарный транзистор NPN. Дарлингтон общего назначения, усилитель мощности..

YG226S2 : . Изолированный корпус за счет полного литья Высокое напряжение по конструкции Mesa Высокая надежность Применение Элемент Повторяющееся пиковое обратное напряжение Неповторяющееся пиковое обратное напряжение Напряжение изоляции Средний выходной ток Импульсный ток Рабочая температура перехода Температура хранения Обозначение VRRM VRSM Viso IO IFSM Tj Tstg Клеммы к корпусу, AC.1min Прямоугольная волна, Duty=1/2,.

ZTX1048A : Транзистор NPN Low Sat. NPN КРЕМНИЕВЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ТРАНЗИСТОР СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ С ВЫСОКИМ УСИЛЕНИЕМ ВЫПУСК 3 19 ФЕВРАЛЯ95 VCEV=50V * Очень низкое напряжение насыщения * Высокий коэффициент усиления * Импульсный ток 20 А ПРИМЕНЕНИЕ * Преобразователи подсветки ЖК-дисплея * Аварийное освещение * Преобразователи постоянного тока ПАРАМЕТР Напряжение коллектор-база Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение эмиттер-база Пиковый импульсный ток Непрерывный коллектор.

02016G102ZAT2A : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 6,3 В, Y5 В, 0,001 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0201. s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: керамический состав; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 1,00E-3 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 80 (+/- %); WVDC: 6,3 вольт; Способ крепления:.

BUX52SMD-JQR : 3,5 А, 250 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-276AB. s: Полярность: NPN ; Тип упаковки: ГЕРМЕТИЧНО ЗАКРЫТЫЙ, КЕРАМИЧЕСКИЙ, SMD1, 3 PIN.

KTR25JZPF7503 : РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ЛАЗУРОВКА/ТОЛСТАЯ ПЛЕНКА, 0,33 Вт, 1 %, 100 частей на миллион, 750000 Ом, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 1210. s: Категория/Применение: Общее использование; Технология/конструкция: толстая пленка (чип); Монтаж/упаковка: технология поверхностного монтажа (SMT/SMD), ЧИП; Диапазон сопротивления: 750000 Ом; Допуск: 1 +/- %; Температурный коэффициент: 100 ±ppm/°C; Номинальная мощность:.

PMST4401-T : 600 мА, 40 В, NPN, Si, МАЛЕНЬКИЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN ; Тип упаковки: ПЛАСТИКОВАЯ, SC-70, 3 PIN.

RD1E688M1831MSS : КОНДЕНСАТОР АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 25 В, 6800 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Соответствие RoHS: Да; : поляризованный; Диапазон емкости: 6800 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); WVDC: 25 вольт; Ток утечки: 5100 мкА; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая Температура:.

RS4FSWK : 1,5 А, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: количество диодов: 1; ЕСЛИ: 1500 мА; тр: 1 нс.

SB4020ST : 20 А, 20 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-247. s: Аранжировка: Общий катод; Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель, ЭФФЕКТИВНОСТЬ; ЕСЛИ: 20000 мА; Упаковка: TO-247, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, ПЛАСТИКОВАЯ, TO-247S, TO-3P, 3 PIN; Количество выводов: 3; Количество диодов: 2.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *