Irf740 характеристики транзистора, аналоги, datasheet на русском
IRF740SPBF MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF740SPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Общий заряд затвора (Qg): 63
nC
Время нарастания (tr): 27
ns
Выходная емкость (Cd): 330
pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55
Ohm
Тип корпуса: TO-263
IRF740SPBF
Datasheet (PDF)
Irfp460 mosfet. datasheet pdf. equivalent
1.1. irf740spbf.pdf Size:195K _upd-mosfet
IRF740S, SiHF740S
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
VDS (V) 400
• Surface Mount
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.
55
• Available in Tape and Reel
Qg (Max.) (nC) 63
• Dynamic dV/dt Rating
Qgs (nC) 9.0
• Repetitive Avalanche Rated
• Fast Switching
Qgd (nC) 32
• Ease of Paralleling
Configuration Sin
1.2. irf740spbf.pdf Size:951K _international_rectifier
PD — 95204
IRF740SPbF
Lead-Free
4/29/04
Document Number: 91055 www.vishay.com
1
IRF740SPbF
Document Number: 91055 www.vishay.com
2
IRF740SPbF
Document Number: 91055 www.vishay.com
3
IRF740SPbF
Document Number: 91055 www.vishay.com
4
IRF740SPbF
Document Number: 91055 www.vishay.com
5
IRF740SPbF
Document Number: 91055 www.vishay.com
6
IRF740SPbF
D2Pak Package Outline
D
3.1. irf740s.pdf Size:93K _st
IRF740S
?
N — CHANNEL 400V — 0.48 ? — 10A- D2PAK
PowerMESH? MOSFET
TYPE VDSS RDS(on) ID
IRF740S 400 V 3.2. irf740s.pdf Size:171K _international_rectifier
Другие MOSFET… IRF7406PBF-1
, IRF740ALPBF
, IRF740APBF
, IRF740ASPBF
, IRF740B
, IRF740LC
, IRF740LCPBF
, IRF740PBF
, IRF830
, IRF7410GPBF
, IRF7410PBF-1
, IRF7410PBF
, IRF7413GPBF
, IRF7413PBF
, IRF7413PBF-1
, IRF7413QPBF
, IRF7413ZGPBF
.
IRF740AS Datasheet (PDF)
1.1. irf740alpbf irf740aspbf.pdf Size:316K _upd-mosfet
PD- 95532
SMPS MOSFET
IRF740AS/LPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55Ω 10A
l High speed power switching
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
2
1.2. irf740as.pdf Size:135K _international_rectifier
PD- 92005
SMPS MOSFET
IRF740AS/L
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
Uninterruptable Power Supply 400V 0.55? 10A
High speed power switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262
Pak
Avalanche Volt
1.
3. irf740as-l.pdf Size:304K _international_rectifier
PD- 95532
SMPS MOSFET
IRF740AS/LPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55? 10A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262
IRF740AL Datasheet (PDF)
Транзистор irf840
1.1. irf740alpbf irf740aspbf.pdf Size:316K _upd-mosfet
PD- 95532
SMPS MOSFET
IRF740AS/LPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55Ω 10A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
2
3.
IRF740A, SiHF740A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 400
Requirement
Available
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.55
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 36
COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 9.9
• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 16
and Current
Configur
3.2. irf740as.pdf Size:135K _international_rectifier
PD- 92005
SMPS MOSFET
IRF740AS/L
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
Uninterruptable Power Supply 400V 0.55? 10A
High speed power switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
Pak
Avalanche Volt
3.
3. irf740as-l.pdf Size:304K _international_rectifier
PD- 95532
SMPS MOSFET
IRF740AS/LPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55? 10A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262
3.4. irf740a.pdf Size:196K _international_rectifier
PD- 94828
SMPS MOSFET
IRF740APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55? 10A
l High speed power switching
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Volt
3.
5. irf740a.pdf Size:937K _samsung
Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 400 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.55
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 10 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V
Lower RDS(ON) : 0.437 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Unit
3.6. irf740a sihf740a.pdf Size:205K _vishay
IRF740A, SiHF740A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 400
Requirement
Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.55
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 36
COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 9.9
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 16
and Current
Configuration Singl
3.
7. irf740a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor IRF740A
·FEATURES
·Drain Source Voltage-
: V = 400V(Min)
DSS
·Static Drain-Source On-Resistance
: R = 0.55Ω(Max)
DS(on)
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·Switch mode power supply
·Uninterruptable power supply
·High speed power switching
·ABSOLUTE MAXIMUM
IRF7416 Datasheet (PDF)
Irf730
1.1. irf7416pbf-1.pdf Size:228K _upd-mosfet
IRF7416PbF-1
HEXFET Power MOSFET
VDS -30 V
A
1 8
S D
RDS(on) max
0.020 Ω
2 7
(@V = -10V) S D
GS
Qg (typical) 61 nC
3 6
S D
ID
4 5
-10 A
G D
(@T = 25°C)
A
SO-8
Top View
Features Benefits
Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility
⇒
Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing
RoHS Compliant, Halogen-Free Environmen
1.
2. irf7416pbf.pdf Size:234K _upd-mosfet
PD — 95137A
IRF7416PbF
l Generation V Technology HEXFET Power MOSFET
l Ultra Low On-Resistance
A
l P-Channel Mosfet
1 8
S D
l Surface Mount
VDSS = -30V
2 7
S D
l Available in Tape & Reel
l Dynamic dv/dt Rating
S D
l Fast Switching
4
5
G D
RDS(on) = 0.02Ω
l Lead-Free
Top View
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced proces
1.3. irf7416gpbf.pdf Size:233K _upd-mosfet
PD — 96252A
IRF7416GPbF
HEXFET Power MOSFET
l Generation V Technology
l Ultra Low On-Resistance A
1 8
S D
l P-Channel Mosfet
VDSS = -30V
l Surface Mount 2 7
S D
l Available in Tape & Reel
3 6
l Dynamic dv/dt Rating
S D
l Fast Switching
4
5
G D
l Lead-Free
RDS(on) = 0.02Ω
l Halogen-Free
Top View
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize
1.
4. irf7416qpbf.pdf Size:269K _upd-mosfet
PD — 96124
IRF7416QPbF
l Advanced Process Technology
A
1 8
l Ultra Low On-Resistance
S D
l P Channel MOSFET
VDSS = -30V
2 7
S D
l Surface Mount
3 6
l Available in Tape & Reel
S D
l 150°C Operating Temperature
4
5
G D
RDS(on) = 0.02Ω
l Automotive Qualified
l Lead-Free
Top View
Description
Specifically designed for Automotive applications,
1.5. irf7416.pdf Size:116K _international_rectifier
PD — 9.1356D
IRF7416
HEXFET Power MOSFET
Generation V Technology
A
1 8
Ultra Low On-Resistance
S D
P-Channel Mosfet VDSS = -30V
2 7
S D
Surface Mount
3 6
S D
Available in Tape & Reel
4 5
Dynamic dv/dt Rating
G D
RDS(on) = 0.02?
Fast Switching
Top View
Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve
IRF740LC Datasheet (PDF)
1.
1. irf740lc irf740lcpbf.pdf Size:197K _upd-mosfet
IRF740LC, SiHF740LC
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Ultra Low Gate Charge
VDS (V) 400
• Reduced Gate Drive Requirement Available
RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 0.55
• Enhanced 30 V VGS Rating
RoHS*
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 39
• Reduced Ciss, Coss, Crss
Qgs (nC) 10
• Extremely High Frequency Operation
Qgd (nC) 19 • Repetitive Avalanche Rated
• Comp
1.2. irf740lcpbf.pdf Size:1404K _international_rectifier
PD — 94880
IRF740LCPbF
Lead-Free
12/10/03
Document Number: 91052 www.vishay.com
1
IRF740LCPbF
Document Number: 91052 www.vishay.com
2
IRF740LCPbF
Document Number: 91052 www.vishay.com
3
IRF740LCPbF
Document Number: 91052 www.vishay.com
4
IRF740LCPbF
Document Number: 91052 www.vishay.com
5
IRF740LCPbF
Document Number: 91052 www.vishay.com
6
IRF740LCPbF
Document Number:
1.
3. irf740lc.pdf Size:174K _international_rectifier
1.4. irf740lc sihf740lc.pdf Size:197K _vishay
IRF740LC, SiHF740LC
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Ultra Low Gate Charge
VDS (V) 400
Reduced Gate Drive Requirement Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.55
Enhanced 30 V VGS Rating
RoHS*
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 39
Reduced Ciss, Coss, Crss
Qgs (nC) 10
Extremely High Frequency Operation
Qgd (nC) 19 Repetitive Avalanche Rated
Compliant to RoHS Dire
IRF740APBF Datasheet (PDF)
1.1. irf740apbf.pdf Size:206K _upd-mosfet
IRF740A, SiHF740A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 400
Requirement
Available
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.55
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 36
COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 9.9
• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 16
and Current
Configur
3.
1. irf740alpbf irf740aspbf.pdf Size:316K _upd-mosfet
PD- 95532
SMPS MOSFET
IRF740AS/LPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55Ω 10A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
l Fully Characterized Capacitance and
2
3.2. irf740as.pdf Size:135K _international_rectifier
PD- 92005
SMPS MOSFET
IRF740AS/L
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
Uninterruptable Power Supply 400V 0.55? 10A
High speed power switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262
Pak
Avalanche Volt
3.
3. irf740as-l.pdf Size:304K _international_rectifier
PD- 95532
SMPS MOSFET
IRF740AS/LPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55? 10A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262
3.4. irf740a.pdf Size:196K _international_rectifier
PD- 94828
SMPS MOSFET
IRF740APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55? 10A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Volt
3.
5. irf740a.pdf Size:937K _samsung
Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 400 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.55
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 10 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V
Lower RDS(ON) : 0.437 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Unit
3.6. irf740a sihf740a.pdf Size:205K _vishay
IRF740A, SiHF740A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 400
Requirement
Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.55
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 36
COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 9.9
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 16
and Current
Configuration Singl
3.
7. irf740a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor IRF740A
·FEATURES
·Drain Source Voltage-
: V = 400V(Min)
DSS
·Static Drain-Source On-Resistance
: R = 0.55Ω(Max)
DS(on)
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·Switch mode power supply
·Uninterruptable power supply
·High speed power switching
·ABSOLUTE MAXIMUM
IRF740A MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF740A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 134
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30
V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Общий заряд затвора (Qg): 36
nC
Выходная емкость (Cd): 1180
pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.
55
Ohm
Тип корпуса: TO220
IRF740A
Datasheet (PDF)
1.1. irf740apbf.pdf Size:206K _upd-mosfet
IRF740A, SiHF740A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 400
Requirement
Available
RDS(on) ()VGS = 10 V 0.55
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 36
COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 9.9
• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 16
and Current
Configur
1.2. irf740alpbf irf740aspbf.pdf Size:316K _upd-mosfet
PD- 95532
SMPS MOSFET
IRF740AS/LPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55Ω 10A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
2
1.
3. irf740as.pdf Size:135K _international_rectifier
PD- 92005
SMPS MOSFET
IRF740AS/L
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
Switch Mode Power Supply ( SMPS )
Uninterruptable Power Supply 400V 0.55? 10A
High speed power switching
Benefits
Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262
Pak
Avalanche Volt
1.4. irf740as-l.pdf Size:304K _international_rectifier
PD- 95532
SMPS MOSFET
IRF740AS/LPbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55? 10A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
D 2 TO-262
1.
5. irf740a.pdf Size:196K _international_rectifier
PD- 94828
SMPS MOSFET
IRF740APbF
HEXFET Power MOSFET
Applications
VDSS Rds(on) max ID
l Switch Mode Power Supply ( SMPS )
l Uninterruptable Power Supply 400V 0.55? 10A
l High speed power switching
l Lead-Free
Benefits
l Low Gate Charge Qg results in Simple
Drive Requirement
l Improved Gate, Avalanche and dynamic
dv/dt Ruggedness
l Fully Characterized Capacitance and
Avalanche Volt
1.6. irf740a.pdf Size:937K _samsung
Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 400 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.55
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 10 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 400V
Lower RDS(ON) : 0.437 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Unit
1.
7. irf740a sihf740a.pdf Size:205K _vishay
IRF740A, SiHF740A
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
VDS (V) 400
Requirement
Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.55
Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 36
COMPLIANT
Ruggedness
Qgs (nC) 9.9
Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
Qgd (nC) 16
and Current
Configuration Singl
1.8. irf740a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc N-Channel Mosfet Transistor IRF740A
·FEATURES
·Drain Source Voltage-
: V = 400V(Min)
DSS
·Static Drain-Source On-Resistance
: R = 0.55Ω(Max)
DS(on)
·Fast Switching Speed
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·Switch mode power supply
·Uninterruptable power supply
·High speed power switching
·ABSOLUTE MAXIMUM
Другие MOSFET… IRF734
, IRF7353D1
, IRF737LC
, IRF740
, IRF7401
, IRF7403
, IRF7404
, IRF7406
, RFP50N06
, IRF740AL
, IRF740AS
, IRF740FI
, IRF740S
, IRF741
, IRF7413
, IRF7413A
, IRF7416
.
IRF740LC MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF740LC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30
V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Общий заряд затвора (Qg): 39
nC
Время нарастания (tr): 31
ns
Выходная емкость (Cd): 190
pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55
Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
IRF740LC
Datasheet (PDF)
1.1. irf740lc irf740lcpbf.pdf Size:197K _upd-mosfet
IRF740LC, SiHF740LC
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
• Ultra Low Gate Charge
VDS (V) 400
• Reduced Gate Drive Requirement Available
RDS(on) (Ω)VGS = 10 V 0.
55
• Enhanced 30 V VGS Rating
RoHS*
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 39
• Reduced Ciss, Coss, Crss
Qgs (nC) 10
• Extremely High Frequency Operation
Qgd (nC) 19 • Repetitive Avalanche Rated
• Comp
1.2. irf740lcpbf.pdf Size:1404K _international_rectifier
PD — 94880
IRF740LCPbF
Lead-Free
12/10/03
Document Number: 91052 www.vishay.com
1
IRF740LCPbF
Document Number: 91052 www.vishay.com
2
IRF740LCPbF
Document Number: 91052 www.vishay.com
3
IRF740LCPbF
Document Number: 91052 www.vishay.com
4
IRF740LCPbF
Document Number: 91052 www.vishay.com
5
IRF740LCPbF
Document Number: 91052 www.vishay.com
6
IRF740LCPbF
Document Number:
1.3. irf740lc.pdf Size:174K _international_rectifier
1.4. irf740lc sihf740lc.pdf Size:197K _vishay
IRF740LC, SiHF740LC
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Ultra Low Gate Charge
VDS (V) 400
Reduced Gate Drive Requirement Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.
55
Enhanced 30 V VGS Rating
RoHS*
COMPLIANT
Qg (Max.) (nC) 39
Reduced Ciss, Coss, Crss
Qgs (nC) 10
Extremely High Frequency Operation
Qgd (nC) 19 Repetitive Avalanche Rated
Compliant to RoHS Dire
Другие MOSFET… IRF7404PBF
, IRF7406GPBF
, IRF7406PBF
, IRF7406PBF-1
, IRF740ALPBF
, IRF740APBF
, IRF740ASPBF
, IRF740B
, IRFP450
, IRF740LCPBF
, IRF740PBF
, IRF740SPBF
, IRF7410GPBF
, IRF7410PBF-1
, IRF7410PBF
, IRF7413GPBF
, IRF7413PBF
.
IRFI740G MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFI740G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10
V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.
4
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Общий заряд затвора (Qg): 66
nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.55
Ohm
Тип корпуса: TO220
IRFI740G
Datasheet (PDF)
1.1. irfi740g.pdf Size:925K _international_rectifier
PD — 94854
IRFI740GPbF
Lead-Free
11/19/03
Document Number: 91156 www.vishay.com
1
IRFI740GPbF
Document Number: 91156 www.vishay.com
2
IRFI740GPbF
Document Number: 91156 www.vishay.com
3
IRFI740GPbF
Document Number: 91156 www.vishay.com
4
IRFI740GPbF
Document Number: 91156 www.vishay.com
5
IRFI740GPbF
Document Number: 91156 www.vishay.com
6
IRFI740GPbF
TO-220 Full-Pak
1.2. irfi740glc.pdf Size:221K _international_rectifier
1.3. irfi740g sihfi740g.pdf Size:1583K _vishay
IRFI740G, SiHFI740G
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Isolated Package
VDS (V) 400
High Voltage Isolation = 2.
5 kVRMS (t = 60 s; Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.55
f = 60 Hz)
RoHS*
Qg (Max.) (nC) 66
COMPLIANT
Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm
Qgs (nC) 10
Dynamic dV/dt Rating
Qgd (nC) 33
Low Thermal Resistance
Configuration Single
Lead (P
1.4. irfi740glc sihfi740glc.pdf Size:1296K _vishay
IRFI740GLC, SiHFI740GLC
Vishay Siliconix
Power MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
Ultra Low Gate Charge
VDS (V) 400
Reduced Gate Drive Requirement
Available
RDS(on) (?)VGS = 10 V 0.55
Enhanced 30 V VGS Rating
RoHS*
Isolated Package
Qg (Max.) (nC) 39
COMPLIANT
High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s,
Qgs (nC) 10
f = 60 Hz)
Qgd (nC) 19
Sink to Lead Creepage Distance
Другие MOSFET… IRFI644G
, IRFI710A
, IRFI720A
, IRFI720G
, IRFI730A
, IRFI730G
, IRFI734G
, IRFI740A
, BUK455-200A
, IRFI740GLC
, IRFI744G
, IRFI820A
, IRFI820G
, IRFI830A
, IRFI830G
, IRFI840A
, IRFI840G
.
Оцените статью:
Транзистор IRFP460 полевой N-канальный 500V 20A корпус TO-247AC
Цена:
146 грн
артикул 12914
отсутствует
Тип: Полевые транзисторы
Транзистор IRFP460 полевой N-канальный 500V 20A корпус TO-247AC используется для подключения нагрузки с потребляемым током не более 20A
Описание товара Транзистор IRFP460 полевой N-канальный 500V 20A корпус TO-247AC
- Тип транзистора: N-канальный;
- Максимальный ток «сток»-«исток»: 20A;
- Максимальный напряжение «сток»-«исток»: 500V;
- Тип корпуса: TO-247AC.
Отличительные особенности и преимущества транзистора IRFP460 полевой N-канальный 500V 20A корпус TO-247AC
Транзистор IRFP460 полевой N-канальный 500V 20A корпус TO-247AC выполнен на основе пластины из полупроводника N-типа.
Как и в биполярном транзисторе, с двух сторон к пластине присоединены два вывода («сток» и «исток»), а управляющий электрод – затвор.
Меняя полярность и уровень приложенного напряжения к затвору, можно управлять сужением или расширением канала, внутренним сопротивлением, самое главное — током через транзистор.
Поскольку транзистор называется «полевым», управление производится электрическим полем, а не током базы, как в биполярном транзисторе. Это позволяет не тратить дополнительную энергию.
Транзистор IRFP460 полевой N-канальный 500V 20A корпус TO-247AC допускает подключение тремя способами: с общим затвором, с общим стоком, с общим истоком.
Вход полевого транзистора обладает значительным сопротивлением, что позволяет подключать высокоомный источник электрических колебаний.
Основные параметры транзистора IRFP460 полевого
При расчете усилительных каскадов, необходимо исходить в первую очередь из тока, потребляемого нагрузкой.
Максимальный ток для полевого транзистора IRFP460 составляет 20A.
При превышении этого тока транзистор может выйти из строя.
Если нужен более мощный полупроводниковый прибор, следует купить полевой транзистор с большим выходным током «исток»-«сток».
Вторым по значимости параметром полевого транзистора является напряжение между выводами «сток» и «исток». При превышении этого параметра, транзистор может «пробиться». Для рассматриваемой модели напряжение составляет 500V.
Также транзистор IRFP460 характеризуется напряжением отсечки на участке «затвор»-«исток». Этот показатель – пороговое значение, при котором ток через канал транзистора полностью прекращается.
От тока через транзистор и сопротивления канала зависит рассеиваемая мощность транзистора.
Если транзистор планируется устанавливать в высокочастотные схемы, дополнительно необходимо учитывать входную емкость и время переключения.
При проектировании схем с применением полевого транзистора IRFP460 следует учитывать:
- чувствительность к перегреву;
- высокую вероятность пробоя от воздействия статического электричества.
В связи с этим при пайке полевого транзистора следует использовать средства заземления.
Предпочтительный вариант — пайка при помощи паяльника с заземлением и регулировкой температуры.
Однако лучшим решением вопроса было бы применение паяльной станции, паяльник в которой гальванически развязан от сети, снабжен антистатической защитой и регулировкой температуры.
Купить транзистор IRFP460 полевой N-канальный 500V 20A корпус TO-247AC в Киеве можно сделав заказ через корзину сайта Интернет-магазина Electronoff.
Автор на +google
БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА Заказов от 3000 гривен Послегарантийный сервис Ремонт после гарантийного срока
КАЧЕСТВО
каждый заказ мы проверяем
и даем гарантию на все товарыБЫСТРЫЙ СЕРВИС
быстрая и надежная доставка
товаров по Украине: Киев, Харьков,
Днепр, Одесса, ЛьвовВЫГОДНАЯ ЦЕНА
лучшие цены на весь ассортимент
найдете дешевле — мы доплатимПОСЛЕГАРАНТИЙНЫЙ СЕРВИС
отремонтируем любую поломку даже после гарантийного срока
Многие задаются вопросом, где купить качественные Полевые транзисторы дешево? В интернет-маркете Электронофф представлен безграничный ассортимент товара: от Шланги для пневмоинструмента до самых качественных и недорогих Электромагнитные реле 24 вольта.
Широкий спектр товаров гарантирован надежными производителями, например: STANLEY и KADA. Наиболее востребованы Свердло по дереву пір’яне 35 x 150 SWF — 3515 Intertool, Конденсатор електролітичний SMD 220 мкФ 25V (E) 85°C (10шт) и Тачскрін для китайських телефонів 77х54 мм, резистивний, ZFLD-010, которые можно заказать с аккуратной доставкой в Краматорск или иной населеденный пункт Украины. Транзистор IRFP460 полевой N-канальный 500V 20A корпус TO-247AC доступен к заказу в онлайн-шопе или по телефону. Персональные консультанты помогут подобрать Шланги для пневмоинструмента и другие товары за считанные минуты. Полевые транзисторы – безопасные инструменты для дома или производства.
Читать далее
Похожие товары
Kaizer SSTC II
Введение
Это модифицированная версия первого построенного мною SSTC, Kaizer SSTC I. В нем используются те же вторичная плата, верхняя загрузка и плата драйвера. Нововведения — это полный мост из полевых МОП-транзисторов IRFP460, модуляция звука, экранированные драйверы и новый корпус.
Безопасность
ВНИМАНИЕ!: Работа с электричеством опасна, вся информация, размещенная на моем сайте, предназначена для образовательных целей, и я не несу никакой ответственности за действия других лиц, использующих информацию, найденную на этом сайте.
Прочитайте этот документ о безопасности! http://www.pupman.com/safety.htm
Соображения
В поисках более длинных искр я решил использовать полный мост, чтобы воспользоваться полным напряжением на мосту.
Полевые МОП-транзисторы будут установлены поверх радиатора, поэтому их легко заменить, только сняв вторичную платформу и припаяв их.
Драйверы будут экранированы, чтобы электромагнитное поле, создаваемое самой катушкой Теслы, не создавало шума в драйверах.
Технические характеристики
| Мост | 4x IRFP460 MOSFET в полной мостовой конфигурации. |
| Питание моста | 0–260 В перем. тока от вариатора, выпрямительного моста 8 А и сглаживающего конденсатора 1500 мкФ. 0–365 В пост. тока на мосту. |
| Первичная катушка | Диаметр 115 мм, изолированный медный провод диаметром 1,78 мм, 8 витков. |
| Вторичная катушка | Диаметр 110 мм, длина 275 мм, 1000 витков, эмалированный медный провод 0,25 мм. |
| Резонансная частота | Самонастройка около 250 кГц. |
| Верхняя загрузка | Малый диаметр 100 мм, большой диаметр 240 мм, тороид. |
| Входная мощность | Продолжение Волновой режим: 2000–4000 Вт при входном напряжении 200 В переменного тока. Прерывистый режим: 100–2000 Вт при входном напряжении 260 В переменного тока. Модулированный аудиорежим: 300–400 Вт при входном напряжении 150 В переменного тока. |
| Длина искры | длина искры до 475 мм. |
Схема полного моста SSTC
UCC3732X представляют собой микросхемы драйвера MOSFET, один неинвертированный выход, а другой инвертированный, для получения двухтактного привода трансформатора управления затвором. ИС драйвера затвора может обеспечивать высокие пиковые токи, необходимые для эффективного управления полевыми МОП-транзисторами.
74HC14 представляет собой инвертирующий шестигранный триггер Шмитта, он используется для получения надлежащего устойчивого прямоугольного сигнала 0–5 В из сигналов, которые не являются идеально прямоугольными, обратная связь антенны может сильно различаться по форме и амплитуде, 74HC14 преобразует это в чистый сигнал привода для драйверов MOSFET.
Все неиспользуемые входные контакты 74HC14 должны быть заземлены, незаземленные входы и шумная среда — верный путь к неприятностям. Шум может проникать между воротами внутри и заставлять всю ИС работать неправильно.
Музыкальный модулятор работает за счет усиления звукового сигнала на транзисторах LM741 и BC547.
Таймер 555 гарантирует, что длина сигнала генерируемой прямоугольной волны намного короче, чем звуковой сигнал, чтобы не иметь слишком большое время включения и, таким образом, не повредить MOSFET / IGBT от перегрузки по току.
Конструкция
15 марта 2009 г.
Я разобрал 19-дюймовый ЖК-монитор и 24-дюймовый ЭЛТ-монитор, из этих соответствующих компьютерных частей я спас хороший кусок акрила от ЖК-монитора и довольно большой радиатор от ЭЛТ. . Я разрезал акрил пополам для двухуровневой платформы, а радиатор разрезал на 4, необходимо изолировать МОП-транзисторы друг от друга, так как их корпус также является проводником.
19 марта 2009 г.
Электроника драйвера и аудиомодулятор установлены под металлическим кожухом от ЭЛТ-монитора, чтобы защитить его от сильного электромагнитного поля, окружающего катушку Тесла, во избежание проблем с прерыванием работы драйвера собственным электромагнитным полем .
Мост состоит из четырех полевых МОП-транзисторов IRFP460, четырех диодов MUR1560 и четырех резисторов 5R.
Блок питания представляет собой выпрямительный мост на 8 А со сглаживающим конденсатором BHC 1500 мкФ/450 В, в окончательной сборке добавлен стабилизирующий резистор 27K 7 Вт.
Гнездо аудиовхода было позже удалено из-за того, что оно замыкало металлический корпус на шину заземления, я упустил из виду, что отрицательный звук не был общим с шиной заземления, но между ними был конденсатор.
Вторичная обмотка удерживается на месте ящиком для вентиляции в домах. Это простой и быстрый способ разобрать змеевик для транспортировки или хранения, а вторичная обмотка прочно и плотно удерживается.
Для поддержки антенны добавлена акриловая трубка, таким образом можно отрегулировать соединение антенны со вторичной обмоткой, просто потянув за провод.
Новое экранирование аудиовхода выполнено из куска экрана промышленного кабеля, натянутого на него и заземленного.
Вторичный с наконечниками. Диаметр 110 мм, длина 275 мм, 1000 витков, эмалированный медный провод 0,25 мм.
Катушка выглядит полностью, за исключением, может быть, изоленты, используемой для скрепления верхней нагрузки.
SSTC Искры
Прерывистый режим
При входном напряжении 250 В переменного тока, 350 В постоянного тока на мосту можно было достичь искр длиной 475 мм в прерывистом режиме до заземленного объекта.
Еще фотографии искр в прерывистом режиме, скорость примерно 4-5 бит/с.
3 мая 2009 г.
Продолжение в волновом режиме
При входном напряжении 200 В перем. тока, 280 В пост. тока на мосту и потребляемой мощности около 10 А с пиковым значением 20 А катушка потребляла от 2000 до 4000 Вт. Это привело к тому, что очень горячие, толстые белые дуги наказали мертвый iPod shuffle, что удивительно, относительно невредимого плеера, учитывая то, что только что произошло.
Эти пламенные искры имеют длину 250 мм.
18 августа 2009 г.
Я сконструировал новую верхнюю загрузку из двух дешевых алюминиевых сковородок от Ikea.
С отрезанными ручками и выточенным из него винтом, он имел гладкую поверхность и крепился длинным винтом через них обе.
6 сентября 2009 г.
Во время работы CW при полном входном напряжении полный мост полностью разорвался с громким хлопком.
Аудиомодуляция катушки Тесла
Я использую аудиомодулятор, созданный пользователем Reaching (Martin Ebbefeld) с сайта 4hv.org.
Для ввода звука я использую дешевую детскую клавиатуру из магазина игрушек, она далеко не идеальна для этой работы, особенно потому, что ее форма сигнала сильно искажена, а тона не чистые, но, кажется, внутри нее много модуляции для имитации различных инструментов. . Но он дешевый и одноразовый.
Посмотрите фильм и рассмотрите схемы, чтобы узнать больше о модуляции звука.
Заключение
Модернизация SSTC I с полным мостом была абсолютной необходимостью. Это небольшие изменения по сравнению с лучшей производительностью, и у драйвера нет проблем с управлением четырьмя полевыми МОП-транзисторами вместо двух.
Получение искр на длине 475 мм в прерывистом режиме и белых силовых дуг на длине 250 мм вполне удовлетворительно для этой маленькой катушки, высота самой вторичной обмотки всего 275 мм.
Наслаждайтесь демонстрацией.
Демонстрация
Демонстрация различных режимов.
Новая верхняя загрузка, работающая в прерывистом режиме.
Новая верхняя загрузка, работающая в режиме CW.
Новая верхняя загрузка, работа в прерывистом режиме и искры.
Река Темза Условия
Обновления услуг по номеру 1227 22 декабря 2022 г.
Шлюз Ромни — Шлюз Ромни временно открыт для прохода до возобновления строительных работ на площадке 3 2 января . [email protected] или позвонив в шлюз по телефону 01753 860296.
Шлюз Рэдкот — T Пункт водоснабжения в Шлюзе Рэдкот закрыт до дальнейшего уведомления.
Molesey Lock — Насос не работает до дальнейшего уведомления.
Benson Lock — T h Общественная дорожка над Benson Weir будет закрыта до дальнейшего уведомления.
Замок Сент-Джонс — T h e откачка, Вернулся в строй и работает нормально карты можно получить у хранителей замков 0030 Шиплейк Шлюз — Откачка не работает до дальнейшего уведомления.
Hurley Lock — Общественные туалеты недоступны.
Mapledurham Lock — Откачивающие сооружения временно недоступны из-за замерзших труб.
Замок Boulters — Ворота со стороны пьедестала не открываются полностью. Пожалуйста, будьте осторожны при входе и выходе из замка.
Замок Бовени — T H E PU M P -OU T и ELSA N FACITIE S Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out Out.
Marsh Lock Horse Bridge — T HE до W30 HE .0031 rid ge вверх по течению от болотного шлюза будет закрыт до дальнейшего уведомления из соображений безопасности. Наши оперативные группы и специалисты по инфраструктуре будут проверять мост, чтобы определить необходимые действия для защиты пользователей моста. Приносим извинения за доставленные неудобства.
Часы работы смотрителей шлюзов
Мы стремимся предложить нашим клиентам, пользующимся водным транспортом, сопровождение во время лодочного сезона с 1 апреля по 30 сентября. Мы также обеспечим сопровождение во время пасхальных выходных и весенних и осенних полугодий, когда они выпадают вне сезона. Каждый шлюз будет обслуживаться резидентом, сменным или сезонным смотрителем шлюза и/или волонтерами, в зависимости от ситуации и, когда это возможно, для прикрытия перерывов персонала, работы плотины и технического обслуживания.
Бывают случаи, когда мы не можем этого сделать из-за обстоятельств, не зависящих от нас, таких как болезнь персонала.
Вне сезона между 1 октября и 31 марта может быть доступен сопровождаемый переход, но это не может быть гарантировано.
Наш график обслуживания замков можно найти здесь: Река Темза: обслуживание замков.
- Июль и август: с 9:00 до 18:30
- Май, июнь и сентябрь: с 9:00 до 18:00
- Апрель и октябрь: с 9:00 до 17:00
- с ноября по март: с 9:15 до 16:00
Один час обеденного перерыва между 13:00 и 14:00, когда укрытия нет.
Электричество предоставляется на шлюзах, за исключением шлюза Теддингтон и шлюзовых шлюзов выше по течению от Оксфорда.
Навигационные знаки
- При движении вверх по течению держите красные навигационные буи слева, а зеленые — справа.
- Двигаясь вниз по течению, держите красные буи справа, а зеленые — слева.
- Одиночные желтые маркерные буи могут проходить с любой стороны.
Во всех случаях держитесь подальше от навигационных буев. Помните о возможных отмелях на внутренней стороне изгибов рек.
24 часа и причалы шлюза
Эти причалы находятся в ведении Агентства по охране окружающей среды Lock and Weir Keepers. Уведомления размещаются на сайтах, и лодочники должны по прибытии явиться к дежурному хранителю шлюза, чтобы сообщить о своем пребывании.
Ссылки по теме
Река Темза: ограничения и перекрытия — Информация о любых перекрытиях и ограничениях на неприливной реке Темзе.
Река Темза: шлюзы и сооружения для лодочников — Информация о средствах для лодочников на шлюзах Агентства по охране окружающей среды на неприливных реках Темзе и Кеннет.
Уровни рек и морей — Служба Агентства по охране окружающей среды, отображающая последние данные об уровне рек и морей со всей страны.
GaugeMap — интерактивная карта с расходами, уровнями грунтовых вод и другой информацией о реках Великобритании и Ирландии.
