IRFP460LC: мощный N-канальный MOSFET транзистор на 500 В и 20 А

Download >

Где купить

Сверхнизкий заряд затвора Пониженные требования к приводу затвора Повышенный рейтинг V gs Пониженный C iss, Coss, Crss Изолированное центральное монтажное отверстие Динамический рейтинг dv/dt Номинал повторяющихся лавин Описание

В этой новой серии мощных полевых МОП-транзисторов с низким зарядом HEXFET достигается значительно меньший заряд затвора по сравнению с обычными полевыми МОП-транзисторами. Используя передовую технологию Hexfet, усовершенствования устройства позволяют снизить требования к приводу затвора, повысить скорость переключения и повысить общую экономию системы. Эти усовершенствования устройств в сочетании с проверенной прочностью и надежностью МОП-транзисторов предлагают разработчикам новый стандарт мощных транзисторов для коммутационных приложений. Корпус TO-247 предпочтительнее для коммерческих и промышленных приложений, где более высокие уровни мощности не позволяют использовать устройства TO-220. TO-247 похож, но превосходит более ранний корпус TO-218 из-за изолированного монтажного отверстия.

ID 100C IDM = 25C ​​VGS EAS IAR EAR dv/dt TJ TSTG Непрерывный ток стока, при 10 В Непрерывный ток стока, при 10 В импульсный ток стока Рассеиваемая мощность Линейный коэффициент снижения мощности Напряжение затвор-исток Одноимпульсная лавинная энергия Лавинный ток Повторяющаяся лавинная энергия Пиковое восстановление диода dv/dt Рабочий переход и диапазон температур хранения Температура пайки, в течение 10 секунд Момент затяжки или винт M3.

Параметр Напряжение пробоя сток-исток Напряжение пробоя Темп. Коэффициент Статический Сопротивление сток-исток Пороговое напряжение затвора Прямая крутизна Ток утечки сток-исток Прямая утечка затвор-исток Обратная утечка Затвор-исток Суммарный заряд затвора Заряд затвор-исток Заряд затвор-сток («Миллер») Время задержки включения заряда Время нарастания Время задержки выключения Время спада Индуктивность внутреннего стока Индуктивность внутреннего источника Входная емкость Выходная емкость Обратная передаточная емкость

Макс. Единицы измерения Условия V VGS = 250 A V/C Эталонное значение 1 мA 0,27 VGS 4,0 В VDS = VGS, 250 A S VDS 12 A 25 VDS = 500 В, VGS A 250 VDS = 400 В, VGS 125C 100 VGS nA -100 VGS 32 nC VDS 400 В 49 VGS = 10 В, см. рис. 6 и 13 VDD 12 , см. рис. 10 Между выводом (0,25 дюйма) нГн из упаковки 13 и центром контакта кристалла 3600 VGS 440 пФ VDS = 1,0 МГц, см. рис. 5

Параметр Непрерывный ток источника (корпусной диод) Импульсный ток источника (корпусной диод) Диод Прямое напряжение Время обратного восстановления Заряд обратного восстановления Время включения вперед

Примечания: Повторяющийся номинал; ширина импульса ограничена максимальной температурой перехода. (см. рис. 11) ISD 20A, di /dt V DD V(BR)DSS, J 150C Длительность импульса 300 с, коэффициент заполнения 2%.

IRFR4105Z: одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET на 55 В в корпусе D-pak

IRGMh50F : Высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором 1200 В

SD150R16MSC : стандартные восстановительные диоды

OM2990-5NKM: Трехвыводной, фиксированное напряжение, регулятор отрицательного напряжения с малым падением напряжения в герметичных корпусах

IRF7455TRPBF : Fet — однодисковый полупроводниковый продукт 15A 30V 2. 5W для поверхностного монтажа; MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC Технические характеристики: Тип монтажа: Поверхностный монтаж; Тип FET: N-канальный MOSFET, оксид металла; Напряжение стока к источнику (Vdss): 30 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C: 15A; Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7,5 мОм @ 15 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) при Vds: 3480 пФ при 25 В; Мощность — макс.: 2,5 Вт; Упаковка: Cu

IRFI1310N-010PBF : 21 А, 100 В, 0,04 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB Технические характеристики: Полярность: N-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 100 вольт; RDS(вкл.): 0,0400 Ом; Тип упаковки: ТО-220, ТО-220, 3 контакта; Количество единиц в ИС: 1

IRFR3911TRR: 14 А, 100 В, 0,115 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA Технические характеристики: Полярность: N-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 100 вольт; RDS(вкл.): 0,1150 Ом; Тип упаковки: ПЛАСТИКОВАЯ, ДПАК-3 ; Количество единиц в IC: 1

JANKCAh3N7268 : N- И P-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET Технические характеристики: Полярность: N-канал, P-канал ; MOSFET Режим работы: Улучшение; Тип упаковки: DIE-3; Количество единиц в ИС: 1

10CTF30-010PBF : 10 А, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД Спецификации: Расположение: Общий катод; Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель, СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ; ЕСЛИ: 10000 мА; Комплектация: ТО-220, ТО-220АБ, 3 PIN; Количество выводов: 3; Количество диодов: 2

BC546A : BC546; до н. э.547; Транзисторы общего назначения NPN; Упаковка: SOT54 (СПТ, Е-1).

BUK573-60A : Полевой транзистор логического уровня транзистора Powermos: 60 В, 13 А. N-канальный силовой полевой транзистор логического уровня в улучшенном пластиковом корпусе. Устройство предназначено для использования в импульсных источниках питания (SMPS), управлении двигателями, сварочных работах, преобразователях постоянного и переменного тока в постоянный, а также в автомобильных и коммутационных устройствах общего назначения. СИМВОЛ VDS ID Ptot RDS(ON) ПАРАМЕТР BUK573 Напряжение сток-исток.

IRLWI510A : МОП-транзистор повышенной мощности. Технология Avalanche Rugged Технология Rugged Gate Oxide Меньшая входная емкость Улучшенная зарядка затвора Увеличенная безопасная рабочая зона Рабочая температура 175 C Меньший ток утечки: 10 А (макс.) при VDS = 100 В Меньшее значение RDS(ON): 0,336 (тип.) Символ VDSS ID IDM VGS EAS IAR EAR dv/dt PD Характеристика Напряжение сток-исток Непрерывный ток стока (TC=25C).

MA112 : Обозначение = 1С ;; VR(V) = 40 ;; ЕСЛИ(мА) = 200 ;; ИК(нА) = 50 ;; Trr(ns) = 10 ;; Пакет = SMini2-F1.

MMSF1308R2 : Устарело, см. Руководство по параметрическому поиску или выбору, Пакет: Soic, контакты = 8.

STP4NA80 : Высокое напряжение. Старый ПРОДУКТ: Не подходит для дизайна. N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ БЫСТРОЙ МОЩНОСТИ МОП-ТРАНЗИСТОР ТИПИЧНЫЙ RDS(on) 30V НОМИНАЛЬНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ ЗАТВОР-ИСТОЧНИК 100% ИСПЫТАН НА ЛАВИНЫ ПОВТОРЯЮЩИЕСЯ ЛАВИННЫЕ ДАННЫЕ ПРИ 100oC НИЗКАЯ ВНУТРЕННЯЯ ЕМКОСТЬ НАГРУЗКА ЗАТВОРА МИНИМИЗИРОВАНА СНИЖЕННОЕ ПОРОГОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ РАЗБРОС НАПРЯЖЕНИЯ ДО-220FETS Эта серия MOS Передовая технология высокого напряжения. Оптимизированная ячейка.

KGT12N120NDH : БТИЗ. s: Тип транзистора/технология: IGBT. IGBT KEC NPT обеспечивают низкие потери при переключении, высокую энергоэффективность и высокую лавинную устойчивость для приложений с плавным переключением, таких как IH (индукционный нагрев), микроволновая печь и т. д. Высокоскоростное переключение Высокая эффективность системы Мягкие формы тока выключения Чрезвычайно улучшенная лавинная способность ХАРАКТЕРИСТИКА Коллектор -Напряжение эмиттера Напряжение затвор-эмиттер.

MMBD1705AD87Z : 0,05 А, 30 В, 2 ЭЛЕМЕНТА, КРЕМНИЯ, СИГНАЛЬНЫЙ ДИОД. s: Схема: общий анод; Тип диода: общего назначения; ЕСЛИ: 50 мА; Количество выводов: 3; Количество диодов: 2.

PBLS4002Y/T1 : 500 мА, 40 В, 2 КАНАЛА, PNP, Si, МАЛЕНЬКИЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: ПЛАСТИК, SMD, SC-88, 6 PIN.

1206B102K6R3C : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 6,3 В, X7R, 0,001 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 1206. s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: керамический состав; Диапазон емкости: 1,00E-3 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 10 (+/- %); WVDC: 6,3 вольт; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа.

1812LS-104XJBD : 1 ЭЛЕМЕНТ, 100 мкГн, ФЕРРИТОВЫЙ СЕРДЕЧНИК, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD. s: Вариант монтажа: технология поверхностного монтажа; Устройства в упаковке: 1 ; Материал сердечника: феррит; Стиль ведения: WRAPAROUND; Применение: общего назначения, радиочастотный дроссель; Диапазон индуктивности: 100 мкГн; Номинальный постоянный ток: 150 мА; Рабочая температура: от -40 до 85 C (от -40 до 185 F).

2N3467.MOD : 1000 мА, 40 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-205AD. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: ТО-3, ТО-39, ГЕРМЕТИЧЕСКИЙ, МЕТАЛЛИЧЕСКИЙ, ТО-39, 3 PIN.

934056255127 : 54 A, 55 В, 0,02 Ом, N-КАНАЛЬНЫЙ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB. s: Полярность: N-канальный ; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 55 вольт; RDS(вкл.): 0,0200 Ом; Тип упаковки: ПЛАСТИКОВЫЙ, SC-46, 3-контактный; Количество единиц в ИС: 1.