Справочники
- Каталог
- О магазине
- О магазине
- Контакты
- Обратная связь
- Оплата
- Доставка
- Как купить
- Ответы на вопросы
- Сотрудничество
- Правовая информация
- Товары под заказ
- Параметрический фильтр
- Вакансии
- Скидки
- Оплата
- Доставка
- Как купить
- Справочник
- Личный кабинет
- Мои настройки
- Мои заказы
- Моя корзина
- Подписка
- /Справочники
- /Справочник по полевым транзисторам
- /Страница не найдена
|
|
Irf630h — параметры транзистора mosfet, его аналоги, datasheet
IRF630N Datasheet (PDF)
1.
1. irf630nlpbf irf630npbf irf630nspbf.pdf Size:335K _upd-mosfet
PD — 95047A
IRF630NPbF
IRF630NSPbF
l Advanced Process Technology
IRF630NLPbF
l Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
D
VDSS = 200V
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements
RDS(on) = 0.30Ω
G
l Lead-Free
Description
ID = 9.3A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rec
1.2. irf630nstrrpbf.pdf Size:335K _update-mosfet
PD — 95047A
IRF630NPbF
IRF630NSPbF
l Advanced Process Technology
IRF630NLPbF
l Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
D
VDSS = 200V
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements
RDS(on) = 0.30Ω
G
l Lead-Free
Description
ID = 9.3A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rec
1.
3. irf630n.pdf Size:155K _international_rectifier
PD — 94005A
IRF630N
IRF630NS
IRF630NL
Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
Dynamic dv/dt Rating
175C Operating Temperature D
VDSS = 200V
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
RDS(on) = 0.30?
Ease of Paralleling
G
Simple Drive Requirements
Description
ID = 9.3A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rectifier utilize advanced processing
te
1.4. irf630n.pdf Size:245K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF630N，IIRF630N
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤0.3Ω
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRIPTION
· Efficient and reliable device for use in a wide variety of applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
1.5.
irf630nstrrpbf.pdf Size:232K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF630NSTRRPBF
DESCRIPTION
·Drain Current –I =9.3A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage-
: V = 200V(Min)
DSS
·Static Drain-Source On-Resistance
: R = 0.3Ω(Max)
DS(on)
·Fast Switching Speed
·Low Drive Requirement
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·This de
IRF630NS MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Транзистор irf540
Наименование прибора: IRF630NS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 82
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.
5
A
Максимальная температура канала (Tj): 175
°C
Общий заряд затвора (Qg): 23.3
nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3
Ohm
Тип корпуса: D2PAK
IRF630NS
Datasheet (PDF)
1.1. irf630nlpbf irf630npbf irf630nspbf.pdf Size:335K _upd-mosfet
PD — 95047A
IRF630NPbF
IRF630NSPbF
l Advanced Process Technology
IRF630NLPbF
l Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
D
VDSS = 200V
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements
RDS(on) = 0.30Ω
G
l Lead-Free
Description
ID = 9.3A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rec
1.2. irf630nstrrpbf.pdf Size:335K _update-mosfet
PD — 95047A
IRF630NPbF
IRF630NSPbF
l Advanced Process Technology
IRF630NLPbF
l Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
D
VDSS = 200V
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements
RDS(on) = 0.
30Ω
G
l Lead-Free
Description
ID = 9.3A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rec
1.3. irf630nstrrpbf.pdf Size:232K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF630NSTRRPBF
DESCRIPTION
·Drain Current –I =9.3A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage-
: V = 200V(Min)
DSS
·Static Drain-Source On-Resistance
: R = 0.3Ω(Max)
DS(on)
·Fast Switching Speed
·Low Drive Requirement
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·This de
Другие MOSFET… IRF540Z
, IRF540ZL
, IRF540ZS
, IRF5801
, IRF5802
, IRF6201
, IRF630N
, IRF630NL
, IRF530
, IRF640N
, IRF640NL
, IRF640NS
, IRF6603
, IRF6604
, IRF6607
, IRF6608
, IRF6609
.
IRF630N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога.
СправочникDatasheet international rectifier irf5305strlpbf
Наименование прибора: IRF630N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 82
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.5
A
Общий заряд затвора (Qg): 23.3
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3
Ohm
Тип корпуса: TO220AB
IRF630N
Datasheet (PDF)
Транзистор irf640
1.1. irf630nlpbf irf630npbf irf630nspbf.pdf Size:335K _upd-mosfet
PD — 95047A
IRF630NPbF
IRF630NSPbF
l Advanced Process Technology
IRF630NLPbF
l Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
D
VDSS = 200V
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements
RDS(on) = 0.
30Ω
G
l Lead-Free
Description
ID = 9.3A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rec
1.2. irf630nstrrpbf.pdf Size:335K _update-mosfet
PD — 95047A
IRF630NPbF
IRF630NSPbF
l Advanced Process Technology
IRF630NLPbF
l Dynamic dv/dt Rating
HEXFET Power MOSFET
l 175°C Operating Temperature
l Fast Switching
D
VDSS = 200V
l Fully Avalanche Rated
l Ease of Paralleling
l Simple Drive Requirements
RDS(on) = 0.30Ω
G
l Lead-Free
Description
ID = 9.3A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rec
1.3. irf630n.pdf Size:155K _international_rectifier
PD — 94005A
IRF630N
IRF630NS
IRF630NL
Advanced Process Technology
HEXFET Power MOSFET
Dynamic dv/dt Rating
175C Operating Temperature D
VDSS = 200V
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
RDS(on) = 0.30?
Ease of Paralleling
G
Simple Drive Requirements
Description
ID = 9.
3A
Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from
S
International Rectifier utilize advanced processing
te
1.4. irf630n.pdf Size:245K _inchange_semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF630N，IIRF630N
·FEATURES
·Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤0.3Ω
·Enhancement mode
·Fast Switching Speed
·100% avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRIPTION
· Efficient and reliable device for use in a wide variety of applications
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
1.5. irf630nstrrpbf.pdf Size:232K _inchange_semiconductor
INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor IRF630NSTRRPBF
DESCRIPTION
·Drain Current –I =9.3A@ T =25℃
D C
·Drain Source Voltage-
: V = 200V(Min)
DSS
·Static Drain-Source On-Resistance
: R = 0.3Ω(Max)
DS(on)
·Fast Switching Speed
·Low Drive Requirement
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·This de
Другие MOSFET… IRF4104G
, IRF4104S
, IRF540Z
, IRF540ZL
, IRF540ZS
, IRF5801
, IRF5802
, IRF6201
, IRFP460
, IRF630NL
, IRF630NS
, IRF640N
, IRF640NL
, IRF640NS
, IRF6603
, IRF6604
, IRF6607
.
CS630F MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CS630F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 38
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200
V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30
V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Время нарастания (tr): 60
ns
Выходная емкость (Cd): 85
pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4
Ohm
Тип корпуса: TO-220F
CS630F
Datasheet (PDF)
1.1. cs630f.pdf Size:228K _update_mosfet
IRFS630(CS630F) N-Channel MOSFET/N 沟 MOS 晶体管
用途:用于高效 DC/DC 转换和功率开关。
Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters
and switch mode power supplies.
特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。
Features: Low gate charge, low crss, fast switching.
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参
1.2. cs630fa9h.pdf Size:832K _update_mosfet
Silicon N-Channel Power MOSFET
R
○
CS630F A9H
General Description：
VDSS 200 V
CS630F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is
ID 9 A
PD(TC=25℃) 30 W
obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the
RDS(ON)Typ 0.23 Ω
conduction loss, improve switching performance and enhance
the avalanche energy. The transistor can be used in various
power
1.3. cs630f a9h.pdf Size:712K _crhj
Silicon N-Channel Power MOSFET
R
○
CS630F A9H
General Description：
VDSS 200 V
CS630F A9H, the silicon N-channel Enhanced
ID 9 A
PD(TC=25℃) 30 W
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology
which reduce the conduction loss, improve switching
performance and enhance the avalanche energy.
The transistorcan be used in various power
Другие MOSFET… SMG2301
, SMG2301P
, SMG2302
, SMG2302N
, SMG2305
, SMG2305P
, SMG2305PE
, SMG2306A
, IRF1404
, SMG2306NE
, SMG2310A
, SMG2310N
, SMG2314N
, SMG2314NE
, SMG2318N
, SMG2319P
, SMG2321P
.
Управление от микроконтроллера
Как видно из представленных характеристик напряжение отсечки, при котором irf840 закрыт, составляет 4 В. В связи с этим у многих радиолюбителей появляется желание управления этим mosfet от микроконтроллера напрямую, например таким как Arduino. Однако, этого лучше не делать. Из некоторых условий видно, что значения RDS(ON) и QGMAX измерялись производителем при напряжении на затворе в 10 В. Это связано с тем, что irf840 не открывается полностью при более низких напряжениях, а значит не является транзистором логического уровня и не рекомендован изготовителем для управления от микроконтроллера.
Для стабильной работы в схемах управления от микроконтроллера потребуется отдельный драйвер, способный выдать на затвор более 10 В. Обычно, у транзисторов логического уровня в условиях измерений напряжение затвора приближено к 5 В. Компания Vishay рекомендует для этих целей IRF840LC (SiHF840LC).
IRFS630 MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFS630
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35
W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200
V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9
A
Максимальная температура канала (Tj): 150
°C
Общий заряд затвора (Qg): 43
nC
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4
Ohm
Тип корпуса: TO220
IRFS630
Datasheet (PDF)
1.1. irfs630a.pdf Size:508K _samsung
Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 200 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.
4 ?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 6.5 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V
Low RDS(ON) : 0.333 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Units
4.1. irfs634b.pdf Size:858K _upd
November 2001
IRF634B/IRFS634B
250V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 29 nC)
• Low Crss ( typical 20 pF)
This advanced technology has been especially tailored to
4.2. irf634b irfs634b.pdf Size:859K _fairchild_semi
November 2001
IRF634B/IRFS634B
250V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect 8.
1A, 250V, RDS(on) = 0.45? @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)
planar, DMOS technology.
Low Crss ( typical 20 pF)
This advanced technology has been especially tailored to
Fast switchi
4.3. irfs634a.pdf Size:505K _samsung
Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 250 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.45
?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 250V
Lower RDS(ON) : 0.327 ? (Typ.)
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Uni
Другие MOSFET… IRFS610A
, IRFS614A
, IRFS620
, IRFS620A
, IRFS622
, IRFS624
, IRFS624A
, IRFS625
, BSS138
, IRFS630A
, IRFS632
, IRFS634
, IRFS634A
, IRFS635
, IRFS640
, IRFS640A
, IRFS642
.
IRFS640A Datasheet (PDF)
1.1. irfs640a.pdf Size:508K _samsung
Advanced Power MOSFET
FEATURES
BVDSS = 200 V
Avalanche Rugged Technology
RDS(on) = 0.18 ?
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
ID = 9.8 A
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 200V
1
2
3
1.Gate 2. Drain 3. Source
Absolute Maximum Ratings
Symbol Characteristic Value Un
3.1. irfs640b.pdf Size:922K _upd
November 2001
IRF640B/IRFS640B
200V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect • 18A, 200V, RDS(on) = 0.18Ω @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 45 nC)
planar, DMOS technology.
• Low Crss ( typical 45 pF)
This advanced technology has been especially tailored to
3.2. irf640b irfs640b.
pdf Size:916K _fairchild_semi
November 2001
IRF640B/IRFS640B
200V N-Channel MOSFET
General Description Features
These N-Channel enhancement mode power field effect 18A, 200V, RDS(on) = 0.18? @VGS = 10 V
transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 45 nC)
planar, DMOS technology.
Low Crss ( typical 45 pF)
This advanced technology has been especially tailored to
Fast switchin
Схемы включения
Как элемент схемы, он является активным несимметричным четырёхполюсником, одни из выводов у которого общий для цепей входа и выхода. Схемы включения irf840 соответствуют типовому включению в цепях: с общим; с общим стоком; c общим затвором. Типовые способы подключения для полевых транзисторов смотрите на рисунке.
Стабилизатор анодного напряжения
В последнее время у многих радиолюбителей появляется интерес к разработке и сборке анодных стабилизаторов напряжения на мощных mosfet. Идеи для сборки подобных схем подсмотрены в технической документации от компании National Semiconductor и доработаны радиолюбителями на различных форумах.
Приведем пример одной из таких схем (c общим затвором) стабилизатора на 250 вольт, с использованием irf840 и микросхемы lm317.
Схема представляет из себя два каскада. В первом каскаде установлен irf840, он выполняет роль истокового повторителя. Во вором каскаде уставлена нагрузка — микросхема lm317. Максимальная величина напряжения между входом и выходом не должна превышать 37 В. Поэтому стабилитроны Z2 и Z3 защищают эту микросхему от напряжения превышающего 30 В.
Резисторы D1, D2, D3, Z3 защищают полупроводниковые устройства от различных нагрузок. R6 нужно поставить для обеспечения ток холостого хода у lm, он должен быть примерно 6.4 мА. Мощность резистора R4 должна быть не менее 30 Вт. Нагрузку обычно подсоединяют с помощью плавкого предохранителя. Микросхему и транзистор необходимо прикрепить на отдельные радиаторы, которые при работе стабилизатора будут достаточно хорошо греться. Указанный стабилизатор выдерживает предельны ток в нагрузке до 110 мА, ограниченный резистором R2.
Оцените статью:
DataSheet PDF Search Site
Новые списки
| Номер детали | Функция | Производители | ПДФ |
| 1N4004G | СТЕКЛЯННЫЙ ПАССИВИРОВАННЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ | Юнисоник Текнолоджиз | |
| 1N4007G | СТЕКЛЯННЫЙ ПАССИВИРОВАННЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ | Юнисоник Текнолоджиз | |
| 1N4745A | ДИОД ЗЕНЕРА | Юнисоник Текнолоджиз | |
| 1N5401G | СТЕКЛЯННЫЙ ПАССИВИРОВАННЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ | Юнисоник Текнолоджиз | |
| 1N5406G | СТЕКЛЯННЫЙ ПАССИВИРОВАННЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ | Юнисоник Текнолоджиз | |
| 1N5408G | СТЕКЛЯННЫЙ ПАССИВИРОВАННЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ | Юнисоник Текнолоджиз | |
| 1СС400 | ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ ДИОД | Юнисоник Текнолоджиз | |
| А10 | Процессор | Технология Allwinner | |
| А10с | Процессор | Технология Allwinner | |
| А20 | Процессор | Технология Allwinner |
IRF630 Mosfet: техническое описание, распиновка, схема [видео и часто задаваемые вопросы]
Обзор продукта IRF630 представляет собой сквозное отверстие, 200 В N-канальная накладка II power MOSFET в корпусе TO-220 .
Этот силовой MOSFET разработан с использованием разработанного компанией процесса MESH OVERLAY, основанного на объединенной компоновке полос, который соответствует и улучшает характеристики. Обладает чрезвычайно высокой способностью dv/dt, очень низкими собственными емкостями и сведенным к минимуму зарядом затвора.
В этом блоге будет систематически представлен IRF630 , включая его функции, распиновку, спецификации, приложения, в том числе IRF630 техническое описание и многое другое.
Video: checking MOSFET very simple using continuity tester how to check mosfet
CatalogProduct Overview |
IRF630 Features |
IRF630 Pinout |
Приложения IRF630 |
Где мы можем использовать это и как использовать |
IRF630 Equivalents |
IRF630 CAD Models |
How to Get Long Life Performance |
IRF630 Circuit Diagram |
IRF630 Specification |
IRF630 VS IRF640 |
IRF630 Производитель |
IRF630 Лист данных |
Using Warnings |
IRF630 FAQ |
IRF630 Features
- Dynamic dv/dt Rating
- Повторяющаяся лавина с рейтингом
- Возможность быстрого переключения
- Простота распараллеливания
- Требования к простому приводу
- Соответствует RoHS и не содержит галогенов
Распиновка IRF630
На следующем рисунке показана схема распиновки IRF630 .
IRF630 Распиновка
IRF630 Приложения
- 1 8 Зарядные устройства 4 9022
- Применение солнечной энергии
- Приложения, требующие быстрого переключения
- Драйверы двигателей
- ИБП
- Телекоммуникационные приложения
- Привод нагрузки на выходе Arduino и других платформ
- Коммутация высокого напряжения до 200 В
- 1 9 Зарядные устройства
Где мы можем его использовать и как использовать
IRF630 может использоваться в приложениях, в которых требуется высокая скорость переключения. Помимо этого, его также можно использовать в любом общем приложении, подпадающем под его спецификации. Он также подходит для усиления звука и может использоваться для создания мощных усилители звука . Процедура использования этого транзистора в схеме такая же, как и при использовании любого другого МОП-транзистора .
IRF630 Equivalents
BUK454-200A, BUK454-200B, 2SK1957, 2SK2212, BUK444-200A, BUK444-200B, IRFI630G, IRFS630, IRFS631, RFP2N18, YTA630, 2SK1957.
IRF630 Модели САПР
Далее следует IRF630 символ , посадочное место и 3D модель .
IRF630 Symbol
IRF630 Footprint
IRF630 3D Model
How to Get Long Life Performance
To get long term performance с этим транзистором рекомендуется всегда использовать его как минимум на 20% ниже его максимальных номиналов. Максимальное напряжение сток-исток составляет 200 В, поэтому не подключайте нагрузку более 160 В. Максимальная непрерывная ток стока составляет 9 А, поэтому не подключайте нагрузку более 6,2 А и всегда используйте подходящий радиатор с транзистором.
Не храните и не используйте транзистор при температуре ниже -55 градусов по Цельсию и выше +150 градусов по Цельсию.
Ниже приведены тест Схема схемы IRF630
.0174
Test circuit for gate charge behavior
Test circuit for inductive load switching and diode recovery times
Unclamped inductive load test circuit
Форма сигнала индуктивности без фиксации
Форма сигнала времени переключения
IRF630 Спецификация
| Атрибут продукта | Значение атрибута |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Технология: | Си |
| Способ монтажа: | Сквозное отверстие |
| Упаковка/футляр: | ТО-220-3 |
| Полярность транзистора: | N-канал |
| Количество каналов: | 1 канал |
| Vds — Напряжение пробоя сток-исток: | 200 В |
| Id — непрерывный ток стока: | 9 А |
| Rds On — сопротивление сток-исток: | 400 мОм |
| Vgs — Напряжение затвор-исток: | — 20 В, + 20 В |
| Vgs th — Пороговое напряжение затвор-исток: | 2 В |
| Qg — Плата за ворота: | 31 нКл |
| Минимальная рабочая температура: | — 65 С |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 С |
| Pd — рассеиваемая мощность: | 75 Вт |
| Режим канала: | Улучшение |
| Конфигурация: | Одноместный |
| Высота: | 9,15 мм |
| Длина: | 10,4 мм |
| Тип транзистора: | 1 N-канал |
| Тип: | МОП-транзистор |
| Ширина: | 4,6 мм |
. | IRF630 | IRF640 |
| Категория продукта: | МОП-транзистор | МОП-транзистор |
| Способ монтажа: | Сквозное отверстие | ТГТ |
| Пакет/Футляр: | ТО-220-3 | ТО-220 |
| Полярность транзистора: | N-канал | N-канал |
| Количество каналов: | 1 канал | |
| Vds — Напряжение пробоя сток-исток: | 200 В | |
| Id — непрерывный ток стока: | 9 А | 18,0 А |
| Rds On — сопротивление сток-исток: | 400 мОм | |
| Vgs — Напряжение затвор-исток: | — 20 В, + 20 В | 20,0 В, 200,0 В |
| Vgs th — Пороговое напряжение затвор-исток: | 2 В | |
| Qg — Плата за ворота: | 31 нКл | 44,7 нКл |
| Минимальная рабочая температура: | — 65 С | |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 С | |
| Pd — Рассеиваемая мощность: | 75 Вт | 150,0 Вт |
| Режим канала: | Улучшение | |
| Конфигурация: | Одноместный | |
| Высота: | 9,15 мм | |
| Длина: | 10,4 мм | |
| Тип транзистора: | 1 N-канал | |
| Тип: | МОП-транзистор | |
| Ширина: | 4,6 мм |
IRF630 Производитель
ST — мировой лидер в области полупроводников, предлагающий интеллектуальные и энергоэффективные продукты и решения, которые обеспечивают электронику основой повседневной жизни.
Сегодня продукты ST можно найти повсюду, и вместе с нашими клиентами мы делаем возможным более разумное вождение и более умные фабрики, города и дома, а также мобильные устройства следующего поколения и устройства Интернета вещей. Получая больше от технологий, чтобы получать больше от жизни, ST означает life.augmented.
IRF630 Datasheet
You can download this datasheet for IRF630–Datasheet from the link given below:
IRF630 Datasheet
Using Warnings
Note: Please check their параметры и конфигурацию выводов, прежде чем заменять их в вашей схеме.
IRF630 FAQ
Что такое IRF630?
IRF630 от STMicroelectronics представляет собой сквозной 200-вольтовый N-канальный полевой МОП-транзистор в корпусе TO-220.
Для чего используются силовые МОП-транзисторы?
Мощные полевые МОП-транзисторы (полевые транзисторы на основе металл-оксид-полупроводник) представляют собой кремниевые устройства с тремя выводами, которые функционируют путем подачи сигнала на затвор, который управляет проводимостью тока между истоком и стоком.
