Каковы основные характеристики IRFZ24N. Какие преимущества дает технология HEXFET. Для каких применений подходит этот транзистор. Каковы аналоги IRFZ24N. Кто производит IRFZ24N.
Ключевые характеристики и особенности IRFZ24N
IRFZ24N представляет собой мощный N-канальный MOSFET-транзистор, обладающий рядом важных характеристик:
- Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
- Максимальный постоянный ток стока: 17 А (при 25°C)
- Сопротивление открытого канала: всего 0.07 Ом
- Корпус: TO-220AB
- Технология производства: HEXFET® 5-го поколения
Благодаря технологии HEXFET® транзистор IRFZ24N обладает очень низким сопротивлением открытого канала при высокой скорости переключения. Это обеспечивает минимальные потери мощности и делает его отличным выбором для применений, требующих высокой эффективности.
Преимущества технологии HEXFET в IRFZ24N
Технология HEXFET®, разработанная компанией International Rectifier, дает IRFZ24N ряд важных преимуществ:
- Минимальное сопротивление открытого канала
- Высокая скорость переключения
- Повышенная надежность
- Улучшенные тепловые характеристики
Как эти преимущества реализуются на практике? Низкое сопротивление канала (всего 0.07 Ом) означает меньшие потери мощности при работе транзистора. Высокая скорость переключения позволяет использовать IRFZ24N в высокочастотных приложениях. Улучшенная надежность и тепловые характеристики обеспечивают стабильную работу в жестких условиях эксплуатации.
Области применения IRFZ24N
Благодаря своим характеристикам, IRFZ24N находит применение во многих областях электроники:
- Импульсные источники питания
- Системы управления электродвигателями
- Преобразователи напряжения
- Зарядные устройства
- Системы автомобильной электроники
Почему IRFZ24N так хорошо подходит для этих применений? В импульсных источниках питания низкое сопротивление канала и высокая скорость переключения обеспечивают высокий КПД. В системах управления двигателями важна способность IRFZ24N работать с большими токами. А в автомобильной электронике ценится надежность этого транзистора в широком диапазоне температур.
Электрические параметры IRFZ24N
Рассмотрим подробнее ключевые электрические характеристики IRFZ24N:
- Максимальное напряжение затвор-исток: ±20 В
- Пороговое напряжение затвор-исток: 2-4 В
- Входная емкость: 790 пФ (тип.)
- Выходная емкость: 220 пФ (тип.)
- Время включения: 18 нс (тип.)
- Время выключения: 44 нс (тип.)
Что означают эти параметры на практике? Низкое пороговое напряжение (2-4 В) позволяет управлять транзистором напрямую от микроконтроллеров. Малые значения емкостей и времени переключения обеспечивают работу на высоких частотах с минимальными потерями.
Тепловые характеристики и максимальные режимы IRFZ24N
При разработке устройств с IRFZ24N важно учитывать его тепловые характеристики и предельные режимы работы:
- Максимальная температура перехода: 175°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 3.5°C/Вт
- Максимальная рассеиваемая мощность: 45 Вт (при 25°C)
- Диапазон рабочих температур: -55°C до +175°C
Как правильно интерпретировать эти данные? Максимальная температура перехода в 175°C означает, что при этой температуре транзистор еще может работать, но с ограниченной нагрузкой. Тепловое сопротивление 3.5°C/Вт показывает, насколько эффективно тепло отводится от кристалла. Чем оно ниже, тем лучше охлаждение. Максимальная рассеиваемая мощность в 45 Вт — это предел, при котором температура перехода достигнет максимума при температуре корпуса 25°C.
Аналоги и замены IRFZ24N
При разработке электронных устройств часто возникает необходимость в поиске аналогов компонентов. Для IRFZ24N существует ряд близких по параметрам транзисторов:
- STB140NF55 (STMicroelectronics)
- BUZ10 (Infineon)
- IRFZ24A (International Rectifier)
- STP20N06 (STMicroelectronics)
- 2SK2311 (Toshiba)
Почему важно знать об аналогах? Это дает гибкость при разработке и производстве электроники. Если IRFZ24N временно недоступен или его цена выросла, можно использовать аналог без существенного изменения схемы. Однако при замене всегда нужно внимательно сравнивать все параметры, так как полных аналогов практически не бывает.
Производители IRFZ24N
IRFZ24N выпускается несколькими крупными производителями полупроводников:
- International Rectifier (теперь часть Infineon Technologies)
- Vishay Siliconix
- ON Semiconductor
- STMicroelectronics
Особенности выбора производителя IRFZ24N
При выборе производителя IRFZ24N следует учитывать несколько факторов:
- Репутация производителя и качество продукции
- Доступность и сроки поставки
- Цена
- Техническая поддержка
Как эти факторы влияют на выбор? Репутация производителя важна для обеспечения надежности конечного устройства. Доступность и сроки поставки критичны для производственного процесса. Цена влияет на конечную стоимость продукта. А качественная техническая поддержка может существенно облегчить процесс разработки и отладки устройства.
IRFZ24N характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги
Главная » Транзисторы
По своим техническим характеристикам IRFZ24N является мощным n-канальным МОП (MOSFET) транзистором. Он изготавливается по технологии HEXFET® пятого поколения, разработанной компанией International Rectifier (IR). Этот способ производства позволяет добиться минимального сопротивления n-канала полевика, при большой скорости переключения и высокой надежности. Благодаря этим преимуществам хорошо подходит для использования в импульсных блоках питания, системах управления электрическим приводом.
Многие путают рассматриваемое устройство с транзистором IRFZ24. Имейте ввиду, что последний имеет близкие по своим значениям, но все же немного другие параметры.
Содержание
- Цоколевка
- Технические характеристики
- Электрические
- Аналоги
- Производители
Цоколевка
Распиновка IRFZ24N у большинства производителей выполнена в стандартном пластиковом корпусе ТО-220AB, с максимальной рассеиваемой мощностью около 50 Вт.
Благодаря низкому тепловому сопротивлению и невысокой стоимости эта упаковка завоевала широкое распространение. Расположение выводов показано на рисунке. Цифрой 1 обозначен затвор (G), под номером 2 – сток (D), 3 – исток (S). Радиатор имеет характерное отверстие для крепления устройства на печатную плату и физический контакт со стоком.
На российском рынке встречаются и более совершенные транзисторы данного типа. Таким устройством является IRFZ24N, также в корпусе ТО220AB, от компании Philips Semiconductor. Они отличаются от классических тем, что выпускаются с применением так называемой «траншейной» технологии (Trench MOSFET) и имеют в сравнении с ними немного лучшие характеристики. Например, сопротивление открытого n-канала у них меньше, чем у обычного планарного полевого транзистора MOSFET. Кроме того предусмотрена защита от электростатических разрядов, при использовании в импульсных источниках питания до 2 кВ.
Технические характеристики
Рассмотрим максимально возможные характеристики MOSFET-транзистора IRFZ24N:
- напряжение сток-исток (VDSSmax) до 55 В;
- сопротивление открытого N-канала (RDS(ON)) до 0.
07 Ом; - допустимый рабочий ток стока(ID max): при температуре кристалла TC = +25ОС до 17 А; при TC = +100ОС до 12 А;
- пиковый (импульсный) ток стока (IDМ max) — 68 А;
- рассеиваемая мощность при TC = +25ОС (PD) — 45 Вт;
- предельно допустимое отпирающее напряжение между затвором и истоком (VGS max) ±20 В;
- максимальная энергия единичного импульса (EAS) – 71 мДж;
- пиковый неповторяющийся ток, допустимый в лавинных условиях (IAR) – 10 А;
- неповторяющаяся энергия, которая может быть рассеяна в условиях лавинного пробоя (EAR) – 4,5 мДж;
- наибольший возможный импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt – 5.0 В/нс;
- диапазон температур, при которых может храниться изделие от — 55 до +175 °C;
- температура пайки (не более 10 секунд) – 300 (на расстоянии 1,6 миллиметра от упаковки).
07 Ом;
При этом надо знать, что реальные рабочие значения у устройства должны быть меньше предельно допустимых примерно на 20-30%.
Электрические
Электрические параметры IRFZ24N приведены в таблице ниже. Других значения при которых производились измерения, приведены в отдельном столбе. Температура перехода (TJ) равна +25ОС, если не указано другого.
Аналоги
Полным аналогом irfz24n считается транзистор STB140NF55 (STMicroelectronics) . Правда у них корпус ТО220, но расположение выводов (распиновка) совпадает с оригиналом. В большинстве случаев, при его использовании, не потребуется вносить дополнительных изменений в схему. А вот еще возможные варианты замены для рассматриваемого устройства с похожими параметрами: 2SK1114, BUZ10, BUZ101, BUZ101S, BUZ104, BUZ104S, HUF75307P3, HUF75309P3, IRFZ24A, MTP15N06V, MTP20N06V, RFP14N05, RFP14N06, RFP15N06, SFP16N06, STP140NF55, STP16NE06, STP20N06, STPNE06, STP20NF06, 2SK2311, IRFIZ24A, 2SK2311, IRFWZ24A, STB16NF06LT.
Производители
Выпуском этого изделия занимаются такие зарубежные фирмы: Inchange Semiconductor, International Rectifier, TRANSYS Electronics, Philips Semiconductors, ARTSCHIP Electronics, Kersemi Electronic, NXP Semiconductors.
В России продаются транзисторы, изготовленные следующими компаниями: International Rectifier, Philips Semiconductors. Нажав на название можно скачать datasheet на irfz24n от интересующего производителя.
MOSFET
IRFZ24N Даташит ( Datasheet PDF ) | Infineon
IRFZ24N Даташит ( Datasheet PDF ) | Infineon — AiPCBA.ru Даташит компонента > MOSFET, MOSFET Transistor > Infineon > IRFZ24N Даташит PDFПоделиться
IRFZ24N Даташит PDF (11 Страницы)
Щелкните страницу, чтобы просмотреть подробную таблицу данных
IRFZ24N Документация
- IRFZ24N Даташит PDF
- Infineon
- 11 Страницы, 675 KB
- IRFZ24N Справочное руководство пользователя
- Infineon
- 270 Страницы, 11877 KB
- IRFZ24N Другие Даташит
- Infineon
- 30 Страницы, 664 KB
- IRFZ24N Примечание по применению
- Infineon
- 37 Страницы, 2068 KB
IRFZ24 Даташит PDF
- IRFZ24
Даташит PDF - International Rectifier
Transistor NPN MOS IRFZ24 INTERNATIONAL RECTIFIER TO220
- IRFZ24
Даташит PDF - VISHAY
TO-220AB N-CH 60V 17A
- IRFZ24
Даташит PDF - Vishay Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
- IRFZ24
Даташит PDF - Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
- IRFZ24
Даташит PDF - Fairchild
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.
07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN- IRFZ24
Даташит PDF - Samsung
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
- IRFZ24
Даташит PDF - NXP
17A, 55V, 0.07ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
- IRFZ24
Даташит PDF - Infineon
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
- IRFZ24
Даташит PDF - TI
17A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN
- IRFZ24
Даташит PDF - Vishay Intertechnology
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.
1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PIN
1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, 3 PINПоиск в формате PDF листа данных
Поиск
100 миллионов листов данных в формате PDF, обновляйте более 5000 файлов PDF в день.
Связанные части
Популярные части Новые части
Связанные документы: IRFZ24 Даташит PDF
Свяжитесь с нами онлайн
Bonnie — Менеджер по продажам AiPCBA онлайн, 5 минут назад
Сообщение *
Отправить
Сертификат
Службы доставки
©2015 — 2023 AiPCBA, Все права защищены.
Полупроводниковые и системные решения — Infineon Technologies
Новый TRENCHSTOP™ IGBT7 H7, 1200 В
TRENCHSTOP™ IGBT7 H7, 1200 В, предназначен для применения в системах обезуглероживания, таких как фотогальваника
Скачать техническое описание
PCIM Europe 2023
С 9 по 11 мая.
Полная программа здесь
Приборная панель TRAVEO™ T2G
TRAVEO™ T2G предлагает более высокое разрешение дисплея, превосходную производительность и несколько дисплеев с динамическим контентом. Все это при меньшем энергопотреблении и меньшем объеме памяти
Узнать больше
Формирование будущего мобильности
Мы сертифицированы по ISO/SAE 21434, международному стандарту систем управления кибербезопасностью в автомобильной отрасли
Открой для себя больше
Высококачественный звук для интеллектуальных устройств
Микрофоны XENSIV™ MEMS со сверхнизким уровнем шума и сверхнизким энергопотреблением обеспечивают высокое качество звука при вызове, активное шумоподавление и длительное время работы от батареи
Посмотреть вебинар по запросу
SECORA™ Pay теперь доступна с технологией 28 нм
Мы расширяем портфолио решений SECORA™ Pay, используя технологию 28 нм для лучшей производительности транзакций в сочетании с простым в интеграции полносистемным решением
Узнать больше
Новости
03 апреля 2023 г.
| Business & Financial Press
Infineon оптимизирует свой профиль обезуглероживания: подразделение промышленных приложений будет работать под названием Green Industrial Power (GIP)
28 марта 2023 г. | Business & Financial Press
Устойчивая динамика бизнеса: Infineon ожидает более сильных результатов за второй финансовый квартал и весь 2023 финансовый год
Новости рынка
14 апреля 2023 г. | Новости рынка
Системы Hi-Lo поддерживают программирование встроенного ПО Infineon OPTIGA™ TPM для ускорения выхода производителей устройств на рынок
Посетите Infineon в Twitter
