Каковы основные параметры IRFZ44N. Как правильно использовать этот транзистор в схемах. Какие есть аналоги IRFZ44N. Где можно применять IRFZ44N в электронных устройствах.
Основные характеристики IRFZ44N
IRFZ44N — это мощный полевой MOSFET транзистор n-канального типа с изолированным затвором. Он широко применяется в силовой электронике благодаря своим высоким характеристикам:
- Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
- Максимальный постоянный ток стока: 49 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 17.5 мОм
- Максимальная рассеиваемая мощность: 94 Вт
- Максимальная температура перехода: 175°C
- Пороговое напряжение затвор-исток: 2-4 В
Эти параметры делают IRFZ44N отличным выбором для применения в импульсных источниках питания, драйверах электродвигателей, инверторах и других силовых преобразователях.
Особенности конструкции IRFZ44N
IRFZ44N имеет следующие конструктивные особенности:
- Технология HEXFET от International Rectifier для снижения сопротивления канала
- Корпус TO-220 с изолированным теплоотводом для эффективного охлаждения
- Встроенный защитный диод между стоком и истоком
- Изолированный затвор для простоты управления
Благодаря этим особенностям IRFZ44N обладает низкими потерями при коммутации и высокой надежностью в работе.
Применение IRFZ44N в электронных схемах
IRFZ44N часто используется в следующих типах устройств:
- Импульсные источники питания
- Инверторы
- Драйверы электродвигателей постоянного тока
- Аудиоусилители класса D
- Зарядные устройства для аккумуляторов
- Системы управления освещением
При использовании в схемах важно соблюдать следующие правила:
- Не превышать максимально допустимое напряжение сток-исток 55 В
- Обеспечить достаточное напряжение на затворе (рекомендуется 10-12 В) для полного открытия канала
- При необходимости использовать радиатор для отвода тепла
- Защитить затвор от перенапряжений с помощью стабилитрона
Схема включения IRFZ44N
Типовая схема включения IRFZ44N в качестве ключа выглядит следующим образом:
«`В этой схеме:
- Нагрузка подключается между плюсом питания и стоком транзистора
- Исток соединяется с общим проводом (землей)
- На затвор подается управляющий сигнал
При подаче положительного напряжения на затвор транзистор открывается, пропуская ток через нагрузку. При снятии напряжения с затвора транзистор закрывается, прерывая ток.
Аналоги IRFZ44N
При отсутствии IRFZ44N можно использовать следующие аналоги с похожими характеристиками:
- IRFZ48N — чуть более мощный вариант (55В, 64А)
- IRL3705N — с меньшим пороговым напряжением (55В, 89А)
- STP55NF06 — аналог от STMicroelectronics (60В, 55А)
- IRLZ44N — логический уровень управления (55В, 47А)
- FQP50N06 — от Fairchild Semiconductor (60В, 50А)
При выборе аналога следует обращать внимание на следующие ключевые параметры:
- Максимальное напряжение сток-исток
- Максимальный ток стока
- Сопротивление канала в открытом состоянии
- Пороговое напряжение затвор-исток
Особенности применения IRFZ44N в силовой электронике
При использовании IRFZ44N в мощных схемах следует учитывать некоторые нюансы:
- Обеспечение эффективного теплоотвода. При больших токах может потребоваться установка радиатора.
- Защита от перенапряжений. Рекомендуется использовать снабберные цепи для подавления выбросов напряжения.
- Выбор оптимальной частоты коммутации. С ростом частоты увеличиваются динамические потери.
- Управление скоростью переключения. Можно регулировать с помощью резистора в цепи затвора.
Правильный учет этих факторов позволит максимально эффективно использовать возможности IRFZ44N в силовых преобразователях.
Измерение параметров IRFZ44N
Для проверки исправности и соответствия заявленным характеристикам IRFZ44N можно провести следующие измерения:
- Измерение сопротивления канала в открытом состоянии. Производится при подаче напряжения 10В на затвор.
- Определение порогового напряжения. Медленно повышаем напряжение на затворе до начала протекания тока.
- Проверка максимального напряжения сток-исток. Плавно повышаем напряжение до возникновения пробоя.
- Измерение токов утечки затвора и стока при закрытом состоянии.
Эти тесты позволят убедиться в работоспособности транзистора и соответствии его параметров данным из документации.
Рекомендации по монтажу IRFZ44N
При монтаже IRFZ44N на печатную плату следует соблюдать следующие правила:
- Использовать качественный теплопроводящий компаунд между корпусом и радиатором
- Обеспечить надежный электрический контакт выводов с дорожками платы
- Располагать транзистор вдали от чувствительных элементов схемы
- При необходимости применять дополнительное крепление корпуса к плате
- Соблюдать меры защиты от статического электричества при монтаже
Правильный монтаж обеспечит надежную работу транзистора и всего устройства в целом.
IRFZ44N — Мощный MOSFET транзистор — DataSheet
| Параметр | Мин. | Тип. | Макс. | Ед. изм. | Условия | |
| V(BR)DSS | Напряжение пробоя сток-исток | 55 | — | — | В | VGS = 0 В, ID = 250 мкA |
| ∆V(BR)DSS/∆TJ | Температурный коэффициент напряжения пробоя | — | 0.058 | — | В/°C | До 25°C, ID = 1 мA |
| RDS(on) | Статическое сопротивление сток-исток в открытом состоянии | — | — | 17.5 | мОм | VGS = 10 В, ID = 25 A (4) |
| VGS(th) | Пороговое напряжение на затворе | 2.0 | — | 4.0 | В | VDS = VGS, I D = 250 мкA |
| gfs | Крутизна характеристики | 19 | — | — | S | VDS = 25 В, ID = 25 A (4) |
| IDSS | Ток утечки сток-исток | — | — | 25 | мкА | VDS = 55 В, VGS = 0 В |
| — | — | 250 | VDS = 44 В, VGS = 0 В, TJ = 150°C | |||
| IGSS | Ток утечки в прямом направлении | — | — | 100 | нА | VGS = 20 В |
| Ток утечки в обратном направлении | — | — | -100 | VGS = -20 В | ||
| Qg | Суммарный заряд затвора | — | — | 63 | нКл | ID = 25 A, VDS |
| Qgs | Заряд между затвором и истоком | — | — | 14 | ||
| Qgd | Заряд между затвором и стоком | — | — | 23 | ||
| td(on) | Время задержки включения | — | 12 | — | нс | VDD = 28 В, ID = 25, ARG = 12 Ом, VGS = 10 В (4) |
| tr | Время нарастания | — | 60 | — | ||
| td(off) | Время задержки выключения | — | 44 | — | ||
| tf | Время спада | — | 45 | — | ||
| LD | Внутренняя индуктивность стока | — | 4.5 | — | нГн | |
| LS | Внутренняя индуктивность истока | — | 7.5 | — | ||
| Ciss | Входная емкость | — | 1470 | — | пФ | VGS = 0 В, VDS = 25 В, ƒ = 1.0 MГц |
| Coss | Выходная емкость | — | 360 | — | ||
| Crss | Обратная переходная емкость | — | 88 | — | ||
| EAS | Энергия единичного лавинного импульса (2) | — | 530 (5) | 150 (6) | мДж | IAS = 25 A, L = 0.47 мГн |
rudatasheet.ru
irfz44n транзистор характеристики, аналоги, DataSheet на русском
Характеристики полевого МОП-транзистора irfz44n указанные производителем в datasheet, говорят что он является мощным устройством на кремниевой основе с индуцированным n-каналом (нормально закрытым) изолированным затвором
Назначение контактов
Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.
Графическое обозначение
Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.
Распиновка
Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D2PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.
Основные характеристики
Весь перечень параметров MOSFET-транзисторов не указывается даже в даташит, так как он может понадобится только профессиональным разработчикам. Но даже опытным разработчикам обычно достаточно знать некоторые основные величины, чтобы начать использовать устройство в своих электронных схемах. IRFZ44N характеризуется следующими основными параметрами (при темперном режиме до +25 градусов):
- Максимальное напряжение стока-истока (V DSS) — 55 В;
- Максимальный ток стока (I D) — 49 A;
- Сопротивление проводящего канала сток-исток (R DSon) — 5 мОм;
- Рассеиваемая мощность (P D) — 94 Вт
В некоторых технических описаниях название МОП (или mosfet) транзистора с изолированным затвором, может начинаться с сокращения МДП. МДМ это первые буквы слов металл, диэлектрик и полупроводник. При этом эти транзисторы подразделяют на устройства с индуцированным и встроенным каналом. У таких полупроводниковых приборов затвор отделен от кремниевой подложки тончайшим слоем диэлектрика (примерно 0,1 микрометра).
Максимальные значения
Обычно, предельные допустимые значения, указываются в самом начале даташит. В них производитель пишет информацию о предельных значениях эксплуатации радиокомпонентов, при которых возможна их работа. Испытания прибора проводятся при окружающей температуре до 25 градусов, если изготовитель не указал иного. Изучив только эти параметры, уже можно принимать решение об использовании в своих схемах. Например, о возможности применении в различных температурных режимах. Так, у рассматриваемого MOSFET при увеличении температуры окружающей среды ток до 100 °C может падать с 49 А до 35 А.
Тепловые параметры
Не является тайной то, что параметры работа силового МОП-транзистора сильно зависят от того, насколько качественно отводится от него тепло. Чтобы упростить расчеты связанные с отводом тепла, вводятся параметры теплового сопротивления. Их значения показывают возможности радиокомпонентов ограничивать распространения тепла. Чем больше тепловое сопротивление, тем быстрее увеличится температура полупроводникового прибора. Таким образом, чем больше разность между предельно допустимой температурой кристалла и внешней средой, тем дольше время его нагрева, при этом пропускаемый ток выше. У рассматриваемого экземпляра следующие тепловые сопротивления.
Электрические параметры
Понятно что, питание и пропускаемые токи между контактами не должны превышать максимальных значений, заявленных изготовителем. Вместе с этим существуют и другие факторы, которые могут вызвать резкое повышение температуры, способствующие разрушению полупроводника. Поэтому, производители советуют выбирать устройства с запасом 20-30% по возможным уровням подаваемого напряжения, а в даташит приводят номинальные электрические характеристики. У IRFZ44N электрические характеристики, при Tj= 25°C (если не указано иное) представлены ниже.
Маркировка
Префикс IRF напоминает о происхождение рассматриваемого экземляра на заводах известной американского компании International Rectifier (IR). В 2007 году IR продала технологию производства МОП-транзисторов компании Vishay Intertechnology, а уже в 2015 году другая компания (Infineon Technologies) поглотила IR. В настоящее время многие независимые производители продолжают выпускать свою продукцию с префиксом IRF, поэтому на рынке современных радиокомпонентов можно встретить и других производителей, выпускающих продукцию с такими же символами в обозначении. Например Vishay, которая больше не выпускает транзисторы irfz44n, однако у нее есть другие похожие устройства, например: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.
В некоторых техописаниях, в конце маркировки, указываются символы “PbF”, например IRFZ44NPbF. PbF (plumbum free) – это безсвинцовая технология изготовления MOSFET-транзисторов, набирающая популярность в разных странах, из за запрета на использование в электронике веществ опасных для здоровье и окружающей природной среды.
В даташит оригинального устройства указывается наличие фирменной HEXFET-технологии изготовления от International Rectifier Corporation, которая позволяет значительно снизить сопротивление электронных компонентов и соответственно уменьшить нагрев во время их работы. Так же отпадает необходимость применения охлаждающего радиатора. Технология стала популярной в 1978 году, но её до сих пор применяют при изгодовлении силовых MOSFET-транзисторов. Упрощенно HEXFET-структура International Rectifier, представлена на рисунке.
IRFZ44N фирмы IR изготовленный с HEXFET-структурой, имеет самое низкое сопротивление между стоком и истоком 17.5 миллиом. Обозначение “Power MOSFET” в техописании указывает на принадлежность устройства к мощным полупроводниковым приборам.
Аналоги
Полных аналогов для irfz44n не существует, однако есть очень похожие по своим техническим характеристикам и описанию МОП-транзисторы. К ним относятся IRFZ44E, IRFZ45, IRFZ46N, IRFZ40, BUZ102, STP45NF06, IRLZ44Z, HUF75329P3, IRF3205. Отечественным аналогами является КП723 и КП812А1, хотя рабочая температура у них немного меньше (до 150°C).
Схема включения
Теперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO2. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее VGS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток ID.
Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений VGS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.
Варианты применения
Полевой транзистор irfz44n очень популярен у радиолюбителей в различенных электронных схемах усиления на одном транзисторе, сенсорных переключателях, контроллеров скорости вращения двигателей, проектах с ардуино и др. Его часто можно увидеть в высокочастотных импульсных блоках питания, генераторах, стабилизаторах, инверторах и схемах подключения мощной нагрузки. Предлагаем Вам посмотреть видео на тему создания интересных идей на основе этого замечательного полупроводникового прибора.
Производители
В интернете встречается полный перевод DataSheet irfz44n на русском языке, но лучше использовать описание на английском от производителя. Ниже представлено тех описание следующих производителей радиоэлектронных компонентов:
shematok.ru
Мощный полевой транзистор IRFZ44N
Задумал я сделать умную разрядку для аккумуляторов типа АА с использованием платы Arduino. Поэтому у меня возникла необходимость разорвать цепь разряда при достижении определенного напряжения на аккумуляторе. После чтения книг и статей я определил, что для выполнения этой задачи существует два варианта решения задачи: первая — разорвать разрядную цепь с помощью реле с управлением от 5 вольт; вторая – с помощью мощного полевого транзистора типа MOSFET.
Схема обозначения:
Я выбрал полевой n-канальный транзистор с индуцированным каналом (MOSFET) IRFZ44N.
Документация на IRFZ44N — IRFZ44N_ru.PDF
Для его открытия (снижение напряжения между выводами «исток» «сток» сильно уменьшится) на вывод «затвор» нужно подать напряжение, которое называется «пороговым напряжением на затворе».
Для транзистора IRFZ44N «пороговое напряжение на затворе» нормируется от 2 вольт до 4 вольт.
Из документации (смотрите фото сверху) мы можем определить, какое сопротивление будет у транзистора между истоком и стоком при напряжении на затворе относительно истока 4,5 Вольта и напряжении, поданном на исток и сток (разрядная цепь). Из диаграммы мы видим, что при Uзс = 4,5 В, Uис = 1,5 В ток через транзистор Iис = 7 А. Теперь рассчитываем сопротивление между выводами «исток – сток», используя закон Ома: Rис = 1,5/7 = 0,214 Ом. Из документации мы знаем, что сопротивление полностью открытого транзистора Rds(on) = 0,0175 Ом. Я собираюсь разряжать аккумулятор током не более 0,5 Ампер. Определяем, какая мощность будет выделяться на транзисторе при токе 0,5 A: P = 0,5*0,5*0,214 = 0,0535 Вт. Думаю, что транзистор несильно нагреется.
Получил купленные на Aliexpress 10 транзисторов IRFZ44N, решил все проверить и cфотографировать. Проверял Lcr-t4 — метром.
Vt на фотографиях соответствует пороговому напряжению на затворе.
Стоимость: ~8
Подробнее на Aliexpress
Доставка новых самоделок на почтуПолучайте на почту подборку новых самоделок. Никакого спама, только полезные идеи!
*Заполняя форму вы соглашаетесь на обработку персональных данных
usamodelkina.ru
характеристики datasheet на русском, аналоги, параметры, схема, распиновка и схема включения, аналог
Аналоги транзистора IRFZ44N
| Маркировка | Pol | Struct | Pd | Uds | Ugs | Ugs(th) | Id | Tj | Qg | Tr | Cd | Rds | Caps |
| 2SK1542 | N | MOSFET | 125 | 60 | 20 | 45 | 150 | 20 | 1500 | 0.02 | TO220AB | ||
| 2SK3270-01 | N | MOSFET | 135 | 60 | 30 | 80 | 150 | 0.0065 | TO220AB | ||||
| 2SK3435 | N | MOSFET | 84 | 60 | 20 | 80 | 150 | 60 | 1200 | 520 | 0.014 | TO220AB | |
| AM90N06-15P | N | MOSFET | 300 | 60 | 20 | 1 | 90 | 175 | 49 | 10 | 290 | 0.0105 | TO220AB |
| AM90N06-16P | N | MOSFET | 300 | 60 | 20 | 1 | 90 | 175 | 21 | 17 | 184 | 0.0165 | TO220AB |
| AM90N08-08P | N | MOSFET | 300 | 80 | 20 | 1 | 90 | 175 | 58 | 45 | 449 | 0.011 | TO220AB |
| AM90N10-14P | N | MOSFET | 300 | 100 | 20 | 1 | 90 | 175 | 60 | 49 | 392 | 0.016 | TO220AB |
| AM90N10-23P | N | MOSFET | 300 | 100 | 20 | 1 | 110 | 175 | 30 | 9 | 0.023 | TO220AB | |
| AUIRF1010EZ | N | MOSFET | 140 | 60 | 20 | 84 | 58 | 0.0085 | TO220AB | ||||
| AUIRF1018E | N | MOSFET | 110 | 60 | 20 | 4 | 79 | 175 | 46 | 0.0084 | TO220AB | ||
| AUIRFB3607 | N | MOSFET | 140 | 75 | 80 | 56 | 0.009 | TO220AB | |||||
| AUIRFZ48N | N | MOSFET | 94 | 55 | 20 | 4 | 64 | 175 | 42 | 0.014 | TO220AB | ||
| AUIRFZ48Z | N | MOSFET | 91 | 55 | 20 | 4 | 61 | 175 | 43 | 0.011 | TO220AB | ||
| AUIRL3705Z | N | MOSFET | 130 | 55 | 16 | 3 | 86 | 175 | 40 | 0.008 | TO220AB | ||
| BUK7506-55A | N | MOSFET | 300 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 0.0063 | TO220AB | |||
| BUK7507-55B | N | MOSFET | 203 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 53 | 0.0071 | TO220AB | ||
| BUK7509-55A | N | MOSFET | 211 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 62 | 0.009 | TO220AB | ||
| BUK7509-75A | N | MOSFET | 230 | 75 | 20 | 4 | 75 | 175 | 0.009 | TO220AB | |||
| BUK7511-55A | N | MOSFET | 166 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 0.011 | TO220AB | |||
| BUK7511-55B | N | MOSFET | 157 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 37 | 0.011 | TO220AB | ||
| BUK7513-75B | N | MOSFET | 157 | 75 | 75 | 40 | 0.013 | TO220AB | |||||
| BUK7514-55A | N | MOSFET | 166 | 55 | 20 | 4 | 73 | 175 | 0.014 | TO220AB | |||
| BUK7515-100A | N | MOSFET | 300 | 100 | 20 | 4 | 75 | 175 | 0.015 | TO220AB | |||
| BUK7516-55A | N | MOSFET | 138 | 55 | 20 | 4 | 65.7 | 175 | 0.016 | TO220AB | |||
| BUK7520-100A | N | MOSFET | 200 | 100 | 20 | 4 | 63 | 175 | 0.02 | TO220AB | |||
| BUK7520-55A | N | MOSFET | 118 | 55 | 20 | 4 | 54 | 175 | 0.02 | TO220AB | |||
| BUK7523-75A | N | MOSFET | 138 | 75 | 20 | 4 | 53 | 175 | 0.023 | TO220AB | |||
| BUK9506-55B | N | MOSFET | 258 | 55 | 15 | 2 | 75 | 175 | 60 | 0.0054 | TO220AB | ||
| BUK9508-55B | N | MOSFET | 203 | 55 | 15 | 2 | 75 | 175 | 45 | 0.007 | TO220AB | ||
| BUK9509-75A | N | MOSFET | 230 | 75 | 10 | 2 | 75 | 175 | 0.0085 | TO220AB | |||
| BUK9511-55A | N | MOSFET | 166 | 55 | 10 | 2 | 75 | 175 | 0.01 | TO220AB | |||
| BUK9512-55B | N | MOSFET | 157 | 55 | 15 | 2 | 75 | 175 | 31 | 0.01 | TO220AB | ||
| BUK9514-55A | N | MOSFET | 149 | 55 | 10 | 2 | 73 | 175 | 0.013 | TO220AB | |||
| BUK9515-100A | N | MOSFET | 230 | 100 | 10 | 2 | 75 | 175 | 0.0144 | TO220AB | |||
| BUK9516-55A | N | MOSFET | 138 | 55 | 10 | 2 | 66 | 175 | 0.015 | TO220AB | |||
| BUK9516-75B | N | MOSFET | 157 | 75 | 15 | 2 | 67 | 175 | 35 | 0.014 | TO220AB | ||
| BUK9518-55A | N | MOSFET | 136 | 55 | 15 | 2 | 61 | 175 | 0.016 | TO220AB | |||
| BUK9520-100A | N | MOSFET | 200 | 100 | 10 | 2 | 63 | 175 | 0.019 | TO220AB | |||
| BUK9520-100B | N | MOSFET | 203 | 100 | 15 | 2 | 63 | 175 | 53.4 | 0.0185 | TO220AB | ||
| BUK9520-55A | N | MOSFET | 118 | 55 | 10 | 2 | 54 | 175 | 0.018 | TO220AB | |||
| BUK9523-75A | N | MOSFET | 138 | 75 | 10 | 2 | 53 | 175 | 0.022 | TO220AB | |||
| BUK9524-55A | N | MOSFET | 105 | 55 | 10 | 2 | 46 | 175 | 0.0217 | TO220AB | |||
| CS3205_A8 | N | MOSFET | 230 | 60 | 20 | 120 | 175 | 82 | 750 | 0.008 | TO220AB | ||
| CS3205_B8 | N | MOSFET | 230 | 55 | 20 | 110 | 175 | 51 | 903 | 0.0085 | TO220AB | ||
| CS3710_B8 | N | MOSFET | 200 | 100 | 20 | 57 | 175 | 30 | 620 | 0.023 | TO220AB | ||
| CS4145 | N | MOSFET | 200 | 60 | 20 | 84 | 175 | 75 | 375 | 0.01 | TO220AB | ||
| CS75N75_B8H | N | MOSFET | 230 | 75 | 20 | 100 | 175 | 57 | 720 | 0.0115 | TO220AB | ||
| CSZ44V-1 | N | MOSFET | 150 | 60 | 20 | 55 | 175 | 27 | 280 | 0.01 | TO220AB | ||
| FDP10AN06A0 | N | MOSFET | 135 | 60 | 20 | 4 | 75 | 175 | 128 | 340 | 0.0105 | TO220AB | |
| FDP13AN06A0 | N | MOSFET | 115 | 60 | 20 | 4 | 62 | 175 | 96 | 260 | 0.0135 | TO220AB | |
| FDP14AN06LA0 | N | MOSFET | 125 | 60 | 20 | 3 | 67 | 175 | 169 | 270 | 0.0116 | TO220AB | |
| FDP20AN06A0 | N | MOSFET | 90 | 60 | 20 | 4 | 45 | 175 | 98 | 185 | 0.02 | TO220AB | |
| FDP5500 | N | MOSFET | 375 | 55 | 20 | 4 | 80 | 175 | 34 | 1310 | 0.007 | TO220AB | |
| HUF76432P3 | N | MOSFET | 130 | 60 | 16 | 3 | 56 | 175 | 53 | 0.021 | TO220AB | ||
| HUF76437P3 | N | MOSFET | 155 | 60 | 16 | 64 | 175 | 0.017 | TO220AB | ||||
| HY110N06T | N | MOSFET | 125 | 55 | 20 | 3 | 110 | 175 | 12.июн | 385 | 0.0055 | TO220AB | |
| HY75N075T | N | MOSFET | 83.3 | 75 | 20 | 4 | 75 | 175 | 19.фев | 650 | 0.009 | TO220AB | |
| HY80N075T | N | MOSFET | 125 | 75 | 20 | 4 | 80 | 175 | 18.фев | 420 | 0.008 | TO220AB | |
| HY80N07T | N | MOSFET | 96.7 | 65 | 20 | 4 | 80 | 175 | 22.июн | 660 | 0.0072 | TO220AB | |
| IRF1010EZ | N | MOSFET | 140 | 60 | 20 | 4 | 84 | 175 | 58 | 0.0085 | TO220AB | ||
| IRF1018E | N | MOSFET | 110 | 60 | 20 | 79 | 46 | 0.0084 | TO220AB | ||||
| IRF4410A | N | MOSFET | 230 | 100 | 20 | 4 | 97 | 175 | 52 | 430 | 0.009 | TO220AB | |
| IRFB3607 | N | MOSFET | 140 | 75 | 20 | 80 | 56 | 0.009 | TO220AB | ||||
| IRFB3607G | N | MOSFET | 140 | 75 | 20 | 80 | 56 | 0.009 | TO220AB | ||||
| IRFB3607GPBF | N | MOSFET | 140 | 75 | 20 | 4 | 80 | 175 | 56 | 110 | 280 | 0.009 | TO220AB |
| IRFB3607PBF | N | MOSFET | 140 | 75 | 20 | 4 | 80 | 175 | 56 | 110 | 280 | 0.009 | TO220AB |
| IRFB4510PBF | N | MOSFET | 140 | 100 | 20 | 4 | 62 | 175 | 58 | 32 | 220 | 0.0135 | TO220AB |
| IRFB7545 | N | MOSFET | 125 | 60 | 20 | 03.июл | 95 | 175 | 72 | 370 | 0.0059 | TO220AB | |
| IRFB7546 | N | MOSFET | 99 | 60 | 20 | 03.июл | 75 | 175 | 51 | 280 | 0.0073 | TO220AB | |
| IRFB7740 | N | MOSFET | 143 | 75 | 20 | 03.июл | 87 | 175 | 60 | 370 | 0.0073 | TO220AB | |
| IRFB7746 | N | MOSFET | 99 | 75 | 20 | 03.июл | 59 | 175 | 36 | 255 | 0.0106 | TO220AB | |
| IRFB7787 | N | MOSFET | 125 | 75 | 20 | 03.июл | 76 | 175 | 48 | 330 | 0.0084 | TO220AB | |
| IRFZ44E | N | MOSFET | 110 | 60 | 10 | 4 | 48 | 150 | 40 | 0.023 | TO220AB | ||
| IRFZ44N | N | MOSFET | 83 | 55 | 10 | 4 | 41 | 150 | 62 | 0.024 | TO220AB | ||
| IRFZ44V | N | MOSFET | 115 | 60 | 20 | 55 | 44.7 | 0.0165 | TO220AB | ||||
| IRFZ44VZ | N | MOSFET | 92 | 60 | 20 | 4 | 57 | 175 | 43 | 0.012 | TO220AB | ||
| IRFZ46N | N | MOSFET | 88 | 55 | 10 | 46 | 150 | 48 | 0.02 | TO220AB | |||
| IRFZ48N | N | MOSFET | 94 | 55 | 10 | 53 | 150 | 54 | 0.016 | TO220AB | |||
| IRFZ48Z | N | MOSFET | 91 | 55 | 20 | 4 | 61 | 175 | 43 | 0.011 | TO220AB | ||
| IRL3705Z | N | MOSFET | 130 | 55 | 16 | 3 | 86 | 175 | 40 | 0.008 | TO220AB | ||
| IRL3705ZPBF | N | MOSFET | 130 | 55 | 16 | 3 | 75 | 175 | 240 | 420 | 0.008 | TO220AB | |
| IRLZ44N | N | MOSFET | 83 | 55 | 41 | 150 | 32 | 0.022 | TO220AB | ||||
| IRLZ44NPBF | N | MOSFET | 110 | 55 | 16 | 2 | 47 | 175 | 84 | 400 | 0.022 | TO220AB | |
| KF50N06P | N | MOSFET | 96 | 60 | 20 | 50 | 150 | 100 | 405 | 0.0142 | TO220AB | ||
| KF60N06P | N | MOSFET | 113 | 60 | 20 | 60 | 150 | 75 | 490 | 0.0115 | TO220AB | ||
| KF70N06P | N | MOSFET | 125 | 60 | 20 | 70 | 150 | 110 | 543 | 0.01 | TO220AB | ||
| KF80N08P | N | MOSFET | 230 | 75 | 20 | 80 | 175 | 228 | 840 | 0.0085 | TO220AB | ||
| KMB050N60P | N | MOSFET | 120 | 60 | 20 | 50 | 175 | 100 | 460 | 0.018 | TO220AB | ||
| KMB050N60PA | N | MOSFET | 120 | 60 | 25 | 50 | 175 | 100 | 70 | 0.016 | TO220AB | ||
| KMB060N60PA | N | MOSFET | 150 | 60 | 25 | 60 | 175 | 220 | 360 | 0.0115 | TO220AB | ||
| KMB080N75PA | N | MOSFET | 300 | 75 | 25 | 80 | 175 | 25 | 730 | 0.01 | TO220AB | ||
| KU034N08P | N | MOSFET | 192 | 75 | 20 | 170 | 150 | 250 | 1150 | 0.003 | TO220AB | ||
| KU045N10P | N | MOSFET | 192 | 100 | 20 | 150 | 150 | 240 | 1000 | 0.0039 | TO220AB | ||
| MTE010N10E3 | N | MOSFET | 150 | 100 | 20 | 70 | 175 | 48 | 12 | 250 | 0.0096 | TO220AB | |
| MTN1308E3 | N | MOSFET | 230 | 75 | 30 | 80 | 175 | 42 | 200 | 340 | 0.0105 | TO220AB | |
| MTN2510E3 | N | MOSFET | 155 | 100 | 30 | 50 | 175 | 67 | 236 | 0.017 | TO220AB | ||
| MTN2510LE3 | N | MOSFET | 155 | 100 | 20 | 50 | 175 | 45 | 200 | 224 | 0.022 | TO220AB | |
| MTN3205E3 | N | MOSFET | 200 | 55 | 20 | 128 | 175 | 116 | 580 | 0.0039 | TO220AB | ||
| MTN50N06E3 | N | MOSFET | 120 | 60 | 20 | 50 | 175 | 58 | 364 | 0.019 | TO220AB | ||
| PHP110NQ06LT | N | MOSFET | 200 | 55 | 15 | 2 | 75 | 175 | 123 | 520 | 0.007 | TO220AB | |
| PHP110NQ08LT | N | MOSFET | 230 | 75 | 20 | 2 | 75 | 175 | 185 | 905 | 0.0085 | TO220AB | |
| PHP110NQ08T | N | MOSFET | 230 | 75 | 20 | 4 | 75 | 175 | 107 | 840 | 0.009 | TO220AB | |
| PHP112N06T | N | MOSFET | 200 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 94 | 720 | 0.008 | TO220AB | |
| PHP119NQ06T | N | MOSFET | 200 | 55 | 20 | 4 | 75 | 175 | 52 | 554 | 0.0071 | TO220AB | |
| PHP160NQ08T | N | MOSFET | 300 | 75 | 20 | 4 | 75 | 175 | 56 | 845 | 0.0056 | TO220AB | |
| PHP52N06T | N | MOSFET | 120 | 60 | 20 | 4 | 52 | 175 | 74 | 290 | 0.022 | TO220AB | |
| PHP54N06T | N | MOSFET | 118 | 55 | 20 | 4 | 54 | 175 | 74 | 290 | 0.02 | TO220AB | |
| PHP73N06T | N | MOSFET | 166 | 60 | 20 | 4 | 73 | 175 | 79 | 421 | 0.014 | TO220AB | |
| PHP75NQ08T | N | MOSFET | 157 | 75 | 20 | 4 | 75 | 175 | 36 | 320 | 0.013 | TO220AB | |
| PHP79NQ08LT | N | MOSFET | 157 | 75 | 15 | 2 | 73 | 175 | 30 | 0.016 | TO220AB | ||
| PSMN012-80PS | N | MOSFET | 148 | 80 | 20 | 4 | 74 | 175 | 43 | 0.011 | TO220AB | ||
| PSMN013-100PS | N | MOSFET | 170 | 100 | 20 | 4 | 68 | 175 | 59 | 0.0139 | TO220AB | ||
| PSMN015-60PS | N | MOSFET | 86 | 60 | 20 | 4 | 50 | 175 | 20.сен | 0.0148 | TO220AB | ||
| PSMN016-100PS | N | MOSFET | 148 | 100 | 20 | 4 | 96 | 175 | 49 | 0.016 | TO220AB | ||
| PSMN017-80PS | N | MOSFET | 103 | 80 | 20 | 4 | 50 | 175 | 26 | 0.017 | TO220AB | ||
| PSMN7R6-60PS | N | MOSFET | 149 | 60 | 20 | 4 | 92 | 175 | 38.7 | 0.0078 | TO220AB | ||
| PSMN8R7-80PS | N | MOSFET | 170 | 80 | 20 | 4 | 90 | 175 | 52 | 0.0087 | TO220AB | ||
| RFP50N06LE | N | MOSFET | 142 | 60 | 50 | 150 | 0.022 | TO220AB | |||||
| RJK1008DPN | N | MOSFET | 125 | 100 | 80 | 0.0085 | TO220AB | ||||||
| RJK1021DPN | N | MOSFET | 100 | 100 | 70 | 0.016 | TO220AB | ||||||
| RJK1536DPN | N | MOSFET | 125 | 150 | 50 | 0.024 | TO220AB | ||||||
| SQP120N06-06 | N | MOSFET | 175 | 60 | 20 | 03.май | 119 | 175 | 14 | 708 | 0.006 | TO220AB | |
| SQP120N10-09 | N | MOSFET | 375 | 100 | 20 | 03.май | 120 | 175 | 24 | 635 | 0.0095 | TO220AB | |
| SQP60N06-15 | N | MOSFET | 107 | 60 | 20 | 03.май | 56 | 175 | 12 | 314 | 0.015 | TO220AB | |
| STK5006P | N | MOSFET | 120 | 60 | 20 | 50 | 150 | 105 | 445 | 0.022 | TO220AB | ||
| STK7006P | N | MOSFET | 147 | 60 | 20 | 70 | 175 | 43 | 200 | 722 | 0.016 | TO220AB |
IRFZ44N MOSFET — описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики
Наименование прибора: IRFZ44N
- Тип транзистора: MOSFET
- Полярность: N
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
- Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 55 V
- Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V
- Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
- Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 41 A
- Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
- Общий заряд затвора (Qg): 62 nC
- Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
- Тип корпуса: TO220AB
Автор: Редакция сайта
chem-zamenit.ru
Suntac Electronic IRFZ44N Даташит, IRFZ44N PDF, даташитов
| Номер в каталоге | Описание (Функция) | производитель | |
| S7C4F30L | STripFET™ POWER MOSFET ( STripFET™POWER MOSFET, P-CHANNEL ) | STMicroelectronics | |
| 2SK1938 | Power MOSFET(N-channel enhancement mode power MOSFET) | Fuji Electric | |
| MRF151A | The RF MOSFET Line RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode MOSFET | Tyco Electronics | |
| AP9962M | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | Advanced Power Technology | |
| AP90T03GI | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | Advanced Power Electronics Corp | |
| ARF1519 | RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | Advanced Power Technology | |
| ARF1505 | RF POWER MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE | Advanced Power Technology | |
| AP4953D | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | Advanced Power Electronics Corp | |
| AP4953M | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | Advanced Power Electronics Corp | |
| AP4405GM | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | Advanced Power Electronics Corp |
ru.datasheetbank.com
