Irfz44N даташит. Полевой транзистор IRFZ44N: характеристики, принцип работы, применение — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Что такое полевой транзистор IRFZ44N. Каковы основные параметры и характеристики IRFZ44N. Как работает MOSFET-транзистор. В каких схемах применяется IRFZ44N. Какие есть аналоги IRFZ44N.

Содержание

Что такое полевой транзистор IRFZ44N

IRFZ44N — это N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET). Он относится к семейству силовых МОП-транзисторов и обладает следующими ключевыми характеристиками:

Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
Максимальный постоянный ток стока: 49 А
Сопротивление открытого канала: 17,5 мОм
Корпус: TO-220

IRFZ44N широко применяется в силовой электронике благодаря низкому сопротивлению открытого канала и способности коммутировать большие токи. Этот транзистор часто используется в импульсных источниках питания, приводах электродвигателей, системах управления нагрузкой и других устройствах.

Основные параметры и характеристики IRFZ44N

Рассмотрим более подробно ключевые параметры полевого транзистора IRFZ44N:

Предельные значения

Максимальное напряжение сток-исток V_DSS: 55 В
Максимальное напряжение затвор-исток V_GS: ±20 В
Максимальный постоянный ток стока I_D: 49 А (при 25°C)
Импульсный ток стока I_DM: 160 А
Максимальная рассеиваемая мощность P_D: 94 Вт (при 25°C)
Диапазон рабочих температур: от -55°C до +175°C

Характеристики

Сопротивление открытого канала R_DS(on): 17,5 мОм (типовое значение при V_GS = 10 В)
Пороговое напряжение затвора V_GS(th): от 2 до 4 В
Входная емкость C_iss: 1470 пФ
Время нарастания t_r: 35 нс (типовое значение)
Время спада t_f: 35 нс (типовое значение)

Как видно из характеристик, IRFZ44N способен коммутировать большие токи при низком сопротивлении открытого канала. Это делает его эффективным ключом в силовых схемах.

Принцип работы MOSFET-транзистора

Полевой транзистор IRFZ44N относится к MOSFET-транзисторам с индуцированным каналом. Рассмотрим принцип его работы:

В исходном состоянии канал между стоком и истоком отсутствует. Транзистор закрыт.
При подаче на затвор положительного напряжения относительно истока в полупроводнике под затвором индуцируется канал n-типа.
Когда напряжение затвор-исток превышает пороговое значение V_GS(th), канал становится проводящим. Транзистор открывается.
Увеличение напряжения на затворе приводит к расширению канала и снижению его сопротивления.
Ток стока управляется напряжением на затворе. Чем выше напряжение затвор-исток, тем больший ток может протекать через канал сток-исток.

Таким образом, IRFZ44N работает как управляемый напряжением ключ, способный коммутировать большие токи при низком управляющем сигнале.

Области применения IRFZ44N

Благодаря своим характеристикам, IRFZ44N находит широкое применение в различных областях электроники:

Импульсные источники питания
Инверторы
Приводы электродвигателей
Системы управления нагрузкой
DC/DC преобразователи
Зарядные устройства
Автомобильная электроника
Системы управления освещением

IRFZ44N часто используется в схемах, где требуется эффективное переключение больших токов и напряжений. Его низкое сопротивление открытого канала позволяет минимизировать потери мощности.

Схемы включения IRFZ44N

Рассмотрим несколько типовых схем включения транзистора IRFZ44N:

Ключевой режим

В этой схеме IRFZ44N работает как управляемый ключ. Нагрузка подключается между стоком и положительным полюсом питания. Управляющий сигнал подается на затвор через резистор.

ШИМ-регулятор

IRFZ44N часто используется в ШИМ-регуляторах для управления мощностью нагрузки. Транзистор коммутирует ток нагрузки с высокой частотой, а скважность импульсов определяет среднюю мощность.

Мостовая схема

В мостовых схемах IRFZ44N применяется для управления электродвигателями. Четыре транзистора образуют H-мост, позволяющий менять направление вращения двигателя.

Особенности применения IRFZ44N

При использовании IRFZ44N следует учитывать некоторые особенности:

Необходимо обеспечить надежный теплоотвод при работе с большими токами
Следует ограничивать скорость нарастания напряжения на затворе для предотвращения паразитных эффектов
Рекомендуется использовать снабберные цепи для защиты от перенапряжений
При параллельном включении транзисторов нужно выравнивать токи через них

Правильное применение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности IRFZ44N в силовых схемах.

Аналоги IRFZ44N

Существует ряд транзисторов с похожими характеристиками, которые могут быть использованы в качестве аналогов IRFZ44N:

IRL3803: имеет более низкое сопротивление канала (11 мОм)
FQP50N06: рассчитан на меньший ток (50 А), но имеет схожее напряжение
STP55NF06: практически полный аналог от другого производителя
IRLZ44N: логический уровень управления, открывается при 5В на затворе

При выборе аналога следует внимательно сравнивать все ключевые параметры транзистора для обеспечения совместимости в конкретной схеме.

Заключение

IRFZ44N является популярным и надежным силовым MOSFET-транзистором, широко применяемым в современной электронике. Его ключевые преимущества:

Низкое сопротивление открытого канала
Способность коммутировать большие токи
Высокая скорость переключения
Простота управления

Понимание принципов работы и особенностей применения IRFZ44N позволяет эффективно использовать этот транзистор в различных силовых схемах и устройствах.

irfz44n транзистор характеристики, аналоги, DataSheet на русском

Характеристики полевого МОП-транзистора irfz44n указанные производителем в datasheet, говорят что он является мощным устройством на кремниевой основе с индуцированным n-каналом (нормально закрытым) изолированным затвором. Характеризуется такими предельными значениями: напряжение между контактами сток-исток до 55 В, током стока до 49 А, очень маленьким проходным сопротивлением 17.5 мОм и мощностью рассеивания до 94 Вт. Рабочая температура может достигать 175 °C. Разработан специально для низковольтных, высокоскоростных коммутационных систем источников питания, преобразователей и органы управления двигателями.

Назначение контактов

Перед применением полевка обычно уточняют его структуру, графическое обозначение и назначение контактов. Основой такого транзистора является появляющийся в полупроводнике, с двумя выводами (сток и исток), канал с электронной проводимостью (n-типа). Ширина этого канала зависит от величины подаваемого на затвор (третий вывод) отпирающего напряжения.

Графическое обозначение

Рассмотрим графическое обозначение. Канал типа-n рисуется пунктирной чертой, между примыкающими к нему линиями истока и стока. Стрелка, направленная на пунктирную черту, указывает на электронную проводимость прибора. Выводы канала обозначаются буквами: С-сток (D-drain), И-исток (S-source). Затвор, регулирующий сопротивление канала, обозначается буквой З (G-gate). В обозначении есть так называемый “паразитный” диод, он подключен к истоку анодом. Все графическое обозначение помещено в круг, символизирующий корпус прибора.

Распиновка

Наиболее широкое распространение rfz44n получил в пластиковом корпусе ТО220 с крепежным отверстием под винт, разработанном специально для дискретных мощных полевых транзисторов компанией International Rectifier. Цоколевка irfz44n, если смотреть на лицевую сторону, следующая: слева затвор (G), справа исток (S). Средний вывод является стоком (D), электрически соединенным с встроенным в корпус радиатором. Под маркой International Rectifier существуют экземпляры в корпусах D²PAK и ТО-262 (irfz44ns, irfz44nl), назначение выводов аналогично ТО-220.

Основные характеристики

Весь перечень параметров MOSFET-транзисторов не указывается даже в даташит, так как он может понадобится только профессиональным разработчикам. Но даже опытным разработчикам обычно достаточно знать некоторые основные величины, чтобы начать использовать устройство в своих электронных схемах. IRFZ44N характеризуется следующими основными параметрами (при темперном режиме до +25 градусов):

Максимальное напряжение стока-истока (V _DSS) — 55 В;
Максимальный ток стока (I _D) — 49 A;
Сопротивление проводящего канала сток-исток (R _DSon) — 5 мОм;
Рассеиваемая мощность (P _D) — 94 Вт

В некоторых технических описаниях название МОП (или mosfet) транзистора с изолированным затвором, может начинаться с сокращения МДП. МДМ это первые буквы слов металл, диэлектрик и полупроводник. При этом эти транзисторы подразделяют на устройства с индуцированным и встроенным каналом. У таких полупроводниковых приборов затвор отделен от кремниевой подложки тончайшим слоем диэлектрика (примерно 0,1 микрометра).

Максимальные значения

Обычно, предельные допустимые значения, указываются в самом начале даташит. В них производитель пишет информацию о предельных значениях эксплуатации радиокомпонентов, при которых возможна их работа. Испытания прибора проводятся при окружающей температуре до 25 градусов, если изготовитель не указал иного. Изучив только эти параметры, уже можно принимать решение об использовании в своих схемах. Например, о возможности применении в различных температурных режимах. Так, у рассматриваемого MOSFET при увеличении температуры окружающей среды ток до 100 °C может падать с 49 А до 35 А.

Тепловые параметры

Не является тайной то, что параметры работа силового МОП-транзистора сильно зависят от того, насколько качественно отводится от него тепло. Чтобы упростить расчеты связанные с отводом тепла, вводятся параметры теплового сопротивления. Их значения показывают возможности радиокомпонентов ограничивать распространения тепла. Чем больше тепловое сопротивление, тем быстрее увеличится температура полупроводникового прибора. Таким образом, чем больше разность между предельно допустимой температурой кристалла и внешней средой, тем дольше время его нагрева, при этом пропускаемый ток выше. У рассматриваемого экземпляра следующие тепловые сопротивления.

Электрические параметры

Понятно что, питание и пропускаемые токи между контактами не должны превышать максимальных значений, заявленных изготовителем. Вместе с этим существуют и другие факторы, которые могут вызвать резкое повышение температуры, способствующие разрушению полупроводника. Поэтому, производители советуют выбирать устройства с запасом 20-30% по возможным уровням подаваемого напряжения, а в даташит приводят номинальные электрические характеристики. У IRFZ44N электрические характеристики, при T_j= 25°C (если не указано иное) представлены ниже.

Маркировка

Префикс IRF напоминает о происхождение рассматриваемого экземляра на заводах известной американского компании International Rectifier (IR). В 2007 году IR продала технологию производства МОП-транзисторов компании Vishay Intertechnology, а уже в 2015 году другая компания (Infineon Technologies) поглотила IR. В настоящее время многие независимые производители продолжают выпускать свою продукцию с префиксом IRF, поэтому на рынке современных радиокомпонентов можно встретить и других производителей, выпускающих продукцию с такими же символами в обозначении. Например Vishay, которая больше не выпускает транзисторы irfz44n, однако у нее есть другие похожие устройства, например: IRFZ44, IRFZ44R, IRFZ44S, IRFZ44SL.

В некоторых техописаниях, в конце маркировки, указываются символы “PbF”, например IRFZ44NPbF. PbF (plumbum free) – это безсвинцовая технология изготовления MOSFET-транзисторов, набирающая популярность в разных странах, из за запрета на использование в электронике веществ опасных для здоровье и окружающей природной среды.

В даташит оригинального устройства указывается наличие фирменной HEXFET-технологии изготовления от International Rectifier Corporation, которая позволяет значительно снизить сопротивление электронных компонентов и соответственно уменьшить нагрев во время их работы. Так же отпадает необходимость применения охлаждающего радиатора. Технология стала популярной в 1978 году, но её до сих пор применяют при изгодовлении силовых MOSFET-транзисторов. Упрощенно HEXFET-структура International Rectifier, представлена на рисунке.

IRFZ44N фирмы IR изготовленный с HEXFET-структурой, имеет самое низкое сопротивление между стоком и истоком 17.5 миллиом. Обозначение “Power MOSFET” в техописании указывает на принадлежность устройства к мощным полупроводниковым приборам.

Аналоги

Полных аналогов для irfz44n не существует, однако есть очень похожие по своим техническим характеристикам и описанию МОП-транзисторы. К ним относятся IRFZ44E, IRFZ45, IRFZ46N, IRFZ40, BUZ102, STP45NF06, IRLZ44Z, HUF75329P3, IRF3205. Отечественным аналогами является КП723 и КП812А1, хотя рабочая температура у них немного меньше (до 150°C).

С

хема включения

Теперь поговорим о схеме включения Irfz44N, как писалось выше он является полевым транзистором-МОП с затвором отделенным от полупроводника тончайшим слоем SiO₂. Внутри кремниевой структуры присутствуют два перехода p–n. При отсутствии отпирающего напряжения проводящий ток отсутствует и транзистор находится в закрытом состоянии. Если подать на устройство положительное отпирающее V_GS, т.е. на затвор плюс, а на исток минус, то под влиянием электрического поля появится индуцированный канал n-проводимости. При подаче питания на нагрузку, по индуцированному каналу потечёт стоковый ток I_D.

Чем выше напряжение подается на затвор, тем больше электронов притягивается в область сток-исток и тем шире она становится для протекания тока. Однако, этот процесс может длится до переключения между областями графика линейной и отсечки. Затем, в области насыщения стоковый ток перестает расти. Область насыщения (рабочий режим) применяется в схемах усиления, а отсечки в ключевых. В даташит процесс перехода а рабочий режим, для разных значений V_GS, отображают на графиках типовых выходных характеристик (Typical оutput сharacteristics). Для mosfet области насыщения можно определить по линии проходящих почти горизонтально относительно оси напряжения стока-истока.

Варианты

применения

Полевой транзистор irfz44n очень популярен у радиолюбителей в различенных электронных схемах усиления на одном транзисторе, сенсорных переключателях, контроллеров скорости вращения двигателей, проектах с ардуино и др. Его часто можно увидеть в высокочастотных импульсных блоках питания, генераторах, стабилизаторах, инверторах и схемах подключения мощной нагрузки. Предлагаем Вам посмотреть видео на тему создания интересных идей на основе этого замечательного полупроводникового прибора.

Производители

В интернете встречается полный перевод DataSheet irfz44n на русском языке, но лучше использовать описание на английском от производителя. Ниже представлено тех описание следующих производителей радиоэлектронных компонентов:

Транзистор IRFZ44N полевой N-канальный 55V 49A корпус TO-220AB

Описание товара Транзистор IRFZ44N полевой N-канальный 55V 49A корпус TO-220AB

IRFZ44N – N-канальный полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET, КМОП), изготовленный по технологии производства качественных силовых транзисторов — HEXFET. Транзистор имеет хорошие технические характеристики и нагрузочную способность, что способствует его широкому распространению в схемотехнике различных силовых промышленных установок.

При правильном охлаждении максимальная мощность рассеивания может достигать 94 Вт.

Уточнение — хотя сам полевой транзистор теоретически может выдержать рассеивание вплоть до 94 Вт, сам корпус TO-220 имеет рекомендуемое тепловыделение до 50 Вт.

Применение

Идеально подходит для управления мощной нагрузкой с помощью ШИМ (широтно-импульсной модуляции), поскольку из-за малого сопротивления n-канала позволяет пропустить через себя относительно большие токи без существенного нагрева.

Транзистор IRFZ44N применяется в схемах полумостовых и мостовых блоков питания, мощных управляющих ключей, в инверторах, источниках бесперебойного питания (ИБП) и других преобразователях. Благодаря своим качественным характеристикам заслужил большую популярность как у промышленных производителей оборудования, так и у радиолюбителей в качестве основы для самоделок. Второму варианту способствует и низкая цена детали, а также ее большая распространенность.

IRFZ44N — Параметры полевого транзистора

Тип: N-канальный
Максимальное напряжение (сток-исток): 55 В
Максимальное напряжение (затвор-сток): ±20 В
Сопротивление открытого канала: 16. 5 мОм
Максимальный ток (T = 25°C, Напряжение затвора = 10 В): 49 А
Максимальный ток (T = 100°C, Напряжение затвора = 10 В): 35 А
Импульсный (пусковой) ток: 160 А
Общий заряд затвора: 63 нК
Емкость затвора: 1470 пФ

IRFZ44N — Аналоги и похожие модели

STP55NF06 — практически идентичный транзистор от другого производителя.
IRLZ44N — имеет такие же параметры, только приспособлена для работы с логическими уровнями, в частностями с выходами микросхем (о чем свидетельствует буква L (Logic) в названии). Гарантированно открывается от 5 В напряжения на затворе.

IRFZ46N — немного умощненная модель, если нужен больший запас по мощности.

IRFZ44N — Datasheet (техническая документация)

В конце страницы вы можете просмотреть техническую документацию (datasheet) к полевому транзистору. Даташит хранит в себе полную информацию от производителя обо всех технических параметрах и зависимостях полупроводникового элемента.

В интернет-магазине Electronoff можно купить транзистор IRFZ44N, большое количество аналогов и других компонентов, так же как и паяльное оборудование с комплектующими к нему.

По Киеву мы доставим покупку прямо в день заказа, если товар есть у нас на складе.. Жителей всех остальных городов мы покрываем благодаря работе со многими почтовыми сервисами.

Полевой транзистор МОП (MOSFET) | Принцип работы и параметры

Что такое полевой транзистор MOS, MOSFET, МОП транзистор?

Как часто вы слышали название полевой транзистор МОП, MOSFET, MOS, полевик, МДП-транзистор, транзистор с изолированным затвором? Это все слова синонимы и относятся к одному и тому же радиоэлементу: полевому МОП-транзистору.

Полное название такого радиоэлемента на английский манер звучит как Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors (MOSFET), что в дословном переводе Металл Оксид Полупроводник Поле Влияние Транзистор. Если преобразовать на наш могучий русский язык, то получается как полевой транзистор со структурой Металл Оксид Полупроводник или просто МОП-транзистор

. Почему МОП-транзистор также называют МДП-транзистором и транзистором с изолированным затвором.

Откуда пошло название “МОП”

Если “разрезать” МОП-транзистор, то можно увидеть вот такую картину.

С точки зрения еды на вашем столе, МОП-транзистор будет больше похож на бутерброд. Полупроводник P-типа – толстый кусок хлеба, диэлектрик – тонкий слой колбасы, слой металла – тонкая пластинку сыра. В результате у нас получается вот такой бутерброд.

А как будет строение транзистора сверху-вниз? Сыр – металлическая пластинка, колбаса – диэлектрик, хлеб – полупроводник. Следовательно, получаем Металл-Диэлектрик-Полупроводник. А если взять первые буквы с каждого названия, то получается МДП – Металл-Диэлектрик-Полупроводник, не так ли? Значит, такой транзистор можно назвать по первым буквам МДП-транзистором. А так как в качестве диэлектрика используется очень тонкий слой оксида кремния (SiO₂), можно сказать почти стекло, то и вместо названия “диэлектрик” взяли название “оксид, окисел”, и получилось Металл-Окисел-Полупроводник, сокращенно МОП. Ну вот, теперь все встало на свои места).

Далее по тексту МОП-транзистор условимся называть просто полевой транзистор. Так будет проще.

Строение полевого транзистора

Давайте еще раз рассмотрим структуру полевого транзистора.

Имеем “кирпич” полупроводникового материала P-проводимости. Как вы помните, основными носителями в полупроводнике P-типа являются дырки, поэтому, их концентрация намного больше, чем электронов. Но электроны также есть и в P-полупроводнике. Как вы помните, электроны в P-полупроводнике – это неосновные носители и их концентрация очень мала, по сравнению с дырками. “Кирпич” P-полупроводника носит название Подложки. От подложки выходит вывод с таким же названием: подложка.

[quads id=1]

Другие слои – это материал N+ типа, диэлектрик, металл. Почему N+, а не просто N? Дело в том, что этот материал сильно легирован, то есть концентрация электронов в этом полупроводнике очень большая. От полупроводников N+ типа, которые располагаются по краям, отходят два вывода: Исток и Сток.

Между Истоком и Стоком через диэлектрик располагается металлическая пластинка, от который идет вывод. Называется этот вывод Затвором. Между Затвором и другими выводами нет никакой электрической связи. Затвор вообще изолирован от всех выводов транзистора, поэтому МОП-транзистор также называют транзистором с изолированным затвором.

Мы видим, что полевой транзистор на схеме имеет 4 вывода (Исток, Сток, Затвор и Подложка), а реальный транзистор имеет только 3 вывода.

В чем прикол? Дело все в том, что Подложку обычно соединяют с Истоком. Иногда это уже делается в самом транзисторе еще на этапе разработки. В результате того, что Исток соединен с Подложкой, у нас образуется диод между Стоком и Истоком, который иногда даже не указывается в схемах, но всегда присутствует:

Поэтому, следует соблюдать цоколевку при подключении МОП-транзистора в схему.

Виды полевых транзисторов

В семействе МОП полевых транзисторов в основном выделяют 4 вида:

1) N-канальный с индуцированным каналом

2) P-канальный с индуцированным каналом

3) N-канальный со встроенным каналом

4) P-канальный со встроенным каналом

Как вы могли заметить, разница только в обозначении самого канала. С индуцированным каналом он обозначается штриховой линией, а со встроенным каналом – сплошной.

В современном мире полевой транзистор со встроенным каналом используется все реже и реже, поэтому, в наших статьям мы их не будем рассматривать. Будем изучать только N и P – канальные полевые транзисторы с индуцированным каналом.

Принцип работы полевого транзистора

Принцип работы почти такой же, как и в полевом транзисторе с управляющим PN-переходом (JFET-транзисторе). Исток – это вывод, откуда начинают свой путь основные носители заряда, Сток – это вывод, куда они притекают, а Затвор – это вывод, с помощью которого мы контролируем поток основных носителей.

Пусть Затвор у нас пока что никуда не подключен. Для того, чтобы устроить движение электронов через Исток-Сток, нам потребуется источник питания Bat:

Если рассмотреть наш транзистор с точки зрения PN-переходов и диодов на их основе, то можно нарисовать эквивалентную схемку для нашего рисунка. Она будет выглядеть вот так:

где

И-Исток

П-Подложка

С-Сток

Как вы видите, диод VD2 включен в обратном направлении, так что электрический ток никуда не потечет.

Значит, в этой схеме

никакого движения электрического тока пока что не намечается.

Индуцирование канала в МОП-транзисторе

Если подать некоторое напряжение на Затвор, то в Подложке начнутся волшебные превращения. В ней будет индуцироваться канал. Индукция, индуцирование – это буквально означает “наведение”, “влияние”. Под этим термином понимают возбуждение в объекте какого-либо свойства или активности в присутствии возбуждающего субъекта (индуктора), но без непосредственного контакта (например, через магнитное или электрическое поле). Последнее выражение для нас имеет более глубокий смысл: “через электрическое поле”.

Также нам не помешает вспомнить, как ведут себя заряды различных знаков. Те, кто не играл на физике на последней парте в морской бой и не плевал через корпус шариковой ручки бумажными шариками в одноклассниц, тот наверняка вспомнит, что одноименные заряды отталкиваются, а разноименные – притягиваются:

На основе этого принципа еще в начале ХХ века ученые сообразили, где все это можно применить, и создали гениальный радиоэлемент. Оказывается, достаточно подать на Затвор положительное напряжение относительно Истока, как сразу под Затвором возникает электрическое поле.

Так как у нас слой диэлектрика очень тонкий, следовательно, электрическое поле будет также влиять и на подложку, в которой дырок намного больше, чем электронов, так как в данный момент подложка P-типа. А раз и на Затворе положительный потенциал, а дырки обладают положительным зарядом, следовательно, одноименные заряды отталкиваются, а разноименные – притягиваются.

Картина будет выглядеть следующим образом.

Дырки обращаются в бегство подальше от Затвора, так как одноименные заряды отталкиваются, а электроны наоборот пытаются пробиться к металлической пластинке затвора, но им мешает диэлектрик, который не дает им воссоединиться с Затвором и уравнять потенциал до нуля. Поэтому, электронам ничего другого не остается, как просто создать “вавилонское столпотворение” около слоя диэлектрика, что мы и видим на рисунке ниже.

Но смотрите, что произошло !? Исток и Сток соединились тонким каналом из электронов! Говорят, что такой канал индуцировался из-за электрического поля, которое создал Затвор транзистора.

Так как этот канал соединяет Исток и Сток, которые сделаны из N+ полупроводника, следовательно у нас получился N-канал. А такой транзистор уже будет называться N-канальным МОП-транзистором. Вы наверняка помните, что в проводнике очень много свободных электронов. Так как Сток и Исток соединились мостиком из большого количества электронов, следовательно, этот канал стал проводником для электрического тока. Проще говоря, между Истоком и Стоком образовался “проводок”, по которому может бежать электрический ток.

Значит, если сейчас подать напряжение между Стоком и Истоком при индуцированном канале, то мы можем увидеть вот такую картину.

Как вы видите, цепь стает замкнутой, и в цепи может спокойно течь электрический ток.

Но это еще не все! Чем сильнее электрическое поле, тем больше концентрация электронов, тем толще получается канал, следовательно, тем меньше сопротивление канала! А как сделать поле сильнее? Достаточно подать побольше напряжения на Затвор! Подавая бОльшее напряжение на Затвор с помощью источника питания Bat2, мы увеличиваем толщину канала, а значит и его проводимость! Или простыми словами, мы можем менять сопротивление канала, “играя” напряжением на затворе. Ну гениальнее некуда!

Работа P-канального полевого транзистора

Выше мы разобрали N-канальный транзистор с индуцированным каналом. Также есть еще и P-канальный транзистор с индуцированным каналом. P-канальный работает точно также, как и N-канальный, но вся разница в том, что основными носителями будут являться дырки. В этом случае все напряжения в схеме меняем на инверсные, в отличие от N-канального транзистора. Честно говоря, P-канальные полевые транзисторы используются реже, чем N-канальные.

Принцип работы показан на рисунке ниже.

Режимы работы полевого транзистора

Работа полевого транзистора в режиме отсечки

Давайте познакомимся с нашим героем. У нас в гостях N-канальный полевой транзистор с индуцированным каналом. Судя по гравировке, звать его IRFZ44N. Выводы слева-направо: Затвор, Сток и Исток.

Как мы уже с вами разобрали, Затвор служит для управлением ширины канала между Стоком и Истоком. Для того, чтобы показать принцип работы, мы с вами соберем простейшую схему, которая будет управлять интенсивностью свечения лампы накаливания. Так как в данный момент нет никакого напряжения на Затворе полевого транзистора, следовательно, он будет находится в закрытом состоянии. То есть электрический ток через лампу накаливания течь не будет.

По идее, для того, чтобы управлять свечением лампы, нам достаточно менять напряжение на Затворе относительно Истока. Так как наш полевой транзистор является N-канальным, следовательно, на Затвор мы будем подавать положительное напряжение. Окончательная схема примет вот такой вид.

Вопрос в другом. Какое напряжение надо подать на Затвор, чтобы в цепи Сток-Исток побежал минимальный электрический ток?

Мой блок питания Bat2 выглядит следующим образом.

С помощью этого блока питания мы будем регулировать напряжение. Так как он стрелочный, более правильным будет измерение напряжения с помощью мультиметра.

Собираем все как по схеме и подаем на Затвор напряжение номиналом в 1 Вольт.

Лампочка не горит. На другом блоке питания (Bat1) есть встроенный амперметр, который показывает, что в цепи лампы накаливания электрический ток не течет, следовательно, транзистор не открылся. Ну ладно, будем добавлять напряжение.

И только уже при 3,5 Вольт амперметр на Bat1 показал, что в цепи лампы накаливания появился ток, хотя сама лампа при этом не горела.

Такого слабого тока ей просто недостаточно, чтобы накалить вольфрамовую нить. Режим, при котором в цепи Сток-Исток не протекает электрический ток, называется режимом отсечки.

Активный режим работы полевого транзистора

В нашем случае при напряжении около 3,5 Вольт наш транзистор начинает немного приоткрываться. Это значение у различных видов полевых транзисторов разное и колеблется в диапазоне от 0,5 и до 5 Вольт. В даташите этот параметр называется как Gate threshold voltage, в переводе с англ. яз. – пороговое напряжение Затвора. Указывается как V_GS(th), а в некоторых даташитах как V_GS(to).

Как вы видите в таблице, на мой транзистор это напряжение варьируется от 2 и до 4 Вольт при каких-то условиях (conditions). В условиях прописано, что открытие транзистора считается при токе в 250 мкА и при условии, что напряжение на Стоке-Истоке будет такое же как и напряжение на Затворе-Стоке.

С этого момента мы можем плавно регулировать ширину канала нашего полевого транзистора, увеличивая напряжение на Затворе. Если чуть-чуть добавить напряжение, то мы можем увидеть, что нить лампы накаливания начинает накаляться. Меняя напряжение туда-сюда, мы можем добиваться нужного нам свечения лампочки накаливания. Такой режим работы полевого транзистора называется активным режимом.

В этом режиме полевой транзистор может менять сопротивление индуцируемого канала в зависимости от напряжения на Затворе. Для того, чтобы понять, как усиливает полевой транзистор, вам надо прочитать статью про принцип работы биполярного транзистора, где все это описано, иначе ничего не поймете. Читать по этой ссылке.

Активный режим работы транзистора чреват тем, что в этом режиме транзистор может очень сильно греться. Поэтому, всегда следует позаботиться об охлаждающем радиаторе, который бы рассеивал тепло от транзистора в окружающее пространство. Почему же греется транзистор? В чем дело? Да все оказывается до боли просто. Сопротивление Сток-Исток зависит от того, какое напряжение будет на Затворе. То есть схематически это можно показать вот так.

Если напряжения на Затворе нет или оно меньше, чем напряжение открытия транзистора, то сопротивление в этом случае будет бесконечно большое. Лампочка – это нагрузка, которая обладает каким-либо сопротивлением. Не спорю, что сопротивление нити горящей лампочки будет совсем другое, чем холодной, но пока пусть будет так, что лампочка – это какое-то постоянное сопротивление. Перерисуем нашу схему вот так.

Получился типичный делитель напряжения. Как я уже говорил, если нет напряжения на Затворе, то сопротивление Сток-Истока будет бесконечно большим. Значит, мощность, рассеиваемая на транзисторе, будет равняться падению напряжения на Сток-Истоке помноженной на силу тока через Сток-Истока: P=I_cU_си. Если выразить эту формулу через сопротивление, то получаем

P= I²_CR

где R – это сопротивление канала Сток-Исток, Ом

I_C– сила тока, проходящая через канал (ток Стока) , А

А что такое мощность, рассеиваемая на каком-либо радиоэлементе? Это и есть тепло.

Теперь представьте, что мы приоткрыли транзистор наполовину. Пусть в нашей цепи ток через лампу будет 1 Ампер, а сопротивление перехода Сток-Исток будет равно 10 Ом. Согласно формуле P= I²_CRполучим, что рассеиваемая мощность на транзисторе в этот момент будет 10 Ватт! Да это маленький, черт его возьми, нагреватель!

Режим насыщения полевого транзистора

Для того, чтобы полностью открыть полевой транзистор, нам достаточно подавать напряжение до тех пор, пока лампа не будет гореть во весь накал. В моем случае это напряжение более чем 4,2 Вольта.

В режиме насыщение сопротивление канала Сток-Исток минимально и почти не оказывает сопротивление электрическому току. Лампа ест свои честные 20,4 Ватта (12х1,7=20,4).

На самой лампе мы видим ее мощность 21 Ватт. Спишем небольшую погрешность на наши приборы.

Самое интересное то, что транзистор в этом случае остается холодным и ни капли не греется, хотя через него проходит 1,7 Ампер! Для того, чтобы понять этот феномен, нам опять надо рассмотреть формулу P= I²_CR . Если сопротивление Стока-Истока составляет какие-то сотые доли Ома в режиме насыщения, то с чего будет греться транзистор?

Поэтому, самые щадящие режимы для полевого МОП-транзистора – это когда канал полностью открыт или когда канал полностью закрыт. При закрытом транзисторе сопротивление канала будет бесконечно большое, а ток через это сопротивление будет бесконечно мал, так как в этой цепи будет работать закон Ома. Подставляя эти значение в формулу P= I²_CR, мы увидим, что мощность рассеивания на таком транзисторе будет равна практически нулю. В режиме насыщения у нас сопротивление будет достигать сотые доли Ома, а сила тока будет зависеть от нагрузку в цепи. Следовательно, в этом режиме транзистор также будет рассеивать какие-то сотые доли Ватта.

Ключевой режим работы полевого транзистора

В этом режиме полевой транзистор работает только в режиме отсечки и насыщения.

Давайте немного изменим схему и уберем из нее Bat2. Вместо него поставим переключатель, а напряжение на Затвор будем брать от Bat1.

Для наглядности вместо переключателя я использовал проводок от макетной платы. В данном случае лампочка не горит. А с чего ей гореть-то? На Затворе то у нас полный ноль, поэтому, канал закрыт.

Но стоит только перекинуть выключатель в другое положение, как у нас лампочка сразу же загорается на всю мощь.

Даже не надо ни о чем заморачиваться! Просто подаем на Затвор напряжение питания и все! Разумеется, если оно не превышает максимальное напряжение на Затворе, прописанное в даташите. Для нашего транзистора это +-20 Вольт. Не повредит ли напряжение питания Затвору? Так как Затвор у нас имеет очень большое входное сопротивление (он ведь отделен слоем диэлектрика от всех выводов), то и сила тока в цепи Затвора будет ну очень маленькая (микроамперы).

Как вы видите, лампочка горит на всю мощь. В этом случае можно сказать, что потенциал на Стоке стал такой же, как и на Истоке, то есть ноль, поэтому весь ток побежал от плюса питания к Стоку, “захватив” по пути лампочку накаливания, которая не прочь была покушать электрический ток, излучая кучу фотонов в пространство и на мой рабочий стол.

Но наблюдается также и интересный феномен, в отличие от ключа на биполярном транзисторе. Даже если откинуть проводок от Затвора, все равно лампочка продолжает гореть как ни в чем не бывало!

Почему так происходит? Здесь надо вспомнить внутреннее строение самого полевого транзистора. Вот эта часть вам ничего не напоминает?

Так это же конденсатор! А раз мы его зарядили, то с чего он будет разряжаться? Разрядиться-то ему некуда, поэтому он и держит заряд электронов в канале, пока мы не разрядим вывод Затвора. Для того, чтобы убрать потенциал с Затвора и “заткнуть” канал, нам опять же надо уравнять его с нулем. Сделать это достаточно просто, замкнув Затвор на Исток. Лампочка сразу же потухнет.

Как вы видели в опыте выше, если мы отключаем напряжение на Затворе, то обязательно должны притянуть Затвор к минусу, иначе канал так и останется открытым. Поэтому обязательное условие в схемах – Затвор должен всегда чем-то управляться и с чем-то соединяться. Ему нельзя висеть в воздухе.

А почему бы Затвор автоматически не притягивать к нулю при отключении подачи напряжения на Затвор? Поэтому, эту схему можно доработать и сделать самый простейший ключ на МОП-транзисторе:

При включении выключателя S цепь стает замкнутой и лампочка загорается

Как только я убираю красный проводок от Затвора (разомкну выключатель), лампочка сразу тухнет:

Красота! То есть как только я убрал напряжение от Затвора, Затвор притянуло к минусу через резистор и на нем стал нулевой потенциал. А раз на Затворе ноль, то и канал Сток-Исток закрыт. Если я снова подам напряжение на Затвор, то у нас на мегаомном резисторе упадет напряжение питания, которое будет все оседать на Затворе и транзистор снова откроется. На бОльшем сопротивлении падает бОльшее напряжение ;-). Не забываем золотое правило делителя напряжения. Резистор в основном берут от 100 КилоОм и до 1 МегаОма (можно и больше). Так как МОП-транзисторы с индуцированным каналом в основном используются в цифровой и импульсной технике, из них получаются отличные транзисторные ключи, в отличие от ключа на биполярном транзисторе.

Характеристики полевого МОП транзистора

Для того, чтобы узнать характеристики транзистора, нам надо открыть на него даташит и рассмотреть небольшую табличку на первой странице даташита. Будем рассматривать транзистор, который мы использовали в своих опытах: IRFZ44N.

Напряжение V_GS – это напряжение между Затвором и Истоком. Смотрим на даташит и видим, что максимальное напряжение, которое можно подать на Затвор это +-20 Вольт. Более 20 Вольт в обе стороны пробьет тончайший слой диэлектрика, и транзистор придет в негодное состояние.

Максимальная сила тока I_D, которая может течь через канал Сток-Исток.

Как мы видим, транзистор в легкую может протащить через себя 49 Ампер!!!

Но это при температуре кристалла 25 градусов по Цельсию. А так номинальная сила тока 35 Ампер при температуре кристалла 100 градусов, что чаще всего и происходит на практике.

R_DS(on) – сопротивление полностью открытого канала Стока-Истока. В режиме насыщения, сопротивление канала транзистора достигает ну очень малого значения. Как вы видите, у нашего подопечного сопротивление канала достигает 17,5 мОм (при условии, что напряжение на Затворе = 10 Вольт, а ток Стока = 25 Ампер).

Максимальная рассеиваемая мощность P_D – это мощность, которую транзистор может рассеять на себе, превращая эту мощность в тепло. В нашем случае это 94 Ватта. Но здесь также должны быть соблюдены различные условия – это температура окружающей среды, а также есть ли у транзистора радиатор.

Также различные зависимости одних параметров от других можно увидеть в даташите на последних страницах.

Например, ниже на графике приводится зависимость тока Стока от напряжения Стока-Истока при каких-то фиксированных значениях напряжения на Затворе при температуре кристалла (подложки) 25 градусов Цельсия (комнатная температура). Верхняя линия графика приводится для напряжения 15 Вольт на Затворе. Другие линии в порядке очереди по табличке вверху слева:

Также есть интересная зависимость сопротивления канала полностью открытого транзистора от температуры кристалла:

Если посмотреть на график, то можно увидеть, что при температуре кристалла в 140 градусов по Цельсию у нас сопротивление канала увеличивается вдвое. А при отрицательных температурах наоборот уменьшается.

Как проверить полевой транзистор

Для того, чтобы проверить полевой транзистор, мы должны определить, где какие у него выводы. У нас подопытным кроликом будет тот же самый транзистор: IRFZ44N.

Для этого вбиваем в любой поисковик название нашего транзистора и рядом прописываем слово “даташит”. Чаще всего на первой странице даташита мы можем увидеть цоколевку транзистора.

Хотя, интернет переполнен уже готовыми распиновками и иногда все-таки бывает проще набрать”распиновка (цоколевка) *название транзистора* “. Итак, я вбил ” IRFZ44N цоколевка” в Яндекс и нажал на вкладку “картинки”. Яндекс мне выдал уйму картинок с распиновкой этого транзистора:

Ну а дальше дело за малым.
Устройство и принцип работы в видео:

Проверка полевого транзистора с помощью мультиметра

Теперь, зная цоколевку и принцип работы транзистора, мы можем проверить его на работоспособность. Первым делом мы без проблем можем проверить эквивалентный диод VD2 между Стоком и Истоком. В схемотехническом обозначении его тоже часто указывают.

Как проверить диод мультиметром, я писал еще в этой статье.

Но не спешите брать мультиметр в руки и прозванивать диод! Ведь первым делом надо снять с себя статическое напряжение. Это можно сделать, если задеть метализированный слой водонагревательных труб, либо коснуться заземляющего провода. При работе с радиоэлементами, чувствительными к статическому напряжению, желательно использовать антистатический браслет, один конец которого закрепляется к заземляющему проводнику, например, к батарее отопления, а другой конец в виде ремешка надевается на запястье.

Далее замыкаем все выводы транзистора каким-нибудь металлическим предметом. В моем случае это металлический пинцет. Для чего мы это делаем? А вдруг кто-то зарядил Затвор до нас или он уже где-то успел “хапнуть” потенциал на Затворе? Поэтому, чтобы все было честно, мы уравняем потенциал на Затворе до нуля с помощью этой нехитрой манипуляции.

Ну а теперь со спокойной совестью можно проверить диод, который образуется в полевом транзисторе между Стоком и Истоком. Так как у нас транзистор N-канальный, следовательно, его схемотехническое обозначение будет выглядеть вот так:

Беремся положительным (красным) щупом мультиметра за Исток, так-как там находится анод диода, а отрицательным (черным) – за Сток
(там у нас катод диода). На мультиметре должно высветиться падение напряжения на диоде 0,5-0,7 Вольт. В моем случае, как видите, 0,56 Вольт.

Далее меняем щупы местами. Мультиметр покажет единичку, что нам говорит о том, что диод в полевом транзисторе жив и здоров.

Проверяем сопротивление канала. Мы с вами уже знаем, что в N-канальном транзисторе ток у нас будет бежать от Стока к Истоку, следовательно, встаем красным положительным щупом на Сток, а отрицательным – на Исток, и меряем сопротивление. Оно должно быть ну о-о-о-очень большое. В моем случае даже на Мегаомах показывает единичку, что говорит о том, что сопротивление даже больше, чем 200 Мегаом. Это очень хорошо.

Так как у нас транзистор N-канальный, следовательно, чтобы его приоткрыть, нам достаточно будет подать напряжение на Затвор, относительно Истока. Чаще всего в режиме прозвонки диодов на щупах мультиметра бывает напряжение в 3-4 Вольта. Все зависит от марки мультиметра. Этого напряжения будет вполне достаточно, чтобы подать его на Затвор и приоткрыть транзистор.

Так и сделаем. Ставим черный щуп на Исток, а красный на Затвор на доли секунды. На показания мультиметра не обращаем внимания, так как мы сейчас используем его в качестве источника питания, чтобы подать потенциал на Затвор. Этим простым действием мы приоткрыли наш транзистор.

Раз мы приоткрыли транзистор, значит, сопротивление Сток-Исток должно уменьшится. Проверяем, так ли это? Ставим мультиметр в режим измерения сопротивления и смотрим, уменьшилось ли сопротивление между Стоком-Истоком? Как видите, мультиметр показал значение в 2,45 КОм.

Это говорит о том, что наш полевой транзистор полностью работоспособен.

Конечно, бывает и такое, что малого напряжения на мультиметре не хватает, чтобы приоткрыть транзистор. Здесь можно прибегнуть к источникам питания, которые выдают более-менее нормальное напряжение, например, блок питания или батарейка Крона в 9 Вольт. Так как рядом не оказалось Кроны, то мы просто выставим напряжение в 10 Вольт. Напряжение на Затвор именно этого транзистора не должно превышать 20 Вольт, иначе произойдет пробой диэлектрика, и транзистор выйдет из строя.

Итак, выставляем 10 Вольт.

Подаем это напряжение на Затвор транзистора на доли секунды.

Теперь по идее сопротивление между Стоком и Истоком должно равняться нулю. Для чистоты эксперимента замеряем сопротивление щупов самого мультиметра. Эх, дешевые китайские щупы. 2,1 Ом).

А теперь и замеряем сопротивление самого перехода. Практически 0 Ом!

Хотя, если верить даташиту, должно быть 17,5 миллиОм. Теперь можно утверждать со 146% вероятностью, что наш транзистор полностью жив и здоров.

Как проверить полевой транзистор с помощью транзисторметра

На рабочем столе каждого электронщика должен быть этот замечательный китайский прибор, благо он стоит недорого. Про него я писал обзор здесь.

Здесь все просто, как дважды два. Вставляем транзистор в кроватку и нажимаем большую зеленую кнопку. В результате прибор сразу же определил, что это полевой МОП транзистор с каналом N-типа, определил расположение выводов транзистора, а также емкость затвора и пороговое напряжение открытия, о котором мы говорили выше в статье. Ну не прибор, а чудо!

Меры безопасности при работе с полевыми транзисторами

Все полевые транзисторы, будь это полевой транзистор с управляющим PN-переходом, либо МОП-транзистор, очень чувствительны к электрическим перегрузкам на Затворе. Особенно это касается электростатического заряда, который накапливается на теле человека и на измерительных приборах. Опасные значения электростатического заряда для МОП-транзисторов составляют 50-100 Вольт, а для транзисторов с управляющим PN переходом – 250 Вольт. Поэтому, самое важное правило при работе с такими транзисторами – это заземлить себя через антистатический браслет, или взяться за голую батарею ДО касания полевых транзисторов.

Также в некоторых экземплярах полевых транзисторов встраивают защитные стабилитроны между Истоком и Затвором, которые вроде бы спасают от электростатики, но лучше все-таки перестраховаться лишний раз и не испытывать ~~судьбу~~ транзистор на прочность. Также не помешало бы заземлить всю паяльную и измерительную аппаратуру. В настоящее время это все делается уже автоматически через евро розетки, у которых имеются в наличии заземляющий проводник.

Похожие статьи по теме “полевой транзистор”

Транзистор биполярный

Полевой транзистор с управляющим PN-переходом (JFET-транзистор)

Транзисторметр Mega328

Читаем электрические схемы с транзистором

Мультивибратор на транзисторах

Сторожевое устройство на одном транзисторе

Управляем нагрузкой одной кнопкой. Как сделать мощный фиксируемый ключ на MOSFET

Данный ключ построенный на мощных полевых транзисторах предназначен для управления нагрузкой посредством нажатия тактовой кнопки: одно нажатие — включение, повторное нажатие — выключение.

Данный ключ хорош тем, что не создает помех в цепи. Благодаря использованию мощных мосфетов, сопротивление ключа в открытом состоянии составляет тысячные Ома. При этих значениях, даже при управлении мощной нагрузкой никаких радиаторов для транзисторов не требуется. При использовании биполярных транзисторов таких параметров не добиться.

Детали которые понадобятся

Транзисторы IRFZ44N — 2 штуки — http://ali.pub/5ct567
Транзисторы IRF4905P — 2 штуки — http://ali.pub/5d9jbz
Резисторы: 10 кОм, 47 кОм, 510 кОм.
Конденсатор 0,1 мкФ.
Тактовая кнопка.

Схема

Первый транзистор коммутирует нагрузку, второй служит для удержания нужного положения.

Изготовление электронного переключателя на MOSFET

Лудим и разгибаем вывода IRFZ44N транзистора.

Между истоком и затвором припаиваем резистор 47 кОм. К затвору припаиваем резистор 10 кОм.

К резистору 10 кОм припаиваем транзистор IRF4905P истоком. Затвор припаиваем к стоку IRFZ44N.

Припаиваем шины питания из толстой проволоки.

Припаиваем резистор и конденсатор согласно схемы.

В конце тактовую кнопку без фиксации.

Схема готова. В роли нагрузки используем лампу накаливания. Устройство будем питать от 12 В.

Жмем на кнопку, лампа загорается.

Еще раз нажимаем — тухнет.
Максимальное напряжение: 60 В, максимальный ток: 50 А — согласно даташит на управляющий транзистор.

Смотрите видео

AVR-STM-C++: Как выбрать MOSFET

Не так давно мне нужно было подключить нагрузку к Arduino nano и я столкнулся проблемой силовых ключей. У меня было несколько IRF640N, по мощности они подходили, но я сомневался можно ли их открыть 5-тью вольтами.
В даташите на этот MOSFET сказано, что максимальное напряжение для начала(!) открытия составляет 4 вольта.
Я на скорую руку собрал схемку для проверки сей надписи.
Вот так все в железе — через IRF640N я запитал светодиод.

Всё заработало, чего я в принципе и ожидал. НО! Запитан светодиод, которому много тока не нужно. А как будет вести себя мосфит, если через него попробовать прокачать несколько ампер?. Давайте же разберемся с MOSFET транзисторами и посмотрим какие из них будут работать при управлении Arduino, а какие — нет.

Как выбрать MOSFET, руководствуясь даташитом.

На данный момент самые популярные и недорогие MOSFET-транзисторы — N-канальные. Поэтому речь пойдет именно о них.
Итак, при подборе MOSFET-транзистора следует учитывать несколько параметров. Я думаю, что максимальный ток и максимальное напряжение, с которым они могут работать, учитывают все. А вот некоторые нюансы в плане напряжений открытия а так же максимальной рабочей частоты (или эффективной рабочей частоты) — учитываются не всеми. Тем не менее я расскажу и про максимальные токи с напряжениями. С них и начнем.

Максимальный ток и максимальное напряжение MOSFET

В даташите они указаны на самом видном месте. Для примера можем взять тот же IRF640N. Идем в гугл, вбиваем IRF640N datasheet, качаем, открываем и смотрим.
Ищем табличку с надписью «Absolute Maximum Ratings», в ней есть фактически все необходимые нам данные.
Из этой таблички мы видим, что максимальный непрерывный ток при температуре в 25 градусов составляет 18 Ампер, при температуре 100 градусов — на пять ампер меньше, тоесть 13 A (параметр Continuous Drain Current). Отсюда мы можем так же узнать мощность рассеивания, это параметр Power Dissipation.
Теперь посмотрим максимальное напряжение, это уже будет таблица Electrical Characteristics, в ней есть параметр Drain-to-Source Breakdown Voltage, он составляет 200 вольт. Но обратите внимание на то, что это напряжение пробоя, так что не стоит надеяться что мосфит будет работать при таком напряжении, всегда нужно оставлять хотя бы треть величины про запас (на случай непредвиденного скачка напряжения в схеме, например, или чтоб ничего не сгорело через час-другой, работая на пределе).
Итак, основные максимальные параметры мы рассмотрели, давайте теперь перейдем к напряжению управления мосфитом.

Что такое Gate Threshold Voltage или можно ли открыть MOSFET логическим уровнем

Когда я включал светодиод через мосфит, я этот самый мосфит открыл логической единицей с Arduino nano, тоесть напряжением в 5 вольт. Тем не мене, открыл я его не полностью. Тоесть ток, который пошел через открытый логической единицей MOSFET составляет всего 22 мА, так как чтоб светодиод не сгорел, я ограничил ток резистором на 220 Ом. Если я попытаюсь запитать через этот транзистор нагрузку в несколько ампер, то тогда станет ясно, что он открыт не полностью. В даташите в таблице Absolute Maximum Ratings у параметра Continuous Drain Current стоит примечание V(gs)=10. Это значит, что максимальный ток будет при напряжении между Gate и Source 10 вольт, это напряжение его полного открытия.
Есть и еще один параметр: Static Drain-to-Source On-Resistance — это сопротивление полностью открытого MOSFET транзистора. У IRF640N сопротивление 0.15 Ом, тоесть меньше одного Ома. Но в условиях сказано, что для того, чтоб сопротивление было таким, нужно чтобы напряжение между Gate и Source составляло 10 вольт.
Таким образом мы из даташита узнали, что данный мосфит не может управляться логическим уровнем в 5 вольт при высоких нагрузках. Для полноценной работы ему необходимо подать на затвор 10 вольт. Где их взять? Существуют специальные драйвера для управления мосфитами, которые в таких случаях и применяются. Но что делать, если не хочется ставить драйвер? Или нет возможности, например нет времени ждать.

Есть специальные MOSFET транзисторы, которые управляются логическим уровнем. Давайте рассмотрим несколько таких мосфитов.
Первым будет IRL510. Выбор на него пал по причине наличия сего мосфита в моих закромах, плюс к тому же я с ним уже работал.
Идем в гугл, вбиваем туда IRL510 datasheet, открываем на сей мосфит даташит и смотрим. Первое различие с 640-вым — это Gate-Source Threshold Voltage, который ровно в два раза ниже. Но основной параметр не этот, нужно обратить внимание на сопротивление транзистора (Drain-Source On-State Resistance), а точнее на условие, при котором сопротивление по даташиту низкое и соответствует полностью открытому мосфиту.

Более того, отсюда мы видим, что irl510 может управляться 4-мя вольтами.
Для более глубокого понимания можно рассмотреть irlz44n и irfz44n. Первый управляется логическим уровнем, второй же — нет.
Глянем характеристики IRLZ44N из datasheet на него.
Как видим сопротивление указано и для 4 вольт и для 10-ти. Gate Threshold Voltage максимум 2 вольта. Отсюда делаем вывод, что данный полевой транзистор откроется при логической единице в 5 V.
В случае с irfz44n мы видим сопротивление только для 10-ти вольт, да и напряжение открытия у него от 2 до 4 вольт.
Отсюда вывод, что этот мосфит не сможет полностью открыться при 5-ти вольтах. Тем не менее, он откроется. Что будет, если заставить мосфит работать в полуоткрытом состоянии, я расскажу позже, а сейчас поговорим о том, что делать, если нам надо управлять MOSFET транзистором не 5-тью вольтами, а 3.3 V, подключая к STM32, например.
Первый вариант — это подбор полевого транзистора, способного работать с управляющими 3.3 V.

Давайте посмотрим как читать графики из даташитов на MOSFET-транзисторы. Берем, к примеру, IRL510. Нас интересует график Typical Transfer Characteristics, в нем приведены два параметра: Drain Current — это амперы, которые пройдут через транзистор; и Gate-to-Source Voltage — это напряжение на затворе.
Проводим через график две черты, первую вертикальную в месте примерно 3.3 вольт, вторую горизонтальную в месте пересечения первой линии с линией графика — это будут амперы, которые мы получим, открыв транзистор напряжением 3.3v

Мы видим, что получается больше 10-ти ампер, таким образом делаем вывод, что вполне возможно запитать через этот полевой транзистор нагрузку до 10-ти ампер (помним про необходимость запаса).
Теперь возьмем еще один MOSFET с управлением логическим уровнем — IRLZ44N.
Тут примерно та же картина, что и у предыдущего мосфита.
Теперь глянем два графика, один на IRF640N, второй на IRFZ44N.
Как видим, у обоих графики начинаются с 4.5 вольт, а не с 2V, как у предыдущих. Так же при 5-ти вольтах у IRF640N будет ток около одного Ампера, а учитывая, что Arduino может питаться по USB с прибора, который выдаст всего 4.5V — ток не составит и одного Ампера.

У IRFZ44N график чуть получше, при 5V он спокойно даст больше 10-ти Ампер.
Что будет если через полуоткрытый MOSFET потечет большой ток? MOSFET будет очень сильно греться, грубо говоря он станет работать как резистор, ибо его сопротивление будет высоко. Проще говоря, из ключа он превратиться в резистор. Это стоит учитывать при проектировании, стараясь подбирать полевые транзисторы таким образом, чтоб они открывались полностью. Либо запитывая через не полностью открытый полевик такой потребитель тока, который не будет брать на себя тока больше, чем половина из того, который может течь через наполовину открытый MOSFET. Это всё только в том случае, если нет возможности построить схему открытия MOSFET транзистора так, чтоб он открылся полностью. Например, как сделал я.

Это та схема, которой я запитал светодиод через IRF640N в самом начале статьи. По этой схеме можно подключать только те мосфиты, которые управляются логическим уровнем.
Как по названию MOSFET определить логическим он уровнем управляется или нет? Очень просто, я думаю вы уже заметили, что у тех, которые управляются логическим уровнем, в названии присутствует буква L.

Теперь посмотрим как правильно подключить MOSFET через биполярный транзистор. Для примера я взял всё тот же IRF640N, подключив его через MJE13005. С MJE13005 это конечно перебор, но я взял тот, что под руку попался. Вместо него можно использовать фактически любой маломощный NPN транзистор.

Правильная схема подключения полевого транзистора через биполярный должна предусматривать еще и защиту микроконтроллера на случай пробоя биполярного транзистора. Можно и пренебречь защитой, удешевив конструкцию, но я предпочитаю перестраховаться. По этой схеме MOSFET можно подключать как к Arduino, так и к STM32, либо любому микроконтроллеру AVR. Да и с PIC тоже работать будет. Вместо светодиода с резистором можно подключать любую нагрузку, какую вам захочется — мотор, например.

Есть еще один параметр, на который следует обращать внимание — это частота. Но этот параметр мы рассмотрим в следующий раз, так как эта статья и без него получилась довольно немаленькая.

Помогите подобрать мосфет для стола

mihart
Загрузка

06.04.2018

1032

Вопросы и ответы Добрый день!

У меня стол сопротивлением 1.3 ома. Грелся на 12в очень долго, я его через реле запитал на 24в через реле. Течет через него порядка 20 ампер.

Щелканье реле подутомило, задумался поставить мосфет. Подскажите, пожалуйста, какой мосфет подойдет?

Ответы на вопросы

Как открыть полевой транзистор

В этой статье мы рассмотрим работу МОП-транзистора.

Виды МОП-транзисторов

Здесь работает правило два по два (2х2). В каждом семействе по два вида:

Из всех этих 4 разновидностей, наверное не ошибусь, если скажу, что самый употребимый транзистор считается именно N-канальный с индуцированным каналом:

Именно с него мы и начнем наш путь в мир современной электроники.

Режим отсечки

Давайте познакомимся с нашим героем. У нас в гостях N-канальный МОП-транзистор с индуцированным каналом:

Судя по гравировке, звать его IRFZ44N. Выводы слева-направо: Затвор, Сток и Исток.

Что будем делать с этим куском кремния? Раз уж он есть, то давайте заставим его пахать. Для начала соберем вот такую простенькую схемку ключа:

Напряжение на крокодилы идет с блока питания Bat, но лампочка не горит. Следовательно, в данный момент никакого движения электрического тока через канал Стока и Истока нет.

Это аналогично этому рисунку (только тут без лампочки):

Ток не бежит, потому что у нас там эквивалентный диод VD2, который препятствует протеканию тока.

Об этом я еще говорил в прошлой статье.

На амперметре блока питания также по нулям, что говорит о том, что тока вообще нет никакого.

Почему Затвор у нас висит без дела? Не порядок. Надо его тоже задействовать. Чем у нас занимается Затвор в полевых транзисторах? Управляет потоком основных носителей. А что такое поток заряженных частиц, которые движутся в одном направлении? Да, все верно – это электрический ток ;-).

В опыте выше на Затворе сейчас почти ноль. Почему почти? Да потому что он все равно пытается ловить какие-то наводки, но это все равно не сказывается на работе схемы. В реальных схемах Затвор никогда нельзя оставлять без дела болтаться в воздухе. Он всегда должен быть соединен с чем-нибудь.

Так, что нам теперь надо сделать, чтобы начать управлять шириной канала Сток-Исток, а следовательно и менять сопротивление этого канала? Как мы помним из прошлой статьи, достаточно подать положительное напряжение относительно Истока на Затвор;-) Для этого возьмем второй блок питания и будем с помощью него менять напряжение на Затворе нашего транзистора. Сделаем все по такой схеме:

Вот так выглядит мой блок питания, который в схеме называется Bat2. С помощью него мы будем регулировать напряжение вручную от нуля и больше.

Так выглядит вся схема в реале, которую я нарисовал выше. Так как вольтметр на блоке питания стрелочный и неточный, поэтому напряжение будем мерять с помощью мультиметра, который я цепанул параллельно щупам Bat2:

Хоть я и сделал крутилку на ноль на Bat2, все равно он выдает каких-то 22 миллиВольта. На этот опыт эти доли милливольта никак не повлияют.

Устанавливаю 1 Вольт на Bat2:

Лампочка не горит, сила тока в цепи ноль Ампер:

Так ладно. Добавляем еще 1 Вольт, итого получаем 2 Вольта:

Лампочка не горит, на амперметре опять по нулям:

Ну ладно. Раз такое дело добавляем еще 1 Вольт. Итого 3 Вольта:

Да опять лампочка не зажглась!

Активный режим работы транзистора

И вот уже при каких-то 3,5 Вольт

Через лампочку начинает течь ток силой около 10 мА, но лампочка, естественно, пока что не горит. Ток слабоват.

Во! Запомните этот момент! При этом напряжении транзистор начинает ОТКРЫВАТЬСЯ. Это значение у разных видов транзисторов разное. В основном от 0,5 и до 5 вольт. В даташите этот параметр называется как Gate threshold voltage, в переводе с англ. яз. – пороговое напряжение на Затворе для включения транзистора. В даташите этот параметр указывается как V_GS(th), а в некоторых даташитах как V_GS(to). В даташите на мой транзистор это напряжение варьируется от 2 и до 4 Вольт при каких-то условиях (conditions):

Как вы видите, диапазон открытия этого транзистора может быть от 2 Вольт и до 4 Вольт. Но опять же, это при токе Стока от 250 мкА, как указано в даташите, а я замерял от 10 мА. Здесь также в условиях говорится, что напряжение между Истоком и Затвором должно быть такое же, как и напряжение между Стоком и Истоком. Так как мы не пытались замерить точное напряжение 5-ым знаком после запятой, для нас эти условия не имеют значения. Как вы помните, у биполярных транзисторов транзистор начинал открываться только при напряжении на базе-эмиттере более 0,6-0,7 Вольт для кремниевых видов.

Неужели мы сегодня так и не зажжем лампочку? Зажжем, да еще как! Для того, чтобы чуток накалить нить лампы, мы просто добавляем напряжение на Затвор, покрутив крутилку блока питания Bat2.

Вуа-ля! Нить лампы стала слабенько гореть.

На амперметре видим значение около 1 Ампера:

При этом стал очень сильно греться сам транзистор. Почему? Давайте разберемся…

Почему греется транзистор

Итак, раз мы с помощью Затвора стали управлять сопротивлением канала Сток-Исток, то грубо говоря, это у нас получился резистор R. Это и есть сопротивление канала Сток-Исток. При напряжении на Затворе в 0 Вольт, сопротивление этого резистора достигает очень большого значения, а следовательно, сила тока, протекающего через него, будет вообще микроАмперы. Закон Ома.

Так как резистор R включен последовательно в цепь, то вспоминаем правило шунта: на бОльшем сопротивлении падает бОльшее напряжение, а на меньшем сопротивлении падает меньшее напряжение. Также не забываем, что нить лампы тоже обладает сопротивлением, поэтому рисунок у нас примет вот такой вид:

В первом случае у нас на Затвор ничего не подавалось и транзистор был в закрытом состоянии. Как только мы стали подавать напругу на Затвор, то у нас сопротивление канала стало меняться, а следовательно и падение напряжение на резисторе R и проходящий через него ток. Получился типичный делитель напряжения. В этом случае на резисторе R падает какое-то напряжение и через него течет приличная сила тока. В нашем случае почти 1 Ампер. Значит, мощность, рассеиваемая на транзисторе, будет равняться падению напряжения на Сток-Истоке помноженной на силу тока через Сток-Исток или просто на ток Стока или буквами:

где R – это сопротивление канала Сток-Исток

I_C – ток, проходящий через канал (ток Стока)

А что такое мощность, рассеиваемая на радиоэлементе? Это и есть тепло. Поэтому в нашем случае транзистор нагрелся очень сильно. Опыт пришлось приостановить.

Значит, самые щадящие режимы для МОП-транзистора – это когда канал полностью открыт. В этом случае у нас сопротивление канала достигает сотые доли Ома. Либо когда канал полностью закрыт. В этом случае сила тока, проходящая через канал, будет достигать тока утечки между Стоком и Истоком. А это микроАмперы. В этих двух случаях транзистор будет холодным, как айсберг в океане. Поэтому такой транзистор предназначен в основном для работы в ключевом режиме, где как раз и используются эти два режима.

Режим насыщения МОП-транзистора

Для того, чтобы полностью открыть транзистор, достаточно будет просто подать чуть больше напряжения для полного открытия канала. В моем случае это составило 4,2 Вольта и выше:

Как вы видите, лампочка горит в полный накал. Сопротивление канала в этом случае минимальное.

Лампа ест свои честные 1,69 Ампер:

Умножайте силу тока на напряжение и получаем потребляемую мощность лампочки. Итого P=IU=12 Вх1,69 А=20,28 Ватт

А на лампочке написано 21 Ватт:

Ладно, спишем на погрешность и на то, что лампа еще не раскочегарилась. Транзистор в этом случае остается холодным и ни капельки не греется.

Предельные параметры и графические зависимости

Раз уж транзистор полностью открылся, то можно ли еще подавать напряжение на Затвор? Можно. Но при этом лампочка уже ярче светить не будет. Оно и понятно, так как лампочка итак горит уже на всю мощь, а сопротивление канала достигло уже почти нуля. Какое максимальное напряжение можно подать на Затвор? Смотрим даташит и находим что-то типа максимальных параметров (Absolute Maximum Ratings)

Находим параметр V_GS, что обозначает напряжение между Затвором и Истоком. В нашем случае это напряжение на Bat2. Смотрим на даташит и видим, что максимальное напряжение, которое можно подать – это +-20 Вольт. Напряжение более 20 Вольт в обе стороны пробьет тончайший слой диэлектрика, в нашем случае это оксид кремния, и транзистору придет жопа. Значит, мы можем спокойно подавать от 0 и до 20 Вольт на Затвор, не боясь что транзистор уйдет на тот свет.

Также для нас могут представлять интерес такие параметры, как максимальная сила тока, которая может течь через канал Сток-Исток. В даташите такой параметр обозначается как I_D(ток Стока).

Как мы видим, транзистор в легкую может протащить через себя 49 Ампер.

Но это при температуре кристалла 25 градусов по Цельсию. А так номинальная сила тока 35 Ампер при температуе кристалла 100 градусов, что чаще всего происходит на практике.

Так как транзистор с индуцированным каналом в основном используется в импульсном и ключевом режиме, поэтому нам важен такой параметр как сопротивление канала полностью открытого транзистора. В даташите он указывается как R_DS(on)

Как мы видим всего 17,5 миллиОм. Или 0,017 Ом. Тысячные доли Ома! Давайте предположим, что мы пропускаем через открытый транзистор максимальный ток в 49 Ампер. Какая мощность будет рассеиваться на транзисторе в этом случае? Формула мощности через силу тока и сопротивление выглядит вот так: P=I 2 R= 49 2 x 0,017 = 41 Ватт.

А максимальная мощность, которую может рассеять транзистор – это 94 Ватта.

Основные параметры полевых МОП-транзисторов указываются в основном сразу на первой страничке даташита в отдельной рамке.

Также различные зависимости одних параметров от других можно увидеть в даташите. Очень информативно и наглядно.

Интересное свойство МОП-транзистора

А давайте немного изменим схему и уберем из нее Bat2. Вместо него поставим переключатель, а напряжение на Затвор будем брать от Bat1:

Для наглядности вместо переключателя я использовал проводок от макетной платы.

В данном случае лампочка не горит. А с чего ей гореть то? На Затворе то у нас голимый ноль, поэтому канал закрыт.

На фото ниже показан этот случай.

Но стоит только перекинуть выключатель в другое положение, как у нас лампочка сразу же загорается на всю мощь:

Даже не надо ни о чем заморачиваться! Тупо подаем на Затвор напряжение питания и все! Разумеется, если оно не превышает максимальное напряжение на Затворе, прописанное в даташите. Не повредит ли напряжение питания Затвору? Так как Затвор у нас имеет очень большое входное сопротивление (он ведь отделен слоем диэлектрика от всех выводов), то и сила тока в цепи Затвора будет копейки.

Лампочка горит на всю мощь. В этом случае можно сказать, что потенциал на Стоке стал равен почти как и на Истоке, то есть нулю, поэтому весь ток побежал от плюса питания к Стоку, “захватив” по пути лампочку накаливания, которая не прочь была покушать электрический ток, излучая кучу фотонов в пространство и на мой стол.

Даже если откинуть проводок от Затвора, все равно лампочка продолжает гореть как ни в чем не бывало!

Почему так происходит? Здесь надо вспомнить внутреннее строение самого МОПа.

Вот эта часть вам ничего не напоминает?

Так это же конденсатор! А раз мы его зарядили, то с чего он будет разряжаться? Разрядиться то ему некуда! Вот он и держит заряд электронов в канале, пока мы не разрядим вывод Затвора. Для того, чтобы убрать потенциал Затвора и заткнуть канал, нам опять же надо уравнять его с нулем, замкнув Затвор на Исток. Лампочка сразу же потухнет:

Как вы видели в опыте выше, если мы отключаем напряжение на Затворе, то обязательно должны притянуть Затвор к минусу, иначе канал останется открытым. Поэтому обязательное условие в схемах – Затвор должен всегда чем то управляться и с чем то соединяться. Ему нельзя давать висеть в воздухе. Об этом я еще говорил в начале статьи.

Ключ на МОП транзисторе

А почему бы Затвор автоматически не притягивать к нулю при отключении подачи напряжения на Затвор? Поэтому, эту схему можно доработать и сделать самый простейший ключ на МОП-транзисторе:

При включении выключателя S цепь стает замкнутой и лампочка загорается

Как только я убираю красный проводок от Затвора (разомкну выключатель), лампочка сразу тухнет:

Так как МОП-транзисторы с индуцированным каналом в основном используются в цифровой и импульсной технике, из них получаются отличные транзисторные ключи, в отличие от ключа на биполярном транзисторе.

Чего боится МОП-транзистор

Все полевые транзисторы, будь это полевой транзистор с управляющим P-N переходом, либо МОП-транзистор, очень чувствительны к электрическим перегрузкам на Затворе. Особенно это касается электростатического заряда, который накапливается на теле человека и на измерительных приборах. Опасные значения электростатического заряда для МОП-транзисторов составляют 50-100 Вольт, а для транзисторов с управляющим P-N переходом – 250 Вольт. Поэтому самое важное правило при работе с такими транзисторами – это заземлить себя через антистатический браслет, или взяться за голую батарею ДО касания полевых транзисторов.

Также в некоторых экземплярах полевых транзисторов встраивают защитные стабилитроны между Истоком и Затвором, которые вроде как спасают от электростатики, но лучше все-таки перестраховаться лишний раз и не испытывать судьбу транзистор на прочность. Также не помешало бы заземлить всю паяльную и измерительную аппаратуру. В настоящее время это все делается уже автоматически через евро розетки, у которых имеются в наличии заземляющий проводник.

В этой статье мы рассмотрим работу МОП-транзистора.

Виды МОП-транзисторов

Здесь работает правило два по два (2х2). В каждом семействе по два вида:

Именно с него мы и начнем наш путь в мир современной электроники.

Режим отсечки

Давайте познакомимся с нашим героем. У нас в гостях N-канальный МОП-транзистор с индуцированным каналом:

Судя по гравировке, звать его IRFZ44N. Выводы слева-направо: Затвор, Сток и Исток.

Это аналогично этому рисунку (только тут без лампочки):

Ток не бежит, потому что у нас там эквивалентный диод VD2, который препятствует протеканию тока.

Об этом я еще говорил в прошлой статье.

На амперметре блока питания также по нулям, что говорит о том, что тока вообще нет никакого.

Устанавливаю 1 Вольт на Bat2:

Лампочка не горит, сила тока в цепи ноль Ампер:

Так ладно. Добавляем еще 1 Вольт, итого получаем 2 Вольта:

Лампочка не горит, на амперметре опять по нулям:

Ну ладно. Раз такое дело добавляем еще 1 Вольт. Итого 3 Вольта:

Да опять лампочка не зажглась!

Активный режим работы транзистора

И вот уже при каких-то 3,5 Вольт

Через лампочку начинает течь ток силой около 10 мА, но лампочка, естественно, пока что не горит. Ток слабоват.

Вуа-ля! Нить лампы стала слабенько гореть.

На амперметре видим значение около 1 Ампера:

При этом стал очень сильно греться сам транзистор. Почему? Давайте разберемся…

Почему греется транзистор

где R – это сопротивление канала Сток-Исток

I_C – ток, проходящий через канал (ток Стока)

Режим насыщения МОП-транзистора

Как вы видите, лампочка горит в полный накал. Сопротивление канала в этом случае минимальное.

Лампа ест свои честные 1,69 Ампер:

Умножайте силу тока на напряжение и получаем потребляемую мощность лампочки. Итого P=IU=12 Вх1,69 А=20,28 Ватт

А на лампочке написано 21 Ватт:

Предельные параметры и графические зависимости

Как мы видим, транзистор в легкую может протащить через себя 49 Ампер.

А максимальная мощность, которую может рассеять транзистор – это 94 Ватта.

Интересное свойство МОП-транзистора

Для наглядности вместо переключателя я использовал проводок от макетной платы.

На фото ниже показан этот случай.

Даже если откинуть проводок от Затвора, все равно лампочка продолжает гореть как ни в чем не бывало!

Почему так происходит? Здесь надо вспомнить внутреннее строение самого МОПа.

Вот эта часть вам ничего не напоминает?

Ключ на МОП транзисторе

При включении выключателя S цепь стает замкнутой и лампочка загорается

Как только я убираю красный проводок от Затвора (разомкну выключатель), лампочка сразу тухнет:

Чего боится МОП-транзистор

Добрый день, друзья!

Недавно мы с вами начали плотнее знакомились с тем, как устроено компьютерное «железо». И познакомились одним из его «кирпичиков» — полупроводниковым диодом. Компьютер – это сложная система, состоящая из отдельных частей. Разбирая, как работают эти отдельные части (большие и малые), мы приобретаем знание.

Обретая знание, мы получаем шанс помочь своему железному другу-компьютеру, если он вдруг забарахлит. Мы же ведь в ответе за тех, кого приручили, не правда ли?

Сегодня мы продолжим это интересное дело, и попробуем разобраться, как работает самый, пожалуй, главный «кирпичик» электроники – транзистор. Из всех видов транзисторов (их немало) мы ограничимся сейчас рассмотрением работы полевых транзисторов.

Почему транзистор – полевой?

Слово «транзистор» образовано от двух английских слов translate и resistor, то есть, иными словами, это преобразователь сопротивления.

Среди всего многообразия транзисторов есть и полевые, т.е. такие, которые управляются электрическим полем.

Электрическое поле создается напряжением. Таким образом, полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, управляемый напряжением.

В англоязычной литературе используется термин MOSFET (MOS Field Effect Transistor). Есть другие типы полупроводниковых транзисторов, в частности, биполярные, которые управляются током. При этом на управление затрачивается и некоторая мощность, так как к входным электродам необходимо прикладывать некоторое напряжение.

Канал полевого транзистора может быть открыт только напряжением, без протекания тока через входные электроды (за исключением очень небольшого тока утечки). Т.е. мощность на управление не затрачивается. На практике, однако, полевые транзисторы используются большей частью не в статическом режиме, а переключаются с некоторой частотой.

Конструкция полевого транзистора обуславливает наличие в нем внутренней переходной емкости, через которую при переключении протекает некоторый ток, зависящий от частоты (чем больше частота, тем больше ток). Так что, строго говоря, некоторая мощность на управление все-таки затрачивается.

Где используются полевые транзисторы?

Настоящий уровень технологии позволяет сделать сопротивление открытого канала мощного полевого транзистора (ПТ) достаточно малым – в несколько сотых или тысячных долей Ома!

И это является большим преимуществом, так как при протекании тока даже в десяток ампер рассеиваемая на ПТ мощность не превысит десятых или сотых долей Ватта.

Таким образом, можно отказаться от громоздких радиаторов или сильно уменьшить их размеры.

ПТ широко используются в компьютерных блоках питания и низковольтных импульсных стабилизаторах на материнской плате компьютера.

Из всего многообразия типов ПТ для этих целей используются ПТ с индуцированным каналом.

Как работает полевой транзистор?

ПТ с индуцированным каналом содержит три электрода — исток (source), сток (drain), и затвор (gate).

Принцип работы ПТ наполовину понятен из графического обозначения и названия электродов.

Канал ПТ – это «водяная труба», в которую втекает «вода» (поток заряженных частиц, образующих электрический ток) через «источник» (исток).

«Вода» вытекает из другого конца «трубы» через «слив» (сток). Затвор – это «кран», который открывает или перекрывает поток. Чтобы «вода» пошла по «трубе», надо создать в ней «давление», т.е. приложить напряжение между стоком и истоком.

Если напряжение не приложено («давления в системе нет»), тока в канале не будет.

Если приложено напряжение, то «открыть кран» можно подачей напряжения на затвор относительно истока.

Чем большее подано напряжение, тем сильнее открыт «кран», больше ток в канале «сток-исток» и меньше сопротивление канала.

В источниках питания ПТ используется в ключевом режиме, т.е. канал или полностью открыт, или полностью закрыт.

Честно сказать, принципы действия ПТ гораздо более сложны, он может работать не только в ключевом режиме. Его работа описывается многими заумными формулами, но мы не будем здесь все это описывать, а ограничимся этими простыми аналогиями.

Скажем только, что ПТ могут быть с n-каналом (при этом ток в канале создается отрицательно заряженными частицами) и p-каналом (ток создается положительно заряженными частицами). На графическом изображении у ПТ с n-каналом стрелка направлена внутрь, у ПТ с p-каналом – наружу.

Собственно, «труба» — это кусочек полупроводника (чаще всего – кремния) с примесями химических элементов различного типа, что обуславливает наличие положительных или отрицательных зарядов в канале.

Теперь переходим к практике и поговорим о том,

Как проверить полевой транзистор?

В норме сопротивление между любыми выводами ПТ бесконечно велико.

И, если тестер показывает какое-то небольшое сопротивление, то ПТ, скорее всего, пробит и подлежит замене.

Во многих ПТ имеется встроенный диод между стоком и истоком для защиты канала от обратного напряжения (напряжения обратной полярности).

Таким образом, если поставить «+» тестера (красный щуп, соединенный с «красным» входом тестера) на исток, а «-» (черный щуп, соединенный с черным входом тестера) на сток, то канал будет «звониться», как обычный диод в прямом направлении.

Это справедливо для ПТ с n-каналом. Для ПТ с p-каналом полярность щупов будет обратной.

Как проверить диод с помощью цифрового тестера, описано в соответствующей статье. Т.е. на участке «сток — исток» будет падать напряжение 500-600 мВ.

Если поменять полярность щупов, к диоду будет приложено обратное напряжение, он будет закрыт и тестер это зафиксирует.

Однако исправность защитного диода еще не говорит об исправности транзистора в целом. Более того, если «прозванивать» ПТ, не выпаивая из схемы, то из-за параллельно подключенных цепей не всегда можно сделать однозначный вывод даже об исправности защитного диода.

В таких случаях можно выпаять транзистор, и, используя небольшую схему для тестирования, однозначно ответить на вопрос – исправен ли ПТ или нет.

В исходном состоянии кнопка S1 разомкнута, напряжение на затворе относительно стока равно нулю. ПТ закрыт, и светодиод HL1 не светится.

При замыкании кнопки на резисторе R3 появляется падение напряжения (около 4 В), приложенное между истоком и затвором. ПТ открывается, и светодиод HL1 светится.

Эту схему можно собрать в виде модуля с разъемом для ПТ. Транзисторы в корпусе D2 pack (который предназначен для монтажа на печатную плату) в разъем не вставишь, но можно припаять к его электродам проводники, и уже их вставить в разъем. Для проверки ПТ с p-каналом полярность питания и светодиода нужно изменить на обратную.

Иногда полупроводниковые приборы выходят из строя бурно, с пиротехническими, дымовыми и световыми эффектами.

В этом случае на корпусе образуются дыры, он трескается или разлетается на куски. И можно сделать однозначный вывод об их неисправности, не прибегая к приборам.

В заключение скажем, что буквы MOS в аббревиатуре MOSFET расшифровываются как Metal — Oxide — Semiconductor (металл – оксид – полупроводник). Такова структура ПТ – металлический затвор («кран») отделен от канала из полупроводника слоем диэлектрика (оксида кремния).

Надеюсь, с «трубами», «кранами» и прочей «сантехникой» вы сегодня разобрались.

Однако, теория, как известно, без практики мертва! Надо обязательно поэкспериментировать с полевиками, поковыряться, повозиться с их проверкой, пощупать, так сказать.

Кстати, купить полевые транзисторы можно вот здесь .

Обсуждение: 55 комментариев

ЗАМЕЧАТЕЛЬНАЯ СТАТЬЯ… Правда — не проще дополнить — что любой транзистор — это просто два диода, и проверить тестером — 0.6 в падения. А у полевого — 0.4 Чем городить огород.

Игорь, «два диода» — это биполярный транзистор. У полевого — только один диод (защитный), включенный параллельно каналу. Это у тех полевиков, про которые я писал.

Опечатка: На схеме для проверки ПТ необходимо резистор R1 (1k) переименовать на R2 (1k)

Что работает? Полевик?

кажется нашёл, что искал, но всё равно irf3808 горят как спички, запитываю ПН от акб 12в 6о а/ч, а у фета 130 ампер.

Иваныч, у IRF3808 Vdss=75 В. А у преобразователя какое выходное напряжение?

понравилось,но извените-R1,R2 ПО 2КОМ а R3-1ком » На схеме для проверки ПТ необходимо резистор R1 (1k) переименовать на R2 (1k)».Виктор,скажите на сегодня в схеме-всё ок или нет.простите за непонятливость.С наступающим!

Да, я схему (точнее нумерацию элементов) давно подправил. В схеме все ок.
Николай, и Вас с наступающим Новым годом, и всего самого наилучшего!

Ув.Виктор!ответьте-как должно осуществляться если на схеме есть и «общий» и «земля»
даю цитату: Чтобы схема выглядела менее запутанно, общий провод нередко обозначают короткой утолщенной черточкой, соединенной с проводом, и такие же черточки ставят на концах выводов деталей, разбросанных по всей схеме. Это значит, естественно, что такие выводы нужно припаять к общему проводу.
Следует отличать обозначение общего провода от знака заземления, состоящего из трех параллельных черточек разной длины. Такой знак чаще всего встречается на схемах простых приемников, для хорошей работы которых нужна не только наружная антенна, но и заземление — проводник, подпаянный к зарытому в землю металлическому предмету. Как правило, заземляют общий провод конструкции.

Общий — это общий, земля — это земля. Выводы, подключенные к общему проводу, должны быть соединены между собой, иначе схема не будет работать. Во многих случаях схема будет работать нормально, если общий провод ее не заземлять. Например, в проверочной схеме в статье ее общий провод можно не заземлять — все и так будет работать.
Заземление нужно, нужно в частности, в силовых цепях для защиты от поражения электрическим током. На западе давно применяется трехпроводная система питания — фазный провод, нулевой провод и земля. Для нормальной работы защиты земельный провод должен быть соединен с металлическим штырем (их может быть несколько), вкопанным в землю.

Спасибо,вопрос возник ещё и потому,что в других схемах рисуют
на одной схеме вер_с_гор;вер_с_нескол.гор(как заземление)(может мно-гие СЕЙЧАС рисуют ЧТО ПОНРАВИТЬСЯ(как красивее).

Да, в этом вопросе существует некоторая путаница. Наверное, правильнее будет, если рисовать схемы, не требующие заземления, с одной горизонтальной чертой.

существуют полевые транзисторы как с n-каналом, так и с p-каналом, что используется при производстве комплементарных пар транзисторов.

Да, это в интегральной технологии очень широко используется. А если брать отдельно, то транзисторы с n-каналом используются гораздо чаще, чем с p-каналом.

Здравствуйте.По Вашей схеме можно проверить любые ПТ? Ведь они различаются по напряжению. Извините за дилетантский вопрос.

Геннадий, можно проверить ПТ с n-каналом. За все транзисторы говорить не буду (всего многообразия их не знаю). Большинство проверить можно.
При замыкании кнопки к затвору прилагается напряжение +4 В. Этого хватает, чтобы ПТ открылся, и сопротивление открытого канала стало небольшим. В то же время это меньше предельного напряжения исток-затвор, поэтому транзистор из строя не выйдет. Если придется проверять какой-то хитрый транзистор, надо посмотреть даташит. Главное здесь — чтобы канал был хорошо открыт, и прилагаемые напряжения не превысили максимально допустимых.

а слабо было сначала рассказать про ПТ с управляющим каналом хотя бы «n» типа и сказать , что он симметричный, что канал хоть «n» или «р» типа можно менять местами ток всё равно будет проходить не зависимо от полярности полупроводника на выводах стока и истока если на затворе нет напряжения И, только когда воздействовать на ток в канале поперечным полем . правильно. приложенному к затвору и одному из других электродов — можно остановить ток в канале.
А после, уже рассказать про ПТ со встроенным и индуцированным каналом, про то что у них затвор полностью изолирован от этих каналов и это одно из главных его свойств. потому как для индуцированного канала подача на затвор соответствующей полярности напряжения относительно подложки канал начинает пропускать ток, а отсутствие напряжения на затворе канал закрыт и не пропускает ток.
Что же касаемо ПТ с изолир. затвором и встроенным каналом — картина тока через встроенный канал отличается от выше перечисленных структур ПТ. Отличие в том, что канал пропускает незначительный ток от приложенного напряжения между стоком и истоком как и канал ПТ с управляющим p-n переходом о котором шла речь в самом начале. Но, почему говорим незначительный ток — да потому, что встроенный канал имеет туже проводимость что сток и исток только очень слабо легированную, в то время как сток и исток всегда сильно легированы так же как весь канал в ПТ с управляющим p-n переходом. Вот это и придает этому типу ПТ его характеристики и отличительные свойства от ПТ с индуцированным каналом и ПТ с управляющим p-n переходом.
Так что в ПТ со встроенным слаболегтрованым каналом — своя структура транзистора и его способ управления.
И как же он управляется и как при этом воздействует на ток в канале.
Очень просто: ток как уже стало понятно протекает но не значительный. Такое нас конечно не устраивает. Всем известны такие термины как «отсечка» и «обогащение» вот они то нам и помогут управлять этим полудохлым каналом. При подаче соответствующей полярности управляющего напряжения на затвор и исток канал можно настолько отсечь, выгнать из него основные носители зарядов соответствующего типа проводимости канала, что он полностью заглохнет. А поменяв полярность управляющего напряжения между затвором и истоком, можно создать условия для лавинного втягивания основных носителей зарядов соответствующего типа проводимости канала и он — этот канал, станет проводить большой ток насколько это возможно:))
Таким образом стало понятно как управлять тем или тем ПТ и все это благодаря только их структуры.(что за слово структура, хрень какая-то, просто скажем — внутреннего устройства, от которого и зависит способ подключения и управления)

KIRPICH, изложение работы ПТ велось применительно к компьютерной технике. Блог у меня о компьютерах. Поэтому и был рассмотрен только ПТ с индуцированным n-каналом. Такие как раз и используются в цифровой технике. ПТ в сильноточном стабилизаторе схемы питания ядра процессора, в блоке питания компьютера, в бесперебойных источниках питания как раз такие.
Была приведена простая аналогия, позволяющая уяснить принцип работы.
А так, да — существуют несколько типов ПТ. Но я не стал усложнять картину, и не рассказал об обогащенных и обедненных ПТ, об отсечке, крутизне, лавинном пробое, V-канавке, основных и неосновных носителях в канале.
Сколько терминов, скорее всего, сразу отпугнет новичка.
После Вашего коммента думаю — может, продолжение написать?

Приветствую, разобрал телевизор, который не включался. При включении в розетку и подключенном инверторе пищит(с одинаковым интервалом) полевой транзистор 2SK3532 на блоке питания. При отключении инвертора писк пропадает. Подскажите поможет ли замена или причина не в нем?

Иван, я не слышал, чтобы полевой транзистор пищал. В импульсных блоках питания если и пищит что, так это импульсный трансформатор.
Транзистор проверьте, как в статье описано. А вообще, надо ковырять всю схему.

Виктор! если не трудно расскажи о схеме отвертки-индикатора там наверное твоя проверочная схема задействона! подробно о пт! пробник-шток09050. спасибо. Викор .г.Тверь

Виктор, именно эту отвертку-индикатор я не ковырял. Могу предположить, что это обычный указатель напряжения. Скорее всего, там стоит обычная неоновая лампочка и последовательно с ней резистор. Если коснуться фазы 220 В концом отвертки и пальцем металлической площадки на торце, то через лампочку и тело человека потечет небольшой ток, и лампочка загорится, указывая на наличие напряжения.

Добрый вечер Виктор. Я прочитал вашу статью о ПТторе, все понятно и просто! Ест вопрос. Можноли заменить ПТ на биполярный т-р. С уважением Бахром Узбекистан.

Бахром, иногда можно, но далеко не всегда. Зависит от конкретной схемы. И полевые транзисторы — они ведь разных классов бывают.

Если я правильно понимаю, то:
S это исток (англ. source) — электрод, из которого в канал входят основные носители заряда;
D это сток (англ. drain) — электрод, через который из канала уходят основные носители заряда;
почему, исходя из Вашей схемы, входящее напряжение приложено к D (стоку) , а исходящее к S (истоку), учитывая, что ток «течет» от плюса к минусу ?

А что такое «входящее» и «исходящее» напряжение?
В ПТ с каналом n-типа основные носители — электроны, частицы с отрицательным зарядом. Исток их и поставляет.

Биполярныйй транзистор управляется током полевой полем. У биполярногооооо структура pnp или npn у полевого металл окисел полупроводник. Вот и думай Бахром можно заменить или нет. И диод еще для защиты от обратного напряжения.

IRFZ44N MOSFET Распиновка, характеристики, аналоги и техническое описание

IRFZ44N N-канальный силовой полевой МОП-транзистор

Распиновка IRFZ44N

нажмите на картинку для увеличения

IRFZ44N — это N-канальный МОП-транзистор с высоким током стока 49 А и низким сопротивлением сопротивления 17.5 мОм. Он также имеет низкое пороговое напряжение 4 В, при котором полевой МОП-транзистор начинает проводить. Следовательно, он обычно используется с микроконтроллерами для управления напряжением 5 В. Однако схема драйвера необходима, если MOSFET должен быть полностью включен.

Конфигурация контактов

Номер контакта	Имя контакта	Описание
1	Ворота	Управляет смещением полевого МОП-транзистора
2	Слив	Ток протекает через сток
3	Источник	Ток течет через Источник

Характеристики

N-канальный полевой МОП-транзистор слабого сигнала
Непрерывный ток утечки (ID) составляет 49 А при 25 ° C
Импульсный ток утечки (ID-пик) — 160A
Минимальное пороговое напряжение затвора (VGS-th) 2В
Максимальное пороговое напряжение затвора (VGS-ое) 4В
Напряжение затвор-исток (VGS) составляет ± 20 В (макс.)
Максимальное напряжение сток-исток (VDS) составляет 55 В
Время нарастания и спада составляет около 60 нс и 45 нс соответственно.
Обычно используется с Arduino из-за низкого порогового тока.
Доступен в упаковке К-220

Примечание: Полную техническую информацию можно найти в таблице данных IRFZ44N , приведенной в конце этой страницы.

Альтернативы для IRFZ44N

IRF2807, IRFB3207, IRFB4710

Где использовать IRFZ44N MOSFET

IRFZ44N известен своим высоким током стока и высокой скоростью переключения .В дополнение к этому он также имеет низкое значение Rds, что поможет повысить эффективность коммутационных схем. МОП-транзистор начнет включаться при небольшом напряжении затвора 4 В, но ток стока будет максимальным только при приложении напряжения затвора 10 В. Если МОП-транзистор должен управляться напрямую от микроконтроллера, такого как Arduino, попробуйте версию МОП-транзистора IRLZ44N с логическим уровнем.

Разница между IRLZ44N и IRFZ44N Mosfet

МОП-транзисторы IRLZ44N и IRFZ44N часто путают друг с другом и используются неправильно.IRLZ44N — это МОП-транзистор логического уровня с очень низким пороговым напряжением затвора 5 В, что означает, что МОП-транзистор может быть полностью включен с помощью всего 5 В на его выводе затвора, что позволяет избежать необходимости в схеме драйвера.

IRFZ44N, с другой стороны, требует схемы драйвера затвора, если MOSFET должен быть полностью включен с помощью микроконтроллера, такого как Arduino. Тем не менее, он частично включается при прямом питании 5 В от вывода ввода / вывода, но выходной ток стока будет ограничен.

Как использовать IRFZ44N MOSFET

В отличие от транзисторов полевые МОП-транзисторы являются устройствами, управляемыми напряжением.Это означает, что они могут быть включены или выключены путем подачи необходимого порогового напряжения затвора (VGS). IRFZ44N — это N-канальный полевой МОП-транзистор, поэтому выводы стока и истока будут оставаться открытыми, когда на вывод затвора не подается напряжение. Когда подается напряжение затвора, эти контакты закрываются.

Если требуется переключение с помощью Arduino, тогда простая схема управления с использованием транзистора будет работать, чтобы обеспечить необходимое напряжение затвора для полного открытия полевого МОП-транзистора. Для других применений коммутации и усиления требуется специальный драйвер MOFET IC .

IRFZ44N с затвором 5 В (Arduino)

Если вывод затвора MOSFET напрямую подключен к выводу ввода-вывода микроконтроллера, такого как Arduino, PIC и т. Д., Тогда он не откроется полностью, и максимальный ток стока будет зависеть от напряжения, приложенного к выводу затвора. График ниже показывает, какой ток стока разрешен для порогового напряжения затвора от 4 В до 10 В.

Как видите, полевой МОП-транзистор полностью открывается только тогда, когда напряжение затвора составляет около 10 В.Если оно где-то около 5 В, то ток стока ограничен до 20 А и так далее.

Приложения

Коммутационные аппараты большой мощности
Регулировка скорости двигателей
Светодиодные диммеры или мигалки
Высокоскоростные коммутационные приложения
Преобразователи или схемы инвертора

2D модель детали

Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

IRFZ44N datasheet —

1N4256 : Выпрямители высокого напряжения.

2SC3549 :. ТРОЙНОЙ ДИФФУЗИОННЫЙ ПЛАНЕР ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, ВЫСОКОСКОРОСТНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ Высокое напряжение, высокая скорость переключения Высокая надежность Применения Импульсные регуляторы DC-DC преобразователь Реле твердотельного состояния Усилители мощности общего назначения Абсолютные максимальные номинальные значения (Tc = 25C, если не указано иное) Элемент Коллектор-база напряжения Коллектор- Напряжение эмиттера Напряжение коллектор-эмиттер.

2SK2713 :. F 1) Низкое сопротивление при включении. 2) Быстрая скорость переключения. 3) Широкая SOA (безопасная рабочая область). 4) Гарантированное напряжение затвор-исток (VGSS) 30 В. 5) Легко спроектированные схемы привода. 6) Легко параллельны. FStructure Кремниевый N-канальный МОП-транзистор FВнешние размеры (единицы: мм).

BC857BL3 : PNP кремниевые транзисторы. PNP Кремниевые AF-транзисторы Предварительные данные Для входных каскадов AF и приложений драйвера Высокое усиление по току Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер Дополнительные типы: BC847BL3, BC848BL3 (NPN) Максимальные номинальные характеристики Параметр Напряжение коллектор-эмиттер BC857BL3 BC858BL3 Напряжение коллектор-эмиттер BC857BL3 BC858BL3 Напряжение коллектор-эмиттер BC857BL3 BC858BL3 BC857BL3 BC858BL3 Излучатель-база.

BU2522AF / B : Транзистор ISOlated Sot199. Высоковольтный, быстродействующий переключающий npn-транзистор нового поколения в полностью упакованном пластиковом корпусе, предназначенный для использования в цепях горизонтального отклонения мониторов высокого разрешения. улучшенные характеристики RBSOA и подходят для использования в цепях горизонтального отклонения компьютерных мониторов. СИМВОЛ VCESM VCEO IC ICM Ptot VCEsat ICsat tf ПАРАМЕТР Коллектор-эмиттер.

DZD10 : стабилитроны 0,2 Вт. Использование опорного напряжения.Использование регуляторов Votlage. Рассеиваемая мощность: P = 200 мВт. Диапазон напряжения: 2,5% с делением. Высокая надежность за счет планарного типа. Идеально подходит для использования в гибридных ИС из-за сверхкомпактного корпуса. s Параметр Рассеиваемая мощность Температура перехода Обозначение температуры хранения P Tj Tstg Условия Напряжение стабилитрона VZ будет разделено.

IRFY9130CM : Одноканальный P-канальный полевой МОП-транзистор Hi-rel -100 В в корпусе TO-257AA. Передовая линейка силовых MOSFET-транзисторов Rectifier. Эффективная геометрическая конструкция обеспечивает очень низкое сопротивление в открытом состоянии в сочетании с высокой крутизной.Транзисторы HEXFET также обладают всеми хорошо зарекомендовавшими себя преимуществами полевых МОП-транзисторов, такими как контроль напряжения, очень быстрое переключение, простота параллельного подключения и температурная стабильность электрических параметров.

IHD2ER100L : 1 ЭЛЕМЕНТ, 10 мкГн, с ферритовым сердечником, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ. s: Устройств в упаковке: 1; Материал сердечника: феррит; Тип вывода: Осевой, ПРОВОЛОЧНЫЙ; Стандарты и сертификаты: RoHS; Применение: универсальное; Диапазон индуктивности: 10 мкГн; Рабочая температура: от -55 до 85 C (от -67 до 185 F).

PLTT0805 : РЕЗИСТОР, ТОНКАЯ ПЛЕНКА, 0,25 Вт, 0,02; 0,05; 0,1%, 5 частей на миллион, 250 Ом — 260000 Ом, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0805. s: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: тонкая пленка (чип); Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 0805, ЧИП, БЕЗ ГАЛОГЕНОВ И СООТВЕТСТВУЕТ ROHS; Рабочее напряжение постоянного тока: 100 вольт; Рабочая температура: от -55 до 215 ° C (-67,

SDR1004UFR : 100 А, 400 В, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Количество диодов: 1; VRRM: 400 вольт; IF: 100000 мА; trr: 0.0800 нс.

STB22NM60T4 : 22 А, 600 В, 0,25 Ом, N-КАНАЛ, Si, ПИТАНИЕ, МОП-транзистор. s: Полярность: N-канал; Режим работы MOSFET: Улучшение; V (BR) DSS: 600 вольт; rDS (вкл.): 0,2500 Ом; Тип упаковки: Д2ПАК-3; Количество блоков в ИС: 1.

30HV11N101KN : КРЫШКА, КЕРАМИЧЕСКАЯ, 100PF, 3KVDC, 10% -TOL, 10% + TOL, C0G TC CODE, -30,30PPM TC. s: Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав.

IRFZ44N Техническое описание, распиновка, характеристики, аналоги и приложения

Всем привет! Я надеюсь, что вы все будете в полном порядке и весело проведете время.Сегодня я собираюсь предоставить вам подробное описание Introduction to IRFZ44N. IRFZ44N принадлежит к семейству полевых транзисторов на основе оксидов металлов и полупроводников (MOSFET). Это силовой полевой МОП-транзистор. Существует два типа полевых МОП-транзисторов: N-канальный и P-канальный. IRF-Z44N принадлежит к семейству N-каналов. Он изготовлен по технологии « Trench » и заключен в пластиковую структуру. Он имеет очень низкое государственное сопротивление. Он оснащен стабилитроном, который обеспечивает защиту от электростатического разряда до 2 кВ. Это недорогое устройство, обеспечивающее более высокую эффективность.В наши дни он легко доступен на рынке и в основном известен благодаря своим обширным приложениям. IRF-Z44N обладает современными функциями, такими как передовая технология обработки, сверхнизкое сопротивление, динамический рейтинг, полный лавинный рейтинг, быстрый процесс переключения и многое другое. Он имеет широкий спектр реальных приложений, включая полный мост, двухтактные приложения, потребительский полный мост и многое другое. Давайте обсудим это подробнее:

Введение в IRFZ44N

IRFZ44N принадлежит к семейству N-канальных силовых полевых МОП-транзисторов, покрытых пластиковым корпусом и использующих технологию «Trench» .
Подобно другим транзисторам, распиновка IRFZ44N имеет три клеммы с именами Gate, Drain и Source. Обозначаются алфавитами G, D и S соответственно.
Его особенности включают очень низкое сопротивление, высокоскоростную технологию обработки, полностью лавинную стойкость и т. Д.
и полный мост — лишь немногие из его применений в реальной жизни.
Вам также следует взглянуть на его характеристические кривые в Proteus ISIS.
IRF-Z44N показан на рисунке справа.

Распиновка IRFZ44N

Расположение выводов любого устройства можно понять по его схеме выводов.
IRFZ44N Распиновка состоит из трех (3) контактов, выполняющих разные индивидуальные функции.
IRFZ44N Назначение выводов и их символы показаны следующим образом:

Номер контакта	Название контакта	Символ контакта
1	Затвор	G
Слив	D
3	Источник	S

IRFZ44N Datasheet

Вы должны загрузить IRFZ44N datasheet, если вы хотите более подробно изучить этот MOSFET.
Вот ссылка на техническое описание IRFZ44N:

Загрузить техническое описание

IRFZ44N Рейтинги

Перед использованием любого электронного устройства необходимо узнать его требования к питанию.
Эти требования к мощности можно узнать из его номинальных значений.
IRF-Z44N перечислены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

IRFZ44N Характеристики

Характеристики — это такие параметры, которые могут сделать устройство все более популярным.
IRF-Z44N перечислены в таблице, приведенной на рисунке ниже.

IRFZ44N Приложения

Большинство устройств обычно известны на основе их приложений.
IRF-Z44N представлены в таблице, показанной на рисунке ниже.

Это все из учебника Введение в IRFZ44N. Я предоставил все базовые знания IRF-Z44N. Надеюсь, вам понравился урок, и вы оцените мою работу.Если вы чувствуете, что в этом руководстве чего-то не хватает, сообщите мне об этом как можно раньше, чтобы я смог обновить его, чтобы избежать неудобств в будущем. Если у вас есть какие-либо проблемы, связанные с инженерным обеспечением, вы можете задать нам вопрос в комментариях в любое время. Наша команда доступна для вашей поддержки 24/7. Я поделюсь разными интересными темами в своих следующих уроках. Так что пока позаботьтесь и до свидания 🙂

Вопросы о IRFZ44N MOSFET | Форум электроники

почему отказ МОП-транзистора

Рейтинги МОП-транзистора сбивают с толку многих людей.2 * I. При таком рассеивании мощности при температуре корпуса 25 ° C температура перехода достигает максимально допустимой, 150 или 175 ° C.

Этот рейтинг хорош только для СРАВНЕНИЯ ДЕТАЛЕЙ. Удерживать корпус при 25 ° C с переходом 150 или 175 ° C действительно невозможно, поэтому испытание проводится с импульсами с малой скважностью. Так что, насколько я понимаю, это всего лишь максимум перед тем, как соединительные провода внутри расплавятся.

В нормальном режиме работы при максимальной температуре окружающей среды соединение должно быть не выше 110 ° C.
Итак, как вы это делаете? Ищите переход к тепловому сопротивлению окружающей среды. Для корпуса TO-220, такого как IRFZ44, оно должно быть около 60-65 ° C / Вт. Это означает, что на каждый 1 Вт транзистор должен рассеиваться, температура его перехода увеличивается на 60 ° C. Таким образом, если максимальная температура окружающей среды составляет 50 ° C, максимальная мощность, которую МОП-транзистор TO-220 может рассеивать в открытом воздухе (без принудительного воздушного охлаждения), составляет Pmax = (110-50) / 60 = 1 Вт. Вот и все, без радиатора ваш MOSFET может безопасно обрабатывать только 1 Вт при температуре окружающей среды 50 ° C и открытом воздухе.

Добавление радиатора снижает тепловое сопротивление и позволяет рассеивать больше мощности. При выборе радиатора следуйте приведенным выше расчетам, но используйте тепловое сопротивление, указанное производителем радиатора. Если между полевым МОП-транзистором и радиатором есть изолятор, добавьте тепловое сопротивление изолятора (обычно 3-6 ° C / Вт для корпуса TO-220).

Теперь вы не можете просто снимать детали, не зная, что вы делаете. «Защитный диод» и катушка индуктивности вместе с полевым МОП-транзистором образуют понижающий стабилизатор, который имеет большую эффективность, чем линейный стабилизатор (в основном потому, что транзистор включается и выключается, поэтому либо ток напряжения на нем низкий, что приводит к низкое рассеивание мощности).

Поскольку вы удалили эти части, вероятно, ваш MOSFET каким-то образом перешел в линейный режим, и рассеиваемая мощность увеличилась, потому что и напряжение, и ток относительно высоки.

Я не уверен, как вы подключили полевой МОП-транзистор, поскольку это N-канал, а исходный транзистор был PNP.

Для расчета рассеиваемой мощности в полевом МОП-транзисторе импульсного регулятора вы можете попробовать поискать заметки на веб-сайте ON Semi или опубликовать, и я отвечу с некоторыми формулами.

Irfz44n лист данных. Распиновка irfz44n

Irfz44n лист данных

Простой светодиодный мигалка. Теперь подключите 4. Резистор и светодиод образуют делитель напряжения. Используйте любой источник питания 12 В для питания схемы. Итак, схема работает. Но это недешево. Привет, аккуратный пост. IE по-прежнему является лидером рынка, и огромная часть людей будет скучать по вашим фантастическим произведениям из-за этой проблемы. Для меня это того стоит. Лично я, если все владельцы сайтов и блоггеры будут делать хороший контент, как и вы, сеть будет намного полезнее, чем когда-либо прежде.Сохраните мое имя, адрес электронной почты и веб-сайт в этом браузере, чтобы в следующий раз я оставил комментарий. Войдите в систему. Войдите в свою учетную запись. Забыли Ваш пароль? Восстановление пароля. Восстановите свой пароль. Введение: Привет, ребята, как дела сегодня, в этой статье мы собираемся обсудить, как мы можем сделать простую схему уличного освещения с некоторыми из них. Итак, позвольте мне рассказать вам. Это простая схема, основанная на проектах Arduino. Этот WiFi Управление яркостью светодиодной ленты — довольно сложная задача голыми руками. В этом проекте мы здесь. Я буду. В некоторых случаях он может быть съемным, а в некоторых случаях — нет. Введение: Сегодня в этой статье мы собираемся обсудить модуль Relay.Здесь я сделаю 12-канальную релейную плату. Эта релейная плата

Mosfet irfz44n, спецификация

Параметры и характеристики. Каталог электронных компонентов. Используя наш сайт, вы подтверждаете, что прочитали и поняли нашу Политику конфиденциальности и Условия использования. Вы должны увидеть примерно такую же производительность у IRZ44N. То есть они тоже могут готовить. Порог затвора такой же, сопротивление включения устройства примерно такое же, а максимальные токи примерно такие же.А вы ведь помните, как хорошо они работали? Вы уверены, что на текущих уровнях этот полевой транзистор будет работать при том, что вы можете позволить себе почти двукратное рассеивание мощности irdz44n? Я предлагаю найти лучший полевой транзистор, их буквально тысячи в этом пакете, которые справятся со своей работой, по крайней мере, так же хорошо, как OEM-решение, если не лучше. Спасибо за интерес к этому вопросу. Поскольку он привлек некачественные или спам-ответы, которые необходимо было удалить, для публикации ответа теперь требуется 10 репутации на этом сайте. Бонус ассоциации irfzz44n не засчитывается.Хотели бы вы вместо этого ответить на один из этих неотвеченных вопросов? Главная Вопросы Теги Пользователи без ответа. Вот вопрос: можно ли без серьезных последствий заменить? Спасибо за ваш ответ. Ricardo 4, 14 37 Mark Jhomel Olimon 11 1 4. Вежливо будет дать ссылку на таблицы для обеих частей. Это побудит людей взглянуть на них, чтобы помочь вам. Было бы лучше показать, почему вы думаете, что эта замена может работать, и спросить о любых аспектах, которые вам неясны. Это свидетельствует об усилиях, о том, что вы пытались найти свой собственный ответ, а не о лени.WhatRoughBeast 49k 2 28 Сэр, я был студентом ИТ, но я хочу отремонтировать свой усилитель самостоятельно. Я много знал об основах электроники, однако я много раз терпел неудачу при поиске и устранении неисправностей усилителя. Сваривается только положительная шина даташдета SMPS, а вот отрицательные шины все еще в хорошем состоянии. Так почему это сэр? По сопротивлению не то же самое. Распиновка

Irfz44n

Следовательно, он обычно используется с микроконтроллерами для управления напряжением 5 В. В дополнение к этому он также имеет низкое значение Rds, что поможет повысить эффективность коммутационных схем.Если МОП-транзистор должен управляться напрямую от микроконтроллера, такого как Arduino, попробуйте версию МОП-транзистора IRLZ44N с логическим уровнем. То есть их можно включить или выключить, подав необходимое пороговое напряжение затвора VGS. Когда подается напряжение затвора, эти контакты закрываются. Если требуется переключение с помощью Arduino, тогда простая схема управления с использованием транзистора будет работать, чтобы обеспечить необходимое напряжение на затворе для полного открытия полевого МОП-транзистора. Тогда он не откроется полностью, и максимальный ток стока будет зависеть от напряжения, приложенного к контакту затвора.График ниже показывает, какой ток стока разрешен для порогового напряжения затвора от 4 В до 10 В. Если оно где-то около 5 В, то ток стока ограничен до 20 А и так далее. Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса. Подпишитесь, чтобы быть в курсе последних компонентов и новостей отрасли электроники. Решения P16CG33xxxx для работы с часами идеально подходят для центров обработки данных, серверов, систем хранения и сетевых приложений.Он обычно используется с Arduino из-за низкого порогового тока. Спецификация компонентов. Получите нашу еженедельную рассылку!

Паспорт схемы блока питания

Мы — сильное сообщество разработчиков, хакеров и провидцев. Нет, серьезно, мы! Mosfet для 3. Поскольку я обычно работаю с логическим уровнем 5 В и более знаком с классическими транзисторами, мне было интересно, какой МОП-транзистор будет работать с 3. Я хочу создать несколько устройств с детьми, где я работаю волонтером, и желательно, чтобы дешевый сквозной компонент.Светодиодные ленты. Re: Mosfet для 3. Потенциал между выводами затвора и истока должен быть выше, чем макс. Вы не можете сделать этого с 3. Вы можете использовать биполярный транзистор, чтобы подтянуть затвор к напряжению двигателя, а не только 3. Но в любом случае не забудьте добавить обратный диод при переключении индуктивных нагрузок. Да, я предпочел прямое решение, пропустив транзистор. Поскольку дети будут паять его, я отдавал предпочтение большему формату e. Теперь голова гудит. Обратный диод: Да Еще раз спасибо! Это довольно плохая конструкция. Полевой транзистор по-прежнему будет иметь очень высокое сопротивление при этих напряжениях, поэтому он будет тратить много энергии.Последние 2 могут подойти, если есть сомнения, я бы порекомендовал IRLBPbF, так как в его даташите фактически есть график тока стока для напряжения затвора всего 2. Однако для простой образовательной схемы вы можете смириться с этими недостатками. Варианты 8 сообщений Страница 1 из 2 12 Следующие 8 сообщений Страница 1 из 2. Вернуться к Hardware Specific. Кто в сети. У меня другая 7-битная система win-7, tasmoti […]. Есть люди, которые на самом деле так делают: тянут к Vcc […]. Написание курсовых работ поможет любому колледжу или университету […]. Микросхема

Ic tl494

Да Нет Поделиться в Facebook Поделиться в Twitter Как обычно, обслуживание было отличным, а персонал очень дружелюбным и услужливым.Кевин (в сервисной службе) — реальный актив для вашего дилерского центра и, кажется, изо всех сил старается помочь. Он очень помог мне организовать мой сервисный звонок и убедиться, что мои потребности удовлетворены. Подробнее Деловой ответМы очень рады это слышать, Кеннет. Мы очень благодарны за ваш бизнес и благодарим вас за такую высокую оценку. Мы надеемся снова служить вам. Да Нет Поделиться в Facebook Поделиться в Twitter Быстро и дружелюбно. Узнать больше Деловой ответЭто то, к чему мы стремимся, Дэвид. Мы очень ценим ваш бизнес и 5 звезд.Да Нет Поделиться в Facebook Поделиться в Twitter Назад 1 2 3 4 5. Это второй автомобиль, который я купил у Билла Бойда, он профессионал, с которым приятно иметь дело. Финансовый отдел доставил меня и вылетел менее чем за час. Всем спасибо. Увидимся через пару лет для моего следующего автомобиля. Да Нет Поделиться ссылкой на Facebook Поделиться ссылкой на Twitter Мне понравился мой опыт покупок с Century Buick GMC. Я с нетерпением жду возможности вести там бизнес на долгие годы. Все там просто фантастические. Карлос, остальные сотрудники отдела продаж и менеджмент — классные работники.Да Нет Поделиться ссылкой на Facebook Поделиться ссылкой на Twitter Вся команда, от продаж до финансов и управления. Да Нет Поделиться в Facebook Поделиться в Twitter Я бросил машину из-за проблемы с разрядом аккумулятора при выключенном двигателе. Ваши механики зарядили аккумулятор на ночь и сказали, что на следующий день все в порядке. Подробнее Деловой ответ Спасибо, что нашли время поделиться своими комментариями. Мы приносим свои извинения за доставленные неудобства. Мы связались с отделом обслуживания для получения обновленной информации. Да Нет Поделиться ссылкой на Facebook Поделиться ссылкой на Twitter Чрезвычайно эффективный и профессиональный всегда заботиться о моей машине Барбара С.Да Нет Поделиться в Facebook Поделиться в Twitter ОЧЕНЬ УДОВЛЕТВОРЕН Хосе Р. Да Нет Поделиться в Facebook Поделиться в Twitter Отличное обслуживание, отличный опыт Thomas H. Да Нет Поделиться в Facebook Поделиться в Twitter Excelente servicio Alicia R. Да Нет Поделиться в Facebook Поделиться в Twitter Smooth и бесшовные. Да Нет Поделиться в Facebook Поделиться в Twitter Быстрая дружелюбная честность, четко объяснил все услуги и ремонт, спасибо работникам команды Халиту К. Да Нет Поделиться в Facebook Поделиться в Twitter Всем хорошего, Стив Р.

IRFZ44N MOSFET рабочий

Нам также понравился Стокгольм, но он оказался просто еще одним большим городом — вроде Сан-Франциско, Лондона или Берлина.У них у всех много общего. Гэри и Сэнди, Соединенные Штаты Исландия Полный круг, июнь 2016 г. Я оставил комментарии на сайте TripAdvisor, но опять же, Хельга была потрясающей. Дейдра и Шарлин, United States Express Iceland, июнь 2016 г. Отлично провели время во всех отелях. Джеральд и Кэрол, Соединенные Штаты Экспресс Исландия, май 2016 г. Нам очень понравилась ваша прекрасная страна и прекрасные пейзажи во всех ее частях. Джон и Линда, Соединенные Штаты Исландия Полный круг — зима, май 2016 г. Мы путешествуем вместе 42 года. Мы будем с любовью вспоминать наш исландский опыт, он был особенным.Мы всегда чувствовали себя желанными гостями. У нас никогда не было плохой еды. Пейзаж был не менее впечатляющим. Спасибо всем в Nordic Visitor. Майкл, Канада Исландия Завершено, май 2016 г. Мы были в восторге от проживания и от всего, что касалось тура. Джанет, США Основные моменты Скандинавии на машине, май 2016 г. Мы прекрасно провели время в нашей поездке. Джим и Дейл, Канада Природные чудеса Исландии, май 2016 г. Тур превзошел наши ожидания и, без сомнения, был одним из величайших отпусков, которые мы когда-либо брали.Джули и Мэтью, Великобритания Гранд-тур по Исландии, май 2016 г. Бронирование с Nordic Visitor было замечательным опытом. Мы очень любим Исландию. Гранд-тур по Исландии был хорошо спланирован Хельгой. Идеальный баланс по отелям. Так много действительно полезной информации и советов, которые нельзя пропустить. Действительно помогли снять стресс во время отпуска, связанного с бронированием отелей, и позволили нам сосредоточиться на прекрасной природе Исландии. Пэм, Канада Природные чудеса Исландии, апрель 2016 г. Размещение было лучше, чем ожидалось, и все предоставленные блюда были высшего качества и представляли кухню страны.Схема блока питания

pdf

Кроме того, термин ошибки должен быть белым шумом, т.е. Из-за загадки форвардной премии они могут, в среднем, купить достаточно оригинальной валюты, чтобы выплатить ссуду, и при этом получить связку. Эти файлы cookie устанавливаются, когда вы отправляете форму, входите в систему или взаимодействуете с сайтом, делая что-то, выходящее за рамки простого нажатия на простые ссылки. Мы также используем некоторые несущественные файлы cookie для анонимного отслеживания посетителей или улучшения вашего опыта работы с сайтом. Экономические доказательства против модели случайного блуждания Паскуале Делла Корте, Лусио Сарно-Илиас Циакас 18 января 2008 г. Форвардная премия, разница между форвардным обменным курсом и спот-обменным курсом, содержит экономически ценную информацию о будущем обменных курсов.Ценные прогнозы В недавнем исследовании мы изучаем, может ли предсказуемость обменного курса привести к экономической выгоде для инвесторов, использующих стратегию распределения активов, которая использует эту предсказуемость (Della Corte, Sarno and Tsiakas, 2007). Ссылки Della Corte, P. Сноски 1 С технической точки зрения, будущее k-периодное изменение обменного курса регрессирует на текущую форвардную премию k-периода. Это не будет хранить личную информацию). По мнению широкой редакционной коллегии, Обзор сочетает в себе теоретический и эмпирический вклады.Основными критериями для публикации статьи являются ее качество и важность для области финансов, без чрезмерного учета ее технической сложности. Финансы интерпретируются широко и включают в себя взаимосвязь между финансами и экономикой. «Движущаяся стена» представляет собой промежуток времени между последним выпуском, доступным в JSTOR, и последним опубликованным выпуском журнала. Подвижные стены обычно обозначаются годами. В редких случаях издатель выбирает «нулевую» подвижную стену, поэтому его текущие выпуски доступны в JSTOR вскоре после публикации.Примечание. При расчете подвижной стены текущий год не учитывается. Например, если текущий год — 2008, а журнал имеет 5-летнюю подвижную стену, доступны статьи за 2002 год. Войдите в систему через свое учреждение. JSTOR является частью ITHAKA, некоммерческой организации, помогающей академическому сообществу использовать цифровые технологии для сохранения научных данных и для устойчивого развития исследований и преподавания. Уже есть аккаунт. Войти Иметь доступ к библиотеке. Спонсор: Общество финансовых исследований.Вы всегда можете найти темы здесь. Темы: Статистические модели, Моделирование, Дивиденды, Аналитическое прогнозирование, Инвесторы, Статистическая значимость, Доходность, Капитал, Ключи, Предсказуемость Были ли эти темы полезными. Выберите неточные темы. Обратите внимание на имена, заглавные буквы и даты. Авторизованные пользователи могут иметь доступ к полному тексту статей на этом сайте. Обзор финансовых исследований — это крупный форум для продвижения и широкого распространения важных новых исследований в области финансовой экономики.Подвижная стена: 3 года (Что такое подвижная стена. Термины, связанные с подвижной стеной. Неподвижные стены: журналы, в архив которых не добавляются новые тома. Поглощено: журналы, объединенные с другим заголовком. Завершено: журналы, которые больше не публикуются) или которые были объединены с другим названием. Как это работает. Выберите вариант покупки.

Схема простого блока питания

Oddfellow (11) шансы 8. Bubbaleenah (6) шансы Поцарапанный анализ BRINGAGEM на семидневном бэк-апе и финишировал проигравшим лидером последнего старта в Orange на мягкой трассе, одном из пиков дня.R6 1400 м Класс: BM50, гандикап 16:15 Выборы 2. Коэффициенты Diamond Charlie (13) 1. Коэффициенты Sweet Fella (10) 10. Коэффициенты Cuban Lass (8) 4. Шансы Oakwood Lady (6) Анализ DIAMOND CHARLIE однажды выиграл эту подготовку. у Хардена четыре забега назад и финишировал в середине стаи, последний старт у Оранжевого вызывает уважение. R7 1400 м Класс: гандикап 16:50 Выборы 6. Коэффициенты Vega (2) 11. Коэффициенты Tycoon Mar (1) 4. Коэффициенты Artistic Beauty (8) 7. Коэффициенты Prima Stella (11) Анализ Трудно увидеть что-то, что расстраивает двух лучших вариантов . R8 1600 м Класс: класс 3, гандикап 17:30 Выборы 1.Шансы Cannon Run (9) 5. Коэффициенты Celtic Diamond (11) 2. Шансы Noel’s Gift (4) 4. Шансы Colonial Reign (6) Анализ CANNON RUN проверенный перфромер на мягком треке и, как известно, сильный поздно, шанс на победу. Warrnambool (VIC) Fine Good4 R1 1400m Class: 3-летние, Maiden, установленные веса 13:30 Выборы 4. Коэффициенты Hermanito (1) 10. Коэффициенты Splashette (3) 5. Коэффициенты Solaazem (10) 8. Коэффициенты Verdancy (8) Анализ HERMANITO находится только на старте у Хэмилтона на мягкой трассе и рисует, чтобы не работать, тот, кого нужно победить. Красная Шарлиз (5) коэффициент 9.Шансы Room to Rhyme (4) 5. Коэффициенты Kalangadoo Chrome (10) 7. Анализ коэффициентов Perfontein (1) RED CHARLIZE только что пропустил последний старт, финишировав на расстоянии от победителя в Гамильтоне и имеет три места из пяти раундов в этой подготовке имеет веские претензии. Шансы Party Tiger (13) 1. Шансы Black Roe (9) 13. Коэффициенты Benella (6) 8. Шансы Snitzel Reign (14) Анализ PARTY TIGER стартовал шестым на последнем этапе в Warrnambool, имея шанс на победу. R4 1200м Класс: BM64, гандикап 15:00 Выборы 6. Коэффициенты Барчетты (7) 8. Перл де Вер (9) коэффициенты 10.Шансы Фарнора Уэста (8) 3. Смелый подход (3) Анализ коэффициентов БАРЧЕТТА, вернувшаяся с 28-недельного периода и выигравшая в Бэрнсдейле в первом исходе, обретет силу. R5 1300 м. Класс: класс 1, гандикап 15:30. Выбор 1. Давайте поиграем с нашими полевыми МОП-транзисторами! Часть 1: Основы и логика NMOS
Приложение

Irfz44n. Технический паспорт IRFZ44N, PDF, принципиальная схема, указания по применению

Если МОП-транзистор должен управляться напрямую от микроконтроллера, такого как Arduino, попробуйте версию МОП-транзистора IRLZ44N с логическим уровнем. То есть их можно включить или выключить, подав необходимое пороговое напряжение затвора VGS. Когда подается напряжение затвора, эти контакты закрываются.

Если требуется переключение с помощью Arduino, тогда простая схема управления с использованием транзистора будет работать, чтобы обеспечить необходимое напряжение затвора для полного открытия полевого МОП-транзистора. Тогда он не откроется полностью, и максимальный ток стока будет зависеть от напряжения, приложенного к контакту затвора.

График ниже показывает допустимый ток стока для порогового напряжения затвора от 4 В до 10 В. Если оно где-то около 5 В, то ток стока ограничен до 20 А и так далее. Если вы разрабатываете печатную плату или плату Perf с этим компонентом, то следующий рисунок из таблицы данных будет полезен, чтобы узнать тип и размеры его корпуса.

Подпишитесь, чтобы быть в курсе последних отраслевых компонентов и новостей электроники. Серия Littelfuse Nano2 F усиливает защиту от токов перегрузки и короткого замыкания.Гнезда Stewart Connector серии SS идеально подходят для 2. Они обычно используются с Arduino из-за низкого порогового тока. Спецификация компонентов. Получите нашу еженедельную рассылку! Предохранитель Littelfuse серии F. Межблочные соединения миллиметрового диапазона Amphenol. Компания Amphenol SV Microwave оснащена высокочастотными коаксиальными разъемами миллиметрового диапазона.

Стюарт СС серии. Датчики положения AVX.Мы используем файлы cookie, чтобы вам было удобнее работать на нашем веб-сайте.

MOSFET на базе инвертора от 12 В до 220 В IRFZ44

Используя наш веб-сайт и услуги, вы прямо соглашаетесь на размещение наших файлов cookie производительности, функциональности и рекламных файлов.Пожалуйста, смотрите нашу Политику конфиденциальности для получения дополнительной информации. Аннотация: Текст аннотации недоступен. Текст: PD — 9.

Единицы 1. Максимальная безопасная рабочая зона www. Нормализованное сопротивление в открытом состоянии по сравнению с Я Дождь. Температура 3 www. I DDrain Current A. Резюме: вывод IRFZ44N irfz44n для вывода irfz44n irfz44n Текст: расходные материалы и коммутационные приложения общего назначения. Температура перехода Рис. Нормализованное сопротивление при включенном сопротивлении по сравнению с рис.

Перфоратор

Реферат: Реферат отсутствует Текст: Una. Хорошо, спасибо. Мы используем файлы cookie, чтобы вам было удобнее работать с нашим сайтом.Назад 1 2 Далее. Назад 1 2 3 4 5 6 Вперед.

Arrow Electronics 2. Подробнее. Verical 3. Avnet Europe. Элемент Фарнелла RS Components 2. Transfer Multisort Elektronik. Newark element14 2. Щукат электронный. Обмен микросхемы 1. Эта схема инвертора постоянного тока в переменный работает в соответствии с нестабильным мультивибратором.

Древовидная диаграмма для истинно ложных вопросов

В этой схеме инвертора IC CD выполняет роль сердца нестабильного мультивибратора, поскольку этот тип IC обеспечивает дополнительный выход, который имеет противоположную фазу по отношению к другим контактам 10 и 11 и имеет 50-процентный рабочий цикл, достаточный для генерации импульса для инвертора.IRFZ44 выдает большой ток для управления повышающим трансформатором, поэтому питание переменного тока готово к высоковольтной стороне трансформатора. Этот силовой полевой МОП-транзистор предлагает разработчикам наилучшее сочетание быстрого переключения, прочной конструкции устройства, низкого сопротивления во включенном состоянии и экономической эффективности.

Чтобы уменьшить этот сигнал, мы должны использовать фильтр, подобный конденсатору C. В результате этой простоты эта схема применима только для освещения. Трансформатор должен иметь более высокое передаточное число. На выводе 14 разъема нет развязывающего конденсатора. Спасибо, сэр за ваше сотрудничество, не могли бы вы помочь мне — схематическая диаграмма синусоидального инвертора с 12 В постоянного тока на переменный ток W!

Я хочу создать резервную копию своего дома.Пожалуйста, сэр! Ваш электронный адрес не будет опубликован. Сообщите мне о последующих комментариях по электронной почте. Уведомлять меня о новых сообщениях по электронной почте. Этот сайт использует Akismet для уменьшения количества спама. Узнайте, как обрабатываются данные вашего комментария. Перейти к содержанию. Пожалуйста, сэр, пришлите мне материалы, из которых можно сделать инвертор. Оставить комментарий Отменить ответ Ваш электронный адрес не будет опубликован. Привет всем! Я надеюсь, что вы все будете в полном порядке и весело проведете время.

Я уже поделился базовой информацией о различных микросхемах и транзисторах в своих предыдущих уроках. E.

Вы должны просмотреть все эти статьи, поскольку все они являются транзисторами и помогут вам выбрать лучший. N-канал и P-канал. Он имеет очень низкое государственное сопротивление. Он оснащен стабилитроном, который обеспечивает защиту от электростатического разряда до 2 кВ. Это недорогое устройство, обеспечивающее более высокую эффективность. В наши дни он легко доступен на рынке и в основном известен благодаря своим обширным приложениям. IRF-Z44N имеет несколько удивительных функций.

Он имеет широкий спектр реальных приложений, включая полный мост, двухтактные приложения, полный мост потребителя и многое другое.Надеюсь, вам понравился урок, и вы оцените мою работу. Если вы чувствуете, что в этом руководстве чего-то не хватает, сообщите мне об этом как можно раньше, чтобы я смог обновить его, чтобы избежать неудобств в будущем.

Если у вас есть какие-либо проблемы, связанные с инженерными разработками, вы можете задать нам вопрос в комментариях в любое время. Я поделюсь разными интересными темами в своих следующих уроках.

Типы приложений MOSFET и рабочие операции

Я программист, так как до этого я просто занимаюсь поиском, делаю небольшие проекты, а теперь я делюсь своими знаниями через эту платформу.Я также работаю фрилансером и выполнил множество проектов, связанных с программированием и электрическими схемами. Ваш хороший учитель. Мы используем файлы cookie, чтобы вам было удобнее работать с нашим сайтом. Используя наш веб-сайт и услуги, вы прямо соглашаетесь на размещение наших файлов cookie производительности, функциональности и рекламных файлов.

Дополнительную информацию см. В нашей Политике конфиденциальности. Аннотация: вывод IRFZ44N irfz44n для вывода irfz44n irfz44n Текст: источники питания и коммутационные устройства общего назначения. Аннотация: Текст аннотации отсутствует Текст: ПД — 9.Единицы 1. Максимальная безопасная рабочая зона www. Нормализованное сопротивление в открытом состоянии по сравнению с

Телеграмма-бот Asb взломал

I DDrain. В этой заметке по применению обсуждается использование этой заметки по применению ограничено конструкцией униполярного привода, и в программном обеспечении используется 2 эта заметка по применению, которая проиллюстрирована на рисунке Температура 3 www.

I D Дренажный ток A. Время переключения. Нормализованное сопротивление по сравнению с TM iii Содержание Аннотация. Аннотация: Текст аннотации недоступен. Текст: Una.

Для этого приложения подходят два устройства: a IRF В случае устройств, которые встречаются.

В этом примечании к применению показано, что Windows является зарегистрированным товарным знаком корпорации Microsoft Corp. Указание по применению www.

Gadus s2 v220 2

Если Покупатель приобретает или использует продукты IR для любого такого непреднамеренного или несанкционированного применения Покупателем. Хорошо, спасибо. Мы используем файлы cookie, чтобы вам было удобнее работать с нашим сайтом. Предыдущий 1 2 Texas Instruments. МОП-транзистор — важный элемент в конструкции встроенных систем, который используется для управления нагрузками в соответствии с требованиями. Многие электронные проекты, разработанные с использованием полевых МОП-транзисторов, такие как управление интенсивностью света, управление двигателем и максимальные генераторы.

MOSFET — это устройство управления высоким напряжением, которое обеспечивает разработчикам схем некоторые ключевые функции с точки зрения их общей производительности. Носители заряда входят в канал из истока и выходят через сток. Ширина канала регулируется напряжением на электроде, называемом затвором, который расположен между истоком и стоком.

God of War 4 ps4

Он изолирован от канала рядом с очень тонким слоем оксида металла. Режим истощения: когда на клемме затвора имеется нулевое напряжение, канал показывает свою максимальную проводимость.Поскольку напряжение на затворе отрицательное или положительное, тогда уменьшается проводимость канала. Когда на клемме затвора нет напряжения, устройство не проводит. На вывод затвора подается большее напряжение, устройство имеет хорошую проводимость. Оксидный слой присутствует между выводами истока и стока.

Его можно установить с p-типа на n-тип, применяя положительное или отрицательное напряжение затвора соответственно. При приложении положительного напряжения затвора отверстия, присутствующие под оксидным слоем, с силой отталкивания, и отверстия проталкиваются вниз через подложку.Область отклонения заполнена связанными отрицательными зарядами, которые связаны с атомами акцептора.

Когда мы прикладываем отрицательное напряжение к затвору, электроны, находящиеся под оксидным слоем, проталкиваются вниз в подложку с силой отталкивания. Область отклонения заполняется связанными положительными зарядами, которые связаны с атомами донора. Когда мы прикладываем положительное напряжение затвора, дырки под оксидным слоем проталкиваются вниз в подложку с силой отталкивания.

Область отклонения заполнена связанными отрицательными зарядами, которые связаны с атомами акцептора. Теперь, если напряжение приложено между стоком и истоком, ток свободно течет между истоком и стоком, а напряжение затвора управляет электронами в канале.

Вместо положительного напряжения, если подать отрицательное напряжение, под слоем оксида образуется дырочный канал. Приложения MOSFET используются в различных электрических и электронных проектах, которые разработаны с использованием различных электрических и электронных компонентов.Чтобы лучше понять эту концепцию, здесь мы объяснили некоторые проекты. Присоединяйтесь к нам прямо сейчас!

Забыли пароль?

Mosfet (IRFZ44N) Схема драйвера для ШИМ?

Забыли имя пользователя? Не получили электронное письмо с подтверждением регистрации? Выйти из панели управления пользователя. Сообщения форума Последние сообщения. Посмотреть больше. Последние сообщения в блоге. Непрочитанные личные сообщения. Темы форума Elegant Mobile. Только Essentials Полная версия. Новый член. Привет всем, я новичок в этом форуме, не знаю, почему я не проверял его много лет назад.Я создаю проект, который мне скоро нужно будет продемонстрировать, и все в порядке, но я просто не могу достать МОП-транзистор логического уровня, который бы облегчил жизнь.

Срок сдачи проекта — до конца месяца, и я не уверен, что заказанный мной МОП-транзистор логического уровня будет доступен достаточно скоро. Мой проект — контроллер скорости двигателя, который управляет щеточным двигателем постоянного тока мощностью 24 В Вт. После долгих исследований я решил, что мне нужен правильный драйвер, так как 5V было недостаточно, я управлял воротами прямо с микросхемы.Я предполагаю, что МОП-транзистор не был «полностью насыщен», и рассеиваемая мощность была слишком большой.

PIC работает с напряжением 5 В, драйвер МОП-транзистора будет работать с напряжением 12 В, а двигатель напрямую от батарей — 24 В. Теперь я хочу построить дискретную схему драйвера, у меня есть много 2N и несколько 2N. Есть ли у кого-нибудь предложения или советы, так как я ищу простое решение, а время ограничено, поэтому у меня нет времени на эксперименты.

Есть предложения ссылки на схемы?

МОП-транзистор IRFZ44N.Технический паспорт pdf. Эквивалент

. Я пробовал использовать Google, но без особого успеха. Я подумал о том, чтобы попробовать микросхему драйвера mosfet, но когда я звоню некоторым крупным поставщикам электроники, они, кажется, сбиты с толку, поэтому кажется, что дискретный вариант может быть моим единственным вариантом. Большое спасибо заранее.

Супер Член. Привет, пинг, студентка EE? Это круто, когда-то это тоже было моей специальностью. Есть довольно хороший драйвер для домашнего приготовления, который вы можете сделать, если у вас есть транзисторы PNP и NPN, которые могут обрабатывать как минимум ток коллектора.Схема тоже проста. Соедините две базы вместе, соедините два эмиттера вместе.

Это формирует двойной повторитель напряжения, который имеет усиление по току. Чипы, которые они делают, немного лучше и быстрее, но это работает, по крайней мере, до некоторой степени. Чтобы справиться с этим, вам понадобится крышка хорошего размера на двух коллекторах транзисторов, расположенных рядом с ними.

IRFZ44N_277535.PDF Datasheet Загрузить — IC-ON-LINE

, MOSFET

PART	Описание	Чайник
ARF450	ВЧ МОП-транзисторы РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ N-КАНАЛА 150 В 500 Вт 120 МГц РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ N-КАНАЛА	ADPOW [Advanced Power Technology]
BSP75G BSP75G2	Диоды-ограничители переходных процессов со сверхнизкой емкостью N-КАНАЛЬНЫЙ N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ САМОЗАЩИЩЕННОГО УЛУЧШЕНИЯ, 60 В IntelliFET? / A> MOSFET N-КАНАЛЬНЫЙ N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ, САМОЗАЩИЩЕННЫЙ, 60 В, IntelliFET, МОП-транзистор IntelliFET , 60 В, N-КАНАЛ. САМОЗАЩИЩЕННЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ IntelliFET — МОП-транзистор IntelliFET ™ 60 В, самозащищенный МОП-транзистор	Список неклассифицированных производителей ETC N.A. Zetex Semiconductors
STP5NB40 STP5NB40FP 5321	N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET (N 沟道增强模式 MOSFET) N — РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ КАНАЛА PowerMESH MOSFET N — РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ КАНАЛА PowerMESH] MOSFET Из старой системы технических данных	意法半导 STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
MGSF3455VT1 MGSF3455VT1_D ON1910 MGSF3455VT1-D ON1	Из старой системы технических данных РАСШИРЕНИЕ P-КАНАЛА? ODE РЕЖИМ РАСШИРЕНИЯ P-КАНАЛА TMOS MOSFET Low Rds (on) Малосигнальные МОП-транзисторы TMOS Single P-Channel Field Effect Transistors	MOTOROLA [Motorola, Inc] ON Semiconductor
СТН2Н10Л 4585	N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor (沟道增强模式ＭＯＳ晶体 N 沟道增强模式功率 MOS 晶体管（不适用沟道体管. СТАРЫЙ ПРОДУКТ: НЕ ПОДХОДИТ ДЛЯ НОВОГО ДИЗАЙНА	STMicroelectronics N.В. СТ Микроэлектроника
APM9988COC-TUL APM9988COC-TRL	MOSFET с двумя N-каналами в режиме расширения N 沟道增强型 MOS MOSFET с двумя N-каналами в режиме расширения, 6 А, 20 В, 0,02 Ом, 2 КАНАЛА, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, MO-153AA	Anpec Electronics, Corp.
APM9968C APM9968COC-TR	20 В, N-канальный режим расширения MOSFET N-канальный режим расширения MOSFET N 沟道增强型 MOS Из старой системы технических данных	Anpec Electronics, Corp. ANPEC [Anpec Electronics Coropration] ANPEC Electronics Corporation
ZXMP3A16DN8TC ZXMP3A16DN8 ZXMP3A16DN8TA	ДВОЙНОЙ P-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор 30 В в режиме расширения 双 P 沟道增强型 МОП-транзистор 0V ДВОЙНОЙ P-КАНАЛЬНЫЙ МОП-транзистор 30 В с режимом расширения MOSFET 4200 мА, 30 В, 2 канала, P-канал, Si, малый сигнал	Zetex Semiconductor PLC ZETEX [Zetex Semiconductors]
STP2N60FI STP2N60 3137	N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor (N 沟道增强模式功率 MOSFET) N 沟道增强模式功率 MOS 晶体管（不适用沟道增强模式 MOSFET 的） N — CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR Из старых данных система	STMicroelectronics N. Навигация по записям Регулятор оборотов кулера. Регуляторы оборотов вентилятора: виды, схемы и принцип работы Кт 940 характеристики: КТ940А характеристики транзистора, цоколевка и отечественные аналоги Похожие записи 21.11.2024 0 Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании 19.11.2024 0 Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка 19.11.2024 0 Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика Добавить комментарий Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт Рубрики Автолюбителям Датчик Лайфхаки Преобразователь Своими руками Схемы Усилитель Разное Карта сайта © M-Gen

Что такое полевой транзистор IRFZ44N

Основные параметры и характеристики IRFZ44N

Предельные значения

Характеристики

Принцип работы MOSFET-транзистора

Области применения IRFZ44N

Схемы включения IRFZ44N

Ключевой режим

ШИМ-регулятор

Мостовая схема

Особенности применения IRFZ44N

Аналоги IRFZ44N

Заключение

irfz44n транзистор характеристики, аналоги, DataSheet на русском

Назначение контактов

Графическое обозначение

Распиновка

Основные характеристики

Максимальные значения

Тепловые параметры

Маркировка

Аналоги

С

Варианты

Производители

Транзистор IRFZ44N полевой N-канальный 55V 49A корпус TO-220AB

Полевой транзистор МОП (MOSFET) | Принцип работы и параметры

Что такое полевой транзистор MOS, MOSFET, МОП транзистор?

Откуда пошло название “МОП”

Строение полевого транзистора

Виды полевых транзисторов

Принцип работы полевого транзистора

Индуцирование канала в МОП-транзисторе

Работа P-канального полевого транзистора

Режимы работы полевого транзистора

Работа полевого транзистора в режиме отсечки

Активный режим работы полевого транзистора

Режим насыщения полевого транзистора

Ключевой режим работы полевого транзистора

Характеристики полевого МОП транзистора

Как проверить полевой транзистор

Проверка полевого транзистора с помощью мультиметра

Как проверить полевой транзистор с помощью транзисторметра

Меры безопасности при работе с полевыми транзисторами

Управляем нагрузкой одной кнопкой. Как сделать мощный фиксируемый ключ на MOSFET

Детали которые понадобятся

Схема

Изготовление электронного переключателя на MOSFET

Смотрите видео

AVR-STM-C++: Как выбрать MOSFET

Помогите подобрать мосфет для стола

Популярные вопросы

Как открыть полевой транзистор

Виды МОП-транзисторов

Режим отсечки

Активный режим работы транзистора

Почему греется транзистор

Режим насыщения МОП-транзистора

Предельные параметры и графические зависимости

Интересное свойство МОП-транзистора

Ключ на МОП транзисторе

Чего боится МОП-транзистор

Виды МОП-транзисторов

Режим отсечки

Активный режим работы транзистора

Почему греется транзистор

Режим насыщения МОП-транзистора

Предельные параметры и графические зависимости

Интересное свойство МОП-транзистора

Ключ на МОП транзисторе

Чего боится МОП-транзистор

Почему транзистор – полевой?

Где используются полевые транзисторы?

Как работает полевой транзистор?

Как проверить полевой транзистор?

Обсуждение: 55 комментариев

IRFZ44N MOSFET Распиновка, характеристики, аналоги и техническое описание

Конфигурация контактов

Альтернативы для IRFZ44N

IRFZ44N с затвором 5 В (Arduino)