Что представляет собой транзистор IRL2505. Каковы его основные параметры и области применения. Какие есть аналоги IRL2505. На что обратить внимание при выборе этого транзистора.
Общая характеристика транзистора IRL2505
IRL2505 — это мощный N-канальный полевой МОП-транзистор (MOSFET) производства компании International Rectifier (сейчас входит в состав Infineon Technologies). Рассмотрим основные параметры этого транзистора:
- Тип: N-канальный MOSFET
- Максимальное напряжение сток-исток: 55 В
- Максимальный постоянный ток стока: 104 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии: 8 мОм (типовое значение при Vgs = 10 В)
- Корпус: TO-220AB
Транзистор IRL2505 относится к семейству HexFET Power MOSFET и использует передовую технологию обработки для достижения очень низкого сопротивления канала в открытом состоянии. Это обеспечивает высокую эффективность работы транзистора в различных применениях.
Ключевые особенности и преимущества IRL2505
Транзистор IRL2505 обладает рядом важных преимуществ:
- Низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) — всего 8 мОм при напряжении затвор-исток 10 В. Это обеспечивает малые потери проводимости и высокий КПД.
- Высокая нагрузочная способность по току — до 104 А постоянного тока.
- Возможность управления логическими уровнями напряжения — транзистор полностью открывается при напряжении на затворе 5 В.
- Быстрое переключение благодаря оптимизированной структуре затвора.
- Встроенный защитный диод с быстрым обратным восстановлением.
- Полностью нормированные лавинные характеристики для повышенной надежности.
Эти особенности делают IRL2505 отличным выбором для применений, требующих высокой эффективности и надежности.
Области применения транзистора IRL2505
Благодаря своим характеристикам, транзистор IRL2505 находит применение в различных областях силовой электроники:
- Импульсные источники питания
- DC/DC преобразователи
- Управление электродвигателями
- Автомобильная электроника
- Зарядные устройства для аккумуляторов
- Инверторы для солнечных батарей
- Драйверы светодиодов высокой мощности
Транзистор хорошо подходит для схем, где требуется коммутация больших токов при относительно невысоких напряжениях. Его способность работать от логических уровней напряжения упрощает схемы управления.
Основные электрические параметры IRL2505
Рассмотрим подробнее ключевые электрические характеристики транзистора IRL2505:
- Максимальное напряжение сток-исток V(BR)DSS: 55 В
- Максимальный постоянный ток стока ID: 104 А при температуре корпуса 25°C
- Максимальный импульсный ток стока IDM: 360 А
- Сопротивление канала в открытом состоянии RDS(on):
- 8,0 мОм (тип.) при VGS = 10 В, ID = 54 А
- 10,0 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 54 А
- Пороговое напряжение затвор-исток VGS(th): 1,0-2,0 В
- Входная емкость Ciss: 5000 пФ
- Выходная емкость Coss: 1100 пФ
- Заряд затвора Qg: 67 нКл
- Максимальная рассеиваемая мощность PD: 120 Вт при температуре корпуса 25°C
Эти параметры показывают, что IRL2505 способен эффективно коммутировать большие токи при относительно низких управляющих напряжениях.
Особенности применения транзистора IRL2505
При использовании транзистора IRL2505 в схемах следует учитывать несколько важных моментов:
- Тепловой режим. Несмотря на низкое сопротивление канала, при больших токах необходимо обеспечить эффективный теплоотвод от транзистора.
- Защита затвора. Рекомендуется использовать защитный стабилитрон между затвором и истоком для предотвращения пробоя затвора статическим электричеством или перенапряжениями.
- Драйвер затвора. Для быстрого переключения больших токов желательно использовать специализированный драйвер затвора MOSFET.
- Паразитные индуктивности. При высоких скоростях переключения важно минимизировать паразитные индуктивности в цепях затвора и силовой части схемы.
Правильное применение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности транзистора IRL2505.
Аналоги и замены для IRL2505
Существует ряд транзисторов с похожими характеристиками, которые могут служить заменой IRL2505 в некоторых применениях:
- IRFB3077PBF — очень близкий аналог с немного лучшими характеристиками
- IPB60R125C6 — транзистор от Infineon с похожими параметрами
- STP62NS04Z — аналог от STMicroelectronics
- PSMN1R9-60BS — транзистор NXP с близкими характеристиками
При выборе замены важно учитывать не только основные параметры, но и динамические характеристики, а также особенности корпуса транзистора.
Рекомендации по выбору и приобретению IRL2505
При покупке транзистора IRL2505 следует обратить внимание на несколько аспектов:
- Оригинальность. Приобретайте компоненты только у надежных поставщиков, чтобы избежать покупки контрафактной продукции.
- Маркировка. Убедитесь, что на транзисторе присутствует корректная маркировка производителя.
- Состояние выводов. Проверьте выводы транзистора на отсутствие повреждений и следов коррозии.
- Документация. Запросите у продавца актуальную техническую документацию на транзистор.
Соблюдение этих рекомендаций поможет приобрести качественный и надежный компонент для вашего проекта.
Заключение
Транзистор IRL2505 представляет собой высокоэффективный MOSFET, способный коммутировать большие токи при низком сопротивлении канала. Его характеристики делают его отличным выбором для широкого спектра применений в силовой электронике. При правильном применении этот транзистор может обеспечить высокую эффективность и надежность вашего устройства.
IRL2505 техническое описание — 55 В один N-канальный HexFET Power MOSFET в TO-220AB
Подробная информация, техническое описание, цитата по номеру детали: IRL2505
| Деталь | IRL2505 |
| Категория | Дискретные => Транзисторы => FET (полевые транзисторы) => MOSFET => N-канальные |
| Описание | Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 55 В, в корпусе TO-220AB |
| Компания | International Rectifier Corp. |
| Техническое описание | Загрузить IRL2505 Техническое описание |
| Крест. | Аналогичные детали: IPP80N06S2-08, SPP15P10PL H, IPP093N06N3 G, IPP096N03L G, STP85NF55L, STP85NF55, STP90N55F4, STP141NF55, STP80NF55L-06, HUFA76443S3S |
| Цитата | Где купить |
| Функции, приложения |
Привод затвора логического уровня Усовершенствованный технологический процесс Сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии Динамический рейтинг dv/dt Рабочая температура 175C Быстрое переключение Полностью лавинный рейтинг Описание В МОП-транзисторах пятого поколения компании International Rectifier используются передовые технологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления в открытом состоянии на единицу площади кремния. = 100C IDM PD @TC = 25C VGS EAS IAR EAR dv/dt TJ TSTG Непрерывный ток стока, VGS при 10 В Непрерывный ток стока, VGS при 10 В Импульсный ток стока Рассеиваемая мощность Линейный коэффициент снижения характеристик Напряжение затвор-исток Энергия лавины одиночного импульса Лавинный ток Повторяющийся лавинный пик энергии Восстановление диода dv/dt Рабочая температура перехода и диапазон температур хранения Температура пайки, в течение 10 секунд Момент затяжки или винт M3 RJC RCS RJA Соединение-корпус-корпус-раковина, плоская, смазанная поверхность0051 Параметр Напряжение пробоя сток-исток V(BR)DSS/TJ Напряжение пробоя Темп. Параметр Непрерывный ток источника (корпусной диод) Импульсный ток источника (корпусной диод) Диод Прямое напряжение Время обратного восстановления Заряд обратного восстановления Время включения вперед Условия D МОП-транзистор с символом 104, показывающим интегральный диод AG с обратным 360 S p-n переходом. Примечания: Повторяющийся рейтинг; ширина импульса ограничена макс. температура соединения. (См. рис. 11) VDD = 25 В, пуск = 25, IAS = 54 А. (См. рис. 12) ISD 54A, di/dt 230 A/s, VDD V(BR)DSS, TJ 175C температура перехода; рекомендуемые токовые характеристики пакета см. в совете по проектированию № 93-4 | .
Это преимущество в сочетании с высокой скоростью переключения и прочной конструкцией устройства, которыми хорошо известны мощные полевые МОП-транзисторы HEXFET, дает разработчику чрезвычайно эффективное и надежное устройство для использования в самых разных приложениях. TO-220 повсеместно предпочтительнее для всех коммерческих промышленных применений при уровне рассеиваемой мощности примерно до 50 Вт. Низкое термическое сопротивление и низкая стоимость упаковки TO-220 способствуют его широкому распространению в отрасли.
= 54A, VGS 970 нКл di/dt = 100A/с Собственное время включения пренебрежимо мало (при включении преобладает LS+LD)
| Номер детали того же производителя International Rectifier Corp. |
| IRL2505L Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 55 В, в корпусе TO-262 |
| IRL2703 Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 30 В, в корпусе TO-220AB |
| IRL2703S Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 30 В, в корпусе D2-Pak |
| IRL2910 Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 100 В, в корпусе TO-220AB |
| IRL2910L 100 В одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET в корпусе TO-262 |
| ИРЛ2910Н |
| IRL2910S Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 100 В, в корпусе TO-262 |
| IRL3102 Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 20 В, в корпусе TO-220AB |
| IRL3102S Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 20 В, в корпусе D2-Pak |
| IRL3103 Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 30 В, в корпусе TO-220AB |
| IRL3103D1 Fetky 30 В — МОП-транзистор и диод Шоттки в корпусе TO-220AB |
| IRL3103D1S Fetky 30 В — полевой МОП-транзистор и диод Шоттки в корпусе D2-Pak |
| IRL3103D2 Fetky 30 В — МОП-транзистор и диод Шоттки в корпусе TO-220AB |
| IRL3103L 30 В, одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе TO-262 |
| IRL3202 Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 20 В, в корпусе TO-220AB |
| IRL3202S Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором, 20 В, в корпусе D2-Pak |
| IRL3215 HexFET(r) Мощный МОП-транзистор: 150 В, 12 А |
| IRL3302 Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 20 В, в корпусе TO-220AB |
| IRL3302S Одиночный N-канальный мощный МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором, 20 В, в корпусе D2-Pak |
| IRL3303 Одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор HexFET, 30 В, в корпусе TO-220AB |
| IRL3303L 30 В, один N-канальный силовой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором в корпусе TO-262 |
IR180SG06HCB : Тиристоры управления фазой IRFP350PBF: одиночный N-канальный силовой МОП-транзистор с шестигранным полевым транзистором без свинца на 400 В в корпусе TO-247AC AUIRLR014N: N-канальный МОП-транзистор, автомобильный, 55 В, 10 А, TO-252 Технические характеристики: Полярность транзистора: N-канальный; Идентификатор непрерывного тока утечки: 10 А; Напряжение источника стока Vds: 55 В; На сопротивлении Rds (вкл. IPS7091STRLPBF : Pmic — Mosfet, драйвер моста — внутренний переключатель Интегральная схема (ics) Обрезная лента для поверхностного монтажа (CT) 1,5 A 6 В ~ 35 В; IC SWITCH IPS 1CH HI SIDE D2PAK Технические характеристики: Упаковка/кейс: TO-263-5, D²Pak (4 провода + вкладка), TO-263BB; Тип монтажа: поверхностный монтаж; Тип: высокая сторона; Напряжение питания: 6 В ~ 35 В; Сопротивление в открытом состоянии: 80 мОм; Ток-выход/канал: 1,5 А; Ток-пиковая мощность: 5А; Упаковка: Cut Tape (CT); Тип ввода: № AHP27012DXES: 2-ВЫХОД 9МОДУЛЬ ПИТАНИЯ REG PWR 6 Вт DC-DC Технические характеристики: Выходное напряжение: от 11,76 до 12,24 В; Входное напряжение: от 160 до 400 вольт; Выходная мощность: 96 Вт (0,1287 л.с.); Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F) IRFI820G-019: 2,1 А, 500 В, 3 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET Технические характеристики: Полярность: N-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 500 вольт; RDS(вкл. IRG4Ph40K-EPBF: 11 А, 1200 В, N-КАНАЛЬНЫЙ IGBT, TO-247AD Технические характеристики: Полярность: N-канальный; Тип упаковки: TO-247, TO-247AD, 3 контакта; Количество единиц в IC: 1 IRL2203N-010PBF : 92 А, 30 В, 0,01 Ом, N-КАНАЛ, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB Технические характеристики: Полярность: N-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 30 вольт; RDS(вкл.): 0,0100 Ом; Количество единиц в ИС: 1 5962-0521903KXC : 2-ВЫХОДНЫЙ МОДУЛЬ ПИТАНИЯ РЕГИСТРАЦИОННОГО ПИТАНИЯ 12 Вт DC-DC Технические характеристики: Тип упаковки: Другое, ГЕРМЕТИЧНАЯ УПАКОВКА-8 ; Выходное напряжение: от 4,95 до 5,05 вольт; Входное напряжение: от 16 до 40 вольт; Выходная мощность: 12 Вт (0,0161 л.с.); Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F) 5962-9472401HYA : 2-ВЫХОДНЫЙ МОДУЛЬ ПИТАНИЯ REG PWR 100 Вт DC-DC Технические характеристики: Тип упаковки: Другое, FM-12 ; Выходное напряжение: 15 вольт; Входное напряжение: от 16 до 40 вольт; Выходная мощность: 100 Вт (0,1340 л. |
): 0,14 Ом; Rds(on) Испытательное напряжение Vgs: 10 В ; Пороговое напряжение Vgs Тип: — ; Рассеиваемая мощность Pd: 28 Вт; Диапазон рабочих температур: от -55°C до +175°C; Транзистор Са
): 3 Ом; Количество единиц в ИС: 1
с.); Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F)| Та же категория |
2SC839 : ic (мА) = 100 ;; VCBO(V) = 35 ;; ВСЕО(В) = 30, APT50M80B2VR : . Power MOS — это новое поколение высоковольтных N-канальных мощных полевых МОП-транзисторов. Эта новая технология сводит к минимуму эффект JFET, увеличивает плотность упаковки и снижает сопротивление в открытом состоянии. Power MOS V также обеспечивает более высокую скорость переключения за счет оптимизированного расположения затворов. Идентичен s: T-MAXTM или TO-264 Package Более быстрое переключение, меньшая утечка, непрерывный. BDV66 : IC(A) = 16, VCBO(V) = 60, VCEO(V) = 60, PD(W) = 125, Пакет = TO-3P, HFE(Min/Max) = -, IC/ VCE(A/V) = -, VCE(SAT)(V) = 2,0, ic/IB(A/мА) = 10/40. BYD123 : BYD123; Сверхбыстрый выпрямитель с малыми потерями. Пассивированное стекло. FQB7P06 : 60 В P-канальный QFET. Эти полевые транзисторы с улучшенным P-каналом производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild планарной полосовой технологии DMOS. Эта передовая технология была специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и выдерживания импульсов высокой энергии в лавинном и коммутационном режимах. Эти устройства. HAT2036R : Мощный МОП-транзистор. Что касается изменения названий, упомянутых в документе, таких как Hitachi Electric и Hitachi XX, в Renesas Technology Corp. IXTh21N80 : Megamos(tm) Fet N-канальный режим расширения: 800v, 11a. Условия испытаний до 150С; RGS 1 M Непрерывный переходный процесс = 25°C, ширина импульса ограничена TJM 11N80 13N80 Максимальная температура вывода для пайки в мм (0,062 дюйма) от корпуса в течение 10 с Корпуса, соответствующие международным стандартам Низкий RDS (вкл.) Процесс HDMOSTM Прочная структура ячейки затвора из поликремния Низкая индуктивность корпуса 5 nH) — легко управлять и защищать Быстрое время переключения. 03028BR562WJU : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 6,3 В, BR, 0,0056 мкФ, ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ, 0603. s: Конфигурация/Форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: многослойная; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: керамический состав; Диапазон емкости: 0,0056 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 5 (+/- %); WVDC: 6,3 вольт; Тип монтажа: технология поверхностного монтажа. B380C1200W : 1,2 А, 900 В, КРЕМНИЕВЫЙ, МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД. s: Тип диода: МОСТОВОЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД ; Применение диодов: выпрямитель; ЕСЛИ: 50000 мА; Комплектация: CASE R-6, 4 PIN ; Количество выводов: 4; Количество диодов: 4. C13003A : 1,5 А, 400 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-126. s: Полярность: NPN ; Тип упаковки: ПЛАСТИКОВАЯ УПАКОВКА-3. C3A5K1JT : РЕЗИСТОР, ПРОВОЛОЧНЫЙ, 3 Вт, 5 %, 200 частей на миллион, 5100 Ом, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: Категория/применение: Общее использование; Технология/конструкция: Wirewound; Монтаж/упаковка: Сквозное отверстие, Осевые выводы, С ОСЕВЫМИ ВЫВОДАМИ, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS; Диапазон сопротивления: 5100 Ом; Допуск: 5 +/- %; Температурный коэффициент: 200 ±ppm/°C; Номинальная мощность: 3 Вт (0,0040, DTC123Y-AE3-R : 100 мА, 50 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN ; Тип упаковки: SOT23, SOT-23, 3 PIN. K1VZL09 : 12 В, SIDAC. s: Тип упаковки: 1F, 2 PIN; Количество выводов: 2. M39006/22-0064H : КОНДЕНСАТОР ТАНТАЛОВЫЙ, НЕТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 15 В, 33 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНЫМ ОТВЕРСТИЕМ. s: конфигурация/форм-фактор: конденсатор с выводами; Приложения: общего назначения; Электролитические конденсаторы: танталовые ; : поляризованный; Диапазон емкости: 33 мкФ; Допустимое отклонение емкости: 20 (+/- %); WVDC: 15 вольт; Способ крепления: сквозное отверстие; Рабочая температура: от -55 до 85 C (-67, MBR1620-BP : 8 А, 20 В, КРЕМНИЕВЫЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-220AC. s: Конфигурация/технология выпрямителя: Шоттки; Упаковка: СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, ПЛАСТИКОВАЯ УПАКОВКА-2; Количество диодов: 1 ; ВРРМ: 20 вольт; ЕСЛИ: 8000 мА; Соответствует RoHS: RoHS. NVTFS5124PLTAG : 60 В, 0,38 Ом, P-КАНАЛ, Si, POWER, МОП-транзистор. s: Полярность: P-канал; MOSFET Режим работы: Улучшение; V(BR)DSS: 60 вольт; RDS (вкл. SPW21050R00GSL : РЕЗИСТОР, УГЛЕРОДНАЯ ПЛЕНКА, 40 Вт, 2 %, 250 частей на миллион, 50 Ом, КРЕПЛЕНИЕ НА ШАССИ. s: Категория/применение: Общее использование; Технология/конструкция: CarbonFilm; Монтаж/упаковка: шасси на болтах; Диапазон сопротивления: 50 Ом; Допуск: 2 +/- %; Температурный коэффициент: 250 ±ppm/°C; Номинальная мощность: 40 Вт (0,0536 л.с.); Рабочая температура: 25 C (77 F). UFZT851 : 6 А, 60 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN ; Тип упаковки: SOT223, SOT-223, 4 контакта. 2SPT6341SD : 25 А, 125 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN ; Тип упаковки: 0,170 х 0,180 дюйма, DIE-2. 5302DG-T60-K : 2 А, 400 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-126. s: Полярность: NPN ; Тип упаковки: ПАКЕТ БЕЗ ГАЛОГЕНА-3. |
Высокая максимальная рабочая температура. Низкий ток утечки. Превосходная стабильность. герметично закрыты и не подвержены усталости, так как коэффициенты расширения всех используемых деталей согласованы. Цилиндрический стеклянный корпус SOD81 без полостей, изготовленный по технологии ImplotecTM(1). Этот пакет ОГРАНИЧИВАЕТ ЗНАЧЕНИЯ В соответствии с Абсолютом.
Полупроводниковые операции Mitsubishi Electric и Hitachi были переданы Renesas Technology Corporation 1 апреля 2003 года. Эти операции включают микрокомпьютер, логику, аналоговые и дискретные устройства, и микросхемы памяти.
): 0,3800 Ом; Тип упаковки: 3,30 X 3,30 ММ, СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, CASE 511AB, WDFN-8; Количество единиц в IC: 1.irl2505, irl2505 Производители, поставщики и оптовая торговля
irl2505, irl2505 Производители, поставщики и оптовая торговля — Tradechina.
com0053(электронные компоненты и расходные материалы) IRL2505PBF IRL2505
USD $ 0,01 — 0
> = 1 кусок
MEORIET Import & Export Co.LTD
Inquire
ADD
3
inclive
ADD
3
QUISTION
ADD
3 9053
infort
ADD
3 9053 9051 in 9051 in 9051 in 9051. 1,05 долл. США — 0
>=10000000 шт.0053
>=10 Piece
Meorient Import & Export Co.LTD
Enquire
Add
IRL2505PBF TO-220 IRL2505 TO220 new MOS FET transistor
USD $ 0.05 — 0
>=10 Piece
Meorient Import & Export Co.
LTD
Запросить
Добавить
(Электронные компоненты) IRL2505
USD $ 0,10 — 0
>=1 шт.0051 Add
Original new IC components IRL2505PBF IRL2505
USD $ 0.50 — 0
>=10 Piece
Meorient Import & Export Co.LTD
Enquire
Add
IRL2505 TO-220 Transistor Supplier
USD $ 0.10 — 0
>=1 Шт.0053
Meorient Import & Export Co.LTD
Запросить
Добавить
Дешевая цена по прейскуранту завода-изготовителя IRL2505 TO-220 Пожалуйста, свяжитесь с бизнесом в тот же день. Import & Export Co.LTD
Запросить
Добавить
(интегральные компоненты) IRL2505S
0,10 долл.
США — 0
>=1 шт.0051 Добавить
L2505S IRL2505S TO -263 55V 104A
USD $ 0,10 — 0
> = 1 штука
MEORIEent Import & Export CO.LTD
QUIND
ADD
9053 9053 903 0,15 — 0>=1 шт.
Meorient Import & Export Co.LTD
Запросить
Добавить
Горячие продажи IRL2505PBF TO-220 IRL2505 TO220 новый MOS FET транзистор Электронный компонент
0 $ 09 USD
$0053
>=1 Шт.
Meorient Import & Export Co.LTD
Запросить
Добавить
IRL2505PBF TO-220 IRL2505 TO220 новый МОП-транзистор на полевых транзисторах
0,10 долл. США — 0
Импорт 5 Co.LT & Ориентир
0053
Enquire
Add
(Hot offer) IRL2505S
USD $ 0.
60 — 0
>=1 Piece
Meorient Import & Export Co.LTD
Enquire
Add
(MOSFET) IRL2505S
USD 0,10 долл. США — 0,96
> = 1 часть
Meorient Import & Export Co.LTD
ANKRITE
Добавить
(электронные компоненты) IRL2505
USD $ 0,10 — 0
> 10053
9053. Экспорт общество с ограниченной ответственностью
Запросить
Добавить
IRL2505S TO-263 Перед заказом ПОВТОРНО ПРОВЕРИТЬ предложения, различные электронные компоненты, интегральные схемы, чип IC
USD $ 0,15 — 0
>=1 шт.
9030 Co.LTDInquire
Добавить
Оригинальный IRL2505PBF IRL2505 TO -220 MOS 55V 104A N MOSFET
USD $ 0,30 — 0
> = 1 POACE
1 MEORIT Import.
0053
Добавить
(электронные компоненты) IRL2505PBF IRL2505
долл. США 0,01 — 0
> = 1 часть
Import & Export Co.LTD
. $ 1.05 — 0
>=10000000 шт.0053
>=1 шт.
Meorient Import & Export Co.LTD
Запросить
Добавить
Добавить
(в наличии) новые и оригинальные микросхемы IRL2505 TO-220 pcba pcb bom smt service
Meorient Import & Export Co.LTD
Запросить
Добавить
L2505S IRL2505S TO-263 Цифро-аналоговые преобразователи
0,10 долл. США — 0
ОООEnquire
Add
IRL2505 Brand new genuine original IC stock Professional BOM supplier spot goods
USD $ 1.
99 — 0
>=10 Piece
Meorient Import & Export Co.LTD
Enquire
Add
Электронные компоненты IRL2505S на складе
USD $ 0,25 — 0
>=3 шт.0053
USD $ 0.10 — 0
>=1 Piece
Meorient Import & Export Co.LTD
Enquire
Add
(hot offer) IRL2505S
USD $ 0.22 — 0
>=1 Piece
Meorient Import & Export Co.LTD
Enquire
Add
IC Chip for AD8051AR IRL2505
USD $ 0.15 — 0
>=1 Piece
Meorient Import & Export Co.LTD
Enquire
Add
(электронные компоненты) IRL2505
USD 0,10 — 0
> = 1 часть
Meorient Import & Export Co.
LTD
insive
Add
ill2505 (ICS CHIPS
Add
ill2505 (ICS COPIRE
. 0
>=10 шт.
Meorient Import & Export Co.LTD
Запросить
Добавить
IRL2505S (IC Chips Electronic Components)
0,58 долл. США — 0 0 5 = 1 шт.0305 Meorient Import & Export Co.LTD
Inquire
Добавить
(электронные компоненты) IRL2505PBF IRL2505
USD $ 0,01 — 0
> = 1 POECT
MEORIent Import. 10 шт.0053
Add
IC Transistor IRL2505S TO-263 New Original
USD $ 0.01 — 0
>=100 Piece
Meorient Import & Export Co.
Похожие записи
