K2611 транзистор характеристики. Силовые IGBT и MOSFET транзисторы: характеристики, применение, сравнение

alexxlabРазное
Какие основные характеристики имеют силовые IGBT и MOSFET транзисторы. Как выбрать подходящий транзистор для конкретного применения. В чем преимущества и недостатки IGBT по сравнению с MOSFET. Как проверить работоспособность силового транзистора.

Содержание

Основные характеристики силовых IGBT и MOSFET транзисторов

Силовые IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) и MOSFET (полевые транзисторы со структурой металл-оксид-полупроводник) являются ключевыми компонентами современной силовой электроники. Рассмотрим их основные характеристики:

Ключевые параметры IGBT транзисторов:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) — до 6500 В
  • Максимальный ток коллектора (IC) — до 1200 А
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) — 1,5-3 В
  • Время включения/выключения — единицы мкс
  • Рабочая частота — до 100 кГц

Основные параметры MOSFET транзисторов:

  • Максимальное напряжение сток-исток (VDSS) — до 1500 В
  • Максимальный ток стока (ID) — до 500 А
  • Сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) — единицы мОм
  • Время включения/выключения — десятки нс
  • Рабочая частота — до единиц МГц

Как видно, IGBT способны работать с более высокими напряжениями и токами, но на меньших частотах по сравнению с MOSFET.


Применение силовых IGBT и MOSFET транзисторов

Области применения этих типов транзисторов во многом пересекаются, но есть и характерные различия:

Типичное применение IGBT:

  • Преобразователи частоты для электроприводов
  • Источники бесперебойного питания большой мощности
  • Сварочные инверторы
  • Индукционный нагрев
  • Тяговые преобразователи на транспорте

Основные сферы применения MOSFET:

  • Импульсные источники питания
  • DC/DC преобразователи
  • Драйверы электродвигателей малой и средней мощности
  • Автомобильная электроника
  • Высокочастотные усилители мощности

IGBT чаще используются в высоковольтных применениях большой мощности, а MOSFET — в низковольтных схемах, требующих высокого быстродействия.

Сравнение IGBT и MOSFET транзисторов

Каковы основные преимущества и недостатки IGBT по сравнению с MOSFET?

Преимущества IGBT:

  • Способность работать с более высокими напряжениями и токами
  • Меньшие потери проводимости при больших токах
  • Более простое управление затвором
  • Устойчивость к короткому замыканию

Недостатки IGBT:

  • Более низкая рабочая частота
  • Большее время переключения
  • Наличие «хвостового» тока при выключении
  • Более высокая стоимость

Таким образом, выбор между IGBT и MOSFET зависит от конкретного применения и требований к параметрам схемы.


Как выбрать подходящий силовой транзистор

При выборе силового IGBT или MOSFET транзистора следует учитывать следующие факторы:

  • Максимальное рабочее напряжение схемы
  • Максимальный рабочий ток
  • Требуемая рабочая частота
  • Допустимые потери мощности
  • Температурный режим работы
  • Стоимость и доступность компонента

Для высоковольтных применений (>1000 В) и больших токов (>100 А) обычно выбирают IGBT. Для частот выше 100 кГц лучше подойдут MOSFET. При промежуточных параметрах нужно сравнивать конкретные модели транзисторов.

Проверка работоспособности силовых транзисторов

Как проверить исправность силового IGBT или MOSFET транзистора?

Проверка IGBT транзистора:

  1. Измерить сопротивление между коллектором и эмиттером — должно быть высоким
  2. Измерить сопротивление между затвором и эмиттером — должно быть очень высоким
  3. Подать небольшое напряжение на затвор и проверить открытие транзистора
  4. Проверить отсутствие утечек при закрытом состоянии

Проверка MOSFET транзистора:

  1. Измерить сопротивление между стоком и истоком — должно быть высоким
  2. Измерить сопротивление между затвором и истоком — должно быть очень высоким
  3. Подать небольшое напряжение на затвор и проверить открытие канала
  4. Проверить отсутствие утечек при закрытом состоянии

Для точной диагностики рекомендуется использовать специальные тестеры транзисторов.


Типичные неисправности силовых транзисторов

Какие неисправности чаще всего возникают у силовых IGBT и MOSFET транзисторов?

  • Пробой изоляции затвора
  • Короткое замыкание между выводами
  • Увеличение тока утечки
  • Деградация параметров из-за перегрева
  • Разрушение кристалла при перегрузке по току

Основными причинами выхода из строя являются превышение предельных режимов эксплуатации, перегрев, электростатический разряд и механические повреждения. Для повышения надежности важно обеспечить правильные режимы работы и температурный режим транзисторов.

Новые тенденции в развитии силовых транзисторов

Каковы основные направления развития технологий силовых IGBT и MOSFET транзисторов?

  • Увеличение рабочих напряжений и токов
  • Снижение потерь проводимости и переключения
  • Повышение рабочей температуры и надежности
  • Уменьшение размеров кристалла и корпуса
  • Интеграция дополнительных функций защиты
  • Применение новых материалов (SiC, GaN)

Развитие технологий позволяет создавать все более эффективные и надежные силовые транзисторы, расширяя возможности силовой электроники.



Справочник по MOSFET транзисторам

20 – 25 В

IRF3717PBF

20V, 20A, 4.4 mOhm, 22 nC Qg, SO-8

IRF8252PBF

25V, 25A, 2.7 mOhm, 35 nC Qg, SO-8

IRF6201PBF

20V, 27A, 2.45 mOhm, 130 nC Qg, 2.5V drive capable

30 В

IRFTS8342TRPBF

30V, 8.5A, 21mOhm, TSOP-6

IRF8707PBF

30V, 11A, 11. 9 mOhm, 6.2 nC Qg, SO-8

IRF8714PBF

30V, 14A, 8.7 mOhm, 8.1 nC Qg, SO-8

IRF8721PBF

30V, 14A, 8.5 mOhm, 8.3 nC Qg, SO-8

IRF8736PBF

30V, 18A, 4.8 mOhm, 17 nC Qg, SO-8

IRF8734PBF

30V, 21A, 3.5 mOhm, 20 nC Qg, SO-8

IRF7862PBF

30V, 21A, 3.3 mOhm, 30 nC Qg, SO-8

IRF8788PBF

30V, 24A, 2.8 mOhm, 44 nC Qg, SO-8

IRL6342PBF

30V, 9. 9A, 14.6 mOhm, 11 nC Qg, 2.5V drive capable

IRLTS6342TRPBF

30V, 8.5A, 20mOhm, 2.5V drive capable, TSOP-6

40 В

IRF7842PBF

40V, 18A, 5 mOhm, 33 nC Qg, SO-8

55 — 60 В

IRF7855PBF

IGBT транзисторы. Справочник. Характеристики и параметры.

Отечественные производители IGBT (БТИЗ) транзисторов

IGBT справочник составлен из транзисторов, входящих в прайсы интернет-магазинов. Кроме того, приведены близкие по параметрам MOSFET транзисторы, которые могут составить конкуренцию IGBT (а где-то и лучше, если главным параметром становится быстродействие).

IGBT транзисторы на напряжение до 600В   IGBT транзисторы на напряжение до 1200В   IGBT транзисторы частотой 1-5 кГц   IGBT транзисторы с максимальной частотой до 20кГц   Высокочастотные IGBT транзисторы  
IGBT транзисторы Без диода   CoPack IGBT транзисторы С диодом   Показать все  

Основные характеристики IGBT.

IGBT MOSFETPDFImax, A/
Uce(on),В		КорпусПримечание
Указан максимальный допустимый постоянный ток при Ткорп=100ºС и типичное падение напряжения при этом токе и Тj=150ºС		  

1. IGBT транзисторы на напряжение до 600В

IRG4IBC20UD 6.0/1.87ТО-220FUFAST, диод,
изолир корп		 справочные данные на IGBT транзистор в изолированном корпусе IRG4IBC20UD
IRG4IBC20KD 6.3/2.05ТО-220FFAST,диод,КЗ уст,
изолир крп		  
IRG4BC20UD IRF8406.5/1.87ТО-220UFAST, диодIGBT и MOSFET транзисторы, аналогичные по характеристикам
IRG4BC20W 6.5/2.05ТО-220FAST ультрабыстрый IGBT транзистор IRG4BC20W, справочные данные
IRG4BC15UD SPP11N607.8/2.21ТО-220UFAST, диодIGBT и MOSFET транзисторы
IRG4IBC30UD SPP17N808. 9/1.90ТО-220FUFAST, диод,
изолир корп		IGBT и MOSFET транзисторы, близкие по характеристикам
IRG4BC30W-S 12/1.95D2pakUFAST IGBT транзистор IRG4BC30W для корректоров мощности, справочные данные
IRGS10B60KD 12/2.20D2pakдиод, КЗ устIGBT транзистор с диодом IRGS10B60KD, характеристики
IRG4RC20F 12/2.04D2pakIGBT транзистор для поверхностного монтажа IRG4RC20F
IRG4BC30U
IRG4PC30U
12/2.09ТО-220
TO-247		UFAST ультрабыстрые IGBT транзисторы IRG4BC30U и IRG4PC30U,, справочные данные
HGTP12N60C3 12/1.85ТО-220КЗ устIGBT транзистор HGTP12N60C3, справочные данные
HGTP12N60C3D 12/1. 85ТО-220диод, КЗ уст IGBT транзистор с антипараллельным диодом HGTP12N60C3, справочные данные
IRG4BC30W
IRG4PC30W		 SPP20N60
SPW20N60
12/1.95TO-220
ТО-247		UFAST IGBT транзисторы для корректоров мощности IRG4PC30W и близкие по характеристикам MOSFET транзисторы
IRG4BC30UD
IRG4PC30UD		 BUZ30A
IRFP460
12/2.09TO-220
ТО-247		UFAST, диодультрабыстрый IGBT транзистор с диодом IRG4PC30UD, характеристики и близкие MOSFET аналоги
HGTG12N60B3 12/1.70ТО-247FASTHGTG12N60B3 — ультрабыстрый IGBT транзистор, характеристики
HGTG12N60C3D 12/1.85ТО-247диод, КЗ устHGTG12N60C3 — IGBT транзистор с диодом, параметры
SKP15N60 IRFP360
IRFP22N60		15/2. 30ТО-220UFAST,диод,КЗ устSKP15N60 — ультрабыстрый IGBT транзистор с диодом в корпусе TO-220, характеристики и близкие MOSFET аналоги
IRG4BC30K-S
IRG4BC30K		 
16/2.36 D2Pak
TO-220		FAST,КЗ устIRG4BC30K-S и IRG4BC30K — IGBT транзисторы, оптимизированные под управление электродвигателями
IRG4BC30KD-S
IRG4BC30KD
IRG4PC30KD		 IRFP27N60

16/2.36 D2Pak
TO-220
TO-247		FAST,диод,КЗ устультрабыстрые IGBT транзисторы IRG4BC30KD-S, IRG4BC30KD, IRG4PC30KD, справочные данные, MOSFET транзистор IRFP27N60
IRG4BC30FD-S
IRG4PC30FD		 
17/1.70D2Pak
TO-247		+ диодIGBT транзисторы IRG4BC30FD и IRG4PC30FD с низким падением напряжения, справочные данные
IRG4BC30F 17/1. 70ТО-220IGBT транзистор IRG4BC30F с низки падением напряжения
IRG4PC30S 18/1.45ТО-247 IGBT транзистор IRG4PC30S с низким падением напряжения
IRGS8B60K 19/2.70D2pakКЗ устIGBT транзистор IRGS8B60K, справочные данные
IRG4BC40U
IRG4PC40U		 IRFP27N60
20/1.70ТО-220
TO-247		UFASTхарактеристики IGBT транзисторов IRG4BC40U и IRG4PC40U, MOSFET транзистор IRFP27N60 с аналогичными параметрами
IRG4PC40UD IRFP31N50
IRFP27N60		20/1.70ТО-247UFAST, диодIGBT и MOSFET транзисторы, близкие по характеристикам
IRG4BC40W
IRG4PC40W		 
20/1. 90ТО-220
TO-247		UFASTIGBT транзисторы для PFC IRG4BC40W и IRG4PC40W
HGTG20N60B3 20/2.10ТО-247FAST, КЗ устультрабыстрый IGBT транзистор HGTG20N60B3, характеристики
HGTG20N60B3D 20/2.10ТО-247FAST,диод,КЗ устIGBT с антипараллельным диодом HGTG20N60B3D, справочные данные
IRGB20B60PD1
IRGB20B60PD		 
22/3.30ТО-20
TO-247		UFAST, диод ультрабыстрый IGBT транзистор IRGB20B60PD с диодом
IRGP4062D IRFPS40N6024/2.03ТО247UFAST,диод,КЗ устультрабыстрый IGBT и MOSFET транзисторы IRGB20B60PD и IRFPS40N60, характеристики
IRG4PC40K25/2.14ТО-247FAST, КЗ уст быстрый IGBT транзистор IRG4PC40K на ток до 25А
IRG4PC40KD25/2. 14ТО-27FAST, диод, КЗ устIGBT с диодом IRG4PC40KD
IRG4BC40F
IRG4PC40F		 
27/1.6ТО-220
TO-247		IGBT с низким падением напряжения IRG4PC40F, среднечастотного диапазона
IRG4PC40FD 27/.56ТО-247+диод  
IRG4PC50UD IRFPS40N5027/1.60ТО-247UFAST, диодультрабыстрый IGBT транзистор с диодом IRG4PC50UD, справочные данные
IRG4PC50W27/1.71ТО-247UFASTIGBT и MOSFET транзисторы IRG4PC50W и IRFPS40N50, справочные данные
SGP30N6030/2.50ТO-220FAST, КЗ устIGBT транзистор SGP30N60, устойчивый к короткому замыканию
SGW30N6030/2. 50ТО-247FAST, КЗ устIGBT транзистор SGW30N60, характеристики и параметры
IRG4PC50K 30/1.84ТО-247FAST, КЗ уст.igbt IRG4PC50K на ток до 30А
IRG4PC50KD 30/1.84ТО-247FAST,диод,КЗ уст.igbt транзистор IRG4PC50KD с диодом, на ток до 30А
IRGP35B60PD 34/3.00ТО-247UFAST, диодультрабыстрый igbt с диодом IRGP35B60PD, характеристики
IRG4PC50F 39/1.53ТО-247мощный медленный, но зато с низким падением напряжения igbt IRG4PC50F
IRG4PC50FD 39/1.53ТО-247+диодмощный igbt транзистор с диодом IRG4PC50FD
HGTG40N60B3IPW60R04540/1. 50ТО-247FAST, КЗ устУльтрабыстрые IGBT транзисторы HGTG40N60B3, справочные данные
IRG4PC50S 41/1.28ТО-247 мощные IGBT транзисторы IRG4PC50S, параметры
IRGP50B60PD1 45/3.10ТО-247UFAST,диод мощный ультрабыстрый IGBT транзистор с диодом IRGP50B60PD, характеристики
IRGP4063D 48/2.05ТО-247UFAST,диод,КЗ устмощный IGBT IRGP4063D — транзистор, устойчивый к короткому замыканию
IRGP4068D 48/2.05ТО-247UFAST,диод,КЗ устмощный IGBT транзистор, устойчивый к короткому замыканию IRGP4068D
IRGS30B60K
IRGB30B60K		 50/2.60D2pak
ТО-220		КЗ уст.мощные IGBT транзисторы IRGS30B60K и IRGB30B60K
SGW50N6050/3.15ТО-247FAST, КЗ устмощный быстрый IGBT транзистор SGW50N60, устойчивый к короткому замыканию
IRG4PSC71K60/1.81S-247FAST,КЗ устмощный быстрый IGBT транзистор IRG4PSC71K, устойчивый к короткому замыканию
IRG4PSC71KD60/1.81S-247FAST,диод,КЗ устмощный быстрый IGBT транзистор IRG4PSC71KD, с диодом, устойчивый к короткому замыканию
IRG4PSC71U60/1.71S-247UFASTмощный ультрабыстрый IGBT транзистор IRG4PSC71U
IRG4PSC71UD IRFP466860/1.71S-247UFAST, диодмощный ультрабыстрый IGBT транзистор с диодом IRG4PSC71UD и MOSFET транзистор IRFP4668
IXGH60N60C260/1. 80TO-247UFASTмощный ультрабыстрый IGBT транзистор IXGH60N60C2 и близкий по току MOSFET

2. IGBT транзисторы на напряжение до 1200В

SGP02N1202.8/3.70ТО-220FAST, КЗ уст igbt 1200v, 2.8A
IRG4Ph30K IRFPG505.0/2.84О-247КЗ устigbt на ток до 5А
IRG4Bh30K-S5.0/2.842PakКЗ устigbt на напряжение до 1200В
SGP07N1208.0/3.70ТО-220FAST, КЗ устультрабыстрый igbt, напряжение до 1200В
IRG4Ph40K10/3.01ТО-247FAST, КЗ устультрабыстрый igbt транзистор, напряжение до 1200В
IRG4Ph40KD10/3. 01ТО-247FAST, диод,КЗ устультрабыстрый igbt с диодом, ток до 10А
IRG4Ph50KD15/2.53ТО-247FAST, диод,КЗ устigbt с диодом, ток до 15А
BUP20315/4.00ТО-220FAST, 1000ВIGBT транзистор BUP203, характеристики
SKW15N12015/3.70ТО-247FAST,диод,КЗ устigbt с диодом, ток до 10А
IRG7Ph40K10D 16/2.60ТО-247FAST,диод,КЗ уст.ультрабыстрый IGBT транзистор IRG7Ph40K10D, справочные данные
BUP314S17/4.60ТО-21FASTigbt, ток до 17А
IRGPh50F17/3.00ТО247транзистор igbt, напряжение до 1200В
BUP21320/3. 60ТО-220FASTтранзистор igbt, ток до 20А
IRGP20B120U-E 20/3.89ТО-247UFAST, КЗ ст.транзистор igbt, напряжение до 1200В
IRGP20B120UD-E 20/3.89ТО-247UFAST,диод,КЗ ут.транзистор igbt, ток до 20А
IRG4Ph50U 21/2.47ТО-247UFASTтранзистор igbt, ток до 21А
IRG4Ph50UD 21/2.47ТО-247UFAST, диодвысоковольтный транзистор igbt, ток до 21А
IRG7Ph40K10IPW90R12023/4.00ТО-247КЗ уст.IGBT транзистор IRG7Ph40K10, подробные характеристики
IRG4PH50KD24/2.54ТО-247FAST, диод,КЗ ус  
IRG4PH50U24/2. 54ТО-247UFAST  
IRG4PH50UD24/2.54ТО-247UFAST, диод  
SGW25N12025/3.70ТО-247FAST, КЗ уст  
SKW25N12025/3.70ТО-247FAST,диод,КЗ уст  
IRG4PF50W28/2.12ТО-247UFAST, 900В  
IRG4PF50WD28/2.12ТО-247UFAST, диод, 900В  
IRGP30B120KD 30/2.98ТО-247FAST,диод,КЗ уст.  
BUP31433/3.80ТО-218FAST  
BUP314D33/3.80ТО-218UFAST, диодIGBT транзистор с диодом BUP314D , справочные данные
HGTG27N120B 34/3. 90ТО-247FAST, КЗ уст  
IRGPS40B120U 40/3.88S-247UFAST, КЗ устмощный ультрабыстрый высоковольтный IGBT IRGPS40B120U
IRG4PSH71K 42/2.60S-247FAST, КЗ устмощный быстрый высоковольтный IGBT транзистор IRG4PSH71K
IRG4PSH71KD 42/2.60S-247FAST,диод,КЗ устмощный быстрый высоковольтный IGBT транзистор с диодом IRG4PSH71KD
IRG4PSH71U 50/2.40S-247UFASTмощный ультрабыстрый высоковольтный IGBT транзистор IRG4PSH71U
IRG4PSH71UD 50/2.25S-247UFAST, диод  
IRG7Ph52U 60/3.10ТО-247UFASTмощный ультрабыстрый высоковольтный IGBT транзистор IRG7Ph52U, характеристики
IRGPS60B120KD 60/3. 04S-247FAST,диод, КЗ устмощный IGBT транзистор с диодом IRGPS60B120KD
IRG7PSH73K10 

Как проверить полевой МОП (Mosfet) — транзистор цифровым мультиметром — Интернет-журнал «Электрон» Выпуск №5

В этой статье я расскажу вам, как проверить полевой транзистор с изолированным затвором, то есть МОП-транзистор. Это вторая часть статьи по проверки полевых транзисторов. В первой части я рассказывал, как проверить транзистор с управляющим p-n переходом.

Да, полевые транзисторы с управляющим p-n переходом уходят в прошлое, а сейчас в современных схемах применяются более совершенные полевые транзисторы с изолированным затвором. Тогда предлагаю научиться их проверять.

Но для того, что бы понять, как проверить полевой транзистор, давайте я вам в двух словах расскажу, как он устроен.

Полевой транзистор с изолированным затвором мы знаем под более привычным названием МОП -транзистор (метал -окисел-полупроводник), МДП -транзистор(метал -диэлектрик-полупроводник), либо в английском варианте MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)

Эти аббревиатуры вытекают из структуры построения транзистора. А именно.

Структура полевого MOSFET транзистора.

Для создания МОП-транзистора берется подложка, выполненная из p-полупроводника, где основными носителями заряда являются положительные заряды, так называемые дырки. На рисунке вы видите, что вокруг ядра атома кремния вращаются электроны, обозначенные белыми шариками.

Когда электрон покидает атом, в этом месте образуется «дырка» и атом приобретает положительный заряд, то есть становиться положительным ионом. Дырки на модели обозначены, как зеленые шарики.

На p-подложке создаются две высоколегированные n-области, то есть области с большим количеством свободных электронов. На рисунке эти свободные электроны обозначены красными шариками.

Свободные электроны свободно перемещаются по n-области. Именно они впоследствии и будут участвовать в создании тока через МДП-тназистор.

Пространство между двумя n-областями, называемое каналом покрывается диэлектриком, обычно это диоксид кремния.

Над диэлектрическим слоем располагают металлический слой. N-области и металлический слой соединяют с выводами будущего транзистора.

Выводы транзистора называются исток, затвор и сток.

Ток в МОП-транзисторе течет от истока через канал к стоку. Для управления этим током служит изолированный затвор.

Однако если подключить напряжение между истоком и стоком, при отсутствии напряжения на затворе ток через транзистор не потечет, потому что на его пути будет барьер из p-полупроводника.

Если подать на затвор положительное напряжение, относительно истока, то возникающее электрическое поле будет к области под затвором притягивать электроны и выталкивать дырки.

По достижению определенной концентрации электронов под затвором, между истоком и стоком создается тонкий n-канал, по которому потечет ток от истока к стоку.

Следует сказать, что ток через транзистор можно увеличить, если подать больший потенциал напряжения на затвор. При этом канал становиться шире, что приводит к увеличению тока между истоком и стоком.

МДП-транзистор с каналом p-типа имеет аналогичную структуру, однако подложка в таком транзисторе выполнена из полупроводника n-типа, а области истока и стока из высоколегированного полупроводника p-типа.

В таком полевом транзисторе основными носителями заряда являются положительные ионы (дырки). Для того, что бы открыть канал в полевом транзисторе с каналом p-типа необходимо на затвор подать отрицательный потенциал.

 

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

 

Если поменять полярность щупов, то показания мультиметра будут примерно одинаковыми.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке:

2SK2876 транзистор (2876 N-ch 006A00 0500V TO-220F15 2SK2876 Fuji El)

  1. Продукция
  2. Транзисторы
  3. 2SK….

Производитель: Fuji El

Код товара: Т0000015471

Маркировка: ???

Количество приборов:

Параметры
НаименованиеЗначениеЕдиница измеренияРежим изменения
ПроводимостьN-Channel
Функциональное назначение выводов1=G 2=D 3=S
Напряженик исток-сток500V
Напряжение затвор-исток±35V
Сопротивление исток-сток в открытом состоянии1,5Ohmmax @Vgs=10V@Id=3A
Ток стока6A
Ток стока импульсный24A(pulse)
Энергия импульса коммутируемая196,9mJ
Ток лавинный (Avalanche Current)6A
Время включения13ns20ns max @Vgs=10V@Id=6A@Vcc=300V@Rg=10 Ohm
Время выключения30ns45ns max @Vgs=10V@Id=6A@Vcc=300V@Rg=10 Ohm
Мощность рассеивания30W@25*C (на радиаторе)
Температура рабочая-55. ..+150*C

Экспресс справочник по транзисторам (2SC2500-2SC2999)

Подробности
Опубликовано 20.07.2012 00:45

Экспресс справочник по транзисторам (2SC2500-2SC2999)

Тип проводим. Uкэ, В Iк, А Р, Вт Bст F, Мгц
2SC2500 n-p-n 30 2 0,9 140 150
2SC2501 n-p-n 500 3 40 20 20
2SC2502 n-p-n 500 6 50 20 20
2SC2503 n-p-n 500 8 80 20 20
2SC2504 n-p-n 500 10 100 20 20
2SC2505 n-p-n 500 3 60 20 20
2SC2506 n-p-n 500 6 80 20 20
2SC2507 n-p-n 500 20 200 20 20
2SC2508 n-p-n 40 6 50 10  
2SC2509 n-p-n 40 5 20 20  
2SC2510 n-p-n 60 20 250 10  
2SC2511 n-p-n 60 0,1 0,32 41 150
2SC2512 n-p-n 30 0,05 0,3 30 900
2SC2516 n-p-n 150 5 30 40  
2SC2516A n-p-n 150 5 30 40  
2SC2517 n-p-n 150 5 30 40  
2SC2518 n-p-n 500 5

Характеристики транзистора MJE13009, цоколевка, аналоги

MJE13009 — Кремниевые NPN Силовые Транзисторы.

Отечественный аналог MJE13009

Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Корпусное исполнение, цоколевка MJE13009

  • пластмассовый корпус TO-220С

№1 — База

№2 — Коллектор

№3 — Эмиттер

Характеристики транзистора MJE13009

Предельные параметры MJE13009

Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы (VCBO):

Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера (VCEO):

Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы (VEBO):

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IC):

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (ICM):

Ток эмиттера (IE):

Импульсный ток эмиттера (IEM):

Ток базы (IB):

Импульсный ток базы (IBM):

Общая рассеиваемая мощность (PD):

Максимально допустимая температура перехода (Tj):

Температура хранения (Tstg):

Электрические характеристики транзисторов MJE13009 (Тj=25oС если не указано иное)

Рабочее напряжение коллектор-эмиттеp (VCEO(sus))

  • 400 V при IC = 10 mA, IB = 0

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (VCE(sat))

  • 1 V при IC = 5 A, IB = 1 A
  • 1.5 V при IC = 8 A, IB = 1.6 A
  • 3 V при IC = 12 A, IB = 3 A

Напряжение насыщения база-эмиттеp (VBE(sat))

  • 1.2 V при IC = 5 A, IB = 1 A
  • 1.6 V при IC = 8 A, IB = 1.6 A

Обратный ток эмиттера (IEBO) (IC = 0)

Коэффициент усиления транзистора по току(hFE) при постоянном напряжении коллектор-эмиттеp (VCE) 5 V:

  • 8 — 40 при IC = 5 A
  • 6 — 30 при IC = 8 A

Граничная частота коэффициента передачи тока (fT)

  • 4 MHz при IC = 0.5 A, VCE = 10 V, f = 1MHz

Опубликовано 11.02.2020

% PDF-1.4 % 23 0 obj> endobj xref 23 84 0000000016 00000 н. 0000002361 00000 н. 0000002441 00000 н. 0000003029 00000 н. 0000003074 00000 н. 0000003384 00000 н. 0000003637 00000 н. 0000008540 00000 н. 0000008609 00000 н. 0000008732 00000 н. 0000009074 00000 н. 0000009416 00000 н. 0000009594 00000 н. 0000021077 00000 п. 0000021111 00000 п. 0000023780 00000 п. 0000023891 00000 п. 0000024202 00000 п. 0000024467 00000 п. 0000026115 00000 п. 0000026195 00000 п. 0000026276 00000 п. 0000026404 00000 п. 0000026528 00000 п. 0000026562 00000 п. 0000027004 00000 п. 0000029673 00000 п. 0000030251 00000 п. 0000030362 00000 п. 0000030804 00000 п. 0000031237 00000 п. 0000031402 00000 п. 0000031541 00000 п. 0000031617 00000 п. 0000032642 00000 п. 0000032771 00000 п. 0000033901 00000 п. 0000034813 00000 п. 0000035607 00000 п. 0000036478 00000 п. 0000037363 00000 п. 0000037521 00000 п. 0000037600 00000 п. 0000038784 00000 п. 0000039968 00000 н. 0000041152 00000 п. 0000042329 00000 п. 0000043509 00000 п. 0000043624 00000 п. 0000044185 00000 п. 0000044411 00000 п. 0000045595 00000 п. 0000046779 00000 п. 0000047029 00000 п. 0000047273 00000 п. 0000048235 00000 п. 0000049324 00000 п. 0000050504 00000 п. 0000051677 00000 п. 0000052857 00000 п. 0000086341 00000 п. 0000113889 00000 н. 0000114109 00000 н. 0000115293 00000 н. 0000119001 00000 н. 0000119228 00000 п. 0000119449 00000 н. 0000127931 00000 н. 0000128201 00000 н. 0000128443 00000 н. 0000137183 00000 п. 0000137452 00000 н. 0000137646 00000 н. 0000137932 00000 н. 0000150260 00000 н. 0000150504 00000 н. 0000150687 00000 н. 0000150971 00000 п. 0000154475 00000 н. 0000154708 00000 н. 0000154895 00000 н. 0000155014 00000 н. 0000155144 00000 н. 0000001976 00000 н. трейлер ] >> startxref 0 %% EOF 106 0 obj> поток x ڌ = HQ ޛ}) 5 YCI [s! HdB? 8! RN | AkmBNm! NICD ]% z.Ӥ2C @ + x> ‘I1JfGt} E / #Bw Ƶ $ Wqm4 «FKpƘ5i8c% Rz 팉 mcm2 ** śl2r, ⢓ f5YT} RYemYTΓU?

] n8 [äuKUh = m» O

транзистор k2611 лист данных и примечания к приложению 911001
2006 — К2611

Аннотация: транзистор k2611 toshiba транзистор k2611 toshiba K2611 K2611 toshiba ИНФОРМАЦИЯ О транзисторе K2611 K261-1 Toshiba K2611 Транзистор k2611 2SK2611
Текст: 2SK2611 Полевой транзистор TOSHIBA Кремниевый N-канальный MOS тип (-MOS Relay DC-DCIII) 2SK2611, преобразователь постоянного тока 2SK2611 Применения привода Низкое сопротивление сток-исток во включенном состоянии: RDS (ON) = 1.1 (тип.) Высокая проводимость прямого переноса Единицы: мм: | Yfs | = 7,0 S (тип.) Низкий ток утечки,: Ширина импульса ограничена максимальной температурой канала. Этот транзистор является чувствительным к статическому электричеству устройством, номер детали K2611 (или сокращенный код) Номер партии Линия указывает на корпус без свинца (Pb) или свинец (Pb


Оригинал		 PDF 2SK2611 K2611 транзистор к2611 toshiba транзистор k2611 toshiba K2611 K2611 toshiba ИНФОРМАЦИЯ О K2611 K261-1 транзистор Toshiba K2611 k2611 транзистор 2SK2611
toshiba транзистор k2611

Аннотация: K2611 toshiba K2611 транзистор k2611 K2611 транзистор toshiba Toshiba K2611 k2611 ИНФОРМАЦИЯ о транзисторе K2611 k2611 a K261-1
Текст: 2SK2611 TOSHIBA Полевой транзистор Кремниевый N-канальный MOS Тип (-MOSIII) 2SK2611 Привод двигателя постоянного тока и преобразователь постоянного тока, реле Применение Низкое сопротивление сток-исток в открытом состоянии: RDS (ON) = 1.1 (тип.) Высокая проводимость прямого переноса Единицы: мм: | Yfs | = 7,0 S (тип.) Низкий ток утечки,: Ширина импульса ограничена максимальной температурой канала. Этот транзистор является чувствительным к статическому электричеству устройством, номер детали K2611 (или сокращенный код) Номер партии Линия указывает на корпус без свинца (Pb) или свинец (Pb
Оригинал		 PDF 2SK2611 toshiba транзистор k2611 K2611 toshiba K2611 транзистор к2611 K2611 toshiba транзистор Toshiba K2611 k2611 транзистор ИНФОРМАЦИЯ О K2611 k2611 a K261-1
2010 — К2611

Аннотация: транзистор toshiba k2611 транзистор toshiba k2611 k2611 k2611 схемы toshiba k261 K2611 2sk2611 транзистор транзистор Toshiba K2611
Текст: 2SK2611 полевой транзистор TOSHIBA кремниевый N-канальный МОП-тип (-MOSIII) 2SK2611 преобразователь постоянного тока и преобразователь постоянного тока, реле z Сопротивление в открытом состоянии сток-исток z Высокая проводимость при прямом переходе z Низкий ток утечки z Режим улучшения: RDS (ON) = 1.2 (тип.): | Yfs | = 7,0 с (тип.: Ширина импульса ограничена максимальной температурой канала. Этот транзистор является чувствительным к статическому электричеству устройством, K2611). Для получения подробной информации по вопросам окружающей среды, таким как

, обратитесь к торговому представителю TOSHIBA.
Оригинал		 PDF 2SK2611 K2611 toshiba транзистор k2611 toshiba K2611 транзистор к2611 K2611 toshiba k261 К2611 схемы 2sk2611 транзистор транзистор Toshiba K2611
2009-к2611

Аннотация: транзистор toshiba k2611 транзистор k2611 toshiba k2611 эквивалентный эквивалентный транзистор K2611 k2611 2SK2611 ИНФОРМАЦИЯ ПО K2611 K2611 схемы toshiba K2611
Текст: 2SK2611 Полевой транзистор TOSHIBA Silicon N Channel MOS Type (-MOSIII) 2SK2611 Drive-Motor Converter Применение Низкое сопротивление сток-исток в открытом состоянии: RDS (ON) = 1.1 (тип.) Высокая проводимость прямого переноса Единицы: мм: | Yfs | = 7,0 S (тип.) Низкий ток утечки, ограниченный максимальной температурой канала. Этот транзистор является чувствительным к статическому электричеству устройством. Пожалуйста, подчеркните: [[G]] / СОВМЕСТИМО с RoHS или [[G]] / RoHS [[Pb]] Номер детали TOSHIBA K2611 (или код сокращения

).
Оригинал		 PDF 2SK2611 k2611 toshiba транзистор k2611 транзистор к2611 toshiba k2611 K2611 эквивалент эквивалент транзистора к2611 2SK2611 ИНФОРМАЦИЯ О K2611 K2611 toshiba К2611 схемы
1999 — ТВ системы горизонтального отклонения

Резюме: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ an363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтальное сечение tv горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные отклоняющие системы mosfet горизонтальное сечение в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор
Текст: статьи является введением в работу отклоняющий транзистор.Время переключения, транзисторные технологии. Обозначены различные варианты, которые есть у конструктора силовых транзисторов. Характеристики транзистора разделены на три области: (i) оконечное сопротивление, (ii) схема эмиттера и кратко упомянуты. Мы ограничимся обсуждением транзистора горизонтального отклонения на частотах около 16 кГц. Текущие требования к транзисторному ключу варьируются от 2А до

.
Оригинал		 PDF 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Телевизионные системы горизонтального отклонения MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для телевизора на ЭЛТ Обратный трансформатор ТВ
1999 — ADM6315-31D4ARTZR7

Реферат: ADM6315-29D4ART-RL7 брендирование llv ADM6315-46D3ART транзистор F 463 В / 65e9 транзистор
Текст: СТАНДАРТЫ ТО-253-AA Рисунок 12.Корпус с 4-выводным малым контуром транзистора [SOT-143] (RA-4) Показаны размеры, от -40 ° C до + 125 ° C от -40 ° C до + 125 ° C Описание корпуса 4-выводный малый контурный транзистор [SOT-143 ] 4-выводный малый контурный транзистор [SOT-143] 4-выводный малый контурный транзистор [SOT-143] 4-выводный малый контурный транзистор [SOT-143] 4-выводный малый контурный транзистор

C2611 (Цзянсу) — Транзистор Ё Npn Ј ©

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-92 Транзисторы в пластиковом корпусе

C2611

ТРАНЗИСТОР

НПН

ХАРАКТЕРИСТИКИ

Рассеиваемая мощность
P

CM

: 0.75 Вт

Тамбр = 25

Коллекторный ток
I

CM

: 0,2 А

Напряжение коллектор-база
В

(BR) CBO

: 600 В

Диапазон рабочих температур и температур перехода
T

Дж

т

stg

: -55

С

до +150

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Tamb = 25

, если не указано иное

Параметр

Символ

Условия испытаний

МИН

ТИП

МАКС

БЛОК

Напряжение пробоя коллектор-база

В (BR)

CBO

Ic = 100

А

Я

E

= 0

600

В

Напряжение пробоя коллектор-эмиттер

В (BR)

Генеральный директор

Я

С

= 1 мА, я

В

= 0

400

В

Напряжение пробоя эмиттер-база

В (BR)

EBO

Я

E

= 100

А

Я

С

= 0

7

В

Ток отключения коллектора

Я

CBO

В

CB

= 600 В, I

E

= 0

100

А

Ток отключения коллектора

Я

Генеральный директор

В

CE

= 400 В, I

В

= 0

200

А

Ток отключения эмиттера

Я

EBO

В

EB

= 7 В, я

С

= 0

100

А

ч

FE

1

В

CE

= 20 В, я

С

= 20 мА

10

40

Коэффициент усиления постоянного тока

ч

FE

2

В

CE

= 10 В, я

С

= 0.25 мА

5

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

В

CE

(сб)

Я

С

= 50 мА, я

В

= 10 мА

0,5

В

Напряжение насыщения база-эмиттер

В

BE

(сб)

Я

С

= 50 мА, я

В

= 10 мА

1.2

В

Частота перехода

f

т

В

CE

= 20 В, я

С

= 20 мА

f =

1 МГц

8

МГц

Время падения

т

f

0,3

с

Срок хранения

т

S

Я

С

= 50 мА,

Я

B1

= -I

B2

= 5 мА,


В

CC

= 45 В

1.5

с

КЛАССИФИКАЦИЯ h

FE (1)

Рейтинг

Диапазон

10-15

15-20

20-25

25-30

30-35

35-40

1

2

3


К

–

92

1. БАЗА

2.КОЛЛЕКТОР

3. ЭМИТТЕР

D

б

E

А

А
1

С

л

D1

e

e1

ГАБАРИТНЫЕ РАЗМЕРЫ УПАКОВКИ TO-92

Символ

A
A1
b
c
D
D1
E
e
e1
L

Мин.
3,300
1,100
0,380
0.360
4,400
3,430
4,300

2,440
14,100

0,000

Макс
3,700
1,400
0,550
0,510
4,700

4,700

2,640
14,500
1,600
0,380

Мин.
0,130
0,043
0,015
0,014
0,173
0,135
0,169

0,096
0,555

0,000

Макс
0,146
0,055
0,022
0.020
0,185

0,185

0,104
0,571
0,063
0,015

Размеры в миллиметрах

Размеры в дюймах

0,050 ТИП

1,270TYP

BUL128-K datasheet — Технические характеристики: Тип транзистора: NPN; Напряжение

APT68GA60B2D40 : Igbt — Отдельный дискретный полупроводниковый прибор 121A 600V 520W Standard; IGBT 600V 121A 520W TO-247. s: Тип ввода: Стандартный; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.): 600 В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 121A; Vce (вкл.) (Макс.) @ Vge, Ic: 2.5В при 15В, 40А; Мощность — Макс: 520 Вт; Тип установки: Сквозное отверстие; Упаковка / ящик: TO-247-3; Упаковка: Туба.

IPI030N10N3 G : Fet — одиночный дискретный полупроводниковый прибор 100A 100V 300W сквозное отверстие; МОП-транзистор N-CH 100V 100A TO262-3. s: Тип установки: Сквозное отверстие; Тип полевого транзистора: MOSFET N-Channel, оксид металла; Напряжение стока в источник (Vdss): 100 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 100 А; Rds On (макс.) При Id, Vgs: 3 мОм при 100 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) @ Vds: 14800 пФ.

TPC8018-H (TE12L) : Fet — одиночный дискретный полупроводниковый прибор 18A 30V — поверхностный монтаж; МОП-транзистор N-CH 30V 18A 8-SOP. s: Тип установки: поверхностный монтаж; Тип полевого транзистора: MOSFET N-Channel, оксид металла; Напряжение стока в источник (Vdss): 30 В; Ток — непрерывный сток (Id) при 25 ° C: 18 А; Rds On (макс.) При Id, Vgs: 4,6 мОм при 9 A, 10 В; Входная емкость (Ciss) @ Vds: 2265 пФ @ 10 В; Мощность.

IRFL024NTRPBF : Fet — одиночный дискретный полупроводниковый прибор 2,8 А, 55 В, 1 Вт, поверхностный монтаж; МОП-транзистор N-CH 55V 2.8А СОТ223. s: Тип установки: поверхностный монтаж; Тип полевого транзистора: MOSFET N-Channel, оксид металла; Напряжение стока в источник (Vdss): 55 В; Ток — постоянный сток (Id) при 25 ° C: 2,8 А; Rds On (макс.) При Id, Vgs: 75 мОм при 2,8 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) @ Vds: 400 пФ @ 25 В; Мощность.

BF 5020 E6327 : ВЧ-полевой дискретный полупроводниковый продукт, 25 мА, 8 В, N-канал; МОП-транзистор N-CH 8V 25MA SOT143-4. s: Тип транзистора: N-канальный; Напряжение — номинальное: 8 В; Текущий рейтинг: 25 мА; Коэффициент шума: 1,2 дБ; Частота: 800 МГц; Усиление: 26 дБ; Напряжение — тест: 5 В; Ток — тест: 10 мА; Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.

SQJ463EP-T1-GE3 : Fet — одиночный дискретный полупроводниковый прибор 30A 40V 83W поверхностный монтаж; МОП-транзистор P-CH D-S 40V PPAK 8SOIC. s: Тип установки: поверхностный монтаж; Тип полевого транзистора: P-канал полевого МОП-транзистора, оксид металла; Напряжение стока в источник (Vdss): 40 В; Ток — постоянный сток (Id) при 25 ° C: 30 А; Rds On (макс.) При Id, Vgs: 10 мОм при 18 А, 10 В; Входная емкость (Ciss) @ Vds: 5875 пФ @ 20 В; Мощность.

PR1503S-T : диоды, выпрямитель — одиночный дискретный полупроводниковый прибор 1.5A 200V Стандарт; ДИОД FAST REC 1.5A 200V DO-41. s: Тип диода: Стандартный; Напряжение — обратный постоянный ток (Vr) (макс.): 200 В; Ток — средний выпрямленный (Io): 1,5 А; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) При: 1,2 В при 1,5 А; Время обратного восстановления (trr): 150 нс; Ток — обратная утечка @ Vr: 5A @ 200V; Скорость :.

SBR20M150CTFP : Диоды, выпрямитель — матричный дискретный полупроводниковый прибор, 20 А, 150 В, супербарьер; ДИОД SBR 20А 150В ТО220-3. s: Тип диода: Супер барьер; Конфигурация диода: 1 пара общего катода; Напряжение — обратный постоянный ток (Vr) (макс.): 150 В; Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод): 20А; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) При: 1 В при 20 А; Ток — обратная утечка @ Vr: 12A.

PDS3100-13 : Диоды, выпрямитель — одиночный дискретный полупроводниковый прибор 3A 100V Cut Tape (CT) Schottky; ДИОД SCHOTTKY 3A 100V POWERDI5. s: Тип диода: Шоттки; Напряжение — обратный постоянный ток (Vr) (макс.): 100 В; Ток — средний выпрямленный (Io): 3А; Напряжение — прямое (Vf) (макс.) При: 760 мВ при 3 А; Время обратного восстановления (trr): -; Ток — обратная утечка @ Vr: 100A @ 100V.

ZUMT618TA : Транзистор (bjt) — одиночный дискретный полупроводниковый продукт 1,25A 20V 385mW NPN; ТРАНЗИСТОР NPN 20V 1.25А SC70-3. s: Тип транзистора: NPN; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.): 20В; Ток — коллектор (Ic) (макс.): 1,25 А; Мощность — Макс: 385 мВт; Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин.) При Ic, Vce: 200 при 500 мА, 2 В; Насыщенность Vce (макс.) При Ib, Ic: 250 мВ при 50 мА ,.

BCR 149F E6327 : Транзистор (bjt) — одиночный, дискретный полупроводниковый продукт с предварительным смещением, 70 мА, 50 В, 250 мВт, NPN — с предварительным смещением; ТРАНЗИСТОР NPN DGTL AF TSFP-3. s: Тип транзистора: NPN — с предварительным смещением; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.): 50В; Ток коллектора (Ic) (макс.): 70 мА; Мощность — Макс: 250 мВт; Резистор — База (R1) (Ом): 47К; Резистор — база эмиттера (R2) (Ом) :.

BTA201-600E, 126 : Симисторный дискретный полупроводниковый продукт 1 А, 600 В, логика — чувствительный вентиль; ТРИАК 3-КВАДРАНТНЫЙ 600В 1А ТО-92. s: симистор Тип: логический — чувствительный вентиль; Конфигурация: одиночный; Напряжение — выключенное состояние: 600 В; Ток во включенном состоянии (It (RMS)) (макс.): 1A; Напряжение — запуск затвора (Vgt) (макс.): 1,5 В; Ток — триггер затвора (Igt) (макс.): 10 мА; Ток при удержании (Ih) (макс.): 12 мА.

UNR921FG0L : Транзистор (bjt) — одиночный, дискретный полупроводниковый продукт с предварительным смещением, 100 мА, 50 В, 125 мВт, NPN — с предварительным смещением; TRANS NPN W / RES 30HFE SSMINI.s: Тип транзистора: NPN — с предварительным смещением; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.): 50В; Ток коллектора (Ic) (макс.): 100 мА; Мощность — Макс: 125 мВт; Резистор — База (R1) (Ом): 4,7 кОм; Резистор — база эмиттера (R2) (Ом) :.

CPH5905H-TL-E : Транзистор — дискретный полупроводниковый прибор специального назначения 150 мА 50 В NPN + FET; TRANS NPN / JFET N-CH 15V CPH5. s: Приложения: Усилитель; Тип транзистора: NPN + FET; Напряжение — номинальное: 50 В; Текущий рейтинг: 150 мА; Упаковка / футляр: 5-SMD; Упаковка: лента и катушка (TR); Статус без свинца: без свинца; Статус RoHS: Соответствует RoHS.

DRA2123E0L : Транзистор (bjt) — одиночный, дискретный полупроводниковый продукт с предварительным смещением, 100 мА, 50 В, 200 мВт, PNP — с предварительным смещением; TRANS PNP W / RES 50V 100MA MINI3. s: Тип транзистора: PNP — с предварительным смещением; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.): 50В; Ток коллектора (Ic) (макс.): 100 мА; Мощность — Макс: 200 мВт; Резистор — База (R1) (Ом): 2.2K; Резистор — база эмиттера (R2).

DDTA144EE-7 : Транзистор (bjt) — одиночный, дискретный полупроводниковый продукт с предварительным смещением 30 мА 50 В 150 мВт PNP — с предварительным смещением; TRANS ПРЕДВАРИТЕЛЬНЫЙ PNP 150MW SOT523.s: Тип транзистора: PNP — с предварительным смещением; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (макс.): 50В; Ток коллектора (Ic) (макс.): 30 мА; Мощность — Макс: 150 мВт; Резистор — База (R1) (Ом): 47К; Резистор — база эмиттера (R2) (Ом) :.

.

Похожие записи

21.11.2024 0

Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

19.11.2024 0

Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

19.11.2024 0

Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *