Справочники
- Каталог
- О магазине
- О магазине
- Контакты
- Обратная связь
- Оплата
- Доставка
- Как купить
- Ответы на вопросы
- Сотрудничество
- Правовая информация
- Товары под заказ
- Параметрический фильтр
- Вакансии
- Скидки
- Оплата
- Доставка
- Как купить
- Справочник
- Личный кабинет
- Мои настройки
- Мои заказы
- Моя корзина
- Подписка
- /Справочники
- /Справочник по диодам и диодным мостам
- /Страница не найдена
|
|
GBU1510 от 65 рублей в наличии 883 шт производства YANGJIE TECHNOLOGY GBU1510-YAN
всего в наличии 883 шт
Количество | Цена ₽/шт |
---|---|
1 | 85000″> 215 |
5 | 90 |
25 | 32100″> 81 |
100 | 72 |
250 | 25500″> 65 |
и получите
+9 баллов
Бесплатная доставка
KBJ408G — диодный выпрямительный мост, одинарный, 800 В, 4 А, 4 контакта, трубка KBJ
Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения дополнительных фотографий KBJ408G
Номер детали | КБДЖ408Г |
---|---|
Производитель | Диоды Инкорпорейтед |
Количество на складе | 330950 шт. |
Рыночная цена | — |
Наша лучшая цена | Отправить по электронной почте: [email protected] |
Время доставки | 1 день (возможна отправка сегодня) |
Описание | Диодный выпрямительный мост, одиночный, 800 В, 4 А, 4 контакта, трубка KBJ |
Категория | Дискретный полупроводник |
Семья | Диод |
Соответствует ROHS | Да |
MSL Уровень | КБДЖ408Г |
Загрузить техпаспорт | KBJ408G.![]() |
Запрос коммерческого предложения для KBJ408G
Номер детали
Количество
Целевая цена
Компания
Номер детали | КБДЖ408Г |
---|---|
Пиковый обратный ток | 5 мкА |
Пиковое обратное повторяющееся напряжение | 800 В |
Количество выводов | 4 |
Крепление | Сквозное отверстие |
MSL Уровень | 1 |
Пакет поставщиков | КБЖ |
Пиковое среднеквадратичное обратное напряжение | 560 В |
Размеры продукта | 25,2 х 4,8 х 15,3 мм |
Радиальный жесткий | № |
Максимальная температура обработки | 260 |
Пиковый средний прямой ток | 4 А |
Конфигурация | Одноместный |
Мостовой тип | Однофазный |
Свинцовая отделка | Яркая банка |
Пиковое прямое напряжение | [электронная почта защищена] В |
Пиковый неповторяющийся импульс прямого тока | 120 А |
Рабочая температура | от -65 до 150 °C |
Упаковка | 4KBJ |
Номер запасной части | ЧАСТЬ-KBJ408G |
Вес | Связаться с нами |
Страна происхождения | — |
Связанные детали для KBJ408G
Изображение | Номер детали и торговая марка | Краткое описание и техническое описание в формате PDF |
---|---|---|
CD0603-Z3 Борнс | Стабилитрон, одиночный, 3 В, 5 %, 150 мВт, 2 контакта, корпус 0603 Загрузить спецификацию в формате PDF для CD0603-Z3.![]() | |
1N5919BRLG ПО Полупроводник | Диодный стабилитрон Одиночный 5,6 В 5 % 3 Вт 2-контактный DO-41 T R Скачать техническое описание в формате PDF для 1N5919BRLG.pdf | |
MMSZ43T1G ПО Полупроводник | Диодный стабилитрон Одиночный 43 В 5 % 500 мВт 2-контактный SOD-123 T R Скачать техническое описание в формате PDF для MMSZ43T1G.pdf | |
LBZT52B15T1G Радио Лешань | Диодный стабилитрон Одинарный 15 В 500 мВт 2-контактный SOD-123 T R Скачать техническое описание LBZT52B15T1G в формате PDF.pdf | |
KBU6J-E4 51 Вишай | Диодный выпрямительный мост Одинарный 600 В 6 А 4-контактный Корпус KBU Bulk Скачать техническое описание в формате PDF для KBU6J-E4 51.![]() | |
SZMMBZ5246BLT1G ПО Полупроводник | Диодный стабилитрон Одиночный 16 В 5 % 300 мВт 3-контактный SOT-23 T R Скачать техническое описание SZMMBZ5246BLT1G в формате PDF.pdf | |
MM5Z6V2ST1G ПО Полупроводник | Диодный стабилитрон Одинарный 6,195 В 2% 200 мВт 2-контактный SOD-523 T R Скачать техническое описание в формате PDF для MM5Z6V2ST1G.pdf | |
LMBR0530T1G Радио Лэшань | Диод Шоттки 30 В 0,5 А 2-контактный SOD-123 T R Скачать техническое описание LMBR0530T1G в формате PDF.pdf | |
BAW101 DG B2,215 Nexperia | Диодная коммутация 600 В 0,25 А 4 контакта SOT-143B T R Загрузить техническое описание в формате PDF для BAW101 DG B2,215.![]() | |
MMSZ5256BT1G ПО Полупроводник | Диодный стабилитрон Одинарный 30 В 5 % 500 мВт 2-контактный SOD-123 T R Скачать техническое описание в формате PDF для MMSZ5256BT1G.pdf |
All Manufacturers — Line Card — XILINX AVX KEMET MAXIM MICRON
Distribution Brands
All Manufacturers
Y
Yageo
X
Xilinx
W
WISTRON NEWEB Winbond WILBRECHT LEDCO Weidmuller WeEn Semiconductors (NXP ) Wanshih Electronic W.L. Гор энд Ассошиэйтс, Инк.
V
Vishay Precision Group Vishay Via Technologies VI SYSTEMS
U
Unigen U-Blox
T
TXC(NINGBO)CORPORATION Truly Trident Microsystems Triad Semiconductor TRESMINE Transcend Information Eur Toshiba TOP YANG TECHNOLOGY TOKYO ELECTRON DEVICE Texas Instruments (TI) Telit Location Solutions TELECOM DESIGN TE Connectivity TDK Taoglas TAIYO YUDEN TAITIEN ELECTRONICS(SHENZHEN TAI-SAW TECHNOLOGY
S
Switchcraft Surge Components Supermicro SUNON SUNLORD ELECTRONICS Sumida STMicroelectronics (ST) Simcom SiTimeSL Power SOSHIN Sony SMART Corporation SILICONWARE PRECISION INDUST Silicon Labs Silergy SI-EN TECHNOLOGY Shoulder SHENZHEN DEREN ELECTRONIC Sheng Ye Electricla Sharp Seoul Semiconductor Semtech Seiko Instruments SCHURTER Schaffner Sanyo Sanken SanDisk SAMXON ELECTRONIC COMPONENTS Samtec Samsung Electro-Mechanics Samsung
R
RUBYCON RRC POWER SOLUTIONS ROHM Rochester Electronics Renesas Electronics Realtek Semiconductor Radiocrafts As Radiall
Q
QuickLogic QUECTEL WIRELESS SOLUTIONS Qualcom-RF360 QORVO
P
PTI Package PSE TECHNOLOGY PREMIER MAGNETICS Precidip Power Integrations Pericom Semiconductor PART ELECTRONICS Panduit Panasonic
O
OSRAM Opto Semiconductors Optrex ON Semiconductor OMRON
N
NXP Nuvoton Technology Nordic Semiconductor Nippon ChemiCon Nichicon NIC Components Nexperia NEXENTA SYSTEMS Newport Components NEUROSKY NDK Nan Ya Plastics
M
Murata MPS MOSYS Molex MMD Components MMB NETWORKS Mitsubishi Microparts-Garry Micron Microchip Mellanox Technologies Meanwell Maxwell Technologies Maxiotek Maxim Integrated MAPS MACROBLOCK Macom Technologies
L
Luminus Devices Lumileds Lamborghini Optical Semiconductors LS Litesle RESEARCH Littelfuse Semiconductor Laird
K
Kyocera KOA Speer Kingston Technology Kingbright KEMET
J
JOINSOON ELECTRONICS MFG.