Какие основные признаки используются для классификации биполярных транзисторов. Как подразделяются транзисторы по мощности и частоте. Какие существуют системы обозначений транзисторов. Как классифицируются транзисторы по функциональному назначению.
Основные признаки классификации биполярных транзисторов
Биполярные транзисторы классифицируются по нескольким ключевым признакам:
- Исходный полупроводниковый материал
- Тип проводимости
- Технология изготовления
- Мощность
- Рабочая частота
- Функциональное назначение
Рассмотрим подробнее каждый из этих признаков классификации.
Классификация по исходному материалу
По типу исходного полупроводникового материала транзисторы делятся на:
- Германиевые
- Кремниевые
- Арсенид-галлиевые
Какой материал используется для изготовления транзистора? Германиевые транзисторы были первыми, но сейчас применяются редко из-за ряда недостатков. Кремниевые транзисторы наиболее распространены благодаря оптимальному сочетанию характеристик и технологичности производства. Арсенид-галлиевые транзисторы используются в основном в СВЧ-технике.
Классификация по типу проводимости
По типу проводимости различают:
- p-n-p транзисторы
- n-p-n транзисторы
Тип проводимости определяется последовательностью слоев полупроводника с разным типом проводимости. В p-n-p транзисторах основными носителями заряда являются дырки, в n-p-n — электроны.
Технологические особенности изготовления транзисторов
По технологии изготовления выделяют следующие типы биполярных транзисторов:
- Сплавные
- Планарные
- Эпитаксиально-планарные
- Диффузионно-сплавные
- Меза-планарные
- Меза-эпитаксиально-планарные
Технология изготовления влияет на параметры и характеристики транзисторов. Например, планарная технология позволяет создавать транзисторы с высокой степенью интеграции, а меза-структуры обеспечивают лучшие частотные свойства.
Классификация транзисторов по мощности
По уровню рассеиваемой мощности транзисторы подразделяются на:
- Маломощные (до 300 мВт)
- Средней мощности (от 0,3 Вт до 1,5 Вт)
- Большой мощности (более 1,5 Вт)
Какую мощность способен рассеивать транзистор без риска повреждения? Маломощные транзисторы используются в слаботочных цепях, а мощные — в усилителях и силовых схемах.
Частотная классификация биполярных транзисторов
По граничной частоте транзисторы делятся на:
- Низкочастотные (до 3 МГц)
- Среднечастотные (от 3 МГц до 30 МГц)
- Высокочастотные (от 30 МГц до 300 МГц)
- Сверхвысокочастотные (более 300 МГц)
Граничная частота определяет предельную рабочую частоту транзистора, на которой коэффициент усиления по току падает до единицы. Чем выше граничная частота, тем в более быстродействующих схемах может применяться транзистор.
Функциональная классификация биполярных транзисторов
По функциональному назначению биполярные транзисторы подразделяются на 13 групп:
- Усилительные низкочастотные с нормированным коэффициентом шума
- Усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума
- Усилительные высокочастотные с нормированным коэффициентом шума
- Усилительные высокочастотные с ненормированным коэффициентом шума
- Усилительные сверхвысокочастотные с нормированным коэффициентом шума
- Усилительные сверхвысокочастотные с ненормированным коэффициентом шума
- Усилительные мощные высоковольтные
- Высокочастотные генераторные
- Сверхвысокочастотные генераторные
- Переключающие маломощные
- Переключающие мощные высоковольтные
- Импульсные мощные высоковольтные
- Универсальные
Такая классификация позволяет выбрать транзистор, оптимально подходящий для конкретной схемы по совокупности параметров.
Система обозначений биполярных транзисторов
Для маркировки биполярных транзисторов используется буквенно-цифровая система обозначений. Рассмотрим ее основные элементы:
- 1-й элемент — буква или цифра, обозначающая исходный материал
- 2-й элемент — буква «Т», указывающая на биполярный транзистор
- 3-й элемент — цифра, характеризующая мощность и частотные свойства
- 4-6-й элементы — порядковый номер разработки
- 7-й элемент — буква, обозначающая группу параметров
Например, обозначение КТ315А расшифровывается следующим образом:
- К — кремниевый
- Т — биполярный транзистор
- 3 — маломощный высокочастотный
- 15 — порядковый номер разработки
- А — группа параметров
Особенности классификации полевых транзисторов
Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, имеют свои особенности классификации:
- По виду затвора и способу управления проводимостью канала
- По типу канала (n-канальные и p-канальные)
- По режиму работы (обеднения или обогащения)
Полевые транзисторы подразделяются на следующие основные типы:
- С затвором на основе p-n перехода
- С изолированным затвором (МДП-транзисторы)
- С двумя изолированными затворами
По функциональному назначению полевые транзисторы делятся на усилительные, генераторные и переключательные.
Графические обозначения транзисторов на схемах
Для обозначения транзисторов на электрических схемах используются специальные графические символы. Основные из них:
- Биполярный транзистор p-n-p типа
- Биполярный транзистор n-p-n типа
- Полевой транзистор с каналом n-типа
- Полевой транзистор с каналом p-типа
- Полевой транзистор с изолированным затвором
Правильное понимание и использование графических обозначений важно для чтения и разработки электронных схем.
Влияние классификационных признаков на применение транзисторов
Каждый классификационный признак транзистора влияет на его применение в электронных схемах:
- Материал определяет температурные и шумовые характеристики
- Тип проводимости влияет на полярность схемы
- Мощность определяет возможность применения в силовых схемах
- Частотные свойства важны для высокочастотных и импульсных устройств
- Функциональное назначение указывает на оптимальную область применения
Правильный выбор транзистора с учетом всех классификационных признаков позволяет оптимизировать параметры электронного устройства.
9 Классификация биполярных транзисторов
Классификация биполярных транзисторов проводится по следующим признакам:
По роду исходного материала – германиевые, кремниевые, арсенидогаллиевые.
По типу полярности – р-п-р и п-р-п транзисторы.
По технологическим особенностям – сплавные, планарные, эпитаксиально-планарные, диффузионно-сплавные, меза-планарные, меза-эпитаксиально-планарные и т.п.
По рассеиваемой мощности – маломощные (до 300 мВт), средней мощности (от 0,3 Вт до 1,5 Вт) и большой мощности (более 1,5 Вт).
По граничной частоте – низкочастотные (до 3 МГц), среднечастотные (от 3 МГц до 30 МГц), высокочастотные (от 30 МГц до 300 МГц) и сверхвысокочастотные (более 300 МГц).
По функциональному назначению. По этому признаку биполярные транзисторы подразделяются на 13 групп:
Усилительные низкочастотные (менее 30 МГц) с нормированным коэффициентом шума.
Усилительные низкочастотные (менее 30 МГц) с ненормированным коэффициентом шума.
Усилительные высокочастотные (от 30 МГц до 300 МГц) с нормированным коэффициентом шума.
Усилительные высокочастотные (от 30 МГц до 300 МГц) с нормированным коэффициентом шума.
Усилительные сверхвысокочастотные (более 300 МГц) с нормированным коэффициентом шума.
Усилительные сверхвысокочастотные (более 300 МГц) с ненормированным коэффициентом шума.
Усилительные мощные высоковольтные.
Высокочастотные генераторные.
Сверхвысокочастотные генераторные.
Переключающие маломощные.
Импульсные мощные высоковольтные.
В основу системы обозначений полупроводниковых биполярных транзисторов согласно ОСТ 11 336.038-77 положен семизначный буквенно-цифровой код, первый элемент которого (буква – для приборов широкого применения, цифра – для приборов специального назначения) обозначает исходный полупроводниковый материал. Второй элемент обозначения – буква, определяет подкласс приборов (для биполярных транзисторов буква Т), третий элемент – цифра или буква, определяет один из основных характеризующих данный прибор признаков. Четвертый, пятый и шестой элемент – трехзначной число, обозначающее порядковый номер разработки. Седьмой элемент – буква, характеризует классификацию по параметрам приборов единой технологии.
Для обозначения
материала (первый элемент) используют: Г или 1 – германий
и его соединения; К или 2 – кремний
и его соединения; А или 3 – арсенид галлия; И или 4 –
фосфид индия.
Для обозначения подклассов приборов (второй элемент) используются букву Т – биполярный транзистор.
Значение третьего элемента (цифра), характеризующего основной признак прибора, для биполярных транзисторов определяет рассеиваемую мощность транзистора и его граничную частоту:
1 – рассеиваемая мощность не более 1 Вт и граничная частота не более 30 МГц;
2,3 – рассеиваемая мощность не более 1 Вт и граничная частота более 30 МГц, но не более 300 МГц;
4,5 – рассеиваемая мощность не более 1 Вт и граничная частота более 300 МГц;
6,7 – рассеиваемая мощность более 1 Вт и граничная частота не более 30 МГц;
8 – рассеиваемая мощность более 1 Вт и граничная частота более 30 МГц, но не более 300 МГц;
9 – рассеиваемая мощность более 1 Вт и граничная частота более 300 МГц;
Примеры обозначений:
КТ3107Е – кремниевый
среднечастотный маломощный транзистор,
номер разработки 107, группа Е.
2Т922В – кремниевый
высокочастотный мощный транзистор,
номер разработки 15, группа В.
Классификация биполярных и полевых транзисторов
ТРАНЗИСТОРЫ
РАЗДЕЛ 5.
Классификация транзисторов по их назначению, физическим свойствам, основным электрическим параметрам, конструктивно-технологическим признакам, ввиду исходного полупроводникового материала находят отражение в системе условных обозначений их типов. В соответствии с возникновением новых классификационных групп транзисторов совершенствуется и система их условных обозначений, которая на протяжении последних 15 лет трижды претерпевала изменения.
Система обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.038-77, введен в действие с 1978 г. Базируется на ряде классификационных признаков.
В основу системы обозначений положен семизначный буквенно-цифровой код.
1-й элемент
Буква – для транзисторов широкого применения.
Цифра – для приборов, используемых в устройствах специального назначения.
Рекомендуемые материалы
Обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор.
Для германия и его соединений _______________________________ Г или 1
Для кремния и его соединений ________________________________К или 2
Для соединений галлия (арсенид галлия) для создания
полевых транзисторов _______________________________________А или 3
Для соединений индия (для производства транзисторов
пока не используется) _______________________________________ И или 4
2-й элемент – буква, определяющая подкласс транзистора:
для биполярных транзисторов ________________________________ Т
для полевых транзисторов ___________________________________ П
Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков транзисторов (их функциональных возможностей) используются следующие символы (цифры).
3-й элемент обозначает:
Для биполярных транзисторов:
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью не более
1 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока
(далее – граничной частотой) не более 30 МГц __________________________ 1
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью не более
1 Вт и граничной частотой более 30 МГц, но не более 300 МГц _____________ 2
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью не более
1 Вт и граничной частотой более 300 МГц ______________________________ 4
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью более
1 Вт и граничной частотой не более 30 МГц _____________________________ 7
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью более 1 Вт
граничной частотой более 30 МГц, но не более 300 МГц ___________________ 8
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью более
1Вт и граничной частотой более 300 МГц _______________________________ 9
Для полевых транзисторов:
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью не более
1 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц ___________________ 1
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью не более
1 Вт и максимальной рабочей частотой более 30 МГц,
но не более 300 МГц _________________________________________________ 2
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью не более
1 Вт и максимальной рабочей частотой более 300 МГц ____________________ 4
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью более
1 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц ___________________ 7
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью более
1 Вт и максимальной рабочей частотой более 30 МГц,
но не более 300 МГц _________________________________________________ 8
Для транзисторов с рассеиваемой мощностью более
1 Вт и максимальной рабочей частотой более 300 МГц ____________________ 9
4-й, 5-й, 6-й элементы – трехзначное число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа транзисторов (каждый технологический тип может включать в себя один или несколько типов, различающихся по своим параметрам).
Для обозначения порядкового номера разработки используются числа 101 до 999.
6-й элемент обозначает – буква, условно определяющая классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии (классификационная литера). Используются буквы русского алфавита от А до Я, кроме З, О, Ч.
Дополнительные элементы:
Буква С после 2-го элемента — для обозначения наборов в общем корпусе однотипных транзисторов (транзисторные сборки) не соединенных электрически.
Цифра, написанная через дефис после 7-го элемента — для обозначения безкорпусных транзисторов соответствует следующим модификациям конструктивного исполнения:
С гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки) ___________________ 1
С гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке) ____________________ 2
С жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки) __________________ 3
С жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке) ___________________ 4
С контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без
выводов (кристалл) ____________________________________________________ 5
С контактными площадками на кристаллодержателе (подложке) и без
выводов (кристалл на подложке)_________________________________________ 6
Пример:
КТ2115А – 2 — для устройств широкого применения кремниевый биполярный маломощный (Рмах ≤ 1 Вт) высокочастотный (30 МГц < f гр.
≤ 300 МГц) номер разработки 115, группа А, безкорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе.
2П7235Г — для устройств специального назначения кремниевый полевой в корпусе, мощный (Рмах > 1 Вт), низкочастотный (f мах ≤ 30 МГц), номер разработки 235, группа Г.
ГТ4102Е — для устройств широкого применения германиевый, биполярный в корпусе, маломощный (Рмах ≤ 1 Вт), СВЧ (300 МГц ≤ f гр.), номер разработки 102, группа Е.
Экскурс в историю
У биполярных транзисторов, разработанных до 1964г. и выпускаемых до настоящего времени, условные обозначения состоят из 3-х элементов:
1-й элемент:
Буква П — характеризует класс биполярных транзисторов (от «полупроводники»).
Буквы МП — для транзисторов в корпусе, который герметизируется способом холодной сварки.
2-й элемент:
Одно, двух и трехзначное число определяет порядковый номер разработки и указывает: на подкласс транзистора по исходному полупроводниковому материалу, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной (или предельной) частоты.
Германиевые маломощные низкочастотные транзисторы ________________от 1 до 99
Кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы _____________ от 101 до 199
Германиевые мощные низкочастотные транзисторы ________________ от 201 до 299
Кремниевые мощные низкочастотные транзисторы _________________ от 301 до 399
Германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы _____ от 401 до 499
Кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы ______ от 501 до 599
Германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы _________ от 601 до 699
Кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы __________ от 701 до 799
3-й элемент:
Буква определяет классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.
Пример:
П29А – германиевый, маломощный, низкочастотный транзистор.
МП102 – кремниевый, маломощный, низкочастотный транзистор в холодносварном корпусе.
Начиная с 1964г. была введена новая система обозначений типов транзисторов (ГОСТ 10862-64 и ГОСТ 10862-72). Действовала до 1978г.
1-й элемент:
(исходный полупроводниковый материал)
Соединения германия_______________________________________________ Г или 1
Соединения кремния _______________________________________________ К или 2
Соединения арсенида галлия (для полевых транзисторов) ________________ А или 3
Соединения индия (пока в производстве транзисторов не используется) ____ И или 4
2-й элемент (подкласс транзисторов):
Биполярный _______________________________________________________ Т
Полевой __________________________________________________________ П
3-й элемент:
Девять цифр (1 — 9). Характеризуют подклассы биполярных и полевых транзисторов по значениям рассеиваемой мощности и граничной (или для полевых транзисторов мах рабочей) частоты.
Транзисторы маломощные (РМАХ≤ 0,3 Вт), низкочастотные (f ≤ 3 МГц)__________ 1
Транзисторы маломощные (Р ≤ 0,3 Вт), средней частоты (3 МГц < f ≤ 30 МГц) ___2
Транзисторы маломощные, высокочастотные (f > 30 МГц), СВЧ________________ 3
Транзисторы средней мощности (0,3 Вт< РМАХ≤ 1,5 Вт)_______________________ 4
Транзисторы средней мощности, средней частоты (3 МГц < f ≤ 30 МГц)_________ 5
Транзисторы средней мощности, высокочастотные, СВЧ_______________________ 6
Транзисторы большой мощности (РМАХ > 1,5 Вт), низкочастотные (f ≤ 3 МГц)____ 7
Транзисторы большой мощности средней частоты ____________________________ 8
Транзисторы большой мощности, высокочастотные и СВЧ _____________________ 9
4-й и 5-й элементы – порядковый номер разработки.
Двузначное число от 01 до 99 (позднее и трехзначное число).
6-й элемент – квалификационная литера (буква от А до Я, кроме букв, по написанию совпадающих с числами О, Ч, З).
Дополнительные элементы обозначений
Для транзисторных сборок (после 2-го элемента обозначения) __________________ С
Для безкорпусных приборов цифры – модификация конструктивного
исполнения ____________________________________________________1, 2, 3, 4, 5, 6
Пример:
ГТ101А – для устройств широкого применения германиевый биполярный маломощный низкочастотный, в корпусе, номер разработки 01, группа А.
2Т399А
– кремниевый, для устройств широкого применения, биполярный, маломощный, СВЧ, в корпусе, номер разработки 99, группа А.2Т399А-2 – кремниевый, для устройств широкого применения, биполярный, маломощный, СВЧ, безкорпусный с гибкими выводами на кристаллодержателе.
В системе условных обозначений типов транзисторов отображена очень важная информация: род исходного полупроводникового материала, рассеиваемая мощность, граничная частота, конструктивное исполнение, классификация по основному функциональному назначению.
Биполярные транзисторы в соответствии с основными областями применения подразделяются на 13 групп:
1. усилительные низкочастотные (f гр. < 30 МГц) с нормированным коэффициентом шума.
2. усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума.
3. усилительные высокочастотные (30 МГц < f гр. ≤ 300 МГц) с нормированным коэффициентом шума.
4. усилительные высокочастотные с ненормированным коэффициентом шума.
5. СВЧ усилительные (300 МГц < f гр.) с нормированным коэффициентом шума.
6. СВЧ усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
7. усилительные мощные высоковольтные.
8. высокочастотные генераторные.
9. СВЧ генераторные.
10. переключательные маломощные.
11. переключательные мощные высоковольтные.
12. импульсные мощные высоковольтные.
13. универсальные.
Полевые транзисторы по своему назначению делятся на три группы: усилительные, генераторные, переключательные.
По виду затвора и способу управления проводимостью канала полевые транзисторы делятся на четыре группы:
1. с затвором на основе p-n перехода.
2. с изолированным затвором (МДП — транзисторы), работающие в режиме обеднения.
3. с изолированным затвором, работающие в режиме обогащения.
4. с двумя изолированными затворами, работающие в режиме обеднения.
Графическое обозначение полупроводниковых приборов
ГОСТ 2.730-73
Однопереходной транзистор с n – базой
Однопереходной транзистор с p – базой
Транзистор типа p – n – p
Транзистор типа n – p – n
Транзистор типа n – p – n с коллектором, электрически
соединенным с корпусом
Лавинный транзистор типа n – p – n
Полевой транзистор с каналом n – типа
Полевой транзистор с каналом p – типа
Полевой транзистор с изолированным затвором с выводом
от подложки обогащенного типа с p – каналом
Полевой транзистор с изолированным затвором с выводом
от подложки обедненного типа с n – каналом
Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного
типа с n – каналом и с внутренним соединением подложки
Если Вам понравилась эта лекция, то понравится и эта — Память слепых и слабовидящих.
Полевой транзистор с двумя изолированными затворами
обедненного типа с n – каналом и с внутренним соединением
подложки и истока
RS — страница не найдена
RS — страница не найденаВы видите эту страницу, если страница, которую вы искали, не существует или больше недоступна.
Пожалуйста, используйте окно поиска выше или ссылки ниже, чтобы завершить свой запрос. Если вам потребуется помощь, свяжитесь с нами или позвоните по бесплатному номеру 1-866-433-5722. Спасибо и приносим извинения за неудобства.
- Панели выключателей / Центры нагрузки
- Аксессуары для панелей выключателей / центров нагрузки
- Автоматические выключатели
- Трансформаторы постоянного напряжения
- Фильтры
- Аксессуары для предохранителей
- Комплекты предохранителей
- Предохранители
- Защита GFI
- Линейные реакторы
- Стабилизаторы напряжения
- Контроллер коэффициента мощности
- Устройства защиты от перенапряжения
- Соединители для конкретных приложений
- Аудио- и видеоразъемы и аксессуары
- Автоматические разъемы
- Соединители уровня платы
- Шинные шины и изделия для заземления
- Круглые соединители
- Коаксиальные/РЧ разъемы
- Разъемы для передачи данных/Ethernet/телекоммуникаций
- Разъемы D-Sub, контакты и аксессуары
- Электрические / сетевые разъемы
- Розетки, вилки и адаптеры для ИС
- Прямоугольные соединители
- Пружинные датчики, тестовые соединители и адаптеры
- Клеммные колодки и планки
- Клеммы, наконечники и наконечники
- Датчики для монтажа на плате
- Конденсаторы
- Вычислительная техника
- Средства разработки и проектирования
- Дискретные полупроводники
- Экранирование/подавление электромагнитных/радиочастотных помех
- Газоразрядные трубки (ГДТ)
- Катушки индуктивности
- Интегральные схемы
- Оптоэлектроника
- Пассивные аксессуары и комплекты
- Модуль ввода питания (PEM)
- Принадлежности модуля ввода питания
- Массивы резисторов Сети резисторных делителей
- Резисторы
- Изделия РФ
- Термисторы
- Переменные резисторы
- Варисторы (MOV)
- Видеоразветвители и мультиплексоры
- Шкаф и стойка
- Части шкафа и стойки/аксессуары
- Аксессуары для электрических шкафов
- Электрические шкафы
- Электронный блок
- Аксессуары для электронных корпусов
- Системы продувки и повышения давления
- Корпус кнопки
- Аксессуары для структурных систем
- Рельсы структурной системы
- Полка / каркас для карт
- Принадлежности для каркаса/корзины для карт
- Дорожные и портфели
- Чистящие средства
- Продукты ESD
- Охрана объекта
- ОВКВ
- Лестницы и ступеньки
- Смазочные материалы, консистентные смазки и масла
- Товары для офиса
- Блок питания
- Безопасность и СИЗ
- Оборудование для мастерских и хранение
- Кондиционеры
- Воздуходувки
- Потолочные вентиляторы
- Вентиляторы для закрытых помещений
- Охладители/чиллеры
- Модули охлаждения
- Настольные вентиляторы
- Электрические нагреватели
- Вентиляторы оборудования
- Аксессуары для вентиляторов и воздуходувок
- Защита вентилятора
- Вентиляторы с фильтром
- Решетки
- Теплообменники
- Радиаторы
- Промышленные вентиляторы
- Принадлежности для моторизованного рабочего колеса
- Моторизованные рабочие колеса
- Полупроводниковые изоляторы, розетки и комплекты
- Обогреватели и радиаторы
- Термопрокладки
- Контакторы и принадлежности
- Станции управления
- Контроллеры и аксессуары
- Разъединители
- Электрический линейный привод
- Электронные и механические счетчики
- Индуктивные ответвители сигналов
- Защита машин и безопасность машин
- Механическая передача мощности
- Панельные счетчики
- Розетки
- Переключатели питания
- Роботы
- Формирование сигналов и преобразователи сигналов
- Контактные кольца
- Соленоиды и принадлежности для соленоидов
- Таймеры
- Аксессуары для передачи данных Ethernet-коммутаторы
- Пограничные шлюзы Интернета вещей
- Медиаконвертеры
- Преобразователи протоколов
- Маршрутизаторы
- Беспроводная связь
- Аудибл
- Балласты
- Аксессуары для маяков
- Маяки
- Фонари и рабочие фонари
- Патроны для ламп
- Лампы (лампочки)
- Линзы
- Осветительные мачты, компоненты и аксессуары
- Освещение
- Индикаторы, линзы и оборудование для монтажа на панели
- Фотоконтроль
- Предупреждения об электропитании
- Принадлежности для привода переменного тока
- Приводы переменного тока
- Усовершенствованные пускатели двигателей
- Комбинированные пускатели двигателей
- Контроллеры двигателей постоянного тока
- Мотор-редукторы
- Ручные пускатели двигателей
- Аксессуары для двигателей
- Защита двигателя
- Аксессуары для защиты двигателя
- Принадлежности для пускателя двигателя
- Пускатели двигателей
- Комбинации мотор-привод
- Двигатели
- Нагреватели перегрузки
- Перегрузки
- Устройства плавного пуска
- Комплекты и комплекты контроллера
- Станции данных
- Аксессуары ЧМИ
- Дисплеи ЧМИ
- Модули ЧМИ
- Промышленные мониторы
- Промышленные ПК
- Сбор данных ПК
- Принадлежности для сбора данных с ПК
- Принадлежности ПЛК
- Модули расширения ПЛК
- ПО для программирования ПЛК
- Комбинация ПЛК/ЧМИ
- ПЛК
- Модули удаленного ввода/вывода
- Интеллектуальные реле
- Подготовка/обработка воздуха
- Воздушные насосы/воздушные компрессоры
- Принадлежности для фитингов
- Фитинги
- Регуляторы расхода / регуляторы скорости
- Гидравлика
- Приборы
- Логические элементы
- Многоканальные соединители
- Трубопровод и водопровод
- Аксессуары для пневматических приводов
- Пневматические приводы
- Пневматические глушители / Пневматические глушители
- Насосы и принадлежности для насосов
- Смотровые стекла
- Трубки/шланги
- Вакуум
- Клапаны
- Генераторы и генераторы
- Батареи
- Преобразователь (блоки питания постоянного тока)
- Инвертор (блоки питания постоянного/переменного тока)
- PoE (питание через Ethernet)
- Блок питания (блоки питания переменного/постоянного тока)
- Аксессуары для источников питания
- Солнечное зарядное устройство/инвертор
- Солнечная панель
- Объединитель солнечной энергии
- Трансформеры
- ИБП (источник бесперебойного питания)
- Ардуино Магазин
- Магазин BBC micro:bit
- Средства разработки и одноплатные компьютеры
- Прототип
- Магазин Raspberry Pi
- Промышленные оптопары
- Реле контроля
- Силовые реле
- Герконовые реле
- Аксессуары для реле
- Релейные модули
- Сигнальные реле
- Твердотельные реле
- Реле задержки времени
- Акселерометры
- Датчики качества воздуха
- Зонды анемометра
- Считыватели штрих-кода
- Датчики тока
- Энкодеры
- Датчики потока
- Вилочный датчик/датчик паза
- Датчики Холла
- Датчики наклона
- Световые завесы
- Световые датчики
- Линейные преобразователи
- Датчики уровня жидкости
- Тензодатчики
- Датчики магнитного поля
- Магнитные звукосниматели
- Датчики pH
- Фотоэлектрические датчики
- Датчики давления
- Датчики приближения
- Радарные датчики
- Радиочастотная идентификация (RFID)
- Аксессуары для датчиков
- Тензодатчики
- Датчики температуры
- Термостаты
- Датчики крутящего момента
- Датчики вибрации
- Датчики зрения
- Датчики напряжения
- Базовые переключатели мгновенного действия
- Биометрические переключатели
- Тросовые выключатели
- DIP-переключатели
- Выключатели аварийной остановки
- Поплавковый выключатель
- Ножные переключатели
- Шарнирные переключатели
- Выключатели блокировки
- Джойстик-переключатель
- Выключатели с замком
- Концевые выключатели
- Магнитные и герконовые переключатели
- Программируемые переключатели дисплея
- Кнопочные переключатели
- Переключатели с нажимным колесом
- Кулисные переключатели
- Поворотные переключатели
- Селекторные переключатели
- Ползунковые переключатели
- Электромагнитные блокировочные выключатели
- Аксессуары для переключателей
- Комплекты переключателей
- Тактильные переключатели
- Дисковые переключатели
- Переключатели наклона
- Тумблеры
- Сенсорные переключатели
- Беспроводные коммутаторы
- Анализаторы
- Калибраторы
- Регистрация и сбор данных
- Электронные нагрузки постоянного тока
- Коробка Десятилетия
- Карты расширения
- Частотомер
- Инспекционные прицелы
- метров
- Осциллографы
- Источники питания
- Генераторы сигналов
- Аксессуары для испытательного оборудования
- Тестеры
- Тепловизоры
- Термометры
- Химикаты и клеи
- Соединительный и обжимной инструмент
- Инженерные материалы
- Оборудование
- Пайка
- Ленты
- Принадлежности и детали для инструментов
- Инструменты
- Товары без категорий
- Кабель
- Кабельные сборки
- Управление кабелями
- Маркировка
- Провод
Биполярный транзистор.
Определение и значение.Тип транзистора, состоящего из трех слоев полупроводников. Каждый слой обработан таким образом, что средний слой (называемый базой) имеет собственный электрический заряд, а слои вокруг него (эмиттер и коллектор) имеют противоположный заряд. Биполярный транзистор с отрицательной базой обозначается PNP, а транзистор с положительной базой обозначается NPN. Под действием тока база действует как затвор, увеличивая или подавляя ток от эмиттера к коллектору. Биполярные транзисторы используются в основном для усиления или переключения токовых сигналов и широко распространены в звуковом оборудовании. Сравните полевой транзистор.
ВИКТОРИНА
ВСЕ ЗА(U)R ЭТОГО БРИТАНСКОГО ПРОТИВ. ВИКТОРИНА ПО АМЕРИКАНСКОМУ АНГЛИЙСКОМУ
Существует огромная разница между тем, как люди говорят по-английски в США и Великобритании. Способны ли ваши языковые навыки определить разницу? Давай выясним!
Вопрос 1 из 7
Правда или ложь? Британский английский и американский английский различаются только сленговыми словами.
Слова рядом биполярный транзистор
биплан, бипод, бипод, биполярный, биполярный беспорядок, биполярный транзистор, биппи, бипризма, бипропеллент, бипирамида, биквадрат
Научный словарь American Heritage® Авторские права © 2011. Опубликовано издательством Houghton Mifflin Harcourt Publishing Company. Все права защищены.
Как использовать биполярный транзистор в предложении
Его семья описала его как страдающего биполярным расстройством и долгое время страдавшего психическими расстройствами.
Убийство в синагоге: когда копам приходится убивать|Майкл Дейли|10 декабря 2014|DAILY BEAST
В бессвязных сообщениях он называл себя неудачником и писал, что он должен быть либо биполярным, либо психопатом.
Школьные стрелки любят этого пикапера Веб-сайт|Брэнди Задрозный|5 декабря 2014|DAILY BEAST
Интересно, что в статье PLOS Medicine отмечается, что Оцука делает те же заявления о шизофрении, что и о биполярном расстройстве.
Материнский маленький антипсихотик стоит 6,9 миллиарда долларов в год|Джей Майклсон|9 ноября 2014 г.|DAILY BEAST
Например, мы понятия не имеем, почему это лекарство помогает людям с биполярным расстройством.
Маленький антипсихотик матери стоит 6,9 долларовМиллиард в год|Джей Майклсон|9 ноября 2014|DAILY BEAST
Несколько лет люди носили с собой музыку – транзисторные радиоприемники, Walkman и т. д.
От Эдисона к Джобсу|The Daily Beast|Сентябрь 25, 2014|DAILY BEAST
Электрические свойства этого странного образца необычны и интересны и могут привести к новому типу транзистора.
Атомный отпечаток пальца|Бернард Кейш
На коротковолновом шкафу стоял миниатюрный карманный радиоприемник — транзисторный.
Operation Terror|William Fitzgerald Jenkins
Конструкция, показанная на рис. 10, имеет два полюса в поле и два в якоре и известна как биполярный тип.
