ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ биполярного транзистора: устройство, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈ характСристики

Π§Ρ‚ΠΎ прСдставляСт собой ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ биполярного транзистора. Как ΠΎΠ½ устроСн ΠΈ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚. КакиС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚. Как ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ влияСт Π½Π° характСристики ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистора.

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΈ устройство биполярного транзистора

Биполярный транзистор прСдставляСт собой ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, состоящий ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… областСй с Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈΡΡ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΌΠΈ проводимости. Π­Ρ‚ΠΈ области Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½Ρ‹ двумя p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ:

  • Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ — ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ
  • ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ — ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

БущСствуСт Π΄Π²Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠ° биполярных транзисторов:

  • n-p-n — с n-эмиттСром, p-Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ n-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ
  • p-n-p — с p-эмиттСром, n-Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ p-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ

ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Π°Ρ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ примСсСй. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт Π΅ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ большой Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈ ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ выдСляСмоС Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎ.

Роль ΠΈ особСнности ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°

ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ биполярного транзистора:


  • Он собираСт ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ· эмиттСра носитСли заряда, ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ΅Π΄ΡˆΠΈΠ΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ
  • ΠŸΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π² нСсколько Ρ€Π°Π· большС эмиттСрного
  • Π’ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ смСщСн Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ

КакиС основныС Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ выполняСт ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄? Он обСспСчиваСт сбор носитСлСй заряда, ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… эмиттСром, ΠΈ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ транзистора. Благодаря большой ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ биполярного транзистора

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия биполярного транзистора основан Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ смСщСнный ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄. Как это происходит?

  1. На эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ подаСтся прямоС смСщСниС
  2. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ нСосновныС носитСли Π² Π±Π°Π·Ρƒ
  3. НоситСли Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ½Π΄ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΡƒΡŽ Π±Π°Π·Ρƒ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ
  4. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ смСщСнный ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ собираСт эти носитСли
  5. ЀормируСтся Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, нСбольшим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ большим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π’ этом ΠΈ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ дСйствиС транзистора.


Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ биполярного транзистора

Π’ зависимости ΠΎΡ‚ напряТСний Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ нСсколько Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора:

  • Активный (Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ) Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ — эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚
  • Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ — эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚
  • Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния — ΠΎΠ±Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹
  • Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ отсСчки — ΠΎΠ±Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹

Какой Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ являСтся основным для усилСния сигналов? Активный Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. Π’ этом случаС обСспСчиваСтся эффСктивноС ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

Π’ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Π΅ характСристики транзистора

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ транзистора Π² Ρ†Π΅Π»ΠΎΠΌ ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ сСмСйства Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚-Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… характСристик:

  • Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики — Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΎΡ‚ напряТСния Π±Π°Π·Π°-эмиттСр
  • Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики — Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… Π±Π°Π·Ρ‹

Π§Π΅ΠΌ опрСдСляСтся Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… характСристик транзистора? Она зависит ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Π’ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° слабо зависит ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΈΠ·-Π·Π° насыщСния скорости носитСлСй Π² Π±Π°Π·Π΅.


ΠŸΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΈ коэффициСнты усилСния транзистора

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ биполярного транзистора, связанныС с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ:

  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ξ² = Ξ”IΠΊ / Ξ”IΠ±
  • ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ эмиттСрного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ξ± = Ξ”IΠΊ / Ξ”Iэ
  • ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° IΠΊΠ±ΠΎ
  • ΠŸΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр Uкэо

Как связаны ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ собой коэффициСнты Ξ± ΠΈ Ξ²? Они связаны ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ξ² = Ξ± / (1 — Ξ±). ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Ξ² >

> 1, поэтому Ξ± β‰ˆ 1.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ биполярных транзисторов

Благодаря свойствам ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° биполярныС транзисторы ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ:

  • Π’ усилитСлях Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, напряТСния ΠΈ мощности
  • Π’ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ… элСктричСских ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ
  • Π’ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСмах
  • Π’ стабилизаторах напряТСния
  • Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… устройствах

КакиС свойства ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ? Π‘ΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ большим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹, высокоС ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π° высоких частотах.

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах

Π’ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… микросхСмах структура ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ особСнности:


  • МСньшая ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ
  • Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокая концСнтрация примСсСй
  • Π‘Π½ΠΈΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС
  • ΠŸΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½Π°Ρ Π΅ΠΌΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°

Как эти особСнности Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ Π½Π° характСристики ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов? Они приводят ΠΊ сниТСнию максимально допустимого напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоких частотах.

Π—Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅

ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ являСтся ваТнСйшим элСмСнтом биполярного транзистора, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π΅Π³ΠΎ основныС характСристики ΠΈ возмоТности примСнСния. ПониманиС ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΎΠ² Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ для эффСктивного использования транзисторов Π² элСктронных устройствах.


7

7.Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ биполярного транзистора.

Β 

Β 

Биполярный транзистор прСдставляСт собой ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€, состоящий ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… областСй ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° с Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈΡΡ Ρ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΌΠΈ проводимости, Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ€-ΠΏ-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. Из-Π·Π° Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ располоТСния  Ρ€-ΠΏ-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ сущСствуСт взаимодСйствиС. КаТдая ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ транзистора выполняСт ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΡŽ, поэтому ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… примСсСй Π² Π½ΠΈΡ… ΠΈ названия областСй Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹.

БрСдняя ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ транзистора, располоТСнная ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя               Ρ€-ΠΏ-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, называСтся Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (B). Одна ΠΈΠ· ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½ΠΈΡ… областСй с Π½Π°ΠΈΠ²Ρ‹ΡΡˆΠ΅ΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ примСси называСтся эмиттСром (E). ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ эмиттСра являСтся инТСкция нСосновных носитСлСй заряда Π² ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·Ρ‹. Π‘ΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉΒ Β Β Β Β Β Β Β Β  Ρ€-ΠΏ-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ эмиттСрным. Π˜Π½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² Π±Π°Π·Ρƒ носитСли Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ½Π΄ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Π² сторону Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠ΅ΠΉ области, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (C). ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° являСтся собираниС ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… эмиттСром носитСлСй заряда. Π‘ΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉΒ Β  Ρ€-ΠΏ-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄, располоТСнный ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ.

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π²Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠ° биполярных транзисторов: ΠΏ-Ρ€-ΠΏ ΠΈ Ρ€-ΠΏ-Ρ€.Β  Π‘ΡƒΠΊΠ²Ρ‹ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ проводимости эмиттСрной, Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ областСй соотвСтствСнно. БимволичСскоС ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ Π½Π° рис. 3.18. Π‘Ρ‚Ρ€Π΅Π»ΠΊΠ° эмиттСра ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ условноС Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Β 

Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β 

Β 

Рис. 3.18. БимволичСскоС ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов:

Π° — n-p-n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°;Β  Π± — p-n-p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°

Β 

ΠŸΡ€ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΈΠ·Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ биполярного транзистора ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠΌ нашС рассмотрСниС ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°ΠΌΠΈ ΠΏ-Ρ€-ΠΏ-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π² настоящСС врСмя ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π³ΠΎΡ€Π°Π·Π΄ΠΎ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠ΅ характСристики ΠΈ большСС усилСниС, особСнно Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах. Вранзисторы  Ρ€-ΠΏ-Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡƒ дСйствия Π½ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ ΠΏ-Ρ€-ΠΏ-транзисторов, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ ΠΈΠΌ свойствСнны Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ полярности Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… напряТСний.

Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚Π½Ρ‹ Ρ‚Ρ€ΠΈ схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ биполярных транзисторов Π² ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ усилСниС элСктричСской мощности: схСма с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (ΠžΠ‘), схСма с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (ОЭ) ΠΈ

схСма с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (ОК), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Ρ‹ Π½Π° рис. 3.19 для транзистора ΠΏ-Ρ€-ΠΏ-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π° рис. 3.19 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ внСшниС источники напряТСний ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор, Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Π›ΡŽΠ±Π°Ρ ΠΈΠ· схСм Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ своими достоинствами ΠΈ нСдостатками, поэтому Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€ схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора Π² ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΌ случаС зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅ΠΌΡ‹Ρ… условий. На ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ всСго ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (ОЭ), которая позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ наибольшСС усилСниС ΠΏΠΎ мощности.

.

Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β  Π°)Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β  Π±)Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β  Β Β Π²)

Β 

Рис. 3.19. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзистора:

Π° — схСма ΠžΠ‘; Π± — схСма ОЭ; Π² — схСма ОК

Β 

Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° дискрСтного биполярного ΠΏ-Ρ€-ΠΏ-транзистора ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рис.

3.20.

Β 

Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β 

Β 

Рис. 3.20. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° дискрСтного       

биполярного n-p-n-транзистора 

Β 

Π Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ распрСдСлСниС примСсСй Π² областях транзистора (сплошная линия) распрСдСлСния примСсСй ΠΏΡ€ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСрной диффузиях (ΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚ΠΈΡ€Π½Ρ‹Π΅ Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΈ) ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Π½Π° рис. 3.21.

Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β  Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β 

Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β 

Β 

Рис. 3.21. РаспрСдСлСниС примСсСй Π² дискрСтном биполярном

Β n-p-n-транзисторС

Β 

Β Π—Π΄Π΅ΡΡŒ Β ΠΈ — повСрхностныС ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ примСсСй ΠΏΡ€ΠΈ эмиттСрной ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΉ диффузиях, Π° Β — концСнтрация примСси Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ области, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ эпитаксии. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ прСдставляСт собой ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, ΠΎ Ρ‡Π΅ΠΌΒ  ΡΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚Π΅Π»ΡŒΡΡ‚Π²ΡƒΠ΅Ρ‚ Π·Π½Π°ΠΊ «+» ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° проводимости эмиттСрнорного слоя — . Π£ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈΒ Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β  Ρ€-ΠΏ-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² сущСствСнно Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΡƒΡŽ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ.

ΠšΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· Ρ€-ΠΏ-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² транзистора ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π΄ΠΎΠ½Π½ΡƒΡŽ ΠΈ Π±ΠΎΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ части. Π Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ транзистора являСтся ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, располоТСнная ΠΏΠΎΠ΄ Π΄ΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° (Π½Π° рис. 3.20 эта ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π·Π°ΡˆΡ‚Ρ€ΠΈΡ…ΠΎΠ²Π°Π½Π°). ΠžΡΡ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ участки, Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… обусловлСно тСхнологичСскими  ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈ, ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ пассивными.

Π˜Π΄Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Π°Ρ структура биполярного ΠΏ-Ρ€-ΠΏ-транзистора для Π΅Π³ΠΎ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° Π½Π° рис. 3.22. ВзаимодСйствиС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСрным ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ обСспСчиваСтся ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ Ρ‰ΠΈΡ€ΠΈΠ½ΠΎΠΉ Π±Π°Π·Ρ‹ , которая Ρƒ соврСмСнных транзисторов, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 1 ΠΌΠΊΠΌ.

Β 

Β 

Рис. 3.22. Π˜Π΄Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Π°Ρ структура биполярного n-p-n-транзистора

Β 

Π’Π½Π΅ΡˆΠ½ΠΈΠ΅ напряТСния Β ΠΈ Β ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ смСщСния Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ…. Π’ зависимости ΠΎΡ‚ полярности напряТСний Β ΠΈ Β Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора (рис. 3.23):

Β 

Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β 

Β 

Рис. 3.23. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ n-p-n-транзистора

Β 

1) Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ (Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ) Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° эмиттСрном ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ дСйствуСт прямоС смСщСниС, Π° Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ — ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅;

2) инвСрсный Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° эмиттСрном ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ дСйствуСт ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ смСщСниС, Π° Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌ — прямоС;

3) Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Π΄Π²ΠΎΠΉΠ½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ (насыщСния), ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° ΠΎΠ±Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½Ρ‹ прямыС смСщСния;

4) Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ отсСчки (запирания), ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° ΠΎΠ±Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ смСщСния.

Π’ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… Π΄Π²ΠΎΠΉΠ½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ ΠΈ отсСчки ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистором практичСски отсутствуСт. Π’ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистором осущСствляСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ эффСктивно. Волько работая Π² Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта элСктричСской схСмы, Ρ‚. Π΅. ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ элСктричСскиС сигналы ΠΈΒ  Ρ‚. Π΄.

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ свойства транзистора ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ процСссами, происходящими Π² Π±Π°Π·Π΅. БущСствСнноС влияниС Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ транзистора ΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ распрСдСлСниС Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ примСси Π² Π±Π°Π·Π΅. Если ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΡΡŒ Π² Π±Π°Π·Π΅ распрСдСлСна Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ (однородная Π±Π°Π·Π°), Ρ‚ΠΎ Π² Π½Π΅ΠΉ отсутствуСт Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅ ΠΈ Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ носитСлСй заряда ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ чисто Π΄ΠΈΡ„Ρ„ΡƒΠ·ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ Ρ…Π°Ρ€Π°ΠΊΡ‚Π΅Ρ€. ΠŸΡ€ΠΈ Π½Π΅Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠΌ распрСдСлСнии примСси   Π² области Π±Π°Π·Ρ‹ (нСоднородная Π±Π°Π·Π°) Π² Π½Π΅ΠΉ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ элСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅, Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, появляСтся Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ дрСйфовая ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ Π² Π΄Π²ΠΈΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ носитСлСй заряда. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ Ρ€Π°ΡΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅ΡΡŒ Π² Π±Π°Π·Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅ способствовало двиТСнию носитСлСй заряда ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ. Π­Ρ‚ΠΎ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π² случаС ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ нСкомпСнсированной примСси Π² Π±Π°Π·Π΅Β Β  Π² Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ (см. рис. 3.21.).

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ биполярного транзистора Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ смСщСнный ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄. Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ смСщСнном Ρ€-ΠΏ-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π» ΠΈ опрСдСляСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ нСосновными носитСлями заряда, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² области объСмного заряда ΠΈΠ»ΠΈ Π²Π±Π»ΠΈΠ·ΠΈ Π½Π΅Π΅. Однако ΠΏΡ€ΠΈ появлСнии Ρƒ Π³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ† Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π΄ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… источников нСосновных носитСлСй  Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· обратносмСщСнный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ увСличиваСтся. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌΠΈ источниками, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ частицы высокой энСргии, ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ внСшнСм ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π² Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠΈ ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΈ излучСния.

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ способ увСличСния ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ нСосновных носитСлСй заряда ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ смСщСнного p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ΠΈΠΈ Π² нСпосрСдствСнной близости ΠΎΡ‚ Π½Π΅Π³ΠΎ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎΒ Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β Β  p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, смСщСнного Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. Π”Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ способ особСнно ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π΅Π½, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ обСспСчиваСт элСктричСскоС ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ нСосновных носитСлСй, Ρ‚. Π΅. ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Сю с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ напряТСния смСщСния, ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ этому прямо смСщСнному ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ.

Вакая модуляция Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌΒ  p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ измСнСния напряТСния смСщСния Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, располоТСнного рядом с Π½ΠΈΠΌ, называСтся ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠΎΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ биполярного транзистора. Π­Ρ‚Π° ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΈΠ· самых Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΈΠ΄Π΅ΠΉ Π²ΠΎ всСй истории развития элСктронных ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ².Β  Π—Π° исслСдования, Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… эта идСя Π±Ρ‹Π»Π° Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Π° ΠΈ Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Π°, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π°Ρ‚Π΅Π»ΠΈ биполярного плоскостного транзистора Уильям Π¨ΠΎΠΊΠ»ΠΈ, Π”ΠΆΠΎΠ½ Π‘Π°Ρ€Π΄ΠΈΠ½ ΠΈ Π£ΠΎΠ»Ρ‚Π΅Ρ€ Π‘Ρ€Π°Ρ‚Ρ‚Π΅ΠΉΠ½ Π±Ρ‹Π»ΠΈ удостоСны НобСлСвской ΠΏΡ€Π΅ΠΌΠΈΠΈ ΠΏΠΎ Ρ„ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ΅ Π² 1956 Π³.

Устройство ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия биполярного транзистора

УсловноС графичСскоС ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов Π² элСктронных схСмах ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рис. 3.1. Π’ схСмах транзисторы ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π±ΡƒΠΊΠ²Π°ΠΌΠΈ VT с ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ порядковой Π½ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ

(VT1, VT2…).

p-n-pΒ Β Β  n-p-n

Рис. 3.1. УсловноС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ биполярных транзисторов

Биполярный транзистор состоит ΠΈΠ· Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² П1 ΠΈ П2 (рис. 3.2). Π’ монокристаллС транзистора   Π²Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚Β Β  Ρ‚Ρ€ΠΈΒ Β  области:Β Β  эмиттСр   (Π­),Β Β  Π±Π°Π·ΡƒΒ  Β (Π‘), ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ (К), ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹. Π’ схСмах эмиттСр изобраТаСтся Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ стрСлки, ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра.

ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ П1 ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ называСтся эмиттСрным, Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ П2 – ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ (рис.3.2).

БиполярныС  транзисторы Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹Β  ΡƒΠ΄ΠΎΠ²Π»Π΅Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΡΡ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ основным конструктивным трСбованиям:

Π±Π°Π·Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ Π² нСѐ носитСли ΠΌΠΎΠ³Π»ΠΈ Π±Π΅Π· Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΡŒ ΠΈΠ·-Π·Π° Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°;

концСнтрация примСсСй Π² эмиттСрС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ Π² Π±Π°Π·Π΅, Π° Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ;

ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π² нСсколько Ρ€Π°Π· большС ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ эмиттСрного ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°.

p          П1       n          П2       p

Э         К

Π‘

Рис. 3.2. Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Π° биполярного p-n-p транзистора

Π Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Π΄Π²Π΅ структуры биполярных транзисторов p-n-p ΠΈ n-p-n. ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ дСйствия ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… структур ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ², Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ лишь Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² транзисторах p-n-p ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ Π΄Π²ΠΈΠ³Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ, Π° Π² транзисторах n-p-n – элСктроны.

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ транзистора Π² качСствС усилитСля эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Β  Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚Β  Π²Β Β  прямом,Β  Π°Β Β  ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉΒ  Β Β Π²Β Β  ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ

направлСниях (рис. 3.3).

Β 

Рис. 3.3. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ Π² биполярном транзисторС

Π’ p-n-p транзисторС Π±Π°Π·Π΅ сообщаСтся ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ эмиттСру, Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ Сщѐ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅. Π’ n-p-n транзисторС Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚: Π±Π°Π·Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокий ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ эмиттСру, Π° Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° этого ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Сщѐ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅.

Если Π·Π°Π΄Π°Ρ‚ΡŒ Uэб=0, Π° ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ П2 ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС UΠΊΠ±, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° Iэ=0 ΠΈ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ слабый ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ IΠΊΠΎ. Π­Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ нСосновных носитСлСй Π±Π°Π·Ρ‹

– Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ, притягиваСмых ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ полюсом ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°.

Если  ΠΏΡ€ΠΈΒ Β Β Β Β  этом  ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒΒ  прямоС  напряТСниС  Uэб    ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ П1, Ρ‚ΠΎ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ эмиттСра, ΠΎΡ‚Ρ‚Π°Π»ΠΊΠΈΠ²Π°ΡΡΡŒ ΠΎΡ‚ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ полюса, ΡƒΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠ»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· П1 Π² Π±Π°Π·Ρƒ. Благодаря Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΡˆΠΈΡ€ΠΈΠ½Π΅ Π±Π°Π·Ρ‹ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ΄ΠΎΠ»Π΅Π²Π°Π΅Ρ‚ Сѐ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ П2, ΠΏΡ€ΠΈΡ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡΡΡŒ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ полюсом ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ образуя ΠΏΡ€ΠΈ этом Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IΠΊ.

ΠžΡΡ‚Π°Π²ΡˆΠ°ΡΡΡΒ Β Β  Π²Β Β Β Β Β Β Β Β Β  Π±Π°Π·Π΅Β Β Β Β  Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°ΡΒ Β Β Β Β Β Β Β  Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒΒ Β  Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ,

ΠΏΡ€ΠΈΡ‚ΡΠ³ΠΈΠ²Π°ΡΡΡŒ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ полюсом Π±Π°Π·Ρ‹, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΠ΅Ρ‚ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ IΠ±. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°ΠΌΠΈ транзистора устанавливаСтся ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Iэ=IΠ±+IΠΊ.

Вранзистор  –  ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠΌΡ‹ΠΉΒ  ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€,Β  Π²Β  ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΒ  ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Β  ΠΈ

эмиттСр ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ мСстами. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ, Π° ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ – инвСрсным. Из-Π·Π° различия ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄Π΅ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² П1 ΠΈ П2 ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ транзистора ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΈ инвСрсном Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹.

ΠœΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» взят ΠΈΠ· ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ Π² систСмах транспортной Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΌΠ°Ρ‚ΠΈΠΊΠΈ (Асмолов, Π“.И.)

Вранзистор с биполярным ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ — STUDYTRONICS

Вранзистор с биполярным ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ (BJT)

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Вранзистор с биполярным ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ прСдставляСт собой Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ устройство, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ΅ двумя P-N ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, функция ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² усилСнии элСктричСского Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β   БиполярныС транзисторы состоят ΠΈΠ· 3 сСкций ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° (Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈ N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°) с 2 Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ P-N ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Один PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ находится ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ; Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ P-N находится ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ основаниСм.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β   БиполярныС транзисторы ΠΊΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ NPN ΠΈΠ»ΠΈ PNP Π² зависимости ΠΎΡ‚ располоТСния ΠΈΡ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈ P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Π’ транзисторС ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° обусловлСно ΠΊΠ°ΠΊ элСктронами, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ, ΠΎΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° ΠΈ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ транзистора с биполярным ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Π˜Ρ… основная конструкция ΠΈ химичСская ΠΎΠ±Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·ΡƒΠΌΠ΅Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΡ… названиями. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, транзистор NPN формируСтся ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ ввСдСния Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ области ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя областями ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

Вранзистор NPN

Вранзистор NPN формируСтся ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ ввСдСния Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ области ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя областями ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.


PNP-транзистор

PNP-транзистор формируСтся ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ ввСдСния Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠΉ области ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя областями ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.


Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹/области транзистора

BJT состоит ΠΈΠ· 3 областСй, каТдая ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ лСгирования. Они –

1.Β Β Β Β Β Β  ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€

2.       ОснованиС

3.Β Β Β Β Β Β  Π˜Π·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ

ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Β 
Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ, Ρ‡Π΅ΠΌ Π΄Π²Π΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠ΅ области.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ содСрТаниС Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… примСсСй.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  По ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с двумя Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ областями ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ пропускаСт больший Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈ выдСляСт большСС количСство Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Для ΠΎΡ‚Π²ΠΎΠ΄Π° Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ большСй ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΠΈ.

Π‘Π°Π·Π°Β 
Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Π‘Π°Π·Π° ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΡƒΡŽ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ срСди Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… Ρ€Π΅Π³ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ².

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  ΠžΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ лСгирования.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Π°Π» Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ извСстСн ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Π°Π» управлСния.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Базовая ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для управлСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора.

Π˜Π·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΒ 
Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Π˜Π·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ»ΠΎΡ‰Π°Π΄ΡŒ.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ лСгирования.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Π’ области эмиттСра большС носитСлСй заряда. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΎΠ½ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ высокий ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ лСгирования.


4 способы смСщСния транзистора

1.Β Β Β Β Β  Π‘ΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° ΠΈ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ β€” ΠΎΠ±Π° смСщСны Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Вранзистор Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ, Ρ‚. Π΅. транзистор находится Π² стадии отсСчки.

2.Β Β Β Β Β  ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° ΠΈ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ – ΠΎΠ±Π° смСщСны Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. Вранзистор ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, Ρ‚. Π΅. транзистор находится Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния.

3.Β Β Β Β Β  ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° смСщСн Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ смСщСн Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. Вранзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. Π­Ρ‚Π° конфигурация ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Π° для усилСния. Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π° транзистора происходит Π² этом Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅.

4.Β Β Β Β Β  ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ смСщСниСм ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ с прямым смСщСниСм Π­Ρ‚ΠΎ инвСрсный Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора. Вранзистор ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚, Π½ΠΎ пропускная ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ низкая. Π•Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для ослаблСния сигналов.

ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ транзистора

Β ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (CB)

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Π’ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ соСдинСниС BASE являСтся ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠ°ΠΊ для Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ для Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, ΠΏΡ€ΠΈ этом Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал подаСтся ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΡ‹ эмиттСра.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Π‘ΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал снимаСтся ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°ΠΌΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ΅ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊ фиксированной Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠ΅ ΠΎΠΏΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² эмиттСр, довольно Π²Π΅Π»ΠΈΠΊ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ прСдставляСт собой сумму Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° соотвСтствСнно, поэтому Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° для этого Ρ‚ΠΈΠΏΠ° схСмы Β«1Β» (Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Π°) ΠΈΠ»ΠΈ мСньшС, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами, общая базовая конфигурация «ослабляСт» Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал.


Π₯арактСристики ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·Ρ‹
Β Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики


Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики


ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (CE)

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ являСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠΉ схСмой для транзисторных усилитСлСй ΠΈ прСдставляСт собой Β«ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉΒ» ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ биполярных транзисторов.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ усилитСля с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром Π΄Π°Π΅Ρ‚ самый высокий коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ мощности ΠΈΠ· всСх Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΉ биполярных транзисторов.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Π­Ρ‚ΠΎ происходит Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс ΠΠ˜Π—Πš, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ, смСщСнному Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс Π’Π«Π‘ΠžΠš, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ бСрСтся ΠΈΠ· PN-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, смСщСнного Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ.


Π₯арактСристики ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ эмиттСра
Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики


Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ характСристики


ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (CC)

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Π’ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π°Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ являСтся ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· источник питания.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ нСпосрСдствСнно ΠΊ Π±Π°Π·Π΅, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал бСрСтся с эмиттСрной Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½Π° рисункС.

Β·Β Β Β Β Β Β Β Β  Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ извСстСн ΠΊΠ°ΠΊ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ повторитСля напряТСния ΠΈΠ»ΠΈ повторитСля эмиттСра.

ΠšΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡ с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ эмиттСрным ΠΏΠΎΠ²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΌ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½Π° для ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΉ согласования импСданса ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высокого Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ импСданса, порядка сотСн тысяч Ом, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ импСдансС.


ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния транзистора

Вранзистор BJT, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π°

ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Π½Π΅Ρ‚ напряТСния Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΌΡ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ΄ΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΡŒ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π΅ΠΌ 0,7 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π° Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ, транзистор ΡƒΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Π½Π΅ создавая сопротивлСния

Π’Π΅Ρ€Π½ΠΎ.

ПолноС объяснСниС см. Π² ΡƒΡ‡Π΅Π±Π½ΠΈΠΊΠ΅ ΠΏΠΎ Ρ‚Π΅ΠΎΡ€ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ². Π’ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ я ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽ здСсь, являСтся ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅, я надСюсь, достаточно Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ.

Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚Ρ€ΠΈ области: N-ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, P-ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π½Π° стыкС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π½ΠΈΠΌΠΈ ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ слой. Если напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ N-ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ P-ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ нСдостаточно, ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»ΠΎ элСктронов Π² N-области ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΠ΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ слой, ΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»ΠΎ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ Π² P-области ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΠ΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ слой. Когда ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ N-ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈ P-ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ имССтся достаточноС напряТСниС, элСктроны Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· N-области Π² P-ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, Π° Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ· P-области Π² N-ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ.

Когда элСктроны пСрСходят ΠΈΠ· N-области Π² P-ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π΅ сразу ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡ с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ, Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ своС ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΡˆΠ΅ΡΡ‚Π²ΠΈΠ΅ Π½Π° Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ расстояниС ΠΊΠ°ΠΊ «Π½Π΅ΠΎΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹Π΅ носитСли». Они ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ нСосновными носитСлями, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ элСктронами Π² P-областях. Π’ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ пСрСходят ΠΈΠ· P-области Π² N-ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π΅ сразу ΠΎΠ±ΡŠΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡ с элСктронами, Π° ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ°ΡŽΡ‚ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΡˆΠ΅ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ расстояниС ΠΊΠ°ΠΊ нСосновныС носитСли.

Если N-ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π°, Ρ‡Π΅ΠΌ P-ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, Ρ‚ΠΎ большС элСктронов ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ· N-области Π² P-ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, Ρ‡Π΅ΠΌ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ· P-области Π² N-ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ. Π’ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ это Π² основном элСктроны, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΠ΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, ΠΈΠ»ΠΈ Π² основном Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ, ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡΠ΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ. Π”ΠΈΠΎΠ΄ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² любом случаС.

Для простоты Π² дальнСйшСм ΠΏΠΎΠ΄ словом «транзистор» я Π±ΡƒΠ΄Ρƒ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·ΡƒΠΌΠ΅Π²Π°Ρ‚ΡŒ NPN-транзистор. Π’ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ происходит Π² транзисторС PNP, ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΅, Π·Π° ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€ΠΎΠ»ΠΈ элСктронов ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ мСстами.

Когда ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр (NPN) транзистора смСщСн Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, элСктроны пСрСходят ΠΈΠ· эмиттСра N-области Π² Π±Π°Π·Ρƒ P-области. Π’Π°ΠΌ ΠΎΠ½ΠΈ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎΠΌ носитСлСй. Они Π½Π΅ сразу Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ Π² основании. Если Π±Π°Π·Π° тонкая, Π° срСдний ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ элСктрона Π΄ΠΎ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ достаточно Π²Π΅Π»ΠΈΠΊ, элСктроны достигнут ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ΠΈ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ нСосновными носитСлями, ΠΎΠ½ΠΈ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ проходят ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ входят Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. Оказавшись Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅, ΠΎΠ½ΠΈ снова становятся ΠΌΠ°ΠΆΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹ΠΌΠΈ носитСлями ΠΈ свободно ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊ Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½Π°Π»Ρƒ мСталличСского ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. Π’ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ эмиттСр-Π±Π°Π·Π° смСщСн Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, Ρ‚ΠΎΠΊ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ ΠΎΡ‚ эмиттСра Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ, Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ссли ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΏΠ°Π΄ напряТСния Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρƒ Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠ»ΠΈ с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ смСщСниСм.

Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *