Каковы основные параметры и характеристики полевого транзистора КП307. Какие существуют разновидности этого транзистора и чем они отличаются. Где применяется КП307 и какие у него аналоги. Как устроен полевой транзистор с затвором на основе p-n перехода.
Общая характеристика и особенности полевого транзистора КП307
Транзистор КП307 представляет собой малошумящий эпитаксиально-планарный полевой транзистор с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Это семейство транзисторов обладает рядом важных особенностей:
- Низкий уровень шума
- Высокое входное сопротивление
- Возможность работы в широком диапазоне частот
- Наличие различных модификаций для разных применений
- Диапазон рабочих температур от -40°C до +85°C
Транзисторы семейства КП307 нашли широкое применение во входных каскадах усилителей как высокой, так и низкой частоты. Особенно они востребованы там, где требуется обеспечить высокое входное сопротивление схемы.

Основные параметры и характеристики транзистора КП307
Рассмотрим ключевые электрические параметры транзистора КП307:
- Максимальное напряжение сток-исток: 25 В
- Максимальное напряжение затвор-исток: 27 В
- Максимальный постоянный ток стока: 25 мА
- Крутизна характеристики: от 3 до 14 мА/В в зависимости от модификации
- Входная емкость: не более 5 пФ
- Коэффициент шума: от 2.5 до 20 дБ в зависимости от модификации и частоты
Какие факторы влияют на эти параметры? Крутизна характеристики и коэффициент шума во многом определяются технологией изготовления и геометрией затвора. Емкостные параметры зависят от размеров кристалла и конструкции корпуса.
Разновидности транзистора КП307 и их особенности
Семейство КП307 включает несколько модификаций, различающихся своими характеристиками:
- КП307А — базовая модель общего применения
- КП307Б и КП307В — модели с улучшенными шумовыми характеристиками для ВЧ применений
- КП307Г и КП307Д — модификации для работы на более высоких частотах
- КП307Е — версия с пониженным начальным током стока
- КП307Ж — специализированная модель для ядерной спектроскопии
Чем обусловлены различия между модификациями? В основном они достигаются за счет оптимизации геометрии затвора и канала, а также корректировки технологического процесса изготовления для каждой модели.

Области применения транзистора КП307
Благодаря своим характеристикам, транзистор КП307 нашел применение во многих областях электроники:
- Входные каскады усилителей звуковой частоты
- Малошумящие усилители для радиоприемной аппаратуры
- Измерительные приборы с высоким входным сопротивлением
- Зарядочувствительные усилители в ядерной электронике (КП307Ж)
- Аналоговые ключи и коммутаторы
Почему КП307 хорошо подходит для этих применений? Его высокое входное сопротивление и низкий уровень шума позволяют усиливать слабые сигналы без их искажения. А различные модификации оптимизированы под конкретные задачи.
Сравнение КП307 с аналогами
У транзистора КП307 есть ряд отечественных и зарубежных аналогов:
- 2N5394 — американский аналог КП307А
- 2N4223, 2N4220 — аналоги КП307Б
- 2N4224 — аналог КП307В
- MFE2001, 2N4216 — аналоги КП307Г
- MFE2002 — аналог КП307Д
В чем преимущества КП307 перед аналогами? Отечественный транзистор часто выигрывает по соотношению цена/качество и доступности. При этом по ключевым параметрам он не уступает зарубежным аналогам.

Устройство и принцип работы полевого транзистора с затвором на p-n переходе
Транзистор КП307 относится к полевым транзисторам с управляющим p-n переходом. Рассмотрим его устройство и принцип действия:
- Имеет три электрода: исток, сток и затвор
- Ток протекает через канал n-типа между истоком и стоком
- Затвор формирует p-n переход с каналом
- При подаче напряжения на затвор изменяется ширина обедненной области p-n перехода
- Это приводит к изменению сечения проводящего канала
- Таким образом осуществляется управление током стока
Какие преимущества дает такая структура? Она обеспечивает высокое входное сопротивление затвора и позволяет эффективно управлять током с помощью напряжения.
Особенности применения транзистора КП307 в схемотехнике
При использовании КП307 в электронных схемах следует учитывать ряд факторов:
- Чувствительность к статическому электричеству — требуются меры защиты при монтаже
- Зависимость параметров от температуры — необходима температурная стабилизация в прецизионных схемах
- Разброс параметров между экземплярами — желательна индивидуальная подборка в ответственных узлах
- Нелинейность характеристик — следует учитывать при расчете схем
Как минимизировать влияние этих особенностей? Применяют схемы температурной компенсации, тщательно подбирают режимы работы, используют цепи отрицательной обратной связи для линеаризации характеристик.

В этой схеме транзистор включен по схеме с общим истоком. R1 задает смещение затвора, R2 является нагрузкой, а R3 обеспечивает отрицательную обратную связь по току. Такое включение позволяет получить высокое входное сопротивление и хорошее усиление.
Транзистор полевой КП307 — DataSheet
Перейти к содержимому Цоколевка транзистора КП307
Описание
Малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением (КП307Ж — в зарядочувствительных усилителях и устройствах ядерной спектроскопии). Диапазон рабочих температур окружающей среды -40…+85 °С.
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
Аналог | КП307А | 2N5394 | |||
2N4223, 2N4220 | |||||
КП307В | 2N4224 | ||||
КП307Г | MFE2001, 2N4216 | ||||
КП307Д | MFE2002 | ||||
Структура | — | C p-n переходом и n-каналом | |||
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная).![]() | PСИ, P*СИ, т max | КП307А | — | 250 | мВт, (Вт*) |
КП307Б | — | 250 | |||
КП307В | — | 250 | |||
КП307Г | — | 250 | |||
КП307Д | — | 250 | |||
КП307Е | — | 250 | |||
КП307Ж | — | 250 | |||
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП307А | — | 0.5…3 | В |
КП307Б | — | 1…5 | |||
КП307В | — | 1…5 | |||
КП307Г | — | 1.![]() | |||
КП307Д | — | ||||
КП307Е | — | ≤2.5 | |||
КП307Ж | — | ≤7 | |||
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U*ЗC max | КП307А | — | 25; 27* | В |
КП307Б | — | 25; 27* | |||
КП307В | — | 25; 27* | |||
КП307Г | — | 25; 27* | |||
КП307Д | — | 25; 27* | |||
КП307Е | — | 25; 27* | |||
КП307Ж | — | 25; 27* | |||
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное).![]() | UЗИ max | КП307А | — | 27 | В |
КП307Б | — | 27 | |||
КП307В | — | 27 | |||
КП307Г | — | 27 | |||
КП307Д | — | 27 | |||
КП307Е | — | 27 | |||
КП307Ж | — | 27 | |||
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) | IС, I*С, И | КП307А | — | 25 | |
КП307Б | — | 25 | |||
КП307В | — | 25 | |||
КП307Г | — | 25 | |||
КП307Д | — | 25 | |||
КП307Е | — | 25 | |||
КП307Ж | — | 25 | |||
Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП307А | — | ≤9 | мА |
КП307Б | — | ≤15 | |||
КП307В | — | ≤15 | |||
КП307Г | — | 24 | |||
КП307Д | — | 8…24 | |||
КП307Е | — | ≤5 | |||
КП307Ж | — | ≤25 | |||
Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП307А | 10 В | 4…9 | мА/В |
КП307Б | 10 В | 5…10 | |||
КП307В | 10 В | 5…10 | |||
КП307Г | 10 В | 6…12 | |||
КП307Д | 10 В | 6…12 | |||
КП307Е | 10 В | 3…8 | |||
КП307Ж | 10 В | 4…14 | |||
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП307А | — | ≤5; ≤1.![]() | пФ |
КП307Б | — | ≤5; ≤1.5* | |||
КП307В | — | ≤5; ≤1.5* | |||
КП307Г | — | ≤5; ≤1.5* | |||
КП307Д | — | ≤5; ≤1.5* | |||
КП307Е | — | ≤5; ≤1.5* | |||
КП307Ж | — | ≤5; ≤1.5* | |||
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток | RСИ отк, K*у.P, P**вых, ΔUЗИ | КП307А | — | — | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
КП307Б | — | — | |||
КП307В | — | — | |||
КП307Г | — | — | |||
КП307Д | — | — | |||
КП307Е | — | — | |||
КП307Ж | — | — | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП307А | 1 кГц | ≤20** | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
КП307Б | 100 кГц | ≤2.![]() | |||
КП307В | 100 кГц | ≤2.5** | |||
КП307Г | 400 МГц | ≤6 | |||
КП307Д | 400 МГц | ≤6 | |||
КП307Е | 1 кГц | ≤20** | |||
КП307Ж | — | ≤(4·10-17)*** | |||
Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП307А | — | — | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
КП307Б | — | — | |||
КП307В | — | — | |||
КП307Г | — | — | |||
КП307Д | — | — | |||
КП307Е | — | — | |||
КП307Ж | — | — |
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед.![]() |
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P*СИ, т max | КП307А1 | — | 250 | мВт, (Вт*) |
КП307Б1 | — | 250 | |||
КП307В1 | — | 250 | |||
КП307Г1 | — | 250 | |||
КП307Д1 | — | 250 | |||
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U*ЗИ пор | КП307А1 | — | 0.5…3 | В |
КП307Б1 | — | 1…5 | |||
КП307В1 | — | 1.![]() | |||
КП307Г1 | — | ≤2.5 | |||
КП307Д1 | — | ≤7 | |||
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U*ЗC max | КП307А1 | — | 27* | В |
КП307Б1 | — | 27* | |||
КП307В1 | — | 27* | |||
КП307Г1 | — | 27* | |||
КП307Д1 | — | 27* | |||
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). | UЗИ max | КП307А1 | — | 27 | В |
КП307Б1 | — | 27 | |||
КП307В1 | — | 27 | |||
КП307Г1 | — | 27 | |||
КП307Д1 | — | 27 | |||
Ток стока (постоянный).![]() | IС, I*С, И | КП307А1 | — | 25 | мА |
КП307Б1 | — | 25 | |||
КП307В1 | — | 25 | |||
КП307Г1 | — | 25 | |||
КП307Д1 | — | 25 | |||
Начальный ток стока | IС нач, I*С ост | КП307А1 | — | — | мА |
КП307Б1 | — | — | |||
КП307В1 | — | — | |||
КП307Г1 | — | — | |||
КП307Д1 | — | — | |||
Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП307А1 | 10 В | 4…9 | мА/В |
КП307Б1 | 10 В | 5…10 | |||
КП307В1 | 10 В | 6…12 | |||
КП307Г1 | 10 В | 3…8 | |||
КП307Д1 | 10 В | 4…14 | |||
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С*12и, С*22и | КП307А1 | — | — | пФ |
КП307Б1 | — | — | |||
КП307В1 | — | — | |||
КП307Г1 | — | — | |||
КП307Д1 | — | — | |||
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток | RСИ отк, K*у.![]() | КП307А1 | — | — | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
КП307Б1 | — | — | |||
КП307В1 | — | — | |||
КП307Г1 | — | — | |||
КП307Д1 | — | — | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, U*ш, E**ш, Q*** | КП307А1 | — | — | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
КП307Б1 | — | — | |||
КП307В1 | — | — | |||
КП307Г1 | — | — | |||
КП307Д1 | — | — | |||
Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F**р, ΔUЗИ/ΔT | КП307А1 | — | — | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
КП307Б1 | — | — | |||
КП307В1 | — | — | |||
КП307Г1 | — | — | |||
КП307Д1 | — | — |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в буквенных обозначениях параметров полевых транзисторов.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Полевой транзистор кп307 маркировка
Главная » Электричество
Содержание
- DataSheet
- Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.
- Транзистор полевой КП307
DataSheet
Техническая документация к электронным компонентам на русском языке.
Транзистор полевой КП307
Описание
Малошумящие эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с затвором на основе р-n-перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением (КП307Ж — в зарядочувствительных усилителях и устройствах ядерной спектроскопии). Диапазон рабочих температур окружающей среды -40…+85 °С.
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед.![]() |
Аналог | КП307А | 2N5394 | |||
КП307Б | 2N4223, 2N4220 | ||||
КП307В | 2N4224 | ||||
КП307Г | MFE2001, 2N4216 | ||||
КП307Д | MFE2002 | ||||
Структура | — | C p-n переходом и n-каналом | |||
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P *СИ, т max | КП307А | — | 250 | мВт, (Вт*) |
КП307Б | — | 250 | |||
КП307В | — | 250 | |||
КП307Г | — | 250 | |||
КП307Д | — | 250 | |||
КП307Е | — | 250 | |||
КП307Ж | — | 250 | |||
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором).![]() | UЗИ отс, U * ЗИ пор | КП307А | — | 0.5…3 | В |
КП307Б | — | 1…5 | |||
КП307В | — | 1…5 | |||
КП307Г | — | 1.5…6 | |||
КП307Д | — | 1.5…6 | |||
КП307Е | — | ≤2.5 | |||
КП307Ж | — | ≤7 | |||
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U * ЗC max | КП307А | — | 25; 27* | В |
КП307Б | — | 25; 27* | |||
КП307В | — | 25; 27* | |||
КП307Г | — | 25; 27* | |||
КП307Д | — | 25; 27* | |||
КП307Е | — | 25; 27* | |||
КП307Ж | — | 25; 27* | |||
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное).![]() | UЗИ max | КП307А | — | 27 | В |
КП307Б | — | 27 | |||
КП307В | — | 27 | |||
КП307Г | — | 27 | |||
КП307Д | — | 27 | |||
КП307Е | — | 27 | |||
КП307Ж | — | 27 | |||
Ток стока (постоянный). Со звездочкой ток стока (импульсный) | IС, I * С,И | КП307А | — | 25 | мА |
КП307Б | — | 25 | |||
КП307В | — | 25 | |||
КП307Г | — | 25 | |||
КП307Д | — | 25 | |||
КП307Е | — | 25 | |||
КП307Ж | — | 25 | |||
Начальный ток стока | IС нач, I * С ост | КП307А | — | ≤9 | мА |
КП307Б | — | ≤15 | |||
КП307В | — | ≤15 | |||
КП307Г | — | 24 | |||
КП307Д | — | 8…24 | |||
КП307Е | — | ≤5 | |||
КП307Ж | — | ≤25 | |||
Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП307А | 10 В | 4…9 | мА/В |
КП307Б | 10 В | 5…10 | |||
КП307В | 10 В | 5…10 | |||
КП307Г | 10 В | 6…12 | |||
КП307Д | 10 В | 6…12 | |||
КП307Е | 10 В | 3…8 | |||
КП307Ж | 10 В | 4…14 | |||
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С * 12и, С * 22и | КП307А | — | ≤5; ≤1.![]() | пФ |
КП307Б | — | ≤5; ≤1.5* | |||
КП307В | — | ≤5; ≤1.5* | |||
КП307Г | — | ≤5; ≤1.5* | |||
КП307Д | — | ≤5; ≤1.5* | |||
КП307Е | — | ≤5; ≤1.5* | |||
КП307Ж | — | ≤5; ≤1.5* | |||
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток | RСИ отк, K * у.P, P ** вых, ΔUЗИ | КП307А | — | — | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
КП307Б | — | — | |||
КП307В | — | — | |||
КП307Г | — | — | |||
КП307Д | — | — | |||
КП307Е | — | — | |||
КП307Ж | — | — | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, U * ш, E ** ш, Q *** | КП307А | 1 кГц | ≤20** | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
КП307Б | 100 кГц | ≤2.![]() | |||
КП307В | 100 кГц | ≤2.5** | |||
КП307Г | 400 МГц | ≤6 | |||
КП307Д | 400 МГц | ≤6 | |||
КП307Е | 1 кГц | ≤20** | |||
КП307Ж | — | ≤(4·10 -17 )*** | |||
Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F ** р, ΔUЗИ/ΔT | КП307А | — | — | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
КП307Б | — | — | |||
КП307В | — | — | |||
КП307Г | — | — | |||
КП307Д | — | — | |||
КП307Е | — | — | |||
КП307Ж | — | — |
Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед.![]() |
Рассеиваемая мощность сток-исток (постоянная). | PСИ, P *СИ, т max | КП307А1 | — | 250 | мВт, (Вт*) |
КП307Б1 | — | 250 | |||
КП307В1 | — | 250 | |||
КП307Г1 | — | 250 | |||
КП307Д1 | — | 250 | |||
Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком (полевого транзистора с p-n-переходом и с изолированным затвором). | UЗИ отс, U * ЗИ пор | КП307А1 | — | 0.5…3 | В |
КП307Б1 | — | 1…5 | |||
КП307В1 | — | 1.![]() | |||
КП307Г1 | — | ≤2.5 | |||
КП307Д1 | — | ≤7 | |||
Максимальное напряжение сток-исток (постоянное). Со звездочкой максимальное напряжение затвор-сток. | UСИ max, U * ЗC max | КП307А1 | — | 27* | В |
КП307Б1 | — | 27* | |||
КП307В1 | — | 27* | |||
КП307Г1 | — | 27* | |||
КП307Д1 | — | 27* | |||
Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное). | UЗИ max | КП307А1 | — | 27 | В |
КП307Б1 | — | 27 | |||
КП307В1 | — | 27 | |||
КП307Г1 | — | 27 | |||
КП307Д1 | — | 27 | |||
Ток стока (постоянный).![]() | IС, I * С,И | КП307А1 | — | 25 | мА |
КП307Б1 | — | 25 | |||
КП307В1 | — | 25 | |||
КП307Г1 | — | 25 | |||
КП307Д1 | — | 25 | |||
Начальный ток стока | IС нач, I * С ост | КП307А1 | — | — | мА |
КП307Б1 | — | — | |||
КП307В1 | — | — | |||
КП307Г1 | — | — | |||
КП307Д1 | — | — | |||
Крутизна характеристики полевого транзистора | S | КП307А1 | 10 В | 4…9 | мА/В |
КП307Б1 | 10 В | 5…10 | |||
КП307В1 | 10 В | 6…12 | |||
КП307Г1 | 10 В | 3…8 | |||
КП307Д1 | 10 В | 4…14 | |||
Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком | C11и, С * 12и, С * 22и | КП307А1 | — | — | пФ |
КП307Б1 | — | — | |||
КП307В1 | — | — | |||
КП307Г1 | — | — | |||
КП307Д1 | — | — | |||
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии — сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток | RСИ отк, K * у.![]() | КП307А1 | — | — | Ом, (дБ*), (Вт**),(мВ***) |
КП307Б1 | — | — | |||
КП307В1 | — | — | |||
КП307Г1 | — | — | |||
КП307Д1 | — | — | |||
Коэффициент шума транзистора | Кш, U * ш, E ** ш, Q *** | КП307А1 | — | — | Дб, (мкВ*), (нВ/√Гц**), (Кл**) |
КП307Б1 | — | — | |||
КП307В1 | — | — | |||
КП307Г1 | — | — | |||
КП307Д1 | — | — | |||
Время включения транзистора | tвкл, t*выкл, F ** р, ΔUЗИ/ΔT | КП307А1 | — | — | нс, (нс*), (МГц**), (мкВ/°C***) |
КП307Б1 | — | — | |||
КП307В1 | — | — | |||
КП307Г1 | — | — | |||
КП307Д1 | — | — |
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Источник
Материалы для упаковки и прокладки: KNR121, KP116R, KPL8C-SK
GET A Цитата
Номер детали
Количество
Электронная почта
MFG SKU | MFG SKU | NSN | RFQ | | |||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KNR121 | 5330-01-305-9512 | Прокладка | Класс силикона в целом: резина класса Стиль поперечного сечения: F33 Твердый однократный или композиция Толщина поперечного сечения: 0,015 дюймов Nominal | Eaton Aerospace LLC (02750) | |||||||
KOENIG и BAUERBLATT-087SLIT-087SLIT-087SLIT-087SLIT-087SLIT-087SLIT-087SLIT-087SLIT-087SLIT-087SLIT-087SLIT-087. 5330-01-106-8535 | Уплотнение, предварительно отформованное | Особенности: Уплотнительное кольцо, привод грязесъемного ролика, для 4-пластинчатой монохромной глубокой печати giori/mono S-98, серийный номер 635-00-201 Идентификационный номер Отличительные признаки: В соответствии со сверхдлинным идентификационным номером Extra Long Reference Number: Koenig and BAUERBLATT-087 position 59 | General Services Administration (80244) | ||||||||
KOENIG AND BAUERBLATT087 POSITI- KOENIGANDBAUERBLATT087POSITI | 5330-01-106-8534 | Packing , предварительно отформованный | Особенности: Уплотнительное кольцо, для 4-пластинчатой монохромной глубокой печати giori/mono S-98, серийный номер.![]() Номер по каталогу Отличительные характеристики: Отличается удлиненным номером по каталогу Дополнительный длинный эталонный номер: Koenig and Bauerblatt087 Позиция 56 | Администрация общих услуг (80244) | |||||||
KP-1003 KP1003 | 131333333333333333333333333333333313 гг. Материал: резина, силикон, класс Q, комбинезон Обозначение стиля: A4A, некруглая форма Конструкция: разъемная | Kirkhill-TA Co. (75345) | |||||||||
KP1112R | 5330-00-481-0146 | Прокладка | СПЕЦИАЛЬНЫЕ СПАСИБО: № 60 IRRED SHAMER SPAME .195 неправильной формы из рис. | GASKET | Толщина поперечного сечения: 0,031 дюйма Номинальный Диаметр отверстия: 0,281 дюйма Номинальная Общая длина: 3,500 дюйма Номинальная | Cooper Power Systems Inc. (64916) MCGRAW-EEDESON CO. ![]() | |||||
KP2090A66 | 5330-00-481-0146 | GASKET | Особые функции: Стиль Устройство: № 60 ПРИМЕР СПАСИ5 нерегулярная форма от FIIG A03200 | McGraw-Edison Co. (46460) | |||||||
KP23468 | 5330-01-189-364468 | 5330-01-189-364468 | 5330-01-189-364468 | 5330-01-189-364468 | . Scott and Fetzer Co. (75337) SEB Corp. (63834) | ||||||
KP307-2 KP3072 | 5330-00-406-1085 | 5330-00-406-1085 | 5330-00-406-1085 | 5330-00-406-1085 | 0034 | Actuant Corp. (26952) | |||||
kp4033-9012 KP40339012 | 5330-011-176-9444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444444439тели | .![]() | Dynex/Rivett Inc. (05842) | ||||||||
KP610R | 5330-00-481-0147 | Прокладка | Материал: Комбинезон из пробки и синтетического каучука Форма поперечного сечения Тип: F33 цельный, одинарный или составной Толщина поперечного сечения: 0,062 дюйма номинальная | McGraw. (46460) | |||||||
KPC3CCJEA03 | 5330-01-464-9890 | Компта0034 | |||||||||
KPE121 | 5330-01-322-8061 | GASKET | КРИТИЧЕСКИЙ КОД. и спецификации испытаний | DRS Power & Control Technologies (06RP6) Eaton Aerospace LLC (02750) | |||||||
KPE87F | 5330-01-514-8044 | Комплект деталей, замена печати, MECHA | Компонент Документ Происхождение: Промышленность Тип документа: MFR Catalog . ![]() | ||||||||
KPF35028 | 5330-00-154-4950 | Уплотнительный элемент Материал кожаный корпус | : Allis-Chalmers Corp. (92392) | ||||||||
KPL121A | 5330-01-313-5376 | Packing, Preformed | Материал: хлоропреновый каучук класса cr в целом Форма поперечного сечения Тип: D1 Уплотнительное кольцо Высота поперечного сечения: номинальная 0,055 дюйма | DRS Power & Control Technologies (06RP6) Eaton Aerospace LLC (02750) | |||||||
KPL121B | 5330-01-313-5377 | СПАКТИРОВАНИЕ 9003. СПАРИЗАЯ СРЕДИНА | |||||||||
DRS Power & Control Technologies (06RP6) Eaton Aerospace LLC (02750) | |||||||||||
KPL121C | 5330-01-315-2808 | GASKET | Диаметр отверстия: 0,170 дюйма Номинальная Общая длина: 3,000 дюйма. ![]() | ||||||||
KPL121D | 5330-01-314-8134 | GASKETE | Материал: резиновый класс CR-CRES. диаметр, от центра до центра по длине 2,61 дюйма, от внешнего края до центра отверстия по ширине 0,019in., outside edge to hole center along length 0.750 Style Designator: B12A non-circular | DRS Power & Control Technologies (06RP6) Eaton Aerospace LLC (02750) | |||||||
KPL8C-SK KPL8CSK | 5330-01-553-6428 | Комплект деталей, замена уплотнений, механизм | Идентификация конечного изделия: Упаковочный материал | Kinematics Mfg Inc. (1HUG6) |
- . найти, долгое время выполнения и устаревшие компоненты.
С обложки: Андезит возрастом 4565 млн лет с вымершей хондритовой протопланеты
1. Метеоритическое общество (2020), База данных метеоритного бюллетеня. https://www.lpi.usra.edu/meteor/. По состоянию на 22 февраля 2021 г.
2. McSween H.Y., et al.. Метеориты HED и их связь с геологией Весты и миссией Dawn. Космические науки. преп. 63, 141–174 (2011). [Google Scholar]
3. Downes H., et al.., Доказательства полимиктовых уреилитовых метеоритов в отношении разрушенного и повторно сросшегося единственного родительского уреилитового астероида, образовавшегося в результате нескольких ударных воздействий. Геохим. Космохим. Акта 72, 4825–4844 (2008). [Google Scholar]
4. Ямагучи А. и др.. Новый источник базальтовых метеоритов из Северо-Западной Африки 011. Наука 296, 334–336 (2002). [PubMed] [Google Scholar]
5. Mittlefehldt D. W., Ibitira: базальтовый ахондриты из отдельного материнского астероида и последствия для миссии Dawn. Метеорит. Планета. науч. 40, 665–677 (2005). [Google Scholar]
6. Дэй Дж. М. Д. и др. Раннее формирование эволюционировавшей астероидной коры. Природа 457, 179–182 (2009). [PubMed] [Google Scholar]
7. Ширер С. К. и др.. Плавление небазальтовых астероидов на самых ранних стадиях эволюции Солнечной системы. Вид с антарктических ахондритов Могилы Нунатак 06128 и 06129. Геохим. Космохим. Акта
74, 1172–1199 (2010). [Google Scholar]
8. Бишофф А. и др. Трахиандезитовый вулканизм в ранней Солнечной системе. проц. Натл. акад. науч. США. 111, 12689–12692 (2014). [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]
9. Шринивасан П. и др.. Богатый кремнеземом вулканизм в ранней Солнечной системе, датированный 4,565 млрд лет назад. Nat. коммун. 9, 3036 (2018). [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]
10. Usui T., Jones J. H., Mittlefehldt D. W., Исследование частичного плавления обычного (H) хондрита с применением к уникальному ахондриту Graves Nunataks 06128 и 06129. Метеорит. Планета. науч. 50, 759–781 (2015). [Google Scholar]
11. Луннинг Н. Г. и др.. Частичное плавление окисленных планетезималей: экспериментальное исследование образования богатых олигоклазом ахондритов Могилы Нунатаки 06128 и 06129. Геохим. Космохим. Акта
214, 73–85 (2017). [Google Scholar]
12. Коллинет М., Гроув Т. Л. Широко распространенное образование расплавов, богатых кремнеземом и щелочами, в начале планетозимального плавления. Геохим. Космохим. Акта 277, 334–357 (2020). [Академия Google]
13. Баррат Дж. А., Жилле П., Лекуйер К., Шеппард С. М., Лесур М., Образование карбонатов в метеорите Татауин. Наука 280, 412–414 (1998). [PubMed] [Google Scholar]
14. The Meteoritical Society (2020), база данных Meteoritical Bulletin, запись для Erg Chech 002. https://www.lpi.usra.edu/meteor/metbull.php?sea=Erg+ Chech+002&sfor=names&ants=&nwas=&falls=&valids=&stype=contains&lrec=50&map=ge&browse=&country=All&srt=name&categ=All&mblist=All&rect=&phot=&strewn=&snew=0&pnt=Normal%20table&code=72475. По состоянию на 22 февраля 2021 г.
15. Stöffler D., Hamann C., Metzler K., Ударный метаморфизм планетарных силикатных пород и отложений: предложение по обновленной системе классификации. Метеорит. Планета. науч.
53, 5–49 (2018). [Google Scholar]
16. Крэнк Дж., Математика диффузии (Oxford University Press, Лондон, 1967), 347 стр. [Google Scholar]
17. Гангули Дж., Таццоли В., Fe 2+ Взаимная диффузия Mg в ортопироксене: Извлечение из данных о реакции внутрикристаллического обмена. Являюсь. Минеральная. 79, 930–937 (1994). [Google Scholar]
18. Le Maitre R. W., et al.., Изверженные породы, классификация и глоссарий терминов (Cambridge University Press; ). [Google Scholar]
19. Баррат Дж.-А. и др.. Петрология и геохимия небрекчиированного ахондрита Северо-Западная Африка 1240 (NWA 1240): ударный расплав родительского тела HED. Геохим. Космохим. Акта 67, 3959–3970 (2003). [Google Scholar]
20. Баррат Дж.-А. и др. Геохимия хондритов CI: главные и рассеянные элементы, изотопы Cu и Zn. Геохим. Космохим. Акта 83, 79–92 (2012). [Google Scholar]
21. Баррат Дж. А. и др.. Данные аномалий Tm для пропорций тугоплавких литофильных элементов, не относящихся к CI, в земных планетах и ахондритах. Геохим. Космохим. Акта
176, 1–17 (2016). [Google Scholar]. 27 Коэффициент Al восстановлен. Планета Земля. науч. лат.
272, 353–364 (2008). [Академия Google]
23. Бреннека Г. А., Вадхва М., Изотопный состав урана в базальтовых ангритовых метеоритах и хронологические последствия для ранней Солнечной системы. проц. Натл. акад. науч. США. 109, 9299–9303 (2012). [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]
24. Schiller M., Connelly J. N., Glad A. C., Mikouchi T., Bizzarro M., Ранняя аккреция протопланет, выведенная из уменьшенной внутренней солнечной системы 26 Al инвентарь . Планета Земля. науч. лат. 420, 45–54 (2015). [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]
25. Busemann H., Eugster O., Захваченный благородный газ в ахондритах. Метеорит. Планета. науч. 37, 1865–1891 (2002). [Google Scholar]
26. Kruijer T.S., et al., Длительное формирование ядра и быстрая аккреция протопланет. Наука 344, 1150–1154 (2014). [PubMed] [Google Scholar]
27. Пепловский П. Н. и др., Радиоактивные элементы на поверхности ртути из MESSENGER: Влияние на формирование и эволюцию планеты. Наука
333, 1850–1852 (2011). [PubMed] [Академия Google]
28. Тера Ф. и др.., Сравнительное исследование содержаний Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr и Ba в ахондритах и в лунных образцах Аполлона-11. проц. Лунная наука Аполлона-11. конф. 2, 1637–1657 (1970). [Google Scholar]
29. Уоррен П. Х. Аномалии стабильных изотопов и аккреционная ассоциация Земли и Марса: второстепенная роль углеродистых хондритов. Планета Земля. науч. лат. 311, 93–100 (2011). [Google Scholar]
30. Kruijer T.S., Kleine T., Возраст и происхождение железных метеоритов IIE по хронологии Hf-W. Геохим. Космохим. Акта 262, 92–103 (2019). [Google Scholar]
31. Баррат Дж. А. и др., Частичное плавление астероида, богатого углеродом: литофильные микроэлементы в уреилитах. Геохим. Космохим. Акта 194, 163–178 (2016). [Google Scholar]
32. Nakamuta Y., et al.. Влияние компонента NaCrSi 2 O 6 на пироксеновый термометр Линдсли: оценка, основанная на сильно метаморфизованных LL хондритах. Метеорит. Планета. науч.
52, 511–521 (2017). [Google Scholar]
33. Ямагучи А. и др. Экспериментальные доказательства быстрого переноса микроэлементов в планетарной коре в результате высокотемпературного метаморфизма. Планета Земля. науч. лат. 368, 101–109(2013). [Google Scholar]
34. Оно Х., «Эволюция земной коры астероида Веста на основании полиморфных форм кремнезема в эвкритах», докторская диссертация, Токийский университет (2020), 225 стр.
35. Вильнёв Дж., Шоссидон М. ., Либурель Г., Однородное распределение 26 Al в Солнечной системе по изотопному составу Mg хондр. Наука 325, 985–988 (2009). [PubMed] [Google Scholar]
36. Van Kooten E.M.M., et al.., Изотопные данные о первичном молекулярном облачном материале в богатых металлами углеродистых хондритах. проц. Натл. акад. науч. США. 113, 2011–2016 (2016). [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]
37. Шиллер М., Хэндлер М. Р., Бейкер Дж. А., Высокоточная изотопная систематика магния объемных хондритов. Планета Земля. науч. лат.
297, 165–173 (2010). [Google Scholar]
38. Luu T. H., et al.. Изменчивость объемных хондритов в независимом от массы изотопном составе магния. Последствия для начальной Солнечной системы 26 Al/ 27 Al и время земной аккреции. Планета Земля. науч. лат. 522, 166–175 (2019). [Google Scholar]
39. Koefoed P., et al.. U-Pb и Al-Mg систематика разгруппированных ахондритов Северо-Западной Африки 7325. Geochim. Космохим. Акта 183, 31–45 (2016). [Академия Google]
40. Wimpenny J., et al.. Переоценка происхождения и хронологии уникального ахондрита Asuka 881394: Значение для распространения 26 Al в ранней Солнечной системе. Геохим. Космохим. Акта 244, 478–501 (2019). [Google Scholar]
41. Баррат Дж. А. и др., Дифференциация земной коры в ранней Солнечной системе: Подсказки из уникального ахондрита Северо-Западной Африки 7325 (NWA 7325). Геохим. Космохим. Акта 168, 280–292 (2015). [Google Scholar]
42. Камински Э. и др. Ранняя аккреция планетезималей, распутанная термической эволюцией родительских тел магматических железных метеоритов. Планета Земля. науч. лат.
548, 116469(2020). [Google Scholar]
43. ДеМео Ф. Э., Бинзель Р. П., Сливан С. М., Бас С. Дж., Расширение таксономии астероидов Баса в ближнем инфракрасном диапазоне. Икар 202, 160–180 (2009). [Google Scholar]
44. ДеМео Ф. Э., Кэрри Б., Таксономическое распределение астероидов по данным фотометрических обзоров всего неба с несколькими фильтрами. Икар 226, 723–741 (2013). [Google Scholar]
45. Коттен Дж. и др., Происхождение аномальных обогащений редкоземельными элементами и иттрием в субаэральных обнаженных базальтах — свидетельство из Французской Полинезии. хим. геол. 119, 115–138 (1995). [Google Scholar]
46. Катандзаро Э. Дж., Мерфи Т. Дж., Гарнер Э. Л., Шилдс В. Р., Абсолютное соотношение содержания изотопов и атомный вес магния. Дж. Рез. Натл. Бур. стенд., физ. хим. 70А, 453–458 (1966). [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]
47.