Кс113А характеристики. Характеристики и применение стабилитрона КС113А: напряжение стабилизации, ток, мощность — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Каковы основные параметры стабилитрона КС113А. Какое напряжение стабилизации у КС113А. Для чего применяется стабилитрон КС113А в электронных схемах. Как правильно подключать и использовать КС113А.

Содержание

Основные характеристики стабилитрона КС113А

Стабилитрон КС113А относится к маломощным кремниевым полупроводниковым приборам и обладает следующими ключевыми параметрами:

Номинальное напряжение стабилизации: 1,3 В
Номинальный ток стабилизации: 5 мА
Максимально допустимая рассеиваемая мощность: 125 мВт
Дифференциальное сопротивление: не более 60 Ом
Температурный коэффициент напряжения стабилизации: -0,08%/°C
Максимально допустимая температура перехода: 150°C

Стабилитрон КС113А работает в режиме прямого включения, обеспечивая стабилизацию низкого напряжения 1,3 В. Это позволяет использовать его для создания источников опорного напряжения в различных электронных схемах.

Принцип работы стабилитрона КС113А

Принцип действия стабилитрона КС113А основан на эффекте стабилизации напряжения на p-n переходе при прямом включении. При протекании прямого тока через стабилитрон, напряжение на нем остается практически неизменным в широком диапазоне токов.

Это происходит за счет того, что при увеличении тока возрастает концентрация носителей заряда в области перехода, что приводит к уменьшению его сопротивления. В результате напряжение на стабилитроне меняется незначительно даже при существенном изменении протекающего тока.

Область применения стабилитрона КС113А

Благодаря своим характеристикам, стабилитрон КС113А находит применение в следующих областях:

Источники опорного напряжения в измерительных приборах и преобразователях
Стабилизаторы низкого напряжения в электронных схемах
Ограничители амплитуды сигналов
Формирователи импульсов
Схемы температурной компенсации

КС113А часто используется в паре с другими стабилитронами для получения требуемого опорного напряжения. Например, последовательное соединение КС113А и стабилитрона на 5,6 В позволяет получить стабильное напряжение 6,9 В.

Особенности подключения стабилитрона КС113А

При использовании стабилитрона КС113А в электронных схемах необходимо соблюдать следующие правила:

Стабилитрон включается в прямом направлении — анод подключается к плюсу источника питания, катод — к нагрузке.
Необходимо ограничивать ток через стабилитрон с помощью последовательного резистора.
Рабочий ток стабилизации должен находиться в диапазоне 1-10 мА.
Не допускается превышение максимально допустимой рассеиваемой мощности 125 мВт.
Рекомендуется обеспечить хороший теплоотвод от корпуса стабилитрона.

При правильном подключении стабилитрон КС113А обеспечивает стабильное опорное напряжение 1,3 В во всем диапазоне рабочих температур.

Сравнение КС113А с аналогами

Стабилитрон КС113А имеет ряд отечественных и зарубежных аналогов с близкими характеристиками:

КС107А — напряжение стабилизации 0,7 В
КС119А — напряжение стабилизации 1,9 В
1N4370 — напряжение стабилизации 2,4 В
BZX79C2V4 — напряжение стабилизации 2,4 В

По сравнению с аналогами, КС113А обеспечивает более низкое опорное напряжение 1,3 В, что делает его востребованным для маломощных схем с низким напряжением питания.

Типовые схемы применения КС113А

Рассмотрим несколько типовых схем использования стабилитрона КС113А:

Простой стабилизатор напряжения

В этой схеме КС113А обеспечивает стабильное выходное напряжение 1,3 В при изменении входного напряжения в широких пределах:

Входное напряжение: 3-12 В
Выходное напряжение: 1,3 В
Максимальный ток нагрузки: 5 мА

Источник опорного напряжения

Здесь КС113А формирует опорное напряжение 1,3 В для операционного усилителя:

Напряжение питания: ±15 В
Опорное напряжение: 1,3 В
Температурный дрейф: не более 0,1 мВ/°C

Заключение

Стабилитрон КС113А — надежный отечественный полупроводниковый прибор, обеспечивающий стабильное опорное напряжение 1,3 В. Благодаря своим характеристикам он широко применяется в источниках питания, измерительной технике и других электронных устройствах. При правильном применении КС113А позволяет создавать простые и эффективные схемы стабилизации и формирования опорного напряжения.

Стабилитрон КС113А

Количество драгоценных металлов в стабилитроне КС113А согласно документации производителя. Справочник массы и наименований ценных металлов в советских стабилитронах КС113А.

Стабилитрон КС113А количество содержания драгоценных металлов:
Золото: 0,00064 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Согласно данным: Из справочника Связь-Инвест.

Справочник содержания ценных металлов из другого источника:

Стабилитроны КС113А теория

Полупроводниковый стабилитрон, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей Ома до сотен Ом. Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью в широком диапазоне обратных токов.

Прежде всего, не следует забывать, что стабилитрон работает только в цепях постоянного тока. Напряжение на стабилитрон подают в обратной полярности, то есть на анод стабилитрона будет подан минус “-“. При таком включении стабилитрона через него протекает обратный ток (I обр) от выпрямителя. Напряжение с выхода выпрямителя может изменяться, будет изменяться и обратный ток, а напряжение на стабилитроне и на нагрузке останется неизменным, то есть стабильным. На следующем рисунке показана вольт-амперная характеристика стабилитрона.

Основное назначение стабилитронов — стабилизация напряжения. Серийные стабилитроны изготавливаются на напряжения от 1,8 В до 400 В. Интегральные стабилитроны со скрытой структурой на напряжение около 7 В являются самыми точными и стабильными твердотельными источниками опорного напряжения: лучшие их образцы приближаются по совокупности показателей к нормальному элементу Вестона. Особый тип стабилитронов, высоковольтные лавинные диоды («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяется для защиты электроаппаратуры от перенапряжений.

Стабилитроны КС113А Принцип действия

Советские и импортные стабилитроны

Полупроводниковый стабилитрон — это диод, предназначенный для работы в режиме пробоя на обратной ветви вольт-амперной характеристики. В диоде, к которому приложено обратное, или запирающее, напряжение, возможны три механизма пробоя: туннельный пробой, лавинный пробой и пробой вследствие тепловой неустойчивости — разрушительного саморазогрева токами утечки. Тепловой пробой наблюдается в выпрямительных диодах, особенно германиевых, а для кремниевых стабилитронов он не критичен. Стабилитроны проектируются и изготавливаются таким образом, что либо туннельный, либо лавинный пробой, либо оба эти явления вместе возникают задолго до того, как в кристалле диода возникнут предпосылки к тепловому пробою. Серийные стабилитроны изготавливаются из кремния, известны также перспективные разработки стабилитронов из карбида кремния и арсенида галлия.

Первую модель электрического пробоя предложил в 1933 году Кларенс Зенер, в то время работавший в Бристольском университете. Его «Теория электического пробоя в твёрдых диэлектриках» была опубликована летом 1934 года. В 1954 году Кеннет Маккей из Bell Labs установил, что предложеный Зенером туннельный механизм действует только при напряжениях пробоя до примерно 5,5 В, а при бо́льших напряжениях преобладает лавинный механизм. Напряжение пробоя стабилитрона определяется концентрациями акцепторов и доноров и профилем легирования области p-n-перехода. Чем выше концентрации примесей и чем больше их градиент в переходе, тем больше напряжённость электрического поля в области пространственного заряда при равном обратном напряжении, и тем меньше обратное напряжение, при котором возникает пробой:

Туннельный, или зенеровский, пробой возникает в полупроводнике только тогда, когда напряжённость электрического поля в p-n-переходе достигает уровня в 106 В/см. Такие уровни напряжённости возможны только в высоколегированных диодах (структурах p+-n+-типа проводимости) с напряжением пробоя не более шестикратной ширины запрещённой зоны (6 EG ≈ 6,7 В), при этом в диапазоне от 4 EG до 6 EG (4,5…6,7 В) туннельный пробой сосуществует с лавинным, а при напряжении пробоя менее 4 EG (≈4,5 В) полностью вытесняет его.

С ростом температуры перехода ширина запрещённой зоны, а вместе с ней и напряжение пробоя, уменьшается: низковольтные стабилитроны с преобладанием туннельного пробоя имеют отрицательный температурный коэффициент напряжения (ТКН).

В диодах с меньшими уровнями легирования, или меньшими градиентами легирующих примесей, и, как следствие, бо́льшими напряжениями пробоя наблюдается лавинный механизм пробоя. Он возникает при концентрациях примесей, примерно соответствующих напряжению пробоя в 4 EG (≈4,5 В), а при напряжениях пробоя выше 4 EG (≈7,2 В) полностью вытесняет туннельный механизм. Напряжение, при котором возникает лавинный пробой, с ростом температуры возрастает, а наибольшая величина ТКН пробоя наблюдается в низколегированных, относительно высоковольтных, переходах.

Механизм пробоя конкретного образца можно определить грубо — по напряжению стабилизации, и точно — по знаку его температурного коэффициента. В «серой зоне» (см. рисунок), в которой конкурируют оба механизма пробоя, ТКН может быть определён только опытным путём.

Источники расходятся в точных оценках ширины этой зоны: С. М. Зи указывает «от 4 EG до 6 EG» (4,5…6,7 В), авторы словаря «Электроника» — «от 5 до 7 В»8, Линден Харрисон — «от 3 до 8 В»26, Ирвинг Готтлиб проводит верхнюю границу по уровню 10 В9. Низковольтные лавинные диоды (LVA) на напряжения от 4 до 10 В — исключение из правила: в них действует только лавинный механизм.

Оптимальная совокупность характеристик стабилитрона достигается в середине «серой зоны», при напряжении стабилизации около 6 В. Дело не столько в том, что благодаря взаимной компенсации ТКН туннельного и лавинного механизмов эти стабилитроны относительно термостабильны, а в том, что они имеют наименьший технологический разброс напряжения стабилизации и наименьшее, при прочих равных условиях, дифференциальное сопротивление. Наихудшая совокупность характеристик — высокий уровень шума, большой разброс напряжений стабилизации, высокое дифференциальное сопротивление — свойственна низковольтным стабилитронам на 3,3—4,7 В.

Область применения стабилитрона КС113А

Основная область применения стабилитрона — стабилизация постоянного напряжения источников питания. В простейшей схеме линейного параметрического стабилизатора стабилитрон выступает одновременно и источником опорного напряжения, и силовым регулирующим элементом. В более сложных схемах стабилитрону отводится только функция источника опорного напряжения, а регулирующим элементом служит внешний силовой транзистор.

Прецизионные термокомпенсированные стабилитроны и стабилитроны со скрытой структурой широко применяются в качестве дискретных и интегральных источников опорного напряжения (ИОН), в том числе в наиболее требовательных к стабильности напряжения схемах измерительных аналого-цифровых преобразователей. C середины 1970-х годов и по сей день (2012 год) стабилитроны со скрытой структурой являются наиболее точными и стабильными твердотельными ИОН. Точностные показатели лабораторных эталонов напряжения на специально отобранных интегральных стабилитронах приближаются к показателям нормального элемента Вестона.

Особые импульсные лавинные стабилитроны («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяются для защиты электроаппаратуры от перенапряжений, вызываемых разрядами молний и статического электричества, а также от выбросов напряжения на индуктивных нагрузках. Такие приборы номинальной мощностью 1 Вт выдерживают импульсы тока в десятки и сотни ампер намного лучше, чем «обычные» пятидесятиваттные силовые стабилитроны. Для защиты входов электроизмерительных приборов и затворов полевых транзисторов используются обычные маломощные стабилитроны. В современных «умных» МДП-транзисторах защитные стабилитроны выполняются на одном кристалле с силовым транзистором.

Маркировка стабилитронов КС113А

Маркировка стабилитронов

Есть информация о стабилитроне КС113А – высылайте ее нам, мы ее разместим на этом сайте посвященному утилизации, аффинажу и переработке драгоценных и ценных металлов.

Фото Стабилитрон КС113А:

Предназначение Стабилитрон КС113А.

Характеристики Стабилитрон КС113А:

Купить или продать а также цены на Стабилитрон КС113А (стоимость, купить, продать):

Отзыв о стабилитроне КС113А вы можете в комментариях ниже:

Стабилитроны

Отличие стабилитрона от стабистора

Все диоды различаются по назначению, применяемым материалам, типам р-n переходов, конструктивному исполнению, мощности и прочим признакам и характеристикам. Широкое распространение получили выпрямительные, импульсные диоды, варикапы, диоды Шотки, тринисторы, светодиоды, и тиристоры. Рассмотрим их основные технические характеристики и общие свойства, хотя у каждого типа из этих полупроводниковых компонентов много и своих сугубо индивидуальных параметров

Стабистор принцип работы и основные характеристики

Стабистор, как и обычный диод, работает на прямой ветви вольт-амперной характеристики смотри рисунок ниже. Он открывается при незначительном прямом напряжении U_пр и через него начинает идти нарастающий ппрямой ток I_пр. Прямая ветвь ВАХ стабистора идетт почти параллельно оси прямому току; при значительном изменении этого значения через стабистор падение напряжения на нем изменяется не существенно. Это свойство стабистора применяется для стабилизации напряжения.

На второй части рисунка приведена схема возможного практического использования стабистора. Принципиально такое устройство работает так же, как со стабилитроном, только к стабистору прикладывается прямое напряжение.

Вот наиболее важные характеристики стабисторов: напряжение стабилизации Uст, ток стабилизации Iст, минимальный ток стабилизации Iст мин и максимальный ток стабилизации Iст.макс.

Параметр Uст — это то падение напряжения, которое образуется между выводами стабистора в рабочем режиме

Минимальный ток стабилизации Iст.мин — наименьший прямой ток, при котором крутизна ВАХ резко снижается. С уменьшением этого тока стабистор перестанет стабилизировать напряжение.

Максимально допустимый ток стабилизации Iст.макс — это максимальный ток идущий через стабистор (не путайте главное с током, идущем в электрической цепи, питающейся от стабилизатора напряжения), при котором температура его p-n перехода не превышает допустимой. Превышение этого параметра приведет к тепловому пробою p-n перехода прибора и, естественно, к выходу стабистора из строя.

Отечественные стабисторы: КС107А — Uст = 0,7 В; КС113А — Uст = 1,3 В; КС119А — Uст = 1,9 В; Д220С — Uст = 0,59 В

Стабилитроны и стабисторы: классификация, устройство, принцип и режимы работы, основные параметры, применение

Стабилитрон

Стабилитроном называется радиокомпонент, конструктивно напоминающий диод, но кардинально отличающийся от него характером функционирования. Ключевым элементом так же, как и в обычном полупроводниковом вентиле, является полупроводниковый p-n-переход. И реакции обоих элементов на подачу обратного напряжения схожи – они оба запираются. Разница заключается в том, что пробой p-n-переходной зоны, который наступает при достижении обратным смещением некоего критического значения и выводит диод из строя, для стабилитрона является рабочим режимом.

Основа функциональности стабилитрона состоит в том, что при довольно больших изменениях обратного тока напряжение на элементе остаётся практически неизменным. Другими словами, насколько бы существенным ни было обратное смещение, радиокомпонент будет поддерживать постоянный уровень выходной разности потенциалов. Эта стабилизированное напряжение может использоваться в качестве опорного, что и находит применение в реальных радиоэлектронных устройствах, критичных к электрическим характеристикам сигнала.

Туннельный и лавинный пробой

Пробой p-n-перехода, при котором работают стабилитроны, может быть лавинным или туннельным. Они являются электрическими и носят обратимый характер. То есть при отключении обратного смещения физико-химические свойства полупроводников восстанавливаются, и диод продолжает исполнять свои функции. Однако в случае стабилитронов условия возникновения пробоя создаются и поддерживаются искусственно.

В основе лавинного и туннельного пробоя лежат одноимённые квантовые эффекты, наблюдаемые в кристаллической структуре полупроводника при возбуждении электрического поля. При разной природе и механизмах данных процессов их последствия одинаковы – электроны приобретают энергию, достаточную для прохождения через p-n-переход. Возникает пробой, и через диод начинает протекать обратный ток.

Именно в этом режиме и работает стабилитрон. При этом существует различие между радиокомпонентами, в которых используются разные эффекты. Стабилитроны, функционирующие при лавинном пробое, оперируют разностями потенциалов свыше 7 Вольт. В элементах, рассчитанных на напряжение стабилизации 3-7 Вольт, провоцируется туннельный пробой. Для стабилизации более низких разностей потенциалов применяются стабисторы, о которых мы расскажем ниже.

Классификация стабилитронов

В настоящее время выпускается широкая номенклатура стабилитронов, но вся их масса классифицируется по функциональным характеристикам и конструкции. В зависимости от параметров данные радиокомпоненты подразделяются на следующие классы:

прецизионные;
двуханодные;
быстродействующие.

Прецизионные отличаются высокой точностью стабилизации напряжения. Отклонения стабилизируемой разности потенциалов на выходе такой детали не превышают 0,0001%. Точность сильно зависит от времени жизни прецизионного стабилитрона и температуры полупроводника. В связи с этим в отношении этих радиокомпонентов введены эксплуатационные нормы, которые должны постоянно контролироваться в процессе использования аппаратуры.

Двуханодный стабилитрон исполняет функцию двух стабилитронов, включенных встречно. Это позволяет элементу обрабатывать сигналы и с одинаковой эффективностью обрабатывать напряжения разной полярности. Такая радиодеталь изготавливается в едином технологическом цикле, когда на одном кристалле кремния выращивается два встречных p-n-перехода, но, в принципе, роль двуханодного радиокомпонента могут играть и два дискретных стабилитрона, взаимно соединённых катодами.

И, наконец, стабилитроны третьего типа – быстродействующие – отличаются пониженной барьерной ёмкостью, вследствие чего сокращается продолжительность переходных процессов, протекающих в полупроводнике. Эти радиокомпоненты являются наилучшим решением для работы с импульсными сигналами. Конструктивная особенность данных элементов состоит в небольшой ширине p-n-перехода, которая обеспечивается применением особой технологии легирования полупроводника.

Стабистор

Немного по-другому функционируют радиокомпоненты, называемые стабисторами, о которых мы говорили выше. Они исполняют ту же функцию, то есть стабилизируют выходное напряжение, но являются низковольтными. Обычные стабилитроны не способны оперировать малыми разностями потенциалов. При напряжениях до 3 Вольт не возникает условий ни для лавинного, ни для туннельного пробоя p-n-перехода. Для стабилизации меньших напряжений прибегают к другому решению, а именно к использованию не обратного, а прямого смещения.

Установлено, что в сильно легированном p-n-переходе дырки и электроны рекомбинируют таким образом, что при значительном прямом токе наблюдается эффект стабилизации выходного напряжения на уровне 2,5-3 Вольт. Это обуславливает ключевое технологическое различие стабилитронов и стабисторов. Вторые предназначены для работы только в низковольтных радиосхемах.

Применение стабилитронов и стабисторов

Хорошие стабилизирующие свойства стабилитронов и стабисторов обуславливают основную сферу применения этих радиокомпонентов – создание фиксированного питающего и опорного напряжения в различных радиоэлектронных устройствах. На первом месте по распространённости стоят стабилитроны, используемые в источниках питания. Применение этих специализированных диодов обеспечивает стабильные выходные параметры питающего напряжения и одновременно упрощает схему.

В блоках питания с повышенными требованиями по точности выходных характеристик находят применение прецизионные стабилитроны. Эти элементы устанавливаются в высокоточной измерительной аппаратуре и аналого-цифровых преобразователях. Двуханодные стабилитроны используются в подавителях импульсных помех. Данные радиокомпоненты в реальных схемах нередко сочетаются с импульсными диодами. Быстродействующие стабилитроны в сочетании с СВЧ-диодами применяются в аппаратуре, работающей на сверхвысоких частотах – передатчиках, радиолокаторах и так далее.

Основные параметры

Напряжение стабилизации;
Ток стабилизации;
Разброс напряжения стабилизации;
Температурный коэффициент напряжения стабилизации;
Временная нестабильность напряжения стабилизации;
Дифференциальное сопротивление;
Минимальный ток стабилизации;
Максимальный ток стабилизации;
Рассеиваемая мощность;
Максимально-допустимая температура корпуса;
Максимально-допустимая температура перехода.

Полупроводниковыми стабилитронами называют плоскостные диоды, которые применяют для поддержания на неизменном уровне обратного постоянного напряжения, приложенного к запертому стабилитрону. При изучении пробоев электронно-дырочных переходов было отмечено, что при зенеровском и лавинном пробоях падающие на диодах обратные напряжения почти постоянны в широких диапазонах обратных токов.

Вольтамперная характеристика стабилитрона в области прямого включения не имеет отличий от других диодов, а в области обратного включения лежит участок, на котором при значительном изменении обратного тока практически постоянно обратное напряжение. Это отражено на рисунке 27, на котором изображена вольтамперная характеристика типового стабилитрона.

Рисунок 27 – Обозначение и вольт – амперная характеристика стабилитрона

Стабилитроны применяют для ограничения импульсов, с целью поддержания опорного напряжения на постоянном уровне в параметрических стабилизаторах, для защиты цепей от превышения напряжения и прочих целей.

Рисунок 28 – Внешний вид стабилитронов и схема включения

Стабисторами называют диоды, которые применяют для поддержания на неизменном уровне прямого постоянного напряжения в прямом включении. Обычно в качестве полупроводника для изготовления стабисторов применяют селен. Стабисторы используют для стабилизации постоянного напряжения, величиной от долей до нескольких вольт.

Дата добавления: 2014-12-22 ; просмотров: 751 ; ЗАКАЗАТЬ НАПИСАНИЕ РАБОТЫ

By : admin

Технические характеристики стабилитронов

RADIODETECTOR

Радиоэлектроника, схемы, статьи
и программы для радиолюбителей.

Стать автором

Вход Регистрация

Вопрос/Ответ
Литература
Радиотовары с Aliexpress
Объявления
Пользователи

Ниже представлена таблица основных технических характеристик отечественных стабилитронов.

Расшифровка обозначений стабилитронов

Uст.ном.- номинальное напряжение стабилизации стабилитрона;
Iст.ном.-номинальный ток стабилизации стабилитрона;
Рмакс.-максимально — допустимая рассеиваемая мощность на стабилитроне;
Uст.-напряжение стабилизации табилитрона;
rст.-дифференциальное сопротивление стабилитрона;
aст.-температурный коэффициент стабилизации стабилитрона;
Iст.-ток стабилизации стабилитрона;
Тк.макс.-максимально — допустимая температура корпуса стабилитрона;
Тп.макс.-максимально — допустимая температура перехода стабилитрона.

Таблица технических характеристик стабилитронов

Тип прибора	Предельные значения параметров при Т=25°С			Значения параметров при Т=25°С						Тк. мах (Тп.) °С
	*Uст.ном.* B	при Iст.ном. mA	*Рмакс.* mBt	*Uст.*		*rст.* Om	aст. 10-2 %/°С	*Iст.*
	*Uст.ном.* B	при Iст.ном. mA	*Рмакс.* mBt	мин B	мах B	*rст.* Om	aст. 10-2 %/°С	мин mA	мах mA
Д219С	0,57	1,0	—	—	—	—	—	—	50	120
Д220С	0,59	1,0	—	—	—	—	—	—	50	120
Д223С	0,59	1,0	—	—	—	—	—	—	50	120
Д808	8,0	5,0	280	7,0	8,5	6,0	7,0	3,0	33	125
Д809	9,0	5,0	280	8,0	9,5	10	8,0	3,0	29	125
Д810	10,0	5,0	280	9,0	10,5	12	9,0	3,0	26	125
Д811	11,0	5,0	280	10,0	12	15	9,5	3,0	23	125
Д813	13,0	5,0	280	11,5	14	18	9,5	3,0	20	125
Д814А	8,0	5,0	340	7,0	8,5	6,0	7,0	3,0	40	125
Д814А1	8,0	5,0	340	7,0	8,5	6,0	7,0	3,0	40	125
Д814Б	9,0	5,0	340	8,0	9,5	10	8,0	3,0	36	125
Д814Б1	9,0	5,0	340	8,0	9,5	10	8,0	3,0	36	125
Д814В	10,0	5,0	340	9,0	10,5	12	9,0	3,0	32	125
Д814В1	10,0	5,0	340	9,0	10,5	12	9,0	3,0	32	125
Д814Г	11,0	5,0	340	10,0	12	15	9,5	3,0	29	125
Д814Г1	11,0	5,0	340	10,0	12	15	9,5	3,0	29	125
Д814Д	13,0	5,0	340	11,5	14	18	9,5	3,0	24	125
Д814Д1	13,0	5,0	340	11,6	14	18	9,5	3,0	24	125
2С102А	5,1	20,0	300	4,84	5,36	17	±1,0	3,0	58	125
КС107А	0,7	10,0	125	0,63	0,77	7,0	-34	1,0	100	125
2С107А	0,7	10,0	125	0,63	0,77	7,0	-34	1,0	100	125
2С111А	6,2	10,0	150	5,66	6,76	35	-6,0	3,0	22	125
2С111Б	6,8	10,0	150	6,24	7,38	28	±5,0	3,0	20	125
2С111В	7,0	10,0	150	6,43	7,59	18	±1,0	3,0	20	125
2С112А	7,5	5,0	150	6,82	8,21	16	±4,0	3,0	18	125
2С112Б	8,2	5,0	150	7,49	8,95	14	4	3,0	17	125
2С112В	9,1	5,0	150	8,25	9,98	18	6	3,0	15	125
КС113А	1,3	10,0	200	1,17	1,43	12	-42	1,0	100	125
2С113А	1,3	10,0	200	1,17	1,43	12	-42	1,0	100	125
КС119А	1,9	10,0	200	1,72	2,1	15	-42	1,0	100	125
2С119А	1,9	10,0	200	1,72	2,1	15	-42	1,0	100	125
2С124Д1	2,4	3,0	50	2,2	2,6	180	-7,5	0,25	20,8	125
2С127А1	2,7	3,0	50	2,43	2,97	180	-20	1,0	6	85
2С127Д1	2,7	3,0	50	2,5	2,9	180	-7,5	0,25	18,5	125
КС130Д1	3,0	3,0	50	2,8	3,2	180	-7,5	0,25	16,7	125
2С130Д1	3,0	3,0	50	2,8	3,2	180	-7,5	0,25	16,7	125
КС133А	3,3	10,0	300	2,97	3,63	65	-11	3,0	81	125
КС133Г	3,3	5,0	125	3	3,6	150	-10	1,0	37,5	125
2С133А	3,3	10,0	300	2,97	3,63	65	-11	3,0	81	125
2С133Б	3,3	10,0	100	3	3,7	65	-10	3,0	30	125
2С133В	3,3	5,0	125	3,1	3,5	150	-10	1,0	37,5	125
2С133Г	3,3	5,0	125	3	3,6	150	-10	1,0	37,5	125
2С133Д1	3,3	3,0	50	3,1	3,5	180	-7,5	0,25	15,2	125
2С136Д1	3,6	3,0	50	3,4	3,8	180	-7,0	0,25	13,9	125
КС139А	3,9	10,0	300	3,51	4,29	60	-10	3,0	70	125
КС139Г	3,9	5,0	125	3,5	4,3	150		1,0	32	125
2С139А	3,9	10,0	300	3,51	4,29	60	-10	3,0	70	125
2С139Б	3,9	10,0	100	3,5	4,3	60	-10	3,0	26	125
2С139Д1	3,9	3,0	50	3,7	4,1	180	-6,5	0,25	12,8	125
2С143Д1	4,3	3,0	50	4	4,6	180	-6,0	0,25	11,6	125
КС147А	4,7	10,0	300	4,23	5,17	56	-9…10	3,0	58	125
КС147Г	4,7	5,0	125	4,2	5,2	150	-7,0	1,0	26,5	125
2С147А	4,7	10,0	300	4,23	5,17	56	-9…10	3,0	58	125
2С147Б	4,7	10,0	100	4,1	5,2	56	-8…+2	3,0	21	125
2С147В	4,7	5,0	125	4,5	4,9	150	-7,0	1,0	26,5	125
12С147Г	4,7	5,0	125	4,2	5,2	150	-7,0	1,0	26,5	125
12С147У1	4,7	3,0	50	4,2	5,2	220	-8,0	1,0	10,6	125
12С147Т1	4,7	3,0	50	4,4	4,9	220	-8,0	1,0	10,6	125
2С147Т9	4,7	3,0	200	4,4	4,9	220	-8,0	1,0	38	125
2С151Т1	5,1	3,0	50	4,8	5,4	180	-6…3	1,0	10	125
КС156А	5,6	10,0	300	5,04	6,16	46	±5,0	3,0	55	125
КС156Г	5,6	5,0	125	5	6,2	100	7,0	1,0	22,4	125
2С156А	5,6	10,0	300	5,04	6,16	46	±5,0	3,0	55	125
2С156Б	5,6	10,0	100	5	6,4	45	-4…7	3,0	18	125
2С156В	5,6	5,0	125	5,3	5,9	100	5,0	1,0	22,4	125
2С156Г	5,6	5,0	125	5	6,2	100	7,0	1,0	22,4	125
2С156У1	5,6	3,0	50	5	6,2	160	-4…6	1,0	9	125
2С156Т1	5,6	3,0	50	5,3	5,9	160	-4…6	1,0	9	125
2С156Т9	5,6	3,0	200	5,3	5,9	160	-4…6	1,0	34	125
2С156Ф	5,6	5,0	125	5,3	5,9	30	4,0	1,0	20	125
КС162А	6,2	10,0	300	5,8	6,6	35	-6,0	3,0	50	100
КС162В	6,2	10,0	150	5,8	6,6	—	-6,0	3,0	22	100
2С162А	6,2	10,0	150	5,66	6,76	35	-6,0	3,0	22	125
2С162Б1	6,2	3,0	21	5,89	6,51	15	6,0	1,0	3,4	85
2С162В1	6,2	3,0	21	5,58	6,82	25	6,0	1,0	3,4	85
КС168А	6,8	10,0	300	6,12	7,48	7	±6,0	3,0	45	125
КС168В	6,8	10,0	150	6,3	7,3	28	±5,0	3,0	20	100
2С168А	6,8	10,0	300	6,12	7,48	28	±6,0	3,0	45	125
2С168Б	6,8	10,0	100	6	7,5	15	7,0	3,0	15	125
2С168В	6,8	10,0	150	6,24	7,38	28	±5,0	3,0	20	125
2С168К1	6,8	0,5	20	6,46	7,14	200	5,0	0,1	2,94	125
2С168К9	6,8	0,5	200	6,46	7,14	200	5,0	0,1	27	125
2С168Х	6,8	0,5	20	6,5	7,1	200	5,0	0,5	3	125
КС170А	7,0	10,0	150	6,43	7,59	20	±1,0	3,0	20	100
2С170А	7,0	10,0	150	6,43	7,59	18	±1,0	3,0	20	125
КС175А	7,5	5,0	150	6,82	8,21	16	±4,0	3,0	18	100
КС175Ж	7,5	0,5	125	7,1	7,9	40	7,0	0,5	17	125
КС175Ц	7,5	0,5	125	7,1	7,9	200	6,5	0,1	17	125
2С175А	7,5	5,0	150	6,82	8,21	16	±4,0	3,0	18	125
2С175Ж	7,5	4,0	150	7,1	7,9	20	7,0	0,5	20	125
2С175К1	7,5	0,5	20	7,13	7,88	200	6,5	0,1	2,66	125
2С175Х	7,5	0,5	20	7,1	7,9	200	6,5	0,1	2,65	125
2С175Ц	7,5	0,5	125	7,1	7,9	200	6,5	0,1	17	125
2С175Ц1	7,5	0,1	20	7,1	7,9	820	6,0	0,05	2,65	85
2С180А	8,0	5,0	125	7	8,5	8	7,0	3,0	15	125
КС182А	8,2	5,0	150	7,6	8,8	14	—	3,0	17	100
КС182Ж	8,2	4,0	125	7,4	9	40	8,0	0,5	15	125
КС182Ц	8,2	0,5	125	7,8	8,6	200	7,0	0,1	15	125
КС182Ц1	8,2	0,1	20	7,8	8,6	820	6,5	0,05	2,5	85
2С182А	8,2	5,0	150	7,49	8,95	14	4,0	3,0	17	125
2С182Ж	8,2	4,0	150	7,8	8,7	40	8,0	0,5	18	125
2С182К1	8,2	0,5	20	7,79	8,61	220	7,5	0,1	2,44	125
2С182Х	8,2	0,5	20	7,8	8,6	200	7,5	0,5	2,5	125
2С182Ц	8,2	0,5	125	7,8	8,6	200	7,0	0,1	15	125
2С190А	9,0	5,0	125	8	9,5	12	8,0	3,0	13	125
КС191А	9,1	5,0	150	8,5	9,7	18	—	3,0	15	100
КС191Ж	9,1	4,0	125	8,6	9,6	40	9,0	0,5	14	125
КС191Ц1	9,1	0,1	20	8,6	9,6	820	7,5	0,05	2,24	125
КС191Ц	9,1	0,5	125	8,6	9,6	200	8,0	0,1	14	125
2С191А	9,1	5,0	150	8,25	9,98	18	6,0	3,0	15	125
2С191Ж	9,1	4,0	125	8,6	9,6	40	9,0	0,5	16	125
2С191К1	9,1	0,5	20	8,65	9,56	220	8,0	0,1	2,2	125
2С191Х	9,1	0,5	20	8,6	9,6	200	8,0	0,5	2,24	125
2С191Ц	9,1	0,5	125	8,6	9,6	200	8,0	0,1	14	125
КС196А	9,6	5,0	200	9,1	10,1	18	—	3,0	20	125
КС196Б	9,6	5,0	200	9,1	10,1	18	—	3,0	20	125
КС196В	9,6	5,0	200	9,1	10,1	18	—	3,0	20	125
КС196Г	9,6	5,0	200	9,1	10,1	18	—	3,0	20	125
2С205А	10,0	5,0	150	9,12	10,9	22	6,0	3,0	13	125
КС210А	10,0	5,0	150	—	—	—	—	3,0	14	100
КС210Б	10,0	5,0	150	9,3	10,7	22	6,0	3,0	14	100
КС210Ж	10,0	4,0	125	9	11	40	9,0	0,5	13	125
КС210Ц	10,0	0,5	125	9,5	10,5	200	8,5	0,1	12,5	125
КС210Ц1	10,0	0,1	20	9,5	10,5	820	8,0	0,05	2	85
2С210А	10,0	5,0	125	9	10,5	15	9,0	3,0	11	125
2С210Б	10,0	5,0	150	9,5	10,5	22	6,0	3,0	14	125
2С210Ж	10,0	4,0	150	9,5	10,5	40	9,0	0,5	15	125
2С210К1	10,0	0,5	20	9,5	10,5	220	9,0	0,1	2	125
2С210К	10,0	0,5	20	9,5	10,5	200	9,0	0,5	2	125
2С210Ц	10,0	0,5	125	9,5	10,5	200	8,5	0,1	12,5	125
КС211Ж	11,0	4,0	125	10,4	11,6	40	9,2	0,5	12	85
КС211Ц	11,0	0,5	125	10,4	11,6	200	8,5	0,1	11,2	85
КС211Ц1	11,0	0,1	20	10,4	11,6	820	8,5	0,05	1,8	85
2С211А	11,0	5,0	125	10	12	19	9,5	3,0	10	125
2С211Ж	11,0	4,0	150	10,4	11,6	40	9,2	0,5	14	125
2С211И	11,0	5,0	150	10,5	11,5	23	7,0	3,0	13	125
2С211К1	11,0	0,5	20	10,5	11,5	200	9,5	0,1	1,8	125
2С211Х	11,0	0,5	20	10,4	11,6	200	9,5	0,5	1,8	125
2С211Ц	11,0	0,5	125	10,4	11,6	200	8,5	0,1	11,2	125
КС212Ж	12,0	4,0	125	10,8	13,2	40	9,5	0,5	11	125
КС212Ц	12,0	0,5	125	11,4	12,6	200	8,5	0,1	10,6	125
КС212Ц1	12,0	0,1	20	11,4	12,6	820	8,5	0,05	1,7	125
2С212В	12,0	5,0	150	10,9	13,1	24	7,5	3,0	12	125
2С212Ж	12,0	4,0	150	11,4	12,6	40	9,5	0,5	13	125
2С212К1	12,0	0,5	20	11,4	12,6	200	9,5	0,1	1,7	125
2С212Ц	12,0	0,5	125	11,4	12,6	200	8,5	0,1	10,6	125
2С212Х	12,0	0,5	20	11,4	12,6	200	9,5	0,5	1,7	125
КС213А	13,0	5,0	150	—	—	—	—	3,0	10	125
КС213Б	13,0	5,0	150	12,1	13,9	25	8,0	3,0	10	125
КС213Ж	13,0	4,0	125	12,3	13,7	40	9,5	0,5	10	125
2С213А	13,0	5,0	125	11,5	14	22	9,5	3,0	9	125
2С213Б	13,0	5,0	150	11,9	14,2	25	7,5	3,0	10	125
2С213Ж	13,0	4,0	150	12,3	13,7	40	9,5	0,5	12	125
КС215Ж	15,0	2,0	125	13,5	16,5	70	10,0	0,5	8,3	125
2С215Ж	15,0	2,0	150	14,2	15,8	70	10,0	0,5	10	125
КС216Ж	16,0	2,0	125	15,2	16,8	70	10,0	0,5	7,8	125
2С216Ж	16,0	2,0	150	15,2	17	70	10,0	0,5	9,4	125
КС218Ж	18,0	2,0	125	16,2	19,8	70	10,0	0,5	6,9	125
2С218Ж	18,0	2,0	150	17	19	70	10,0	0,5	8,3	125
КС220Ж	20,0	2,0	125	19	21	70	10,0	0,5	6,2	125
2С220Ж	20,0	2,0	150	19	21	70	10,0	0,5	7,5	125
КС222Ж	22,0	2,0	125	19,8	24,2	70	10,0	0,5	5,7	125
2С222Ж	22,0	2,0	150	20,9	23,1	70	10,0	0,5	6,8	125
КС224Ж	24,0	2,0	125	22,8	25,2	70	10,0	0,5	5,2	125
2С224Ж	24,0	2,0	150	22,8	25,2	70	10,0	0,5	6,3	125
2С291А	91,0	1,0	250	86	96	700	11,0	0,5	2,7	125

Характеристики отечественных стабилитронов

Наименование	Напряжение стабилизации, В			Ток стабилизации, мА			Максимальная мощность рассеивания, P_макс., мВт	Дифференциальное сопротивление стабилитрона, r_ст., Ом	Температурный коэффициент стабилизации, a_ст., %/°С	Максимальная температура корпуса T_к.макс., °С
Наименование	U_{ст. мин.}	U_{ст. ном.}	U_{ст. макс.}	I_{ст. мин.}	I_{ст. ном.}	I_{ст. макс.}	Максимальная мощность рассеивания, P_макс., мВт	Дифференциальное сопротивление стабилитрона, r_ст., Ом	Температурный коэффициент стабилизации, a_ст., %/°С	Максимальная температура корпуса T_к.макс., °С
Д808	7	8	8,5	3	5	33	280	6	7	125
Д809	8	9	9,5	3	5	29	280	10	8	125
Д810	9	10	10,5	3	5	26	280	12	9	125
Д811	10	11	12	3	5	23	280	15	9,5	125
Д813	11,5	13	14	3	5	20	280	18	9,5	125
Д814А	7	8	8,5	3	5	40	340	6	7	125
Д814А1	7	8	8,5	3	5	40	340	6	7	125
Д814Б	8	9	9,5	3	5	36	340	10	8	125
Д814Б1	8	9	9,5	3	5	36	340	10	8	125
Д814В	9	10	10,5	3	5	32	340	12	9	125
Д814В1	9	10	10,5	3	5	32	340	12	9	125
Д814Г	10	11	12	3	5	29	340	15	9,5	125
Д814Г1	10	11	12	3	5	29	340	15	9,5	125
Д814Д	11,5	13	14	3	5	24	340	18	9,5	125
Д814Д1	11,6	13	14	3	5	24	340	18	9,5	125
2С102А	4,84	5,1	5,36	3	20	58	300	17	±1,0	125
КС107А	0,63	0,7	0,77	1	10	100	125	7	-34	125
2С107А	0,63	0,7	0,77	1	10	100	125	7	-34	125
2С111А	5,66	6,2	6,76	3	10	22	150	35	-6	125
2С111Б	6,24	6,8	7,38	3	10	20	150	28	±5,0	125
2С111В	6,43	7	7,59	3	10	20	150	18	±1,0	125
2С112А	6,82	7,5	8,21	3	5	18	150	16	±4,0	125
2С112Б	7,49	8,2	8,95	3	5	17	150	14	4	125
2С112В	8,25	9,1	9,98	3	5	15	150	18	6	125
КС113А	1,17	1,3	1,43	1	10	100	200	12	-42	125
2С113А	1,17	1,3	1,43	1	10	100	200	12	-42	125
КС119А	1,72	1,9	2,1	1	10	100	200	15	-42	125
2С119А	1,72	1,9	2,1	1	10	100	200	15	-42	125
2С124Д1	2,2	2,4	2,6	0,25	3	20,8	50	180	-7,5	125
2С127А1	2,43	2,7	2,97	1	3	6	50	180	-20	85
2С127Д1	2,5	2,7	2,9	0,25	3	18,5	50	180	-7,5	125
КС130Д1	2,8	3	3,2	0,25	3	16,7	50	180	-7,5	125
2С130Д1	2,8	3	3,2	0,25	3	16,7	50	180	-7,5	125
КС133А	2,97	3,3	3,63	3	10	81	300	65	-11	125
КС133Г	3	3,3	3,6	1	5	37,5	125	150	-10	125
2С133А	2,97	3,3	3,63	3	10	81	300	65	-11	125
2С133Б	3	3,3	3,7	3	10	30	100	65	-10	125
2С133В	3,1	3,3	3,5	1	5	37,5	125	150	-10	125
2С133Г	3	3,3	3,6	1	5	37,5	125	150	-10	125
2С133Д1	3,1	3,3	3,5	0,25	3	15,2	50	180	-7,5	125
2С136Д1	3,4	3,6	3,8	0,25	3	13,9	50	180	-7	125
КС139А	3,51	3,9	4,29	3	10	70	300	60	-10	125
КС139Г	3,5	3,9	4,3	1	5	32	120	150	—	125
2С139А	3,51	3,9	4,29	3	10	70	300	60	-10	125
2С139Б	3,5	3,9	4,3	3	10	26	100	60	-10	125
2С139Д1	3,7	3,9	4,1	0,25	3	12,8	50	180	-6,5	125
2С143Д1	4	4,3	4,6	0,25	3	11,6	50	180	-6	125
КС147А	4,23	4,7	5,17	3	10	58	300	56	-9. ..10	125
КС147Г	4,2	4,7	5,2	1	5	26,5	125	150	-7	125
2С147А	4,23	4,7	5,17	3	10	58	300	56	-9…10	125
2С147Б	4,1	4,7	5,2	3	10	21	100	56	-8…+2	125
2С147В	4,5	4,7	4,9	1	5	26,5	125	150	-7	125
12С147Г	4,2	4,7	5,2	1	5	26,5	125	150	-7	125
12С147У1	4,2	4,7	5,2	1	3	10,6	50	220	-8	125
12С147Т1	4,4	4,7	4,9	1	3	10,6	50	220	-8	125
2С147Т9	4,4	4,7	4,9	1	3	38	200	220	-8	125
2С151Т1	4,8	5,1	5,4	1	3	10	50	180	-6. ..3	125
КС156А	5,04	5,6	6,16	3	10	55	300	46	±5,0	125
КС156Г	5	5,6	6,2	1	5	22,4	125	100	7	125
2С156А	5,04	5,6	6,16	3	10	55	300	46	±5,0	125
2С156Б	5	5,6	6,4	3	10	18	100	45	-4. ..7	125
2С156В	5,3	5,6	5,9	1	5	22,4	125	100	5	125
2С156Г	5	5,6	6,2	1	5	22,4	125	100	7	125
2С156У1	5	5,6	6,2	1	3	9	50	160	-4…6	125
2С156Т1	5,3	5,6	5,9	1	3	9	50	160	-4. ..6	125
2С156Т9	5,3	5,6	5,9	1	3	34	200	160	-4…6	125
2С156Ф	5,3	5,6	5,9	1	5	20	125	30	4	125
КС162А	5,8	6,2	6,6	3	10	50	300	35	-6	100
КС162В	5,8	6,2	6,6	3	10	22	150	—	-6	100
2С162А	5,66	6,2	6,76	3	10	22	150	35	-6	125
2С162Б1	5,89	6,2	6,51	1	3	3,4	21	15	6	85
2С162В1	5,58	6,2	6,82	1	3	3,4	21	25	6	85
КС168А	6,12	6,8	7,48	3	10	45	300	7	±6,0	125
КС168В	6,3	6,8	7,3	3	10	20	150	28	±5,0	100
2С168А	6,12	6,8	7,48	3	10	45	300	28	±6,0	125
2С168Б	6	6,8	7,5	3	10	15	100	15	7	125
2С168В	6,24	6,8	7,38	3	10	20	150	28	±5,0	125
2С168К1	6,46	6,8	7,14	0,1	0,5	2,94	20	200	5	125
2С168К9	6,46	6,8	7,14	0,1	0,5	27	200	200	5	125
2С168Х	6,5	6,8	7,1	0,5	0,5	3	20	200	5	125
КС170А	6,43	7,0	7,59	3	10	20	150	20	±1,0	100
2С170А	6,43	7,0	7,59	3	10	20	150	18	±1,0	125
КС175А	6,82	7,5	8,21	3	5	18	150	16	±4,0	100
КС175Ж	7,1	7,5	7,9	0,5	0,5	17	125	40	7	125
КС175Ц	7,1	7,5	7,9	0,1	0,5	17	125	200	6,5	125
2С175А	6,82	7,5	8,21	3	5	18	150	16	±4,0	125
2С175Ж	7,1	7,5	7,9	0,5	4	20	150	20	7	125
2С175К1	7,13	7,5	7,88	0,1	0,5	2,66	20	200	6,5	125
2С175Х	7,1	7,5	7,9	0,1	0,5	2,65	20	200	6,5	125
2С175Ц	7,1	7,5	7,9	0,1	0,5	17	125	200	6,5	125
2С175Ц1	7,1	7,5	7,9	0,05	0,1	2,65	20	820	6	85
2С180А	7	8	8,5	3	5	15	125	8	7	125
КС182А	7,6	8,2	8,8	3	5	17	150	14	—	100
КС182Ж	7,4	8,2	9	0,5	4	15	125	40	8	125
КС182Ц	7,8	8,2	8,6	0,1	0,5	15	125	200	7	125
КС182Ц1	7,8	8,2	8,6	0,05	0,1	2,5	20	820	6,5	85
2С182А	7,49	8,2	8,95	3	5	17	150	14	4	125
2С182Ж	7,8	8,2	8,7	0,5	4	18	150	40	8	125
2С182К1	7,79	8,2	8,61	0,1	0,5	2,44	20	220	7,5	125
2С182Х	7,8	8,2	8,6	0,5	0,5	2,5	20	200	7,5	125
2С182Ц	7,8	8,2	8,6	0,1	0,5	15	125	200	7	125
2С190А	8	9	9,5	3	5	13	125	12	8	125
КС191А	8,5	9,1	9,7	3	5	15	150	18	—	100
КС191Ж	8,6	9,1	9,6	0,5	4	14	125	40	9	125
КС191Ц1	8,6	9,1	9,6	0,05	0,1	2,24	20	820	7,5	125
КС191Ц	8,6	9,1	9,6	0,1	0,5	14	125	200	8	125
2С191А	8,25	9,1	9,98	3	5	15	150	18	6	125
2С191Ж	8,6	9,1	9,6	0,5	4	16	125	40	9	125
2С191К1	8,65	9,1	9,56	0,1	0,5	2,2	20	220	8	125
2С191Х	8,6	9,1	9,6	0,5	0,5	2,24	20	200	8	125
2С191Ц	8,6	9,1	9,6	0,1	0,5	14	125	200	8	125
КС196А	9,1	9,6	10,1	3	5	20	200	18	—	125
КС196Б	9,1	9,6	10,1	3	5	20	200	18	—	125
КС196В	9,1	9,6	10,1	3	5	20	200	18	—	125
КС196Г	9,1	9,6	10,1	3	5	20	200	18	—	125
2С205А	9,12	10	10,9	3	5	13	150	22	6	125
КС210А	—	10	—	3	5	14	150	—	—	100
КС210Б	9,3	10	10,7	3	5	14	150	22	6	100
КС210Ж	9	10	11	0,5	4	13	125	40	9	125
КС210Ц	9,5	10	10,5	0,1	0,5	12,5	125	200	8,5	125
КС210Ц1	9,5	10	10,5	0,05	0,1	2	20	820	8	85
2С210А	9	10	10,5	3	5	11	125	15	9	125
2С210Б	9,5	10	10,5	3	5	14	150	22	6	125
2С210Ж	9,5	10	10,5	0,5	4	15	150	40	9	125
2С210К1	9,5	10	10,5	0,1	0,5	2	20	220	9	125
2С210К	9,5	10	10,5	0,5	0,5	2	20	200	9	125
2С210Ц	9,5	10	10,5	0,1	0,5	12,5	125	200	8,5	125
КС211Ж	10,4	11	11,6	0,5	4	12	125	40	9,2	85
КС211Ц	10,4	11	11,6	0,1	0,5	11,2	125	200	8,5	85
КС211Ц1	10,4	11	11,6	0,05	0,1	1,8	20	820	8,5	85
2С211А	10	11	12	3	5	10	125	19	9,5	125
2С211Ж	10,4	11	11,6	0,5	4	14	150	40	9,2	125
2С211И	10,5	11	11,5	3	5	13	150	23	7	125
2С211К1	10,5	11	11,5	0,1	0,5	1,8	20	200	9,5	125
2С211Х	10,4	11	11,6	0,5	0,5	1,8	20	200	9,5	125
2С211Ц	10,4	11	11,6	0,1	0,5	11,2	125	200	8,5	125
КС212Ж	10,8	12	13,2	0,5	4	11	125	40	9,5	125
КС212Ц	11,4	12	12,6	0,1	0,5	10,6	125	200	8,5	125
КС212Ц1	11,4	12	12,6	0,05	0,1	1,7	20	820	8,5	125
2С212В	10,9	12	13,1	3	5	12	150	24	7,5	125
2С212Ж	11,4	12	12,6	0,5	4	13	150	40	9,5	125
2С212К1	11,4	12	12,6	0,1	0,5	1,7	20	200	9,5	125
2С212Ц	11,4	12	12,6	0,1	0,5	10,6	125	200	8,5	125
2С212Х	11,4	12	12,6	0,5	0,5	1,7	20	200	9,5	125
КС213А	—	13	—	3	5	10	150	—	—	125
КС213Б	12,1	13	13,9	3	5	10	150	25	8	125
КС213Ж	12,3	13	13,7	0,5	4	10	125	40	9,5	125
2С213А	11,5	13	14	3	5	9	125	22	9,5	125
2С213Б	11,9	13	14,2	3	5	10	150	25	7,5	125
2С213Ж	12,3	13	13,7	0,5	4	12	150	40	9,5	125
КС215Ж	13,5	15	16,5	0,5	2	8,3	125	70	10	125
2С215Ж	14,2	15	15,8	0,5	2	10	150	70	10	125
КС216Ж	15,2	16	16,8	0,5	2	7,8	125	70	10	125
2С216Ж	15,2	16	17	0,5	2	9,4	150	70	10	125
КС218Ж	16,2	18	19,8	0,5	2	6,9	125	70	10	125
2С218Ж	17	18	19	0,5	2	8,3	150	70	10	125
КС220Ж	19	20	21	0,5	2	6,2	125	70	10	125
2С220Ж	19	20	21	0,5	2	7,5	150	70	10	125
КС222Ж	19,8	22	24,2	0,5	2	5,7	125	70	10	125
2С222Ж	20,9	22	23,1	0,5	2	6,8	150	70	10	125
КС224Ж	22,8	24	25,2	0,5	2	5,2	125	70	10	125
2С224Ж	22,8	24	25,2	0,5	2	6,3	150	70	10	125
2С291А	86	91	96	0,5	1	2,7	250	700	11	125

КРЕН12А характеристики микросхемы: схема подключения, распиновка КР142ЕН12А

В статье рассмотрены характеристики КРЕН12A (полная маркировка КР142ЕН12А) и схема её подключения. Данное полупроводниковое устройство представляет собой регулируемый стабилизатор положительного напряжения питания для электроприборов работающих от 1,25-37 В с током потребления до 1,5 А. Она оснащена необходимой внутренней защитой транзистора на выходе, перегрузок по току и перегрева. Для получения необходимых выходных параметров необходима дополнительная электронная обвязка, состоящая всего из двух резисторов.

Основные параметры

Характеристики КРЕН12A, приведённые в технических описаниях (datasheet), стоит рассматривать с учётом максимальной рассеиваемой мощности устройства. В любых режимах работы не допускается её превышение, а для стабильной работы необходимо предусмотреть соответствующее охлаждение. Без использования радиатора предельная мощность ограничивается параметрами корпуса — обычно не превышает 1 Вт. Напряжение на входе микросхемы должно быть всегда больше, чем на выходе на 2-3 В.

Максимальные параметры

Приведём максимальные значения параметров для КРЕН12A:

напряжение: на входе до 40 В; на выходе от 1. 25 до 37 В;
выходной ток 1.5 А;
рассеиваемая мощность до 20 Вт;
диапазон рабочих температур от 0 до +125 oC.

Не допускается превышать указанные значения.

Аналоги

У КРЕН12А есть отличные функциональные аналоги КР142ЕН12Б (до 1 А) и LM317T. Импортный по некоторым параметрам считается лучше отечественного. Возможно в связи с этим белорусский «Интеграл» в последнее время выпускает подобные устройства и с маркировкой «LM». Это обусловлено большой популярностью линейных стабилизаторов напряжения в мире, поэтому зарубежные производители все время совершенствуют их.

Регулировка напряжения

Вместо одного из двух резисторов можно использовать потенциометр к КР142ЕН12А и получить схему включения с регулировкой. C его помощью на выходе микросхемы добиваются необходимого напряжения. Таким образом, в домашних условиях, можно сделать простейший регулируемый стабилизатор постоянного электропитания.

На рисунке ниже представлена упрощённая схема включения крен12а для стабилизации 12V. При таком подключении ток в нагрузке ограничен максимальными параметрами микросхемы и не превышает 1 А. Рассеиваемая мощность определяется площадью радиатора — чем она больше, тем лучше.

В данной схеме для понижения выходного напряжения сопротивление R2 уменьшают. И наоборот, для повышения – увеличивают R2. Минимальное возможное значение R2 составляет 1 Ом (1.25 В), а максимальное теоретически — до 6.2 кОм (35 В).

Конечно, для полноценного регулируемого блока питания (БП) указанных компонентов будет недостаточно. Например, для подключения от сети 220 В необходимы еще трансформатор, выпрямительный диодный мост и сглаживающие конденсаторы. Упрощенную схему БП можно скачать по следующей

или

— более продвинутая конструкция БП с возможностью получения фиксированных напряжений.

Для повышения тока в нагрузке на выходе микросхемы устанавливают мощные транзисторы, однако есть еще возможность параллельного включения.

Стабилизированный регулируемый блок питания с защитой от перегрузок

Множество радиолюбительских блоков питания (БП) выполнено на микросхемах КР142ЕН12, КР142ЕН22А, КР142ЕН24 и т. п. Нижний предел регулировки этих микросхем составляет 1,2…1,3 В, но иногда необходимо напряжение 0,5…1 В. Автор предлагает несколько технических решений БП на базе данных микросхем.

Интегральная микросхема (ИМС) КР142ЕН12А (рис.1) представляет собой регулируемый стабилизатор напряжения компенсационного типа в корпусе КТ-28-2, который позволяет питать устройства током до 1,5 А в диапазоне напряжений 1,2…37 В. Этот интегральный стабилизатор имеет термостабильную защиту по току и защиту выхода от короткого замыкания.

Рис.1. ИМС КР142ЕН12А

На основе ИМС КР142ЕН12А можно построить регулируемый блок питания, схема которого (без трансформатора и диодного моста) показана на рис.2. Выпрямленное входное напряжение подается с диодного моста на конденсатор С1. Транзистор VT2 и микросхема DA1 должны располагаться на радиаторе. Теплоотводящий фланец DA1 электрически соединен с выводом 2, поэтому если DA1 и транзистор VD2 расположены на одном радиаторе, то их нужно изолировать друг от друга. В авторском варианте DA1 установлена на отдельном небольшом радиаторе, который гальванически не связан с радиатором и транзистором VT2.

Рис.2. Регулируемый БП на ИМС КР142ЕН12А

Мощность, рассеиваемая микросхемой с теплоотводом, не должна превышать 10 Вт. Резисторы R3 и R5 образуют делитель напряжения, входящий в измерительный элемент стабилизатора, и подбираются согласно формуле: Uвых = Uвых.min ( 1 + R3/R5 ).

На конденсатор С2 и резистор R2 (служит для подбора термостабильной точки VD1) подается стабилизированное отрицательное напряжение -5 В. В авторском варианте напряжение подается от диодного моста КЦ407А и стабилизатора 79L05, питающихся от отдельной обмотки силового трансформатора.

Для защиты от замыкания выходной цепи стабилизатора достаточно подключить параллельно резистору R3 электролитический конденсатор емкостью не менее 10 мкФ, а резистор R5 зашунтировать диодом КД521А. Расположение деталей некритично, но для хорошей температурной стабильности необходимо применить соответствующие типы резисторов. Их надо располагать как можно дальше от источников тепла. Общая стабильность выходного напряжения складывается из многих факторов и обычно не превышает 0,25% после прогрева.

После включения и прогрева устройства минимальное выходное напряжение 0 В устанавливают резистором Rдоб. Резисторы R2 (рис.2) и резистор Rдоб (рис.3) должны быть многооборотными подстроечными из серии СП5.

Рис.3. Схема включения Rдоб

Возможности по току у микросхемы КР142ЕН12А ограничены 1,5 А. В настоящее время в продаже имеются микросхемы с аналогичными параметрами, но рассчитанные на больший ток в нагрузке, например LM350 — на ток 3 A, LM338 — на ток 5 А. Данные по этим микросхемам можно найти на сайте National Semiconductor [1].

В последнее время в продаже появились импортные микросхемы из серии LOW DROP (SD, DV, LT1083/1084/1085). Эти микросхемы могут работать при пониженном напряжении между входом и выходом (до 1…1,3 В) и обеспечивают на выходе стабилизированное напряжение в диапазоне 1,25…30 В при токе в нагрузке 7,5/5/3 А соответственно. Ближайший по параметрам отечественный аналог типа КР142ЕН22 имеет максимальный ток стабилизации 7,5 А.

При максимальном выходном токе режим стабилизации гарантируется производителем при напряжении вход-выход не менее 1,5 В. Микросхемы также имеют встроенную защиту от превышения тока в нагрузке допустимой величины и тепловую защиту от перегрева корпуса.

Данные стабилизаторы обеспечивают нестабильность выходного напряжения 0,05%/В, нестабильность выходного напряжения при изменении выходного тока от 10 мА до максимального значения не хуже 0,1 %/В.

На рис.4 показана схема БП для домашней лаборатории, позволяющая обойтись без транзисторов VT1 и VT2, показанных на рис.2. Вместо микросхемы DA1 КР142ЕН12А применена микросхема КР142ЕН22А. Это регулируемый стабилизатор с малым падением напряжения, позволяющий получить в нагрузке ток до 7,5 А.

Рис.4. Регулируемый БП на ИМС КР142ЕН22А

Максимально рассеиваемую мощность на выходе стабилизатора Рmax можно рассчитать по формуле: Рmax = (Uвх — Uвых) Iвых , где Uвх — входное напряжение, подаваемое на микросхему DA3, Uвых — выходное напряжение на нагрузке, Iвых — выходной ток микросхемы.

Например, входное напряжение, подаваемое на микросхему, Uвх=39 В, выходное напряжение на нагрузке Uвых=30 В, ток на нагрузке Iвых=5 А, тогда максимальная рассеиваемая микросхемой мощность на нагрузке составляет 45 Вт.

Электролитический конденсатор С7 применяется для снижения выходного импеданса на высоких частотах, а также понижает уровень напряжения шумов и улучшает сглаживание пульсаций. Если этот конденсатор танталовый, то его номинальная емкость должна быть не менее 22 мкФ, если алюминиевый — не менее 150 мкФ. При необходимости емкость конденсатора С7 можно увеличить.

Если электролитический конденсатор С7 расположен на расстоянии более 155 мм и соединен с БП проводом сечением менее 1 мм, тогда на плате параллельно конденсатору С7, ближе к самой микросхеме, устанавливают дополнительный электролитический конденсатор емкостью не менее 10 мкФ.

Емкость конденсатора фильтра С1 можно определить приближенно, из расчета 2000 мкФ на 1 А выходного тока (при напряжении не менее 50 В). Для снижения температурного дрейфа выходного напряжения резистор R8 должен быть либо проволочный, либо металло-фольгированный с погрешностью не хуже 1 %. Резистор R7 того же типа, что и R8. Если стабилитрона КС113А в наличии нет, можно применить узел, показанный на рис.3. Схемное решение защиты, приведенное в [2], автора вполне устраивает, так как работает безотказно и проверено на практике. Можно использовать любые схемные решения защиты БП, например предложенные в [3]. В авторском варианте при срабатывании реле К1 замыкаются контакты К1.1, закорачивая резистор R7, и напряжение на выходе БП становится равным 0 В.

Печатная плата БП и расположение элементов показаны на рис.5, внешний вид БП — на рис.6. Размеры печатной платы 112×75 мм. Радиатор выбран игольчатый. Микросхема DA3 изолирована от радиатора прокладкой и прикреплена к нему с помощью стальной пружинящей пластины, прижимающей микросхему к радиатору.

Рис.5. Печатная плата БП и расположение элементов

Конденсатор С1 типа К50-24 составлен из двух параллельно соединенных конденсаторов емкостью 4700 мкФх50 В. Можно применить импортный аналог конденсатора типа К50-6 емкостью 10000 мкФх50 В. Конденсатор должен располагаться как можно ближе к плате, а проводники, соединяющие его с платой, должны быть как можно короче. Конденсатор С7 производства Weston емкостью 1000 мкФх50 В. Конденсатор С8 на схеме не показан, но отверстия на печатной плате под него есть. Можно применить конденсатор номиналом 0,01…0,1 мкФ на напряжение не менее 10…15 В.

Рис.6. Внешний вид БП

Диоды VD1-VD4 представляют собой импортную диодную микросборку RS602, рассчитанную на максимальный ток 6 А (рис.4). В схеме защиты БП применено реле РЭС10 (паспорт РС4524302). В авторском варианте применен резистор R7 типа СПП-ЗА с разбросом параметров не более 5%. Резистор R8 (рис.4) должен иметь разброс от заданного номинала не более 1 %.

Блок питания обычно настройки не требует и начинает работать сразу после сборки. После прогрева блока резистором R6 (рис.4) или резистором Rдоп (рис.3) выставляют 0 В при номинальной величине R7.

В данной конструкции применен силовой трансформатор марки ОСМ-0,1УЗ мощностью 100 Вт. Магнитопровод ШЛ25/40-25. Первичная обмотка содержит 734 витка провода ПЭВ 0,6 мм, обмотка II — 90 витков провода ПЭВ 1,6 мм, обмотка III — 46 витков провода ПЭВ 0,4 мм с отводом от середины.

Диодную сборку RS602 можно заменить диодами, рассчитанными на ток не менее 10 А, например, КД203А, В, Д или КД210 А-Г (если не размещать диоды отдельно, придется переделать печатную плату). В качестве транзистора VT1 можно применить транзистор КТ361Г.

Источники:

https://www.national.com/catalog/AnalogRegulators_LinearRegulators-StandardNPN_PositiveVoltageAdjutable.html
Морохин Л. Лабораторный источник питания//Радио. — 1999 — №2
Нечаев И. Защита малогабаритных сетевых блоков питания от перегрузок//Радио. — 1996.-№12

Список радиоэлементов

Обозначение	Тип	Номинал	Количество	Примечание	Магазин	Мой блокнот
Регулируемый БП на ИМС КР142ЕН12А
DA1	Линейный регулятор	LM78L12	1	КР142ЕН12А	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
VT1	Биполярный транзистор	КТ814Г	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
VT2	Биполярный транзистор	КТ819Г	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
VD1	Стабилитрон	КС113А	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
С1	Электролитический конденсатор	4700 мкФ 50 В	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
С2	Конденсатор	0. 1 мкФ	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
С3	Электролитический конденсатор	47 мкФ 50 В	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R1	Резистор	2.2 Ом	1	1 Вт	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R2	Подстроечный резистор	470 Ом	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R3	Переменный резистор	2.2 кОм	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R4	Резистор	240 Ом	1	2 Вт	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R5	Резистор	91 Ом	1	1 Вт	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
Схема включения Rдоб
С2	Конденсатор	0.1 мкФ	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R2	Резистор	210 Ом	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R доб.	Подстроечный резистор	470 Ом	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
Регулируемый БП на ИМС КР142ЕН22А
DA1	Линейный регулятор	LM7805	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
DA2	Линейный регулятор	LM79L05	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
DA3	Линейный регулятор	LT1083	1	КР142ЕН22А	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
VT1	Биполярный транзистор	КТ203А	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
VD1-VD4	Диодный мост	RS602	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
VD5-VD8	Диодный мост	КЦ407А	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
VD9, VD10	Диод	КД522Б	2	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
VD11	Стабилитрон	КС113А	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
VS1	Тиристор	КУ103Е	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
С1	Электролитический конденсатор	10000 мкФ 50 В	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
С2, С3	Электролитический конденсатор	470 мкФ 25 В	2	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
С4, С5	Электролитический конденсатор	22 мкФ 16 В	2	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
С6	Конденсатор	0. 1 мкФ	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
С7	Электролитический конденсатор	1000 мкФ 50 В	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R1	Резистор	12 кОм	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R2	Резистор	0.1 Ом	1	3 Вт	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R3	Резистор	510 Ом	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R4	Резистор	1 кОм	1	подбор	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R5	Резистор	5.1 кОм	1	0.5 Вт	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R6	Подстроечный резистор	1 кОм	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R7	Переменный резистор	2.2 кОм	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
R8	Резистор	91 Ом	1	2 Вт	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
HL1	Светодиод	АЛ307Б	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
Л1	Реле	РЭС 10	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
Т1	Трансформатор	ОСМ-0. 1УЗ	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
FU1	Предохранитель	5 А	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
SB1	Кнопка	1	Поиск в магазине Отрон	В блокнот
						Добавить все

Сетевой адаптер для пейджера

Сетевой адаптер для пейджера

В отличие от мобильных (сотовых, транковых) телефонов, питающихся от перезаряжаемых аккумуляторных батарей, пейджеры работают на гальванических элементах, и требуется достаточно частая их замена. Так, например, распространенный пейджер Motorola Adviser потребляет в дежурном режиме ток 1…2 мА, а в режиме приема сообщений — более 10 мА. При круглосуточной работе пейджера алкалиновые (щелочные) элементы серии ААА (типоразмер LR03, SUM4, MN2400) разряжаются примерно за месяц, а солевые — менее чем за неделю. В тех случаях, когда пойджер используется большей частью стационарно — в квартире без телефона или на даче — можно сократить расходы на его эксплуатацию. Для этого мною был применЈн простейший стабилизированный блок питания (БП) на напряжение 1,5 В, включаемый в электросеть.

Устройство собирается в корпусе любого адаптера от бытовой РЭА и соединяется двухпроводным шнуром с пейджерам. В качестве сетевого может быть применен малогабаритный трансформатор Т1 (рис.1) со вторичной обмоткой на напряжение 3…5 В. Желательно использовать трансформатор с малым холостым током (не более 5 мА), что существенно снижает нагрев сердечника при длительной работе. Если переменное напряжение на вторичной обмотке превышает 5 В, следует отмотать некоторое количество витков. Эта операция обычно не вызывает затруднений, если вторичная обмотка расположена сверху или на отдельной секции каркаса. Для облегчения работы, предварительно измерив напряжение холостого хода U2, отматывают от вторичной обмотки 10 витков и вновь измеряют напряжение U2′ (отмотанный кусок можно пока не отрезать). Разность между первым и вторым измерениями (U2-U2′) делят на 10. Полученный результат является числом вольт (или долей вольта) на один виток обмотки данного трансформатора (В/вит). Такая величина часто встречается в расистах силовых трансформаторов, так же как и обратная ей единица — число витков на 1 В, Получив указанный результат, легко рассчитать, сколько витков следует отмотать от вторичной обмотки.

Мостовой выпрямитель собирается на четырех малогабаритных кремниевых диодах типовД219, Д220, КД103, КД503, КД522 и т.д. Очень удобно применять маломощные диодные сборки (КЦ407, КЦ412). Если для переделки взят готовый БП (адаптер), используется его «штатный» выпрямитель, или, возможно, стабилизатор постоянного напряжения (СН). На выходе выпрямителя должен быть включен сглаживающий конденсатор С1, емкость которого некритична (500…1000 мкФ), а рабочее напряжение — 10…16 В. В тех случаях, когда СН отсутствует, его следует собрать по одной из предлагаемых схем. Простейший параметрический стабилизатор содержит стабилитрон (стабистор) VD2 и гасящий (балластный) резистор R1. В отличие от стабилитрона, работающего в области пробоя на обратной ветви вольтамперной характеристики, стабистор работает как обычный диод — на прямой ветви. Как известно, падение напряжения на диоде, включенном в прямом направлении, относительно постоянно при изменении тока через него. Для кремниевых диодов это напряжение близко к 0,7 В, а у германиевых — 0,2…0,5 В. Чтобы получить стабилизированное напряжение 1,5 В, в схеме применен стабистор типа КС-11ЗА (Uст=1,3 В), последовательно с которым включен маломощный германиевый диод VD3 (Д311). Падение напряжения на диоде составляет около 0,3 В, а в сумме выходное напряжение ненагруженного стабилизатора составляет 1,5…1,6 В — в зависимости от экземпляра стабистора. При подключении пейджера напряжение колеблется в пределах 1,3…1,5 В.

Второй вариант параметрического стабилизатора получен добавлением к рассмотренной схеме эмиттерного повторителя на маломощном биполярном транзисторе (рис. 2). Благодаря тому что нагрузка (пейджер) отделена транзистором VT1 от стабилизирующей цепи VD2, VD3, стабильность выходного напряжения повышается, а ток через стабилитроны или стабисторы может быть уменьшен. В качестве эмиттерного повторителя может быть использован любой малогабаритный кремниевый п-р-п транзистор, например КТ201М, КТ301, КТ315 и др. На переходе эмиттер-база кремниевого транзистора падает такое же напряжение, как на обычном диоде. Это напряжение вычитается из стабилизированного напряжения, подаваемого в базовую цепь VT1. Следовательно, напряжение стабилизации необходимо увеличить путем замены стабистора КС113А на КС119А (Ucт=1.9 В). Усовершенствованный СН обеспечивает напряжение под нагрузкой в пределах 1.4,.,1,5 В.

Третий, наиболее совершенный вариант стабилизатора может быть собран на одной из отечественных интегральных микросхем — КР1157ЕН1, КР1168ЕН1, а также на их зарубежных аналогах —LM317L,LM337L. Все перечисленные ИМС выпускаются в малогабаритных трехвыводных пластмассовых корпусах КТ-26 (ТО-92). Эти микросхемы представляют собой компенсационные стабилизаторы с регулируемым выходным напряжением, начиная от 1,2…1,24 В. Полная схема стабилизатора содержит, кроме ИМС DA1, два резистора, один из которых — подстроечный (рис.3). После установки Uвых подстроечный резистор R2 можно заменить постоянным. Выходное напряжение СН поддерживается на уровне 1,5 В при любых колебаниях тока, потребляемого пейждером.

Чтобы не вмешиваться в схему пейджера. в отсек элемента питания помещается специальный вкладыш, соответствующий по форме и размеру элементу ААА. Вставка представляет собой неметаллический стержень (пластмасса, дерево и т.д.) длиной 37…38 мм диаметром 9…10 мм (рис.4). Проще всего использовать деревянную палочку подходящего размера, В обоих торцах стержня сверлят отверстия 2,5 мм, в которых нарезается резьба МЗ. Глубина отверстия и длина резьбы зависят от материала вставки и подобранных винтов. На винты надеваются контактные лепестки, к которым припаиваются гибкие свитые провода, например марки МГТФ. Чтобы различать полярность напряжения, можно сделать фломастерами разноцветные метки на концах стержня. Можно также использовать винты с различными формами головок: со стороны минуса — цилиндрической, с плюсовой — полукруглой.

При испытании адаптера оказалось, что в моменты некоторых переключении (при нажатии кнопок) изображение на табло пейджера исчезает и появляется вновь спустя 2..3 с. Это объясняется тем, что ток, измеряемый миллиамперметром, является усредненным, в то время как короткие импульсы при срабатывании кнопок значительно превышают его. В моменты действия импульсов тока стабилизатор выходит из режима стабилизации, и напряжение на его выходе резко падает, в результате чего пейджер отключается. Чтобы устранить этот недостаток, достаточно включить на выходе СН накопительный конденсатор С2 емкостью 1000…2000 мкФ с рабочим напряжением 6,3 В. Цилиндрический оксидный (старое название — электролитический) конденсатор подойдет в качестве вставки. Для этого нужны конденсаторы в корпусах с выводами в противоположные стороны, например К50-15, К50-24, К50-29. К50-31 и т.д. На выводы конденсатора надеваются утолщенные шайбы или гайки, чтобы получить необходимую длину вставки. Поверх гаек выводы загибаются, и к ним припаиваются свитые проводники. После указанной доработки мой пейджер работает стабильно, без отключений.

В. БРУСКИН
г. Москва
РЛ №4, 2000
Источник: shems.h2.ru

KS112 — Активные сабвуферы

Активный 12-дюймовый сабвуфер

12 отзывов | Напишите свой отзыв

Купить онлайн

Арендовать / купить местный

KS112 — ультракомпактный активный сабвуфер для инсталляций и портативных развлекательных приложений. KS112 — это портативный сабвуфер с одним 12-дюймовым полосовым динамиком, работающий от модуля усилителя класса D с пиковой мощностью 2000 Вт. Корпус изготовлен из березы премиум-класса и оснащен высококачественными бесшумными роликами.

Доступны две розетки с резьбой для стержня M20 для надежного соединения без колебаний с резьбовым стержнем динамика в вертикальном или горизонтальном положении (стержень не входит в комплект).

Ресурсы

испанский
Немецкий
Французский
китайский язык
Русский
португальский

Заголовок	тип документа	Дата пересмотра
Руководство пользователя — семейство KS — испанский Руководство пользователя для сабвуферов семейства KS — испанский	Руководство пользователя	20 марта 2020 г.
KS112 Спецификация на испанском языке Технические характеристики активного сабвуфера KS112 на испанском языке	Спецификация	09 февраля 2018 г.
Руководство по применению для K Family Rental Sound — испанский Руководство по аренде звуковых приложений, относящееся к семейству громкоговорителей QSC серии K, включая примеры, технические схемы и спецификации — испанский	Руководство по применению	21 февраля 2022 г.

Заголовок	тип документа	Дата пересмотра
Руководство пользователя — семейство KS — на немецком языке Руководство пользователя для сабвуферов семейства KS — немецкий язык	Руководство пользователя	24 июня 2022 г.
KS112 Немецкий лист спецификаций Немецкие технические характеристики для активного сабвуфера KS112	Спецификация	09 февраля 2018 г.
Руководство по применению для K Family Rental Sound — немецкий Руководство по применению арендованных звуковых приложений, относящихся к семейству громкоговорителей QSC серии K, включая примеры, технические схемы и спецификации — немецкий язык	Руководство по применению	22 февраля 2022 г.
Архитектурные и инженерные спецификации — KS112 — немецкий Архитектурные и инженерные характеристики активного сабвуфера KS112, немецкий	Спецификации архитекторов и инженеров	19 мая 2021 г.

Заголовок	тип документа	Дата пересмотра
Руководство пользователя — семейство KS — на французском языке Руководство пользователя для сабвуферов семейства KS — французский язык	Руководство пользователя	20 марта 2020 г.
KS112 Спецификация на французском языке Технические характеристики активного сабвуфера KS112 на французском языке	Спецификация	09 февраля 2018 г.
Руководство по применению для K Family Rental Sound — французский Руководство по аренде звуковых приложений, относящееся к семейству громкоговорителей QSC серии K, включая примеры, технические схемы и спецификации — французский язык	Руководство по применению	22 февраля 2022 г.

	Заголовок	тип документа	Дата пересмотра
	Руководство пользователя — семейство KS — китайский язык Руководство пользователя для сабвуферов семейства KS — китайский	Руководство пользователя	06 марта 2020 г.

Заголовок

тип документа

Дата пересмотра

Руководство пользователя — семейство KS — китайский язык

Руководство пользователя для сабвуферов семейства KS — китайский

Руководство пользователя

06 марта 2020 г.

	Заголовок	тип документа	Дата пересмотра
	Руководство пользователя — Семейство KS — Русский Руководство пользователя сабвуферов семейства КС — русский язык	Руководство пользователя	20 марта 2020 г.

Заголовок

тип документа

Дата пересмотра

Руководство пользователя — Семейство KS — Русский

Руководство пользователя сабвуферов семейства КС — русский язык

Руководство пользователя

20 марта 2020 г.

	Заголовок	тип документа	Дата пересмотра
	Руководство по применению для K Family Rental Sound — португальский Руководство по аренде звуковых приложений, относящееся к семейству громкоговорителей QSC серии K, включая примеры, технические схемы и спецификации — португальский	Руководство по применению	21 февраля 2022 г.

Заголовок

тип документа

Дата пересмотра

Руководство по применению для K Family Rental Sound — португальский

Руководство по аренде звуковых приложений, относящееся к семейству громкоговорителей QSC серии K, включая примеры, технические схемы и спецификации — португальский

Руководство по применению

21 февраля 2022 г.

Купить Авторизованный

Аксессуары

Высокая выходная мощность в ультракомпактном форм-факторе
Модуль усилителя класса D мощностью 2000 Вт
12-дюймовый драйвер с длинным ходом; Конструкция полосы пропускания 6-го порядка
Внутренняя коррекция™ и управление громкоговорителями
Изысканный профессиональный внешний вид отлично смотрится в любом приложении
Прочный корпус из окрашенного дерева для длительного срока службы и долговечности
Установка в вертикальном или горизонтальном положении с двумя креплениями M20 для колонок
Дополнительная защитная крышка KS-LOC предотвращает несанкционированное вмешательство в органы управления
Полная информация по EASE & CAD доступна в Интернете
6 лет гарантии*

(-6 дБ).

dB). , FCC Класс B

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ	KS112
Конфигурация	6-й полосовой сабвуфер
LF Transducer	305 мм (12 дюймов), конус
Частотный отклик (-6 дБ)	41 Hz-108 HZ
38 Hz — 121 Hz
Maximum Rated SPL ¹	128 dB @ 1 m (peak)
Amplifier	Class D 2000W (peak)
Охлаждение	с низким шумом, переменная скоростная вентилятор
Управление	ВКЛ/OFF Управление усилением Ротационное энкодер Светодиодный индикатор входного сигнала Светодиодный индикатор активности ограничителя
Разъемы	2 комбинированных разъема XLR/F 1/4 дюйма с фиксацией 2 комбинированных разъема XLR/M (проходной выход) 1 разъем питания IEC с фиксацией
AC Power Power Wonput	Универсальный источник питания 100 — 240 В переменного тока, 50 — 60 Гц
Потребление питания переменного тока	100 Вак, 2,4 А / 120 Вак, 2,0 А / 240 В переменных.	Подробная информация о корпусе
Корпуса	15 мМ БИРЕЧ ПЕЛИВЕД
Color	Black (RAL 9011)
. 0041
Размеры динамика (H × W × D)	622 × 394 × 616 мм 24,5 × 15,5 × 24,25 в
Demensions Cartron (H × W × D)
Dimensions Cartron (H × W × D)	4040404040404040404038
. 29 × 19,7 × 26,5 в
Чистый вес	28,4 кг / 62,6 фунта
Вес по доставке	35 кг / 77,2 LB
rule
Аксессуары в комплекте	4 малошумных ролика для тяжелых условий эксплуатации
Дополнительные аксессуары	16X Extension Pole

¹ Пиковое значение SPL измеряется по оси на расстоянии 1 метра с использованием розового шума, коэффициент амплитуды 10 дБ без взвешивания.

С регистрацией продукта. Посетите QSC.com для получения полной информации

Все технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления.

Из-за беспрецедентного спроса данный товар может отсутствовать в некоторых магазинах. Мы продолжаем регулярно пополнять запасы и работаем над тем, чтобы выполнить все заказы как можно быстрее. Пожалуйста, свяжитесь с вашим дилером для получения последних обновлений доставки.

публикаций Мирко ван дер Баана

публикаций Мирко ван дер Баана Список публикаций — Мирко ван дер Баан

Ссылка на Академию Google
Ссылка на Scopus (2016) ) Развитие проницаемости связанного массива горных пород за счет распространения трещины гидроразрыва и сдвига, сопровождающего закачку жидкости. в Gleeson T. and Ingebritsen S., eds., Corstal Permeability, Wiley-Blackwell, 337-352 (воспроизведено из Geofluids, 15(1-2), 321-337).

Роше В., Хомберг К., Ван дер Баан М. и Роше М. (2016) Расширение зон нормальных разломов из-за торможения вертикального распространения. in Childs C., Holdsworth R.H., Jackson C.A.-L., Manzocchi T.

, Walsh J.J. и Yielding G., ред., Геометрия и рост нормальных разломов, Геологическое общество, Лондон, Special Publications, 439, 271-288. (ссылка на сайт)

Ван дер Баан М., Д. Итон и М. Дюссо (2013) Развитие микросейсмического мониторинга при стимуляции гидроразрыва пласта. в Бангер А.П., Дж. Макленнан и Р. Джеффри, ред., Эффективный и устойчивый гидравлический разрыв пласта, Intech, 439-466. (ссылка — открытый доступ)

Цванкин И., Гайзер Дж., Гречка В., Ван дер Баан М. и Томсен Л. (2010) Сейсмическая анизотропия при разведке и характеристике резервуаров: обзор, в редакции журнала «Геофизика», ред., «Геофизика сегодня: обзор области». поскольку журнал отмечает свое 75-летие, SEG, 15-32 (воспроизведено из Геофизики, 75 (5), 75A15-75A29).

Рецензируемые статьи: (щелкните правой кнопкой мыши и сохраните как … для загрузки файлов)

Дао Т., Чжан К., Ван дер Баан М. и Ландро М. (2023) Одновременное разделение источников за счет сочетания выстрелов и изменения силы. Геофизика, принято.
Кравчинский Э. и Ван дер Баан М. (2022) Распределение магнитуды-частоты и предсказание истории скольжения землетрясений с использованием клеточных автоматов и поглощающих цепей Маркова. Журнал геофизических исследований: Solid Earth, 127, e2021JB022480. (ссылка)
Рейес Каналес М., Родригес-Прадилья Г., Юсифбеков Дж. и Ван дер Баан М. (2022) Рост, пик и снижение сейсмической опасности, связанной с гидроразрывом пласта на руднике Дюверне, район Фокс-Крик, Альберта. Журнал геофизических исследований: Solid Earth, 127(1), e2021JB023060 (ссылка)
Рейес Каналес М., Юсифбеков Дж. и Ван дер Баан М. (2022) Эволюция краткосрочной сейсмической опасности в Альберте, Канада, от техногенных и естественных землетрясений: 2011-2020 гг. Журнал геофизических исследований: Solid Earth, 127(2), e2021JB022822. (ссылка)
Чжан, К. и Ван дер Баан, М. (2022) Затухание наземной качки с использованием сверточной нейронной сети с двумя банками фильтров. IEEE Transactions on Geoscience and Remote Sensing, vol. 60, стр. 1-11, ст. 51.(ссылка)
Чжан, К. и Ван дер Баан, М. (2022) Согласование сейсмических сигналов и комплексное подавление шума с помощью моментов Цернике и трехстороннего взвешенного разреженного кодирования. IEEE Transactions on Geoscience and Remote Sensing, 60, 1-10, Art. нет. 50.(ссылка)
Чжан, К. и Ван дер Баан, М. (2022) Обработка сигналов с использованием словарей, атомов и глубокого обучения: общая структура анализа-синтеза. Труды IEEE, 110(4), 454-475. (ссылка на сайт)
Кравчинский В.А., Чжан Р., Боровецкий Р., Тарасов П.Е., Ван дер Баан М., Анвар Т., Гогичайшвили А. и Мюллер А. (2021) Климатические колебания столетнего масштаба на юге Сибири в период последнего ледникового максимума. Quaternary Science Reviews, 270, 107171. (ссылка)
Нустес Андраде, Дж. и Ван дер Баан, М. (2021) Анализ и прогнозирование размера микросейсмического облака в режиме реального времени: модели, основанные на физике, и машинное обучение. Геофизика, 86(6), КС175-КС186.(ссылка)
Рейес Каналес М. и Ван дер Баан М. (2021) Прогнозирование интенсивности индуцированной сейсмичности в результате гидроразрыва пласта с использованием физических моделей для вероятностного анализа сейсмической опасности: тематическое исследование. Чистая и прикладная геофизика, 178, 359-378. (ссылка)
Чжан, К. и Ван дер Баан, М. (2021) Полное и репрезентативное обучение нейронных сетей: исследование обобщения с использованием двойного введения шума и естественных изображений. Геофизика, 86(3), В197-В206.(ссылка)
Бартвал Х. и Ван дер Баан М. (2020) Микросейсмичность, наблюдаемая в подземной шахте: Механизмы возникновения и возможные причины. Геомеханика для энергетики и окружающей среды, 22, 100167. (ссылка)
Рейес Каналес М. и Ван дер Баан М. (2020) Относятся ли последовательности афтершоков к долгосрочным оценкам сейсмической опасности? Выводы из временной модели ETAS. Журнал геофизических исследований: Solid Earth, 125 (7), e2019JB019095 (ссылка)
Чжан, К. и Ван дер Баан, М. (2020) Микросейсмическое шумоподавление и реконструкция с помощью неконтролируемого машинного обучения. IEEE Geoscience and Remote Sensing Letters, 17(7), 1114-1118. (ссылка)
Бартвал Х., Каликсто Ф.Дж. и Ван дер Баан М. (2019) Трехмерная томография затухания от микросейсмичности в шахте. Geophysical Journal International, 219 (3), 1805-1817 гг. (ссылка)
Бартвал Х. и Ван дер Баан М. (2019a) Пассивная сейсмическая томография с использованием зарегистрированной микросейсмичности: приложение к сейсмичности, вызванной горными работами. Геофизика, 84(1), С41-Б57.(ссылка)
Бартвал Х. и Ван дер Баан М. (2019b) Роль раскрытия трещины в инициировании микросейсмичности, наблюдаемой при ГРП. Геофизика, 84(3), КС105-КС118.(ссылка)
Дин Х. Н. и Ван дер Баан М. (2019) Метод поиска по сетке для различения давления и насыщения в 4D. Геофизика, 84(4), ИМ63-ИМ75.(ссылка)
Кавано, Дж., Шульц, Р., Андриашек, Л.Д., Ван дер Баан, М., Гофрани, Х., Аткинсон, Г. и Уттинг, Д.Дж. (2019) Новогодний ледокол: ледотрясения на озерах в Альберте, Канада. Канадский журнал наук о Земле, 56 (2), 183-200. (ссылка) (препринт) (Дополнительная информация)
Рейес Каналес М. и Ван дер Баан М. (2019) Включение нестационарных магнитудно-частотных распределений в вероятностный анализ сейсмической опасности. Чистая и прикладная геофизика, 176(6), 2299-2319. (ссылка)
Ваези Ю. и Ван дер Баан М. (2019) Интерферометрический покадровый анализ скорости: приложение к скважине для сброса соленой воды в Британской Колумбии, Канада. Geophysical Journal International, 219(2), 834-852. (ссылка)
Ван дер Баан М. и Чорни Д. (2019 г.)) Результаты микромеханического моделирования разрушения неповрежденной горной породы: характеристики событий, перепады напряжений и сети сил. Журнал геофизических исследований: Solid Earth, 124 (12), 12 955–12 980 (ссылка). Все интерактивные фигуры (кредит: Дрю Чорни)
Чжан, К. и Ван дер Баан, М. (2019) Сильное подавление случайных шумов за счет преобразования Шерлета и фильтрации частотно-временных пиков. Геофизика, 84, 84(6), В319-В331.(ссылка)
Чжан, К., Ван дер Баан, М., Чен, Т. (2019) Неконтролируемое изучение словаря для улучшения соотношения сигнал-шум данных массива. Письма о сейсмологических исследованиях, 90 (2A), 573-580. (ссылка)
Эйр Т. и Ван дер Баан М. (2018) Микросейсмические исследования поведения трещин в зрелом коллекторе на месторождении Пембина, Альберта. Геофизика, 83(5), B289-B303.(ссылка)
Рош В., Ван дер Баан М. и Прейзиг Г. (2018) Исследование 3D-моделирования гидроразрыва пласта и возмущений напряжений при закачке жидкости. Журнал нефтяной науки и техники, 170, 829-843. (ссылка)
Тари Дж. Б., Эррера Р. Х. и Ван дер Баан М. (2018) Анализ изменяющихся во времени сигналов с использованием непрерывных вейвлетов и синхронизированных преобразований. Philosophical Transactions of the Royal Society, A 376, 20170254. (ссылка)
Чжан К. и Ван дер Баан М. (2018) Платформа шумоподавления для микросейсмических данных и сейсмических данных отраженных волн на основе сопоставления блоков. Геофизика, 83(5), В283-В292.(ссылка)
Чжан К. и Ван дер Баан М. (2018) Шумоподавление многокомпонентных микросейсмических данных с помощью трехмерного преобразования Шерлета. Геофизика, 83(3), А45-А51.(ссылка)
Динь Х. Н., Ван дер Баан М. и Ландро М. (2017) Стратегии обработки и контроля качества для согласованных сейсмических атрибутов с временной задержкой: история случая внутреннего выброса с использованием старых данных. Геофизика, 82(4), С135-В146.(ссылка)
Эйр Т. и Ван дер Баан М. (2017) Надежность решений тензора микросейсмических моментов: наземный и скважинный мониторинг. Геофизика, 82(6), КС113-К125.(ссылка)
Ли З. и Ван дер Баан М. (2017a) Упругая пассивная локализация источника с помощью вращательного движения. Geophysical Journal International, 211(2), 1206-1222. (ссылка)
Ли З. и Ван дер Баан М. (2017b) Учебное пособие по ротационной сейсмологии и ее приложениям в разведочной геофизике. Геофизика, 82(5), W17-W30.(ссылка)
Рош В. и Ван дер Баан М. (2017) Моделирование напряженного состояния in situ в эластичных слоистых горных породах, подверженных действию тектонических сил, вызванных напряжениями и деформациями. Solid Earth, 8, 479-498. (ссылка — открытый доступ)
Тари Дж. Б., Ван дер Баан М. и Эррера Р. Х. (2017) Применение частотно-временных преобразований с высоким разрешением для оценки затухания. Геофизика, 82(1), Т7-В20.(ссылка)
Тари Дж. Б., Ван дер Баан М. и Эррера Р. Х. (2017) Оценка затухания с использованием частотно-временных преобразований с высоким разрешением. Цифровая обработка сигналов, 60, 46-55. (ссылка)
Ван дер Баан М. и Каликсто Ф. Дж. (2017) Антропогенная сейсмичность и крупномасштабная добыча углеводородов в США и Канаде. Геохимия, Геофизика, Геосистемы, 18(7), 2467-2485. (ссылка) (препринт)
Аткинсон Г.М., Итон Д.В., Гофрани Х., Уокер Д., Чидл Б., Шульц Р., Щербаков Р., Тиампо К., Гу Дж., Харрингтон Р.М., Лю Ю., Ван дер Баан М. и Као Х. (2016) Гидроразрыв пласта и сейсмичность в осадочном бассейне Западной Канады. Письма о сейсмологических исследованиях, 87(3), 631-647. (ссылка)
Каффаньи Э., Итон Д.В., Джонс Дж.П. и Ван дер Баан М. (2016) Обнаружение и анализ микросейсмических событий с использованием алгоритма согласованной фильтрации (MFA). Geophysical Journal International, 206, 644-658. (ссылка) Исправление: Geophysical Journal International, 20(1), 509, 2017 (ссылка)
Ли З. и Ван дер Баан М. (2016) Локализация микросейсмического события с помощью акустической экстраполяции обращения времени. Геофизика, 81(3), КС119-КС130.(ссылка)
Ван дер Баан М., Итон Д.В. и Прейзиг Г. (2016) Палочно-расщепляющий механизм разрушения горных пород при растяжении под воздействием антропогенных флюидов. Геология, 44 (7), 503-506. (ссылка) Победитель Дэйв Эллиотт приз за лучшую статью Дополнительная информация Бесплатная ссылка
Каффаньи Э., Итон Д.В., Ван дер Баан М. и Джонс Дж.П. (2015) Региональная сейсмичность: потенциальная ловушка для идентификации долгопериодных, длительных (LPLD) событий. Геофизика, 80(1), А1-А5.(ссылка)
Кастелланос Ф. и Ван дер Баан М. (2015) Динамическое срабатывание микросейсмичности в шахтной обстановке. Geophysical Journal International, 202 (2), 728-737. (ссылка)
Кастелланос Ф. и Ван дер Баан М. (2015) Сходство форм сигналов для контроля качества местоположений событий, выбора времени и решений тензора моментов. Геофизика, 80(6), WC99-WC106.(ссылка)
Хан Дж. и Ван дер Баан М. (2015) Микросейсмическое и сейсмическое шумоподавление с помощью ансамблевой декомпозиции эмпирических мод и адаптивной пороговой обработки. Геофизика, 80(6), КС69-КС80.(ссылка)
Эррера Р. Х., Тари Дж. Б., Ван дер Баан М. и Итон Д. У. (2015) Разделение объемных волн в частотно-временной области. IEEE Geoscience and Remote Sensing Letters, 12(2), 364-368. (ссылка) Рис. 1 на титульном листе выпуска GRSL
Джонс Дж. П. и Ван дер Баан М. (2015) Адаптивный STA-LTA со статистикой выбросов. Бюллетень сейсмологического общества Америки, 105 (3), 1606-1618 гг. (ссылка)
Прейзиг Г., Эберхард Э., Гишиг В., Роше В., Ван дер Баан М., Вэлли Б., Кайзер П.К., Дафф Д. и Лоутер Р. (2015) Развитие проницаемости связанного массива горных пород за счет распространения трещины гидроразрыва и сдвига, сопровождающего закачку жидкости. Геофлюиды, 15(1-2), 321-337. (ссылка)
Рош В. и Ван дер Баан М. (2015) Роль литологической слоистости и порового давления на флюидоиндуцированную микросейсмичность. Журнал геофизических исследований: Solid Earth, 120 (2), 923-943. (ссылка)
Ваези Ю. и Ван дер Баан М. (2015) Сравнение методов STA/LTA и спектральной плотности мощности (PSD) для обнаружения микросейсмических событий. Международный геофизический журнал, 203 (3), 1896-1908 гг. (ссылка)
Ваези Ю. и Ван дер Баан М. (2015) Интерферометрическая оценка качества фиксации скважинных сейсмоприемников. Геофизика, 80(6), WC89-WC98.(ссылка)
Итон Д. В., Ван дер Баан М., Биркело Б. и Тари Дж. Б. (2014) Масштабные соотношения и спектральные характеристики микросейсм растяжения: Доказательства открытия/закрытия трещин во время гидроразрыва пласта. Geophysical Journal International, 196 (3), 1844–1857 гг. (ссылка)
Фомель С. и М. ван дер Баан (2014) Атрибут локальной асимметрии как сейсмический фазовый детектор. Интерпретация, 2(1), SA49-SA56.(ссылка)
Эррера Р. Х., Фомель С. и М. ван дер Баан (2014) Автоматические подходы для сейсморазведки к привязке скважин. Интерпретация, 2(2), SD101-SD109.(ссылка)
Эррера Р. Х., Хан Дж. и М. ван дер Баан (2014) Применение синхросжатого преобразования в частотно-временном анализе сейсмических данных. Геофизика, 79(3), V55-V64.(ссылка)
Эррера Р. Х. и М. ван дер Баан (2014 г.) Полуавтоматический метод привязки каротажных диаграмм к сейсмическим данным. Геофизика, 79(3), В47-В54.(ссылка)
Тари Дж. Б., Эррера Р. Х., Хан Дж. и Ван дер Баан М. (2014) Спектральная оценка — Что нового? Что дальше? Обзоры геофизики, 52(4), 723-749. (ссылка)
Тари Дж. Б., Эррера Р. Х. и Ван дер Баан М. (2014) Изменяющаяся во времени авторегрессионная модель для спектрального анализа микросейсмических экспериментов и долгопериодных вулканических событий. Geophysical Journal International, 196 (1), 600-611. (ссылка)
Тари Дж. Б., Ван дер Баан М. и Итон Д. В. (2014) Интерпретация резонансных частот, зарегистрированных во время гидроразрыва пласта. Журнал геофизических исследований: Solid Earth, 119 (2), 1295–1315. (ссылка на сайт)
Тэри Дж. Б., Ван дер Баан М., Сазерленд Б. и Итон Д. В. (2014) Характеристики флюидоиндуцированных резонансов, наблюдаемых при микросейсмическом мониторинге. Журнал геофизических исследований: Solid Earth, 119(11), 8207-8222. (ссылка на сайт)
Ваези Ю. и Ван дер Баан М. (2014) Анализ собственных шумов приборов и обнаружение микросейсмических событий с использованием оценок спектральной плотности мощности. Международный геофизический журнал, 197 (2), 1076-1089. (ссылка на сайт)
Хан Дж. и Ван дер Баан М. (2013) Эмпирическая модовая декомпозиция для частотно-временного анализа сейсмических данных. Геофизика, 78 (2), О9-О19. (ссылка)
Эррера Р. Х. и Ван дер Баан М. (2012) Кратковременный гомоморфный вейвлет-анализ. Журнал геофизики и инженерии, 9, 674-680. (ссылка на сайт)
Рейн К., Кларк Р. и Ван дер Баан М. (2012b) Надежное определение добротности до суммирования с использованием данных наземной сейсморазведки: II — 3D тематическое исследование. Геофизика, 77 (1), В1-В10. (ссылка на сайт)
Рейн К., Кларк Р. и Ван дер Баан М. (2012a) Надежное определение добротности до суммирования с использованием данных наземной сейсморазведки: I — Метод и синтетические примеры. Геофизика, 77 (1), С45-С56. (ссылка на сайт)
Ван дер Баан М. (2012) Расширение полосы пропускания: фильтрация с обратной добротностью или изменяющаяся во времени деконволюция Винера? Геофизика, 77 (4), В133-В142. (ссылка на сайт)
Эдгар Дж. А. и Ван дер Баан М. (2011) Насколько надежна оценка статистических вейвлетов? Геофизика, 76(4), В59-В68. (ссылка на сайт)
Бекара М. и Ван дер Баан М. (2010) Обнаружение высокоамплитудного шума с помощью алгоритма максимизации ожидания с применением для ослабления шума волн. Геофизика, 75(3), В39-В49. (ссылка на сайт)
Муса В., Буссакта С., Маклернон Д. и Ван дер Баан М. (2010) Реализация цифровых КИХ-фильтров с явной двухмерной экстраполяцией глубины для трехмерных сейсмических объемов с использованием разложения по сингулярным числам. Геофизика, 75(1), Т1-Т12. (ссылка на сайт)
Цванкин И., Гайзер Дж., Гречка В., Ван дер Баан М. и Томсен Л. (2010) Сейсмическая анизотропия при разведке и характеристике резервуаров: обзор. Геофизика, 75 (5), 75А15-75А29. (ссылка на сайт)
Бекара М. и Ван дер Баан М. (2009) Ослабление случайного и когерентного шума путем разложения по эмпирическим модам. Геофизика, 74(5), В89-В98. (ссылка на сайт)
Де Меерсман К., Кендалл Дж.М. и Ван дер Баан М. (2009) Микросейсмичность Валхалла 1998 года: комплексное исследование перемещенные источники, сейсмические мультиплеты и расщепление поперечных волн. Геофизика, 74(5), С183-В195. (ссылка на сайт)
Муса В., Ван дер Баан М., Буссакта С. и Маклернон Д. (2009 г.) Разработка стабильных экстраполяторов для явной экстраполяции глубины двумерных и трехмерных волновых полей с использованием проекций на выпуклые множества. Геофизика, 74(2), С33-С45. Бумага (PDF)
Рейн К., Ван дер Баан М. и Кларк Р. (2009) Надежность измерений сейсмического затухания с использованием частотно-временных преобразований с фиксированным и переменным окном. Геофизика, 74(2), WA123-WA135. Бумага (PDF)
Ван дер Баан М. (2009) Происхождение резонансных частот SH-волн в осадочных слоях. Международный геофизический журнал, 178, 1587-1596. Бумага (PDF)
Ван дер Баан М. и Фомель С. (2009) Оценка нестационарной фазы с использованием регуляризованной максимизации локального эксцесса. Геофизика, 74(6), А75-А80. (ссылка на сайт)
Дума Х. и Ван дер Баан М. (2008) Рациональная интерполяция времени пробега qP для анизотропии на основе подобия оценка в слоистых средах VTI. Геофизика, 73(4), Д53-Д62. Бумага (PDF)
Ван дер Баан М. (2008) Оценка изменяющегося во времени вейвлета и деконволюция с использованием максимизации эксцесса. Геофизика, 73(2), т.11-т.18. Бумага (PDF)
Ван дер Баан М. и Фам Д.-Т. (2008) Оценка робастных вейвлетов и слепая деконволюция зашумленных поверхностных сейсмических данных. Геофизика, 73(5), Т37-В46. Бумага (PDF)
Бекара М. и Ван дер Баан М. (2007) Локальное разложение по сингулярным числам для усиления сигнала сейсмических данных. Геофизика, 72(2), В59-В65. Бумага (PDF)
Ван дер Баан М., Вуки Дж. и Смит Д. (2007) Стратиграфическая фильтрация и глубина проникновения источника. Геофиз. пр., 55, 679-684. Бумага (PDF)
Де Меерсман К., Ван дер Баан М. и Кендалл Дж. М. (2006) Извлечение сигнала и автоматический поляризационный анализ многокомпонентных массивов данных. Бык. Сейсм. соц. Ам., 96, 2415-2430. Бумага (PDF)
Ван дер Баан М. и Смит Д. (2006) Амплитудный анализ отражений изотропных продольных волн. Геофизика, 71, С93-С103. Бумага (PDF)
Ван дер Баан М. (2006) PP/PS Разделение волнового поля с помощью анализа независимых компонентов. Геофиз. J. Int., 166, 339-348. Бумага (PDF)
Аль-Анбури А., Ван дер Баан М. и Кендалл Дж. М. (2005) Приблизительное разделение чистой моды и обменных волн в 3-C сейсморазведке методом отражения с помощью тау-р-преобразования. Геофизика, 70, В81-В86. Бумага (PDF)
Ван дер Баан М. (2005b) Обработка анизотропных данных в тау-р области: II. Сортировка по общей точке преобразования. Геофизика, 70, Д29-Д36. Бумага (PDF)
Ван дер Баан М. (2005a) Некоторые комментарии к CACP-сортировке преобразованных волн данные в изотропных, латерально неоднородных средах. Геофизика, 70, У29-У36. Бумага (PDF)
Холл С.А., Кендалл Дж. М. и Ван дер Баан М. (2004) Некоторые комментарии о влиянии анизотропии нижней мантии на фазы SKS и SKKS. физ. Планета Земля. Интер., 146, 469-481. Бумага (PDF)
Тинби Н.А., Кендалл Дж.М. и Ван дер Баан М. (2004) Автоматизация измерений расщепления поперечных волн с использованием кластерного анализа. Бык. Сейсм. соц. Ам., 94, 453-463. Бумага (PDF)
Ван дер Баан М. (2004) Обработка анизотропных данных в области tau-p: I. Поправки на геометрическое расширение и кинематику. Геофизика, 69, 719-730. Бумага (PDF)
Ван дер Баан М. и Кендалл Дж. М. (2003) Время в пути и вычисление точки преобразования и оценка параметров в слоистых, анизотропных медиа с помощью тау-р-преобразования. Геофизика, 68, 210-224. Бумага (PDF)
Ван дер Баан М. и Кендалл Дж. М. (2002) Оценка анизотропии параметры и время пробега в области tau-p. Геофизика, 67, 1076-1086. Бумага (PDF)
Ван дер Баан М. (2002) Константа Q и фрактал, стратифицированный Земля. Чистое приложение. Геофиз., 159, 1707-1718. Бумага (PDF)
Ван дер Баан М. (2001) Распространение акустических волн в одномерных случайные среды: подход к локализации волн. Геофиз. Дж. Междунар., 145, 631-646. Бумага (PDF)
Ван дер Баан М. и Юттен С. (2000) Нейронные сети в геофизические приложения. Геофизика, 65, 1032-1047. Бумага (PDF)
Ван дер Баан М. и Пол А. (2000) Распознавание и реконструкция когерентной энергии с применением данных глубинных сейсмических отражений. Геофизика, 65, 656-667. Бумага (PDF)

Статей с редакционной рецензией:

Ван дер Баан М. (2021) Землетрясения, вызванные закачкой подземных флюидов, смоделированы для тектонически активного нефтяного месторождения. Природа, 595, 655-656. (ссылка)
Биркело Б., Элсворт В., Роше С. и Ван дер Баан М. (2018) Введение в специальный выпуск: Наведенная сейсмичность. Передовой край, 37 (2), 810-811. (ссылка)
Итон Д.В., Ван дер Баан М. и Ингельсон А. (2016) Терминология сейсмичности, вызванной нагнетанием флюидов, при проведении нефтегазовых операций. Регистратор CSEG, 41(4), 24-28. (ссылка)
Гроб М. и Ван дер Баан М. (2016) Влияние геометрии сбора данных на асимметрию облака событий и анализ b-значения. Регистратор CSEG, 41(5), 30-35. (ссылка)
Эйр Т.С. и Ван дер Баан М. (2015) Обзор моментно-тензорной инверсии микросейсмических событий. Передовой край, 34 (8), 882-888. (ссылка)
Кастелланос Ф. и Ван дер Баан М. (2013) Местоположение микросейсмических событий с использованием алгоритма двойной разности. Регистратор CSEG, 38(3), 26-37. (ссылка)
Итон Д. и Ван дер Баан М. (2013) Последние разработки в области микросейсмического мониторинга: введение в основной выпуск микросейсмики. Регистратор CSEG, 38(3), 20. (ссылка)
Итон Д. , Ван дер Баан М., Тари Дж.-Б., Биркело Б., Сприггс Н., Каттен С. и Пайк К. (2013) Широкополосные микросейсмические наблюдения при гидроразрыве пласта Монтни, северо-восток Британской Колумбии, Канада. Регистратор CSEG, 38(3), 45-53. (ссылка)
Чорни Д., Джайн П., Гроб М. и Ван дер Баан М. (2012) Геомеханическое моделирование трещиноватости горных пород и связанной с ней микросейсмичности. Передний край, 31 (11), 1348–1354. (ссылка)
Кокон К. и Ван дер Баан М. (2012) Оценка качества местоположений микросейсмических событий и выбор времени пробега с использованием мультиплетного анализа. Передний край, 31 (11), 1330–1337. (ссылка)
Тари Джей-Би. и Ван дер Баан М. (2012) Возможное использование резонансных частот при интерпретации микросейсмических данных. Передний край, 31 (11), 1338–1346. (ссылка)
Гроб М. и Ван дер Баан М. (2011) Вывод изменений напряжения на месте с помощью статистического анализа микросейсмических характеристики события. Передний край, 30 (11), 1296-1301. (ссылка на сайт)
Ван дер Баан М., Фомель С. и Перц М. (2010) Оценка нестационарной фазы: инструмент для интерпретации сейсмических данных? Передний край, 29, 1020-1026. (ссылка на сайт)
Ван дер Баан М., Керран Т., Кендалл Дж. М. и Тейлор Н. (2003) Визуализация суббазальтовых структур с использованием локально преобразованных волн. Первый перерыв, 21(6), 31-38. Бумага (PDF)

Рецензируемые материалы и расширенные рефераты:

Браун Л. и Ван дер Баан М. (2022) Покадровый мониторинг сброса соленой воды в Канзасе и Оклахоме. Междунар. Mtg. Прикладная наука о Земле и энергетика, IMAGE 22, SEG и AAPG, Хьюстон.
Роше В., Ван дер Баан М. и Уолш Дж. (2022) Примеры шагов разлома, управляющих миграцией событий в сейсмических роях. Междунар. Mtg. Прикладная наука о Земле и энергетика, IMAGE 22, SEG и AAPG, Хьюстон.
Буи Х., Сакки М. и Ван дер Баан М. (2021) Частотно-временное разреженное преобразование Габора для обнаружения микросейсмических событий. 91-я Энн. Междунар. Mtg., SEG, Денвер.
Буй Х. и Ван дер Баан М. (2021) 905:28 Момент-тензорная инверсия событий, вызванных гидравлическим разрывом пласта в резервуаре Монтни, северо-восток Британской Колумбии. 91-я Энн. Междунар. Mtg., SEG, Денвер.
Ли З. и Ван дер Баан М. (2021) Отображение микросейсмических данных DAS в обратном времени. 91-я Энн. Междунар. Mtg., SEG, Денвер.
Нустес Андраде Дж. и Ван дер Баан М. (2021) Автоматическое обнаружение переломов в низкочастотной DAS с использованием рабочего процесса компьютерного зрения. 91-я Энн. Междунар. Mtg., SEG, Денвер.
Нустес Андраде Дж. и Ван дер Баан М. (2021) Прогноз размера микросейсмического облака в режиме реального времени: сравнение модели, основанной на физике, и подхода, основанного на машинном обучении. 91-я Энн. Междунар. Mtg., SEG, Денвер.
Буй Х. и Ван дер Баан М. (2020) Обнаружение событий с использованием алгоритма быстрой согласованной фильтрации — эффективный способ работы с большими наборами микросейсмических данных. 90-я Энн. Междунар. Mtg., SEG, виртуальный.
Чжан К. и Ван дер Баан М. (2020) Реконструкция микросейсмического сигнала путем сопоставления блоков с новым критерием сопоставления. 90-я Энн. Междунар. Mtg., SEG, виртуальный.
Бартвал Х., Каликсто Ф.Дж. и Ван дер Баан М. (2019) Томография затухания с использованием зарегистрированной микросейсмичности в шахте. 89-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Сан-Антонио.
Бартвал Х. и Ван дер Баан М. (2019) Оценка проницаемости по микросейсмичности, вызванной гидроразрывом пласта. 89-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Сан-Антонио.
Eaton DW, Mahani A, Salvage R, Kao H и Van der Baan M (2019) История трех землетрясений: новый взгляд на активацию разломов в свете недавних событий в Западной Канаде. 2019 Gussow Conference, CSPG, Банф.
Чжан К. и Ван дер Баан М. (2019) Ослабление комплексного микросейсмического шума путем согласования блоков и трехстороннего взвешенного разреженного кодирования. 81-я группа, EAGE, Лондон.
Чжан К. и Ван дер Баан М. (2019) Подавление микросейсмических и сейсмических шумов с помощью контролируемого глубокого обучения с естественными шумовыми изображениями. 89-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Сан-Антонио.
Чжан К. и Ван дер Баан М. (2019) Реконструкция и определение местоположения микросейсмических данных на основе изучения байесовского непараметрического словаря. 81-я группа, EAGE, Лондон.
Чжан Дж. и Ван дер Баан М. (2019) Зависящий от глубины потенциал скольжения разлома. 89-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Сан-Антонио.
Бартвал Х. и Ван дер Баан М. (2018) Причинный механизм микросейсмичности зафиксирован в подземной шахте. 88-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Анахайм.
Кастелланос Ф., Ван дер Баан М., Бюссьер М. и Стивенс М. (2018) Акустические характеристики выбросов жидких углеводородов из подземных трубопроводов: экспериментальная оценка. Материалы 12-й Международной конференции по трубопроводам 2018 г., Калгари, IPC2018-78244.
Чжан К. и Ван дер Баан М. (2018) Микросейсмическое и сейсмическое шумоподавление с помощью байесовского непараметрического метода с оптимальным размером словаря. 88-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Анахайм.
Бартвал Х. и Ван дер Баан М. (2017) Возмущения напряжений и микросейсмичность, вызванные гидроразрывом пласта. 51-й симпозиум по механике горных пород / геомеханике в США, Американская ассоциация механиков горных пород, Сан-Франциско.
Бриско К. и Ван дер Баан М. (2017) Анизотропия скоростей в районе трещины гидроразрыва: анализ чувствительности. 87-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Хьюстон.
Динь Н.Х. , Ван дер Баан М. и Ландро М. (2017) Оценка скоростей миграции мелководного газа после подземного выброса с использованием атрибутов покадровой съемки. 87-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Хьюстон.
Эйр Т. и Ван дер Баан М. (2017) Надежность механизмов микросейсмического источника, зарегистрированных на месторождении Пембина, Альберта. 87-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Хьюстон.
Ли З. и Ван дер Баан М. (2017) Упругая микросейсмическая локализация очага с помощью вращательного движения. 87-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Хьюстон.
Чжан К., Ван дер Баан М., Ли Ю. и Сюй С. (2017) Микросейсмические исследования и шумоподавление сейсмических данных с использованием сопоставления блоков и совместной трехмерной фильтрации. 87-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Хьюстон.
Дин Н.Х., Ван дер Баан М. и Рассел Б. (2016) Подход к жесткости порового пространства для модели физики горных пород, зависящей от давления. 86-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Даллас.
Лу Х. и Ван дер Баан М. (2016) Моделирование динамического запуска акустической эмиссии методом связанных частиц. 50-й симпозиум по механике горных пород / геомеханике в США, Американская ассоциация механиков горных пород, Хьюстон.
Ван дер Баан М., Чорни Д. и Роше В. (2016) Геомеханическое моделирование наведенной микросейсмичности. 4-й симпозиум Itasca по прикладному численному моделированию, Лима.
Каликсто Ф.Дж. и Ван дер Баан М. (2015) Трехмерная томография затухания от микросейсмичности. 85-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Новый Орлеан.
Динх Н.Х., Ван дер Баан М. и Ландро М. (2015) Интегрированный покадровый анализ мелководного движения газа. 85-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Новый Орлеан.
Динх Н.Х., Ван дер Баан М. и Ландро М. (2015) Стратегии покадровой обработки для обнаружения изменений затухания 4D и поверхностного движения газа. 77-я группа, EAGE, Мадрид.
Итон Д.У. Каффаньи Э., Рафик А., Ван дер Баан М., Роше В. и Мэтьюз Л. (2015) Пассивный сейсмический мониторинг и комплексный геомеханический анализ плотного песчаного коллектора в процессе ГРП, отработки и добычи. Лучшее из URTEC, 85th Ann. Междунар. Mtg., SEG, Новый Орлеан.
Ли З. и Ван дер Баан М. (2015) Улучшенная локализация микросейсмического события путем экстраполяции обратного времени. 85-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Новый Орлеан.
Рош В., Ван дер Баан М. и Прейзиг Г. (2015) 3D-моделирование гидроразрыва пласта и возмущений напряжений при закачке жидкости. 49-й симпозиум по механике горных пород / геомеханике в США, Американская ассоциация механиков горных пород, Сан-Франциско.
Ваези Ю. и Ван дер Баан М. (2015) Сравнение методов STA/LTA и спектральной плотности мощности (PSD) для обнаружения микросейсмических событий. 85-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Новый Орлеан.
Бартвал Х. и Ван дер Баан М. (2014) Пассивная сейсмическая томография с использованием зарегистрированной микросейсмичности. 84-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Денвер.
Чорни Д.Р., Гроб М., Джайн П. и Ван дер Баан М. (2014) Численный анализ акустической эмиссии, излучаемой энергии и их тензоров моментов в испытаниях на трехосную деформацию. 48-й симпозиум по механике горных пород / геомеханике в США, Американская ассоциация механиков горных пород, Миннеаполис, документ ARMA 14-719.0.
Итон Д., Каффаньи Э., Рафик А., Ван дер Баан М., Роше В. и Мэтьюз Л. (2014) Пассивный сейсмический мониторинг и комплексный геомеханический анализ плотного песчаного коллектора в процессе ГРП, отработки и добычи. URTEC 2014, Денвер.
Итон Д., Рафик А., Педерсен П. и Ван дер Баан М. (2014) Микросейсмическое выражение активизации естественных трещин в плотном песчаном резервуаре. Проектирование сетей дискретных трещин, 2014, Ванкувер.
Гил М., Эррера Р.Х., Ван дер Баан М., Люет С. и Кравчик С.М. (2014) Пространственное разрешение метода оценки нестационарной фазы. 76th Mtg., EAGE, Амстердам.
Эррера Р.Х., Ван дер Баан М. и Фомель С. (2014) Сравнение двух полуавтоматических методов привязки сейсмических данных к скважине. 76th Mtg., EAGE, Амстердам.
Ли З. и Ван дер Баан М. (2014) Теорема акустического представления, основанная на экстраполяции обращения времени для локализации микросейсмических событий. 84-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Денвер.
Тэри Дж.-Б., Ван дер Баан М., Сазерленд Б. и Итон Д.В. (2014) Резонанс, вызванный потоком, во время гидроразрыва пласта. 84-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Денвер.
Ваези Ю. и Ван дер Баан М. (2014) Интерферометрическая оценка качества привязки скважина-геофон. 76th Mtg., EAGE, Амстердам.
Фероз А. и Ван дер Баан М. (2013) Неопределенности в местоположении микросейсмических событий для горизонтальных, вертикальных и наклонных скважин. 83-я Энн. Междунар. Mtg., SEG, Хьюстон.
Хан Дж., Эррера Р. Х. и Ван дер Баан М. (2013) Спектральное разложение путем синхронного сжатия. 75th Mtg., EAGE, Лондон.
Рош В. и Ван дер Баан М. (2013) Численное моделирование роли литологической слоистости в пространственной изменчивости естественных трещин и их зарождении. 83-я Энн. Междунар. Mtg., SEG, Хьюстон.
Тари Дж. Б., Эррера Р. Х. и Ван дер Баан М. (2013) Синхросжатое преобразование для частотно-временного представления микросейсмических записей с высоким разрешением. 75th Mtg., EAGE, Лондон.
Тари Дж. Б. и Ван дер Баан М. (2013) Интерпретация резонансных частот, зарегистрированных при ГРП. 75th Mtg., EAGE, Лондон.
Ваези Ю. и Ван дер Баан М. (2013) Анализ собственных шумов приборов и обнаружение микросейсмических событий с использованием оценок спектральной плотности мощности. 83-я Энн. Междунар. Mtg. , SEG, Хьюстон.
Кастелланос Ф. и Ван дер Баан М. (2012) Высокоточные относительные местоположения событий с использованием комбинированного мультиплетного анализа и инверсии двойной разности. 82-я Энн. Междунар. Mtg., SEG, Лас-Вегас, PSC4.
Чан Дж., Д. Шмитт, Дж. Майорович, Э. Пуреслами Ардакани, Г. Ньювенхейс, М. ван дер Баан, Дж. Куек (2012) Исследование глубоких скважин на предмет целесообразности инженерной геотермальной системы (EGS) на северо-востоке Альберты. 21-й Канадский симпозиум по механике горных пород, RockEng 2012, Эдмонтон, бумага 7095.
Гроб М. и Ван дер Баан М. (2012) Статистический анализ характеристик микросейсмических событий помогает отслеживать изменения напряжения на месте. 21-й Канадский симпозиум по механике горных пород, RockEng 2012, Эдмонтон, бумага 7058.
Хан Дж. и Ван дер Баан М. (2012) Полное разложение эмпирических мод по ансамблю для частотно-временного анализа сейсмических данных. 82-я Энн. Междунар. Mtg., SEG, Лас-Вегас, INT6.
Эррера Р. Х. и Ван дер Баан М. (2012) Автоматизированная привязка сейсморазведки к скважине? 74-я группа, EAGE, Копенгаген, J031.
Эррера Р. Х. и Ван дер Баан М. (2012) Управляемая привязка сейсмических данных к скважине на основе динамической деформации времени. 82-я Энн. Междунар. Mtg., SEG, Лас-Вегас, SI2.1.
Эррера Р. Х. и Ван дер Баан М. (2012) Оценка сейсмических вейвлетов с помощью кратковременного гомоморфного анализа. 74-я группа, EAGE, Копенгаген, P105.
Ван дер Баан М. (2012) Расширение полосы пропускания — обратная Q-деконволюция или изменяющаяся во времени фильтрация Винера? 74-я группа, EAGE, Копенгаген, A019.
Ван дер Баан М. (2012) Расширение полосы пропускания за счет фильтрации с обратной добротностью или изменяющейся во времени деконволюции Винера? 82-я Энн. Междунар. Mtg., SEG, Лас-Вегас, SI2.
Гроб М. и Ван дер Баан М. (2011) Статистический анализ местоположений и магнитуд микросейсмических событий и их геомеханических последствий. 81-я Энн. Междунар. Mtg., SEG, Сан-Антонио, PSC3.6.
Ван дер Баан М., Фомель С. и Перц М. (2011) Фазовый анализ: инструмент, дополняющий спектральное разложение? 31-й ежегодный фонд GCSSEPM, исследовательская конференция BF Perkins, Хьюстон, 10 стр.
Бланшар Т. Д., Кларк Р. А. и Ван дер Баан М. (2010) Разделение изменений давления и насыщенности с использованием измерений затухания по данным сейсморазведки до суммирования. 72-я группа, EAGE, Барселона, P362.
Бланшар Т. Д., Кларк Р. А. и Ван дер Баан М. (2010) Разделение изменений давления и насыщения с использованием сейсмического затухания. 80-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Денвер, 4242-4246.
Бланшар Т., М. ван дер Баан, Р. Кларк и Б. Курмашов (2010) Затухание P-волны как дополнительный инструмент для мониторинга мест введения CO2. 80-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Денвер, 4252-4256.
Фомель С. и М. ван дер Баан (2010) Локальное сходство с огибающей в качестве сейсмофазового детектора. 80-я анна. Междунар. Mtg., SEG, Денвер, 1555-1559 гг..
Моффат Л. Т., Кларк Р. А., Ван дер Баан М. и Мэннинг Т. (2010) Характеристика азимутальной анизотропии с использованием набора данных трехмерной многоазимутальной буксируемой косы. 72-я группа, EAGE, Барселона, G020.
Ван дер Баан М., Перц М. и Фомель С. (2010) Оценка нестационарной фазы для анализа характера вейвлета. 72-я группа, EAGE, Барселона, D020.
Бланшар Т. Д., Кларк Р. А., Ван дер Баан М. и Лоус Э. (2009) Покадровое затухание как инструмент мониторинга изменений порового флюида в углеводородных коллекторах. 71-я группа, EAGE, Амстердам, P052.
Бланшар Т. Д., Кларк Р. А. и Ван дер Баан М. (2009) Мониторинг изменений порового флюида с помощью покадрового затухания. Исследовательский семинар EAGE/SEG: Частота, затухание и разрешение сейсмических данные, Барселона, B03.
Эдгар Дж. А. и Ван дер Баан М. (2009) Насколько надежна оценка статистических вейвлетов? 71-я группа, EAGE, Амстердам, V003.
Эдгар Дж. А. и Ван дер Баан М. (2009) Насколько надежна оценка статистических вейвлетов? 79-я энн. Междунар. Mtg., SEG, Хьюстон, ООПТ2.6.
Моффат Л., Кларк Р. А., Ван дер Баан М. и Т. Мэннинг (2009) Азимутальные вариации анализа затухания, примененные к 3D набор данных мультиазимутальной буксируемой косы. Исследовательский семинар EAGE/SEG: Частота, затухание и разрешение сейсмических данные, Барселона, B06.
Рейн К.А., Ван дер Баан М. и Кларк Р. (2009) Надежный алгоритм инверсии до суммирования для интервальных измерений Q по данным наземной сейсморазведки. Исследовательский семинар EAGE/SEG: Частота, затухание и разрешение сейсмических данные, Барселона, B02.
Рейн К.А., Кларк Р.А. и Ван дер Баан М. (2009) Измерения Interval-Q по данным наземной сейсморазведки с использованием надежного алгоритма инверсии до суммирования. 71-я группа, EAGE, Амстердам, S041.
Селвидж Дж. И., Фам Д. Т. и Ван дер Баан М. (2009) Нелинейная деконволюция с использованием цепи Маркова Монте-Карло для оценки разреженной отражательной способности. 71-я группа, EAGE, Амстердам, V004.
Селвидж Дж. И., Фам Д. Т. и Ван дер Баан М. (2009) Нелинейная деконволюция с использованием цепи Маркова Монте-Карло для оценки разреженной отражательной способности. 79-я энн. Междунар. Mtg., SEG, Хьюстон, ООПТ2.2.
Бекара М., Феррейра А. и Ван дер Баан М. (2008) Статистический метод обнаружения высокоамплитудного шума: Применение набухать шумоглушитель . 78-я мтг., Энн. междунар. Mtg., SEG, Лас-Вегас, ООПТ 2.4.
Бекара М. и Ван дер Баан М. (2008 г.) Ослабление шума в области F-x с помощью эмпирического разложения по моде . 70-я серия, EAGE, Рим, стр. 154.
Бекара М. и Ван дер Баан М. (2008 г.) Ослабление случайного и когерентного шума с помощью эмпирического разложения по моде . 78-я мтг., Энн. междунар. Mtg., SEG, Лас-Вегас, ООПТ 2.2.
Ван дер Баан М. (2008) Оценка изменяющегося во времени вейвлета и деконволюция по эксцессу максимизация. 70-я серия, EAGE, Рим, H014.
Бекара М. и Ван дер Баан М. (2007) Новый параметрический метод оценки временной задержки. 32-я ICASSP, Гавайи, SPTM-P3.6, бумага 1235.
де Меерсман К., Кендалл Дж.М. и Ван дер Баан М. (2007) Новый взгляд на микросейсмичность Valhall: перемещенные источники, сейсмические мультиплеты и расщепление S-волны . 69-я группа, EAGE, Лондон, A038.
Триа М., Ван дер Баан М., Ларю А. и Марс Дж. (2007) Оценка вейвлета в гомоморфной области путем спектрального усреднения, для деконволюции сейсмических данных . 5-й межд. конф. по физике в обработке сигналов и изображений, Мюлуз, Франция.
Триа М., Ван дер Баан М., Ларю А. и Марс Дж. (2007) Вейвлет-оценка и слепая деконволюция реалистичных синтетических сейсмические данные по логарифмическому спектральному осреднению. 77-я мтг., Энн. междунар. Mtg., SEG, Сан-Антонио, 1982–1986 годы.
Ван дер Баан М. и Фам Д-Т. (2007) Оценка робастных вейвлетов и слепая деконволюция в зашумленной поверхностной сейсморазведке. 69th Mtg., EAGE, Лондон, B029.
Бекара М. и Ван дер Баан М. (2006) Local SVD/ICA для усиления сигнала сейсмических данных до суммирования. 68-я группа, EAGE, Вена, P095.
Дума Х. и Ван дер Баан М. (2006) Оценка параметров анизотропии на основе подобия в многослойном VTI СМИ с использованием рациональной интерполяции. 68-я Mtg., EAGE, Вена, стр. 187.
Дума Х. и Ван дер Баан М. (2006) Оценка параметров анизотропии на основе подобия в многослойном VTI СМИ с использованием рациональной интерполяции. Семинар «Сейсмическая анизотропия», 68-я встреча, EAGE, Вена, W4-10.
Муса В. А., Буссакта С., Маклернон Д. и Ван дер Баан М. (2006) Реализация экстраполяции трехмерного волнового поля с использованием разложения по сингулярным числам. 76-я мтг., Энн. междунар. Mtg., SEG, Новый Орлеан, SPMI P1.6.
Муса В. А., Буссакта С., Ван дер Баан М. и Маклернон Д. (2006) Разработка стабильных операторов для явной глубинной экстраполяции трехмерных волновых полей с использованием проекции на выпуклые множества. 76-я мтг., Энн. междунар. Mtg., SEG, Новый Орлеан, SPMI P1.7.
Муса В. А., Ван дер Баан М., Буссакта С. и Маклернон Д. (2006) Явная экстраполяция волнового поля с использованием проекций на выпуклые множества с приложение к солевой модели SEG/EAGE. 68-я Mtg., EAGE, Вена, P264.
Ван дер Баан М. (2006) Разделение волнового поля PP/PS с помощью анализа независимых компонентов. 68-я группа, EAGE, Вена, H037.
Хьюз П. и Ван дер Баан М. (2005) CCP-сортировка данных преобразованных волн в области tau-p. 67-я группа, EAGE, Ставангер, P062.
Ларю А., Ван дер Баан М., Марс Дж. И. и Юттен К. (2005) Разреженность или белизна: какой критерий использовать для слепой деконволюции сейсмических данных?. 75th Mtg., SEG, Хьюстон, SI 1.4.
Муса В. А., Маклернон Д. К., Буссакта С. и Ван дер Баан М. (2005) Разработка экстраполяторов волнового поля с использованием проекций на выпуклые множества. 75th Mtg., SEG, Хьюстон, SPMI P2.2.
Ван дер Баан М. и Смит Д. (2005a) Новая стратегия для изотропного анализа AVO зубца P. 67-я бригада, EAGE, Ставангер, G029.
Ван дер Баан М. и Смит Д. (2005b) Альтернативная стратегия для изотропного анализа AVO зубца P. 75th Mtg., SEG, Хьюстон, AVO1.3.
Ван дер Баан М., Вуки Дж. и Смит Д. (2005) Стратиграфическая фильтрация и глубина проникновения источника. Семинар «Сейсмические исследования: наблюдения, механизмы и интерпретация», 67-я группа, EAGE, Мадрид, Q-04.
Van der Baan M. (2004) CCP сортировка анизотропных данных: Простое решение. 74th Mtg., SEG, Денвер, MC2.6
Аль-Анбури А., Ван дер Баан М. и Кендалл Дж. М. (2003) серийный номер улучшение данных 3-C за счет разделения волнового поля области тау-р. 65-я Мтг., EAGE, Ставангер, стр.104.
Де Меерсман К., Ван дер Баан М., Кендалл Дж.М. и Джонс Р. Х. (2003) Высокое (полу)автоматическое определение микросейсмических места проведения мероприятий. 65th Mtg., EAGE, Ставангер, P181.
Ван дер Баан М., Керран Т., Кендалл Дж. М. и Тейлор Н. (2003) Визуализация суббазальтовых структур с использованием локально преобразованных волн. 65-й Mtg., EAGE, Ставангер, E11.
Ван дер Баан М. (2003) Геометрическое расширение и перемещение корректировки анизотропных данных в тау-р области. 65-я группа, EAGE, Ставангер, P006.
Де Меерсман К., Ван дер Баан М. и Кендалл Дж. М. (2002) А новый метод для улучшения местоположений источников микросейсмических событий и относительная ориентация инструмента. 64th Mtg., EAGE, Флоренция, P238.
Герреро К., Вуки Дж., Ван дер Баан М. и Кендалл Дж.-М. (2002) Оценка параметров анизотропии VTI в области tau-p с приложением в Вальхолл, Северное море. 72-я годовщина. междунар. Mtg., SEG, Солт-Лейк-Сити, 137-140.
Керран Т., Ван дер Баан М., Кендалл Дж. М. и Тейлор Н. (2002) Визуализация суббазальтовых структур с использованием преобразованных волн. Журнал Тезисы конференции, 7, 162-163. Семинар «Суббазальтовая визуализация: использование полное волновое поле», Кембридж.
Ван дер Баан М., Кендалл Дж. М. и Смит Д. (2002) Время в пути, точки преобразования и оценка параметров в средах HTI. 64-я Мтг., EAGE, Флоренция, стр. 136.
Вуки Дж., Ван дер Баан М., Смит Д. и Кендалл Дж.М. (2002) Инверсия параметра VTI домена Tau-p с использованием данных с ограниченным смещением. 64-я группа, EAGE, Флоренция, F041.
Ван дер Баан М., Кендалл Дж. М. и Смит Д. (2001b) Время в пути, точки преобразования и оценка параметров в слоистых анизотропных средах. 71-я Энн. междунар. Mtg., SEG, Сан-Антонио, 114-117.
Ван дер Баан М., Кендалл Дж. М. и Смит Д. (2001a) Приблизительно и точное время пробега в слоистых анизотропных средах — Чистый режим и преобразованный волны. 63-я группа, EAGE, Амстердам, L-26.
Ван дер Баан М. и Пол А. (1998) Использование техники распознавания для повышения отношения сигнал/шум в данных глубинных сейсмических отражений. 60-я серия, EAGE, Лейпциг, P009.

Тезисы конференции:

Браун Л. и Ван дер Баан М. (2022) Покадровый мониторинг сброса соленой воды в Канасасе и Оклахоме с использованием окружающего шума. 2022 GeoConvention, Калгари.
Фероз А. и Ван дер Баан М. (2022) Интеграция междисциплинарных данных: тематическое исследование месторождения тяжелой нефти. 2022 GeoConvention, Калгари.
Млелла М. и Ван дер Баан М. (2022) Деформация скважины: Моделирование и реконструкция наблюдений многорычажного каверномера. 2022 GeoConvention, Калгари.
Ортега Перес А. и Ван дер Баан М. (2022) Мониторинг гидроразрыва пласта: интегрированный анализ DAS, информации о закачке и микросейсмичности. 2022 GeoConvention, Калгари.
Буи Х., Сакки М. и Ван дер Баан М. (2021) Частотно-временное разреженное преобразование Габора для обнаружения микросейсмических событий. GeoConvention 2021, виртуальный.
Буй Х. и Ван дер Баан М. (2021) Инверсия момент-тензор событий, вызванных гидравлическим разрывом пласта в резервуаре Монтни, северо-восток Британской Колумбии. GeoConvention 2021, виртуальный.
Буй Х. и Ван дер Баан М. (2020) Обнаружение событий с использованием алгоритма быстрой согласованной фильтрации — эффективный способ работы с большими наборами микросейсмических данных. GeoConvention 2020, виртуальный.
Фероз А. и Ван дер Баан М. (2020) Рабочий процесс определения местоположения и контроля качества микросейсмических событий для наклонной скважины. GeoConvention 2020, виртуальный.
Нустес Андраде Дж. и Ван дер Баан М. (2020) Применение машинного обучения к данным гидроразрыва пласта для микросейсмического прогнозирования. GeoConvention 2020, виртуальный.
Филлипс Дж., Ван дер Баан М. и Андерс С. (2020) Восприятие гидроразрыва пласта в западной Канаде: результаты общественного опроса. GeoConvention 2020, виртуальный.
Рейес Каналес М. и Ван дер Баан М. (2020) Декластеризировать или не декластерировать? Последствия для анализа сейсмической опасности в наведенной сейсмичности. GeoConvention 2020, виртуальный.
Чжан К. и Ван дер Баан М. (2020) Сейсмическое шумоподавление с помощью контролируемого глубокого обучения без сейсмических данных. GeoConvention 2020, виртуальный.
Чжоу Ю., Ван дер Баан М. и Карри К. (2020) Геомеханическое моделирование динамического запуска микросейсмичности методом связанных частиц. 2020 AGU Fall mtg., виртуальный.
Чжоу Ю. и Ван дер Баан М. (2020) Численное исследование микросейсмичности методом связанных частиц. GeoConvention 2020, виртуальный.
Бартвал Х., Каликсто Ф.Дж. и Ван дер Баан М. (2019) Томография затухания с использованием зарегистрированной микросейсмичности в шахте. 2019 GeoConvention, Калгари.
Бартвал Х. и Ван дер Баан М. (2019) Оценка проницаемости по микросейсмичности, вызванной гидроразрывом пласта: влияние роста трещины. 2019 GeoConvention, Калгари.
Филлипс Дж., Ван дер Баан М., Андерс С. и Маккин С. (2019) Понимание общественного восприятия рисков в нефтегазовой отрасли. 2019 GeoConvention, Калгари.
Рейес Каналес М. и Ван дер Баан М. (2019) Прогнозирование параметров Гутенберга-Рихтера в вероятностном анализе сейсмической опасности наведенной сейсмичности. 2019 GeoConvention, Калгари.
Чжан К. и Ван дер Баан М. (2019) Метод обучения непараметрическому байесовскому словарю для улучшения SNR. 2019 GeoConvention, Калгари.
Чжан Дж. и Ван дер Баан М. (2019) Анализ процесса принятия решений по операциям ГРП. 2019 GeoConvention, Калгари.
Бестманн И., Кастелланос Ф. и Ван дер Баан М. (2018) Перемещение главного события микросейсмического события с использованием подпространственного детектора. 2018 GeoConvention, Калгари.
Кавано, Дж., Шульц, Р., Андриашек, Л.Д., Ван дер Баан, М., Гофрани, Х., Аткинсон, Г. и Уттинг, Д.Дж. (2018) Новогодний ледокол: ледотрясения на озерах в Альберте, Канада. AGU Fall Mtg., Вашингтон, округ Колумбия.
Кравчинский Э., Ван дер Баан М. и Каземян Дж. (2018) Сейсмическая опасность и клеточный автомат. 2018 GeoConvention, Калгари.
Ли З., Ван дер Баан М., Ху Б. и Сун Г. (2018) Ротационная сейсмология для разведочной геофизики. Международная геофизическая конференция и выставка CPS/SEG, Пекин, Китай.
Маккин С. Х., Прист Дж. А., Итон Д. У., Филипс Дж. и Ван дер Баан М. (2018) Отраслевой взгляд на наведенную сейсмичность. 2018 GeoConvention, Калгари.
Рейес Каналес М. и Ван дер Баан М. (2018) Моделирование методом Монте-Карло для анализа и прогнозирования нестационарных магнитудно-частотных распределений в вероятностном анализе сейсмической опасности. 2018 GeoConvention, Калгари.
Рейес Каналес М. и Ван дер Баан М. (2018) Моделирование методом Монте-Карло для анализа и прогнозирования нестационарных магнитудно-частотных распределений в вероятностном анализе сейсмической опасности. 2018 Энн. Mtg., Сейсмологическое общество Америки, Майами, США.
Ваези Ю. и Ван дер Баан М. (2018) Интерферометрический покадровый анализ скорости: приложение к скважине для сброса соленой воды в Британской Колумбии, Канада. 2018 Энн. Mtg., Сейсмологическое общество Америки, Майами, США.
Ван дер Баан М. и Каликсто Ф. (2018) Насколько широко распространена техногенная сейсмичность в США и Канаде? 2018 Энн. Mtg., Сейсмологическое общество Америки, Майами, США.
Ван дер Баан М. и Чорни Д. (2018) Геомеханические выводы из численного моделирования разрушения неповрежденной горной породы: характеристики событий и перепады напряжения. 2018 Энн. Mtg., Сейсмологическое общество Америки, Майами, США.
Чжан К. и Ван дер Баан М. (2018) Изучение непараметрического байесовского словаря для шумоподавления поверхностных микросейсмических данных. Международная геофизическая конференция и выставка CPS/SEG, Пекин, Китай.
Бестманн И. и Ван дер Баан М. (2017) Сравнение методов подпространства с согласованной фильтрацией и STA/LTA для обнаружения микросейсмических событий: история болезни. 2017 GeoConvention, Калгари.
Дин Х. Н. и Ван дер Баан М. (2017) Подход с поиском по сетке для четырехмерной дискриминации по давлению и насыщению. 2017 GeoConvention, Калгари.
Эйр Т.С. и Ван дер Баан М. (2017) Проверка достоверности инверсии тензора момента с помощью наземного и скважинного мониторинга. 2017 GeoConvention, Калгари.
Рейес Каналес М. и Ван дер Баан М. (2017) Вероятностный анализ сейсмической опасности для наведенной сейсмичности: предлагаемые подходы и применение в бассейне реки Хорн, северо-восток Британской Колумбии. Совместное ежегодное научное совещание CGU и CSAFM 2017 г., Ванкувер.
Ваези Ю. и Ван дер Баан М. (2017) Интерферометрический покадровый анализ скорости: приложение к скважине для сброса соленой воды в Британской Колумбии, Канада. Совместное ежегодное научное совещание CGU и CSAFM 2017 г., Ванкувер.
Ван дер Баан М. (2017) Насколько широко распространена наведенная сейсмичность в Канаде и США? AGU Fall Mtg. , Новый Орлеан.
Ван дер Баан М. и Каликсто Ф. (2017) Насколько широко распространена наведенная сейсмичность в Канаде и США? 2017 GeoConvention, Калгари.
Ван дер Баан М. и Каликсто Ф. (2017) Насколько широко распространена наведенная сейсмичность в США и Канаде? Семинар «Наведенная сейсмичность и деятельность человека», 79-я конференция и выставка EAGE, Париж.
Адимонье О. и Ван дер Баан М. (2016) Анализ риска и перспективы миоцена для современных отложений в районе Парихака, бассейн Таранаки, Новая Зеландия. Ежегодная конвенция и выставка, AAPG, Калгари.
Бриско К. и Ван дер Баан М. (2016) Обзор реакции сейсмической скорости на изменения порового давления, порынасыщающего флюида и ограничивающего напряжения. 2016 GeoConvention, Калгари.
Каффаньи Э., Итон Д.В., Джонс Дж.П. и Ван дер Баан М. (2016) Алгоритм согласованной фильтрации (MFA): Расширение возможностей обнаружения и локализации микросейсмических событий. Подсказки по опасности наведенной сейсмичности? 35-я Генеральная ассамблея Европейской сейсмологической комиссии, Триест, Италия.
Итон Д.В., Ван дер Баан М., Маккей М., Каффаньи Э. и Зечевич М. (2016) Пассивные сейсмические методы мониторинга трещин ГРП: Разрешение сетей трещин, процессов медленного скольжения и зарождения землетрясений. 2016 Семинар IRIS 2016: Новые области и технологии в сейсмологии, Ванкувер.
Эйр Т. и Ван дер Баан М. (2016) Надежность исходных механизмов для набора данных ГРП. Осеннее собрание AGU, Сан-Франциско, NS34A-1920.
Лу Х. и Ван дер Баан М. (2016) Моделирование динамического запуска микросейсмических событий с использованием модели связанных частиц. 2016 GeoConvention, Калгари.
Тари Дж. Б., Ван дер Баан М. и Эррера Р. Х. (2016) Сейсмическое применение оценки коэффициента качества с использованием метода пиковой частоты и разреженных частотно-временных преобразований. 2016 GeoConvention, Калгари.
Ван дер Баан М., Чорни Д. и Роше В. (2016) Геомеханическое моделирование наведенной микросейсмичности. Европейский конгресс по вычислительным методам в прикладных науках и технике, остров Крит, Греция.
Ван дер Баан М., Тари Дж.-Б. и Эррера Р. Х. (2016) Оценка затухания с использованием метода пиковой частоты с частотно-временными преобразованиями с высоким разрешением. Осенняя встреча AGU, Сан-Франциско, S13C-06.
Йе Дж. и Ван дер Баан М. (2016) Обзор законов трения и их применение для моделирования микросейсмичности перед ГРП. 2016 GeoConvention, Калгари.
Бартвал Х. и Ван дер Баан М. (2015) Аналитическое моделирование напряжений для микросейсмичности, связанной с шахтами. 2015 GeoConvention, Калгари.
Каффаньи Э., Итон Д.В., Ван дер Баан М. и Джонс Дж.П. (2015) Сходство характеристик региональных землетрясений и предполагаемых долгопериодных событий большой продолжительности (LPLD). 2015 GeoConvention, Калгари.
Каликсто Ф.Дж. и Ван дер Баан М. (2015) Трехмерная томография затухания по микросейсмичности. 2015 GeoConvention, Калгари.
Кастелланос Ф. и Ван дер Баан М. (2015) Динамическое срабатывание микросейсмичности в подземной шахте. Приповерхностная Азиатско-Тихоокеанская конференция, SEG, Гавайи.
Кастелланос Ф. и Ван дер Баан М. (2015) Сходство форм сигналов для контроля качества местоположений событий, выбора времени и решений тензора моментов. 2015 GeoConvention, Калгари.
Динх Х.Н., Ван дер Баан М. и Ландро М. (2015) Покадровый анализ неглубокой миграции газа после внутреннего выброса. 2015 GeoConvention, Калгари.
Эйр Т.С. и Ван дер Баан М. (2015) Введение в инверсию тензора момента микросейсмических событий. 2015 GeoConvention, Калгари.
Хан Дж. и Ван дер Баан М. (2015) Подавление шума с помощью ансамблевого разложения по эмпирическим модам. 2015 GeoConvention, Калгари.
Лу Х. и Ван дер Баан М. (2015) Динамическое срабатывание микросейсмичности. Осеннее собрание AGU, Сан-Франциско, S13B-2827.
Рош В., Гроб М., Эйр Т.С. и Ван дер Баан М. (2015) Статистические характеристики микросейсмических событий и внутрипластовых напряжений в бассейне реки Хорн. 2015 GeoConvention, Калгари.
Роше В., Хомберг К., Ван дер Баан М. и Роше М. (2015) Расширение зон нормальных разломов при вертикальном распространении. Четвертая международная конференция по неисправностям и верхним уплотнениям, Альмерия, Испания.
Роше В., Хомберг К., Ван дер Баан М. и Роше М. (2015) Расширение зон нормальных разломов из-за торможения вертикального распространения. Генеральная ассамблея Европейского союза наук о Земле 2015, Вена, Австрия.
Тэри Дж. Б., Ван дер Баан М., Сазерленд Б. и Итон Д. У. (2015) Интерпретация гармонических резонансов, наблюдаемых в ходе микросейсмических экспериментов. Приповерхностная Азиатско-Тихоокеанская конференция, SEG, Гавайи.
Ваези Ю. и Ван дер Баан М. (2015) Сравнение методов STA/LTA и спектральной плотности мощности (PSD) для обнаружения микросейсмических событий. 2015 GeoConvention, Калгари.
Кастелланос Ф. и Ван дер Баан М. (2014) Динамическое срабатывание микросейсмичности, основанное на пространственно-временных закономерностях в условиях шахты. Осенняя встреча AGU, Сан-Франциско, S51A-4383.
Кастелланос Ф. и Ван дер Баан М. (2014) Динамическое срабатывание микросейсмичности в шахтной обстановке. 2014 GeoConvention, Калгари.
Итон Д.В., Ван дер Баан М. и Боруманд Н. (2014) Сейсмические характеристики роста трещины растяжения, вызванной ГРП. Осеннее собрание AGU, Сан-Франциско, NS23A-3886 (приглашено).
Фероз А. и Ван дер Баан М. (2014) Местоположения микросейсмических событий: неопределенность и геометрия сбора данных. 2014 GeoConvention, Калгари.
Хан Дж. и Ван дер Баан М. (2014) Артефакты интерполяции и двумерный ансамбль Декомпозиция по эмпирическим модам. 2014 GeoConvention, Калгари.
Ли З. и Ван дер Баан М. (2014) Экстраполяция обращения времени для локализации микросейсмических событий. 2014 GeoConvention, Калгари.
Роше В. и Ван дер Баан М. (2014) Геомеханическое моделирование наведенной сейсмичности из-за нагнетания флюидов. 2014 GeoConvention, Калгари.
Рош В., Ван дер Баан М., Хомберг К., Дэвид К. и Роше М. (2014) Механическое понимание роли литологического расслоения в естественных и искусственных трещинах. Геометрия и рост нормальных разломов, Лондонское геологическое общество, Лондон.
Тари Дж.-Б., Эррера Р.Х., Хан Дж., Ван дер Баан М. и Фомель С. (2014) Последние разработки в области частотно-временного анализа. Послеконвенционный семинар SEG «Последние разработки в области частотно-временного анализа», Денвер.
Тари Дж. Б., Ван дер Баан М. и Итон Д. В. (2014) Прямая корреляция между темпами объемной закачки и микросейсмическими резонансами. 2014 GeoConvention, Калгари.
Ваези Ю. и Ван дер Баан М. (2014) Интерферометрическая оценка качества фиксации скважинных сейсмоприемников. 2014 GeoConvention, Калгари.
Ван дер Баан М., Чорни Д. и Рош В. (2014) Геомеханическое моделирование наведенной микросейсмичности. Семинар EAGE по геомеханике в нефтегазовой отрасли, Дубай, GM26.
Ван дер Баан М., Чорни Д. и Рош В. (2014) Геомеханическое моделирование наведенной микросейсмичности. Осенняя встреча AGU, Сан-Франциско, S51A-4423.
Кастелланос Ф. и Ван дер Баан М. (2013) Метод постобработки для перемещения микросейсмических событий с использованием метода двойной разности. 2013 GeoConvention, Калгари.
Чорни Д., П. Джейн, М. Гроб и Ван дер Баан М. (2013) Моделирование микросейсмичности, связанной с деформацией и трещиноватостью горных пород. 2013 GeoConvention, Калгари.
Чорни Д., Джайн П., Гроб М. и Ван дер Баан М. (2013) Геомеханическое моделирование микросейсмичности, связанной с деформацией и трещиноватостью. Семинар «Использование скважинных, поверхностных сейсмических и микросейсмических измерений для понимания геомеханического поведения нетрадиционных резервуаров», 83rd Ann. Междунар. Mtg., SEG, Хьюстон.
Итон Д. В., М. ван дер Баан, Дж. Б. Тари, Б. Биркело и С. Каттен (2013) Низкочастотные сигналы тремора при обработке гидроразрыва пласта на северо-востоке Британской Колумбии, Канада. 4-й семинар EAGE по пассивной сейсморазведке, Амстердам, статья PS06.
Итон Д. В., М. ван дер Баан, Дж. Б. Тари и К. Пайк (2013) Низкочастотные сигналы тремора при обработке гидроразрыва пласта на северо-востоке Британской Колумбии, Канада. 2013 GeoConvention, Калгари.
Фероз А. и Ван дер Баан М. (2013) Местоположения микросейсмических событий для наклонных скважин. 2013 GeoConvention, Калгари.
Гроб М., Чорни Д., Джайн П. и Ван дер Баан М. (2013) Несоответствие энергетического баланса между трещиноватыми породами и связанной с ними микросейсмичностью. Осенняя встреча AGU, Сан-Франциско.
Гроб М. и Ван дер Баан М. (2013) Статистические погрешности микросейсмических параметров. 2013 GeoConvention, Калгари.
Хан Дж. и Ван дер Баан М. (2013) Сейсмический частотно-временной анализ методом эмпирической модовой декомпозиции. 2013 GeoConvention, Калгари.
Эррера Р. Х., Тари Дж. Б. и Ван дер Баан М. (2013) Разделение объемных волн в частотно-временной области. Осенняя встреча AGU, Сан-Франциско, S53C-07.
Эррера Р. Х., Дж. Б. Тари и Ван дер Баан М. (2013) Частотно-временное представление микросейсмических сигналов с использованием преобразования синхросжатия. 2013 GeoConvention, Калгари.
Рош В. и Ван дер Баан М. (2013) Роль литологической слоистости в пространственной изменчивости естественных и искусственных трещин при стимуляции гидроразрыва пласта. 2013 GeoConvention, Калгари.
Рош В. и Ван дер Баан М. (2013) Роль литологической слоистости в пространственной изменчивости естественных и искусственных трещин при стимуляции гидроразрыва пласта. Семинар «Использование скважинных, поверхностных сейсмических и микросейсмических измерений для понимания геомеханического поведения нетрадиционных резервуаров», 83rd Ann. Междунар. Mtg., SEG, Хьюстон.
Тари Дж. Б. и Ван дер Баан М. (2013) Об интерпретации резонансных частот, зарегистрированных в ходе микросейсмических экспериментов. 2013 GeoConvention, Калгари.
Ваези Ю. и Ван дер Баан М. (2013) Новый метод обнаружения микросейсмических событий и автоматического выбора времени. 2013 GeoConvention, Калгари.
Кастелланос Ф. и Ван дер Баан М. (2012) Высокоточные относительные местоположения событий с использованием комбинированного мультиплетного анализа и инверсии двойной разности. 2012 GeoConvention, Калгари.
Гроб М. и Ван дер Баан М. (2012) Статистика микросейсмических событий: значение для геомеханики. 2012 GeoConvention, Калгари.
Гроб М., Ван дер Баан М., Чорни Д. и Джейн П. (2012) Геомеханические изменения, выведенные из вариаций статистических свойств микросейсмических явлений. Осенняя встреча AGU, Сан-Франциско, S31B-2505.
Хан Дж. и Ван дер Баан М. (2012) Метод инверсии для расчета мгновенной частоты. 2012 GeoConvention, Калгари.
Эррера Р. Х. и Ван дер Баан М. (2012) Автоматизированная привязка сейсмических данных к скважине с использованием динамической деформации времени. 2012 GeoConvention, Калгари.
Эррера Р. Х. и Ван дер Баан М. (2012) Оценка кратковременных вейвлетов в гомоморфной области. 2012 GeoConvention, Калгари.
Медина А. и Ван дер Баан М. (2012) Методы цепей Маркова Монте-Карло в сейсмической деконволюции. 2012 GeoConvention, Калгари.
Тари Джей-Би. и Ван дер Баан М. (2012) Необычные явления и резонансные частоты в микросейсморазведке эксперименты. 2012 GeoConvention, Калгари.
Тари Джей-Би. и Ван дер Баан М. (2012) Анализ непрерывных микросейсмических записей: резонансные частоты и необычные события. Осенняя встреча AGU, Сан-Франциско, S31B-08.
Ван дер Баан М. (2012) Важность стабильности фазы вейвлета при интерпретации сейсмических данных. 2012 GeoConvention, Калгари, основной доклад.
Чан Дж., Д. Шмитт, Дж. А. Майорович, Г. Ньювенхейс, Э. Пуреслами Ардакани, М. ван дер Баан, П. Н. Сахай, Дж. Куек, М. Р. Абасоло (2011) Результаты сейсмической интерпретации и каротажа глубокой скважины на Канадском щите в северо-восточной части провинции Альберта: предварительные результаты: Осенняя встреча AGU, Сан-Франциско, T31B-2339.
Эдгар Дж. А. и Ван дер Баан М. (2011) Насколько надежна оценка статистических вейвлетов? Семинар «AVO на суше – какие факторы и технологии необходимо учитывать для улучшения результатов?», 73-я конференция, EAGE, Вена.
Гроб М. и М. ван дер Баан (2011) Связи между статистическими характеристиками микросейсмических событий и внутрипластовыми напряжениями: Осенняя встреча AGU, Сан-Франциско, S33A-2306.
Гроб М. и Ван дер Баан М. (2011) Статистический анализ местоположений и магнитуд микросейсмических событий и их геомеханических последствий. Конвенция CSPG CSEG CWLS 2011 г., Калгари, реферат 106.
Хан Дж. и Ван дер Баан М. (2011) Разложение на эмпирические моды и надежный анализ сейсмических атрибутов. Конвенция CSPG CSEG CWLS 2011 г., Калгари, реферат 114.
Эррера Р. Х. и Ван дер Баан М. (2011) Пересмотр гомоморфной оценки вейвлета и развертывания фазы. Конвенция CSPG CSEG CWLS 2011 г., Калгари, реферат 115.
Кокон К. и Ван дер Баан М. (2011) Мультиплетная передислокация на месторождении тяжелой нефти методом двойной разности. Конвенция CSPG CSEG CWLS 2011 г., Калгари, реферат 35.
Миа К. Х., Эррера Р. Х., Ван дер Баан М. Сакки, доктор медицины (2011) Применение дробного преобразования Фурье в анализе кепстра. Конвенция CSPG CSEG CWLS 2011 г., Калгари, реферат 127.
Э. Пуреслами Ардакани, Д. Шмитт, Т. Боун, Дж. Чан, С. Идову, Дж. А. Майорович, М. Дж. Ансворт, М. ван дер Баан, К. Бауэр, И. Моек, М. Пуссак, С. Вайдес (2011) Региональная геофизическая разведка низкоэнтальпийных геотермальных ресурсов в северо-восточной Альберте: Осенняя встреча AGU, Сан-Франциско, h31E-1160.
Селвидж Дж., Фам Д-Т. и Ван дер Баан М. (2011) Разреженная деконволюция с помощью цепи Маркова Монте-Карло. Семинар «Взлеты и падения широкополосной сейсморазведки: от регистрации до инверсии», 81st Ann. Междунар. Mtg., SEG, Сан-Антонио.
Ван дер Баан М. (2011) Статистическая оценка вейвлета и расширение полосы пропускания Семинар «Взлеты и падения широкополосной сейсморазведки: от регистрации до инверсии», 81st Ann. Междунар. Mtg., SEG, Сан-Антонио.
Итон Д., Форухиде Ф. и Ван дер Баан М. (2010) Спектральные и ближнепольные характеристики наведенной микросейсмичности. GeoCanada 2010, Калгари, реферат 465.
Итон Д. и М. Ван дер Баан (2010 г.) Спектральные и ближнепольные характеристики наведенной микросейсмичности для оценки длины трещины, падения напряжения и тензора момента. Семинар на тему «Микросейсмичность: за пределами точек в коробке», 80th Ann. Междунар. Mtg., SEG, Денвер.
Дж. А. Майорович, М. Дж. Ансворт, Б. Тайфун, Т. Чакко, К. А. Карри, А. Грей, М. Гроуб, Л. М. Химан, Э. Хьюнгес, И. Моек, О. Риттер, Б. Дж. Рострон, Д. Шмитт, М. Ван дер Баан и С. Вейдес (2010) Исследование геотермальной энергии как источника тепла для добычи нефтеносных песков в Северной Альберте. Осенняя встреча AGU, Сан-Франциско, h43D-1167.
Ван дер Баан М., Перц М. и Фомель С. (2010) Оценка нестационарной фазы: инструмент для интерпретации сейсмических данных? GeoCanada 2010, Калгари, реферат 884.
Бланшар Т. Д., Кларк Р. А. и Ван дер Баан М. (2009) Покадровое затухание как инструмент мониторинга изменений порового флюида. Летний исследовательский семинар SEG на тему «Улавливание CO2: геофизика», Банф.
де Меерсман К., Кендалл Дж.М. и Ван дер Баан М. (2009) Микросейсмичность Валхалла 1998 года: комплексное исследование перемещенные источники, сейсмические мультиплеты и расщепление поперечных волн. Семинар CSEG по микросейсмике, Калгари.
Ван дер Баан М. и Перц М. (2009) Оценка нестационарной фазы: инструмент для интерпретации сейсмических данных? Семинар «Что нового в интерпретации сейсмических данных?», 79th Ann. Междунар. Mtg., SEG, Хьюстон.
Ван дер Баан М. (2009) Оценка изменяющихся во времени вейвлетов и деконволюция. Конвенция CSPG CSEG CWLS 2009 г., Калгари, реферат 147.
Ван дер Баан М. (2007) PP/PS Разделение волнового поля с помощью анализа независимых компонентов. АГУ, Сан-Франциско, США.
Дума Х. и Ван дер Баан М. (2006) Оценка параметров анизотропии на основе подобия в многослойном VTI СМИ с использованием рациональной интерполяции. 12-й стажер. семинар по сейсмической анизотропии, Пекин, Китай.
Ван дер Баан М. и Смит Д. (2005) Амплитудный анализ отражений изотропных волн P-P. Семинар «Сейсмические волны в латерально-неоднородных средах VI», Замок Груба Скала, cz.
Ван дер Баан М., Ларю А., Юттен С., Марс Дж., Фам Д. Т. и Кендалл Дж. М. (2005) Слепая идентификация сейсмических сигналов. Devex 2005, Абердин.
Де Меерсман К., Ван Дер Баан М., Кендалл Дж.М. и Джонс Р.Х. (2003) Автоматические и точные измерения поляризации продольных и поперечных волн свойства со взвешенным многостанционным комплексным поляризационным анализом. Тезисы геофизических исследований, 5, EAE03-A-11566, EGS — AGU — EUG Joint Сборка, Ницца.
Тинби Н., Кендалл, Дж. М. и Ван дер Баан М. (2003) Наблюдения временных вариаций сейсмической анизотропии, вызванных напряжением. Геофизическая Research Abstracts, 5, EAE03-A-00571, Совместная ассамблея EGS — AGU — EUG, Ницца.
Ван дер Баан М. и Кендалл Дж. М. (2003) Расчеты времени в пути и оценка параметров анизотропии в слоистых анизотропных средах с помощью tau-p трансформировать. Тезисы геофизических исследований, 5, EAE03-A-00455, EGS — Совместная ассамблея AGU — EUG, Ницца.
Герреро К., Кендалл Дж. М., Кларк Р. и Ван дер Баан М. (2002) Влияние анизотропии на приращение, затухание и амплитуду: выводы из Вальхалла. 10-й междунар. семинар по сейсмической анизотропии, Тутцинг.
Ван дер Баан М. (2002) Коррекция сферической дивергенции и суммирование анизотропных данных в тау-р области. 10 Интерн. цех по сейсмической анизотропии, Тутцинг.
Ван дер Баан М. (2000) Понимание многократного рассеяния в слоистых акустических средах с использованием теории локализации волн. Мастерская совещание «Сейсмические волны в латерально-неоднородных средах V», Заградки, Ч.
Хельмстеттер А., Грассо Дж. Р., Бомонт Д., Дитрих М., Гарамбуа С., Гиге Р., Хеллман Р., Янод Ф., Лахай Ф., Ламберт М., Мартинод Дж., Нуар Дж., Томас Дж. К., Ван дер Баан М. и Амитрано Д. (1999) Что могут ли ледотрясения рассказать нам о механике землетрясений? Письма о сейсмологических исследованиях, 70, 269 (Seism. Soc. Am., Сиэтл).

Дом

Европа PMC

1. ВОЗ. 2010. Информационный бюллетень о холере. ВОЗ, Женева, Швейцария: http://www.who.int/mediacentre/factsheets/fs107/en/index.htm [Google Scholar]

2. Бингл Л.Э., Бейли С.М., Паллен М.Дж. 2008. Секреция типа VI: руководство для начинающих. Курс. мнение микробиол. 11:3–8. 10.1016/j.mib.2008.01.006 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

3. Wang M, Luo Z, Du H, Xu S, Ni B, Zhang H, Sheng X, Xu H, Huang X. 2011. Молекулярная характеристика функциональной системы секреции VI типа у Salmonella enterica серовара Typhi. Курс. микробиол. 63:22–31. 10.1007/s00284-011-9935-z [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

4. Bröms JE, Lavander M, Sjöstedt A. 2009 г.. Консервативная альфа-спираль необходима для секреционно-подобной системы типа VI Francisella tularensis. Дж. Бактериол. 191:2431–2446. 10.1128/JB.01759-08 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

5. Blondel CJ, Jimenez JC, Contreras I, Santiviago CA. 2009. Сравнительный геномный анализ выявил 3 новых локуса, кодирующих системы секреции шестого типа, дифференциально распределенные в серотипах Salmonella. Геномика BMC 10:354. 10.1186/1471-2164-10-354 [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

6. Бертник М.Н., Бретт П.Дж., Хардинг С.В., Нгуги С.А., Рибот В.Дж., Чантратита Н., Скорпион А., Милн Т.С., Дин Р.Э., Фриц Д.Л., Пикок С.Дж., Прайор Дж.Л., Аткинс Т.П., Дешазер Д. 2011. Система секреции кластера 1 типа VI является основной детерминантой вирулентности у Burkholderia pseudomallei. Заразить. Иммун. 79: 1512–1525. 10.1128/IAI.01218-10 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

7. Blondel CJ, Jimenez JC, Leiva LE, Alvarez SA, Pinto BI, Contreras F, Pezoa D, Santiviago CA, Контрерас И. 2013. Система секреции типа VI, кодируемая островом патогенности Salmonella 19.необходим для выживания Salmonella enterica серотипа Gallinarum в инфицированных макрофагах. Заразить. Иммун. 81:1207–1220. 10.1128/IAI.01165-12 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

8. Cascales E. 2008. Инструментарий секреции типа VI. Представитель ЕМБО 9: 735–741. 10.1038/embor.2008.131 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

9. Blondel CJ, Yang HJ, Castro B, Chiang S, Toro CS, Zaldivar M, Contreras I, Andrews-Polymenis HL, Сантивиаго Калифорния. 2010. Вклад системы секреции типа VI, закодированной в SPI-19к колонизации кур Salmonella enterica серотипов Gallinarum и Enteritidis. PLoS один 5:e11724. 10.1371/journal.pone.0011724 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

10. de Pace F, Nakazato G, Pacheco A, de Paiva JB, Sperandio V, da Silveira WD. 2010. Система секреции типа VI играет роль в экспрессии фимбрий типа 1 и патогенезе птичьего патогенного штамма Escherichia coli. Заразить. Иммун. 78:4990–4998. 10.1128/IAI.00531-10 [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

11. Лю Х., Култерст С.Дж., Притчард Л., Хедли П.Е., Равенсдейл М., Хамфрис С., Берр Т., Такле Г., Брурберг М.Б., Берч П.Р., Салмонд Г.П., Тот И.К. 2008. Чувство кворума координирует методы грубой силы и скрытного заражения патогеном растений Pectobacterium atrosepticum . PLoS Патог. 4:e1000093. 10.1371/journal.ppat.1000093 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

12. Zheng J, Leung KY. 2007. Рассечение системы секреции VI типа у Edwardsiella tarda. Мол. микробиол. 66:1192–1206. 10.1111/j.1365-2958.2007.05993.x [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

13. Hood RD, Singh P, Hsu F, Guvener T, Carl MA, Trinidad RR, Silverman JM, Ohlson BB, Hicks KG, Plemel RL, Li M, Schwarz S, Wang WY, Merz AJ, Goodlett DR, Mougous JD. 2010. Система секреции типа VI Pseudomonas aeruginosa нацеливает токсин на бактерии. Клеточный микроб-хозяин 7:25–37. 10.1016/j.chom.2009.12.007 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

14. Russell AB, Singh P, Brittnacher M, Bui NK, Hood RD, Carl MA, Agnello DM, Schwarz С., Гудлетт Д.Р., Воллмер В., Мугус Д.Д. 2012. Широко распространенное надсемейство эффекторов секреции бактериального типа VI, идентифицированное с использованием эвристического подхода. Клеточный микроб-хозяин 11: 538–549. 10.1016/j.chom.2012.04.007 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

15. Zheng J, Ho B, Mekalanos JJ. 2011. Генетический анализ антиамебной и антибактериальной активности системы секреции VI типа холерного вибриона. PLoS один 6:e23876. 10.1371/journal.pone.0023876 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

16. MacIntyre DL, Miyata ST, Kitaoka M, Pukatzki S. 2010. Система секреции Vibrio cholerae типа VI обладает антимикробными свойствами. проц. Натл. акад. науч. США. 107:19520–19524. 10.1073/pnas.1012

7 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

17. Schwarz S, West TE, Boyer F, Chiang WC, Carl MA, Hood RD, Rohmer L, Tolker-Nielsen T, Скеррет С.Дж., Мугус Д.Д. 2010. Системы секреции Burkholderia типа VI играют различную роль во взаимодействиях эукариотических и бактериальных клеток. PLoS Патог. 6:е1001068. 10.1371/journal.ppat.1001068 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

18. Coulthurst SJ. 2013. Система секреции типа VI — широко распространенная и универсальная система нацеливания на клетки. Рез. микробиол. 6: 640–654. 10.1016/j.resmic.2013.03.017 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

19. Шварц С., Худ Р.Д., Мугус Д.Д. 2010. Что делает секреция типа VI во всех этих жуках? Тенденции микробиол. 18:531-537. 10.1016/j.tim.2010.09.001 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

20. Murdoch SL, Trunk K, English G, Fritsch MJ, Pourkarimi E, Coulthurst SJ. 2011. Условно-патогенный микроорганизм Serratia marcescens использует секрецию типа VI для нацеливания на бактериальных конкурентов. Дж. Бактериол. 193:6057–6069. 10.1128/JB.05671-11 [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

21. Капитейн Н., Бонеманн Г., Петросюк А., Сейффер Ф., Хауссер И., Локер Дж.К., Могк А. 2013. ClpV рециркулирует канальцы VipA/VipB и предотвращает образование непродуктивных канальцев, чтобы обеспечить эффективную секрецию белка типа VI. Мол. микробиол. 87:1013–1028. 10.1111/mmi.12147 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

22. Jani AJ, Cotter PA. 2010. Секреция типа VI: уже не только для патогенеза. Клеточный микроб-хозяин 8:2–6. 10.1016/j.chom.2010.06.012 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

23. Lossi NS, Manoli E, Forster A, Dajani R, Pape T, Freemont P, Filloux A. 2013. Комплекс HsiB1C1 (TssB-TssC) системы секреции Pseudomonas aeruginosa типа VI образует футлярообразную структуру хвоста бактериофага. Дж. Биол. хим. 288:7536–7548. 10.1074/jbc.M112.439273 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

24. de Bruin OM, Duplantis BN, Ludu JS, Hare RF, Nix EB, Schmerk CL, Robb CS, Boraston AB , Хюффер К., Нано ФЭ. 2011. Биохимические свойства белков IglA, IglB, IglC, PdpB и DotU, кодируемых островом патогенности Francisella (FPI), предполагают роль в секреции типа VI. микробиология 157: 3483–3491. 10.1099/mic.0.052308-0 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

25. Bröms JE, Sjöstedt A, Lavander M. 2010. Роль острова патогенности Francisella tularensis в секреции типа VI, внутриклеточном выживании и модуляции передачи сигналов клетки-хозяина. Фронт. микробиол. 1:136. 10.3389/fmicb.2010.00136 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

26. Bröms JE, Ishikawa T, Wai SN, Sjöstedt A. 2013. Функциональное взаимодействие VipA-VipB необходимо для активности системы секреции типа VI штамма A1552 Vibrio cholerae O1. БМС микробиол. 13:96. 10.1186/1471-2180-13-96 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

27. Basler M, Pilhofer M, Henderson GP, Jensen GJ, Mekalanos JJ. 2012. Секреция типа VI требует динамической сократительной структуры, похожей на хвост фага. Природа 483: 182–186. 10.1038/nature10846 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

28. Bönemann G, Pietrosiuk A, Diemand A, Zentgraf H, Mogk A. 2009. Ремоделирование VipA/VipB канальцев с помощью ClpV-опосредованного пронизывания имеет решающее значение для секреции белка типа VI. ЭМБО Дж. 28:315–325. 10.1038/emboj.2008.269[Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

29. Петросюк А., Ленхерр Э.Д., Фальк С., Бонеманн Г., Копп Дж., Зентграф Х., Синнинг И., Могк А. 2011. Молекулярная основа уникальной роли ААА+ шаперона ClpV в секреции белка типа VI. Дж. Биол. хим. 286:30010–30021. 10.1074/jbc.M111.253377 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

30. Bröms JE, Meyer L, Lavander M, Larsson P, Sjöstedt A. 2012. DotU и VgrG, основные компоненты систем секреции типа VI, необходимы для патогенности Francisella tularensis LVS. PLoS один 7:e34639. 10.1371/journal.pone.0034639 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

31. De Maayer P, Venter SN, Kamber T, Duffy B, Coutinho TA, Smits TH. 2011. Сравнительная геномика систем секреции типа VI видов Pantoea и Erwinia выявила наличие предполагаемых эффекторных островков, которые могут быть перемещены белками VgrG и Hcp. Геномика BMC 12:576. 10.1186/1471-2164-12-576 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

32. Hachani A, Lossi NS, Hamilton A, Jones C, Bleves S, Albesa-Jove D, Filloux A . 2011. Система секреции типа VI у Pseudomonas aeruginosa: секреция и мультимеризация белков VgrG. Дж. Биол. хим. 286:12317–12327. 10.1074/jbc.M110.1 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

33. Bartonickova L, Sterzenbach T, Nell S, Kops F, Schulze J, Venzke A, Brenneke B, Bader S, Gruber AD, Suerbaum S, Йозенханс С. 2013. Hcp и VgrG1 являются секретируемыми компонентами системы секреции Helicobacter hepaticus типа VI, а VgrG1 увеличивает бактериальный колитогенный потенциал. Клеточная микробиология. 15:992–1011. 10.1111/cmi.12094 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

34. Ishikawa T, Sabharwal D, Bröms J, Milton DL, Sjöstedt A, Uhlin BE, Wai SN. 2012. Патоадаптивная условная регуляция системы секреции VI типа у штаммов Vibrio cholerae O1. Заразить. Иммун. 80: 575–584. 10.1128/IAI.05510-11 [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

35. Pukatzki S, Ma AT, Revel AT, Sturtevant D, Mekalanos JJ. 2007. Система секреции типа VI перемещает шиповидный белок фагового хвоста в клетки-мишени, где он сшивает актин. проц. Натл. акад. науч. США. 104:15508–15513. 10.1073/pnas.0706532104 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

36. Leiman PG, Basler M, Ramagopal UA, Bonanno JB, Sauder JM, Pukatzki S, Burley SK, Almo SC, Mekalanos JJ . 2009. Аппарат секреции типа VI и белковые комплексы, связанные с фаговым хвостом, имеют общее эволюционное происхождение. проц. Натл. акад. науч. США. 106: 4154–4159. 10.1073/pnas.0813360106 [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

37. Mougous JD, Cuff ME, Raunser S, Shen A, Zhou M, Gifford CA, Goodman AL, Joachimiak G, Ordonez CL , Лори С., Вальц Т., Йоахимиак А., Мекаланос Дж.Дж. 2006. Локус вирулентности Pseudomonas aeruginosa кодирует аппарат секреции белка. Наука 312: 1526–1530. 10.1126/science.1128393 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

38. Silverman JM, Agnello DM, Zheng H, Andrews BT, Li M, Catalano CE, Gonen T, Mougous JD. 2013. Белок, корегулируемый гемолизином, является экспортируемым рецептором и шапероном субстратов секреции VI типа. Мол. Клетка 51: 584–593. 10.1016/j.molcel.2013.07.025 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

39. Pukatzki S, McAuley SB, Miyata ST. 2009. Система секреции VI типа: транслокация эффекторов и эффекторных доменов. Курс. мнение микробиол. 12:11–17. 10.1016/j.mib.2008.11.010 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

40. Russell AB, LeRoux M, Hathazi K, Agnello DM, Ishikawa T, Wiggins PA, Wai SN, Mougous JD. 2013. Разнообразные фосфолипазы секреции VI типа являются функционально пластичными антибактериальными эффекторами. Природа 496: 508–512. 10.1038/nature12074 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

41. Alteri CJ, Himpsl SD, Pickens SR, Lindner JR, Zora JS, Miller JE, Arno PD, Straight SW, Mobley HL. 2013. Многоклеточные бактерии используют систему секреции типа VI для упреждающего удара по соседним клеткам. PLoS Патог. 9:e1003608. 10.1371/journal.ppat.1003608 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

42. Ho BT, Basler M, Mekalanos JJ. 2013. Иммунитет, опосредованный системой секреции 6 типа, к переносу генов, опосредованному системой секреции 4 типа. Наука 342: 250–253. 10.1126/science.1243745 [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

43. Валлет-Гели И., Донован К.Е., Фанг Р., Юнг Дж.К., Голубь С.Л. 2005. Репрессия фазово-вариабельной экспрессии гена cup H-NS-подобными белками у Pseudomonas aeruginosa. проц. Натл. акад. науч. США. 102:11082–11087. 10.1073/pnas.0502663102 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

44. Charity JC, Costante-Hamm MM, Balon EL, Boyd DH, Rubin EJ, Dove SL. 2007. Белки, ассоциированные с двойной РНК-полимеразой, контролируют экспрессию генов вирулентности у Francisella tularensis. PLoS Патог. 3:e84. 10.1371/journal.ppat.0030084 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

45. Йоргенсен В.Л., Даффи Э.М. 2000. Прогноз растворимости лекарств на основе моделирования методом Монте-Карло. биоорг. Мед. хим. лат. 10:1155–1158. 10.1016/S0960-894X(00)00172-4 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

46. Duffy EM, Jorgensen WL. 2000. Прогноз свойств на основе моделирования: свободные энергии сольватации в гексадекане, октаноле и воде. Варенье. хим. соц. 122: 2878–2888. 10.1021/ja993663t [CrossRef] [Google Scholar]

47. Mohamadi F, Richards NGJ, Guida WC, Liskamp R, Lipton M, Caufield C, Chang G, Hendrickson T, Still WC. 1990. Макромодель — комплексная программная система для моделирования органических и биоорганических молекул с использованием молекулярной механики. Дж. Комп. хим. 11: 440–467. 10.1002/jcc.540110405 [CrossRef] [Google Scholar]

48. Banks JL, Beard HS, Cao Y, Cho AE, Damm W, Farid R, Felts AK, Halgren TA, Mainz DT, Maple JR, Murphy R, Philipp DM, Repasky MP, Zhang LY, Berne BJ, Friesner RA, Gallicchio E, Levy RM. 2005. Комплексная программа моделирования, прикладная химическая теория (IMPACT). Дж. Вычисл. хим. 26: 1752–1780. 10.1002/jcc.20292 [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

49. Ooi T, Oobatake M, Nemethy G, Scheraga HA. 1987. Доступные площади поверхности как мера термодинамических параметров гидратации пептидов. проц. Натл. акад. науч. США. 84:3086–3090. 10.1073/pnas.84.10.3086 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

50. Polak E, Ribiere G. 1969. Обратите внимание на конвергенцию методов сопряженных направлений. ЭСАИМ 3:35–43 [Google Scholar]

51. Андерссон Э.К., Стрэнд М., Эдлунд К., Линдман К., Энквист П.А., Спьют С., Аллард А., Элофссон М., Мэй Ю. Ф., Уоделл Г. 2010. Скрининг малых молекул с использованием репортерного гена репликации цельноклеточного вируса идентифицирует 2-{[2-(бензоиламино)бензоил]амино}-бензойную кислоту как новое антиаденовирусное соединение. Антимикроб. Агенты Чемотер. 54:3871–3877. 10.1128/AAC.00203-10 [Бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

52. Bröms JE, Meyer L, Sun K, Lavander M, Sjöstedt A. 2012. Уникальные субстраты, секретируемые системой секреции VI типа Francisella tularensis при внутримакрофагальной инфекции. PLoS один 7:e50473. 10.1371/journal.pone.0050473 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

53. Ishikawa T, Rompikuntal PK, Lindmark B, Milton DL, Wai SN. 2009. Регуляция чувства кворума двух аллелей hcp в штаммах Vibrio cholerae O1. PLoS один 4:e6734. 10.1371/journal.pone.0006734 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

54. Голубь С.Л., Хохшильд А. 2004. Бактериальная двухгибридная система, основанная на активации транскрипции. Методы Мол. биол. 261: 231–246. 10.1385/1-59259-762-9:231 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

55. Липински К.А., Ломбардо Ф., Домини Б.В., Фини П.Дж. 2001. Экспериментальные и вычислительные подходы к оценке растворимости и проницаемости в условиях открытия и разработки лекарств. Доп. Наркотик Делив. преп. 46:3–26. 10.1016/S0169-409X(00)00129-0 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

56. Вебер Д.Ф., Джонсон С.Р., Ченг Х.И., Смит Б.Р., Уорд К.В., Коппл К.Д. 2002. Молекулярные свойства, влияющие на пероральную биодоступность кандидатов в лекарства. Дж. Мед. хим. 45:2615–2623. 10.1021/jm020017n [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

57. Kaper JB, Morris JG, Jr, Levine MM. 1995. Холера. клин. микробиол. преп. 8:48–86 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

58. Sanchez J, Holmgren J. 2011. Холерный токсин — враг и друг. Индийский Дж. Мед. Рез. 133:153–163 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [Google Scholar]

59. Гаечный ключ А.П., Гарднер К.Л., Сигель С. Д., Пальяи Ф.А., Малекиха М., Гонсалес С.Ф., Лорка Г.Л. 2013. Взаимодействия комплекса MglA/SspA модулируются неорганическим полифосфатом. PLoS один 8:e76428. 10.1371/journal.pone.0076428 [бесплатная статья PMC] [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

60. Pukatzki S, Ma AT, Sturtevant D, Krastins B, Sarracino D, Nelson WC, Heidelberg JF, Mekalanos JJ. 2006. Идентификация консервативной системы секреции бактериального белка у Vibrio cholerae с использованием системы модели хозяина Dictyostelium. проц. Натл. акад. науч. США. 103: 1528–1533. 10.1073/pnas.0510322103 [PubMed] [CrossRef] [Google Scholar]

путешествие – Блог Келси

Оставить комментарий / Из архивов / 24 августа 2021 г. 24 августа 2021 г.

Себастьян Энсина, менеджер по работе с коллекциями

Этим летом мы отпраздновали дни рождения трех фигур, сыгравших решающую роль в первые дни существования Музея Келси. археологии. В мае мы чествовали Фрэнсиса У. Келси, тезку музея. Джун подарила нам день рождения своего сына, Истона Т. Келси, который сопровождал Фрэнсиса в его экспедициях и имеет коллекцию фотографий в архиве. А в июле мы отмечали день рождения Джорджа Р. Суэйна, главного фотографа Мичиганского университета в начале 19 века.00с. Эти трое предоставили Музею Келси много материалов и вдохновения, и их работы часто цитируют и по сей день.

Мы хотим продолжить тему летнего дня рождения и обратить внимание на еще одну важную личность в истории музея Келси. 6 августа 1862 года миру была представлена Мэри Изабель Бэджер. Двадцать четыре года спустя, 22 декабря 1886 года в Найлсе, штат Мичиган, Изабель вышла замуж за Фрэнсиса Уилли Келси. У них был долгий брак, в котором родились трое детей — Рут, Шарлотта и Истон.

Многое из того, что мы знаем об Изабель Келси, пришло к нам из книги Джона Педли 2012 года Жизнь и творчество Фрэнсиса Уилли Келси: археология, древность и искусство . Мы знаем, что она родилась в семье в Найлсе, штат Мичиган, и что ее отец был местным бизнесменом. Она поступила в Университет Лейк-Форест, где познакомилась с молодым Фрэнсисом Келси, который только что поступил на факультет. Изабель интересовалась древностями, писала о Ливии и римском искусстве. Она участвовала в Lake Forest Review о своей учебе, а также о таких темах, как иммиграция в Китай.

Мы знаем, что на протяжении всей своей карьеры, несмотря на свою занятость, Фрэнсис Келси оставался преданным семьянином. Архивы завалены его ежедневными письмами к Изабель, пока он путешествовал. И он находил время для своих детей. Изабель и Фрэнсис поощряли детей к чтению (Педли перечисляет примеры, такие как Библия, Илиада , Одиссея и популярные современные книги, такие как 9).0505 Маленькие женщины и Черная красавица ), наслаждайтесь музыкой и участвуйте в театральных постановках.

В рубрике «Из архивов» этого месяца мы представляем подборку фотографий из архивов Келси, на которых запечатлены Изабель Келси во время ее путешествий с Фрэнсисом и командой. Франциск путешествовал не один, поскольку мы видели, как он путешествовал с семьей и друзьями, особенно в путешествии по Европе, Азии и Африке после окончания Великой войны в 1919 году. В этой коллекции фотографий мы видим Изабель в самых разных местоположений. Видно, как она осматривает Великие пирамиды в Египте, путешествует на муле и осле и осматривает места, которые они посетили. Мы уже видели много остановок на этом пути, от Англии до Франции, Бельгии, Турции, Палестины и Египта. А потом они вернулись обратно в Англию после долгого годичного путешествия.

Нетрудно представить, что в этих поездках Фрэнсис полагался на Изабель и вел множество разговоров о том, что они видели, что планировали и о будущей работе. Хотя в настоящее время в музее Келси нет работ Изабель, мы знаем, что она была любознательным, умным и увлеченным человеком.

Мэри Изабель Келси умерла 3 июля 1944 года, через 17 лет после смерти мужа. У нее остались трое детей и несколько внуков. Музей Келси многим обязан ей и ее присутствию, поскольку она была защитником Фрэнсиса и его работы. С днем рождения, Мэри Изабель.

Студийный портрет Мэри Изабель Келси. Детройт, штат Мичиган, 1919 год. Фото Фрэнка Скотта Кларка. KAP00472. «Кусочек старой городской стены, вдали соборные башни. Профессор и миссис Келси на стене, но не очень четко. Йорк, Англия. 18 сентября 1919 года. Фото Джорджа Суэйна. КС010.02. «На площади перед собором. Миссис Келси и Редигер, наш шофер и армейский «Кадиллак». Реймс, Франция, 17 октября 1919 г. Фото Джорджа Суэйна. КС.019.10. «Другой вид, старшеклассники школы, слева. Миссис Кристи, миссис Келси и доктор Кристи. Профессор Келси в 9 лет0378 справа». Школа Святого Павла в Тарсусе, Турция, Тарсус. 2 января 1920 года. Фото Джорджа Суэйна. КС066.07. «Главный вход в Пропилеи и настоящий вход в руины. Миссис Келси и миссис Нортон наверху лестницы. Древние ступени к Пропилеям отсутствуют». Баальбек, Ливан. 13 января 1920 года. Фото Джорджа Суэйна. 7.0212. «Наша группа отправляется на Елеонскую гору. Начало слева; Истон Келси, миссис Э.М. Нортон, Г.Р.

Суэйн, миссис Келси, проводник и профессор Келси. Иерусалим. 21 января, 1920. Фото Джорджа Суэйна. КС111.01. «Миссис. Келси верхом на осле с проводником под оливковым деревом, Оливковая гора. Иерусалим, 21 января 1920 года. Фото Джорджа Суэйна. КС111.06. «Обед в гостинице. Слева доктор Уоррел, профессор Келси, миссис Нортон, миссис Келси, Истон Келси. Замок крестоносцев вдалеке». Гостиница Доброго Самаритянина, недалеко от Иерихона, 22 января 1920 года. Фото Джорджа Суэйна. КС113.04. «Миссис. Келси и миссис Нортон у затопленного Иордана, недалеко от Аль-Кантары. 23 января 1920 года. Фото Джорджа Суэйна. КС114.06. «Пирамиды. Миссис Келси на осле с проводником на переднем плане, Кефрен и Хеопс вдалеке». Каир, Египет, 25 марта 19 г.20. Фото Джорджа Суэйна. КС155.08. «Пирамиды. Миссис Ф. У. Келси в пустыне. Хеопс и Кефрен вдалеке». Каир, Египт. 26 марта 1920 года. Фото Истона Келси. KK089.«Поездка в Саккару. Гид с миссис Келси на осле, разрушенная пирамида на заднем плане. Саккара, Египет, 30 марта 1920 г.

Фото Истона Келси. KK118.«Поездка в Саккару. Миссис Келси, Истон Келси и Г.Р. Суэйн на мулах, поездка в Саккару; ведет по дороге ладонями назад». 30 марта 1920 года. Фото Истона Келси. КК119.

Оставить комментарий / Из архива / 22 июня 2021 22 июня 2021

Себастьян Энсина, менеджер по работе с коллекциями

Для нашего последнего выпуска «Из архивов» мы отпраздновали день рождения Фрэнсиса У. Келси, профессора латыни Мичиганского университета с 1893 по 1927 год и тезки Музея Келси. археологии. Мы многое знаем о профессоре Келси из его писем, сочинений и работ (прекрасно изложенных в биографии Джона Гриффитса Педли, «Жизнь и творчество Фрэнсиса Уилли Келси: археология, древность и искусство» 9).0506). Работы Келси впечатляют, и неудивительно, что в свое время он считался экспертом.

Еще один факт о Келси, который мы узнаем из его писем, — это то, каким преданным отцом он был. В этом блоге и в книге Педли мы узнаем больше о личной жизни Келси, его прошлом и его семье. Он писал своей жене Мэри Изабель, по-видимому, ежедневно во время путешествий и часто переписывался со своими тремя детьми, Рут, Шарлоттой и Истоном. В предыдущем посте в блоге мы посвятили День отца Фрэнсису Келси и рассказали о его отношениях с отпрысками.

В этом месяце в рубрике «Из архивов» мы находим время, чтобы пролить свет на младшую Келси, Истон. Истон Троубридж Келси (названный в честь своей прабабушки по отцовской линии) родился 22 июня 1904 года в Анн-Арборе, штат Мичиган, через десять лет после старшей сестры Рут (род. 1894) и через семь лет после Шарлотты (род. 1897). Он учился в Академии Филлипса в Эксетере и получил степень бакалавра в Мичиганском университете.

Из архива Келси:

«Во время 1920-е годы Истон Келси много путешествовал со своим отцом по Европе и Ближнему Востоку в качестве помощника фотографа и шофера. Г-н Келси поступил на дипломатическую службу США в 1930 году и сначала был направлен в Школу дипломатической службы Государственного департамента, а затем был направлен в Каир. Последующие задания включали Бейрут, Осло, Форт-Уильям, Порт-Артур, Торонто, Лиссабон и Сан-Паулу.

После выхода на пенсию из консульской службы США Истон Келси поселился в районе Торонто, где работал секретарем Фонда Кветико. Он и его жена, бывшая Вида Кеннеди МакКлюр, сделали ряд подарков музею Келси, в основном старинные монеты, собранные ими в Европе и на Ближнем Востоке. Мистер Келси скончался 18 декабря 19 года.75 в Торонто, Канада».

У нас была возможность часто видеть Истона через эти сообщения в блоге, когда он путешествовал со своим отцом и его коллегами по Европе, Юго-Западной Азии и Северной Африке.

В этом месяце мы освещаем не только фотографии Истона во время его путешествий (Джордж Суэйн часто помещал его рядом с памятниками, которые он фотографировал, для масштаба), но и его собственный вклад в архивы. У Истона был собственный Кодак, который он использовал для съемки достопримечательностей и мест, которые он посещал во время своих путешествий. Его 500+ фотографий обозначены в архивах префиксом «КК» (Кодак Келси). В приведенном ниже примере мы видим фотографии Истона, стоящего рядом с пирамидами в Гизе, с семьей в Иерусалиме, в Стамбуле (тогда еще Константинополе), в разбитой машине во Франции в конце Первой мировой войны, на пшеничном поле в Англии. , в Греции. И мы также получаем представление о том, что он видел: виды на Диме (древний Сокнопаиу Несос) и Каир, Парфенон, его мать, осматривающая пирамиды в Гизе и Саккаре, его койку на корабле, пересекающем Средиземное море. Он даже захватил Суэйна за работой на Патмосе, Греция.

В июне этого года мы поздравляем младшую дочь Келси с днем рождения. Он был очень любим своим отцом и смог насладиться с ним удивительными приключениями. Архивы являются свидетельством этих отношений, а его фотографии свидетельствуют о волнении, которое они разделяли вместе. С днем рождения.

«Подбитый бронеавтомобиль, замаскированный, вероятно, французский, на стороне Мьетте склона хребта. Истон Келси внутри для масштаба». Берри-о-Бак и окрестности, Франция. 18 октября 1919 г. KS021.05. «Часть поезда и Истон Келси в Аграме». Загреб. 16, 19 ноября19. KS024.01. «Вид ближе на Истона Келси и сторону спального вагона в Аграме». Загреб. 16 ноября 1919 г. KS024.02. «Истон Келси у парапета одной из семи башен». Константинополь, Турция. 24 декабря 1919 г. KS053.12. «Истон Келси у флага на корме катера». Константинополь, Турция. 24 декабря 1919 г. КС054.08. «Наш отряд отправляется на Елеонскую гору. Начало слева; Истон Келси, миссис Э. М. Нортон, Г. Р. Суэйн, миссис Келси, гид и профессор Келси. Иерусалим. 21 января, 1920. KS111.01. «Истон Келси у основания одного из колоссов». Карнак. 13 или 14 февраля 1920 г. КС140.24. «Статуи во втором дворе». Карнак. 13 февраля 1920 г. KK010. «Разрушенный колосс Рамсеса II, Истон Келси наверху». Карнак. 13 или 14 февраля 1920 г. KK012. «Две статуи в храме Аммона. Истон Келси для масштаба». Карнак. 13 или 14 февраля 1920 г. KK025. «Гид с миссис Эллен М. Нортон (под вуалью) на осле». 13 или 14 февраля 1920 г. КК033. «Статуи Тотмеса III, 7-й пилон, храм Аммона». Карнак. 13 или 14, 19 февраля20. KK034. «Истон Келси стоит перед нарисованными рельефами». Дейр-эль-Бахри, 13 или 14 февраля 1920 г. «Путешествие в Саккару. Истон Келси на осле недалеко от Мемфиса. Недалеко от Мемфиса, Египет, 17 февраля 1920 г. KK041 «Shepherd’s. Истон Келси на верхнем балконе отеля. Каир. 1 марта 1920 г. КК071. «Пирамиды. Сфинкс и Хеопс с разными туристами и другими животными». Каир. 3 марта 1920 г. КК073. «Пирамиды. Миссис Ф. В. Келси в пустыне. Хеопс и Кефрен вдалеке». Каир. 26 марта, 1920. КК089. «Пирамиды. Истон Келси у основания первой пирамиды Хеопса. Показывает размер камней». Каир. 26 марта 1920 г. КС156.10. «Путешествие в Саккару. Миссис Келси, Истон Келси и Г. Р. Суэйн на мулах, поездка в Саккару; ведет по дороге ладонями назад». 30 марта 1920 г. КК119. «Путешествие в Саккару. Гид с миссис Келси на осле, разрушенная пирамида на заднем плане. Каир. 30 марта 1920 г. КК118. «Мечеть Ибн Тулуна, вид с минарета на Цитадель и мечеть Али». Каир. 19 апреля 1920 г. КК137. «Мечеть Ибн Тулуна, вид с минарета; чем-то похож на KK 135». Каир. 19 апреля, 1920. КК138. «Димай. Руины ограды храма, Димай. Диме, Египет. 27 апреля 1920 г. KK156. «Смит-Томпсон № 212 (американский эсминец). Койка Истона Келси. Средиземное море, от Александрии до Патмоса. 3 мая 1920 г. КК176. «Монастырь. Г.Р. Суэйн фотографирует рукописи на крыше монастыря». Патмос, Греция. 7 мая 1920 г. КК195. «Взгляды. Истон Келси на скале на переднем плане. Глядя на гавань и монастырь, с севера от Ла Скала». Патмос, Греция. 8 мая 1920 г. КК204. «Общие виды. Великолепная стена из прямоугольного камня на Акрополе, скошенная по открытому углу. Истон Келси для масштаба. Это лучшая каменная кладка на Акрополе». На обороте фотографии: «Патмос. Часть кладки на вершине акрополя. Никто не знает, когда и кем была построена каменная кладка (отличной техники)». 15, 19 мая20. 7.0386 «Босфор. Румели Хисар. Фрагмент лестницы внутри с Истоном Келси, несущим чехол для фотоаппарата». Константинополь, Турция. 14 июня 1920 г. КС203.06. «Акрополь. Парфенон, первый взгляд, когда ты поднимаешься через Пропилеи. Афины, Греция. 22 июня 1920 г. KK271. «Кукхэм. Английское пшеничное поле с Истоном Келси, стоящим в зерне. Кукхем, Англия. 18 июля 1920 г. KK311. «Истон Келси, Суэйн, охранник и грузовик». Ак Шехир Шоссе, Турция. 2 сентября 1924 г. КР098.06.
Оставить комментарий / Из архива / 28 августа 2020 г. 28 августа 2020 г.
Себастьян Энсина, менеджер по работе с коллекциями
В 1919 и 1920 годах, сразу после окончания Великой войны, Фрэнсис Келси совершил долгое путешествие из Англии в континентальную Европу, в Турцию и Сирию, а затем в Египет. Он взял с собой группу людей, чтобы помочь в этих путешествиях, в том числе фотографа Джорджа Р. Суэйна и его собственного сына Истона Келси. Это была их первая возможность за долгое время посетить эту часть света. В этой поездке им предстояло выполнить довольно много работы, ибо цель у нее была двоякой. Они были там по гуманитарным соображениям, посещая лагеря беженцев Красного Креста в Турции и Сирии после геноцида армян. Они также были там, чтобы посетить коллег, коллекции и исторические и археологические памятники. В Египте начали планировать будущие археологические экспедиции.
В рубрике «Из архивов» этого месяца мы представляем подборку из двадцати пяти фотографий, демонстрирующих путешествия группы ровно 100 лет назад. В августе 1920 года они оказались в Англии, Франции, Бельгии и Германии. Фотографии этого этапа путешествия, сделанные Джорджем Суэйном и Истоном Келси, показывают весь спектр их приключений и занятий. Мы видим Виндзорский замок в Англии, вокруг которого слоняются туристы. Команда связывается с герром и фрау Рейнджес и ее сестрой, поскольку они арендуют автомобиль в Германии. Мы также видим, как они занимаются своими транспортными средствами, вытаскивая их из канав и меняя шины.
У нас также есть возможность увидеть послевоенную жизнь в соответствующих странах. Мужчина с плугом и волами в Тонгерене, Бельгия. Другой мужчина в Кобленце, Германия, со своей тележкой, запряженной собакой. Влюбленная парочка («Местный колорит», согласно фотоэтикетке), тоже в Кобленце, Германия. В Дижоне, Франция, мы видим вид на один из замков герцогов Бургундских, а в Париже мы мельком видим площадь Оперы. Суэйн и Келси дают нам представление о других сооружениях, как естественных, так и созданных руками человека. В некоторых подписях к ним есть слова «Хорошо» или «Отлично», свидетельствующие о качестве фотографии.
Наряду с этими образами стойкости мы наблюдаем опустошение, вызванное Великой войной. В Ла Фере, Франция, мы видим «кучи военных обломков» там, где когда-то стояли здания, в том числе дома. В Эльзасе мы видим заграждения из колючей проволоки, разбросанные по полю, и воронку от снаряда на фоне разрушенного леса. На протяжении всей войны Келси часто общался со своими друзьями и коллегами в Европе и Юго-Западной Азии. Как и многие американцы, он думал о бедственном положении людей и районов, пострадавших от войны.
К концу августа 1920 года фотодокументация Суэйна и Келси об этой поездке, похоже, подошла к концу. Благодаря их работе мы можем увидеть, какой была Европа сто лет назад. Люди возвращались к своей жизни после многих лет войны, пытаясь найти свою новую норму. После почти целого года путешествий по Европе, Юго-Западной Азии и Египту пришло время и этим американцам вернуться к нормальной жизни.

1 августа 1920 года, Лондон, Англия. «Виндзор. Подход к замку, и замок. Туристы». Истон Т. Келси, фото KK322. 1, 19 августа.20, Лондон, Англия. «Виндзор. Башня на месте башни, построенной Вильгельмом Завоевателем». Истон Келси, фото КК323. 9 августа 1920 г., Кобленц, Германия. «Четырехколесная повозка, запряженная большой собакой, на понтонном мосту». Джордж Р. Суэйн, фото KS225.10. 9 августа 1920 г., Кобленц, Германия. «Каменный мост через Мозель, в Коблер, смотрящий вверх по течению; плот из бревен на переднем плане». Истон Т. Келси, фото КК324. 9 августа 1920 г., Кобленц, Германия. «Слияние Рейна и Мозеля, вид на Мозель. Показывает значительную часть страны». Истон Т. Келси, фото KK327. 9 августа., 1920, Кобленц, Германия. «Толпа транспорта на понтонном мосту». Истон Т. Келси, фото KK341.. 11 августа 1920 г., Кобленц, Германия. «Местный колорит в Краненберге, над Андернахом». Истон Т. Келси, фото КК339. 15 августа 1920 г., Кобленц, Германия. «Нашему армейскому «Кадиллаку» нужно сменить шины». Истон Т. Келси, фото КК369. 16 августа 1920 г., Кобленц, Германия. «НАС. солдаты маршируют по улице. Хороший.» Истон Т. Келси, фото КК355. 17 августа 1920 г., Кобленц, Германия. «Немецкая машина, которую мы арендовали на заправке в Кобленце. Впереди фрау Рейнджес и ее сестра; на заднем сиденье Г. Р. Суэйн и профессор (Фрэнсис В.) Келси; Герр Рейнджес стоит у машины. Истон Т. Келси, фото KK365. 20, 19 августа.20, недалеко от Тонгерена, Бельгия. «Просмотры. Остановка, чтобы починить лопнувшую шину, недалеко от Тонгреса. Показывает профессора (Фрэнсис В.) Келси, капитана Минута и фрау Рейнджес». Джордж Р. Суэйн, фото KS227.05. 20 августа 1920 г., Тонгерен, Бельгия. «Статуя Амбиорикса». Истон Т. Келси, фото KK359. 20 августа 1920 г., Тонгерен, Бельгия. «Человек с волами и плугом, дорога дальше». Истон Т. Келси, фото KK361. 21 августа 1920 г., Спа, Бельгия. «Герр и фрау Рейнджес на территории Спа. Немного не в фокусе». Джордж Р. Суэйн, фото KS227.11. 22, 19 августа.20, Намюр, Бельгия. «Глядя на Маас с вершины Цитадели». Истон Т. Келси, фото КК377. 22 августа 1920 г., Бельгия. «Фотография фрау Рейнджес где-то в Бельгии». Истон Т. Келси, фото KK378. 23 августа 1920 г., Ла Фер, Франция. «Разрушенный войной дом». Истон Т. Келси, фото KK379. 23 августа 1920 г., Ла Фер, Франция. «Еще одна куча военных обломков». Истон Т. Келси, фото KK380. 23 августа 1920 г., Ла Фер, Франция. «Нагромождение военных обломков — когда-то дома». Истон Т. Келси, фото KK381. 26, 19 августа.20, Алеся, Франция. «Машина в кювете, спускается с холма. Профессор (Фрэнсис В.) Келси справа». Джордж Р. Суэйн, фото KS229. 07. 27 августа 1920 г., Дижон, Франция. “Небольшая триумфальная арка в Дижоне рядом с отелем.” Джордж Р. Суэйн, фото KS229.10. 27 августа 1920 г., Дижон, Франция. «Более подробный вид на один конец замка герцогов Бургундских». Джордж Р. Суэйн, фото KS230.02. 28 августа 1920 года, недалеко от Кольмара, Франция. «Недалеко от Кольмара. Заграждения из колючей проволоки, разбросанные по полю». Истон Т. Келси, фото KK394. 28 августа 1920 года, недалеко от Кольмара, Франция. «Недалеко от Кольмара. На переднем плане воронка от снаряда с водой, за ней разрушенный лес». Истон Т. Келси, фото KK395. 30 августа 1920 г., Париж, Франция. «Place de l’Opera смотрит в сторону Оперного театра. Превосходно.» Джордж Р. Суэйн, фото KS230.12.
Оставить комментарий / Археологические исследования, консервация, полевые работы / 24 июля 2020 г. 24 июля 2020 г.
Сюзанна Дэвис, куратор отдела консервации, и Кэрри Робертс, консерватор
Невозможность посетить полевые объекты Келси из-за пандемии COVID-19 свела нас с ума от поездок на полевые объекты Келси. Если вы тоже испытываете серьезную тягу к путешествиям, мы приглашаем вас сделать небольшой фотографический мини-перерыв вместе с нами. Вот красивая фотография и то, что нам нравится в каждом из четырех сайтов, которые мы в настоящее время поддерживаем.

Сюзанне нравится невероятно красивый сайт Notion, Турция. Здесь есть все, что может пожелать реставратор: романтические руины целого древнего города, много работ по консервации и красивое место на берегу моря.
Notion, Турция. Вид участка с запада на закате; древний город расположен на вершине желтого, залитого солнцем холма. Если присмотреться, то можно увидеть укрепления.

На этой эффектной фотографии древнего храма, кладбища и территории города Джебель-Баркал в Судане Сюзанна скучает по солнцу пустыни и всем своим товарищам по команде Джебель-Баркал и Эль-Курру.
Джебель-Баркал, Судан. На этом изображении показаны остатки некоторых пирамид этого места на фоне Джебель-Баркал (по-арабски — святая или чистая гора). Фото Кейт Роуз.

Кэрри вдохновлена древним пейзажем Абидоса. Приятно выпить чашечку кофе с командой на рассвете и знать, что храм Сети I находится всего в 10 минутах ходьбы от раскопок, а до раннединастических гробниц под скалами пустыни можно добраться за 20 минут.
Вид на передний двор раскопок в Абидосе на рассвете.

В Эль-Курру Кэрри любит деревенскую жизнь — идет от дома, где мы живем, до храма и по дороге здоровается и как дела с соседями, а затем перекусывает в магазине на углу в конце улицы. день. Она также скучает по семье, в которой мы живем, особенно по детям.
Эль-Курру, Судан. Слева хозяйственный магазин Курру, а справа парикмахерская.
Оставить комментарий / Из архивов / 26 мая 2020 г. 22 декабря 2020 г.
Себастьян Энсина
Каждый год примерно в мае люди в Анн-Арборе и его окрестностях отправляются в дендрарий Николс, чтобы увидеть цветущие цветы и деревья, признаки весны возвращение в наш район. В этом году Николс не будет сажать свои обычные пионовые сады, но люди все равно будут пробираться в дендрарий, чтобы посмотреть, какие еще яркие цветы растут.
По мере того, как погода становится все теплее, все больше людей отправляются в свои сады и начинают сажать собственные цветы и растения. Скоро наши окрестности будут полны ярких, красивых цветов и удивительных запахов. (Извините, аллергики!)
Цветы и красота природы уже тысячи лет являются источником радости и счастья. Мир природы украшал стены, керамику и другие предметы древнего мира. Прогуляйтесь по галереям музея Келси, и вы увидите множество примеров вдохновленных природой мотивов на самых разных предметах.
Точно так же наши предшественники в Мичиганском университете ценили красоту цветов. В этом месяце «Из архивов» мы приносим вам их цветы. Хотя они не такие яркие и яркие, как цветы, которые вы можете увидеть и понюхать в садах Матфея и Николса, они пробуждают красоту, которую люди разделяют независимо от того, где они находятся. Джордж Р. Суэйн запечатлел красоту цветов в Англии, Франции, Греции, Египте, Бельгии, Палестине и Турции, в садах, рядом с памятниками, в дикой природе и на продажу. На его фотографиях, представленных здесь, мы видим похоронную процессию, украшенный кенотаф, торговцев цветами в Брюсселе, чей-то частный домашний сад. Суэйн всегда наводил свою камеру повсюду, путешествуя с командами UM.
Вскоре Анн-Арбор будет полон цветов и красоты. Мы будем бродить по паркам и садам, оценивая то, что мы видим, часто останавливаясь, чтобы сделать свои собственные фотографии, чтобы поделиться ими. Мы продолжаем практику, которой так долго наслаждались многие люди.
Брюссель, Бельгия. Продавцы цветов на старой площади Гран-Плас. КС236.03. Каир, Египт. Цветники, газоны, деревья, кустарники, на острове Гезире. КС159.12. Каир, Египт. По главной улице идет похоронная процессия — обратите внимание на цветы. КС147.08. Канны, Франция. Подъезд к вилле — пальмы и клумбы. КС245.02. Каир, Египт. Крупный план клумбы и кустарника за ней. Остров Гезире. КС160.11. Лондон, Англия. Кукхем и окрестности. Просто цветник перед домом. КС222.10. Афины, Греция. Дворцовые сады. Клумбы, две пальмы, за ними другие деревья и кустарники. КС210.04. Брюссель, Бельгия. Продавцы цветов на старой площади Гран-Плас. КС236.02. Каир, Египт. Цветочная клумба с пальмами за ней, остров Гезире. КС160.10. Каир, Египт. Вид в парке на острове Гезире. Слева в цвету клумбы, вокруг разбросаны деревья (включая пальмы). Дорога по центру проходит под мостом из пальмовых бревен. Справа газон, за ним кусты. Прекрасный парк. Размер, 91/2 x 32 1/2 дюйма Cirkut027P01. Лондон, Англия. Цветы у основания Центотафа, крупный план. КС011.05. Афины, Греция. Цветоносы вековых растений на Lycabettus. КС212.06. Каир, Египт. Цветники и прогулка на острове Гезире. КС160.12. Париж, Франция. Продавцы цветов у Порт-Майо. КС235.06. Лондон, Англия. Центотаф мира, возведенный в 1919 году. Много цветов у основания. КС011.01. Каир, Египт. Избекские сады, клумбы и вид на прогулку. КС142.11. Иерусалим. Некоторые из формальных клумб в Гефсиманском саду. КС129.02. Каир, Египт. Цветочная клумба на переднем плане, глядя на две пальмы с дорожкой и мостом внизу. КС160.05. Канны, Франция. Подъезд к вилле — цветы, пальмы, другие деревья. КС246.10. Антиохия, Турция. Акведук и его источник. Округлые массы розовых цветов на холмах у ручья. КС281.06. Париж, Франция. Тележка для цветов. КС014.12. Каир, Египт. Цветники, кустарники и газоны, остров Гезире. КС160.04. Компьень, Франция. Статуя Жанны д’Арк, перед цветочным рынком. КС228.11.

Оставить комментарий / Археологические исследования, полевые работы / 30 ноября 2018 г. 30 ноября 2018 г.
Международный археологический проект Курру снова в деле! Джебель-Баркал на фотографии, сделанной во время полевых работ 2016 года.
30 ноября 2018 г.
Автор: Грегори Такер
Добро пожаловать в первый из серии постов в блоге, которые я планирую писать каждую пятницу в течение следующих нескольких недель для 9 музея Келси.0426 #fieldworkfriday серия! Это событие идеально совпадает с нашим днем отдыха в полевых условиях, поэтому я подумал, что могу найти время, чтобы поделиться с вами тем, чем мы занимаемся в этом сезоне в Судане.
Международный археологический проект Курру — это международный проект по изучению древнего нубийского городища Эль-Курру в современном Судане недалеко от города Карима с 2013 года. В рамках этого проекта мне посчастливилось провести геофизические исследования. обследование в Эль-Курру и соседних участках Санам и Джебель-Баркал, чтобы лучше понять нераскопанные участки этих участков без или до интенсивных раскопок.
Как правило, геофизическая съемка направлена на обнаружение объектов под поверхностью путем дистанционного зондирования различных свойств на поверхности земли или непосредственно над ней. Возможно, было бы полезно подумать о рентгеновском снимке или другом медицинском изображении, обнаруживающем что-то внутри вашего тела, не касаясь при этом костей или других внутренних частей тела; аналогично работает геофизическая съемка для археологии. В случае работы в этом сезоне я буду проводить магнитно-градиометрическую съемку в двух местах в Джебель-Баркале. Этот метод похож на тот, который используют металлоискатели, которых вы, возможно, видели на пляже или в парках, но вместо того, чтобы искать отдельные объекты, мы ищем узоры в недрах, которые указывают на различные структуры или другие особенности, и наши инструменты Я могу документировать все показания на поверхности, когда я иду по пустыне, а затем наношу их на карту в конце дня. Этот метод оказался особенно эффективным в условиях, которые мы ожидаем испытать в этом сезоне в Джебель-Баркале, и, если повезет, мы снова добьемся потрясающих результатов![2]
Вот я иду с магнитным градиентометром по Санаму зимой 2017 года. Фото Ибрагима Сидахмеда.
В День Благодарения и последующие несколько дней я путешествовал из Сохага в Каир, в Лондон, в Доху и в Хартум, оставив еще один музей Келси в Абидосе, Египет, чтобы забрать магнитный инструмент, который я буду использовать в этом сезоне в Судане, из его дома. в Англии.
На самом деле я проезжал через солнечный Лейтон Баззард, чтобы забрать оборудование, а не через сам Лондон.
Я уже однажды летал через Доху в Судан, в 2016 году, но это было до того, как маршрут был изменен из-за проблем с воздушным пространством, и полет из Дохи в Хартум теперь стал на два часа длиннее, чем всего два года назад. Однако были и хорошие новости для меня: более длинный маршрут означал низкую пассажирскую нагрузку, и лишь немногие из нас имели почти весь вагон в своих руках!
«Посадка завершена» на наш рейс из Дохи в Хартум. Не волнуйся, я пересел на место у окна. Я был очень благодарен за пустой рейс на следующий день после Дня Благодарения, с таким большим путешествием за предыдущие 48 часов и еще так много до прибытия в Курру.
Прибыв в Хартум, я собрал свои вещи, включая магнитный градиентометр, и отправился в отель на ночь, чтобы отдохнуть перед поездкой в Курру на следующий день. Утром я встретился с нашим коллегой и другом Сами Эламином, который помогает мне в работе в качестве нашего инспектора из Национальной корпорации древностей и музеев (НКАМ), и мы совершили шестичасовую поездку через пустыню в Курру.
Прошедшая неделя была потрачена на то, чтобы начать работу в полевых условиях, от организации логистики, связанной с работой, например, как мы будем доставлять завтрак в поле, до встреч с нашими коллегами из NCAM и другого активного проекта в Джебель-Баркале. проводимой Венецианским университетом, чтобы снова принять участие в яркой жизни деревни, например, посетив предсвадебную вечеринку вчера вечером, которая была открыта для всех, с живой музыкой и большим весельем, по крайней мере, до власти выезжали на ночлег по всему району.
С помощью моих коллег из Kurru и NCAM мы уже собрали некоторые очень полезные данные и создали сетку, которая будет направлять нашу работу по ландшафту.
Доказательство работы в пустыне (и в жаре!) при создании сетки для наших геодезических работ с использованием тахеометра.
В следующие выходные (и помните: наш выходной день в пятницу), я надеюсь рассказать немного больше о территории Джебель-Баркала и проектах, над которыми я работаю в этом полевом сезоне.
* * * * *
1. См. нашу публикацию о работе за сезон 2016 г. в Tucker and Emberling, «Поселение в сердце Напатан-Куш: предварительные результаты магнитной градиентометрии в Эль-Курру, Санам и Джебель-Баркал», Судан и Нубия 20 ( 2016): 16–22.
2. В дополнение к нашей публикации 2016 года мы представили наши результаты на ежегодном собрании Археологического института Америки (AIA) 2018 года в Бостоне и на Международной конференции по нубийским исследованиям 2018 года в Париже.
1 Комментарий / Археологические исследования, Студенты / 14 августа 2018 г. 14 августа 2018 г.
В последнее время в коридорах Ньюберри Холла довольно тихо. Персонал Келси занят как никогда, но все студенты уехали на лето; некоторые принимают участие в полевых проектах, другие проводят собственные исследования. (Некоторые могут дать отпор, хотя держу пари, что их не очень много.) Исследовательская библиотека Келси и учебные зоны IPCAA — обычно ульи активности, оживляемые голосами студентов, болтающих о своих исследованиях, предстоящем экзамене или последнем события в кампусе — темны и пустынны.
Честно говоря, здесь было немного скучно.
Но приближается новый семестр, и студенты начали возвращаться, здоровые, загорелые и с новой энергией, а мы, оставшиеся позади, подталкиваем их к подробностям об их приключениях за границей.
Первым, кто вернулся в этом году, является один из наших любимых канадцев, Крейг Харви, который начинает свой шестой год в качестве аспиранта IPCAA. Мы сели с Крейгом, чтобы узнать о его лете и (давайте будем честными) немного пожить опосредованно, пока он развлекал нас рассказами о своих путешествиях.
* * * * *
Келси: С возвращением, Крейг! Чем вы занимались этим летом?
Крейг: Довольно много! Мое «лето» на самом деле началось еще в январе, когда я уехал, как я думал, в трехмесячную исследовательскую поездку в Израиль, Кипр и Иорданию для сбора данных для моей диссертации. Во время моей поездки меня пригласили присоединиться к исследовательскому проекту в Саудовской Аравии, что продлило мое путешествие до июня, когда я выступил на конференции в Иордании и участвовал во втором проекте в Израиле.
Крейг перед зданием Аль-Хазне («Сокровищница»), Петра, Иордания. Все фотографии предоставлены Крейгом Харви.
Келси: Вау. Это звучит потрясающе. Над чем конкретно вы работали?
Крейг: Во время моего пребывания в Израиле, на Кипре и в Иордании я много путешествовал по местам, связанным с моей диссертацией, посвященной строительству римского периода в Восточном Средиземноморье. В частности, я смотрел на степень местного влияния на методы строительства и материалы, используемые в римских банях. Когда я не посещал места, я проводил исследования в библиотеках и встречался с местными учеными.
Святилище Аполлона Килата в Курионе, Кипр.
Келси: А в Саудовской Аравии?
Крейг: В Саудовской Аравии я участвовал в исследовательском проекте по документированию археологических памятников вокруг города Аль-Ула, а в проекте в Израиле я работал нумизматом и занимался обработкой и идентификацией их монет.
Старый город аль-Ула, Саудовская Аравия. Каср аль-Фарид, высеченная в скале гробница в Мадаин-Салехе, недалеко от аль-Улы, Саудовская Аравия.
Келси: Звучит как невероятный опыт. Вам приходилось много путешествовать?
Крейг: Да, я много путешествовал, хотя и не так много в Саудовской Аравии. Я езжу в Иорданию с 2008 года, и все же остались места, которые я раньше не видел, поэтому эта поездка стала для меня шансом наконец-то добраться до этих важных археологических памятников.
Келси: Чем ты занимался в свободное время?
Крейг: Больше путешествий! Я старался посетить как можно больше сайтов, даже не связанных с моей диссертацией. Находясь на Кипре, я арендовал машину и посетил несколько расписных церквей в горах Троодос, и мне даже удалось посетить Бейрут и несколько мест в Ливане в течение месяца, когда я был в Иордании.
Келси: Вы, должно быть, видели некоторые впечатляющие вещи. Что бы вы назвали своим любимым аспектом поездки? Вы обнаружили какие-либо «скрытые драгоценные камни»?
Крейг: Ну, как я уже сказал, я езжу в Иорданию уже более десяти лет, но я до сих пор не могу забыть, какие дружелюбные и гостеприимные люди. На мой взгляд, они одни из самых приятных людей в мире. Что касается скрытой жемчужины, я должен порекомендовать Каср-Бшир, позднеримский форт в иорданской пустыне. Это один из наиболее хорошо сохранившихся римских фортов в мире, его стены и башни почти полностью сохранились. На мой взгляд, это одно из лучших скрытых мест на Ближнем Востоке, и оно просто впечатляющее.
Вид на Каср-Бшир, позднеримскую крепость в иорданской пустыне.
Келси: Большое спасибо, Крейг! Что ждет вас дальше?
Крейг: Теперь я вернусь к написанию диссертации!
* * * * *
Крейг хотел бы выразить благодарность Американскому центру восточных исследований, Кипрскому Американскому институту археологических исследований и Высшей школе Рэкхема за щедрые гранты, на которые была профинансирована большая часть его поездки.
Оставить комментарий / Студенты / 12 декабря 2017 г. 12 декабря 2017 г.
BY MATTHEW NAGLAK, студент IPCAA

С 6 по 9 декабря у меня была возможность принять участие в двух отдельных конференциях на двух разных континентах в разном качестве. В Эдинбургском университете меня пригласили вместе с профессором UM Classics Николой Терренато выступить с докладом о раннем латинском обществе и формировании государства на основе данных из Габии, Италия, на международной конференции 9.0505 Рассвет римского права . Вернувшись в Анн-Арбор, музей Келси готовился к «В третий век: прошлое, настоящее и будущее археологических музеев Мичигана », симпозиуму для аспирантов и студентов, спонсируемому Совместной археологической рабочей группой в связи с двухсотлетней выставкой . Раскопки археологии @ UM: 1817–2017 (который в настоящее время выставлен в музее Келси). Как один из аспирантов-организаторов мероприятия, я чувствовал, что должен сделать все возможное, чтобы оно прошло как можно более гладко.

Я прибыл в Эдинбург, Шотландия, утром 6 декабря, примерно за два часа до начала конференции. За этим последовало около 36 часов расширенных презентаций на самые разные темы: от использования дательного падежа в Двенадцати таблицах до этрусской надписи, которая может быть одним из самых ранних моментов, когда-либо найденных для культуры, обеда шотландскими деликатесами, а также довольно странных Итальянско-шотландский фьюжн, и сон тех, кто страдает от смены часовых поясов. Однако после нашей хорошо принятой презентации необходимо было быстро переключиться с режима докладчика на режим организатора/администратора симпозиума в Анн-Арборе.

Организовать конференцию непросто. Нужно организовать и купить питание, поездки в аэропорт и гостиничные номера для участников, зарезервировать и обустроить места для лекций, составить расписание, подготовить введение, задобрить спикеров, убраться и решить неизбежные технологические проблемы, которые возникнут. К счастью, команда докторанта Кимберли Суишер из антропологической археологии, преподаватель Музея Келси Кэтрин Персон и я помогли распределить нагрузку друг с другом. После прекрасного основного доклада Лизы Чакмак (младшего куратора отдела древнего искусства Художественного музея Сент-Луиса и выпускницы IPCAA) в пятницу вечером суббота прошла гладко с презентациями многочисленных аспирантов IPCAA, антропологической археологии и классики, а также замечаниями от директора Музея Келси и Музея антропологической археологии Терри Уилфонг и Майкл Галати соответственно. В то же время было представлено множество плакатов студентов и аспирантов, а также технологическая сессия, на которой участники могли опробовать новейшие технологии представления археологических материалов широкой публике. В целом, несмотря на утомительную пару дней, лучше быть не могло!

Кауаи Бичфронт Кондо — Кухио Шорс #113

«НЕПТУНС ЛЕР» Как кемпинг на пляже ….. со всеми удобствами дома!

Мы потратили больше года, пытаясь приобрести именно эту квартиру с одной спальней, так как она, без сомнения, самая близкая к воде на Берегах Кухио. .. и, возможно, на всем острове Кауаи.

Эта невероятная квартира на берегу океана является абсолютным шедевром дизайна и качества мирового класса. Мы считаем, что это одно из лучших мест на острове Кауаи. Все абсолютно новое. Твердые поверхности этой квартиры состоят из лучшего итальянского мрамора и гранита в сочетании с первоклассной сантехникой, а также со вкусом приглушенных гавайских произведений искусства и мебели.

ГОСТИНАЯ
Просторная гостиная/семейная комната имеет впечатляющий и поистине захватывающий вид на океан, пляж и линию прибоя. ЭТА КВАРТИРА НА ПЕРВОМ ЭТАЖЕ — АБСОЛЮТНО БЛИЖАЙШАЯ КОНДО К ОКЕАНУ….. на Берегах Кухио….и, скорее всего, НА ВСЕХ Кауаи! Это одна из немногих квартир для отдыха на Кауаи, из которой открывается настоящий 180-градусный вид на пляж/океан/серфер. Как видите, расположение позволяет ДВЕ СТЕКЛЯННЫЕ СТЕНЫ ОТ ПОЛА ДО ПОТОЛКА.

Гостиная обставлена высококачественной и со вкусом оформленной гавайской мебелью, большим 42-дюймовым телевизором с плоским экраном Sony с дистанционным управлением, кабельным телевидением и проигрывателем Sony Blue Ray, а также высококачественной стереосистемой с пультом дистанционного управления.
Это потрясающее место, где можно расслабиться и насладиться видами, звуками и запахами Кауаи, природой во всей красе!!

Звуки океана в каждой комнате!!! Вы можете наблюдать за китами, наслаждаться красивыми закатами Кауаи, считать дельфинов и черепах или наслаждаться одним из лучших занятий серфингом на СОЛНЕЧНОМ ЮЖНОМ ПОБЕРЕЖЬЕ Кауаи, сидя внутри этого устройства. Не говоря уже о внешней веранде с садовой мебелью высшего качества для романтического ужина на свежем воздухе!

СТОЛОВАЯ ЗОНА
В обеденной зоне установлен просторный стеклянный стол из высококачественного стекла и четыре ресторанных стула. Это настолько невероятно близко к океану, что в сезон «больших волн» у вас может возникнуть соблазн поднять ноги!

КУХНЯ
Кухня великолепная, а обстановку невозможно повторить! Представьте, что вы готовите изысканный ужин, наблюдая, как серферы ловят одни из лучших волн на острове менее чем в 100 футах от нас!!

Эта кухня для гурманов полностью оборудована, включая посудомоечную машину, микроволновую печь, плиту, духовку, блендеры, миксеры, пароварку, кофеварку, мультиварку, тостер, кастрюли и сковородки, качественные столовые приборы и практически все, что вам нужно для приготовления замечательных блюд! Новейшая бытовая техника из нержавеющей стали. Готовьте буквально на пляже!

Если вы не хотите готовить, выйдите со своей веранды и совершите 30-секундную прогулку вдоль пляжа и насладитесь трапезой в одном из лучших ресторанов Кауаи, ресторане Beach House.

СПАЛЬНИ
В этой квартире с ОДНОЙ СПАЛЬНЕЙ есть невероятная СПАЛЬНЯ С ВИДОМ НА ОКЕАН, ПРЯМОЙ вид на океан… ПРЯМО с ваших подушек! С его и ее полноразмерными комодами и большим шкафом для длительного проживания. Это ЕДИНСТВЕННАЯ квартира на курорте Kuhio Shores, где из СПАЛЬНИ открывается ПРЯМОЙ БЕЗОПАСНЫЙ ВИД НА ОКЕАН.

В этом ЛЮКСЕ С ОДНОЙ СПАЛЬНЕЙ открывается потрясающий ВИД НА ОКЕАН. Для вашего комфорта во время сна установлена новая кровать размера «king-size» с наматрасником Seally Posturpedic и классическая гавайская мебель. Он со вкусом оформлен с участием местных художников. И имеет привлекательное постельное белье Ralph Lauren. Комфорт вашего сна был здесь наивысшим приоритетом! Потолочные вентиляторы Tommy Bahama Palm Tree, COOL OCEAN BREEZES, регулируемое освещение, а также собственная ванная комната и душ дополняют этот люкс Deluxe Ocean Front!

Между мягким летним бризом……»красное вино и сыры»……..Возможно, вы больше никогда не будете спать так хорошо!

Для комфорта второго набора гостей…..
В гостиной есть совершенно новый диван-кровать размера «queen-size» с матрасом из пены с эффектом памяти, который очень удобен. В дизайне и комфорте диванов-кроватей произошли огромные улучшения, а модели высокого класса, которые мы предлагаем, стоят более 2000 долларов, но они стоят каждой копейки!

ВАННЫЕ
ВАННАЯ КОМНАТА от пола до потолка отделана натуральным камнем с отделкой из цельного тика и бразильского палисандра и первоклассной сантехникой, все со вкусом оформлено.

Обратите внимание на новую стеклянную плитку и невероятные двери из тикового дерева ручной работы в спальню и ванную комнату.

Низковольтное ночное/настроенное освещение по всей квартире обеспечивает безопасность и привлекательность вечером…..

Курорт Kuhio Shores расположен на СОЛНЕЧНОМ ЮЖНОМ БЕРЕГУ Кауаи, в городе Поипу. Средние температуры колеблются от низких 80 градусов зимой до высоких 80 градусов, а иногда и 90 градусов в середине лета. И, конечно же, эти невероятные пассаты всегда дуют со скоростью 10-25 миль в час круглый год.

Жилой блок 30 вольт 10 ампер. Регуляторный блок жизни с власноруч. Технические характеристики жилого блока

Головна / Дополнительный функционал

Кто уже знает, что у меня может быть слабость к каким-то жизненным блокам, сразу осмотритесь два в одном. В этот раз будет обзор радиоконструктора, позволяющего выбрать основу для лабораторного блока жилья и тот вариант для реальной реализации.
Заранее будет много фото и текста, так что запасайтесь кавой 🙂

Для початка немного объясню, что так и что происходит.
Пусть все радиолюбители бьют своих роботов, как лабораторный блок жизни. То ли это складная программа управления но просим прощения на LM317, но все таки викону может быть одинаково, поживите разницу в процессе работы с ними.
Лабораторные жилые блоки делятся на три основных типа.
С импульсной стабилизацией.
С линейной стабилизацией
Гибриды.

Во-первых, у вас на складе может быть импульсный блок обогрева, или просто импульсный блок жизни с понижающим ШИМ-переключателем.
Преимущества — большая герметичность при малых габаритах, Відминный ККД.
Недолики — ВЧ пульсации

Другие не могут быть на борту каждый день ШИМ, все регулировки производятся линейным способом, где слишком много энергии вырабатывается просто на регулирующем элементе.
Плюсы — практически нет пульсаций, нет расхода в конденсаторах на выходе (майже).
Минусы — ККД, масса, размер.

В-третьих, если смешать первый тип с другим, то такой же линейный стабилизатор будет жить в светодиоде понижающего SHIM-переключателя (напряжение на выходе SHIM-переключателя всегда будет настраиваться на уровень трохи ниже выход, транзистор будет регулировать режим работы
Или блок питания целостный, но трансформатор имеет несколько обмоток, которые включаются при необходимости, тем самым меняется стоимость на управляющем элементе
0378 Минус у схемы только один, складной, у первых двух вариантов больше одного.

Сегодня поговорим об еще одном типе жизнеблока с элементом управления, который работает в линейном режиме. Но давайте посмотрим на этот блок жизни на прикладе конструктора, мне интересно, как это может быть так. Айже, на мой взгляд, неплохой початок для радиоаматора-початка, выберите один из основных аксессуаров.
Ну а то, как кажется, в важных виноват правильный блок жизни 🙂

Цей осматривается в поисках дополнительных ориентиров по началам, знания товарищей вряд ли известны кому-то еще.

Попросив взглянуть на конструктор, который позволяет мне выбрать основную часть лабораторного блока жизни.
Основные характеристики следующие (из выписки из магазина):
Входное напряжение — 24 Вольта
Выходное напряжение регулируемое — 0-30 Вольт по быстрому струму.
Жиклер внешнего управления — 2 мА — 3 А
Пульсации выходного напряжения – 0,01%
Розмири друкарская плея — 80х80мм.

Трохи об упаковке.
Прийшов Конструктор для специального полиэтиленового мешка, обмотки для мягкого материала.
Все необходимые компоненты, включая оплаченную плату.

Посередине все было толсто, но когда ничего не мешало, подручная плата часто защищала радиодетали.

Все, что входит в комплект, не передумываю, проще потом разобраться, посмотрю, скажу только, что все есть, все потерял.

Trochs о пошлине.
Это как чудо, схемы в комплекте нет, но все номиналы отмечены на плате.
Плата двусторонняя, покрыта кислой маской.

Плата за обложку, людіння, тот же текстолит отмінна.
У меня было всего несколько в одном месте, чтобы сломать патч у знакомого, и то после этого, если бы я попытался припаять нетривиальную деталь (зачем, буде).
На мой взгляд, для радиолюбителя-початкивца, будет актуально zip.

Перед установкой скрестил схему какая сторона жизни.

Схема отделки продумана, хотя и не без недостатков, но о них мы расскажем в процессе.
На схеме видна килька основных узлов, воссоздана их окраска.
Зеленый — вузол регулирование и стабилизация напряжения
Красный — вузол регулирование и стабилизация зоба
Фиолетовый — вузол _индикация перехода в режим стабилизации потока
Синий — опорное напряжение джерело.
Окремоє:
1. Входной диод и фильтрующий конденсатор
2. Мощность регулирующая вузол на транзисторах VT1 и VT2.
3. Захист на транзисторах VT3, который включает выход при живом рабочем подсоединении не в норме
4. Стимулирующий вентилятор стабилизатора жизни на микросхеме 7824.
5. R16, R19, C6, C7, VD3, VD4, VD5 Сквозной при наличии этого узла блок питания невозможен только в виде постоянного потока, необходим сам ввод переменного потока от трансформатора.
6. Конденсатор выходной С9, VD9, диод выходной.

Напишу шансы и недостатки схемного решения.
Плюсы —
Сайлент наличие стабилизатора для жизни вентилятора, но вентилятор потребляет 24 Вольта.
Еще тише наличие жижи отрицательной полярности, что значительно улучшит работу БП на потоках и напряжениях близких к нулю.
При подключении с наличием отрицательной полярности в цепь введен захист, при отсутствии напряжения будет включен выход блока питания.
БП, чтобы отомстить за эталонное напряжение 5,1 Вольта, что позволило не только правильно регулировать выходное напряжение и поток (при такой схеме напряжение и поток регулируются от нуля до максимума линейно, без «горбов» и «провалов» на крайних значениях), но и вызывает блок жизни, просто меняя напряжение карусели.
Слишком мал выходной конденсатор, что позволяет безопасно менять свет, разряда потока не будет, доки выходного конденсатора не разрядятся и БП не войдет в режим стабилизации потока.
Выходной диод необходим для защиты блока питания от питающего напряжения обратной полярности. Правда диод слабоват, лучше заменить на другой.

Минусы.
Струмовимирувальный шунт может быть слишком высоким опиром, поэтому при работе со струмом напряжение 3 Ампера на новом видно близко к 4,5 Ватт тепла. Резистор разрахования 5 ватт, но нагрев еще больше.
Входная диодная прозвонка из 3-х амперных диодов. Недаром диоды стоят не менее 5 Ампер, так что бренчание через диоды в такой схеме 1,4 от выхода, в роботизированном потоке через них может быть 4,2 Ампера, а сами диоды защищены на 3 Ампера . Ситуация проще у тех, кто ставит диоды в мост, чтобы они работали сами по себе, но все равно мы не знаем, что это правильно.
Большой минус в том, что китайские инженеры при выборе рабочих напряжений выбрали ОУ с максимальным напряжением 36 Вольт, но не подумали, что в схеме присутствует отрицательное напряжение и входное напряжение в этом варианте отключался на уровне 6-35 Вольт (13 31 Вольт). При входе 24 вольта ток будет близок к 32-33 вольтам.
Тобто. ОС применима к иностранному режиму (максимум 36 ce, штат 30).

Расскажу подробнее о плюсах и минусах, а так же о модернизации на будущее, и сразу перейду к более качественному складыванию.

Для початка выкладываем все те что есть до комплекта. Складывать проще, тот просто будет хорошо видно, что уже установлено, а что потеряно.

Рекомендую начинать складывание с самых нижних элементов, к тому, кто ставит заушники на спину, потом низко ставить будет неудобно.
Также быстрее устанавливать более похожие компоненты.
Начну с резисторов, а будут резисторы номиналом 10 КОМ.
Резисторы малые и могут быть с точностью до 1%.
Декилка слів о резисторах. Резисторы могут иметь цветовую маркировку. Bagatiom tse может быть инвалидом. На самом деле он короче нижней буквенно-цифровой маркировки, поэтому виден при любом положении резистора.
Не варто лякатится колірная маркировка, на стадии початка можно красить, а между тем ее видно и без нее.
Для просвещения ручного робота С такими комплектующими меньше надо запоминать две речи, которые нужны в жизни радиоаматору-початковцу.
1. Десять основных цветов маркировки
2. Номинальная серия, вонь не нужна при работе с точными резисторами серии Е48 и Е96, но резисторы побогаче.
Будь то радиоаматор с досвидом перерахуєєх просто по памяти.
1, 1.1, 1.2, 1.3, 1.5, 1.6, 1.8, 2, 2.2, 2.4, 2.7, 3, 3.3, 3.6, 3.9, 4.3, 4.7, 5.1, 5.6, 6.2, 6.8, 7.5, 8.2, 9.1.
Решта номиналы є умноженные на 10, 100 и т.д. Например 22к, 360к, 39ом.
Какая информация предоставляется?
А если есть те, что резистор к серии Е24, то, например, сочетание цветов —
Синий+зеленый+желтый для него невозможно.
Синий — 6
Зелень — 5
Желтый — x10000
Тобто. 650к идут за розами, а то в серии Е24 нет такого номинала, или 620 или 680, значит цвет опознания неправильный, или цвет изменений, или резистор в серии Е24, но он остается редкостью.

Гаразд, заканчивай теорию, идём дальше.
Перед установкой формирую резисторы из резисторов, вызываю дополнительный пинцет, а потом бью для небольшой самоуверенности.
Обрывки висновкив не спешат узнавать, бувай, что вонь может стать хорошей для прыгунов.

Установив еще я перешел на одинарные резисторы.
Тут может быть важнее, чаще можно перебрать номиналы.

Комплектующие не впаиваю, а просто откусываю и умираю лозы, а спинку сам откусываю, а потом умираю.
Воевать легко, плата подрезается под левую руку (типа ты правша), комплектующие устанавливаются сразу.
По правую руку бокоризи, висновку прикусываем (и нефе подряд несколько составных), а бок бокориза в складке висновки загибаем.
Это все слишком быстро для боя, еще через час уже на автомате.

Ось и подошла к остатку резистора, номинал нужного и тот что упущен, работает, уже плохо 🙂

Установив резисторы, переходим к диодам и стабилитронам.
Тут есть еще диоды, самые популярные 4148, два стабилитрона на 5. 1 Вольт кожаные, поэтому очень важно заблудиться.
Так же формируем висновки.

На плате катод смыслов ровненький, как на диодах и стабилитронах.

Если я хочу заплатить и могу надеть маску, но все же рекомендую завернуть висновки, чтобы они не ставили вонь на дорожки, так как пришел заказ, на фото диод был показан в передней части пути.

Стабилизаторы на бортах имеют маркировку, а также маркировку на них — 5В1.

Керамических конденсаторов в схеме не слишком много, но их маркировка может запутать радиолюбителя-початкивца. Перед речью она тоже под заказ Е24.
Первые две цифры номинал в пикофарадах.
Третья цифра — это количество нулей, которое необходимо добавить к номиналу
Тобто. для стыка 331 = 330пФ
101 — 100пФ
104 — 100000пФ или 100нФ или 0,1мкФ
224 — 220000пФ или 220нФ или 0,22мкФ

Устанавливается основное количество пассивных элементов.

После этого приступаем к установке операционных дотаций.
Без сомнения, я бы рекомендовал покупать панели до них, но я паял как є.
На плате, как и на микросхеме, обозначен первый выосновок.
Другие высновки вважаются против годовой стрелки.
На фото видно место под оперативный подсилувач и те, которые можно поставить.

У микросхем не убиваю все навороты, а только парочку, звучат только последние звоночки любой диагонали.
Ну так их лучше кусать, чтоб вонь стиралась примерно на 1мм выше борта.

Все, теперь можно переходить к пайке.
Я использую качественный паяльник с регулировкой температуры, но качественного паяльника хватает примерно на 25-30 Вт.
Припой диаметром 1 мм с флюсом. Марку припоя специально не указываю, для тех у кого много припоя на катушке (на катушке 1 кг мотков), и мало кто будет знать название йоги.

Как я уже писал дальше, плата проще, паять проще, никаких флюсов не застосовывал, втыкаю только то, что есть в припое, нужно только не забыть оторвать пух от джала.

Вот сделал фото с торцом пайки пайки и не более.
Виновата хорошая пайка, похожая на маленькую капельку, которая обвивается вокруг усов.
Эля на фото шпроты тумана, де припоя явно не хватает. Так проходи на двусторонней пластине с металлизацией (посередине отверстия есть заглушка для пайки), а вот на односторонней пластине работать не возможно, поэтому пайка может «развалиться».

Висновку транзисторов тоже нужно лепить вперед, надо работать, чтобы висновка не деформировалась к основанию корпуса (старшие догадываются легендарный КТ315, любили висновку делать).
Сожмите компоненты, и я все равно сформирую трохи. Формовка осуществляется таким образом, чтобы деталь стояла над платой, в таком случае она будет менее теплой, чтобы перенести ее на доску и не разрушиться.

Так выглядят литые резисторы на плате.
Все компоненты припаивались только снизу, припаивая как бачит на верхнюю часть платы, проникая в щель, открывая капиллярный эффект. Бажано припой таким образом, чтобы припой проникал в верхнюю часть, чтобы повысить прочность пайки, а во время важных компонентов улучшить стабильность.

Еще до того, как я отлепил комплектующие для дополнительных пинцетов, то для диодов мне уже нужны маленькие пассатижи с узкими губками.
Висновки отлиты примерно как резисторы.

Эль при установке отметок.
Насчет компонентов с тонкими наворотами, то установка сзади, потом подрезаем, потом по диодам все навпак. Ты только не загибайся после откусывания такого уса, то загибаем ус к той руке, то прядь откусываем.

Силовой вузол выбирался по застосуванням двух транзисторов, включенных по схеме Дарлингтона.
Один из транзисторов установлен на небольшой радиатор, обычно через термопасту.
В комплекте есть несколько винтов М3 чотири, один здесь.

Пару фото можно спаять. Установку клеммников и прочих компонентов описывать не буду, так как это интуитивно понятно, это видно по фотографии.
Перед выступлением есть клеммники, на плате установлены клеммники для подключения входа, выхода, вентилятора жизни.

Я еще не заплатил комиссию, желая часто платить цену на этом этапе.
Мы понимаем, что в будущем будет небольшая часть дополнительного финансирования.

После основного этапа отбора мы потеряли такие компоненты.
Сгоревший транзистор
Два сменных резистора
Два разъема для монтажа на плату
Две розы с проводами, перед речью провести помягче, и небольшой срез.
Три гинеи.

На затылке надо было поменять резисторы на самой плате, но так сильно воняет, что настилы не устанавливаются вручную, чего я не паял и показал просто для приклада.
Вонь будет стоять еще ближе и регулировать ее будет очень неудобно, хоть она и настоящая.

И еще не забыли подарить набор дротиков с розочками, очень кстати.
В таком виде резисторы можно разместить на передней панели аксессуара, а плату установить с удобной стороны.
Пренагидно впаял герметичный транзистор. Это великолепный биполярный транзистор, но у него может быть максимальная мощность, которую можно увеличить, до 100 Вт (естественно при установке на радиатор).
Потерял три шурупа, не пойму куда их вставлять, если платить блендами, то чотири надо, если передернуть тугой транзистор, то вонь короткая, загадка.

Можно прожить плату в виде трансформатора с напряжением до 22 Вольт (в характеристиках написано 24, но я объяснил почему такое напряжение нельзя нагрузить).
Я выришив використати, давно лежавшего в моем трансформере для подсилювача Романтика. Почему для, а не для того, который больше нигде не стоит 🙂
Этот трансформатор имеет две выходные силовые обмотки по 21 Вольт, две дополнительные обмотки по 16 Вольт и экранную обмотку.
Напряжение указано для входа 220, но так как у нас уже стандарт 230 в то же время, то выходное напряжение будет в три раза хуже.
Напряжение трансформатора Розрахункова приближается к 100 Вт.
Запараллелил витки силовых обмоток, чтобы взять больше потоков. Можно было сделать победную схему выпрямления с двумя диодами, но с ней лучше не будет, для того заполнив ее є.

Сначала попытайтесь понять. На транзистор поставил небольшой радиатор, но пусть такой вид сильно греется, осколки линейного БП.
Регулировка зума и вольтажа осуществляется без проблем, все сразу получилось, так что полностью могу рекомендовать конструктор.
Первое фото — стабилизация напряжения, второе — зоб.

Для початка пересмотрел как выглядит трансформатор после выпрямления напряжения, осколками указано максимальное выходное напряжение.
У меня получилось около 25 вольт, не много. Емкость фильтрующего конденсатора 3300 мкФ, хотелось бы увеличить, но хотелось бы видеть в таком виде много практичности.

Так вот, что касается дальнейшей перепроверки, то нужно было застосовывать нормальный радиатор, далее я перешел к подбору всех возможных конструкций, и установка радиатора залежалась в задуманном исполнении.
Я отремонтировал лежащий у меня радиатор Igloo7200. По заявлению строителя, такой строительный радиатор может производить до 90 Вт тепла.

В надстройке будет корпус Z2A для идеи польского производства, цена близка к 3 долларам.

Хочу немного посмотреть на дело, которое есть у моих читателей, у которых я беру всякие электронные штучки.
Для этого я выбрал корпус трохи поменьше и перед новым купил вентилятор с ситом, но всю начинку положил в него, а добавили еще корпус и видимо еще вентилятор.
В обоих випадах я купил вентиляторы Sunon, мне тоже нужна продукция этой фирмы, поэтому в оба випада я купил вентиляторы на 24 Вольта.

Ось так задумана, виновата установка радиатора, платы, того трансформатора. На расширение начинки уходит много времени.
Вентилятор посередине поставить, не получилось, так сделано для распространения имени.

Розмичаемо открытое крепление, наризаемо разблення, привинчуемо к сверке.

Так как корпус имеет внутреннюю высоту 80мм, и плата тоже имеет такой размер, я закрыл радиатор так, чтобы плата вышла симметрично по высоте к радиатору.

Штуцеры жесткого транзистора тоже нужно отформовать, чтобы вонь не деформировалась при прижатии транзистора к радиатору.

Маленький вход.
Виробник, придумав место для установки маленького радиатора, через него, при установке нормального, выйти так, чтобы стабилизатор жизни вентилятора и розетка для подключения обязательна.
У меня случилось припаять, а место было де вонючее, заклеил скотчем, чтоб не прилипал к радиатору, ибо на новый сильно давит.

Зайвый скотч с обратной стороны отрезал, а то выглядело как то коряво, роботизировано по феншу 🙂

Вот так выглядит плата с остаточно установленным радиатором, транзистор установлен через термопаста, а термопасту лучше ставить хорошую, так транзистор становится толще, что прочнее жесткого процессора, то. близко к 90 Вт.
Заодно сделал отверстие для установки платы регулятора скорости вращения вентилятора, так как все равно пришлось все переупрочнять 🙂

Для установки нуля повернуть регуляторы в крайнее левое положение, включить напряжение и установить выход на ноль. Теперь выходное напряжение регулируется от нуля.

Дал образец тестов.
Я пересмотрел точность входного напряжения.
Холостой ход, напряжение 10,00 Вольт
1. Напряжение удара 1 А, напряжение 10,00 Вольт
2. Напряжение удара 2 Ампера, напряжение 9,99 Вольта
3. Напряжение удара 3 Ампера, напряжение 9,98 Вольта.
4. Напряжение бренчания 3,97 Ампер, напряжение 9,97 Вольта.
Характеристики еще хуже, для баяна їх можно еще немного улучшить, изменив точку подключения резисторов заводной зв’азку на напряг, але як на ме, досить и тд.

Итак перепроверил пульсацию пульсаций, перепроверка прошла при токе 3 Ампера и внешнем напряжении 10 Вольт

Пульсация пульсаций приближалась к 15мВ, что даже лучше, хотя, думая, что показанные на скриншоте пульсации действительно были, они полезли больше через электронный привод, ниже в сам БП.

После этого я, начав перед ковырянием, приделаю костер.
Начиная от установки радиатора от платы до блока жизни.
На какое место установлен вентилятор и розетка для подключения гостиной.
Проем не круглый, с небольшими зризами в горах и ниже, вонь нужна для увеличения прочности задней панели после открытия двери.
Открывающаяся форма для наибольшего складывания, например, под розы жизни.

Большое открытие отклонилось от большого покупайте маленькие 🙂
Сверло + сверло диаметром 1мм творит чудеса.
Открыто жестко, открыто широко. Уходить можно, это долго и нудно. Ні, навpаки, це дугообразны, снаружи просверленная панель занимает около 3 хвін.

После этого ставлю сверло большего размера, например 1,2-1,3мм и прохожу им как фрезой, выходит такое отверстие:

После этого берём в руки маленькое дно и зачищаем, заодно срезаем немного пластика, который чуть меньше раскрылся. Чтобы закончить пластиковую мьяку, сделать это несложно.

На последнем этапе подготовки, открываем застежку, можно сказать, что основная работа над задней панелью завершена.

Устанавливаем радиатор с платой и вентилятором, сверяем результат при необходимости «дополнительно на доп файл».

Майже на початке, про доробку догадался.
Я тебе дорогухитиму троч.
Для коба заменил правые диоды на месте диода входа на диод Шоттки, на это чотири купил штук 31DQ06. И тут повторил извинение ритейлеров платить, купив диоды на такой же бренчание по инерции, а надо было побольше. Но все равно нагрев диодов будет меньше, к тому падение на диодах Шоттки меньше, на более высоких ниже.
Мой друг, я починил шунт. На меня не повлияли не только те, которые греются как огонь, но и те, которые падают вплотную к 1,5 Вольтам на новом, который можно пустить справа (в смысле тщеславия). Для этого я взял два резистора 0,27 Ом 1% (для повышения стабильности). Почему так не разбили продавцы, я так и не понял, цена решения абсолютно такая же, как и в варианте с теми же резисторами на 0,47 Ом.
Ну так уже лучше, в качестве дополнения заменил другой фильтрующий конденсатор 3300 мкФ, больший конденсатор и третий Капксон 10000 мкФ.

Так выглядит конструкция, сделанная из замененных компонентов и установленной платы терморегулирования вентилятора.
Это была мелочь колгоспно, а до этого я випадково зірвав один пятачок на плате за час установки герметичных резисторов. На флешке можно спокойно ставить резисторы поменьше, например один на 2 ватта, у меня просто не получилось.

Снизу также была добавлена россыпь компонентов.
Резистор на 3,9к, параллельно крайним контактам гнезда для подключения резистора регулирования потока. Vin нужен для изменения напряжения регулирования, у нас теперь небольшие всплески напряжения на шунтах.
Пара конденсаторов на 0,22 мкФ, один параллельно выходу резистора регулирующего поток, менять, ставить, другой просто на выходе живого блока, особо не нужен, просто что я просто раздаю парочку и устраняю оскорбление.

Все силовые части подключены, по ходу на трансформатор установлена плата с диодным мостом и конденсатором на срок службы индикатора напряжения.
Сзади большой рахунок, плата необовязковая в рядном исполнении, но чтобы жил индикатор в бордюре для новых 30 Вольт у меня рука не поднялась и я перемотал доп обмотку на 16 Вольт .

Для организации передней панели мы использовали следующие компоненты:
Клемы для соединительного соединения
Пара металлических ручек
Вимич лайф
Светофильтр Червоный, применения в качестве светофильтра для корпусов КМ35
За индикацию зоба и напряжения я заплатил плату, которую потерял после написания одной из них. В Alemen не преобладали маленькие индикаторы, и они купили более крупные цифры высотой 14 мм, а перед ними была подготовлена плата.

Взагали данное решение тимчасов, но я хотел навить тимчасово робити аккуратно.

Декілка этапів подготовкo передней панели.
1. Полноразмерный макет передней панели (использовал використ Sprint Layout). Преимущество остановки тех же кейсов для тех, кто готовит новую панель, еще проще, для тех, кто уже знает необходимые изменения.
Прикладываем отверстия к передней панели и в углах квадратных/прямых отверстий, просверленных диаметром 1мм. Тим таким же сверлом насверливает центр другого отверстия.
2. По отверстиям, которые мы увидели, мы можем отличить розу. Замена инструмента на тонкий дисковый резак.
3. Прорезаем прямые, спереди четко за бортиками, сзади чуть больше, так максимально прорезаем.
4. Виламуемо выразани кусочки пластика. Я их не воспеваю, ибо тому, кто воняет, может повезти.

Аналогично, при подготовке задней панели возможно открытие для дополнительного ножа.
Открывайте большой диаметр, рекомендую сверлить конусным сверлом, пластик не грызет.

Сверяем те что у нас были, по надобности дополним на дополнительный файл.
У меня была возможность немного расширить отверстие.

Как я уже писал, для индикации я выиграл гонорар, который был потерян после одного из прошлых просмотров. Взагали, еще хуже решение, но для часового варианта более подходящее, позже объясню почему.
Платим за индикаторы и розы, называем старые индикаторы и новые.
Нарисовал себе подвал обоих индикаторов, чтобы не заблудился.
В аналогичном варианте были використан четырехструнные индикаторы, остановились трехструнные. больше он не влезал в меня в окно. Але оскілки четвертого порядка нужны только для брожения букв А чи У, их ввод не критичен.
Световой индикатор режима обмена потоком розташував между индикаторами.

Готовлю все необходимое, со старой платы убираю резистор 50мОм, который как и раньше будет победным, как вимирувальный шунт.
Ось из шунта и выявлена проблема. Справа в этом варианте у меня будет падение напряжения на выходе на 50мВ на 1 Ампер питающего напряжения.
Решить эту проблему можно двумя способами, соединить две ступени измерения, по потоку и по напряжению, заодно подав питание на вольтметр от источника питания.
Другой способ — установить шунт на положительный полюс БП. Обидевшие меня варианты не устроили меня по срокам принятия решения, по тому, наступив на горло моему перфекционизму и всепрощающему прощению, вариант, но далеко не лучший.

Для дизайна я выбрал монтажные кронштейны, которые не использовались на плате преобразования постоянного тока в постоянный.
Сзади у меня была более прочная конструкция, плата индикатора крепится к плате ампервольтметра, как крепится к клеммнику питания.
Вышло лучше пониже, я проверял 🙂
Так же на плате силовых клемм я расставил струйно-шунтирующий шунт.

Оформление передней панели в итоге.

А потом сообразил, что забыл поставить более тугой гасящий диод. У меня был шанс выпить йогу навсегда. Победил диод, который потерял после замены диодов на входном мосту и плате.
Звичайно, по хорошему надо добавить запобіжник, но его уже нет в этой версии.

А ось резистора и регулировка зума и вольтажа, короче выражаюсь, нижняя т, вроде пропая виробник.
Родной цилиндр ясен, и может плавно скрыться, а это значит, что резисторы и как на мне лабораторный прибор жизни виноваты в способности матери более точно регулировать выходное напряжение и зоб.
Если я думал о получении платы БП, то я пошел в магазин и посмотрел на них, это больше, потому что они воняют тем же номиналом.

Начал застосовать для таких целей другие резисторы, вонь у себя дома два резистора, для грубой и плавной регуляции, но в остальное время не могу их узнать в продаже.
Может кто знает их импортные аналоги?

Резисторы с циклом электричества, нарезанные на оборот 3600 градусов, или по-простому — 10 новых оборотов, что обеспечит рецикл 3 Вольта или 0,3 Ампера на 1 оборот.
С такими резисторами точность регулирования примерно в 11 раз точнее самой значительной.

Новые резисторы согласованы с другими, размеры разительно отличаются.
Беременно, укоротил трохи на резисторы, виноват добавить сопротивление на решкод.

Упаковав все в кейс в принципе осталось мало места, куда расти 🙂

Соединил экранную обмотку с розеткой заземляющего проводника, плату доп жизни разводил прямо на клеммы трансформатора, не очень аккуратно, но другого варианта пока не придумал.

Перепроверьте после выбора. Все завелось с первого раза, я смутно перепутал два разряда на индикаторах и долго не мог понять, что регулировка не та, после запоминания все стало как надо.

Последний этап — приклеивание светофильтра, установка ручек и складывание корпуса.
Светофильтр можно утончить по периметру, основную часть утопить в наружный кожух, а большую часть приклеить на двухсторонний скотч.
Ручки стояли впритык, с диаметром стержня 6,3мм (не ошибаюсь), у новых резисторов стержень тоньше, довелось на стержень надеть пару термоусадочных шариков.
Я пока доделал переднюю панель, на это есть две причины:
1. Управление настилом интуитивно понятно, что особой сенсации в писаниях нет.
2. Планирую сделать дополнительную операцию denmark block life, можно изменить дизайн передней панели.

Пара фотографий получившейся конструкции.
Вид спереди:

Вид сзади.
Уважаемые читатели единогласно упомянули, что вентилятор должен стоять так, чтобы он видел горячий воздух снаружи корпуса, а холодный не дул между ребрами радиатора.
Меня так волновало то, что радиатор по высоте в три раза меньше корпуса, чтобы не грелось в середине, поставил вентилятор сбоку. Это значительно снижает эффективность подводимого тепла, но позволяет немного увеличить вентиляцию и пространство в середине блока питания.
Додатково, я бы рекомендовал вскрывать кильку внизу нижней половины корпуса, но тут уже более тесное дополнение.

После всех переделок у меня на три бренчания меньше, по первому варианту ниже, и приближается к 3,35 Ампер.

И так, попробую нарисовать плюсы и минусы платы.
Плюсы
Відминна якість изготовления.
Майже правильная схемотехника.
Новый комплект деталей для выбора пластины стабилизатора для жилого блока
Просьба обращаться к радиолюбителям-початковцам.
При минимальном внешнем виде важнее только трансформатор и радиатор, более расширенный, чем амперметр-вольтметр.
Повнистю после выбора працездатно, даже с некоторыми нюансами.
Отсутствует количество конденсатов в выхо- де АД, безопасных под час реверии светлых йодов.

Минуси
Неправильно выбранный тип оперативного дочернего устройства, диапазон входного напряжения обусловлен бути окружающей среды на уровне 22 Вольт.
Ненамного больше номинала резистора вимирування бренчания. Вин работает в нормальном тепловом режиме для нового, а лучше его заменить, потому что нагрев еще больше и может навредить неподходящим компонентам.
Входной диод работает на максимуме, лучше заменить диод на нижнем

Моя мысль. В процессе складывания у меня возникла неприязнь, что схему ломали два разных человека, один фиксировал правильный принцип регулирования, кончилось опорное напряжение, давила минусовая полярность, захист. У другого неправильно поставили шунт справа, операционное проседание и второе место.
Схемотехника, которую я добавлю, более чем стоила того, и я разделил коробки, желая заменить рабочее напряжение, купить микросхемы с максимальным рабочим напряжением 40 Вольт, а потом передумал их добавлять. Но в другом решении правильнее допилить, регулировка более плавная и линейная. Отопление колоссальное, без нового никуда. Загали як на меня, значит для радиолюбителя-початковца, тем более нескромность и корисный конструктор.
Люди в одиночку умеют писать, что проще купить готовый, но я думаю, что лучше выбрать самому и цикавише (однозначно, это наигольнее) и коричнее. Кроме того, богатые люди без труда найдут и трансформатор, и радиатор от старого процессора, и вроде коробку.

Даже в процессе написания я все меньше и больше оглядывалась, чувствовала, что этот взгляд будет началом череды взглядов, отнесенных к линейному блоку жизни, и мысли надо дополнить.
1. Перевод цепей индикации и индикации в цифровой вариант, возможно путем подключения к ЭВМ
2. Замена действующей подстанции на высоковольтные приборы (для яков пока не знаю)
3. После замены оп- усилителя, хочу увеличить два каскада, которые автоматически переключаются, и расширить диапазон выходного напряжения.
4. Изменить принцип вымирания струмы на насадке так, чтобы не было падения напряжения при нагрузках.
5. Добавить возможность отключения выходного напряжения кнопкой.

На чем, может быть, и все. Может быть, я догадаюсь и добавлю больше или проверю больше комментариев с едой.
Так же в планах еще немного посвятить конструкторам для радиоаматоров-початковцев, возможно у кого-то есть предложения по приводу поющих конструкторов.

Не для людей со слабыми нервами
Тыльную сторону показывать не хотим, но потом выложим фото.
Леворучка блокирует жизнь, как будто я живу богатой роков до этого.
Это простой линейный БП с выходной мощностью 1-1,2 Ампера при напряжении до 25 Вольт.
Я хочу изменить ось йоги, чтобы она была более жесткой и правильной.

Сколько этих радиоустановок выберут радиолюбители, но основа, без которой не осуществимо, это практическая схема — жилой блок. Ввиду чего только не пытайтесь зарядить майстри-початковцев их навесным оборудованием — аккумуляторами, китайскими переходниками, зарядками для мобильных телефонов… У меня часто не получается собрать приличный жилой блок. Звичайно промысловість впускает дозу акісних и жестяных стабилизаторов напряжения и тока, а не скіз вони продаются и не все могут их купить. Спать своими руками легче.

Предложена схема простого (всего 3 транзистора) блока жизни, который точно подстраивается под точное значение выходного напряжения — здесь компенсационная стабилизация, надежность запуска, широкий диапазон регулирования и дешевизна, отсутствие -установлены дефектные детали. Плата за формат Lay отличается.

При правильном складывании подбирается только стабилитрон по необходимым значениям максимального выходного напряжения БП.

Корпус робимо из того что под рукой. Классический вариант – металлический ящик, похожий на компьютерный блок питания АТХ. Упевнения, жень має їх чимало, тот, кто воняет, сгорает иногда, а купить новый проще, ниже лагодити.

Рядом с корпусом замечательно поместился трансформатор на 100 ватт, и место для деталей есть.

Кулер можно не брать — брать не будем. Но не шумит, а просто живо через резистор связи по бренчанию, который подбираете опытным путем.

Для передней панели не поскупитесь и купите пластиковую коробку — в ней можно вручную открыть те самые прямоугольные окошки для индикаторов и регуляторов.

Амперметр бемо стрелка — чтоб хорошо было видно бренчание бросает, а вольтметр ставить на чирову — так лучше и красивее!

После складывания регулируемый блок жизни переворачивается в робота — вин виноват давать нижний ноль при нижнем (минимальном) положении регулятора и до 30В — при крайнем Топ. Подключив напряжение к амперлогу — поражаемся выходному напряжению. Вон может быть и минимальным.

Загалом, при всей своей простоте, этот жилой блок однозначно один из лучших по своим параметрам. При необходимости в новый вузол можно добавить захист — шпрот зайных транзисторов. Как бороться, полюбуйтесь на форумы. Подобрал схему и опробовал — Марс.

Обсудить статью LIFE UNIT 0-30V

Лабораторный жилой блок (ЛБП) на транзисторах типа 2N3055 или других толкающих N-P-N транзисторах, например, 2SC3281, TIP3055, 2N3771, 2SD1047 (навигация КТ809А на практике) с диапазоном регулирования выходного напряжения 0-30В и потоком 0,02-3А (можно «разбить» до большего потока, то 🙂 потока. может функционировать обмен внешним потоком с указанием повышенного режима.

Друкованная плата подготовлена с маской и маркировочными элементами на лицевой стороне. На плате есть место выпрямления из каких-то зашитых диодов со сглаживающим фильтром. В верхней части пластины просверлено отверстие, через которое можно закрепить радиатор регулирующего транзистора. Подключение проводов к трансформатору, вентиляция вентилятора, обдувающего радиатор, осуществляется с помощью винтовых клемм, которые установлены на плате. На плате поставлен стабилизатор 7824 с выходным напряжением 24В постоянной струи для подачи воздуха вентилятора на радиатор. Переменные резисторы для регулирования выходного напряжения и потока установлены прямо на плате. Когда эта плата может быть закреплена без середины на передней панели корпуса блока за дополнительными штатными шайбами и гайками самих сменных резисторов — сменный резистор устанавливается в плате так, чтобы в виду другой платы этот край крепежный фланец переключающего резистора находится на одном уровне. Сменные резисторы можно установить за отдельную плату и соединить проводами. Как регулирующий элемент биполярного стаза 9Транзистор 0512 n-p-n . В набор входит транзистор 2N3055 в металлическом корпусе типа ТО-3. На плате переноса открыть транзистор в корпусе ТО-247. Для повышения надежности номинального потока ЛШП возможно параллельное соединение нескольких транзисторов с установкой в эмиттерах резисторов 0,1 Ом/5Вт. Пробовал «Vantage! ЛШП до 5…6А — все нормально. Считаю, что лучше перекрыть холодный хард диод место на радиаторе в середине деки с хард транзисторами и винить копья Струмова за плату, чтоб текстолит не пострадал :), то можно ЛШП и поплотнее, пониже заявленное…

Изменение выходного напряжения при включении и включении не отмечено.

Технические характеристики:

Входное напряжение: максимум 24 В

Внешний контакт: 0,02…3 А

Наличие индикатора режима обезвоживания выходящего потока:

Наличие вибромоста и конденсаторов, которые должны быть сглажены: є

Пульсации выходного напряжения: макс. 0,01 %

Для блока жилого необходим трансформатор со вторичной обмоткой на напряжение 24В, встроенный витримуват 3А, короче 4А. Принципиальная схема блока жизни указана ниже:

Изменение и обозначение компонентов схемы

ВОЛЬТМЕТРИЧЕСКИЙ и АМПЕРМЕТР с семисегментным Светодиод Индикаторы

Демонстрация работы лабораторного блока жизни :

Разновидность платья ручной работы с маской и разметкой 98х80 мм: 85 грн

Разновидность набора деталей с другими платами для складывания ЛШП с транзистором ТИП35 в корпусе ТО-247 (ручки для смены резисторов в комплекте): 235 грн

Разнообразие выбранных и повторно проверенных плат LSHP ( ручки для смены резисторов в комплекте) : 280 грн

Краткая инструкция перед использованием набора и складского набора

Передаю почтение тем, кто видел постоянное напряжение этого ЛШП, не сделаешь!

Питание на плату должно подаваться напрямую от вторичной обмотки трансформатора.

Бронирование можно сделать через форму или по телефону

Мирного неба, удачи, добра, 73!

Эта регулировка живого блока разбита по еще более широкой схеме (то же самое успешно повторено уже сотни раз) на импортных радиоэлементах. Выходное напряжение меняется плавно в диапазоне 0-30 В, перенапряжение может достигать 5 ампер, но если заклинит трансформатор не слишком туго — с нового можно взять 2,5 А.

Схема блока питания с регулировкой бренча и напряжения

Схема важна

R1 = 2,2 КОм 1Вт

R2 = 82 Ом 1/4 Вт

R3 = 220 Ом 1/4 Вт

R4 = 4,7 кОм 1/4 Вт

R5, R6, R13, R20, R21 = 10 кОм 1/4 Вт

R7 = 0,47 Ом 5 Вт

R8, R11 = 27 кОм 1/4 Вт

R9, R19 = 2,2 кОм 1/4 Вт

R10 = 270 кОм 1/4 Вт

R12, R18 = 56 кОм 1/4 Вт

R14 = 1,5 кОм 1/4 Вт

R15, R16 = 1 кОм 1/4 Вт

R17 = 33 Ом 1/4 Вт

R22 = 3,9 кОм 1/4 Вт

RV1 = триммер 100K

P1, P2 = 10 кОм линейный понтезиометр

C1 = 3300 мкФ/50 В электролитический

C2, C3 = 47 мкФ/50 В, электролитический

C4 = полиэстер 100 нФ

C5 = полиэстер 200 нФ

C6 = 100 пФ керамика

C7 = 10 мкФ/50 В электролитический

C8 = 330 пФ керамика

C9 = 100 пФ керамика

D1, D2, D3, D4 = 1N5402,3,4 диод 2А — RAX GI837U

Д5, Д6 = 1N4148

D7, D8 = стабилитрон 5,6 В

Д9, Д10 = 1N4148

D11 = 1N4001 диод 1A

Q1 = BC548, транзистор NPN или BC547

Q2 = 2N2219 NPN-транзистор

Q3 = BC557, транзистор PNP или BC327

Q4 = 2N3055 Силовой транзистор NPN

U1, U2, U3 = TL081, операционный усилитель

D12 = светодиод

Вариант оси цієї схема:

Детали для выигрыша

Вот трансформатор ТС70/5 (26 В — 2,28 А и 5,8 В — 1 А). При этом 32 вольта это второе напряжение. Операторы uA741 были заменены на TL081 в этом варианте, пахло зловонием. Транзисторы тоже не критичны — аби только для бренчания и упругой посадки, тот что для конструкции естественно.

Самодельная плата с деталями

Световой диод сигнализирует о переходе в режим ST (стабильный поток). Это не короткий звон перехода, а стабилизация бренчания — основная функция роботизированного блока жизни. Можно викить, например, для зарядки аккумуляторов — в холостом режиме выставляется последнее значение напряжения, потом включаем дротик и выставляем водообмен. На первой фазе заряда БП работает в режиме СТ (горит светодиод) — зарядный поток так устанавливается, и напряжение растет нормально. Если в мире заряда батареи напряжение достигает установленного порога, лайфблок переходит в режим стабилизации напряжения (СН): свет гаснет, поток начинает меняться, а напряжение остается на заданном уровне.

Граничное значение напряжения жизни на конденсаторе фильтра 36 В. Следите за этим напряжением — иначе не увидите!

Иногда можно установить два потенциометра для регулировки струмы и напряжения по принципу грубой и точной регулировки.

Глядя на середину корпуса на индикаторе

Проволокой середину варто связать в джгути тонкими кабельными стяжками.

Диод и транзистор на радиаторе

Корпус самодельного жилого дома

Для БП використано корпус модели Z17W. Плата закреплена в нижней части, прикручена к днищу шурупами 3 мм. Под корпусом крепятся резинки черные нижки как крепления для жестких пластиковых, как були в комплекте. Это важно, иначе при нажатии на кнопки и заворачивании регуляторов жилой блок «прыгает» по столу.

Блок управления: самодельный

Надписи на лицевой панели крошим в графическом редакторе, потом еще на самоклеющейся бумаге creed. Ось была такая самоуверенность, и как таковой такой зажатости вам мало.

Многие радиоаматорные блоки жизни (БП) установлены на микросхемах КР142ЕН12, КР142ЕН22А, КР142ЕН24 и им подобных. Нижняя граница регулирования этих микросхем устанавливается на уровне 1,2…1,3 В, а наоборот требуемое напряжение составляет 0,5…1 В. Автор предлагает ряд технических решений БП на основе этих микросхем.

Интегральная микросхема (ИСК) КР142ЕН12А (рис. 1) со стабилизатором напряжения компенсационного типа в корпусе КТ-28-2, позволяющая управлять приставкой струей до 1,5 А в диапазоне напряжений 1,2 В. .. 37 В. может быть термостабильным струмом и струмом из короткого стрекотания.

Рис. 1. ИМС КР142ЕН12А

На базе ИИС КР142ЕН12А можно навести регулирование жилого блока, схема которого (без трансформатора и диодного моста) представлена на рис. 2. Выпрямленное входное напряжение подается с диодного моста на конденсатор С1. Транзистор VT2 и микросхему DA1 установить на радиатор. Термофланец DA1 электрически соединен с 2, поэтому DA1 и транзистор VD2 установлены на одном радиаторе, необходимо изолировать один от одного. В авторском варианте DA1 установлен на маленьком радиаторе, не связанном гальванически с радиатором и транзистором VT2.

Рис. 2. Регламент БП по ІС КР142ЕН12А

Мощность, которая обусловлена микросхемой с подводами тепла, не грешит превышением 10 Вт. Резисторы R3 и R5 составляют расширитель напряжения, который должен быть включен в вимировочный элемент стабилизатора, и выбираются по формуле:

Uвор = Uвор.мин (1 + R3/R5).

На конденсатор С2 и резистор R2 подается стабилизированное отрицательное напряжение -5 В (служат для выбора термоустойчивой точки VD1).

Для защиты от звука обмотки стабилизатора достаточно подключить параллельно резистору R3 электрический конденсатор номиналом не менее 10 мкФ, а резистор R5 зашунтировать диодом КД521А. Разборка деталей некритична, но необходима хорошая термостойкость для подбора типов резисторов. Вам нужно развернуться, чтобы получить от Джерел тепла. Общая стабильность внешнего напряжения формируется множеством факторов и после прогрева не превышает 0,25%.

После включения этого нагрева добавлю минимальное выходное напряжение 0 Устанавливаем резистором Радд. Резисторы R2 (рис. 2) и резистор Радд (рис. 3) являются высокоомными за счет субстроювальных из серии СП5.

Рис. 3. Схема включения Радд

Емкость бревна на микросхему КР142ЕН12А 1,5 А. В текущем часе продажа ¾ микросхем с аналогичными параметрами, но на бОльший бренч у приемника, например, LM350 — на 3 А бренча, LM338 — на 5 Бренчание. Данные для этих микросхем можно узнать на сайте National Semiconductor.

Остаток часа в продаже появились импортные микросхемы из серии LOW DROP (SD, DV, LT1083/1084/1085). Цифровые микросхемы могут работать при снижении напряжения между входом и выходом (до 1…1,3 В) и обеспечивать стабильное напряжение на выходе в диапазоне 1,25…30 В при потоке на входе и выходе 7,5 В. /5/3 А . Ближайший аналог типа КР142ЕН22 по параметрам брака, максимальный жиклер стабилизации 7,5 А.

При максимальном выходном потоке режим стабилизации обеспечивается вибратором при входном-выходном напряжении не менее 1,5 В.

Эти стабилизаторы обеспечивают нестабильность выходного напряжения 0,05%/В, нестабильность выходного напряжения при изменении выходного тока на 10 мА до максимального значения не выше 0,1%/В.

На рис. 4 представлена схема блока питания домашней лаборатории, позволяющая использовать транзисторы VT1 и VT2, показанные на рис. 2. Замена микросхемы DA1 КР142ЕН12А Заменена микросхема КР142ЕН22А. Цель регулирования — стабилизатор с малым падением напряжения, позволяющий увеличить напряжение бренчания до 7,5 А.

Максимальное напряжение на выходе стабилизатора Pmax можно рассчитать по формуле:

P max = (U вх — U крут) I крут,
de U вх — входное напряжение, которое подается на микросхему DA3, U вх — выходное напряжение на входе, I вх — входной поток микросхемы.

Например, входное напряжение, подаваемое на микросхему, U вх = 39 В, выходное напряжение на вход U вх = 30 В, поток на вход I вх = 5 А, тогда максимальное напряжение , который питается от микросхемы, установлен на 45 Вт.

Электролитический конденсатор С7 фиксированный для снижения выходного сопротивления высоких частот, а так же понижения уровня напряжения шумов и улучшения сглаживания пульсаций. Если это танталовый конденсатор, то его номинальная емкость не менее 22 мкФ, если алюминиевый — не менее 150 мкФ. Для потребления конденсатора С7 можно увеличить.

Если электрический конденсатор С7 расширен на ширину более 155 мм и соединен с блоком питания проводом менее 1 мм, то на плате параллельно конденсатору С7, ближе к самой микросхеме, установить дополнительную электрическую конденсатор емкостью не менее 10 мкФ.

Емкость фильтрующего конденсатора С1 можно оценить примерно в 2000 мкФ на 1 А выходного потока (при напряжении не менее 50 В). Для уменьшения температурного дрейфа выходного напряжения виноват резистор R8 либо обмотка, либо металлофольга с разницей не более 1%. Резистор R7 такой же, как и R8. Так как стабилитрон КС113А отсутствует, можно остановить вузол, показания на рис. 3. Схематичное решение захисту, направленное на то, чтобы автор в целом влаштову, осколки працює молчал и переворачивал на практике. Можно використововать, является ли это схемным решением защиты БП, например, предложенным в . В авторском варианте при срабатывании реле К1 включаются контакты К1.1, закорачивающий резистор R7, и напряжение на Выход блока питания становится 0,

Плата блока питания спроектирована и схема расположения элементов представлена на рис. 5, старый вид БП – на рис. 6. Размер платья 112 х 75 мм. Радиатор холодный. Микросхема DA3 изолирована от радиатора прокладкой, которая крепится к новой за дополнительной стальной пружинной пластиной, прижимающей микросхему к радиатору.

Рис. 5. Скорректирована плата блока питания и распределение элементов

Конденсатор С1 типа К50-24 сложен из двух параллельно соединенных конденсаторов емкостью 4700 мкФх50 В. Возможна установка импортного аналога конденсатора типа К50-6 емкостью 10000 мкФх50 В. Конденсатор С7 производства Weston емкостью 1000 мкФx50 В. Конденсатор С8 на схеме не показан, но вскрыть его на другой плате. Можно вставлять конденсатор номиналом 0,01…0,1 мкФ на напряжение менее 10…15 U.

Рис. 6. Звездный вид БП

Диод VD1-VD4є импортный диодный микронакопитель RS602, розрахован на максимальный ток 6 А (рис. 4). В схеме защиты БП установлено реле ПЭМ10 (паспорт РС4524302). В авторском варианте завал резистор R7 типа СПП-ЗА с изменением параметра в три раза более 5%. Резистор R8 (рис. 4) виноват в мате розкидах при заданном номинале троха более 1%.

Озвученный на линии блок жизни не останавливается и начинает работать сразу после выбора. После прогрева блока резистором R6 (рис. 4) или резистором Rдоп (рис. 3) установить 0 при номинальном значении R7.

В данную конструкцию втыкается силовой трансформатор марки ОСМ-0,1 УЗ мощностью 100 Вт. Магнитопровод ШЛ25/40-25. Первичная обмотка 734 витка проводом ПЭВ 0,6 мм, обмотка II 90 витков проводом ПЭВ 1,6 мм, обмотка III 46 витков проводом ПЭВ 0,4 мм от отверстия посередине.

Откидной диод РС602 можно заменить на диоды не менее 10 А по потоку, например, КД203А, Б, Д или КД210 А-Г (так что диод ОКремо не ставить, возможно придется перестраивать другая доска).

Основные характеристики стабилитрона КС113А

Принцип работы стабилитрона КС113А

Область применения стабилитрона КС113А

Особенности подключения стабилитрона КС113А

Сравнение КС113А с аналогами

Типовые схемы применения КС113А

Простой стабилизатор напряжения

Источник опорного напряжения

Рекомендации по выбору стабилитрона

Заключение

Стабилитрон КС113А

Отличие стабилитрона от стабистора

Стабистор принцип работы и основные характеристики

Стабилитроны и стабисторы: классификация, устройство, принцип и режимы работы, основные параметры, применение

Стабилитрон

Туннельный и лавинный пробой

Классификация стабилитронов

Стабистор

Применение стабилитронов и стабисторов

Основные параметры

Технические характеристики стабилитронов

Таблица технических характеристик стабилитронов

Похожие записи

Характеристики отечественных стабилитронов

КРЕН12А характеристики микросхемы: схема подключения, распиновка КР142ЕН12А

Основные параметры

Максимальные параметры

Аналоги

Регулировка напряжения

Стабилизированный регулируемый блок питания с защитой от перегрузок

Список радиоэлементов

Теги:

Сетевой адаптер для пейджера

KS112 — Активные сабвуферы

Ресурсы

Аксессуары

публикаций Мирко ван дер Баана

Европа PMC

путешествие – Блог Келси

Кауаи Бичфронт Кондо — Кухио Шорс #113

Жилой блок 30 вольт 10 ампер. Регуляторный блок жизни с власноруч. Технические характеристики жилого блока

Схема блока питания с регулировкой бренча и напряжения

Детали для выигрыша

Корпус самодельного жилого дома

Похожие записи

Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

Добавить комментарий Отменить ответ