Что такое стабилитрон КС527. Каковы его основные характеристики. Где применяется стабилитрон КС527. Как работает стабилитрон КС527. Какие преимущества у стабилитрона КС527.
Основные характеристики стабилитрона КС527
Стабилитрон КС527 представляет собой полупроводниковый прибор, предназначенный для стабилизации напряжения. Вот его ключевые параметры:
- Напряжение стабилизации: 27 В (номинальное значение)
- Ток стабилизации: 5 мА
- Максимальный ток стабилизации: 30 мА
- Минимальный ток стабилизации: 1 мА
- Мощность рассеивания: 1 Вт
- Диапазон рабочих температур: от -60°C до +125°C
- Корпус: металлостеклянный с гибкими выводами
Эти характеристики позволяют использовать КС527 в различных электронных схемах для получения стабильного опорного напряжения 27 В.
Принцип работы стабилитрона КС527
Стабилитрон КС527 работает на основе эффекта электрического пробоя p-n перехода в обратном направлении. При подаче обратного напряжения, превышающего напряжение пробоя, через стабилитрон начинает протекать ток, а напряжение на нем остается практически неизменным.
В случае КС527 напряжение пробоя составляет около 27 В. При изменении тока через стабилитрон в широких пределах (от 1 до 30 мА) напряжение на нем меняется незначительно. Это свойство и позволяет использовать КС527 для стабилизации напряжения.
Каков механизм стабилизации напряжения в КС527?
Стабилизация напряжения в КС527 обеспечивается за счет двух основных механизмов:
- Туннельный эффект — при сильном электрическом поле электроны могут «туннелировать» через потенциальный барьер p-n перехода.
- Лавинный пробой — электроны, ускоренные сильным полем, вызывают ударную ионизацию атомов и лавинообразное нарастание тока.
Для КС527 с напряжением стабилизации 27 В преобладающим является механизм лавинного пробоя. Это обеспечивает хорошую температурную стабильность напряжения стабилизации.
Область применения стабилитрона КС527
Благодаря своим характеристикам, стабилитрон КС527 находит широкое применение в электронной технике:
- Источники опорного напряжения в стабилизаторах и преобразователях напряжения
- Ограничители напряжения для защиты от перенапряжений
- Формирователи уровней напряжения в логических схемах
- Генераторы шума
- Параметрические стабилизаторы напряжения
Особенно часто КС527 используется в маломощных источниках питания, где требуется стабильное напряжение 27 В при токах до 30 мА.
Преимущества использования стабилитрона КС527
Стабилитрон КС527 обладает рядом важных достоинств:
- Высокая стабильность напряжения в широком диапазоне токов
- Малые габариты и вес
- Широкий температурный диапазон работы
- Высокая надежность и длительный срок службы
- Низкая стоимость
- Простота применения в схемах
Эти преимущества делают КС527 отличным выбором для многих электронных устройств, где требуется стабильное опорное напряжение 27 В.
Особенности эксплуатации стабилитрона КС527
При использовании стабилитрона КС527 следует учитывать некоторые важные моменты:
- Необходимо обеспечить ток через стабилитрон в диапазоне от 1 до 30 мА
- Мощность рассеивания не должна превышать 1 Вт
- Следует учитывать температурный коэффициент напряжения стабилизации
- Рекомендуется использовать последовательный ограничительный резистор
- При параллельном включении нескольких стабилитронов нужно применять выравнивающие резисторы
Соблюдение этих правил позволит обеспечить надежную и долговременную работу стабилитрона КС527 в составе электронных устройств.
Аналоги стабилитрона КС527
Стабилитрон КС527 имеет ряд отечественных и зарубежных аналогов с близкими характеристиками:
- 1N3030B (США)
- BZY95C27 (Европа)
- Д814Д (Россия)
- КС627А (Россия)
При замене КС527 на аналог следует внимательно сравнивать их параметры, особенно напряжение стабилизации, максимальный ток и мощность рассеивания.
Чем отличается КС527 от аналогов?
Основные отличия КС527 от аналогов заключаются в следующем:
- Более широкий температурный диапазон работы
- Меньший разброс напряжения стабилизации
- Лучшая стабильность параметров при длительной эксплуатации
- Повышенная устойчивость к электрическим и температурным перегрузкам
Эти преимущества обеспечивают высокую надежность и стабильность работы устройств на основе КС527.
Маркировка и внешний вид стабилитрона КС527
Стабилитрон КС527 выпускается в металлостеклянном корпусе цилиндрической формы с гибкими выводами. На корпусе нанесена маркировка, содержащая следующую информацию:
- Тип прибора — КС527
- Полярность — обозначается цветной полосой у катода
- Дата изготовления — код из букв и цифр
Корпус стабилитрона в рабочем режиме служит анодом. Это следует учитывать при монтаже, обеспечивая электрическую изоляцию корпуса от других элементов схемы.
Проверка исправности стабилитрона КС527
Для проверки работоспособности стабилитрона КС527 можно использовать следующие методы:
- Измерение напряжения стабилизации при номинальном токе 5 мА
- Проверка обратного тока при напряжении ниже напряжения стабилизации
- Измерение дифференциального сопротивления в области стабилизации
- Оценка температурного коэффициента напряжения
Исправный КС527 должен обеспечивать напряжение стабилизации 27±2 В при токе 5 мА и температуре 25°C. Обратный ток при напряжении 20 В не должен превышать 10 мкА.
Стабилитрон КС527 — DataSheet
Перейти к содержимому
Корпус стабилитрона КС527 | Корпус стабилитрона КС527А1 |
Стабилитроны кремниевые, планарные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 27 В при токе стабилизации 5 мА. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип стабилитрона приводится на корпусе.
Корпус стабилитрона в рабочем режиме служит положительным электродом (анодом). Масса стабилитрона не более 1 г.
Обозначение | Значение для: | Ед. изм. | |
КС527А | |||
1N3030B, BZY95C27 | — | ||
Uст | мин. | 22 | В |
ном. | 27 | ||
макс. | 29.7 | ||
при Iст | 5 | мА | |
αUст | 0.1 | %/°C | |
δUст | ±1.5 | % | |
Uпр (при Iпр, мА) | 1(50) | В | |
rст (при Iст, мА) | 200(1) | Ом | |
Iст | мин. | 1 | мА |
макс. | 30 | ||
Pпp | 1 | Вт | |
T | -60…+100 | °C |
Обозначение | Значение для: | Ед. изм. | |
КС527А1 | |||
Аналог | — | — | |
Uст | мин. | 26 | В |
ном. | 27 | ||
макс. | 28 | ||
при Iст | 5 | мА | |
αUст | 0.1 | %/°C | |
δUст | ±1. 5 | % | |
Uпр (при Iпр, мА) | — | В | |
rст (при Iст, мА) | Ом | ||
Iст | мин. | 1 | мА |
макс. | 30 | ||
Pпp | 1 | Вт | |
T | -60…125 | °C |
- Uст — Напряжение стабилизации.
- αUст — Температурный коэффициент напряжения стабилизации.
- δUст — Временная нестабильность напряжения стабилизации.
- Uпр — Постоянное прямое напряжение.
- Iпр — Постоянный прямой ток.
- rст — Дифференциальное сопротивление стабилитрона.
- Iст — Ток стабилизации.
- Pпp — Прямая рассеиваемая мощность.
- T — Температура окружающей среды.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Стабилитрон КС527
Количество драгоценных металлов в стабилитроне КС527 согласно документации производителя. Справочник массы и наименований ценных металлов в советских стабилитронах КС527.
Стабилитрон КС527 количество содержания драгоценных металлов:
Золото: 0,0000791 грамм.
Серебро: 0,0000118 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Согласно данным: .
Справочник содержания ценных металлов из другого источника:
Стабилитроны КС527 теория
Полупроводниковый стабилитрон, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя. До наступления пробоя через стабилитрон протекают незначительные токи утечки, а его сопротивление весьма высоко. При наступлении пробоя ток через стабилитрон резко возрастает, а его дифференциальное сопротивление падает до величины, составляющей для различных приборов от долей Ома до сотен Ом. Поэтому в режиме пробоя напряжение на стабилитроне поддерживается с заданной точностью в широком диапазоне обратных токов.
Прежде всего, не следует забывать, что стабилитрон работает только в цепях постоянного тока. Напряжение на стабилитрон подают в обратной полярности, то есть на анод стабилитрона будет подан минус “-“. При таком включении стабилитрона через него протекает обратный ток (I обр) от выпрямителя. Напряжение с выхода выпрямителя может изменяться, будет изменяться и обратный ток, а напряжение на стабилитроне и на нагрузке останется неизменным, то есть стабильным. На следующем рисунке показана вольт-амперная характеристика стабилитрона.
Основное назначение стабилитронов — стабилизация напряжения. Серийные стабилитроны изготавливаются на напряжения от 1,8 В до 400 В. Интегральные стабилитроны со скрытой структурой на напряжение около 7 В являются самыми точными и стабильными твердотельными источниками опорного напряжения: лучшие их образцы приближаются по совокупности показателей к нормальному элементу Вестона. Особый тип стабилитронов, высоковольтные лавинные диоды («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяется для защиты электроаппаратуры от перенапряжений.
Стабилитроны КС527 Принцип действия
Советские и импортные стабилитроны
Полупроводниковый стабилитрон — это диод, предназначенный для работы в режиме пробоя на обратной ветви вольт-амперной характеристики. В диоде, к которому приложено обратное, или запирающее, напряжение, возможны три механизма пробоя: туннельный пробой, лавинный пробой и пробой вследствие тепловой неустойчивости — разрушительного саморазогрева токами утечки. Тепловой пробой наблюдается в выпрямительных диодах, особенно германиевых, а для кремниевых стабилитронов он не критичен. Стабилитроны проектируются и изготавливаются таким образом, что либо туннельный, либо лавинный пробой, либо оба эти явления вместе возникают задолго до того, как в кристалле диода возникнут предпосылки к тепловому пробою. Серийные стабилитроны изготавливаются из кремния, известны также перспективные разработки стабилитронов из карбида кремния и арсенида галлия.
Первую модель электрического пробоя предложил в 1933 году Кларенс Зенер, в то время работавший в Бристольском университете. Его «Теория электического пробоя в твёрдых диэлектриках» была опубликована летом 1934 года. В 1954 году Кеннет Маккей из Bell Labs установил, что предложеный Зенером туннельный механизм действует только при напряжениях пробоя до примерно 5,5 В, а при бо́льших напряжениях преобладает лавинный механизм. Напряжение пробоя стабилитрона определяется концентрациями акцепторов и доноров и профилем легирования области p-n-перехода. Чем выше концентрации примесей и чем больше их градиент в переходе, тем больше напряжённость электрического поля в области пространственного заряда при равном обратном напряжении, и тем меньше обратное напряжение, при котором возникает пробой:
Туннельный, или зенеровский, пробой возникает в полупроводнике только тогда, когда напряжённость электрического поля в p-n-переходе достигает уровня в 106 В/см. Такие уровни напряжённости возможны только в высоколегированных диодах (структурах p+-n+-типа проводимости) с напряжением пробоя не более шестикратной ширины запрещённой зоны (6 EG ≈ 6,7 В), при этом в диапазоне от 4 EG до 6 EG (4,5…6,7 В) туннельный пробой сосуществует с лавинным, а при напряжении пробоя менее 4 EG (≈4,5 В) полностью вытесняет его. С ростом температуры перехода ширина запрещённой зоны, а вместе с ней и напряжение пробоя, уменьшается: низковольтные стабилитроны с преобладанием туннельного пробоя имеют отрицательный температурный коэффициент напряжения (ТКН).
В диодах с меньшими уровнями легирования, или меньшими градиентами легирующих примесей, и, как следствие, бо́льшими напряжениями пробоя наблюдается лавинный механизм пробоя. Он возникает при концентрациях примесей, примерно соответствующих напряжению пробоя в 4 EG (≈4,5 В), а при напряжениях пробоя выше 4 EG (≈7,2 В) полностью вытесняет туннельный механизм. Напряжение, при котором возникает лавинный пробой, с ростом температуры возрастает, а наибольшая величина ТКН пробоя наблюдается в низколегированных, относительно высоковольтных, переходах.
Механизм пробоя конкретного образца можно определить грубо — по напряжению стабилизации, и точно — по знаку его температурного коэффициента. В «серой зоне» (см. рисунок), в которой конкурируют оба механизма пробоя, ТКН может быть определён только опытным путём. Источники расходятся в точных оценках ширины этой зоны: С. М. Зи указывает «от 4 EG до 6 EG» (4,5…6,7 В), авторы словаря «Электроника» — «от 5 до 7 В»8, Линден Харрисон — «от 3 до 8 В»26, Ирвинг Готтлиб проводит верхнюю границу по уровню 10 В9. Низковольтные лавинные диоды (LVA) на напряжения от 4 до 10 В — исключение из правила: в них действует только лавинный механизм.
Оптимальная совокупность характеристик стабилитрона достигается в середине «серой зоны», при напряжении стабилизации около 6 В. Дело не столько в том, что благодаря взаимной компенсации ТКН туннельного и лавинного механизмов эти стабилитроны относительно термостабильны, а в том, что они имеют наименьший технологический разброс напряжения стабилизации и наименьшее, при прочих равных условиях, дифференциальное сопротивление. Наихудшая совокупность характеристик — высокий уровень шума, большой разброс напряжений стабилизации, высокое дифференциальное сопротивление — свойственна низковольтным стабилитронам на 3,3—4,7 В.
Область применения стабилитрона КС527
Основная область применения стабилитрона — стабилизация постоянного напряжения источников питания. В простейшей схеме линейного параметрического стабилизатора стабилитрон выступает одновременно и источником опорного напряжения, и силовым регулирующим элементом. В более сложных схемах стабилитрону отводится только функция источника опорного напряжения, а регулирующим элементом служит внешний силовой транзистор.
Прецизионные термокомпенсированные стабилитроны и стабилитроны со скрытой структурой широко применяются в качестве дискретных и интегральных источников опорного напряжения (ИОН), в том числе в наиболее требовательных к стабильности напряжения схемах измерительных аналого-цифровых преобразователей. C середины 1970-х годов и по сей день (2012 год) стабилитроны со скрытой структурой являются наиболее точными и стабильными твердотельными ИОН. Точностные показатели лабораторных эталонов напряжения на специально отобранных интегральных стабилитронах приближаются к показателям нормального элемента Вестона.
Особые импульсные лавинные стабилитроны («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяются для защиты электроаппаратуры от перенапряжений, вызываемых разрядами молний и статического электричества, а также от выбросов напряжения на индуктивных нагрузках. Такие приборы номинальной мощностью 1 Вт выдерживают импульсы тока в десятки и сотни ампер намного лучше, чем «обычные» пятидесятиваттные силовые стабилитроны. Для защиты входов электроизмерительных приборов и затворов полевых транзисторов используются обычные маломощные стабилитроны. В современных «умных» МДП-транзисторах защитные стабилитроны выполняются на одном кристалле с силовым транзистором.
Маркировка стабилитронов КС527
Маркировка стабилитронов
Есть информация о стабилитроне КС527 – высылайте ее нам, мы ее разместим на этом сайте посвященному утилизации, аффинажу и переработке драгоценных и ценных металлов.
Фото Стабилитрон КС527:
Предназначение Стабилитрон КС527.
Характеристики Стабилитрон КС527:
Купить или продать а также цены на Стабилитрон КС527 (стоимость, купить, продать):
Отзыв о стабилитроне КС527 вы можете в комментариях ниже:
- Стабилитроны
Средняя школа Бронксской академии лидерства II
Обзор Качество школы отчеты
Обзор
Номер школы: X527
Доступность: Полный доступ
Оценки: 09,10,11,12,ЮВ
2020–2021 Зачисление: 499
Географический район: 07
Район: Бронкс
Контакты и информация школы
- Руководитель школы
- Роуз Лобьянко, директор
- Родительский координатор
- Бетти Робинсон
- Уважение ко всем связям
- Тахира Росарио
- Связной по вопросам предотвращения сексуальных домогательств
- Тахира Росарио
- Как сообщить о дискриминации между учащимися, сексуальных и других домогательствах, запугивании и издевательствах
- Космос
- В одном здании с другими школами
- Районный округ №
- 07X527
Суперинтендант и окружные контакты
- Суперинтендант
- Ричард Цинтрон
- Координатор поддержки семьи
- Дженель Роуз Бьенковски
- Телефон
- 718-923-5124
- Адрес
- 335 Адамс-стрит, Бруклин, Нью-Йорк 11201
- Президент Совета по образованию
- Карен Ван
- Телефон Совета по образованию
- 718-752-7478
Психическое здоровье и благополучие
- Обратитесь к координатору по работе с родителями, школьному социальному работнику или школьному консультанту за дополнительной информацией о программе психического здоровья вашей школы.
- Школьный медицинский центр со службами охраны психического здоровья
- Медицинский центр Монтефиоре: 718-292-7204
Информация о вентиляции здания
- В целях обеспечения максимальной безопасности персонала и учащихся все школьные здания постоянно контролируются на наличие проблем с вентиляцией. DOE делает ремонт или улучшения там, где это необходимо, и/или закрывает все комнаты до тех пор, пока их можно будет безопасно заселить.
- X790 — 730 Западная деревня Вест-Конкорс
- См. общегородскую информацию и определения отчетов:
- Состояние вентиляции здания
Бесплатное студенческое питание
- Завтрак, обед и послешкольное питание бесплатны для всех учащихся государственных школ г. Нью-Йорка.
- Особенности службы меню
- Время завтрака: 8:30–9:30
- Время обеда: 11:30–13:00
- Менеджер службы питания: Шарон Риос
- Номер телефона кухни: 718-292-5399
- Посмотреть, что в меню:
- Завтрак
- Обед
- Отчет об инспекции Департамента здравоохранения
Прием
- Для информации о поступлении в школу
- Просмотрите школы Нью-Йорка на MySchools.nyc
Качество школы
DOE разрабатывает инструменты, помогающие семьям и педагогам понять успеваемость учащихся и качество школы. Отчеты на этой странице предоставляют информацию о качестве школы из нескольких источников. Эти источники включают отзывы учащихся, учителей и родителей. Отчеты также включают информацию об официальных посещениях школы и различные показатели успеваемости учащихся.
- Снимок качества школы
- Сводка качества школы предоставляет семьям краткую информацию о каждой школе. Данные фиксируют школьную учебную среду и успеваемость учащихся. Снимки за 2016-2017 и 2017-2018 учебные годы доступны по ссылкам ниже.
- Снимок качества школы — старшая школа
- Руководство по качеству для школ
- Руководство по обеспечению качества в школах представляет собой подробный отчет об этой школе, включающий полные результаты опроса школ г. Нью-Йорка и дополнительную информацию об успеваемости учащихся.
- Руководство по обеспечению качества в школах — средняя школа
- Отчет о проверке качества
- Отчет о проверке качества является результатом двухдневного визита опытного преподавателя, который оценил, насколько хорошо эта школа поддерживает обучение учащихся и практику учителей.
- Отчет о проверке качества за 2017-2018 гг.
- Отчет о проверке качества за 2014-2015 гг.
- Информационная панель школьной успеваемости
- Информационная панель успеваемости школы показывает данные за несколько лет и ключевые сравнения для этой школы.
- Панель успеваемости школы — старшая школа
Отчеты
Создание профиля доступности
- Корпус 1
- X790 — 730 CONCOURSE VILLAGE WEST — Полностью доступный
- Рейтинг
- 10 из 10 — Доступны все основные учебные зоны в здании. Здание либо имеет дату постройки 1992 или позже, или представляет собой здание, в котором были внесены серьезные изменения, дополнения или ремонт в постройку до 1992 года для обеспечения полной доступности.
- Просмотр отчета BAP
Удобства
- Отчеты об испытаниях воды и экологических отчетах
- Основная ежегодная космическая съемка
- Оценка состояния здания (BCAS)
Бюджет и финансы
- Обзор справедливого финансирования студентов
- Справедливая информация о финансировании студентов
- Галактика Распределение
- Сводка бюджета
- Отчет о расходах
Искусство
- Искусство в школьном отчете
Комплексный образовательный план
- Комплексный образовательный план
План школьного консультирования
- План школьного консультирования
Leeco Le 2 X527 цена, характеристики и обзоры 3 ГБ/32 ГБ
Android M OS
Предлагает новую, быструю платформу, которая поможет вам оставаться на связи и продуктивно работать в пути.
Поддержка нескольких языков
Предлагает более 20 языков для пользователей со всего мира: английский, немецкий, испанский, португальский, французский, итальянский, русский, арабский и другие.
Совместимость с диапазонами Америки, Азии, Европы и Австралии
Этот телефон поддерживает 4G FDD-LTE 800/850/900/1700/1800/1900/2100/2600 МГц
Скорость 4G LTE
Обеспечивает быстрое подключение к Интернету для загрузки приложений , потоковая передача контента и оставайтесь на связи в социальных сетях.
Восьмиядерный процессор Snapdragon 652 с тактовой частотой 2,3 ГГц и 3 ГБ ОЗУ
Восьмиядерный процессор Snapdragon 652 с тактовой частотой 2,3 ГГц и 3 ГБ ОЗУ обеспечивают выдающуюся общую производительность при открытии и запуске приложений, пролистывании меню, работе с домашними экранами и многом другом.
5,5-дюймовый сенсорный экран Full HD
Сверхбольшой экран в сочетании с тонким корпусом удобно помещается в руке. Соотношение сторон 16:9, как в кинотеатре, идеально подходит для просмотра видео, фотографий и игр.
16MP Основная камера и фронтальная камера 8 Мп
Специальный датчик освещенности позволяет камере улавливать больше света в темных условиях для получения более качественных снимков.Также имеется фронтальная камера 8 Мп для автопортретов и видео
Внутренняя память 32 ГБ
Предоставляет много места для хранения ваших контактов, музыки, фотографий, приложений и многого другого.
Аккумулятор большой емкости и быстрая зарядка
Режим сверхэнергосбережения позволяет дольше держать телефон включенным между зарядками. Этот режим превращает ваш экран в черно-белый и отключает все ненужные функции, чтобы значительно сократить потребление заряда батареи.
Отпечаток пальца обеспечивает безопасность телефона
Проведите пальцем по задней сенсорной панели, чтобы разблокировать телефон.
Доступ к Google Play
Просматривайте и загружайте приложения, журналы, книги, фильмы и телевизионные программы прямо на свой телефон.
Используйте свой смартфон в качестве мобильной точки доступа
Поделитесь своим подключением для передачи данных 4G с другими совместимыми беспроводными устройствами.*
Слушайте свои любимые мелодии
Сохраняйте и воспроизводите файлы MP3 на своем телефоне.
SIM-карта: две SIM-карты, две резервные, две нано-SIM-карты