Стабилитрон КС527 — DataSheet
Перейти к содержимому
|
Корпус стабилитрона КС527 |
Корпус стабилитрона КС527А1 |
Стабилитроны кремниевые, планарные, средней мощности. Предназначены для стабилизации номинального напряжения 27 В при токе стабилизации 5 мА. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип стабилитрона приводится на корпусе.
Корпус стабилитрона в рабочем режиме служит положительным электродом (анодом). Масса стабилитрона не более 1 г.
| Обозначение | Значение для: | Ед. изм. | |
| КС527А | |||
| Аналог | 1N3030B, BZY95C27 |
— | |
| Uст | мин. | 22 | В |
| ном. | 27 | ||
| макс. | 29.7 | ||
| при Iст | 5 | мА | |
| αUст | 0.1 | %/°C | |
| δUст | ±1.5 | % | |
| Uпр (при Iпр, мА) | 1(50) | В | |
| rст (при Iст, мА) | 200(1) | Ом | |
| Iст | мин. | 1 | мА |
| макс. | 30 | ||
| Pпp | 1 | Вт | |
| T | -60…+100 | °C | |
«>
| Обозначение | Значение для: | Ед. изм. | |
| КС527А1 | |||
| Аналог | — | — | |
| Uст | мин. | 26 | В |
| ном. | 27 | ||
| макс. | 28 | ||
| при Iст | 5 | мА | |
| αUст | 0.1 | %/°C | |
| δUст | ±1. 5 |
% | |
| Uпр (при Iпр, мА) | — | В | |
| rст (при Iст, мА) | 40(5) | Ом | |
| Iст | мин. | 1 | мА |
| макс. | 30 | ||
| Pпp | 1 | Вт | |
| T | -60…125 | °C | |
«>- Uст — Напряжение стабилизации.
- αUст — Температурный коэффициент напряжения стабилизации.
- δUст — Временная нестабильность напряжения стабилизации.
- Uпр — Постоянное прямое напряжение.
- Iпр — Постоянный прямой ток.
- rст — Дифференциальное сопротивление стабилитрона.
- Iст — Ток стабилизации.
- Pпp — Прямая рассеиваемая мощность.
- T — Температура окружающей среды.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Стабилитрон КС527
Количество драгоценных металлов в стабилитроне КС527 согласно документации производителя. Справочник массы и наименований ценных металлов в советских стабилитронах КС527.
Стабилитрон КС527 количество содержания драгоценных металлов:
Золото: 0,0000791 грамм.
Серебро: 0,0000118 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Согласно данным: .
Справочник содержания ценных металлов из другого источника:
Стабилитроны КС527 теория
Полупроводниковый стабилитрон, или диод Зенера — полупроводниковый диод, работающий при обратном смещении в режиме пробоя.
Прежде всего, не следует забывать, что стабилитрон работает только в цепях постоянного тока. Напряжение на стабилитрон подают в обратной полярности, то есть на анод стабилитрона будет подан минус “-“. При таком включении стабилитрона через него протекает обратный ток (I обр) от выпрямителя. Напряжение с выхода выпрямителя может изменяться, будет изменяться и обратный ток, а напряжение на стабилитроне и на нагрузке останется неизменным, то есть стабильным. На следующем рисунке показана вольт-амперная характеристика стабилитрона.
Основное назначение стабилитронов — стабилизация напряжения.
Серийные стабилитроны изготавливаются на напряжения от 1,8 В до 400 В. Интегральные стабилитроны со скрытой структурой на напряжение около 7 В являются самыми точными и стабильными твердотельными источниками опорного напряжения: лучшие их образцы приближаются по совокупности показателей к нормальному элементу Вестона. Особый тип стабилитронов, высоковольтные лавинные диоды («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяется для защиты электроаппаратуры от перенапряжений.
Стабилитроны КС527 Принцип действия
Советские и импортные стабилитроны
Полупроводниковый стабилитрон — это диод, предназначенный для работы в режиме пробоя на обратной ветви вольт-амперной характеристики. В диоде, к которому приложено обратное, или запирающее, напряжение, возможны три механизма пробоя: туннельный пробой, лавинный пробой и пробой вследствие тепловой неустойчивости — разрушительного саморазогрева токами утечки. Тепловой пробой наблюдается в выпрямительных диодах, особенно германиевых, а для кремниевых стабилитронов он не критичен.
Первую модель электрического пробоя предложил в 1933 году Кларенс Зенер, в то время работавший в Бристольском университете. Его «Теория электического пробоя в твёрдых диэлектриках» была опубликована летом 1934 года. В 1954 году Кеннет Маккей из Bell Labs установил, что предложеный Зенером туннельный механизм действует только при напряжениях пробоя до примерно 5,5 В, а при бо́льших напряжениях преобладает лавинный механизм. Напряжение пробоя стабилитрона определяется концентрациями акцепторов и доноров и профилем легирования области p-n-перехода. Чем выше концентрации примесей и чем больше их градиент в переходе, тем больше напряжённость электрического поля в области пространственного заряда при равном обратном напряжении, и тем меньше обратное напряжение, при котором возникает пробой:
Туннельный, или зенеровский, пробой возникает в полупроводнике только тогда, когда напряжённость электрического поля в p-n-переходе достигает уровня в 106 В/см.
Такие уровни напряжённости возможны только в высоколегированных диодах (структурах p+-n+-типа проводимости) с напряжением пробоя не более шестикратной ширины запрещённой зоны (6 EG ≈ 6,7 В), при этом в диапазоне от 4 EG до 6 EG (4,5…6,7 В) туннельный пробой сосуществует с лавинным, а при напряжении пробоя менее 4 EG (≈4,5 В) полностью вытесняет его. С ростом температуры перехода ширина запрещённой зоны, а вместе с ней и напряжение пробоя, уменьшается: низковольтные стабилитроны с преобладанием туннельного пробоя имеют отрицательный температурный коэффициент напряжения (ТКН).
В диодах с меньшими уровнями легирования, или меньшими градиентами легирующих примесей, и, как следствие, бо́льшими напряжениями пробоя наблюдается лавинный механизм пробоя. Он возникает при концентрациях примесей, примерно соответствующих напряжению пробоя в 4 EG (≈4,5 В), а при напряжениях пробоя выше 4 EG (≈7,2 В) полностью вытесняет туннельный механизм. Напряжение, при котором возникает лавинный пробой, с ростом температуры возрастает, а наибольшая величина ТКН пробоя наблюдается в низколегированных, относительно высоковольтных, переходах.
Механизм пробоя конкретного образца можно определить грубо — по напряжению стабилизации, и точно — по знаку его температурного коэффициента. В «серой зоне» (см. рисунок), в которой конкурируют оба механизма пробоя, ТКН может быть определён только опытным путём. Источники расходятся в точных оценках ширины этой зоны: С. М. Зи указывает «от 4 EG до 6 EG» (4,5…6,7 В), авторы словаря «Электроника» — «от 5 до 7 В»8, Линден Харрисон — «от 3 до 8 В»26, Ирвинг Готтлиб проводит верхнюю границу по уровню 10 В9. Низковольтные лавинные диоды (LVA) на напряжения от 4 до 10 В — исключение из правила: в них действует только лавинный механизм.
Оптимальная совокупность характеристик стабилитрона достигается в середине «серой зоны», при напряжении стабилизации около 6 В. Дело не столько в том, что благодаря взаимной компенсации ТКН туннельного и лавинного механизмов эти стабилитроны относительно термостабильны, а в том, что они имеют наименьший технологический разброс напряжения стабилизации и наименьшее, при прочих равных условиях, дифференциальное сопротивление.
Наихудшая совокупность характеристик — высокий уровень шума, большой разброс напряжений стабилизации, высокое дифференциальное сопротивление — свойственна низковольтным стабилитронам на 3,3—4,7 В.
Область применения стабилитрона КС527
Основная область применения стабилитрона — стабилизация постоянного напряжения источников питания. В простейшей схеме линейного параметрического стабилизатора стабилитрон выступает одновременно и источником опорного напряжения, и силовым регулирующим элементом. В более сложных схемах стабилитрону отводится только функция источника опорного напряжения, а регулирующим элементом служит внешний силовой транзистор.
Прецизионные термокомпенсированные стабилитроны и стабилитроны со скрытой структурой широко применяются в качестве дискретных и интегральных источников опорного напряжения (ИОН), в том числе в наиболее требовательных к стабильности напряжения схемах измерительных аналого-цифровых преобразователей. C середины 1970-х годов и по сей день (2012 год) стабилитроны со скрытой структурой являются наиболее точными и стабильными твердотельными ИОН.
Точностные показатели лабораторных эталонов напряжения на специально отобранных интегральных стабилитронах приближаются к показателям нормального элемента Вестона.
Особые импульсные лавинные стабилитроны («подавители переходных импульсных помех», «суппрессоры», «TVS-диоды») применяются для защиты электроаппаратуры от перенапряжений, вызываемых разрядами молний и статического электричества, а также от выбросов напряжения на индуктивных нагрузках. Такие приборы номинальной мощностью 1 Вт выдерживают импульсы тока в десятки и сотни ампер намного лучше, чем «обычные» пятидесятиваттные силовые стабилитроны. Для защиты входов электроизмерительных приборов и затворов полевых транзисторов используются обычные маломощные стабилитроны. В современных «умных» МДП-транзисторах защитные стабилитроны выполняются на одном кристалле с силовым транзистором.
Маркировка стабилитронов КС527
Маркировка стабилитронов
Есть информация о стабилитроне КС527 – высылайте ее нам, мы ее разместим на этом сайте посвященному утилизации, аффинажу и переработке драгоценных и ценных металлов..jpg)
Фото Стабилитрон КС527:
Предназначение Стабилитрон КС527.
Характеристики Стабилитрон КС527:
Купить или продать а также цены на Стабилитрон КС527 (стоимость, купить, продать):
Отзыв о стабилитроне КС527 вы можете в комментариях ниже:
- Стабилитроны
Средняя школа Бронксской академии лидерства II
Обзор Качество школы отчеты
Обзор
-
Номер школы: X527
-
Доступность: Полный доступ
-
Оценки: 09,10,11,12,ЮВ
-
2020–2021 Зачисление: 499
-
Географический район: 07
-
Район: Бронкс
Контакты и информация школы
- Руководитель школы
- Роуз Лобьянко, директор
- Родительский координатор
- Бетти Робинсон
- Уважение ко всем связям
- Тахира Росарио
- Связной по вопросам предотвращения сексуальных домогательств
- Тахира Росарио
- Как сообщить о дискриминации между учащимися, сексуальных и других домогательствах, запугивании и издевательствах
- Космос
- В одном здании с другими школами
- Районный округ №
- 07X527
Суперинтендант и окружные контакты
- Суперинтендант
- Ричард Цинтрон
- Координатор поддержки семьи
- Дженель Роуз Бьенковски
- Телефон
- 718-923-5124
- Адрес
- 335 Адамс-стрит, Бруклин, Нью-Йорк 11201
- Президент Совета по образованию
- Карен Ван
- Телефон Совета по образованию
- 718-752-7478
Психическое здоровье и благополучие
- Обратитесь к координатору по работе с родителями, школьному социальному работнику или школьному консультанту за дополнительной информацией о программе психического здоровья вашей школы.
- Школьный медицинский центр со службами охраны психического здоровья
- Медицинский центр Монтефиоре: 718-292-7204
Информация о вентиляции здания
- В целях обеспечения максимальной безопасности персонала и учащихся все школьные здания постоянно контролируются на наличие проблем с вентиляцией. DOE делает ремонт или улучшения там, где это необходимо, и/или закрывает все комнаты до тех пор, пока их можно будет безопасно заселить.
- X790 — 730 Западная деревня Вест-Конкорс
- См. общегородскую информацию и определения отчетов:
- Состояние вентиляции здания
Бесплатное студенческое питание
- Завтрак, обед и послешкольное питание бесплатны для всех учащихся государственных школ г. Нью-Йорка.
- Особенности службы меню
-
- Время завтрака: 8:30–9:30
- Время обеда: 11:30–13:00
- Менеджер службы питания: Шарон Риос
- Номер телефона кухни: 718-292-5399
- Посмотреть, что в меню:
- Завтрак
- Обед
- Отчет об инспекции Департамента здравоохранения
Нью-Йорка. Прием
- Для информации о поступлении в школу
- Просмотрите школы Нью-Йорка на MySchools.nyc
Качество школы
DOE разрабатывает инструменты, помогающие семьям и педагогам понять успеваемость учащихся и качество школы.
Отчеты на этой странице предоставляют информацию о качестве школы из нескольких источников. Эти источники включают отзывы учащихся, учителей и родителей. Отчеты также включают информацию об официальных посещениях школы и различные показатели успеваемости учащихся.
- Снимок качества школы
- Сводка качества школы предоставляет семьям краткую информацию о каждой школе. Данные фиксируют школьную учебную среду и успеваемость учащихся. Снимки за 2016-2017 и 2017-2018 учебные годы доступны по ссылкам ниже.
- Снимок качества школы — старшая школа
- Руководство по качеству для школ
- Руководство по обеспечению качества в школах представляет собой подробный отчет об этой школе, включающий полные результаты опроса школ г. Нью-Йорка и дополнительную информацию об успеваемости учащихся.
- Руководство по обеспечению качества в школах — средняя школа
- Отчет о проверке качества
- Отчет о проверке качества является результатом двухдневного визита опытного преподавателя, который оценил, насколько хорошо эта школа поддерживает обучение учащихся и практику учителей.
- Отчет о проверке качества за 2017-2018 гг.
- Отчет о проверке качества за 2014-2015 гг.
- Информационная панель школьной успеваемости
- Информационная панель успеваемости школы показывает данные за несколько лет и ключевые сравнения для этой школы.
- Панель успеваемости школы — старшая школа
Отчеты
Создание профиля доступности
- Корпус 1
- X790 — 730 CONCOURSE VILLAGE WEST — Полностью доступный
- Рейтинг
- 10 из 10 — Доступны все основные учебные зоны в здании. Здание либо имеет дату постройки 1992 или позже, или представляет собой здание, в котором были внесены серьезные изменения, дополнения или ремонт в постройку до 1992 года для обеспечения полной доступности.
- Просмотр отчета BAP
Удобства
- Отчеты об испытаниях воды и экологических отчетах
- Основная ежегодная космическая съемка
- Оценка состояния здания (BCAS)
Бюджет и финансы
- Обзор справедливого финансирования студентов
- Справедливая информация о финансировании студентов
- Галактика Распределение
- Сводка бюджета
- Отчет о расходах
Искусство
- Искусство в школьном отчете
Комплексный образовательный план
- Комплексный образовательный план
План школьного консультирования
- План школьного консультирования
Leeco Le 2 X527 цена, характеристики и обзоры 3 ГБ/32 ГБ
Android M OS
Предлагает новую, быструю платформу, которая поможет вам оставаться на связи и продуктивно работать в пути.
Поддержка нескольких языков
Предлагает более 20 языков для пользователей со всего мира: английский, немецкий, испанский, португальский, французский, итальянский, русский, арабский и другие.
Совместимость с диапазонами Америки, Азии, Европы и Австралии
Этот телефон поддерживает 4G FDD-LTE 800/850/900/1700/1800/1900/2100/2600 МГц
Скорость 4G LTE
Обеспечивает быстрое подключение к Интернету для загрузки приложений , потоковая передача контента и оставайтесь на связи в социальных сетях.
Восьмиядерный процессор Snapdragon 652 с тактовой частотой 2,3 ГГц и 3 ГБ ОЗУ
Восьмиядерный процессор Snapdragon 652 с тактовой частотой 2,3 ГГц и 3 ГБ ОЗУ обеспечивают выдающуюся общую производительность при открытии и запуске приложений, пролистывании меню, работе с домашними экранами и многом другом.
5,5-дюймовый сенсорный экран Full HD
Сверхбольшой экран в сочетании с тонким корпусом удобно помещается в руке.
Соотношение сторон 16:9, как в кинотеатре, идеально подходит для просмотра видео, фотографий и игр.
16MP Основная камера и фронтальная камера 8 Мп
Специальный датчик освещенности позволяет камере улавливать больше света в темных условиях для получения более качественных снимков.Также имеется фронтальная камера 8 Мп для автопортретов и видео
Внутренняя память 32 ГБ
Предоставляет много места для хранения ваших контактов, музыки, фотографий, приложений и многого другого.
Аккумулятор большой емкости и быстрая зарядка
Режим сверхэнергосбережения позволяет дольше держать телефон включенным между зарядками. Этот режим превращает ваш экран в черно-белый и отключает все ненужные функции, чтобы значительно сократить потребление заряда батареи.
Отпечаток пальца обеспечивает безопасность телефона
Проведите пальцем по задней сенсорной панели, чтобы разблокировать телефон.
Доступ к Google Play
Просматривайте и загружайте приложения, журналы, книги, фильмы и телевизионные программы прямо на свой телефон.
Используйте свой смартфон в качестве мобильной точки доступа
Поделитесь своим подключением для передачи данных 4G с другими совместимыми беспроводными устройствами.*
Слушайте свои любимые мелодии
Сохраняйте и воспроизводите файлы MP3 на своем телефоне.
SIM-карта: две SIM-карты, две резервные, две нано-SIM-карты
