Кт3107А характеристики. КТ3107А: характеристики, применение и аналоги популярного биполярного транзистора

Каковы основные характеристики транзистора КТ3107А. Для каких целей он применяется. Какие есть аналоги КТ3107А. В чем особенности этого биполярного PNP транзистора.

Содержание

Основные характеристики транзистора КТ3107А

КТ3107А — это кремниевый биполярный PNP транзистор, обладающий следующими ключевыми характеристиками:

  • Структура: эпитаксиально-планарная
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: -45 В
  • Максимальный ток коллектора: -0.1 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 Вт
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц
  • Статический коэффициент передачи тока h21э: 70…140
  • Корпус: КТ-26 (аналог TO-92)

Данный транзистор относится к категории маломощных высокочастотных приборов. Его основные преимущества — высокое быстродействие и хороший коэффициент усиления по току.

Области применения транзистора КТ3107А

Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ3107А нашел широкое применение в различных электронных устройствах:


  • Усилители малой мощности
  • Генераторы высокой частоты
  • Импульсные схемы
  • Переключающие и коммутирующие устройства
  • Источники питания
  • Радиоприемники и передатчики
  • Бытовая радиоаппаратура

КТ3107А часто используется в каскадах предварительного усиления, где требуется высокое усиление сигнала при небольших токах и напряжениях.

Особенности конструкции и производства КТ3107А

Транзистор КТ3107А имеет ряд конструктивных и технологических особенностей:

  • Изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии, обеспечивающей высокое быстродействие
  • Имеет малогабаритный пластмассовый корпус КТ-26
  • Выпускается в нескольких группах по коэффициенту усиления (А, Б, В и т.д.)
  • Обладает низким уровнем шумов
  • Имеет хорошую температурную стабильность параметров

Благодаря отработанной технологии производства, КТ3107А отличается высокой надежностью и стабильностью характеристик.

Аналоги транзистора КТ3107А

У транзистора КТ3107А есть ряд отечественных и зарубежных аналогов с близкими характеристиками:

  • КТ361 — отечественный аналог с очень близкими параметрами
  • BC557 — популярный зарубежный аналог
  • 2N3906 — распространенный американский аналог
  • BC327 — европейский аналог с похожими характеристиками
  • SS9015 — азиатский аналог, часто используемый в импортной технике

При замене КТ3107А на аналоги следует внимательно сравнивать их параметры, особенно максимально допустимые напряжения и токи.


Особенности применения КТ3107А в электронных схемах

При использовании транзистора КТ3107А в электронных устройствах следует учитывать некоторые нюансы:

  • Как PNP-транзистор, он требует обратной полярности включения по сравнению с NPN
  • Чувствителен к статическому электричеству, требует осторожного обращения
  • Для стабильной работы рекомендуется температурная стабилизация режима
  • На высоких частотах может потребоваться нейтрализация паразитных обратных связей
  • При параллельном включении транзисторов нужно применять выравнивающие резисторы

Правильное применение этих рекомендаций позволит максимально эффективно использовать возможности КТ3107А в радиоэлектронной аппаратуре.

Маркировка и внешний вид транзистора КТ3107А

Транзистор КТ3107А имеет следующую маркировку и особенности внешнего вида:

  • На корпусе обычно нанесено полное обозначение «КТ3107А» или сокращенное «3107А»
  • Буква в конце (А, Б, В и т.д.) обозначает группу по коэффициенту усиления
  • Корпус имеет цилиндрическую форму черного цвета
  • Длина корпуса около 4.5 мм, диаметр 4 мм
  • Имеет три вывода разной длины для определения цоколевки

Зная особенности маркировки, можно легко идентифицировать транзистор КТ3107А среди других компонентов на печатной плате.


Перспективы применения и замены КТ3107А в современной электронике

Несмотря на то, что КТ3107А был разработан несколько десятилетий назад, он до сих пор находит применение в электронике. Однако постепенно его вытесняют более современные аналоги. Каковы перспективы использования этого транзистора?

  • В новых разработках КТ3107А практически не применяется из-за наличия более совершенных аналогов
  • Остается востребованным для ремонта старой техники советского и раннего постсоветского периода
  • В некоторых случаях используется радиолюбителями из-за доступности и хорошей изученности
  • Постепенно заменяется на современные SMD-транзисторы в массовом производстве
  • В перспективе останется только в специальных применениях, где требуется повышенная надежность

Таким образом, КТ3107А постепенно уходит в историю, но пока еще остается в арсенале радиолюбителей и ремонтников электронной техники.


характеристики, цоколевка, аналоги и маркировка

Главная » Транзистор

КТ3107 — это кремниевый, биполярный, эпитаксиально-планарный PNP транзистор. По своим характеристикам относится к усилительным с небольшой мощностью. Модель очень популярная и используется ещё с Советских временем в электрических схемах усилителей, переключателей и генераторов. Электронные платы, на их основе, можно встретить в разнообразных радиотехнических устройствах и видеоаппаратуре.

Содержание

  1. Распиновка
  2. Характеристики
  3. Классификация
  4. Аналоги
  5. Производители и Datasheet

Распиновка

Транзистор выполнен в малогабаритном корпусе из пластика. За счёт небольших мощностных характеристик не снабжается радиатором для охлаждения. Корпус имеет полуцилиндрическую форму. Масса не превышает половины грамма. Для монтажа предназначены три гибких контакта, которые имеют разную длину для простого определения цоколевки КТ3107:

  • Наиболее длинный — это эмиттер.
  • Самый короткий — это коллектор.
  • Средний — это база.

Также, определить распиновку транзистора можно относительно расположения маркировки на корпусе. Она может быть выполнена в одном из четырёх вариантов:

Транзистор КТ3107 начал выпускаться в СССР, маркировка строго стандартизирована и расшифровывается следующим образом:

  • К — кремниевый транзистор.
  • Т — биполярный.
  • 3 — маломощный высокочастотный.
  • 107 — номер разработки.

Характеристики

Для использования транзистора КТ3107 в своих электронных схемах, необходимо хорошо знать его технические характеристики. В первую очередь это касается максимальных допустимых параметров. Во время работы их превышение, даже кратковременное, может привести к выходу из строя элемента или всей схемы. К предельным характеристикам относятся:

  • Напряжение между коллектором и базой: не более 50 В DC;
  • Напряжение между коллектором и эмиттером: не более 45 В DC;
  • Напряжение между эмиттером и базой: не более 5 В DC;
  • Значение постоянного тока в коллекторе: не превышает 0. 1 А;
  • Значение рассеиваемой мощности на коллекторе: не более 300 мВт;
  • Температурный режим при переходе: не выше 150 °C.

Для понимания работы устройства и использование его при проектировании электросхем, требуется знать и понимать зависимости и протекающие процессы. Набор параметров, которые показывает численную связь между токовыми значениями и напряжением называют электрические характеристики транзистора КТ3107. Их значения приведены в табличном виде далее:

НазваниеМаркировкаВ чем измеряетсяИзмерительные условияМинимумМаксимум
Обратный ток коллектораIкбонАUкб = 20B, Iэ = 0 100
Обратный ток эмиттераIэбoмкАUэб = 5B, Iк = 0 100
Статический коэффициент передачи токаh31eUкб = 5B, Iэ = 2мA70800
Напряжение насыщения коллектор — эмиттерUкэ (нас)ВВ Iк = 10мА, Iб = 0,5мA 0. 2
Напряжение насыщения база — эмиттерUбэ (нас)ВIк = 10мА, Iб = 0,5мA 0.8
Емкость коллекторного переходапФUкб = 10B, Iэ = 0, f = 10MГц 7
Граничная частота коэффициента передачи токаfгрMГцUкб = 5B, Iк = 10 мA250 
Коэффициент шумаКшдБUкэ = 3B, Iк = 0,2мA f = 1МГц, Rг = 3кОм 4-10

Для быстрого знакомства начинающих радиолюбителей с транзистором КТ3107 можно собрать электронную схему радиомикрофона. Схема и необходимые компоненты приведены ниже:

  • КТ3107Б.
  • Монтажный проводов.
  • Источник питания 3 В. Подойдет литиевая батарейка.
  • 2 резистора номиналом R1=2.2 кОм и R2=240 Ом.
  • 3 конденсатора номиналом 20, 47, 1500 пФ, соответственно.
  • Катушка. Состоит из 6 витков проводником диаметром 0. 5 мм.

Классификация

На полках магазинов можно встретить различные модификации КТ3107. При маркировании их различает только буква в конце. Это может быть любая буква от А до Л. Она обозначает группу. Параметрическое различие между ними небольшое, но все же имеется. Предельные и температурные параметры каждой из групп приведены в таблице ниже.

Аналоги

К большому счастью радиолюбителя аналогов у транзистора КТ3107 на современном рынке полно. Из самых популярных, который вам предложат в любом радиомагазине, следует выделить Российскую замену КТ361. Если предпочитаете импортное производство, тогда подойдёт SS9015. Приведённые модели являются функциональными аналогами по параметрам и характеристикам. Они подойдут при отсутствии возможности установки оригинала. Если случилось так, что в доступе нет ни одного из вариантов, тогда следует обратить внимание на:

  • 2SA1175.
  • Серию BC, например 446 или 557.
  • 2N5086.
  • BF423S.
  • 2Т3129Г.

Перед тем, как установить аналогичный элемент в разработанную схему и приступить к тестированию, рекомендуем тщательно сравнить все характеристики. Особенно это касается предельных параметров. Ведь всего одно отклонение по какому-либо параметру может привести к неправильной работе или поломке устройства.

Производители и Datasheet

В популярных интернет-магазина электронных компонентов можно встретить транзисторы КТ3107 от следующих производителей:

  • АО “ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ” — располагается в городе Брянске Россия.
  • ОАО “ИНТЕГРАЛ” — Белорусская компания по производству электронных компонентов.
  • AS “ALFA RPAR” — завод по изготовлению полупроводниковых элементов. Расположен в Риге, Латвия.

Скачать Datasheet от КТ3107 от нужно производителя можно кликнув на его название в списке выше.

Сторінку не знайдено. Світлодіодне освітлення та радіокомпоненти

Сторінку не знайдено

Помилка 404

Запитуваний вами товар або послуга не знайдені, пропонуємо вам переглянути інші подібні пропозиції. Також ви можете скористатися пошуком, щоб знайти потрібні вам товари або послуги. Щоб переглянути інші товари з цієї ж групи, перейдіть за посиланням Корінна група.

  • Купити

  • pFJhj4WahQkf1b-8kF3wmvfPY0zubrlYOgAzNLl-sq0″ data-advtracking-product-id=»306659881″ data-tg-chain=»{"view_type": "preview"}»>

    Купити

  • Купити

  • bq8WGHvVCeiCLg4moGEMgNUToTdBHGjARz_cW2ur-LE» data-advtracking-product-id=»91234639″ data-tg-chain=»{"view_type": "preview"}»>

    Купити

  • Купити

Усі товари та послуги

Преподавательские работы, вакансии воспитателей, школьные вакансии

Преподавательские работы, педагогические вакансии, школьные вакансии | ШколаВесна Выберите местоположение… Любое местоположениеТолько СШАМеждународныйОнлайнАлабамаАляскаАризонаАрканзасКалифорнияКолорадоКоннектикутДелавэрРасст. КолумбияФлоридаГрузияГавайиАйдахоИллинойсИндианаАйоваКанзасКентуккиЛуизианаМэнМэрилендМассачусетсМичиганМиннесотаМиссисипиМиссуриМонтанаНебраскаНевадаНью-ГэмпширНью-ДжерсиНью-МексикоНью-ЙоркСеверная КаролинаСеверная ДакотаОгайоОклахомаОрегонПенсильванияРод-АйлендЮжная КаролинаЮжная ДакотаTenne sseeТехасЮтаВермонтВирджинияВашингтонЗападная ВирджинияВисконсинВайомингВыберите категорию…Классный учительАдминистраторЛегкая атлетикаПрофессиональное образованиеУчебная поддержкаСпециальное образованиеУслуги для студентовЗаместительВспомогательный персоналПозиции на уровне штатаОнлайнДругое/СезонныеВыберите класс…Любой уровень класса …Любой тип работыПолная — или неполный рабочий деньПолный рабочий деньНеполный рабочий деньЛетоПосле школы/Вечернее
  • Расширенный поиск
  • Мой сохраненный поиск

Идентификатор задания

Соискатели

Продвиньте свою карьеру в области образования.

Это бесплатно.

Если вы только начинаете или уже имеете опыт&запятая; SchoolSpring — лучшее место для управления вашей образовательной карьерой. Получите доступ к тысячам вакансий по всей стране со всего Интернета в одном , Удобная поисковая система. И это только начало. С SchoolSpring&запятая; доступ&двоеточие;

  • Карьера Инструменты управления документами.
  • Централизованная агрегация поиска работы.
  • Оповещения по электронной почте.
  • Комплексные приложения.
  • Найти работу Бесплатная регистрация

Мы обновили нашу Политику конфиденциальности, вступившую в силу 27 января 2020 г.
Щелкните здесь для получения дополнительной информации.

Работодатели


Увеличьте охват и расширьте круг кандидатов.

Найдите учителей, администраторов, вспомогательный персонал и любую промежуточную роль в сфере образования с помощью более чем 2 миллионов соискателей работы в сфере образования по всей стране.

Привлекайте больше соискателей даже на труднодоступные вакансии, экономя при этом деньги, потраченные на ярмарки вакансий и рекламу.

  • Поиск кандидатов из нашего национального резерва.
  • Распространяйте информацию о своих вакансиях на сайтах Indeed, Monster, Teach.org, через Twitter и т. д.
  • Автоматические оповещения по электронной почте, рассылаемые заинтересованным соискателям.
  • Прямая интеграция с TalentEd Recruit & Hire и другими системами отслеживания кандидатов.
  • Разместить вакансию Узнать больше

Ищущие работу

  • Найти работу
  • Мой профайл

Работодатели

  • Разместить вакансию
  • Запросы на продажу

О нас

  • Контакт
  • Карта сайта
  • политика конфиденциальности
  • Условия эксплуатации

Соединять

kt+819+транзистор техническое описание и примечания по применению

Модель ECAD Производитель Описание Техническое описание Скачать Купить часть ТК065У65З Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation МОП-транзистор, N-канальный, 650 В, 38 А, 0,065 Ом при 10 В, ПЛАТА ТК5Р1П08КМ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation МОП-транзистор, N-канальный, 80 В, 84 А, 0,0051 Ом при 10 В, DPAK ТК190Э65З Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation N-канальный МОП-транзистор, 650 В, 0,19 Ом при 10 В, TO-220, DTMOS ТК5Р1А08QМ Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation МОП-транзистор, N-канальный, 80 В, 70 А, 0,0051 Ом при 10 В, TO-220SIS ТК155Э65З Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation N-канальный МОП-транзистор, 650 В, 0,155 Ом при 10 В, TO-220, DTMOS ТК090У65З Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation МОП-транзистор, N-канальный, 650 В, 30 А, 0,09 Ом при 10 В, ТОЛЛ

kt+819+транзистор Листы данных Context Search

Каталог Лист данных MFG и тип ПДФ Теги документов
КТ 819 транзистор 9* 2 0 В КТ3107Б ж , Д,П 9 ВС 109С 9 25 1,2 1,2 2Н 2Н 2Н КТ 2 1 П КТ КТ КТ СП 3055, КТ 819 ГМ 3055, КТ 819 ГМ 3055, КТ 819 ГМ 819 ГМ 3055 , КТ 819 ГМ 818 ГМ 818 ГМ 818 ГМ 235, СП 137 Д 2 1 5 3 3 3 3 3 3 3 3 !9 20 20 , 817 Г КТ 817 Вт КТ 818 А КТ 818 Б КТ 818 Г КТ 818 Вт КТ 819 А КТ 819 Б КТ 819 Г КТ 819 Вт КТ 3107 А КТ


OCR-сканирование
PDF
КТ 839

Реферат: КТ 828 А КТ 829 КТ 8232 КТ-119кт 505 кт 818 кт 201 500 кт 907 кт 382
Текст: 817 2 818 818 2 818 818 2 818 818 818 818 1 818 1 818 818 818 818 2 819 2 819 2 819 819 819 819 819 819 1 819 819 819 819 2 825 2 825 2 825 825 825 825


Оригинал
PDF КТ-19 КТ-26 КТ 839 КТ 828 А КТ 829 Кт 8232 КТ-119 КТ 505 КТ 818 201 500 кт КТ 907 КТ 382
КТ 819 транзистор

Реферат: KT819W RFT SV 3930 vq 123 SERVICE-MITTEILUNGEN HMKD KT 819RFT Transistoren Tonica KT 818
Текст: , BDV-Nr. 83 7 332o Pür V 22o2;V 23o2 — KT 819 W, BDV-Nr. 83 2 3328 Variante 2 — LP 5413.00-62.00 Pür V , Einbauhinweise zum Anodenanschluß — Эквивалент для транзистора P 215 A — Новый эквивалент для лучших


OCR-сканирование
PDF
диод си 345

Реферат: диод SY 192 sd 339 sy 320 диод SD 338 SY 345 КТ 829 б к3451 КТ 828 А SD337
Текст: (заказ SD 34o) SP 819 B SP 819 C SP 826 C (заказ SD 335) SP 826 D (заказ SD 335) SP 827 0 (заказ SD 337) SP


OCR-сканирование
PDF 18.03.379 диод сы 345 диод СИ 192 сд 339 си 320 диод СД 338 СИ 345 КТ 829 б к3451 КТ 828 А SD337
1999 — ТРАНЗИСТОР КТ 838

Реферат: КТ 819 транзистор 2SC4854
Текст: Номер заказа: EN4579 NPN Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор 2SC4854 Низковольтный, малоточный высокочастотный усилитель Применение Размеры корпуса · Низковольтный, слаботочный режим работы: fT=5GHz тип. (VCE=1В, IC=1мА) : S21e2=7дБ тип. (f=1ГГц). : NF=2,6 дБ тип. (f=1 ГГц). единица измерения: мм 2018B [2SC4854] 0,4 3 0,5 Характеристики 0,16 0,95 0,95 2 1,9 2,9 2,5 1 : Основание 2 : Излучатель 3 , 90,1 0,136 54,6 0,551 43,0 1200 0,257 108,4 2,940 81,9 0,153 54,3


Оригинал
PDF EN4579 2SC4854 S21e2 2018Б 2SC4854] ТРАНЗИСТОР КТ 838 Транзистор КТ 819 2SC4854
Д 1413 транзистор

Реферат: Транзистор КТ 819
Текст: Номер заказа:EN5036B NPN Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор 2SC5231 Широкополосный малошумящий усилитель VHF-UHF Применение Характеристики Размеры корпуса • Низкий уровень шума: N F= l,0 дБ тип. (f= IG H z). • Высокий коэффициент усиления: | S21 e 1 = 12 дБ тип. (f = 1 ГГц). 2 • Высокая частота среза: fj=7 ГГц тип. • Очень компактный корпус, позволяющий сделать прикладные комплекты 2SC5231 компактными и тонкими. единица измерения: мм 2106 , -51,2 1000 0,566 -150,7 2,995 81,9 0,125 35,7 0,434 -54,5 1200 0,555


OCR-сканирование
PDF EN5036B 2SC5231 0021b2b Транзистор Д 1413 Транзистор КТ 819
1999 — КТ 819 транзистор

Реферат: транзистор c 4977 ТРАНЗИСТОР КТ 837 технические характеристики ic 7405 EN5043 2SC4868 50431
Текст: Номер заказа:EN5043 NPN Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор 2SC4868 Широкополосный малошумящий усилитель VHF-UHF Применение Особенности Размеры упаковки · Низкий уровень шума: NF=1,2 дБ тип. (f=1GHz). · Высокий коэффициент усиления: S21e2=13 дБ тип. (f=1 ГГц). · Высокая частота среза: fT=90,0 ГГц тип. единица измерения: мм 2018B [2SC4868] 0,5 0,4 3 0,16 0,95 0,95 2 1,9 2,9 2,5 1 : Основание 2 : Излучатель 3 : Коллектор , 0,832 25,0 400 0,522 81,9 8,438 115,9 0,070 58 .2 0,648 35,5 600


Оригинал
PDF EN5043 2SC4868 S21e2 2018Б 2SC4868] Транзистор КТ 819 c 4977 транзистор ТРАНЗИСТОР КТ 837 технические характеристики ic 7405 EN5043 2SC4868 50431
2010 — КТ 819

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: =150 мА [Тип.] Пиковое значение dom [1] Значение 445 450 20 2,7 VF [2] 3,5 4,0 IR 10 8,19 A лм/Вт нм/ °C нм/ °C мВ


Оригинал
PDF КТ-2117QB25Z1S-VFS 15ммX 2000шт ДСАК2885 07 января 2010 г. КТ 819
1999 — КТ 819 транзистор

Реферат: кт 784 кт 818 55123 2SC5347 кт 814 09PF8
Текст: Номер для заказа:EN5512A Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор NPN 2SC5347 Высокочастотный полумощный выходной каскад, малошумящие усилители со средним выходным сигналом Применение Особенности Размеры корпуса · Усиление на высокочастотном среднем выходе (VCE=5 В, IC=50 мА): fT= 4,7 ГГц тип. (f=1 ГГц). : S21e2=8дБ тип. (f=1ГГц). : NF=1,8 дБ тип. (f=1 ГГц). единица измерения: мм 2038A [2SC5347] 4,5 1,6 2,5 1,0 0,4 , 6,428 81,90,089 73,7 0,149 72,3 500 0,359 169,3 5,293 77,6 0,110


Оригинал
PDF EN5512A 2SC5347 S21e2 2SC5347] 25макс Транзистор КТ 819 784 кт КТ 818 55123 2SC5347 814 кт 09PF8
1999 — 2SC5374

Реферат: Транзистор КТ 819 Спецификация зо 607
Текст: Номер заказа: EN5535A Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор NPN 2SC5374 OSC диапазона VHF-UHF, высокочастотные усилители Применение Характеристики Размеры упаковки · Высокий коэффициент усиления: S21e =10,5 дБ тип. (f=1 ГГц). · Высокая частота среза: fT=5,2 ГГц тип. 2 единица: мм 2106A [2SC5374] 0,75 0,6 0,4 0,3 0,2 0,1 0,5 0,5 0,1макс. 0,4 0,8 1,6 от 0 до 0,1 1,6 1 : База 2 : Излучатель 3 , 81,90,155 29,9 0,361 74,3 1000 0,568 164,2 2,218 73,4 0,161 30,0


Оригинал
PDF EN5535A 2SC5374 2SC5374] 2SC5374 Транзистор КТ 819 Спецификация зо 607
1999 — 2sc5231

Реферат: Транзистор 2SC5231A КТ 819 маркировка с7 ТА-0156
Текст: Номер заказа: EN5036B NPN Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор 2SC5231 Широкополосный малошумящий усилитель VHF-UHF Применение Особенности Размеры упаковки Единица измерения: мм 2106A [2SC5231] 0,75 0,6 0,3 0,4 · Низкий уровень шума: NF=1,0 дБ тип. $ £, £ L когда-либо 1 W


OCR-сканирование
PDF 151-Э -15iw-ese22mv21 КТ 819 LTJ3
КТ 819

Аннотация: ЭСЭ22Мх34
Текст: Gwnerciol Tolerance Sym. «»448 ± 0 . 2 Do t e ¥ n 0 ’03. 05. Редакция S S’ J s fa A A 2. 4 Дополнение к спецификации . 8.19 Изменение размера отвода, t — t f > / T l î ë S ‘0 5 .1 2 . I Разъяснение конструкции цепи. Подписано Проверено 52 H I K.T K. Y K.S K.T K. Y K.O K.T K. Y K.O CDD I Ur\ # D ir c r n c k ir p r n t i r tln tllN w L äf m НАЗНАЧЕНИЕ ТОЛЬКО Части I ist -ttÊ H E fflNo Part nane $ & è § oe Рычаг 1 — корпус 2 f r


OCR-сканирование
PDF ЭСЭ22Мх34 22Мх34 КТ 819
2004 — Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: 9.43 9.06 8.95 8.86 8.77 8.68 8.61 8.52 8.43 8.34 445.000 450.000 1.36 1.37 8.27 8.19 Назад


Оригинал
PDF CD542
ДМЭ 2000

Реферат: BEF-KHS-K01 din 43651 BEF-WG-W12 Sensick WTa 24-2 BEF-S-R2-16 BEF-GH-Mini01 Датчики болезни wll 170 BEF-WN-M30 BEF-KHS-C01
Текст: 4 027 532 BEF-W250 BEF-W260 5 305 850 5 304 819 BEF-WN-W27 BEF-WN-W23 BEF-WN-W32


Оригинал
PDF 130-С13, 130-С33* БЭФ-130-СТ ДМЭ 2000 БЭФ-КХС-К01 дин 43651 BEF-WG-W12 Сенсик WTa 24-2 БЭФ-С-Р2-16 BEF-GH-Mini01 больные датчики wll 170 БЭФ-ВН-М30 БЭФ-КХС-C01
2010 — Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: dom [1] Значение 445 450 20 2,7 VF [2] 3,5 4,0 IR 10 8,19_ Aufstecken ist zu vermeiden, weil ierzu Transistor zerstört würde, Transistoräauivalent In diesem SD-Kofferempfänger läßt sich der Transistor GT 402 E, EDV-Hr. 8352236 DDR-Typ, Транзистор KT 805 A, EDV-Hr. 8313205 в типе KT 808 AM. EDV-ч. 8383314 ersetzt, was die , Bohrungen indi viduell zu ändern. Die schwarze Farbe ist im Bereich der Transistor auflage vom Kühlblech zu


OCR-сканирование
PDF 05А-К КТ808 ку 606 КТ808АМ транзистор д 808 транзистор кт транзистор 805А 2110-Б1 КТ 805 РФТ Транзисторен 2107Б-2
2008 — 2SC5347

Резюме: ITR08157 ITR08158 ITR08159 ITR08160
Текст: 2SC5347 Номер заказа: EN5512C SANYO Semiconductors ТЕХНИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор NPN 2SC5347 Высокочастотный полумощный выходной каскад, малошумящий усилитель со средним выходным сигналом Применение Характеристики · Усилитель для высокочастотного среднего выходного сигнала (VCE=5 В, IC=50 мА) ) : fT=4,7 ГГц тип. (f=1 ГГц). :S21e2=8дБ тип. (f=1ГГц). : NF=1,8 дБ тип. (f=1 ГГц). Технические характеристики Абсолютный максимум, 174,96,428 81,9 0,089 73,7 0,149 -72,3 500 0,359 169,3 5,293 77,6


Оригинал
PDF 2SC5347 EN5512C S21e2 2SC5347 ITR08157 ITR08158 ITR08159 ITR08160
2008 — ITR08169

Резюме: 2SC5374 ITR08168 ITR08170 ITR08171 ITR08172
Текст: Номер заказа:ENN5535A Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор NPN 2SC5374 Диапазон VHF-UHF OSC, высокочастотные усилители Применение Характеристики Размеры упаковки S21e2=10,5 дБ · Высокий коэффициент усиления: тип. (f=1 ГГц). · Высокая частота среза: fT=5,2 ГГц тип. единица измерения: мм 2106A [2SC5374] 0,75 0,6 0,3 0,4 3 2 1 0,2 0,1 0,5 0,5 0,1макс. 0,4 0,8 1,6 0 до 0,1 1,6 1 : основание 2 , 2,716 81,90,155 29,9 0,361 74,3 1000 0,568 164,2 2,218 73,4 0,161


Оригинал
PDF ENN5535A 2SC5374 S21e2 2SC5374] ITR08169 2SC5374 ITR08168 ITR08170 ITR08171 ITR08172
2008 — 2SC5231

Резюме: ITR07963 ITR07964 ITR07965 ITR07966 ITR07967 Спецификация zo 607, маркировка C7
Текст: Номер заказа:ENN5036B Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор NPN 2SC5231 Широкополосный малошумящий усилитель VHF-UHF Применение Характеристики Размеры корпуса · Низкий уровень шума: NF=1,0 дБ тип. (f=1 ГГц). · Высокий коэффициент усиления: S21e2=12 дБ тип. (f=1 ГГц). · Высокая частота среза: fT=7 ГГц тип. · Ультракомпактный корпус, позволяющий сделать прикладные наборы компактными и тонкими. единица измерения: мм 2106A [2SC5231] 0,75 0,6 0,3 0,4 , 0,120 35,8 0,475 51,2 1000 0,566 150,7 2,995 81,9 0,125 35,7 0,434


Оригинал
PDF ENN5036B 2SC5231 S21e2 2SC5231] 2SC5231 ITR07963 ITR07964 ITR07965 ITR07966 ITR07967 Спецификация зо 607 маркировка С7
2005 — Недоступно

Резюме: нет абстрактного текста
Текст: Номер заказа:ENN5036B Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор NPN 2SC5231 Широкополосный малошумящий усилитель VHF-UHF Применение Особенности · Низкий уровень шума: NF=1,0 дБ тип. (f=1GHz). · Высокий коэффициент усиления: S21e2=12 дБ тип. (f=1 ГГц). · Высокая частота среза: fT=7 ГГц тип. · Ультракомпактный корпус, позволяющий сделать прикладные наборы компактными и тонкими. Размеры упаковки Единица измерения: мм 2106A [2SC5231] 0,3 0,4 0,75 0,6 3 0 , 116,7 101,4 90,4 81,9 74,2 67,5 62,0 55,9 50,9 | С12 | 0,038 0,067 0,098 0,112 0,120 0,125 0,131 0,137


Оригинал
PDF ENN5036B 2SC5231 S21e2 2SC5231]
2005 — ТРАНЗИСТОР КТ 837

Аннотация: транзистор а1046 А1046 А1684
Текст: Номер для заказа:ENN5535A NPN Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор 2SC5374 VHF-UHF Band OSC, высокочастотные усилители Применение Характеристики Размеры упаковки S21e2=10,5 дБ · Высокий коэффициент усиления: тип. (f=1GHz). · Высокая частота среза: fT=5,2 ГГц тип. единица измерения: мм 2106A [2SC5374] 0,75 0,6 0,3 0,4 3 2 1 0,2 0,1 0,5 0,5 0,1макс. 0,4 0,8 1,6 от 0 до 0,1 1,6 1 , 65,6 800 0,581 – 153,92,716 81,9 0,155 29,9 0,361 – 74,3 1000 0,568 –


Оригинал
PDF ENN5535A 2SC5374 2SC5374] ТРАНЗИСТОР КТ 837 а1046 транзистор А1046 А1684
2008 — КТ 819 транзистор

Реферат: 2SC4868 ITR07675 ITR07676 ITR07677 ITR07678 ТРАНЗИСТОР КТ 837
Текст: Номер заказа:ENN5043 NPN Эпитаксиальный планарный кремниевый транзистор 2SC4868 Широкополосный малошумящий усилитель VHF-UHF Применение Характеристики Размеры упаковки · Низкий уровень шума: NF=1,2 дБ тип.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *