Каковы основные параметры транзистора КТ3117. Как правильно подключить КТ3117 в схему. Какие аналоги существуют у КТ3117. В чем преимущества использования КТ3117 в импульсных схемах. Какие меры предосторожности нужно соблюдать при работе с КТ3117.
Основные характеристики и параметры транзистора КТ3117
Транзистор КТ3117 представляет собой импульсный эпитаксиально-планарный кремниевый n-p-n транзистор в металлостеклянном корпусе. Он широко применяется в переключающих и импульсных устройствах благодаря своим характеристикам.
Основные электрические параметры КТ3117:
- Максимальное напряжение коллектор-база: 60 В
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50-60 В (в зависимости от модификации)
- Максимальный постоянный ток коллектора: 400 мА
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 300-500 мВт (зависит от модификации и температуры)
- Статический коэффициент передачи тока: 40-300 (зависит от модификации)
- Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 200 МГц
- Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ
Как видно из параметров, КТ3117 обладает хорошим быстродействием и способен работать на высоких частотах, что делает его подходящим для импульсных схем.
Особенности применения транзистора КТ3117 в электронных схемах
При использовании КТ3117 в электронных устройствах следует учитывать некоторые важные моменты:
- Правильное подключение выводов согласно цоколевке: эмиттер — левый вывод, база — средний, коллектор — правый (если смотреть на плоскую сторону корпуса).
- Соблюдение предельно допустимых электрических режимов, особенно по напряжению и току коллектора.
- Обеспечение достаточного теплоотвода при работе на больших токах или в импульсном режиме с высокой скважностью.
- Учет температурной зависимости параметров, особенно коэффициента передачи тока.
- Использование защитных цепей для предотвращения пробоя при работе с индуктивной нагрузкой.
При правильном применении КТ3117 способен обеспечить высокую надежность и стабильность работы импульсных схем.
Модификации транзистора КТ3117 и их отличия
Транзистор КТ3117 выпускается в нескольких модификациях, различающихся некоторыми параметрами:
- КТ3117А — базовая модификация
- КТ3117Б — повышенный коэффициент передачи тока (100-300)
- 2Т3117А — расширенный температурный диапазон (-60…+125°C)
- КТ3117А-1 — повышенная рассеиваемая мощность (500 мВт)
Чем отличаются эти модификации? КТ3117Б имеет более высокий коэффициент усиления, что может быть полезно в схемах с большим усилением. 2Т3117А предназначен для работы в более широком диапазоне температур, что важно для промышленных и военных применений. КТ3117А-1 способен рассеивать больше мощности, что позволяет использовать его в более мощных схемах или при худших условиях охлаждения.
Аналоги транзистора КТ3117 и их сравнительные характеристики
У КТ3117 существует ряд отечественных и зарубежных аналогов с близкими характеристиками:
- 2N2222, 2N2221 — популярные американские аналоги
- BC547 — европейский аналог
- КТ315 — отечественный аналог с несколько худшими частотными свойствами
- 2SC1815 — японский аналог
Как выбрать подходящий аналог? Следует сравнить ключевые параметры: максимальные напряжения и токи, коэффициент усиления, граничную частоту. Важно также учитывать корпус и цоколевку. Не все аналоги полностью взаимозаменяемы, может потребоваться корректировка схемы.
Преимущества использования КТ3117 в импульсных схемах
Транзистор КТ3117 обладает рядом достоинств, делающих его отличным выбором для импульсных применений:
- Высокая граничная частота (более 200 МГц) обеспечивает хорошее быстродействие
- Малое время рассасывания (60-80 нс) позволяет формировать короткие импульсы
- Низкая емкость коллекторного перехода (до 10 пФ) минимизирует искажения сигнала
- Хорошая линейность характеристик в импульсном режиме
- Высокая надежность и стабильность параметров
Эти свойства позволяют создавать на основе КТ3117 эффективные генераторы, формирователи и усилители импульсных сигналов.
Особенности монтажа и эксплуатации транзистора КТ3117
При работе с КТ3117 следует соблюдать определенные правила:
- Использовать антистатические меры предосторожности при монтаже
- Не допускать перегрева выводов при пайке (не более 260°C в течение 5 с)
- Обеспечивать надежный теплоотвод, особенно при работе на больших токах
- Не превышать предельно допустимые электрические режимы
- Учитывать возможный разброс параметров и их температурную зависимость
Соблюдение этих правил поможет обеспечить долговременную и надежную работу устройств на основе КТ3117.
Типовые схемы включения транзистора КТ3117
Транзистор КТ3117 может использоваться в различных схемах включения:
- С общим эмиттером — для усиления напряжения и тока
- С общей базой — для усиления тока в высокочастотных схемах
- С общим коллектором (эмиттерный повторитель) — для согласования импедансов
- Дифференциальный каскад — для усиления разностного сигнала
- Ключевой режим — для коммутации сигналов и нагрузок
Выбор схемы включения зависит от конкретной задачи и требуемых характеристик. Например, схема с общим эмиттером обеспечивает наибольшее усиление, но имеет худшие частотные свойства по сравнению со схемой с общей базой.
Транзистор КТ3117: КТ3117А, 2Т3117А
ОТ КАТОДА ДО АНОДА
Поиск по сайту Новости Система на кристалле NMC1000 Wi-Fi с нереально низким энергопотреблением | ГЛАВНАЯ » ТРАНЗИСТОРЫ » КТ3117 Транзистор КТ3117 — импульсный, эпитаксиально-планарный, кремниевый. Применяется в переключающих и импульсных устройствах. Имеет металлостеклянный корпус. Выводы — гибкие. Тип указывается на корпусе. Весит транзистор не более 0.4 г. КТ3117 цоколевкаЦоколевка КТ3117 показана на рисунке. Электрические параметры транзистора КТ3117
Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ3117
| |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1°C/мВтТранзистор КТ3117 — DataSheet
Перейти к содержимому
Цоколевка транзистора КТ3117
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ3117А | 2N2121, 2N2221, 2N2478, ZT83, ZT84, 2N3326 *2, 2SC456 *2, 2SC46 *2, SL100 *3, 40577, BC341-6 *3, SG107 *2 | |||
| КТ3117Б | 2N2122, 2N2222, 2SC875 *3, ZT89 *3, BFY13, 2SC1211 *1, BC341-10 *3, SG332 *3, 40577 *2, BC509 *3, 2N4047, TIS135 *3, 2N2049 *2, BSY71 *2, 2SD1423AQ *1, 2SD1423AR *1, 2SD602A *3 | ||||
| КТ3117А-1 | BFX94, NT2222, CD637, ВС509 *2, РА6034 *2, PN3642, MPS3642, CD635 *2 | ||||
| КТ3117Б9 | ММВТ2222 | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ3117А | — | 300(800**) | мВт |
| КТ3117Б | — | 300 | |||
| КТ3117А-1 | — | 500 | |||
| КТ3117А9 | — | 300(800*) | |||
| КТ3117Б9 | — | 300 | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ3117А | — | ≥200 | МГц |
| КТ3117Б | — | ≥200 | |||
| КТ3117А-1 | — | ≥200 | |||
| КТ3117А9 | — | ≥200 | |||
| КТ3117Б9 | — | ≥200 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ3117А | — | 60 | В |
| КТ3109Б | — | 75 | |||
| КТ3117А-1 | — | 60 | |||
| КТ3117А9 | — | 60 | |||
| КТ3117Б9 | — | 75 | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ3117А | — | 4 | В |
| КТ3117Б | — | 4 | |||
| КТ3117А-1 | — | 4 | |||
| КТ3117А9 | — | 4 | |||
| КТ3117Б9 | — | 4 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ3117А | — | 400(0. 8*А) | мА |
| КТ3117Б | — | 400(0.8*А) | |||
| КТ3117А-1 | — | 400(0.8*А) | |||
| КТ3117А9 | — | 400(0.8*А) | |||
| КТ3117Б9 | — | 400(0.8*А) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ3117А | 60 В | ≤10 | мкА |
| КТ3117Б | 75 В | ≤10 | |||
| КТ3117А-1 | 60 В | ≤10 | |||
| КТ3117А9 | 60 В | ≤10 | |||
| КТ3117Б9 | 75 В | ≤10 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ3117А | 5 В; 0. 2 А | 40…200* | |
| КТ3117Б | 5 В; 0.2 А | 100…300* | |||
| КТ3117А-1 | 5 В; 0.2 А | 40…200 | |||
| КТ3117А9 | 5 В; 0.2 А | 40…200* | |||
| КТ3117Б9 | 5 В; 0.2 А | 10…300* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ3117А | 10 В | ≤10 | пФ |
| КТ3117Б | 10 В | ≤10 | |||
| КТ3117А-1 | 10 В | ≤10 | |||
| КТ3117А | 10 В | ≤10 | |||
| КТ3117Б | 10 В | ≤10 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у. р. | КТ3117А | — | ≤1.2 | Ом, дБ |
| КТ3117Б | — | ≤1.2 | |||
| КТ3117А-1 | — | ≤1.2 | |||
| КТ3117А9 | — | ≤1.2 | |||
| КТ3117Б9 | — | ≤1.2 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ3117А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ3117Б | — | — | |||
| КТ3117А-1 | — | — | |||
| КТ3117А9 | — | — | |||
| КТ3117Б9 | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ3117А | — | ≤80* | пс |
| КТ3117Б | — | ≤80* | |||
| КТ3117А-1 | — | ≤80* | |||
| КТ3117А9 | — | ≤80* | |||
| КТ3117Б9 | — | ≤80* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам. тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Цветовая и кодовая маркировка транзисторов
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Предельные характеристики диодных датчиков температуры
- title={Предельные характеристики диодных датчиков температуры},
автор={Ю. М. Шварц и Виталий Борблик и Николай Р. Кулиш и Евгений Ф. Венгер и В. Н. Соколов},
journal={Датчики и актуаторы A-физические},
год = {2000},
объем = {86},
страницы = {197-205}
}
- Ю. М. Шварц, В. Борблик, В. Соколов
- Опубликовано 15 ноября 2000 г.
- Материаловедение
- Датчики и приводы А-физический
Просмотр через Publisher
Оценка предела эксплуатации при высоких температурах для 4H-SiC датчиков экстремальных температур на основе диода Шоттки
- 1, S.
001023- 23
- 23 Шутов, Ерочин С., Деменский Алексей М.
Материаловедение
IEEE Sensors Journal
- 2019
001023Разработана упрощенная теоретическая модель для расчета параметров диодных датчиков температуры (ДТД) на основе диодов Шоттки (СД). ). Механизм протекания тока рассмотренных диодов был…
Влияние неоднородного профиля легирования на термометрические характеристики диодных датчиков температуры
- В. Соколов
Физика, материаловедение
- 2002
Теоретическое исследование зависимости температуры от концентрации неоднородного легирования представлен диодный датчик температуры, что является первой попыткой в этой области…
Высокочувствительный вакуумный диодный датчик температуры на основе эффекта снижения барьера
- Zhihua Shen, Xiao Wang, Shengli Wu
Физика
Микромашины
- 2022
В этой статье был предложен и численно исследован новый тип датчика температуры на основе вакуумного диода.
Этот прибор работал с различными механизмами электронной эмиссии в соответствии с…
Систематическая погрешность диодного термометра.
Приведены результаты измерения систематической погрешности из-за нагрева током прямого смещения на нескольких диодах в широком диапазоне силы тока смещения.
Радиационно-стимулированные процессы в транзисторных датчиках температуры
- Павлик Б., Грипа А.С.
Физика
- 2016
эмиттер-база в транзисторах КТ3117. Показано, что увеличение тока…
Примечание: Определение температурной зависимости ширины запрещенной зоны GaP по температурным характеристикам диода.
Достигнуто удовлетворительное совпадение экспериментальных и теоретических результатов с учетом литературы по фосфиду галлия, и предложенный метод может быть применен для обработки экспериментальных данных в высокотемпературной термометрии.
Моделирование температурной чувствительности диодов с p-n-переходом для тепловизионных приложений на основе микроболометров
Представлена модель электрического поведения диодов с p-n-переходом, смещенных в прямом направлении и используемых в качестве термочувствительных устройств (TSD) в микроболометрах. Он основан на известном…
Датчики температуры CMOS — концепции, состояние и перспективы
В статье рассмотрено современное состояние датчиков температуры на ИС. Он начинается с пересмотра полупроводниковой теории термодиодов и термотранзисторов, продолжается введением IC…
Массив диодных датчиков температуры для измерения микромасштабных температур поверхности с высоким разрешением
- I. Han, S. Kim
Engineering
- 2008
Schottky diode temperature sensor for pressure sensor
- Mikhail Basov
Materials Science
- 2021
SHOWING 1-10 OF 12 REFERENCES
SORT BYRelevanceMost Influenced PapersRecency
On diode thermometers
- N. Sclar, Д. Поллок
Физика
- 1972
Sclar, Д. ПоллокВлияние тока на низкотемпературные характеристики диодных датчиков
- V. Chopra, G. Dharmadurai
Физика
- 1980
Теория перекрестков P-N в полупроводниках и P-N Junction Transistors
- W. Shockley
Физики
- W. Shockley
Physics
- W. Shockley
2020202011. Тех. J.
- 1949
Теория распределения и выпрямления потенциала для p-n-переходов разработана с упором на германий, в результате чего проводимость для простого случая изменяется как (1 + iωτ p )1/2, где τ p — время жизни дырки в n-области.
Извлечение времени жизни рекомбинации неосновных носителей из характеристик прямого диода от прямых диодных ВАХ. Использование диодов с сильно различающимся отношением периметра к площади и…
Пикосекундная фотопроводимость в германиевых пленках
- A. Defonzo
Физика
- 1981
Описан пикосекундный фотопроводящий детектор на основе нового фотопроводящего материала ρ-Ge. Измерения фотоконкурсии показывают время релаксации менее 50 пс и чувствительность, превышающую…
Остаточные неадеальности в почти идеальном кремниевом соединении P-N
- G. Cerofolini, M. Polignano
Физика
- 1990 9000
Наблюдаемые пределы временного разрешения при корреляционных измерениях с пикосекундными фотопроводниками Si-на-сапфире, GaAs и InP
- R. Hammond, N. Paulter, R. Wagner
Physics
- 1984 We
4
сообщают о кросс-корреляционных измерениях отклика генераторов импульсов фотопроводника и стробирующих элементов, возбуждаемых фемтосекундным лазером. - М. Шур
Физика
- 1987
Фотопроводники были изготовлены с использованием микрополосковой передачи…Gaas Devices And Circuits
Эффект.- 5. Осцилляторы электронов с переносом.- 6. Перенос… 1983
Показано, что светодиоды Monsanto MV54 можно монтировать в состоянии «как получено», чтобы они служили дешевыми, чувствительными и надежными криогенными термометрами.
Lasergesteuertes Schnelles Optoelektronisches Schalten в Halbletern
- V. Brückner, F. Kerstan
Chemistry
- 1984
Advanced Configuration for Oracle at Knowledge Transfer
Описание
Зачисление на этот курс обучения Oracle GoldenGate 12c поможет вам развить навыки установки и настройки. Взаимодействуя с ведущими инструкторами Oracle, вы сможете задавать вопросы по мере обучения, чтобы закрепить свое понимание.
Учитесь:
- Объясните параметры расширенной конфигурации Oracle GoldenGate.
- Опишите и используйте преимущества интегрированной функции захвата и недавно представленной функции интегрированной репликации для репликации сложных типов данных и сжатых данных.
- Интегрируйте файловую систему базы данных (DBFS) с Oracle GoldenGate для достижения максимальной доступности.
- Настройте и внедрите систему маркеров событий Oracle GoldenGate.
- Включить преобразование данных на основе записей о событиях в журналах транзакций или в трейл-файлах.
- Выполнить миграцию базы данных с нулевым временем простоя.
- Настройка и управление расширенными моделями развертывания, такими как конфигурация репликации с несколькими узлами с тремя узлами.
- Основные средства Oracle GoldenGate для обнаружения и разрешения конфликтов данных в реализациях репликации «активный-активный».
- Используйте смоделированную конфигурацию Oracle RAC, чтобы поэкспериментировать с возможностями Oracle GoldenGate Clusterware, которые обеспечивают бесперебойную репликацию данных в случае сбоя узла.
Преимущества для вас
Интегрируйте разрозненные данные вашей организации в разнородных базах данных для более эффективного принятия решений. Станьте более эффективными при настройке и внедрении более продвинутых функций Oracle GoldenGate, используемых вместе с Oracle RDBMS 12c.
Включить миграцию с нулевым временем простоя
Включить миграцию с нулевым временем простоя: этот курс также позволяет имитировать обновление системы. Вы разовьете навыки, необходимые для того, чтобы пережить прерванную миграцию без потери данных. Оттачивайте эти навыки, участвуя в практических демонстрациях и упражнениях.
Репликация «активный-активный» и CDR
Вы также создадите двухстороннюю и трехстороннюю конфигурации репликации «активный-активный». Изучите как базовое, так и расширенное обнаружение и разрешение конфликтов (CDR). Изучите базовые CDR, предоставляемые продуктом, с более продвинутыми пользовательскими методами CDR, реализованными с использованием SQLEXEC и хранимых процедур.
Настройка интегрированных групп извлечения
Настройка интегрированных групп извлечения и групп интегрированных реплик: также подробно рассматриваются функция интегрированного извлечения и недавно введенная функция интегрированной репликации. Вы научитесь настраивать интегрированные группы извлечения, работающие как в локальном, так и в нисходящем режимах развертывания, а также настраивать интегрированные группы репликации, которые обеспечивают автоматические потоки параллельного применения с учетом зависимостей для значительного повышения производительности доставки данных.
Научитесь использовать расширенные функции
По завершении этого курса вы сможете использовать более продвинутые функции Oracle GoldenGate 12c, включая: интегрированный захват, интегрированную доставку, активно-активную репликацию, обнаружение и разрешение конфликтов, Репликация DDL/DML, подсистема маркеров событий Oracle GoldenGate, расширенные методы обработки и преобразования данных, а также расширенное сопоставление данных.
Defonzo
Фотопроводники были изготовлены с использованием микрополосковой передачи…
