Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора
PK max,P*K, τ max,P**K, и max
КТ3117А
—
300(800**)
мВт
КТ3117Б
—
300
КТ3117А-1
—
500
КТ3117А9
—
300(800*)
КТ3117Б9
—
300
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
fгр, f*h31б, f**h31э, f***max
КТ3117А
—
≥200
МГц
КТ3117Б
—
≥200
КТ3117А-1
—
≥200
КТ3117А9
—
≥200
КТ3117Б9
—
≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера
UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб.
КТ3117А
—
60
В
КТ3109Б
—
75
КТ3117А-1
—
60
КТ3117А9
—
60
КТ3117Б9
—
75
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
UЭБО проб.,
КТ3117А
—
4
В
КТ3117Б
—
4
КТ3117А-1
—
4
КТ3117А9
—
4
КТ3117Б9
—
4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора
IK max, I*К , и max
КТ3117А
—
400(0. 8*А)
мА
КТ3117Б
—
400(0.8*А)
КТ3117А-1
—
400(0.8*А)
КТ3117А9
—
400(0.8*А)
КТ3117Б9
—
400(0.8*А)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
IКБО, I*КЭR, I**КЭO
КТ3117А
60 В
≤10
мкА
КТ3117Б
75 В
≤10
КТ3117А-1
60 В
≤10
КТ3117А9
60 В
≤10
КТ3117Б9
75 В
≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером
h21э, h*21Э
КТ3117А
5 В; 0. 2 А
40…200*
КТ3117Б
5 В; 0.2 А
100…300*
КТ3117А-1
5 В; 0.2 А
40…200
КТ3117А9
5 В; 0.2 А
40…200*
КТ3117Б9
5 В; 0.2 А
10…300*
Емкость коллекторного перехода
cк, с*12э
КТ3117А
10 В
≤10
пФ
КТ3117Б
10 В
≤10
КТ3117А-1
10 В
≤10
КТ3117А
10 В
≤10
КТ3117Б
10 В
≤10
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером
rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у. р.
КТ3117А
—
≤1.2
Ом, дБ
КТ3117Б
—
≤1.2
КТ3117А-1
—
≤1.2
КТ3117А9
—
≤1.2
КТ3117Б9
—
≤1.2
Коэффициент шума транзистора
Кш, r*b, P**вых
КТ3117А
—
—
Дб, Ом, Вт
КТ3117Б
—
—
КТ3117А-1
—
—
КТ3117А9
—
—
КТ3117Б9
—
—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте
τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс)
КТ3117А
—
≤80*
пс
КТ3117Б
—
≤80*
КТ3117А-1
—
≤80*
КТ3117А9
—
≤80*
КТ3117Б9
—
≤80*
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам. тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Цветовая и кодовая маркировка транзисторов
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
Транзистор КТ3117: КТ3117А, 2Т3117А
Поиск по сайту
Новости
Галогенным лампам снова нашли замену
ГЛАВНАЯ » ТРАНЗИСТОРЫ » КТ3117
Транзистор КТ3117 — импульсный, эпитаксиально-планарный, кремниевый. Применяется в переключающих и импульсных устройствах. Имеет металлостеклянный корпус. Выводы — гибкие. Тип указывается на корпусе. Весит транзистор не более 0.4 г.
КТ3117 цоколевка
Цоколевка КТ3117 показана на рисунке.
Электрические параметры транзистора КТ3117
• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером при Uкэ = 5 В, Iэ = 200 мА:
Т = +25°C
40 ÷ 200
Т = −45°C КТ3117А, Т = −60°C 2Т3117А
15 ÷ 200
Т = +85°C КТ3117А, Т = +125°C 2Т3117А
30 ÷ 350
• Граничная частота коэффициента передачи тока при Uкэ = 10 В, Iк = 30 мА, не менее:
КТ3117А
200 МГц
2Т3117А
300 МГц
• Время рассасывания при I
к = 500 мА, Iб = 50 мА, не более:
КТ3117А
80 нс
2Т3117А
60 нс
• Напряжение насыщения К-Э при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более:
КТ3117А
0. 6 В
2Т3117А
0.5 В
• Напряжение насыщения Э-Б при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более
1.2 В
• Ток коллектора (обратный) при Uкб = 60 В, не более:
T = +25°C КТ3117А
10 мкА
T = +25°C 2Т3117А
5 мкА
T = +85°C КТ3117А
100 мкА
T = +125°C 2Т3117А
50 мкА
• Ток эмиттера (обратный) при Uэб = 4 В для 2Т3117А, не более
5 мкА
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, не более
10 пФ
• Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более
80 пФ
Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ3117
• Напряжение К-Б (постоянное):
60 В
• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 1 кОм
КТ3117А
50 В
2Т3117А
60 В
• Постоянное напряжение Э-Б
4 В
• Импульсное напряжение Э-Б при tи ≤ 1 мкс, Q ≥ 2
5 В
• Ток коллектора (постоянный)
400 мА
• Ток коллектора (импульсный) при tи ≤ 10 мкс, Q ≥ 10
800 мА
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
T ≤ +40°C КТ3117А
300 мВт
T ≤ +25°C 2Т3117А
300 мВт
T = +85°C КТ3117А
180 мВт
T = +125°C 2Т3117А
70 мВт
Tк ≤ +50°C 2Т3117А
1 Вт
Tк = +125°C 2Т3117А
250 мВт
• Рассеиваемая мощность коллектора (импульсная) при Tи = ≤ 10 мкс, Q ≥ 10:
T ≤ +40°C КТ3117А
800 мВт
T ≤ +25°C 2Т3117А
800 мВт
T = +85°C КТ3117А
400 мВт
T = +125°C 2Т3117А
200 мВт
• Тепловое сопротивление:
переход — корпус
0. 1°C/мВт
переход — среда
0.35°C/мВт
• Температура p-n перехода
+150°C
• Рабочая температура (окружающей среды):
КТ3117А
−45…+85°C
2Т3117А
−60…+125°C
Datasheet Search Sites for Semiconductor
Что такое техническое описание?
Спецификация представляет собой своего рода руководство по полупроводниковым, интегрированным схемам. Спецификация — это документ в печатном или электронном виде, в котором содержится подробная информация о продукте, таком как компьютер, компьютерный компонент или программа. Техническое описание включает информацию, которая может помочь в принятии решения о покупке продукта, предоставляя технические характеристики продукта.
Содержимое файла обычно содержит детали, упаковки, коды заказа и максимальные номинальные напряжения.
Раньше он распространялся в виде книги, называемой сборником данных, но теперь он доступен в виде файла PDF. Обычно предоставляется в виде PDF-файла. Как правило, таблицы данных часто имеют несколько дистрибутивов, поэтому полезно проверить последние таблицы данных.
Тем не менее рекомендую свериться с техническими данными за тот период времени, когда вам известен год производства деталей, которыми вы владеете.
Сайты ссылок
1. Сайт с техническими данными предоставлен магазином полупроводников
https://www.arrow.com/
https://www.digikey.com/
https://www.mouser.com/
http://www.element14.com/
https://www.verical.com/
http://www. chip1stop.com/
https://www.avnet.com/
http://www.newark.com/
http://www.futureelectronics.com/
https://www.ttiinc.com/
2. Datasheet Search Site Collection
http://www.datasheet39.com/
http://www.datasheet4u.com/
http://www.datasheetcatalog.com/
http://www.alldatasheet.com/
http://www.icpdf.com/
http://www.htmldatasheet.com/
http://www.datasheets360.com/
https://octopart.com/
Octopart — поисковая система для электронных и промышленных деталей. Найдите данные детали , проверьте наличие и сравните цены у сотен дистрибьюторов и тысяч производителей.
3. Другие семейства сайтов, связанные с таблицами данных
Сверхбыстродействующий дискретный диод Hi-Rel, 400 В, 10 А, в корпусе TO-257AA Сверхбыстродействующий дискретный диод, 400 В, 10 А, в корпусе D2 Сверхбыстродействующий дискретный диод, 150 В, 10 А, Hi-Rel, в корпусе TO-257AA Сверхбыстрый дискретный диод Hi-Rel 150 В, 10 А в корпусе D2 Сверхбыстродействующий дискретный диод Hi-Rel, 100 В, 10 А, в корпусе D2 ОДИНАРНЫЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ В HERMETIC Сверхбыстродействующий дискретный диод, 200 В, 10 А, Hi-Rel, в корпусе D2 Схемы сброса питания мкП
International Rectifier Список неклассифицированных производителей ETC[ETC]
ВСМП1206
Технология объемной металлической фольги на основе Z Дискретный высокоточный чип-резистор для поверхностного монтажа Высокая мощность — превосходная долговременная стабильность Z0175 Резисторы фиксированные дискретные
Vishay Intertechnology, Inc. VISAY[Vishay Siliconix]
2SJ208 2SJ208-T2 2SJ208-T1
Коробчатая контактная колодка, Дискретное обжимное соединение для проводов, Дискретные соединители для проводов; HRS №: 543-0502-8 00; Количество позиций: 6; Тип разъема: Провод P-КАНАЛЬНЫЙ MOS FET ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
NEC Corp. NEC[NEC]
2SJ220 2SJ220L 2SJ220S
Коробчатая контактная колодка, Дискретное обжимное соединение для проводов, Дискретные соединители для проводов; HRS №: 543-0519-0 01; Количество позиций: 8; Тип разъема: Плата КРЕМНИЕВЫЙ P-КАНАЛЬНЫЙ MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING
Хитачи, ООО Хитачи Полупроводник
HI1-774J5 HI3-674ALD5 HI3-674ATD/883 HI1-774AK5 HI
Коробчатая контактная колодка, Дискретное обжимное соединение для проводов, Дискретные соединители для проводов; HRS №: 536-0525-5 91; Покрытие контактной площадки: Золото ИС преобразователя 转换IC ИС преобразователя 转换器IC