Кт3117А цоколевка: Транзистор КТ3117А — параметры, цоколевка, аналоги, обозначение — Справочник по отечественным транзисторам

Транзистор КТ3117 — DataSheet

Перейти к содержимому

Цоколевка транзистора КТ3117

 

Параметры транзистора КТ3117
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ3117А2N2121, 2N2221, 2N2478, ZT83, 

ZT84, 2N3326 *2, 2SC456 *2, 2SC46 *2, SL100 *3, 40577, BC341-6 *3

SG107 *2

КТ3117Б2N2122, 2N2222, 2SC875 *3, ZT89 *3, BFY13, 2SC1211 *1, BC341-10 *3, SG332
*3
, 40577 *2, BC509 *3, 2N4047, TIS135 *3, 2N2049 *2, BSY71 *2, 2SD1423AQ *1, 2SD1423AR *1, 2SD602A *3
КТ3117А-1BFX94, NT2222, CD637, ВС509 *2, РА6034 *2, PN3642, MPS3642, 

CD635 *2

КТ3117Б9ММВТ2222
Структура —n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ3117А300(800**)мВт
КТ3117Б300
КТ3117А-1500
КТ3117А9300(800*)
КТ3117Б9300
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ3117А≥200МГц
КТ3117Б≥200
КТ3117А-1≥200
КТ3117А9≥200
КТ3117Б9≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб.U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ3117А60В
КТ3109Б75
КТ3117А-160
КТ3117А960
КТ3117Б975
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ3117А —4В
КТ3117Б4
КТ3117А-1
4
КТ3117А94
КТ3117Б94
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ3117А400(0. 8*А)мА
КТ3117Б400(0.8*А)
КТ3117А-1400(0.8*А)
КТ3117А9400(0.8*А)
КТ3117Б9400(0.8*А)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ3117А60 В≤10мкА
КТ3117Б75 В≤10
КТ3117А-160 В≤10
КТ3117А960 В≤10
КТ3117Б975 В≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ3117А5 В; 0. 2 А40…200*
КТ3117Б5 В; 0.2 А100…300*
КТ3117А-15 В; 0.2 А40…200
КТ3117А95 В; 0.2 А40…200*
КТ3117Б95 В; 0.2 А10…300*
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ3117А10 В≤10пФ
КТ3117Б10 В≤10
КТ3117А-110 В≤10
КТ3117А10 В≤10
КТ3117Б10 В≤10
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у. р.КТ3117А≤1.2Ом, дБ
КТ3117Б≤1.2
КТ3117А-1≤1.2
КТ3117А9≤1.2
КТ3117Б9≤1.2
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ3117АДб, Ом, Вт
КТ3117Б
КТ3117А-1
КТ3117А9
КТ3117Б9
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ3117А≤80*пс
КТ3117Б≤80*
КТ3117А-1≤80*
КТ3117А9≤80*
КТ3117Б9≤80*

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам. тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

 

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор КТ3117: КТ3117А, 2Т3117А

Поиск по сайту

Новости


Галогенным лампам снова нашли замену

ГЛАВНАЯ » ТРАНЗИСТОРЫ » КТ3117


Транзистор КТ3117 — импульсный, эпитаксиально-планарный, кремниевый. Применяется в переключающих и импульсных устройствах. Имеет металлостеклянный корпус. Выводы — гибкие. Тип указывается на корпусе. Весит транзистор не более 0.4 г.

КТ3117 цоколевка

Цоколевка КТ3117 показана на рисунке.


Электрические параметры транзистора КТ3117

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером
при Uкэ = 5 В, Iэ = 200 мА:
 Т = +25°C40 ÷ 200
 Т = −45°C КТ3117А, Т = −60°C 2Т3117А15 ÷ 200
 Т = +85°C КТ3117А, Т = +125°C 2Т3117А30 ÷ 350
• Граничная частота коэффициента передачи тока
при Uкэ = 10 В, Iк = 30 мА, не менее:
КТ3117А200 МГц
2Т3117А300 МГц
• Время рассасывания при I
к
= 500 мА, Iб = 50 мА, не более:
КТ3117А80 нс
2Т3117А60 нс
• Напряжение насыщения К-Э при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более:
КТ3117А0. 6 В
2Т3117А0.5 В
• Напряжение насыщения Э-Б при Iк = 500 мА, Iб = 50 мА, не более  
1.2 В
• Ток коллектора (обратный) при Uкб = 60 В, не более:
T = +25°C КТ3117А10 мкА
T = +25°C 2Т3117А5 мкА
T = +85°C КТ3117А100 мкА
T = +125°C 2Т3117А50 мкА
• Ток эмиттера (обратный) при Uэб = 4 В для 2Т3117А, не более5 мкА
• Ёмкость коллекторного перехода  при Uкб = 10 В, не более10 пФ
• Ёмкость эмиттерного перехода при Uэб = 0, не более80 пФ

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ3117

• Напряжение К-Б (постоянное):60 В
• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ ≤ 1 кОм
КТ3117А50 В
2Т3117А60 В
• Постоянное напряжение Э-Б4 В
• Импульсное напряжение Э-Б при tи ≤ 1 мкс, Q ≥ 25 В
• Ток коллектора (постоянный)400 мА
• Ток коллектора (импульсный) при tи ≤ 10 мкс, Q ≥ 10800 мА
• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
T ≤ +40°C КТ3117А300 мВт
T ≤ +25°C 2Т3117А300 мВт
T = +85°C КТ3117А180 мВт
T = +125°C 2Т3117А70 мВт
Tк ≤ +50°C 2Т3117А1 Вт
Tк = +125°C 2Т3117А250 мВт
• Рассеиваемая мощность коллектора (импульсная) при Tи = ≤ 10 мкс, Q ≥ 10:
T ≤ +40°C КТ3117А800 мВт
T ≤ +25°C 2Т3117А800 мВт
T = +85°C КТ3117А400 мВт
T = +125°C 2Т3117А200 мВт
• Тепловое сопротивление:
переход — корпус0. 1°C/мВт
переход — среда0.35°C/мВт
• Температура p-n перехода+150°C
• Рабочая температура (окружающей среды):
КТ3117А−45…+85°C
2Т3117А−60…+125°C


Datasheet Search Sites for Semiconductor

Что такое техническое описание?

Спецификация представляет собой своего рода руководство по полупроводниковым, интегрированным схемам. Спецификация — это документ в печатном или электронном виде, в котором содержится подробная информация о продукте, таком как компьютер, компьютерный компонент или программа. Техническое описание включает информацию, которая может помочь в принятии решения о покупке продукта, предоставляя технические характеристики продукта.

Содержимое файла обычно содержит детали, упаковки, коды заказа и максимальные номинальные напряжения.

Раньше он распространялся в виде книги, называемой сборником данных, но теперь он доступен в виде файла PDF. Обычно предоставляется в виде PDF-файла. Как правило, таблицы данных часто имеют несколько дистрибутивов, поэтому полезно проверить последние таблицы данных.

Тем не менее рекомендую свериться с техническими данными за тот период времени, когда вам известен год производства деталей, которыми вы владеете.

Сайты ссылок

1. Сайт с техническими данными предоставлен магазином полупроводников

  • https://www.arrow.com/
  • https://www.digikey.com/
  • https://www.mouser.com/
  • http://www.element14.com/
  • https://www.verical.com/
  • http://www. chip1stop.com/
  • https://www.avnet.com/
  • http://www.newark.com/
  • http://www.futureelectronics.com/
  • https://www.ttiinc.com/

 

2. Datasheet Search Site Collection

  • http://www.datasheet39.com/
  • http://www.datasheet4u.com/
  • http://www.datasheetcatalog.com/
  • http://www.alldatasheet.com/
  • http://www.icpdf.com/
  • http://www.htmldatasheet.com/
  • http://www.datasheets360.com/
  • https://octopart.com/

Octopart — поисковая система для электронных и промышленных деталей. Найдите данные детали , проверьте наличие и сравните цены у сотен дистрибьюторов и тысяч производителей.

 

3. Другие семейства сайтов, связанные с таблицами данных

  • https://en.wikipedia.org/wiki/Datasheet
  • http://www.smdcode.com/ru/
  • http://www. s-manuals.com/smd
  • http://www.qsl.net/yo5ofh/data_sheets/data_sheets_page.htm

4. Как читать технические характеристики

  • https://www.sparkfun.com/tutorials/223
  • http://www.analog.com/en/education/education-library/webcasts/how-to-read-datasheet.html

 

Поиск по блогам

Ищи:

Последние сообщения

  • TDA7340 — ПРОЦЕССОР АУДИОСИГНАЛОВ
  • C5586 PDF — 600 В, 5 А, транзистор, Sanken
  • 25L1606E — MX25L1606E
  • IN1M101 — Прецизионная ИС контроля отключения переменного тока
  • 15N03GH — 30 В, 15 А, силовой МОП-транзистор
  • TL555I PDF – Таймер LinCMOS – Texas Instruments
  • AN7161NFP — усилитель мощности BTL High Audio
  • LM7810 — 3-контактные стабилизаторы напряжения с фиксированным выводом серии LM7800

Избранные сообщения

Архивы

  • 2021
  • 2020

Сайт поиска спецификаций

  • Datasheet39. com
  • Спецификацииpdf.com

Мета

  • Записи RSS

KT973A_358592.PDF Загрузить техническое описание — IC-ON-LINE



KT973A_358592.PDF Даташит Скачать — IC-ON-LINE
Номер детали Горячий поиск:
КБПК801 СТПС20Х 24К01 ПД035 15004 ДТА124 68ХК908К 2815А
Описание продукта
Полнотекстовый поиск

 
Деталь № KT973A KTIT85A KTIT132A KT815A KT8117A KT3102AM KT3107A KT3116A KT3117A KT3130A9 KT3142A KT3153A9 KT3157A KT3189A9 KT3126A KT220A9 KT3685A9 KT502A KT6137A KTIT743A
Описание ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ Транзисторы

Размер файла 203,84 К / 8 Страница  

Производитель
org/Brand» valign=»top»>

INTEGRAL Semiconductor Devices
INTERSIL
Samsung semiconductor
INTEGRAL[Integral Corp.]
ИНТЕГРАЛ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО




ДЖИТОНГ TECHNOLOGY
(CHINA HK & SZ)
Спонсор Datasheet.hk

Деталь: KT100
Изготовитель: INFINEON
Упаковка: TO-92
На складе: зарезервировано
Цена за единицу для :
50: 0,63$
100: 0,60 долл. США
1000: 0,56 $

Электронная почта: oulindz@gmail. com

Свяжитесь с нами

Домашняя страница
Скачать [ KT973A KTIT85A KTIT132A KT815A KT8117A KT3102AM KT3107A KT3116A KT3117A KT3130A9 KT3142A KT3153A9 KT3157A KT3189A9 KT3126A KT220A9 KT3685A9 KT502A KT6137A KTIT743A Datasheet PDF Downlaod from IC-ON-LINE.CN ]
[ KT973A KTIT85A KTIT132A KT815A KT8117A KT3102AM KT3107A KT3116A KT3117A KT3130A9 KT3142A KT3153A9 KT3157A KT3189A9 KT3126A KT220A9 KT3685A9 KT502A KT6137A KTIT743A Datasheet PDF Downlaod from Datasheet.HK ]
[KT973A KTIT85A KTIT132A KT815A KT8117A KT3102AM KT3107A KT3116A KT3117A KT3130A9 KT3142A KT3153A9 KT3157A KT3189A9 KT3126A KT220A9 KT3685A9 KT502A KT6137A KTIT743A Datasheet PDF Скачать с сайта Maxim4U.com ] 🙂
[Просмотреть в Интернете] [ Искать больше для KT973A ]

[ Цена и наличие KT973A на сайте FindChips. com ]


 Полнотекстовый поиск: ДИСКРЕТНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ Транзисторы


Номер связанной детали
ЧАСТЬ Описание Производитель
2N6718L A8550S Миниатюрные дискретные полупроводниковые элементы
СИНИОРК
GAP07N70 SEP6060 2N7002 SER5305 GAP03N70 GAP04N70 Миниатюрные дискретные полупроводниковые элементы
ETC[ETC]
Н.Д.
Sinyork
Список неклассифицированных производителей
http://
3DD101B 3DD101E (3DD101A — 3DD101E) Силовой транзистор дискретных полупроводниковых приборов
СЖ
P4KE150A-T8 P4KE350A-T8 P4KE250A-T8 P4KE18A-T8 P4K УСТРОЙСТВО ПОДАВЛЕНИЯ ПЕРЕХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ 400 Вт 400 Вт 瞬态电压抑制器
Миниатюрные дискретные полупроводниковые элементы
Won-Top Electronics Co. , Ltd.
Rectron Semiconductor
Electronic Theater Controls, Inc.
BXY44 BXY44-FP BXY44-T BXY44-T1 BXY44-T2 BXY44-FPH Кремний, контактный диод
Сыльно -кремниевый диод (дискретный и микроволновый полупроводник контролируемый резистор RF для аттенюаторов RF 频电流 的 衰减器 管 频电阻 伊雷尔 分立 半导体 微波 射 控制 的 和 射 频电阻 频电阻 分立 半导体 微波 控制 的 和 射 频电阻 频电阻 频电阻 频电阻 频电阻 频电阻 频电阻 频电阻 频电阻 频电阻)
Из старой системы технических данных
SIEMENS AG
SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
OM5236ST OM5241ST OM5240ST OM5238ST OM5237ST OM523 Сверхбыстродействующий дискретный диод Hi-Rel, 400 В, 10 А, в корпусе TO-257AA
Сверхбыстродействующий дискретный диод, 400 В, 10 А, в корпусе D2
Сверхбыстродействующий дискретный диод, 150 В, 10 А, Hi-Rel, в корпусе TO-257AA
Сверхбыстрый дискретный диод Hi-Rel 150 В, 10 А в корпусе D2
Сверхбыстродействующий дискретный диод Hi-Rel, 100 В, 10 А, в корпусе D2
ОДИНАРНЫЙ ИЗОЛИРОВАННЫЙ ВЫПРЯМИТЕЛЬ В HERMETIC
Сверхбыстродействующий дискретный диод, 200 В, 10 А, Hi-Rel, в корпусе D2 Схемы сброса питания мкП
International Rectifier
Список неклассифицированных производителей
ETC[ETC]
ВСМП1206 Технология объемной металлической фольги на основе Z Дискретный высокоточный чип-резистор для поверхностного монтажа Высокая мощность — превосходная долговременная стабильность Z0175 Резисторы фиксированные дискретные
Vishay Intertechnology, Inc.
VISAY[Vishay Siliconix]
2SJ208 2SJ208-T2 2SJ208-T1 Коробчатая контактная колодка, Дискретное обжимное соединение для проводов, Дискретные соединители для проводов; HRS №: 543-0502-8 00; Количество позиций: 6; Тип разъема: Провод
P-КАНАЛЬНЫЙ MOS FET ДЛЯ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
NEC Corp.
NEC[NEC]
2SJ220 2SJ220L 2SJ220S Коробчатая контактная колодка, Дискретное обжимное соединение для проводов, Дискретные соединители для проводов; HRS №: 543-0519-0 01; Количество позиций: 8; Тип разъема: Плата
КРЕМНИЕВЫЙ P-КАНАЛЬНЫЙ MOS FET HIGH SPEED POWER SWITCHING
Хитачи, ООО
Хитачи Полупроводник
HI1-774J5 HI3-674ALD5 HI3-674ATD/883 HI1-774AK5 HI Коробчатая контактная колодка, Дискретное обжимное соединение для проводов, Дискретные соединители для проводов; HRS №: 536-0525-5 91; Покрытие контактной площадки: Золото
ИС преобразователя 转换IC
ИС преобразователя 转换器IC
Rochester Electronics, LLC
Intersil, Corp.
10TQ045S 10TQ040S 10TQ030S 10TQ035 10TQ 10TQ045 10 Schottky выпрямитель 肖特 基 整 流器 流器 流器 流器 流器
35V 10a Schottky Дискретный диод в пакете D2-Pak 35V0a 条肖特基 二极管 的 的 一 D2-PAK 封装
40V 10A Schottky Discret Диод в корпусе ТО-220АС
Дискретный диод Шоттки 45 В 10 А в корпусе TO-220AC
Дискретный диод Шоттки 45 В 10 А в корпусе D2-Pak
International Rectifier, Corp.
SIEMENS AG
IRF [International Rectifier]
 
 Связанное ключевое слово из системы полнотекстового поиска
KT973A Полоса пропускания КТ973А Ом КТ973А Ассель КТ973А сигнал КТ973А напряжение вгс
Приемник КТ973А KT973A Частота KT973A Сипат KT973A IC在线 КТ973А Мицубиси
 

 

Цена и наличие КТ973А от

Все права защищены © IC-ON-LINE 2003 — 2022  

[Добавить закладку] [Контакты Нас] [Обмен ссылками] [Политика конфиденциальности]
Сайты-зеркала:  [www.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *