Кт315 транзистор характеристики. КТ315: характеристики и применение популярного советского транзистора — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Что представляет собой транзистор КТ315. Каковы его основные параметры и характеристики. Где применялся КТ315 в советской электронике. Как проверить работоспособность транзистора КТ315. Какие существуют современные аналоги.

Содержание

История создания и производства транзистора КТ315

Транзистор КТ315 был разработан в СССР в 1960-х годах как первый массовый транзистор с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Его создание стало важной вехой в развитии советской микроэлектроники.

Основные этапы в истории КТ315:

1966 год — начало разработки транзистора в НИИ «Пульсар» и на Фрязинском полупроводниковом заводе
1967 год — подготовка производства для массового выпуска
1968 год — начало промышленного производства КТ315
1973 год — разработчики КТ315 получили Государственную премию СССР
Начало 1990-х — общий выпуск превысил 7 миллиардов штук

КТ315 производился на многих советских предприятиях электронной промышленности, в том числе во Фрязино, Киеве, Зеленодольске, Нальчике, Томске, Воронеже. В 1970 году технология производства была передана в Польшу.

Интересно, что выпуск КТ315 продолжается и в наши дни на некоторых предприятиях в России и Беларуси, хотя и в гораздо меньших объемах.

Основные характеристики и параметры транзистора КТ315

КТ315 представляет собой биполярный транзистор структуры n-p-n малой мощности. Рассмотрим его ключевые электрические параметры:

Структура: n-p-n
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 20-40 В (зависит от модификации)
Максимальный ток коллектора: 100 мА
Максимальная рассеиваемая мощность: 150-250 мВт
Коэффициент усиления по току: 20-350 (сильно варьируется)
Граничная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц
Емкость коллекторного перехода: не более 7 пФ

Транзистор выпускался в нескольких модификациях (КТ315А, КТ315Б и т.д.), различающихся некоторыми параметрами. Это позволяло подобрать оптимальный вариант для конкретной схемы.

Области применения КТ315 в советской электронике

Благодаря массовому производству и хорошим характеристикам, КТ315 нашел очень широкое применение в советской бытовой и промышленной электронике:

Радиоприемники и радиолы («Бригантина», «ВЭФ Транзистор 17», «Океан» и др.)
Телевизоры
Магнитофоны («Весна», «Вильма» и др.)
Измерительные приборы
Системы автоматики
Радиолюбительские конструкции

КТ315 активно использовался в качестве универсального маломощного транзистора в самых разных узлах аппаратуры — усилителях, генераторах, ключах и т.д.

Как проверить работоспособность транзистора КТ315

Для проверки КТ315 можно воспользоваться обычным мультиметром. Алгоритм проверки следующий:

Переведите мультиметр в режим прозвонки диодов

Подключите отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору — показания должны быть 500-800 мВ
Подключите положительный щуп к базе, а отрицательный к эмиттеру — показания должны быть примерно такими же
Проверьте обратное напряжение, поменяв щупы местами — должна быть единица на дисплее

Если все измерения соответствуют указанным, транзистор вероятнее всего исправен. Для более точной проверки необходимо измерить коэффициент усиления специальным прибором.

Современные аналоги и замены КТ315

Хотя КТ315 до сих пор выпускается, для новых разработок обычно используются более современные транзисторы. Некоторые возможные аналоги:

2SC634 (Япония)
2N2222 (США)
BC547 (Европа)
S8050 (Китай)

При замене следует учитывать, что характеристики современных транзисторов могут отличаться, поэтому может потребоваться корректировка схемы. Также важно соблюдать цоколевку при установке замены.

Особенности применения КТ315 в схемотехнике

При использовании КТ315 в электронных схемах следует учитывать некоторые его особенности:

Большой разброс параметров даже в пределах одной группы. Это может потребовать подбора транзистора под конкретную схему.
Относительно низкая предельная частота. В высокочастотных схемах лучше использовать специализированные ВЧ-транзисторы.
Чувствительность к перегреву. При работе на предельных режимах необходимо обеспечить хороший теплоотвод.
Возможность выхода из строя от статического электричества. При монтаже рекомендуется соблюдать меры антистатической защиты.

Несмотря на эти нюансы, при правильном применении КТ315 может обеспечить хорошие результаты даже в современных любительских конструкциях.

Кт815б характеристики транзистора, цоколевка, аналог, datasheet

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать
на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены
для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает
сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц,
на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень
регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки
уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7.
Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой
каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается
схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока.
Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного
сигнала.
При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы
германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры.
Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв.см.

Таблица 5 – Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ315

Параметр, единица измерения	Обозначение	Норма параметра
КГ315А	КГ315Б	КГ315В	КГ315Г	КТЗ15Д	КГ315Е	КГ315Ж	КГ315И	КТ315Н	КТ315Р
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, (RBE = 10 кОм), В 1)	UCERmax	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при коротком замыкании в цепи эмиттер-база, В 1)	UCES max	–	–	–	–	–	–	20	60	–	–
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В 1)	UCB max	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В 1)	UEB max	6	6	6	6	6	6	6	6	6	6
Макс. допустимый постоянный ток коллектора, мА 1)	IC max	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
Макс. допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт 2)	PC max	200	200	200	200	200	200	200	200	200	200
Макс. допустимая температура перехода, ⁰С	tj max	125	125	125	125	125	125	125	125	125	125

Примечание: 1. Для всего диапазона рабочих температур. 2. При tатв от минус 60 до 25 °С. При повышении температуры более 25 °С PCmax рассчитывается по формуле:

где Rt hjα – общее тепловое сопротивление переход-окружающая среда, равное 0,5 °С/мВт.

Рисунок 3 – Типовые входные характеристики транзисторов КТ315 при UCE = 0, tатв = (25±10) °С

Рисунок 4 – Типовые выходные характеристики транзисторов типа КТ315 при tатв = (25±10) °С

Рисунок 5 – Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер от постоянного тока коллектора для транзисторов КТ315 при IC/IB = 10, tатв = (25±10) °С

Рисунок 6 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзисторов КТ315 при UCB = 10, tатв = (25±10) °С

Рисунок 7 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока по высокой частоте от постоянного тока эмиттера при UCB = 10, f = 100 МГц, tатв = (25±10) °С

Рисунок 8 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от напряжения коллектор-база при IE = 5 мА, tатв = (25±10) °С для КТ315

Рисунок 9 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от тока эмиттера при UCB = 10 В, f = 5 МГц, tатв = (25±10) °С для КТ315

Технические характеристики

D882 имеет достаточно хорошие технические параметры. Не много транзисторов, в корпусе TO-126, могут похвастаться возможностью пропускать через себя импульсные токи величиной до 6 А. Рассмотрим другие его максимальные значения предельно допустимых эксплуатационных значений:

напряжение между: К-Б — V_CBO (U_кб_max) до 40 В; К-Е — V_CEO (U_кэ_max) до 30 В;Э-Б — V_EBO (U_эб_max) до 6 В;
коллекторный ток: постоянный I_C (I_к_max) = 3 А; переменный, при t_P < 5ms — I_C_M (I_ки_max) до 6 А;
ток базы I_B (I_{Б max}) = 3 А до 1 А;
мощность рассеиваемая на коллекторе Р_С (Р_к_max) до 1.25 Вт;
тепловое сопротивление перехода Rthj-case — 10 ° C/Вт;
диапазон температур хранения и использования T_stg = -55 … 150 оС;
температура кристалла T_J до 150 оС.

Электрические параметры

Электрические параметры D882 тоже неплохие. Они представлены в даташит в виде отдельной таблицы с дополнительными условиями их измерений. Температуре окружающей среды, при этом, составляет не более 25 оС.

Коэффициента усиления по току

В зависимости от коэффициента передачи тока (hFE) транзистор D882 делятся на четыре группы по буквам: R (маленькое) – от 60 до 120; О (среднее) от 100 до 200; Y (высокое)– от 160 до 320; GR (самое большое) от 200 до 400.

Влияние радиатора

Стоит учитывать сильный нагрев D882 при использовании в предельно допустимых режимах, которые могут привести к выходу его из строя. Вероятности такого исхода очень высока, поэтому не рекомендуется длительная эксплуатация устройства на максимальных значениях.

Большое значение, в повышении надежности и уменьшении нагрева транзистора при работе, имеет его система охлаждения. Ниже приведен график зависимости рассеиваемой мощности (по горизонтали) от температуры окружающей среды (по вертикали). При тестировании изготовитель использует алюминиевый радиатор толщиной 10 мм.

Как видно из графика, при температуре вокруг корпуса выше +25ОС рассеиваемая мощность D882 начинает понижаться, а при +150ОС падает до ноля. На рисунке наглядно показана положительная роль использования радиатора для подобных электронных устройств.

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора	Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса	Маркировочная метка на торце корпуса
KT315A1	Треугольник зеленого цвета	Точка красного цвета
KT315Б1	Треугольник зеленого цвета	Точка желтого цвета
KT315В1	Треугольник зеленого цвета	Точка зеленого цвета
KT315Г1	Треугольник зеленого цвета	Точка голубого цвета
KT315Д1	Треугольник зеленого цвета	Точка синего цвета
KT315Е1	Треугольник зеленого цвета	Точка белого цвета
KT315Ж1	Треугольник зеленого цвета	Две точки красного цвета
KT315И1	Треугольник зеленого цвета	Две точка желтого цвета
KT315Н1	Треугольник зеленого цвета	Две точки зеленого цвета
KT315Р1	Треугольник зеленого цвета	Две точки голубого цвета

Транзистор КТ815

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
КТ815А	—	BD165, TIP29, 2N4921, 2N4910 3 , DTL1651 1 , 2SD146 1 , 2SD236 1
КТ815Б	—	BD167, MJE720, 2SC1419 3 , BD233 2 , BD813 *3 , BD165
КТ815В	—	BD169, MJE721, KD235, BD815 3 , BD167, 2N1481 1 , 2N1479 3 , 2N4922 2 , 2N4911 3 , 2SD147 3
КТ815Г	—	BD818, MJE722, 2N1482 1 , 2N1480 1 , BD169 2 , 2N4923, 2N4912 3 , DT41653 *3
Структура	—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_{K max,}P * _{K, τ max},P ** _{K, и max}	КТ815А	—	10*	Вт
КТ815Б	—	10*
КТ815В	—	10*
КТ815Г	—	10*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр, f * _h31б, f _h31э, f * _max	КТ815А	—	≥3	МГц
КТ815Б	—	≥3
КТ815В	—	≥3
КТ815Г	—	≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб. ,} U * _{КЭR проб.,} U ** _{КЭО проб.}	КТ815А	0.1к	40*	В
КТ815Б	0.1к	50*
КТ815В	0.1к	70*
КТ815Г	0.1к	100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ815А	—	5	В
КТ815Б	—	5
КТ815В	—	5
КТ815Г	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I * _{К , и max}	КТ815А	—	1.5(3*)	А
КТ815Б	—	1.5(3*)
КТ815В	—	1.5(3*)
КТ815Г	—	1.5(3*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I * _КЭR, I ** _КЭO	КТ815А	40 В	≤0. 05	мА
КТ815Б	40 В	≤0.05
КТ815В	40 В	≤0.05
КТ815Г	40 В	≤0.05
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h * _21Э	КТ815А	2 В; 0.15 А	≥40*
КТ815Б	2 В; 0.15 А	≥40*
КТ815В	2 В; 0.15 А	≥40*
КТ815Г	2 В; 0.15 А	≥30*
Емкость коллекторного перехода	c_к, с * _12э	КТ815А	5 В	≤60	пФ
КТ815Б	5 В	≤60
КТ815В	5 В	≤60
КТ815Г	5 В	≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К} * _у.р.	КТ815А	—	≤1. 2	Ом, дБ
КТ815Б	—	≤1.2
КТ815В	—	≤1.2
КТ815Г	—	≤1.2
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r * _b, P ** _вых	КТ815А	—	—	Дб, Ом, Вт
КТ815Б	—	—
КТ815В	—	—
КТ815Г	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t * _выкл, t *** _пк(нс)	КТ815А	—	—	пс
КТ815Б	—	—
КТ815В	—	—
КТ815Г	—	—

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Зарубежные прототипы

КТ815Б — BD135
КТ815В — BD137
КТ815Г — BD139

14 thoughts on “ КТ815 параметры ”

Мощным данный транзистор назвать нельзя, не смотря на 8-ку в маркировке. Он ближе к средней мощности, а в мощных схемах используется как предварительный для 819-х и выше

Как основной недостаток, я бы выделил разброс коэффициента усиления, а в некоторых схемах это важно. Почему то не приведена граничная частота, а она тоже не очень высокая

Одним словом — обычный, среднепараметризованный транзистор для бытового использования. Да, еще там начальная нелинейность подзатянута, не для всех классов усиления хороши.

Граничная частота КТ815 для схемы с общим эмиттером составляет 3 МГц. p. s. Как и всех отечественных «чисто гражданских» транзисторов разброс параметров КТ815 очень большой.

Предполагаю, что гражданскими транзисторами «КТ» являлась отбраковка военных транзисторов «2Т». Протестировали кристаллы, те что получше — в металл, похуже в пластик. Именно из-за такого разброса на заводах была даже такая профессия «регулировщик».

На алиэкспрессе можно и на перемаркированные детали попасть. Я покупаю только если есть положительные отзывы. Думаю цены на BD139 и BD140 такие потому что раритет. Если в схеме нужны биполярные на небольшую мощность, я ставлю что-то из серии BCP51 — BCP56. И в Китае делают хорошую продукцию, но только под контролем американских, европейский, японских или южнокорейских фирм

Контролировать работу необходимо, причем не только китайских, но и всех узко… вы понимаете. А делать это сейчас очень и очень несложно, не выходя из, скажем AMD-шного офиса, находящегося в Германии почему-то. Все линии автоматизированы, все данные поступают на сервер и могут контролироваться в реальном режиме времени из любой точки мира. К нему-же и видео наблюдение подстегнуто. Смотришь, пошел курить опий, берешь микрофон и, на доступном японамамском, вежливо просишь вернуться назад. Загранкомандировки технологам оплачивать не нужно.

Возможно, что и перемаркировка. Но, когда только сделал характериограф, из любопытства тыкал в него все что под руку попадалось, в том числе и транзисторы с распая корейской аудио-видео аппаратуры. Транзисторы из одного раскуроченного музыкального центра LG имеют близкие параметры, а те же транзисторы из другого МЦ сделанного годом-двумя раньше отличаются от них как небо и земля. Транзисторы из одной партии похожи друг на друга, а вот когда они из разных партий, тут уже возможны варианты…

Старый, добрый КТ815, именно на нём делал свои первые самоделки, они встречались практически во всей советской аппаратуре. Даже сейчас, если порыться в хламе, штук 10-15 выпаять можно.

Транзистор удобен в практике. Их много почти у каждого в загашнике. Относительно не большой, и мощный, не дорогой. Разной проводимости КТ814 (p-n-p) и КТ815 (n-p-n).

По характеристикам указана предельная температура 150 °C, но на практике сталкивался с выходом из строя в блоках питания КТ815 уже при температуре близкой к 100 °C, возникала холостая проводимость между К-Э. При перегревах выходных каскадов на КТ815 и КТ814 в УМЗЧ иногда происходили необратимые изменения ВАХ, но усилитель продолжал дальше работать с незначительными искажениями. Часто использовал такие транзисторы в схемах стабилизации частоты вращения моторчиков на старых магнитолах, и в коммутации к радиоуправляемым моделям.

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

Тип

Структура

PК max, PК* т. max, мВт

fгр, МГц

UКБО max, UКЭR*max, В

UЭБО max, В

IК max, мА

IКБО, мкА

h31э, h31Э*

CК, пФ

rКЭ нас, Ом

rб, Ом

τк, пс

KT315A1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Б1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

50…350 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315В1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Г1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

50…350 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Д1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Е1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Ж1

n-p-n

100

≥250

100

≤0,5

30…250 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315И1

n-p-n

100

≥250

100

≤0,5

30 (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

KT315Н1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

50…350 (10 В; 1 мА)

≤7

–

KT315Р1

n-p-n

150

≥250

100

≤0,5

150…350 (10 В; 1 мА)

≤7

–

КТ315А

n-p-n

150 (250*)

≥250

100

≤0,5

30…120* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤300

КТ315Б

n-p-n

150 (250*)

≥250

100

≤0,5

50…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤500

КТ315В

n-p-n

150 (250*)

≥250

100

≤0,5

30…120* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤500

КТ315Г

n-p-n

150 (250*)

≥250

100

≤0,5

50…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

≤40

≤500

КТ315Д

n-p-n

150 (250*)

≥250

40* (10к)

100

≤0,6

20…90 (10 В; 1 мА)

≤7

≤30

≤40

≤1000

КТ315Е

n-p-n

150 (250*)

≥250

35* (10к)

100

≤0,6

50…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤30

≤40

≤1000

КТ315Ж

n-p-n

100

≥250

20* (10к)

≤0,6

30…250* (10 В; 1 мА)

≤7

≤25

–

≤800

КТ315И

n-p-n

100

≥250

60* (10к)

≤0,6

≥30* (10 В; 1 мА)

≤7

≤45

–

≤950

КТ315Н

n-p-n

150

≥250

35* (10к)

100

≤0,6

50…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤5,5

–

≤1000

КТ315Р

n-p-n

150

≥250

35* (10к)

100

≤0,5

150…350* (10 В; 1 мА)

≤7

≤20

–

≤500

Примечание: 1. IКБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при UКБ = 10 В; 2. IК max – максимально допустимый постоянный ток коллектора; 3. UКBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера; 4. UЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора; 5. UКЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер; 6. РК.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом; 7. PК max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора; 8. rб – сопротивление базы; 9. rКЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером; 10. CК – емкость коллекторного перехода , измеренная при UК = 10 В; 11. fгp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером; 12. h3lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно; 13. h3lЭ – статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала; 14. τк – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.

Проверка КТ815

Не всегда покупаемые элементы оказываются в рабочем состоянии. Пусть бракованные элементы попадаются не так часто, но любой радиолюбитель или просто покупатель обязан знать, как проверить такой прибор.

Во-первых

, проверить работоспособность КТ815 можно специальным пробником, но рассмотрим проверку обычным мультиметром , так как предыдущий прибор есть далеко не у всех.

Для проверки при помощи мультиметра, прибор нужно перевести в режим прозвонки. Сначала прикладываем отрицательный щуп к базе, а положительный к коллектору. На дисплее должно отобразиться значение от 500 до 800 мв. Затем меняем щупы, поставив на базу положительный, а на эмиттер отрицательный. Значения должны примерно равны прошлым.

Затем нужно проверить обратное падение напряжение

. Для этого поставим сначала отрицательный щуп на базу, а положительный на коллектор. Должны получится единица. В случае с замером на базе и эмиттере, произойдёт то же самое.

Таблица 3 – Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Отечественный транзистор	Зарубежный аналог	Возможность купить	Предприятие производитель	Страна производитель
КТ315А	BFP719	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315Б	BFP720	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315В	BFP721	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315Г	BFP722	нет	Unitra CEMI	Польша
КТ315Д	2SC641	есть	Hitachi	Япония
КТ315Е	2N3397	есть ~ 4$	Central Semiconductor	США
КТ315Ж	2N2711	есть ~ 9$	Sprague electric corp.	США
BFY37, BFY37i	есть	ITT Intermetall GmbH	Германия
КТ315И	2SC634	есть ~ 16$	New Jersey Semiconductor	США
есть	Sony	Япония
КТ315Н	2SC633	есть ~ 1$	Sony	Япония
КТ315Р	BFP722	нет	Unitra CEMI	Польша

Зарубежным прототипом транзистора КТ315-1 являются транзисторы 2SC544, 2SC545, 2SC546 предприятие производитель Sanyo Electric, страна производства Япония. Транзисторы 2SC545, 2SC546 также можно приобрести, ориентировочная цена составляет около 6$.

Цветомузыкальная приставка на П213.

Очень несложную цветомузыкальную приставку можно собрать на трех транзистрах П213. Три раздельных усилительных каскада предназначены для усиления трех полос звуковой частоты. Каскад на транзисторе VT1 усиливает сигнал на частоте свыше 1000Гц, на транзисторе VT2 – от 1000 до 200Гц, на транзисторе VT3 – ниже 200гЦ. Разделение частот осуществляется простыми RC- фильтрами.

Входной сигнал берется с выхода акустических колонок. Его уровень регулируется с помощью потенциометра R1. Для подстройки уровня яркости каждого канала используются подстроечные резисторы R3, R5, R7. Смещение на базах транзисторов определяется значениями резисторов R2, R4, R6. Нагрузкой каждого каскада являются две параллельно включенные лампочки (6,3 В х 0,28 А). Питается схема от блока питания с выходным напряжением 8-9 В и максимальным током свыше 2А.

Транзисторы П213 могут иметь значительный разброс по усилению тока. Поэтому, значения резисторов R2, R4, R6 необходимо подбирать для каждого каскада — индивидуально. Ток коллектора при этом настраивается на такую величину, чтобы нити накала ламп немного светились в отсутствии входного сигнала. При этом транзисторы обязательно будут греться. Стабильность работы германиевых полупроводниковых приборов очень зависит от температуры. Поэтому, необходимо установить П213 на радиаторы — площадью от 75 кв. см.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы? В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее. Транзисторы П213 можно найти радиоле Бригантина, приемнике ВЭФ Транзистор 17, приемниках Океан, Рига 101, Рига 103, Урал Авто-2. Транзисторы КТ815 в приемниках Абава РП-8330, Вега 342, магнитофонах «Азамат»(!), Весна 205-1, Вильма 204- стерео и т. д.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер»

Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик — порог входа очень низкий.

КТ815 параметры сходные для всех модификаций

Таблица с предельно допустимыми электрическими режимами:

Параметры	Обозначение	Значение
Напряжение эмиттер — база	Uэб max	5 В
Постоянный ток коллектора	Iк max	1,5 А
Импульсный ток коллектора	Iк max	3 А
Максимально допустимый постоянный ток базы	Iб max	0,5 А
Рассеиваемая мощность коллектора	Pк max	10 Вт
Температура перехода	Tпер	150 °C

Основные электрические параметры КТ815 при Токр. среды = 25°С

Паpаметpы	Обозначение	Режимы измеpения	Min	Maх	Ед.измеp
Обратный ток коллектора	Iкбо	Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)	50	мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер	Iкэо	Rэб ≤ 100 Ом, Uкэ=50 В (А,Б), Uкэ=65 В (В,Г)	100	мкА
Статический коэффициент передачи тока	h31э	Uкб=2 В, Iэ=0,15 А	40,30(Г)	275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Uкэ нас	Iк=0,5 А, Iб=50 мА	0,6	В

Оцените статью:

КТ315

1. История

Разработкой транзистора и оборудованием для производства занялся НИИ «Пульсар», Фрязинский полупроводниковый завод и его ОКБ. Уже в 1967 году была выполнена подготовка производства для запуска массового изготовления, а в 1968 году были выпущены первые электронные устройства на базе КТ315.

Первым массовым транзистором с кодовой маркировкой был КТ315 в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. На нём в левом верхнем углу плоской стороны ставилась буква, обозначающая группу, ниже иногда указывалась дата изготовления. Через несколько лет в корпусе КТ-13 стали выпускать транзистор с p-n-p проводимостью — КТ361. Для отличия от КТ315 буква, обозначающая группу, ставилась посередине верхней части на плоской стороне корпуса.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР.

Воронеж. В 1970 г. их производство в порядке технического сотрудничества также было передано в Польшу на предприятие Unitra CEMI. Для этого на Воронежском объединении «Электроника» демонтировали целый цех, и в кратчайшие сроки вместе с запасом материалов и комплектующих смонтировали и запустили его в Варшаве. Научно-производственный центр Unitra CEMI в конечном итоге обанкротился в 1990 году, оставив польский рынок микроэлектроники открытым для иностранных компаний. В начале 1990-х общее количество выпущенных транзисторов КТ315 превысило 7 миллиардов.

Транзистор КТ315 выпускается, по сей день рядом предприятий: ЗАО «Кремний» г. Брянск, СКБ «Элькор» Республика Кабардино-Балкария г. Нальчик, завод НИИПП г. Томск. Транзистор КТ315-1 выпускается: ЗАО «Кремний» г. Брянск, завод «Транзистор» Республика Беларусь г. Минск, АО «Элекс» г. Александров Владимирская область. Так например Белорусский ОАО «Интеграл» предприятие холдинга завод «Транзистор» производит транзистор КТ315 в корпусе КТ-26 аналог TO92.

Что это такое КТ315. Энциклопедия

1. История

В 1966 году А. И. Шокин прочитал в журнале «Electronics» новость о разработке в США транзистора, технологически приспособленного под массовое производство — с использованием метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Разработкой транзистора и оборудованием для производства занялся НИИ «Пульсар», Фрязинский полупроводниковый завод и его ОКБ. Уже в 1967 году была выполнена подготовка производства для запуска массового изготовления, а в 1968 году были выпущены первые электронные устройства на базе КТ315.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР.

Транзистор выпускался предприятиями: «Электроприбор» г. Фрязино, «Квазар» г. Киев, «Континент» г. Зеленодольск, «Кварцит» г. Орджоникидзе, ПО «Элькор» г. Нальчик, НИИПП г. Томск, ПО «Электроника» г. Воронеж. В 1970 г. их производство в порядке технического сотрудничества также было передано в Польшу на предприятие Unitra CEMI. Для этого на Воронежском объединении «Электроника» демонтировали целый цех, и в кратчайшие сроки вместе с запасом материалов и комплектующих смонтировали и запустили его в Варшаве. Научно-производственный центр Unitra CEMI в конечном итоге обанкротился в 1990 году, оставив польский рынок микроэлектроники открытым для иностранных компаний. В начале 1990-х общее количество выпущенных транзисторов КТ315 превысило 7 миллиардов.

Чем является транзистор КТ315? :: SYL.ru

Это настоящая легенда в мире радиоэлектроники! Транзистор КТ315 был разработан в Советском Союзе и десятилетиями удерживал пальму первенства среди подобных технологий. Почему он заслужил такое признание?

Транзистор КТ315

Что можно сказать об этой легенде? КТ315 является кремниевым высокочастотным биполярным транзистором малой мощности. У него n-р-n-проводимость. Изготавливается он в корпусе КТ-13. Благодаря своей универсальности получил широчайшее распространение в радиоэлектронной аппаратуре советского производства. Какой существует аналог транзистора КТ315? Их довольно много: BC847B, BFP722, 2SC634, 2SC641, 2SC380, 2SC388, BC546, КТ3102.

Разработка

Впервые идея о создании подобного устройства у советских ученых и инженеров возникла в 1966 году. Поскольку он создавался, чтобы в последующем воплотить его в массовое производство, то разработка и самого транзистора, и оборудования для его изготовления была поручена Научно-исследовательскому институту «Пульсар», Фрязинскому полупроводниковому заводу и ОКБ, размещенному на его территории. 1967 год шла активная подготовка и создание условий. А в 1968 г. выпустили первые электронные устройства, которые сейчас известны как транзистор КТ315. Он стал первым массовым подобным прибором. Маркировка транзисторов КТ315 такая: первоначально в левом верхнем углу плоской стороны ставили букву, что обозначала группу. Порой указывали и дату изготовления. Через несколько лет в этом же корпусе начали выпуск комплементарных транзисторов КТ361 с р-n-р-проводимостью. Для отличия в них посередине верхней части ставили отметку. За разработку транзистора КТ315 в 1973 году была присуждена Государственная премия СССР.

Технология

Когда начал выпускаться транзистор КТ315, одновременно была опробована новая технология – планарно-эпитаксиальная. Она подразумевает, что все структуры устройства создаются на одной стороне. Какие же требования имеет транзистор КТ315? Параметры исходного материала должны обладать типом проводимости как у коллектора. А для начала осуществляется формирование базовой области, и только потом – эмиттерной. Данная технология было очень важной вехой развития советской радиоэлектронной промышленности, поскольку позволила приблизиться к изготовлению интегральных микросхем без использования диэлектрической подложки. Пока не появился данный прибор, низкочастотные устройства изготавливались по сплавной методике, а высокочастотные – согласно диффузионной.

Можно уверенно сказать, что параметры, которыми обладало завершенное устройство, являлись настоящим прорывом для своего времени. Почему так говорят про транзистор КТ315? Параметры – вот из-за чего про него так говорили! Так, если сравнивать его с современным ему же германиевым высокочастотным транзистором ГТ308, то он превышает его по мощности в 1,5 раза. Граничная частота больше чем в 2 раза, а максимальный ток коллектора вообще в 3. И при этом транзистор КТ315 был значительно дешевле. Он смог заменить собой и низкочастотный МП37, ведь при равной мощности у него был больший коэффициент передачи тока базы. Также лучшие показатели были и в максимальном импульсном токе, и КТ315 имел превосходящую температурную стабильность. Благодаря использованию кремния этот транзистор мог десятки минут функционировать на умеренном токе, даже если вокруг была температура плавления припоя. Правда, работа в таких условиях немного ухудшала характеристики устройства, но оно не выходило необратимо из строя.

Применение и комплементарные технологии

Транзистор КТ315 нашел широкое применение в схемах усилителей звуковой, промежуточной и высокой частот. Важным дополнением стала разработка комплементарных КТ361. В паре они нашли своё применение в бестрансформаторных двухтактных схемах.

Заключение

В своё время данный прибор играл большую роль при построении различных схем.

Доходило даже до того, что в магазинах для радиолюбителей времён Советского Союза они продавались не поштучно, а на вес. Это одновременно и являлось показателем популярности, и говорило о производственных мощностях, которые были направлены на то, чтобы создавать такие устройства. К тому же они настолько популярны, что в некоторых схемах радиолюбители до сих пор используют данные транзисторы. Неудивительно, ведь купить их можно и сейчас. Хотя приобретать не всегда обязательно – порой достаточно разобрать технику родом из СССР.

Характеристики транзисторов

Подробности: Категория: Начинающим; Опубликовано 29.11.2013 14:41; Автор: Admin; Просмотров: 18620

Характеристики транзисторов напрямую обуславливаются двумя схемами включения, которые широко распространены на данный момент. Наиболее приемлемыми считаются статистические характеристики входные и выходные, схема включения которых будет выглядеть либо с общей базой, либо с общим эмиттером.

Когда включается транзистор, интерес радиоэлектроников с точки зрения практики заключается в графической зависимости токовых показателей и напряжения на входе в цепи и на выходе из нее. На входе характеристики транзисторов обуславливаются вольт – амперными показателями, а на выходе – коллекторными или выходными вольт – амперными характеристиками.

Вольт-Амперные характеристики транзисторов

Как правило, с практической точки зрения схема включения самого транзистора с общим эмиттером считается более распространенной. Поэтому, в нашей статье разговор пойдет именно об этом способе подключения. Входные характеристики транзисторов статистические для схем подключения с общим эмиттером будет характеризовать график, который отображает зависимость тока на выходе базы Iб от база – эмиттерного напряжения Uбэ входных цепей при постоянных значениях показателя напряжения Uкэ на выходе цепи.

В общем, формула расчетов будет выглядеть следующим образом:

Iб=f(Uбэ), Uкэ=const.

Коллекторные характеристики, или, как их еще называют, выходные в транзисторе показывают прямую зависимость коллекторного тока от напряжения коллектора – эмиттера в цепи входной при постоянных показателях тока базы на входе в цепь.

Формула будет выглядеть следующим образом:

Ik=f(Uбэ) при Iб=const

Если показатель будет равен нулю, тогда характеристики входные транзисторов в графическом исполнении будут выглядеть в виде прямой ветви, которая характеризуется вольт – амперной характеристикой p–n перехода эмиттерного.

При увеличении токовый показатель базы будет пропорционально уменьшаться. Фактически данная закономерность заключается в том аспекте, что будет расти напряжение при значительном увеличении , которое склонно прилагаться к p–n переходу коллекторному в обратной последовательности. Из –за таких комбинаций возможно наблюдение рекомбинационных вероятностей зарядных носителей в самой базе, потому что огромное количество способны довольно быстро втягиваться в коллектор.

Характеристика показателей транзистора на выходе будет обеспечиваться напрямую величинами напряжения , которое будет прикладываться к переходу коллекторному П2. В схемах с общими эмиттерами данное напряжение будет определяться показателями разницы напряжений транзистора на выходе и на входе в цепи. Формула при этом будет выглядеть таким образом:

Мощность рассеивания транзистора

Это та мощность которую транзистор отдает в виде теплоты в процессе работы. В основном нагрев происходет в коллекторе транзитсора. Именно коллектор зачастую соединен с корпусом с целью лучшей теплоотдачи.

Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером

Это то напряжение при котом происходит пробой перехода, транзистор в этом случае выходит из строя. Данный параметр приводится в паспортных характеристиках.

Маркировка транзисторов

Как и многие полупроводниковые приборы сам транзистор обязательно должен иметь свои маркировки, которые заключаются в различных буквенных и цифровых комбинациях. При обозначении первейшей характеристикой будут непосредственно буквы, которые показывают тот факт, из чего изготовлен транзистор. Такими обозначениями, как правило, являются буквы Г, К и А. Соответственно транзистор был изготовлен из германия, кремния или арсенида галлия. Вторым элементом в маркировке будет указываться тип самого прибора.

Транзисторы по своей специфике делятся на Т – биполярные и П – полевые. Далее следует элемент обозначения, который указывает на номер разработки транзистора. Последняя же буква в транзисторе будет обозначать группу изделия, то есть отличие и различные особенности транзисторов такого типа. Давайте рассмотрим на примере маркировку транзистора КТ 315 Г. Характеристика исходя из маркировки будет следующей: транзистор будет кремниевым, разработка 315, группа Г.

< Назад
Вперёд >

Добавить комментарий

Самый простой усилитель на кт315. Простой и маломощный усилитель на КТ315

03.
10.2014
На рисунке приведена разработанная Texas Instruments схема питания GSM/GPRS-модуля на основе микросхемыTPS54260. Номинальное входное напряжение в этой схеме 12 В, а полный рабочий диапазон — 8…40 В. Методика расчетов и результаты испытаний подробно описаны в документе «Creating GSM /GPRS Power Supply from TPS54260». В этом же документе можно найти схему на номинальное напряжение …
04.10.2014
Существует достаточно много схем регуляторов мощности на тиристорах или симисторах, где регулировка осуществляется за счет изменения угла отпирания. Регуляторы с такой схемой создают помехи в сети, поэтому применять их можно только с громоздкими LC-фильтрами. В тех случаях, когда не важно, чтобы мощность отдавалась в нагрузку каждый полупериод, а имеет значение …
28.09.2014
Принципиальная схема такого плеера показана на рисунке. Усилитель предназначен для работы на 4-е АС(2-фронтальные и 2-тыловые). Тыловые АС — двухполосные, каждая состоит из одного эллиптического динамика достаточно большого диаметра и одной пищалки. Фронтальные каналы проще — каждая состоит из одного широкополосного динамика. Тыловые каналы имеют подъем АЧХ на частотах выше …
25.09.2014
Развитие ядерной энергетики и широкое применение источников ионизирующих излучений в различных областях науки, техники, а также их возможное появление в бытовых условиях требуют ознакомления со свойствами и методами регистрации альфа-, бета- и гамма-излучений, а также обретения соответствующих знаний и практических умений по защите от их воздействия. Оценку и проведение исследования …
21.09.2014
Реле времени мощностью не более 100 Вт с выдержкой на выключение осветительной лампы около 10 мин можно собрать по принципиальной схеме, показанной на рисунке. Устройство содержит выпрямительный мост VD1-VD4, тринистор VS1, управляющий транзистор VT1 и времязадающий узел на конденсаторе С1, стабилитроне VD2 и транзисторе VT2. При замыкании контактов выключателя SA1 …

На рисунке 1 представлена схема инвертирующего усилителя постоянного тока, транзистор включен по схеме с общим эмиттером:

Рисунок 1 — Схема усилителя постоянного тока на КТ315Б.

Рассмотрим расчёт элементов схемы. Допустим схема питается от источника с напряжением 5В (это может быть например сетевой адаптер), выберем ток коллектора Iк транзистора VT1 таким чтобы он не превышал предельно допустимого тока для выбранного транзистора (для КТ315Б максимальный ток коллектора Ikmax=100мА). Выберем Iк=5мА. Для расчёта сопротивления резистора Rк поделим напряжение питания Uп на ток коллектора:

Если сопротивление не попадает в стандартный ряд сопротивлений то нужно подобрать ближайшее значение и пересчитать ток коллектора.
()

На семействе выходных вольт амперных характеристик построим нагрузочную прямую по точкам Uп и Iк (показана красным цветом). На нагрузочной прямой выберем рабочую точку (показана синим цветом) по середине.

Рисунок 2 — Выходные ВАХ, нагрузочная прямая и рабочая точка

На рисунке 2 рабочая точка не попадает ни на одну из имеющихся характеристик но находится чуть ниже характеристики для тока базы Iб=0. 05мА поэтому ток базы выберем чуть меньше например Iб=0.03мА. По выбранному току базы Iб и входной характеристике для температуры 25С o и напряжения Uкэ=0 найдём напряжение Uбэ:

Рисунок 3 — Входная характеристика транзистора для выбора напряжения Uбэ

Для тока базы Iб=0.03мА найдем напряжение Uбэ но выберем чуть больше так как Uкэ>0 и характеристика будет располагаться правее, например выберем Uбэ=0.8В. Далее выберем ток резистора Rд1, этот ток должен быть больше тока базы но не настолько большим чтобы в нем терялась большая часть мощности, выберем этот ток в три раза большим чем ток базы:

По первому закону Кирхгофа найдем ток резистора Rд2:

Обозначим на схеме найденные токи и напряжения:

Рисунок 4 — Схема усилителя с найденными токами ветвей и напряжениями узлов

Рассчитаем сопротивление резистора Rд1 и подберем ближайшее его значение из стандартного ряда сопротивлений:

Рассчитаем сопротивление резистора Rд2 и подберем ближайшее его значение из стандартного ряда сопротивлений:

Обозначим сопротивления резисторов на схеме:

Рисунок 5 — Усилитель постоянного тока на КТ315Б.

Так как расчёт приближённый может потребоваться подбор элементов после сборки схемы и проверки напряжения на выходе, элементы Rд1 и/или Rд2 в этом случае нужно подобрать так чтобы напряжение на выходе было близко к выбранному напряжению Uбэ.

Для усиления переменного тока на вход и на выход надо поставить конденсаторы для пропускания только переменной составляющей усиливаемого сигнала так как постоянная составляющая изменяет режим работы транзистора. Конденсаторы на входе и выходе не должны создавать большого сопротивления для протекания переменного тока. Для термостабилизации в цепь эмиттера можно поставить резистор с небольшим сопротивлением и параллельно ему конденсатор для ослабления обратной связи по переменному току. Резистор в цепи эмиттера наряду с резисторами делителя будет задавать режим работы транзистора.

На фотографии ниже собранный по схеме на рисунке 2 усилитель:

На вход усилителя не подано напряжение, вольтметр подключенный к выходу показывает 2. 6В что близко к выбранному значению. Если подать на вход напряжение прямой полярности (такой как на рисунке 5) то напряжение на выходе уменьшится (усилитель инвертирует сигнал):

Если подать на вход напряжение обратной полярности то напряжение на выходе увеличится но не больше напряжения питания:

Уменьшение напряжения на входе, при подключении ко входу источника, меньше чем увеличение напряжения на выходе что говорит о том что происходит усиление входного сигнала с инверсией. Схема с общим эмиттером производит большее усиление по мощности чем схемы с общей базой и общим эмиттером но она, в отличии от двух других, производит инверсию сигнала. Если необходимо произвести усиление по мощности постоянного тока без инверсии то каскадно можно соединить две схемы на рисунке 5 но при этом необходимо учесть что первый каскад будет изменять режим работы транзистора второго каскада поэтому сопротивления резисторов во втором каскаде необходимо будет подобрать так чтобы это изменение было как можно меньше. Также при каскадном соединении увеличится коэффициент усиления всего усилителя (он будет равен произведению коэффициента усиления первого каскада на коэффициент усиления второго).

Этот усилитель можно встроить в любую маломощную аппаратуру с низковольтным питанием: приёмники, рации, слуховые аппараты и другая подобная аппаратура.

Технические характеристики:
Максимальная выходная мощность (Нагрузка 8Ом, 1кГц) = 0,3 Вт
Номинальное напряжение питания (0,3Вт, 8 Ом) = 3в
THD+N (при максимальной выходной мощности, 1кГц) = 1 – 1,5%

Принципиальная схема усилителя:

Устройство и принцип работы

Усилитель состоит из двух узлов: входной каскад на транзисторе Т1 и выходной двухтактный на транзисторах Т2 – Т5. Сигнал, усиленный транзистором Т1 поступает в нагрузку R1 и выходной каскад. Транзисторы выходного каскада образуют два так называемых «плеча» выходного каскада. Транзисторы в этих «плечах» разной структуры, что является обязательным условием для данного усилителя. Поскольку транзистор КТ315 открывается положительным, а КТ361 отрицательным напряжением, то и «плечи» выходного каскада образованные ими усиливают лишь ту полуволну сигнала, поступающего с транзистора Т1, которая «открывает» транзисторы образующие их. Получается так: Т3 и Т4 усиливают положительные полуволны сигнала, Т2 и Т5 отрицательные. В точке соединения эммитеров транзисторов Т4 и Т5 происходит объединение сигнала и его подача в нагрузку. Так как для данного усилителя характерны искажения типа ступенька, которые неизбежно появятся при работе данного усилителя, для их ослабления включается резистор R2. Этот резистор создаёт небольшое напряжение смещения на базах транзисторов и ослабляет искажения сигнала.

Данный усилитель требует тщательной настройки, а именно:
Подбором резистора R1 устанавливается начальный ток покоя транзисторов (ток протекающий через транзисторы при отсутствии сигнала). Подбором этого резистора необходимо установить ток покоя на уровне 5 — 7 мА.
Подбором сопротивления резистора R5 необходимо установить напряжение в точке соединения транзисторов выходного каскада равное половине питающего напряжения, то есть 1. 5 В.

Возможные дополнения

Если то устройство к которому подключается усилитель не имеет регулятора тембра или сигнал снимаемый с него слаб, можно собрать предварительный усилитель.

Если в регуляторе тембра нет необходимости, то его можно исключить из схемы.
На резисторе R4 собран пассивный регулятор тембра ВЧ – НЧ одним резистором. Резистор R3 — регулятор громкости. Всё усиление сигнала ложится на транзистор. Пусть вас не смущает отсутствие конденсатора между резистором R3 и коллектором транзистора. Всё работает и так.
Используемые детали и возможная замена.

Номер		Возможная замена
		КТ3102 а – д, КТ312, 315, 316.
		КТ361 а – е.
		КТ315 а – е.
		КТ815, 817 а – в.
		КТ816, 814 а – в.

Данный усилитель собирался навесным монтажом, поэтому файла печатной платы нет. Хотя нарисовать печатку для этого усилител совсем не сложно.

Легкий в выполнении усилитель выполнен на транзисторах разной структуры и обладает усиление по напряжению около 10. Максимальное входное напряжение может быть около 0,1 В.

Принцип работы двухтактного усилителя

Первый каскад собран на транзисторе VT1, второй – на VT2 и VT3 разной структуры. Первый каскад производит усиление сигнала звуковой частоты по напряжению, причем обе полуволны одинаково. Второй – усиливает сигнал по току, однако каскад на транзисторе VT2 работает при положительных полуволнах, а на транзисторе VT3 – при отрицательных.

Режим по постоянному току выбран таким, что напряжение в точку соединения эмиттеров транзисторов второго каскада равно около половине напряжения источника питания. Такой режим достигается включением резистора R2 обратно связи. Ток коллектора входного транзистора, проходя через диод VD1, приводит к падению на нем напряжения, которое является напряжением смещения на базах входных транзисторов относительно их эмиттеров, — оно позволяет уменьшить искажения усиливаемого сигнала.

Нагрузка подключается к усилителю через электролитический конденсатор С2. При работе усилителя на динамическую головку с сопротивлением от 8 Ом до 10 Ом, емкость этого конденсатора должна быть минимум вдвое больше.

Фото сборки схемы

Взгляните на подключение нагрузки первого усилительного каскада, в качестве которого выступает резистор R4. Его верхний вывод соединен с нижним выводом нагрузки. Это так называемая цепь «вольтодобавки», благодаря которой в базовую цепь выходных транзисторов поступает небольшое значение звуковой частоты положительной обратной связи, выравнивающее условия работы транзисторов.

Список используемых деталей

C1, C2, C3	47 мкФ 16 В
R1, R4	1 кОм 0,25 Вт
R2	10 кОм 0,25 Вт
R3	3 кОм 0,25 Вт
VD1	КД521А
VT1, VT2	КТ315Б
VT3	КТ361Б

Читатели! Запомните ник этого автора и никогда не повторяйте его схемы.
Модераторы! Прежде чем меня забанить за оскорбления, подумайте, что Вы «подпустили к микрофону» обыкновенного гопника, которого даже близко нельзя подпускать к радиотехнике и, тем более, к обучению начинающих.

Во-первых, при такой схеме включения, через транзистор и динамик пойдет большой постоянный ток, даже если переменный резистор будет в нужном положении, то есть будет слышно музыку. А при большом токе повреждается динамик, то есть, рано или поздно, он сгорит.

Во-вторых, в этой схеме обязательно должен быть ограничитель тока, то есть постоянный резистор, хотя бы на 1 КОм, включенный последовательно с переменным. Любой самоделкин повернет регулятор переменного резистора до упора, у него станет нулевое сопротивление и на базу транзистора пойдет большой ток. В результате сгорит транзистор или динамик.

Переменный конденсатор на входе нужен для защиты источника звука (это должен обьяснить автор, ибо сразу же нашелся читатель, который убрал его просто так, считая себя умнее автора). Без него будут нормально работать только те плееры, в которых на выходе уже стоит подобная защита. А если ее там нет, то выход плеера может повредиться, особенно, как я сказал выше, если выкрутить переменный резистор «в ноль». При этом на выход дорогого ноутбука подастся напряжение с источника питания этой копеечной безделушки и он может сгореть. Самоделкины, очень любят убирать защитные резисторы и конденсаторы, потому-что «работает же!» В результате, с одним источником звука схема может работать, а с другим нет, да еще и может повредиться дорогой телефон или ноутбук.

Переменный резистор, в данной схеме должен быть только подстроечным, то есть регулироваться один раз и закрываться в корпусе, а не выводиться наружу с удобной ручкой. Это не регулятор громкости, а регулятор искажений, то есть им подбирается режим работы транзистора, чтобы были минимальные искажения и чтобы из динамика не шел дым. Поэтому он ни в коем случае не должен быть доступен снаружи. Регулировать громкость, путем изменения режима НЕЛЬЗЯ. За это нужно «убивать». Если очень хочется регулировать громкость, проще включить еще один переменный резистор последовательно с конденсатором и вот его уже можно выводить на корпус усилителя.

Вообще, для простейших схем — и чтобы заработало сразу и чтобы ничего не повредить, нужно покупать микросхему типа TDA (например TDA7052, TDA7056… примеров в интернете множество) , а автор взял случайный транзистор, который завалялся у него в столе. В результате доверчивые любители будут искать именно такой транзистор, хотя коэффициент усиления у него всего 15, а допустимый ток аж 8 ампер (сожгет любой динамик даже не заметив).

КТ315 — это… Что такое КТ315?

КТ315

Структура	n-p-n
Uce	15…60 В
Ube	6 В
Ic	50…100 мА
Ib	50 мА
P	100 мВт
Pmax	150 мВт
Рабочие температуры	100 °C
f	{{{f}}}
h31e	20. ..350

КТ315 — тип кремниевого биполярного транзистора, n-p-n проводимости, получившего самое широкое распространение в советской радиоэлектронной аппаратуре.

История

КТ315

В 1966 году А. И. Шокин прочитал в журнале «Electronics» новость, о разработке в США транзистора, технологически приспособленного под массовое производство^[1] — с использованием метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах.[1] Разработкой транзистора и оборудованием для производства занялся НИИ «Пульсар», Фрязинский полупроводниковый завод и его ОКБ.^[1] Уже в 1967 году была выполнена подготовка производства для запуска массового изготовления, а в 1968 году были выпущены первые электронные устройства на базе КТ315.^[1]

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР.[2]

Применение

Транзисторы КТ315 предназначались для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и звуковой частот.

Технология

Транзисторы этого типа стали первенцами новой технологии — планарно-эпитаксиальной. Эта технология подразумевает, что все структуры транзистора образуются с одной стороны, исходный материал имеет тип проводимости, как у коллектора, в нём сначала формируется базовая область, а затем в ней — эмиттерная. Эта технология была освоена советской радиоэлектронной промышленностью, как ступень к изготовлению интегральных микросхем без диэлектрической подложки. До появления КТ315 низкочастотные транзисторы изготавливались по «сплавной» технологии, а высокочастотные — по диффузионной. Соотношение параметров, достигнутое в КТ315, было прорывным для времени его появления. Так, например, он превосходил современный ему германиевый высокочастотный транзистор ГТ308 по мощности в 1,5 раза, по граничной частоте в 1,4 раза, по максимальному току коллектора в 3 раза, и при этом был дешевле. Он мог заменить и низкочастотные МП37, при равной мощности превосходя их по коэффициенту передачи тока базы, максимальному импульсному току и обладая лучшей температурной стабильностью. Кремний как материал позволял этому транзистору десятки минут работать на умеренных токах даже при температуре плавления припоя, правда, с ухудшением характеристик, но без необратимого выхода из строя.

КТ361

КТ361 — биполярный транзистор p-n-p проводимости. Благодаря неплохим техническим характеристикам получил широкое распространение в отечественной радиотехнике. Для отличия от КТ315 буква, обозначающая группу, ставилась посередине верхней части плоской стороны, иногда — в обрамлении двух дефисов слева и справа.

Примечания

Ссылки

См. также

Техническое описание транзистора

Kt315

Техническое описание транзистора Kt315

Кремниевый npn-транзистор Toshiba эпитаксиального типа 2sc2878. Он разработан для низкого и среднего тока, малой мощности, среднего напряжения и может работать на умеренно высоких скоростях. K30a datasheet, pdf кремний n channel fet toshiba, 2sk30atm datasheet, k30a pdf, распиновка k30a, эквивалент, данные k30a, схема k30a, схема k30a. Он разработан для низкого тока и мощности, среднего напряжения и может работать на умеренно высоких скоростях. 9 декабря 2016 г. это советский npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для общих маломощных усилительных или коммутационных приложений, заключенный в пластиковый корпус kt.Описание эпитаксиального планарного npn-транзистора общего назначения, коммутационного. B 33 z электрические характеристики входного напряжения. Знание того, как заменить транзистор другого типа, может ускорить процесс.

Kt315b — параметры, поиск аналогов. Техническое описание транзисторов и диодов Texas Instruments, 1-е издание 1973 г., для диодов от 1n251 на и транзисторов от 2n117 на acrobat 7 pdf 34. Его переходная частота ft составляет 250 МГц, с бета не менее 100. Двойной кремниевый npn-транзистор планарного типа с r .Этот тип был зарегистрирован Motorola Semiconductor в середине 1960-х вместе с дополнительным pnp-типом 2n3906, и это привело к значительному снижению стоимости, поскольку пластиковый корпус to92 заменил металлические банки. Кт315а 2н2712, 2с633, бфп719 транзистор ссср лот.

Ktn2222as datasheetpdf 1 страница keckorea electronics html. Это советский npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, заключенный в пластиковый корпус kt.Kt805 kt610a kt837b bd140 npn kt872a kt837k kt315b kt315 kt818. Первоначально он был изготовлен из металлической банки to18, как показано на рисунке, 2n2222 считается очень распространенным транзистором, и так оно и есть. Mmbt5551m3 npn транзистор высокого напряжения устройство mmbt5551m3 спин. Технические данные содержат информацию о продукте, который Macom Technology Solutions рассматривает для разработки.

Очень хорошая схема FM-передатчика 1 Вт, очень простая в сборке. 2n2907 — это широко доступный pnp-транзистор с биполярным переходом, используемый для общих маломощных усилительных или коммутационных приложений.Самый старый kt315a, который нам удалось найти, был изготовлен в марте 1978 года. 7 ноября 2016 года техническое описание k30a pdf, кремниевый n-канал fet toshiba, 2sk30atm datasheet, k30a pdf, распиновка k30a, эквивалент, данные k30a, схема k30a, схема k30a. Bc107, bc108 и bc109 — это кремниевые npn-транзисторы общего назначения с биполярным переходом малой мощности, которые очень часто используются в оборудовании и электронике. Эпитаксиальный процесс pct кремния pnp транзистора Toshiba.

9 декабря, 2016 kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, kt315a datasheet, kt315 pdf, kt315 pinout, kt315 manual, kt315 schematic, kt315 эквивалент, kt315 data. Даташит-архив даташита автора поисковой системы. Kt853a компоненты транзистора техническое описание pdf техническое описание бесплатно из технического описания техническое описание поиск интегральных схем ic, полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды. Детали разделены на три таблицы: биполярные, полевые транзисторы и цифровые ИС. Первая страница каталога kec электроники Кореи, техническое описание, поиск в техническом описании, техническое описание, техническое описание, поисковый сайт по техническим характеристикам для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем.Силовые кремниевые npn-транзисторы 2sd600 2sd600k описание с корпусом to126 дополнение к типу 2sb631631k высокое напряжение пробоя v ceo100120v сильноточные 1a приложения с низким напряжением насыщения для низкочастотных усилителей мощности описание контактов 1 эмиттер 2. Список перекрестных ссылок полупроводниковых транзисторов peavey. Ktn2222as datasheetpdf 1 страница keckorea electronics part no. Kt315 datasheet, kt315 pdf, kt315 data sheet, kt315 manual, kt315 pdf, kt315, datenblatt, electronics kt315, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet.Если на транзистор будет подано напряжение, превышающее максимально допустимое, он может быть необратимо поврежден. KT315 — это советский кремниевый npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, заключенный в пластиковый корпус kt.

Маркировка радиодеталей, коды smd k5, k5. Если вы установите неправильную полярность, бутерброд не подойдет. 2n2219 аналогичен с более высоким рейтингом рассеиваемой мощности. Он имеет 4 транзистора, один из которых является очень стабильным генератором, за ним следует буферный каскад, чтобы предотвратить изменение частоты при настройке передатчика.KT361 является дополнением к транзистору KT315, поэтому он часто соединялся с ним в двухтактных каскадах. Ukbo max максимальное напряжение коллекторной базы для данного обратного тока коллектора и эмиттера разомкнутой цепи.

KT361 является дополнением к транзистору KT315, поэтому он часто использовался в паре с ним в двухтактных каскадах, KT315 и транзисторы KT361 стали первыми когда. Коэффициент Wl обменника электротехнического стека mosfet. Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor datasheetcafe.Smd код пакет имя устройства данные производителя. Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов январь 2003 г. содержание страница продукта транзисторы общего назначения стр. обычно используемый pnp-транзистор с биполярным переходом, предназначенный для общих маломощных усилительных или коммутационных приложений.2n3904 — это обычный npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения. Книга данных по силовым транзисторам и полупроводникам Toshiba, 1983 г., корпорация Toshiba, 1983 г., acrobat 7, pdf 52. Вы можете увидеть дефекты нарезки кубиков и много дополнительного места вокруг транзистора. Mospec или кто-либо от его имени не несет ответственности за любые ошибки или. Как выбрать замену транзистору биполярному тоталу.

Для kt315 используйте почти любой тип npn малой мощности.При максимальном напряжении, также называемом напряжением пробоя bv, электроны. Dtc114em dtc114ee dtc114eua dtc114eka dtc114esa 100ma. Книга данных по силовым транзисторам и полупроводникам Toshiba за 1983 год. Следовательно, коэффициент w l является переменной конструкции транзистора.

B 23 z Технические характеристики упаковки z эквивалентная схема tl emt3 smt3 sptumt3 dtc114ee dtc114em арт. Производительность основывается на целевых характеристиках, результатах моделирования и / или измерениях прототипа. Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов январь 2003 г. содержание страница продукта транзисторы общего назначения горизонтальное отклонение выходные транзисторы страница продукта dpak d2pak sot223 ipak to126 транзисторы тодарлингтона dpak ipak to126 to220 to220f to3p to3pf переключающие транзисторы dpak d2pak to92 to126.Kt312ab, кремниевый npn-транзистор общего назначения, почти такой же, как kt315, за исключением корпуса. Здесь я собрал всю имеющуюся у меня информацию о заменах западных частей на российские компоненты, которые я использую в своих конструкциях. Эпитаксиальный планарный npn-транзистор общего назначения, коммутационный, даташит ktn2222a, схема ktn2222a, техпаспорт ktn2222a. Kt805 datasheet, kt805 pdf, распиновка kt805, аналог, замена транзистора и т. Д., Схема, схема, руководство. Kec, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегрированный.Эпитаксиальный планарный npn-транзистор общего назначения, коммутационный, даташит ktn2222as, схема ktn2222as, техпаспорт ktn2222as. KT361 является дополнительным pnp для транзистора KT315, поэтому он часто соединялся с ним в двухтактных каскадах. Это PDF-формат хорошо известной книги по распайке оборудования, в которой описаны распиновки различных компьютеров, электрических и электронных устройств.

Korea electronics kec datasheet, pdf каталог первая страница. Далее идет резонансный каскад и последний каскад, построенный с использованием транзистора минимум 1 Вт, который должен иметь радиатор.Npn-транзистор средней мощности имеет сильноточное низкое напряжение насыщения, дополняющее 2sb772, драйвер реле регулирования напряжения, общий переключатель, аудио усилитель мощности, преобразователь постоянного тока, описание, устройство представляет собой npn-транзистор, изготовленный с использованием планарной технологии, что приводит к созданию прочных высокопроизводительных устройств. Все рабочие характеристики транзистора указаны в его технических характеристиках. Дополнительным npn-транзистором к 2n3906 является 2n3904. Транзистор биполярный 315 npn советский 19451991.Силовой транзистор для высокоскоростного переключения. Оригинальный транзистор может нуждаться в особом заказе или быть снят с производства и быть недоступным. Чтобы узнать, может ли деталь обрабатывать частоту или дать вам необходимое усиление, посмотрите данные. 2n3906 имеет ток коллектора 200 мА, напряжение коллекторной базы и коллектора-передатчика 40 В для рассеиваемой мощности 300 мВт. C106d1 тиристор scr 4a 400v to225aa на полупроводниковом техническом паспорте pdf технический паспорт бесплатно из технического паспорта поиск интегральных схем ic, полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды.

Korea electronics kec каталог первая страница, техническое описание, поиск по даташиту, технический паспорт, даташит, сайт поиска по техническим характеристикам для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов, полупроводников. Он разработан для низкого электрического тока и мощности и среднего напряжения и может работать на умеренно высоких скоростях. 21 сентября 2009 г. для kt315 используйте практически любой тип npn малой мощности. Замещающий транзистор должен иметь ту же полярность (pnp или npn), что и исходный. Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, kt315a datasheet, kt315 pdf, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, kt315.Транзистор 2sc495 2sc496 2sa496 sc496 sc495 2sa505 ac46c 2sc496x 2sc4952sc496 текст. Без дополнительных деталей схемы я не могу сказать наверняка, но, вероятно, рассчитан как минимум на 10 ампер и 30 вольт. Таблицы эквивалентов между русской и западной частями. Справочник по транзисторам и диодам, 1236 страниц, 1973, Texas Instruments. Гора старых советских транзисторов кт315 и кт361.

Уведомление MOSPEC оставляет за собой право вносить изменения в содержание документа в любое время без уведомления. 2n2222 — это обычный npn-транзистор с биполярным переходом bjt, используемый для усиления или коммутации малой мощности общего назначения.Безгалогенные диоды с барьером Шоттки, v rrm 200 в, v r 200 в, i o 5a. Замена транзистора Распайка и замена транзистора занимает очень мало времени. Больше времени уходит на выяснение того, что заменить, а иногда и чем заменить. Транзисторы dtc114em dtc114ee dtc114eua dtc114eka dtc114esa rev. Ktn2222as datasheetpdf 1 страница keckorea electronics. Компания Texas Instruments выпустила технический паспорт своей версии этой детали, датированный март 1973 года. Оба типа были зарегистрированы Motorola Semiconductor в середине 1960-х годов.Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, kt315a datasheet, kt315 pdf, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, эквивалент kt315, данные kt315. Kec, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. KT315 — это советский кремниевый биполярный npn-транзистор общего назначения. Kt853a datasheet, kt853a pdf, kt853a распиновка, эквивалент, замена транзистора и т. Д., Схема, схема, руководство.

KT315_7701104.PDF Datasheet Загрузить — IC-ON-LINE

ЧАСТЬ	Описание	Чайник
ZXT11N15DF ZXT11N15DFTC ZXT11N15DFTA	Дискретный — Биполярные транзисторы — Главный стол транзисторов (BJT) — Транзисторы 3000 мА, 15 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР SOT-23, 3 КОНТАКТА КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР НИЗКОГО НАСЫЩЕНИЯ 15 В NPN NPN Транзистор с низким уровнем насыщения	Diodes, Inc. Diodes Incorporated Zetex Semiconductors
2N2916 2N2914 2N2918 2N2914CECC 2N2918CECC	ДВОЙНЫЕ ПЛАНАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ NPN В УПАКОВКЕ TO77 Двойной планарный транзистор NPN в герметичном корпусе TO-77 (双晶体管 TO-77 陶瓷封装 NPN 30 мА, 45 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-77 5- Контрольные схемы Pin & # 181; P со сторожевым таймером и ручным сбросом 30 мА, 45 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-77	Seme LAB TT electronics Semelab Limited TT electronics Semelab, Ltd.
CIL858O CIL859O CIL2229Y CIL2331 CSC2331 CIL857O C	ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 250V V (BR) Генеральный директор \| ТО-237ВАР ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 300V V (BR) Генеральный директор \| ТО-237 ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 150V V (BR) Генеральный директор \| ТО-237 ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 60В В (BR) Генеральный директор \| ТО-237ВАР ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 60В В (BR) Генеральный директор \| 700MA I (C) \| ТО-237AA ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 200В В (BR) Генеральный директор \| ТО-237ВАР ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 30В В (BR) Генеральный директор \| 1.5A I (C) \| ТО-237AA ТРАНЗИСТОР \| BJT \| ПНП \| 30В В (BR) Генеральный директор \| 1.5A I (C) \| ТО-237 ТРАНЗИСТОР \| BJT \| ПНП \| 160В В (BR) Генеральный директор \| TO-237 晶体管 \| 晶体管 \| 进步党 \| 160V （巴西）总裁 \| 37 ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 50V V (BR) Генеральный директор \| 1.5A I (C) \| К-237AA	Infineon Technologies AG
2N5038 JAN2N5039 JANTXV2N5039 2N5039 JAN2N5038 JAN	КРЕМНИЙ ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ NPN 20 А, 90 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-204AA КРЕМНИЙ ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ NPN 2 А, 90 В, NPN, Si, МОЩНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-3 Из старой системы технических данных (JAN2N5038 / JAN2N5039) КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ NPN Транзистор NPN	Microsemi, Corp. MICROSEMI [Microsemi Corporation]
164-22 163-28 163-12 164-12 164-26 164-20 164-30 1	ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 220В В (BR) Генеральный директор \| 20A I (C) \| СТР-5/16 ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 120V V (BR) Генеральный директор \| 20A I (C) \| СТР-5/16 ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 260В В (BR) Генеральный директор \| 20A I (C) \| СТР-5/16 ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 200В В (BR) Генеральный директор \| 20A I (C) \| СТР-5/16 ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 300V V (BR) Генеральный директор \| 20A I (C) \| СТР-5/16 ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 240V V (BR) Генеральный директор \| 20A I (C) \| СТР-5/16 ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 160В В (BR) Генеральный директор \| 20A I (C) \| STR-5/16 体管 \| 体管 \| 叩 \| 160 В 五（巴西）总裁 \| 甲一 c） \| STR-5/16 晶体管 \| 体管 \| npn 型 \| 120 伏特五（巴西）总裁 \| 甲一 c） \| СТР-5/16 ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 40В В (BR) Генеральный директор \| 20A I (C) \| STR-5/16 体管 \| 体管 \| 叩 \| 40V 的五（巴西）总裁 \| 甲一（c） \| СТР-5/16 ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 280V V (BR) Генеральный директор \| 20A I (C) \| STR-5/16 体管 \| 体管 \| npn 型 \| 280 伏特五（巴西）总裁 \| 甲一（c） \| STR-5/16	Ecliptek, Corp.
CE1A3Q CE1A3Q-T CE1A3Q-T-A	2000 мА, 70 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР СОСТАВНЫЙ ТРАНЗИСТОР Гибридный транзистор TRANS DIGITAL BJT NPN 70V 2000MA 3SP-8 T / R	NEC Corp. NEC [NEC] NEC Electronics
FXT3866SM FXT449SM FXT549SM FXT749SM FXT649SM FXT6	ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 20В В (BR) Генеральный директор \| 1A I (C) \| СОТ-89 ТРАНЗИСТОР \| BJT \| ПНП \| 20В В (BR) Генеральный директор \| 1A I (C) \| СОТ-89 ТРАНЗИСТОР \| BJT \| ПНП \| 25В В (BR) Генеральный директор \| 2A I (C) \| SO ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 25В В (BR) Генеральный директор \| 2A I (C) \| SO ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 300V V (BR) Генеральный директор \| 500MA I (C) \| SO ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 150V V (BR) Генеральный директор \| 1A I (C) \| SO 晶体管 \| 晶体管 \| npn 型 \| 150 伏五（巴西）总裁 \| 1A 条一（c） \| ТРАНЗИСТОР \| BJT \| ПНП \| 100В В (BR) Генеральный директор \| 2A I (C) \| SO 晶体管 \| 晶体管 \| 进步党 \| 100V 的五（巴西）总裁 \| 甲一（c） \| ТРАНЗИСТОР \| BJT \| ПНП \| 60В В (BR) Генеральный директор \| 1A I (C) \| SOT-89 晶体管 \| 体管 \| 进步党 \| 60V 的五（巴西）总裁 \| 1A 一（c） \| 采用 SOT — 89 ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 45В В (BR) Генеральный директор \| 1A I (C) \| SO 晶体管 \| 晶体管 \| 叩 \| 45V 的五（巴西）总裁 \| 1A 条一（c） \| ТРАНЗИСТОР \| BJT \| NPN \| 30В В (BR) Генеральный директор \| 400MA I (C) \| SO 晶体管 \| 晶体管 \| 叩 \| 30V 的五（巴西）总裁 \| 400 мА 的一（c） \| ТРАНЗИСТОР \| BJT \| ПНП \| 80В В (BR) Генеральный директор \| 1A I (C) \| СОТ-89	Zetex Semiconductor PLC Fujitsu, Ltd. Bourns, Inc. Amphenol, Corp.
KTC1027 KTC1027O KTC1027-15	ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ NPN транзистор Транзистор общего назначения 800 мА, 120 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92	KEC (Korea Electronics) Korea Electronics (KEC)
JANS2N3498L JANS2N3498 JANS2N3500L JANS2N3501L JAN	КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN 300 мА, 150 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-5 NPN транзистор 500 мА, 100 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-5	Microsemi, Corp. Honeywell International, Inc. MICROSEMI [Microsemi Corporation] MICROSEMI CORP-LAWRENCE
KTC1008 KTC1008GR KTC1008-15	ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ПЛОСКИЙ NPN транзистор Транзистор общего назначения 1000 мА, 60 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, TO-92	KEC (Korea Electronics) Korea Electronics (KEC)
БУД7312 БУД7312-СМД	3 А, 600 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-251 3 А, 600 В, NPN, Si, СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР, TO-252 Из старой системы технических данных Кремниевый NPN-транзистор переключения высокого напряжения	ВИШАЙ ТЕЛЕФУНКЕН

kt% 2b817% 2bТехническое описание транзистора и примечания по применению

КТ3102 Резюме: KT 3127 TM100 UF 3004 LG LED схема kt3117 LED Tr KT 1117 3121 LG LED Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
кт 30 Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
MA704WA Резюме: MA700 MA4S713 MA2S784 HSU88 HSU276 HSS102 610C 420C ma741 Текст: Текст файла недоступен	OCR сканирование	PDF	HSS102 HSU88 HSU276 30 МГц) MA2S784 MA4S713 MA743 MA704AÂ MA721В MA744 MA704WA MA700 610C 420C ma741
кабель Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
2008 — КТ 6396 Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
КТ920Б Резюме: KT920A KT920 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Funkamateur kt9205 UdSSR BT320 920a 920B4 Текст: Текст файла отсутствует	OCR сканирование	PDF	175 МГц КТ920Б КТ920А KT920 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Funkamateur kt9205 СССР BT320 920a 920B4
пластик Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
кт21 Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF

Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
1827 Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
1827 Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF
узлов 6306 Аннотация: KT5211 KT6396 kt 6217 KT6209 Текст: Текст файла недоступен	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: Текст аннотации недоступен Текст: Текст файла отсутствует	Оригинал	PDF

315, кт315«

315 (, н-п-н)

										Т = 25С										р _— (р _—), C /
			Т = 25С
	I _{, макс.}	Я _.макс	U _{R макс} (U _{0 макс}),	U _{0 макс.},	U _{0 макс.},	P _макс, (P _макс),	Т, С	T _макс, C	T _макс, C	ч ₂₁ (высота ₂₁)	U _{(U _),}	я _{(я _),}	У ,	I ₀, (I _R),	ф _{(ф _х31),}	_,	С _,	С _,	т _,
315	100		25		6	150	25	120	100	20…90	(10)	1	0,4	1	250		7			670
315	100		20		6	150	25	120	100	50…350	(10)	1	0,4	1	250		7			670
315	100		40		6	150	25	120	100	20…90	(10)	1	0,4	1	250		7			670
315	100		35		6	150	25	120	100	50…350	(10)	1	0,4	1	250		7			670
315	100		40		6	150	25	120	100	20…90	(10)	(1)	1	1	250		7			670
315	100		35		6	150	25	120	100	50…350	(10)	(1)	1	1	250		7			670
315	50		15		6	100	25	120	100	30…250	(10)	(1)	0,5	1	150		10			670
315	50		60		6	100	25	120	100	30	(10)	(1)		1	250		7			670

www.5в.ру

китайский | karu sisemus

Интернет кишит дискуссиями, работают ли эти дешевые китайские MIDI-USB преобразователи или нет. Если вы не понимаете, о чем идет речь, то сам товар выглядит примерно так:

Still, caveat emptor .Я недавно заказал несколько штук этих маленьких преобразователей на DX.com, чтобы проверить слухи. Во-первых, на моей модели вообще сдвинуты светодиоды. Вот правильная маркировка светодиодов.

Новичкам трудно понять некоторые реалии MIDI. Примерно так: Разъем с маркировкой «Вход» всегда следует вставлять в гнездо с маркировкой «Выход», и наоборот.

На самом деле, невообразимое количество этих устройств было произведено с определенными оптимизациями, связанными с затратами, которые исключают работу устройства во многих реальных ситуациях (с настоящими музыкальными устройствами).Арвидас проделал большую работу, описав, что не так с этими маленькими китайскими преобразователями. В зависимости от вашего опыта и навыков пайки. , следует избегать дешевых конвертеров USB-MIDI любой ценой, или наоборот, может быть правдой — учитывая относительно небольшие усилия, необходимые для «нормализации» этих устройств, технически квалифицированные специалисты (особенно при использовании Linux) может предпочесть эти модели в десять раз дороже.

Тело было чрезвычайно легко открыть — не использовался клей и две половинки не плавились вместе.

Спасибо за предупреждение, Арвидас! На моих преобразователях оптопара не была установлена.

Конечно, нет — штука в 1..2 доллара слишком дорога в Китае … поэтому они избегают ставить ее на печатную плату. Приходится делать это дома, паяльником.

Согласно стандарту MIDI, оба выхода (контакты 4-5) должны плавать над землей. То, что сделали наши восточные друзья, они не использовали оптопару и заземлили входной сигнал.При напряженной установке это может вызвать гул земли или привести к электрическому повреждению вашего музыкального оборудования.

Чтобы начать модификацию, необходимо переместить входной провод:

По традиции в первую очередь монтируются на печатную плату наименее дорогие и наименее термочувствительные детали. Здесь вы видите резистор 220 Ом, установленный как R5 (извините, ребята, уже ночь, мой магазин SMD закрыт).

Это была легкая часть. Удалим ненужный резистор R11, тоже несложно:

Теперь нам нужно установить диод.Прежде чем мы сможем это сделать, мы должны точно определить, какой датчик на нашем мультиметре является анодом, а какой — катодом. Можно взять диод с обозначенным на нем символом (для этого я использую российские диоды Д7 / Д226). Таким образом, мой мультиметр покажет некоторые числа, когда анод подключен к красному щупу (логично, а?).

Другой способ быть уверенным — посмотреть на схему Арвидаса и обратить внимание на то, что катод диода (1N1418) должен быть подключен к выводу 1 микросхемы оптопары U1.1N1418 обозначен кольцом на катоде. Теперь смонтируем D1:

И последнее, но не менее важное: пришло время припаять оптрон. Абсолютное большинство 4-контактных оптопар имеют одинаковую распиновку, поэтому риск невелик. Однако есть редкие чипы, которые плохо передают скорость MIDI (31,25 кБод). Я сверился с таблицами данных и обнаружил, что оптопара NEC PS2561 из моего ящика для лома должна в основном удовлетворять требованиям по скорости.

Некоторые люди могут возразить, что нехорошо использовать 4-контактные оптопары там, где стандарт MIDI предписывает более сложные 8-контактные устройства 6N138.Я полностью согласен, но наши друзья в далеком Китае поместили только 4-контактный след на печатную плату, и это реальность, с которой мы должны справиться.

Кажется, можно снова сложить две половинки корпуса устройства. Пришло время проверки.

Откройте некоторую программу секвенсора (например, Rosegarden под Linux), определите порты MIDI и попросите программу вывести некоторую синхронизацию MIDI (воспроизведение пустой дорожки — нормально). Средний (синий) светодиод будет периодически мигать (независимо от того, подключено ли у вас устройство к выходному разъему DIN-5 или нет).

После этого пора проверить вход (помните, ярлыки дизайна были взяты на входе !). Используйте свою музыкальную клавиатуру, сыграйте несколько нот и посмотрите, будет ли мигать левый (зеленоватый) светодиод. Чтобы быть предельно уверенным, запустите какое-нибудь программное обеспечение для мониторинга midi (например, midisnoop под графическим интерфейсом Linux или команду « amidi -l; amidi -d -p hw: 2,0,0 -t 10 » из командной строки… и, кстати, , посмотрите два раза свои номера hw, они могут отличаться от моих номеров).

Если у вас есть аппаратный синтезатор, проверьте прохождение сообщений SysEx. Сообщается, что китайские конвертеры MIDI страдают от проблем с буфером. Есть информация, что ядро Linux пытается учесть этот недостаток. Это причина, по которой эти дешевые игрушки могут полностью раскрыть свой потенциал под Linux, но не под Mac / Win.

Вердикт: , если вы знаете, , что делаете, не так ли?Синтезаторы Raspberry Pi, хотя для них может потребоваться дополнительная настройка). Однако может случиться так, что сегодня не ваш счастливый день … и тогда, пожалуйста, не обвиняйте меня в риске, на который вы лично пошли

[Позднее добавление:] Я обнаружил еще один прекрасный DIY-источник, Фрэнк Бу ß MIDI-страницу. Фрэнк пошел гораздо дальше, измеряя различные MIDI-устройства с помощью осциллографа и тестового генератора. Посмотрев на эти ужасные «волосатые» осциллограммы, я решил добавить в гаджет несколько байпасных конденсаторов.

Я модифицировал еще два экземпляра упомянутых выше устройств USB-MIDI. В первом теперь используется оптопара TLP621 и российский диод КД522Б:

.
(простите за несколько грязную пайку 🙂)
Второй гаджет был доработан с использованием штатной оптопары 817 и российского диода КД521А.
Пара
КД521 / 522 — настоящая мышеловка, т.к. распиновка противоположная. Были использованы именно эти диоды, потому что у меня их много.Различные оптопары использовались для облегчения работы других домашних мастеров. Критическим параметром для 4-контактных оптопар является максимальная частота, которая, однако, сильно зависит от номинала резистора коллектора, который, в свою очередь, находится внутри литого кристалла и, следовательно, вне досягаемости. Ниже приведена диаграмма характеристик из таблицы данных клона 817:
Все модифицированные гаджеты тестировались программой midisnoop под Linux. Моя следующая задача, вероятно, состоит в том, чтобы написать простой генератор тестов, чтобы выявить проблемы с более длинными последовательностями SysEx.
ⓘ Энциклопедия — КД503 — биполярные транзисторы. 2N3055 представляет собой кремниевый NPN
3. Сопутствующие устройства
Варианты с более высоким номинальным напряжением, например 2N3055HV, с номиналом генерального директора 100 В, другим материалом или типом корпуса, а также существуют другие вариации, помимо незначительных отклонений в номинальных значениях, таких как рассеиваемая мощность 115 или 117 Вт между устройствами с маркировкой 2N3055 от различных производителей, начиная с оригинальных RCA.
MJ2955 PNP, который сегодня также производится с использованием эпитаксиального процесса, является дополнительным транзистором к 2N3055.
В шестидесятых и начале семидесятых годов Philips производила аналогичные устройства, заключенные в пакеты TO-3 под обозначением BDY20, описанные как предназначенные для «hifi», и BDY38, хотя BDY38 имеет более низкие номинальные напряжения, чем 2N3055.
Версия 2N3055 в пластиковом корпусе TO-3 P и дополнительное устройство MJ2955 доступны как TIP3055 и TIP2955 соответственно, с немного сниженными показателями рассеиваемой мощности.
TIP33 NPN и TIP34 PNP, 10 ампер, 15 ампер, пиковое значение, 80 Вт, представляют собой транзисторы в пластиковом корпусе с некоторыми характеристиками, аналогичными характеристикам 2N3055 и MJ2955 соответственно, и доступны в вариантах с номинальным напряжением пробоя 40/60/80/100 В ceo.
2N3773 в корпусе TO-3 имеет немного меньшее усиление, но значительно более высокие максимальные характеристики.
2N3054 — это версия 2N3055 с гораздо меньшим энергопотреблением, рассчитанная на 25 Вт, 55 В и 4 А, но она почти устарела примерно в конце 1980-х, когда многие устройства TO-66 были исключены из списков основных производителей.Во многих случаях пакетная версия TO-220, такая как MJE3055T, может использоваться вместо 2N3054, а также в некоторых приложениях 2N3055.
KD503 — это эквивалент более высокой мощности, используемый в странах Восточного блока, и предназначен для приложений общего назначения. Его производила исключительно чехословацкая электронная компания Tesla. KD503 упакованы в корпус типа TO-3 под названием T41 от Tesla, это силовой транзистор на 20 А, 80 В, 150 Вт. Он имеет переходную частоту 2,0 МГц ;. KD503 имеет более высокую мощность и больший ток, чем 2N3055.Они широко использовались в странах бывшего Восточного блока в усилителях мощности звука чехословацкой Tesla, польской Unitra.
KT315_7701105.PDF Datasheet Загрузить — IC-ON-LINE
PART Описание Чайник
FA1A4Z FA1A4ZL68 FA1A4ZL67 FA1A4ZL69 FA1A4Z-L FA1A Составной транзистор
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ РЕЗИСТОР СРЕДНЕЙ СКОРОСТИ, ВСТРОЕННЫЙ ТИП NPN ТРАНЗИСТОР MINI MOLD
ТРАНЗИСТОР | 50V V (BR) Генеральный директор | 100MA I (C) | SOT-346
100 мА, 50 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР МИНИМАЛЬНЫЙ, SC-59, 3 КОНТАКТА
NEC Corp.
ON Semiconductor
DT5A114E DT5A143X DT5A144E DT5C114E DT5C124E DT5A1 ТРАНЗИСТОР | ZIP 晶体管 | 邮编
ТРАНЗИСТОРНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ ЦИФРОВЫЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ Массивы (ВКЛЮЧАЯ РЕЗИСТОРЫ)
Diodes, Inc.
ROHM [Rohm]
151-05 151-08 151-07 151-09 152-05 164-18 164-04 1 ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 50V V (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-82
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 80В В (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-82
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 70В В (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-82
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 90В В (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-82
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 180V V (BR) Генеральный директор | 20A I (C) | СТР-5/16
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 40В В (BR) Генеральный директор | 20A I (C) | СТР-5/16
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 100В В (BR) Генеральный директор | 20A I (C) | СТР-5/16
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 160В В (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | TO-82
5-контактная контрольная схема микропроцессора со сторожевым таймером и ручным сбросом
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 50V V (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 60В В (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-82
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 100В В (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-82
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 220В В (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-82
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 90В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 60В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 140V V (BR) Генеральный директор | 20A I (C) | СТР-5/16
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 70В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 80В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 80В В (BR) Генеральный директор | 20A I (C) | СТР-5/16
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 90В В (BR) Генеральный директор | 20A I (C) | СТР-5/16
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 200В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 240V V (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 160В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 100В В (BR) Генеральный директор | 10A I (C) | СТР-5/16
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 240V V (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-82
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 120V V (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | СТР-1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 180V V (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | TO-82
晶体管 | 晶体管 | 叩 | 100V 的五（巴西）总裁 | 甲一 c） | STR-5/16
体管 | 体管 | 叩 | 180 В 五（巴西）总裁 | 甲一 c） | STR-5/16
晶体管 | 体管 | npn 型 | 140 伏特五（巴西）总裁 | 甲一 c） | STR-5/16
体管 | 体管 | 叩 | 50 В 五（巴西）总裁 | 6A 条一 c） | 2
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 100В В (BR) Генеральный директор | 7.5A I (C) | STR-1/4 体管 | 晶体管 | 叩 | 100V 的五（巴西）总裁 | 7.5AI （丙） | 个 STR — 1/4
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 60В В (BR) Генеральный директор | 20A I (C) | STR-5/16 体管 | 体管 | 叩 | 60V 的五（巴西）总裁 | 甲一 c） | СТР-5/16
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 50V V (BR) Генеральный директор | 20A I (C) | STR-5/16 体管 | 体管 | 叩 | 50 В 五（巴西）总裁 | 甲一（c） | СТР-5/16
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 70В В (BR) Генеральный директор | 20A I (C) | STR-5/16 体管 | 体管 | 叩 | 70V 的五（巴西）总裁 | 甲一（c） | STR-5/16
Samsung Semiconductor Co., Ltd.
Molex, Inc.
Intel, Corp.
IPB100N08S2-07 IPI100N08S2-07 IPP100N08S2-07 SP000 OptiMOSPower-Transistor для OptiMOS㈢功率体管
OPTIMOS⑶ POWER-TRANSISTOR
OptiMOS Power-Transistor
OptiMOS? Силовой Транзистор
INFINEON [Infineon Technologies AG]
SPU01N60C3 SPD01N60C3 Q67040-S4188 Q67040-S4193 для самых низких потерь проводимости и самого быстрого переключения
Cool MOS Power Transistor
COOL MOS POWER TRANSISTOR
Cool MOS Power Transistor
Cool MOSPower Transistor
INFINEON [Infineon Technologies AG]
GA1F4Z GA1F4ZL65 GA1F4ZL64 GA1F4Z-T2 Гибридный транзистор
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЙ РЕЗИСТОР СРЕДНЕЙ СКОРОСТИ, ВСТРОЕННЫЙ ТИП NPN ТРАНЗИСТОР
ТРАНЗИСТОР | 50V V (BR) Генеральный директор | 100MA I (C) | SOT-323 晶体管 | 50 В 五（巴西）总裁 | 100 мА 的一（c） | 的 SOT — 323
NEC [NEC]
NEC Corp.
NEC, Corp.
ADY27IV AL100 AL102 AL103 ASZ17 ASZ15 ASZ16 ASZ18 ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 130В В (BR) Генеральный директор | 10A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 130В В (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 32В В (BR) Генеральный директор | 8A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 60В В (BR) Генеральный директор | 8A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 32В В (BR) Генеральный директор | 10A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 26В В (BR) Генеральный директор | 4A I (C) | ТО-66ВАР
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 45В В (BR) Генеральный директор | 600MA I (C) | ТО-8
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 30В В (BR) Генеральный директор | ТО-8
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 30В В (BR) Генеральный директор | 600MA I (C) | ТО-8
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 30В В (BR) Генеральный директор | 4A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 40В В (BR) Генеральный директор | 20A I (C)
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 60В В (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 32В В (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 40В В (BR) Генеральный директор | 6A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 80В В (BR) Генеральный директор | 3A I (C) | ТО-3
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 30В В (BR) Генеральный директор | 3.5A I (C) | TO-3 晶体管 | 体管 | 进步党 | 30V 的五（巴西）总裁 | 3.5AI （丙） |
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 60В В (BR) Генеральный директор | 3A I (C) | TO-3 晶体管 | 体管 | 进步党 | 60V 的五（巴西）总裁 | 3A 条一 c） |
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 45В В (BR) Генеральный директор | 10A I (C) | TO-41 晶体管 | 体管 | 进步党 | 45V 的五（巴西）总裁 | 10A 条一（c） | 1
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 45В В (BR) Генеральный директор | 8A I (C) | TO-8 晶体管 | 体管 | 进步党 | 45V 的五（巴西）总裁 | 8A 条一（c） |
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 45В В (BR) Генеральный директор | 3A I (C) | TO-3 晶体管 | 体管 | 进步党 | 45V 的五（巴西）总裁 | 3A 条一（c） |
ТРАНЗИСТОР | BJT | ПНП | 60В В (BR) Генеральный директор | 25A I (C) 体管 | 体管 | 进步党 | 60V 的五（巴西）总裁 | 5A 一（c
Cypress Semiconductor, Corp.
Vicor, Corp.
Atmel, Corp.
Advanced Analogic Technologies, Inc.
EPCOS AG
2SD773 2SD773U4 2SD773-L2-AZ 2000 мА, 16 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
ТРАНЗИСТОР | BJT | NPN | 16V V (BR) Генеральный директор | 2A I (C) | TO-221VAR
КРЕМНИЙНЫЙ ТРАНЗИСТОР NPN
Из старой системы технических данных
NEC Corp.
Навигация по записям
Что использовать вместо канифоли. Альтернативы канифоли: как приготовить флюс для пайки своими руками
Допуск электрика 2 и 3 группы электробезопасности. Группы допуска по электробезопасности: виды, требования и особенности получения
Похожие записи

21.11.2024 0
Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

19.11.2024 0
Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

19.11.2024 0
Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика
Добавить комментарий Отменить ответ
Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *
Комментарий *
Имя *
Email *
Сайт

Рубрики
Карта сайта
© M-Gen

История создания и производства транзистора КТ315

Основные характеристики и параметры транзистора КТ315

Области применения КТ315 в советской электронике

Как проверить работоспособность транзистора КТ315

Современные аналоги и замены КТ315

Особенности применения КТ315 в схемотехнике

Популярные схемы с использованием КТ315

Кт815б характеристики транзистора, цоколевка, аналог, datasheet

Маркировка транзисторов

Цветомузыкальная приставка на П213.

Таблица 5 – Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ315

Технические характеристики

Электрические параметры

Коэффициента усиления по току

Влияние радиатора

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Транзистор КТ815

Зарубежные прототипы

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

Проверка КТ815

Таблица 3 – Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Цветомузыкальная приставка на П213.

Транзисторы — купить. или найти бесплатно.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер»

КТ815 параметры сходные для всех модификаций

КТ315

1. История

Что это такое КТ315. Энциклопедия

1. История

Чем является транзистор КТ315? :: SYL.ru

Транзистор КТ315

Разработка

Технология

Применение и комплементарные технологии

Заключение

Характеристики транзисторов

Вольт-Амперные характеристики транзисторов

Маркировка транзисторов

Добавить комментарий

Самый простой усилитель на кт315. Простой и маломощный усилитель на КТ315

03.

04.10.2014

28.09.2014

25.09.2014

21.09.2014

Принцип работы двухтактного усилителя

Список используемых деталей

КТ315 — это… Что такое КТ315?

История

Применение

Технология

КТ361

Примечания

Ссылки

См. также

Kt315

KT315_7701104.PDF Datasheet Загрузить — IC-ON-LINE

kt% 2b817% 2bТехническое описание транзистора и примечания по применению

КТ3102

Нет в наличии

Нет в наличии

кт 30

Нет в наличии

Нет в наличии

Нет в наличии

MA704WA

кабель

Нет в наличии

2008 — КТ 6396

КТ920Б

пластик

кт21

Нет в наличии

Нет в наличии

Нет в наличии

Нет в наличии

Нет в наличии

1827

Нет в наличии

1827