Кт361 параметры транзистора: Страница не найдена — СхемаТок

Содержание

Транзистор КТ361: характеристики, цоколевка, импортные аналоги

В данной статье вы узнаете все технические характеристики транзистора КТ361, разберём его цоклёвку и приведём аналоги которые можно использовать для замены вышедшего из строя устройства.

Исторически он разрабатывался для использования в схемах УВЧ, однако его стали часто использовать в УНЧ и УПЧ а также в других радиоэлектронных приборах. По своей структуре относится к p-n-p транзисторам.

Распиновка

Расположение ножек, то есть цоколевку кт361 можно определить если расположить его маркировкой к себе: сначала идёт эмиттер, посередине коллектор и крайняя справа база. Выпускается в пластмассовом корпусе КТ-26 имеющем гибкие выводы, который является аналогом зарубежного КТ-26. Но раньше этот транзистор производили в корпусе КТ-13. Вес транзистора не превышает 0,3 г.

 

Транзисторы КТ361 и КТ315 выпускаются в одинаковых корпусах, КТ-13 и отличить их не всегда просто. В редких случаях обозначение на корпусе указано полностью, тогда идентификация не вызывает трудностей. Если нет, нужно смотреть, как нанесена буква. У КТ361 она наносится по центру между двумя небольшими чёрточками. А на КТ315 располагается в левом углу сверху. Также определить тип устройства можно прозвонкой относительно вывода базы.

Историческая справка

КТ361 второе изделие, после КТ315, которое стало выпускаться в Советском союзе по эпитаксиально-планарной технологии. Большой вклад в ее развитие во времена СССР внёс министр электронной промышленности Шокин А.И.

До появления этой технологии низкочастотные приборы делались по «сплавной», а высокочастотные по так называемой «диффузионной». Поэтому новые устройства стали прорывом, для своего времени. КТ361 были мощнее ГТ308 в полтора раза, максимальная частота усиления тока была в 2 раза выше, предельно возможный ток через коллектор в 3 раза выше. При этом стоили они меньше.

Технические характеристики

Главными характеристиками транзистора являются его максимально возможные параметры. Все они определяются при температуре окружающей среды +25

ОС (если не оговорена специально другая температура тестирования), и являются действительными для данной температуры, если в документации, предоставляемой производителем не указано иного. Кроме этого для каждого параметра пишутся важные рабочие параметры тестирования.

  • максимально возможное постоянное напряжение между К-Б (сопротивление перехода Б-Э Rбэ = 10 Ом):
    • Т = +35ОС – 25 В;
    • Т = +100ОС – 25 В;
  • предельно возможное постоянно действующее напряжение, действующее между выводами эмиттер и база – 4 В;
  • наибольший возможный ток протекающий через коллектор длительное время — 50 мА;
  • наибольшая предельная мощность, которая рассеивается на коллекторе:
    • T ≤ +35ОС – 150 мВт;
    • Т = +100ОС – 30 мВт.
  • максимально возможная температура p-n перехода (кристалла) – + 120 ОС;
  • Диапазон температур, при которых транзистор может нормально работать – -60 ОС … +100 ОС.

Приведём далее значения электрических параметров транзистора КТ361. Они тестировались при той же температуре окружающего воздуха, что и предельные — +25ОС. Остальные рабочие параметры, при которых производились измерения, находятся в таблице, в колонке «Режимы измерения».

Название параметра Обозн Режимы измерения MIN MAX Ед. изм.
Статический к-т передачи в схеме с общим эмиттером (UКБ=10 B, IК=1 мA) h21э Т = +25ОС

Т = +100ОС

Т = -60ОС

25О

Граничная частота к-та передачи в схеме с ОЭ fгр Uкэ=10 B

Iэ=5мA

25О МГц
Постоянная времени ОС τк Uкб=10 B

Iэ=5 мA

f = 5 МГц

5ОО пс
Обратный ток, протекающий через коллектор при (UКБ = 1О В) Iкбо Т = +25

Т = -60 ОС

Т = +100ОС

1

1

25

мкА

мкА

мкА

Обратный ток, текущий через переход  К-Э Iкэо UКЭ = UКЭ МАКС

Rбэ = 10 кОм

1 мкА
Емкость на коллекторном переходе ск Uкэ = 10 В 9 пФ

Также, в технической документации на транзистор КТ361, приведены меры, которые необходимо соблюдать при работе с ним. Они заключаются в следующем:

  • расстояние от корпуса до места, в котором осуществляется пайка, должно быть больше 2 мм;
  • изгиб ножек может производиться на расстоянии, превышающем 2 мм от пластмассовой оболочки, и радиус закругления должен находиться в пределах от 1,5 до 2 мм.

    Содержание драгметаллов

Драгоценные металлы добавляют в радиодетали при изготовлении для разных целей. В транзисторах зачастую золото используют в качестве подложки под кристаллом и проводником. В рассматриваемом нами полупроводнике содержится небольшое количество этого жёлтого металла. Оно равно 0,0000712 г. на 1 штуку. Ниже приводим фрагмент этикетки на транзистор КТ361 из которой взята данная информация.

Аналоги

Существуют следующие импортные аналоги для КТ361: 2SA555, BC250A, 2SA601, 2SA611. Кроме этого у него есть комплементарная пара — КТ315. Это позволяет использовать его в двухтактных схемах.

Производители

Раньше КТ361 изготавливался на таких предприятиях: производственное объединение «Элькор» г. Нальчик, НИИПП г. Томск и «Элекс» г. Александров.

Сейчас данное изделие выпускает в России ЗАО «Кремний» расположенный в г. Брянск. В Белоруссии его производством занимается ОАО «Интеграл» (Datasheet на КТ 361 можно скачать здесь и ещё здесь). Продукцию каждого из этих производителей можно встретить на отечественном рынке.

Аналоги для кт361 — Аналоги

КТ361А 2SA555

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361А BC250A

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361А КТ361Г

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361А КТ361Д

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Б 2N4125

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Б BC250B

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Г 2N3905

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Г 2N3906

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Г 2SA555

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Г BC157

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Г BCW57

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Г BSW20

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Г КТ361А

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Г КТ361Д

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Д 2SA555

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Д BC557

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Д КТ361А

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Д КТ361Г

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Е 2SA555

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Е 2SA556

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Е BCW58

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Ж 2SA556

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Ж КТ361И

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361И 2SA556

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361И КТ361Ж

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361К BSW62A

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361К КТ361Л

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361К КТ361М

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Л BSW62A

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Л КТ361К

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Л КТ361М

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361М BSW62A

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361М КТ361К

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361М КТ361Л

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Н BSW63A

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361Н КТ361П

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361П BSW63A

Отечественный и зарубежный аналоги

КТ361П КТ361Н

Отечественный и зарубежный аналоги

Транзисторы серий КТ315 и КТ 361

Серия этих кремневых транзисторов очень популярна, начиная с прошлого века и по сей день. По мимо всего прочего, у них очень удобный корпус и выводы для поверхностного монтажа.

Эти транзисторы очень подружились с микроконтроллерами и часто используются как буферные каскады между МК и периферией. Доступность и цена этой серии радуют любого радиолюбителя, можно брать сразу вёдрами.

Функции в радиосхемах этих транзисторов очень разнообразны.

Высокая граничная частота позволяет делать на них генераторы вплоть до УКВ диапазона. В маломощных звуковых усилителях они так же хорошо себя зарекомендовали. Цвет корпуса транзисторов может быть жёлтый, зелёный, красный, другие мне не попадались.

Теперь немного подробнее о корпусах

Как отличить КТ315 от КТ361? Как видно на корпусе стоит только маркировка последней буквы серии.

Тут есть несколько методов: Первое это нужно запомнить, что база у этой серии справа, а эмиттер слева.

Если вы смотрите на логотип транзистора и его ноги смотрят вниз. Тут самое простое это вставить транзистор в мультиметр где имеется проверка транзисторов. 315 серия это n-p-n кристалл, 361 серия p-n-p кристалл.

Второй вариант это замерить проводимость переходов мультиметром (база-эмиттер, база- коллектор). КТ315 будут звонится переходы с плюсом на базе, КТ361 с минусом на базе.

Ну и последнее, это как я их отличаю: Всё очень просто у КТ315 буква логотипа с лева, а у КТ361 она посередине. Хорошо, пробежимся по электрическим параметрам данных изделий отечественной электроники.

  • Мощность — 150 мВт
  • Граничная частота — 100 МГц
  • Ток коллектора- 100 мА
  • Усиление — 20 — 250 (зависит от буквы и разброса параметров при изготовлении)

В реалии, транзисторы одной партии с логотипом «Е» показали разброс усиления от 57 до 186 для кт361 и 106 — 208 для кт 315.
Напряжение коллектор-эмиттер — 25в (а,б) , 35в(в,г,д,е), 60в(ж,и).

Проверить транзисторы на исправность, несложно. Тем же мультиметром на режиме «прозвонка» проверяем сопротивление между эмиттером и коллектором. В обе стороны должен быт обрыв.

Затем звоним переходы от базы на эмиттер и от базы на коллектор. При исправном транзисторе оба перехода (с учётом своей полярности) должны показать примерно одинаковые показатели около 500-600 Ом.

Как вам статья?

Мне нравится2Не нравится

Справочные данные транзисторов кт315 и кт361 кт315а, кт315б, кт315в, кт315г, кт315д, кт315е, кт315к, кт315и

Транзисторы кремниевые эпитаксиально — планарные n-p-n усилительные высокочастотные маломощные.

Предназначены для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты.

Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выво­дами. Обозначение типа приводится на этикетке.

Масса транзистора не более 0.18 г.

Электрические параметры

Граничное напряжение при Iэ = 5 мА не менее:

КТЗ15А, КТ315Б, КТ315Ж 15 В

КТЗ15В, КТ315Д, КТ315И 30 В

КТ315Г, КТ315Е 25 В

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при Iк = 20 мА, Iб = 2 мА не более:

КТ315А, КТ315Б, КТЗ 15В, КТ315Г 0,4 В

КТ315Д, КТ315Е 1В

КТ315Ж 0,5 В

Напряжение насыщения база — эмиттер при Iк = 20 мА, IБ — 2 мА не более:

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г 1,1 В

КТ315Д, КТ315Е 1,5 В

КТ315Ж 0,9 В

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ = 10 В, Iк = 1 мА:

КТ315А, КТ315В, КТ315Д 20 — 90

КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е 50 — 350

КТ315Ж 30 — 250

КТ315И не менее 30

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при Uкб = 10 В, Iэ = 5 мА не более:

КТ315А 300 нс

КТ315Б, КТ315В, КТ315Г 500 нс

КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж 1000 нс

Модуль коэффициента передачи тока при Uкэ =10 В, Iк = 1 мА, f= 100 МГц не менее:

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И 2,5

КТ315Ж 1,5

Емкость коллекторного перехода при Uкб = 10 В, f= 10 МГц не более:

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315И 7 пФ

КТ315Ж 10 пФ

Входное сопротивление при Uкэ = 10 В, Iк = 1 мА, не менее 40 Ом

Выходная проводимость при Uкэ = 10 В, Iк = 1 мА 0,3 мкСм

Обратный ток коллектора при Uкб = 10 В не более 1 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Uбэ = 10 кОм, Т= 213 … 373 К:

КТ315А 25 В

КТ315Б 20 В

КТ315В, КТ315Д 40 В

КТ315Г, КТ315Е 35 В

КТ315Ж 15 В

КТ315И 60 В

Постоянное напряжение база-эмиттер при Т = 213 … 373К 6В

Постоянный ток коллектора при Т =213 … 373 К:

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е 100 мА

КТ315Ж, КТ315И 50 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т =213 … 298 К:

КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е 150 мВт

КТ315Ж, КТ315И 100 мВт

Температура перехода 393 К.

Температура окружающей среды От 213 до 373 К

Примечания: 1. Постоянная рассеиваемая мощность коллекто­ра, мВт, при Т =298 … 373 К определяется по формуле

РК.макс = (393 — Т)/0,67.

Допускается эксплуатация транзисторов в режиме Рк = 250 мВт при UКБ = 12,5 В, Iк = 20 мА.

2. Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 2 мм от корпуса транзистора.

При включении транзистора в схему, находящуюся под напря­жением, базовый вывод должен подсоединяться первым и отсоеди­няться последним.

Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем интервале температур

Зависимость статического коэф­фициента передачи тока от тока эмиттера.

Зависимость напряжения насы­щения коллектор-эмиттер от то­ка коллектора.

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

Зависимость напряжения насы­щения база-эмиттер от тока коллектора

Зависимость напряжения насы­щения база-эмиттер от тока базы

Выбор транзисторов — Студопедия

Транзисторы – это полупроводниковые приборы, служащие для усиления мощности и имеющие три вывода или больше. В транзисторах может быть разное число переходов между областями с различной электропроводностью. Наиболее распространены транзисторы с двумя n-pпереходами, называемые биполярными, так как их работа основана на использовании носителей заряда обоих знаков. Первые транзисторы были точечными, но они работали недостаточно устойчиво. В настоящее время изготовляются и применяются исключительно плоскостные транзисторы.

Исходными данными для выбора транзисторов являются

— назначение цепи, в которой устанавливается транзистор;

— коэффициент усиления;

— прямой и обратный токи;

— коэффициент обратной связи;

— режим цепи.

В устройстве используется 2 типа транзисторов разной структуры. Крайне желательно, чтобы они имели одинаковые корпуса для увеличения технологичности производства. В качестве транзисторов структуры p-n-p возможно использовать КТ361, КТ209, КТ3102, КТ502. В качестве n-p-n транзисторов — КТ315, КТ3107, КТ503. Были выбраны КТ361 и КТ315, имеющие одинаковые корпуса КТ-13. Размеры корпуса КТ-13 приведены на рисунке 8[6].


Основные параметры КТ361 и КТ315. Все основные параметры одинаковы, однако следует учитывать направление тока в цепях схемы [6].

— макс. напр. коллектор-база при заданном обратном токе, В 40;

— максимально допустимый ток коллектора, А 0,075;

— статический коэффициент передачи тока 75;

— максимальная рассеиваемая мощность, Вт 0,15.

Рисунок 8

Выбранные элементы сведены в таблицу 1.

Таблица 1

Выбранный элемент Условия эксплуатации по ТУ Интенсивность отказов,10-6
Температура, ºС Влажность, % Атмосферное давление, атм Частота вибрации, Гц Ускорение, g Конструкция выводов
0,5ГДШ-2 -50… +75 контактные лепестки 0,6
КМ6 -20… +85 торцевые 0,07
К50-35 -40… +85 торцевые 0,09
CD4060BCN -55… +125 планарные 0,3
К1561ГГ1 -65… +125 планарные 0,3
С2-23 -55… +125 осевые 0,06
СП3-38а -60… +125 торцевые 1,4
КТ315 -40… +65 торцевые 0,35
КТ361 -40… +65 торцевые 0,35

КТ361

KT315
Структура n-p-n
Uce 15–60 В
Ube 6 В
Ic 50–100 мА
Ib 50 мА
P 100 мВт
Pmax 150 мВт
Рабочие температуры до 100 °C
fгр не менее 250 МГц
h21e 20–350

КТ315 — кремниевый высокочастотный биполярный транзистор малой мощности n-p-n-проводимости в корпусе KT-13, получивший самое широкое распространение в советской радиоэлектронной аппаратуре.

В маркировку транзисторов, предназначенных для продажи, помимо буквы обозначающей группу, эмблемы завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек[источник не указан 205 дней].

История

В 1966 году А. И. Шокин прочитал в журнале «Electronics» новость о разработке в США транзистора, технологически приспособленного под массовое производство[1] — с использованием метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Разработкой транзистора и оборудованием для производства занялся НИИ «Пульсар», Фрязинский полупроводниковый завод и его ОКБ.

Уже в 1967 году была выполнена подготовка производства для запуска массового изготовления, а в 1968 году были выпущены первые электронные устройства на базе КТ315[1].

Первым массовым транзистором с кодовой маркировкой был КТ315 в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. На нём в левом верхнем углу плоской стороны ставилась буква, обозначающая группу, ниже иногда указывалась дата изготовления. Через несколько лет в корпусе КТ-13 стали выпускать транзистор с p-n-p проводимостью — КТ361. Для отличия от КТ315 буква, обозначающая группу, ставилась посередине верхней части на плоской стороне корпуса.

Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР[2].

Транзистор выпускался предприятиями: «Электроприбор» (г. Фрязино), «Квазар» (г. Киев), «Континент» (г. Зеленодольск), «Кварцит» (г. Орджоникидзе), ПО «Элькор» (г. Нальчик), НИИПП (г. Томск), ПО «Электроника» (г. Воронеж). В 1970 г. их производство в порядке технического сотрудничества также было передано в Польшу на предприятие Unitra CEMI. Для этого на Воронежском объединении «Электроника» демонтировали целый цех, и в кратчайшие сроки вместе с запасом материалов и комплектующих смонтировали и запустили его в Варшаве. Научно-производственный центр Unitra CEMI в конечном итоге обанкротился в 1990 году, оставив польский рынок микроэлектроники открытым для иностранных компаний.[3]. В начале 1990-х общее количество выпущенных транзисторов КТ315 превысило 7 миллиардов штук.

Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 было выпущено в корпусах жёлтого или красно-оранжевого цвета, значительно реже можно встретить розовые, зелёные и черные[источник не указан 205 дней].

Транзистор КТ315 выпускается по сей день[когда?] рядом предприятий: ЗАО «Кремний» г. Брянск, СКБ «Элькор» Республика Кабардино-Балкария г. Нальчик, завод НИИПП г. Томск. Транзистор КТ315-1 выпускается: ЗАО «Кремний» г. Брянск, завод «Транзистор» Республика Беларусь г. Минск, АО «Элекс» г. Александров Владимирская область [3]. Так например Белорусский ОАО «Интеграл» (предприятие холдинга завод «Транзистор») производит транзистор КТ315 в корпусе КТ-26 (аналог TO92)[4].

Применение

Транзисторы КТ315 предназначались для работы в схемах усилителей звуковых и радиочастот, в преобразовательных и импульсных схемах, и широко использовались в электронной аппаратуре бытового и промышленного назначения, а также радиолюбителями. В военной аппаратуре КТ315 не применялись, их функции в аналогичных схемах обычно выполняли транзисторы 2Т312 или 2Т316 в металло-стеклянных корпусах, а в некоторых устройствах — и германиевые транзисторы серии МП.

Для компьютеров, станков с ЧПУ, цветных телевизоров и аудиоаппаратуры высшего класса выпускались транзисторы повышенной надежности, в их маркировке рядом с буквой присутствовала точка.[1]

В начале 1990-х появилась тенденция вытеснения КТ315 более современным транзистором КТ3102, который также имел комплементарную пару p-n-p проводимости — КТ3107 — и отличался от КТ315 бо́льшим статическим коэффициентом передачи тока при малом коэффициенте шумов на низких частотах, что было важно для высококачественной аналоговой аудиоаппаратуры. Однако, в связи с начавшимся массовым переходом электронной аппаратуры на микросхемы, КТ3102 такого же широкого распространения не получил.

Технология

Транзисторы этого типа стали первенцами новой технологии — планарно-эпитаксиальной. Эта технология подразумевает, что все структуры транзистора образуются с одной стороны кристала, исходный материал имеет тип проводимости, как у коллектора, в нём сначала формируется базовая область, а затем в ней — эмиттерная. Эта технология была освоена советской радиоэлектронной промышленностью, как ступень к изготовлению интегральных микросхем без диэлектрической подложки. До появления КТ315 низкочастотные транзисторы изготавливались по «сплавной» технологии, а высокочастотные — по диффузионной. Соотношение параметров, достигнутое в КТ315, было прорывным для времени его появления. Так, например, он превосходил современный ему германиевый высокочастотный транзистор ГТ308 по мощности в 1,5 раза, по граничной частоте в 2 раза (ГТ308 — 120 МГц, КТ315 — 250 МГц), по максимальному току коллектора в 3 раза, и при этом был дешевле. Он мог заменить и низкочастотные МП37, при равной мощности превосходя их по коэффициенту передачи тока базы, максимальному импульсному току и обладая лучшей температурной стабильностью. Кремний как материал позволял этому транзистору десятки минут работать на умеренных токах даже при температуре плавления припоя, правда, с ухудшением характеристик, но без необратимого выхода из строя.

КТ361

KT361
Структура p-n-p
Uce 10—60 В
Ube 4 В
Ic 50—100 мА
Pmax 150 мВт
fгр не менее 250 МГц
h21e 20—350

КТ361 — биполярный транзистор p-n-p-проводимости. Комплементарен к КТ315, благодаря чему часто использовался в паре с последним в бестрансформаторных двухтактных схемах. Благодаря неплохим техническим характеристикам получил широкое распространение в отечественной радиотехнике. Для отличия от КТ315 буква, обозначающая группу, ставилась посередине верхней части плоской стороны, иногда между двумя дефисами.

Транзистор КТ361 и КТ361-1 изготавливался в корпусе КТ-13. Впоследствии КТ361 стал выпускаться в корпусе КТ-26 (зарубежный аналог TO92), транзисторы в этом корпусе получили дополнительные цифры «2 или 3» в обозначении, например КТ361Г2 или КТ361Г3. Корпус надежно предохраняет кристалл транзистора от механических и химических повреждений. На основе этих транзисторных структур изготавливаются выпрямительные диоды типов КД128А, КД128Б, КД128В. Транзистор КТ361 выпускался предприятиями: ПО «Элькор» Республика Кабардино-Балкария г. Нальчик, НИИПП г. Томск, «Элекс» г. Александров Владимирская область. В настоящее время промышленностью выпускаются транзисторы КТ361-2 и КТ361-3. Транзистор КТ361-2 выпускает ЗАО «Кремний» г. Брянск по техническим условиям АДБК.432140.995ТУ (справочный лист на него). Транзистор КТ361-2 и КТ361-3 производит завод «Транзистор» Республика Беларусь г. Минск по техническим условиям ФЫО.336.201 ТУ/02 (справочный лист на него).[5]

Примечания

Ссылки

  1. Константин Ч. Характеристики транзистора КТ315 (неопр.). ShemaTok.

КТ361

Чертеж корпуса транзистора КТ361

Кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы общего применения в пластмассовом корпусе. Предназначены для работы в качестве усилителей и генераторов электрических сигналов. Комплементарная пара: КТ315. Вид климатического исполнения УХЛ.


Маркировка

Особенности маркировки — на корпусе указывается только буква, при этом она печатается посередине корпуса. Товарный знак завода отсутствует (для НИИ ПП вместо знака завода могут ставиться штрихи слева и справа от буквы, см. паспорт). Дата выпуска ставится в цифровом, либо в кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска).

Дополнительной точкой маркируются транзисторы повышенной надежности.

Параметры

ПараметрКТ361АКТ361БКТ361ВКТ361ГКТ361Г1КТ361ДКТ361ЕКТ361ЖКТ361ИКТ361К

Постоянный ток коллектора транзистора

IC

<50 мА

Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера

UCBO

<25 В<20 В<40 В<35 В<35 В<40 В<35 В<10 В<15 В<60 В

Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера

UCEO

<25 В<20 В<40 В<35 В<35 В<40 В<35 В<10 В<15 В<60 В

Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора

PC

<150 мВт

Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора

hFE

20 ~ 9050 ~ 35040 ~ 16050 ~ 350100 ~ 35020 ~ 9050 ~ 35050 ~ 350>25050 ~ 350

Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open

ICB-R

<1 мкА

Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора

fh31

<250 МГц

Структура биполярного транзистора

Структура

PNP

Фотогалерея

Самодельные мигалки на светодиодах 12 вольт. Простой упор на одном транзисторе. Сборка сигнализации своими руками

Любой начинающий радиолюбитель имеет желание поднять что-то электронное и желательно сделать это раньше и без трудоемкой настройки. И это понятно, так как даже небольшой успех в начале пути дает много сил.

Как уже было сказано, первым делом лучше собрать блок питания. Ну а если он уже в мастерской, можно собрать мигалку на светодиодах.Итак, пора «закрыть» паяльник.

Вот принципиальная схема Один из простейших прошивальщиков. Базовая основа этой схемы — симметричный мультивибратор. Прошивка собрана из доступных и недорогих деталей, многие из которых можно найти в старой радиоаппаратуре и использовать повторно. О параметрах радиодеталей будет сказано чуть позже, но все же разберемся, как работает схема.

Суть работы схемы в том, что транзисторы VT1 и VT2 поочередно открыты.В открытом состоянии транзисторы e-k пропускают ток. Поскольку светодиоды включены в коллекторные цепи транзисторов, то при прохождении через них они светятся.

Частоту смещений транзисторов, а, следовательно, и светодиодов можно приблизительно рассчитать по формуле для расчета частоты симметричного мультивибратора.

Как видно из формулы, основными элементами, с помощью которых можно изменять частоту переключения светодиодов, является резистор R2 (его номинал R3), а также электролитический конденсатор C1 (его емкость C2).Для расчета частоты переключения в формуле необходимо подставить значение сопротивления R2 в киломах (кОм) и емкость конденсатора С1 в микропрейдах (мкФ). Частота F будет получена в Герцах (Гц или иначе — Гц).

Эту схему желательно не только повторить, но и «поиграть» с ней. Можно, например, увеличить емкость конденсаторов С1, С2. В этом случае частота переключения светодиодов уменьшится. Переключение они будут медленнее.Также можно уменьшить емкостное сопротивление. В этом случае светодиоды будут переключаться чаще.

При С1 = С2 = 47 мкФ (47 мкФ), а R2 = R3 = 27 ком (кОм) частота будет около 0,5 Гц (Гц). Таким образом, светодиоды переключатся 1 раз в течение 2 секунд. За счет уменьшения емкости C1, C2 до 10 мкФ можно добиться более быстрого переключения — примерно в 2,5 раза в секунду. А если установить конденсаторы С1 и С2 емкостью 1 мкФ, то светодиоды будут переключаться с частотой около 26 Гц, что будет практически незаметно — оба светодиода будут просто светиться.

А если взять и поставить электролитические конденсаторы С1, С2 разной емкости, мультивибратор из симметричного превратится в несимметричный. При этом один из светодиодов будет светить дольше, а другой — короче.

Более плавно, частоту мигания светодиодов можно менять и с помощью дополнительного переменного резистора PR1, который можно включить в такой схеме.

Тогда частоту переключения светодиодов можно плавно изменять поворотом ручки переменного резистора.Переменный резистор можно взять с сопротивлением 10 — 47 кОм, а резисторы R2, R3 установить с сопротивлением 1 кОм. Номинальные характеристики остальных деталей оставлены прежними (см. Таблицу ниже).

Вот так выглядит флешер с плавной регулировкой частоты миганий светодиодов на партии.

Изначально заслонку вспышек лучше собрать на манекене invoko и настроить работу схемы по желанию. Бесподобная макетная плата В общем, очень удобна для всяких экспериментов с электроникой.

Теперь поговорим о деталях, которые потребуются для сборки вспышек на светодиодах, схема которых представлена ​​на первом рисунке. Список элементов, используемых на схеме, представлен в таблице.

Имя

Обозначение

Номинал / параметры

Марка или тип элемента

Транзисторы VT1, VT2.

Kt315 с любым буквенным индексом
Конденсаторы электролитические С1, С2. 10 … 100 мкФ (рабочее напряжение от 6,3 В и выше) К50-35 или импортные аналоги
Резисторы R1, R4. 300 Ом (0,125 Вт) МЛТ, МОН и аналогичные импортные
R2, R3 22 … 27 ком (0,125 Вт)
Светодиоды HL1, HL2. индикаторный или светлый на 3 В

Стоит отметить, что у транзисторов CT315 есть дополнительный «двойник» — транзистор Кт361. Вольеры очень похожи и их легко перепутать. Было бы не очень страшно, но у этих транзисторов разная структура: КТ315 — н-П-Н , а КТ361 — п-Н-П . Поэтому их называют дополнительными. Если вместо транзистора CT315 в схеме CT361, то работать не будет.

Как определить КТО ЕСТЬ КТО? (кто есть кто?).

На фото транзисторы КТ361 (слева) и КТ315 (справа). На корпусе транзистора обычно указывается только буквенный индекс. Поэтому отличить КТ315 от КТ361 по внешнему виду Практически нереально. Чтобы достоверно убедиться, что вы перед вами CT315, а не CT361, в основном проверяйте транзисторный мультиметр.

База транзистора CT315 показана на рисунке в таблице.

Перед тем, как разобраться в схеме и другие радиодетали, их тоже стоит проверить.Особенно проверка требует старых электролитических конденсаторов. У них одна беда — потеря танков. Поэтому проверить конденсаторы будет не лишним.

Кстати, с помощью прошивальщика косвенно можно оценить емкость емкости. Если электролит «прицелился» и потерял часть емкости, мультивибратор будет работать в асимметричном режиме — это сразу станет заметно чисто визуально. Это означает, что один из конденсаторов C1 или C2 имеет меньшую емкость («сухой»), чем другой.

Для питания схемы необходим блок питания с выходным напряжением 4,5 — 5 вольт. Также можно запитать флештул и от 3-х батареек типоразмера АА или ААА (1,5 В * 3 = 4,5 В). Вы читали о том, как правильно подключить батарейки.

Конденсаторы электролитические (электролиты) подходят любые номинальной емкостью 10 … 100 мкФ и рабочим напряжением 6,3 вольта. Для надежности лучше выбирать конденсаторы на более высокое рабочее напряжение — 10…. 16 вольт. Напомним, что рабочее напряжение электролитов должно быть немного больше напряжения схемы.

Можно брать электролиты и с большей емкостью, но габариты прибора заметно увеличатся. При подключении к цепи конденсаторов соблюдайте полярность! Электролиты не любят тряски.

Все схемы проверены и рабочие. Если что-то не работает, то сначала проверьте качество пайки или соединений (если собраны на слое).Перед тем, как положить детали в схему, их следует проверить мультиметром, чтобы потом не удивились: «Почему не работает?»

светодиода могут быть любыми. Можно использовать как обычный индикатор на 3 вольта, так и яркий. Яркие светодиоды имеют прозрачный корпус и обладают большей светоотдачей. Очень эффектно смотрятся, например, ярко-красные светодиоды диаметром 10 мм. В зависимости от желания можно применить светодиоды других цветов излучения: синего, зеленого, желтого и др.

Схемы прошивки на транзисторах и микросхемах В интернете легко найти.Однако в большинстве своем используются мультивибраторы, а это относительно большое количество деталей и, соответственно, габаритов. А также довольно высокий источник напряжения, необходимый для зажигания светодиода. Можно ли обойтись минимумом деталей и одной полусеткой батареей? По отдельности эти условия не сложные. Все известные генераторы блокировки позволяют запитать светодиод на 1,5 вольта. Популярный, хотя транзистор будет работать в режиме с отключенной базой, так называемый «лавинный» режим и производительность схемы будет зависеть от многих факторов: типа транзистора, температуры и т. Д.Да и для подачи напряжения в этом варианте нужно не менее 9 вольт. Схема прошивки на одном транзисторе Показано на картинке.

Светодиодный мигалка на микросхеме — БЕСПЛАТНО от этих недостатков. Самый простой вариант Такой прибор можно изготовить за 15 минут, включая тепловой обогрев. Для этого потребуется китайский будильник, которых в помойке Самоделкина можно найти десяток, и пара деталей: диод и конденсатор. На диод можно подать любой маломощный, конденсатор я взял на 47MCF.С тарой можно экспериментировать. Влияет на энергию вспышки светодиода. Схема представлена ​​на рисунке.
Точки A и B должны быть подключены к выводам микросхем, идущих к катушке, управляющей маятником часов. Саму катушку удалить. Светодиод будет мигать с периодом 2с. И в таком режиме могут работать годы, не заменяя «палец». Кстати, такой же результат можно получить с советским электронно-механическим будильником «Слава», построенным на специальной микросхеме iTP-T45 .Есть еще транзистор, он контролирует работу звонка будильника. Его можно снять, а можно оставить, получается lED Flashing Cook . Короткое видео, чтобы убедиться в работоспособности схемы;

Во всех приведенных ниже конструкциях лампы накаливания могут и должны быть заменены светодиодами с выбором, конечно, токоограничивающего резистора.

RC — генератор .

Самая распространенная схема генераторов этого класса
казан на картинке.В данном случае это довольно низкая частота, ее можно плавно изменять в небольших пределах (от доли Гц до нескольких Гц).

RC-частота генератора Определяется параметрами фазопроводящих цепей и может быть рассчитана по приближенной формуле F = 5300: Rc; Здесь f — частота в Гц. R и C — сопротивление и емкость одной из цепей фазового контроля, соответственно, в ком и мкФ.

Перепрошивка на мультивибраторы и их применение.

Лампа сигнальная импульсная на транзисторах. Бывают случаи, когда иметь импульсную сигнальную лампу просто необходимо. На рис. Принципиальная схема такого фонаря, излучающего световые импульсы длительностью 0,1 с с периодичностью около 2 ° С. Импульсный режим лампы накаливания 2,5 В обеспечивает мультивибратор на транзисторах Т1 и Т2 различной конструкции. Такой мультивибратор содержит только один конденсатор положительной обратной связи и один резистор начального смещения (C1 и R1).Основное преимущество состоит в том, что мультивибратор потребляет ток только в те моменты времени, когда транзистор Т2 открыт, т. Е. Со светильником лампы L1 на 0,1 с каждые 2 с. Транзистор T1 должен быть кремниевым, например MP114-MP116. В крайнем случае можно использовать немецкие транзисторы типа MP40 — MP42, но тогда потребляемый ток увеличится. Лампа накаливания 2,5 х 0, 15 А.
Электрифицированный знак аварийной остановки транспорт. Согласно правилам дорожного движения в случае вынужденной остановки транспортного средства на проезжей части дороги на определенном расстоянии от этого инструмента (перед ним) устанавливается знак аварийной остановки, имеющий вид равностороннего треугольника и снабженный светоотражатели.Ночью знак необходимо дополнительно выделить. Очевидно, что для освещения сигнала в темноте или в непогоду лучше всего установить на такой знак лампы накаливания и питать их от бортовой батареи. Такое решение вполне приемлемо, если предполагать краткосрочную остановку. Но при длительной стоянке транспорта такой наэлектризованный знак может полностью разрядить аккумулятор. Поэтому желательно периодически задействовать лампы вывески. Такой режим работы фонарей позволяет снизить потребляемый ток и дополнительно усилить извещение знака на дороге.На рис. Приведена принципиальная схема электрифицированного знака аварийной остановки, оснащенного шестью лампами подсветки, которые периодически включаются и выключаются. Основа схемы — симметричный мультивибратор на транзисторах средней мощности. Мультивибратором принято называть устройство, состоящее из двух усилительных каскадов, в которых выход одного через переходный конденсатор соединен со вторым входом, а выход второго через тот же второй конденсатор — с входом первого.Эти конденсаторы обозначены на рис. Как С1 и С2. Для создания начального смещения на базе транзисторов применяются резисторы R1, R2. Поскольку конденсаторы с 1 и С 2 создают сильную положительную обратную связь, оба конденсатора усиления становятся элементами генератора. Частота его генерации обратно пропорциональна произведению конденсатора на сопротивление резистора, особенность работы мультивибратора
состоит в том, что каждый из транзисторов работает по очереди с другим, т.е.е. если один транзистор
полностью открыт и поэтому лампы, включенные в цепь его коллектора, яркие, то при этом другой транзистор полностью закрыт, ток коллектора очень мал, и поэтому лампы в нем
Chains не будут светить . Тогда транзисторы поменяются ролями. Частота
Включение лампового устройства, выполненного по схеме на рис., Составляет около 0,5 Гц.
Диоды d 1 -D 4 в данном приборе имеют вспомогательное назначение. Они включены в схему мостового выпрямителя и рассчитаны на работу при любой полярности подключения к источнику.Можно обойтись и без диодов, но тогда провод, ведущий к лампам, требуется подключить к отрицательному полюсу, а нижний провод — проводящим полюсом аккумулятора.

Транзисторы

Т 1 и Т 2 могут быть типа P213-P217 с любыми буквенными индексами, но еще лучше, если их текущие коэффициенты передачи H 21E будут равны 30-40.

. Частота мультивибратора Рассчитывается приблизительно по формуле: F = 7250: Rc, где F — частота в Гц. R и C — сопротивление и емкость одной из основных цепей RC, соответственно, в com и ICF.

Отзывы (2) на «Схемы прошивки на транзисторах и микросхемах»

    Спасибо конечно, но вы знаете, что я как человек со школы боюсь транзисторов с их заульными характеристиками и регулировкой напряжения хочу посоветовать: возьмите пульт управления от старого ненужного телевизора, это по сути фонарик, мигающий ИК-светодиод, если заменить светодиод на ОПТРОДЕ, то можно к нему подключить, что он возвышенный, мигалка, очаг … Просто укоротите кнопку пульта понравившейся вам «мелодией» и она пришлет мою морзянку навсегда.Только, к сожалению, кнопку надо нажимать после блока питания, ну так уж проще сделать линию задержки, чем черную магию с переходом P-N задействовать.

    Вторая схема не соответствует действительности. Надо диодный параллельный светодиод, питание последовательно через конденсатор.

Начать изучение основ электроники рекомендуется со сборки простых и наглядных схем, поэтому заслонки вспышек в различных исполнениях и вариантах, так как новичку невозможно устроить на радиолюбителях их сложным способом.Кроме того, эти конструкции могут пригодиться в повседневном использовании. Например, в роли праздничного светового орнамента или в качестве сигнальной ступени.

Элементарная мигалка на шести светодиодах, особенностью которой является простота и отсутствие активных элементов управления, таких как транзисторы, тиристоры или микросхемы.

С третьим мигающим красным светодиодом два обычных красных светодиода 1 и 2. При мигании 3 мигает 3, вместе с ним 1 и 2. Размыкающий диод шунтирует зеленые светодиоды 4-6, которые мигают.Когда мигание гаснет вместе с 1 и 2 светодиодами, горит группа зеленых светодиодов. 4-6.

Эта панель управления миганием светодиода позволяет создавать эффект хаотичных миганий. Принцип действия основан на испытании на лавинный переход.

Когда R1 включается через сопротивление, контейнер C1 начинает заряжаться, и поэтому на нем начинает расти напряжение. Пока конденсатор заряжается, ничего не меняется. Как только напряжение достигнет 12 вольт, произойдет лавинный обрыв p-N Transition В полупроводниковом устройстве проводимость увеличивается и, следовательно, светодиод начинает гореть за счет энергии разряжаемого C1.

Когда напряжение на баке упадет ниже 9 вольт, транзистор закрывается, и весь процесс повторяется с самого начала. Остальные пять блоков схемы работают по аналогичному принципу.

Рейтинги сопротивления и конденсаторы устанавливают частоту каждого отдельного генератора. Сопротивления, кроме того, защищают транзисторы от выхода из строя при лавинном пробое.

Самый простой способ собрать перепрошивку — использовать специализированный чип LM3909, достать который достаточно просто.

Достаточно подключить частотную цепочку для подключения к микросубору и, конечно же, для питания самого светодиода. Вот уже готовый прибор для имитации сигнализации в автомобиле.

При указанном номинале частота мигания будет около 2,5 герц

Отличительной особенностью данной конструкции является возможность регулировки частоты мигания с помощью подстроечных сопротивлений R1 и R3.

Напряжение можно подавать как от любых, так и от батареек, область применения на всей широте вашей фантазии.

В этой конструкции он используется в качестве генератора и периодически открывает и блокирует полевой транзистор. Ну, в транзисторе есть цепочки из обычных светодиодов.

Первая и вторая цепочки светодиодов соединены параллельно и получают питание через сопротивление R4 и поле полевого транзистора.

Третья и четвертая цепи подключены через диод VD1. Когда транзистор заблокирован, горят третья и четвертая цепочки. Если он открыт, то светят первый и второй участок.

Мигающий светодиод подключен через сопротивление R1, R2, R3. Во время вспышки открывается полевой транзистор. Все детали, кроме аккумулятора, установлены на печатной плате.

Достаточно простые любительские конструкции смогут использовать обычные. Правда, следует помнить об их особенностях работы, а именно о том, что они открываются при допуске к управляющему электроду определенного уровня напряжения, а для их блокировки необходимо снизить анодный ток до значения меньше чем ток вычета.

Конструкция состоит из генератора коротких импульсов на полевом транзисторе VT1 и двух каскадов на тиристорах. К анодной цепи одного из них подключена лампа накаливания EL1.

В начальный момент времени после включения оба тиристора закрыты и лампа не горит. Генератор создает короткие импульсы с интервалом, зависящим от цепочки R1C1. Первый импульс, поступающий на управляющие электроды, размыкает их, зажигая лампу.

Через лампу протекает ток, VS2 останется открытым, а VS1 закроется, потому что его анодный ток, установленный сопротивлением R2, слишком мал.Емкость конденсатора начинает заряжаться через R2 и к моменту генерации второго импульса уже будет заряжена. Этот импульс постпиратит VS1, а вывод конденсатора C2 ненадолго подключается к катоду VS2 и замыкает его, лампа гаснет. Как только C2 разряжается, оба тиристора блокируются. Другой импульс генератора приведет к повторению процесса. Таким образом, лампа накаливания мигает с частотой, вдвое меньшей, чем заданная частота генератора.

Основа конструкции — простой мультивибратор на двух транзисторах.У них может быть практически любая необходимая проводимость.

Питание от габарита через сопротивление, второй провод — вес. Светодиоды закреплены в панели от спидометра и тахометра.

Всем привет, сегодня посмотрим прошивальщик на одном транзисторе. Можно сказать это первые шаги в электронике, потому что первое, что я решил собрать, это загорелся транзистор. Схема очень простая и состоит из четырех деталей: tRANSISTOR NPN Conductures (не знаю — посмотрите в гугле, почитайте, что за штука) В моем случае это был BC547, конденсатор электролитический на 470 мкФ (микрофарад), резистор 1 .8 км и светодиод зеленого свечения.

Собрать не так-то просто — нужно знать, где светодиод и конденсатор плюс и минус. Светодиод проверяется полярностью подключения его к источнику питания 5-10 вольт через резистор на 100 Ом.

Конденсатор попроще, так как там белая полоса, желтая, синяя — с другой стороны от него, и с обратным плюсом.

Распиновка используемого вами транзистора, лучше в интернете поискать, в моем случае это:

Про радиодетали кое-что узнал, теперь рассмотрим схему.В этом нет ничего сложного. Начинаем паять. Очищаем жало паяльника от грязи и окиси.

Теперь рассмотрим предметы, которые я сбросил с досок. Чтобы определить величину сопротивления, используйте.

Далее припаиваем конденсатор, внимательно смотрим распиновку транзистора и полярность светодиода, конденсатор. Резистор не имеет полярности — его можно подобрать с любой стороны.

Наш аппарат в сборе.Проведите проводку и проверьте, рабочее напряжение 8-18 вольт.

Очень важно заставить светодиод мигать, чтобы усилить привлечение человеческого внимания к сигналу. Но составлять сложную схему размещения радиоэлементов просто нет времени и места. Я покажу вам схему, состоящую всего из трех, при которой светодиод будет мигать.

Схема хорошо работает от 12 вольт, что должно заинтересовать автолюбителей. Если брать полный диапазон питающего напряжения, то оно лежит в пределах 9-20 вольт.Так что приложений к этому устройству может найти очень много.


Это правда супер простая схема для обеспечения мигания светодиода. Конечно, на схеме присутствует большой электролитический конденсатор, который может украсть много места, но эту проблему можно просто решить, применив современную элементарную базу, например, SMD-конденсатор.


Обратите внимание, база транзистора висит в воздухе. Это не ошибка, а оформление схемы. База не используется, так как используется операция обратной проводимости транзистора.


Такую окладу можно собрать, установив минут за пятнадцать минут. Одеваем термоусадочную трубку и продуваем термофен. А вот вам и светодиоды фиктивного генератора. Частоту мигания можно изменить, увеличив или уменьшив емкость конденсатора. Схема не требует настройки и работает сразу с исправными элементами схемы.
Прошивальщик очень экономичен в работе, надежен и неприхотлив.

Напряжение насыщения транзистора.Биполярный транзистор. Обратный коллекторный ток. Как ведет себя транзистор в разных режимах

В этой серии статей мы постараемся просто и доходчиво рассказать о таких сложных компонентах, как транзисторы.

Сегодня этот полупроводниковый элемент можно найти практически на всех печатных платах, в любом электронном устройстве (в сотовых телефонах, радиоприемниках, компьютерах и другой электронике). Транзисторы являются основой для построения логических микросхем, памяти, микропроцессоров… Итак, давайте разберемся, что это за чудо, как оно работает и чем вызвана такая широта его применения.

Поверхность полупроводника на нижнем оксидном слое, который расположен между выводами истока и стока. Когда мы прикладываем положительное напряжение затвора, отверстия под оксидным слоем с силой отталкивания и дырки выталкиваются вместе с подложкой. Область истощения, заполненная связанными отрицательными зарядами, которые связаны с атомами акцептора. Образуется электронный канал. Теперь, если между стоком и истоком приложено напряжение, ток свободно течет между истоком и стоком, а напряжение затвора приводит в движение электроны в канале.

Транзистор — это электронный компонент, сделанный из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, который позволяет входному сигналу управлять током.

Многие думают, что транзистор усиливает входной сигнал. Спешу разочаровать — сами по себе, без внешнего источника питания транзисторы ничего не усилит (закон сохранения энергии пока не отменяли). Усилитель может быть построен на транзисторе, но это лишь одно из его применений, и тогда для получения усиленного сигнала нужна специальная схема, которая разработана и рассчитана для определенных условий, плюс источник питания.

Если приложить отрицательное напряжение, образовавшийся канал будет формироваться под оксидным слоем.


Когда мы прикладываем отрицательное напряжение затвора, электроны под оксидным слоем отталкиваются и толкаются вниз к подложке, обедненная область заполняется связанными положительными зарядами, которые связаны с донорными атомами.


Когда мы прикладываем положительное напряжение затвора, дырки под оксидным слоем испытывают силу отталкивания, и дырки перемещаются вниз к соответствующим отрицательным зарядам, которые связаны с атомами акцептора.

Сам по себе транзистор может управлять только током.

Что самое важное, что нужно знать? Транзисторы делятся на 2 большие группы: биполярные и полевые. Эти 2 группы различаются по структуре и принципу действия, поэтому мы поговорим о каждой из этих групп отдельно.

Итак, первая группа — это биполярных транзистора .

Эти транзисторы состоят из трех полупроводниковых слоев и разделены по структуре на 2 типа: pnp и npn … Первый тип (pnp) иногда называют транзисторами прямой проводимости, а второй тип (npn) — транзисторами обратной проводимости.

Типы транзисторов — применение и устройство транзисторов. Транзисторы представляют собой полупроводниковое устройство с тремя выводами, используемое для регулирования тока или для усиления входа в больший выход. Транзисторы также используются для переключения электронных сигналов. Циркуляция электрического тока через все типы транзисторов регулируется добавлением электрона. Этот процесс вызывает изменения напряжения, вызывающие пропорционально большие изменения выходного тока, создавая усиление.

Хотя это варьируется, большинство типов транзисторов довольно маленькие и универсальные. Почти каждое электронное устройство содержит по крайней мере один или несколько типов транзисторов. Для многих транзисторы считаются одним из ключевых изобретений современной эпохи электричества из-за стандартного и частого использования транзисторов в электронных системах и современных схемах. Большинство типов транзисторов имеют индивидуальную упаковку, но также могут быть включены в интегральную схему. В этих интегральных схемах количество транзисторов может сильно варьироваться в зависимости от приложения.

Что означают эти буквы? Чем отличаются эти транзисторы? А почему именно две проводимости? Как обычно — правда где-то рядом. Все гениальное просто. N — отрицательный (англ.) — отрицательный. П — положительный (англ.) — положительный. Это обозначение типов проводимости полупроводниковых слоев, из которых состоит транзистор. «Положительный» — слой полупроводника с «дырочной» проводимостью (в нем большинство носителей заряда имеют положительный знак), «отрицательный» — слой полупроводника с «электронной» проводимостью (в нем основные носители заряда имеют отрицательный знак
).

Биполярный транзистор — Биполярный переходной транзистор представляет собой трехконтактное электронное устройство, изготовленное из легированного полупроводникового материала и может использоваться в приложениях для усиления или переключения. Биполярные транзисторы названы так потому, что в их работе участвуют как электроны, так и дырки. Биполярный транзистор будет иметь клеммы, обозначенные как эмиттер, коллектор, база. Небольшой ток на выводе базы может изменить или переключить гораздо больший ток между выводами коллектора и эмиттера. Транзистор Дарлингтона — транзистор Дарлингтона на самом деле представляет собой два биполярных транзистора, соединенных таким образом, что ток, усиливаемый первым транзистором, дополнительно усиливается вторым.Они служат для многих целей, в том числе для ограничения уровней мощности устройства, хранения данных и использования в качестве переключателя для широкого спектра электронных устройств. Многие типы транзисторов состоят из цельного куска полупроводникового материала с как минимум тремя выводами для подключения к внешней цепи.

Устройство и обозначение биполярных транзисторов на схемах показано на рисунке справа. У каждой булавки есть собственное имя. Э — эмиттер, К — коллектор, Б — база. Как узнать основной вывод на схеме? С легкостью.Об этом свидетельствует площадка, в которую упираются коллектор и эмиттер. Как узнать эмиттер? Это тоже просто — это вывод со стрелкой. Остающийся выход — коллектор. Стрелка на эмиттере всегда показывает направление тока. Соответственно, для npn-транзисторов — ток втекает через коллектор и базу и вытекает из эмиттера, для pnp-транзисторов, наоборот, — ток течет через эмиттер, а вытекает через коллектор и базу.

Сердцем транзисторного силового модуля является кремниевый чип. Из-за высокого коэффициента усиления конфигураций Дарлингтона большинство типов биполярных транзисторов и транзисторных модулей содержат микросхемы транзисторов Дарлингтона. Некоторые из этих стружек имеют плоскую структуру, как показано на рисунке 1. Поверхность плоской стружки легко обрабатывается, что упрощает массовое производство. Различные производители используют современные тонко измельченные шаблоны эмиттеров, что обеспечивает превосходное усиление и безопасность эксплуатации.

Погружаемся в теорию глубже… Три полупроводниковых слоя образуют два pn перехода в транзисторе. Один находится между эмиттером и базой, его обычно называют эмиттером, второй — между коллектором и базой, его обычно называют коллектором.

Каждый из двух pn-переходов может иметь прямое или обратное смещение, поэтому в работе транзистора различают четыре основных режима, в зависимости от смещения p-n переходов (помните, да, если напряжение на стороне p-типа проводимость больше, чем на стороне с проводимостью n-типа, то это прямое смещение pn-перехода, если все наоборот, то наоборот).Ниже, на рисунках, иллюстрирующих каждый режим, стрелки показывают направление от большего напряжения к меньшему (это не направление тока!). Так проще ориентироваться: если стрелка направлена ​​от «p» к «n» — это прямое смещение pn-перехода, если от «n» к «p» — обратное смещение.

Высокое напряжение блокировки достигается за счет использования процесса тройной диффузии и защитных колец. На рисунке 2 показана внутренняя конструкция транзисторного модуля.Микросхема транзистора припаяна к молибденовой базе. Молибденовая основа снижает тепловую нагрузку на кристалл из-за почти эквивалентных коэффициентов теплового расширения кремния и молибдена. Затем эта сборка припаивается к электроду коллектора меда вместе с бесшумной диодной интегральной схемой. Медный электрод, в свою очередь, припаивается к керамической подложке.

Режимы работы биполярного транзистора :

1) Если p-n переход эмиттера смещен в прямом направлении, а коллекторный переход смещен в обратном направлении, то транзистор находится в нормальном активном режиме (иногда просто говорят: «активный режим» — опуская слово «нормальный»).В этом режиме ток коллектора зависит от тока базы и связан с ним следующей зависимостью: Ik = Ib * β.

Чипы скреплены алюминиевой проволокой, а затем герметизированы силиконовым гелем для защиты поверхности чипа. Наконец, упаковка заполняется эпоксидной смолой для повышения механической прочности и устойчивости к воздействию окружающей среды. Правильное применение силовых полупроводников требует понимания их максимальных значений и электрических характеристик, информация приведена в техпаспорте устройства.В надлежащей практике проектирования используются таблицы данных, а не информация, полученная из небольших партий образцов.

Рейтинг — это максимальное или минимальное значение, ограничивающее возможности устройства. Чрезмерное использование может привести к необратимой деградации или отказу устройства. Максимальные рейтинги представляют собой экстремальные возможности устройства. Их не следует использовать в качестве расчетных условий.

Активный режим используется при построении транзисторных усилителей.

2) Если есть прямое смещение на обоих переходах — транзистор находится в режиме насыщения … В этом случае ток коллектора перестает зависеть от тока базы в соответствии с приведенной выше формулой (в которой был коэффициент β), он перестает увеличиваться, даже если ток базы продолжает расти. В этом случае говорят, что транзистор полностью открыт или просто открыт. Чем глубже мы углубляемся в область насыщения, тем сильнее нарушается зависимость Ik = Ib * β. Внешне это выглядит так, как будто коэффициент β уменьшается. Еще скажу, что есть такое понятие, как коэффициент насыщения.Он определяется как отношение фактического базового тока (того, который у вас есть в настоящее время) к базовому току в пограничном состоянии между активным режимом и насыщением.

Эта диаграмма представляет собой простой синоптический символ биполярного транзистора. Биполярные транзисторы и переходные транзисторы были первым типом транзисторов, которые были технически реализованы. Ниже приводится описание того, как работает транзисторный транзистор. Для понимания необходимо, чтобы вы были проинформированы о работе полупроводникового диода.

Во-первых, мы хотим подать рабочее напряжение, а именно положительный полюс, на коллектор и заземлить эмиттер. На базовую клемму подается нулевое напряжение, т.е. она напрямую подключена к эмиттеру. В результате ток не течет, потому что коллектор образует диод с базой, работающий в противоположном направлении, как показано на рис.

.

3) Если у нас есть обратное смещение на обоих переходах — транзистор находится в режиме отсечки … В этом случае ток через него не течет (кроме очень малых токов утечки — обратных токов через pn переходы) .В этом случае говорят, что транзистор полностью закрыт или просто закрыт.

Режимы насыщения и отсечки используются в конструкции транзисторных ключей.

Коэффициент усиления по току зависит от конструкции и является постоянным в широком диапазоне. Фактически, он не усиливает токи, поскольку подразумевает термин «усиление тока», поскольку транзистор не может генерировать ток, но коллектор и, следовательно, ток эмиттера следует за небольшим управляющим током, который течет в базу при приложении внешнего источника напряжения. .Следовательно, транзистор называется полупроводниковым элементом с регулируемым током. По этой причине можно создавать усилители с транзисторами, которые очень сильно усиливают крошечные электрические сигналы, что, например, убедительно доказывают усилители звука.

4) Если эмиттерный переход смещен в обратном направлении, а коллекторный переход смещен в прямом направлении, тогда транзистор переходит в инверсный активный режим … Этот режим довольно экзотичен и используется редко. Несмотря на то, что на наших рисунках эмиттер не отличается от коллектора и на самом деле они должны быть эквивалентными (посмотрите еще раз на самый верхний рисунок — на первый взгляд ничего не изменится, если поменять местами коллектор и эмиттер), на самом деле они имеют есть конструктивные отличия (например, по размеру) и они не равнозначны.Именно из-за этого неравенства существует разделение на «нормальный активный режим» и «инверсный активный режим».

Подумайте о входном сигнале для ранее широко используемых проигрывателей виниловых пластинок, где самые низкие напряжения в диапазоне милливольт усиливаются до такой степени, что громкоговорители создают правильное звуковое давление. Однако термин «компонент, управляемый током» неверен: вы также можете управлять транзистором с помощью управляющего напряжения, но соотношение между управляющим напряжением и током коллектора является экспоненциальным.Это физическое соединение используется, например, в логарифмах.

Вы заметили, что транзистор симметричен на изображении выше? Тогда действительно можно было бы поменять коллектор и эмиттер. Однако на практике транзисторы не имеют симметричной конструкции. Достижение высокого коэффициента усиления по току требует не только очень тонкого базового слоя, но и асимметричной структуры, которая приводит к отмене оптимизаций, когда коллектор и эмиттер меняют местами. Часто транзистор с коэффициентом усиления тока, например 500, имеет только обратный рабочий коэффициент.

Иногда выделяют и пятый, так называемый «барьерный режим». В этом случае база транзистора замыкается на коллектор. На самом деле, правильнее было бы говорить не о каком-то особом режиме, а об особом способе включения. Режим здесь довольно обычный — близкий к пограничному состоянию между активным режимом и насыщенностью. Получить его можно не только замыканием цоколя на коллектор. В данном конкретном случае вся хитрость заключается в том, что при таком способе включения независимо от того, как мы меняем напряжение питания или нагрузку, транзистор все равно останется в этом самом пограничном режиме.То есть транзистор в этом случае будет эквивалентен диоду.

Кроме того, сопротивление напряжению намного ниже. Транзисторы можно использовать не только как линейные усилители, но и как переключатели. В этом случае нагрузка, например, лампа, либо в коллекторе, либо в радиаторной линии. Если ток возбуждения настолько велик, что ток коллектора или эмиттера больше, чем фактический ток, протекающий через лампу, в зависимости от коэффициента усиления по току, транзистор становится максимально проводящим.Транзистор пытается позволить току коллектора или эмиттера соответствовать току возбуждения.

Поскольку, однако, лампа пропускает не такой большой ток, как требуется транзистору, транзистор регулирует, так сказать, в качестве экстренной меры в целом, чтобы обеспечить как можно больший ток. Когда управляющий ток отключен, транзистор заблокирован, и ток через лампу не течет. Таким образом, в этом случае транзистор действует как переключатель. Большим преимуществом транзистора в качестве переключателя является то, что в нем нет механически движущихся частей или какие-либо контакты могут изнашиваться из-за износа транзистора.

Биполярный транзистор управляется током. То есть, чтобы ток протекал между коллектором и эмиттером (другими словами, чтобы транзистор открылся), ток должен течь между эмиттером и базой (или между коллектором и базой — для инверсного режима. ). Причем величина базового тока и максимально возможный ток через коллектор (при таком базовом токе) связаны постоянным коэффициентом β (коэффициент передачи базового тока): I B * β = I K.

Некоторые параметры биполярных транзисторов

Электроны всегда ответственны за ток, но для биполярных транзисторов существует два механизма, например, движение электрона вперед. Этот промежуток мигрирует, когда ток заполняется электроном, оставляя вакансию в исходной точке, которая, в свою очередь, занимает другой электрон и т. Д. Таким образом, блуждающий промежуток действует как положительно заряженная частица.

Термин биполярный транзистор относится к тому факту, что функция соответствует двум различным механизмам проводимости, а именно, электронному выводу и дырочной проводимости.Работа и использование силовых транзисторов идентичны работе обычных транзисторов, которые имеют в качестве особых характеристик высокие напряжения и токи, которые они должны выдерживать, и, следовательно, высокую мощность, которая должна рассеиваться.

Помимо параметра β используется еще один коэффициент: коэффициент передачи тока эмиттера (α). Он равен отношению тока коллектора к току эмиттера: α = Ic / Ie. Значение этого коэффициента обычно близко к единице (чем ближе к единице, тем лучше).Коэффициенты α и β связаны между собой следующим соотношением: β = α / (1-α).

В отечественных справочниках вместо коэффициента β часто указывается коэффициент h 21E (коэффициент усиления по току в цепи с общим эмиттером), в зарубежной литературе иногда встречается h FE вместо β. Ничего страшного, обычно можно предположить, что все эти факторы равны, и их часто называют просто «усилением транзистора».

Что это дает и зачем нам это нужно? На рисунке слева показаны простейшие схемы.Они равноценны, но построены с участием транзисторов разной проводимости. Также присутствуют: нагрузка в виде лампы накаливания, переменного и постоянного резистора.

Смотрим на левую диаграмму. Что там творится? Представьте, что ползунок переменного резистора поднят. При этом на базе транзистора напряжение равно напряжению на эмиттере, ток базы равен нулю, поэтому ток коллектора также равен нулю (IK = β * IB) — транзистор закрыт, лампа не горит.Начинаем опускать ползунок
вниз — напряжение на нем начинает падать ниже, чем на эмиттере — появляется ток от эмиттера к базе (ток базы) и одновременно — ток от эмиттера к коллектору ( транзистор начнет открываться). Лампа начинает светиться, но не на полную мощность. Чем ниже перемещаем ползунок переменного резистора, тем ярче будет гореть лампа.

А потом, внимание! Если мы начнем перемещать ползунок переменного резистора вверх, то транзистор начнет закрываться, и токи от эмиттера к базе и от эмиттера к коллектору начнут уменьшаться.На правой схеме все то же самое, только с транзистором другой проводимости.

Рассматриваемый режим работы транзистора как раз активен. В чем смысл? Управляет ли ток током? А именно, но фокус в том, что коэффициент β может измеряться десятками, а
даже сотнями. То есть, чтобы сильно изменить ток, протекающий от эмиттера к коллектору, нам нужно лишь немного изменить ток, текущий от эмиттера к базе.

В активном режиме транзистор (с соответствующей обвязкой) используется как усилитель.

Устали … отдохнем немного …

И снова вперед!

А теперь разберемся, как транзистор работает как ключ. Смотрим на левую диаграмму. Пусть переключатель S замкнут в положение 1. В этом случае база транзистора через резистор R притягивается к плюсу источника питания, поэтому между эмиттером и базой нет тока, а транзистор закрыт.Представьте, что мы переключили переключатель S в положение 2. Напряжение на базе становится меньше, чем на эмиттере — между эмиттером и базой появляется ток (его величина определяется сопротивлением R). Ток FE появляется сразу. Транзистор открывается, лампа загорается. Если снова вернуть переключатель S в положение 1, транзистор закроется, лампа погаснет. (на правой схеме все то же самое, только транзистор другой проводимости)

В этом случае говорят, что транзистор действует как переключатель.В чем смысл? Транзистор переключается между двумя состояниями — открытым и закрытым. Обычно при использовании транзистора в качестве ключа они стараются удерживать транзистор близким к насыщению в открытом состоянии (при этом падение напряжения между коллектором и эмиттером и, следовательно, потери на транзисторе минимальны). Для этого особым образом рассчитывается ограничительный резистор в цепи базы. … Состояния глубокого насыщения и глубокой отсечки обычно избегают, потому что в этом случае время переключения ключа из одного состояния в другое увеличивается.

Небольшой пример расчетов. Представим, что мы пропускаем через транзистор лампу накаливания 12 В, 50 мА. Транзистор у нас работает как ключ, поэтому в открытом состоянии он должен быть близок к насыщению. Падение напряжения между коллектором и эмиттером учитывать не будем, так как для режима насыщения оно на порядок меньше напряжения питания. Поскольку через лампу протекает ток 50 мА, нам нужно выбрать транзистор с максимальным током CE не менее 62.5 мА (обычно рекомендуется использовать компоненты на 75% от их максимальных параметров, это такой запас). Открываем каталог и ищем подходящий pnp транзистор … Например КТ361. В нашем случае они подходят для тока с буквенными индексами «a, b, c, d», так как максимальное напряжение СЕ — 20В, а наша задача — всего 12В.

Предположим, что мы будем использовать КТ361А, с коэффициентом усиления от 20 до 90. Поскольку нам нужно, чтобы транзистор гарантированно открывался полностью, мы будем использовать в расчете минимальный Кус = 20.Теперь думаем. Какой минимальный ток должен протекать между эмиттером и базой, чтобы обеспечить ток 50 мА через CE?

50мА / 20 раз = 2,5мА

Какой токоограничивающий резистор необходимо установить, чтобы пропускать ток 2,5 мА через ЭП?

Здесь все просто. Закон Ома: I = U / R. Следовательно, R = (питание 12 В — потери 0,65 В на pn-переходе БЭ) / 0,0025 А = 4540 Ом. Поскольку 2.5 мА — это минимальный ток, который в нашем случае должен протекать от эмиттера к базе, нужно выбрать ближайший резистор меньшего сопротивления из стандартного ряда. Например, при отклонении 5% это будет резистор 4,3 кОм.

Теперь о текущем. Чтобы зажечь лампу с номинальным током 50 мА, нам нужно переключить ток всего 2,5 мА. И это при использовании ширпотребовского, копеечного транзистора с низким коэффициентом сопротивления, разработанного 40 лет назад. Вы чувствуете разницу? Насколько можно уменьшить размер переключателей (а значит, и их стоимость) при использовании транзисторов?

Вернемся к теории.

В рассмотренных выше примерах мы использовали только одну из схем переключения транзисторов. Всего в зависимости от того, куда мы подаем управляющий сигнал и где снимаем выходной сигнал (с какого электрода для этих сигналов общий), существует 3 основные схемы включения биполярных транзисторов (ну логично, правда? — транзистор имеет 3 выхода, то если разделить схемы по принципу один из выводов общий, то всего цепей может быть 3):

1) Схема с общим эмиттером .

Если мы предположим, что входной ток — это базовый ток, входное напряжение — это напряжение на переходе EB, выходной ток — это ток коллектора, а выходное напряжение — это напряжение между коллектором и эмиттером, тогда мы можем написать, что : Iout / Iin = Ic / Ib = β, Rin = Ube / Ib.

Кроме того, поскольку Uout = Epit-Ik * R, ясно, что, во-первых, выходное напряжение легко можно сделать намного выше входного напряжения, а во-вторых, что выходное напряжение инвертировано по отношению к входному ( при увеличении Ube = Uin и повышении входного тока — выходной ток тоже повышается, но Uke = Uout при этом уменьшается).

Такая схема переключения (для краткости обозначается OE) является наиболее распространенной, так как позволяет усиливать как ток, так и напряжение, то есть позволяет получить максимальное усиление мощности. Обратите внимание, что эта дополнительная мощность от усиленного сигнала берется не из воздуха и не от самого транзистора, а от источника питания (Epit), без которого транзистор не сможет ничего усилить и в нем не будет тока. Выходная схема вообще. (Думаю — о том, как именно работают транзисторные усилители и как их рассчитывать, мы напишем позже, в отдельной статье).

2) Схема общего основания .

Здесь входной ток — это ток эмиттера, входное напряжение — это напряжение на переходе EB, выходной ток — это ток коллектора, а выходное напряжение — это напряжение на нагрузке, подключенной к цепи коллектора. Для этой схемы: Iout≈Iin, потому что Ik≈Ie, Rin = Ube / Ie.

Такая схема (OB) только усиливает напряжение, но не усиливает ток. В этом случае сигнал не сдвинут по фазе.

3) Цепь общего коллектора (эмиттерный повторитель).

Здесь входной ток — это базовый ток, а входное напряжение подключено к соединению EB транзистора и нагрузки, выходной ток — это ток эмиттера, а выходное напряжение — это напряжение на нагрузке, подключенной к схема эмиттера. Для этой схемы: Iout / Iin = Ie / Ib = (I K + I B) / I B = β + 1, так как обычно коэффициент β достаточно велик, то иногда учитывается Iout / Iin≈β.Rin = Ube / Ib + R. Uout / Uin = (Ube + Uout) / Uout≈1.

Как видите, такая схема (ОК) усиливает ток, а не напряжение. В этом случае сигнал не сдвинут по фазе. Кроме того, у этой схемы самый высокий входной импеданс.

Оранжевые стрелки на приведенных выше схемах показывают пути прохождения тока, создаваемые источником питания выходной цепи (Epit) и самим входным сигналом (Uin). Как видите, в схеме с ОВ ток, создаваемый Epit, течет не только через транзистор, но и через источник усиленного сигнала, а в схеме с ОК, наоборот, создаваемый ток по входу сигнал проходит не только через транзистор, но и через нагрузку (по этим признакам легко отличить одну схему подключения от другой).

И напоследок поговорим о том, как проверить биполярный транзистор на исправность. В большинстве случаев о исправности транзистора можно судить по состоянию pn переходов. Если рассматривать эти pn-переходы независимо друг от друга, то транзистор можно представить как комбинацию двух диодов (как на рисунке слева). В общем, взаимное влияние p-n переходов делает транзистор транзистором, но при проверке этого взаимного влияния мы можем игнорировать это взаимное влияние, так как мы подаем напряжение на выводы транзистора парами (на два из трех выводов).Соответственно, проверить эти pn переходы можно обычным мультиметром в режиме проверки диодов. При подключении красного щупа (+) к катоду диода, а черного к аноду pn-переход будет замкнут (мультиметр показывает бесконечно высокое сопротивление), если поменять щупы, pn-переход будет разомкнутым (мультиметр показывает падение напряжения на открытом pn-переходе, обычно 0,6-0,8 В). При подключении щупов между коллектором и эмиттером мультиметр будет показывать бесконечно высокое сопротивление вне зависимости от того, какой щуп подключен к коллектору, а какой к эмиттеру.

В этой статье мы постараемся описать принцип работы . Самый распространенный тип транзистора — биполярный. Транзистор биполярный — один из основных активных элементов электронных устройств. Его цель — усилить мощность электрического сигнала, поступающего на его вход. Усиление мощности осуществляется за счет внешнего источника энергии. Транзистор — это радиоэлектронный компонент с тремя выводами

Конструктивная особенность транзистора биполярного

Для изготовления биполярного транзистора необходим полупроводник дырочного или электронного типа проводимости, который получается диффузией или сплавлением с акцепторными примесями.В результате по обе стороны от основания образуются области с полярным типом проводимости.


Биполярные транзисторы по проводимости бывают двух типов: n-p-n и p-n-p. Правила эксплуатации, которым подчинен биполярный транзистор, имеющий n-p-n проводимость (для p-n-p необходимо менять полярность приложенного напряжения):

  1. Положительный потенциал на коллекторе важнее, чем на эмиттере.
  2. Любой транзистор имеет свои предельно допустимые параметры Ib, Ic и Uke, превышение которых в принципе недопустимо, так как это может привести к разрушению полупроводника.
  3. Контакты база-эмиттер и база-коллектор работают как диоды. Как правило, диод в направлении база — эмиттер открыт, а в направлении база — коллектор смещен в обратном направлении, то есть поступающее напряжение мешает протеканию через него электрического тока.
  4. Если выполнены пункты с 1 по 3, то ток Ik прямо пропорционален току Ib и имеет вид: Ik = he21 * Ib, где he21 — текущий коэффициент усиления. Это правило характеризует главное качество транзистора, а именно то, что низкий базовый ток управляет мощным током коллектора.

Для разных биполярных транзисторов одной серии индикатор he21 может принципиально отличаться от 50 до 250. Его значение также зависит от протекающего тока коллектора, напряжения между эмиттером и коллектором, а также от температуры окружающей среды.


Рассмотрим правило №3. Из него следует, что напряжение, приложенное между эмиттером и базой, не должно значительно увеличиваться, так как если напряжение базы на 0,6 … 0,8 В больше, чем на эмиттере (прямое напряжение диода) , то появится очень высокий ток.Таким образом, в работающем транзисторе напряжения на эмиттере и базе связаны между собой по формуле: Ub = Ue + 0,6V (Ub = Ue + Ube)

Еще раз напомним, что все эти точки относятся к транзисторам с n-p-n проводимостью. Для типа p-n-p все должно быть наоборот.

Также следует обратить внимание на то, что ток коллектора никак не связан с проводимостью диода, так как на диод коллектор-база, как правило, подается обратное напряжение.Кроме того, ток, протекающий через коллектор, очень мало зависит от потенциала на коллекторе (этот диод похож на небольшой источник тока)

При включении транзистора в режиме усиления эмиттерный переход открыт, а коллекторный переход закрыт. Это достигается подключением блоков питания.


Поскольку эмиттерный переход открыт, через него будет протекать ток эмиттера, который возникает из-за перехода дырок от базы к эмиттеру, а также электронов от эмиттера к базе.Таким образом, эмиттерный ток содержит две составляющие — дырочную и электронную. Степень впрыска определяет эффективность эмиттера. Инжекция заряда относится к переносу носителей заряда из зоны, где они были основными, в зону, где они были незначительными.

В базе электроны рекомбинируют, и их концентрация в базе пополняется за счет плюса источника ЭЭ. В результате в электрической цепи от базы будет течь довольно слабый ток. Оставшиеся электроны, не успевшие рекомбинировать в базе, под ускоряющим действием поля запертого коллекторного перехода, как неосновные носители, переместятся в коллектор, создавая коллекторный ток.Перенос носителей заряда из области, где они были второстепенными, в область, где они становятся основными, называется извлечением электрических зарядов.



Биполярный дискретный UART | Hackaday.io

Иногда все, что вам нужно знать, — это правильный термин для запроса Google.

Итак, я просматривал кое-где, прежде чем заметил, что то, что я хочу делать, почти похоже на Dekatron, но где одновременно может быть активным более одного элемента.Затем я нашел эмулятор Декатрона Алана Ята.

Это хорошо, хотя я еще не нашел, как заставить цепочку разрешать установку более одного бита одновременно. Но он размышляет так:

Микроконтроллер может синхронизировать различные шаблоны в кольце и может управлять его сбросом — логика сброса важна для использования в качестве реального счетчика и должна гарантировать, что ячейка «0» срабатывает одна при сбросе, в практической схеме одна ячейка будет преобладать при первом включении питания и синхронизации, но это должен быть формализованный сброс для использования счетчика.С помощью буферизации проблема соседних ячеек может быть устранена, и у вас будет bucket-brigade или память линии задержки , которая может быть полезна для некоторых приложений.

Тогда было очевидно, что сдвиговый регистр, который я хочу сделать, является линией задержки, или бригадой конденсаторов, или прославленной линией ПЗС. Они все еще довольно распространены в нишевых приложениях, таких как линии задержки звука, но в основном они используют МОП-транзисторы.

Еще немного погуглил с расширенными ключевыми словами («биполярный сдвиговый регистр конденсаторной бригады» — полный рот, который дает результат 1260000), и я нахожу то, что не надеялся увидеть, в патенте US3796928A, поданном в 1971 году.Уровень техники содержит эту схему:

Не понимаю, как это может быть проще. На каждую «позицию» приходится 2 транзистора и 2 конденсатора, а сложность перенесена на 4-фазный драйвер. Еще мне нравится, что все транзисторы однотипные. Однако время удерживания довольно низкое, но этого должно быть достаточно для последовательной передачи. Придется найти приемы для хранения значения в буферах, что также является очень интересной проблемой для германия #Clockwork.

Эта схема будет хорошо работать с современными кремниевыми транзисторами (с малой утечкой), но недавний журнал (18.Дополнительная характеристика) обнаружил, что германий имеет довольно низкое напряжение пробоя между базой и эмиттером. Это ограничило бы диапазон примерно до 2 В, иначе данные могли бы течь в обратном направлении …

Я также надеюсь, что circuitjs не взорвется во время моделирования, как это происходит, когда я использую топологию SCR PNP-NPN …

Родственный патент (с истекшим сроком действия), поданный в 1969 г .:

US3671771: Усилитель заряда для накопителя конденсаторов ковшовой бригады

И еще в 1964 году была подана эта странная схема:

А теперь мне нужен генератор неперекрывающихся импульсов.

Для дискретных реализаций и реализаций с утечками, со старыми транзисторами и средним переключением скорости может работать смешанный подход: 2 «базовых» каскада (2T + 2C), за которыми следует еще один T для буферизации, как на диаграмме выше. Это 3T ​​на бит, и может быть даже способ выбрать, куда будут отправлены данные (либо следующий сегмент в строке, либо выходной буфер).

Логический элемент или технология без КМОП. Характеристики КМОП микросхем и их согласование с логическими элементами других серий

Логические КМОП-преобразователи (KMDP)

Микросхемы на дополнительных МОП-транзисторах (КМОП-микросхеме) построены на основе МОП-транзисторов с N- и P-каналами.Такой же входной потенциал открывает транзистор с N-каналом и закрывает транзистор с P-каналом. При формировании логической единицы верхний транзистор открыт, а нижний закрыт. В результате ток через CMOS не проходит. При формировании логического нуля нижний транзистор открывается, а верхний закрывается. И в этом случае ток от источника питания через микросхему не проходит. Самый простой логический элемент — инвертор. Инвертор, выполненный на дополнительных МОП-транзисторах, показан на рисунке 1.


Рисунок 1. Принципиальная схема инвертора на комплементарных МОП-транзисторах (КМОП-инвертор)

В результате этой особенности КМОП-микросхемы они имеют преимущество перед ранее рассмотренными видами — потребляют ток в зависимости от входной тактовой частоты. . Примерный график зависимости тока потребления CMOS-микросхемы от частоты коммутации представлен на рисунке 2

.
Рисунок 2. В зависимости от потребления КМОП тока микросхема от частоты «

« Логические КМОП (KMDP) элементы »и«

»

Схема логического элемента «а не» В КМОП микросхемах практически совпадает с упрощенной схемой «и» на клавишах с электронным управлением, которые мы рассматривали ранее.Отличие заключается в том, что нагрузка подключается не к общему проводу схемы, а к источнику питания. Принципиальная схема логического элемента «2, а не», выполненного на комплементарных МОП-транзисторах (КМОП), показана на рисунке 3.


Рисунок 3. Принципиальная схема логического элемента «2И — не», выполненного на комплементарных МОП-транзисторах (КМОП)

В этой схеме можно было бы применить в верхнем плече обычное, однако при формировании схемы низкого уровня сигнала постоянно потребляемый ток.Вместо этого в качестве нагрузки используются транзисторы P-MOP. Эти транзисторы образуют активную нагрузку. Если на выходе требуется формировать высокий потенциал, тогда транзисторы открыты, а если низкий — закрыты.

В показанном на рисунке 2 логическом элементе КМОП «И» ток от источника питания до выхода КМОП-микросхемы будет протекать через один из транзисторов, если хотя бы один из входов (или на обоих сразу) будет представляют низкий потенциал (уровень логического нуля). Если на обоих входах логического элемента КМОП будет присутствовать уровень логической единицы, то оба П-МОП транзистора будут закрыты и на выходе КМОП микросхемы будет формироваться низкий потенциал.В этой схеме, а также на схеме, показанной на рисунке 1, если верхние плечевые транзисторы открыты, то нижние плечевые транзисторы будут закрыты, поэтому в статическом состоянии ток CMO-микросхемы от источника питания не будет потребляется.

Условно графическое изображение КМОП логического элемента «2I — не» показано на рисунке 4, а таблица истинности — в таблице 1. В таблице 1 входы обозначены как x 1 и x 2, а выход — ф.


Рисунок 4.Условно графическое изображение логического элемента «2И — не»

Таблица 1. ТАТАК истинности КМОП микросхемы, выполняющей «2И — не»

x1 x2 F.
0 0 1
0 1 1
1 0 1
1 1 0
«Или», выполненный на КМОП-транзисторах, имеет параллельное соединение. Электронные ключи управления.Отличие от упрощенной схемы «2или», рассмотренной ранее, заключается в том, что нагрузка подключается не к общему проводу схемы, а к источнику питания. Вместо резистора в качестве нагрузки используются транзисторы P-Mop. Принципиальная схема логического элемента «2, не», выполненного на комплементарных МОП-транзисторах, представлена ​​на рисунке 5.
Рисунок 5. Принципиальная схема логического элемента «или-нет», выполненного на комплементарных МОП-транзисторах

В Схема CMOP логического элемента «2ЛИ-НЕ» в качестве нагрузки, транзисторы используются в качестве нагрузки.В нем ток от блока питания к выходу КМОП микросхемы будет приходить только в том случае, если все транзисторы в верхнем плече будут открыты, т.е.если сразу на всех входах будет низкий потенциал (). Если хотя бы один из входов будет присутствовать на уровне логической единицы, верхнее плечо двухтактного каскада, собранного на КМОП-транзисторах, будет закрыто, и ток от источника питания для входа в выход КМОП-микросхемы не будет быть.

Таблица истинности логического элемента «2LI-NOT», реализованная КМОП микросхемы, приведена в таблице 2, а условное графическое обозначение этих элементов показано на рисунке 6.


Рисунок 6. Элемент «2I-not»

Таблица 2. Таблица истинности MOP-микросхема, выполняющая логическую функцию «2Ili-not»

x1 x2 F.
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 0

В настоящее время наибольшее развитие получила именно CMOS-микросхема.Более того, существует постоянная тенденция к снижению питающего напряжения микросхем. Первые серии КМОП-микросхем, такие как К1561 (зарубежный аналог C4000B), обладали достаточно широким диапазоном изменения напряжения питания (3..18В). При этом при уменьшении напряжения питания снижается его предельная частота срабатывания конкретной микросхемы. В дальнейшем по мере совершенствования технологии производства появлялись улучшенные КМОП-чипы с лучшими частотными характеристиками и меньшим напряжением питания, например, SN74HC.

Особенности применения КМОП микросхемы

Первой и главной особенностью КМОП-микросхемы является большое входное сопротивление этих микросхем. В результате на его вход можно ориентироваться любое напряжение, в том числе равное половине напряжения питания, и сохранять на нем достаточно долго. При подаче на вход CMO-элемента половины мощности транзисторы открываются как в верхнем, так и в нижнем плече выходного каскада, в результате микросхема начинает потреблять недопустимо большой ток и может неудача.Выход: входа цифровой CMOS-микросхемы ни в коем случае нельзя оставлять неподключенными!

Вторая особенность микросхем CMOS заключается в том, что они могут работать при отключенном питании. Однако чаще всего они работают некорректно. Эта особенность связана с конструкцией входного каскада. Полная принципиальная схема КМОП-преобразователь показан на рисунке 7.


Рис. 7. Полная схема инвертора CMO

Диоды VD1 и VD2 были введены для защиты входного каскада от пробоя статического электричества.В то же время при подаче высокопотенциальной CMO-CMO-микросхемы она будет проваливаться через диод VD1 на блоке питания микросхемы, и, поскольку он потребляет достаточно небольшой ток, CMOS микросхемы начнет работать. Однако в некоторых случаях этого тока может не хватить для питания чипсов. В результате микросхема CMOS может работать некорректно. Продукт: за неправильную работу CMOS Chip Внимательно проверьте режущие кромки , особенно выводы корпуса. При плохо зарегистрированном выходе отрицательного питания его потенциал будет отличаться от потенциала общего провода схемы.

Четвертая особенность микросхемы CMOS и MDash — это протекание импульсного тока в соответствии с силовой цепью, когда она переключается из нулевого состояния в одиночное и наоборот. В результате при переходе с ТТЛ-чипов на КМОП-микрогемма-аналоги повышается уровень помех. В некоторых случаях это важно, и вам придется отказаться от использования микросхемы CMOS в пользу микросхемы BiCMOS.

Логические уровни КМОП-микросхемы

Логические уровни КМОП микросхемы существенно отличаются от.При отсутствии тока нагрузки напряжение на выходе микросхемы CMOS совпадает с напряжением питания (логический уровень блока) или с потенциалом общего провода (логический уровень нуля). При увеличении тока нагрузки напряжение логической единицы может снизиться до 2,8В (U н = 15В) от напряжения питания. Допустимый уровень напряжения на выходе цифровых КМОП микросхем (серия микросхем C561) с выходным питанием показан на рисунке 8.


Рисунок 8. Логические сигналы на выходе цифровой КМОП-микросхемы

Как упоминалось ранее, напряжение на входе цифровой микросхемы по сравнению с выходом обычно допускается в больших пределах.Для CMOS-чипа согласовано 30% резерва. Границы уровней логического нуля и единицы измерения для КМОП-чиппекеров с питанием «мимо головы» показаны на рисунке 9.


Рисунок 9. Логические сигналы на входе цифровой КМОП-микросхемы

При уменьшении напряжения питания границы логического нуля и логической единицы можно определить аналогично (напряжение питания поделить на 3) .

Семейства КМОП микросхем

Первые микросхемы CMOS не имели защитных диодов на входе, поэтому их установка представляла значительные трудности.Это семейство микросхем серии К172. Эти защитные диоды получили следующая усовершенствованная КМОП микросхема серии К176. Это довольно распространено и сейчас. Серия K1561 завершает разработку первого поколения КМОП-микросхем. В этом семействе достигнута скорость 90 нс и диапазон изменения напряжения 3 … 15В. Поскольку сейчас распространено зарубежное оборудование, приведу зарубежный аналог этих КМОП-чипов — C4000B.

Серия SN74HC стала дальнейшим развитием микросхемы CMOS.У этих микросхем отечественного аналога нет. Они имеют быстродействие 27 нс и могут работать в диапазоне напряжений 2 . -канальных полевых транзисторах.Схемы этого подсемейства характеризуются ярко выраженной симметрией. При разработке схем используются только МОП-транзисторы с самопейджингом (см. Бойле, Электроника, часть 2, раздел 8.2, МОП-полевые транзисторы).
Симметрия цепей особенно хорошо видна в безэлементной схеме (рис. 6.91). Если у меня уровень, например +5 В, то транзистор Т2 разблокируется. На его истоке и подложке 0 В. Напряжение запуска ПХГ +5 В. К истоку и подложке транзистора ТХ приложено +5 В.

Если на управляющий электрод подано еще +5 В, то напряжение затвора УГС = O.ТХ транзистора запирается. Если TC заблокирован, а T2 открыт, выход элемента z имеет уровень L (рис. 6.92).
Если на входе A срабатывает I-уровень B, то транзистор Т2 заперт и напряжение пуска ПХГ составляет около В. Напряжение затвора транзистора ТУ УГС = -5 В, т.к. напряжение источника +5 В, а затвор О. Транзистор отпирается.Если TX открыт, а T2 заблокирован, выход элемента Z имеет уровень N.
В неэлементном CMOS один транзистор всегда открыт, а другой заблокирован.
Если на выходе элемента нет уровня 0, элемент практически не потребляет ток, так как TH заблокирован. Если на выходе элемента нет уровня N, то элемент также практически не потребляет ток, так как теперь Т2 заблокирован. Для управления последовательно включенными элементами также не требуется тока, так как полевые транзисторы практически не потребляют мощность.Только при переключении от источника питания потребляется небольшой ток, так как оба транзистора одновременно, но не долго открыты. Один из транзисторов переходит из открытого состояния в заблокированное и еще не полностью заблокированное, а другой — из открытого в открытом и еще не полностью открытого состояния. Мы также должны подзарядить транзисторные контейнеры.
Все элементы CMOS устроены таким образом, что в токовой ветви один транзистор закрыт, а другой открыт. Энергопотребление КМОП-элементов чрезвычайно низкое.В основном это зависит от количества переключений в секунду или частоты переключений. КМОП-элементы
отличаются низким энергопотреблением.
На рис. 6.93 изображает следующую типичную схему CMOS. Если на обоих входах работает уровень L, то транзисторы 7 ‘и Т2 будут открыты, транзисторы TG и T4 заблокированы. TU и T2, ogs = — 5 В, а T3 и T4, имеют UGS = O. на выходе Z уровень N.
Если на входе уровень H (+5 В), а на входе 5 уровень L (oc), то закрывается, а Т2 открывается.Путь от источника питания до выхода Z заблокирован транзистором.

В то же время транзистор T3 разблокирован, и выход Z действует относительно B, то есть уровень L. g4 заблокирован. Z всегда имеет уровень z, если хотя бы на одном входе есть уровень N. Соответствующая схема (рис. 6.93) рабочего стола представлена ​​на рис. 6.94. Схема вырабатывает с положительной логикой срабатывания или без.
Какая логическая операция дает диаграмму на рис. 6,95? В первую очередь необходимо составить рабочий стол по схеме.-канальный МОП-транзистор (рис. 6.97).
Передающий элемент работает как переключатель.
Если GX применяется к уровню GX (например +5 В) и к G2 — уровню L (O B), то оба транзистора заблокированы. Напряжение около В. Формирование проводящего канала между истоком и стоком становится невозможным при приложении между управляющим электродом и подложкой. Напряжение также подается на МОП-транзистор с I-каналом между управляющим электродом и подложкой. Также может быть токопроводящий канал.Сопротивление между точками А и Зостигсом несколько сотен моментов.
Если включен Уровни на входах GL и G2 всегда применяются в противофазе. Управление может происходить с помощью предмета не (рис. 6.99). Получается двунаправленный ключ. Полевые транзисторы передаточного числа истока и запаса могут взаимно изменять свои функции. Поэтому выход затвора обозначается в середине его условной строки (рис. 6.99).
Интегрированные микросхемы CMOS всегда содержат множество логических элементов, которые можно использовать по отдельности или как одну сложную логическую функцию.На рис. 6.100 Показана структура диаграммы CD 4000. Эта схема содержит два элемента или-он с тремя входами каждый, а элемент — нет. Схема CD 4012 A (рис. 6.101) содержит два элемента, а не по четыре входа каждый.
Интегральные схемы устройств арифметической логики содержат множество элементов КМОП. На рис. 6.102 Показана схема 4-битного регистра сдвига. Эта схема подробно рассмотрена в гл. восемь.

Рис. 6.102. CMO-4-битная схема снимка компакт-диска CD 4015 A (RCA)

Микросхема CD 4008 представляет собой 4-битный полный сумматор.Подробно полные сумматоры рассмотрены в гл. 10. Схема представлена ​​здесь как пример схемотехники CMO (рис. 6.103).
Интегральные микросхемы в исполнении CMOS могут быть выполнены с очень большой плотностью элементов,
Вы можете уместить схему калькулятора в одну микросхему. Дальнейшее совершенствование технологии приводит к увеличению возможной плотности планировки.
Напряжение питания КМОП-элементов может колебаться в широких пределах.
Для серии CD-4000-A (рис. 6.100-6.103) производитель RCA указывает диапазон питающих напряжений от 3 В до 15 В.Типичные передаточные числа при ряде питающих напряжений показаны на рис. 6.104.
Для этих напряжений питания часто используются напряжения питания +5 В и +10 В. На рис. 6.105 и 6.106 показаны диаграммы уровней. Для больших напряжений питания характерна лучшая помехозащищенность.
Разница между уровнями L и H, отвечающими за помехозащищенность, для схем CMOS составляет от 30% до 40% напряжения питания.
В следующей таблице показаны наиболее важные параметры CMOS-Ele-Ments:

Рис.6.103. CMP-4-битный полный компакт-диск 4008 A (RCA)

Наглядный пример того, как сложно все перепутать при определении приоритетов исследований, это микросхемы CMOS и их появление на рынке.

Дело в том, что эффект поля, лежащий в основе МОП-структуры, был открыт в конце 20-х годов прошлого века, но тогда в радиотехнике произошел бум вакуумных инструментов (радиольмп), и эффекты, обнаруженные в кристаллических структурах, были признаны как бесперспективный.

Затем, в 40-х годах, биполярный транзистор был почти снова открыт, и только когда дальнейшие исследования и усовершенствования биполярных транзисторов показали, что это направление ведет в тупик, ученые вспомнили об эффекте поля.

Так появился МОП-транзистор, а затем и КМОП-чип. Буква К В начале аббревиатуры означает дополнительный, то есть дополнительный. На практике это означает, что в микросхемах есть пары транзисторов с абсолютно одинаковыми параметрами, но один транзистор имеет затвор n-типа, а другой транзистор имеет затвор P-типа.На зарубежном образце микросхема CMOS называется CMOS. (Дополнительный металл-оксидный полупроводник). Также применяются сокращения KMDP, швабра.

Среди обычных транзисторов примером комплементарной пары являются транзисторы CT315 и KT361.

Сначала на рынке радиоэлектронных компонентов появилась серия К176 на полевых транзисторах, и как дальнейшее развитие этой серии была разработана очень популярная серия К561. В эту серию входит большое количество логических микросхем.

Поскольку полевые транзисторы не так критичны к напряжению питания, как биполярные, эта серия питается напряжением от +3 до + 15В. Это позволяет широко использовать эту серию в различных устройствах, в том числе с батарейным питанием. К тому же устройства, собранные на микросхемах серии К561, потребляют очень небольшой ток. И это неудивительно, ведь основу КМОП-микросхемы составляет полевой транзистор МДП.

Например, микросхема K561TR2 содержит четыре триггера RS и потребляет ток 0.14 мА, а аналогичный чип серии К155 потреблял не менее 10 — 12 мА. Чипы на КМОП-структурах имеют очень большое входное сопротивление, которое может достигать 100 МОм и более, поэтому их нагрузочная способность достаточно велика. К выходу этой же микросхемы можно подключить входы от 10 до 30 микросхем. На микросхеме TTL такая нагрузка вызвала бы перегрев и выход из строя.

Следовательно, конструкция узлов на микросхемах с использованием КМОП-транзисторов позволяет использовать более простые схемные решения, чем при использовании микросхемы TTL.

За рубежом наиболее распространенный аналог серии К561 имеет маркировку CD4000. Например, микросхема K561L7 соответствует зарубежному CD4011.

Используя микросхемы серии К561, нельзя забывать о некоторых нюансах их работы. Следует помнить, что хотя микросхемы работают в большом диапазоне напряжений, при снижении напряжения питания снижается помехозащищенность, и импульс немного «растекается». То есть чем ближе напряжение питания к максимальному, тем круче фронты импульсов.

На рисунке показан классический базовый элемент (вентиль), выполняющий инверсию входного сигнала (не). То есть, если на вход поступает логическая единица, с выхода удаляется логический ноль и наоборот. Здесь наглядно демонстрируется комплементарная пара транзисторов с затворами типа «N» и «P».

На следующем рисунке показан базовый элемент 2I — нет. Хорошо видно, что резисторы, которые присутствуют в аналогичном элементе микросхем TTL, здесь отсутствуют.Из двух таких элементов легко получить триггер, а из последовательного ряда триггеров прямая дорога к счетчикам, регистрам и запоминающим устройствам.

При всех положительных качествах интегральных схем серии К561 у них, конечно же, есть недостатки. Во-первых, на максимальной рабочей частоте CMOS-микросхемы микросхемы заметно уступают микросхемам с другой логикой и работающим на биполярных транзисторах.

Частота, на которой уверенно работает серия К561, не превышает 1 МГц.Для согласования микросхем на основе структур МОП с другими сериями, например, ТТЛ, используются преобразователи уровня К561ПУ4, К561ЛН2 и другие. Эти микросхемы также синхронизируют скорость, которая у разных серий может отличаться.

Но самым большим недостатком микросхем на дополнительных МОП-структурах является сильнейшая чувствительность микросхемы к статическому электричеству. Поэтому на заводах и в лабораториях оборудованы специальные рабочие места. На столе все работы производятся на металлическом листе, который подключается к общей шине заземления.Корпус паяльника соединен с этой шиной, а металлический браслет, одетый в руку сотруднику.

Некоторые микросхемы поступают в продажу упакованными в фольгу, замыкающую все выводы между собой. При работе в домашних условиях также необходимо найти возможность запустить статический заряд хотя бы на трубе отопления. При установке сначала выводятся из строя контакты питания, а затем и все остальные.


Рис. 16.10.

Принципиальным отличием схем CMOC от технологии NMOP является отсутствие в схеме активного сопротивления.К каждому входу схемы подключена пара транзисторов с разным типом канала. Транзисторы с каналом P-типа подключаются подложкой к источнику питания, поэтому формирование канала в них будет происходить при достаточно большой разности потенциалов между подложкой и затвором, а потенциал на затворе должен быть отрицательным относительно к субстрату. Такое состояние обеспечивается подачей потенциала Земли (т.е. логического 0). Транзисторы с каналом N-типа подключены к подложке на землю, поэтому образование канала в них будет происходить при повышении потенциала источника питания (т.е.е. логическая 1). Одновременная подача на такие пары транзисторов с разным типом каналов логического нуля или логической единицы приводит к тому, что один транзистор пары обязательно будет открыт, а другой закрыт. Таким образом, создаются условия для подключения вывода либо к источнику нации, либо к земле.

Итак, в простейшем случае для схемы инвертора (рис. 16.10) при a = 0 транзистор VT1 будет открыт, а VT2 закрыт. Следовательно, выход схемы F будет подключен через канал VT1 к источнику питания, что соответствует состоянию логической единицы: F = 1.При A = 1 транзистор VT1 будет закрыт (на затворе и подложке одинаковые потенциалы), а VT2 открыт. Следовательно, выход схемы F через канал транзистора VT2 будет подключен к земле. Это соответствует состоянию логического нуля: F = 0.

Логическое сложение (рис. 16.11) осуществляется за счет последовательного соединения P-каналов транзисторов VT1 и VT2. При подаче хотя бы одного блока единственный канал в этих транзисторах не образуется.В то же время, благодаря параллельному соединению VT3 и VT4, соответствующий транзистор открывается внизу схемы, обеспечивая выходное соединение с землей. Получается, что f = 0 при подаче хотя бы одной логической 1 это правило или нет.


Рис. 16.11.

Функция а не выполняется из-за параллельного включения VT1 и VT2 в верхней части схемы и последовательного включения VT3 и VT4 внизу (рис. 16.12).При подаче хотя бы на один вход нуля унифицированный канал на VT3 и VT4 не образуется, выход будет отключен от земли. При этом хотя бы один транзистор в верхней части схемы (на затворе которого стоит логический ноль) обеспечит подключение выхода F к источнику питания: F = 1 при питании, хотя один ноль есть правило и нет.


Рис. 16.12.

Краткие результаты

В зависимости от элементной базы различаются разные технологии производства МКС.Основные TTL на биполярных транзисторах и NMOP и CMOS на полевых транзисторах.

Ключевые термины

Технология nMOP Полевые транзисторы с индуцированным каналом N-типа.

Буфер на 3 состояния — Выходная часть схемы TTL, обеспечивающая возможность перехода в третье, высокоимпедансное состояние.

Технология CMOS — Технология производства ИС на основе полевых транзисторов с каналами обоих типов электропроводности.

Открытый коллектор — Вариант исполнения буферной части элементов ТТЛ без резистора в цепи нагрузки, который показан вне схемы.

Схемы с активной нагрузкой — схемы TTL, в которых состояние буферной цепочки определяется состоянием не одного, а двух транзисторов.

Транзисторно-транзисторная логика — Технология производства ИС на биполярных транзисторах.

Принятые сокращения

CMOS — дополнительный, металл, оксид, полупроводник

Набор для практики

Лекционные упражнения 16

Упражнение 1

Вариант 1 к упражнению 1 .Обратите внимание на трехэлементную схему или технологию, отличную от NMOP.

Вариант 2 к упражнению 1 . Обратите внимание на трехэлементную схему и технологию, отличную от NMOP.

Вариант 3 к упражнению 1 . Обратите внимание на схему с 4 элементами или технологическую схему, не относящуюся к NMOP.

Упражнение 2

Вариант 1 к упражнению 2 . Обратите внимание на трехэлементную или не-CMOS технологическую схему.

Вариант 2 исполнения 2 . Обратите внимание на трехэлементную схему, а не на технологию CMOS.

Вариант 3 для исполнения 2 . Обратите внимание на четырехэлементную схему или технологию без КМОП.

Упражнение 3.

Вариант 1 к Упражнению 3 . Обратите внимание на трехэлементную или технологическую схему без TTL.

Вариант 2 к упражнению 3 . Обратите внимание на трехэлементную схему, а не на технологию TTL.

Вариант 3 для упражнения 3 . Обратите внимание на схему с 4 входами или технологию без TTL.

Упражнение 4.

Вариант 1 к упражнению 4 . Обратите внимание на трехэлементную схему или технологию nmop.

Вариант 2 к упражнению 4 . Обратите внимание на трехэлементную схему и технологию nmop.

Вариант 3 для упражнения 4 . Обратите внимание на четырехэлементную схему или технологию nmop.

Упражнение 5.

Вариант 1 к упражнению 5 . Обратите внимание на трехэлементную схему или технологию CMOS.

Вариант 2 по упражнению 5 .Обратите внимание на трехэлементную схему и технологию CMOS.

Вариант 3 к упражнению 5 . Обратите внимание на схему элементов с 4 элементами или технологию CMOS.

Упражнение 6.

Вариант 1 к упражнению 6 . Обратите внимание на трехэлементную схему или технологию TTL.

Вариант 2 к упражнению 6 . Обратите внимание на трехэлементную схему и технологию TTL.

Вариант 3 для упражнения 6 . Обратите внимание на четырехвходовой элемент или технологическую схему TTL.

Упражнение 7.

Вариант 1 к упражнению 7 . Обратите внимание на схему элемента 2 и / или технологию без TTL.

Вариант 2 к упражнению 7 . Обратите внимание на схему элемента 2 и / или не-CMOS-технологии.

Вариант 3 к упражнению 7 На диаграмме элемента 2 и / или технологии, отличной от NMOP.

Упражнение 8.

Вариант 1 к упражнению 8 . Обратите внимание на схему элементов с 3 входами или нет с буфером для 3 состояний.

Вариант 2 к упражнению 8 .Обратите внимание на трехэлементную схему, а не на открытый коллектор.

Вариант 3 к упражнению 8 . Обратите внимание на схему с 3 входами или с буфером для 3 состояний.

Дополнительная логика MOS (CMOS — CMDP-CMOS — Compledenary Metal-Oxide-Semiconductor) На сегодняшний день является основной в производстве больших интегрированных микропроцессорных наборов, микроконтроллеров, компьютерных компьютеров, микросхем памяти. В дополнение к высокой степени интеграции, она произвела несколько поколений КМОП серии малой и средней интеграции для создания доли электронного кадра бис и простых электронных схем.В основе рассмотренного ранее инвертора (рис. 2.9) на комплементарных (комплементарных) МОП-транзисторах с индуцированным каналом разной проводимости p и N типа, выполненного на общей подложке (входные защитные цепи не показаны).

Рисунок 3.8. Двусторонние логические элементы CMOS a) и без, b) или нет

Как и в случае с простым инвертором, особенностью LE является наличие двух ярусов транзисторов относительно выходного выхода. Логическая функция, выполняемая всей схемой, определяется транзисторами нижнего яруса.Для его реализации, а не в положительной логике транзисторы с N-каналом включаются последовательно друг с другом, с P-каналом — параллельно, а для реализации или не наоборот (рис. 3.8).

Микросхемы CMO

по структуре близки к идеальным клавишам: в статическом режиме они практически не потребляют мощность, имеют большое входное и малое входное сопротивление, высокую помехозащищенность, большую нагрузочную способность, хорошую температурную стабильность, работают в широком диапазоне питания. напряжения (от +3 до + 15 В).Выходной сигнал практически равен напряжению блока питания. При Ер = + 5В обеспечивается совместимость логических уровней со стандартной логикой TTL / TTLS. Пороговое напряжение при любом блоке питания равно половине напряжения питания U пор = 0,5 ЭП, что обеспечивает высокую помехозащищенность.

Логические элементы с большим количеством входов организованы аналогично. В номенклатуре КМОП-микросхемы есть LE и, или, и нет, или не-или-или-нет, с количеством входов до 8.Увеличить количество входных переменных можно с помощью дополнительных логических элементов, принадлежащих к той же серии IP.

Отечественная промышленность выпускает несколько универсальных КМОП серий: К164, К176, К561, К564, К1561, К1564.

K176 — Стандартный CMOS t z = 200 нс, I pot £ 100 мкА

K564, K561, K1561 — Улучшенная CMOS t З = 15 нс (15 В), я потю = 1-100 μ

К1564 — Высокоскоростной CMOS (функциональный аналог серии 54hc) Т З = 9-15 нс, Упит = 2-6 В, I папа £ 10 μ

Основные технические характеристики микросхем серии К564 (К561) приведены ниже:

Источник питания U P, дюйм………………………… ..3-15

Потребляемая мощность

В статическом режиме, мкВт / корпус ………… 0,1

При f = 1 МГц, u н = 10 В, при H = 50 ПФ, МВт ………. 20

Допустимая рассеивающая способность. МВт / корпус … 500

Входное напряжение, дюйм ……………… .OT от -0,5 В до U p + 0,5 В

Выходное напряжение в

Низкий уровень ………………………… не более 0,05В,

Высокий уровень ………………… не менее u p + 0,5V

Средняя задержка распространения сигнала при H = 15 NF

Для u н = + 5 В, нс ……………………………… 50

Для u н = + 10 В, нс …………………………….. 20,

Рабочая температура, 0 с

Серия 564 …………………………………….. от -60 до +125

Серия K561 ……………………….OT от -40 до +85

Если развитие серии TTL в основном шло в сторону снижения энергопотребления, то серия CMOS развивалась в направлении увеличения скорости.В конце концов, я выиграл технологию CMOS. На нем уже доступны последующие поколения стандартной логики. Таким образом, второе поколение микросхемы стандартной логики доступно по технологии CMOS, но сохраняет полное функциональное соответствие серии TTL.

Преобразовать 12 вольт в 220

В наше время у каждого в доме или вообще есть свободный доступ, иногда от компьютера бывает несколько блоков питания, которые не нужны, они просто лежат, пылятся и занимают ценное место.А может они вообще сгорели, но это не важно, ведь оттуда нужно взять какие-то элементы. Собрал как-то плату такого конвертера (). И я решил сделать еще один, так как были радиодетали, а печатная плата уже когда-то была сделана лишней. В микросхеме использована новая — из магазина, но иногда именно они или аналогичные аналоги устанавливаются в сами блоки питания ATX.

Трансформатор небольшой — с блоком 250 Вт.Транзисторы решили брать с запасом — поле 44Н, тоже совершенно новые.



Нашел алюминиевый радиатор, прикрутил транзисторы через заглушки и подложки, всю термопасту как следует промазал.



Схема преобразователя напряжения 12-220 запустилась сразу, питание подавалось от аккумулятора 12 вольт 7 а / ч ёмкостью, на выводах которого при свежей зарядке было около 13 вольт. В качестве нагрузки (речь шла о такой мощности) — лампочка на 60 ватт на 220 вольт, не горит на полную силу, но все же хорошо.



Радиатор взял очень с запасом — толщина алюминия 2 мм, тепло отводит хорошо. После получаса работы под нагрузкой полевые транзисторы прогреваются только до 40 градусов! Потребляемый ток около 2,7 ампер от АКБ, работа стабильная без сбоев и перегрева, но трансформатор маловат и горячий (правда, выдерживает и ничего не горит) температура трансформатора при работе около 5-60 градусов на той же нагрузке, думаю, больше 80 Вт такой преобразователь не вытащит или придется устанавливать активное охлаждение в виде вентилятора, потому что транзисторы выдержат гораздо большие нагрузки и более чем уверены, что с такой радиатор все на 200 Вт протянется.



Схема преобразователя 12-220 легко повторяется; при сборке точно по номиналу обе платы сразу заработали.

Видео тестирования преобразователя


Видео работы схемы четко показывает ток, протекающий в цепи, и работу 60-ваттной лампы. Кстати, провода у мультиметра D832 при таком токе за полчаса изрядно прогрелись. Из доработок, если поставить трансформатор побольше, то печатку разложить, иначе трансформатор побольше по размеру не влезет, да и с маленьким все получается.



Для любителей миниатюризации это конечно хорошо, но на практике расстояние от трансформатора до транзисторов оказывается меньше 1 см, а нагревают теплый трансформатор с небольшим нагревом, было бы Хорошо взять ключи на пару сантиметров и проделать в плате пару отверстий для вентиляции снизу вверх. Автор материала — Redmoon.

Предлагаю преобразователь напряжения (инвертор) 12 / 220В (мощность до 500 Вт), питающийся от аккумулятора 12В, который может пригодиться в автомобиле и быту для освещения, для питания телевизора, небольшого холодильника и т. Д.Схема собрана на двух микросхемах серии 155 и шести транзисторах. В выходном каскаде используются полевые транзисторы, которые имеют очень низкое сопротивление в открытом состоянии, что увеличивает КПД преобразователя и избавляет от необходимости устанавливать их на радиаторы слишком большой площади.

Разберемся с работой схемы: (см. Схему и схему). На микросхеме D1 собран генератор прямоугольных импульсов, частота которого около 200 Гц — схема «А».С вывода 8 микросхемы импульсы поступают на делители частоты, собранные на элементах D2.1 — D2.2 микросхемы D2. В результате на выводе 6 микросхемы D2 частота следования импульсов становится вдвое меньше — 100 Гц — диаграмма «В», а на выводе 8 импульсы становятся равными 50 Гц — диаграмма «С». Неинвертированные импульсы частотой 50 Гц — диаграмма «D» снимаются с вывода 9. На диодах VD1-VD2 собрана логическая схема «ИЛИ». В результате импульсы, снятые с выводов D1, 8, D2, 6 импульсов, формируют импульс на катодах диодов, соответствующих диаграмме «Е».Каскадные транзисторы V1 и V2 используются для увеличения амплитуды импульсов, необходимых для полного открытия полевых транзисторов. Транзисторы V3 и V4, подключенные к выходам 8 и 9 микросхемы D2, в свою очередь открываются, запирая тем самым один полевой транзистор V5, затем другой V6. В результате управляющие импульсы формируются так, что между ними возникает пауза, что исключает возможность протекания сквозного тока через выходные транзисторы и значительно увеличивает КПД.На диаграммах «F» и «G» показаны генерируемые управляющие импульсы транзисторов V5 и V6.

Правильно собранный преобразователь начинает работать сразу после подачи питания. При настройке следует подключить к выходу прибора частотомер и выставить частоту 50-60 Гц подбором резистора R1 и, при необходимости, конденсатора С1.


О деталях
Транзисторы КТ315 с любым буквенным индексом, КТ209 можно заменить на КТ361 с любым буквенным индексом.Стабилизатор напряжения КА7805 заменяет отечественный КР142ЕН5А. Резисторы любой мощности 0,125 … 0,25 Вт. Диоды практически любые низкочастотные например КД105, ИН4002. Конденсатор С1 типа К73-11, К10-17В с малой емкостью ухода при нагреве. Трансформатор взят от старого лампового черно-белого телевизора например: «Весна», «Рекорд». Обмотка на напряжение 220 вольт остается, а остальные обмотки снимаются. Поверх этой обмотки намотаны две обмотки проводом ПЭЛ — 2,1 мм. Для лучшей симметрии их следует наматывать одновременно двумя проводами.При подключении обмоток следует учитывать фазировку. Полевые транзисторы крепятся через слюдяные прокладки к обычному алюминиевому радиатору площадью не менее 600 кв. См.


Перечень радиоэлементов
Обозначение Тип Номинал сумма Примечание Оценка Мой блокнот
Линейный регулятор

UA7805

1 KR142EN5A Искать в elBase В записной книжке
D1 Клапан K155LA3 1 Искать в elBase В записной книжке
D2 D-триггер K155TM2 1 Искать в elBase В записной книжке
V1, V3, V4 Транзистор биполярный

КТ315Б

3 Искать в elBase В записной книжке
V2 Транзистор биполярный

KT209A

1 KT361 Искать в elBase В записной книжке
V5, V6 МОП-транзистор

IRLR2905

2 Подушечки из слюды Искать elBase В записной книжке
VD1, VD2 Диод

KD522A

2 КД105, 1Н4002 и др.

Представляем двухтактный импульсный преобразователь, собранный на ШИМ-контроллере TL494. Это позволяет сделать схему достаточно простой и доступной для повторения многим радиолюбителям. На выходе находится высокоэффективный выпрямительный диод, удваивающий напряжение. Также можно использовать преобразователь напряжения и без диодов — получая напряжение переменного тока. Например для ЭПРА (при питании ЛДС) постоянное давление и полярность включения не актуальны, так как в цепи ПРА на входе стоит диодный мост.Принципиальная схема изображена на картинке — кликните, чтобы увеличить.

В преобразователе 12-220 В используется готовый высокочастотный понижающий трансформатор от блока питания компьютера AT или ATX, а в нашем преобразователе все будет наоборот. Обычно эти трансформаторы отличаются только размерами, а распиновка идентична. Нерабочий блок питания от ПК можно найти в любой компьютерной мастерской.


Схема работы. Резистор R1 задает ширину импульса на выходе, R2 (вместе с C1) задает рабочую частоту.Уменьшить сопротивление R1 — увеличить частоту. Увеличить емкость С1 — уменьшить частоту. На транзисторах в преобразователе напряжения установлены мощные МОП-поля, которые отличаются меньшим временем отклика и более простым управлением схемами. Здесь одинаково хорошо работают IRFZ44N, IRFZ46N, IRFZ48N.


Радиатор не нужен, так как длительная работа не вызывает заметного нагрева транзисторов. И если все-таки есть желание поставить их на радиатор — фланцы корпусов транзисторов не закорачиваются через радиатор! Используйте изолирующие прокладки и втулочные шайбы от блока питания компьютера.Однако при первом запуске радиатор не повредит; по крайней мере, транзисторы не сразу сгорают при ошибках монтажа или коротком замыкании на выходе.


Правильно собранная схема преобразователя не требует регулировки. Желательно использовать неметаллический корпус, чтобы исключить поломку. высокое напряжение на корпусе. Будьте осторожны при работе с цепью, так как напряжение 220 В опасно!

Обсудить статью КОНВЕРТЕР 12-220

Такой инвертор предназначен для получения переменного тока 220 В 50 Гц от автомобильного аккумулятора или любого аккумулятора на 12 В.Мощность инвертора около 150 Вт с возможностью увеличения до 300.

Схема предельно проста:


Схема работает как двухтактный преобразователь. Сердцем инвертора является микросхема CD4047, которая действует как задающий генератор и одновременно управляет полевыми транзисторами. Последние работают в режиме ключей. Открытым может быть только один из транзисторов. Если оба транзистора открываются одновременно, произойдет короткое замыкание, и транзисторы мгновенно сгорят.Это может произойти из-за неправильного управления.


Микросхема CD4047, конечно, не заточена на высокоточное управление «полевыми работниками», но с этой задачей справляется неплохо.

Трансформатор снят с неработающего ИБП. Он мощностью 250-300 Вт и имеет первичную обмотку со средней точкой, куда подключается плюс от источника питания.


Вторичных обмоток много, поэтому необходимо найти сетевую обмотку 220 В.С помощью мультиметра измеряются сопротивления всех отводов, которые находятся на вторичной цепи. Требуемые отводы должны иметь наибольшее сопротивление (в примере около 17 Ом). Все остальные провода можно откусить.


Перед пайкой рекомендуется проверить все компоненты. Лучше выбирать транзисторы из одной партии со схожими характеристиками. Конденсатор в цепи передачи частоты должен иметь небольшую утечку и небольшой допуск. Эти параметры можно проверить транзисторным тестером.


Несколько слов о возможных заменах в схеме. К сожалению, микросхема CD4047 не имеет советских аналогов, поэтому ее придется покупать. «Полевые» можно заменить любыми n-канальными транзисторами, которые имеют напряжение 60 В и ток 35 А. Подходит от линейки IRFZ.

Схема также отлично работает с биполярными транзисторами на выходе, однако мощность будет намного ниже, чем при использовании полевых транзисторов.


Ограничивающие резисторы затвора могут иметь сопротивление от 10 до 100 Ом.Лучше поставить от 22 до 47 Ом мощностью 250 мВт.


Цепочка частот для сбора только тех элементов, которые перечислены на диаграмме. Он будет точно настроен на 50 Гц.


Правильно собранное устройство должно сразу заработать. Но первый запуск нужно делать со страховкой. То есть на место предохранителя по схеме установить резистор на 5-10 Ом, либо лампу на 12 В (5 Вт), чтобы не взорвать транзисторы при возникновении проблем.


Если преобразователь работает нормально, трансформатор издает звук, а клавиши вообще не должны нагреваться. В этом случае резистор можно снять и запитать напрямую через предохранитель.

Среднее потребление тока инвертором на холостом ходу может составлять от 150 до 300 мА, но это будет зависеть от источника питания и используемого трансформатора.

Дальнейшее измерение выходного напряжения. В примере значения от 210 до 260 В. Это в пределах нормы, поскольку инвертор не стабилизирован.Теперь можно включить нагрузку, например, лампу на 60 ватт. Погонять инвертор надо секунд 10, клавиши должны немного нагреться, так как они еще без радиаторов. Нагрев обеих клавиш должен быть равномерным. Если это не так, то ищите косяки.

Инвертор имеет функцию дистанционного управления.




Главный силовой плюс подключается к средней точке трансформатора. Но для работы инвертора нужно подать на плату слаботочный плюс.Это запустит генератор импульсов.


Несколько слов об установке. Как всегда, в корпусе блока питания компьютера все укладывается. Транзисторы смонтированы на отдельных радиаторах.


В случае использования обычного радиатора необходимо изолировать корпуса транзисторов от радиатора. Кулер подключался напрямую к шине 12 В.


Самым большим недостатком этого инвертора является отсутствие защиты от короткого замыкания.В этом случае транзисторы сгорят. Чтобы этого не случилось, нужен на выходе предохранитель на 1 А.


Кнопка low-power обеспечивает плюс от источника питания к плате, то есть запускает инвертор в целом.

Силовые шины от трансформатора присоединены непосредственно к радиаторам транзисторов.


Подключив к выходу преобразователя устройство, называемое счетчиком энергии, можно убедиться, что напряжение и частота находятся в пределах нормы.Если частота отличается от 50 Гц, то ее необходимо регулировать с помощью многооборотного переменного резистора, который присутствует на плате.



Во время работы, когда к выходу не подключена нагрузка, трансформатор довольно шумит. При подключении нагрузки шум незначителен. Это все нормально, так как на трансформатор подаются прямоугольные импульсы.

Полученный инвертор нестабилизирован, но почти все приборы адаптированы для работы в диапазоне напряжений от 90 до 280 В.


Если выходное напряжение выше 300 В, то рекомендуется дополнительно к основной нагрузке подключить к выходу лампу накаливания номиналом 25 В. Это снизит выходное напряжение в небольшом пределе.


Коллекторные двигатели можно запитать от преобразователя, в принципе можно, но они нагреваются в 2 раза больше, чем при питании от чистой синусоиды.

Транзистор

Кара Керья. Транзистор APA ITU

Transistor adalah perangkat semikonduktor yang dapat memperkuat, mengubah, dan menghasilkan sinyal listrik.Биполярный транзистор pertama yang dapat diterapkan ditemukan pada tahun 1947. Bahan untuk pembuatannya adalah germanium. Дан судах пада тахун 1956, транзисторный силикон лахир.

Транзистор Далам биполярный, dua jenis pembawa muatan digunakan — elektron dan lubang, itulah sebabnya transistor semacam itu Disbut bipolar. Транзистор селайн биполярный, транзистор Ада униполярный (эфек медан), ян ханья менгунакан сату дженис пембава — электрон атау лубанг. Artikel ini akanmbahas.

Кебаньякан транзистор силиконовый мемилики структура н-п-н, ян джуга дижеласкан олех технологи мануфактур, мескипун ада джуга транзистор силикон.кетик п-п-п, тетапи мерека агак куранг дари структура н-п-п … Транзистор semacam itu digunakan dalam pasangan komplementer (транзистор dengan konduktivitas berbeda dengan параметр listrik yang sama). Мисальня, КТ315 и КТ361, КТ815 и КТ814, дан пада тахап келуаран транзистор УМЗЧ КТ819 и КТ818. Усилитель V impor sangat sering pasangan komplementer kuat 2SA1943 dan 2SC5200 digunakan.

Серингкали транзистор с структурой p-n-p Дебют транзистора кондукси майю, дан структура n-p-n terbalik… Untuk beberapa alasan, nama seperti itu hampir tidak pernah ditemukan dalam literatur, tetapi di kalangan insinyur radio dan amatir radio digunakan di mana-mana, semua orang segera mengerti tentang apa itu. Gambar 1 menunjukkan perangkat skema transistor dan penunjukan grafis konvensional Merka.

Гамбар 1.

Selain perbedaan dalam jenis dan bahan konduktivitas, транзисторный биполярный diklasifikasikan menurut daya dan frekuensi operasi. Jika disipasi daya pada transistor tidak melebihi 0,3 Вт, транзистор semacam itu dianggap berdaya rendah.Dengan kekuatan 0,3 … 3 Вт, транзисторный выход, транзистор kekuatan rata rata, dan dengan daa lebih dari 3 Вт, дайа dianggap besar. Транзистор современный mampu menghilangkan daya beberapa puluh atau bahkan ratusan watt.

Transistor tidak memperkuat sinyal listrik dengan baik: dengan meningkatnya frekuensi, penguatan tahap transistor berkurang, dan pada frekuensi tertentu berhenti sama sekali. Олег Карена Иту, Untuk Operasi Dalam Rentang Frekuensi Yang Lebar, Transistor diproduksi dengan Sifat Frekuensi Yang Berbeda.

Частота работы, транзистор частоты вращения, частота вращения — 3 МГц, частота вращения — 3 … 30 МГц, частота частоты — частота 30 МГц. Jika frekuensi operasi melebihi 300 MHz, maka ini adalah transistor gelombang mikro.

Secara umum, dalam buku referensi tebal yang serius, lebih dari 100 parameter transistor yang berbeda diberikan, yang juga berbicara tentang sejumlah besar модель. Дан jumlah транзистор современный sedemikian rupa sehingga tidak mungkin lagi menempatkannya secara penuh di direktori mana punu.ДАН barisan terus meningkat, memungkinkan Anda untuk menyelesaikan hampir semua tugas yang ditetapkan oleh pengembang.

Ada banyak sirkuit транзистор (cukup untuk mengingat jumlah setidaknya peralatan rumah tangga) Untuk memperkuat дан mengubah sinyal listrik, tetapi, dengan semua keragaman, sirkuit ini terdiri dari kaskade transistorarkan, yy terdiri dari kaskade transistorarkan. Untuk mencapai ampifikasi sinyal yang diperlukan, perlu digunakan beberapa tahap ampifikasi yang dihubungkan secara seri.Untuk memahami cara kerja tahapan penguat, Anda perlu berkenalan lebih подробно dengan rangkaian переключающий транзистор.

Dengan sendirinya, транзисторный тидак акан дапат мемперкуат апапун. Sifat penguatannya adalah perubahan kecil itu sinyal masukan (arus atau tegangan) menyebabkan perubahan tegangan atau arus yang signifikan pada keluaran panggung karena konsumsi energi dari sumber luar… dll.

Untuk menyederhanakan presentasi, di sini kita akan mempertimbangkan rangkaian pada transistor dengan structure n-p-n. Segala sesuatu yang akan dikatakan tentang transistor ini berlaku sama untuk транзистор p-n-p … Cukup memalikkan polaritas catu daya, dan, jika ada, untuk mendapatkan sirkuit янь berfungsi.

Secara total, tiga skema tersebut digunakan: skema dengan emitor bersama (OE), цепь общего коллектора (OC) и цепь общей базы (OB). Semua sirkuit ini ditunjukkan pada Gambar 2.

Гамбар 2.

Tetapi sebelum beralih ke mempertimbangkan sirkuit ini, Anda harus berkenalan dengan cara kerja транзистор dalam mode kunci. Keakraban ini seharusnyambuatnya lebih mudah dipahami dalam mode ampifikasi. Dalam arti tertentu, skema kunci dapat dilihat sebagai semacam skema OE.

Operasi транзистор dalam mode kunci

Sebelum mempelajari operasi transistor dalam mode penguatan sinyal, perlu diingat bahwa transistor sering digunakan dalam mode kunci.

Режим работы транзистора ini telah dipertimbangkan sejak lama. Dalam edisi Agustus majalah «Radio» 1959 diterbitkan sebuah artikel oleh G. Lavrov «Триод семикондуктор dalam mode kunci». Penulis artikel menyarankan untuk mengubah durasi pulsa di belitan kontrol (OA). Sekarang metode pengaturan ini disable PWM dan cukup sering digunakan. Диаграмма дари маджалах вакту иту дитунджуккан пада Гамбар 3.

Гамбар 3.

Tetapi mode kunci digunakan tidak hanya dalam sistem PWM.Транзистор Seringkali hanya menghidupkan dan mematikan sesuatu.

Далам халини, relai dapat digunakan sebagai beban: sinyal input diberikan — relai dihidupkan, tidak — relai dimatikan. Алих-алих релай далам режим кунчи, бола лампу серинг дигунакан. Ини биасанйа дилакукан унтук индикаши: лампу меняла атау мати. Диаграмма tahap kunci tersebut ditunjukkan pada Gambar 4. Tahap kunci juga digunakan Untuk bekerja dengan LED atau dengan optocoupler.

Гамбар 4.

Pada gambar, kaskade dikendalikan kontak biasa, meskipun mungkin ada IC digital atau sebaliknya.Лампу мобил, сначала дигунакан для замены приборной панели «Жигули». Perhatian harus diberikan pada fakta bahwa tegangan kontrol adalah 5V, dan tegangan kolektor yang dikomutasi adalah 12V.

Тидак Ада Ян Анех Далам Хал Ини, Карена Теганган Тидак Мемайнкан Перан Апа Пун Далам Ранкаян Ини, Ханья Арус Ян Пэнтинг. Олег Карена Иту, Бола Лампу Сетидакня Биса 220 В, Джика Транзистор Диранцанг Унтук Бекерджа Пада Теганган Сеперти Иту. Теганган коллектор джуга Харус sesuai dengan теганган операси бебан.Menggunakan kaskade seperti itu, beban terhubung ke sirkuit mikro digital atau mikrokontroler.

Dalam skema ini, arus base mengontrol arus kolektor, yang, karena energi sumber daa, beberapa puluh, atau bahkan ratusan kali lebih besar (tergantung pada beban kolektor), daripada arus base. Сангат мудах унтук мелихат бахвада амплификаси саат иници. Кетика транзистор beroperasi dalam mode kunci, biasanya untuk menghitung kaskade, menggunakan nilai yang disbut dalam buku referensi «получить саат ini dalam mode sinyal besar» — dalam buku referensi dilambangkan dengan huruf.Ini adalah rasio arus kolektor, ditentukan oleh beban, dengan arus base semimal mungkin. Sebagai rumus matematika tampilannya seperti ini: = Ic / Ib.

Untuk sebagian besar transistor modern, koefisien cukup besar, sebagai aturan, dari 50 dan lebih tinggi, oleh karena itu, ketika menghitung tahap kunci, dapat diambil sama dengan hanya 10. Bahkan jika arus Basis ternyata, т. Акан Мембука лебих дари Ини, мака Иту дан режим кунчи.

Untuk menyalakan lampu yang ditunjukkan pada Gambar 3, Ib = Ik / = 100mA / 10 = 10mA, ini setidaknya.Dengan tegangan kontrol 5V melintasi резистор dasar Rb, dikurangi penurunan tegangan di bagian BE, 5V akan tetap — 0,6V = 4,4V. Резистор Resistansi dasar adalah: 4,4 В / 10 мА = 440 Ом. Себуах резистор 430 ом дипилих дари кисаран стандарт. Теганган 0,6V adalah tegangan di persimpangan B-E, dan Anda tidak boleh melupakannya dalam perhitungan!

Агаровый транзистор на основе тидак тетап «menggantung di udara» ketika kontak kontrol dibuka, persimpangan B-E biasanya dilangsir oleh резистор Rbe, янь menutup транзистор dengan andal.Orang tidak boleh melupakan резистор INI, meskipun karena alasan tertentu tidak ada di beberapa sirkuit, янь dapat menyebabkan pemicu kaskade yang salah dari gangguan. Sebenarnya, semua orang tahu tentang resistor ini, tetapi Untuk beberapa alasanmereka lupa, дан sekali lagi menginjak «penggaruk».

Нилайский резистор Ини Харус Седемикян Рупа Сехингга Кетика Контакт Дибука, Теганган Ди Панкалан Тидак Акан Куранг Дари 0,6 В, Джика Тидак, Каскаде Тидак Акан Дапат Дикендаликан, Сеолах-Олах Багубунг BE Ханья Дихубунг.Dalam prakteknya, резистор Rbe diatur dengan nilai номинальный sekitar sepuluh kali lebih banyak dari Rb. Tetapi bahkan jika peringkat Rb adalah 10KΩ, rangkaian akan bekerja dengan cukup andal: potensi base dan emitor akan sama, yang akan menyebabkan penutupan транзистор.

Kaskade kunci seperti itu, jika berfungsi dengan benar, dapat menyalakan bola lampu dengan pijaran penuh, atau mematikannya sepenuhnya. Далам халини, транзисторный дапат сепенухня хидуп (кеадаан сатураси) атау бенар-бенар мати (кеадаан отсечение).Сегера, тенту саджа, кесимпулан иту менунджуккан диринйа сендири бахва ди антара кеадаан «батас» иници ада хал сеперти иту кетика бола лампу пенух чахайа. Apakah transistor setengah hidup atau setengah mati dalam kasus ini? Ini seperti masalah mengisi gelas: seorang optimis melihat gelas setengah terisi, sedangkan orang pesimis melihatnya setengah kosong. Режим работы транзистора начался с выхода Penguatan Atau Linier.

Operasi транзистор dalam mode penguatan sinyal

Hampir semuanya modern elektronik terdiri dari sirkuit mikro di mana transistor «tersembunyi».Cukup memilih mode operasi penguat работает, чтобы изменить полосу пропускания yang dibutuhkan. Tetapi, meskipun demikian, kaskade pada transistor diskrit («menyebar») sering digunakan, dan oleh karena itu pemahaman tentang pengoperasian tahap penguatan sangat diperlukan.

Penyertaan транзистор с общим эмиттером (OE). Аласан Untuk prevalensi ini terutama adalah tegangan tinggi дан Penguatan Arus. Faktor ampifikasi tertinggi dari tahap OE disediakan ketika setengah dari tegangan catu daa Epit / 2 turun melintasi beban kolektor.Dengan demikian, babak kedua jatuh pada bagian K-E транзистор. Ини dicapai dengan menyetel kaskade, янь akan dibahas di bawah. Modus ampifikasi ini DISBUT KELAS A.

Ketika Transistor dengan OE dihidupkan, sinyal keluaran pada kolektor berada pada antifase dengan sinyal masukan. Sebagai kekurangannya, dapat dicatat bahwa resistansi input OE kecil (tidak lebih dari beberapa ratus Ohm), дан resistansi output dalam puluhan KOhm.

Jika dalam mode kunci transistor dicirikan oleh penguatan arus dalam mode sinyal besar, maka dalam mode ampifikasi «penguatan arus dalam mode sinyal kecil» digunakan, dilambangkan dalam buku referensi h31e.Sebutan ini berasal дари представляет транзистор Dalam bentuk empat kutub. Huruf «е» menunjukkan bahwa pengukuran dilakukan ketika транзистор dengan emitor umum dihidupkan.

Koefisien h31e, sebagai aturan, agak lebih besar dari, meskipun juga dapat digunakan dalam perhitungan dalam pendekatan pertama. Namun demikian, параметр hamburan дан h31e sangat besar bahkan Untuk satu jenis transistor sehingga perhitungannya hanya perkiraan. Setelah perhitungan seperti itu, sebagai suatu peraturan, konfigurasi skema diperlukan.

Усиление транзистора tergantung pada ketebalan base, sehingga tidak dapat diubah. Олег Карена Иту, Ада Пеньебаран Бесар Далам Перолехан Транзистор Ян Диамбил Бахкан Дари Котак Ян сама (Пакет Бака Сату). Унтук транзистор бердая рэндах, коэфисиен инни беркисар антара 100 … 1000, дан унтук транзистор дайа тингги 5 … 200. Семакин типис аласня, семакин тингги расионя.

Rangkaian paling sederhana untuk menyalakan транзистор OE ditunjukkan pada Gambar 5. Ини hanya sebagian kecil dari Gambar 2, янь ditunjukkan di bagian kedua artikel.Ини дисебут рангкайан аррус основа тетап.

Гамбар 5.

Skema ini sangat sederhana. Sinyal input diumpankan ke dasar transistor melalui kapasitor pemblokiran C1, dan, yang diperkuat, dikeluarkan dari kolektor transistor melalui kapasitor C2. Fungsi kapasitor adalah untuk melindungi sirkuit masukan дари komponen konstan sinyal input (ingat saja mikrofon karbon atau electret) дан berikan пропускная способность kaskade ян diperlukan.

Резистор R2 содержит набор элементов, соответствующий резистору R1 смещения постоянного тока.Dengan bantuan resistor ini, mereka mencobambuat kolektor tegangan Epit / 2. Keadaan INI Disbut Titik Operasi Transistor, Dalam Hal INI Penguatan Tingkat Maksimum.

Perkiraan resistansi resistor R1 ditentukan dengan rumus sederhana R1 R2 * h31e / 1.5 … 1.8. Koefisien 1,5 … 1,8 diganti tergantung pada tegangan suplai: pada tegangan rendah (tidak lebih dari 9V) nilai koefisien tidak lebih dari 1,5, dan mulai dari 50V, mendekati 1,8 … 2.0. Tetapi, pada kenyataannya, rumusnya sangat mendekati sehingga resistor R1 paling sering harus dipilih, jika tidak, nilai Epit / 2 yang diperlukan pada kolektor tidak akan diperoleh.

Резистор комплект R2 дитэтапкан себагай кондиси масалах, карена арус колектор дан пингватан панггунг секара кеселурухан бергантунг пада нилайня: семакин бесар резистор резистор R2, семакин тингги пингватання. Tetapi Anda harus berhati-hati dengan resistor ini, arus kolektor harus kurang dari maksimum yang diizinkan untuk jenis ini транзистор.

Skemanya sangat sederhana, tetapi kesederhanaan ini juga memberinya sifat negatif, dan kesederhanaan ini ada harganya. Pertama, ampifikasi kaskade tergantung pada contoh spesifik transistor: jika Anda mengganti transistor selama perbaikan, pilih offset lagi, bawa ke titik operasi.

Кедуа, дари суху секитар — саат суху наик, аррус балик колектор Ико менингкат, янь менгарах пада пенингкатан аррус колектор. Дан ди мана, кемудиан, адалах сетенгах дари теганган суплай пада коллектор Epit / 2, titik operasi yang sama? Акибатня, транзисторный семакин панас, сетах иту русак. Untuk menghilangkan kecanduan ini, atau setidaknya untuk meminimalkannya, dalam tahap транзистор memperkenalkan element tambahan dari umpan balik negatif — OOS.

Gambar 6 menunjukkan rangkaian bias tetap.

Гамбар 6.

Tampaknya pembagi tegangan Rb-k, Rb-e akan memberikan perpindahan awal yang diperlukan dari tahap, tetapi pada kenyataannya, semua kerugian dari rangkaian arus tetap melekat pada tahap seperti itu. Денган демикиан, ранкаян ян дитунджуккан ханьялах вариаси пада рангкаян ар тэтап ян дитунджуккан пада Гамбар 5.

Sirkuit стабилизирующий терминал

Ситуасинья агак лебих байк далам касус пенггунаан скема ян дитунджуккан пада Гамбар 7.

Гамбар 7.

Dalam rangkaian yang distabilkan kolektor, резистор смещения R1 tidak terhubung ke catu daya, tetapi ke kolektor транзистор. Далам Хал Ини, Джика Арус Балик Менингкат Денган Менингкатня Суху, Транзистор тербука Лебих Куат, Дан Теганган Колектор Беркуранг. Penurunan ini menyebabkan penurunan tegangan bias yang diterapkan ke base melalui R1. Транзистор mulai menutup, arus kolektor berkurang ke nilai yang dapat diterima, dan titik operasi dipulihkan.

Сангат джелас бахва тиндакан стабилисаси сеперти иту menyebabkan sedikit penurunan ampifikasi panggung, tetapi ini bukan masalah. Получить ян хиланг biasanya ditambahkan dengan meningkatkan jumlah tahap penguat. Tetapi OOS semacam itu memungkinkan untuk secara signifikan memperluas kisaran suhu operasi kaskade.

Sirkuit kaskade dengan stableisasi emitor agak lebih rumit. Сифат пингватан дари тахап краткий, но тетап тидак берубах пада рентанг суху янь лебих луас дарипада сиркуит янь distabilkan kolektor.Satu Hal lagi keuntungan tak terbantahkan, — транзистор саат mengganti, Anda tidak perlu memilih kembali mode operasi kaskade.

Резистор эмиттер R4, memberikan стабильный сухой, juga mengurangi penguatan panggung. Ini Untuk DC. Untuk menghilangkan pengaruh резистор R4 pada gain arus bolak-balik, резистор R4 dihambat oleh kapasitor Ce, ян menunjukkan resistansi yang dapat diabaikan untuk arus bolak-balik. Nilainya ditentukan oleh rentang frekuensi penguat. Джика frekuensi ini terletak pada jangkauan suara, maka kapasitansi kapasitor bisa dari satuan hingga puluhan bahkan ratusan mikrofarad.Untuk frekuensi radio, ini sudah seperseratus atau seperseribu, tetapi dalam beberapa kasus rangkaian berfungsi dengan baik tanpa kapasitor ini.

Untuk lebih memahami cara kerja stableisasi emitor, perlu untuk mempertimbangkan rangkaian переключающий транзистор dengan kolektor OK umum.

Rangkaian kolektor umum (CC) Ditunjukkan pada Gambar 8. Rangkaian ini adalah potongan Gambar 2, dari bagian kedua artikel, di mana ketiga rangkaian switch transistor ditampilkan.

Ангка 8.

Beban panggung adalah резистор эмиттер R2, входной сигнал diumpankan melalui kapasitor C1, dan sinyal output dihilangkan melalui kapasitor C2. Di sini Anda bisa bertanya mengapa skema ini Disbut ОК? Memang, jika kita mendingat sirkuit OE, maka terlihat jelas bahwa emitor terhubung ke kabel umum sirkuit, relatif terhadap mana sinyal input disuplai dan sinyal output dihilangkan.

Di sirkuit OK, kolektor hanya terhubung ke sumber daya, dan pada pandangan pertama tampaknya tidak ada hubungannya dengan sinyal input dan output.Tapi sungguh sumber EMF (baterai) memiliki янь sangat kecil resistensi internal, untuk sinyal itu praktis satu titik, satu dan kontak yang sama.

Untuk lebih jelasnya pengoperasian rangkaian OK dapat dilihat pada Gambar 9.

Гамбар 9.

Diketahui bahwa untuk транзистор Silikon tegangan transisi b-e berada di kisaran 0,5 … 0,7V, sehingga Anda dapat mengambilnya rata-rata 0,6V, jika Anda tidak menetapkan tujuan untuk melakukan perhitungan dengpersensekurasi sehing.Олег Карена Иту, сеперти дапат дилихат пада Гамбар 9, теганган келуаран акан селалу лебих кесил дари теганган масукан денган нилаи Уб-е, яиту себесар 0,6 В ян сама. Berbeda dengan rangkaian OE, rangkaian ini tidakmbalikkan sinyal input, ia hanya mengulanginya, dan bahkan menguranginya sebesar 0,6V. Sirkuit ini juga disbut pengikut emitor. Mengapa skema seperti itu diperlukan, apa gunanya?

Rangkaian ОК menguatkan sinyal arus dengan faktor h31e, ян menunjukkan bahwa resistansi input rangkaian adalah h31e Кали лебих besar daripada resistansi di sirkuit emitor.Dengan kata lain, Anda dapat menerapkan tegangan langsung ke base (tanpa resistor pembatas) tanpa takut transistor terbakar. Амбил саджа пин дасар дан самбунгкан ке рел дайа + U.

Impedansi input tinggi memungkinkan Anda untuk menghubungkan sumber input impedansi tinggi (impedansi kompleks) seperti pickup piezo. Jika пикап seperti itu terhubung ke kaskade sesuai dengan skema OE, maka impedansi input rendah kaskade ini hanya akan «menenggelamkan» sinyal pickup — «радио тидак акан дипутар.«

Цири хас дари рангкаян ОК adalah arus kolektornya Ik hanya bergantung pada resistansi beban dan tegangan sumber sinyal input. Далам халини, параметр транзистора, можно использовать для использования каламбура. Skema seperti itu dikatakan ditanggung oleh seratus persen masukan oleh tegangan.

Seperti terlihat pada Gambar 9, arus pada beban emitor (псевдоним arus emitor) Iн = Iк + Ib. Dengan mempertimbangkan bahwa arus base Ib dapat diabaikan dibandingkan dengan arus kolektor Ic, dapat diasumsikan bahwa arus beban sama dengan arus kolektor Iн = Iк.Арус бебан акан менджади (Уин — Убе) / Рн. Далам Хал Ини, кита акан менгасумсикан бахва Убе дикетахуи дан селалу сама денган 0,6 В.

Oleh karena itu arus kolektor Ik = (Uin — Ube) / Rn hanya bergantung pada tegangan input дан таханан бебан. Resistansi beban dapat diubah dalam rentang yang luas, namun, Anda tidak perlu terlalu bersemangat. Lagi pula, jika alih-alih Rn memasang paku — menenun, maka tidak ada transistor yang tahan!

Rangkaian OK memudahkan untuk mengukur koefisien transfer arus statis h31e.Cara melakukannya ditunjukkan pada Gambar 10.

Гамбар 10.

Pertama, ukur arus beban seperti yang ditunjukkan pada Gambar 10a. Далам халини, базовый транзистор тидак перлу дихубунгкан ке мана каламбур, сеперти ян дитунджуккан пада гамбар. Setelah itu, arus base diukur sesuai dengan Gambar 10b. Далам кедуа касус, pengukuran harus dilakukan dalam jumlah yang sama: baik dalam ampere atau dalam miliamper. Теганган дан бебан чату дайа харус тетап констан пада кедуа пенгукуран.Untuk mengetahui koefisien transfer arus statis, cukupmbagi arus beban dengan arus base: h31e In / Ib.

Perlu dicatat bahwa dengan peningkatan arus beban h31e sedikit berkurang, dan dengan peningkatan tegangan suplai itu meningkat. Pengikut emitor sering dibangun di atas sirkuit push-pull menggunakan pasangan transistor komplementer, ян memungkinkan Anda untuk meningkatkan Daya keluaran perangkat. Pengikut emitor seperti itu ditunjukkan pada Gambar 11.

Гамбар 11.

Гамбар 12.

Dimasukkannya транзистор sesuai dengan skema dengan base umum OB

Sirkuit seperti itu hanya memberikan penguatan tegangan, tetapi memiliki sifat frekuensi yang lebih baik dibandingkan dengan sirkuit OE: транзистор ян сама dapat beroperasi pada lebih banyak frekuensi. frekuensi tinggi … Aplikasi utama dari rangkaian OB adalah penguat антенна аренда UHF. Skema penguat антенна ditunjukkan pada Gambar 12.

Транзистор выведен из строя семикондуктор янь диранцан тук мемперкуат дан менгхасилкан осиласи листрик.Jadi apa itu транзистор? — Ини Адалах Кристал Ян ditempatkan Далам Вадах Ян Диленгкапи Денган Тимах. Kristal ini terbuat dari bahan semikonduktor. Dalam hal sifat listriknya, semikonduktor menempati posisi perantara tertentu antara konduktor dan non-konduktor arus (изолятор).

Кристал Кесил Дари Бахан Семикондуктор (Семикондуктор), Сетелах Пемросесан Ян тепат, Менджади Мампу Менгубах Кондуктивитас Листрикня Пада Рентанг Ян Сангат Луас Кетика Осиласи Листрик Ян Лемаас Канадан Дан Тегананите.

Kristal ditempatkan dalam wadah logam atau plastik dan dilengkapi dengan tiga sadapan, keras atau lunak, янь terhubung ke zona kristal yang sesuai. Kasing logam terkadang memiliki timahnya sendiri, tetapi lebih sering salah satu dari tiga elektroda transistor terhubung ke kasing.

Saat ini, dua jenis transistor digunakan — bipolar dan medan … Транзисторный биполярный транзистор adalah yang pertama dan paling banyak digunakan. Олег Карена Иту, Мерека Биасанья Дебют Ханья Себагай транзистор.Транзистор efek medan muncul kemudian dan lebih jarang digunakan daripada транзистор биполярный.

Транзистор биполярный

Транзистор биполярный Disebut karena arus listrik di dalamnya terbentuk muatan listrik polaritas positif dan negatif. Pembawa muatan positif biasanya отверстие отверстие, muatan negatif dibawa oleh elektron. Биполярный биполярный транзистор, изготовленный из кристалла янтаря, содержит германий, а также кремний — биполярный полупроводниковый транзистор, изготовленный из нержавеющей стали.

Oleh karena itu, транзистор Disbut satu silikon , lainnya — germanium … Untuk kedua varietas transistor bipolar memiliki karakteristiknya sendiri, yang biasanya diperhitungkan saat merancang perangkat.

Untuk pembuatan kristal, bahan ultra murni digunakan, yang ditambahkan bahan khusus yang diukur secara ketat; которан. Mereka menentukan penampilan dalam kristal konduktivitas karena lubang (p-konduktivitas) atau elektron (n-konduktivitas).Денган демикиан, салах сату электродода транзистор тербентук, яндебут базис.

Jika sekarang pengotor khusus dimasukkan ke permukaan kristal dasar dengan satu atau lain metode teknologi, yang mengubah jenis konduktivitas basa menjadi kebalikannya sehingga berdekatan zona n-p-n-atanau pona.

Salah satu zona ekstrem disbut emitor, yaitu sumber pembawa muatan, dan yang kedua disclektor, pengumpul pembawa ini.Daerah antara emitor dan kolektor disbut base. Терминальный транзистор biasanya diberi nama yang mirip dengan elektrodanya.

Sifat penguat транзистор dimanifestasikan dalam kenyataan bahwa jika sekarang kecil tegangan listrik- sinyal input, maka arus akan mengalir di sirkuit kolektor-emitor, berulang dalam bentuk arus input дари синали безэмитар, базис антара дана.

Untuk pekerjaan biasa transistor, pertama-tama, perlu menerapkan tegangan suplai ke elektrodanya.Далам халини, теганган пада базис, относительный терхадап-излучатель (теганган-ини-серинг-дисбут-теганган-смещение), харус сама денган беберапа, персепулух вольт, дан пада колектор, относительный терхадап-излучатель — беберапа вольт.

Inklusi dalam rantai npn дан транзистор pnp hanya berbeda dalam polaritas tegangan kolektor dan bias. Silikon дан транзистор германий дари структура ян сама berbeda satu sama lain hanya dalam nilai tegangan bias. Унтук ян силикон, секитар 0,45 В лебих тингги дарипада ян германий.

Beras. 1

далам гамбар. Gambar 1 menunjukkan penunjukan grafis konvensional transistor dari kedua Struktur, dibuat berdasarkan germanium dan silikon, dan tegangan bias yang khas. Электрод транзистор дитунджуккан олех хуруф пертама дари ката-ката: эмиттер — E, основа — B, колектор — K.

Теганган смещения (атау, сеперти янмека катакан, режим) ditunjukkan relatif terhadap emitor, tetapi dalam praktiknya, tegangan pada elektroda transistor ditunjukkan relatif terhadap kabel umum perangkat.Kabel umum di perangkat дан dalam диаграмма дебютировать kabel yang terhubung secara galvanis ke ввод, вывод, дан sering ke sumber daya, yaitu, umum ke input, output, dan sumber daya.

Penguatan дан sifat-sifat транзистор lainnya dicirikan oleh sejumlah: параметр listrik Yang paling penting akan dibahas di bawah ini.

Rasio Transfer Arus Statis Dasar h 21E menunjukkan berapa kali arus kolektor transistor bipolar lebih besar dari arus basenya, yang menyebabkan arus ini.Untuk sebagian besar jenis transistor, nilai numerik koefisien ini dari contoh ke contoh dapat bervariasi dari 20 hingga 200. Ada transistor dengan nilai yang lebih rendah — 10 … 15, dan dengan nilai yang lebih besar 800 (ini 50 … дисебут транзисторный супер-диперкуат).

Sering dipercaya bahwa hasil yang bagus hanya dapat diperoleh dengan транзистор янь memiliki sangat penting h 21e. Намун, практик менунджуккан бахва денган дезайн пералатан ян терампил, сангат мунгкин унтук бертахан денган транзистор ян мемилики ч 2 л е, сама денган ханья 12… 20. Sebagian besar konstruksi yang dijelaskan dalam buku ini adalah contohnya.

Sifat frekuensi transistor fakta bahwa transistor mampu memperkuat sinyal listrik dengan frekuensi tidak melebihi batas yang ditentukan untuk setiap transistor diperhitungkan. Frekuensi di mana transistor kehilangan sifat penguatnya disbut frekuensi ampifikasi pembatas transistor.

Агар-транзистор memberikan penguatan sinyal yang signifikan, frekuensi operasi maksimum sinyal harus setidaknya 10… 20 калорий, используемых в транзисторах. Misalnya untuk penguatan efektif sinyal frekuensi rendah (hingga 20 kHz), transistor frekuensi rendah digunakan, frekuensi pembatasnya setidaknya 0,2 … 0,4 МГц.

Untuk memperkuat sinyal stasiun radio dalam rentang gelombang gelombang panjang dan gelombang menengah (frekuensi sinyal tidak lebih tinggi dari 1,6 MHz), hanya transistor frekuensi tinggi dengan frekuensi pembatas setidaknya 16 …

Disipasi Daya Maksimum yang Diizinkan — ini adalah daya tertinggi yang dapat dihamburkan transistor Untuk waktu yang lama tanpa bahaya kegagalan.Dalam buku referensi tentang transistor, biasanya ditunjukkan daa maksimum yang diizinkan dari kolektor Yaktakh, karena di sirkuit kolektor-emitor inilah daa terbesar dilepaskan dan arus dan tegangan terbesar beroperasi.

Arus base dan kolektor, yang mengalir melalui kristal transistor, memanaskannya. Kristal germanium dapat bekerja secara normal pada suhu tidak lebih dari 80, dan kristal silikon — tidak lebih dari 120 ° C.Panas yang dilepaskan dalam kristal dibuang ke lingkungan melalui транзистор корпуса, serta melalui радиатор транзистор, радиатор-радиатор тамбахан (радиатор) .кекуатан тингги.

Tergantung pada tujuannya, мерека menghasilkan транзистор Daya rendah, sedang dan tinggi. Daya rendah terutama digunakan Untuk ampifikasi дан konversi sinyal lemah frekuensi rendah dan tinggi, kuat — pada tahap akhir ampifikasi dan pembangkitan osilasi listrik frekuensi rendah dan tinggi.

Kemampuan penguatan suatu tahap pada транзистор биполярный tidak hanya bergantung pada дайа апа, tetapi seberapa banyak transistor tertentu yang dipilih, dalam mode operasi mana pada bolak-balik dan arus searah ia bekerja, krapausmita, krapausmita) Berapa rasio frekuensi operasi sinyal dan frekuensi pembatas transistor.

APA ITU транзистор эфек медан?

Transistor efek medan adalah perangkat semikonduktor di mana kontrol arus antara dua elektroda, yang dibentuk oleh gerakan terarah pembawa muatan lubang atau elektron, dilakukan oleh medan listrik ketiada oktrohsilkan.

Elektroda, di mana arus terkontrol mengalir, adalah nama sumber дан saluran, dan sumbernya adalah elektroda dari mana pembawa muatan keluar (mengalir keluar).

Ян кетига, контроль, электроды дебют гербанг.Bagian konduktif dari bahan semikonduktor antara sumber дан saluran biasanya Disbut saluran, maka nama lain Untuk transistor ini — saluran. Ди bawah aksi tegangan di gerbang «relatif terhadap sumbernya, resistansi saluran berubah» дан karenanya arus yang melaluinya.

Tergantung pada jenis pembawa muatan, транзистор dengan n-saluran atau saluran-p … Di saluran n saluran, arus saluran discabkan oleh pergerakan arah elektron, dan di saluran p, itu karena lubang.Sehubungan dengan fitur транзистор efek medan ini ,mereka kadang-kadang juga discbut unipolar. Nama ini menekankan bahwa arus di dalamnya dibentuk oleh pembawa hanya satu tanda, янь мембедакан транзистор эфек медан дари ян биполярный.

Untuk pembuatan transistor efek medan, silikon terutama digunakan, yang dikaitkan dengan kekhasan teknologi produksinya.

Параметр utama транзистор efek medan

Kemiringan karakteristik input S atau konduktansi transfer arus maju Y 21 menunjukkan berapa miliampere arus saluran berubah ketika tegangan input antara gerbang dan sumber berubah sebesar 1 V.Олег Карена Иту, Нилаи Кемиринган вход ditentukan dalam mA / V, serta kemiringan karakteristik tabung Radio.

Транзистор efek medan modern memiliki kecuraman dari sepersepuluh hingga puluhan дан bahkan ratusan miliampere на вольт. Jelas, semakin tinggi kemiringan, semakin banyak keuntungan yang dapat diberikan транзистор эфек медан. Tetapi nilai kemiringan yang besar sesuai dengan arus tinggi saluran.

Олег Карена Иту, Далам Практикня, Арус Салуран Сеперти Иту Биасанья Дипилих Ди Мана, Ди Сату Сиси, Пингватан Ян диперлукан теркапаи, Дан Ди Сиси Лайн, Экономи Ян диперлукан Далам Консумси Саат Дипаси.

Sifat frekuensi transistor efek medan, serta transistor bipolar, dicirikan oleh nilai frekuensi pembatas. Транзистор efek medan juga dibagi menjadi frekuensi rendah, frekuensi menengah дан frekuensi tinggi, дан juga untuk mendapatkan get tinggi. frekuensi maksimum sinyal harus setidaknya 10 … 20 kali lebih kecil dari frekuensi pembatas transistor.

Disipasi Daya Konstan maksimum yang diizinkan dari transistor efek medan ditentukan dengan cara yang sama seperti биполярный транзистор.Industri ini memproduksi transistor efek medan dengan daya rendah, sedang dan tinggi.

Untuk operasi normal transistor efek medan, elektrodanya harus bekerja tekanan konstan offset awal. Polaritas tegangan bias ditentukan oleh jenis saluran (n atau p), dan nilai tegangan ini ditentukan oleh jenis transistor tertentu.

Harus ditunjukkan di sini bahwa di antara transistor efek medan ada lebih banyak variasi desain kristal daripada di antara транзистор биполярный. Ян Палинг Луас Далам Desain Аматир Дан Далам Продукт Индустрии Адалах Транзистор Эфек Медан Денган Апа Ян Дебют Салуран встроенный Дан Транзиси Пн.

Mereka bersahaja dalam operasi, beroperasi dalam rentang frekuensi yang luas, memiliki impedansi input tinggi, mencapai beberapa megohm pada frekuensi rendah, dan beberapa puluh atau ratusan frekuensi rendah, sergey daluh atau ratusan frekuensi kilo-ohmung.

Sebagai perbandingan, kami menunjukkan bahwa transistor bipolar memiliki resistansi input yang jauh lebih rendah, biasanya mendekati 1 … 2 kOhm, dan hanya transistor komposit yang dapat memiliki resistansi input yang lebih tinggi.Ini adalah keuntungan besar dari transistor efek medan dibandingkan transistor bipolar.

далам гамбар. 2 pertunjukan legenda transistor efek medan dengan saluran bawaan dan sambungan pn, serta nilai khas tegangan bias. Sadapan ditunjuk sesuai dengan huruf pertama dari nama elektroda.

Merupakan karakteristik bahwa untuk транзистор dengan saluran-p, tegangan pada saluran relatif terhadap sumber harus negatif, dan pada gerbang relatif terhadap sumber — positif, dan untuk транзистор dengan saluran-n, sebaliknya.

Dalam peralatan industrial dan lebih jarang di radio amatir, транзисторный efek medan dengan gerbang berinsulasi juga digunakan. Транзистор краткий, но мемилики импедансный вход янь лебих тингги дан дапат беропераси пада фрекуэнси ян сангат тингги. Тетапи мерека мемилики келемахан ян сигнификан — кекуатан диэлектрик янь рендах дари гербанг беринсуласи.

Untuk kerusakan дан кегагалан транзистор, bahkan muatan listrik statis yang lemah, yang selalu ada pada tubuh manusia, pada pakaian, pada Instrumen, sudah cukup.

Untuk alasan ini, оконечный транзистор efek medan IGBT harus diikat bersama dengan kabel telanjang lunak selama penyimpanan; Saat memasang транзистор, tangan дан peralatan harus «dibumikan», дан tindakan perlindungan lainnya digunakan.

Шастры: Васильев В.А. Penerima amatir radio pemula (MRB 1072).

Nama asli komponen radio adalah triode, sesuai dengan jumlah kontak. Radioelemen ini mampu mengontrol arus masuk sirkuit listrik, di bawah pengaruh sinyal eksternal.Свой уникальный дигунакан далам усилитель, генератор, дан солуси сиркуит серупа лайння.

Далам-схема транзисторов Penunjukan

Untuk вакту янь лама, триод tabung memerintah dalam elektronik radio. Tiga komponen utama triode ditempatkan di dalam labu tertutup, di lingkungan gas atau vakum khusus:

Кетика синял контроль дайа рендах дитерапкан ке джаринган, нилаи ян сангат бесар дапат дилеваткан антара катода дан анода. Besarnya arus operasi triode berkali-kali lebih tinggi daripada arus kontrol.Проперти inilah Ян memungkinkan element Radio Bertindak Sebagai Penguat.

Триод berdasarkan tabung radio bekerja cukup efisien, terutama ketika kekuatan tinggi … Namun, sizesinya tidak memungkinkan untuk digunakan pada perangkat ringkas modern.

Membayangkan telepon genggam atau pemain saku yang dibuat pada element tersebut.

Masalah kedua adalah katering. Untuk berfungsi normal, katoda harus sangat panas agar emisi elektron dapat dimulai.Пеманасан коил мембутухкан баняк листрик. Олег Карена Иту, для ilmuwan ди seluruh Дуния Selalu berusaha Untuk мембуат perangkat янь lebih ringkas dengan sifat янь сама.

Сампел пертама мункул пада тахун 1928, дан пада пертенгахан абад терахир, триод семикондуктор ян берфунгси дисаджикан, дибуат менггунакан технологии биполярный. Нама «транзистор» диберикан паданья.

APA ITU транзистор?

Transistor adalah perangkat listrik semikonduktor di dalam rumah atau tanpanya, yang memiliki tiga kontak untuk operasi dan control.Проперти Утама сама Денган триод — параметр менгуба arus antara elektroda kerja menggunakan sinyal kontrol.

Karena tidak adanya kebutuhan Untuk pemanasan, транзистор menghabiskan sedikit energi untuk memastikan kinerjanya sendiri. Дан размеры компак дари кристалл семикондуктор янь berfungsi memungkinkan untuk menggunakan komponen radio dalam Struktur berukuran kecil.

Карена независимых дари лингкунган керджа, кристал семикондуктор дапат дигунакан байк далам пакет терписах маупун далам сиркуит микро.Ленгкап dengan element radio lainnya, транзисторный ditanam langsung pada kristal tunggal.

Sifat mekanik yang luar biasa dari semikonduktor telah menemukan aplikasi di perangkat seluler dan portabel. Транзисторный tidak peka terhadap getaran, guncangan tajam. Мерека мемилики кетаханан суху ян байк (радиатор в ожидании дигунакан ди бавах бебан берат).

Транзистор (транзистор) — element semikonduktor dengan tiga sadapan (biasanya), salah satunya ( pengumpul ) arus yang kuat disuplai, dan yang lainnya ( base ) yang lemah ( mengontrol arus ).Пада кекуатан тертенту дари аррус контроль, сеолах-олах, «катуп тербука» дан арус дари колектор мулаи менгалир пада келуаран кетига ( эмитор ).


Artinya, транзистор adalah sejenis katup , yang, pada kekuatan arus tertentu, secara tajam mengurangi resistansi danmbiarkan arus lebih jauh (дари коллектор ке эмитор). Бару дан сетерусня далам лингкаран.Джика тидак ада арус листрик ян диалиркан ке основа, мака транзистор акан берада далам кеадаан сеймбанг дан тидак акан менгалиркан арус ке эмитор.

Dalam chip elektronik modern, jumlah transistor miliaran … Mereka digunakan terutama Untuk perhitungan dan terdiri dari koneksi yang kompleks.

Bahan semikonduktor yang terutama digunakan dalam transistor adalah: silikon , galium arsenida dan germanium … Ada juga транзистор ди углеродных нанотрубок , прозрачных и ЖК-дисплея и полимеров (частичный menjanjikan).

Транзистор Varietas:

Биполярный — транзистор с мана-электроном и «lubang» dapat menjadi pembawa muatan. Arus dapat mengalir seperti menuju emitor dan menuju kolektor … Arus kontrol tertentu diterapkan untuk mengontrol aliran.

— перангкат янь терсебар луас ди мана алиран листрик дикендаликан мелалуи медан листрик.Артинья, кетика медан янь лебих бесар тербентук, лебих баньяк электрон дитангкап олехня дан тидак дапат ментрансфер муатан лебих ланджут. Artinya, ini adalah jenis katup yang dapat mengubah jumlah muatan yang ditransfer (jika transistor efek medan dikendalikan P — n transisi). Цири кхас транзистор INI adalah tegangan input tinggi dan penguatan tegangan tinggi.

Gabungan — транзистор dengan resistor gabungan atau transistor lain dalam kasus yang sama.Melayani Untuk berbagai tujuan, tetapi terutama untuk meningkatkan keuntungan saat ini.

Подтип:

Биотранзистор — berdasarkan polimer biologis yang dapat digunakan dalam pengobatan, bioteknologi tanpambahayakan organisme hidup. Penelitian telah dilakukan atas dasar metaloprotein, klorofil A (berasal dari bayam), дан вирус мозаики тембакау.

Transistor Elektron Tunggal — pertama kali diciptakan oleh ilmuwan Rusia di 1996 tahun … Mereka bisa bekerja pada suhu kamar, tidak seperti pendahulunya. Принсип операсиня мирип денган транзистор эфек медан, тетапи лебих халус. Pemancar sinyal adalah satu atau lebih elektron. Транзистор ini disbut juga transistor nano dan transistor kuantum. Dengan bantuan teknologi ini, di masa depan, mereka berharap dapatmbuat transistor dengan ukuran kurang dari 10nm , berdasarkan grafena .

унтук апа транзистор дигунакан?

Transistor digunakan dalam sirkuit penguat , lampu , motor listrik дан perangkat lain jika diperlukan perubahan yang cepat ampere atau posisi termasuk mati … Транзистор juga dapatmbatasi kekuatan arus lancar , atau dengan metode detak berhenti sebentar … Yang kedua lebih umum digunakan untuk -kontrol. Menggunakan sumber дайя янь куат, я мелакукан иту мелалуй диринья сендири, менгатур денган арус янь лема.

Jika kekuatan arus tidak cukup Untuk menghidupkan rangkaian transistor, maka beberapa transistor dengan sensitivitas yang lebih besar, terhubung secara kaskade.

Транзистор Daya Yang terhubung dalam satu atau lebih paket digunakan dalam цифровой усилитель sepenuhnya berdasarkan.Mereka seringmbutuhkan pendinginan tambahan … Di sebagian без sirkuit, mereka bekerja di mode kunci (dalam mode sakelar).

Транзистор juga digunakan dalam sistem tenaga , аналоговый baik digital maupun (материнская плата , карта видео , Catu Daya & dll).

Pusat prosesor , juga terdiri dari jutaan dan miliaran transistor yang terhubung dalam urutan tertentu untuk perhitungan .

Setiap kelompok transistor mengkodekan sinyal dengan cara tertentu dan meneruskannya untuk diproses. Semua jenis дан ROM memori, juga terdiri dari транзистор.

Semuanya kemajuan dalam mikroelektronika akan praktis mustahil tanpa penemuan dan penggunaan транзистор. Sulitmbayangkan setidaknya satu perangkat elektronik tanpa setidaknya satu транзистор.

Pada artikel ini kami akan mencoba mendeskripsikan Prinsip operasi jenis transistor yang paling umum adalah bipolar. Транзистор биполярный adalah salah satu elemen aktif utama perangkat elektronik. Tujuannya adalah untuk bekerja pada penguatan daya sinyal listrik tiba di pintu masuknya. Penguatan Daya dilakukan dengan menggunakan sumber energi eksternal. Транзистор adalah komponen elektronik dengan tiga sadapan

Fitur desain Транзистор биполярный

Untuk produksi транзисторный биполярный, диперлюкан семикондуктор lubang atau jenis konduktivitas elektronik, яндиперолех dengan diffusi atau fusi dengan pengotor akseptor.Akibatnya, daerah dengan jenis konduktivitas polar terbentuk di kedua sisi увы.

Транзистор биполярный konduktivitas terdiri dari dua jenis: n-p-n dan p-n-p. Aturan operasi, ян тундук пада транзистор биполярный dengan konduktivitas n-p-n (untuk p-n-p, perlu untuk mengubah polaritas tegangan янь диберикан):

  1. Potensi positif pada kolektor lebih penting daripada emitor.
  2. Setiap транзистор мемилики максимумня параметр sendiri ян diizinkan Ib, Ic dan Uke, янь kelebihannya, pada prinsipnya, tidak dapat diterima, karena ini dapat menyebabkan kerusakan semikonduktor.
  3. Пин основа-излучатель дан основа-набор berfungsi seperti dioda. Себагай атуран, диода далам арах базис-эмитор тербука, дан далам арах базис-колектор смещение далам арах янг берлаванан, яиту, теганган янь масук менганггу алиран. arus listrik melalui dia.
  4. Джика поин 1 сампай 3 терпенухи, мака аррус Ик бербандинг лурус денган арус Иб дан бербентук: Ик = хе21 * Иб, димана хе21 адалах гейн ар. Aturan ini mencirikan kualitas utama transistor, yaitu bahwa arus base yang rendah mengontrol arus kolektor yang kuat.

Untuk транзисторный биполярный янь berbeda дари сери ян сама, индексы he21 pada dasarnya dapat berbeda dari 50 hingga 250. Nilainya juga tergantung pada arus kolektor yang mengalir, tegangan antara emitor dan kolekitarhu, sekitarhu.

Мари кита перикса атуран # 3. Олег Карена Иту теганган ян дитерапкан антара эмитор дан базис тидак болех менингкат секара сигнификан, карена джика теган базис 0,6 … 0,8 В лебих бесар дари эмитор (теганган маджу диода), мака арена ян сангат тингги акан мункул.Джади, далам транзистор ян беропераси, теганган пада излучатель дан базисный бергубунган сесуай денган румус: Ub = Ue + 0,6 В (Ub = Ue + Ube)

Sekali lagi, kita ingat bahwa semua poin ini mengacu pada transistor dengan konduktivitas n-p-n. Untuk tipe p-n-p, semuanya harus dibalik.

Anda juga harus memperhatikan fakta bahwa arus kolektor tidak memiliki hubungan dengan konduktivitas dioda, karena, sebagai aturan, basic kolektor menuju ke dioda tegangan balik … Selain itu, arus yang mengolekit melalui konduktivitas dioda, karena, sebagai aturan, base kolektor menuju ke dioda tegangan balik … dengan sumber arus kecil)

Кетика транзистор дихидупкан далам режим усилителя, хурма эмиттер тербука, дан персимпанган колектор тертутуп.Ini diperoleh dengan menghubungkan catu daya.

Karena persimpangan emitor terbuka, arus emitor akan mengalir melaluinya, yang muncul dari transisi lubang dari base ke emitor, serta elektron dari emitor ke base. Dengan demikian, arus emitor mengandung dua komponen — lubang dan elektron. Rasio injeksi menentukan efisiensi emitor. Injeksi muatan mengacu pada transfer pembawa muatan дари зона ди мана мерека менджади дасар ке зона ди мана мерека дибуат кесил.

Di basa, elektron bergabung kembali, dan konsentrasinya di basa diisi ulang dari plus sumber EE.Akibatnya, arus yang cukup lemah akan mengalir di sirkuit listrik pangkalan. Электрон ян терсиса, ян тидак пунья вакту унтук бергабунг кембали ди панкалан, ди бавах эфек перцепатан биданг хурма коллекционер ян теркунчи, себагай пембава миноритас, акан пиндах ке коллектор, менциптакан аррус коллекционер. Перпиндахан пембава муатан дари дэрах ди мана мерека кесил ке дэрах ди мана мерека менджади дасар вывести экстракси муатан листрик.

Самодельные сигнальные устройства для автомобильной сети.Автомобильные датчики. Бустер для запуска автомобиля своими руками

Автомобильный индикатор напряжения Akb

Устройство, показанное на рис. 1, сигнализирует с помощью светодиодных индикаторов о состоянии автомобильного аккумулятора.


Рис.1

При низком напряжении АКБ (менее 11,8 В) светодиод горит плохо Hl 1 красный свет. Во время зарядки АКБ (напряжение 12,8 … 14,8 В) компаратор работает Да 1.2. — Включает зеленое свечение LEDHl 2. Дальнейшее повышение напряжения (более 14.8 В) приводит к тому, что часть выходного тока компаратора DA 1.2 протекает через разомкнутый СтабилитронVD 2, диод VD 3 и резистор R 6, поэтому начинает светиться и светодиод Hl 1. При напряжении аккумулятора около 15 В. LEDHl 1 светится с нормальной яркостью и в паре с LEDHl 2 Они сигнализируют о перезарядке аккумулятора. Включение красного (Hl 1) светодиода служит сигналом аварии. При напряжении 11,8 … 12,8 В при отсутствии зарядки светодиоды выключены.

Устройство устройства сводится к установке нижнего (11,8 В) порога компаратора компаратора резистора R.2, остальные пороги устанавливаются автоматически.

Серебро О.

г. Запорожье

Датчик инерции для «Авто Сорри»

В основе инерциального датчика микроамперметра П1, рис.2.


Рис.2

Амперметр микроамперметр не переделывался. На схеме он используется с конечной шкалой с нулем в центре шкалы. Максимальный ток отклонения стрелки в любую сторону от нуля составляет 150 мкА, сопротивление корпуса 320 Ом.Стрела свободно раскачивается при любом даже незначительном изменении положения корпуса.

ЭДС подавляется в микроверстратной катушке, усиливается операционным усилителем А1, а его колебания преобразуются в импульсы импульсным усилителем на Vt. 1. Чувствительность можно установить резистором. СтабилиртонВД. 1 Защищает OU от выбросов напряжения в электросети автомобиля.

Микрометр Р1 можно заменить на отечественный типа М470, но его стрелку нужно отрегулировать как можно ближе к середине шкалы (смещение от крайней нулевой отметки так, чтобы она свободно переходила в другую сторону).

Капелкин В.С.

Схема автосигнализации

г. Радиоконструктор №2

2002, стр.38

Автоматическое выключение ближнего света

На рисунке 3 показано устройство, которое включает ближний свет после запуска двигателя.


Рис. 3.

На схеме автомобиля изображен датчик давления масла с подпружиненными контактами, нормально замкнутый и разомкнутый, когда пружина сжимается под давлением масла.Таким образом, при неработающем двигателе контакты датчика замыкаются, и они блокируются через одну — две секунды после запуска двигателя, то есть при повышении давления масла.

К транзисторному каскаду подключена контрольная лампа недостаточного давления масла. Когда зажигание включено, но двигатель еще не работает, давление масла небольшое и контакты замкнуты. Лампа горит, но транзистор закрыт, а контакты реле К1 разомкнуты. После запуска двигателя датчик открывает транзистор к базе транзисторов через резистор и лампу.Он открывается и реле К1 включает фары.

Конденсатор создает дополнительную задержку и исключает мигание фар при кратковременном падении давления масла. Диоды защищают транзистор от выбросов отрицательного напряжения.

Вместо составного транзистора КТ972 можно использовать какой-нибудь импортный аналог, либо собрать схему Дарлингтона на двух транзисторах (СТ315 и КТ815). Реле стандартное автомобильное, в данном случае импортное SCB — 1 — M1240.

Тимофеев П.С.

Звуковая сигнализация

Индикатор, изображенный на рисунке 4, может использоваться в различных устройствах, например, вместе с реле поворота плоскости.


Рис.4.

Источником звука в индикаторе является телефонная трубка ТК-67-Н. Особенность индикатора в том, что он полностью собран в Capsul Corps.

Индикатор собран по схеме генератора с индуктивной обратной связью на катушках колпачков L 1 и L 2.Вместо МП25а можно использовать любой низкочастотный p — N — P транзистор. Устройство надежно работает как от 6, так и от 12 В. Если индикаторный генератор не заработал сразу после включения, его следует поменять выводами одной из катушек. После установки заглушек необходимо залить до верхнего края витков эпоксидной смолой, парафином или битумом.

Козлов Л.

с. Чернухино

Луганская область.

Сигнал «Выключить фару» на микросхеме

Сейчас ПДД требуют ехать с включенными фарами по загородной трассе даже в ясный день.В некоторых странах необходимо ездить по городу. И в этом есть одна беда, из-за того, что особенно горит дневной свет фар, он не привлекает внимание водителя, выходящего из машины. А это приводит к тому, что очень легко забыть выключить фары и остаться с разряженным аккумулятором.



Рис.5

Устройство, изображенное на рисунке 5, предупреждает звуковым сигналом, исходящим от водителя водителя, о том, что фары необходимо выключить.Схема питается от цепочки ламп габаритных огней (от фар). И определяет, как пискнуть или не выдавить, как состояние двух датчиков, датчика давления масла (он же пин, на лампочке индикатора) и датчика открытия дверей (он в автомате включает свет в салоне и стоит также используется для сигнализации).

В общем, чтобы подписывающее устройство разрезало, нужны фары горения (питание на него) и эти оба датчика были замкнуты. Затем будильник издает прерывистый высокий тональный сигнал.

Датчик недостаточного давления масла здесь используется для определения двигателя. Если двигатель исправен, то при работе давление масла в нем достаточно высокое и контакты датчика давления разомкнуты. Если двигатель выключен, масляный насос не работает и давление масла небольшое, а контакты датчика замыкаются. Таким образом, когда мотор работает, на выходе 2D. 1.1 Поступает напряжение логической единицы и блокирует тональный мультивибратор D 1.1 — D 1.2.

На второй блокирующий вход этого мультивибратора поступает уровень с инфразвуковым мультивибратором.D 1.3 — D 1.4, задача которого в прерывании звука. Когда дверь закрыта, контакты датчика двери разомкнуты и на выходе 12D. 1.4 Входит в логическую единицу. При этом блокируется мультивибратор D 1.3 — D 1.4, а вместе с ним блокируется и блокируется тональный мультивибратор D 1.1 — D 1.2.

И в результате получается следующее. При включении фар схема питается от цепи габаритных огней через резистор R. 5. Если мотор работает, то на выходе 2D. 1.1 Входит в блок и схема блокируется. Схема будет заблокирована и при закрытии двери, т.к. на выходе 12D. 1.4 выйдет единица через 2.

руб.

Как только двигатель заглушен, выходное напряжение 2Д. 1.1 падает до нуля. Но на выходе 9D. 1.2 Есть еще агрегат, поэтому будильник не звучит. Далее, если при выключенных фарах и двигателе и выключенной двери открываем дверь, то напряжение на выходе 12D. 1.4 падает до нуля и оба мультивибратора начинают работать.Пугеэлектрический звук пустой F. 1 Начинает периодически давить, напоминая, что перед выходом из машины нужно выключить фары.

Стабилизаторы ВД 1- ВД 3 нужны для защиты микросхемы от нестабильности напряжения в электросети автомобиля, от выбросов системы зажигания и других неприятностей.

Пьезоизлучатель можно использовать, например, ЗП-1, ЗП-22 или от импортных телефонных или электронных часов.

Чтобы получить наибольший объем, нужно выбрать сопротивление R.3 Чтобы Punitioner вошел в резонанс, при этом резко увеличивается громкость.

Микросхема К561Л5 может быть заменена на К176Л5 или импортным аналогом.

Кроме настройки в резонанс, налаживания не требуется. При желании можно изменить частоту пульсаций, выбрав параметры цепочки R 4- C 2.

Захаров А.Н.

Контроллер остановки — сигнал автомобиля

Схема, которая пригодится для оснащения автомобиля — «контроллер» стоп-сигнала, рис.6.


Рис.6.

В отличие от известного, предлагаемый «контроллер» не требует вмешательства в проводку автомобиля, он просто подключается параллельно лампе стоп-сигнала.

Схема представляет собой фотоэлемент, чувствительным элементом которого является фоторезистор R. 1 — при включении лампы сигнал СТОП резко снижает свое сопротивление, в результате чего транзисторы VT 1, VT 2 открываются и выносятся на переднюю панель автомобильного устройства LEDHl 1 мигает, сигнализируя о том, что это не только напряжение на лампе стоп-сигнала, но это действительно светит.

Контроллер устанавливает только в выборе наилучшего положения фоторезистора R. 1 относительно лампы и подбором резистора R. 2, обеспечивая желаемое ощущение.

Иванов А.

ташкент.

Узбекистан

Сигнал «Выключите фары»

Сигнализатор выполнен из платы китайского кварцевого будильника, рис.7.


Рис.7.

Питается по цепи — лампа общего возгорания — датчик недостаточного давления масла.Датчик двери используется для включения сигнализации. При наличии сразу трех условий — горят фары, заглушается двигатель, открывается дверь, включается звуковая сигнализация.

Плата от будильника рассчитана на питание от источника 1,5В, поэтому питается от напряжения на LEDHl 1 (служит параметрическим стабилизатором).

Индикатор напряжения автомобильного аккумулятора

При зарядке АКБ вообще нет необходимости контролировать напряжение напряжения, это можно сделать простым светодиодным индикатором (рис.8), позволяющий судить о предельных значениях напряжения.


Рис.8.

В индикатор включены два одинаковых светодиода, практически идущие параллельно. Если напряжение аккумулятора ниже минимально допустимого (11,4 В), горит светодиод Hl 1, а если превышает верхний предел допустимого (14,5 В) -Hl 2. В промежутке между этими значениями светодиоды погашаются. .

Когда напряжение на щупе x1, x2 меньше 11,4 В, StabitronVD. 2 Открыть в цепи R 1 HL.1 подал напряжение стабилизации — примерно 3,5 В. Светодиод горит HL 1.

Когда напряжение увеличивается до заданного порогового уровня (11,4 В), Stabitron начинает открывать VD. 1, напряжение между анодом и катодом светодиода H11 падает и вскоре становится недостаточным для поддержания горения индикатора.

При дальнейшем увеличении напряжения и достижении значения 14,5 падение напряжения на резисторе R. 3 (от тока через StabitronVD. 2) будет превышать стабилизацию стабилизацию стабилизацииVD.1 Дошло, что загорится светодиод HL 2.

Волков С.

челябинск

Так что магнитола

Одной из основных причин выхода из строя автомобильной магнитолы является неисправность реле — регулятора автомобиля, в результате чего в некоторых режимах работы автомобиля напряжение в плате — сети может значительно подняться более чем на 15 В, вплоть до 17 — 18 В. В то же время магнитола, как правило, рассчитана на напряжение питания 11 — 15 В (номинальное 13,2 В).


Рис.9.

На рисунке 9 представлена ​​схема простого и надежного устройства, отключающего питание магнитолы при повышении напряжения питания выше 14,5 … 15 В. Схема состоит из тиристора Vs. 1, в анодную цепь которого включено реле Р1 с размыкающими контактами. Управляющий электрод тиристора, ток идет по цепи стабилизации VD 1 — VD 3 с общим напряжением стабилизации 14,1 В.

При этом напряжение в бортовой сети не превышает 14,5… 15 в стабилизаторах замкнуты и ток через них недостаточен для открытия тиристора. Обмотка реле Р1 обесточена и через ее контакты поступает напряжение на магнитолу.

Как только напряжение бортовой сети достигает критической отметки, стабилизаторы размыкаются, и ток, протекающий через них, размыкает тиристор VS 1. Реле цепи питания магнитола Sunbut, предотвращая его повреждение. В таком состоянии реле будет до тех пор, пока не будет кратковременно нажата кнопка S.1 Тихристор поворотный.

Тиристор CU202 с любым буквенным индексом, автомобильные реле с размыкающими контактами. Стабилизаторы можно брать другие, их может быть любое количество, важно, чтобы они имели суммарное напряжение 14-14,5 В (например, два стабилизатора КС170). Кнопка — любая размытость.

Алексеев В.В.

Однокнопочный ряд автосигнализации

Во многих конструкциях автомобильных сигнализаций «секретный тумблер» используется в качестве переключателя цепи сигнализации, а для исключения сигнализации тревоги от действий владельца машины он используется Gercon, вводя задержку в диаграмму. когда наложен магнитный брелок.


Рис.10.

На рисунке 10 показана схема простого сигнального переключателя, которым управляет одна броня или кнопка -S. 1. Если схема находится во включенном положении (реле P1 обесточено, а его нормально замкнутые контакты K1.1 запитаны по сигналу тревоги), выключить ее S 1, с R 1 будет поступать напряжение на управляющий электрод тиристора Vs. . 1 он разомкнется и включит реле Р1, которое переведет его контакты в противоположное, показанное на схеме, положение.При размыкании контактов S 1 Конденсатор C 1 Заряжается через R 1.

Чтобы включить сигнализацию, нужно снова закрыть S. 1, при этом напряжение с конденсатора С1 пойдет на тиристор в обратной полярности и закроет его. Реле P1 будет обесточено, и его контакты вернутся в указанное положение.

В текущем состоянии токовая цепь не потребляет и не разряжает аккумулятор. Когда сигнализация отключена, обмотка реле R1 находится под напряжением и по схеме потребляется ток, равный номинальному току выключателя обмотки реле.Но этого значения нет, потому что во время работы автомобиля происходит подзарядка аккумулятора от генератора.

Автомобильный индикатор напряжения


Рис. 11 На рисунке 11 показана схема автомобильного индикатора напряжения. Вот три стабилизации с разными напряжениями стабилизации: D814A — 7,5V, D814V — 9,5V и D814D — 12V. В качестве индикаторов падения напряжения 2,5 В. используются три ярких светодиода.
В результате при напряжении U. bX Ниже 10 В ни один из светодиодов не горит.

При напряжении от 10В до 12В горит HL 1. . При напряжении от 12В до 14,5В горят два светодиода HL 1. и HL 2. . А при напряжении все три светодиода горят больше 14,5В.

Простое самодельное устройство поможет сопровождать световую индикацию событий звуковыми сигналами. Панель приборов автомобиля предназначена не только для индикации скорости движения, на ней, помимо коммутационных устройств, расположены световые индикаторы — лампочки.

Некоторые из них предназначены для индикации нормального состояния автомобиля, фар, поворотников. Другие для обозначения аварийного состояния — разряд аккумулятора, низкое давление масла, низкий уровень масла, неисправность тормозов, низкий уровень тормозной жидкости, утечка охлаждающей жидкости, движение при незакрытой двери и т. Д.

Важнейшие показатели аварийного состояния самые важные, но зажигание лампочки на панели приборов, особенно в яркий солнечный день, во время не заметить.И это может иметь очень неприятные, а то и катастрофические последствия.

Рис.1. Понятие подключения сигнализации.

В некоторых автомобилях для индикации неисправности используется звуковая двойная лампочка, в других автомобилях она не предусмотрена. Однако также можно оборудовать дополнительным звуковым сигнализатором практически любой автомобиль, как отечественного, так и зарубежного производства. Схема представлена ​​на рисунке.

В качестве сигнализатора «Повар» со встроенным генератором, который обслуживается мигающим светодиодом.Мигающий светодиод нужен только для того, чтобы прервать ток через «отжим» и он прерывисто хлюпал.

В большинстве отечественных и многих зарубежных автомобилей для включения индикаторных ламп используются контактные датчики, которые, например, как датчик давления масла, подключают лампочку к корпусу (на «массу»), а те, которые подключают свет лампочка на плюс авиалайнера (например датчик управления тормозами).

В этой схеме могут работать и те, и другие. Датчики подключения лампочек на «Масса» — S4-S6.При их замыкании открывается соответствующий диод VD4-VD6 и через него подается питание. А включение контрольной лампы сопровождается звуком будильника. Датчики S1-S3 подключают лампочки к плюсовому променаду.

При замыкании диоды VD1-VDZ (или один из этих диодов) открываются. Это приводит к подаче напряжения открытия на базу ключа транзистора VT1, в коллекторную цепь которой входит схема последовательно включенного «Питания» BF1 и мигающего светодиода.Транзистор открывается и звучит сигнализатор. Транзистор здесь выполняет роль инвертора.

Вся схема легко монтируется в объем в задней части приборной панели, либо оформляется в отдельный корпус и размещается в удобном месте. Я не вижу причины ее гонорара. На схеме условно изображены три датчика разного типа. В конкретном автомобиле может быть другой номер. Если все датчики замкнуты на массе, -карлог на VT1 можно исключить.

В первый момент после включения зажигания звучит сигнализация до тех пор, пока двигатель не запустится (горит лампочка давления масла).Это, пожалуй, единственный недостаток тревоги.

Создание не требуется. После того, как несколько лет назад появилось дорожное правило, требующее ездить с ближним светом в дневное время, у некоторых водителей стали возникать проблемы из-за того, что дневные фары не особо заметны, а это вполне возможно. поставить машину на парковку, забыв выключить фары.

Конечно, при выключении зажигания ближний свет фар выключается автоматически, но габаритные огни продолжают работать, — их нужно выключить.А если их не выключить, аккумулятор может разрядиться за несколько часов стоянки, и запуск двигателя будет затруднен, особенно зимой.

Для напоминания водителю о необходимости включения и выключения фар предназначен очень простой сигнализатор, схема которого представлена ​​на рисунке 2.

Схема представляет собой сигнализатор от последовательно включенного «Питания» со встроенным генератором и мигающим светодиодом, прерывающим ток через «Питание».Сигнализация подключается к электронасосу автомобиля через диодный мост на диодах VD1-VD4, что позволяет сигнализатору срабатывать при любой полярности питающего тока.

Рис.2. Очень простой сигнализатор давления масла.

Один вход выпрямителя подключен к датчику давления масла, а второй — к габаритным огням.

Вот как это работает:

  1. Мотор работает, фары выключены. Итак, контакты датчика давления масла разомкнуты, контакты, питающие ток на габаритные огни (и фары), тоже разомкнуты.Ток течет через лампочку давления масла и через лампу общего пожара. Звучит сигнализатор.
  2. Мотор выключен, фары выключены. Итак, контакты датчика давления масла замкнуты, но контакты, подающие ток на габаритные огни (и фары), разомкнуты. Ток не течет, так как оба входа моста связаны с минусом. Сигнализатор не звучит.
  3. Мотор включен, фары включены.Итак, контакты датчика давления масла замкнуты, а контакты, питающие ток на габаритные огни (и фары), замкнуты. Ток не течет, так как оба входа перемычки подключены к плюсу. Сигнализатор не звучит.
  4. Мотор выключен, фары включены. Итак, контакты датчика давления масла замыкаются, замыкаются и контакты подают ток на габаритные огни (и фары). Ток протекает через датчик давления масла и через контакты выключателей габаритного пожара.Звучит сигнализатор.

Все детали, указанные на схеме, могут быть заменены любыми аналогами. «Повар» должен быть со встроенным генератором и номинальной мощностью 12В.

В данной статье представлены схемы простейших электронных сигнализаций, которые под силу сделать каждому, кто в минимальной степени знаком с электроникой или просто умеет держать паяльник в руке. Такие будильники будут полезны во многих случаях. Их можно поставить на окна, если в доме есть маленький ребенок, который сможет их открыть.У дверей квартиры или гаража охраняемая парковка. А при просмотре сторож вызовет полицию. Такую сигнализацию можно поставить и в квартире, если вы дружите с соседями. Даже если вы идете в поход, но не грешите разнести на ночь караул и по лагерю на случай диких животных или посторонних.

Первая схема Электронная сигнализация легко до крайности, проще до некуда. Это всего лишь один транзистор, резистор и исполнительное реле. Если предполагается звуковая сигнализация, вместо реле включить звуковую сирену или рут.

Принцип действия: Петля безопасности представляет собой тонкий провод или замкнутый контакт. Когда провод цел (или контакт замкнут), база транзистора заземлена, а транзистор закрыт. Ток между коллектором и эмиттером не течет.

Если оборвать охранный трос, или выкопать контакт, база подключится к источнику питания через резистор R1, транзистор откроется и сработает реле (или сирена). Вы можете только выключить его или выключить питание, или восстановить охрану поезда.
Такую сигнализацию можно использовать, например, для защиты ваших вещей. Азерон используется в качестве охранного контакта, сигнализация спрятана в боковом кармане сумки или рюкзака, а рядом расположен магнит. Если снять магнит с самой сигнализации (для перемещения предмета), сирена срабатывает на всех голосах.

Вторая схема с расширенными функциями пользователя

Как и в первом случае, контур безопасности используется как датчик, нормально замкнутый (в режиме защиты) контакт или зародыш замкнутого магнитного поля.При разрыве шлейфа срабатывает сигнализация, и ее работа продолжается до отключения питания. Восстановление шлейфа не отключает сигнализацию, еще какое-то время будет работать. Тревога имеет кнопку временной блокировки, которая необходима владельцу для выхода из охраняемой зоны. Тревога также имеет задержку срабатывания, необходимую для отключения владельца при входе в охраняемую зону.

Разберем работу схемы. Перед тем, как поставить сигнализацию на охрану, необходимо выключить (сдвинуть) переключатель S1.Его необходимо установить в кабинете рядом с входом. Можно использовать, например, скрытый ректор, который закрывает — открывает перестановку любого объекта со встроенным в него магнитом и тому подобное. Этот переключатель блокирует работу системы и перестает реагировать на разрыв шлейфа. При уходе выключатель S1 размыкается и конденсатор С2 начинает заряжаться через резистор R2. Пока конденсатор не заряжается до определенного значения, работает «слепая» система. И вы успеете покинуть объект, восстановив охранник или замкнув контакты.Подбором номиналов резистора R2 и конденсатора С2 добиваются приемлемой для себя задержки при выходе.

Если защита будет сломана, то конденсатор C1 начнет заряжаться через резистор R1. Эта пара создает небольшую задержку срабатывания сигнализации, и хост успевает ее нейтрализовать, повернув переключатель S1. Необходимо подобрать некоторые резистор и конденсатор для комфортного времени задержки срабатывания.
Если кабель порван злоумышленником, который не знает, как выключить сигнализацию, то через некоторое время после обрыва шлейфа сигнализация сработает (на обоих входах элемента D1.1 будет логической «1», соответственно на выходе «0». Проходя через инвертор D1. .2 снова станет «1» и откроет транзистор VT1. Транзистор обсуждает конденсатор С3 и через инвертор откроет транзистор VT2, что сделает исполнительный механизм или включит сирену.

Даже если злоумышленник быстро восстановит шлейф, то сирена продолжит работать, так как конденсатора С3 хватит для зарядки через резистор R3. Именно номиналы этой пары и определяют время срабатывания сигнализации после восстановления шлейфа.Если шлейф не восстановлен, сигнализация будет работать постоянно. Микросхема
— К561Л7, транзисторы — любые N-P-N (CT315, KT815 и др.) Блок питания — любой с напряжением +5 — +15 вольт. Исполнительное реле или сирену можно подключить к более мощному источнику питания, чем сама схема. В режиме простоя токовая схема практически не потребляет (на уровне саморазряда АКБ).

Простое самодельное устройство поможет сопровождать световую индикацию событий звуковыми сигналами.Панель приборов автомобиля предназначена не только для индикации скорости движения, на ней, помимо коммутационных устройств, расположены световые индикаторы — лампочки.

Некоторые из них предназначены для индикации нормального состояния автомобиля, фар, поворотников. Другие для обозначения аварийного состояния — разряд аккумулятора, низкое давление масла, низкий уровень масла, неисправность тормозов, низкий уровень тормозной жидкости, утечка охлаждающей жидкости, движение при незакрытой двери и т. Д.

Важнейшие показатели аварийного состояния самые важные, но зажигание лампочки на панели приборов, особенно в яркий солнечный день, во время не заметить.И это может иметь очень неприятные, а то и катастрофические последствия.

Рис.1. Понятие подключения сигнализации.

В некоторых автомобилях для индикации неисправности используется звуковая двойная лампочка, в других автомобилях она не предусмотрена. Однако также можно оборудовать дополнительным звуковым сигнализатором практически любой автомобиль, как отечественного, так и зарубежного производства. Схема представлена ​​на рисунке.

В качестве сигнализатора «Повар» со встроенным генератором, который обслуживается мигающим светодиодом.Мигающий светодиод нужен только для того, чтобы прервать ток через «отжим» и он прерывисто хлюпал.

В большинстве отечественных и многих зарубежных автомобилей для включения индикаторных ламп используются контактные датчики, которые, например, как датчик давления масла, подключают лампочку к корпусу (на «массу»), а те, которые подключают свет лампочка на плюс авиалайнера (например датчик управления тормозами).

В этой схеме могут работать и те, и другие. Датчики подключения лампочек на «Масса» — S4-S6.При их замыкании открывается соответствующий диод VD4-VD6 и через него подается питание. А включение контрольной лампы сопровождается звуком будильника. Датчики S1-S3 подключают лампочки к плюсовому променаду.

При замыкании диоды VD1-VDZ (или один из этих диодов) открываются. Это приводит к подаче напряжения открытия на базу ключа транзистора VT1, в коллекторную цепь которой входит схема последовательно включенного «Питания» BF1 и мигающего светодиода.Транзистор открывается и звучит сигнализатор. Транзистор здесь выполняет роль инвертора.

Вся схема легко монтируется в объем в задней части приборной панели, либо оформляется в отдельный корпус и размещается в удобном месте. Я не вижу причины ее гонорара. На схеме условно изображены три датчика разного типа. В конкретном автомобиле может быть другой номер. Если все датчики замкнуты на массе, -карлог на VT1 можно исключить.

В первый момент после включения зажигания звучит сигнализация до тех пор, пока двигатель не запустится (горит лампочка давления масла).Это, пожалуй, единственный недостаток тревоги.

Создание не требуется. После того, как несколько лет назад появилось дорожное правило, требующее ездить с ближним светом в дневное время, у некоторых водителей стали возникать проблемы из-за того, что дневные фары не особо заметны, а это вполне возможно. поставить машину на парковку, забыв выключить фары.

Конечно, при выключении зажигания ближний свет фар выключается автоматически, но габаритные огни продолжают работать, — их нужно выключить.А если их не выключить, аккумулятор может разрядиться за несколько часов стоянки, и запуск двигателя будет затруднен, особенно зимой.

Для напоминания водителю о необходимости включения и выключения фар предназначен очень простой сигнализатор, схема которого представлена ​​на рисунке 2.

Схема представляет собой сигнализатор от последовательно включенного «Питания» со встроенным генератором и мигающим светодиодом, прерывающим ток через «Питание».Сигнализация подключается к электронасосу автомобиля через диодный мост на диодах VD1-VD4, что позволяет сигнализатору срабатывать при любой полярности питающего тока.

Рис.2. Очень простой сигнализатор давления масла.

Один вход выпрямителя подключен к датчику давления масла, а второй — к габаритным огням.

Вот как это работает:

  1. Мотор работает, фары выключены. Итак, контакты датчика давления масла разомкнуты, контакты, питающие ток на габаритные огни (и фары), тоже разомкнуты.Ток течет через лампочку давления масла и через лампу общего пожара. Звучит сигнализатор.
  2. Мотор выключен, фары выключены. Итак, контакты датчика давления масла замкнуты, но контакты, подающие ток на габаритные огни (и фары), разомкнуты. Ток не течет, так как оба входа моста связаны с минусом. Сигнализатор не звучит.
  3. Мотор включен, фары включены.Итак, контакты датчика давления масла замкнуты, а контакты, питающие ток на габаритные огни (и фары), замкнуты. Ток не течет, так как оба входа перемычки подключены к плюсу. Сигнализатор не звучит.
  4. Мотор выключен, фары включены. Итак, контакты датчика давления масла замыкаются, замыкаются и контакты подают ток на габаритные огни (и фары). Ток протекает через датчик давления масла и через контакты выключателей габаритного пожара.Звучит сигнализатор.

Все детали, указанные на схеме, могут быть заменены любыми аналогами. «Повар» должен быть со встроенным генератором и номинальной мощностью 12В.

Что такое лед, знает каждый автомобилист. К сожалению, в этот период резко возрастает количество ДТП, особенно с учетом того, как очищаются дороги. Поэтому, особенно если вы до сих пор не нашли денег на зимний комплект резины, то этот вариант дешевой радиолюбительской разработки не будет лишним.Первая конструкция датчика ледяной головки будет информировать вас о температуре окружающей среды, чтобы вы были более внимательны.

Чтобы не ждать момента, когда вода в радиаторе закипит, предлагаю собрать схему в основе которой есть, это еще и датчик температуры.

Для снижения уровня помех от двигателя используется фильтр VD1, C1. В будильнике можно использовать мигающий красный светодиод.

Как только температура воздуха за бортом автомобиля упадет до 4 градусов Цельсия, устройство предупредит водителя о возможности образования льда на дороге.Для этого в переднюю панель, кроме индикатора температуры, интегрированы светодиод и динамик.

Если вы едете с незастегнутыми ремнями безопасности, вы можете получить травмы при аварии, или столкнуться с штрафом, ну, даже взяткой, чтобы дать гаишнику. В дорогих иномарках есть специальные датчики, которые сигнализируют водителю о том, что ремень не пристегнут, но в российских тазах и в иномарках российского производства часто не бывает. Однако эта штука необходима и при несложных манипуляциях может быть установлена ​​хотя бы в Запорожье, для этого фиксатора ремня безопасности необходимо поставить датчик от пружинного кольца.Если металлический язычок замка попал в паз, он замыкает это кольцо на автомобиле «кузов-земля». Следовательно, если на выходе микросхемы 1 d1 не пристегнуть ремень, появится логическая единица, которая приведет к запуску мультивибраторов, и пьезоэмиттер B1 начнет свистеть.

Устройство контроля уровня воды в радиаторе предназначено для сигнализации о снижении уровня воды, что приведет к перегреву мотора.

Основа устройства — мультивибратор на транзисторах Т2 и Т3.Его нагрузка — контрольная лампа L1. Транзистор Т4 способствует более четкой фиксации рабочего состояния транзистора Т2. Когда зонд в радиаторе погружается в воду, на базу транзистора T1 поступает напряжение смещения, и она открывается. При этом транзисторы Т2 и Т3 закрыты, лампа L1 испытывает. При понижении уровня воды в радиаторе щуп оказывается в воздухе, транзистор Т1 блокируется, Т2 открывается. Начинает работать мультивибратор с частотой 2 Гц, с такой же частотой мигает контрольная лампа.Транзисторы Т1, Т2 можно взять типа Кт361, Т3 — СТ602, Т4 — КТ315. Диод типа CD510 или другой точечный кремний

На большинстве автомобилей нет устройства, по показаниям которого водитель мог бы судить о напряжении бортовой сети. Напряжение автомобильной сети изменяется в широких пределах, в зависимости от режима работы системы электроснабжения. Точность измерения его значения обычно не требуется.

Все схемы, описанные в статье, используются для получения своевременного предупреждения о разряде аккумулятора в автомобиле, что поможет водителю избежать множества лишних проблем.

Как известно, до 25-30% транспортных происшествий происходит из-за засыпания водителей за рулем. Для оценки психофизиологического состояния водителя в процессе управления транспортным средством разработаны телеметрические системы контроля частоты мигания его век, регистрации биопотенциала, леноорганической реакции, двигательной активности. Все вышеперечисленные методы не нашли широкого применения на практике из-за своей сложности, дороговизны, необходимости закрепления на кожном покрове драйвера различных датчиков.

Для устранения этих недостатков разработано и испытано на практике принципиально новое техническое решение, отличающееся простотой, эксплуатационной надежностью, низкими стоимостными показателями. Принцип действия устройства предварительного предупреждения основан на автоматическом отслеживании мощности рулевого колеса водителю в процессе управления транспортным средством.

Психофизиологическими исследованиями установлено, что начальные стадии снижения умственной активности (начальные стадии наступления предсостояния) сопровождаются уменьшением силы сжатия рулевого колеса.Чтобы постоянно регистрировать усилие рулевого колеса, водитель разработал сенсорное устройство, выполненное в виде резистивного датчика, регистрируемого на рулевом колесе, гальванически связанного через электронный порог срабатывания с акустической и звуковой сигнализацией

где 1 штурвал
2-х эластичный кожух (резиновая трубка) датчик
3-х графический порошок
4-проводные электроды датчика
5-электронный блок 6-звуковая сигнализация

Конструктивно резистивный датчик выполнен в виде резиновой трубки, заполненной графитовым порошком и снабженной электродными заглушками.При сжатии датчика, зафиксированного на рулевом колесе, его электрическое сопротивление снижается за счет уменьшения контактного сопротивления между частицами графитового наполнителя.

Это явление используется для отслеживания статуса водителя. Электрическая концепция драйверов драйвера представлена ​​на рис. 2. Схема содержит компаратор DA1, низкочастотный генератор на элементах DD1.1 и DD1.2, инвертор на элементе DD1.3, усилитель на транзистор VT1 и электродинамический динамик WAP.Выходной электрический сигнал датчика R1 поступает на инвертирующий вход компьютеров DA1, который сравнивается с опорным напряжением, снятым с резистора R4 и безвинтового входа DA1.

Если напряжение на несогласованном входе компаратора становится больше, чем на инвертирующем, то на выходе компаратора DA1 нет напряжения, которое используется для питания генератора звуковой частоты (DD1.1 и DD1.2). Когда сила сжатия драйвера рулевого колеса автомобиля достигает минимально допустимого значения, напряжение на неконвертируемом входе становится ниже, чем на инвертирующем, и питание подается на генератор звуковой частоты.

Сигнал, снимаемый с генератора звуковой частоты, усиливается транзистором VT1 и подается на динамик VAP. Порог звуковой сигнализации задается резистором R4, громкость звука — резистором R5. Для изготовления устройства можно использовать постоянные резисторы типа МЛТ-0,125 Вт; переменная R4 — СП-33-48; И стремительный R6 — СП3-22. Конденсатор оксидный С3 типа К50-40; С1, С2 — К10-23. Транзистор VT1-КТ315Г или с любым другим буквенным индексом. Громкоговоритель Диффузор электродинамический ВА1-0,5-ГД-17 или любой другой аналогичный.

Установка устройства производится на плату из одностороннего фольгированного стеклотекстолита толщиной 1 … 1,5 мм, размером 32х55 мм. Один из возможных вариантов расположения элементов схемы и, соответственно, чертежа печатной платы показан на рис.3. Таким образом, любое недопустимое расслабление, сопровождающееся уменьшением силы контакта пальцев водителя с рулем, будет сопровождаться соответствующей сигнализацией.

Тем самым обеспечивается реализация режима непрерывного отслеживания физиологического параметра, который является потенциально инициирующим фактором в предаварийных ситуациях.Предлагаемая разработка выгодно отличается от известных аналогов функциональными параметрами и техническими преимуществами, в частности возможностями ее практического использования, без внесения неудобств технического, психологического, эргономического и эстетического характера в естественный алгоритм управления водителем. любые автомобили. На наш взгляд, простота конструктивного решения разработки и общедоступность его воспроизведения создают реальные предпосылки для его повсеместного внедрения в рамках программ внедрения по снижению аварийности на транспорте.

.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован.