Транзистор КТ361Б
Драгоценные металлы в транзисторе КТ361Б согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов. Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ361Б. Золото: 0.0007627 грамм. Серебро: 0 грамм. Платина: 0 грамм. Палладий: 0 грамм. Примечание: . Если у вас есть интересная информация о транзисторе КТ361Б сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте. Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора, Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор, Фото транзистора марки КТ361Б: 
Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных). Схемы включения полевых транзисторов Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а). Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется. Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем.
Справочные данные на транзисторы (DataSheet) КТ361Б включая его характеристики: Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов – Схемы радиоаппаратуры:
Транзистор доступное описание принципа работы.
Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто. В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления. 
Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них. Полевой транзистор отличается от биполярного тем, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны. Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.
В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа. Купить транзисторы или продать а также цены на КТ361Б:
250) 0,15W, цена 3.20 грн — Prom.ua (ID#1449819196)
Характеристики и описание
КТ361И
Транзисторы КТ361И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-13.
Климатическое исполнение: УХЛ.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
— приемка «1» ФЫ0.336.201ТУ.
Импортный аналог: BC157.
Характеристики транзисторов КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К:
| Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | Т | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max | IК. И. max | UКЭR max (UКЭ0 max) | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h31Э, (h31э) | UКБ (UКЭ) | IЭ (IК) | UКЭ нас. | IКБО | fгp. (f h31) | КШ | СК | |||
| мА | мА | В | В | В | мВт | В | мА | В | мкА | МГц | дБ | пФ | °С | |||
| КТ361А | p-n-p | 50 | — | 25 | 25 | 4 | 150 | 20. ..90 | 10 | 1 | — | 1 | 250 | — | 9 | -60…+100 |
| КТ361Б | p-n-p | 50 | — | 20 | 20 | 4 | 150 | 50…350 | 10 | 1 | — | 1 | 250 | — | 9 | -60…+100 |
| КТ361В | p-n-p | 50 | 40 | 40 | 4 | 150 | 40…160 | 10 | 1 | — | 1 | 250 | — | 7 | -60…+100 | |
| КТ361Г | p-n-p | 50 | — | 35 | 35 | 4 | 150 | 50…350 | 10 | 1 | — | 1 | 250 | — | 7 | -60…+100 |
| КТ361Д | p-n-p | 50 | — | 40 | 40 | 4 | 150 | 20…90 | 10 | 1 | — | 1 | 250 | — | 7 | -60…+100 |
| КТ361Е | p-n-p | 50 | — | 35 | 35 | 4 | 150 | 50. ..350 | 10 | 1 | — | 1 | 250 | — | 7 | -60…+100 |
| КТ361Ж | p-n-p | 50 | — | 10 | 10 | 4 | 150 | 50…350 | 10 | 1 | — | 1 | 250 | — | 9 | -60…+100 |
| КТ361И | p-n-p | 50 | — | 15 | 15 | 4 | 150 | 250 | 10 | 1 | — | 1 | 250 | — | 9 | -60…+100 |
| КТ361К | p-n-p | 50 | — | 60 | 60 | 4 | 150 | 50…350 | 10 | 1 | — | 1 | 250 | — | 7 | -60…+100 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. И. max — максимально допустимая импульсная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h31Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h31Э — коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКБ — постоянное напряжение коллектор-база транзистора.
• UКЭ — постоянное напряжение коллектор-эмиттер транзистора.
• IЭ — постоянный ток эмиттера транзистора.
• IК — постоянный ток коллектора транзистора.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБ0 — обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• fгр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• fh31 — предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора.
•
• СК — емкость коллекторного перехода.
• Т — максимально допустимая температура окружающей среды.
Был online: Сегодня
Продавец CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.
92% положительных отзывов
11 лет на Prom.ua
1000+ заказов
- Каталог продавца
- Отзывы
1910
Код: КТ361И
В наличии
10+ купили
3.20 грн
Киев ∙
Продавец CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.
Доставка
Оплата и гарантии
DataSheet PDF Search Site
Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39.com, основного источника таблиц данных. С обширной коллекцией спецификаций электронных компонентов, от транзисторов до микроконтроллеров, на Datasheet39.com есть все, что вам нужно для завершения ваших электронных проектов. |
Преимущества использования сайта
Вы можете бесплатно скачать все спецификации на Datasheet39. |
com. Для доступа к необходимой информации не требуется абонентской платы или требований к подписке. Найдите нужную спецификацию и сразу же загрузите ее. Мы стремимся предоставить нашим пользователям максимально возможное качество и скорость.Новые листы технических данных
| Номер детали | Функция | Производители | ПДФ |
| 115C120T | TDR | Амперит | |
| 1N5820 | Выпрямители с барьером Шоттки | Тайвань Полупроводник | |
| 1N5821 | Выпрямители с барьером Шоттки | Тайвань Полупроводник | |
| 1N5822 | Выпрямители с барьером Шоттки | Тайвань Полупроводник | |
| 83C196KC | КОММЕРЧЕСКИЙ/ЭКСПРЕСС CHMOS МИКРОКОНТРОЛЛЕР | Интел | |
| АП09Н90В-ХФ | N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ МОЩНОСТИ МОП-транзистора | Передовая силовая электроника | |
| AP10P10GH-HF | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ P-КАНАЛА POWER MOSFET | Передовая силовая электроника | |
| AP10P10GJ-HF | РЕЖИМ УСОВЕРШЕНСТВОВАНИЯ P-КАНАЛА POWER MOSFET | Передовая силовая электроника | |
| AP10P10GK-HF | РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ P-КАНАЛА POWER MOSFET | Передовая силовая электроника | |
| АП10ТН003П | N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ МОЩНОСТИ МОП-транзистора | Передовая силовая электроника |
Карты сайта
DataSheet PDF Search Site
Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39. Похожие записи |
