КТ368А кремнієвий транзистор NPN (900мГц 15В) (ТО18) Au, цена 52.50 грн — Prom.ua (ID#574377958)
Характеристики и описание
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.
Транзисторы КТ368А, КТ368Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: аА0.336.025 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ368Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 900 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h31Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50.
..300;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс
Технические характеристики транзисторов КТ368А, КТ368Б:
| Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max | Т max | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max | IК. И. max | UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h31э | UКЭ нас. | IКБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
| мА | мА | В | В | В | мВт | В | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ368А | n-p-n | 30 | 60 | 15 | 15 | 4 | 225 | 50. ..300 | — | 0,5 | 900 | 3,3 | 1,7 | 3 | 150 | -60…+100 |
| КТ368Б | n-p-n | 30 | 60 | 15 | 15 | 4 | 225 | 50…300 | — | 0,5 | 900 | — | 1,7 | 3 | 150 | -60…+100 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h31Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h31Э — коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО — обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• СЭ — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
Был online: Сегодня
Продавец CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.
10 лет на Prom.ua
1000+ заказов
- Каталог продавца
- Отзывы
1489
г. Киев. Продавец CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.
Был online: Сегодня
Код: КТ368А Au/ PYI
Под заказ. Доставка с 2.12.2022
Доставка по Украине
10+ купили
52.50 грн
Доставка
Оплата и гарантии
Транзистор 2Т368, КТ368 | Радиодетали в приборах
Транзисторы
30.06.2019
Arazbor
Транзистор 2Т368, КТ368
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников.
Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Содержание драгоценных металлов в транзисторе: 2Т368, КТ368
Золото: 0.0104
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1.
Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию.
Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий..jpg)
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Понравилось это:
Нравится Загрузка…
Tags: транзистор368 , 2368 , кт368 , ,
368 , 2368 , кт368 , ,368 , 2368 ( , n-p-n)
| Т = 25°С | Р — (Р — ), С/ | |||||||||||||||||||
| Т = 25С | ||||||||||||||||||||
I , макс. | я . макс | U R макс. (U 0 макс. ), | U 0 макс. , | U 0 макс. , | P макс , (P макс ), | Т, С | т макс , к | т макс , к | ч 21 (ч 21 ) | У (У ), | И (И ), | У , | И 0 , (И Р ), | ф (ф х31 ), | , | К , | С , | т , | ||
| 368 | 30 | 60 | 15 | 15 | 4 | (225) | 150 | 125 | 50. ..300 | 1 | (10) | 0,5 | 900 | 3,3 | 1,7 | 3 | 360 | |||
| 368 | 30 | 60 | 15 | 15 | 4 | (225) | 65 | 150 | 125 | 50…300 | 1 | (10) | 0,5 | 900 | 1,7 | 3 | 360 | |||
| 2368 | 30 | 60 | 15 | 15 | 4 | (225) | 65 | 150 | 125 | 50. ..300 | 1 | (10) | 0,5 | 900 | 3,3 | 1,7 | 3 | 360 | ||
| 2368 | 30 | 60 | 15 | 15 | 4 | (225) | 65 | 150 | 125 | 50…300 | 1 | (10) | 0,5 | 900 | 1,7 | 360 | ||||
www.5v.ru
