Каковы основные параметры и область применения транзистора КТ368А. Какие существуют аналоги КТ368А среди отечественных и зарубежных транзисторов. Как правильно подключить и использовать КТ368А в электронных схемах.
Общие сведения о транзисторе КТ368А
КТ368А — это кремниевый эпитаксиально-планарный NPN-транзистор, разработанный в СССР. Он относится к семейству малосигнальных высокочастотных транзисторов и предназначен для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.
Основные характеристики КТ368А:
- Структура: NPN
- Материал: кремний
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт
- Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 900 МГц
- Максимальное напряжение коллектор-база: 15 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база: 4 В
- Максимальный ток коллектора: 30 мА
- Коэффициент передачи тока h21E: 50-300
Область применения транзистора КТ368А
Благодаря своим характеристикам, КТ368А нашел широкое применение в различных электронных устройствах:
- Высокочастотные усилители
- Входные каскады радиоприемников
- Преобразователи частоты
- Генераторы высокой частоты
- Импульсные схемы
В каких конкретных устройствах можно встретить КТ368А? Этот транзистор часто использовался в бытовой радиоаппаратуре советского производства — радиоприемниках, магнитолах, телевизорах. Также КТ368А применялся в профессиональной и измерительной аппаратуре — осциллографах, генераторах сигналов, частотомерах.
Особенности конструкции и корпуса КТ368А
КТ368А выпускался в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами типа КТ-1-12. Масса транзистора не превышает 1 грамм. Корпус герметичен, что обеспечивает защиту кристалла от внешних воздействий.
Цоколевка КТ368А:
- 1 вывод — эмиттер
- 2 вывод — база
- 3 вывод — коллектор
Корпус КТ368А имеет небольшие размеры, что позволяет применять этот транзистор в компактных устройствах. При этом важно обеспечить хороший теплоотвод, особенно при работе транзистора на максимальной мощности.
Основные электрические параметры КТ368А
Рассмотрим подробнее ключевые характеристики транзистора КТ368А:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 15 В
- Максимальный импульсный ток коллектора: 60 мА
- Обратный ток коллектора: не более 0,5 мкА
- Емкость коллекторного перехода: 1,7 пФ
- Емкость эмиттерного перехода: 3 пФ
- Коэффициент шума на частоте 30 МГц: 3,3 дБ
- Температурный диапазон: от -60°С до +100°С
Какие выводы можно сделать из этих параметров? КТ368А обладает хорошими высокочастотными свойствами при относительно небольших допустимых напряжениях и токах. Это позволяет эффективно использовать его в маломощных ВЧ-каскадах.
Аналоги транзистора КТ368А
При необходимости замены КТ368А можно использовать следующие отечественные и зарубежные аналоги:
- КТ3102 — близкий отечественный аналог с похожими параметрами
- 2Т368 — полный аналог КТ368А
- BC547 — распространенный зарубежный аналог
- 2N3904 — популярный американский аналог
- BF494 — европейский аналог с близкими характеристиками
При выборе аналога важно учитывать не только основные параметры, но и особенности конкретной схемы. В некоторых случаях может потребоваться корректировка режимов работы при замене КТ368А на аналог.
Особенности применения КТ368А в электронных схемах
При использовании КТ368А в электронных устройствах следует учитывать ряд важных моментов:
- Необходимо обеспечить хороший теплоотвод, особенно при работе на высоких частотах
- Следует соблюдать полярность включения и не превышать предельно допустимые напряжения
- Для достижения оптимальных параметров важно правильно выбрать режим работы по постоянному току
- При работе на высоких частотах нужно минимизировать паразитные емкости и индуктивности в цепях транзистора
Как правильно подключить КТ368А? Типовая схема включения с общим эмиттером выглядит следующим образом:
- Коллектор подключается через нагрузку к положительному полюсу источника питания
- Эмиттер соединяется с общим проводом
- На базу подается входной сигнал через разделительный конденсатор
- Смещение базы обеспечивается резистивным делителем
Преимущества и недостатки КТ368А
Рассмотрим основные плюсы и минусы использования транзистора КТ368А:
Преимущества:
- Хорошие высокочастотные свойства
- Низкий уровень шумов
- Широкий диапазон рабочих температур
- Небольшие размеры корпуса
- Доступность и невысокая стоимость
- Относительно небольшая допустимая мощность рассеивания
- Чувствительность к статическому электричеству
- Необходимость обеспечения хорошего теплоотвода
- Ограниченная доступность новых экземпляров
Стоит ли использовать КТ368А в современных разработках? Несмотря на то, что этот транзистор был разработан достаточно давно, он по-прежнему может найти применение в любительских конструкциях и при ремонте старой аппаратуры. Однако для новых коммерческих изделий лучше использовать более современные аналоги.
Рекомендации по выбору режима работы КТ368А
Для получения оптимальных характеристик при использовании КТ368А важно правильно выбрать режим работы по постоянному току. Рекомендуемые значения:
- Напряжение коллектор-эмиттер: 5-10 В
- Ток коллектора: 1-10 мА
- Коэффициент усиления по току: 100-200
Как подобрать оптимальный режим? Необходимо учитывать конкретную схему применения, требуемые параметры усиления и частотный диапазон. Для маломощных высокочастотных каскадов обычно выбирают режим с небольшим током коллектора порядка 1-2 мА.
Особенности монтажа КТ368А
При монтаже КТ368А на печатную плату следует соблюдать ряд правил:
- Использовать антистатические меры предосторожности
- Не допускать перегрева выводов при пайке (не более 5 секунд при температуре 260°С)
- Обеспечить минимальную длину выводов
- При необходимости применять теплоотвод
- Исключить механические напряжения на выводах
Соблюдение этих рекомендаций позволит избежать повреждения транзистора и обеспечить его надежную работу в составе устройства.
КТ368А кремнієвий транзистор NPN (900мГц 15В) (ТО18) Au, цена 52.50 грн — Prom.ua (ID#574377958)
Характеристики и описание
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.
Транзисторы КТ368А, КТ368Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Технические условия: аА0.336.025 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ368Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h31Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50.
..300;• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс
Технические характеристики транзисторов КТ368А, КТ368Б:
| Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max | Т max | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IК max | IК. И. max | UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | РК max | h31э | UКЭ нас. | IКБО | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
| мА | мА | В | В | В | мВт | В | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ368А | n-p-n | 30 | 60 | 15 | 15 | 4 | 225 | 50. ..300 | — | 0,5 | 900 | 3,3 | 1,7 | 3 | 150 | |
| КТ368Б | n-p-n | 30 | 60 | 15 | 15 | 4 | 225 | 50…300 | — | 0,5 | 900 | — | 1,7 | 3 | 150 | -60…+100 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max — максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max — максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max — максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при заданном токе коллектора и токе базы, равным нулю.
• UКБ0 max — максимальное напряжение коллектор-база при заданном токе коллектора и токе эмиттера, равным нулю.
• UЭБ0 max — максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• РК max — максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h31Э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• h31Э — коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером.
• UКЭ нас. — напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО — обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• f гр — граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ — коэффициент шума транзистора.
• СК — емкость коллекторного перехода.
• ТП max — максимально допустимая температура перехода.
• Т max — максимально допустимая температура окружающей среды.
Был online: Сегодня
Продавец CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.
10 лет на Prom.ua
1000+ заказов
- Каталог продавца
- Отзывы
1489
г. Киев. Продавец CAR-LED. Радіокомпоненти.та LED освітлення.
Был online: Сегодня
Код: КТ368А Au/ PYI
Под заказ. Доставка с 2.12.2022
Доставка по Украине
10+ купили
52.50 грн
Доставка
Оплата и гарантии
Транзистор 2Т368, КТ368 | Радиодетали в приборах
Транзисторы
30.06.2019
Arazbor
Транзистор 2Т368, КТ368
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников.
Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Содержание драгоценных металлов в транзисторе: 2Т368, КТ368
Золото: 0.0104
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1.
Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию.
Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий..jpg)
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Понравилось это:
Нравится Загрузка…
Tags: транзистор368 , 2368 , кт368 , ,
368 , 2368 , кт368 , ,368 , 2368 ( , n-p-n)
| Т = 25°С | Р — (Р — ), С/ | |||||||||||||||||||
| Т = 25С | ||||||||||||||||||||
I , макс. | я . макс | U R макс. (U 0 макс. ), | U 0 макс. , | U 0 макс. , | P макс , (P макс ), | Т, С | т макс , к | т макс , к | ч 21 (ч 21 ) | У (У ), | И (И ), | У , | И 0 , (И Р ), | ф (ф х31 ), | , | К , | С , | т , | ||
| 368 | 30 | 60 | 15 | 15 | 4 | (225) | 65 | 150 | 125 | 50. ..300 | 1 | (10) | 0,5 | 900 | 3,3 | 1,7 | 3 | 360 | ||
| 368 | 30 | 60 | 15 | 15 | 4 | (225) | 65 | 150 | 125 | 50…300 | 1 | (10) | 0,5 | 900 | 1,7 | 3 | 360 | |||
| 2368 | 30 | 60 | 15 | 15 | 4 | (225) | 65 | 150 | 125 | 50. ..300 | 1 | (10) | 0,5 | 900 | 3,3 | 1,7 | 3 | 360 | ||
| 2368 | 30 | 60 | 15 | 15 | 4 | (225) | 65 | 150 | 125 | 50…300 | 1 | (10) | 0,5 | 900 | 1,7 | 3 | 360 | |||
www.5v.ru
