Кт502 параметры транзистора. КТ502: характеристики, параметры и применение популярного биполярного транзистора

alexxlabРазное
Какие основные параметры имеет транзистор КТ502. Чем отличаются модификации КТ502А-КТ502Е. Каковы особенности применения КТ502 в электронных схемах. Какие существуют аналоги и комплементарные пары для КТ502.

Содержание

Общая характеристика транзистора КТ502

КТ502 — это кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор p-n-p структуры. Он относится к категории маломощных низкочастотных транзисторов общего назначения. Основные особенности КТ502:

  • Структура p-n-p
  • Максимальная рассеиваемая мощность 350 мВт
  • Максимальный постоянный ток коллектора 150 мА
  • Граничная частота коэффициента передачи тока 5 МГц
  • Корпус TO-92 (пластиковый)

КТ502 выпускается в нескольких модификациях (А, Б, В, Г, Д, Е), отличающихся максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер и коэффициентом усиления по току.

Электрические параметры модификаций КТ502

Рассмотрим основные электрические характеристики различных модификаций транзистора КТ502:


ПараметрКТ502АКТ502БКТ502ВКТ502ГКТ502ДКТ502Е
Uкэ max, В-25-25-40-40-60-80
Uкб max, В-40-40-60-60-80-90
h21э40-12080-24040-12080-24040-12040-120

Как видно из таблицы, основные отличия заключаются в максимально допустимом напряжении коллектор-эмиттер (от 25 В для КТ502А/Б до 80 В для КТ502Е) и коэффициенте усиления по току h21э.

Область применения транзистора КТ502

Транзистор КТ502 находит широкое применение в различных электронных устройствах благодаря своим универсальным характеристикам. Основные области применения включают:

  • Усилители низкой частоты
  • Операционные и дифференциальные усилители
  • Преобразователи напряжения
  • Импульсные схемы
  • Схемы автоматики и управления

Благодаря наличию модификаций с разным максимальным напряжением, КТ502 можно использовать в схемах с различным питающим напряжением. Это делает его универсальным выбором для многих низкочастотных применений.


Особенности использования КТ502 в электронных схемах

При проектировании схем с использованием транзистора КТ502 следует учитывать некоторые особенности:

  • Максимальная рабочая частота ограничена примерно 2 МГц, что достаточно для большинства низкочастотных применений
  • Необходимо обеспечить эффективный теплоотвод при работе транзистора на максимальной мощности
  • Следует учитывать разброс параметров, особенно коэффициента усиления по току
  • При необходимости повышенной линейности или низкого уровня шума лучше использовать более специализированные транзисторы

Правильный выбор рабочей точки и режима работы позволяет эффективно использовать КТ502 в широком спектре устройств.

Цоколевка и маркировка транзистора КТ502

КТ502 выпускается в пластиковом корпусе TO-92 с тремя выводами. Цоколевка транзистора следующая:

  • 1 — Эмиттер
  • 2 — База
  • 3 — Коллектор

Маркировка на корпусе может быть двух видов:

  1. Кодовая — в виде белого полукруга слева вверху. Буква, обозначающая группу (А-Е), указывается справа сверху.
  2. Цветовая — желтая точка сбоку. Группа (А-Е) обозначается цветной точкой сверху:
  • А — темно-красная
  • Б — желтая
  • В — темно-зеленая
  • Г — голубая
  • Д — синяя
  • Е — белая

Правильная идентификация выводов и модификации транзистора критически важна для корректной работы схемы.


Аналоги и комплементарные пары для КТ502

При разработке или ремонте электронных устройств часто возникает необходимость в замене транзистора КТ502 на аналог. Рассмотрим наиболее близкие отечественные и зарубежные аналоги:

Отечественные аналоги:

  • КТ3102 (более современная серия с улучшенными параметрами)
  • КТ361 (для низковольтных применений)
  • КТ315 (n-p-n аналог для комплементарных схем)

Зарубежные аналоги:

  • BC557 (близкий аналог по параметрам)
  • 2N3906 (популярный p-n-p транзистор общего назначения)
  • 2N5401 (для высоковольтных применений)

Комплементарной парой для КТ502 является транзистор КТ503 (n-p-n структура). Использование комплементарной пары позволяет создавать симметричные усилительные каскады и другие схемы с улучшенными характеристиками.

Типовые схемы включения транзистора КТ502

Рассмотрим несколько типовых схем включения транзистора КТ502, демонстрирующих его возможности:

1. Простой усилительный каскад с общим эмиттером

Это базовая схема усиления сигнала, широко используемая в различных устройствах:



    +Vcc
     |
     R1
     |
    |/ 
----|  КТ502
    |\
     |
     R2
     |
    GND

В этой схеме КТ502 работает как усилитель напряжения. Коэффициент усиления определяется соотношением резисторов R1 и R2.

2. Ключевой режим

КТ502 можно использовать как электронный ключ для управления нагрузкой:


    +Vcc
     |
    [Нагрузка]
     |
    |/ 
----|  КТ502
    |\
     |
     R
     |
    GND

В этой схеме транзистор работает в режиме насыщения/отсечки, что позволяет эффективно управлять различными нагрузками.

3. Дифференциальный усилитель

Пара транзисторов КТ502 может быть использована для создания дифференциального усилителя:


        +Vcc
         |
     R   |   R
     |   |   |
    |/  |/  
----|  КТ502  КТ502  |----
    |\  |\  
     |   |   |
         R
         |
        GND

Эта схема позволяет усиливать разность двух входных сигналов, что полезно в измерительных приборах и аналоговых вычислительных устройствах.

Данные схемы демонстрируют универсальность применения транзистора КТ502 в различных электронных устройствах.



КТ502 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

Транзистор КТ502 – кремниевый эпитаксиально-планарный маломощный биполярный транзистор с p-n-p структурой. Применяется в схемах усилителей низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, а также в импульсных схемах. Выпускается в пластмассовом корпусе.

Цоколевка транзистора КТ502

Маркировка транзистора КТ502

Маркировка данного транзистора может быть двух видов:
1. Кодовая (в виде фигуры белого полукруга слева вверху). Группа (буква) указывается справа сверху.

2. Цветовая (в виде желтой точки сбоку). Группа (буква) указывается сверху также в виде точки определенного цвета:

А – темно-красная
Б – жёлтая
В – темно-зелёная
Г – голубая
Д – синяя
Е – белая

Характеристики транзистора КТ502

Транзистор Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), мВт h31э fгр., МГц
КТ502А 40 25 150(350) 350 40-120 5
КТ502Б 40 25 150(350) 350 80-240 5
КТ502В 60 40 150(350) 350 40-120 5
КТ502Г 60 40 150(350)
350		 80-240 5
КТ502Д 80 60 150(350) 350 40-120 5
КТ502Е 90 80 150(350) 350 40-120 5

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ502

КТ502А — 2N4125
КТ502Б — 2N4126

КТ502В — KSA539R
КТ502Г — BC638
КТ502Д — BC556A
КТ502Е — BC640

Транзистор КТ502 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ502

 

Описание

 

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,3 г.

 

Параметры транзисторов КТ502
ПараметрОбозначениеМаркировкаУсловияЗначениеЕд. изм.
АналогКТ502А KSA539R, 2N1257 *1, PN4248 *2, ВС315 *2, 2N1255 *1, ВС250
КТ502БKSA5390, PN4248, 2N2946 *1, 2SA1211 *1, 2N1258 *1, 2N2945A *3
КТ502ВKSA5450, 2N3910 *1, 2N3913 *1, JE9215,

JE9215A, KSA539

КТ502ГKSA539Y, MM4008 *1, 2N6223, JE9215C, JE9215B,

2SA561R, 2N3840 *3, 2SA937AP *1, 2SA937AMP *1, 2SA937AM *1, 2SA937A *1, 2SA1561АР *1, 2SA1561A *1, 2SA1547АР *1, 2SA1547A *1, 2SA545

КТ502ДKSA545R, ST4341 *3, BFS91 *1
, ТР3060, 2N3060 *1
КТ502ЕBSS68, BF397, 2N3062 *3
Структура —p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектораPK max,P*K, τ max,P**K, и maxКТ502А—350мВт
КТ502Б—350
КТ502В—350
КТ502Г—350
КТ502Д—350
 КТ502Е—350
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттеромfгр, f*h31б, f**h31э, f***maxКТ502А—5…50МГц
КТ502Б—5…50
КТ502В—5…50
КТ502Г—5…50
КТ502Д—5…50
 КТ502Е—5…50
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттераUКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.КТ502А—40В
КТ502Б—40
КТ502В—60
КТ502Г—60
КТ502Д—80
  КТ502Е—90
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектораUЭБО проб., КТ502А—5В
КТ502Б—5
КТ502В—5
КТ502Г—5
КТ502Д—5
 КТ502Е—5
Максимально допустимый постоянный ток коллектораIK max, I*К , и maxКТ502А—150(300*)мА
КТ502Б—150(300*)
КТ502В—150(300*)
КТ502Г—150(300*)
КТ502Д—150(300*)
 КТ502Е—150(300*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттераIКБО, I*КЭR, I**КЭOКТ502А40 В≤1мкА
КТ502Б40 В≤1
КТ502В60 В≤1
КТ502Г60 В≤1
КТ502Д80 В≤1
КТ502Е90 В≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттеромh21э,  h*21ЭКТ502А1 В; 30 мА40…120
КТ502Б1 В; 30 мА80…240
КТ502В1 В; 30 мА40…120
КТ502Г1 В; 30 мА80…240
КТ502Д1 В; 30 мА40…120
 КТ502Е1 В; 30 мА40…120
Емкость коллекторного переходаcк,  с*12эКТ502А10 В≤50
пФ
КТ502Б10 В≤50
КТ502В10 В≤50
КТ502Г10 В≤50
КТ502Д10 В≤50
 КТ502Е10 В≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.КТ502А—≤60Ом, дБ
КТ502Б—≤60
КТ502В—≤60
КТ502Г—≤60
КТ502Д—≤60
 КТ502Е—≤60
Коэффициент шума транзистораКш, r*b, P**выхКТ502А—≤320*Дб, Ом, Вт
КТ502Б—≤320*
КТ502В—≤320*
КТ502Г—≤320*
КТ502Д—≤320*
 КТ502Е—≤320*
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частотеτк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)КТ502А——пс
КТ502Б——
КТ502В——
КТ502Г——
КТ502Д——
 КТ502Е——

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

 

Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

 

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Транзистор кт502, характеристики, маркировка, аналоги, цоколевка

Транзисторы КТ502 универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p. Применяются в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных устройствах, преобразователях.

Зарубежный аналог КТ502

  • Во многих случаях можно заменить на KSA539
Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Особенности

  • Комплиментарная пара – КТ503

Корпусное исполнение

  • Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92)

Цоколевка КТ502

№1 — Эмиттер

№2 — База

№3 — Коллектор

Маркировка КТ502

КТ503А — сбоку светложелтая точка, сверху темнокрасная точка

КТ503Б — сбоку светложелтая точка, сверху желтая точка

КТ503В — сбоку светложелтая точка, сверху темнозеленая точка

КТ503Г — сбоку светложелтая точка, сверху голубая точка

КТ503Д — сбоку светложелтая точка, сверху синяя точка

КТ503Е — сбоку светложелтая точка, сверху белая точка

Характеристики транзистора КТ502

Предельные параметры КТ502

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 150 мА

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мА

Граничное напряжение биполярного транзистора (UКЭ0 гр) при ТП = 25° C:

  • КТ502А — 25 В
  • КТ502Б — 25 В
  • КТ502В — 40 В
  • КТ502Г — 40 В
  • КТ502Д — 60 В
  • КТ502Е — 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (UКБ0 max) при ТП = 25° C:

  • КТ502А — 40 В
  • КТ502Б — 40 В
  • КТ502В — 60 В
  • КТ502Г — 60 В
  • КТ502Д — 80 В
  • КТ502Е — 90 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при ТП = 25° C:

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PК max) при Т = 25° C:

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 350 мВт

Максимально допустимая температура перехода (Tп max):

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 125 ° C

Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 85 ° C
Электрические характеристики транзисторов КТ502 при Т
П = 25oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при (UКЭ) 5 В, (IЭ) 10 мА:

  • КТ502А — 40 — 120
  • КТ502Б — 80 — 240
  • КТ502В — 40 — 120
  • КТ502Г — 80 — 240
  • КТ502Д — 40 — 120
  • КТ502Е — 40 — 120

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ нас):

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (IКБ0)

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 1 мкА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 5 МГц

Емкость коллекторного перехода (CК)

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 20 пФ

Емкость эмиттерного перехода (CЭ)

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 15 пФ

Тепловое сопротивление переход-среда (RТ п-с)

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е — 214 ° C/Вт

Опубликовано 16.03.2020

DC-DC понижающий преобразователь — ссылка на товар.

Транзисторы КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г,КТ502Д, КТ502Е

Транзисторы КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г,КТ502Д, КТ502Е .

Транзисторы КТ502 — кремниевые, низкочастотные усилительные, структуры — p-n-p.
Корпус — пластмассовый с гибкими выводами, масса — около 0,3 гр..
Маркировка кодированная:
1. Знаковая — белый полукруг на корпусе сверху — слева, буква обозначающая группу сверху — справа.
2. Цветовая — желтое пятно сбоку, цвет пятна сверху обозначает группу.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) — 0,35 Вт.

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ502А, КТ502Б — 25 в.
У транзисторов КТ502В, КТ502Г — 40 в.
У транзисторов КТ502Д — 60 в.
У транзисторов КТ502Е — 80 в.

Максимальное напряжение коллектор-база:
У транзисторов КТ502А, КТ502Б — 25 в.
У транзисторов КТ502В, КТ502Г — 40 в.
У транзисторов КТ502Д — 60 в.
У транзисторов КТ502Е — 80 в.

Максимальное постоянное напряжение эмиттер-база — 5 в.

Максимальный постоянный ток коллектора — 100мА, импульсный — 350мА . Коэффициент передачи тока:
У транзисторов КТ502А, КТ502Б, КТ502Д, КТ502Е — от 40 до 120.
У транзисторов КТ502Г — от 80 до 140.

Обратный ток коллектор-база при максимальном напряжении коллектор-база — 1 мкА.

Напряжение насыщeния коллектор-эмиттер при токе коллектора 10 мА и токе базы 1 мА — не более 0,6в.

Напряжение насыщeния база-эмиттер при токе коллектора 10 мА и токе базы 1 мА — не более 1,2в.

Граничная частота передачи тока( fh31э ) — 5 МГц.


Зарубежные аналоги транзисторов КТ502.

КТ502А — 2N4125 .
КТ502Б — 2N4126.
КТ502В — KSA539R.
КТ502Г — BC638.
КТ502Д — BC556A.
КТ502Е — BC640.

На главную страницу

Транзистор КТ502Е

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ502Е предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.

Обозначение технических условий

Особенности

  • — 45 до + 100 C
  • Комплиментарная пара КТ503

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Эмиттер
№2 База
№3 Коллектор
Основные электрические параметры КТ502 при Токр. среды = 25 С
Параметры Обозначение Ед. изм. Режимы измерения Min Max
Гр. напряжение коллектор-эмиттер Uкэо гр. B Iк=-10mA, Iб=0 -25-80 —
Обратный ток коллектора Iкбо мкА Uкб= Uкб max — -1
Статический коэффициент передачи тока h31Е — Uкэ=-5B, Iк=-10 мA 40 240
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер Uкэ(нас) В Iк=-10 мA, Iб=-1 мA — -0,6
Напряжение насыщения база-эмиттер Uбэ(нас)* В Iк=-10 мA, Iб=-1 мA — -1,2
Граничная частота коэф. передачи тока fгр. * МГц Uкб= -5B, Iэ=—3 мA 5 —
Емкость коллекторного перехода Ск * пФ Uкб= -5B, f=1МГц — 50

* Справочные параметры

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ502
Параметры Обозначение Ед. измер. Значение
Напряжение коллектор-база Uкб max В -40-90
Напряжение коллектор-эмиттер Uкэ max В -25-80
Напряжение эмиттер-база Uэб max В -5
Постоянный ток коллектора Iк max мА -150
Импульсный ток коллектора

(tи 10)

 Iки max мА -300
Рассеиваемая мощность коллектора Pк max мВт 350
Температура перехода Tj C 150
Классификация КТ502
  КТ502А КТ502Б КТ502В КТ502Г КТ502Д КТ502Е
Uкб max, В -40 -40 -60 -60 -80 -90
Uкэ max, В -25 -25 -40 -40 -60 -80
Uкэо гр. -25 -25 -40 -40 -60 -80
h31e 40-120 80-240 40-120 80-240 40-120 40-120

2N5401 транзистор характеристики, datasheet, цоколевка, аналоги

Характеристики транзистора 2N5401 говорят о том, что он биполярный, кремниевый, p-n-p структуры , произведенный по эпитаксиально-планарной технологии. Применяется в коммутирующих устройствах, усилителях. Его также используют в аппаратуре, для которой важен низкий уровень шума и повышенное напряжение.

Распиновка

Стандартная цоколевка 2n5401, если смотреть на маркировку, слева на право: эмиттер, база, коллектор. Он изготавливается в пластмассовом корпусе с гибкими ножками. Большинство производителей делают его в корпусе TO-92.

Компания Unisonic Technologies, выпускает данное устройство в корпусе SOT-89. Расположение выводов слева на право:  база,  коллектор, эмиттер. Будьте внимательны при выборе транзистора, некоторые фирмы изготавливают его с другим порядком расположения контактов. Например у Hottech Industrial, цоколевка такая, слева на право: 1 — эмиттер, 2 — коллектор, 3 — база.

Технические характеристики

Наиболее важными техническими параметрами транзистора 2N5401 (при температуре +250С) являются:

  • Предельно допустимое напряжение между коллектором и эмиттером -160 В;
  • Наибольшее допустимое напряжение между коллектором и базой -150 В;
  • Предельное напряжение между эмиттером и базой — 6 В;
  • Предельная рассеиваемая мощность коллектора 0,625 Вт;
  • Наибольший допустимый ток коллектора -0,6 А;
  • Коэффициент усиления по току (hfe) 60 … 240;
  • Наибольшая частота коэффициента передачи тока 100 МГц;
  • Рабочая температура -55…+150 0С, у кристалла до 150 0С.

Электрические

У большинства производителей значения параметров, для PNP-структур, указано со знаком минус. Имейте ввиду, что таким образом они указывают обратное напряжение на P-N переходе (на коллектор — минус, на базу плюс). Ниже, в таблице, приведены все электрические величины для 2N5401 при температуре +250С.

Тепловые

Тепловые параметры показывают, на какую температуру транзистор может нагреться при заданной рассеиваемой мощности. Они влияют на надежность работы, ведь при превышении максимальной температуры устройство выйдет из строя. Эти значения важны также, при выборе радиатора.

Аналоги и комплементарная пара

Наиболее подходящий отечественный аналог транзистора 2N5401 — это КТ6116А, КТ502Е или КТ698К. Среди зарубежных данный прибор можно заменить такими: 2N5400, ECG288, MMBT5401, MPSA92, MPSA93, MPSL51, BF491, ECG288, 2SB646, 2SB646A, 2SA637, 2SB647, 2SB647A, 2SA638, BC526A, BC404VI, 2SA1015, 2SA709. Комплементарной парой для него, согласно документации производителей, могут быть n-p-n транзисторы: 2N5551 2N5550.

Производители

Далее по ссылкам и названием компаний можете найти datasheet 2N5401 от следующих производителей: NXP Semiconductors, Semtech Corporation, Boca Semiconductor Corporation, Micro Electronics, ON Semiconductor, Weitron Technology, UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD, SeCoS Halbleitertechnologie GmbH, Samsung semiconductor, Motorola, Inc, Multicomp, SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD., SEMTECH ELECTRONICS LTD, Inchange Semiconductor Company Limited, KODENSHI KOREA CORP, New Jersey Semi-Conductor Products, Inc, Daya Electric Group Co., Ltd, Dc Components, Central Semiconductor Corp, AUK corp, Fairchild Semiconductor, Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd, Micro Commercial Components, Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL CO.,LTD, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD.

Транзисторы кт503, 2т503. справочник, справочные данные, параметры, цоколевка, datasheet, даташит

Главная > Дополнительно > Транзисторы кт503, 2т503. справочник, справочные данные, параметры, цоколевка, datasheet, даташит

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе базы 1 мА — не более 0.6 В, обычно на основе нашего опыта 0.15 В

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе базы 1 мА — не более 1.2 В, обычно на основе нашего опыта 0.6 В

Рабочая частота — до 2 МГц. Схемы с общим эмиттером, выполненные нами, стабильно работают на частоте до 2 МГц.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор — база 5 В — не более 20 пФ.

Постоянное обратное напряжение база — эмиттер — 5 В.

Постоянное ток коллектора — 0.15 А.

Импульсный ток коллектора — 0.35 А.

Постоянный ток базы — 0.1 А.

Постоянная рассеиваемая мощность — 0.35 Вт.

КТ502А, 2Т502А

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 40 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

КТ502Б, 2Т502Б

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 40 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 80 — 240.

КТ502В, 2Т502В

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 60 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

КТ502Г, 2Т502Г

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 60 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 80 — 240.

КТ502Д, 2Т502Д

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 80 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

КТ502Е, 2Т502Е

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 90 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

(читать дальше…) :: (в начало статьи)

:: ПоискТехника безопасности :: Помощь

К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости, чтобы быть в курсе.

Если что-то непонятно, обязательно спросите!Задать вопрос. Обсуждение статьи.

Еще статьи

Сверхмощный импульсный усилитель звука. Площади. Вещательный. Звуковой…
Сверхмощный импульсный усилитель звука для озвучивания массовых мероприятий и пр…

Операционные усилители К544УД1, К544УД1A, К544УД1Б, 544УД1, 544УД1A, 5…
Характеристики и применение операционных усилителей 544УД1. Распиновка…

Датчик уровня жидкости. Реле. Автоматическое включение / выключение на…
Автомат наполнения емкости с водой включает и выключает насос в зависимости от у…

Усилитель на полевом транзисторе. FET, MOSFET. Звуковая, низкая частот…
Применение полевых транзисторов в низкочастотных усилителях….

Поиск, обнаружение разрывов, обрывов проводки. Найти, искать, отыскать…
Детали, сборка и наладка прибора для обнаружения скрытой проводки и ее разрывов…

Операционный усилитель, ОУ, операционник. Свойства. Характеристики. Ма…
Понятие операционного усилителя. Схемы, применение, классификация. Тонкости….

Интегральный аналог конденсатора большой емкости. Умножитель, имитатор…
Умножитель емкости. Имитатор большого конденсатора на интегральной микросхеме…

Детектор, датчик, обнаружитель скрытой проводки, разрывов, обрывов. Сх…
Схема прибора для обнаружения скрытой проводки и ее разрывов для самостоятельног…

Применение

В основном применяются в схемах автоматики, усилителях низкой частоты (если нет требований по низкому уровню шума, высокой линейности и стабильности), микромощных источникам питания.

Примеры устройств:

  • Бестрансформаторный источник питания
  • Аналог динистора в релаксационном генераторе
  • УМЗЧ высокого качества
  • Датчик уровня жидкости

Вообще эти транзисторы относятся к числу наших самых любимых радиодеталей. Если необходим низкочастотный биполярный n-p-n транзистор без дополнительных требований, то это — КТ503, если необходима пара транзисторов p-n-n, n-p-n, с близкими характеристиками, то это — КТ502, КТ503.

Справочный листок по транзисторам КТ501А…М:

Электрические

параметры:
Статический
коэффициент передачи тока в
схеме с ОЭ:
при UКЭ = 1 В,
IК = 30 мА		КТ501А, КТ501Г, КТ501Ж, КТ501Л20…60
КТ501Б, КТ501Д, КТ501И, КТ501М40…120
КТ501В, КТ501Е, КТ501К80…240
при UКЭ = 1 В,
IК, имп. = 0,5 мА		не менее6
Граничная частота
коэффициента передачи тока в
схеме ОЭ при UКЭ = 5 В, IК
= 10 мА:
 не менее5 МГц
Коэффициент шума при UКБ
= 3 В, IК = 0,2 мА, RГ = 3
кОм, f = 1 кГц
 не более4 дБ
 типовое значение2 дБ
Напряжение насыщения
коллектор — эмиттер, не более:
при IК = 0,3 А, IБ = 0,06
А		 0,4 В
при IК = 0,5 А, IБ = 0,1
А		 0,7 В
Напряжение насыщения
база — эмиттер при IК = 0,3 А,
IБ = 0,06 А:
 не более1, 5 В
Обратный ток
коллектор — эмиттер, при UКЭ R =
UКЭ R, макс., RБЭ = 10
кОм:
 не более1 мкА
Обратный ток эмиттера
при UБЭ = UБЭ, макс.:
 не более1 мкА
Емкость коллекторного
перехода при UКБ = 10 В, f = 500
кГц:
 не более50 пФ
Емкость эмиттерного
перехода при UБЭ = 0,5 В, f =
500 кГц:
 не более100 пФ
Предельные

эксплуатационные данные:
Постоянные напряжения
напряжение коллектор — база и
коллектор — эмиттер:
при RБЭ <= 10 кОм,
Т = +25…+125 С:		КТ501А, КТ501Б, КТ501В15 В
КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е30 В
КТ501Ж, КТ501И, КТ501К45 В
КТ501Л, КТ501М60 В
Постоянное напряжение
база — эмиттер:
при Т = -60…+125 С:КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г,
КТ501Д, КТ501Е		10 В
при Т = +25…+125 С:КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М20 В
Постоянный ток
коллектора:
  0,3 А
Импульсный ток
коллектора:
  0,5 А
Постоянный ток базы:
  0,1 А
Постоянная
рассеиваемая мощность
коллектора при T <= -60…+35С:
  0,35 Вт
Температура p-n
перехода:
  +150 С
Температура
окружающей среды:
  -60…+125 С
При включении
транзистора в цепь,
находящуюся под напряжением,
базовый контакт
присоединяется первым и
отключается последним.
Расстояние от места сгиба до
корпуса транзистора не менее 3
мм с радиусом закругления 1,5…2
мм.
Пайка выводов допускается не
ближе 5 мм от корпуса
транзистора.

Возврат к оглавлению
справочникаНа Главную страницу
www.5v.ru

КТ501 (кремниевый транзистор, p-n-p)

КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г,
КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л,
КТ501М
Транзисторы кремниевые
эпитаксиально-планарные структуры
p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в
усилителях низкой частоты,
операционных, дифференциальных и
импульсных усилителях,
преобразователях.
Выпускаются в металлостеклянном
корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Изготовитель — акционерное
общество «Кремний», г. Брянск.

ПриборПредельные
параметры		Параметры при
T = 25°C		RТ п-с, °C/Вт
  при T = 25°C           
IК max, мАIК и max, мАUКЭ0 гр, ВUКБ0 max, ВUЭБ0 max, ВPК max, мВтT, °CTп max, °CTmax, °Ch21ЭUКЭ, ВIЭ, мАUКЭ нас, ВIКБ0, мкАfгр, МГцКш, дБCК, пФCЭ, пФtрас, мкс
КТ501 А3005001515103503515012520…6015000,415450100 300
КТ501 Б3005001515103503515012540…12015000,415450100 300
КТ501 В3005001515103503515012580…24015000,415450100 300
КТ501 Г3005003030103503515012520…6015000,415450100 300
КТ501 Д3005003030103503515012540…12015000,415450100 300
КТ501 Е3005003030103503515012580…24015000,415450100 300
КТ501 Ж3005004545203503515012520…6015000,415450100 300
КТ501 И3005004545203503515012540…12015000,415450100 300
КТ501 К3005004545203503515012580…24015000,415450100 300
КТ501 Л3005006060203503515012520…6015000,415450100 300
КТ501 М3005006060203503515012540…12015000,415450100 300
Оцените статью:Цепи транзисторов

в Proteus — как переключатели, бистабильные, нестабильные, инверторные

Программа

Proteus содержит большое количество практически всех типов транзисторов. Это программное обеспечение можно использовать в качестве переключателя транзисторов при проектировании схем. В этой главе, посвященной Proteus, объясняются основные схемы, использующие транзисторы, и анализируются эти схемы с помощью инструментов, доступных в программном обеспечении.

Транзисторы в Proteus

Различные типы транзисторов, такие как BJT, FET, MOSFET и некоторые силовые электронные полупроводниковые переключатели, такие как SCR, TRIAC, IGBT и т. Д.доступны в Proteus. В основном BJT используются для приложений с низким энергопотреблением и усилителей, в то время как MOSFET, IGBT используются для нагрузок с высокой частотой коммутации и высокой номинальной мощностью; например, инверторы, домашние ИБП и т. д. Несмотря на то, что SCR, TRIAC не подпадают непосредственно под категорию транзисторов, они также похожи на транзисторы в цепях переменного тока.

Различные типы транзисторов в транзисторе Proteus

в качестве переключателя

Основное применение транзистора — это переключение. Одним из наиболее распространенных способов использования является управление реле для включения / выключения нагрузки.Управляющий сигнал может быть получен путем ручного ввода или может быть сгенерирован другим блоком в схеме.

В этом примере объясняется, как использовать транзистор в качестве переключателя в программном обеспечении Proteus, чтобы управлять реле с помощью транзистора BC 547.

Принципиальная схема транзистора в качестве переключателя

На видео ниже показано, как разместить схему в рабочем пространстве и основные принципы работы схемы.

Транзистор в коммутационных приложениях имеет режим отсечки и режим насыщения.Если базовый сигнал не применяется, транзистор остается в выключенном состоянии, известном как состояние отключения. Когда подается достаточно В, и , транзистор включается и находится в состоянии насыщения. Типичные условия работы для различных режимов конкретного транзистора взяты из его таблицы данных.

Как упоминалось ранее, программное обеспечение Proteus можно использовать для анализа цепей. В видео ниже показано, как анализировать схему транзистора.

Бистабильная схема фиксации на транзисторах

Бистабильная схема имеет два стабильных состояния, т.е.е. выходная клемма, принимаемая за эталон, остается либо в высоком, либо в низком состоянии в зависимости от положения переключателя.

Принципиальная схема бистабильной защелки

Состояние транзисторов изменяется путем изменения положения переключателя. Между двумя переключениями транзисторы остаются в одном из своих стабильных состояний. Видео ниже объясняет работу схемы.

Моностабильная схема на транзисторах

Моностабильная схема имеет только одно стабильное состояние, т.е.е. выходной терминал, принимаемый за эталон, остается в состоянии высокого или низкого уровня в течение предварительно установленного времени.

Принципиальная схема моностабильной защелки

При подаче отрицательного фронта на выходной транзистор он меняет свое состояние с низкого на высокий и остается в высоком состоянии до постоянной времени T и возвращается в низкое состояние, то есть в стабильное состояние. .

T = 0,693 * R * C

Первоначально Q2 будет в выключенном состоянии, и конденсатор будет заряжен до Vcc.При подаче положительного импульса Q2 включится, а Q1 выключится. Конденсатор разряжается через Q2. После полной разрядки конденсатора Q2 выключится и заряжается через Q1, заставляя его включиться.

Мультивибратор нестабильный

Нестабильная схема не имеет стабильного состояния, т.е. состояние выхода постоянно переключается с заданным периодом времени. Эта схема также называется автономным генератором. Используется в цепях инвертора прямоугольной формы, цепях ходового света и т. Д.

Принципиальная схема нестабильного мультивибратора

Циклы зарядки и разрядки, как и в моностабильной схеме, происходят в этой цепи непрерывно, что делает ее автономным генератором.Период времени получен из,

T = 0,693 * R * C

Схема инвертора прямоугольной формы

Используя силовые транзисторы, можно сконструировать прямоугольный инвертор. В приведенной ниже схеме используется генератор импульсов в программном обеспечении для подачи сигналов переключения на транзисторы.

Настройка свойств генератора импульсов

Схема инвертора в основном представляет собой двухтактный усилитель. Когда сигнал переключения составляет + ve sat , транзистор NPN включен, а транзистор PNP выключен.Аналогично, когда сигнал переключения равен -ve sat, транзистор PNP включен, а транзистор NPN выключен. Это заставляет ток течь в обоих направлениях через нагрузку.

Принципиальная схема прямоугольного преобразователя

Трансформатор и подходящий конденсатор могут быть подключены (во вторичной обмотке) для повышения напряжения нагрузки. Однако в этом примере основное внимание уделяется использованию транзисторов в программном обеспечении Proteus.

Типы тиристоров. Тиристорные переключатели переменного тока.Как проверить тиристор от отдельного источника управляющего напряжения

В схемах и технической документации часто используются различные термины и знаки, но не все начинающие электрики знают их значение. Предлагаем обсудить, что такое силовые тиристоры для сварки, принцип их действия, характеристики и маркировка этих устройств.

Многие видели тиристоры в гирлянде «Бегущий огонь», это простейший пример описанного устройства и принцип его работы.Кремниевый выпрямитель или тиристор очень похож на транзистор. Он многослойный. Полупроводниковый прибор, основным материалом которого является кремний, чаще всего в пластиковом корпусе. Из-за того, что его принцип работы очень похож на выпрямительный диод (выпрямители переменного тока или динисторы), обозначение на схемах часто совпадает — это считается аналоговым выпрямителем.

Тиристорное разделение по мощности

Он вращается между двумя анодами при подаче сигнала на дверь.Его можно рассматривать как два антипараллельных тиристора. Подобно тиристору, этап блокировки на этапе проводимости осуществляется путем подачи импульса тока на затвор и переключения из состояния проводимости в состояние блокировки путем уменьшения тока ниже поддерживающего тока. Он состоит из 6 слоев полупроводникового материала, как показано на рисунке. Использование симисторов, в отличие от тиристоров, в основном переменного тока. Его характеристическая кривая отражает работу, очень похожую на работу тиристора, возникающую в первом и третьем квадрантах системы осей.

Фото — Схема гирлянды бегущего огня

Есть :

  • Тиристоры с блокировкой ABB (GTO),
  • стандартный полукруглый,
  • мощная лавинная типа ТЛ-171,
    • Оптопары
  • (например, модуль ТО 142-12,5-6-600 или МТОТО 80),
  • симметричный ТС-106-10,
  • низкочастотный МТТ,
  • симистор ВТА 16-600В или Вт для стиральных машин,
  • частота ТБ,
  • зарубежные ТПС 08,
  • Тын 208.

Но при этом для высоковольтных устройств (печи, станки, другая производственная автоматизация) используют транзисторы типа IGBT или IGCT.

Это связано с его двунаправленностью. Основная польза симисторов в том, что от регулятора мощности на нагрузку подается переменный ток. Герметизация симистора идентична герметизации тиристора. Тиристор Перейти к: навигация, поиск. Электронный символ, представляющий тиристор. Материалы, из которых он состоит, относятся к полупроводниковому типу, то есть, в зависимости от температуры, при которой они обнаруживаются, они могут действовать как изоляторы или как проводники.

Обычно используется для управления электроэнергией. Основные операции Тиристор представляет собой бистабильный переключатель, то есть электронный эквивалент механических переключателей; следовательно, они способны полностью пропускать или полностью блокировать прохождение тока без какого-либо промежуточного уровня, хотя они не способны выдерживать большие скачки тока. Этот основной принцип можно также наблюдать в диоде Шокли. Конструкция тиристора позволяет тиристору быстро включаться, когда он получает мгновенный импульс тока на свой управляющий вывод, называемый затвором, при наличии положительного напряжения между анодом и катодом, т.е.е. напряжение на аноде больше, чем на катоде.

Фото — Тиристор

Но, в отличие от диода, который представляет собой двухслойный (PN) трехслойный транзистор (PNP, NPN), тиристор состоит из четырех слоев (PNPN), и это полупроводниковое устройство содержит три pn перехода. В этом случае диодные выпрямители становятся менее эффективными. Это хорошо демонстрирует схема управления тиристорами, а также любой справочник электриков (например, в библиотеке вы можете бесплатно прочитать книгу автора Замятина).

Его можно выключить только путем отключения источника напряжения, размыкания цепи или пропускания через устройство тока в обратном порядке. Если тиристорный реверс поляризован, слабый обратный ток утечки будет достигнут до достижения точки максимального обратного напряжения, в результате чего элемент будет разрушен. Чтобы устройство оставалось в активном состоянии, ток должен быть индуцирован от анода, который намного меньше, чем устройство, без которого устройство перестало бы двигаться.По мере увеличения тока затвора точка запуска смещается.

Тиристор — это однонаправленный преобразователь переменного тока, то есть он проводит ток только в одном направлении, но, в отличие от диода, устройство можно заставить работать как переключатель разомкнутой цепи или как выпрямительный диод постоянного электрического тока. Другими словами, полупроводниковые тиристоры могут работать только в режиме переключения и не могут использоваться в качестве усилительных устройств. Ключ на тиристоре не может перейти в закрытое положение.

Тиристор также может быть запущен, если нет тока затвора, а напряжение на аноде и катоде больше, чем напряжение блокировки.Способы активации тиристорного света: если луч света попадет на стыки тиристоров до тех пор, пока не достигнет того же кремния, количество электронно-полых пар увеличится, и тиристор можно будет активировать. Ток затвора: для тиристора с прямой поляризацией подача тока затвора путем приложения положительного напряжения между затвором и катодом активирует его. Тепловой: очень высокая температура в тиристоре приводит к увеличению количества электронно-полых пар, что увеличивает ток утечки, что увеличивает разницу между эмиттером и коллектором, и из-за регенеративного эффекта этот ток может стать равным 1, и тиристор может быть активирован.

Кремниевый управляемый выпрямитель — это одно из нескольких силовых полупроводниковых устройств с симисторами, диодами переменного тока и однопереходными транзисторами, которые могут очень быстро переключаться из одного режима в другой. Такой тиристор называется быстрым. Конечно, здесь большую роль играет инструментальный класс.

Высокое напряжение: если прямое напряжение от анода к катоду превышает прямое напряжение разрыва, будет создан ток утечки, достаточно большой для его накопления. Начать активацию с обратной связи.Приложения Обычно используются в конструкциях с очень большими токами или напряжениями, они также обычно используются для управления переменным током, когда изменение полярности тока возвращается при подключении или отключении устройства. Можно сказать, что устройство работает синхронно, когда, как только устройство открыто, оно начинает проводить ток в фазе с напряжением, приложенным к соединению катод-анод, без необходимости воспроизведения модуляции затвора.

Применение тиристора

Назначение тиристоров может быть самым разнообразным, например, очень популярен самодельный сварочный инвертор на тиристорах, зарядное устройство для автомобиля (тиристор в блоке питания) и даже генератор.Благодаря тому, что само устройство может выдерживать как низкочастотные, так и высокочастотные нагрузки, его также можно использовать в качестве трансформатора для сварочных аппаратов (именно такие детали используются на их мосту). Для контроля работы детали в этом случае необходим регулятор напряжения на тиристоре.

На этом этапе устройство полностью находится в состоянии питания. Его не следует путать с симметричной операцией, так как выход однонаправленный и идет только от катода к аноду, поэтому он сам по себе асимметричен.Тиристоры также могут использоваться в качестве элементов управления в контроллерах фазового угла, т.е. широтно-импульсной модуляции для ограничения переменного напряжения. В цифровых схемах тиристоры также можно найти как источник энергии или потенциала, чтобы их можно было использовать в качестве выключателей, чтобы они могли прерывать электрическую цепь, размыкая ее, когда ток, протекающий через нее, превышает определенное значение. Таким образом, входной ток прерывается, чтобы предотвратить повреждение компонентов в направлении тока.


Фото — применение тиристора вместо LATR

Не забудьте про тиристор зажигания мотоцикла.

Описание конструкции и принципа действия

Тиристор состоит из трех частей: «Анода», «Катода» и «Входа», состоящих из трех pn-переходов, которые можно переключать из положения «включено» и «выключено» на очень высоких скоростях. Но в то же время его также можно переключать из положения «ВКЛ» с разной длительностью во времени, т.е. на несколько полупериодов, чтобы передать определенное количество энергии на нагрузку. Работу тиристора можно лучше объяснить, если предположить, что он будет состоять из двух транзисторов, соединенных друг с другом, как пара дополнительных регенеративных ключей.

Тиристор также может использоваться в сочетании с стабилитроном, подключенным к его затвору, так что, когда напряжение источника напряжения превышает напряжение стабилитрона, тиристор снижает входное напряжение от источника к земле, плавя предохранитель. . Первым широкомасштабным применением тиристоров было управление входным напряжением от источника напряжения, такого как вилка. В начале 1970-х тиристоры использовались для стабилизации потока входного напряжения цветных телевизионных приемников.

Функции управления и дизайн

Другие коммерческие приложения — бытовая техника, электроинструменты, наружное оборудование.На внешней грани образуется стык с золото-сурьмой. Анодный и катодный контакты изготовлены из молибдена. Дверной стык фиксируется на промежуточном слое с помощью алюминия. Этот метод используется только для устройств, требующих большой мощности. Основная проблема этого метода заключается в том, что необходимо выполнить множество этапов.

Самые простые микрочипы демонстрируют два транзистора, которые объединены таким образом, что ток коллектора после команды запуска идет по каналам NPN-транзистора TR 2 непосредственно в PNP-транзистор TR 1.В это время ток от TR 1 поступает в каналы в базах TR 2. Эти два взаимосвязанных транзистора расположены так, что база-эмиттер принимает ток от коллектора-эмиттера другого транзистора. Это требует параллельного размещения.

Хотя некоторые методы позволяют параллельно этому процессу. Техника изоляционного барьера: этот метод описан выше. Кристиансен, Дональд; Александр, Чарльз К.; Стандартное руководство. Электротехника. Перейти к: навигация, поиск. Это двунаправленный отключающий диод, который проводит ток только после превышения его напряжения размыкания, а ток циркуляции не ниже характерного значения для этого устройства.Поведение практически одинаково для обоих направлений тока. В этом смысле его поведение похоже на неоновую лампу.

Фото — Тиристор KU221IM

Несмотря на все меры безопасности, тиристор может непреднамеренно перемещаться из одного положения в другое. Это связано с резким скачком тока, температуры и другими факторами. Поэтому перед тем, как купить тиристор КУ202Н, Т122 25, Т 160, Т 10 10, нужно не только проверить его тестером (пингом), но и ознакомиться с параметрами работы.

Принцип работы тиристора

Устройство остается заблокированным до достижения лавинного уровня на штуцере коллектора. Он состоит из двух диодов Шокли, соединенных встречно параллельно, что дает двунаправленную характеристику. Его универсальность делает его идеальным для управления. переменные токи. Одним из них является его использование в качестве статического переключателя, предлагающего множество преимуществ по сравнению с обычными механическими переключателями и реле. Он функционирует как электронный переключатель, а также как аккумулятор.

Типовой тиристор CVC

Чтобы начать обсуждение этой сложной темы, посмотрите схему ВАХ тиристора:

Фото — характеристика тиристора VAC

  1. Длина от 0 до (Vво, IL) полностью соответствует прямой блокировке устройства;
  2. В секции Vvo выполняется положение «ВКЛ» тиристора;
  3. Отрезок между зонами (VВO, IL) и (Vн, Iн) — это переходное положение во включенном состоянии тиристора.Именно в этой области имеет место так называемый эффект динистора;
  4. В свою очередь, точки (Vn, In) показывают прямое открытие устройства на графике;
  5. Точки 0 и Vbr — зона запирания тиристора;
  6. Далее следует сегмент Vbr — он обозначает режим обратной пробивки.

Естественно, современные высокочастотные радиокомпоненты в схеме могут незначительно влиять на вольт-амперные характеристики (охладители, резисторы, реле). Также симметричные фототиристоры, стабилитроны SMD, оптотиристоры, триоды, оптопары, оптоэлектронные и другие модули могут иметь другие IV.

Однако при использовании с индуктивными нагрузками, такими как электродвигатели. Из-за его небольшой стабильности его использование в настоящее время очень ограничено. Название происходит от союза Тиратрона и Транзистора. Затвор отвечает за управление потоком тока между анодом и катодом. Он в основном работает как диод, управляемый выпрямителем, позволяя потоку течь только в одном направлении. Часы должны иметь значительную продолжительность или повторяться. Так как это происходит с задержкой или позже, контролируется ток, протекающий в нагрузке.


Фото — тиристор WAH

Кроме того, обращаем ваше внимание, что в этом случае защита устройств осуществляется на вводе нагрузки.

Проверка тиристора

Перед покупкой прибора нужно знать, как проверить тиристор мультиметром. Счетчик можно подключить только к так называемому тестеру. Схема, по которой можно собрать такое устройство, представлена ​​ниже:

Падение нагрузки ниже тока удержания. Когда происходит внезапное изменение напряжения между анодом и катодом тиристора, он может быть запущен и введен в проводимость даже без тока затвора.Этот эффект связан с паразитным конденсатором между затвором и анодом.

Точный красный цвет служит для установки напряжения на катоде. Это тиристоры с двумя поджигающими электродами: анодным затвором и катодным затвором. Диод Шокли: четырехслойный диод. Не путать с диодом с барьером Шоттки. Их сделал Клевит-Шокли. Тиристор статической индукции. Это тип тиристора, который может активироваться положительным напряжением затвора, и одной из его основных характеристик является низкое сопротивление в активном состоянии.

Фото — тестер тиристоров

По описанию на анод необходимо подавать положительное напряжение, а на катод — отрицательное. Очень важно использовать значение, соответствующее разрешающей способности тиристора. На чертеже показаны резисторы с номинальным напряжением от 9 до 12 вольт, это означает, что напряжение тестера немного выше, чем у тиристора. После того, как вы собрали прибор, можно приступать к проверке выпрямителя. Для включения нужно нажать кнопку, которая подает импульсные сигналы.

Время переключения составляет примерно 1-6 мс. Это устройство чрезвычайно чувствительно к производственному процессу, поэтому небольшие изменения в производственном процессе могут привести к значительным изменениям его характеристик. Фотоактивный кремниевый выпрямитель.

Принцип действия Это устройство активируется прямым светом на кремниевый диск. Конструкция затвора обеспечивает достаточную чувствительность для стрельбы от практичных источников света. Тиристоры могут работать с напряжением почти 12 кВ и управляющим током почти 8 кА.

Проверка тиристора очень проста, кнопка на управляющем электроде кратковременно подает сигнал на открытие (положительный относительно катода). После этого, если на тиристоре загорелись ходовые огни, устройство считается неработающим, но мощные устройства не всегда сразу реагируют после приема нагрузки.


Датчики присутствия дверей и лифтов. Оптические схемы управления в целом. И много приложений на компах. Рисунок 15 — Тиристор.условное обозначение; Теоретическая структура Согласно фиг. 15 основных выводов, подключенных к силовой цепи, такие же, как диод, анод и катод, имеют триггерный сигнал, который подается на третий так называемый триггерный вывод.

Базовая конструкция тиристора и профиль его легирования показаны на рисунке. Рисунок 16 — Тиристор. Допинговый профиль; Упрощенная структура. В этом состоянии тиристор находится в прямой блокировке или выключен. Это явление известно как лавинный разрыв, а соответствующее напряжение, при котором это происходит, называется напряжением прямого импульса.На этом этапе устройство будет в состоянии движения или в состоянии. Чтобы поддерживать состояние движения, анодный ток должен быть выше значения, известного как ток блокировки.

Фото — Тестер для тиристоров

Кроме проверки устройства, также рекомендуется использовать специальные контроллеры или блок управления тиристорами и симисторами OWEN BUST или других марок, он работает примерно так же, как регулятор мощности на тиристоре. Основное отличие — более широкий диапазон напряжений.

Видео: принцип работы тиристора

Если анодный ток меньше тока блокировки, устройство возвращается в состояние блокировки при уменьшении напряжения анодного катода. Характеристика тока и напряжения тиристора представлена ​​на рисунке. Урок 3: Силовые полупроводниковые ключи — Промышленный электронный тиристор.

Рисунок 17 — Тиристорная характеристика тока и напряжения. Ток обслуживания меньше тока блокировки.Таким образом, зажимной ток является минимальным постоянным током. анод для поддержания тиристора в состоянии проводимости. То есть, как если бы два диода были соединены последовательно, с приложенным к ним обратным напряжением.

Характеристики

Рассмотрим технические характеристики тиристора серии КУ 202э. В этой серии представлены бытовые маломощные устройства, основное применение которых ограничено бытовой техникой: применяется для электропечей, нагревателей и т. Д.

На рисунке ниже показана распиновка и основные части тиристора.

Фото — ку 202

  1. Установленное обратное напряжение в открытом состоянии (макс.) 100 В
  2. Напряжение в закрытом положении 100 В
  3. Импульс в открытом положении — 30 А
  4. Повторяющийся импульс в открытом положении 10 А
  5. Среднее напряжение
  6. Напряжение без нагрузки> = 0,2 В
  7. Установить ток в открытом положении
  8. Обратный ток
  9. Постоянный ток разблокировки
  10. Установить постоянное напряжение
  11. вовремя
  12. Время выключения

Устройство включается через микросекунды.Если вам необходимо произвести замену описываемого устройства, то проконсультируйтесь с продавцом-консультантом магазина электрооборудования — он сможет подобрать аналог по схеме.

Фото — тиристор Ти202н

Цена тиристора зависит от его марки и характеристик. Рекомендуем покупать бытовую технику — они более прочные и имеют доступную цену. На естественных рынках можно купить качественный мощный преобразователь до сотен рублей.

♦ Как мы выяснили, тиристор — это полупроводниковый прибор, обладающий свойствами электрического клапана.Тиристор с двумя выводами (А — анод, К — катод) Это динистор. Трехконтактный тиристор (А — анод, К — катод, Ue — управляющий электрод) , это тринистор, или в обиходе его просто называют тиристором.

♦ С помощью управляющего электрода (при определенных условиях) можно изменить электрическое состояние тиристора, то есть перевести его из состояния «выключено» в состояние «включено».
Тиристор открывается, если приложенное напряжение между анодом и катодом превышает значение U = Upr , то есть значение напряжения пробоя тиристора;
Тиристор можно открыть и при напряжении менее Up между анодом и катодом (U, если подать импульс напряжения положительной полярности между управляющим электродом и катодом.

♦ В разомкнутом состоянии тиристор может оставаться столько времени, сколько необходимо, пока на него подается напряжение питания.
Тиристор закрывающийся:

  • — если снизить напряжение между анодом и катодом до U = 0 ;
  • — если уменьшить анодный ток тиристора до значения меньше тока удержания Иуд .
  • — подача напряжения блокировки на управляющий электрод (только для запираемых тиристоров).

Тиристор также может находиться в закрытом состоянии сколько угодно долго до прихода запускающего импульса.
Тиристоры и динисторы работают как в цепях постоянного, так и переменного тока.

Рабочий динистор и тиристор в цепях постоянного тока.

Рассмотрим несколько практических примеров.
Первый пример использования динистора — генератор релаксационного звука . .

В качестве динистора использовать Х202А-Б.

♦ Генератор работает следующим образом.
При нажатии Кн через резисторы R1 и R2 постепенно заряжается конденсатор С (+ батарейки — замкнутые контакты кнопки.Кн — резисторы — конденсатор С — минус АКБ).
Параллельно конденсатору подключена цепь телефонного праймера и динистора. Через телефонный колпачок и динистор ток не течет, так как динистор все еще «заблокирован».
♦ Когда на конденсаторе достигается напряжение, в которое проникает динистор, через катушку телефонной капсулы проходит импульс тока разряда конденсатора (C — телефонная катушка — динистор — C). Из телефона слышен щелчок, конденсатор разряжен.Затем снова идет заряд конденсатора C и процесс повторяется.
Частота повторения щелчков зависит от емкости конденсатора и величины сопротивления резисторов. R1 и R2 .
♦ При указанных на схеме значениях напряжения, резисторов и конденсатора частоту звукового сигнала с помощью резистора R2 можно изменять в пределах 500 — 5000. герц. Телефонный колпачок необходимо использовать с катушкой с низким сопротивлением. 50 — 100 Ом , не более, например, телефонная капсула ТК-67-Н .
Телефонный капсюль должен быть включен с соблюдением полярности, иначе он не будет работать. На крышке есть обозначения + (плюс) и — (минус).

♦ Данная схема (рисунок 1) имеет один недостаток. Из-за большого разброса параметров динистора , Х202 (разное напряжение пробоя) в некоторых случаях потребуется повышение напряжения питания до 35 — 45 вольт , что не всегда возможно и удобно.

Устройство управления на тиристоре для включения и выключения нагрузки одной кнопкой показано на рис.2.


Устройство работает следующим образом.
♦ В исходном состоянии тиристор закрыт, а свет не горит.
Нажмите кнопку Kn в течение 1-2 секунды . Контакты кнопки разомкнуты, цепь катода тиристора разомкнута.

В этот момент конденсатор С заряжается от источника питания через резистор R1 . Напряжение на конденсаторе достигает У источника питания .
Отпустить кнопку Kn .
В этот момент конденсатор разряжается по цепи: резистор R2 — управляющий электрод тиристора — катод — замкнутые контакты кнопки Kn — конденсатор.
В цепи управляющего электрода будет протекать ток, тиристор «открыт» .
Свет горит и по цепи: плюс АКБ — нагрузка в виде лампочки — тиристор — замкнутые контакты кнопки — минус АКБ.
В этом состоянии схема будет столько, сколько захотите .
В этом состоянии разряжен конденсатор: резистор R2, управляющий электрод перехода — катод тиристора, контакты кнопки КН.
♦ Чтобы выключить лампочку, коротко нажмите кнопку Kn . При этом обрывается основная цепь питания лампочки. Тиристор «замыкается» . При замыкании контактов кнопки тиристор останется в замкнутом состоянии, так как на управляющем электроде тиристора Uynp = 0 (конденсатор разряжен).

Испытал и надежно проработал в этой схеме различные тиристоры: КУ101, Т122, КУ201, КУ202, КУ208. .

♦ Как уже было сказано, динистор и тиристор имеют свой транзисторный аналог . .

Аналоговая схема тиристора состоит из двух транзисторов и показана на рисунке 3 .
Транзистор Tr 1 имеет pnp транзистор проводимости Tr 2 имеет npn Транзисторы проводимости могут быть как германиевыми, так и кремниевыми.

Тиристорный аналог имеет два управляющих входа.
Первая запись: A — UE1 (эмиттер — база транзистора Тр1).
Второй вход: К — Уэ2 (эмиттер — база транзистора Тр2).

Аналог имеет: А — анод, К — катод, Wel1 — первый управляющий электрод, Wel2 — второй управляющий электрод.


Если управляющие электроды не используются, это будет динистор с электродами. А — анод и К — катод .

♦ Пара транзисторов, для аналога тиристора необходимо подбирать одинаковую мощность с током и напряжением выше, чем это необходимо для работы устройства. Аналоговые параметры тиристора (напряжение пробоя Unp, ток удержания Iyd) , будет зависеть от свойств применяемых транзисторов.

♦ Для более стабильной работы аналога в схему добавлены резисторы. R1 и R2 . А с помощью резистора R3 можно регулировать напряжение пробоя , Up и ток удержания Iyd Тиристорный аналоговый динистор. Схема такого аналога показана на рисунке 4 .

Если в схеме звукового генератора (рис. 1) вместо динистора Х202 включить аналоговый динистор, получится устройство с другими свойствами (рис. 5) .

Напряжение питания этой схемы будет от 5 до 15 вольт .Меняя резисторы R3 и R5 Вы можете изменить тональность звука и рабочее напряжение генератора.

Переменный резистор R3 Аналоговое напряжение пробоя выбирается для подаваемого напряжения питания.

Тогда вы можете заменить его постоянным резистором.

Транзисторы Тр1 и Тр2: КТ502 и КТ503; КТ814 и КТ815 или любой другой.

♦ Интересная схема стабилизатора напряжения с защитой от короткого замыкания в нагрузке (рис.6) .

Если ток в нагрузке превышает 1 ампер , защита сработает.

В состав стабилизатора входят:

  • — элемент управления — стабилитрон КС510 , определяющий выходное напряжение;
  • — исполнительные транзисторы КТ817А, КТ808А , выполняющие роль регулятора напряжения;
  • — в качестве датчика перегрузки используется резистор R4 ;
  • — в исполнительном механизме защиты используется аналоговый динистор, транзисторы КТ502 и КТ503.


♦ На входе стабилизатора в качестве фильтра стоит конденсатор С1 . Резистором R1 установлен ток стабилизации КС510 номиналом 5–10 мА. Напряжение стабилитрона должно быть 10 вольт .
Резистор R5 устанавливает начальный режим стабилизации выходного напряжения.

Резистор R4 = 1,0 Ом , включен последовательно в цепь нагрузки. Чем больше ток нагрузки, тем больше напряжения, пропорционального току, передается на нее.

В исходном состоянии, когда нагрузка на выходе стабилизатора мала или отключена, аналог тиристора закрыт. Приложенного к нему напряжения 10 вольт (от стабилитрона) недостаточно для пробоя. На данный момент падение напряжения на резисторе R4 практически равно нулю.
Если постепенно увеличивать ток нагрузки, падение напряжения на резисторе увеличится. R4 . При определенном напряжении на R4 аналог тиристора прорывается и устанавливается напряжение между точкой Точка № 1 и общим проводом, равным 1.5 — 2,0 В .
Напряжение анод-катодного перехода открытого аналога тиристора.

Одновременно загорается светодиод. D1 , аварийная сигнализация. Напряжение на выходе стабилизатора в этот момент будет равно 1,5 — 2,0 вольт .
Для восстановления нормальной работы стабилизатора необходимо выключить нагрузку и нажать кнопку. Kn , сняв защитный замок.
На выходе стабилизатора снова будет напряжение 9 вольт , и светодиод погаснет.
Резистор подстройки R3 , можно подобрать срабатывание защиты по току 1 ампер и более . Транзисторы Т1 и Т2 можно ставить на один радиатор без изоляции. Сам радиатор изолирован от корпуса.

Описание цепи питания, постоянно меняющей полярность

Такой блок питания позволяет плавно изменять не только выходное напряжение, но и его полярность. Его можно использовать, например, для управления модельной железной дорогой или для других подобных целей.

Блок цепи питания с непрерывно меняющейся полярностью

Схема представляет собой обычный двухполюсный блок питания, замкнутый с выходом каждого «плеча». В результате при среднем положении переменного резистора двигателя каждое «плечо» транзисторов закрыто и выходное напряжение отсутствует.

Когда двигатель вращается в ту или иную сторону, открываются соответствующие транзисторы и появляется выходное напряжение определенной полярности, величина которого регулируется от «нуля» до «высокого».

Максимальные значения выходного напряжения и выходной мощности зависят от параметров схемы трансформатора и других электронных элементов.

Например, для получения выходного напряжения от «минуса» до «плюса» 12 вольт необходим трансформатор с вторичной обмоткой с отводом от среднего напряжения каждой из половин обмотки 12 вольт (переменное напряжение).

Электролитические конденсаторы С1 и С2 могут быть емкостью от 500 мкФ и выше, их значения зависят от величины пульсаций выходного напряжения.

Выпрямительные диоды

можно взять типа КД226, КД105, 1N4001 — 1N4007 или аналогичные, в зависимости от напряжения и мощности нагрузки, либо использовать соответствующие параметры диодного моста.

Стабилитроны типа VD1, VD2 — D814D (на выходное напряжение +/- 12 вольт) или аналогичные импортные. Для других значений максимального выходного напряжения применять соответствующий силовой трансформатор и стабилизатор. Переменный резистор может быть сопротивлением от 3 до 15 Ом.

Транзисторы в схеме можно заменить на любые аналогичные соответствующей конструкции и емкости.Например, транзисторы КТ502, КТ503 можно заменить на КТ361 и КТ315 соответственно. Вместо этого используйте KT817 KT805, KT814, V1274, D400, а вместо KT816 — KT814, KT837, A1658, V1366 и другие аналогичные.

Подбор параметров не требует транзисторов. Также схема не требует какой-либо настройки и дефектных деталей, и правильная сборка сразу начинает работать.

Мощные регулирующие транзисторы (КТ816 и КТ817) следует устанавливать на радиаторы-радиаторы, размер которых зависит от применяемых транзисторов и выходного блока питания.

kt201% 2f500 техническое описание и примечания по применению

КТ725

Абстракция: KT206-200 KY250 kt207-400 KT207-600 KD337 KT725-100 KT206-400 KT206-600 KT707
Текст: нет текста в файле
Оригинал		 PDF КТ207-200 КТ207-400 КТ207-600 КТ772 KT773 КТ774 КТ730-700 КТ730-800 КТ730-900 KT782 KT725 КТ206-200 KY250 кт207-400 КТ207-600 KD337 КТ725-100 КТ206-400 КТ206-600 KT707
КТ206 / 400

Аннотация: KT707 KT705 KT206 / 600 KT708 KT201 KT505 KT706 KT702 Tesla KT505
Текст: нет текста в файле
OCR сканирование		 PDF КТ201 / 100 КТ201 / 200 КТ201 / 300 КТ201 / 400 КТ201 / 500 КТ201 / 600 КТ206 / 200 КТ206 / 400 КТ206 / 600 KT501 KT707 КТ705 KT708 КТ201 КТ505 KT706 КТ702 Тесла КТ505
KF517A

Абстракция: KF517B KA213A KF254 1NZ70 KA213B 4DR821B KT205-400 KA204 GE134
Текст: нет текста в файле
Оригинал		 PDF 1NZ70 1ПП75 2NZ70 33NQ52 34NQ52 35NQ52 36NQ52 37NG52 38NQ52 38NQ52A KF517A KF517B KA213A KF254 1NZ70 KA213B 4DR821B КТ205-400 KA204 GE134
3N153

Абстракция: 2Т151 3М683
Текст: 2150 тыс. ± 5% 2E400 * * 4 0 футов 2200 тыс. ± 5% 56 футов 2.400K ± 5% 2F500 * * 50 футов
OCR сканирование		 PDF 3ч203 3V682 3N153 4C103 10 тыс. Футов 3С223 3U153 15 тыс. Футов 3T333 3K223 3N153 2Т151 3М683
WK16412

Аннотация: wk16414 KT201 IRS 8342 WK16413 LQ470 1PP75 LQ410 KC639 KT728
Текст: нет текста в файле
OCR сканирование		 PDF
SC10 NC

Абстракция: 3a331 2G300 3k102 3g50 3J683 4C202 3L104 3h203 019k
Текст: приложения.Значение Серия TN10 ТИП 2D300 * 2E400 * 2F500 * 2H680 * 2R101 * 2S121 * 2T151 * 2V221
Оригинал		 PDF 10сек SC10 NTC 3a331 2G300 3k102 3g50 3J683 4C202 3L104 3ч203 019 тыс.
3a331

Аннотация: SC10 ntc 3N153 datasheet 3J683 MMC Electronics America FUSE SMD tn 3V152 NTC 22K 0805 3g50 2G300
Текст: приложения. Значение Серия TN10 ТИП 2D300 * 2E400 * 2F500 * 2H680 * 2R101 * 2S121 * 2T151 * 2V221
Оригинал		 PDF 10сек 3a331 SC10 NTC 3N153 лист данных 3J683 MMC Electronics America ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ SMD tn 3V152 НТК 22К 0805 3g50 2G300
1984 — bu2527af

Аннотация: wk16412 WK16413 WK16414 Tesla katalog VQE24 VQE14 4DR823B kr206 5DR801B
Текст: нет текста в файле
Оригинал		 PDF roku1984 / 85, VQB200 VQB201 VQC10 VQE11 VQE12 VQE13 VQE14 VQE21 VQE22 bu2527af wk16412 WK16413 WK16414 Каталог Tesla VQE24 4DR823B 206 шведских крон 5DR801B
KF520

Абстракция: KT725 diac kr 206 KT707 KD502 kt201 KU607 KT206-200 KYS 30 40 diode KT784
Текст: нет текста в файле
OCR сканирование		 PDF 15Блатна KF520 KT725 диак 206 крон KT707 KD502 kt201 KU607 КТ206-200 KYS 30 40 диод KT784
MSP55lv512

Аннотация: MSP55LV100S MSP55LV128 34A65 fujitsu msp55lv512 MSP55LV100G MSP55LV128M MSP55LV160 MSP55LV100 MSP55LV160A
Текст: нет текста в файле
Оригинал		 PDF AF9723 / 23B TEF808-50CF-01 FF804 50КАРТА AF9845 / 45B / 45C FAT12FAT16 1GBit128MByte Am27C400 Am29DL16xCB TE003-48BG-07D MSP55lv512 MSP55LV100S MSP55LV128 34A65 Fujitsu MSP55LV512 MSP55LV100G MSP55LV128M MSP55LV160 MSP55LV100 MSP55LV160A
Мх2СС1

Аннотация: MHB4011 MH5400S Каталог тесладиода C520D A244D MAC198 MA3006 KF520 B260D
Текст: нет текста в файле
OCR сканирование		 PDF roku1984 / 85, Mh2SS1 MHB4011 MH5400S Каталог тесла диод C520D A244D MAC198 MA3006 KF520 B260D
1HT251

Абстракция: 2T203 kt117 1T308 2T355A 2T312 IT308B K1HT251 kt117b 2T313
Текст: нет текста в файле
OCR сканирование		 PDF FojO33 KT357 KT358 КТ361 КТ363 КТ364-2 KT366 КТ368 KT369 КТ369-1 1HT251 2Т203 kt117 1T308 2Т355А 2Т312 IT308B K1HT251 kt117b 2Т313
2T908A

Реферат: 2T602 1HT251 KT604 2T907A KT920A 2t903 PO6 115.05 КТ117 1Т813
Текст: нет текста в файле
OCR сканирование		 PDF Т-0574Д. 30Eiaa Coi03nojiH 2Т908А 2Т602 1HT251 KT604 2T907A КТ920А 2т903 PO6 115.05 КТ117 1T813
MSP14LV160

Аннотация: MSP54LV100 MCF10P-128MS 70f3350GC 63a52 95f264k MSP55LV128 HY27US08121B MSP55lv512 Fujitsu msp55lv512
Текст: нет текста в файле
Оригинал		 PDF AF9708 / 09 / 09B / 10/23 ближайший09 AF9709B / 09C AF9723 AF9708 TE004-44PL-04 AF9709 MSP14LV160 MSP54LV100 MCF10P-128MS 70f3350GC 63a52 95f264k MSP55LV128 HY27US08121B MSP55lv512 Fujitsu MSP55LV512
диод E1110

Аннотация: lN4002 LN4003 ANA 618 20010 TDB 0123 km b3170 E1110 Diode UB8560D moc 2030 MAA723
Текст: нет текста в файле
OCR сканирование		 PDF
NT101

Реферат: БФ503 КТ-934 КТ606 ПОЛУЧАЙНЫЕ ИНДЕКСЫ Mps56 транзисторы 2SA749 72284 2sk81 2SB618
Текст: нет текста в файле
OCR сканирование		 PDF
БТИЗ M16 100-44

Аннотация: Ericsson RBS 6102 ASEA HAFO AB GM378 Transistor B0243C Kt606 Ericsson SPO 1410 SEMICON INDEXES transistor 8BB smd tr / NEC Tokin 0d 108
Текст: нет текста в файле
OCR сканирование		 PDF W211d W296o W211c БТИЗ М16 100-44 Ericsson RBS 6102 ASEA HAFO AB GM378 Транзистор B0243C Kt606 Ericsson SPO 1410 ПОЛУЧЕННЫЕ ИНДЕКСЫ транзистор 8BB smd tr / NEC Tokin 0d 108

Акустический выключатель.Подборка схем различных акустических выключателей света. Электрические схемы предоставляются бесплатно. Схемы простых акустических реле

Схема:

С учетом всех недостатков была доработана схема, как показано на рисунке, и получен новый вариант акустического реле. Было решено отказаться от управляющего мультивибратора, создающего помехи, ведущие в петлю, заменить мощный симистор на менее мощный и более доступный триодный тиристор, повысить чувствительность реле за счет введения дополнительного каскада усиления и ввести его регулировку, уменьшить емкость. конденсатора С5 и ввести индикацию дежурного режима на светодиоде.

Устройство:
Алгоритм работы устройства остался прежним — хлопок в ладоши или другой подобный звук, на две минуты включается освещение, затем свет автоматически выключается. Схема датчика акустических колебаний на операционном усилителе К140УД6 аналогична описанному ранее прототипу и не требует пояснений. Далее сигнал через C5 поступает на регулятор чувствительности на R5, а затем через C6 на дополнительный каскад усилителя на транзисторе VT1.Затем через C7 усиленный сигнал поступает в детектор на VD3 и VD4. В момент хлопка на выходе этого детектора (на С8) появляется какое-то постоянное напряжение, которое идет на базу VT3 и размыкает ее. В этом случае конденсатор С3 разряжается через диод VD1 и транзистор VT3. На входах элемента D1.1 устанавливается логический ноль, который сохраняется в течение времени заряда конденсаторов C3 — R3 (около 2 минут). В это время выход D1.1 поддерживается на уровне логической единицы, которая идет к базе VT4 и открывает ее.Ток, протекающий через этот транзистор, включает тиристор VS1, который включает осветительную лампу. Как только С3 зарядится до единственного уровня на выходе D1.1, установится логический ноль, и транзистор VT4 закроется, ток разблокировки прекратится, и тиристор VS1 также закроется, тем самым выключив лампу. . Блок индикации дежурного режима выполнен на элементе D1.2 и транзисторе VT2. Пока лампа гаснет на выходе D1.1, действует логический ноль, он инвертируется элементом D1.2, а единица с его выхода идет на базу VT2, которая открывает и включает светодиод VD2. При включении лампы на выходе D1.1 единица и, следовательно, на выходе D1.2 равен нулю, транзистор VT2 закрыт и светодиод не горит.

Настройка:
Чувствительность устройства высокая, при предельно высоком положении ползунка резистора R5 устройство срабатывает тихим звуком или хлопком в ладоши на расстоянии 6-8 метров. При установке свободные входные клеммы D1 необходимо подключить к общему проводу.Следите за тем, чтобы сетевые провода не проходили рядом с входными цепями ОУ А1. Микрофон М1 — любой динамический.

Радиоконструктор №4 2000 стр. 38

С помощью этого устройства вы можете автоматизировать включение / выключение освещения или другой бытовой техники: хлопать в ладоши, или щелкать пальцами, или издавать какой-либо резкий звук — свет включится; следующий хлопок — свет гаснет. Устройство позволяет регулировать чувствительность микрофона, имеет небольшие размеры, отличается высокой надежностью, простотой изготовления, не мешает подаче питания.
Нагрузка подключается к разомкнутым контактам реле на печатной плате, которые при нажатии замыкают цепь питания нагрузки.

Технические характеристики NF241
Параметр Значение
Упит. постоянная, В +12 … 14
Упит. № постоянный, В +12
Ипотр. при усл. ном., мА … 1
Ипотр. с активным реле, мА…30
Рекомендуемый блок питания,
не входит в комплект		 PW1215B, ES18E12-P1J,
GS15E-3P1J, GS25E12-P1J
Допустимая нагрузка на выходе 6 A / ~ 220 В
Размер печатной платы, мм 83 x 38
Рекомендуемый корпус,
не включен		 BOX-KA11 Корпус
пластик 90x65x30
Температура эксплуатации, ° С 0… + 55
Относительная влажность при эксплуатации,% … 55
Производство Самостоятельная сборка
Гарантийный срок эксплуатации Отсутствует
Масса, г300
NF241 комплект поставки Описание NF241

На транзисторах VT1-VT3 выполнен простой усилитель низкой частоты, который усиливает сигнал микрофона MIC до необходимого уровня.Подстроечный резистор VR1 можно использовать для регулировки усиления. Известный триггер Шмитта, широко используемый в радиотехнических устройствах, выполнен на транзисторах VT4, VT5. Особенностью триггера является то, что он имеет два устойчивых состояния, которые меняются с каждым приходом сигнала с коллектора транзистора VT3. Таким образом, с каждым хлопком триггер меняет свое состояние, а реле периодически включает и выключает нагрузку. Светодиод LED1 указывает на срабатывание реле.
Конструктивно устройство выполнено на односторонней печатной плате из фольгированного стеклотекстолита размером 83х38 мм.Для удобства установки устройства в корпус по краям платы предусмотрены монтажные отверстия диаметром 3 мм.

На рисунке показана схема акустического реле, которое я сделал. Эта схема ранее нигде не публиковалась. Особенностью конструкции является использование угольного микрофона. Эти микрофоны используются в телефонах, в которых отсутствуют усилители для передачи и приема (ТА-68, ТАН-70, ТАИ-43 и другие). Амплитуда электрических колебаний микрофона достаточна для связи на десятки километров без использования усилителей.К тому же у него невероятная чувствительность. Недостатком является узкая полоса пропускания спектра звуковых частот … Но в нашем случае это плюс, так как лишние звуки и помехи отсекаются.

Работа схемы. Когда вы хлопаете или щелкаете, угольный порошок в микрофоне перемещается и изменяет свое сопротивление. При этом в точке соединения ограничивающего резистора R1 и микрофона появляется переменная составляющая, которая через разделительный конденсатор С1 попадает на базу транзистора Т 1.Транзистор T1 является усилителем как переменного, так и постоянного напряжения. С помощью резистора R2 транзистор Т1 находится в слегка открытом состоянии. Подаваемая на базу переменная составляющая усиливается транзистором и с коллектора через конденсатор С2 поступает на выпрямитель-удвоитель, собранный на элементах DD1, DD2, C3. Удвоенное постоянное напряжение накапливается на конденсаторе C3, который разряжается по цепи: минус конденсатор, резистор R1, база-эмиттер T1 плюс конденсатор.При этом транзистор лавинообразно открывается, срабатывает реле Р1, его контакты замыкаются на время звукового сигнала … При настройке работы схемы иногда оказывается, что ее чувствительность завышена, она срабатывает при проезде автомобилей по улице или взмахе руки возле микрофона. Все зависит от типа используемого реле. Схему можно придать шероховатости, подключив переменный резистор последовательно с конденсатором С1. Чтобы переключать нагрузку (лампочки) хлопками, необходимо дополнить схему курком.Схема такого триггера на поляризованном реле показана на рисунке 2 — ранее нигде не печаталась.



При подаче звукового сигнала (хлопок, щелчок) контакты реле KR1 временно замыкаются. Переменное напряжение 220 В через лампу L1, диод D1 подается с положительным полупериодом на конец второй обмотки вывода 8 реле РП-4, начало вывода 7 обмотки, резистор ограничителя тока R1, конденсатор С1, реле замкнутых контактов КР1, выход 220В.Зарядный ток конденсатора С1 переключает якорь реле влево по схеме, лампочка L1 горит, а лампочка L2 гаснет, диод D1 блокируется контактами реле, а диод D2 разблокирован и готов для работы. При поступлении очередного звукового сигнала контакты реле Р1 КП1 замыкаются. Напряжение 220 В через лампу L2 и диод D2 подается плюсом на начало первой обмотки, контакт 5, с выхода обмотки, контакт 6 идет на резистор R1 и перезаряжает конденсатор С1.Поляризованное реле переключает якорь на правый контакт. Диод D2 заблокирован, и D1 готов к следующему циклу. Лампа L1 гаснет, а лампа L2 загорается. Таким образом, при приеме звуковых сигналов происходит поочередное переключение нагрузки. Чтобы триггер выполнял функцию включения и выключения только одной лампочки, необходимо исключить одну из лампочек из схемы, а вместо этого включить последовательную цепь из конденсатора 0,33 мкФ x 300 В и 5–10 кОм, резистор 2 Вт.При настройке спускового крючка необходимо отрегулировать якорь поляризованного реле так, чтобы он хорошо переключался и надежно фиксировался в правом или левом положении.



Правильно определить начало и конец обмоток реле или поменять полярность одного из диодов. Конечно, такая конструкция акустического реле на угольном микрофоне больше подходит для новичков, поэтому в следующей статье она будет описана на одной микросхеме, а в качестве датчика используется пьезоэлемент.

Обсудить статью ПРОСТОЕ АКУСТИЧЕСКОЕ РЕЛЕ

FM-РАДИОМИКРОФОНЫ Радиомикрофоны с частотной модуляцией (FM) обычно довольно сложны. Так, в FM-радиомикрофоне сигнал с электродинамического микрофона усиливается операционным усилителем, после чего подается на базу транзистора высокочастотного генератора. тем самым реализуя смешанную амплитудно-частотную модуляцию. Рис. 1 Конструкцию FM-радиомикрофона можно значительно упростить, если использовать малогабаритные конденсаторные микрофоны, подключенные непосредственно к колебательному контуру высокочастотного генератора.Варианты возможных схем с таким включением показаны на рис. 1-3. электрически изолирован от неподвижных электродов. Действуя как элемент схемы генератора, он, таким образом, выполняет частотную модуляцию. схемы на рис. 1, единицы-десятки мВт для схем на рис. 2 и десятки сотен (при наличии излучателей) мВт для схемы на рис. 3. Дальность действия, соответственно, варьируется от десятков метров до нескольких километров — при использовании FM-радиоприемников с чувствительностью не менее 10 мкВ / м.Параметры индукторов аналогичны приведенным в. Литература 1. Ридкоус В. FM-радиомикрофон. — Радиолюбитель. -1991, N4, с. 22-23 М. ШУСТОВ, Томск (РЛ 9/91) …

Для цепи «ЗВУКОВОЕ РЕЛЕ»

Бытовая электроника ЗВУК В. ЛАЗОВИК, г. Макеевка. Описание различных вариантов неоднократно публиковалось на страницах популярных изданий. акустических переключателей. Вот еще одна схема, которую я спроектировал и изготовил более девяти лет назад, и с тех пор она безупречно работает в коридоре моей квартиры.Схема успевает. После короткого звукового сигнала свет в коридоре включается и горит около четырех минут, затем автоматически гаснет. Сама схема встраивается в стену, стены оклеиваются обоями. В коридоре выключателей нет, обои чистые, что редко бывает, когда есть выключатель, и дети постоянно им пользуются. Схема работает следующим образом. Звуковой сигнал, воспринимаемый электретным микрофоном VM1, поступает на микросхему DA1 (микрофонный усилитель со специальной частотной характеристикой), применяемую в радиостанциях типа LEN.Схемы приемопередатчика Дроздовой С выхода микросхемы сигнал поступает на формирователь прямоугольных импульсов, собранный на двух инверторах микросхемы DD1, и далее на базу транзистора VT1, который, размыкаясь, разряжает тактовый конденсатор (СЗ) триггер Шмитта. В этом случае на выходном элементе триггера DD1.4 появляется логическая «О», и включается мультивибратор, выполненный на микросхеме DD2. На выходе мультивибратора находится импульсный усилитель (VT2, VT3), с выхода которого через разделительный конденсатор С7 сигнал поступает на управляющий электрод симистора VS1.Симистор открывается и включает нагрузку. Когда конденсатор С3 заряжается до уровня логической «1», триггер Шмитта переходит в другое стабильное состояние, на выходе DD1.4 появляется логическая «1», мультивибратор выключается, симистор замыкается, и электрическая лампа гаснет. Время выдержки выбирается в зависимости от конкретного применения схемы. При номинальной мощности СЗ, у …

Для схемы «Коммутация реле электромагнитных 12 В от источника напряжения»

Схема, предложенная Р.Graham, позволяет переключать 12-вольтовый электромагнитный сигнал от источника с напряжением вдвое меньшим. V исходное состояние T1 и T2 замкнуты, а C1 заряжается до напряжения 6 В по цепи R3-C1-D2. С приходом управляющего потенциала Т1 открывается, подключая плюсовую пластину С1 к общему проводу и одновременно открывая транзистор Т2, который соединяет верхний вывод по схеме реле с шиной +6 В. При этом реле срабатывает до разряда С1 под напряжением 12 В и срабатывает, а после разряда С1 под напряжением 6 В, которое, однако; достаточно, чтобы держать его в этом состоянии…

Для цепи «Реле касания»

Для схемы «Стабилизированное питание 59 В 500 мА с релейной защитой»

Многие радиолюбители делают блоки питания (БП) с электронной системой защиты от перегрузки и короткого замыкания … Они немного сложны и не работают стабильно вечно. На мой взгляд, это намного проще и лучше системный БП на электромагнитных реле. Ниже приводится описание блока питания с такой системой защиты. Блок питания имеет светодиодную индикацию включения и перегрузки.Этот блок питания может использоваться для питания любых радиоустройств с напряжением питания 4,5-6 В, 9 В и током потребления до 500 мА. Его очень удобно использовать для наладочных работ, так как он содержит систему защиты от перегрузки и короткого замыкания, что гарантирует безопасность работы. …

Для схемы «Емкостное реле»

Охранная сигнализация, выключатели для бытовой техники, датчики контроля на производственной линии — это лишь некоторые из областей применения этого емкостного реле.Его можно использовать, например, в простейшей домашней автоматике: сел в кресло — торшер включился, заиграла музыка, завелся вентилятор и т. Д. Словом, подскажет сфера применения воображением, творческой мыслью самих радиолюбителей. Реле зависит от точности настройки конденсатора С1, а также от конструкции датчика. У автора максимальное расстояние, на которое срабатывает реле, составляет 50 см. Принципиальная схема Емкостная представлена ​​на рис.1, изображения монтажа на печатной плате показаны на рис. 2, а конструкция индукционной катушки с ее размещением и датчиком на плате показана на рис. 3. Катушка L1 намотана на многослойную катушку. секционный каркас из полистирола из схем транзисторных радиоприемников и содержит 500 витков (250 + 250) с ответвлением от середины провода ПЭЛ-0,12мм, обмотки — навалом. Датчик устанавливается перпендикулярно плоскости печатной платы. Усилитель мощности К157уд2 Представляет собой отрезок изолированного монтажного провода длиной от 15 до 100 см или квадрат из того же провода со стороной от 15 см до 1 м.Конденсатор Cl — типа КПК-М, остальные — типа К50-6. В качестве выбранного РЭС-10, паспорт ПК4.524.3l2, также можно использовать РЭС-10, паспорт РС4.524.303, или РЭС-55А, паспорт 0602. Диод VD1 можно исключить, так как он нужен только для защиты …

Для схемы «Емкостное реле»

Бытовая электроника реле Охранная сигнализация ,. переключатели для бытовой техники, датчики управления на производственной линии — это лишь некоторые из областей применения этого емкостного реле.Его можно использовать, например, в простейшей домашней автоматике: сел в кресло — торшер включился, заиграла музыка, завелся вентилятор и т. Д. Словом, область применения этого будет подсказывать воображение, творческую мысль самих радиолюбителей. Радиус действия реле зависит от точности настройки конденсатора С1, а также от конструкции датчика. У автора максимальное расстояние, на которое срабатывает реле, составляет 50 см. Принципиальная схема емкостного представлена ​​на рис.1, изображения крепления и печатной платы показаны на рис. 2, а конструкция индукционной катушки с ее размещением и датчиком на плате — на рис. 3. … Схемы толкания приемопередатчика Катушка L1 намотана на многосекционный полистирольный каркас из схем транзисторных радиоприемников и содержит 500 витков (250 + 250) с отводом от середины провода ПЭЛ-0,12мм. Обмотка — оптом. Датчик устанавливается перпендикулярно плоскости печатной платы.Представляет собой отрезок изолированного монтажного провода длиной от 15 до 100 см или квадрат из того же провода со стороной от 15 см до 1 м. Конденсатор С1 типа КПК-М, остальные — типа К50-6. В качестве реле выбрано реле РЭС-10, паспорт РС4.524.312, также можно использовать РЭС-10, спорт РС4.524.303, или РЭС-55А, паспорт 0602. Диод VD1 можно исключить, так как он нужен только для защиты . схемы от случайного переполюсовки БП. Настраиваемый емкостный…

К схеме «РЕЛЕЙНАЯ СИСТЕМА ОХЛАЖДЕНИЯ ВАЗ-2103 … 2108»

Для схемы «ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКАЯ ЗАЩИТА В ЗАРЯДАХ»

Источник питания ЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКАЯ ЗАЩИТА ЗАРЯДНЫХ УСТРОЙСТВ Д. АТАЕВ, Стерлитамак Зарядные устройства (ЗУ), как правило, снабжены электронной системой защиты от короткого замыкания на выходе. Однако в радиолюбительской практике еще есть простых ЗУ, состоящих из понижающего трансформатора и выпрямителя. Необходимые компоненты для сборки электронной защиты не всегда есть в наличии.В этом случае можно применить простую электромеханическую защиту с использованием реле или автоматов повторного действия (например, автоматические предохранители или АВМ в квартирных электросчетчиках). Преимущества предлагаемой защиты: простота и отсутствие дорогостоящих полупроводниковых приборов. Его недостаток — высокая инерционность. Скорость срабатывания релейной защиты примерно 0,1 с, при использовании АВМ-1 … 3 с. При подключении аккумулятора (или аккумуляторной батареи) к выходу устройства срабатывает реле и К1 со своими контактами К1.1 подключает зарядное устройство (см. Схему усилителя мощности К157уд2). В случае короткого замыкания выходное напряжение резко упадет, обесточится обмотка реле , что приведет к размыканию контактов и отключению АКБ от зарядного устройства. Повторное включение после устранения неисправности осуществляется кнопкой SB1. Конденсатор С1, заряженный до выходного напряжения выпрямителя, подключен к катушке реле. Резистор R1 ограничивает импульс тока при ошибочном включении, когда короткое замыкание на выходе не устранено.Резистор R2 ограничивает ток короткого замыкания выпрямительных диодов. Его можно не включать в схему, если диоды рассчитаны на импульсные токи этой величины. В противном случае потребуется резистор R2. Однако следует помнить, что выходное напряжение зарядного устройства в этом случае должно быть больше на роль падения напряжения на резисторе R2 при номинальном токе зарядки. АВМ защищает от перегрузки по току, что реле …

Звуковое реле и схемы включения освещения звонком на мобильный телефон. (10+)

Автоматическое управление освещением — Мобильное управление. Управление звуком

Иногда бывает полезно включить свет, позвонив на свой мобильный телефон. Например, чтобы добраться до дома ночью, мне нужно включить прожектор, освещающий дорогу. Переключатель, конечно, дома.

Сразу решил, что не буду вскрывать и перепаять мобильник внутрь. Сначала , это незаконно. Самостоятельная модификация устройств, подлежащих обязательной сертификации по закону, не допускается. Во-вторых , в такой пайке нет необходимости.

Как и предыдущие устройства, я выбрал вариант бестрансформаторного питания. Это немедленно потребовало гальванической развязки от телефона. По соображениям безопасности не следует подключать мобильный телефон напрямую к сети освещения. Я остановился на трех вариантах схемы: акустическая, оптическая и трансформаторная развязка. Все три схемы отвечают на звонок, поступающий на мобильный телефон. Поскольку соединение не установлено, деньги не списываются, поэтому функция полностью бесплатна, если в системе управления выбрать тариф без абонентской платы за телефон.После звонка на фиксированное время включается освещение. После чего гаснет, но можно включить, позвонив еще раз.

Звуковое реле

Первый вариант — использовать звуковое реле, реагирующее на звук звонка телефона. В реле используется компьютерный микрофон. Он прикрепляется к телефону в непосредственной близости от громкоговорителя телефона, который издает звук звонка. Обычно этот динамик находится на тыльной стороне. Телефон с установленным микрофоном должен быть звукоизолирован, чтобы посторонние звуки не создавали помех.Вы можете положить его в пенопласт или пенополиэтилен. К устройству подойдет любой телефон с рабочим кольцом. Телефон лучше всего подключить к зарядному устройству, подключить зарядное устройство и оставить его навсегда. Пожалуйста, используйте оригинальное зарядное устройство, чтобы оно могло безопасно работать долгое время.

Устройство подключается к силовой части, описанной на предыдущей странице, в точках, отмеченных буквами A, B, C, вместо цепи на фотореле.

Транзисторы: VT2 — КТ503, VT3 — КТ502. Диод ВД5 — КД510 или другой аналогичный маломощный диод. Конденсаторы C4 — 0,1 мкФ, C5 — 2 мкФ.

Резисторы: R10 — 50 Ом. Этот резистор нужно подбирать для обеспечения нужной чувствительности, чтобы реле надежно срабатывало при звонке, не реагировало на посторонние звуки. R11 — 3 кОм. R12 -50 Ом. R13 -300 Ом. R14 -50 Ом.

Все остальные детали такие же, как на предыдущей диаграмме.

T — микрофон от компьютера. Микрофон со штатным разъемом подключается следующим образом: корпус — к общему проводу, пин — к конденсатору С4. Если в разъеме есть еще и средний контакт, то мы его просто не подключаем.

Схема работает так. При возникновении звукового сигнала на базу транзистора VT2 подаются импульсы тока, так как переход база-эмиттер имеет одностороннюю проводимость, так что конденсатор не может разрядиться, переход шунтируется диодом.Резистор R12 ограничивает ток. Импульсы тока заряжают конденсатор С5 и открывают транзистор VT3. Через него заряжается конденсатор С1. Загорится свет. Когда звук пропадает, конденсатор С1 разряжается до выключения освещения.

SMTF datasheet — Технические характеристики: Конфигурация: Chip Array; Категория

1SS369 : Диод с барьером Шоттки для низковольтных высокоскоростных коммутационных приложений.

FQPF6N60 : N-канальный QFET 600 В.Эти силовые полевые транзисторы с N-канальным режимом усиления производятся с использованием запатентованной Fairchild технологии плоских полосок DMOS. Эта передовая технология была специально разработана для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения превосходных коммутационных характеристик и устойчивости к импульсам высокой энергии в лавинном и коммутационном режимах. Эти устройства.

СЭМх5 : Предварительные данные о массиве кремниевых транзисторов NPN. Массив кремниевых цифровых транзисторов NPN Предварительные данные Схема переключения, инвертор, схема интерфейса, схема драйвера Два (гальванических) внутренних изолированных транзистора с хорошим согласованием в одном корпусе Встроенный резистор смещения R1 = 10 кОм) Символ VCEO VCBO VEBO Vi (on) IC Ptot Tj Tstg Напряжение коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-база Напряжение эмиттер-база Входное напряжение.

IRF6665 : Цифровое аудио 100 В, одноканальный N-канальный полевой МОП-транзистор с полевым МОП-транзистором с прямым полевым транзистором, для аудиоусилителей средней мощности класса D. Параметры устройства настроены специально для улучшения звуковых характеристик, таких как эффективность, полное гармоническое искажение (THD) и плотность мощности. Усилители класса D могут применяться как в портативных устройствах с батарейным питанием, так и в высококачественных устройствах.

0805ZG : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, МНОГОСЛОЙНЫЙ, 10 В, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0805. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Технология: Многослойная; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Тип монтажа: Технология поверхностного монтажа; Рабочая температура: от -30 до 85 C (от -22 до 185 F).

CDR14BG0R1EBUM : КРЫШКА, КЕРАМИЧЕСКАЯ, 100FF, 500VDC, .1PF -TOL, .1PF + TOL, BG TC CODE, 90PPM TC, CDR14 MIL STYLE, 1111 CASE. s: Диэлектрик: Керамический состав.

D83387-000 : РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМЫЙ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ, ПЕРЕЗАГРУЗИТЕЛЬНЫЙ ПРЕДОХРАНИТЕЛЬ PTC, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ. s: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), СООТВЕТСТВИЕ ROHS; Номинальная мощность: 2,5 Вт (0,0034 л.с.); Рабочее напряжение переменного тока: 60 ​​вольт; Стандарты и сертификаты: RoHS.

DRC5A43T : 80 мА, 50 В, NPN, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: NPN; Тип упаковки: БЕЗ ГАЛОГЕНОВ И СООТВЕТСТВУЕТ ROHS, SMINI3-F2-B, 3 КОНТАКТА.

L15 : КОНДЕНСАТОР, КЕРАМИЧЕСКИЙ, 50 В, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТИ, 0805. s: Конфигурация / форм-фактор: Чип-конденсатор; Приложения: общего назначения; Конденсаторы электростатические: керамический состав; Тип монтажа: Технология поверхностного монтажа; Рабочая температура: от -55 до 125 C (от -67 до 257 F).

NP60N04MUK-S18-AY : ПИТАНИЕ, FET.Эти продукты представляют собой N-канальные МОП-полевые транзисторы, предназначенные для коммутации больших токов. Сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии RDS (вкл.) 4,3 м МАКС. (VGS 30 A) Low Ciss: Ciss 2450 пФ ТИП. (VDS 25 В) Разработан для автомобильного применения и соответствует требованиям AEC-Q101 * 1 Не содержит свинца (этот продукт не содержит свинца во внешнем электроде).

SFT1102TP-FA : 2000 мА, 150 В, PNP, Si, МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР. s: Полярность: PNP; Тип упаковки: TP-FA, 4 PIN.

TAZG686J035CRSC0000 : КОНДЕНСАТОР, ТАНТАЛ, ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 35 В, 68 мкФ, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ.s: Конфигурация / Форм-фактор: Чип-конденсатор; Приложения: общего назначения; Электролитические конденсаторы: танталовые; : Поляризованный; Диапазон емкости: 68 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 35 вольт; Тип монтажа: Технология поверхностного монтажа; Рабочая температура: от -55 до 85 C (-67,

TSN16D : РЕЗИСТОР, СЕТЬ, ПЛЕНКА, ТЕРМИНАТОР, 0,8 Вт, ПОВЕРХНОСТНОЕ КРЕПЛЕНИЕ. s: Конфигурация: Chip Array; Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: тонкая пленка (чип); Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), SOIC, SOIC; Температурный коэффициент: 5 ± ppm / ° C; Рабочее напряжение постоянного тока: 100 вольт; Рабочая температура: от -55 до 70 C (-67.

16YXG2700MCA12.5X30 : КОНДЕНСАТОР, АЛЮМИНИЕВЫЙ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИЙ, НЕ ТВЕРДЫЙ, ПОЛЯРИЗОВАННЫЙ, 16 В, 2700 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Соответствие RoHS: Да; : Поляризованный; Диапазон емкости: 2700 мкФ; Допуск емкости: 20 (+/-%); WVDC: 16 вольт; Ток утечки: 432 мкА; Тип установки: сквозное отверстие; Рабочая Температура:.

1N6657RS : 40 А, КРЕМНИЙ, ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД, TO-254AA. s: Расположение: общий анод; Тип диода: ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЙ ДИОД; Применение диодов: выпрямитель, СВЕРХБЫСТРОЕ ВОССТАНОВЛЕНИЕ; IF: 40000 мА; Пакет: ГЕРМЕТИЧЕСКИЙ, TO-254, 3 PIN; Количество контактов: 3; Количество диодов: 2.

683STR050J : КОНДЕНСАТОР, ПЛЕНКА / ФОЛЬГА, ПОЛИЭСТЕР, 50 В, 0,068 мкФ, КРЕПЛЕНИЕ ДЛЯ ПРОХОДНОГО ОТВЕРСТИЯ. s: Конфигурация / Форм-фактор: Конденсатор с выводами; Технология: пленочные конденсаторы; Приложения: общего назначения; Электростатические конденсаторы: полиэстер; Соответствие RoHS: Да; Диапазон емкости: 0,0680 мкФ; Допуск емкости: 5 (+/-%); WVDC: 50 вольт; Стиль монтажа: сквозной.

Схема приемопередатчика прямого преобразования на цифровых микросхемах

Приемопередатчики с прямым преобразованием (DCT)

просты по конструкции с достаточно хорошими параметрами и давно привлекают внимание радиолюбителей.Во многом этому способствовали статьи и книги известного дизайнера и популяризатора техники прямого преобразования В. Особенно Полякова РА3ААЕ, ставшая справочником и учебником для целых поколений радиолюбителей.

Ранее журнал Radio уже опубликовал несколько удачных разработок однополосных ТЭС с фазовым подавлением боковой полосы зеркала, построенных по традиционной, теперь уже классической, схемотехнике на основе низкочастотных фазовращателей LC (LFPC).К основным недостаткам таких решений можно отнести однополосное, невысокое по сегодняшним меркам подавление боковой полосы зеркала, трудоемкость наматывания многовитковых катушек и регулировки НЧЧХ, восприимчивость к магнитным наводкам, что представляло определенные трудности при повторении конструкции за счет радиолюбители, особенно новички. Особо хотелось бы отметить 160-метровую CCI, в которой автору ценой определенных компромиссов удалось убрать трудоемкие элементы и создать легко воспроизводимую конструкцию, что в немалой степени способствовало внедрению сотен радиолюбителей-новичков. любителей радиолюбительской связи на ВЧ.

Благодаря появлению в широкой продаже новых высокоскоростных цифровых микросхем и качественных малошумящих операционных усилителей появилась возможность реализовать новый подход к построению однополосных ККИ, использующих цифровые переключатели в качестве микшером и использованием хорошо проработанной схемы функциональных блоков на операционном усилителе в остальной части схемы.

Предлагаемый вашему вниманию вариант основной платы ТПП является логическим продолжением и реализацией данного подхода при построении однополосной ТПП, подробно описанного в.Автор поставил перед собой задачу сделать конструкцию на современной элементной базе, легко воспроизводимой в домашних условиях и не требующей каких-либо сложных наладочных и наладочных работ или парковочных средств измерений — достаточно обычного цифрового мультиметра, желательно с функцией измерения емкости. Успешное повторение требует только осторожности и терпения. При использовании исправных деталей требуемого номинала и отсутствии ошибок установки основная плата ТПП запускается сразу, обеспечивая очень высокие параметры, по крайней мере, не хуже заявленных.

Основные параметры приемного тракта
  • Рабочие диапазоны частот, МГц — 1,8, 3,5, 7 и 14
  • Полоса пропускания приемного тракта (по уровню — 6 дБ), Гц — 400-2500
  • Чувствительность приемного тракта со входа смесителя (полоса пропускания 2,1 кГц, отношение сигнал / шум — 10 дБ), мкВ, не хуже — 0,3 *
  • Максимальный общий коэффициент усиления — 250 тыс.
  • Напряжение собственного шума на выходе УНЧ при максимальное Кус и сопротивление 50 Ом подключаемых на входе ТЭС, не более, мВ — 25
  • Допустимый диапазон входных сигналов в полосе пропускания, дБ, не менее — 100
  • Динамический диапазон кросс-модуляции (DD2) при 30% АМ и отстройка 50 кГц, не менее, дБ
    • На диапазоне 160м — 116 *
    • На диапазоне 80м — 110 *
    • На диапазоне 40м — 106 *
    • На диапазоне 20м — 106 *
  • Избирательность по соседнему каналу (с отстройкой от несущей частоты на -5.5 кГц + 3,0 кГц), не менее, дБ — 80
  • Подавление боковой полосы зеркала, не менее, дБ
    • На дальности 160м — 54 *
    • На дальности 80м — 52 *
    • На дальности 40м — 46 *
    • На дальности 20м — 48 *
  • Коэффициент прямоугольности сквозной АЧХ
    • (на уровнях -6, -40 дБ) — 1,4
    • (на уровнях -6, -60 дБ) — 3,2
    • (на уровнях -6, -80 дБ) — 4
  • Диапазон регулировки АРУ при изменении выходного напряжения на 12 дБ, не менее, дБ — 72 (в 4000 раз)
  • Диапазон RRU, не менее, дБ — 84 (в 16000 раз)
  • Выходная мощность НЧ тракта при нагрузка 8 Ом, при менее, Вт 0.5
  • Ток, потребляемый от внешнего стабилизированного источника питания 13,8В, не более, А — 0,3

Основные параметры тракта передачи
  • Выходное напряжение (при нагрузке 50 Ом) в режиме CW, не менее, Veff — 0,7
  • Подавление несущей частоты сигнала, дБ — не хуже 50 *

* указанная цифра ограничена возможностями оборудования, используемого для измерений, и в реальности может быть выше.

  1. Для получения большого динамического диапазона приемного тракта и эффективной работы АРУ оптимизировано каскадное распределение коэффициентов усиления нерегулируемых каскадов и расширены допустимые уровни входных сигналов в полосе пропускания.
  2. Для получения высокой селективности применяется принцип последовательного выбора, когда, помимо основного активного полосового фильтра, фактически в каждом каскаде усилителя полоса пропускания ограничивается на уровне 300-3000 Гц соответствующим выбором номиналы межкаскадных разделительных конденсаторов и в цепях ООС.
  3. Для подавления зеркальной боковой полосы используется метод, подробно описанный в и основанный на использовании многозвенного НЧ фазовращателя в 4-фазной сигнальной системе, что позволяет относительно простыми средствами, несмотря на увеличенное количество элементы, чтобы получить хорошее подавление и высокую температурную и временную стабильность параметров.Для получения 4-фазной системы сигналов используется цифровой фазовращатель, что значительно упрощает создание многополосных схем.
  4. В связи с тем, что во всех критических (из-за больших конструктивных размеров и низких уровней сигналов) узлах (смеситель-детектор, предварительный УНЧ, низкочастотный фазовращатель — полифайзер) применено дифференциальное усиление сигналов, конструкция имеет хорошие характеристики. помехозащищенность, в том числе помехи от электросети.
  5. Для уменьшения общего количества деталей трансивера и, соответственно, размера основной платы структурная схема CCI выбрана такой, чтобы самые сложные и громоздкие узлы (восьмиканальный LF FV и основной FSS) используются как например, так и для передачи сигналов.
  6. Используется электронная коммутация всех режимов работы трансивера.
  7. Одноплатная конструкция, исключающая возможность ошибок при установке деталей и узлов, а также обеспечивающая оптимальную, по мнению автора, компоновку и хорошую общую и взаимную экранировку основных функциональных узлов. Использование печатной платы с односторонним расположением печатных проводников (вторая сторона служит общим проводом — экраном) позволяет изготовить качественную плату в домашних условиях с помощью так называемой «лазерной глажки». технология.


Возможная функциональная схема ТПП представлена ​​на рис. 1. Он состоит из пяти структурно законченных единиц. Узел А1 состоит из четырехдиапазонного переключаемого реле, ФНЧ и широкополосного усилителя мощности, который может быть использован любой известной, многократно описанной в радиолюбительской литературе конструкции, например. Узел A3 содержит двухзвенный аттенюатор (первое звено имеет ослабление -10 дБ, второе -20 дБ, что позволяет при соответствующем переключении получить четыре значения ослабления 0, -10 дБ, -20 дБ. , -30 дБ и тем самым оптимально согласовать динамический диапазон приемного тракта CCI с реальными уровнями входных сигналов антенны), полезный при работе с полноразмерной антенной, и четырехполосный полосовой фильтр, который можно использовать как любой из известных конструкций 50-омных трехконтурных PDF-модулей, также неоднократно описанных в радиолюбительской литературе.Узел A4 представляет собой гетеродин на основе одного неотключаемого генератора на частоты 56-64 МГц, настраиваемый механически с помощью КПЭ или с электронной перестройкой частоты с помощью многооборотного резистора, и управляемого делителя частоты с переменным коэффициентом деления 1, 2,4,8. Необходимую стабильность с помощью ЦАП и цифрового считывания частоты обеспечивает узел А2, сделанный на базе готовой цифровой шкалы «Макеевская», которую можно купить во многих регионах Украины и России и здесь не описывается. как вариант для самостоятельного изготовления можно порекомендовать хорошо зарекомендовавшую себя разработку А.Денисов.

Основная обработка сигнала в режимах передачи и приема — его преобразование, подавление зеркальной боковой полосы и фильтрация — выполняется узлом A5 — основной платой CCI.

В режиме приема сигнал с выхода PDF поступает на смеситель-детектор U3, который используется как половина высокоскоростного сдвоенного четырехканального переключателя FST3253 со средним временем переключения 3-4 нс. Другая половина этого переключателя используется как смеситель-модулятор U2 во время передачи.

Использование четырехканального переключателя FST3253 в качестве смесителя позволило упростить схему, так как часть функций фазовращателя выполняет внутренняя управляющая логика переключателя, на адресные входы которого поступают управляющие сигналы. поступают со счетчика на 4 (узел U4). Переключение рабочей боковой полосы происходит при подаче сигнала USB / ULB из схемы управления путем изменения последовательности входящих управляющих импульсов от счетчика к переключателю.В этом случае частота гетеродина должна быть в четыре раза выше рабочей частоты. В результате на выходе смесителя формируется четырехфазная система сигналов, которые после предварительной фильтрации однолинейными фильтрами нижних частот Z3 … Z6 и предварительного усиления дифференциальными усилителями A3 и A4 проходят через замкнутые контакты электронного переключателя SA3.2 … SA3.5 к низкочастотному фазовращателю U6. К выходу последнего подключены дифференциальные усилители A5, A6, которые компенсируют затухание сигналов в фазовращателе.Затем сигналы полезной боковой полосы, получившей нулевой фазовый сдвиг, суммируются на сумматоре A10, а зеркальная боковая полоса, которая получила фазовый сдвиг 180 °, вычитается и подавляется. Основной активный полосовой фильтр подключен к выходу сумматора через замкнутые контакты электронного переключателя SA3.6, который представляет собой последовательно включенный нормирующий усилитель A8, FSS Z7, состоящий из ФВЧ третьего и ФНЧ шестого. заказ и буферный усилитель с дифференциальным выходом А7.

Отфильтрованный полезный сигнал через замкнутые контакты электронного переключателя SA3.1 поступает на УНЧ, состоящий из управляемого напряжением усилителя A6 и вывода ULF A5, к выходу которого подключен громкоговоритель BA1, АРУ. Детектор U5 и регуляторы усиления и громкости. CCI переходит в режим трансмиссии либо нажатием педали, либо нажатием кнопки.

В первом случае сигнал + TX формируется в цепи управления U7, которая переключает контакты электронного переключателя SA3 в противоположное положение, выключает смеситель-детектор U3 и активирует смеситель-модулятор U2.Путь микрофона включен. Для повышения энергоэффективности передатчика на 8-9 дБ (в 6-8 раз по мощности) динамический диапазон речевого сигнала сжимается с помощью последовательного фазового ограничителя, состоящего из усилителя-ограничителя A12, однолинейного фазовращателя U9. и ограничитель очистки U8. Далее сформированный сигнал через замкнутые контакты электронного переключателя SA4 и SA3.6 поступает на основной активный полосовой фильтр, который представляет собой последовательно включенный нормирующий усилитель A8, FSS Z7, состоящий из фильтра верхних частот третьего и фильтр нижних частот шестого порядка и буферный усилитель с дифференциальным выходом A7.Полезный сигнал, отфильтрованный от остаточных гармоник с прямого и обратного выходов ФСС через замкнутые контакты электронного переключателя SA3.2 … SA3.2, поступает на входы низкочастотного фазовращателя U6, объединенные попарно. , что необходимо для правильной фазировки модулирующих квадратурных сигналов, получаемых на выходе последних. Эти сигналы проходят через дифференциальные усилители A5, A6, компенсирующие затухание сигнала в фазовращателе, и поступают на квадратурный смеситель-модулятор U2, на выходе которого сигналы полезной боковой полосы, получившие нулевой фазовый сдвиг. , и боковая полоса зеркала, которая получила фазовый сдвиг 180 °, вычитаются и подавляются.

Во втором случае при нажатии клавиши в цепи управления U7 помимо «+ TX» формируются еще два сигнала — «+ MIC off», которые отключают микрофонный тракт и подключают телеграфный сигнал G2. Генератор, переключая контакты электронного переключателя SA4 и сигнал «+ KEY», напрямую управляя манипуляцией этого генератора. Телеграфный тональный сигнал через нормально замкнутые контакты электронного переключателя SA4 и SA3.6 попадает в основной активный полосовой фильтр и проходит по тому же пути, что и микрофонный.


Принципиальная схема узла A5 — основной канал CCI показан на рис. 2. Как видите, некоторые узлы нам уже известны и подробно описаны в, также есть некоторые особенности их работы и требования к деталям. Поэтому здесь мы не будем их подробно описывать.

В исходном положении, когда контакты X13, X15 не замкнуты на общий провод, тракт работает в режиме приема. Низкий уровень сигнала + TX поступает на вывод 1 DD2 и позволяет смесителю-детектору работать через DD1.1 74AC86, высокий уровень идет на вывод 15 DD2, запрещая работу смесителя-модулятора. При переходе в режим передачи сигнал высокого уровня + TX (примерно + 8,0 … 8,5 В) проходит через делитель на резисторах R2R3, который соответствует уровням напряжения, на вывод 1 DD2 и запрещает работу смесителя-детектора, в то время как через инвертор DD1.1 низкий уровень поступает на вывод 15 DD2, разрешая работу смесителя-модулятора.

Итак, в режиме приема сигнал с выхода PDF по схеме C4R7 поступает на четырехфазный (квадратурный) смеситель DD2, выполненный на нижней половине четырехканального переключателя FST3253 (возможно использование SVT3253 и другие аналоги разных производителей с немного измененным названием).Для увеличения скорости переключатель питается повышенным напряжением +6 В от стабилизатора VR1. Резистор R7 улучшает балансировку и выравнивает сопротивление открытых ключей (обычно около 4 Ом с технологическим разбросом ± 10%). Напряжение смещения с делителя R1R11, равное + 3В, подается на вход переключателя через резистор R10, обеспечивающий работу смесителя на максимальном линейном участке характеристики. Управляющие сигналы (гетеродин) на коммутатор поступают от синхронного счетчика-делителя на 4, выполненного на D-триггерах микросхемы DD3 74AC74.Они имеют форму меандра с фазовым сдвигом на 90 градусов. В них окончательно формируется внутренняя схема управления самим переключателем, так что четыре ключа открываются по очереди. Для наглядности на рис. 2 напротив соответствующих выводов микросхемы DD1 указаны фазы выходного сигнала. Элементы DD1.2, DD1.3, входящие в цепи обратной связи синхронного счетчика, контролируют последовательность поступающих на коммутатор управляющих импульсов и предназначены для выбора рабочей боковой полосы. В исходном положении это верхний, а при замыкании контакта Х3 на общий провод подсвечивается нижний.

Нагрузочные конденсаторы (C21C28, C22C29 и т. Д.) Подключены к выходу каждого из четырех каналов квадратурного детектора, ограничивая полосу пропускания детектора примерно до 3000 Гц.

Как я уже отмечал в вышеупомянутой статье, динамический диапазон микшеров на базе современных высокоскоростных переключателей (74NS405x, FST3253) ограничен не микшером, а предварительным УНЧ сверху за счет прямого обнаружения АМ помехи в нем, но снизу по шуму. DD2 можно улучшить еще на 10… 20 дБ за счет установки дополнительных ФНЧ после смесителя. Эта идея реализована в CCI за счет установки однолинейных фильтров нижних частот (R30C34, R31C35 и др.) С частотой среза около 6 кГц. В этом схемном решении использование резистивных фильтров на входе предварительного УНЧ не привело к сколько-нибудь заметному ухудшению чувствительности (по крайней мере, я не смог исправить это инструментально), но положительно сказалось на улучшении в целом, или, если хотите, настоящая, избирательность.

С одной стороны, это обеспечивает хорошее подавление внеполосных помех, с другой — вносит заметный дополнительный фазовый сдвиг в полезный сигнал, поэтому соответствующие резисторы и конденсаторы во всех четырех каналах должны быть термостабильными и согласованы по емкости с точностью не менее 0,2% (здесь и далее имеется в виду точность подбора элементов четырех каналов между собой, по абсолютной величине может варьироваться до 5%).

ОУ DA3, DA4 NE5532, подключенные по схеме дифференциального измерительного усилителя, улучшают симметрию сигналов и подавляют синфазные помехи (продукты обнаружения АМ, датчик с частотой сети и т. Д.) пропорционально Кус = 19 раз. Такое предварительное усиление является оптимальным, по мнению автора, для обеспечения высокой чувствительности и компенсации потерь в низкочастотном фазовращателе в режиме приема без ухудшения допустимого диапазона входных сигналов в полосе пропускания. Резисторы в цепях обратной связи R45, R46, R49-R52 необходимо подбирать с точностью не менее 0,5%.

Поскольку LF EF используется как для приема, так и для передачи, для переключения его входов используются электронные ключи DD4, DD5 HCF4066 (можно заменить на аналогичные из серии CD4000 или отечественного 1561KT3).Выходы дифференциального предусилителя подключены к четырехфазному восьмизвенному низкочастотному RC-фазовращателю на элементах R69-R126 и C57-C109 через разомкнутые в режиме приема электронные ключи переключателя DD4 (при этом управляющий сигнал + TX низкий и электронные ключи DD5 закрыты). При переходе в режим передачи высокий уровень (примерно + 8 … 8,5 В) сигнала + TX размыкает электронные ключи переключателя DD5, подключая входы низкочастотного FV к противофазным выходам FSS ( выводы 7 DA5.1 и DA2.2). В этом случае транзистор VT1, инвертирующий управляющий сигнал + TX на низкий уровень (примерно + 0 … 0,5 В), замыкает электронные ключи переключателя DD4, тем самым отключая предусилители от низкочастотного ФВ и соответственно с тракта передачи.

Такой низкочастотный фотоэлектрический элемент, несмотря на увеличенное количество элементов, прост по конструкции. За счет взаимной компенсации фазовых и амплитудных дисбалансов отдельных цепей возможно использование в ней элементов с допуском ± 5% (разумеется, точность подбора четверок элементов должна быть не хуже 0.5%) при сохранении высокой точности фазового сдвига. Для облегчения выбора элементов был выбран вариант LF PV на тех же конденсаторах. Этот вариант, по сравнению с используемым в, имеет немного большее затухание, которое легко компенсируется увеличением усиления предварительного каскада. Сама величина емкости может быть разной — оптимальные значения лежат в диапазоне 10-33 нФ — при большей емкости возможна перегрузка пред-УНЧ, а при меньшей — низкочастотные цепи ФЭ имеют высокоимпедансные и риск помех и захвата увеличивается.Варианты возможных номиналов резисторов в зависимости от выбранной емкости НЧ ФЭУ приведены в таблице 1.

R66-69 R75-78 Р82-86 R91-94 R99-102 R108-111 R115-118 R123-126
10 нФ 4.7k 6,8k 10k 13k 20k 27k 43k 56k
10 нФ 3,3 к 4,3 к 6,2 к 9,1 к 13 к 20 к 30 к 39 к
10 нФ 2,2k 3k 4,3k 6,2k 9,1k 13k 20k 27k
10 нФ 1.5k 2k 3k 3,9k 6,2k 9,1k 13k 20k

Таблица 1.

С выхода низкочастотные сигналы FV поступают на ОУ DA7, DA8, также подключенные по схеме дифференциального измерительного усилителя, что дополнительно улучшает симметрию сигналов. и подавляет синфазные помехи (детектирование AM, наводка с частотой сети и т. д.) пропорционально Kus = 7 раз.Этого прироста, по мнению автора, достаточно для компенсации потерь в низкочастотной ФВ в режиме передачи. Резисторы в цепях обратной связи R130-R135 также необходимо подбирать с точностью не менее 0,5%. Поскольку в режиме передачи выходы этого дифференциального каскада подключены к низкоомной нагрузке — модулятора (при приеме он отключен), выходы ОУ DA7, DA8 запитаны парами комплементарных транзисторов VT8VT9, VT10VT11. и т.д. (подойдут любые исправные, например КТ315, 361 или КС547, 557).Оптимальнее было бы использовать качественные операционные усилители средней мощности, но в наших краях они отсутствуют и, как показала практика, применяемое решение работает эффективно и надежно.

Затем четырехфазный сигнал поступает на входы классического сумматора на ОУ DA9.1, где за счет полученных фазовых сдвигов складываются и усиливаются сигналы нижней боковой полосы, а верхней боковой полосы. сигналы вычитаются и подавляются. Сигнал с выхода сумматора через пассивный полосовой фильтр R160C127R161C128 поступает на первый ключ (пины 1-2) электронного переключателя DD6 HCF4066 (может быть заменен на аналогичные из серии CD4000 или отечественного 1561КТ3), которым управляет второй ключ (пины 8-9), включаемый управляющим сигналом инвертора + TX.В режиме приема сигнал + TX имеет низкий уровень, поэтому первая клавиша открыта и полезный сигнал беспрепятственно поступает на вход нормализующего усилителя DA6.2. В этом каскаде основная задача — обеспечить сигнал оптимального уровня как на приемном, так и на передающем тракте CCI. В режиме приема его Cus = R122 / (R161 + R160) = 1,3 выбирается малым, что необходимо для обеспечения максимального диапазона допустимых уровней сигнала в полосе пропускания. Конденсатор C105 ограничивает полосу пропускания этого каскада примерно до 3 кГц.При переходе в режим передачи высокий уровень (примерно + 8 … 8,5В) сигнала + TX замыкает первый ключ и открывает третий электронный ключ (выводы 3-4) переключателя DD6, тем самым отключая сумматор. выход нормализующего усилителя и подключение к нему параллельно включенных выходов микрофонно-телеграфного тракта. Если микрофонный тракт активен (это определяется управляющими сигналами MICoff и + KEY, но об этом ниже, при описании соответствующих узлов), коэффициент усиления нормализующего усилителя Kus = R122 / R140, а для телеграфного тракта Кус = R122 / R129.Это позволяет при настройке выставить подстроечные резисторы R129, R140 на оптимальные уровни модулирующего сигнала отдельно для микрофонного и телеграфного трактов.

Далее в режиме приема сигнал поступает на активный основной фильтр частоты сигнала (ФСС), выполненный на трех последовательно соединенных звеньях 3-го порядка — один ФВЧ с частотой среза 350 Гц на DA5. 2 ОУ и два ФНЧ с частотой среза 2900 Гц — на ОУ DA6.1 и DA5.1.

Для улучшения развязки и снижения шума в цепи питания каскадов дифференциальных усилителей DA3, DA4, DA7, DA8 и остальной малосигнальной части тракта (сумматор, FSS, MUO и др.)) питаются от отдельных интегрированных стабилизаторов VR2, VR3. Делители напряжения питания R72R73, R86R119, R96R153 создают напряжение смещения для ОУ соответствующих узлов с униполярным питанием.

Отфильтрованный сигнал с выхода FSS подается через схему деления R53C48 (однолинейный ФВЧ с частотой среза около 300 Гц) на вход регулируемого каскада усилителя на операционном усилителе DA2.1. Его коэффициент усиления определяется соотношением полного сопротивления резистора R29, включенного параллельно в цепи ООС, и сопротивления канала полевого транзистора VT3 КП307Г (любых транзисторов серий КП302, КП303, КП307, имеющих разрез). напряжение выключения не более 3.Здесь подходят 5 В при максимальном начальном токе стока) на сопротивление резистора R53. Когда напряжение смещения на затворе VT3 изменяется от 0 до +4,5 В, Cus изменяется от 40 до 0,002, т. Е. От +32 до -54 дБ, что обеспечивает эффективную автоматическую (AGC) и ручную (RRU) настройку общей усиление приемника … На рисунке 3 показан график зависимости напряжения на выходе УНЧ от напряжения на входе ДПФ авторской копии ККИ, иллюстрирующий работу АРУ.Схема R27R34C33 подает половину сигнального напряжения на затвор транзистора VT3, что улучшает линейность характеристики управления, в результате чего даже при входном сигнале 2 Вэфф (максимально возможный сигнал на выходе основной полосовой фильтр) уровень нелинейных искажений не превышает 0,1%.

Параллельно выводам стока, истока транзистора VT3, на транзисторе КП307Г подключен электронный ключ VT2 (возможные замены такие же, как и для VT3).При переходе в режим передачи сигнал высокого уровня + TX (примерно + 8,0 … 8,5 В) поступает через делитель на резисторах R28R37, что снижает уровень напряжения на затворе VT2 до + 4,3 … 4,5 В. , что приводит к его полному открытию. Низкое сопротивление канала (примерно 50-80 Ом) открытого транзистора VT2 сильно шунтирует резистор R29 цепи ООС, что приводит к снижению УНЧ Cus примерно на 16-20 тысяч. отчетливый сигнал самоконтроля при работе телеграфа.Схема D6R38C38 обеспечивает быстрое (доли мс) размыкание ключа VT2 при переключении на передачу и его медленное (примерно 50 мс, определяется постоянной времени R38C38) замыкание при переключении на прием, что исключает появление громких щелчков в телефонах при переключение режимов работы.

Сигнал с выхода ОУ DA2.1 через однолинейный фильтр нижних частот R23C16 поступает на вход конечного УНЧ DA1 LM386N с Kus = 80 и далее, с выхода DA1 на выход платы к регулятору громкости и по цепочке R16R17C14 идет к детектору АРУ, выполненному на диодах VD1-VD5 KD522 (можно использовать любые кремниевые КД510, КД521, 1N4148 и т. д.)) и имеющий две цепи управления — инерционную с конденсатором С26 и быстродействующую с конденсатором С19, что позволяет улучшить работу АРУ в условиях импульсных помех. Общая точка соединения элементов детектора АРУ ​​подключена к делителю R19R20R36,0R2, который создает начальное напряжение смещения полевого транзистора. С помощью подстроечного резистора R19 он устанавливается оптимальным для конкретного экземпляра транзистора и, при необходимости, регулируется общий коэффициент усиления приемника.Резистор 0R2 (он находится вне узла A5) используется для быстрой регулировки общего усиления при прослушивании эфира. Фактически, эта регулировка эквивалентна изменению усиления ВЧ или ПЧ супергетеродина.

Микрофонный усилитель с последовательным фазовым ограничителем (МУО) выполнен на ОУ DA10 NE5532, рассчитанном на использование электретного микрофона. Питание +9 В подается по цепочке R165, C133, R166. Резистор R165 определяет ток (в данном случае около 0,75 мА, что подходит для многих типов компьютерных гарнитур и при необходимости может регулироваться) и, соответственно, режим работы микрофона.Конденсаторы С74, С129 используются для защиты от радиопомех. Сигнал с микрофона поступает на вход ограничивающего усилителя (вывод 3 DA10.1) через пассивный фильтр верхних частот C134, R163, R156 с частотой среза около 5,5 кГц, что обеспечивает увеличение высокочастотных составляющих. спектра около 6 дБ / октава, что значительно улучшает качество и разборчивость генерируемого сигнала. Использование такой пассивной корректирующей схемы приводит к ослаблению микрофонного сигнала (примерно на 14 дБ на частоте 1 кГц), но с учетом того, что электретные микрофоны выдают на выходе сигнал высокого уровня (в среднем -5-15 мВ и амплитуда до 50-70 мВ в режиме громкой «А»), позволяет существенно упростить схему без потери качества сигнала.Cus усилителя-лимитера DA10.1 определяется соотношением резисторов R152, R162 и в данном случае составляет примерно 1000, что с учетом затухания корректирующей цепью в 5 раз (около 14 дБ на частоте 1 кГц, для которого мы рассчитываем) дает общее Cus = 200 … Порог ограничения диодов D19.20 (можно использовать любые кремниевые КД522, КД521.1Н4148 и т. Д.) Около 600 мВ, отсюда начало ограничения для микрофонного сигнала составляет около 3 мВ.Если при тестировании с конкретным микрофоном вам кажется, что это усиление чрезмерно, это легко исправить, пропорционально увеличив резистор R162. После тестирования этого MUO я пришел к выводу, что такое усиление является оптимальным, поскольку позволяет работать со многими типами микрофонов без дополнительной настройки. При желании можно ввести оперативную регулировку уровня клиппирования в диапазоне 0-30 дБ, для чего необходимо последовательно с R162 установить переменный резистор 1-2,2 кОм, желательно с логарифмической характеристикой, которая может отображаться на передней панели.

Схема входных цепей MUO позволяет при необходимости легко производить достаточно большую и гибкую коррекцию АЧХ и варьировать предыскажения, которые могут потребоваться при оптимизации качества генерируемого звука в зависимости от характеристик конкретный микрофон и тембр голоса оператора. Например, с низким глухим тембром голоса можно выбрать R162 = 6,8 Ом и C132 = 22 мкФ, что обеспечит дополнительное увеличение звуковых частот примерно с 1000 Гц.А если при этом поставить конденсатор С129 = 47 нФ, который вместе с R163 = 1 кОм образует фильтр нижних частот с частотой среза около 3 кГц. Результирующая частотная характеристика входной цепи получит заметно выраженную резонансную форму с пиком на частотах примерно 2,5-2,7 кГц, что положительно скажется на разборчивости сигнала.
Сигнал, ограниченный почти прямоугольной волной, поступает на одноступенчатый фазовращатель, выполненный на ОУ DA10.2.Собственная частота фазовращающей схемы R145, C115 была выбрана около 400 Гц — как показал эксперимент, это дает несколько лучшие результаты, чем обычно рекомендуемые 500-600 Гц. При этом фазовый метод эффективно подавляет гармоники ограниченных сигналов в диапазоне частот от 500 до 1000 Гц, а выше 1000 Гц, не менее эффективно подавляет гармоники основной ФСС. Для корректной работы фазовращателей резисторы R142, R144 должны иметь одинаковые номиналы (желательно не хуже + -1%), само значение не критично и может находиться в пределах 3.3-100 кОм. Когда ограниченный НЧ-сигнал проходит через фазовращатель, гармоники получают фазовый сдвиг примерно на 70-100 градусов. относительно основной частоты. В этом случае форма прямоугольного сигнала сильно искажается, и гармоники, которые раньше образовывали крутые края, теперь образуют выбросы около пиков синусоидального напряжения основной частоты. Эти скачки отсекает второй ограничитель, сделанный на диодах D17, D18 .. Здесь я хочу обратить внимание коллег на очень важный момент, на который он сам наткнулся на первых тестах — КПД или, если хотите , качество работы такого ММП, состоящего из двух (иногда и более) последовательных ограничителей, очень сильно зависит от степени (жесткости) первого ограничителя и сопряжения предельных уровней первого и второго ограничителей… Причем, чем больше мы ограничиваем сигнал, тем сильнее проявляется эффект фазового подавления гармоник. Это хорошо подтверждают результаты экспериментов, представленные на рис. 4 — при ограничении 30-40 дБ уровень нелинейных искажений на частотах 500-900 Гц практически не меняется и не превышает 8,5%. Наилучшие результаты получаются, если уровень второго ограничителя составляет 0,5-0,7 от уровня первого, поэтому во втором я использовал диоды КД514. Замена на КД522, 1Н4148 вполне приемлема — измерения показали, что нелинейные искажения немного увеличились — примерно до 11-12%, но звучит сигнал вполне прилично.

Электронные ключи на транзисторе VT16 КП307Г (возможные замены такие же, как у VT2, VT3), шунтирующие цепь ООС ОУ DA10.2 и четвертый элемент (выводы 10-11) переключателя DD6, замыкающий Вывод MUO на общий провод, служит для отключения микрофонного тракта в режимах работы на прием или по телеграфу, для чего используется управляющий сигнал высокого уровня (напряжение примерно + 8,0 … 8,5 В) + MICoff. Такое двухступенчатое или двухклавишное управление обеспечивает надежное отключение микрофона и полностью исключает появление помех от него в режимах приема и работы телеграфа.

Генератор телеграфного сигнала выполнен на ОУ DA9.2 по схеме с винным мостом R98R107C87C95 в цепи положительной обратной связи. Частота генерации определяется по формуле f = 0,159 / R98C87, в данном случае она примерно равна 1000 Гц и при необходимости может быть изменена. На указанной частоте основной FSS эффективно подавляет гармоники, что приводит к кристально чистому тональному сигналу на выходе TPP. Жесткая стабилизация амплитуды генерируемых колебаний осуществляется с помощью встречно-параллельных диодов D14, D15 (можно использовать любые кремниевые КД522, КД521, 1N4148 и т. Д.).) на уровне около 0,25 Вэфф. Далее сигнал генератора через однолинейный фильтр нижних частот, понижающий уровень гармоник, поступает на электронный ключ VT7 KP307G (возможные замены такие же, как у VT2, VT3), который напрямую манипулирует телеграфным сигналом при высоком уровне -уровневый сигнал управления поступает в цепь затвора (примерно +8, 0 … 8,8 В) + КЛЮЧ. Этот сигнал проходит через делитель на резисторах R114R121, который снижает уровень напряжения на затворе VT7 до + 4,3 … 4,5В.Схема D16R120R128C110 предназначена для формирования трапециевидного управляющего сигнала из прямоугольной волны + KEY в схеме затвора с временем нарастания около 15 мс и спада около 20 мс. Такие значения оптимальны, по мнению автора, для средней скорости передачи 90-120 знаков в минуту. Если вам нравится работать на более высоких скоростях, рекомендуется выбрать емкость C110 равной 47 нФ. В этом случае длительность нарастания и спада сформированного телеграфного сообщения составит примерно 7 и 10 мс, что соответствует традиционно рекомендуемым значениям в отечественной литературе… За счет квадратичной ВАХ полевого транзистора форма огибающей формируемых импульсов становится близкой к оптимальной, колоколообразной, что обеспечивает узкий спектр излучения для телеграфной передачи, конечно, при условии что каскады УМ имеют достаточно линейную амплитудную характеристику. В неактивном режиме (управляющие сигналы + MICoff или + TX низкий уровень) работа задающего генератора блокируется током, протекающим по цепочке D8D9R61 D15. Низкое дифференциальное сопротивление диода D15, размыкаемого протекающим током, шунтирует резистор R106 цепи ООС, что исключает возможность генерации.Постоянное напряжение с выхода генератора (вывод 1 DA9.2) около +5 В подается на источник VT7, а на затворе он имеет уровень сигнала Low + KEY, поэтому он закрыт. Такое двухступенчатое управление обеспечивает надежное отключение телеграфного генератора и полностью исключает появление помех от него в режимах приема и работы микрофона.

Перевод трансивера в режим передачи микрофоном или телеграфом осуществляется специальной схемой управления, выполненной на четырех двухвходовых триггерах Шмидта микросхемы DD7 HCF4093 (можно использовать К1561TL1), формирующей необходимое управление сигналами.В исходном состоянии режим приема — до нажатия клавиши или педали, на выводах 3.10 DD7 (сигналы + KEY. + TX) низкое напряжение (примерно + 0,3 … 0,8В), а на выводе 11 DD7 (сигнал + MICoff) высокое напряжение (примерно + 8,0 … 8,8 В).

При нажатии на педаль или иным способом замыкании выхода X15 основной платы на общий провод на выходе 10.12 DD7 одновременно формируется высокий уровень управляющего сигнала + TX, который переключает трансивер в режим передачи, а также низкий уровень управляющего сигнала + MICoff, что позволяет работать микрофонному тракту и блокировать телеграфный генератор.Если кнопка нажата при нажатой педали (контакт X13 основной платы замкнут на общий провод), высокий уровень управляющего сигнала + TX, который переключает трансивер в режим передачи, останется, а высокое напряжение Уровень появится на выводе 11 DD7 (сигнал + MICoff), разрешая работу телеграфного генератора и блокируя путь микрофона. При этом на выводе 3 DD7 формируется высокий уровень управляющего сигнала + KEY, который формирует телеграфное сообщение.

Если работать с ключом, не нажимая на педаль, появляется возможность прослушивания трансляции в паузах между телеграфными сообщениями (так называемый «полудуплексный режим» — QSK).При первом нажатии клавиши напряжение высокого уровня на выводе 3 DD7, которое формирует высокий уровень управляющего сигнала + KEY, быстро (доли мСм) заряжает конденсатор C46 через резистор R48. Высокий уровень напряжения на этом конденсаторе приводит к появлению на выводе 4 DD7 напряжения низкого уровня, что инициирует формирование высокого уровня управляющего сигнала + TX и + MICoff логическими элементами DD7.3, DD7.4. Время удержания трансивера в режиме передачи после отпускания клавиши составляет примерно 0.1 с и определяется постоянной времени цепи R44C46. Если схемы включения внешних устройств (например, лампы Ума с релейным переключением) не выдерживают такой «скорострельности», время выдержки можно увеличить, пропорционально увеличив номинал резистора R44, например, если выбрать 1 МОм, то время выдержки составит примерно 1 сек.

На транзисторах VT4, VT5, VT6 выполнен ключевой усилитель-формирователь сигналов управления + 13.8RX и + 13.8TX для коммутации внешних узлов (PDF, PA, LPF, аттенюатор и др.)). Мощность транзисторов VT5, VT6 определяет допустимую нагрузку … При указанном КТ814 (возможна замена на КТ816 при B> 50) допустима нагрузка до 0,5А. Если ток нагрузки не превышает 0,25А, то можно успешно поставить КТ208, КТ209, КТ502 с любым буквенным индексом.

Требования к деталям, возможные замены и их выбор при необходимости изложены в тексте по пути описания соответствующих компонентов как основного тракта трансивера, рассматриваемого здесь, так и в тексте описания приемника. , с которым мы настоятельно рекомендуем вам ознакомиться.

Большинство деталей ТПП расположено на печатной плате (рис. 5), изготовленной из двухстороннего фольгированного стекловолокна. Верхняя сторона служит общим проводом и экраном. Отверстия вокруг выводов деталей, не соединенных с общим проводом, следует утопить сверлом диаметром 2,5-3,5 мм. Крестиком помечены выводы деталей, подключенных к общему проводу. Общий провод силовой части УНЧ (вывод 4 DA1) подключается к верхней стороне общего провода только в одной точке — контактами X10, X22, которые припаяны с обеих сторон.Сюда же подключается общий провод от блока питания. Учитывая большую плотность расположения деталей, установку рекомендуется производить в следующей последовательности: сначала на плату устанавливаются все проволочные перемычки из тонкой изолированной монтажной проволоки; затем монтируются пассивные и активные элементы, к общему проводу припаиваются выводы и только потом остальные компоненты.

Перед подачей напряжения питания на плату еще раз внимательно проверьте установку. Если все сделано без ошибок и из рабочих деталей, сразу запускается основная плата.После подачи напряжения питания потребление тока в режиме приема (без сигнала GPA, ключа и педали в открытом положении) должно быть близко к 100 мА, из динамика должен быть слышен тихий и равномерный шум. Полезно проверить режимы работы каскадов по постоянному току — на выходе всех ОУ должно быть напряжение, близкое к +4,5 В, на выходах логических элементов и ключей должны быть уровни управляющих напряжений, соответствующие описание логики работы этих узлов.

Первым этапом настройки является установка порога АРУ ​​для тракта приема. Для этого ползунок резистора 0R1 устанавливают в верхнее положение по схеме, а ползунки резистора 0R2 Gain и подстроечного резистора R19 (см. Рис. 2) устанавливают в левое положение по схеме. Подключите резистор 50 Ом ко входу приемника. Подключите VFO. К выходу (клеммы Х9, Х10) приемника подключаются динамик или телефоны, при желании можно подключить осциллограф или авометр в режиме измерения переменного напряжения.Перемещая ползунок триммера R19, найдите положение, в котором шум начинает уменьшаться, и из этого положения слегка переместите ползунок в противоположном направлении. Это будет оптимальная настройка порога АРУ.

Настройку тракта передачи можно выполнить в два этапа. Сначала подключив осциллограф или мультиметр в режиме измерения переменного напряжения к отрицательной клемме одного из электролитов (С117, С120, С126 или С131) замыкаем ключевые контакты и переводим ККИ в режим передачи телеграфного сигнала.Подстроечным резистором R129 выставляем уровень модулирующего сигнала примерно 1,7 Вэфф (амплитуда 2,3 В), при этом в динамике должен отчетливо слышаться сигнал самоконтроля. Подключите микрофон и нажмите на педаль. В режиме громкой «А», вращая подстроечный резистор R140, установите уровень модулирующего сигнала примерно на 1,1 Вэфф (амплитуда около 2,2 В). Предварительная настройка передающего тракта завершена.

На рис. 6 представлена ​​диаграмма распределения коэффициентов передачи, схема каскадных уровней сигналов приемного и передающего трактов, которая поможет лучше понять принцип работы ТПП и при необходимости тщательно ее настроить. .

Литература

  1. Поляков В. Приемник прямого преобразования на 28 МГц. — Радио, 1973, №7, с.20.
  2. Поляков В. Приемник прямого преобразования SSB. — Радио, 1974, № 10, с.20.
  3. Поляков В.Т. Однополосный модулятор-демодулятор. — Радиотехника, т. 29, 1974, № 10.
  4. Поляков В. Смеситель приемный с прямым преобразованием. — Радио, 1976, № 12, с. 18.
  5. Поляков В. Приемник прямого преобразования. — Радио, 1977, № 11, с. 24.
  6. Поляков В.Фазовые ограничители речевых сигналов. — Радио, 1980, № 3, с.22
  7. Поляков В., Степанов Б. Смесительный гетеродинный приемник. — Радио, 1983, №4, с.19-20
  8. Поляков В. Приемники прямого преобразования. — М .: ДОСААФ, 1981
  9. Поляков В. Приемопередатчики прямого преобразования. — М .: ДОСААФ, 1984
  10. Поляков В. Радиолюбители по технике прямого преобразования. — М .: Патриот, 1990.
  11. Пьяный Ю. Приемопередатчик прямого преобразования. — Радио, 1979, № 7, с.14
  12. Лутс Э. Приемопередатчик прямого преобразования на 28 МГц. — Радио, 1988, №1, с. 16
  13. Поляков В. Приемопередатчик прямого преобразования на 160м. — Радио, 1982, №10, с.49-50, №11, с.50-53
  14. … — Радио, 2005. №10, с. 61-64, №11, с. 68-71.
  15. Абрамов В. (UX5PS), Тележников С. (RV3YF). Коротковолновый приемопередатчик Дружба-М. — http://www.cqham.ru/druzba-m.htm.
  16. Денисов А. Цифровая шкала-частотомер с жидкокристаллическим индикатором и автоматическим регулятором частоты.- http://ra3rbe.qrz.ru/scalafc.htm.
  17. Титце У., Шенк К. Полупроводниковые схемы. — М .: Мир, 1982.
  18. Горовиц П., Хилл У. Искусство схемотехники, вып. 1. — М .: Мир, 1983.
    19. .

Что изменилось в трансивере после его публикации в журнале RADIO Magazine № 9.11 2006 г.?

Небольшие изменения. По возможности вместо пары конденсаторов (керамика С21 + пленка С28) лучше поставить импортные МКТ, МКР номиналом 0,1 мкФ в каждый канал, естественно подобранный с точностью не хуже 0.2% (как показал эксперимент, точность этой четверки напрямую определяет качество подавления боковых, потому что если их убрать (уменьшить до 3,3-4,7 нФ), подавление в нижних диапазонах возрастет до 60-63 дБ !!! , но, к сожалению, они необходимы, иначе снижается устойчивость к АМ-помехам), что позволило немного улучшить подавление зеркальной стороны на 7МГц и 14МГц. Также немного оптимизированы схемы АРУ (это уже отражено в схеме CCI (рис.2) версии 11.0), теперь нет хлопков при резких и громких сигналах, работает плавно и незаметно, и при этом хорошо, практически полностью подавляет импульсные шумы. изменения в печатной плате минимальны, если плата (для чертежа пломбы, выложенного на страницах 23 и 78 форума по современной ТПП) уже готова — замкните перемычкой R167 и подключите верхнюю ножку конденсатора С19 , исправляя гусеницы фрезой. Сделал проще — дорожки нарезать жалко — припаял указанный проводник со стороны печатных проводников.Если плата еще не подготовлена, то при изготовлении лучше использовать уже исправленный чертеж (это уже отражено на чертеже печатной платы на рис. 5 версии 8.0). В этом варианте я также немного изменил разводку земли в зоне LM386. Поэтому «земляной» вывод С16 нужно припаять с 2-х сторон.

,

Трансивер имеет отдельные высокочастотные и низкочастотные тракты для приема и передачи, смеситель-модулятор и генератор плавного диапазона являются общими для обоих режимов.

Генератор плавного диапазона (ГПД) выполнен на двух полевых транзисторах VT5 и VT6 с истоковой связью. Он работает на частоте, равной половине частоты принимаемого или передаваемого сигнала. При работе на прием и передачу выходные цепи VFO не переключаются и нагрузка на VFO не меняется. В результате при переходе от приема к передаче или наоборот частота VFO не отклоняется. Регулировка в пределах диапазона производится с помощью переменного конденсатора с воздушным диэлектриком БУ, входящего в цепь ГПД.

Трансивер предназначен для передачи и приема SSB и CW в диапазоне 28–29,7 МГц. Устройство построено по схеме прямого преобразования с общим смесителем-модулятором для приема и передачи.

Технические характеристики:

  • чувствительность в режиме приема с отношением сигнал / шум 10 дБ, не хуже …….. 1 мкВ;
  • : динамический диапазон приемного тракта, измеренный двухсигнальным методом, составляет около … 80 дБ;
  • ширина полосы приемного тракта на уровне -3 дБ………. 2700 Гц;
  • ширина спектра однополосного излучения при передаче …….. 2700 Гц;
  • несущая частота и неработающая боковая полоса подавляются не хуже, чем на …….. 40 дБ;
  • выходная мощность передатчика в режиме CW при нагрузке 75 Ом …… 7 Вт;
  • дрейф частоты гетеродина после 30 минут прогрева после включения не более … 200 Гц / ч.

В режиме передачи SSB сигнал с микрофона усиливается операционным усилителем A2 и подается на фазовращатель на элементах L10, Lll, C13, C14, R6, R7, который обеспечивает фазовый сдвиг 90 ° в частотный диапазон 300-30-00 Гц.


В цепи L4C5, служащей суммарной нагрузкой смесителей на диодах VD1-VD8, выделяется сигнал верхней боковой полосы в диапазоне 28-29,7 МГц. Высокочастотный широкополосный фазовращатель L6R5C9 обеспечивает фазовый сдвиг на 90 ° в этом диапазоне.

Выбранный однополосный сигнал через конденсатор С6 поступает на трехкаскадный усилитель мощности на транзисторах VT7 — VT9. Этап предварительного усиления и развязки выходной цепи смесителя-модулятора выполнен на транзисторе VT9.Высокое входное сопротивление в сочетании с низкой емкостью C6 обеспечивает минимальное влияние усилителя мощности на схему C5L4. В коллекторную схему VT9 включен регулятор, настроенный на середину диапазона. Промежуточный каскад на полевом транзисторе VT8 работает в режиме класса B, а выходной каскад — в режиме класса C.

U-образный фильтр нижних частот C25L13C26 удаляет высокочастотные гармоники из выходного сигнала и обеспечивает соответствие выходного сопротивления выходного каскада характеристическому сопротивлению антенны.Амперметр PA1 служит для измерения тока стока выходного транзистора и показывает правильную настройку P-цепи.

Режим телеграфа обеспечивается заменой усилителя А2 на генератор синусоидального сигнала с частотой 600 Гц (рис. 21). Переключение CW-SSB осуществляется переключателем S1. Телеграфный ключ управляет смещением VT11 предусилителя генератора и, следовательно, доставкой низкочастотного сигнала на модулятор.




В режиме приема на каскады передатчика не подается напряжение 42 В, а усилитель мощности и усилитель микрофона выключены.В это время на каскады приемного тракта подается напряжение 12 В.

Сигнал с антенны поступает во входную цепь L2C3 через катушку связи L1; он согласовывает импеданс контура с импедансом антенны. УРЧ выполнен на транзисторе VT1. Коэффициент усиления каскада определяется напряжением смещения на его втором затворе (делитель между резисторами R1 и R2). Цепь L4C5 служит нагрузкой каскада, соединение каскада ВЧ усилителя с этой цепью осуществляется посредством катушки связи L3.С катушки связи L5 сигнал поступает на диодный демодулятор на диодах VD1 — VD8.

Катушки L8, L9 и фазовращатель на L10 и L11 выбирают сигнал 34 в диапазоне частот 300–3000 Гц, который через конденсатор C15 поступает на вход операционного усилителя A1. Коэффициент усиления этой микросхемы определяет базовую чувствительность трансивера в режиме приема. Далее следует усилитель 34 на транзисторах VT2-VT4, с выхода которого сигнал 34 поступает на малогабаритный динамик B1.Громкость приема регулируется переменным резистором R15. Для исключения громких щелчков при переключении между режимами «прием-передача» питание на УМЗЧ на транзисторах VT2-VT4 подается как при приеме, так и при передаче.

Большинство деталей трансивера установлено на трех печатных платах, эскизы которых показаны на рис. 22-24, на первой плате детали входного ВЧ усилителя приемного тракта (на транзисторе VT1) , детали смесителя-модулятора с фазосдвигающими цепями, а также детали гетеродина.На второй плате — низкочастотные каскады на микросхемах А1 и А2 и транзисторы VT2 — VT4. На третьей плате находится усилитель мощности передачи.

Плата со смесителем-модулятором, ВЧ усилителем и VFO экранирована. Переключение режимов «прием-передача» осуществляется педалью, которая отключает и включает напряжение 42 В и управляет двумя электромагнитными реле, одно из которых переключает антенну, а второе подает на приемный тракт напряжение 12 В. На катушки реле подается напряжение 42 В, а в обесточенном состоянии контакты реле включают режим приема.

Для питания трансивера используется базовый стационарный источник питания, от которого постоянное стабилизированное напряжение 12 В при токе до 200 мА и постоянное нерегулируемое напряжение 42 В при токе до 1 А.

Таблица данных обмотки катушки приемопередатчика 4


В трансивере используются постоянные резисторы MLT для мощности, указанной на схемах. Настроенный резистор — СПЗ-4а. Конденсаторы шлейфа — обязательно керамические, конденсаторы настроечные — КПК-М.Конденсаторы электролитические — типа К50-35 или аналогичные импортные. Переменные конденсаторы гетеродина и выходной цепи имеют воздушную изоляцию.

Керамические рамки диаметром 9 мм с подстроечными сердечниками SCR-1 используются для намотки петлевых катушек УРЧ, смесителя и передатчика (возможны и пластиковые рамки от дорожек УПЧИ старых ламповых телевизоров, но их термостойкость намного выше хуже, чем у керамических). Низкочастотные катушки смесителя-модулятора Л8 и Л9 намотаны на кольцевых сердечниках К16х8х6, изготовленных из феррита 100НН или более высокочастотного (100ВЧ, 50ВЧ).Катушки L10 и L11 намотаны на рамки OB-ZO из феррита 2000НМ1. На такие сердечники наматывались катушки генераторов стирания и намагничивания полупроводниковых катушечных магнитофонов. Данные намотки катушек приемопередатчика приведены в таблице. 4.

Транзисторы КПЗОЗГ можно заменить на КПЗОЗ с любым буквенным индексом или на КП302. Транзистор КП350А можно заменить на КП350Б, КП350В или КП306. Транзистор КП325 — на КТ3102. Мощные полевые транзисторы КП901 и КП902 могут быть с любыми буквенными индексами.Для УМЗЧ подходят любые кремниевые и германиевые (соответственно) транзисторы соответствующей структуры. Диоды КД503 можно заменить на КД514, а диод Д9 — на Д18.

Литература: А.П. Семян. 500 схем для радиолюбителей (Радиостанции и трансиверы) СПб .: Наука и техника, 2006. — 272 с., Илл.

.

Простой в изготовлении трансивер не содержит дефицитных деталей. В основе трансивера лежит «SSB-приемник прямого преобразования». Работает по телеграфу CW и SSB на дальности 80 м … Выходная мощность передатчика — 1,5 Вт … Чувствительность приемника при соотношении сигнал / шум 10 дБ — 1 мкВ … Подавление несущей и нерабочей боковой полосы — не менее 30 дБА .

Принятый сигнал с входной цепи C2L1C4 через конденсатор C3 и полосовой фильтр L8C32C30L9C33 поступает на вход усилителя ВЧ, который выполнен на транзисторах V11-V13. Коэффициент усиления регулируется высокочастотным переменным резистором R28. Через катушки L11, L12 сигнал поступает на балансный смеситель, собранный на диодах V14-V17.Напряжение гетеродина на смеситель подается от двухкаскадного гетеродина на транзисторах V5, V6. Требуемый фазовый сдвиг на 90 ° напряжения гетеродина в диапазоне рабочих частот 3,5–3,65 МГц обеспечивает широкополосный фазовращатель L4C67R7.

Рис. 1а. Принципиальная схема трансивера


Рис. 1b. Принципиальная схема трансивера (продолжение)

В результате смешения частот выделяется сигнал звуковой частоты, который подается на плечи низкочастотного фазовращателя, образованного схемами L13C39, L14C41 и резисторами R34-R37.Транзистор V19 подключен к одному из плеч, коллекторный переход которого в режиме приема открыт под действием напряжения, подаваемого через резистор R42. Низкочастотный фазовращатель обеспечивает сдвиг фазы на 90 ° в диапазоне звуковых частот.

На выходе НЧ фазовращателя выделяется аудиосигнал нижней боковой полосы. Через фильтр нижних частот C46L15C47L16C48 звуковой сигнал поступает на усилитель низких частот, выполненный на транзисторах V20-V23. Для ослабления частот выше 3 кГц первые два каскада НЧ-усилителя покрываются частотно-зависимой отрицательной обратной связью.Для регулировки полосы пропускания положительная обратная связь (через элементы C55, R43, C56). Полоса пропускания изменяется переменным резистором R43. Усиление низкочастотного сигнала регулируется резистором R54.

В режиме передачи сигнал с микрофона поступает на усилитель, выполненный на транзисторах V7-V9. Усиленный низкочастотный сигнал подается на низкочастотный фазовращатель. Чтобы выбрать нижнюю боковую полосу во время передачи, требуется дополнительный фазовый сдвиг на 180 °, который обеспечивается транзистором V19 (во время передачи он переводится в режим усиления).После микширования сигналов в симметричных смесителях при общей нагрузке генерируется сигнал нижней боковой полосы. Необходимое подавление несущей частоты устанавливается резисторами R32, R33.

Выделенный однополосный сигнал через катушку связи L10 подается на РЧ-усилитель на транзисторах V1-V4 и подается на антенну через P-цепь C2L1C4. При работе с телеграфом используется тон-генератор на транзисторе V10. Этот же генератор, включаемый кнопкой S2, служит для регулировки выходного каскада по яркости лампы h2, которая является индикатором коллекторного тока выходного транзистора V1.

Детали и конструкция

Трансивер собран на печатной плате размером 180х50 мм при одностороннем монтаже. Данные обмотки катушки приведены в таблице … РЧ приемник, усилитель передатчика и VFO разделены экранирующими перегородками.


L9 L10 L11 L12 L13 L14 L15 L16
60 10 10 10 + 10 400 + 400 200 + 200 150 150

Катушки L1-L9 намотаны с PEV 0.1 провод на рамках диаметром 7 мм, подстроечный резистор из феррита М400НН длиной 12 и диаметром 2,8 мм. Катушки Л10-Л12 намотаны проводом ПЭВ 0,1 на сердечник СБ-9а. Катушки Л13-Л16 намотаны проводом ПЭВ 0,07 на магнитопровод из пермаллоя Ш6х8. Дроссели L17-L19 могут иметь любую индуктивность 50-100 мкГн. Катушки L12-L14 намотаны двумя проводами. Затем соедините конец одной половины обмотки с началом другой.

Диоды для симметричного смесителя должны иметь аналогичные значения обратного тока… Транзисторы V2-V6, V11-V13 могут быть любыми высокочастотными, а V7-V10, V21-V23 — любыми низкочастотными. Транзистор V20 должен быть абсолютно малошумящим. Диоды V14-V17 — любые из серии D311. Несколько худшие результаты дает использование диодов D18. В качестве микрофона использовалась капсула микротелефона ТМ-2М. Лампа х2 — любое низкое напряжение, например 6,3 В 0,28 А.

Установка трансивера

Настройка трансивера должна начинаться с настройки НЧ фазовращателя.Для этого потребуются осциллограф и звуковой генератор. Плечи Phaser ( рис.2 ) подключаются ко входам « X » и « Y » осциллографа. На вход фазовращателя подается сигнал звуковой частоты. Резисторы R34 и R35 добиваются наличия круга на экране осциллографа при изменении частоты генератора в интервале 300-3000 Гц … Дальнейшая настройка фазовращателя осуществляется при его подключении к трансиверу.


Рис. 2

Для настройки высокочастотных цепей вам потребуются ВЧ-генератор и SSB-приемник. Их начинают устанавливать с приемной части, предварительно установив частоту генератора плавного диапазона в пределах диапазона. Шлейфы L8C32 и L9C33 настроены на средний частотный диапазон.

Подстроечные резисторы R32 и R33 установлены в среднее положение. резисторы R36, R37 и R7 обеспечивают максимальное подавление верхней боковой полосы.Резистор R39 существенно не влияет на работу в режиме приема. Необходимо убедиться в отсутствии возбуждения в усилителе НЧ при разных положениях резистора R43. Если да, то выбираются конденсаторы С55, С56.

В режиме трансмиссии предварительно проверяется работа усилителя низких частот и звукового генератора. Петля L2C65 должна быть настроена на центральную частоту полосы. Регулируя резисторы R32 и R33, добиваются максимального подавления несущей частоты, а резистором R39 — максимального подавления верхней боковой полосы в режиме передачи.

Похожие записи

21.11.2024 0

Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

19.11.2024 0

Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

19.11.2024 0

Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *