Кт502А характеристики: Транзистор кт502, характеристики, маркировка, аналоги, цоколевка

Содержание

Транзистор кт502, характеристики, маркировка, аналоги, цоколевка

Транзисторы КТ502 универсальные кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p. Применяются в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, импульсных устройствах, преобразователях.

Зарубежный аналог КТ502

  • Во многих случаях можно заменить на KSA539
Перед заменой транзистора на аналогичный, внимательно ознакомтесь с характеристиками и цоколевкой аналога.

Особенности

  • Комплиментарная пара – КТ503

Корпусное исполнение

  • Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92)

Цоколевка КТ502

№1 - Эмиттер

№2 - База

№3 - Коллектор

Маркировка КТ502

КТ503А - сбоку светложелтая точка, сверху темнокрасная точка

КТ503Б - сбоку светложелтая точка, сверху желтая точка

КТ503В - сбоку светложелтая точка, сверху темнозеленая точка

КТ503Г - сбоку светложелтая точка, сверху голубая точка

КТ503Д - сбоку светложелтая точка, сверху синяя точка

КТ503Е - сбоку светложелтая точка, сверху белая точка

Характеристики транзистора КТ502

Предельные параметры КТ502

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 150 мА

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 350 мА

Граничное напряжение биполярного транзистора (UКЭ0 гр) при ТП = 25° C:

  • КТ502А - 25 В
  • КТ502Б - 25 В
  • КТ502В - 40 В
  • КТ502Г - 40 В
  • КТ502Д - 60 В
  • КТ502Е - 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю (UКБ0 max) при ТП = 25° C:

  • КТ502А - 40 В
  • КТ502Б - 40 В
  • КТ502В - 60 В
  • КТ502Г - 60 В
  • КТ502Д -
    80 В
  • КТ502Е - 90 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при ТП = 25° C:

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (PК max) при Т = 25° C:

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 350 мВт

Максимально допустимая температура перехода (Tп max):

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 125 ° C

Максимально допустимая температура окружающей среды (Tmax):

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 85 ° C
Электрические характеристики транзисторов КТ502 при ТП = 25oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при (UКЭ) 5 В, (IЭ) 10 мА:

  • КТ502А - 40 - 120
  • КТ502Б - 80 - 240
  • КТ502В - 40 - 120
  • КТ502Г - 80 - 240
  • КТ502Д - 40 - 120
  • КТ502Е - 40 - 120

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ нас):

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (IКБ0)

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 1 мкА

Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 5 МГц

Емкость коллекторного перехода (CК)

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 20 пФ

Емкость эмиттерного перехода (CЭ)

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 15 пФ

Тепловое сопротивление переход-среда (RТ п-с)

  • КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е - 214 ° C/Вт

Опубликовано 16.03.2020

DC-DC понижающий преобразователь - ссылка на товар.

КТ502 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

Транзистор КТ502 – кремниевый эпитаксиально-планарный маломощный биполярный транзистор с p-n-p структурой. Применяется в схемах усилителей низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, а также в импульсных схемах. Выпускается в пластмассовом корпусе.

Цоколевка транзистора КТ502

Маркировка транзистора КТ502

Маркировка данного транзистора может быть двух видов:
1. Кодовая (в виде фигуры белого полукруга слева вверху). Группа (буква) указывается справа сверху.
2. Цветовая (в виде желтой точки сбоку). Группа (буква) указывается сверху также в виде точки определенного цвета:

А – темно-красная
Б – жёлтая
В – темно-зелёная
Г – голубая
Д – синяя
Е – белая

Характеристики транзистора КТ502

Транзистор Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), мА Pкmax(т), мВт h31э
fгр., МГц
КТ502А 40 25 150(350) 350 40-120 5
КТ502Б 40 25 150(350) 350 80-240 5
КТ502В 60 40 150(350) 350 40-120 5
КТ502Г 60 40 150(350) 350 80-240 5
КТ502Д 80 60 150(350) 350 40-120 5
КТ502Е 90 80 150(350) 350 40-120 5

Uкбо(и) - Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) - Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) - Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)

h31э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ502

КТ502А - 2N4125
КТ502Б - 2N4126
КТ502В - KSA539R
КТ502Г - BC638
КТ502Д - BC556A
КТ502Е - BC640

Транзисторы КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г,КТ502Д, КТ502Е

Транзисторы КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г,КТ502Д, КТ502Е .

Транзисторы КТ502 - кремниевые, низкочастотные усилительные, структуры - p-n-p.
Корпус - пластмассовый с гибкими выводами, масса - около 0,3 гр..
Маркировка кодированная:
1. Знаковая - белый полукруг на корпусе сверху - слева, буква обозначающая группу сверху - справа.
2. Цветовая - желтое пятно сбоку, цвет пятна сверху обозначает группу.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ) - 0,35 Вт.

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ502А, КТ502Б - 25 в.
У транзисторов КТ502В, КТ502Г - 40 в.
У транзисторов КТ502Д - 60 в.
У транзисторов КТ502Е - 80 в.

Максимальное напряжение коллектор-база:
У транзисторов КТ502А, КТ502Б - 25 в.
У транзисторов КТ502В, КТ502Г - 40 в.
У транзисторов КТ502Д - 60 в.
У транзисторов КТ502Е - 80 в.

Максимальное постоянное напряжение эмиттер-база - 5 в.

Максимальный постоянный ток коллектора - 100мА, импульсный - 350мА . Коэффициент передачи тока:
У транзисторов КТ502А, КТ502Б, КТ502Д, КТ502Е - от 40 до 120.
У транзисторов КТ502Г - от

80 до 140.

Обратный ток коллектор-база при максимальном напряжении коллектор-база - 1 мкА.

Напряжение насыщeния коллектор-эмиттер при токе коллектора 10 мА и токе базы 1 мА - не более 0,6в.

Напряжение насыщeния база-эмиттер при токе коллектора 10 мА и токе базы 1 мА - не более 1,2в.

Граничная частота передачи тока( fh31э ) - 5 МГц.


Зарубежные аналоги транзисторов КТ502.

КТ502А - 2N4125 .
КТ502Б - 2N4126.
КТ502В - KSA539R.
КТ502Г - BC638.
КТ502Д - BC556A.
КТ502Е - BC640.

На главную страницу

Транзистор КТ502 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ502Цоколевка транзистора КТ502

 

Описание

 

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для работы в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,3 г.

 

Параметры транзисторов КТ502
Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ502А KSA539R, 2N1257 *1, PN4248 *2, ВС315 *2, 2N1255 *1, ВС250
КТ502Б KSA5390, PN4248, 2N2946 *1, 2SA1211 *1, 2N1258 *1, 2N2945A *3
КТ502В KSA5450, 2N3910 *1, 2N3913
*1
, JE9215,

JE9215A, KSA539

КТ502Г KSA539Y, MM4008 *1, 2N6223, JE9215C, JE9215B,

2SA561R, 2N3840 *3, 2SA937AP *1, 2SA937AMP *1, 2SA937AM *1, 2SA937A *1, 2SA1561АР *1, 2SA1561A *1, 2SA1547АР *1, 2SA1547A *1, 2SA545

КТ502Д KSA545R, ST4341 *3, BFS91 *1, ТР3060, 2N3060 *1
КТ502Е BSS68, BF397, 2N3062 *3
Структура  — p-n-p
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ502А 350 мВт
КТ502Б 350
КТ502В 350
КТ502Г 350
КТ502Д 350
 КТ502Е 350
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ502А 5…50 МГц
КТ502Б 5…50
КТ502В 5…50
КТ502Г 5…50
КТ502Д 5…50
 КТ502Е 5…50
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ502А 40 В
КТ502Б 40
КТ502В 60
КТ502Г 60
КТ502Д 80
  КТ502Е 90
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ502А 5 В
КТ502Б 5
КТ502В 5
КТ502Г 5
КТ502Д 5
 КТ502Е 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ502А 150(300*) мА
КТ502Б 150(300*)
КТ502В 150(300*)
КТ502Г 150(300*)
КТ502Д 150(300*)
 КТ502Е 150(300*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ502А 40 В ≤1 мкА
КТ502Б 40 В ≤1
КТ502В 60 В ≤1
КТ502Г 60 В ≤1
КТ502Д 80 В ≤1
КТ502Е 90 В ≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ502А 1 В; 30 мА 40…120
КТ502Б 1 В; 30 мА 80…240
КТ502В 1 В; 30 мА 40…120
КТ502Г 1 В; 30 мА 80…240
КТ502Д 1 В; 30 мА 40…120
 КТ502Е 1 В; 30 мА 40…120
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ502А 10 В ≤50
пФ
КТ502Б 10 В ≤50
КТ502В 10 В ≤50
КТ502Г 10 В ≤50
КТ502Д 10 В ≤50
 КТ502Е 10 В ≤50
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ502А ≤60 Ом, дБ
КТ502Б ≤60
КТ502В ≤60
КТ502Г ≤60
КТ502Д ≤60
 КТ502Е ≤60
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ502А ≤320* Дб, Ом, Вт
КТ502Б ≤320*
КТ502В ≤320*
КТ502Г ≤320*
КТ502Д ≤320*
 КТ502Е ≤320*
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ502А пс
КТ502Б
КТ502В
КТ502Г
КТ502Д
 КТ502Е

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

 

Зависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температурыЗависимость максимально допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры

Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектораЗависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора

Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектораЗависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока коллектора

Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера

 

Цветовая и кодовая маркировка транзисторов

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Параметры транзистора КТ502. Datasheet. Цоколевка и основные характеристики.

Параметры транзистора КТ502. Datasheet. Цоколевка и основные характеристики.

КТ502 - кремниевый биполярный низкочастотный p-n-p транзистор в пластмассовом корпусе TO-92

Назначение: КТ502 предназначен для применения в низкочастотных устройствах.

Типы: КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е

Аналог КТ502: KSA539

Комплементарная пара: КТ503

Цоколевка КТ502: К-Б-Э, см. рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ502: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики)


Основные параметры транзисторов КТ502:
Параметр Режим измерения Min (минимальное значение параметра) Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока, h31Е
КТ502А,В,Д,Е
КТ502Б,Г
Uкэ=5B, Iк=10мA 40
80
120
240
Напряжение насыщения к-эмиттер КТ502, Uкэ(нас)
Iк=10мА, Iб=1мA   0.6В
Предельные параметры транзисторов КТ502:
Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp, Uкэ max
КТ502А,Б
КТ502В,Г
КТ502Д
КТ502Е
    25В
40В
60В
80В
Напряжение эмиттер-база (обратное), Uэб max    
Постоянный ток коллектора КТ502, Iк max     0.15А
Импульсный ток коллектора, Iки max tи ≤ 10 мс, Т/tи≥100   0.35А
Максимально допустимый постоянный ток базы     0.1А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Pк max Тк ≤ 25 °С   0.35Вт

Подробные параметры КТ502 и подробные характеристики других отечественных транзисторов приведены в справочнике мощных транзисторов

Технические характеристики биполярных транзисторов кт502а-кт503а

Технические характеристики кт8130а и кт8131а

Технические характеристики кт216а и кт310

Приложение 8

К142ЕН6Г

Основные характеристики:

Выходное напряжение +15 В, -15 В

Выходной ток 200 мА

Максимальное входное напряжение 40 В

Разность напряжения вход-выход 3,2 В

Мощность рассеивания (с теплоотводом) 8 Вт

Точность выходного напряжения ±0,5 В

Диапазон рабочих температур -45…+70 °C

Рисунок 16 – Типовая схема включения микросхемы К142ЕН6Г

Рисунок 17 - Цоколевка корпуса

К142ЕН5А

Основные характеристики:

Выходное напряжение 5 В

Выходной ток 2 А

Максимальное входное напряжение 15 В

Разность напряжения вход-выход 2,5 В

Мощность рассеивания (с теплоотводом) 10 Вт

Точность выходного напряжения ±0,1 В

Диапазон рабочих температур -45…+100 °C

Рисунок 17 – Типовая схема включения микросхемы К142ЕН5А

Рисунок 18 - Цоколевка корпуса

Технические характеристики выпрямительных диодов средней мощности КД201 - 2Д250

Диод (цоколевка)

Uоб/Uимп В/В

Iпр/Iимп А/А

Uпр/Iпр В/А

Cд/Uд пф/В (T нс)

Io(25)Ioм мА/мА

Fmax кГц

P/Pт Вт/Вт

КД208А

100/100

1.5/

1.0/1

 

0.05/0.2

1

 

Условные обозначения электрических параметров выпрямительных диодов средней мощности:

Обозначение:

Параметр

Uоб/Uимп В/В

максимально допустимое постоянное (Uоб) или импульсное (Uимп) обратное напряжение на диоде.

Iпр/Iимп А/А

максимально допустимый постоянный (Iпр) или импульсный (Iимп) прямой ток через диод.

Uпр/Iпр В/А

максимальное падение напряжения (Uпр) на диоде при заданном прямом токе (Iпр) через него.

Cд/Uд пф/В (T нс)

емкость диода (Cд) и напряжение на диоде (Uд), при котором она измеряется.

Io(25)Ioм мА/мА

обратный ток диода при предельном обратном напряжении. Приводится для температуры +25 (Iо(25)) и максимальной рабочей температуры (Iом).

Fmax кГц

максимальная рабочая частота диода.

P/Pт Вт/Вт

максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на диоде (P) и на диоде с теплоотводом (Pт).

Микросхема представляет собой два триггера Шмитта с логическим элементом 4И-НЕ на входе. Корпус К155ТЛ1 типа 201.14-1, масса не более 2 г.

Корпус ИМС К155ТЛ1 Условное графическое обозначение

1,2,4,5,9,10,12,13 - входы; 3,11 - свободные; 6,8 - выходы; 7 - общий; 14 - напряжение питания;

Электрические параметры

1

Номинальное напряжение питания

5 В 5 %

2

Выходное напряжение низкого уровня

не более 0,4 В

3

Выходное напряжение высокого уровня

не менее 2,4 В

4

Напряжение на антизвонном диоде

не менее -1,5 В

5

Напряжение срабатывания

не менее 1,5 В

6

Напряжение отпускания

не более 1,1 В

7

Входной ток низкого уровня

не более -1,6 мА

8

Входной ток высокого уровня

не более 0,04 мА

9

Входной пробивной ток

не более 1 мА

10

Ток короткого замыкания

-18...-55 мА

11

Ток потребления при низком уровне выходного напряжения

не более 32 мА

12

Ток потребления при высоком уровне выходного напряжения

не более 23 мА

13

Потребляемая статическая мощность

не более 144 мВт

14

Время задержки распространения при включении

не более 22 нс

15

Время задержки распространения при выключении

не более 27 нс

Рисунок – Передаточная характеристика триггера Шмитта для произвольного сигнала.

KT502A datasheet - ДИСКРЕТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК Транзисторы | KT502A.pdf, компания Integral Corp.

3386T502

9,6 ‡ 9,6 Квадратный / однооборотный / подстроечный потенциометр

DB Lectro Inc

ACT5026

ACT5026, 10 А, 3-ФАЗНЫЙ БЕСЩЕТКОВЫЙ КОНТРОЛЛЕР ДВИГАТЕЛЯ постоянного тока

Aeroflex Circuit Technology

AOT502

N-канальный полевой МОП-транзистор с зажимом

Alpha & Omega Semiconductors

AOT502

N-канальный полевой МОП-транзистор с зажимом

Шэньчжэнь FreesCale Electronics.ООО

APT5020

Power MOS V - это новое поколение силовых полевых МОП-транзисторов с N-каналом высокого напряжения.

Advanced Power Technology

APT5020

Power MOS V - это новое поколение силовых полевых МОП-транзисторов с N-каналом высокого напряжения.

Advanced Power Technology

APT5020BLC

Power MOS VITM - это новое поколение силовых полевых МОП-транзисторов с N-каналом высокого напряжения с низким зарядом затвора.

Advanced Power Technology

APT5020BN

N-КАНАЛЬНЫЙ РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ МОП-МОП-транзисторы высокого напряжения

Advanced Power Technology

APT5020BVFR

Power MOS V - это новое поколение силовых полевых МОП-транзисторов с N-каналом высокого напряжения.

Advanced Power Technology

APT5020BVR

Power MOS V - это новое поколение силовых полевых МОП-транзисторов с N-каналом высокого напряжения.

Advanced Power Technology

.

kt502 техническое описание и примечания к применению

КТ805М

Аннотация: kt805bm KT872A KT837 KT837K KT805 KT818 KT837B KT837A KT610A
Текст: -2 2T385A-2 2T385AM-2 KT502A KT502 KT502B KT502 KT502 KT503000 KT503E KT503A KT503A KT503A


Оригинал
PDF KSC1623 3102M КТ805М kt805bm КТ872А KT837 КТ837К KT805 KT818 КТ837Б КТ837А КТ610А
КТ725

Аннотация: KT206-200 KY250 kt207-400 KT207-600 KD337 KT725-100 KT206-400 KT206-600 KT707
Текст: -100 KT201-200 KT201-300 KT201-400 KT201-500 KT201-600 KT501 KT502 KT450T


Оригинал
PDF КТ207-200 КТ207-400 КТ207-600 КТ772 KT773 КТ774 КТ730-700 КТ730-800 КТ730-900 KT782 KT725 КТ206-200 KY250 кт207-400 КТ207-600 KD337 КТ725-100 КТ206-400 КТ206-600 KT707
KF517A

Реферат: KF517B KA213A KF254 1NZ70 KA213B 4DR821B KT205-400 KA204 GE134
Текст: -300 KT401-400 KT401-50 KT401-500 KT401-600 KT401-700 KT501 KT502 KT503 KT850T 9504 KT8504


Оригинал
PDF 1NZ70 1ПП75 2NZ70 33NQ52 34NQ52 35NQ52 36NQ52 37NG52 38NQ52 38NQ52A KF517A KF517B KA213A KF254 1NZ70 KA213B 4DR821B КТ205-400 KA204 GE134
КТ206 / 400

Резюме: KT707 KT705 KT206 / 600 KT708 KT201 KT505 KT706 KT702 Tesla KT505
Текст: 1 2) 15100 KT502 1 2) 15100 KT503 1 2) 15100 KT504 1 2) 15100 KT505 1 2) 15100 KT506 1 2


OCR сканирование
PDF КТ201 / 100 КТ201 / 200 КТ201 / 300 КТ201 / 400 КТ201 / 500 КТ201 / 600 КТ206 / 200 КТ206 / 400 КТ206 / 600 KT501 KT707 КТ705 KT708 КТ201 КТ505 KT706 КТ702 Тесла КТ505
2010 - Ил311АНМ

Аннотация: tda8362b ILa1519B1Q iff4n60 IN1307N tda8890 IL311AN IL91214AN MC74HC123AN IL258D
Текст: Текст файла недоступен


Оригинал
PDF
1984 - bu2527af

Реферат: wk16412 WK16413 WK16414 Tesla katalog VQE24 VQE14 4DR823B kr206 5DR801B
Текст: -.КТ401-. КТ501 КТ502 КТ503 КТ504 КТ505 КТ506 КТ508-. KT511 KT701 KT702 KT703 KT704 KT705 KT706 KT707


Оригинал
PDF roku1984 / 85, VQB200 VQB201 VQC10 VQE11 VQE12 VQE13 VQE14 VQE21 VQE22 bu2527af wk16412 WK16413 WK16414 Каталог Tesla VQE24 4DR823B 206 шведских крон 5DR801B
KF520

Резюме: KT725 diac kr 206 KT707 KD502 kt201 KU607 KT206-200 KYS 30 40 diode KT784
Текст: KT501 KT502 KT503 KT504 KT505 KT506 K T508-50 KT508-100 KT508-20 0 K T702208-300 KT-2508-300 KT-2508-300 KT501 KT502 1 KT503 KT504 KT505 KT506 50100200300400400 2 1 17 0,2-1 3 1,7 1 17 10 3 TO-39 / P203


OCR сканирование
PDF 15Блатна KF520 KT725 диак 206 крон KT707 KD502 kt201 KU607 КТ206-200 KYS 30 40 диод KT784
WK16412

Аннотация: wk16414 KT201 IRS 8342 WK16413 LQ470 1PP75 LQ410 KC639 KT728
Текст: KT207 / 600 KT501 KT502 KT503 KT504 KT505 KT506 KT508 / 50 KT508 / 100 B B P B P P B P B P9


OCR сканирование
PDF
мh7493

Резюме: MA0403A maa 502 Mh2SS1 Каталог тесла диод MH7442 MH7404 MA0403 MAA723 MH74S74
Текст: Текст файла недоступен


OCR сканирование
PDF
2T908A

Реферат: 2T602 1HT251 KT604 2T907A KT920A 2t903 PO6 115.05 KT117 1T813
Текст:. 160 KT501 (A, E, B, T, A. E,} fC, H, K, J1, M). . . 11 6 KT502 (A, E, B, T, A. E


OCR сканирование
PDF Т-0574Д. 30Eiaa Coi03nojiH 2Т908А 2Т602 1HT251 KT604 2T907A КТ920А 2т903 PO6 115.05 КТ117 1T813
транзистор SMD s72

Реферат: nec mys 501 MYS 99 st MYS 99102 транзистор 8BB smd kvp 81A kvp 81A DIODE Kvp 69A smd транзистор A7p kvp 86a
Текст: 357 399 3102, 3107 KT326AM KT3107M KT503 11.1994 г. 04.1993 г. 10.1992. КТ681А КТ502


Оригинал
PDF OT323 BC818W MUN5131T1. BC846A SMBT3904, MVN5131T1 SMBT3904 OT323 транзистор SMD s72 nec mys 501 MYS 99 ул МЫ 99102 транзистор 8BB smd квп 81А квп 81А ДИОД КВП 69А smd транзистор A7p квп 86а
2N277

Аннотация: N1702 L204A 2SA63 2N390A 2N7582 OC59 TFK D 327 2N374 SFT243
Текст: Текст файла недоступен


OCR сканирование
PDF 2Н34А 2Н43А 2Н44А 2Н59А 2Н59Б 2N59C 2Н60А 2Н60Б 2N60C 2Н61А 2N277 N1702 L204A 2SA63 2N390A 2N7582 OC59 TFK D 327 2N374 SFT243
Мх2СС1

Аннотация: MHB4011 MH5400S Каталог тесла диод C520D A244D MAC198 MA3006 KF520 B260D
Текст: KT129 KT130 /.КТ201-. КТ205-. КТ206-. КТ207-. КТ401-. КТ501 КТ502 КТ503 КТ504 КТ505 КТ506


OCR сканирование
PDF roku1984 / 85, Mh2SS1 MHB4011 MH5400S Каталог tesla diod C520D A244D MAC198 MA3006 KF520 B260D
2T931A

Аннотация: KT853 2T926A KT838A 2T803A 2T809A 2T904A 2T808A 2T603 2T921A
Текст:). 174 КТ502 (А, В, В, Т, JX, E). 175 2T505 (А, В


OCR сканирование
PDF МОКП51КОБ, KTC631 TI2023 II2033 TT213 TI216 fI217 II302 XI306 n306A 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2T904A 2Т808А 2Т603 2Т921А
NT101

Реферат: bf503 KT-934 Kt606 ПОЛУЧАТЫЕ ИНДЕКСЫ Mps56 транзисторы 2SA749 72284 2sk81 2SB618
Текст: Текст файла отсутствует


OCR сканирование
PDF
БТИЗ M16 100-44

Аннотация: Ericsson RBS 6102 ASEA HAFO AB GM378 Транзистор B0243C Kt606 Ericsson SPO 1410 SEMICON INDEXES транзистор 8BB smd tr / NEC Tokin 0d 108
Текст: Текст файла отсутствует


OCR сканирование
PDF W211d W296o W211c БТИЗ М16 100-44 Ericsson RBS 6102 ASEA HAFO AB GM378 Транзистор B0243C Kt606 Ericsson SPO 1410 ПОЛУЧЕННЫЕ ИНДЕКСЫ транзистор 8BB smd tr / NEC Tokin 0d 108
т110 94в 0

Аннотация: PTC SY 16P 2N2955T диод Philips PH 37m 35K0 trimble R8 модель 2 2sc497 2SA749 2n6259 ssi 2N4948 NJS
Текст: Текст файла отсутствует


OCR сканирование
PDF Барселона-28, С-171 CH-5400 t110 94v 0 PTC SY 16P 2Н2955Т Philips диод PH 37m 35K0 trimble R8 модель 2 2sc497 2SA749 2n6259 SSI 2N4948 NJS
5026-330M-E-RU

Реферат: Головка техники Mag Layers E84201 MRT-5026-330M-E-RU TECHNICS 224-1 MAG MDC-Series MAG.LAYERS LTD E84081
Текст: СЕРДЕЧНИК МАТЕРИАЛА KT50-26 ПРОВОД 2UEW-080 ОБОРОТОВ 30,5 (Ref) Классификация температуры провода


Оригинал
PDF MRT-5026-330M-E-RU MRT-5026-330M-E-RU 5026-330M-E-RU 5026-330M-E-RU E84201 Слои Mag руководитель техники ТЕХНИКА 224-1 МАГ Серия MDC MAG.LAYERS LTD E84081
КТ805АМ

Резюме: KT805 KT610A KT837B BD140 NPN KT872A KT837K KT315B КТ315 KT818
Текст: -2 2T384A-2 2T384AM-2 KT385A-2 KT385AM-2 KT385ÁM-2 2T385A-2 2T385AM-2 KT502A KT502Á KT502B KT502Ã KT502Ä KT502E KT503A KT503Á KT503B KT503Ã KT503Ä KT503E 520À 520Á ÊÒ521À 521Á KT607A


Оригинал
PDF КТ3126А КТ3126Б КТ3127А КТ3128А КТ3128А1 КТ3128 КТ3129А9 КТ3129 КТ3129Б9 КТ805АМ KT805 КТ610А КТ837Б BD140 npn КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 KT818
2008-ПС103J2

Аннотация: 4140 KS104R2 KS103J2 PS104J2 kt303 Pt302J2 PS222J2 kt602 KT103J2
Текст: ° C KT102J2 * 1000 J 3890 KT222J2 2252 J 3890 KT302J2 3000 J 3890 KT502J2


Оригинал
PDF KT102J2 * KT222J2 KT302J2 KT502J2 KT602J2 КТ103Г2 KT103J2 KT203J2 KT303J2 KT503J2 PS103J2 4140 КС104Р2 KS103J2 PS104J2 kt303 Pt302J2 PS222J2 kt602 KT103J2
НТК 6000

Аннотация: Pt302J2 PS103J2 kt602 PT502J2 KT503 PS302J2 PS222J2 KT503R2 KT502
Текст: ° C) Сопротивление Ом при 25 ° C Кривая R-T бета (K) 0-50 ° C KT102J2 * KT222J2 KT2602J2 KT302J2 KT302J2 KT302J2 KT2000KT


Оригинал
PDF KT102J2 * KT222J2 KT302J2 KT502J2 KT602J2 КТ103Г2 KT103J2 KT203J2 KT303J2 KT503J2 NTC 6000 Pt302J2 PS103J2 kt602 PT502J2 КТ503 PS302J2 PS222J2 КТ503Р2 КТ502
КС104Р2

Аннотация: KT103J2 KS502J2 KS103J2 KT503 KS104 kt303 KT102J2 KT103G2 транзистор серии kt
Текст: KT222J2 KT302J2 KT502J2 KT602J2 KT103GT KT103J2 KT3503J2 KT3503J2 KT3503J2 KT103J2 KT3503J2


Оригинал
PDF 9286ax.KS102J2 KS222J2 KS302J2 KS502J2 KS602J2 КС103Г2 KS103J2 KS203J2 KS303J2 КС104Р2 KT103J2 KS502J2 KS103J2 КТ503 KS104 kt303 KT102J2 КТ103Г2 транзистор серии kt
KC156A

Аннотация: ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KT808a KP350A KT904 KC133A
Текст: Текст файла недоступен


OCR сканирование
PDF ХапфаКОБ-57, KC156A ky202e K174XA2 КТ809А КТ805А КТ610Б KT808a KP350A KT904 KC133A
ТЕРМИСТОР SCK 055

Аннотация: 103JM1A h4475 KC222 PR103J2 102Fh2K ST2R503B ТЕРМИСТОРЫ SCK 016 Pt 3750 rtd 105rg1k
Текст: KT302J2 KS502J2 KT502J2 KS602J2 KT602J2 KS103G2 K303103J2000 K303102G2 K303J2 K303J2 K302J2 K302J2 K302J2


Оригинал
PDF
.

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о