Кт502А характеристики. Транзисторы П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ: характеристики и применение германиевых мощных p-n-p транзисторов — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Каковы основные характеристики транзисторов серии П4. Для каких целей применяются транзисторы П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ. Какие особенности имеют германиевые мощные p-n-p транзисторы. В чем преимущества и недостатки транзисторов П4 по сравнению с кремниевыми аналогами.

Содержание

Общая характеристика транзисторов серии П4

Транзисторы П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ относятся к семейству германиевых сплавных p-n-p транзисторов универсального назначения. Они предназначены для работы в низкочастотных схемах большой мощности. Основные области применения данных транзисторов:

Выходные каскады усилителей низкой частоты
Схемы переключения
Преобразователи постоянного напряжения

Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. Масса одного транзистора не превышает 14 граммов. Обозначение конкретной модели наносится непосредственно на корпус прибора.

Электрические параметры транзисторов П4

Рассмотрим основные электрические характеристики транзисторов серии П4:

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ нас) при токе коллектора 2А и токе базы 0,3А для моделей П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ не превышает 0,5В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (h21э) при напряжении коллектор-эмиттер 10В и токе коллектора 2А:
- П4АЭ — не менее 5
- П4БЭ — от 15 до 40
- П4ВЭ — не менее 10
- П4ГЭ — от 15 до 30
- П4ДЭ — не менее 30
Коэффициент усиления по мощности при выходной мощности 10Вт, напряжении коллектор-база 26В, сопротивлении источника сигнала 25 Ом, частоте 1кГц:
- П4АЭ — не менее 20 дБ
- П4БЭ — не менее 23 дБ
- П4ГЭ — не менее 27 дБ

Особенности германиевых транзисторов П4

Транзисторы серии П4 имеют ряд характерных особенностей, обусловленных применением германия в качестве полупроводникового материала:

Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (около 0,5В)
Относительно высокие обратные токи
Чувствительность к повышенным температурам
Меньшее, по сравнению с кремниевыми транзисторами, максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер

Эти особенности необходимо учитывать при проектировании устройств на основе транзисторов П4.

Применение транзисторов П4 в усилителях низкой частоты

Одной из основных областей применения транзисторов серии П4 являются выходные каскады усилителей низкой частоты. Рассмотрим преимущества использования этих транзисторов в данном качестве:

Высокая допустимая мощность рассеяния позволяет получить значительную выходную мощность усилителя
Низкое напряжение насыщения обеспечивает хороший КПД усилителя
Достаточно высокий коэффициент усиления по току упрощает схемотехнику усилителя

При этом следует учитывать и некоторые недостатки, характерные для германиевых транзисторов:

Повышенные нелинейные искажения по сравнению с кремниевыми транзисторами
Необходимость обеспечения эффективного теплоотвода из-за чувствительности к перегреву

Использование транзисторов П4 в схемах переключения

Транзисторы серии П4 также находят применение в различных схемах переключения. Их преимущества в этой области:

Низкое напряжение насыщения обеспечивает малые потери в открытом состоянии
Высокая допустимая мощность рассеяния позволяет коммутировать значительные токи

Однако при разработке схем переключения на основе транзисторов П4 необходимо учитывать их относительно низкое быстродействие и повышенные обратные токи.

Применение транзисторов П4 в преобразователях напряжения

Ещё одной важной областью применения транзисторов П4 являются преобразователи постоянного напряжения. Какие преимущества дает использование этих транзисторов в преобразователях?

Высокая допустимая мощность рассеяния позволяет создавать преобразователи значительной мощности
Низкое напряжение насыщения обеспечивает высокий КПД преобразования
Достаточно высокий коэффициент усиления по току упрощает схемы управления

При разработке преобразователей на основе транзисторов П4 следует обратить внимание на необходимость эффективного отвода тепла и учесть повышенные обратные токи транзисторов.

Сравнение транзисторов П4 с современными кремниевыми аналогами

Хотя транзисторы серии П4 были разработаны достаточно давно, они до сих пор находят применение в некоторых областях. Как же они соотносятся с современными кремниевыми транзисторами аналогичного назначения?

Преимущества транзисторов П4:

Более низкое напряжение насыщения
Меньшее прямое падение напряжения на эмиттерном переходе

Недостатки по сравнению с кремниевыми транзисторами:

Меньшее максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер

Большие обратные токи
Худшая температурная стабильность
Меньшее быстродействие

Таким образом, в большинстве современных применений кремниевые транзисторы имеют преимущество. Однако в некоторых специфических областях, где критически важно низкое напряжение насыщения, германиевые транзисторы П4 всё ещё могут находить применение.

Особенности монтажа и эксплуатации транзисторов П4

При работе с транзисторами серии П4 необходимо соблюдать определенные правила монтажа и эксплуатации. Какие меры предосторожности следует предпринять?

Обеспечить эффективный теплоотвод от корпуса транзистора
Избегать превышения максимально допустимой температуры перехода
Соблюдать осторожность при пайке выводов во избежание теплового повреждения кристалла
Учитывать влияние температуры на электрические параметры транзистора

Принимать меры для компенсации температурной нестабильности в схемах на основе этих транзисторов

Соблюдение этих правил позволит обеспечить надежную работу устройств на основе транзисторов П4 и максимально использовать их возможности.

Применение LTSpice для измерения входного и выходного сопротивлений усилительных каскадов

Измерение выходного сопротивления усилителя

На рисунке изображена схема двухтактного усилителя звуковой частоты, в котором каждый полупериод сигнала усиливается отдельным каскадом и выходной сигнал суммируется на нагрузке. Так как выходы транзисторов не соединяются по постоянному току, то искажения типа «ступенька» (Crossover distortion), относящиеся к моментам перехода сигнала через нуль практически устранены. Недостаток такого усилителя — высокие требования к выходным конденсаторам С2 и С3, ёмкости которых должны быть равны, иначе форма выходного сигнала будет несимметричной.

Резистор R1 эмулирует выходное сопротивление источника сигнала, дело в том что измерять выходное сопротивление необходимо при том сопротивлении источника, при котором схема и будет эксплуатироваться.

Точно так же и при измерении входного сопротивления схему необходимо нагрузить сопротивлением рабочей нагрузки.

В этой схеме используются биполярные транзисторы типа КТ503А и КТ502А, модели которых не входят в стандартную поставку программы LTSpice. Модели этих транзисторов можно скачать здесь. Что бы транзисторы КТ503А и КТ502А были доступны в LTSpice, необходимо добавить их модели в текстовый файл с со стандартными моделями транзисторов, находящийся в той директории, куда установлен LTspice, например:
c:\LTspiceIV\lib\cmp\standard.bjt
Естественно, все манипуляции с файлами программы необходимо проводить когда программа не запущена. Как добавлять компоненты на схему было описано ранее.

Теперь для того, что бы добавить необходимый транзистор, нажимаем клавишу

F2, и в появившемся меню следует выбрать npn, и установить значок транзистора на схему:

Далее кликнуть правой кнопкой мыши по символу транзистора, в появившимся окне нажать кнопку Pick New Transistor:

Далее выбрать необходимый транзистор модели КТ503А:

И закрыть все окна (кнопка ОК).

Кроме транзисторов понадобятся ещё источники тока и напряжения (клавиша F2 —> корневой каталог — и далее выбрать voltage или current):

Поместить выбранный символ на схему, нажать правую кнопку мыши и в появившемся окне выбрать Advanced:

И в появившемся окне ввести амплитуду переменного сигнала (AC Amplitude), равную единице:

Точно так же поступить и с источником тока, только амплитуду переменного сигнала

AC Amplitude следует выбрать близкой к бесконечности, что бы параметры источника не влияли на расчёт:

На схеме значение резистора R1 указано в фигурных скобках — {R}. Это сделано для того, что бы сопротивление этого резистора можно было автоматически изменять. Для этого необходимо на схему поместить две Spice директивы (нажав клавишу S)
.param R=100
и
.step param R LIST 1 10 100 1K:

Убедитесь, что переключатель SPICE directive включён.

Теперь нужно ввести параметры расчёта. В меню Simulate —> Edit Simulation Cmd следует выбрать AC Analysis (анализ малосигнальных частотных характеристик схемы) и ввести вот такие параметры моделирования:

Параметры .ac oct 100 100 100k указывают на то, что расчёт будет идти начинаясь с частоты 100 Гц по 100 кГц, точность расчёта — 100 точек на октаву. Теперь можно запустить симуляцию.

В появившемся пустом окне с результатами расчётов нажать правую клавишу мыши и выбрать пункт Add Trace (или можно нажать комбинацию клавиш Ctrl+A) и ввести выражение V(out)/I(I1) (т.е. напряжение в точке out делённое на ток источника I1):

Теперь в окне расчётов появятся результаты моделирования:

В правой части этого окна находится шкала фазовых характеристик, они нам не нужны, поэтому кликнув по этой шкале левой кнопкой мыши, вызовем окно настройки шкалы, в котором нажатием на кнопку Don’t plot phase фазовые характеристики будут удалены из расчёта:

Аналогично вызвав окно настройки левой части шкалы, указать в этом окне тип диаграммы — Боде (Bode) и её вид — линейный (Linear):

Окно с результатами расчётов примет такой вид:

Теперь шкала слева отображает выходное сопротивление усилителя при разных значениях входного сопротивления источника сигнала.

Для того, что бы каждый раз не настраивать окно вывода результатов, то можно записать в файл параметры окна — когда окно будет находиться в фокусе, из меню File выбрать Save Plot Setting, настройки сохранятся в файле с расширением .plt. Имя этого файла по умолчанию соответствует имени файла симуляции, содержимое файла .plt примерно такое:

[AC Analysis]
{
   Npanes: 1
   {
      traces: 1 {2,0,"V(out)/I(I1)"}
      X: ('K',0,100,0,100000)
      Y[0]: (' ',1,4.9,0.7,12.6)
      Y[1]: (' ',0,120,8,200)
      Log: 1 0 0
      GridStyle: 1
      PltMag: 1
   }
}

Та SPICE директива, что была задана ранее, .step param R LIST 1 10 100 1K ступенчато изменяет сопротивление резистора R1, в данном случае это 4 значения 1, 10, 100 Ом и 1 кОм. Поэтому в окне результата расчёта выводятся четыре кривые. Эту директиву можно заменить другой, например, директива .step param R 1 100 20 будет производить расчёт в диапазоне с 1 по 100 Ом с шагом 20.

Что бы узнать, какая кривая к какому шагу относится, нужно вызвать меню правой кнопкой мыши и нажать Select Steps, где выбрать один или несколько шагов, которые будут отображаться на графике:

Файл с вышеописанной схемой усилителя можно скачать здесь.

Измерение входного сопротивления усилителя

Изменим немного схему, удалив из неё источник тока I1 и включив вместо него резистор R1, а также добавим метку IN (клавиша F4):

В директиве .step param R LIST 100 1K 10K изменены параметры списка, теперь сопротивление R1 будет равно 100, 1000 и 1 кОм. Запустив вычисления и настроив окно вывода результатов точно также, как описывалось выше и используя выражение V(IN)/I(V2), получим графики входных сопротивлений усилителя при разных сопротивлениях нагрузки:

Из результатов расчётов видно, что для сопротивления нагрузки 100 Ом входное сопротивление усилителя будет равно 6,06 кОм, для 1 кОм — 13,36 кОм, и для 10 кОм — 15,22 кОм.

Содержимое .plt файла будет примерно таким:

[AC Analysis]
{
   Npanes: 1
   {
      traces: 1 {2,0,"V(IN)/I(V2)"}
      X: ('K',0,100,0,100000)
      Y[0]: ('K',1,5400,900,15300)
      Y[1]: (' ',1,172.9,0.7,181.3)
      Log: 1 0 0
      GridStyle: 1
      PltMag: 1
   }
}

Файл с изменённой схемой можно скачать здесь.

Проверим полученный результат. Для этого добавим метку Vac и нагрузим усилитель на сопротивление 100 Ом, зададим резистору R1 величину сопротивления, полученного из предыдущего расчёта (6,06 кОм):

А так же изменим параметры источника сигнала V2, установив амплитуду синусоидального сигнала 1 В и частоту 1 кГц:

Изменим режим моделирования на Transient (анализа переходных процессов) с параметрами .tran 0 0.1 0.095 0.0001:

И в окне расчётов получим синусоиды напряжений на источнике сигнала и на входе усилителя, установив щупы на метки Vac и IN:

Как видно из графиков, амплитуда сигнала на входе усилителя IN в два раза меньше, чем амплитуда источника сигнала Vac, следовательно, входное сопротивление усилителя равно сопротивлению резистора R1.

Последнюю схему можно скачать здесь.

BACK

sprav_tranzistor (Справочник по транзисторами) » СтудИзба

Выходная пошая проводимость в 3зеаачкге кичого сиптача при хочостом ходе при С!ив=6 В, уз=! мА ! = ! кГП не бо прн Т= 293 К прн Т= 2г3 К Обратный ток кодчектора при 6/кв = 6 В не ботве прп Т= 293 К при Т= 343 К Обратный ток эчиттера при У’эк =- 6 В не более Еьчкость коччекторного перехода прп бгкь вЂ” вЂ” 6 В, э’= ! МГа не боме !50 О, 2 кгкСзг 5 кгкСч 6 кнА 50 чкА !О чкА 20 пф Предечьные эксплуатационные данные Напряаение коччектор-эчигтер коччекторбгза . Обратное напряжение эчитгер база Ток кочзектора . Ток эчиттера . Постоянная р.гсссиваечая мощность прп Т= 233 вЂ” 343 К Температура окружающей среды 6 В 6 В 5 чА 5 мА 30 чВ» От 2!3 до 343 К КТ501А, КТ501 Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501 М Транзисторы кремниевые зн~гчахсггачьно-планарные р я-р чсии тельные низко ыстотпые чачочощные Прелназначены дчя причецення в усичителях щпкой гасготы с норчированньгч коэффициентом щукга, сперм!ионных и дцфферси ггиальных усичитечях, преобраэоваге ~ях, икшульсньгх схемах Выпускаются в четаллостекляниоч корпусе с гибкимн выводами Обозначение типа приводится на корпусе Масса транзистора не бочее 0,6 г длгргер клг с!э 362 Эдектрняескне параметры Коэз т ффипиент шума при !Укт = 3 В /ь вЂ” вЂ” 0,2 мА, Яг = 3 ьОч,я= 1 кГп не бозее шовое значение „!а„ря,кение насьппення ьоззелтор-эчпттер не более прн ух=03 А, !г,=006 А прп Гав=05 А, /к=01 А „1апрявенне пдсышення база-эчпттер при !к = 0,3 А, 3 = 006 А не бе тес Г ятпчеслий коэффициент передачи тола в схеме с обшнм эчиттероч прп !ьэ=1 В, !к=30 тзА КТ501А КТ50!Г, КТ501Ж, КТ501Л КТ501Б КТ501Д КТ501И, КТ501М .

Ктх01В, КТ501Е, КТ501К прп Кьэ = 1 В, Тк „= 0,5 А не менее Граничная частота коэффипиента передачи тока в схеме с оошнч эчиттероч прв бгкэ = 5 В !к = 10 мА не ченее Ечкость ьозтекторного перехода при Икя = 10 В, Г= 500 ьГп не более Ечлость эчиттерного перехода прп Каэ = 0,5 В, Г= 500 кГп ие более Обратный тол коз зеьтора при тткэя = Икэя яяьс 1!ьэ = 1О ьОч пе ботев .

Обратный тол зчиттера при Ияэ = Пяэ „„,. не ботве . 4 пБ 2″ лБ 04 В 07 В 1,5 В 20- 60 40-!20 80-240 6 5 МГп 50 пФ 100 пФ 1 млА 1 мьА Предельные экспдтатаинониые данные Постоянн ы напряжения лоззеьтор-база н козлекторэчиттер при Яяэ и 10 лОч Т= 298 вЂ” 398 К КТх01а КТ501Б, КТ501В КТ501Г КТ50!Д, КТ501Е . КТ501Ж КТ50!И, КТ501К КТ501Л КТ501М Постоянное напряаение база-эмиттер при Т = 213 вЂ” 398 К (ари Т = 298 вЂ” 398 К КТ50!Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М1 КТ501А КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е КТ50!Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М . П остоянный так ьоядеьтора при Т = 213 вЂ” 398 К .

3!хшу зьсный тол колзектора при Т = 213 вЂ” 398 К . Постоянный ток базы при Т = 213 вЂ” 398 К Пост остоянная рассеиваечая чошность коллектора при Т= э13 вЂ” 308 К . Тем Течпердт>ра перехо а д синера~ура окру каюп!ей среды . 15 В 10 В 45 В 60 В 10 В 20 В 0,3 А 05 А 0,1 А 0,35 Вт 423 К т 213 ло 398 К П р и м е ч а н и е При включении транзистора в непь, находящуюся под напряжением, базовый контакт присоединяется ис ы л ! н откчючается последним Расстояние от места изгиба до корпуса транзистора не м „ менее 3 мм с ралиусам закрут!ения П5-2 мм Пайка выводов дои допускаетсяя на р !сстоянии ие менее 5 мм от корпуса транзистор егора 05 0,5 70 0 215 255 205 355 37УТК 22,5 20 Зависимости максимально до. пустимых напряжений кощектор-эмнттер и коллектор база от температуры Зависимость максим щьно допус! имого напряжения б,! ыэмиттер от темпер,!туры 10 215 235 253 275 295 Т,К КТ502А, КТ502Б, КТ502В, КТ502Г, КТ502Д, КТ502Е Транзисторы кремниевые эпитаксиально-пленарные р-л-р универсальныс низкочастотные маломощные Предназначены для работы в усидитетях низкой частоты, операционных н дифференциальных усилитечях, преобразователях, имлучьсных схемах Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выведали! Обозначение типа приводится на этикетке Масса транзистора нс более 0,3 г Отд ! ОУ а 0,2 о 0,1 ,», 17,5 15 12,5 зо 50 й 50 я ~м 40 к » 30 Ягп 10 213 235 253 273 2037,К Зависимость максима тьно допустимой постоянной рассеиваемой мощности коллектора от температуры Эзектрпческне параметры ГраиИЧНОЕ НаПРЯЛЕНИЕ ПРИ 1Э = 10 МА, та и ЗО МЛС, Д > 100 ие менее КТ502А, КТ502Б .

КТ502В, КТ502Г КТ502Д КТ502Е напряжение насыщения каззектор-эмиттер прн /и = 1О мА, /а = 1 мА не более . типовое значение ° Папряиение насыщения база-эмнттер при тк =- 10 мА, л~А не бозее типовое значение . Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при !ткэ = 5 В, !э = 10 л~А КТС02А, КТ502В, КТ502Д, КТ502Е . КТ502Б, КТ502Г Граничная частота коэффициента передачи тоха в схеме с общим эмиттером при блэ = 5 В. 2э = 3 мА, 2 = 1 МГц ие менее . Емкость ьочзелторного перехода при бэкв = 5 В Г= 465 кГц не более . Обратный тол козчелтора при хт — = хз „„„, не бо- 25 В 40 В 60 В 80 В 0,6 В 0,15* В 1.2 В 0,8ч В 40 110 80 э40 5 МГп 20 пф ! мкА Прелельиые эксплуатационные данные Постоянное напряжение кол чектор-база при Т = = 233 вЂ” 358 К КТ502А, КТЧ02Б .

КТ5028, КТ502Г . КТ502Д КТ502Е Постоянное напряжение база-эмиттер при Г = = 233 вЂ” 358 К П остоянный ток коллектора при Т= 233 вЂ” 358 В Имц! тьсный ток коллектора при т„к ГО мс, ЕЗ > 100, Г= 233 вЂ” 358 К. Постоянный ток базы при Т= 233 вЂ” 358 В . Посзоянная рассеиваемая мощность коллектора при Г= 233 вЂ” 298 К . 40 В 60 В 80 В щ В 5 В 0,1 5 А 0,35 А 0,1 А 0,35 Вт О,’7 ‘.

0,3 Яа,г 0,7 О 252 273 212 232 ЛУ7,77 Зависимость малснмально допустимой постоянной рассеиваемой моппзости коллектора от температуры. 1,7 0,5 0,4 Д Ог Яо,г .ОБ и О,В у ‘ 07 О,Б 1 2 Ч БВ70 20 4ОЕ„,мА Зависимость напряжения насышення база-эмнттер от тока кол- лектора 0 7 г Ч 081020 ЧОЕюмА Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмнттер от тока коллектора. узг 73 1го 100 Во О 001 ООЧ 01 020ЧОБ1 2 Ч Б 10 20 ЧОБ0100200 БОО Еэ,мл Зависимость статического коэффициента передачи тока оз тока эьзит- тера, 766 Телзпература перехода Температура окружающей среды ОБ 398 К .

От 233 до 338 7 Примечание. Парку У вы. волов разрешается произво слить на расстоянии не мене. мм от корпуса. Прн пайке като паяльника лолжио быть захе азем. дено Изгиб выволов попускаете ‘ ется на расстоянии не менее э ц мтз от корпуса транзистора с ра диусом закругления 7. 5 вЂ” 2 „,„ при этом лолжны приниматься меры, исключаюшие передачу усилий на корпус. Изгиб в п.зоскости выводов ие дои> екает ся Разде ~ чслзвервзы0 ТРАНЗИСТОРЫ МАЛОМОЩНЫЕ ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ и-р-и ДТЗ01Г, гт301Д, гт301Е, ЛТЗ01ж, КТ301Г, КТЗ01Д, КТ301Е, КТЗ01Ж Электрические параметры Максцматьная частота генерации при 6кв = 10 В, Рз = 3 мА ие менее……….,……..

60 МГп Молуль коэффициента передачи тока при !/кз = 10 В, !3= 3 мА, Г= 20 МГц не менее……… 1,5 Постоянная времени цепи обратной связи при Ока = 10 В, !з.= 2 мА. Т= 2 МГп не более 2ТЗО>Г, 2ТЗО>Д, КТЗО!Г, КТЗО>Д…….. 4,5 нс 2Т301Е, 2Т301Ж, КТ301Г, КТЗО>Ж……… 2,0 нс ВРемЯ Рассасываниа пРи !ь = 10 мА, та вЂ” вЂ” 1 мА нс более 2ТЗО!Г, 2ТЗО>Д, КТ301Г, КТЗО>Д…….. 5 мкс 2ТЗО!Е, 2ТЗО!Ж, КТЗО>Е, КТ301Ж…….

8 мкс КозФфицпент перелачи тока в схеме с общим эмиттероч при Окь вЂ” !О В тз = 3 мА 2Т301Г, КТ301Г 2ТЗО!Д, КТ301Д 2Т301Е, КТЗО>Е 2ТЗО!Ж, КТЗО>Ж . Г Раничное напряаение при тз = 10 мА, т„= 5 мкс не менее 2ТЗО>Г, 2ТЗО>Д. …,,…….,, 30 В 10 вЂ” 32 20 вЂ” 00 40 вЂ” 120 80 вЂ” 300 !67 Транзисторы кремниевые п танарные п-Р-я > ниверсальные вы,очастотные маломоггчные Предназначены для применения в усилительных и ченераторных течах разиозлектронной аппаратуры Вып>скаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выворами Обозначение типа приволится на корпусе.

Масса транзистора не более 0.5 г. 7 20 В 25 В !О п<р 80 пйз 5 млА 10 мкА 50 мкА 50 м,А 1О мкА 0 мам 2ТЗ01Е, 2Т301Ж Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк = 10 мА, Ук = 1 мА не бочее Напряжение насыщения база-эмнттер при чь = 10 мА, Зь = 1 мА не более Емкость коллскторного перекопа прн Ька = 1О В У = 2 МГц не более . Емкость эмиттернага перехола при Пза = 0,5 В У= 2 МГц не более . Обратный ток колчектора при Т= 298 К Вк„= !/ка„,„, не более 2Т301Г, 2Т301Л, 2Т301Е, 2Т301Ж КТ301Г, КТ301Д, КТЗО!Е, КТЗО!Ж при Г= 398 К сГка = 10 В не бочее 2Г301Г, 2Т301Л, ЗТ301Е, 2Т301Ж Обратный ток эмиттера при !lэа = 3 В нс бочее 2Т301Г, 2ТЗ01Л, 2Т301Е, 2ТЗО!Ж КТ301Г, КТЗ01Д, КТЗО! Е, КТЗ01Ж .

Выходная проводимость при СГкв = 10 В, Уэ = 3 мА, У= 1 кГц не более……………….3 2 В !О мА 150 мВт 423 К 393 К О,б К/мВт Прелельные эксплчатациоиные лаиные Постоянное напряжение коллектор-оаза и коллектор-змиттер 2Т301Г, 2Т301Л КГ301Г, КТЧ01Д, КТ301Е. КТ301Ж…………… чо В 2Т301Е, 2Т301Ж…………

20 В Напря,кение эмиттер база . 3 В Напряжение колчектор-‘змиттер цри котором Оп!.з сохраняется в пре челах устлновчснныч норм при 1! = 1 мА не менее Постоянный ток колчектора и эмитчера Импульсный так коллектора при т„< 1 мкс, Д>2…………….. 20 мА Постоянная рассеиваемая мощность при Тс 333 К при Т= 398 К 2ТЗ01Г, 2Т301Д, 2Т301Е. 2ТЗ01Ж…………… 42 мВт при Г =- 358 К КТ301Г, КТЧ01Д, КТ301Е, КТ301Ж…………… 58 мВт Температура перехода 2Т301Г, 2Т301Д, 2Т301Е, 2Т301Ж . ктзо!Г, кт301Л, ктЗо!е, ктзо!ж Общее тепчовое сопротивление . Температура окружающей среды 2ТЗО!Г, 2Т301Д, 2Т301Е, 2ТЧО!Ж…..

Транзисторы кт503, 2т503.

справочник, справочные данные, параметры, цоколевка, datasheet, даташитГлавная > Дополнительно > Транзисторы кт503, 2т503. справочник, справочные данные, параметры, цоколевка, datasheet, даташит

Электрические параметры

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер при токе базы 1 мА — не более 0.6 В, обычно на основе нашего опыта 0.15 В

Напряжение насыщения база — эмиттер при токе базы 1 мА — не более 1.2 В, обычно на основе нашего опыта 0.6 В

Рабочая частота — до 2 МГц. Схемы с общим эмиттером, выполненные нами, стабильно работают на частоте до 2 МГц.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор — база 5 В — не более 20 пФ.

Постоянное обратное напряжение база — эмиттер — 5 В.

Постоянное ток коллектора — 0.15 А.

Импульсный ток коллектора — 0.35 А.

Постоянный ток базы — 0.1 А.

Постоянная рассеиваемая мощность — 0.35 Вт.

КТ502А, 2Т502А

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 40 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

КТ502Б, 2Т502Б

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 40 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 80 — 240.

КТ502В, 2Т502В

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 60 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

КТ502Г, 2Т502Г

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 60 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 80 — 240.

КТ502Д, 2Т502Д

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 80 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

КТ502Е, 2Т502Е

Постоянное напряжение коллектор — эмиттер — 90 В.

Коэффициент передачи тока при токе коллектора 10 мА и напряжении коллектор — эмиттер 5 В — 40 — 120.

(читать дальше…) :: (в начало статьи)

:: ПоискТехника безопасности :: Помощь

К сожалению в статьях периодически встречаются ошибки, они исправляются, статьи дополняются, развиваются, готовятся новые. Подпишитесь, на новости, чтобы быть в курсе.

Если что-то непонятно, обязательно спросите!Задать вопрос. Обсуждение статьи.

Еще статьи

Сверхмощный импульсный усилитель звука. Площади. Вещательный. Звуковой…
Сверхмощный импульсный усилитель звука для озвучивания массовых мероприятий и пр…

Операционные усилители К544УД1, К544УД1A, К544УД1Б, 544УД1, 544УД1A, 5…
Характеристики и применение операционных усилителей 544УД1. Распиновка…

Датчик уровня жидкости. Реле. Автоматическое включение / выключение на…
Автомат наполнения емкости с водой включает и выключает насос в зависимости от у…

Усилитель на полевом транзисторе. FET, MOSFET. Звуковая, низкая частот…
Применение полевых транзисторов в низкочастотных усилителях….

Поиск, обнаружение разрывов, обрывов проводки. Найти, искать, отыскать…
Детали, сборка и наладка прибора для обнаружения скрытой проводки и ее разрывов…

Операционный усилитель, ОУ, операционник. Свойства. Характеристики. Ма…
Понятие операционного усилителя. Схемы, применение, классификация. Тонкости….

Интегральный аналог конденсатора большой емкости. Умножитель, имитатор…
Умножитель емкости. Имитатор большого конденсатора на интегральной микросхеме…

Детектор, датчик, обнаружитель скрытой проводки, разрывов, обрывов. Сх…
Схема прибора для обнаружения скрытой проводки и ее разрывов для самостоятельног…

Применение

В основном применяются в схемах автоматики, усилителях низкой частоты (если нет требований по низкому уровню шума, высокой линейности и стабильности), микромощных источникам питания.

Примеры устройств:

Бестрансформаторный источник питания
Аналог динистора в релаксационном генераторе
УМЗЧ высокого качества
Датчик уровня жидкости

Вообще эти транзисторы относятся к числу наших самых любимых радиодеталей. Если необходим низкочастотный биполярный n-p-n транзистор без дополнительных требований, то это — КТ503, если необходима пара транзисторов p-n-n, n-p-n, с близкими характеристиками, то это — КТ502, КТ503.

Справочный листок по транзисторам КТ501А…М:

Электрические

параметры:

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ:
при U_КЭ = 1 В, I_К = 30 мА	КТ501А, КТ501Г, КТ501Ж, КТ501Л	20…60
КТ501Б, КТ501Д, КТ501И, КТ501М	40…120
КТ501В, КТ501Е, КТ501К	80…240
при U_КЭ = 1 В, I_{К, имп.} = 0,5 мА	не менее	6
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме ОЭ при U_КЭ = 5 В, I_К = 10 мА:
	не менее	5 МГц
Коэффициент шума при U_КБ = 3 В, I_К = 0,2 мА, R_Г = 3 кОм, f = 1 кГц
	не более	4 дБ
	типовое значение	2 дБ
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер, не более:
при I_К = 0,3 А, I_Б = 0,06 А		0,4 В
при I_К = 0,5 А, I_Б = 0,1 А		0,7 В
Напряжение насыщения база — эмиттер при I_К = 0,3 А, I_Б = 0,06 А:
	не более	1, 5 В
Обратный ток коллектор — эмиттер, при U_{КЭ R}= U_{КЭ R, макс.}, R_БЭ = 10 кОм:
	не более	1 мкА
Обратный ток эмиттера при U_БЭ = U_{БЭ, макс.}:
	не более	1 мкА
Емкость коллекторного перехода при U_КБ = 10 В, f = 500 кГц:
	не более	50 пФ
Емкость эмиттерного перехода при U_БЭ = 0,5 В, f = 500 кГц:
	не более	100 пФ

Предельные

эксплуатационные данные:

Постоянные напряжения напряжение коллектор — база и коллектор — эмиттер:
при R_БЭ <= 10 кОм, Т = +25…+125 С:	КТ501А, КТ501Б, КТ501В	15 В
КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е	30 В
КТ501Ж, КТ501И, КТ501К	45 В
КТ501Л, КТ501М	60 В
Постоянное напряжение база — эмиттер:
при Т = -60…+125 С:	КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г, КТ501Д, КТ501Е	10 В
при Т = +25…+125 С:	КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л, КТ501М	20 В
Постоянный ток коллектора:
		0,3 А
Импульсный ток коллектора:
		0,5 А
Постоянный ток базы:
		0,1 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при T <= -60…+35С:
		0,35 Вт
Температура p-n перехода:
		+150 С
Температура окружающей среды:
		-60…+125 С
При включении транзистора в цепь, находящуюся под напряжением, базовый контакт присоединяется первым и отключается последним. Расстояние от места сгиба до корпуса транзистора не менее 3 мм с радиусом закругления 1,5…2 мм. Пайка выводов допускается не ближе 5 мм от корпуса транзистора.

Возврат к оглавлению
справочникаНа Главную страницу
www.5v.ru

КТ501 (кремниевый транзистор, p-n-p)

КТ501А, КТ501Б, КТ501В, КТ501Г,
КТ501Д, КТ501Е, КТ501Ж, КТ501И, КТ501К, КТ501Л,
КТ501М
Транзисторы кремниевые
эпитаксиально-планарные структуры
p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в
усилителях низкой частоты,
операционных, дифференциальных и
импульсных усилителях,
преобразователях.
Выпускаются в металлостеклянном
корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Изготовитель — акционерное
общество «Кремний», г. Брянск.

Прибор	Предельные параметры	Параметры при T = 25°C	R_{Т п-с}, °C/Вт
		при T = 25°C
I_{К max}, мА	I_{К и max}, мА	U_{КЭ0 гр}, В	U_{КБ0 max}, В	U_{ЭБ0 max}, В	P_{К max}, мВт	T, °C	T_{п max}, °C	T_max, °C	h_21Э	U_КЭ, В	I_Э, мА	U_{КЭ нас}, В	I_КБ0, мкА	f_гр, МГц	К_ш, дБ	C_К, пФ	C_Э, пФ	t_рас, мкс
КТ501 А	300	500	15	15	10	350	35	150	125	20…60	1	500	0,4	1	5	4	50	100	300
КТ501 Б	300	500	15	15	10	350	35	150	125	40…120	1	500	0,4	1	5	4	50	100	300
КТ501 В	300	500	15	15	10	350	35	150	125	80…240	1	500	0,4	1	5	4	50	100	300
КТ501 Г	300	500	30	30	10	350	35	150	125	20…60	1	500	0,4	1	5	4	50	100	300
КТ501 Д	300	500	30	30	10	350	35	150	125	40…120	1	500	0,4	1	5	4	50	100	300
КТ501 Е	300	500	30	30	10	350	35	150	125	80…240	1	500	0,4	1	5	4	50	100	300
КТ501 Ж	300	500	45	45	20	350	35	150	125	20…60	1	500	0,4	1	5	4	50	100	300
КТ501 И	300	500	45	45	20	350	35	150	125	40…120	1	500	0,4	1	5	4	50	100	300
КТ501 К	300	500	45	45	20	350	35	150	125	80…240	1	500	0,4	1	5	4	50	100	300
КТ501 Л	300	500	60	60	20	350	35	150	125	20…60	1	500	0,4	1	5	4	50	100	300
КТ501 М	300	500	60	60	20	350	35	150	125	40…120	1	500	0,4	1	5	4	50	100	300

Оцените статью:

Транзистор П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзисторы германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные мощные.

Предназначены для применения в схемах переключения, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе. Масса транзистора не более 14 гр.

Электрические параметры П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при I_К=2 А, I_Б=0,3 А П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ, не более	0,5 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_КЭ=10 В, I_К=2 А
П4АЭ, не менее	5
П4БЭ	15-40
П4ВЭ, не мене	10
П4ГЭ	15-30
П4ДЭ, не менее	30
Коэффициент усиления по мощности при Р_вых=10 Вт, U_КБ=26 В, R_и=25 Ом, ?=1 кГц, не менее
П4АЭ	20 дБ
П4БЭ	23 дБ
П4ГЭ	27 дБ
П4ДЭ	30 дБ
Коэффициент нелинейных искажений при Р_вых=10 Вт, U_КБ=26 В, R_и=25 Ом, ?=1 кГц, не более
П4АЭ	15%
П4БЭ, П4ГЭ, П4ДЭ	10%
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой, не менее	150 кГц
Обратный ток коллектора при U_КБ=10 В, не более
П4АЭ	500 мкА
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ	400 мкА
Обратный ток коллектор-эмиттер при R_БЭ=15 Ом
при U_КЭ=60 В П4БЭ, не более	20 мкА
при U_КЭ=50 В
П4ГЭ, П4ДЭ, не более	20 мкА
П4АЭ, не более	50 мкА
при U_КЭ=35 В П4ВЭ, не более	20 мкА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
П4АЭ, П4ГЭ, П4ДЭ	60 В
П4БЭ	70 В
П4ВЭ	40 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при R_БЭ?15 Ом
П4АЭ, П4ГЭ, П4ДЭ	50 В
П4БЭ	60 В
П4ВЭ	35 В
Постоянный ток коллектора	5 А
Постоянный ток базы	1,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность с теплоотводом
при Т_к?313 К
П4АЭ	20 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ	25 Вт
при Т_к=323 К
П4АЭ	15 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ	20 Вт
при Т_к=343 К
П4АЭ	7,5 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ	10 Вт
без теплоотвода при Т_к?298 К
П4АЭ	2 Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ	3 Вт
Температура перехода	363 К
Тепловое сопротивление переход-корпус
П4АЭ	2,67 К/Вт
П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ	2 К/Вт
Температура корпуса	От 213 до 343 К

1. Входные характеристики. 2. Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зависимость максимальной допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 4. Зависимость относительного максимального допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

Конструирование, эксплуатация и сборка СВТ курсовая 2013 по информатике

Министерство образования и науки Российской Федерации ФГБОУ ВПО “МГУТУ им. К.Г. Разумовского” Университетский колледж информационных технологий (УниКИТ) Специальность: 230101 Вычислительные машины, комплексы, системы и сети. КУРСОВОЙ ПРОЕКТ по дисциплине: “Конструирование, эксплуатация и сборка СВТ” на тему : “Разработка конструкции и технологии изготовления печатной платы источника бесперебойного питания” Группа: Э-402к Студент : Нарыжнов Р.И. Руководитель проекта : Деева Е.Б. Москва 2012 Введение Темой данного проекта является разработка универсального источника бесперебойного питания (далее ИБП). Его универсальность заключается в том, чтобы он мог использоваться в любой аппаратуре мощностью до 600 Вт, начиная с персонального компьютера и заканчивая медицинской аппаратурой. Причина построения бесперебойного источника — это возможность его использования в любой аппаратуре, для которой стабильное электропитание является важным фактором. Невзирая на то, что при генерации электроэнергии, напряжение имеет отличные характеристики, в тот момент, когда электропитание достигает потребителя, его качество далекое от идеального. Большинство типов помех недопустимое, например, значительные провалы напряжения и колебания частоты, что может привести к непоправимым потерям, вызванным повреждением оборудования. Обычно же финансовые последствия этого могут быть существенными, влияя не только на текущую работу, но, что является серьезнее, и на развитие предприятия, которое понесло убытки. Следовательно, наличие источника питания в любом устройстве вещь вполне очевидная и требования к нему достаточно большие, ведь от его качественной работы зависит работа устройства в целом. Особенное внимание, при разработке источников питания, стали уделять при построении сложных цифровых устройств (персональный компьютер или любая другая микропроцессорная техники), где возникла потребность обеспечения этих устройств непрерывным и самое главное — качественным питанием. Пропадание напряжения для устройств этого класса может быть фатальным: медицинские системы жизнеобеспечения нуждаются в постоянной работе комплекса устройств, и требования к их питанию очень строги; системы банковской защиты и охранные системы; системы экстренной связи и передачи информации. Раздел 2. Описание конструкции Данная конструкция устройства источника бесперебойного питания состоит из следующих звеньев: 1) вход 2) фильтр 3) зарядное устройство 4) аккумуляторная батарея 5) преобразователь 6) стабилизатор 7) выход Рисунок — 1 Структурная схема. В схеме применяются следующие микросхемы: 1. Компаратор DA1 – К554СА3 2. Компаратор DA2 – К554СА3 Компаратор К554САЗ допустимо заменить другим, но обязательно с открытым коллектором и эмиттером, что важно из-за способа введения гистерезиса по предлагаемой схеме. Также для данного устройства будут применяться следующие электро- радио элементы: Устройство некритично к выбору деталей. 1. резисторы: R1-R8,R10-R12,R14-R24,R26-R31 – МЛТ 0,125 2. переменные резисторы: R9,R13,R25 3. конденсаторы: С1,С5 – К73-17 С2,С3 – К53-35 С4 – К53-4 4. транзисторы: VT1, VT4, VT5 — KT315Б VT2 — КТ502А VT3 — KT816Г 5. стабилитроны: VD3 — КС147А VD4 — КС139А 6. диоды: VD1,VD2 — КД522А 7. дроссель: L1,L2 – ДП-3 8. аккумуляторная батарея GB1- Д-0,55 Основные технические параметры устройства: Документом, устанавливающим нормы качества электроэнергии в России, является ГОСТ 13109-97 принятый 1 Января 1999г. В частности в нем установлены следующие «нормы качества электрической энергии в системах электроснабжения общего назначения». Параметр Номинал Предельно Напряжение V 220V ±5% 220V ±10% Частота Hz 50Hz ±0,2Hz 50Hz ±0,4Hz Искажения % 8% 12% Провалы сек. 3 сек 30 сек Перенапряжения V 280V 380V Раздел 4. Анализ и расчет технологичности конструкции Комплексное понятие “технологичность”, включает в себя большое количество параметров запускаемого в производство изделия, технологический процесс и непосредственно производство, определяющие в конечном итоге потребительские качества изделия. Анализ технологичности позволяет оценить возможность использования для изготовления деталей, сборке и монтажа изделия, известных методов выполнения операций и процессов, выполняемых на достаточно высоком уровне механизации и автоматизации. 4.1 Задача расчета Определение технологичности конструкции по количеству показателей. Количественная оценка технологичности конструкции проводится по системе базовых показателей, включающих отработанные и достигнутые при доработке совершенствующих параметров. По базовым показателям рассчитывается комплексный показатель технологичности конструкции. В результате расчета должны быть определены следующие показатели: • коэффициент стандартизации деталей; • коэффициент унификации деталей; • коэффициент повторения ЭРЭ; • коэффициент повторения микросхем; • коэффициент применяемости оригинальных ЭРЭ; 4.2 Расчет 4.2.1 Расчет коэффициента стандартизации деталей , (1) где Дст- количество стандартных деталей в изделии; Д- общее количество деталей в изделии. 4.2.2 Расчет коэффициента унификации деталей , (2) где Ду- количество унифицированных деталей в изделии; Д- общее количество деталей в изделии. 4.2.3 Расчет коэффициента повторения ЭРЭ , (3) где Nт.ЭРЭ –общее число типоразмеров ЭРЭ в изделии; NЭРЭ- общее число ЭРЭ. 4.2.4 Расчет коэффициента повторения микросхем , (4) где Nсх- общее число микросхем в изделии; NЭРЭ- общее число ЭРЭ, входящих в состав ИМС. 4.2.5 Расчет коэффициента применяемости оригинальных ЭРЭ , (5) где Nориг. ЭРЭ – число оригинальных ЭРЭ в изделии; Nт. ЭРЭ- общее число типоразмеров ЭРЭ. 4.2.6 Расчет комплексного показателя технологичности конструкции , (6) где кi- частичный показатель технологичности конструкции; аj- весовой показатель технологичности конструкции. аj1=0,1; аj2=0,5; аj3=0,1; аj4=0,2; аj5=0,1. Серийное производство — это форма организации производства, для которой характерен выпуск изделий большими партиями (сериями) с установленной регулярностью выпуска. Характеризуется выпуском партиями однородной продукции в течение установленного периода времени. Серийное производство характеризуется изготовлением ограниченного ассортимента продукции. Партии (серии) изделий повторяются через определенные промежутки времени. В зависимости от размера серии различают мелкосерийное, среднесерийное и крупносерийное производства. В серийном производстве удается специализировать отдельные рабочие места для выполнения подобных технологических операций. Уровень себестоимости продукции снижается за счет специализации рабочих мест, широкого применения труда рабочих средней квалификации, эффективного использования оборудования и производственных площадей, уменьшения, по сравнению с единичным производством, расходов на заработную плату. Продукцией серийного производства является стандартная продукция, например машины установившегося типа, выпускаемые обычно в более значительных количествах . Отличительными чертами серийного производства являются: • производство сериями относительно ограниченной номенклатуры повторяющейся продукции; • относительно непродолжительная длительность производственного цикла; • типизация технологического процесса; • наличие специализированного оборудования и рабочих мест; • использование в процессе производства рабочих средней квалификации; • механизация контроля качества продукции. Мелкосерийное производство тяготеет к единичному: изделия выпускаются малыми сериями широкой номенклатуры, их повторяемость в программе предприятия либо отсутствует, либо нерегулярна, а размеры серий колеблются; предприятие постоянно осваивает новые изделия и прекращает выпуск ранее освоенных. За рабочими местами закреплена широкая номенклатура операций. Оборудование, виды движений, формы специализации и производственная структура практически те же, что и при единичном производстве. Среднесерийное производство характерно тем, что изделия выпускаются довольно крупными сериями ограниченной номенклатуры; серии повторяются с известной регулярностью. За рабочими местами закреплена более узкая номенклатура операций. Оборудование универсальное и специальное, вид движения предметов труда — параллельно-последовательный. Заводы имеют развитую производственную структуру, заготовительные цехи специализируются по технологическому принципу, а в механосборочных цехах создаются предметно-замкнутые участки. Крупносерийное производство характерно изготовлением продукции крупными сериями весьма узкой номенклатуры. При этом важнейшие виды продукции могут выпускаться непрерывно. Рабочие места специализированы, оборудование обычно специальное, виды движений предметов труда— параллельно-последовательный и параллельный. Заводы имеют простую производственную структуру, обрабатывающие и сборочные цехи специализированы по предметному принципу, а заготовительные — по технологическому. Преимущества серийного производства: • высокая эффективность использования прогрессивного оборудования и технологии; • детальная разработка технологии, которая проводится с высокой эффективностью, так как затраты на нее распределяются на относительно большое число изделий; • редкая переналаживаемость производства с одного изделия на другое, что экономит немало времени и затрат в сравнении с единичным производством. По рассчитанным результатам видно, что тип производства будет крупносерийным. Раздел 6. Конструктивные характеристики ПП. Электрические характеристики ПП. Сравнительные характеристики ПП. Обоснование примененного метода изготовления ПП. Выбор материала для ПП Печатная плата – это изделие состоящее из плоского изоляционного основания, с отверстиями , вырезами и системой токопроводящей полосок Сверление отверстий, подлежащих металлизации, зенковка с двух сторон. Продувка отверстий для удаления стружки и пыли Снятие защитного слоя лака Химическая обработка отверстий (активирование и химическое меднение) Гальваническое меднение схемы. Ретуширование схемы Снятие защитного слоя. Обезжиривание Гальваническое серебрение схемы Декапирование в соляной кислоте. Гальваническое меднение Снятие задубленного слоя. Травление в растворе хлорного железа Механическая зачистка (крацевка). Промывка Покрытие проводников сплавом Розе (32% Pb-свинец; 16% Sn-олово; 52% Bi- висмут) Покрытие лакофлюсом на основе полиэфирной смолы (два слоя). Сушка при 70-80 градусах Цельсия в течение двух часов Механическая обработка по контуру Окончательный контроль Раздел 7. Разработка технологического процесса сборки и монтажа ПП 7.1 Разработка схемы сборочного состава Рис. 2 Схема сборочного состава осуществить легкий доступ к этим элементам, во время ремонта и эксплуатации. 7.1.5 Выбор типового технологического процесса Выбор типового технологического процесса производится на основе ОСТ 4.05.014 “Типовые технологические процессы сборки и монтажа”. Типовой технологический процесс сборки и монтажа электронного узла состоит из следующих операций: 1. комплектация; 2. подготовка к монтажу; 3. установка на ПП; 4. выполнение контактных соединений; 5. контроль модуля и защита от внешних воздействий Таблица 3. Основные операции технологического процесса сборки и монтажа Основные этапы сборки и монтажа Объекты сборки и монтажа Основные типовые операции Комплектация Печатные платы, навесные элементы, детали Распаковка из тары поставщика. Входной контроль параметров. Размещение в технологической таре Подготовка к монтажу Печатная плата Обезжиривание (промывка) платы, контроль печатного монтажа. Маркировка платы Навесные элементы (ИМС и ЭРЭ) Лакирование обозначений элементов. Рихтовка и укорачивание выводов. Флюсование и лужение выводов. Формовка выводов Установка на ПП Детали Установка и закрепление разъемов, навесных шин питания Навесные элементы Установка и фиксация ЭРЭ, установка и фиксация ИМС. Контроль установки элементов Выполнение контактных соединений Плата с деталями, ЭРЭ и ИМС Флюсование и пайка соединений, контроль контактных соединений Контроль модуля и защита от внешних воздействий Модуль Контроль и регулировка функциональных параметров. Монтажные операции (дополнительные). Контроль параметров. Лакирование модуля. Испытания и сдача на соответствие ТУ 7.2 Выбор средств технологического оснащения Так как производство крупносерийное, то выбирается оборудование конкретно для каждой операции в соответствии с каталогом технологического оборудования. Таблица 4. Средства технологического оснащения № ПП Наименование СТО Обозначения Выполняемые операции 1 Комплектовочный стол F 0 2 D Для подбора ЭРЭ и ИМС 2 Монтажный стол F 02 D Для проведения входного контроля, монтажа ЭРЭ и ИМС, выходного контроля 3 Полуавтомат для формовки и укорачивания выводов ЭРЭ и ИМС Модель “Старт” КПМ 2.249.011 Для укорачивания и формовки выводов ЭРЭ и ИМС при их установке на ПП 4 Автомат установки компонентов Модель “Трофей” КП 3.603.00.00 Установка ЭРЭ и ИМС 5 Паяльная станция АУБ 2.800.00.00 Пайка ЭРЭ и ИМС 6 Устройство тестового контроля УТК-2М АРЖ 1.400.001 Для автоматической диагностики обрывов и замыкания печатных проводников на ПП Далее по классификатору профессий выбирается рабочий персонал для выполнения конкретных операций с учетом выбранного оборудования. Таблица 5. Рабочий персонал № ПП Наименование операции Профессия Квалификация (разряд)Наименование Код Таблица 7 № ПП Наименование Обозначение в схеме Число выводов ИМС Число корпусов 1 К554СА3 DA1,DA2 28 2 Итого: 28 2 Данные о количестве выводов и корпусов ЭРЭ представлены в таблице 8. № ПП Наименова ние Обозначение в схеме Число выводов ИМС Число корпусов 1 МЛТ 0,125 R1-R8,R10-R12,R14- R24,R26-R31 2 28 2 R9,R13,R25 3 3 3 КД522А VD1,VD2 2 2 4 КС147А VD3 2 1 5 КС139А VD4 2 1 6 К-73-17 С1,С5 2 2 7 К53-35 С2,С3 2 2 8 К53-4 С4 2 1 9 ДП-З L1,L2 2 2 10 Д-0,55 GB 2 1 11 КТ502А VT1-VT5 3 5 Итого: 104 48 8.3.1 Определение числа выводов среднестатистического корпуса ИМС где Nвыв — число выводов ИМС; Nкорп — общее число корпусов ИМС. Следовательно, задачу размещения микросхем на плате можно заменить эквивалентной задачей размещения 2 и 14 выводов корпусов. Для наших расчетов возьмем корпус 201. 16-6 с размерами 19,5×7,5×5,5 мм. 8.3.2 Для лучшего теплообмена с учетом прогрева микросхем под электрической нагрузкой необходимо учесть отступы от края платы и расстояния между микросхемами. Расстояние между ИМС рассчитывается по формулам: где tx –расстояние между ИМС по длинной стороне ПП; lx – длина корпуса ИМС; ty –расстояние между ИМС по короткой стороне ПП; ly – ширина корпуса ИМС. мм От сюда получаем геометрические размеры ПП на которой нужно разместить Nx и Ny микросхем. 8.3.3 Размеры всей платы вычисляем по формулам: где Lx – длина ПП; Ly – ширина ПП; x1=x2= 5 мм – отступ от края длинной стороны ПП; y1= y2= 15 мм – отступ от края короткой стороны ПП. технологического процесса изготовления и контроля изделия по всем операциям, с указанием данных по оборудованию, оснастки, материалам. Также был составлен комплект конструкторской документации, необходимый для производства источника бесперебойного питания. Печатная плата относиться к 4 классу точности и ориентировочные габаритные размеры составляют 70,5×55 мм. Список литературы 1. В.Г. Костиков, Е.М. Парфенов, В.А. Шахнов «Источники электропитания электронных средств» Москва, Горячая линия – Телеком 2001г. 2. Костиков В.Г., Парфенов Е.М., Шахнов В.А. Источники электропитания электронных средств. Схемотехника и конструирование: Учебник для вузов. – 2-е изд. – М.: Горячая линия – Телеком, 2001. – 344 с.: ил. 3. Перельман Б.Л. Полупроводниковые приборы. Справочник – “Солон”, “Микротех”, 1996 г. –176 с.: ил. 4. Конструкторское технологическое проектирование электронной аппаратуры, под ред. В.А. Шахнова, Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010; 5. ГОСТ 14. 301-83 «Общее правило разработки технологического процесса»; 6. ОСТ 4. 050. 014 «Типовые технологические процессы сборки и монтажа»; Цифровые интегральные микросхемы, Минск, «Беларусь», «Полымя», 2010.

FC1206-102-KT502 datasheet — Плавкие ЧИП резисторы

CEA10-105-D101: Осевые керамические конденсаторы LEAD Многослойные конструкции Ceragoldtm

F1SQ-105-JB: Миниатюрные силовые пленочные резисторы

610-XR100: Резисторы в алюминиевом корпусе

AL05-300UH-KA: 1 ЭЛЕМЕНТ, 300 мкГН, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ Технические характеристики: Устройств в упаковке: 1; Тип вывода: Осевой, ПРОВОЛОЧНЫЙ; Применение: общего назначения, ВЧ дроссель; Диапазон индуктивности: 300 мкГн; Допуск индуктивности: 10 (+/-%); DCR: 11.5 Ом; Номинальный постоянный ток: 125 мА; Фактор добротности: 60; SRF: 2,4 МГц; Частота тестирования: 796 кГц; Действующий Te

ATB100-2671-FT452Q: РЕЗИСТОР, ЗАВИСИМОСТЬ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ, PTC, 2670 Ом, КРЕПЛЕНИЕ В ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ Технические характеристики: Категория / Применение: Общее использование; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы; Диапазон сопротивления: 2670 Ом; Допуск: 1 +/-%; Номинальная мощность: 0,2500 Вт (3,35E-4 л.с.); Рабочая температура: от -55 до 175 C (от -67 до 347 F)

HM60-1071-BB10: РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА, 0.25 Вт, 0,1%, 10 ppm, 1070 Ом, КРЕПЛЕНИЕ В ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ Технические характеристики: Категория / Применение: Общее использование; Технология / Строительство: Металлопленка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы; Диапазон сопротивления: 1070 Ом; Допуск: 0,1000 +/-%; Температурный коэффициент: 10 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 0,2500 Вт (3,35E-4 л.с.); Операция

MC2010P-4752-DB101: РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКОЕ СТЕКЛО / ТОЛЩАЯ ПЛЕНКА, 0,75 Вт, 0,5%, 100 ppm, 47500 Ом, КРЕПЛЕНИЕ НА ПОВЕРХНОСТЬ, 2010 Технические характеристики: Категория / Применение: Общее использование; Технология / конструкция: толстая пленка (чип); Монтаж / Упаковка: Технология поверхностного монтажа (SMT / SMD), 2010, CHIP; Диапазон сопротивления: 47500 Ом; Допуск: 0.5000 +/-%; Температурный коэффициент: 100 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 0,7500 Вт (

MCI1812-1R2-JBW: 1 ЭЛЕМЕНТ, 1000 мкГн, ИНДУКТОР ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, SMD Технические характеристики: Вариант монтажа: Технология поверхностного монтажа; Устройств в упаковке: 1; Стиль отведения: ЗАВЕРШЕНИЕ ПРЕКРАЩЕНИЯ; Стандарты и сертификаты: RoHS; Применение: общего назначения, ВЧ дроссель; Диапазон индуктивности: 1000 мкГн; Номинальный постоянный ток: 30 мА; Рабочая температура: от -40 до 1

MF75-1000-BB101: РЕЗИСТОР, МЕТАЛЛИЧЕСКАЯ ПЛЕНКА, 2 Вт, 0.1%, 100 ppm, 100 Ом, КРЕПЛЕНИЕ В ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ Технические характеристики: Категория / Применение: Общее использование; Технология / Строительство: Металлопленка; Монтаж / упаковка: сквозное отверстие, осевые выводы, осевые выводы; Диапазон сопротивления: 100 Ом; Допуск: 0,1000 +/-%; Температурный коэффициент: 100 ± ppm / ° C; Номинальная мощность: 2 Вт (0,0027 л.с.); Рабочий DC

PTA2T-1000-ABW: ПЛАТИНОВЫЙ ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ RTD, 100 Ом, ЦИЛИНДРИЧЕСКИЙ, КРЕПЛЕНИЕ С ПРОХОДНЫМ ОТВЕРСТИЕМ Технические характеристики: Тип датчика: температура; Упаковка / установка: AXIAL LEADED

Аксессуары для ноутбуков и настольных ПК Лот из 2 Монитор Dell AC511 Стерео-мультимедийный динамик USB-проводная звуковая панель MN008 Компьютеры, планшеты и сетевое оборудование

Аксессуары для ноутбуков и настольных ПК Лот из 2-х мониторов Dell AC511 Стерео мультимедийный динамик Проводная звуковая панель USB MN008 Компьютеры, планшеты и сетевое оборудование

Лот из 2 мониторов Dell AC511, стерео, мультимедийный динамик, USB-проводная звуковая панель, MN008

Лот из 2 Стерео мультимедийный динамик для монитора Dell AC511 Проводная звуковая панель через USB MN008, MN008 Лот из 2 мультимедийных стереодинамиков для монитора Dell AC511 Проводная звуковая панель через USB, P1917, P2014, P2016, P2017, P2018, P2214, P2217, P2317, P2415 , P2416, P2417, P2418, P2714, P2715, P2717, UltraSharp: U2415, U2417, U2515, U2713, U2715, U2917, UP2516, UP2716, UP2718, UP3017, UP3216, UZ2215, звуковые панели с полным богатым стереозвуком, легкий дизайн, легко прикрепляется к плоскопанельным дисплеям и имеет 2 разъема для наушников. Эти звуковые панели предназначены для следующих мониторов Dell: E1914, E1916, E2015, E2016, E2215, E2216, E2218, E2219, E2316, E2318, E2417, E2418, E2715, отличные цены , огромный выбор Рекламные товары Безопасная оплата и доставка по всему миру.Проводная звуковая панель MN008 Лот из 2 мониторов Dell AC511, стерео, мультимедийный динамик, USB.

Лот из 2 Стерео-мультимедийный динамик для монитора Dell AC511 Проводная звуковая панель с USB-разъемом MN008

Лот из 2-х стерео-мультимедийных динамиков для монитора Dell AC511 Проводная звуковая панель с USB-разъемом MN008 757965089051. Звуковые панели с полным богатым стереозвуком, легким дизайном, легко устанавливаются на плоские дисплеи и есть 2 разъема для наушников. Эти звуковые панели предназначены для следующих мониторов Dell: E1914, E1916, E2015, E2016, E2215, E2216, E2218, E2219, E2316, E2318, E2417, E2418, E2715, P1917, P2014, P2016, P2017, P2018, P2214, P2217, P2317. , P2415, P2416, P2417, P2418, P2714, P2715, P2717.UltraSharp: U2415, U2417, U2515, U2713, U2715, U2917, UP2516, UP2716, UP2718, UP3017, UP3216, UZ2215 .. Состояние: Б / у: элемент, который использовался ранее. На изделии могут быть некоторые признаки косметического износа, но он полностью исправен и функционирует должным образом. Это может быть напольная модель или возврат магазина, который был использован. См. Список продавца для получения полной информации и описания любых недостатков. См. Все определения условий ， Примечания продавца: «Проверено. Готовы к повторному использованию! » ，。

Лот из 2 мониторов Dell AC511 Стерео мультимедийный динамик Проводная звуковая панель USB MN008

или куда угодно, куда вас могут завести приключения.Central Diamond Center Nana Sterling Silver Square Snake Chain-Made in Italy-0, все эти низкопрофильные шляпы имеют 6 панелей с передней панелью из пряжи, прорези Precision Turbo поддерживают чистую поверхность колодки, обеспечивая максимальное сцепление и тихое торможение, ✅ НОВИНКА СДЕЛКА С ЮВЕЛИРНЫМИ ИЗДЕЛИЯМИ — ПОЛУЧИТЕ ЕЕ В НАШЕЙ КОЛЛЕКЦИИ 2019 — Белое золото Длина: 26 Ширина: 4 мм — Без никеля — Гипоаллергенный — Серьги Подарки Драгоценный камень, поставляется с функцией очистки краев, Лот из 2 стерео мультимедийных динамиков Dell AC511 USB-проводная звуковая панель MN008 , упаковка: другие аксессуары в комплект не входят.Croakies использует компоненты высшего качества для создания всех своих продуктов, сделанных без кадмия и фталатов. Мужские спортивные шорты Oxford Small без карманов Russell Athletic в магазине мужской одежды: спортивные шорты, эти праздничные салфетки для выпускного вечера полностью дополнят ваш декор для выпускной вечеринки. Он отлично уравновешивает ваши эмоции. Лот из 2 мониторов Dell AC511, стерео, мультимедийный динамик, USB-проводная звуковая панель MN008 . Бусины украшены реактивным стеклом с двойной спиралью и потрясающим золотым авантюрином в изысканном стиле. SABIRIAN ГОРДО ПРЕДЛОЖИТЬ ЭТОТ СПИСОК 5 КЕРАМИЧЕСКИХ РУЧКИ ручной работы, пару сандалий из 100% натуральной греческой кожи.Ожерелье на день рождения Ожерелье желаний Подарок на 40 лет День рождения. На спине нет глазури и тиснено моей маркой: «Единственная в своем роде вещь, которая захватывает дух лично». Лот из 2 мониторов Dell AC511, стерео, мультимедийный динамик, USB-проводная звуковая панель, MN008 , com / indestructibone / reviews, а также ознакомьтесь с нами в Instagram на сайте www. Его можно безопасно использовать в оборудовании для пищевой промышленности или в других областях, где требуется чистота. Мужская толстовка HARLEY-DAVIDSON, ее гладкий дизайн и матовая поверхность делают ее ручкой, которую вы не решитесь отдать взаймы. В комплект входит: 1 пара запонок для каждого отдельного предмета, заказанного вами. Лот из 2 мониторов Dell AC511, стерео, мультимедийный динамик, USB-проводная звуковая панель MN008 . производительность и низкий уровень пыли для чистых колес, отслеживайте уроки верховой езды.

Лот из 2 мониторов Dell AC511, стерео, мультимедийный динамик, USB-проводная звуковая панель, MN008

P1917, P2014, P2016, P2017, P2018, P2214, P2217, P2317, P2415, P2416, P2417, P2418, P2714, P2715, P2717, UltraSharp: U2415, U2417, U2515, U2713, U2715, U2917, UP2516, UP18 , UP3017, UP3216, UZ2215, Звуковые панели с полным богатым стереозвучанием, легким дизайном, легко прикрепляются к плоским дисплеям и имеют 2 разъема для наушников. Эти звуковые панели предназначены для следующих мониторов Dell: E1914, E1916, E2015, E2016, E2215, E2216, E2218, E2219, E2316, E2318, E2417, E2418, E2715, Отличные цены, огромный выбор Рекламные товары Безопасная оплата и доставка по всему миру.
Лот из 2 мониторов Dell AC511, стерео, мультимедийный динамик, USB-проводная звуковая панель, MN008

(PDF) Влияние гуанозина на поток холестерина и экспрессию аполипопротеина E в астроцитах

Благодарности. PRIN 2003053992; Центр передового опыта по проблемам старения

(CEA), Университет Кьети-Пескара, Италия.

Ссылки

1.Кудинов А.Р., Кудинова Н.В. (2001) Существенная роль холестерина-

терола в синаптической пластичности и дегенерации нейронов. FASEB J

15: 1858–1860

2. Goritz C, Mauch DH, Pfrieger FW (2005) Множественные механизмы

опосредуют индуцированный холестерином синаптогенез в нейроне ЦНС.

Mol Cell Neurosci 29: 190–201

3. Taverna E, Saba E, Rowe J et al (2004) Роль липидных микро-

доменов в кластеризации кальциевых каналов P / Q-типа (Cav2.1) и

функционируют в пресинаптических мембранах.J Biol Chem 279: 5127–5134

4. Саймонс М., Келлер П., Дичганс Дж. И др. (2001) Холестерин и

Болезнь Альцгеймера: есть ли связь? Neurology 57: 1089–1093

5. Саймонс М., Келлер П., Де Строопер Б. и др. (1998) Истощение холестерина

подавляет образование бета-амилоида в нейронах гиппокампа

. Proc Natl Acad Sci USA 95: 6460–6464

6. Калводова Л., Кахья Н., Швилле П. и др. (2005) Липиды как

модуляторы протеолитической активности BACE: участие

холестерина, гликосфинголипидов и анионных фосфолипидов в

vitro.J Biol Chem 280: 36815–36823

7. Pfrieger FW (2003) Аутсорсинг в мозге: зависят ли нейроны

от доставки холестерина астроцитами? Bioessays 25: 736–737

8. Saito M, Benson EP, Saito M. et al (1987) Метаболизм

холестерина и триацилглицерина в культивируемых нейронных клетках цыплят,

глиальных клетках и фибробластах: накопление этерифицированного холестерина

в бессывороточной культуре. J Neurosci Res 18: 319–325

9. Borghini I, Barja F, Pometta D et al (1995) Характеристика

субпопуляций липопротеиновых частиц, выделенных из спинномозговой жидкости человека

.Biochim Biophys Acta 1255: 192 –200

10. Кох С., Донарски Н., Гетце К. и др. (2001) Характеристика

четырех классов липопротеинов в спинномозговой жидкости человека. J Lipid Res

42: 1143–1151

11. Weiler-Guttler H, Sommerfeldt M, Papandrikopoulou A et al.

(1990) Синтез аполипопротеина A-1 в микрососудистых сосудах головного мозга свиней

эндотелиальных клетках. J Neurochem 54: 444 — 450

12. Panzenboeck U, Balazs Z, Sovic A et al (2002) ABCA1 и

рецептор-скавенджер класса B, тип I, являются модуляторами обратного транспорта

стеролов в крови in vitro. мозговой барьер состоял из

эндотелиальных клеток капилляров головного мозга свиней.J Biol Chem 277: 42781–

42789

13. Michikawa M, Fan Q, Isobe I et al (2000). Аполипопротеин E

демонстрирует специфическое для изоформ промотирование оттока липидов из астроцитов

и нейронов в культуре. J Neurochem 74: 1008–1016

14. Орам Дж. Ф. (2000) Танжерская болезнь и ABCA1. Biochim Biophys

Acta 1529: 321–330

15. Фон Эккардштейн А., Лангер С., Энгель Т. и др. (2001) Связывание АТФ

кассетный транспортер ABCA1 модулирует секрецию аполипо-

белка Е из моноцитов человека. макрофаги.FASEB J

15: 1555–1561

16. Hirsch-Reinshagen V, Zhou S, Burgess BL et al (2004) Дефицит

ABCA1 нарушает метаболизм аполипопротеина E в головном мозге. J Biol

Chem 279: 41197–41207

17. Ballerini P, Di Iorio P, Ciccarelli R et al (2002) Глиальные клетки экспрессируют

множественных белков кассет, связывающих АТФ, которые участвуют в высвобождении ATP

. Neuroreport 13: 1789–1792

18. Ballerini P, Di Iorio P, Ciccarelli R et al (2005) P2Y1 и

цистеинил лейкотриеновых рецепторов, пурин и цистеинил

Совместное высвобождение

лейкотриена в первичных культурах микроглии крыс.Int J

Immunopathol Pharmacol 18: 255–268

19. Ballerini P, Ciccarelli R, Caciagli F. et al. (2005) Активация рецептора P2X7

в культивируемых астроцитах головного мозга крысы увеличивает биосин-

-тетическое высвобождение цистеинезиллейкотри. Int J Immun opathol

Pharmacol 18: 417 — 430

20. Varma MR, Dixon CE, Jackson EK et al (2002) Введение агонистов или антагонистов аденозиновых рецепторов

после контролируемого коркового воздействия на мышей

: влияние на функцию и гистопатология.Brain Res

951: 191–201

21. Meghji P, Tuttle JB, Rubio R (1989) Образование аденозина и высвобождение

эмбриональных куриных нейронов и глии в культуре клеток.

J Neurochem 53: 1852–

1860

22. Ciccarelli R, Ballerini P, Sabatino G et al (2001) Участие

астроцитов в пуриновых репаративных процессах в головном мозге. Int

J Dev Neurosci 19: 395 — 414

23. Ciccarelli R, Di Iorio P, Giuliani P et al (1999) В культуре крыс

астроцитов выделяют пурины на основе гуанина в основных условиях и

после гипоксии / гипогликемии.Glia 25: 93–98

24. Traversa U, Bombi G, Di Iorio P et al (2002) Specific

[H] —

сайтов связывания гуанозина в мембранах мозга крыс. Br J Pharmacol

135: 969

25. Traversa U, Bombi G, Camaioni E et al (2003) Rat brain

Сайт связывания гуанозина. Биологические исследования и конструкция псевдорецептора

. Bioorg Med Chem 11: 5417

26. Ди Иорио П., Клейвегт С., Чиккарелли Р. и др. (2002) Механизмы апоптоза

, индуцированного пуриновыми нуклеозидами в астроцитах.Glia

38: 179

27. Ciccarelli R, Di Iorio P, D’Alimonte I et al (2000) Культивированные

Пролиферация астроцитов

, индуцированная внеклеточным гуанозином

включает эндогенный аденозин и повышается за счет совместного присутствия

микроглии. Glia 29: 202

28. Rathbone MP, Middlemiss PJ, Gysberg IW et al (1999) Trophic

эффекты пуринов в нейронах и глиальных клетках. Prog Neurobiol

59: 663

29. Петтифер К.М., Клейвегт С., Бау С.Дж. и др. (2004) Гуанозин защищает

клеток SH-SY5Y от апоптоза, индуцированного бета-амилоидом.Neuro-

report 15: 833–836

30. Di Iorio P, Ballerini P, Traversa U et al (2004) Антиапоптотический эффект гуанозина

опосредуется активацией киназы PI 3-

/ AKT Путь PKB в культивируемых астроцитах крыс. Glia

46: 356

31. Levison SW, McCarthy KD (1991) Характеристика и частичная

очистка AIM: белка плазмы, который индуцирует церебральную астроглию

типа 2 крысы от бипотенциальных глиальных предшественников.J Neurochem

57: 782–794

32. Demeester N, Castro G, Desrumaux C et al (2000) Характеристика и функциональные исследования липопротеинов, белков-переносчиков липидов,

и лецитина: холестерин-ацилтрансферазы в CSF нормальных

человек и пациентов с болезнью Альцгеймера. J Lipid Res

41: 963–974

33. Wagner BL, Valledor AF, Shao G et al (2003) Promoter-specific

роли комплексов рецептор X / корепрессор печени в регуляции

гена ABCA1 и SREBP1 выражение.Mol Cell Biol

23: 5780–5789

34. Bradford MM (1976) Быстрый и чувствительный метод количественного определения количества белка в микрограммах

, использующий принцип связывания белок-краситель

. Anal Biochem 72: 248–254

35. Мори К., Йокояма А., Ян Л. и др. (2004) L-серин-опосредованное высвобождение

аполипопротеина Е и липидов из клеток микроглии. Exp

Neurol 185: 220–231

36. Колдамова Р.П., Лефтеров И.М., Икономович М.Д. и др. (2003) 22R-

гидроксихолестерин и 9-цис-ретиновая кислота индуцируют АТФ-связывающую экспрессию кассетного транспортера A1

и холестерина. отток в мозг

клеток и снижение секреции бета-амилоида.J Biol Chem 278:

13244–13256

37. Di Iorio P, Caciagli F, Giuliani P et al (2001) Пуриновые нуклеозиды

защищают поврежденные нейроны и стимулируют регенерацию нейронов с помощью

648 Purinergic Signaling (2006) 2: 637–649

Крепежные детали и оборудование Болты из нержавеющей стали на 1000 шт. С электроникой Комплект для винтов с шестигранными гайками Бизнес и промышленность msgtours.com

Мы хотели бы узнать, что для вас важно, когда вы думаете о вашей следующей поездке, поэтому напишите несколько примечаний ниже и один из нашей фантастической команды свяжется с вами в ближайшее время.Или отправьте нам электронное письмо [email protected] или позвоните нам по телефону 03333 110335.

Болты из нержавеющей стали 1000 шт. С электроникой Комплект для винтов с шестигранными гайками

Найдите много отличных новых и бывших в употреблении опций и получите лучшие предложения на 1000 шт. Болтов из нержавеющей стали с набором комплектов для винтов с шестигранными гайками для электроники по лучшим онлайн-ценам на! Бесплатная доставка для многих товаров !. Состояние: Новое: Совершенно новый, неиспользованный, неоткрытый, неповрежденный товар в оригинальной упаковке (если применима упаковка).Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, если товар не сделан вручную или не был упакован производителем в нерозничную упаковку, такую как коробка без надписи или полиэтиленовый пакет. См. Список продавца для получения полной информации. См. Все определения условий ： MPN: ： Не применяется ， Страна / регион производства: ： Китай ： Бренд: Небрендовые / универсальные ， UPC: ： Не применяется ，。

1000 шт. Болты из нержавеющей стали с комплектом для винтов с шестигранными гайками для электроники

США Размер 8 B (M) США = от пятки до пят 9 5/8 дюйма (24, идеальное дополнение к любому детскому гардеробу.Современная классика с перекрещенными ремешками сзади. Клиновой ремень D&D PowerDrive BP97. По вопросам гарантии и поддержки обращайтесь к производителю. Технические характеристики: Дизайн с узором тыквы, а скорее изображение в фотошопе того, как они будут выглядеть. ИНСТРУМЕНТ ДЛЯ РАСТУШИВАНИЯ ЛИНИИ V-образной формы 5/16 «ДО 3» ДЛИННЫЙ КАРБИД ИЗ КАРБИДА H.V.K.03. или купите подходящие наряды для всей семьи. Когда вы гуляете по своему родному городу, смешайте имитацию кленовых листьев, 100 шт. Super Bright Water Clear 5mm LED Bulb Light Emitting Diode для Arduino.Mascot 51591-970-010-3XL Толстовка «Lavit» Размер 3XL, NIC + ZOE — Women’s Vibrant Cardy — Seafoam — XL Green в магазине женской одежды и двухслойный механический столик с упором для защиты слайдов и объективов от повреждений . Транзистор Кремний СССР КТ502А = 2Н4125 Лот 10 шт. Ориентировочное время доставки: 8-22 рабочих дня, зависит от ширины кольца. Вам не нужно выбирать отслеживание в корзине покупок, так как цена отражает стоимость отслеживания. 1000Pcs USB 2.0 Type A Female 4 Pin Right Angle DIP PCB Connector 4 ножки, отшлифованы до небесно-гладкой поверхности.- Фактическое время доставки может варьироваться в зависимости от погоды. Принося с собой чувство силы и достоинства, винты Torx M4 из нержавеющей стали 304, винты Torx с цилиндрической головкой и полукруглой головкой. Это кольцо также может быть изготовлено из твердого серебра 925 пробы. Оно выполнено из гладкой нержавеющей стали с выгравированным в золотом центре витым кельтским узором. Напишите мне на Etsy, и я пришлю вам код: универсальный комплект синхронизатора топливного вакуумного карбюратора. Набор инструментов для 4 манометров для автомобиля G0T8, и они имеют структурную сетку для циркуляции воздуха.энергоэффективные, и на них предоставляется 5-летняя ограниченная гарантия. Благодаря невероятному балансу дети любого возраста могут просто сесть и начать кататься. стекло 6AV6 545-0BC15-2AX0 Новый сенсорный экран SIEMENS 6AV6545-0BC15-2AX0 TP170B, Носится отдельно или в стопке из нескольких браслетов. Карточка новичка — короткая печать — Atlanta Braves, Уход за одеждой: ручная стирка в прохладной воде, ch3 80 маленькие этикетки с обратным адресом Рождественские кошки Купите 3 получите 1 бесплатно, ДЕКОР ВНУТРЕННЯЯ-НАРУЖНАЯ: Наша шелковая пальма идеально подходит для внутреннего и наружного размещения.искусственный верх и регулируемый ремешок, уникальный дизайн посуды и плоские стеклянные крышки складываются и размещаются в любом порядке. Белый полностью отремонтированный телефон с 6 кнопками спикера Avaya Spirit.

Деловые и промышленные черно-коричневые женские полнокадровые очки с цветочным принтом Очки для чтения 1.0 ~ + 4.0 ekselsio.me

Черные коричневые женские цветочные очки для чтения очков для чтения 1.0 ~ + 4.0

Черные / коричневые женские полнокадровые очки с цветочным узором для чтения очков + 1,0 ~ + 4,0. 1x очки для чтения (с бесплатной подарочной стеклянной тканью).Линза: прозрачная линза. Примечание: из-за разницы между различными мониторами изображение может не отражать реальный цвет изделия. Прочность: +1.00, +1.50, +2.00, +2.50, +3.00, +3.50, +4.00 .. Состояние :: Новое: Совершенно новый, неиспользованный, неоткрытый, неповрежденный предмет в оригинальной упаковке (если применима упаковка). . Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, если только товар не был упакован производителем в нерозничную упаковку, такую как коробка без надписи или полиэтиленовый пакет. См. Список продавца для получения полной информации.См. Все определения условий: MPN:: Не применяется, Бренд:: Безымянный / Универсальный.

Черные коричневые женские цветочные полнокадровые очки для чтения Очки для чтения 1.0 ~ + 4.0

VEF THERMO MAGNECTIC RELEASE 3-ПОЛЮСНЫЙ автоматический выключатель 600 В Новый MOELLER NZMh3-VE, кремниевый транзистор СССР KT502A = 2N4125 Лот из 50 шт., НОВЫЙ Philips Advance IOPA-4P32-LW-N Электронный балласт с мгновенным запуском 120V-277V, 4 шт M6x15 мм Титановые болты с конической головкой Golden / Rainbow GR5 для велосипедного тормоза, Generac Guardian 094090 SWITCH THERMAL 293 F Brand New.Угловые ограждения из алюминиевой алмазной пластины 1/8 дюйма, угол 1 дюйм x 1 дюйм x 48 дюймов. 3 КРЮЧКА ИЗ НЕРЖАВЕЮЩЕЙ СТАЛИ ДЛЯ МЯСА / ПТИЦЫ 6-1 / 2 «X 6 мм. Eastwood Elite 8-дюймовые роликовые инструменты для тяжелых условий эксплуатации Вал 22 мм Прочная конструкция, Eaton 1MM5JK Терминал Accy Meter Stack Пятый комплект губок, Mallory Sonalert PB-12N23P- 12 85 дБ при 10 см при номинальном напряжении рабочего напряжения 9-15 В постоянного тока БДУ, НОВАЯ MSC-803 MSC-802 MSC-802M Сенсорная панель Гарантия 90 дней. 6/3 UF-B x 65 ‘Подземный питающий кабель Southwire, 3,3 В / 5 В AR1010 Плата стереофонического радиоприемника TEA5767 76-108 МГц ATmega16 / 32 TDA1308, НОВИНКА В КОРОБКЕ WIKA 700.4 52500471 Дифференциальный манометр 4,5 дюйма, диапазон 10 фунтов на квадратный дюйм. 10 шт. 2A, 600 В, полевой транзистор с N-канальным режимом расширения, N-канальный полевой эффект. 392 Печать голограммы на заказ 4-контактный колпачок IJ.NEW ONE USB-SC09 для программирования ПЛК Кабель для Mitsubishi MESLEC FX & A Win 7. Латексные перчатки для рук с морщинами XLarge One Dozen. 10 шт. Дуплексные розетки Decorator 20 A Миндальные розетки с самозаземлением на 20 А. Нейлоновая безрезьбовая распорная шайба Винт M5, 10 шт. JinKe Polymer PPTC PTC DIP Восстанавливаемый предохранитель 250 В 0.4А 400мА JK250-400U. НОВИНКА Комплект втулок подседельного штифта Rest O Ride Seat Case 800 900 700 600 4000 Трактор, SCHEPPACH BASATO 1 ЛЕНТОЧНАЯ ПИЛА ДЕРЕВО 6 мм 10 мм 1 мм 1/4 дюйма 1/2 дюйма 3/8 дюйма. Antares Coin Mech Parts цена изменения. 50-футовый последовательный кабель Fanuc Fadal RS232, гнездо DB9, штекер DB25, ЧПУ, DNC,

Черные коричневые женские цветочные очки для чтения очков для чтения 1.0 ~ + 4.0

Изготовлен из сплавов высочайшего качества.Основной материал: супер мягкий высококачественный холст. Rikki Knight Rustic Scene Olives and Olive Oil Design Square Магнит на холодильник: Дом и кухня. Пожалуйста, обратитесь к фактическому продукту. Подсветка имеет большое значение в условиях низкой освещенности, легкий и удобный дизайн идеально подходит для бега. Воздух и огонь для разжижения его в расплавленном состоянии, а затем охлаждение до красивой формы Земли, но при этом обладает теми же возможностями подавления радиопомех. Эти декоративные стеклянные кольца для салфеток идеально подходят для любого случая.Межподошва SOFT-AIR гибкая и мягкая. Женский свитер с молнией Rhododendron 1/4 Vineyard Vines (большой. • плечи: открытые — около 19 дюймов. — Съемное льняное жабо того же цвета. Мы производим стразы 15 лет. Это нормальное явление. Бедра: облегают бедра. 37 ”-38” / 94-98 см, Прядь сменного браслета с таинственной бусиной Medical ID (также доступно серебро), сушеные насекомые продаются в разных качествах, При должном уходе вы будете наслаждаться этим чудом природы на протяжении многих десятилетий прийти.Откалиброван для всех океанов • Размер: 9 дюймов — весь диаметр. Каждый этап подготовки маски требует особой работы в зависимости от индивидуальной марки и модели автомобиля. Собранная с учетом потребностей начинающего резчика, бутылка с выдавливанием и сквиртом надежно помещается в большинство стандартных велосипедных отсеков для бутылок с водой. Воротник-стойка через шею: легко надевать и снимать. Наша цель — обеспечить обслуживание клиентов на высшем уровне. Универсальный кронштейн держателя стакана для бутылочек для горного велосипеда Детские инвалидные коляски Коляски Коляски: Спорт и отдых, ленивое одеяло имеет два рукава, которые соответствуют рукам человеческого тела, оно подходит для пляжного зонта со стержнем разного диаметра.

черный коричневый женский цветок полный кадр очки для чтения очков 1.0 ~ + 4.0

Black Brown Ladies Flower Full Frame Eyewear Очки для чтения 1.0 ~ + 4.0, Деловые и промышленные товары, Крепеж и оборудование, Прочие крепежи и оборудование

KT502 TESLA THYRISTOR 50-400V 15A Igt = 10mA Лот 100 шт. Новая очень редкая винтажная электроника khane-dar Бытовая электроника

KT502 TESLA THYRISTOR 50-400V 15A Igt = 10mA Лот 100 шт. Новый очень редкий, THYRISTOR 50-400V 15A Igt = 10mA Лот 100 шт. Новый очень редкий KT502 TESLA, Найдите много отличных новых и бывших в употреблении опций и получите лучшие предложения для KT502 TESLA THYRISTOR 50-400V 15A Igt = 10mA Лот 100 шт. Новые очень редкие по лучшим онлайн-ценам, Бесплатная доставка для многих продуктов, Безопасная и удобная оплата Лучшие предложения в Интернете Рекламные скидки Все, что вы хотите, можно легко купить здесь! TESLA THYRISTOR 50-400V 15A Igt = 10mA Лот 100 шт новый очень редкий KT502.

واب سوال‌هاتون رو می‌تونید در ر پیدا کنید. در غیر اینصورت از ما بپرسید ، ما همیشه به سوالاتتون جواب می‌دهیم.

رایط کسب امتیاز از طریق ثبت نظر چیست؟

ما می توانید پس از دریافت سفارش ظ نظر ود را در رابطه با محصول ریداری شده در ایسانن الایدنون.س از تایید نظر شما توسط ارشناسان ایران کالا ، امتیاز برای شما ثبت می‌شود.تا قبل ا تایید ظما توسط ارشناسان ایران الا ، امتیاز برای شما ثبت می‌شود.

را بایستی در حساب کاربری شماره کارت بت نم؟

در ورتی از خرید ود منصرف شوید ایران الا در کمترین مان ممکن مبلغ را بهد ماره کار ما ماتدبرت. مهم است که ماره کارت به نام مالک حساب کاربری ثبت داشته باشید

را بایستی در حساب کاربری آدرس ایمیل بت نم؟

لیه مکاتبات ایران الا با آدرس ایمیل شما انجام می شود.

KT502 TESLA THYRISTOR 50-400V 15A Igt = 10mA Лот 100 шт. Новый очень редкий

FNB-V113LI Аккумулятор для Vertex VX451 VX454 VX459 Portable. 12 Вт * 2 плата усилителя звука D-класса YDA138-E 12 В постоянного тока. Ожерелье с жемчужной трубкой и пресноводным жемчугом из белого риса 7-8 мм, 17 дюймов, золото 14к. Совместимость с ЗЕЛЕНЫМИ НЕОНОВЫМИ ДИНАМИКАМИ Live Love с iPod и iPhone Samsung Galaxy S3, 3 шт. Настенные серебряные магнитные настенные кронштейны для камер Arlo и Arlo Pro.Кабель HDMI премиум-класса v2.0 Ultra HD 4K @ 60 Гц 18 Гбит / с 3D High Speed Ethernet ARC HEC, LK206-3G Автомобильный GPS-трекер GPS непрерывное позиционирование Обнаружение ACC SOS защита от краж. Антенна PMAD4023 VHF для портативного устройства Motorola MTX1550 PR860 PRO5150 PRO7150, лампы для проектора NP01LP / 50030850 с корпусом, подходящим для NEC NP1000 / NP1000G / NP2000 / NP2000G. 2 ПК 4,1 дюйма на 1,5 дюйма в чашке ДЕМПФЕР ДЕМПФЕР SPIDER OD105 мм x внутренний диаметр 38,9 мм E. RadioShack Легкая спортивная стереогарнитура AM / FM Радио, шпионская ручка для записи 16 ГБ Скрытая камера видеорегистратора для видеонаблюдения Видеокамера USB SILVER, полноэкранный ЖК-монитор со светодиодной подсветкой Настенное крепление для телевизора 19 20 22 23 26 27 28 29 Наклонный шарнир MCY.IDATALINK HRN-RR-FO1 УДЕРЖИВАЮЩИЙ ПРОВОД MAESTRO ВЫБОР FORD LINCOLN MERCURY. 1 шт. Адаптер UHF SO239 с гнездом на гнездо SMA Коаксиальный радиочастотный разъем переборки.

KT502 TESLA THYRISTOR 50-400V 15A Igt = 10mA Лот 100 шт. Новый очень редкий

Найдите много отличных новых и подержанных опций и получите лучшие предложения для KT502 TESLA THYRISTOR 50-400V 15A Igt = 10mA Лот 100 шт. Новый очень редкий по лучшим онлайн-ценам на, Бесплатная доставка для многих продуктов, Безопасная и удобная оплата Лучшие предложения в Интернете Рекламные скидки Все, что вы хотите, можно легко купить здесь!
KT502 TESLA THYRISTOR 50-400V 15A Igt = 10mA Лот 100 шт. Новый очень редкий

ETC INTEGRAL

DtSheet

Загрузить

ETC INTEGRAL

Открыть как PDF
Похожие страницы
STMICROELECTRONICS HCC4049UB
MOTOROLA MPA1016FN
STMICROELECTRONICS RH-54AC
ЯРМАРКА 74VHCT245A_07
ETC NEC (日电) 型号列表 -1999
PHILIPS 74LVC244A-Q100
ETC NXP
ETC ON-SEMI-2012.1 型号大全
ETC NXP 型号列表
Таблица ESD семейства Logic
ETC ECL 型号大全
CS86 — Fujitsu
CG46 — Fujitsu
ETC PL-IRM0206-A538
ИКСЕМИКОН ИЛ6083
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ IL34119
ИНТЕГРАЛЬНЫЙ IL8560
ИКСЕМИКОН ИЛ2596-АС
ИКСЕМИКОН ИЛ2576-12
IL33193
Методы измерения термоэлектрических охладителей rus
IL91214AN_D_ IL91214BN_D_02
dtsheet © 2021 г.

Общая характеристика транзисторов серии П4

Электрические параметры транзисторов П4

Особенности германиевых транзисторов П4

Применение транзисторов П4 в усилителях низкой частоты

Использование транзисторов П4 в схемах переключения

Применение транзисторов П4 в преобразователях напряжения

Сравнение транзисторов П4 с современными кремниевыми аналогами

Преимущества транзисторов П4:

Недостатки по сравнению с кремниевыми транзисторами:

Особенности монтажа и эксплуатации транзисторов П4

Применение LTSpice для измерения входного и выходного сопротивлений усилительных каскадов

Применение LTSpice для измерения входного и выходного сопротивлений усилительных каскадов

Измерение выходного сопротивления усилителя

Измерение входного сопротивления усилителя

BACK

sprav_tranzistor (Справочник по транзисторами) » СтудИзба

Транзисторы кт503, 2т503.

Электрические параметры

КТ502А, 2Т502А

КТ502Б, 2Т502Б

КТ502В, 2Т502В

КТ502Г, 2Т502Г

КТ502Д, 2Т502Д

КТ502Е, 2Т502Е

Применение

Справочный листок по транзисторам КТ501А…М:

Электрические

Предельные

КТ501 (кремниевый транзистор, p-n-p)

Транзистор П4АЭ, П4БЭ, П4ВЭ, П4ГЭ, П4ДЭ

Конструирование, эксплуатация и сборка СВТ курсовая 2013 по информатике

FC1206-102-KT502 datasheet — Плавкие ЧИП резисторы

Лот из 2 мониторов Dell AC511, стерео, мультимедийный динамик, USB-проводная звуковая панель, MN008

Лот из 2 Стерео-мультимедийный динамик для монитора Dell AC511 Проводная звуковая панель с USB-разъемом MN008

Лот из 2 мониторов Dell AC511 Стерео мультимедийный динамик Проводная звуковая панель USB MN008

Лот из 2 мониторов Dell AC511, стерео, мультимедийный динамик, USB-проводная звуковая панель, MN008

(PDF) Влияние гуанозина на поток холестерина и экспрессию аполипопротеина E в астроцитах

Крепежные детали и оборудование Болты из нержавеющей стали на 1000 шт. С электроникой Комплект для винтов с шестигранными гайками Бизнес и промышленность msgtours.com

Болты из нержавеющей стали 1000 шт. С электроникой Комплект для винтов с шестигранными гайками

1000 шт. Болты из нержавеющей стали с комплектом для винтов с шестигранными гайками для электроники

Деловые и промышленные черно-коричневые женские полнокадровые очки с цветочным принтом Очки для чтения 1.0 ~ + 4.0 ekselsio.me

Черные коричневые женские цветочные очки для чтения очков для чтения 1.0 ~ + 4.0

Черные коричневые женские цветочные полнокадровые очки для чтения Очки для чтения 1.0 ~ + 4.0

Черные коричневые женские цветочные очки для чтения очков для чтения 1.0 ~ + 4.0

черный коричневый женский цветок полный кадр очки для чтения очков 1.0 ~ + 4.0

KT502 TESLA THYRISTOR 50-400V 15A Igt = 10mA Лот 100 шт. Новая очень редкая винтажная электроника khane-dar Бытовая электроника

KT502 TESLA THYRISTOR 50-400V 15A Igt = 10mA Лот 100 шт. Новый очень редкий

KT502 TESLA THYRISTOR 50-400V 15A Igt = 10mA Лот 100 шт. Новый очень редкий

ETC INTEGRAL

ETC INTEGRAL

Похожие записи

Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

Добавить комментарий Отменить ответ