Транзистор КТ503Е
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503Е предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.
Обозначение технических условий
- аАО. 336.183 ТУ / 02
Особенности
- — 45 до + 100 C
- Комплиментарная пара КТ502
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Вывод | Назначение |
№1 | Эмиттер |
№2 | База |
№3 | Коллектор |
Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
Гр. напряжение коллектор-эмиттер | Uкэо гр. | В | Iк=10mA, Iб=0 | 25-80 | — |
Обратный ток коллектора | Iкбo | мкА | Uкб= Uкб max | — | 1 |
Статический коэффициент передачи тока | h31Е | — | Uкэ=5B, Iк=10 мA | 40 | 240 |
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер | Uкэ(нас) | В | Iк=10 мA, Iб=1 мA | — | 0,6 |
Напряжение насыщения база-эмиттер | Uбэ(нас)* | В | Iк=10 мA, Iб=1 мA | — | 1,2 |
Граничная частота коэф. передачи тока | fгр. * | МГц | Uкб= 5B, Iэ=-3 мA | 5 | — |
Емкость коллекторного перехода | Ск * | пФ | Uкб= 5B, f=1МГц | — | 50 |
* Справочные параметры
Параметры | Обозначение | Ед. измер. | Значение |
Напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 40-100 |
Напряжение коллектор-эмиттер | Uкэ max | В | 25-80 |
Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
Постоянный ток коллектора | Iк max | мА | 150 |
Импульсный ток коллектора (tи 10) | Iки max | мА | 100 |
Рассеиваемая мощность коллектора | Pк max | мВт | 300 |
Температура перехода | Tj | C | 350 |
КТ503А | КТ503Б | КТ503В | КТ503Г | КТ503Д | КТ503Е | |
Uкб max, В | 40 | 40 | 60 | 60 | 80 | 100 |
Uкэ max, В | 25 | 25 | 40 | 40 | 60 | 80 |
Uкэо гр. | 25 | 25 | 40 | 40 | 60 | 80 |
h31e | 40-120 | 80-240 | 40-120 | 80-240 | 40-120 | 40-120 |
Транзистор КТ503В
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503В предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.
Обозначение технических условий
- аАО. 336.183 ТУ / 02
Особенности
- — 45 до + 100 C
- Комплиментарная пара КТ502
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Вывод | Назначение |
№1 | Эмиттер |
№2 | База |
№3 | Коллектор |
Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
Гр. напряжение коллектор-эмиттер | Uкэо гр. | В | Iк=10mA, Iб=0 | 25-80 | — |
Обратный ток коллектора | Iкбo | мкА | Uкб= Uкб max | — | 1 |
Статический коэффициент передачи тока | h31Е | — | Uкэ=5B, Iк=10 мA | 40 | 240 |
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер | Uкэ(нас) | В | Iк=10 мA, Iб=1 мA | — | 0,6 |
Напряжение насыщения база-эмиттер | Uбэ(нас)* | В | Iк=10 мA, Iб=1 мA | — | 1,2 |
Граничная частота коэф. передачи тока | fгр. * | МГц | Uкб= 5B, Iэ=-3 мA | 5 | — |
Емкость коллекторного перехода | Ск * | пФ | Uкб= 5B, f=1МГц | — | 50 |
* Справочные параметры
Параметры | Обозначение | Ед. измер. | Значение |
Напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 40-100 |
Напряжение коллектор-эмиттер | Uкэ max | В | 25-80 |
Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
Постоянный ток коллектора | Iк max | мА | 150 |
Импульсный ток коллектора | Iки max | мА | 100 |
Рассеиваемая мощность коллектора | Pк max | мВт | 300 |
Температура перехода | Tj | C | 350 |
КТ503А | КТ503Б | КТ503В | КТ503Г | КТ503Д | КТ503Е | |
Uкб max, В | 40 | 40 | 60 | 60 | 80 | 100 |
Uкэ max, В | 25 | 25 | 40 | 40 | 60 | 80 |
Uкэо гр. | 25 | 25 | 40 | 40 | 60 | 80 |
h31e | 40-120 | 80-240 | 40-120 | 80-240 | 40-120 | 40-120 |
Транзистор КТ503Д
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503Д предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.
Обозначение технических условий
- аАО. 336.183 ТУ / 02
Особенности
- — 45 до + 100 C
- Комплиментарная пара КТ502
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Вывод | Назначение |
№1 | Эмиттер |
№2 | База |
№3 | Коллектор |
Параметры | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max | |
Гр. напряжение коллектор-эмиттер | Uкэо гр. | В | Iк=10mA, Iб=0 | 25-80 | — |
Обратный ток коллектора | Iкбo | мкА | Uкб= Uкб max | — | 1 |
Статический коэффициент передачи тока | h31Е | — | Uкэ=5B, Iк=10 мA | 40 | 240 |
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер | Uкэ(нас) | В | Iк=10 мA, Iб=1 мA | — | 0,6 |
Напряжение насыщения база-эмиттер | Uбэ(нас)* | В | Iк=10 мA, Iб=1 мA | — | 1,2 |
Граничная частота коэф. передачи тока | fгр. * | МГц | Uкб= 5B, Iэ=-3 мA | 5 | — |
Емкость коллекторного перехода | Ск * | пФ | Uкб= 5B, f=1МГц | — | 50 |
* Справочные параметры
Параметры | Обозначение | Ед. измер. | Значение |
Напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 40-100 |
Напряжение коллектор-эмиттер | Uкэ max | В | 25-80 |
Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
Постоянный ток коллектора | Iк max | мА | 150 |
Импульсный ток коллектора (tи 10) | Iки max | мА | 100 |
Рассеиваемая мощность коллектора | Pк max | мВт | 300 |
Температура перехода | Tj | C | 350 |
КТ503А | КТ503Б | КТ503В | КТ503Г | КТ503Д | КТ503Е | |
Uкб max, В | 40 | 40 | 60 | 60 | 80 | 100 |
Uкэ max, В | 25 | 25 | 40 | 40 | 60 | 80 |
Uкэо гр. | 25 | 25 | 40 | 40 | 60 | 80 |
h31e | 40-120 | 80-240 | 40-120 | 80-240 | 40-120 | 40-120 |
Параметры транзистора КТ503. Datasheet. Цоколевка и основные характеристики.
Параметры транзистора КТ503. Datasheet. Цоколевка и основные характеристики.КТ503 — кремниевый биполярный низкочастотный n-p-n транзистор в пластмассовом корпусе TO-92
Назначение: КТ503 предназначен для применения в низкочастотных устройствах.
Типы: КТ503А, КТ503Б, КТ503В, КТ503Г, КТ503Д, КТ503Е
Аналог КТ503: 2SC2240, KSC815
Комплементарная пара: КТ502
Цоколевка КТ503: К-Б-Э, см. рисунок
Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)
Цена КТ503: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)
Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)
Основные параметры транзисторов КТ503: | |||
---|---|---|---|
Параметр | Режим измерения | Min (минимальное значение параметра) | Max (максимальное значение параметра) |
Статический коэффициент передачи тока, h31Е КТ503А,В,Д,Е КТ503Б,Г | Uкэ=5B, Iк=10мA | 40 80 | 120 240 |
Напряжение насыщения к-эмиттер КТ503, Uкэ(нас) | Iк=10мА, Iб=1мA | 0.6В | |
Предельные параметры транзисторов КТ503: | |||
Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp, Uкэ max КТ503А,Б КТ503В,Г КТ503Д КТ503Е | 25В 40В 60В 80В | ||
Напряжение эмиттер-база (обратное), Uэб max | 5В | ||
Постоянный ток коллектора КТ503, Iк max | 0.15А | ||
Импульсный ток коллектора, Iки max | tи ≤ 10 мс, Т/tи≥100 | 0.35А | |
Максимально допустимый постоянный ток базы | 0.1А | ||
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Pк max | Тк ≤ 25 °С | 0.35Вт |
Подробные параметры КТ503 и многих других транзисторов приведены в справочнике мощных транзисторов
Транзистор КТ503Е
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503Е предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.
Обозначение технических условий
- аАО. 336.183 ТУ / 02
Особенности
- — 45 до + 100 C
- Комплиментарная пара КТ502
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Вывод | Назначение |
№1 | Эмиттер |
№2 | База |
№3 | Коллектор |
Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
Гр. напряжение коллектор-эмиттер | Uкэо гр. | В | Iк=10mA, Iб=0 | 25-80 | — |
Обратный ток коллектора | Iкбo | мкА | Uкб= Uкб max | — | 1 |
Статический коэффициент передачи тока | h31Е | — | Uкэ=5B, Iк=10 мA | 40 | 240 |
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер | Uкэ(нас) | В | Iк=10 мA, Iб=1 мA | — | 0,6 |
Напряжение насыщения база-эмиттер | Uбэ(нас)* | В | Iк=10 мA, Iб=1 мA | — | 1,2 |
Граничная частота коэф. передачи тока | fгр. * | МГц | Uкб= 5B, Iэ=-3 мA | 5 | — |
Емкость коллекторного перехода | Ск * | пФ | Uкб= 5B, f=1МГц | — | 50 |
* Справочные параметры
Параметры | Обозначение | Ед. измер. | Значение |
Напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 40-100 |
Напряжение коллектор-эмиттер | Uкэ max | В | 25-80 |
Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
Постоянный ток коллектора | Iк max | мА | 150 |
Импульсный ток коллектора (tи 10) | Iки max | мА | 100 |
Рассеиваемая мощность коллектора | Pк max | мВт | 300 |
Температура перехода | Tj | C | 350 |
КТ503А | КТ503Б | КТ503В | КТ503Г | КТ503Д | КТ503Е | |
Uкб max, В | 40 | 40 | 60 | 60 | 80 | 100 |
Uкэ max, В | 25 | 25 | 40 | 40 | 60 | 80 |
Uкэо гр. | 25 | 25 | 40 | 40 | 60 | 80 |
h31e | 40-120 | 80-240 | 40-120 | 80-240 | 40-120 | 40-120 |
Транзистор КТ503Г
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ503Г предназначены для использования в низкочастотных устройствах аппаратуры широкого применения.
Обозначение технических условий
- аАО. 336.183 ТУ / 02
Особенности
- — 45 до + 100 C
- Комплиментарная пара КТ502
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-26 (ТО-92)
Вывод | Назначение |
№1 | Эмиттер |
№2 | База |
№3 | Коллектор |
Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Режимы измерения | Min | Max |
Гр. напряжение коллектор-эмиттер | Uкэо гр. | В | Iк=10mA, Iб=0 | 25-80 | — |
Обратный ток коллектора | Iкбo | мкА | Uкб= Uкб max | — | 1 |
Статический коэффициент передачи тока | h31Е | — | Uкэ=5B, Iк=10 мA | 40 | 240 |
Напряжение насыщения коллектор- эмиттер | Uкэ(нас) | В | Iк=10 мA, Iб=1 мA | — | 0,6 |
Напряжение насыщения база-эмиттер | Uбэ(нас)* | В | Iк=10 мA, Iб=1 мA | — | 1,2 |
Граничная частота коэф. передачи тока | fгр. * | МГц | Uкб= 5B, Iэ=-3 мA | 5 | — |
Емкость коллекторного перехода | Ск * | пФ | Uкб= 5B, f=1МГц | — | 50 |
* Справочные параметры
Параметры | Обозначение | Ед. измер. | Значение |
Напряжение коллектор-база | Uкб max | В | 40-100 |
Напряжение коллектор-эмиттер | Uкэ max | В | 25-80 |
Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
Постоянный ток коллектора | Iк max | мА | 150 |
Импульсный ток коллектора (tи 10) | Iки max | мА | 100 |
Рассеиваемая мощность коллектора | Pк max | мВт | 300 |
Температура перехода | Tj | C | 350 |
КТ503А | КТ503Б | КТ503В | КТ503Г | КТ503Д | КТ503Е | |
Uкб max, В | 40 | 40 | 60 | 60 | 80 | 100 |
Uкэ max, В | 25 | 25 | 40 | 40 | 60 | 80 |
Uкэо гр. | 25 | 25 | 40 | 40 | 60 | 80 |
h31e | 40-120 | 80-240 | 40-120 | 80-240 | 40-120 | 40-120 |
КТ805М Резюме: kt805bm KT872A KT837 KT837K KT805 KT818 KT837B KT837A KT610A | Оригинал | KSC1623 3102M КТ805М kt805bm КТ872А KT837 КТ837К KT805 KT818 КТ837Б КТ837А КТ610А | ||
КТ725 Резюме: KT206-200 KY250 kt207-400 KT207-600 KD337 KT725-100 KT206-400 KT206-600 KT707 | Оригинал | КТ207-200 КТ207-400 КТ207-600 КТ772 KT773 КТ774 КТ730-700 КТ730-800 КТ730-900 KT782 KT725 КТ206-200 KY250 кт207-400 КТ207-600 KD337 КТ725-100 КТ206-400 КТ206-600 KT707 | ||
KF517A Аннотация: KF517B KA213A KF254 1NZ70 KA213B 4DR821B KT205-400 KA204 GE134 | Оригинал | 1NZ70 1ПП75 2NZ70 33NQ52 34NQ52 35NQ52 36NQ52 37NG52 38NQ52 38NQ52A KF517A KF517B KA213A KF254 1NZ70 KA213B 4DR821B КТ205-400 KA204 GE134 | ||
КТ206 / 400 Резюме: KT707 KT705 KT206 / 600 KT708 KT201 KT505 KT706 KT702 Tesla KT505 | OCR сканирование | КТ201 / 100 КТ201 / 200 КТ201 / 300 КТ201 / 400 КТ201 / 500 КТ201 / 600 КТ206 / 200 КТ206 / 400 КТ206 / 600 KT501 KT707 КТ705 KT708 KT201 КТ505 KT706 КТ702 Тесла КТ505 | ||
2010 — Ил311АНМАннотация: tda8362b ILa1519B1Q iff4n60 IN1307N tda8890 IL311AN IL | AN MC74HC123AN IL258D Текст: Текст файла недоступен | Оригинал | ||
1984 — bu2527af Реферат: wk16412 WK16413 WK16414 Tesla katalog VQE24 VQE14 4DR823B kr206 5DR801B | Оригинал | roku1984 / 85, VQB200 VQB201 VQC10 VQE11 VQE12 VQE13 VQE14 VQE21 VQE22 bu2527af wk16412 WK16413 WK16414 Каталог Tesla VQE24 4DR823B 206 шведских крон 5DR801B | ||
KF520 Реферат: KT725 diac kr 206 KT707 KD502 kt201 KU607 KT206-200 KYS 30 40 diode KT784 | OCR сканирование | 15Блатна KF520 KT725 диак 206 крон KT707 KD502 kt201 KU607 КТ206-200 KYS 30 40 диод KT784 | ||
WK16412 Резюме: wk16414 KT201 IRS 8342 WK16413 LQ470 1PP75 LQ410 KC639 KT728 | OCR сканирование | |||
мh7493 Резюме: MA0403A maa 502 Mh2SS1 Каталог тесла diod MH7442 MH7404 MA0403 MAA723 MH74S74 | OCR сканирование | |||
транзистор SMD s72 Реферат: nec mys 501 MYS 99 st MYS 99102 транзистор 8BB smd kvp 81A kvp 81A DIODE Kvp 69A smd транзистор A7p kvp 86a | Оригинал | OT323 BC818W MUN5131T1. BC846A SMBT3904, MVN5131T1 SMBT3904 OT323 транзистор SMD s72 nec mys 501 MYS 99 ул МЫС 99102 транзистор 8BB smd квп 81А квп 81А ДИОД КВП 69А smd транзистор A7p квп 86а | ||
2T908A Реферат: 2T602 1HT251 KT604 2T907A KT920A 2t903 PO6 115.05 КТ117 1Т813 | OCR сканирование | Т-0574Д. 30Eiaa Coi03nojiH 2Т908А 2Т602 1HT251 KT604 2T907A КТ920А 2т903 PO6 115.05 КТ117 1T813 | ||
ст178 Реферат: Диод CK705 E1110 ME1120 TE1088 Руководство по замене полупроводников для экг CS1237 1N733A 1N942 Транзистор Delco DTG-110B | OCR сканирование | Сильвана58MC 09A001-00 66X0003-001 50746A 68X0003 68X0003-001 T-E0137 93B3-3 93B3-4 st178 CK705 диод E1110 ME1120 TE1088 Руководство по замене полупроводников ЭКГ CS1237 1N733A 1N942 Транзистор Delco DTG-110B | ||
Мх2СС1 Аннотация: MHB4011 MH5400S Каталог тесладиода C520D A244D MAC198 MA3006 KF520 B260D | OCR сканирование | roku1984 / 85, Mh2SS1 MHB4011 MH5400S Каталог tesla diod C520D A244D MAC198 MA3006 KF520 B260D | ||
2T931A Аннотация: KT853 2T926A KT838A 2T803A 2T809A 2T904A 2T808A 2T603 2T921A | OCR сканирование | МОКП51КОБ, KTC631 TI2023 II2033 TT213 TI216 fI217 II302 XI306 n306A 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2T904A 2Т808А 2T603 2Т921А | ||
T35W Аннотация: Транзистор 65е9 2SC965 транзистор КТ 606А SR 6863 D CS9011 SR1K диод КТ850 транзистор 130001 8d ТРАНЗИСТОР st25a | OCR сканирование | 10DB2P 10DB4P 10DB6P 180B6A T35W 65e9 транзистор 2SC965 транзистор кт 606а SR 6863 D CS9011 sr1k диод KT850 транзистор 130001 8d ТРАНЗИСТОР СТ25А | ||
NT101 Реферат: bf503 KT-934 Kt606 ПОЛУЧАЙНЫЕ ИНДЕКСЫ Mps56 транзисторы 2SA749 72284 2sk81 2SB618 | OCR сканирование | |||
БТИЗ M16 100-44 Аннотация: Ericsson RBS 6102 ASEA HAFO AB GM378 Транзистор B0243C Kt606 Ericsson SPO 1410 SEMICON INDEXES транзистор 8BB smd tr / NEC Tokin 0d 108 | OCR сканирование | W211d W296o W211c БТИЗ М16 100-44 Ericsson RBS 6102 ASEA HAFO AB GM378 Транзистор B0243C Kt606 Ericsson SPO 1410 ПОЛУЧЕННЫЕ ИНДЕКСЫ транзистор 8BB smd tr / NEC Tokin 0d 108 | ||
2010 — 2Н3609 Аннотация: 2N3633 2N3520 transitron 2SC1330 2N3618 motorola 2n3584 GE 2N3637 semicoa КРЕМНИЙ НИЗКОЙ МОЩНОСТИ NPN BSV69 | Оригинал | RN5816 RN5B16 RN5818 HSE125 HSE210 HSE171 2Nl051 2N2480 2N2479 2N3609 2N3633 2N3520 переходник 2SC1330 2N3618 моторола 2n3584 GE 2N3637 полукоа КРЕМНИЙ НИЗКОЙ МОЩНОСТИ NPN BSV69 | ||
KCEX03 Аннотация: ST4115 HC49SFWA DTCXO-25A FXO-37F CX49GFWB KCEX CX5032SB CX5032SA CX3225GB | Оригинал | CX2016SB CX2520SB CX3225SA CX3225SB CX3225GB CX5032SA CX5032SB CX-96F) CX5032GA KCEX03 ST4115 HC49SFWA DTCXO-25A FXO-37F CX49GFWB KCEX CX5032SB CX5032SA CX3225GB | ||
2010 — RCA 2N2147 Аннотация: 2N2207 2n2183 rca 2N2196 2N2222A motorola 2N2214 2N2161 2n2188 2n2162 transitron | Оригинал | BFX69A 2N1594 BCW94A 2SC366G 2N1644A 2N2192 2N2192A 2N2192B MPS650 rca 2n2147 2N2207 2n2183 RCA 2N2196 2N2222A моторола 2N2214 2N2161 2n2188 2n2162 переходник | ||
2010 — 2Н4945 Аннотация: BC211-6 TP5816 КРЕМНИЙ НИЗКОЙ МОЩНОСТИ NPN TL3569 | Оригинал | BFX69A 2N1594 BCW94A 2SC366G 2N1644A 2N2192 2N2192A 2N2192B MPS650 2N4945 BC211-6 TP5816 КРЕМНИЙ НИЗКОЙ МОЩНОСТИ NPN TL3569 | ||
2010 — BCW91B Аннотация: 2N3077 BFR40 2SC1211 2N3895A MMST8098 60P6 2N736 КРЕМНИЙ НИЗКОЙ МОЩНОСТИ NPN 2N5233 | Оригинал | BFT30 MPS651 2N910 2N2522 2Н760Б 2N1566 2N736 MM2483 2N2483 2N3077 BCW91B BFR40 2SC1211 2N3895A MMST8098 60P6 КРЕМНИЙ НИЗКОЙ МОЩНОСТИ NPN 2N5233 | ||
т110 94в 0 Аннотация: PTC SY 16P 2N2955T диод Philips PH 37m 35K0 trimble R8 модель 2 2sc497 2SA749 2n6259 ssi 2N4948 NJS | OCR сканирование | Барселона-28, С-171 CH-5400 t110 94v 0 PTC SY 16P 2N2955T Philips диод PH 37m 35K0 trimble R8 модель 2 2sc497 2SA749 2n6259 SSI 2N4948 NJS | ||
KC2520B Аннотация: KC3225A KC7050B KC7050S w 13003 | Оригинал | KC3225A KC2520A KC2520B KC5032C KC5032E KC5032P KC2520B KC3225A KC7050B KC7050S w 13003 | ||
КТ2520Ф26000 Аннотация: KT2520F KT2520F16369 KT2520 KT503 KT3225 KT3225P KT3225F 4-контактные кристаллические осцилляторы TCXO Кристаллические осцилляторы с температурной компенсацией | Оригинал | KT2520 КТ2520Ф КТ2520Ф26000 КТ2520Ф16369 КТ503 KT3225 КТ3225П КТ3225Ф 4-контактные кварцевые генераторы Кристаллические генераторы с температурной компенсацией TCXO |
КТ805АМ Абстракция: KT805 KT610A KT837B BD140 npn KT872A KT837K KT315B KT315 KT818 | Оригинал | КТ3126А КТ3126Б КТ3127А КТ3128А КТ3128А1 КТ3128 КТ3129А9 КТ3129 КТ3129Б9 КТ805АМ KT805 КТ610А КТ837Б BD140 npn КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 KT818 | ||
2010 — КТ503А Аннотация: 2SC1330 BC340 КРЕМНИЙ НИЗКОЙ МОЩНОСТИ NPN 2N2534 45M40 2N2909 2N2868 | Оригинал | RN5816 RN5B16 RN5818 HSE125 HSE210 HSE171 2Nl051 2N2480 2N2479 КТ503А 2SC1330 BC340 КРЕМНИЙ НИЗКОЙ МОЩНОСТИ NPN 2N2534 45М40 2N2909 2N2868 | ||
2010 — 2Н3609 Аннотация: 2N3633 2N3520 transitron 2SC1330 2N3618 motorola 2n3584 GE 2N3637 semicoa КРЕМНИЙ НИЗКОЙ МОЩНОСТИ NPN BSV69 | Оригинал | RN5816 RN5B16 RN5818 HSE125 HSE210 HSE171 2Nl051 2N2480 2N2479 2N3609 2N3633 2N3520 переходник 2SC1330 2N3618 моторола 2n3584 GE 2N3637 полукоа КРЕМНИЙ НИЗКОЙ МОЩНОСТИ NPN BSV69 | ||
2010 — PN2222A МОТОРОЛА Резюме: valvo emihus DIODE 6AA VALVO GMBH philco-ford 2SC1330 2N709A КРЕМНИЙ НИЗКОЙ МОЩНОСТИ NPN 2N2909 | Оригинал | RN5816 RN5B16 RN5818 HSE125 HSE210 HSE171 2Nl051 2N2480 2N2479 PN2222A МОТОРОЛА Valvo Эмихус ДИОД 6АА VALVO GMBH Филко-Форд 2SC1330 2N709A КРЕМНИЙ НИЗКОЙ МОЩНОСТИ NPN 2N2909 | ||
КТ805М Аннотация: kt805bm KT872A KT837 KT837K KT805 KT818 KT837B KT837A KT610A | Оригинал | KSC1623 3102M КТ805М kt805bm КТ872А KT837 КТ837К KT805 KT818 КТ837Б КТ837А КТ610А | ||
2010 — Ил311АНМАннотация: tda8362b ILa1519B1Q iff4n60 IN1307N tda8890 IL311AN IL | AN MC74HC123AN IL258D Текст: Текст файла недоступен | Оригинал | ||
KC156A Аннотация: ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KT808a KP350A KT904 KC133A | OCR сканирование | ХапфаКОБ-57, KC156A ky202e K174XA2 КТ809А КТ805А КТ610Б KT808a KP350A KT904 KC133A | ||
2T908A Реферат: 2T602 1HT251 KT604 2T907A KT920A 2t903 PO6 115.05 KT117 1T813 | OCR сканирование | Т-0574Д. 30Eiaa Coi03nojiH 2Т908А 2Т602 1HT251 KT604 2T907A КТ920А 2т903 PO6 115.05 КТ117 1T813 | ||
2T931A Аннотация: KT853 2T926A KT838A 2T803A 2T809A 2T904A 2T808A 2T603 2T921A | OCR сканирование | МОКП51КОБ, KTC631 TI2023 II2033 TT213 TI216 fI217 II302 XI306 n306A 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2T904A 2Т808А 2T603 2Т921А | ||
т110 94в 0 Аннотация: PTC SY 16P 2N2955T диод Philips PH 37m 35K0 trimble R8 модель 2 2sc497 2SA749 2n6259 ssi 2N4948 NJS | OCR сканирование | Барселона-28, С-171 CH-5400 t110 94v 0 PTC SY 16P 2N2955T Philips диод PH 37m 35K0 trimble R8 модель 2 2sc497 2SA749 2n6259 SSI 2N4948 NJS |
503, кт503«
503, кт503«503 (, н-п-н)
Т = 25С | R — , С / | |||||||||||||||||||
Т = 25С | ||||||||||||||||||||
I макс. , | I макс , | U 0 , | U 0 макс. , | U 0 макс , | P макс. , | Т, С | T макс , C | T макс , C | ч 21 | U , | Я , | U , | I 0 , | ф , | , | С , | С , | т , | ||
503 | 150 | 350 | 25 | 40 | 5 | 350 | 25 | 125 | 85 | 40.. 120 | 5 | 10 | 0,6 | 1 | 5 | 20 | 30 | 214 | ||
503 | 150 | 350 | 25 | 40 | 5 | 350 | 25 | 125 | 85 | 80…240 | 5 | 10 | 0,6 | 1 | 5 | 20 | 30 | 214 | ||
503 | 150 | 350 | 40 | 60 | 5 | 350 | 25 | 125 | 85 | 40.. 120 | 5 | 10 | 0,6 | 1 | 5 | 20 | 30 | 214 | ||
503 | 150 | 350 | 40 | 60 | 5 | 350 | 25 | 125 | 85 | 80…240 | 5 | 10 | 0,6 | 1 | 5 | 20 | 30 | 214 | ||
503 | 150 | 350 | 60 | 80 | 5 | 350 | 25 | 125 | 85 | 40.. 120 | 5 | 10 | 0,6 | 1 | 5 | 20 | 30 | 214 | ||
503 | 150 | 350 | 80 | 100 | 5 | 350 | 25 | 125 | 85 | 40.. 120 | 5 | 10 | 0,6 | 1 | 5 | 20 | 30 | 214 |
www.5v.ru
103KT1608T | ИНФРАКРАСНЫЙ ДАТЧИК ТЕРМОПИЛЬНОГО ТИПА | Список неклассифицированных производителей | |
103KT1608T-1P | Термистор FT, 10 кОм | Список неклассифицированных производителей | |
103KT1608T-2P | Термистор FT, 10 кОм | Список неклассифицированных производителей | |
103KT1608T-3P | Термистор FT, 10 кОм | Список неклассифицированных производителей | |
503KT1608T | ИНФРАКРАСНЫЙ ДАТЧИК ТЕРМОПИЛЬНОГО ТИПА | Список неклассифицированных производителей | |
503KT1608T-1P | Термистор FT, 50 кОм | Список неклассифицированных производителей | |
503KT1608T-2P | Термистор FT, 50 кОм | Список неклассифицированных производителей | |
503KT1608T-3P | Термистор FT, 50 кОм | Список неклассифицированных производителей |
% PDF-1.6 % 1 0 obj > endobj 10 0 obj > поток 2017-11-02T08: 11: 562017-11-02T09: 25: 48 + 02: 002017-11-02T09: 25: 48 + 02: 00libtiff / tiff2pdf — 20120922application / pdfuuid: 5518109f-d3bc-452d-9e04-bea56319785duuid: 268ae34f-3072-4d13-9985-b4bb41a03c3f конечный поток endobj 3 0 obj > endobj 4 0 obj > / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC] / XObject >>> / Type / Page >> endobj 11 0 объект > поток q 871.44 0 0 916,56 0 0 см / Im0 Do Q q 292.2000122 0 0 24.550415 285.354187 -2.0315552 см / Im1 Do Q BT 0 я / Относительный колориметрический ри / C0_0 12 Тс 284,328 8,148 тд Tj ET q / Относительный колориметрический ри 82.1143799 0 0 21.5556335 427.0048218 664.0522461 см / Im2 Do Q BT 679,512 267,841 тд Tj ET конечный поток endobj 7 0 объект > / Filter / CCITTFaxDecode / Height 3819 / Length 161130 / Name / Im1 / Subtype / Image / Type / XObject / Width 3631 >> stream &> @ WE /, «`! P03 ## o4˄ $ «SE/d@`/̾k.fz.a4lˁprqgHW34G0GD |» B $ «Rf» DDDD [ȮB3AA0c0F | 3M2) / 21Ne
vf! H.) pB> @ 68 \ S`y \ DDX!, q2Aq * 88kG8 | + 2 # ia \ S