Кт602 характеристики. КТ602: характеристики, применение и особенности кремниевого транзистора — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Каковы основные параметры транзистора КТ602. Где применяется этот транзистор. Какие есть разновидности и аналоги КТ602. Как проверить и правильно использовать КТ602 в схемах.

Содержание

Общая характеристика транзистора КТ602

Транзистор КТ602 представляет собой кремниевый планарный эпитаксиально-планарный биполярный транзистор n-p-n структуры. Он относится к категории среднечастотных транзисторов средней мощности.

Основные особенности КТ602:

Структура: n-p-n
Материал: кремний
Тип: планарный эпитаксиально-планарный
Мощность: средняя
Рабочая частота: средняя
Применение: усилители и генераторы сигналов

КТ602 выпускается в нескольких модификациях, отличающихся корпусом и некоторыми параметрами: КТ602А, КТ602Б, КТ602В, КТ602Г, КТ602АМ, КТ602БМ.

Основные электрические параметры КТ602

Рассмотрим ключевые характеристики транзистора КТ602:

Максимальное напряжение коллектор-база: 80-120 В (зависит от модификации)
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 80-100 В

Максимальный ток коллектора: 75 мА (постоянный), 500 мА (импульсный)
Статический коэффициент передачи тока: 20-220 (зависит от модификации)
Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность: 0.85 Вт (без теплоотвода), 2.8 Вт (с теплоотводом)

Как видим, КТ602 обладает достаточно высоким напряжением пробоя, средним коэффициентом усиления и хорошими частотными свойствами, что позволяет использовать его в различных схемах усиления и генерации сигналов.

Конструкция и корпусирование КТ602

Транзистор КТ602 выпускается в двух основных вариантах корпуса:

Металлический корпус с гибкими выводами (КТ602А, КТ602Б, КТ602В, КТ602Г)
Пластмассовый корпус с жесткими выводами (КТ602АМ, КТ602БМ)

Цоколевка транзистора КТ602 стандартная для корпусов такого типа:

1 — эмиттер
2 — база
3 — коллектор

Масса транзистора в металлическом корпусе не превышает 5 г, в пластмассовом — 2 г. Компактные размеры и относительно небольшой вес позволяют использовать КТ602 в портативной аппаратуре.

Области применения транзистора КТ602

Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ602 нашел широкое применение в различных областях электроники:

Усилители низкой и средней частоты
Генераторы сигналов
Импульсные схемы
Преобразователи напряжения
Стабилизаторы напряжения
Коммутирующие и переключающие устройства

КТ602 часто используется в бытовой радиоаппаратуре, измерительных приборах, системах автоматики и телемеханики. Его универсальность и надежность сделали его популярным выбором для многих радиолюбительских конструкций.

Особенности использования КТ602 в схемах

При проектировании устройств с применением КТ602 следует учитывать некоторые особенности этого транзистора:

Относительно высокое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (до 3 В), что может быть критично в схемах с низким напряжением питания
Средний коэффициент усиления, что может потребовать каскадного включения для получения большого усиления
Необходимость теплоотвода при работе на максимальной мощности
Чувствительность к статическому электричеству, требующая соблюдения мер предосторожности при монтаже

При правильном применении КТ602 способен обеспечить стабильную работу в широком диапазоне температур и нагрузок.

Проверка и тестирование транзистора КТ602

Для проверки работоспособности КТ602 можно использовать следующие методы:

Проверка мультиметром в режиме «прозвонки диодов»
Измерение коэффициента усиления с помощью специального тестера транзисторов
Проверка работы транзистора в тестовой схеме усилителя

При проверке мультиметром следует помнить, что для n-p-n транзистора:

Переход база-эмиттер должен показывать прямое падение напряжения около 0.6-0.7 В
Переход база-коллектор также должен показывать прямое падение напряжения
Между коллектором и эмиттером не должно быть проводимости в обоих направлениях

Более точную проверку параметров можно провести только с использованием специализированного оборудования.

Аналоги и замены для КТ602

В случае отсутствия КТ602 его можно заменить следующими аналогами:

КТ602А: 2T3531, П308, BF177, MM3000, SFT187

КТ602Б: 2N1566A, 2SC249, BFJ57, KF503
КТ602В: SF123A
КТ602Г: П307Б, 2N1566, 2SC247, SF123B, SF123C
КТ602АМ: КТ503Е, BSS38
КТ602БМ: КТ922Б

При замене необходимо учитывать не только электрические параметры, но и особенности корпуса и цоколевки транзистора. В некоторых случаях может потребоваться небольшая корректировка схемы.

Сравнение КТ602 с современными транзисторами

Хотя КТ602 был разработан несколько десятилетий назад, он до сих пор находит применение в различных устройствах. Однако современные транзисторы имеют ряд преимуществ:

Меньшие размеры и вес
Более высокие рабочие частоты
Меньшее энергопотребление
Улучшенные температурные характеристики
Более высокая надежность

Тем не менее, КТ602 остается востребованным в ремонте старой техники и радиолюбительских конструкциях благодаря своей доступности и проверенным характеристикам.

Заключение

Транзистор КТ602, несмотря на свой возраст, остается надежным и функциональным компонентом для различных электронных устройств. Его универсальность, доступность и хорошо изученные характеристики делают его популярным выбором как для ремонта старой техники, так и для новых радиолюбительских проектов. При правильном применении КТ602 способен обеспечить стабильную работу в широком диапазоне условий, что делает его ценным инструментом в арсенале разработчиков и ремонтников электронной аппаратуры.

КТ602 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

Транзистор КТ602 – кремниевый планарный, среднечастотный транзистор n-p-n структуры. Применяется в усилителях и генераторах сигналов. Выпускается в металлическом корпусе с гибкими выводами (КТ602А, КТ602Б, КТ602В, КТ602Г) и пластмассовом корпусе с жесткими выводами (КТ602АМ, КТ602БМ).

Цоколевка транзистора КТ602

Характеристики транзистора КТ602

Транзистор	Uкбо(и),В	Uкэо(и), В	Iкmax(и), мА	Pкmax(т), Вт	h31э	fгр., МГц
КТ602А	120	100	75(500)	0.85(2.8)	20-80	150
КТ602Б	120	100	75(500)	0.85(2.8)	50-220	150
КТ602В	80	80	75(500)	0. 85(2.8)	15-80	150
КТ602Г	80	80	75(500)	0.85(2.8)	50	150
КТ602АМ	120	100	75(500)	0.85(2.8)	20-80	150
КТ602БМ	120	100	75(500)	0.85(2.8)	50-220	150
2Т602А	120	100	75(500)	0.85(2.8)	20-80	150
2Т602Б	120	100	75(500)	0.85(2.8)	50-200	150
2Т602АМ	120	100	75(500)	0.85(2.8)	20-80	150
2Т602БМ	120	100	75(500)	0.85(2.8)	50-200	150

Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Аналоги транзистора КТ602

КТ602А: 2T3531, П308, BF177, MM3000, SFT187
КТ602Б: 2N1566A, 2SC249, BFJ57, KF503
КТ602В: SF123A
КТ602Г: П307Б, 2N1566, 2SC247, SF123B, SF123C
КТ602АМ: КТ503Е, BSS38
КТ602БМ: КТ922Б

Транзистор КТ602, КТ602А, КТ602Б

Поиск по сайту

Транзистор КТ602 — планарный, кремниевый, структуры n-p-n. Основное назначение — усиление и генерирование сигналов. Транзисторы 2Т602А и 2Т602Б имеют металлостеклянный корпус и гибкие выводы. Весят не более 5 г. Транзисторы КТ602АМ, КТ602БМ, 2Т602АМ, 2Т602БМ имеют жёсткие выводы и пластмассовый корпус и весят не более 2 г.

Цоколевка транзистора 2Т602

Цоколевка 2Т602 показана на рисунке.

Цоколевка транзистора КТ602АМ

Цоколевка КТ602АМ, КТ602БМ, 2Т602АМ, 2Т602БМ показана на рисунке.

Электрические параметры транзистора КТ602

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером при U_кб = 10 В, I_э = 10 мА:
КТ602АМ, 2Т602АМ, 2Т602А	20 ÷ 80
2Т602БМ, 2Т602Б	50 ÷ 200
КТ602БМ, не менее	50
КТ602АМ, 2Т602АМ при Т = −60°C, КТ602АМ при Т = −45°C	5 ÷ 80
2Т602Б, 2Т602БМ при Т = −60°C	12 ÷ 200
КТ602АМ, 2Т602АМ при Т = +125°C, КТ602АМ при Т = +85°C	50 ÷ 500

• Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с ОЭ при U_кэ = 10 В, I_к = 25 мА, не менее	150 МГц

• Граничное напряжение при I_э = 50 мА, не менее	70 В

• Напряжение насыщения КЭ при I_к = 50 мА, I_б = 5 мА, не более	3 В

• Напряжение насыщения БЭ при I_к = 50 мА, I_б = 5 мА, не более	3 В

• Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при I_к = 10 мА, U_кб = 10 В, f = 2 МГц, не более	300 пс

• Ёмкость коллекторного перехода при U_кб = 50 В, не более	4 пФ

• Ёмкость эмиттерного перехода при U_кб = 0, не более	25 пФ

• Ток коллектора (обратный) при U_кб = 120 В, не более:
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ	10 мкА
КТ602АМ, КТ602БМ	70 мкА

• Ток КЭ (обратный) при U_кэ = 100 В, R_бэ = 10 Ом, не более:
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ	10 мкА
КТ602АМ, КТ602БМ	100 мкА

• Ток эмиттера (обратный) при U_эб = 5 В, не более	50 мкА

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ602

• Напряжение К-Б (постоянное):
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ:
Т_п = +100°C	120 В
Т_п = +150°C	60 В
КТ602АМ, КТ602БМ:
Т_п ≤ +70°C	120 В
Т_п = +120°C	60 В

• Напряжение коллектор-база (импульсное) 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ:
Т_п = +100°C	160 В
Т_п = +150°C	80 В
КТ602АМ, КТ602БМ при Т_п = +70°C	160 В

• Напряжение К-Э (постоянное) при R_бэ = 1 кОм:
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ:
Т_п = +100°C	100 В
Т_п = +150°C	50 В
КТ602АМ, КТ602БМ:
Т_п ≤ +70°C	100 В
Т_п = +120°C	50 В

• Постоянное напряжение Э-Б	5 В

• Ток коллектора (постоянный)	75 мА

• Ток коллектора (постоянный) при t_и ≤ 1 мкс	500 мА

• Ток эмиттера (постоянный)	80 мА

• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
без теплоотвода:
Т_п ≤ +25°C	850 мВт
Т_п = +125°C для 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ	160 мВт
Т_п = +85°C для КТ602АМ, КТ602БМ	200 мВт
с теплоотводом:
Т_п ≤ +25°C	2.8 Вт
Т_п = +125°C для 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ	560 мВт
Т_п = +85°C для КТ602АМ, КТ602БМ	650 мВт
• Тепловое сопротивление:
• Переход − окружающая среда	150°C/Вт
• Переход − корпус	45°C/Вт

• Температура p-n перехода:
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ	150°C
КТ602АМ, КТ602БМ	120°C

• Рабочая температура (окружающей среды)	−60…+125°C

Транзистор КТ602 — DataSheet

Цоколевка транзистора КТ602

**Параметры транзистора КТ602**
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ602АМ		*BFS99 ^3, BF411 ^3, 2N2517 ^3, BSS64^3*
		КТ602Б		*BSY79 ^3, BSX21 ^3*
		КТ602БМ		2SD668, FSX51WF
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	КТ602А	—	*0.85(2.8)**	Вт
		КТ602Б	—	*0.85(2.8)**
		КТ602В	—	*0.85(2.8)**
		КТ602Г	—	*0.85(2.8)**
		КТ602АМ	—	*0.85(2.8)**
		КТ602БМ	—	*0.85(2.8)**
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h31б,f^_h31э, f^**_max	КТ602А	—	≥150	МГц
		КТ602Б	—	≥150
		КТ602В	—	≥150
		КТ602Г	—	≥150
		КТ602АМ	—	≥150
		КТ602БМ	—	≥150
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	КТ602А	—	120	В
		КТ602Б	—	120
		КТ602В	—	80
		КТ602Г	—	80
		КТ602АМ	—	120
		КТ602БМ	—	120
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ602А	—	5	В
		КТ602Б	—	5
		КТ602В	—	5
		КТ602Г	—	5
		КТ602АМ	—	5
		КТ602БМ	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	КТ602А	—	*75(500)**	мА
		КТ602Б	—	*75(500)**
		КТ602В	—	*75(300)**
		КТ602Г	—	*75(300)**
		КТ602АМ	—	*75(500)**
		КТ602БМ	—	*75(300)**
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	КТ602А	120 В	≤70	мкА
		КТ602Б	120 В	≤70
		КТ602В	80 В	≤70
		КТ602Г	80 В	≤70
		КТ602АМ	120 В	≤70
		КТ602БМ	120 В	≤70
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	КТ602А	10 В; 10 мА	20…80
		КТ602Б	10 В; 10 мА	≥50
		КТ602В	10 В; 10 мА	15…80
		КТ602Г	10 В; 10 мА	≥50
		КТ602АМ	10 В; 10 мА	20…80
		КТ602БМ	10 В; 10 мА	≥50
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	КТ602А	50 В	≤4	пФ
		КТ602Б	50 В	≤4
		КТ602В	50 В	≤4
		КТ602Г	50 В	≤4
		КТ602АМ	50 В	≤4
		КТ602БМ	50 В	≤4
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К}^*_у.р.	КТ602А	—	≤60	Ом, дБ
		КТ602Б	—	≤60
		КТ602В	—	≤60
		КТ602Г	—	≤60
		КТ602АМ	—	≤60
		КТ602БМ	—	≤60
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^_b, P^*_вых	КТ602А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ602Б	—	—
		КТ602В	—	—
		КТ602Г	—	—
		КТ602АМ	—	—
		КТ602БМ	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	КТ602А	—	≤300	пс
		КТ602Б	—	≤300
		КТ602В	—	≤300
		КТ602Г	—	≤300
		КТ602АМ	—	≤300
		КТ602БМ	—	≤300

Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.

*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.

*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.

*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Кт602 , 2т602 , kt602 справочник транзисторов, параметры транзисторов, характеристики транзисторов

Транзисторы КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102Д.

Транзисторы КТ3102 — кремниевые, усилительные маломощные
высокочастотные, структуры n-p-n.
Пониженный коэффициент
шума на частоте 1000 гц позволяет использовать эти транзисторы
в каскадах предварительных усилителей звуковой частоты.
Кроме того, они применяются в усилительных и генераторных схемах высокой частоты.
Корпус металлостеклянный(у более древних экземпляров) или пластиковый — , с гибкими выводами.
Масса — около 0,5 г.
Маркировка буквенно — цифровая, либо цветовая — на боковой и верхней поверхностях корпуса.

При цветовой маркировке, темно-зеленое пятно на боковой поверхности определяет тип(КТ3102).
Цветовое пятно сверху обозначает группу: Бордовое — группа А(КТ3102А). Желтое — группа Б(КТ3102Б).Темно-зеленое — группа В(КТ3102В). Голубое — группа Г(КТ3102Г).Синие — группа Д(КТ3102Д).Цвета «электрик» — группа Е(КТ3102Е).

Цоколевка КТ3102 — на рисунке ниже.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ3102А — от 100, до 250.
У транзисторов КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д — от 200, до 500.
У транзисторов КТ3102Г, КТ3102Е — от 400, до
1000.

Коэффициент шума при напряжении коллектор-эмиттер 5в, коллекторном токе 0,2мА,
на частоте 1КГц:

У транзисторов КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102А, КТ3102Г — не более 10дБ.
У транзисторов КТ3102Д, КТ3102Е — не более 10дБ.
1000.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер.

У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102Е — 50в.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д — 30в.
У транзистора КТ3102Г — 20в.

Максимальный ток коллектора — 100мА.

Максимальное напряжение эмиттер-база — 5в.

Обратный ток коллектор-эмиттер :
У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б при напряжении коллектор-эмиттер 50 в — не более0,1мкА.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 30 в и
транзисторов КТ3102Г, КТ3102Е при напряжении коллектор-эмиттер 20 в — не более0,05мкА.

Обратный ток коллектора не более:
У транзисторов КТ3102А, КТ3102Б при напряжении коллектор-эмиттер 50 в — не более 0,05мкА,
при температуре +25 Цельсия.
При температуре +85 — не более 5мкА.
У транзисторов КТ3102В, КТ3102Д при напряжении коллектор-эмиттер 30 в и у КТ3102В, КТ3102Д
при напряжении коллектор-эмиттер 20 в — не более 0,015мкА,
при температуре +25 Цельсия.
При температуре +85, обратный ток может вырасти до 5мкА.

Рассеиваемая мощность коллектора. — 250мВт.

Граничная частота коэффициента передачи
тока — 150 МГц.

Машина для перевозки баллонов со сжиженным газом КТ-602-1

Так как на обычном транспорте перевозка взрывоопасных грузов запрещена, то появилась необходимость создания транспорта, который бы в полной мере
отвечал этим требованиям, а также смог бы перевозить внушительное количество баллонов для сжиженного газа, каким и является КТ-602-1. В данной
модели есть все необходимое для обеспечения безопасной транспортировки баллонов. Перевозка баллонов осуществляется в сварной конструкции, которая
предохраняет их от возможных ударов. Для оповещения встречного транспорта об опасности перевозимого груза на крыше размещена специальная
фара, которая сигнализирует желтым цветом. Более того, проведены работы по усилению тормозов. Максимальное количество перевозимых баллонов
составляет 40 штук. Основными потребителями сжиженного газа являются люди, проживающие вдали от линий газопровода. Более того, в баллонах со
сжиженным газом нуждаются предприятия и организации не имеющих доступ к газу, а также коммунальные учреждения и строительные организации, использующие
газообразное топливо.

В качестве шасси для КТ-602-1 выступает двухосная модель ГАЗ-3309-1357. Она выбрана не случайно. Выбор именно этого шасси обоснован тем, что оно
отвечает всем требования по обеспечению безопасности перевозимого груза, а именно обладает высоким уровнем устойчивости и хорошими маневренными
качествами. Более того, в базовой комплектации предусмотрены гидроусилитель руля и система ABS. Это позволяет отвечать на
малейшие действия водителя, вследствие чего обеспечивается своевременное реагирование на быстроменяющуюся ситуацию на дороге. В качестве силового
агрегата, располагает мощным дизельным двигателем ММЗ-245,7. За счет того, что двигатель отвечает нормам экологической
безопасности Euro-3, эксплуатация КТ-602-1 осуществляется как в России, так и за рубежом. Высокая мощность этого силового агрегата вкупе с
экономичностью топлива позволяет этой модели обладать превосходными тяговыми характеристиками при низком расходе горюче-смазочных материалов.

Помимо технических характеристик, стоит упомянуть о комфорте рабочего места водителя КТ-602-1. В салоне предусмотрены система вентиляции и
отопления, что позволит поддерживать благоприятный микроклимат как зимой, так и летом. Удобное водительское кресло вкупе с грамотно размещенными
органами управления и приборной панелью обеспечат снижение утомляемости в пути. Широкая обзорная площадь и устройства заднего вида позволят
водителю быть всеобще осведомленным о состоянии на дороге.

Продажа КТ-602-1 осуществляется в нашей компании. Для того чтобы приобрести эту модель машины, зайдите в раздел «Контакты», где находятся номера наших
телефонов и адрес электронной почты. Если Вы не нашли всю интересующую Вас информацию на страничке сайта, позвоните нам по телефону, менеджеры
нашей компании ответят на все Ваши вопросы о технических характеристиках, а также расскажут о порядке проведения продажи КТ-602-1.
Купить КТ-602-1 у нас – верное решение. Более того, мы производим продажу КТ-602-1 с доставкой в любой регион России. Таким образом, решив
купить КТ-602-1 у нас, Вы получаете модель в кратчайшие сроки и по приемлемой цене.

Цоколевка транзистора КТ602АМ

Цоколевка КТ602АМ, КТ602БМ, 2Т602АМ, 2Т602БМ показана на рисунке.

Электрические параметры транзистора КТ602

• Коэффициент передачи тока (статический). Схема с общим эмиттером при Uкб = 10 В, Iэ = 10 мА:
КТ602АМ, 2Т602АМ, 2Т602А	20 ÷ 80
2Т602БМ, 2Т602Б	50 ÷ 200
КТ602БМ, не менее	50
КТ602АМ, 2Т602АМ при Т = −60°C, КТ602АМ при Т = −45°C	5 ÷ 80
2Т602Б, 2Т602БМ при Т = −60°C	12 ÷ 200
КТ602АМ, 2Т602АМ при Т = +125°C, КТ602АМ при Т = +85°C	50 ÷ 500

• Граничная частота коэффициента передачи тока. Схема с ОЭ при Uкэ = 10 В, Iк = 25 мА, не менее	150 МГц

• Граничное напряжение при Iэ = 50 мА, не менее	70 В

• Напряжение насыщения КЭ при Iк = 50 мА, Iб = 5 мА, не более	3 В

• Напряжение насыщения БЭ при Iк = 50 мА, Iб = 5 мА, не более	3 В

• Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при Iк = 10 мА, Uкб = 10 В, f = 2 МГц, не более	300 пс

• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 50 В, не более	4 пФ

• Ёмкость эмиттерного перехода при Uкб = 0, не более	25 пФ

• Ток коллектора (обратный) при Uкб = 120 В, не более:
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ	10 мкА
КТ602АМ, КТ602БМ	70 мкА

• Ток КЭ (обратный) при Uкэ = 100 В, Rбэ = 10 Ом, не более:
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ	10 мкА
КТ602АМ, КТ602БМ	100 мкА

• Ток эмиттера (обратный) при Uэб = 5 В, не более	50 мкА

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ602

• Напряжение К-Б (постоянное):
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ:
Тп = +100°C	120 В
Тп = +150°C	60 В
КТ602АМ, КТ602БМ:
Тп ≤ +70°C	120 В
Тп = +120°C	60 В

• Напряжение коллектор-база (импульсное) 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ:
Тп = +100°C	160 В
Тп = +150°C	80 В
КТ602АМ, КТ602БМ при Тп = +70°C	160 В

• Напряжение К-Э (постоянное) при Rбэ = 1 кОм:
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ:
Тп = +100°C	100 В
Тп = +150°C	50 В
КТ602АМ, КТ602БМ:
Тп ≤ +70°C	100 В
Тп = +120°C	50 В

• Постоянное напряжение Э-Б	5 В

• Ток коллектора (постоянный)	75 мА

• Ток коллектора (постоянный) при tи ≤ 1 мкс	500 мА

• Ток эмиттера (постоянный)	80 мА

• Рассеиваемая мощность коллектора (постоянная):
без теплоотвода:
Тп ≤ +25°C	850 мВт
Тп = +125°C для 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ	160 мВт
Тп = +85°C для КТ602АМ, КТ602БМ	200 мВт
с теплоотводом:
Тп ≤ +25°C	2.8 Вт
Тп = +125°C для 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ	560 мВт
Тп = +85°C для КТ602АМ, КТ602БМ	650 мВт
• Тепловое сопротивление:
• Переход − окружающая среда	150°C/Вт
• Переход − корпус	45°C/Вт

• Температура p-n перехода:
2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ	150°C
КТ602АМ, КТ602БМ	120°C

• Рабочая температура (окружающей среды)	−60°…+125°C

Оцените статью:

Транзисторы П701 и КТ602 — маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы КТ602

Транзисторы КТ602 — средней мощности, высокочастотные, кремниевые сплавные p-n-p. Корпус металлический герметичный или — пластиковый( у транзисторов 2Т602АМ и 2Т602БМ). Маркировка буквенно — цифровая, на корпусе. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ602.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока
У транзисторов КТ602А — от 20 до 80.
У транзисторов КТ602Б — от 50 до 200.
У транзисторов КТ602В — от 15 до 80.
У транзисторов КТ602Г — от 50.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
у транзисторов КТ602А, КТ602Б — 100в.
у транзисторов КТ602В, КТ602Г — 80в.

Максимальный ток коллектора — 75мА.

Обратный ток коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер менее 10 Ом, напряжении коллектор-база 120 в и температуре окружающей среды +25 по Цельсию :
У транзисторов 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ — не более 10 мкА.
У транзисторов КТ602А и КТ602Б — не более 100 мкА

Обратный ток коллектора.
у транзисторов 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ при напряжении коллектор-база 120 в и температуре окружающей среды +25 по Цельсию — не более 10 мкА, у КТ602А и КТ602Б — не более 70 мкА
При температуре окружающей среды +125 по Цельсию и напряжении коллектор-база 100в, у транзисторов 2Т602А, 2Т602Б, 2Т602АМ, 2Т602БМ — не более 50 мкА

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 50 мА, базы 5 мА — не более 3в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 50 мА, базы 5 мА — не более 3в.

Рассеиваемая мощность коллектора — около 2,8 Вт на радиаторе и 0,8 Вт — без.

Граничная частота передачи тока — 150 МГц.

На главную страницу

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

Транзистор КТ602 —

Драгоценные металлы в транзисторе КТ602 согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.

Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ602.
Золото: 0.0177643 грамм.
Серебро: 0 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий: 0 грамм.
Примечание: .

Если у вас есть интересная информация о транзисторе КТ602 сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте.

Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,

Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,

Фото транзистора марки КТ602:

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Схемы включения полевых транзисторов

Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а).

Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.

Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.

Справочные данные на транзисторы (DataSheet) КТ602 включая его характеристики:

Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов – Схемы радиоаппаратуры:

Транзистор доступное описание принципа работы.

Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.

Делятся эти устройства на полевые и биполярные.
В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.

Полевой транзистор отличается от биполярного тем, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.
Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.

В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.
Купить транзисторы или продать а также цены на КТ602:

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, КТ602:

Кт 602 Содержание Драгметаллов

Транзистор ктб содержание драгметаллов RazborTV. Золото в КТ штук и КТ штук. Советские радиодетали и не только от Alext. Описывать тут нечего, все прекрасно видно в видео, результат хороший. Видео 2 в 1. На канале модератор.

КТ602АМ, Транзистор NPN, высокочастотный, средней мощности, TO-126 (КТ-27)

Конкретно по аппаратуре или конкретной бытовой технике сказать трудно — во многих устройствах такие детали встречаются. Но только в советской технике. В импортной устанавливают в основном транзисторы, диоды и микросхемы в пластмассовых корпусах, где драгметаллов нет. Эти АТС повсеместно снимают с эксплуатации и скупают их как раз из-за драгметаллов. Золото содержится в транзисторах с жёлтым нижним торцом и выводами. Если выводы и нижний торец не жёлтые, то золота в таких транзисторах нет. ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Золото 99 % в КТ803 , интересный метод !

Транзисторы бывают в круглых, плоских, металлических, пластмассовых корпусах, силовые транзисторы. Импортные микросхемы и транзисторы в керамических, планарных, DIP и круглых корпусах. Не секрет, что многие радиодетали содержат драгоценные металлы. От всем известных золота и серебра, до экзотических тантала и родия. Естественно в современной электронике все это содержится в мизерных количествах.

Включите JavaScript для лучшей работы сайта. Российский обыватель обычно не задумываясь выбросывает на помойку давно случайно найденный в кладовке или гараже советский телевизор или старый приемник.

Транзистор ктб содержание драгметаллов RazborTV. Микросхемауд2б содержание драгметаллов RazborTV. Содержание драгметаллов в радиодеталях Микросхема куд2б содержание драгметаллов Золото : 0, грамм На шт : 24,9 грамм Серебро : 0 Платина : 0 МПГ : 0 Источник cur. Содержание драгметаллов в радиодеталях Регулятор напряжения ЯМ1 предназначен для поддержания напряжения бортовой сети автомобиля в заданных пределах во всех режимах работы системы Источник: При переходе откроется дополнительная реклам.. Золото в УД

Содержание драгметаллов в транзисторах

ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Разбор транзисторов П, МП и ГТ на предмет золота.

Радиолом77

Мощные высокочастотные импульсные германиевые конверсионные транзисторы, p-n-p. Справочный лист и заводские паспорта на них, ташкентский и рижский. Первоначально производство их было организовано на заводе при НИИ «Пульсар». Но довольно быстро выпуск передали на Рижский приборостроительный завод ныне «Альфа» , который проводил дальнейшее сопровождение и модернизацию, а также Воронежский ЗПП , и ташкентский Завод электронной техники им. Ленина aka «Фотон». Васенкова, Ю. Докучаева и А. Ток переключения транзисторов — несколько сот миллиампер при напряжении до 30 В.

Содержание в транзисторах

Золото в КТ штук и КТ штук. Описывать тут нечего, все прекрасно видно в видео, результат хороший. Видео 2 в 1. Содержание драгметаллов в транзисторе КТБ. Транзистор ктб содержание драгметаллов. Разбор транзисторов к, к, п и им подобные. В данном обзоре вы увидите как подготовить к растворению и какие детали содержат золото.

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца ноябрь и декабрь года , в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины? Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.

Транзисторы

Херсонская обл. Посылки принимаются с Расчет в день получения. Транзисторы , в отличии от других элементов электронной техники, очень разнообразны и характеризуются большими отличиями в содержании золота и формы его нанесения. Наиболее ответственные типы транзисторов например, высокочастотные имеют позолоченный корпус не только внутри, но и снаружи. Остальные типы имеют позолоченные изнутри корпуса и подложки под кристаллом кремния из корунда, нержавеющей стали и стекла.

ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Транзистор кт611б содержание драгметаллов

Большинство радиодеталей в большом количестве содержат драгоценные металлы: серебро, золото, платина, палладий и др. Одни радиодетали содержат их открыто, а другие содержат их под корпусом или в виде сплавов с медью. Золото содержится, в основном, в отечественных радиодеталях в технике советского периода выпуска. Подробнее о наличии и содержании драгоценных металлов в изделиях можно узнать из паспортных данных на прибор, а также из специальной литературы по радиотехнике. На нашем сайте приведена справочная информация о содержании драгметаллов в радиодеталях.

Круглая розетка

FQX-ZY FQX14

Круглая розетка

FQX-ZY, панельный разъем Круглые водонепроницаемые разъемы серии FQX можно использовать в водонепроницаемом месте. Мы используем надежное зажимное соединение в клетке вместо традиционной проволочной пружины. характеристики более низкого контактного сопротивления, антилибрации, ударопрочности, водонепроницаемости и прочного уплотнения и т. д. они широко используются для электрического соединения между электрическим оборудованием. Соответствуют CE, RoHs.

Заказ продукции

FQX 14 7 T K 8

1 2 3 4 5 6

1.Название серии FQX

2. Размер корпуса: 14,18,24,30

3. Количество контактов: 1,2,3,4,5,6,7,9,10,12,13,16, 19,26,32,42,55

4.T: Заглушка (TR: угловая заглушка), Z: розетка для фланцевого монтажа, ZP: кабельная розетка,

Z2: Розетка с уплотнительным кольцом, ZY: круглая розетка

5 Тип контактов: K: гнездо, J: контакт

6. Сечение провода: 5,6,7,8,9,10,12,14,16,18

Технические характеристики Разъем может быть погружен на глубину 1м. глубокая вода в течение 30 минут (Ip67)

Температура

Относительная влажность

Атмосфера

Вибрация

Удар

-55 ° C ~ + 85 ° C

( 90 ~ 96)% при 40 ° C

4.4КПа

10 ~ 200 Гц, 150 м / с²

490 м / с²

Ток

Напряжение

Сопротивление контактов

Износостойкость

250V

≤10 мОм

500циклов

10A-25A

400V

≤5mΩ

50030119

Окружающая среда	Устойчивость к напряжению	Сопротивление изоляции
Нормальное	1200 В	≥1000 МОм
Высокая температура	1000 В	≥500 МОм
Влажность 800 В	≥100 МОм
Низкое давление	400V	—

us% 20sensor% 20corp% 20Термисторы техническое описание и примечания по применению

HL-3528 Аннотация: HL-A-H70BC us1640 smd hl SMD 5060 HL-A-U34GC HL-1608 HL-2012 SMD 3528 RGB HL160 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	HL-3528 HL-2810 HL-2808 HL-4008 8 мм / 120 ° 0 мм / 90 ° 8 мм / 90 ° 50-70мкд, 80-100мкд, HL-3528 HL-A-H70BC нас1640 smd hl SMD 5060 HL-A-U34GC HL-1608 HL-2012 SMD 3528 RGB HL160
EV1527 Аннотация: ev1527 ic FP527 RT1527 ev527 PT2262 C0-C19 US-512 PT2260 178MS Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	eV1527 RT1527 FP527eV527 PT2260PT2262 Tel0755-8290 Факс0755-8294 EV1527 ev1527 ic FP527 RT1527 ev527 PT2262 C0-C19 США-512 PT2260 178МС
оазис Резюме: тайваньский оазис led 3228 3228bc oasis led тайваньский оазис mcd oasis 2 US020 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	16 апреля 2007 г. 3228BC-XXXxxx продажи20 оазис Тайваньский оазис 3228 3228bc оазис светодиодный Тайваньский оазис мкд оазис 2 US020
К-2013BC Резюме: To2013bc oasis to-1608bc 0650 1608b taiwan oasis led Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	12 апреля 2007 г. O-3216BC O-3216AC продажи20 TO-2013BC To2013bc оазис to-1608bc 0650 1608b Тайваньский оазис
2008 — 1Н6138 Аннотация: 1n6160a Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	1N6102A / US 1N6173A / US 1N61xxA / США SJ61xxA / США * SV61xxA / США * SX61xxA / США * 1N6103 / US 1N6137A / US 1N6138 1n6160a
2000 — Б 1117с Абстракция: 1117c OMRON G6C-1114P sr 8930 G6CU-2117P-VD Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	G6C-1117P-US G6CU-1117P-US G6CK-1117P-US G6C-2117P-US G6CU-2117P-US G6CK-2117P-US G6C-1114P-US G6C-2114P-US G6CU-1114P-Uмакс.X301-E-1b B 1117c 1117c OMRON G6C-1114P SR 8930 G6CU-2117P-VD
1117c Реферат: 8A механическое РЕЛЕ 220 114P-US G6CK-2114P G6CK-2114P-US g6c1114pus образец журнала систем вентиляции и кондиционирования G6C-1114P-US G6C-1117P-US G6C-2114P-US Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	G6C-1117P-US G6C-1114P-US G6C-1117C-US G6C-1114C-US G6C-2117P-US G6C-2114P-US G6C-2117C-US G6C-2114C-US P6C-06P P6C-08P 1117c 8А механическое РЕЛЕ 220 114P-US G6CK-2114P G6CK-2114P-US g6c1114pus образец журнала системы отопления, вентиляции и кондиционирования воздуха G6C-1114P-US G6C-1117P-US G6C-2114P-US
1117c Аннотация: G6C-117P-US G6CU-2117P-VD G6C-1114P-US G6C-2117P-US G6C-2114P-US G6C-1117P-US G6C-2117C-US 1117C 10 g6cu Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	G6C-1117P-US G6C-1114P-US G6C-1117C-US G6C-1114C-US G6C-2117P-U P6C-08P K018-E1-05 1117c G6C-117P-US G6CU-2117P-VD G6C-1114P-US G6C-2117P-US G6C-2114P-US G6C-1117P-US G6C-2117C-US 1117C 10 g6cu
БОБИНАС Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	G6BU-1114C-US G6BK-1114C-US G6B-2114P-US G6B-2114C-US G6B-2214P-US G6B-2214C-US G6B-2014P-US G6B-1114C-US 117C-US 114P-US БОБИНАС
114P-US Аннотация: E1 1117c g6cu G6C-1114P-US G6C-1117P-US G6C-2114P-US G6C-2117P-US G6CU-2114P G6C-1114P Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	G6C-1117P-US G6C-1114P-US G6C-1117C-US G6C-1114C-US G6C-2117P-US G6C-2114P-US G6C-2117C-US G6C-2114C-US P6C-08P K018-E1-4D 114P-US E1 1117c g6cu G6C-1114P-US G6C-1117P-US G6C-2114P-US G6C-2117P-US G6CU-2114P G6C-1114P
2012 — JANS1N6620 Абстракция: JANS1N6620US 1N6623 JANTX 1N6620 1N6621 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	1N6620 / U / US 1N6625 / U / US MIL-PRF-19500/585 1N6620, г. 1N6621, г. 1N6622, г. 1N6623, г. 1N6624 1N6625, г. JANS1N6620 JANS1N6620US 1N6623 JANTX 1N6620 1N6621
2012 — 1Н6620 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	1N6620 / U / US 1N6625 / U / US MIL-PRF-19500/585 1N6620, г. 1N6621, г. 1N6622, г. 1N6623, г. 1N6624 1N6620
2009 — 1Н6626 Абстракция: 1N6631U 1N6631 1N6630 1N6629U 1N6629 1N6628U 1N6628 1N6627 1N6626U Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	1N6626 1N6631 1N6626, г. 1N6627, г. 1N6628, г. 1N6629, г. 1N6630 1N6631, г. 1N6628 1N6631U 1N6630 1N6629U 1N6629 1N6628U 1N6628 1N6627 1N6626U
2008 — 1N6625 Абстракция: 1N6620 1N6621 1N6622 1N6620U 1N6623 1N6624 1N6625U Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	1N6620 1N6625 1N6620, г. 1N6621, г. 1N6622, г. 1N6623, г. 1N6624 1N6625, г. 1N6621 1N6622 1N6620U 1N6623 1N6624 1N6625U

2008 — 1N6623 Абстракция: 1N6620 1N6621 1N6624 1N6620U 1N6622 1N6625 1N6625U 1N6623U Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	SS6620 SS6625 1N6620, г. 1N6621, г. 1N6622, г. 1N6623, г. 1N6624 1N6625, г. 1N6623 1N6620 1N6621 1N6624 1N6620U 1N6622 1N6625 1N6625U 1N6623U
M39018 / 03 Резюме: m39018 / 04 M39018 / 01 cur71 M39018 / 01-0740 Cornell Dubilier MIL-PRF-39018 ИНФОРМАЦИЯ О МЕСТОНАХОЖДЕНИИ ПРОИЗВОДИТЕЛЯ И ПОСТАВЩИКА m39018-03 CU71 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	QPL-39018-71 16 июня 2004 г. QPL-39018-70 25 ноября 2003 г. MIL-PRF-39018 MIL-PRF-39018.153-й, -6QPL-39018-71 M39018 / 03 m39018 / 04 M39018 / 01 cur71 M39018 / 01-0740 Корнелл Дубилье MIL-PRF-39018 ИНФОРМАЦИЯ О МЕСТОНАХОЖДЕНИИ ПРОИЗВОДИТЕЛЯ И ПОСТАВЩИКА m39018-03 CU71
2008 — 1н6631 Аннотация: 1N6629 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	1N6626, г. 1N6627, г. 1N6628, г. 1N6629, г. 1N6630 1N6631, г. 1N6626 1N6628 1N6629 1N6631
2008 — 1Н6631 Абстракция: 1N6629 1N6626U 1N6631U 1N6630 1N6629U 1N6626 1N6628U 1N6628 1N6627 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	SS6626 SS6631 1N6626, г. 1N6627, г. 1N6628, г. 1N6629, г. 1N6630 1N6631, г. 1N6626 1N6628 1N6631 1N6629 1N6626U 1N6631U 1N6630 1N6629U 1N6628U 1N6628 1N6627
2006 — 1117c Аннотация: G6C-1117C-US 12LRA G6CK-1117P-US-P6C G6CK-1117C-US G6C-2117P-US G6C-2114P-US G6C-1117P-US G6C-1114P-US g6c1114pus Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	G6C-1117P-US G6C-1114P-US G6C-1117C-US G6C-1114C-US G6C-2117P-US G6C-2114P-US G6C-2117C-US P6C-08P K018-E1-06 1117c G6C-1117C-US 12LRA G6CK-1117P-US-P6C G6CK-1117C-US G6C-2117P-US G6C-2114P-US G6C-1117P-US G6C-1114P-US g6c1114pus
2015 — Контроллер двери лифта Panasonic Реферат: камера iphone Paxton Access 682-825-US контроллер двери лифта Panasonic Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	P72-7298 info / 1549.ibp-ps15-US Контроллер двери лифта Panasonic камера iphone Пакстон Доступ 682-825-США Контроллер двери лифта Panasonic
SMD 5060 Светодиод Аннотация: 5060 LED smd led 5060 datasheet smd led rgb 5060 smd led 5060 led light bar led smd 5060 5060 smd super flux led аварийный свет Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	HL-LB3528W30K7N-12 00 / катушка HL-LB3528R30K7N-12 HL-LB3528Y30K7N-12 HL-RGB30KC1 30шт HL-R60JN2-12 60шт 100см, SMD 5060 LED 5060 светодиод smd led 5060 лист данных smd led rgb 5060 smd светодиод 5060 Светодиодная полоса светодиод smd 5060 5060 smd супер поток светодиод аварийное освещение
1996 — AN8026 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	an8026
2009 — MA101-SS28 Аннотация: MA101-USB MA101-USB МОСТ MA101 SSOP28 IS24C04 TSSOP28 IS24C02 MA101R 405 V3.3 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	MA101 0x0103 MA101-SS28 MA101-USB MA101-USB МОСТ MA101 SSOP28 IS24C04 ЦСОП28 IS24C02 MA101R 405 V3.3
1998 — G6C-1114P-US Аннотация: G6C-1117P-US G6C-2114P-US G6C-2117P-US g6c1114pus Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF	G6C-1117C-US G6C-1114C-US G6C-2114P-US G6C-2117C-US G6C-2114C-US G6CU-1117P-US G6CU-1114P-US G6CU-1117C-US G6CU-1114C-US G6CU-2117P-US G6C-1114P-US G6C-1117P-US G6C-2114P-US G6C-2117P-US g6c1114pus
2000 — П3686070 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF

Глава 41 — Фиброзно-кистозная болезнь печени у детей

Введение

Фиброзно-кистозная болезнь печени относится к гетерогенной группе заболеваний с общими, но также различными патофизиологическими и клиническими признаками.Кистозная дилатация структур внутрипеченочных желчных протоков и портальный фиброз различной степени являются отличительными признаками фиброзно-кистозной болезни печени. Во многих случаях морфологические аномалии почек аналогичны аномалиям печени. На протяжении столетий было признано, что кисты печени и почек встречаются у одних и тех же людей [1], хотя не всегда считалось, что они являются проявлениями одних и тех же заболеваний. Старая литература содержит запутанные описательные классификации фиброзно-кистозных заболеваний с неточными и частично совпадающими определениями.Даже сейчас попытки описания клинических и рентгенологических особенностей, прогноза, естественного течения болезни и лечения несколько затруднены из-за того, что они полагаются на эти описательные отчеты. Однако большая часть молекулярных основ этих расстройств выяснена, и клинические диагнозы модифицируются с использованием более точных генетических критериев. В настоящее время консенсус состоит в том, что генетические детерминанты дифференциации и развития почечных канальцев и билиарных структур приводят к широкому спектру врожденных аномалий, сгруппированных под заголовком фиброзно-кистозная болезнь печени и почек.По этим причинам, а также для более тщательной оценки общего патогенеза и последствий для органогенеза, фиброзно-кистозная болезнь печени и соответствующие почечные аналоги обсуждаются вместе.

Фиброзно-кистозные заболевания печени относятся к «цилиопатиям» или дефектам первичных или неподвижных ресничек. Первичные реснички функционируют как «сенсорные антенны» клетки и простираются наружу от поверхности клетки, чтобы действовать как преобразователь сигнала между внеклеточным и внутриклеточным пространствами.Первичные реснички выполняют множество функций во время эмбрионального развития и морфогенеза тканей, играя важную роль в холангиоцитах и эпителии почечных канальцев. Таким образом, мутации в регуляторных белках этих органелл играют важную роль в патогенезе фиброзно-кистозных заболеваний печени и почек.

В то время как аутосомно-доминантная поликистозная болезнь почек (ADPKD) и аутосомно-рецессивная поликистозная болезнь почек (ARPKD) являются наиболее распространенными цилиопатиями, связанными как с заболеванием печени, так и с заболеванием почек, различные степени поражения почек и / или печени встречаются при многих других цилиопатиях, включая Joubert. , Синдромы Барде-Бидля и Меккеля-Грубера.Мальформация протоковой пластинки (DPM), порок развития портобилиарной системы, является основой заболевания печени при цилиопатиях, которые проявляются в виде врожденного фиброза печени (CHF), синдрома Кароли (CS) и поликистозной болезни печени (PLD).

Эмбриологическое развитие печени обсуждалось в главе 1 и не будет здесь рассматриваться полностью. Однако, чтобы понять эту группу нарушений развития, необходимо рассмотреть этапы формирования макроскопического и микроскопического билиарного дерева.Примерно на восьмой неделе беременности клетки-предшественники, расположенные рядом с сосудами воротной вены корней корней, резко увеличивают выработку цитокератина. Этот рукавный слой клеток дублируется и простирается к периферии вдоль небольших внутрипеченочных ветвей воротной вены. Получающаяся в результате двухслойная оболочка из богатых цитокератином клеток, разделенных щелевым или пластинчатым просветом, была обозначена как протоковая пластинка. Протоковая пластинка подвергается прогрессивному ремоделированию с 12 недель беременности до послеродового периода.Этот процесс начинается на воротах и продолжается к периферии. Как показано на рисунке 41.1, короткие сегменты двухслойного рукава расширяются, образуя канальцы. По мере формирования отдельные желчные протоки включаются в перипортальную мезенхиму вокруг ветвей воротной вены. Эти развивающиеся желчные протоки последовательно экспрессируют цитокератин 19 (CK19) и начинают экспрессировать цитокератин 7, а также другие маркеры дифференцированного билиарного эпителия к 20 неделе беременности. Напротив, клетки-предшественники, которые не связаны с дифференцирующейся пластинкой протоков и желчных протоков, теряют экспрессию цитокератина 19.Эти клетки поддерживают продукцию цитокератина 8 и 18 и в конечном итоге дают начало гепатоцитам.

Рис. 41.1 Схематическое изображение ремоделирования первичной протоковой пластинки. Два слоя клеток изначально разделены щелевидным просветом. Сегменты просвета расширяются, образуя канальцы, которые в конечном итоге становятся желчными протоками, включенными в мезенхиму воротного тракта. Остальная часть пластинки протока эвольвируется. При ДПМ сохраняются незрелые желчные протоки.

Дифференцировка желчных протоков включает серию взаимодействий между мезенхимой, окружающей ветви воротной вены, и эпителием протоковой пластинки.В результате пластинка протока вынуждена образовывать желчные протоки, которые включаются в портальную мезенхиму. Нетрубчатые элементы канальной пластины эвольвентны. Это ремоделирование протоковой пластинки приводит к образованию внутрипеченочного желчного дерева. Сначала формируются самые большие желчные протоки, затем сегментарные, междольковые и, наконец, самые маленькие протоки. Задержка или нарушение ремоделирования приводит к сохранению примитивных конфигураций желчных протоков или к тому, что Йоргенсен назвал мальформацией протоковой пластинки (DPM; Рисунок 41.1) [2]. Дефекты ремоделирования протоковой пластинки обычно сопровождаются аномалиями ветвления воротной вены. Возникновение DPM в разных поколениях развивающегося билиарного дерева приводит к разным клинико-патологическим образованиям [3] (рис. 41.2).

Рисунок 41.2 Иллюстрация, показывающая классификацию фиброзно-кистозной болезни печени на основе размера пораженного протока.

Одиночная непаразитарная киста печени

Одиночные непаразитарные кисты напоминают кисты, наблюдаемые при фиброзно-кистозных заболеваниях, в том смысле, что они имеют скорее онтогенетическое, чем неопластическое происхождение, и выстланы простым кубовидным или столбчатым эпителием желчного типа (рис. 41.3). В окружающей паренхиме печени наблюдается вторичная атрофия, портальный фиброз и разрастание желчных протоков. Однако кисты не связаны с DPM и не наблюдаются вместе с кистами почек, поджелудочной железы или другими кистами. Большинство из них одноглазны и не имеют клинических проявлений. Когда они являются симптоматическими, наиболее частым проявлением является образование в верхней части живота, хотя также могут наблюдаться разрыв, инфекция или кровотечение. Бессимптомные простые кисты не требуют лечения и могут контролироваться ультразвуком.Вмешательство необходимо только при прогрессирующем увеличении, симптомах или если характеристики изображения вызывают неопределенность диагностики [4].

Рис. 41.3. Одиночная непаразитарная киста печени. (A) КТ демонстрирует большую мультилокулированную кисту печени. (B) Внешний вид резецированной кисты с гладкой блестящей поверхностью. (C) Поверхность среза кисты, демонстрирующая локализации. (D) Микроскопически стенка кисты выстлана цитокератин-положительным эпителием AE1.Наружная часть стенки кисты содержит атрофическую паренхиму печени с разрастанием и фиброзом воротных желчных протоков.

Врожденный фиброз печени

Наследственное заболевание, характеризующееся фиброзом печени, портальной гипертензией и кистозной болезнью почек, было описано и названо врожденным фиброзом печени (ЗСН) [5]. Обычно CHF ассоциируется с ARPKD.

В 2002 г. PKHD1 (поликистоз почек и печени 1) был идентифицирован как основной ген ARPKD [6]. PKHD1 кодирует фиброцистин / полидуктин, который локализуется в первичных ресничках и играет причинную роль в кистозной болезни почек [7]. PKHD1 — один из крупнейших генов болезни в геноме человека, простирающийся на геномный сегмент размером не менее 470 т.п.н. и включающий минимум 86 экзонов. Используя технику быстрого скрининга PKHD1 в родословных ARPKD, частота обнаружения мутаций составила 85% у пациентов с тяжелым поражением, 41,9% при умеренной ARPKD и 32,1% у взрослых с CHF или болезнью Кароли [8].

Хотя ЗСН чаще всего ассоциируется с АРПБП, о ней также сообщалось как об изолированном заболевании, а также при АРПБП и нефронофтизе [9]. В большинстве родословных ЗСН передается как аутосомно-рецессивный признак. Общая распространенность синдромов, включающих в себя врожденный фиброз печени, оценивается в 1 из 10 000–20 000 человек [10]. В трех семьях с ХСН и АДПБП патогенные мутации PKD1 были обнаружены у всех восьми больных.Портальная гипертензия была основным проявлением ХСН; гепатоцеллюлярная функция была сохранена, и ферменты печени были в основном нормальными. Присутствие ХСН также было описано при множестве других редких состояний или синдромов, перечисленных в Таблице 41.1. При некоторых из этих синдромов также наблюдается кистозная болезнь поджелудочной железы. В целях обсуждения здесь используется описательный подход; этот раздел посвящен поражению желчных протоков, а поражение почечных канальцев рассматривается при обсуждении ARPKD.

Таблица 41.1 Нарушения со стороны почек, ассоциированные с фиброполикистозом печени

Врожденная болезнь почек
Ассоциированная

9027 9045 фиброз

Фиброполикистоз печени 2
Аутосомно-рецессивная поликистозная болезнь почек ^a Аутосомно-доминантная поликистозная болезнь почек 902 902 9028 902 9028 906 906 906 Аутосомно-рецессивная поликистозная болезнь почек ^a Аутосомно-доминантная поликистозная болезнь почек
Болезнь Кароли 9 0030	Аутосомно-рецессивная поликистозная болезнь почек
Комплексы фон Мейенбурга (изолированные)	?
Комплексы фон Мейенбурга с врожденным фиброзом печени или синдромом Кароли	Аутосомно-рецессивная поликистозная болезнь почек
Комплексы фон Мейенбурга с поликистозом печени	Аутосомно-доминантная болезнь почек	Аутосомно-доминантная болезнь почек	Поликистоз печени	Аутосомно-доминантная поликистозная болезнь почек ^a

Патология

Печень пациентов с ХСН выглядит сильно испещренной серо-белыми полосами фиброзной ткани. (Рисунок 41.4А, Б). Микроскопически ЗСН характеризуется островками нормальной печени, которые разделены широкими и узкими перегородками плотной зрелой фиброзной ткани. Фиброзная ткань содержит удлиненные или кистозные пространства, выстланные обычным желчным эпителием, которые представляют собой поперечные сечения полых структур, составляющих DPM (рис. 41.4C). Выступающие полосы зрелой фиброзной ткани соединяют соседние триады воротных ворот. Хотя перипортальный фиброзный слой отмечен, связанная с ним инфильтрация воспалительными клетками портальной области обычно незначительна.Ветви воротной вены часто кажутся уменьшенными в размере и количестве, а разреженность венозных каналов может частично объяснять портальную гипертензию. Поражения печени при ХСН имеют тенденцию становиться более выраженными со временем, но скорость прогрессирования варьируется. Фиброз может усиливаться на фоне рецидивов холангита. Фиброз при ХСН можно дифференцировать от цирроза печени, при котором наблюдается узловая регенерация, часто воспаление и некроз, а желчные протоки отсутствуют.Портальные тракты при ХСН расширены зрелой коллагеновой тканью, которая образует межпортальные мосты, которые изначально не нарушают ацинарную архитектуру и объясняют отсутствие гепатоцеллюлярной дисфункции. Прогрессирующая синтетическая дисфункция печени может быть связана с повторяющимися эпизодами восходящего холангита.

Рисунок 41.4 Врожденный фиброз печени. (A, B) Общий образец печени, демонстрирующий заметные серо-белые полосы фиброзной ткани. (C) Микроскопический разрез, демонстрирующий расширенные нерегулярно ветвящиеся желчные протоки, деформацию протоковой пластинки и выраженный портальный фиброз.

Клинические проявления

Начало признаков и симптомов варьирует от раннего детства до пятого или шестого десятилетия жизни, но большинству пациентов диагноз ставится в подростковом или юношеском возрасте. Выделяют четыре клинические формы ХСН: портальная гипертензия, которая является наиболее распространенной; холангитный; смешанный; и скрытый (таблица 41.2).

Таблица 41.2 Печеночно-фиброзно-кистозные синдромы

9065 D 9065
9065 D 9065

из всех частей
трубочка 9003 0

BBS

Болезнь почек

Болезнь печени

Сопутствующие признаки

Аутосомно-рецессивная поликистозная болезнь почек

PKHD1 (фиброцистозное расширение)

DPM, ХСН, болезнь Кароли

Аутосомно-доминантная поликистозная болезнь почек

PKD1 (полицистин 1), PKD2 (поликистин 2 из всех частей

из всех кист)

DPM, CHF и болезнь Кароли редко

Кисты печени, возникающие из желчных протоков, но не связанные с ними; внутричерепные и аневризмы аорты; пролапс митрального клапана и другие пороки сердечного клапана; кисты поджелудочной железы; дивертикулы толстой кишки, паховые грыжи

Аутосомно-доминантное поликистозное заболевание печени

PRKCSH (гепатоцистин), SEC36

Отсутствуют кисты перистальтики и желчных путей CHF

Реже разделяют некоторые из внепочечных проявлений, наблюдаемых при ADPKD

Нефронофтиз 3 типа

NPHP3 (нефроцистин-3)

Кисты в области коры головного мозга

Тапеторетинальная дегенерация

Синдром Jeune

Loci 12p, 15q13; IFT8 (внутрижладжеллярный транспортный белок)

Кистозная почечная тубулярная дисплазия

CHF, болезнь Кароли

Низкий рост, скелетная дисплазия, небольшая грудная клетка, укороченность конечностей, полидактилия, тазовые аномалии

Ah21 (jouberin), HPHP1 , NPHP1-4-8 (апикальная поверхность), NPHP5 — (центросомы)

Кистозная дисплазия

CHHP, нефронофтис

Дисгенезия мозжечка, мальформация Денди-Уокера, пороки сердца

Синдром Тренера (наложение с синдромом Жубера)

MKS3 , CC2D2A , RPGRIP30

CHF

Гипоплазия червя мозжечка, олигофрения (задержка развития / умственная отсталость), атаксия, колобома

Синдром Меккеля – Грубера

MKS1 , TMEM67 , TMEM216 , CEP290 D, CC B9D1 , B9D2 (участвует в функции ресничек)

Кортикомедуллярные кисты

DPM

Пороки развития ЦНС, пороки сердца, полидактилия

Синдром Бардета – Бидля

, испытание

Bardet – Biedl. –8 (восемь генов; Мутация M390R)

Кистозная дисплазия, нефронофтиз

CHF

Дегенерация сетчатки, ожирение, деформации конечностей, гипогонадизм

Орально-лицево-пальцевый синдром типа 1—

.

OFD1 (центросомный белок, локализованный в базальных телах в начале первичных ресничек)	Множественные почечные мозговые и корковые макроцисты	Расширение внутрипеченочных желчных протоков, CHF	Оральные расщелины, гамартомы или кисты языка, аномалии пальцев, кисты поджелудочной железы
Синдром Ивемарка	AR	—	Кистозная дисплазия	ХСН, болезнь Кароли	Фиброз поджелудочной железы, обратная сторона сердца и ЦНС
Врожденное нарушение гликозилирования- Ib	AR	PMI (фосфоманнозоизомераза)	Нет	DPM, CHF	Хроническая диарея, энтеропатия с потерей белка, коагулапатия

9018 2 пациентов с клиническими проявлениями портальных ворот гипертоническая ЗСН обычно представляет собой рецидивирующее кровотечение из верхних отделов желудочно-кишечного тракта из-за разрыва варикозного расширения вен пищевода, спленомегалию и гиперспленизм.Эти эпизоды были описаны уже в возрасте 19 месяцев [11], хотя чаще наблюдаются у детей старшего возраста. Патогенез портальной гипертензии связывают с компрессией корешков воротной вены фиброзными связками и аномалией в схеме ветвления воротной вены, приводящей к образованию гипопластических и инволютивных ветвей [5]. Хотя у всех людей с ХСН DPM обнаруживается при биопсии печени при рождении, аномальная эхогенность печени и спленомегалия могут не обнаруживаться в раннем детстве, поскольку портальный фиброз и портальная гипертензия являются патологиями, зависящими от времени, которые развиваются и прогрессируют с возрастом.Тяжесть и скорость прогрессирования ХСН и ее осложнений сильно различаются даже в пределах одной семьи, что затрудняет прогнозирование. Gunay – Aygun et al. описали клинические характеристики 73 пациентов (в возрасте 1–56 лет) с ХСН и АРПКБП, подтвержденные обнаружением мутаций в PKHD1 . Первоначальные симптомы были связаны с печенью у 26% пациентов, в то время как у других было заболевание почек. Было обнаружено, что количество тромбоцитов является лучшим предиктором тяжести портальной гипертензии.Важно отметить, что тяжесть заболевания почек и печени не зависела друг от друга, а фенотипы заболевания не коррелировали с типом мутации PKHD1 [12].

Пациенты с холангитной ХСН имеют аномальное внутри- и внепеченочное билиарное дерево. Основные проявления — холестаз и повторяющиеся эпизоды холангита, которые могут привести к сепсису, нарушению функции печени и замедлению роста. Камнеобразование желчных путей и холангиокарцинома могут развиваться в относительно молодом возрасте [13].

Легочная гипертензия (портальная легочная гипертензия) и сосудистые шунты в легочной паренхиме (гепатопульмональный синдром) являются осложнениями портальной гипертензии, которые редко наблюдаются при ХСН. Асцит и энцефалопатия при ХСН встречаются реже, чем при циррозе.

Результаты лабораторных исследований

У пациентов с ХСН, не осложненных портальной гипертензией или холангитом, лабораторная оценка обычно не вызывает заметных изменений. Уровни аминотрансферазы и билирубина в сыворотке обычно нормальные.Билирубин, гамма-глутамилтрансфераза и щелочная фосфатаза могут повышаться во время эпизодов холангита. Тромбоцитопения и нейтропения наблюдаются у пациентов с портальной гипертензией и гиперспленизмом. Уровни мочевины и креатинина могут быть повышены у пациентов с поражением почек.

Физикальное обследование

Желтуха может быть замечена у пациентов с холангитом или с ухудшением функции печени. Может присутствовать вздутие живота. У пациентов с портальной гипертензией печень увеличена и плотная, с выступающей левой долей и увеличена селезенка.

Диагноз

Диагноз ЗСН можно заподозрить у пациентов с заболеванием печени и почек, что подтверждается результатами визуализации и подтверждается на основании анализа мутаций [11]. Проведена пренатальная диагностика ARPKD / CHF на основе анализа гаплотипов и анализа мутаций [14]. Биопсия печени может предоставить дополнительные характерные данные для ХСН, но ее рутинное использование редко требуется, особенно при фиброзно-кистозной болезни почек, поскольку диагноз может быть установлен только на основании клинических данных.Биопсия печени может быть зарезервирована для пациентов с неоднозначными результатами. Мутации в ARPKD / CHF распределены по PKHD1 , и полиморфизмы являются обычными. Текущий уровень обнаружения мутаций составляет 80–85%. Наблюдается выраженная аллельная гетерогенность, и большинство больных, по-видимому, являются сложными гетерозиготами. Достижения в секвенировании следующего поколения привели к улучшенным диагностическим возможностям в идентификации мутаций PKHD1 и и различении мутаций в других генах, которые могут имитировать ARPKD.Большинство мутаций PKHD1 уникальны для отдельных семей. Создана база данных мутаций ARPKD / PKHD1 (www.humgen.rwth-aachen.de). Генетическая диагностика может служить руководством для персонализированного лечения пациентов с этими заболеваниями с учетом специфики генов и может помочь при принятии решения о включении пациентов в клинические испытания и при выборе вариантов лечения в будущем.

Визуализация

Диагноз ЗСН подтверждается результатами УЗИ, КТ или МРТ брюшной полости.Сонографически печень имеет пятнистую картину повышенной эхогенности. Сонографическая оценка должна включать исследования допплеровского кровотока портальной сосудистой сети с целью выявления признаков портальной гипертензии, таких как обращение портального кровотока или спленомегалия. Ультразвук может показать расширенные протоки, которые часто содержат ил и камни. Кроме того, внутри расширенных протоков часто видны небольшие ветви воротной вены, каждая из которых проявляется в виде небольшой эхогенной точки в независимой части расширенного протока («знак центральной точки») [15].Визуализация с помощью КТ и / или МРТ / MRCP используется для уточнения и подтверждения результатов ультразвукового исследования и для демонстрации степени заболевания. Эти методы обеспечивают более полную оценку кровотока, визуализацию всей системы желчных протоков и лучшую характеристику тканей для улучшения дифференциации между фиброзно-кистозной болезнью печени и поликистозной болезнью печени (PLD). Недавние исследования демонстрируют ценность ультразвуковой эластографии в различении ARPKD от ADPKD и здоровых людей в контрольной группе, а также в корреляции с наличием портальной гипертензии и прогрессированием заболевания печени [16–18].Эндоскопическая ретроградная холангиопанкреатография и чрескожная чреспеченочная холангиография являются инвазивными процедурами с риском осложнений и обычно предназначены для пациентов, которым требуется терапевтическое вмешательство.

Дифференциальная диагностика врожденного фиброза печени

Легко спутать ЗСН с циррозом из-за обширного фиброза, наблюдаемого при биопсии, и портальной гипертензии, наблюдаемой при ЗСН. Пациенты с ХСН обычно имеют сохраненную синтетическую функцию печени, и патологические данные биопсий этих пациентов отличаются от таковых в биопсиях пациентов с циррозом (см. «Патология»).Стриктуры и дилатации желчных протоков, часто наблюдаемые при первичном склерозирующем холангите, могут быть ошибочно приняты за расширенные внепеченочные желчные протоки при ЗСН и даже за внутрипеченочные кисты при ЗСН. Нецирротическая портальная гипертензия, создающая узловую регенеративную гиперплазию, может быть труднее отличить от ХСН, чем цирротическая портальная гипертензия, и зависит от истории болезни, физического обследования, лабораторных исследований и изображений. Биопсия печени часто необходима для выявления внутрипеченочных причин нецирротической портальной гипертензии.Кисты в печени, особенно в небольшом количестве и небольшом количестве, могут быть нормальным вариантом. Кисты печени, наблюдаемые при аутосомно-доминантной PLD (ADPLD), обычно не связаны с CHF, и их можно отличить от кист, связанных с CHF, по большому количеству кист и степени поражения паренхимы печени.

Терапия

Терапия зависит от типа ХСН и клинических проявлений заболевания. В основном он является поддерживающим и направлен на лечение инфекции желчных путей и осложнений портальной гипертензии.Антибактериальная терапия показана при восходящем холангите. Однако рутинная антибиотикопрофилактика холангита не показана [14]. Лечение желчных камней зависит от их расположения, количества и размера. Лучше всего оказывать помощь в учреждении третичного уровня, специализирующемся на лечении желчных камней. Хотя есть теоретические причины, по которым холеретики, такие как урсодезоксихолевая кислота (УДХК), могут препятствовать развитию аномалий желчных протоков или даже фиброза, это не было доказано, и их использование обычно не рекомендуется у детей с АРПКБП [14].Исследования на модели ARPKD на крысах с PKD показывают, что лечение УДХК в течение пяти месяцев приводило к снижению цистогенеза в печени, уменьшению окрашивания CK19 и более низким уровням фиброза по сравнению с необработанными контролями. Не было значительных изменений в почечном цистогенезе, АЛТ, общем билирубине или щелочной фосфатазе [19].

Нет никаких научно обоснованных рекомендаций по лечению портальной гипертензии у детей. Всемирно признанная группа детских и взрослых гепатологов и хирургов разработала стратегии лечения портальной гипертензии у детей, и их рекомендации были обновлены и опубликованы после Педиатрических сателлитных встреч в Бавено в 2016 году [20].Некоторые центры продолжают первичную профилактику с помощью неселективных бета-блокаторов больших варикозно расширенных вен, выявленных при эндоскопии, в то время как другие центры занимаются эндоскопическим лечением варикозных вен с помощью склеротерапии или перевязки бандажа.

Учитывая, что функция печени при ХСН обычно сохраняется в течение длительного времени, селективные процедуры шунтирования могут облегчить осложнения портальной гипертензии. Хирургическое шунтирование будет настоятельно рекомендовано пациентам с большими варикозными узлами, у которых никогда не было кровотечения, если для неотложной помощи при кровотечении из варикозно расширенных вен не доступна соответствующая квалифицированная помощь.Трансплантация печени (ТП) показана пациентам с терминальной стадией заболевания печени или рецидивирующим неконтролируемым холангитом. Шнейдер и др. выделить особые вопросы в процессе принятия решений относительно трансплантации печени детям с заболеваниями печени (ХСН или синдром Кароли) и ARPKD [21]. Четкие показания к комбинированной трансплантации печени и почек при АРПКБП включали сочетание почечной недостаточности и холангита или рефрактерных осложнений портальной гипертензии (включая выраженный гепатопульмональный синдром).Исследование Wen et al. изучили отдаленные результаты трансплантации твердых органов у детей с фиброзно-кистозными заболеваниями печени и почек с использованием Научного реестра реципиентов США (SRTR) с 1990 по 2010 гг. ) или одновременная трансплантация почки и печени (SLK) (всего N = 716; LT = 73, KT = 602, SLK = 41). Средний возраст при первой трансплантации составил 9,7 года. Выживаемость существенно не различалась между SLK иLT и SLK против KT, хотя количество SLK было небольшим. Следует отметить, что риск необходимости трансплантации другого органа был низким (пять из 73 с ESKD после трансплантации печени и 29 из 602, требующих LT после KT), что в большинстве случаев поддерживает изолированную трансплантацию по SLK [22]. Эти данные предполагают, что изолированную трансплантацию следует строго рассматривать по сравнению с SLK, а не предвосхищать прогрессирование заболевания в другом органе.

Эпиднадзор

По результатам исследований взрослых с циррозом печени дети с ХСН могут быть обследованы на варикоз пищевода, особенно когда количество тромбоцитов значительно снижается со временем или до таких вмешательств, как трансплантация почки [23].Небольшие варикозные узлы требуют повторной эзофагогастродуоденоскопии (ЭГДС) через год. Если варикозное расширение вен не выявлено, ЭГДС следует повторить в течение двух-трех лет. Подходящая частота визуализации для наблюдения четко не определена и зависит от тяжести заболевания. Людям с легкой формой заболевания будет достаточно ультразвукового обследования каждые два года; для пациентов с более тяжелым заболеванием ежегодное ультразвуковое обследование может позволить адекватный мониторинг прогрессирования заболевания. Было несколько сообщений о неоплазии печени, возникающей при гепатобилиарных фиброполикистозах; большинство из них — холангиокарциномы (ХАК), а в некоторых случаях — гепатоцеллюлярная карцинома (ГЦК) [24].По данным обширного систематического поиска в литературе, частота гепатобилиарного рака при ХСН составляет около 2% [11]. Однако это не проблемы, которые будут актуальны для детской возрастной группы. Средний возраст диагноза ОСА составил 58,8 года (от 33 до 75 лет) [11]. Нет данных или рекомендаций по надзору за холангиокарциномой или гепатоцеллюлярной карциномой при ХСН у детей.

Генетическое консультирование

После того, как у пробанда был установлен диагноз ЗСН, семейный анамнез с акцентом на гепаторенальная фиброзно-кистозная болезнь, ЗСН / синдром Кароли, заболевание печени или почек неизвестной этиологии может быть использован для определения характера наследования у пробанда. физическое лицо с CHF.Если у пробанда не выявлен аутосомно-рецессивный синдром и / или результаты и / или семейный анамнез предполагают аутосомно-доминантное наследование, тогда проводится ультразвуковое обследование родителей и братьев и сестер для оценки наличия бессимптомных заболеваний почек и / или печени, характерных для ADPKD. полезный. Другие оценки, включая функциональные тесты почек и генетическое тестирование, могут быть полезны для установления конкретного гепаторенального фиброзно-кистозного заболевания, связанного с ХСН, на основе аномалий, выявленных в семейном анамнезе и при физикальном обследовании.Для будущих беременностей можно рассмотреть возможность использования доимплантационных технологий генетической диагностики.

Аутосомно-рецессивная поликистозная болезнь почек

Аутосомно-рецессивная поликистозная болезнь почек — это редкая и тяжелая цилиопатия с ранним началом, в основном вызываемая мутациями в гене PKHD1 . Фиброцистин / полидуктин является продуктом PKHD1 [6, 25]. Мутации в DZIP1L , который кодирует белок цилиарной переходной зоны, были описаны в четырех неродственных семьях с ARPKD [26].Заболевание приводит к потере функции почек у ~ 50% пациентов в течение первых двух десятилетий жизни [7]. Несмотря на низкую заболеваемость (1:20 000 живорождений), ARPKD является основной причиной терминальной стадии почечной недостаточности, требующей заместительной почечной терапии в раннем детстве. Хотя ARPKD включает спектр клинических и гистопатологических проявлений, есть два постоянных признака: аномалии желчевыводящих путей, возникающие из-за DPM, и веретенообразная дилатация собирающих протоков почек.

У пораженных младенцев почки сохраняют свою естественную форму, но значительно увеличиваются в размерах.Макроскопически почечная поверхность усеяна небольшими опалесцирующими кистами, представляющими веретенообразное расширение собирающих протоков (рис. 41.5A, B). Микроскопически расширенные собирательные каналы расположены под прямым углом к капсуле, а кортикомедуллярное соединение не видно (рис. 41.5C). Напротив, клубочки и другие сегменты нефрона выглядят нормально. Со временем развивается прогрессирующий интерстициальный фиброз, что приводит к прогрессирующему ухудшению функции почек. Поражение печени при ARPKD включает увеличенные, нерегулярно фиброзные портальные области, которые содержат извилистые и большие желчные протоки, связанные с сохранением протоковой пластинки.Эти гистопатологические данные неотличимы от результатов изолированной ЗСН. Если процесс приводит к макроскопическому расширению внутрипеченочного желчного дерева, он попадает в категорию синдрома Кароли (рис. 41.6). Клинически, как и при изолированной ЗСН, тяжесть поражения печени обратно пропорциональна возрасту.

Рис. 41.5 Аутосомно-рецессивная поликистозная болезнь почек. (A, B) На разрезе почки видны бесчисленные маленькие опалесцирующие кисты довольно однородного размера.(C) Микроскопически кисты представляют собой кистозно расширенные собирательные каналы, расположенные перпендикулярно капсуле.

Рисунок 41.6 Синдром Кароли. (A) Холангиограмма эксплантата печени с выраженной дилатацией внутрипеченочного желчного дерева. (B) Поверхность среза той же печени, на которой видны кистозная дилатация желчевыводящих путей и фиброзные полосы по всей печени, соответствующие врожденному фиброзу печени.

Гематемезис и мелена сигнализируют о наличии варикозного расширения вен пищевода.Обычно кровотечение из варикозно расширенных вен у детей возникает в возрасте от 5 до 13 лет, но сообщалось об этом и у младенцев [11]. Помимо нефромегалии у детей может быть выраженная гепатомегалия и спленомегалия. Значения азота мочевины в крови и креатинина сыворотки зависят от тяжести поражения почек. Синтетическая функция печени, показатели билирубина и аминотрансферазы в целом в норме. Анемия, лейкопения и тромбоцитопения предполагают связанный гиперспленизм. Хотя фенотип заболевания весьма разнообразен, у многих детей в той или иной степени присутствует сопутствующая портальная гипертензия и хроническая почечная недостаточность.Диагноз предполагает клиническая картина и рентгенологические исследования.

У младенцев ультразвуковое исследование выявляет массивные гиперэхогенные почки с потерей кортикомедуллярного перехода и эхогенную печень в разном увеличении. У детей старшего возраста размер и эхогенность почек более изменчивы, могут быть очевидны макроскопические кисты. Результаты ультразвукового исследования печени, включая допплеровские исследования, КТ и МРТ, описаны в предыдущем обсуждении ХСН. Для окончательного диагноза может потребоваться биопсия почек и печени, но диагноз может быть выведен на основании гистологии одного органа и типичных результатов сонографии.

Лечение поражений печени при ARPKD такое же, как описано для CHF. Пациенты подвержены риску восходящего холангита с сопутствующим сепсисом и печеночной недостаточностью; необъяснимая или продолжительная лихорадка может потребовать диагностической биопсии печени и посева. Хотя портальную гипертензию можно успешно лечить, а синтетическая функция печени обычно хорошо сохраняется при ARPKD, трансплантация печени может быть оправдана у пациентов с хроническим холангитом. Многие пациенты с АРПБП умирают в перинатальном периоде или в младенчестве от почечной недостаточности или легочной недостаточности.В исследовании долгосрочных результатов выживших новорожденных с ARPKD сообщалось о однолетней и пятилетней выживаемости пациентов 85% и 82% соответственно, а также о выживаемости почек через пять, десять, 20 лет 86%, 71%, 42%, соответственно [7].

Болезнь Кароли и синдром Кароли

Кароли описал две формы врожденного расширения внутрипеченочного желчного дерева, связанного с кистозной болезнью почек [27]. При более распространенном типе аномальная кистозная дилатация внутрипеченочных желчных протоков связана с ЗСН и мальформацией протоковой пластинки.Это явление называется синдромом Кароли. Второй, гораздо более редкий тип характеризуется чистой эктазией протоков без фиброза и называется болезнью Кароли. Было высказано предположение, что болезнь Кароли возникает в результате остановки ремоделирования протоковой пластинки на уровне более крупных внутрипеченочных желчных протоков (рис. 41.2), тогда как синдром Кароли возникает, когда затрагивается весь спектр дифференцировки желчных протоков, так что меньшие межлобулярные протоки поражаются. вовлечены и развивается ХСН. Поскольку в некоторых отчетах описываются изменения, ограниченные левой долей печени, болезнь Кароли описывается в некоторых классификационных схемах как диффузная или локализованная.

Эти образования чаще встречаются у женщин. Оба состояния передаются по аутосомно-рецессивному типу и связаны с ARPKD или, очень редко, с ADPKD [28]. Большинство кист холедоха, наблюдаемых при ARPKD, не связаны с пороками развития Кароли. В исследовании, проведенном Национальным институтом здоровья, было описано 73 пациента с ARPKD и CHF. У пятидесяти шести процентов пациентов был расширенный CBD, но не было внутрипеченочных желчных аномалий, основанных на результатах УЗИ высокого разрешения или MRCP.Однако у 40% детей результаты визуализации соответствовали синдрому Кароли с различным поражением общего желчного протока [12].

Признаки и симптомы включают перемежающуюся боль в животе и гепатомегалию. Описана стеаторея. При синдроме Кароли, поскольку поражение при ХСН также присутствует, признаки портальной гипертензии являются обычным явлением и обычно предшествуют холангиту. И при болезни Кароли, и при синдроме эктазии протоков предрасполагает к застою желчи с последующим образованием осадка и камней и риском инфекции.

Возраст проявления синдрома Кароли сильно варьируется. Почечные симптомы и холестаз присутствуют в младенчестве, тогда как холангит и проявления портальной гипертензии, скорее всего, проявляются в раннем детстве. Rawat et al. сравнили возраст обращения и клинические симптомы пациентов с синдромом Кароли (21 пациент) и детей с ХСН (19 пациентов). Они обнаружили, что дети, поступившие в период новорожденности, часто имеют синдром Кароли и имеют худший прогноз, поскольку у них может развиться терминальная стадия почечной недостаточности с необходимостью комбинированной трансплантации печени и почек в детстве [29].ХБП также может развиться у детей с синдромом Кароли, которые поступают позже, и в их исследовании им не требовалась трансплантация почки, поскольку их почечная дисфункция не прогрессировала. Холангит увеличивает значительную заболеваемость в этой группе пациентов и сам по себе может быть показанием для трансплантации печени.

Диагноз подтверждается визуализирующими исследованиями, такими как КТ брюшной полости, УЗИ (Рисунок 41.7A) и MRCP (Рисунок 41.7B, C), которые демонстрируют нерегулярную кистозную дилатацию больших проксимальных внутрипеченочных желчных протоков.Биопсия печени требуется редко для постановки диагноза болезни или синдрома Кароли. Патологические находки при болезни Кароли могут показать эктазию более крупных внутрипеченочных протоков с признаками холангита. Эктазия и пролиферация внутрипеченочных желчных протоков с тяжелым перипортальным фиброзом являются патологическими особенностями компонента ХСН синдрома Кароли.

Рис. 41.7 Рентгенологические данные при синдроме Кароли. (A) Ультразвук печени, демонстрирующий большую заднюю кисту и заметно расширенный внутрипеченочный желчный проток.Эхотекстура печени грубая и неоднородная. (B) МР-холангиограмма, вид под косой коронкой у того же пациента, демонстрирующая кисты, отмеченные на УЗИ, а также более диффузное поражение внутрипеченочных желчных протоков. (C) Составной поперечный разрез дает еще более подробную информацию о степени расширения внутрипеченочных желчных протоков.

Дифференциальный диагноз синдрома Кароли и заболевания включает первичный склерозирующий холангит, рецидивирующий пиогенный холангит, обструктивную дилатацию желчевыводящих путей, PLD и кисту холедоха.Расширение протока при первичном склерозирующем холангите обычно является изолированным и веретеновидным, в отличие от характерного саккулярного расширения при синдроме и болезни Кароли. Может быть трудно отличить PLD от синдрома Кароли, поскольку при обоих заболеваниях у пациентов могут быть кисты печени и почек. Однако кисты печени при PLD не сообщаются с обычно нормальными желчными протоками, а портальная гипертензия при PLD встречается редко. Холангит, холелитиаз, билиарный абсцесс, сепсис и холангиокарцинома — все это потенциальные осложнения синдрома и болезни Кароли.Постулируется, что повышенный риск холангиокарциномы у этих пациентов возникает из-за длительного воздействия на эпителий протока высоких концентраций неконъюгированных вторичных желчных кислот и, вероятно, рецидивирующего холангита. Печеночная недостаточность, вторичная по отношению к рецидивирующему холангиту или билиарному циррозу, абсцессам печени или осложнениям портальной гипертензии, увеличивает смертность этих пациентов.

Терапия синдрома Кароли аналогична терапии ХСН. Инфекция лечится с помощью антибиотиков, а при тяжелом локализованном заболевании — лобэктомии пораженной доли.Фактически, частичная гепатэктомия также показала свою эффективность, если поражение желчных путей преимущественно ограничено отдельной областью [30]. Lendoire et al. сообщили о отдаленных результатах хирургического лечения 24 взрослых с болезнью Кароли [31]. Они пришли к выводу, что хирургическая резекция является лучшим вариантом лечения одностороннего заболевания, обеспечивающим долгосрочное выживание без симптомов и осложнений. Трансплантация печени рекомендуется при билобарной болезни с прогрессирующей декомпенсацией функции печени и осложнениями портальной гипертензии или в случае рецидивирующего холангита и подозрения на холангиокарциному.Трансплантация печени может быть показана и младенцам. Kim et al. описали семимесячного младенца с болезнью Кароли, перенесшего успешную трансплантацию печени по поводу рецидивирующего холангита и цирроза [32]. Millwala et al. опубликовал исследование, основанное на данных United Network for Organ Sharing о 104 пациентах с болезнью Кароли / синдромом Кароли, которым была проведена трансплантация в период с 1987 по 2006 год [33]. Они показали отличную выживаемость пациентов и трансплантатов, такую же или лучшую, чем у пациентов, которым была проведена трансплантация по другим причинам.Общая выживаемость трансплантата в течение одного, трех и пяти лет (79,9%, 72,4% и 72,4% соответственно) и выживаемость пациентов (86,3%, 78,4% и 77% соответственно) были отличными. Для восьми пациентов, которым была проведена комбинированная трансплантация печени / почек, выживаемость одного года и трансплантата составила 100%. Millwala et al. предложили алгоритм оценки и медикаментозного и хирургического лечения болезни Кароли [33].

Аутосомно-доминантная поликистозная болезнь почек

Бристоу впервые описал связь между кистами печени и почек у взрослых в 1856 году [1].Первоначально это заболевание было названо поликистозом взрослых; впоследствии номенклатура была изменена, чтобы отразить способ генетической передачи. Аутосомно-доминантный поликистоз почек — наиболее частая наследственная почечная патология, встречающаяся у одного из 400–1000 человек [34]. Примерно у 10% пациентов с ADPKD не будет положительного семейного анамнеза ADPKD, и предполагается, что они имеют новую генетическую мутацию. Как и ARPKD, ADPKD характеризуется кистами почек и печени, но ADPKD часто ассоциируется с другими висцеральными аномалиями.К ним относятся внутричерепные аневризмы и аневризмы аорты, пролапс митрального клапана и другие пороки сердечного клапана, кисты поджелудочной железы, дивертикулы толстой кишки и паховые грыжи. ADPKD редко ассоциируется с CHF или синдромом Кароли; более типичным проявлением ADPKD в печени является PLD.

Почки при ADPKD содержат многочисленные кисты разного размера с неравномерным распределением, что приводит к увеличению и деформации (рис. 41.8). У маленьких детей кисты меньше и имеют тенденцию к скоплению; они иногда затрагивают клубочки, а также собирающую систему.В почках детей старшего возраста и взрослых обычно наблюдаются кисты неправильного размера, распределенные по всему органу, с нормальной паренхимой почек.

Рис. 41.8 Аутосомно-доминантная поликистозная болезнь почек. (A) МРТ демонстрирует вариабельность размеров и распределения почечных кист, а также нормальную печень и желчевыводящие пути. В левой доле есть крошечная киста печени (крошечная белая точка), которая, кажется, не связана с желчным деревом.(B) Резецированная почка имеет множественные кисты, деформирующие капсулу и затемняющие нормальный контур. (C) Поверхность разреза демонстрирует различный размер и распределение кист.

Симптоматическое начало ADPKD варьируется, но обычно наступает после 40 лет. Осложнения включают системную гипертензию, гематурию, протеинурию и пиелонефрит. Примерно у 50% пациентов с ADPKD поражение почек прогрессирует до терминальной стадии почечной недостаточности. Инфекция, кровотечение и разрыв могут возникать как в кистах почек, так и в печени.

Как правило, лабораторные тесты не имеют большого диагностического значения. Повышение уровня азота мочевины в крови и креатинина сыворотки, а также снижение концентрирующей способности мочи напрямую связаны с тяжестью поражения почек. Щелочная фосфатаза в сыворотке повышена у 10–20% пациентов, тогда как значения аминотрансфераз и билирубина в сыворотке обычно в норме. Диагностика требует тщательного семейного анамнеза, оценки клинических симптомов и признаков, а также методов визуализации, таких как УЗИ или КТ брюшной полости; МРТ — полезный диагностический метод для выявления инфекции кисты, кровотечения или кальцификации.Ультразвук почек является нормальным примерно у 20% пациентов в возрасте 20 лет.

В семьях, в которых была выявлена ADPKD, можно использовать тестирование генетической связи, чтобы определить, являются ли люди из группы риска носителями гена болезни. Большинство случаев ADPKD связано с мутацией в PKD1 (Chr.16p13.3; примерно 78% семей) и PKD2 (4p21; примерно 15%) с редким третьим локусом, GANAB (11q12 .3; примерно 0,3%) недавно выявленных [35, 36]. PKD1 — очень большой сложный ген (46 экзонов), расположенный на хромосоме 16p13. Он кодирует белок полицистин 1, который представляет собой большой мембраносвязанный белок с рецептороподобными свойствами, который взаимодействует с полицистином 2, белковым продуктом PKD2 . Полицистин 1 обнаружен во всем теле, включая органы брюшной полости (почки, печень, поджелудочную железу), а также сердце и сосудистую сеть. Его широкое присутствие помогает объяснить фенотип полиорганной системы. PKD2 — меньший ген (15 экзонов), расположенный на хромосоме 4q21-q23, и его мутации составляют только 15% ADPKD.Его продукт, полицистин 2, представляет собой катионный канал, который модулирует концентрацию внутриклеточного кальция, важный детерминант нескольких последующих сигнальных процессов [37]. Комплексы полицистин 1 / полицистин 2 имеют большое влияние на пролиферацию, адгезию, апоптоз, взаимодействия клеточного матрикса, дифференцировку, формирование паттерна канальцев и полярность клеток. Следовательно, ожидается, что структура и функция клеток при ADPKD серьезно нарушены, что приведет к образованию кист. Характеристика белков, измененных при ADPKD, дополнительно подтверждает центральную роль ресничек в патогенезе PKD [38].Пациенты с ADPKD являются гетерозиготами с одним мутантным аллелем и одним аллелем дикого типа. Таким образом, предполагается, что первое попадание происходит с мутацией зародышевой линии в PKD1 или PKD2 и что другая соматическая мутация в аллеле дикого типа необходима для инициации образования кисты [39]. Хотя мутации GANAB (альфа-субъединица глюкозидазы II) составляют небольшую часть пациентов с ADPKD [36], почечный фенотип, связанный с мутациями GANAB , неизменно мягкий без почечной недостаточности, так что любое увеличение почек происходит из-за нескольких крупных кисты [40].

Согласно международному консенсусу по ADPKD, распространенность кист печени у детей с ADPKD составляет <5% без сообщений о тяжелых случаях [41]. Тем не менее, кисты печени увеличиваются в количестве и размерах с возрастом и присутствуют примерно у 50% пациентов с ADPKD с почечной недостаточностью. Bae et al. сообщили о распространенности кист печени по данным МРТ у 57% женщин и 60% мужчин в возрасте от 15 до 25 лет. Кисты печени были выявлены у 94% пациентов старше 35 лет [42].На цистогенез печени влияет эстроген, причем самые большие кисты наблюдаются у беременных или принимавших эстрогены женщин. Кисты печени при ADPKD происходят из желчных путей, но не непрерывно с ними. Существует мало информации о влиянии типа или положения мутаций на степень кистозной болезни печени [43].

Большинство пациентов с кистами печени не нуждаются в лечении. Пациентам с тяжелым симптоматическим заболеванием требуется вмешательство для уменьшения объема кисты и размера печени.Выбор процедуры (чрескожная аспирация кисты со склерозом или без него, лапароскопическая фенестрация кисты, комбинированная резекция печени и фенестрация кисты и трансплантация печени) определяется анатомией и распределением кист.

Комбинированное чрескожное дренирование кист и лечение антибиотиками обеспечивают наилучшие результаты лечения инфекций кисты печени. Длительное подавление или профилактика пероральными антибиотиками показано при рецидиве или рецидиве инфекции. Фторхинолоны и триметоприм-сульфаметоксазол эффективны против типичных инфекционных организмов и хорошо проникают в желчные пути и кисты [44].

Недавно FDA одобрило использование толваптана, антагониста рецептора вазопрессина V2 (V2 R), для лечения быстро прогрессирующего заболевания у взрослых с ADPKD. Толваптан снижает уровень цАМФ в кистозных тканях и замедляет прогрессирование кистозных опухолей почек и снижение функции почек, но может вызывать повышение концентрации фермента аминотрансферазы с потенциалом острой печеночной недостаточности [45]. Американское общество нефрологов опубликовало рекомендации относительно безопасности и эффективности применения толваптана у взрослых с ADPKD [46], но толваптан не рекомендуется для лечения PKD у детей.

Только золотые участники могут продолжить чтение. Войдите или зарегистрируйтесь, чтобы продолжить

Связанные

Обращение к домам. Введение нумерации домов в Европе на JSTOR

Абстрактный

В статье рассматривается технология идентификации домов, характерная для классифицирующего духа XVIII века: нумерация домов.Эта технология была введена не для облегчения ориентации жителей города или помощи иностранцам; его происхождение может быть расположено в приграничных районах раннего современного полицейского, военного и налогового управления. Его цель — предоставить государству доступ к богатствам и ресурсам каждого дома, а также упростить контроль, налогообложение, вербовку их жителей или размещение солдат. После обзора развития нумерации домов в Европе XVIII века в этой статье рассматриваются различные системы нумерации домов (последовательная нумерация всех домов в городе или районе, нумерация блоков, «схемы по часовой стрелке», четные / странная система и т. д.), утверждая, что было трудно заставить людей принять разницу между адресом и физическими данными (дом).L’article traite d’une technologie d’identification caractéristique de l’esprit classificateur du XVIIIe siècle: le numérotage des maisons. Cette technologie n’a pas été Introduction dans le but de simpleifier l’orientation des villes ou d’être utile aux étrangers. Elle Trouve son origine dans une zone frontière o côtoient l’armée, le fisc et la police. Les numéros de maison devait permettre à l’État l’accès aux richesses et aux ressources des maisons, pour contrôler, impser et recruter les vants or loger des soldats.Après un tour d’horizon sur l’introduction du numérotage de maisons en Europe, l’article traite des différents systèmes utilisés pour le numérotage (numérotage dans l’ordre des localités entières ou par District, numérotage des pâtés de maisons des ruesuméro selon le système du «fer à cheval» или le système pair / impair). Il ne fut pas facile de faire accept l’idée d’une différence entre le numéro (celui de la maison) et l’adresse.

Информация о журнале

Depuis 1986, Histoire & Mesure publie des article qui, au-delà des découpages disiplinaires et chronologiques, placent l’histoire et la mesure au center de leurs problématiques.La revue entend ne pas opposer касается критики, касающейся измерений и использования статистических методов, ne pas séparer méthodologie et histoire. Pour cela, elle lie deux приближается к комплементам. L ’» histoire de la mesure «et des statistiques предлагает отражение в содержании и релевантности предметов, на условиях работы, над надписью в категориях qui ont elles-mêmes une histoire. La «mesure de l’histoire» предлагает презентацию статистической информации и использования chiffre pour mesurer des fénomènes Historiques de tous ordres (du климат à l’histoire culturelle en passant par l’histoire sociale , économique, politique…). C’est par une réflexion conjointe sur les sources et les méthodes, leurs apports et leurs limites, ainsi que sur l’histoire de nos outils statistiques que la revue se предлагают вклад в аванс исторических исследований.

Информация об издателе Миссия

Éditions de la ‘EHESS заключается в повышении осведомленности и распространении требовательных и инновационных исследований среди научного сообщества и любознательной аудитории социальных наук. В соответствии с экспериментальной традицией École des Hautes Études en Sciences Sociales, они участвуют в исследовании новых областей знаний и работают над интеллектуальным проектом социальных наук множеством способов, областей и периодов, которые организуют эти дисциплины. .Les Éditions de l’EHESS ont pour mission de faire connaître et diffuser, auprès de la communauté scientifique et d’un public curieux des Sciences sociales, des recherches exigeantes et novatrices. В соответствии с экспериментальной традицией школы высоких исследований в области социальных наук, участие в исследованиях новых полей знаний и трудностей в интеллектуальном проекте социальных наук, в множестве различных образований и территорий. спокойные организационные дисциплины.

Уровни срабатывания сигнализации персонального детектора газа

Гарантия 2 года на все датчики. Выбор и использование детекторов 23 легковоспламеняющихся газов с сигнализацией для предупреждения о неисправном состоянии жизненно важны, потому что, если детектор выходит из строя, он может ложно указывать на безопасное состояние, например показывать нулевое показание.

Оборудование для мониторинга замкнутого пространства Afc International

Уровни срабатывания сигнализации детектора газа выбор уставок срабатывания сигнализации является в первую очередь обязанностью пользователя, но если не даны инструкции или спецификации, воздух будет соответствовать приборам, использующим сигнализацию настройки в соответствии со следующими рекомендациями.

Уровни срабатывания сигнализации персонального детектора газа . Как следует из названия, gasalertclip extreme работает, вызывая предупреждение, чтобы уведомить рабочих, когда заданное значение газа превышено и когда существует повышенный риск отравления. Gas low high twa stel o2 19 5 vol 23 5 vol n a co 35 ppm a b 70 ppm b. Смотрите низкие и высокие диапазоны.

Просмотр или загрузка настроек сигнализации детектора газа для промышленных научных исследований. Lel-монитор также называют lel-детектором газа lel-детектором газа или просто фиксированным.Это детектор сроком на 2 года, который можно использовать в качестве персонального монитора h3s, в частности, для нефтегазовых и промышленных приложений.

При установке уровней срабатывания сигнализации на детекторах токсичных газов следует учитывать различные факторы, относящиеся к характеристикам выделения токсичного газа и самого детектора, чтобы минимизировать риск потенциально опасных уровней воздействия на персонал. Воздействие токсичных веществ на рабочих с течением времени. Детектор газа altair io360 предлагает четыре обнаружения газа для зон повышенного риска, включая периметр замкнутого пространства и общий мониторинг зоны.

altair io360 сочетает в себе простую настройку умного дома и позволяет осуществлять локальный или удаленный мониторинг опасных зон. В нем не должно быть необнаруживаемых неисправностей. Рабочие часто подвергаются риску воздействия газа в ситуациях, когда невозможно контролировать атмосферу, например, при входе в замкнутое пространство.

Тревоги по газу имеют приоритет над всеми остальными тревогами. Модернизация на месте 2 и 3 детектора газа могут быть модернизированы на месте до 3 или 4 детекторов газа.Следует подчеркнуть.

Lel-монитор — это прибор, используемый для обнаружения опасных уровней горючего газа или паров растворителя в воздухе, выраженных в lel или нижнем пределе взрываемости. Пороговые значения срабатывания детектора газа Пределы воздействия, определенные в этой Директиве 2017 164, основаны на рисках личного облучения. Пределы, сконфигурированные в детекторах газа как два уровня срабатывания сигнализации, выражаются за два периода времени.

Датчик Lel для защиты от превышения допустимого диапазона. Уровни срабатывания сигнализации важно отметить, что в то время как портативные газоанализаторы измеряют и подают сигнал тревоги на уровнях twa, включены мгновенные срабатывания сигнализации, чтобы обеспечить раннее предупреждение о воздействии опасных концентраций газа.Просмотрите весь наш раздел газового образования, чтобы узнать больше об обнаружении газа.

Уровни срабатывания сигнализации для токсичных газов.

Портативный многопозиционный детектор газа Kt 602 Ключевое слово от одного до четырех

Портативный многопозиционный газоанализатор Kt 602 От одного до четырех ключевого слова

Персональный монитор Drager X Am 2500

Сколько мне нужно сигнализаторов дыма Потребность в моем доме Жилой дым

Сколько мне нужно дымовой сигнализации в моем доме Жилой дым

Bw Technologies Gaxt G Dl Gasalert Extreme Ozone O3 Single Gas

Угарный газ Свойства угарного газа Уровни тревоги и газ

Моноксид углерода Свойства угарного газа Уровни тревоги и газы

Ht 530 Mini Lcd Gas Detector Alarm Детектор угарного газа

Gx 3r Four Gas Monitor Gas Датчики от Rki Instruments

Gx 3r Четыре газоанализатора Газовые датчики от Rki Instruments

Разница между стационарными и портативными детекторами газа

Рекомендации по размещению детекторов газа Международные детекторы газа

Персональный монитор h3s Xs 2200 New Cosmos Electric Co Ltd

Портативные детекторы природного газа Мониторы оборудования счетчики

Таблица уровней окиси углерода Gaslab Com

Gaslab Com Gasman

Точка мониторинга газа с одним детектором

Точка слежения за газом с одним детектором Crowcon

Специальные предложения Экстремальный 3-летний портативный газоанализатор для водорода

Воздействие Персональный детектор газа, постоянно контролирующий Ударный персональный детектор газа

Постоянно отслеживающий результаты калибровочных тестов

и график технического обслуживания для газа

Калибровочные ударные тесты

и график технического обслуживания газа

Natural Digital Gas Detector Home Gas Alarm Детектор утечки газа

Natural Digital Gas Detector Домашняя газовая сигнализация Детектор утечки газа

Kidde Multi Gas Detector Canadian Tire

Рекомендации по использованию портативных газоанализаторов в замкнутых пространствах

Мощные регулируемые стабилизаторы с защитой.Схема регулятора напряжения. Размеры и тип установки

Стабилизаторы транзисторные с защитой от перегрузки (теория)

Блоки питания

А. МОСКВИН, Екатеринбург
Радио, 2003, № 2-3

Вроде про стабилизаторы постоянного напряжения все написано. Тем не менее, разработка надежного и не слишком сложного (не более трех-четырех транзисторов) стабилизатора, особенно с повышенным током нагрузки, является довольно серьезной задачей, поскольку на одном из первых мест стоит требование надежной защиты регулирующих транзисторов. от перегрузки.В этом случае желательно, чтобы после устранения причины перегрузки нормальная работа стабилизатора восстанавливалась автоматически. Стремление соответствовать этим требованиям часто приводит к значительному усложнению схемы стабилизатора и заметному снижению его КПД. Автор предлагаемой статьи пытается найти оптимальное, по его мнению, решение.

Прежде чем искать оптимальное решение, проанализируем нагрузочные характеристики стабилизаторов напряжения Uвых = f (Iвых), выполненных по наиболее распространенным схемам.В стабилизаторе, описанном в статье, при перегрузке выходное напряжение Uout быстро уменьшается до нуля. Однако ток в этом случае не уменьшается и может быть достаточным для выхода из строя нагрузки, а мощность, рассеиваемая регулирующим транзистором, иногда превышает допустимое значение. Аналогичный стабилизатор дополнен спусковой защитой. Перегрузка снижает не только выходное напряжение, но и ток. Однако защита недостаточно эффективна, так как срабатывает только после падения выходного напряжения ниже 1 В и при некоторых условиях не устраняет тепловую перегрузку регулирующего транзистора.Чтобы вернуть такой стабилизатор в рабочий режим, необходимо практически полностью отключить нагрузку, а это не всегда приемлемо, особенно для стабилизатора, обслуживающего часть более сложного устройства.

Защита стабилизатора, схема которого приведена на рис. 1, срабатывает даже при незначительном снижении выходного напряжения, вызванном перегрузкой. Номиналы элементов схемы приведены для выходного напряжения 12 В в двух вариантах: без скобок, если VD1 — D814B, и в скобках — если это KS139E.Краткое описание работы такого стабилизатора имеется в.

Его хорошие параметры объясняются тем, что все необходимые сигналы формируются из стабилизированного выходного напряжения, а оба транзистора (регулирующий VT1 и управляющий VT2) работают в режиме усиления напряжения. Экспериментально полученные нагрузочные характеристики этого стабилизатора показаны на рис. . 2 (кривые 3 и 4).

При отклонении выходного напряжения от номинального его приращение через стабилитрон VD1 практически полностью передается на эмиттер транзистора VT2.Если не учитывать дифференциальное сопротивление стабилитрона, ΔUe ≈ ΔUout. Это сигнал отрицательной обратной связи. Но есть и положительный момент в аппарате. Он создается частью приращения выходного напряжения, которое поступает на базу транзистора через делитель напряжения R2R3:

Суммарная обратная связь в режиме стабилизации отрицательная, сигналом ошибки является значение,

, который по абсолютной величине тем больше, чем меньше R3 по сравнению с R2.Уменьшение этого соотношения благотворно влияет на коэффициент стабилизации и выходное сопротивление стабилизатора. Учитывая, что

Стабилитрон VD1 следует выбирать на максимально возможное, но меньшее выходное напряжение стабилизации.

Если заменить резистор R3 двумя диодами, соединенными в прямом направлении и соединенными последовательно (как предлагается, например, в), параметры стабилизатора улучшатся, так как место R3 в выражениях для ΔUb и ΔUbe будет приниматься малым дифференциальным сопротивлением открытых диодов.Однако такая замена приводит к некоторым проблемам при переходе стабилизатора в защитный режим. О них мы поговорим ниже, а пока оставим резистор R3 на прежнем месте.

В режиме стабилизации падение напряжения на резисторе R1 практически не меняется. Ток, протекающий через этот резистор, складывается из тока стабилитрона VD1 и эмиттерного тока транзистора VT2, который практически равен току базы транзистора VT1.При уменьшении сопротивления нагрузки последняя составляющая тока, протекающего через R1, увеличивается, а первая (ток стабилитрона) уменьшается до нуля, после чего повышение выходного напряжения больше не передается на эмиттер транзистора VT2. через стабилитрон. В результате цепь отрицательной обратной связи разрывается, а продолжающая работать положительная обратная связь приводит к лавинообразному закрытию обоих транзисторов и отключению тока нагрузки. Ток нагрузки, при превышении которого срабатывает защита, можно оценить по формуле

где h31e — коэффициент передачи тока транзистора VT1.К сожалению, h31e сильно варьируется от одного экземпляра к другому, в зависимости от тока и температуры. Поэтому при установке часто приходится выбирать резистор R1. В стабилизаторе, рассчитанном на большой ток нагрузки, сопротивление резистора R1 невелико. В результате ток через стабилитрон VD1 при уменьшении тока нагрузки возрастает настолько, что необходимо использовать стабилитрон повышенной мощности.

Наличие в нагрузочных характеристиках (см. Кривые 3 и 4 на рис.2) относительно протяженных переходных участков между рабочим и защитным режимами (отметим, что эти участки являются наиболее сложными с точки зрения теплового режима транзистора VT1) в основном объясняется тем, что развитие процесса коммутации местная отрицательная обратная связь через резистор R1 предотвращает. Меньшее напряжение

стабилизации стабилитрона VD1, чем больше, при прочих равных, номинал резистора R1 и тем более «затянут» переход из рабочего в защитный режим стабилизатора.

Сделанный ранее вывод о целесообразности использования стабилитрона VD1 с максимально возможным напряжением стабилизации подтвержден экспериментально. Выходное напряжение стабилизатора по схеме, представленной на рис.1, с стабилитроном D814B (Uст = 9 В), по сравнению с аналогичным стабилитроном КС139Е (UCT = 3,9 В), гораздо меньше зависит от нагрузки. и он более «круто» переходит в защитный режим при перегрузке.

Уменьшить и даже полностью исключить переходный участок нагрузочной характеристики стабилизатора можно, добавив к нему дополнительный транзистор VT3, как показано на рис.3. В рабочем режиме этот транзистор находится в насыщении и практически не влияет на работу стабилизатора, лишь немного ухудшает температурную стабильность выходного напряжения … Когда в результате перегрузки ток стабилитрона диод VD1 стремится к нулю, транзистор VT3 переходит в активное состояние, а затем закрывается, создавая условия для быстрого срабатывания защиты. В этом случае плавный переходный участок нагрузочной характеристики отсутствует (см. Кривую 1 на рис.2).

Диоды VD2 и VD3 в рабочем режиме стабилизируют напряжение на основе транзистора VT2, улучшающего основные параметры стабилизатора. Однако без дополнительного транзистора VT3 это негативно сказывается на защите, так как ослабляет положительную составляющую ОС. Переход в защитный режим в этом случае очень затяжной и происходит только после того, как напряжение на нагрузке упадет до значения, близкого к поддерживаемому диодами VD2 и VD3 на транзисторе VT2 (см. Кривую 2 на рис.2).

Рассмотренные стабилизаторы имеют недостаток, существенный для многих приложений: они остаются в защитном состоянии после устранения причины перегрузки и часто не переходят в рабочий режим при подаче напряжения питания с подключенной нагрузкой. Известны разные способы их запуска, например, с помощью дополнительного резистора, установленного параллельно коллекторно-эмиттерной секции транзистора VT1, или (как предложено в) «запитки» базы транзистора VT2.Проблема решается компромиссом между надежностью пуска под нагрузкой и величиной тока короткого замыкания, что не всегда приемлемо. Варианты запуска агрегатов рассмотрены в разделе и более эффективны, но усложняют стабилизатор в целом.

Предлагается редкий, но интересный способ вывода стабилизатора из защитного режима. Он заключается в том, что специально предусмотренный генератор импульсов периодически принудительно открывает регулирующий транзистор, переводя стабилизатор на некоторое время в рабочий режим.Если причина перегрузки устранена, по окончании следующего импульса защита больше не сработает и стабилизатор продолжит нормальную работу. Средняя мощность, рассеиваемая в регулирующем транзисторе при перегрузке, существенно не увеличивается.

На рис. 4 представлена схема одного из возможных вариантов стабилизатора, работающего по этому принципу. Он отличается от описанного отсутствием отдельного блока — генератора импульсов. При перегрузке стабилизатор переходит в колебательный режим за счет положительной обратной связи, замыкающейся через конденсатор С1.Резистор R3 ограничивает ток зарядки конденсатора, а R4 служит нагрузкой генератора, когда внешняя нагрузка замкнута.

При отсутствии перегрузки после подачи напряжения питания стабилизатор запускается благодаря резистору R2. Поскольку конденсатор C1 шунтируется разомкнутым диодом VD2 и резисторами R3-R5, включенными последовательно, условия самовозбуждения не выполняются, и устройство работает аналогично рассмотренному ранее (см. Рис. 1). При переходе стабилизатора в защитный режим конденсатор С1 действует как бустер, ускоряя развитие процесса.

Эквивалентная схема стабилизатора в защитном режиме показана на рис. 5.

При сопротивлении нагрузки Rн, равном нулю, положительный вывод конденсатора С1 через резистор R4 соединен с общим проводом (минус источник входного напряжения). Напряжение, до которого конденсатор был заряжен в режиме стабилизации, подается на базу транзистора VT2 с отрицательной полярностью и удерживает транзистор закрытым. Конденсатор разряжается током i1.ток через резисторы R3-R5 и открытый диод VD2. Когда напряжение на базе VT1 превысит -0,7 В, диод VD2 закроется, но перезарядка конденсатора продолжится с током i2, протекающим через резистор R2. При достижении небольшого положительного напряжения на базе транзистора VT2 последний, а вместе с ним и VT1, начнет открываться. Из-за положительной обратной связи через конденсатор С1 оба транзистора полностью откроются и останутся в этом состоянии некоторое время, пока конденсатор не зарядится током i3 почти до напряжения Uin.после чего транзисторы закроются и цикл повторится. С цифрами, показанными на схеме. 5 номиналов элементов, длительность генерируемых импульсов в миллисекундах, период следования 100 … 200 мс. Амплитуда импульсов выходного тока в режиме защиты примерно равна току срабатывания защиты. Среднее значение тока короткого замыкания, измеренное циферблатным миллиамперметром, составляет примерно 30 мА.

При увеличении сопротивления нагрузки RH наступает момент, когда при открытых транзисторах VT1 и VT2 отрицательная обратная связь «перевешивает» положительную и генератор снова превращается в стабилизатор напряжения.Величина RH, при которой происходит смена режимов, в основном зависит от сопротивления резистора R3. Если его значения слишком малы (менее 5 Ом), в нагрузочной характеристике появляется гистерезис, а при нулевом сопротивлении R3 стабилизация напряжения восстанавливается только при сопротивлении нагрузки более 200 Ом. Чрезмерное увеличение сопротивления резистора R3 приводит к тому, что в нагрузочной характеристике появляется переходный участок.

Амплитуда импульсов отрицательной полярности на базе транзистора VT2 достигает 10 В, что может привести к электрическому пробою части база-эмиттер этого транзистора.Однако пробой обратимый, а его ток ограничивается резисторами R1 и R3. Не мешает работе генератора. При выборе транзистора VT2 также необходимо учитывать, что напряжение, приложенное к его коллекторно-базовому участку, достигает суммы входных и выходных напряжений стабилизатора.

В рабочем оборудовании выход регулятора напряжения обычно шунтируется конденсатором (C2, показан на рис. 4 пунктирной линией). Его емкость не должна превышать 200 мкФ.Ограничение связано с тем, что когда перегрузка не сопровождается полным замыканием выхода, этот конденсатор входит в цепь положительной обратной связи генератора. На практике это выражается в том, что генератор «запускается» только при значительной перегрузке, а в нагрузочной характеристике появляется гистерезис.

Сопротивление резистора R4 должно быть таким, чтобы падение напряжения на нем во время импульса было достаточным для открытия транзистора VT2 (≈1 В) и обеспечения выполнения условий самогенерации при нулевом сопротивлении нагрузки.К сожалению, в режиме стабилизации этот резистор только снижает КПД устройства.

Для точной срабатывания защиты необходимо, чтобы при любом допустимом токе нагрузки минимальное (с учетом пульсаций) входное напряжение стабилизатора оставалось достаточным для его нормальной работы. При проверке всех рассмотренных выше стабилизаторов с номинальным выходным напряжением 12 В источником питания служил мостовой диодный выпрямитель на 14 В с конденсатором 10000 мкФ на выходе.Пульсации напряжения на выходе выпрямителя, измеренные милливольтметром ВЗ 38, не превышали 0,6 В.

При необходимости можно использовать импульсный характер защиты для индикации состояния стабилизатора, в том числе звукового. В последнем случае при перегрузке вы услышите щелчки с частотой следования импульсов.

На рис. 6 представлена схема более сложного стабилизатора с импульсной защитой, в значительной степени лишенного недостатков, рассмотренных в первой части статьи (см.рис.4). Его выходное напряжение — 12 В, выходное сопротивление — 0,08 Ом, коэффициент стабилизации — 250, максимальный рабочий ток — 3 А, порог срабатывания защиты — 3,2 А, средний ток нагрузки в защитном режиме — 60 мА. Наличие усилителя на транзисторе VT2 позволяет при необходимости значительно увеличить рабочий ток, заменив транзистор VT1 на более мощный составной.

Номинал ограничивающего резистора R4 может находиться в диапазоне от десятков Ом до 51 кОм.Выход стабилизатора можно шунтировать конденсатором емкостью до 1000 мкФ, что, однако, приводит к появлению гистерезиса на нагрузочной характеристике: при пороге срабатывания защиты 3,2 А измеренное значение ток возврата в режим стабилизации 1,9 А.

Для четкого переключения режимов необходимо, чтобы при уменьшении сопротивления нагрузки ток через стабилитрон VD3 останавливался до того, как транзистор VT2 войдет в насыщение. Поэтому номинал резистора R1 выбирается таким, чтобы до Между коллектором и эмиттером этого транзистора срабатывает защита, напряжение не ниже 2… 3 В. В защитном режиме транзистор VT2 входит в насыщение, в результате амплитуда импульсов тока нагрузки может быть в 1,2 … 1,5 раза выше тока срабатывания защиты. Следует учитывать, что при значительном уменьшении сопротивления R1 мощность, рассеиваемая на транзисторе VT2, значительно возрастает.

Наличие конденсатора С1 теоретически может привести к увеличению пульсаций выходного напряжения стабилизатора. Однако на практике этого не наблюдалось.

Выходное стабилизированное напряжение равно сумме падений напряжения на диодах VD1 и VD2, участке база-эмиттер транзистора VT4 и напряжению стабилизации стабилитрона VD3 за вычетом падения напряжения на участке база-эмиттер транзистора VT4. транзистор VT3 — примерно на 1,4 В больше напряжения стабилизации стабилитрона. Ток срабатывания защиты рассчитывается по формуле

Благодаря дополнительному усилителю на транзисторе VT2 ток, протекающий через резистор R3, относительно невелик даже при значительных расчетных токах нагрузки.Это, с одной стороны, повышает эффективность стабилизатора, но с другой стороны, вынуждает использовать стабилитрон в качестве VD3, способный работать при малых токах. Минимальный ток стабилизации, показанный на схеме (см. Рис. 6) стабилитрона КС211Ж, составляет 0,5 мА.

Такой стабилизатор кроме своего прямого назначения может служить ограничителем разряда АКБ … Для этого устанавливается выходное напряжение так, чтобы при напряжении АКБ меньше допустимого срабатывала защита, предотвращая дальнейшая разрядка.В этом случае желательно увеличить номинал резистора R6 до 10 кОм. В результате ток, потребляемый устройством в рабочем режиме, снизится с 12 до 2,5 мА. Следует учитывать, что на грани срабатывания защиты этот ток увеличивается примерно до 60 мА, но при запуске генератора импульсов среднее значение тока разряда АКБ падает до 4 … 6 мА.

По рассмотренному принципу импульсной защиты можно построить не только стабилизаторы напряжения, но и самовосстанавливающиеся электронные «предохранители», устанавливаемые между источником питания и нагрузкой.В отличие от плавких вставок, такие предохранители можно использовать многократно, не беспокоясь о восстановлении после устранения причины срабатывания.

Электронный предохранитель должен выдерживать как кратковременную, так и длительную нагрузку при полной или частичной нагрузке. Последнее часто происходит с длинными соединительными проводами, сопротивление которых составляет заметную часть полезной нагрузки. Это самый сложный случай для коммутирующего элемента предохранителя.

На рис. 7 показана схема простого самовосстанавливающегося электронного предохранителя с импульсной защитой.Принцип его работы близок к описанному выше стабилизатору напряжения (см. Рис.4), но до срабатывания защиты транзисторы VT1 и VT2 находятся в состоянии насыщения, а выходное напряжение практически равно входному.

Если ток нагрузки превысил допустимое значение, транзистор VT1 выходит из насыщения и выходное напряжение начинает уменьшаться. Его инкремент через конденсатор С1 поступает на базу транзистора VT2, замыкая последний, а вместе с ним и VT1.Выходное напряжение падает еще больше, и в результате лавинообразного процесса транзисторы VT1 и VT2 полностью закрываются. Через некоторое время, в зависимости от постоянной времени цепи R1C1, они снова откроются, однако, если перегрузка сохранится, они снова закроются. Этот цикл повторяется до устранения перегрузки.

Частота генерируемых импульсов составляет приблизительно 20 Гц при небольшой перегрузке и 200 Гц при полной цепи. В последнем случае скважность импульсов превышает 100.При увеличении сопротивления нагрузки до допустимого значения транзистор VT1 насыщается и генерация импульсов прекращается.

Ток срабатывания «предохранителя» можно приблизительно определить по формуле

Коэффициент 0,25, подобранный экспериментально, учитывает, что в момент перехода транзистора VT1 из насыщения в активный режим его коэффициент передачи по току намного меньше номинального. Измеренный ток срабатывания защиты при входном напряжении 12 В равен 0.35 А, амплитуда импульсов тока нагрузки при включении составляет 1,3 А. Гистерезиса (разницы между токами срабатывания защиты и восстановления рабочего режима) не обнаружено. При необходимости к выходу «предохранителя» можно подключить блокировочные конденсаторы общей емкостью не более 200 мкФ, что повысит рабочий ток примерно до 0,5 А.

Если необходимо ограничить амплитуду импульсов тока нагрузки в эмиттерной цепи транзистора VT2, следует включить резистор в несколько десятков Ом и немного увеличить номинал резистора R3.

При неполном включении нагрузки возможен электрический пробой части база-эмиттер транзистора VT2. Это не оказывает существенного влияния на работу генератора и не представляет опасности для транзистора, так как заряд, накопленный в конденсаторе С1 до пробоя, относительно невелик.

Недостатками «предохранителя», собранного по рассмотренной схеме (рис. 7), являются низкий КПД из-за последовательно включенного в цепь нагрузки резистора R3 и тока базы транзистора VT1, не зависящего от нагрузки. .Последнее характерно для других подобных устройств. Обе причины, снижающие КПД, устраняются в более мощном «предохранителе» с максимальным током нагрузки 5 А, схема которого показана на рис. 8 . Его КПД превышает 90% в более чем десятикратном диапазоне изменения тока нагрузки. Ток, потребляемый без нагрузки, составляет менее 0,5 мА.

Для уменьшения падения напряжения на «предохранителе» в качестве VT4 используется германиевый транзистор. Когда ток нагрузки меньше допустимого, этот транзистор находится на грани насыщения.Это состояние поддерживается контуром отрицательной обратной связи, который формируется транзисторами VT1 и VT3, когда транзистор VT2 открыт и насыщен. Падение напряжения на участке коллектор-эмиттер транзистора VT4 не превышает 0,5 В при токе нагрузки 1 А и 0,6 В при 5 А.

При токе нагрузки ниже, чем ток срабатывания защиты, транзистор VT3 находится в активном режиме и напряжение между его коллектором и эмиттером достаточно для открытия транзистора VT6, что обеспечивает состояние насыщения транзистора VT2 и, в конечном итоге, проводящее состояние ключа VT4.С увеличением тока нагрузки ток базы VT3 под действием отрицательной обратной связи увеличивается, а напряжение на ее коллекторе снижается до закрытия транзистора VT6. В этот момент срабатывает защита. Рабочий ток можно оценить по формуле

, где Req — полное сопротивление резисторов R4, R6 и R8, включенных параллельно.

Коэффициент 0,5, как и в предыдущем случае, экспериментальный. Когда нагрузка замкнута, амплитуда импульсов выходного тока примерно в два раза превышает ток срабатывания защиты.

Благодаря действию петли положительной обратной связи, которая замыкается через конденсатор С2, полностью закрывается транзистор VT6, а вместе с ним VT2-VT4, открывается VT5. Транзисторы остаются в этих состояниях до конца заряда конденсатора С2 током, протекающим через участок база-эмиттер транзистора VT5 и резисторы R7, R9, R11, R12. Поскольку из перечисленных резисторов наибольший номинал имеет R12, он определяет период следования генерируемых импульсов — примерно 2.5 с.

После окончания заряда конденсатора С2 транзистор VT5 закроется, VT6 и VT2-VT4 откроются. Конденсатор C2 разряжается примерно за 0,06 с через транзистор VT6, диод VD1 и резистор R11. При замкнутой нагрузке коллекторный ток транзистора VT4 в это время достигает 8 … 10 А. Затем цикл повторится. Однако в первый же раз после устранения перегрузки импульса транзистор VT3 не насыщается и «предохранитель» вернется в рабочий режим.

Интересно, что во время импульса транзистор VT6 не открывается полностью. Этому препятствует контур отрицательной обратной связи, образованный транзисторами VT2, VT3, VT6. При номинале резистора R9 (51 кОм), указанном на схеме (рис. 8), напряжение на коллекторе транзистора VT6 не опускается ниже 0,3Uin.

Самая неблагоприятная нагрузка для «запала» — мощная лампа накаливания, у которой сопротивление холодной нити в несколько раз меньше, чем нагретой.Проверка, проведенная с автомобильной лампой 12 В 32 + 6 Вт, показала, что 0,06 с на прогрев вполне достаточно и «предохранитель» после включения надежно переходит в рабочий режим. Но для более инерционных ламп длительность и период повторения импульсов, возможно, придется увеличить, установив конденсатор С2 большего размера (но не оксидный).

Рабочий цикл генерируемых импульсов в результате этой замены останется прежним. Не случайно было выбрано равным 40. В этом случае как при максимальном токе нагрузки (5 А), так и при замкнутом выходе «предохранитель» примерно одинаковая и безопасная для него мощность рассеивается на транзисторе VT4. .

Транзистор GT806A можно заменить другим из той же серии или на мощный германиевый, например P210, с любым буквенным индексом. При отсутствии германиевых транзисторов или необходимости работы при повышенных температурах можно также использовать кремниевые с h31e> 40, например КТ818 или КТ8101 с любыми буквенными индексами, увеличивая номинал резистора R5 до 10 кОм. После такой замены измеренное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора VT4 не превышало 0.8 В при токе нагрузки 5 А.

При изготовлении «предохранителя» транзистор VT4 необходимо установить на радиатор, например, алюминиевую пластину размером 80х50х5 мм. Для транзистора VT3 также нужен радиатор площадью 1,5 … 2 см 2.

Включите прибор в первый раз без нагрузки и прежде всего проверьте напряжение между коллектором и эмиттером транзистора VT4, которое должно быть примерно 0,5 В. Затем подключите переменный резистор с проволочной обмоткой сопротивлением 10 Ом. … 20 Ом и мощность 100 Вт на выходе через амперметр. Плавно уменьшая сопротивление, перевести устройство в защитный режим. С помощью осциллографа убедитесь, что переключение режимов происходит без длительных переходных процессов, а параметры генерируемых импульсов соответствуют указанным выше. Точное значение тока срабатывания защиты можно установить подбором резисторов R4, R6, R8 (желательно, чтобы их номиналы оставались прежними). При длительном коротком замыкании нагрузки температура корпуса транзистора VT4 не должна превышать допустимого для него значения.

ЛИТЕРАТУРА

Клюев Ю., Абашав С. Стабилизатор напряжения. — Радио, 1975, № 2, с. 23.
Попович В. Усовершенствование стабилизатора напряжения. — Радио, 1977, № 9, с. 56.
Поляков В. Теория: понемногу — обо всем. Сетевые фильтры. — Радио, 2000, № 12, с. 45,46.
Каныгин С. Стабилизатор напряжения с защитой от перегрузки. — Радио, 1980. № 8. с. 45,46.
За границей. Стабилизатор напряжения с защитой от перегрузки.- Радио, 1984, № 9, с. 56.
Козлов В. Стабилизатор напряжения с защитой от короткого замыкания и максимальной токовой защиты. — Радио, 1998, № 5, с. 52-54.
Андраав В. Дополнительная защита стабилизатора от перегрева. — Радио, 2000, №4, с. 44.
Бобров О. Электронный предохранитель. — Радио, 2001, № 3, с. 54.

Схемы устройств защиты стабилизированного выпрямителя от перегрузки при коротком замыкании или по другой причине.

Перегрузка стабилизированного выпрямителя из-за короткого замыкания в нагрузке или по другой причине обычно приводит к выходу из строя регулирующего транзистора.Уберечь стабилизатор от перегрузки можно с помощью защитного устройства.

Простое защитное устройство

Защитное устройство, входящее в состав стабилизатора блока питания, схема которого приведена на рис. 1, имеет высокую скорость и хорошее «реле», то есть мало влияет на характеристики агрегата в рабочем режиме. и надежное закрытие регулирующего транзистора V2 в режиме перегрузки. Защитное устройство состоит из тринистора V3, диодов V6, V7 и резисторов R2 и R3.

Рис. 1. Схема простого защитного устройства на линии питания +24 В.

В рабочем режиме тиристор V3 закрыт и напряжение на базе транзистора V1 равно напряжению стабилизации цепочки стабилитронов V4, V5.

При перегрузке ток через резистор R2 и падение напряжения на нем достигают значений, достаточных для размыкания тринистора V3 через цепь управляющего электрода. Открытый тринистор замыкает цепочку стабилитронов V4, V5, что приводит к закрытию транзисторов V1 и V2.

Для восстановления рабочего режима после устранения причины перегрузки нажмите и отпустите кнопку S1. В этом случае тиристор закроется, а транзисторы V1 и V2 снова откроются. Резистор R3 и диоды V6, V7 защищают управляющий переход SCR V3 от перегрузки по току и напряжению соответственно.

Стабилизатор обеспечивает коэффициент стабилизации около 30, срабатывает защита при токе более 2 А.

Транзистор V2 можно заменить на КТ802А, КТ805Б, а V1 — на П307, П309, КТ601, КТ602 с любым буквенным индексом.Тринистор В3 может быть любым из серии КУ201, кроме КУ201А и КУ201Б.

Стабилизатор с защитой для блока питания

Стабилизатор блока питания, схема которого приведена на рис. 2, можно защитить от перегрузок и коротких замыканий нагрузки добавлением всего двух элементов — тиристора V3 и резистора R5.

Рис. 2. Принципиальная схема стабилизатора питания с защитой (0-27В).

Защитное устройство срабатывает, когда ток нагрузки превышает пороговое значение, определяемое сопротивлением резистора R5.В этот момент падение напряжения на резисторе R5 достигает напряжения открытия тиристора V3 (около 1 В), он открывается, и напряжение на базе транзистора V2 уменьшается практически до нуля. Следовательно, транзистор V2, а затем и V4 закрывается, размыкая цепь нагрузки.

Чтобы вернуть стабилизатор в исходный режим, кратковременно нажмите кнопку S1. Резистор R3 служит для ограничения тока базы транзистора V4.

Резистор R5 намотан медным проводом. Выходное сопротивление стабилизатора можно уменьшить, если включить R5, как показано на схеме пунктирной линией.Если при включении стабилизатора наблюдаются ложные срабатывания, конденсатор С2 следует исключить из прибора.

Максимальный ток нагрузки 2 А. Вместо транзистора Р701А можно использовать КТ801А, КТ801Б. Транзистор V2 можно заменить на КТ803А, КТ805А, КТ805Б, П702, П702А.

Стабилизатор с уставкой порогового тока для защиты

Защитное устройство, показанное на рис. 3, собранный на транзисторах V1 и V2 (в него также входят резисторы R1 — R4, стабилитрон V3, переключатель S1 и лампа накаливания h2).

Требуемое значение рабочего тока устанавливается переключателем S1. В рабочем режиме из-за протекания базового тока через резистор R1 (R2 или R3) транзистор V1 открыт и падение напряжения на нем невелико.

Рис. 3. Принципиальная схема стабилизатора с установкой порогового тока защиты.

Следовательно, базовый ток V2 очень мал, передний стабилитрон V3 и V2 выключены.

С увеличением тока нагрузки стабилизатора падение напряжения на транзисторе V1 увеличивается.В какой-то момент открывается стабилитрон V3, после чего открывается транзистор V2, что приводит к закрытию транзистора V1. Теперь на этом транзисторе почти все входное напряжение падает, а ток через нагрузку резко падает до нескольких десятков миллиампер.

Загорается лампа h2, указывая на перегоревший предохранитель. Он возвращается в исходный режим путем кратковременного отключения от сети. Коэффициент стабилизации около 20.

Транзисторы V1 и V7 установлены на радиаторах с эффективной площадью рассеивания тепла около 250 см2 каждый.Стабилитроны V4 и V5 установлены на медной пластине радиатора размером 150 X 40 X 4 мм. Установка электронного предохранителя сводится к подбору резисторов R1-R3 по требуемому рабочему току.

х2 лампа типа КМ60-75.

Устройство электромеханической защиты от перегрузки

Устройство электронно-механической защиты, схема которого приведена на рис. 4, работает в два этапа — сначала отключает силовое электронное устройство, затем полностью блокирует нагрузку контактами К1.1 электромеханического реле К1. Он состоит из транзистора V3, нагруженного двухобмоточным электромагнитным реле K1, стабилитрона V2, диодов V1, V4 и резисторов R1 и R2.

Рис. 4. Устройство электромеханической защиты, принципиальная схема.

Каскад V3 сравнивает напряжение на резисторе R2, которое пропорционально току нагрузки стабилизатора, с напряжением на прямом стабилитроне V2.

При перегрузке стабилизатора напряжение на резисторе R2 становится больше, чем напряжение на стабилитроне, и транзистор V3 открывается.Благодаря действию положительной обратной связи между коллекторной и базовой цепями этого транзистора в системном транзисторе V3 — реле К1 развивается процесс блокировки.

Длительность импульса около 30 мс (в случае использования реле RMU, паспорт RS4.533.360SP). Во время импульса напряжение на коллекторе транзистора V3 резко падает.

Это напряжение передается через диод V4 на базу регулирующего транзистора V5 (напряжение на базе транзистора становится положительным по отношению к эмиттеру), транзистор выключается, и ток через цепь нагрузки резко уменьшается.

Одновременно с открытием транзистора V3 ток через коллекторную обмотку реле К1 начинает возрастать, и через 10 мс он срабатывает, самоблокируется и размыкает цепь нагрузки с контактами К1.1. Для восстановления рабочего режима на короткое время отключают сетевое напряжение. Защита срабатывает при токе 0,4 А, коэффициент стабилизации 50.

Защита от перегрузки по току с помощью динисторной оптопары

Защитное устройство

IN, схема которого приведена на рис.5, используйте динисторную оптопару V6, которая улучшает характеристики защиты. Когда ток нагрузки меньше порогового, электронный ключ на транзисторах V1-V3 открыт, контрольная лампа h2 горит, а оптопара выключена (светодиод не горит, фототиристор закрыт).

Рис. 5. Схема защиты от перегрузки по току с использованием динисторной оптопары.

Как только ток нагрузки достигает порогового значения, падение напряжения на резисторах R5, R6 увеличивается настолько, что включается оптопара, через фототиристор которой на базу транзистора V1 поступает положительное напряжение, а электронный переключатель закрывается.Устройство возвращается в рабочее состояние кратковременным нажатием кнопки S1.

Напряжение на нагрузке медленно растет со скоростью, с которой заряжается конденсатор C1. Это исключает пусковые токи, вызывающие «ложное срабатывание» защиты «или выход из строя частей нагрузки при включении питания.

Порог устанавливается резистором R5. Для транзисторов V2, V3 потребуется радиатор площадью 100 … 200 см2. Максимальный ток нагрузки 5 А, минимальный рабочий ток 0,4 А.

Стабилизатор напряжения предназначен для питания радиолюбительских структур при их возведении.Он генерирует постоянное стабилизированное напряжение от 0 до 25,5 В, которое можно изменять с шагом 0,1 В. Рабочий ток защиты от перегрузки может плавно изменяться от 0,2 до 2А.

Схема устройства представлена на рис. 1, счетчики DD2 DD3 формируют цифровой код выходного напряжения. Прецизионный резисторный ЦАП преобразует код счетчика в ступенчато нарастающее напряжение.

В стабилизаторе также есть индикатор (рис. 3) на СППЗУ К573РФ2.

Регулировка стабилизатора заключается в подборе R26 так, чтобы максимальное выходное напряжение было 25.5В.

Файлы чертежей печатных плат — ftp://ftp.radio.ru/pub/2007/08/st0_255.zip

Литература J.Radio 8 2007

Войти с помощью:

Случайные артикулы

24.09.2014
Сенсорный выключатель, показанный на рисунке, имеет двухконтактный сенсорный элемент, при касании обоих контактов на нагрузку подается напряжение питания (9В) от источника питания, а при следующем прикосновении к контактам датчика питание отключается от нагрузки, нагрузкой может быть лампа или реле.Датчик очень экономичен и мало потребляет ток в режиме ожидания. На данный момент…
08.10.2016
MAX9710 / MAX9711 — Стерео / моно УМЗЧ с выходной мощностью 3 Вт и режимом пониженного потребления. Технические характеристики: выходная мощность 3 Вт при нагрузке 3 Ом (при THD до 1%) Выходная мощность 2,6 Вт при нагрузке 4 Ом (при THD до 1%) Выходная мощность 1,4 Вт при нагрузке 8 Ом (при THD до 1%) Коэффициент шумоподавления …

Для питания некоторых радиотехнических устройств требуется блок питания с повышенными требованиями к уровню минимальных пульсаций на выходе и стабильности напряжения.Для их обеспечения питание должно выполняться на дискретных элементах.

Представленная на рис. 3.23 схема является универсальной и на ее основе можно изготовить качественный источник питания для любого напряжения и тока в нагрузке. Блок питания собран на распространенном сдвоенном операционном усилителе (КР140УД20А) и одном силовом транзисторе VT1. В этом случае схема имеет токовую защиту, которую можно регулировать в широком диапазоне. Стабилизатор напряжения выполнен на операционном усилителе DA1.1 и DA1.2 используется для обеспечения максимальной токовой защиты. Микросхемы DA2, DA3 стабилизируют питание схемы управления, собранной на DA1, что улучшает параметры блока питания.

Схема стабилизации напряжения работает следующим образом. Сигнал обратной связи по напряжению снимается с выхода источника (X2). Этот сигнал сравнивается с опорным напряжением стабилитрона VD1. Сигнал рассогласования (разница между этими напряжениями) поступает на вход операционного усилителя, который усиливается и проходит через резисторы R10… R11 для управления транзистором VT1.

Таким образом, выходное напряжение поддерживается на заданном уровне с точностью, определяемой коэффициентом усиления операционного усилителя DA1.1. Требуемое выходное напряжение устанавливается резистором R5. Чтобы источник питания имел возможность устанавливать выходное напряжение более 15 В, общий провод цепи управления подключается к клемме «+» (XI). При этом для полного открытия силового транзистора (VT1) на выходе ОУ потребуется небольшое напряжение (исходя из VT1 ibe = +1.2 В). Такая схемотехника дает возможность осуществлять источники питания на любое напряжение, ограниченное только допустимым напряжением коллектор-эмиттер (УК3) для конкретного типа силового транзистора (для КТ827А максимальное УК3 = 80 В).

В этой схеме силовой транзистор является составным и поэтому может иметь коэффициент усиления в диапазоне 750 … 1700, что позволяет управлять им небольшим током — непосредственно с выхода операционного усилителя DA1.1, который уменьшает количество существенных элементов и упрощает схему.

Схема токовой защиты собрана на ОУ DA1.2. Когда в нагрузке протекает ток, на резисторе R12 возникает напряжение, которое подается через резистор R6 в точку соединения R4, R8, где оно сравнивается с опорным уровнем. Пока эта разница отрицательная (которая зависит от тока в нагрузке и величины сопротивления резистора R12), эта часть схемы не влияет на работу регулятора напряжения. Как только напряжение в этой точке станет положительным, на выходе ОУ DAL2 появится отрицательное напряжение, которое через диод VD12 будет снижать напряжение на базе силового транзистора VT1, ограничивая выходной ток. .

Уровень ограничения выходного тока регулируется резистором R6. Параллельно включенные диоды на входах операционных усилителей (VD3 … VD6) защищают микросхему от повреждения при включении без обратной связи через транзистор VT1 или при повреждении силового транзистора. В рабочем режиме напряжение на входах ОУ близко к нулю и диоды не влияют на работу устройства. Конденсатор С3, установленный в цепи отрицательной обратной связи, ограничивает полосу усиливаемых частот, что увеличивает стабильность цепи, предотвращая самовозбуждение.

При использовании элементов, указанных на схемах, данные блоки питания позволяют на выходе получать стабилизированное напряжение до 50 В при токе 1 … 5 А.

Силовой транзистор установлен на радиаторе, площадь которого зависит от тока в нагрузке и напряжения UK3. Для нормальной работы стабилизатора это напряжение должно быть не менее

В.

При сборке схемы использованы следующие детали: подстроечные резисторы R5 и R6 типа СПЗ-19а; постоянные резисторы R12 типа C5-16MV на мощность не менее 5 Вт (мощность зависит от тока в нагрузке), остальные из серий MJ1T и C2-23 соответствующих силовых конденсаторов CI, C2, SZ типа K10- 17, оксидные полярные конденсаторы С4… С9 типа К50-35 (К50-32). Двухсхемный операционный усилитель DA1 можно заменить импортным аналогом ЦА747 или двумя микросхемами 140УД7; стабилизаторы напряжения: DA2 на 78L15, DA3 на 79L15. Параметры сетевого трансформатора Т1 зависят от необходимой мощности, подаваемой на нагрузку. Во вторичной обмотке трансформатора после выпрямления на конденсаторе С6 должно быть обеспечено напряжение на 3 … 5 В больше, чем требуется на выходе стабилизатора.

В заключение можно отметить, что если источник питания предполагается использовать в широком диапазоне температур (~ 60… + 100 ° С), то для получения хороших технических характеристик необходимо принять дополнительные меры, в том числе повышение стабильности опорных напряжений. Это можно сделать, выбрав стабилитроны VD1, VD2 с минимальным ТКН, а также стабилизировав ток через них. Обычно стабилизация тока через стабилитрон выполняется с помощью полевого транзистора или использования дополнительного микросхема, работающая в режиме стабилизации тока через стабилитрон. Кроме того, стабилитроны обеспечивают лучшую термическую стабильность напряжения в определенной точке своей характеристики.В паспорте на прецизионные стабилитроны обычно указывается это значение тока и именно это значение необходимо выставлять подстроечными резисторами при настройке узла источника опорного напряжения, для которого в схему стабилитрона временно включен миллиамперметр.

Предлагаем большой выбор полностью автоматических устройств малой и большой мощности от ведущего производителя «ЕТК Энергия», предназначенных для быстрого устранения некачественного электроснабжения путем выравнивания скачков и просадок в однофазных и трехфазных сетях переменного тока. и напряжение.В большинстве случаев наши модели Energy и Voltron относятся к группе сетевых устройств премиум-класса, но есть и обычные серии, адаптированные для решения проблем в некритических условиях непрерывной работы. И сегодня у нас есть хороший ассортимент релейных, гибридных, электромеханических и электронных (тиристорных) устройств, достойных нашего внимания. Купить стабилизатор напряжения с токовой защитой можно в Москве, Санкт-Петербурге и регионах. Помимо этой основной задачи по сглаживанию перепадов, эти стабилизирующие устройства для электрических сетей 220В, 380В помогут подавить помехи, качественно поддержат исправный режим работы офисной или бытовой техники при кратковременных перегрузках и обеспечат полную безопасность современных потребителей при кратковременных перегрузках. схема.Для этого используются самые лучшие и надежные рабочие элементы в конструкции как однофазного, так и трехфазного электрооборудования Энергия и Вольтрон. Диапазон успешной работы для многих марок составляет 100 … 280 Вольт. Также существуют универсальные высокоточные (погрешность ± 3, ± 5 процентов) устройства с плавной системой управления (Energy Classic и Ultra 5000, 7500, 9000, 12000, 15000, 20000), способные без особых сложностей стабилизировать питание от 65 В .

Качественные стабилизаторы напряжения с токовой защитой в нашем интернет-магазине представлены наиболее востребованными мощностями (2, 3, 5, 8, 10, 15, 20, 30 кВт), которые идеально подходят для круглосуточного использования. в офисе, на даче, дома и на промышленных объектах.Гибридные и тиристорные высокоточные модели имеют чисто синусоидальную форму волны, благодаря чему успешно работают с простым и высокочувствительным электрооборудованием различного назначения. Среди отечественных сертифицированных изделий для стабилизации переменной сети также представлены для покупки усовершенствованные по технологии морозостойкие устройства, что позволяет им безотказно работать при отрицательных температурах. Купить стабилизатор напряжения с токовой защитой в Москве, Санкт-Петербурге можно через наш официальный сайт по минимальной цене от надежного производителя.Благодаря особой конструкции корпуса, некоторые однофазные российские марки могут устанавливаться как в стандартном напольном исполнении, так и использовать более компактный и удобный способ крепления — на стену (настенный). В тех высокопроизводительных линейках, где предусмотрено плавное выравнивание заниженного или критически завышенного электроснабжения, абсолютно отсутствует мерцание лампочек, что порой доставляет легкие неудобства в жилых домах, квартирах или дачных участках. По опубликованному уровню шума при работе оборудования существуют абсолютно бесшумные и недорогие малошумные электрические сетевые устройства.Гарантия на рекомендованные к покупке устройства российского производства, широко востребованные в России, составляет 1-3 года. Абсолютно все серии энергосберегающие и оснащены функцией автоматической самодиагностики.

Индивидуальный трехфазный многофункциональный счетчик электроэнергии / энергии / интеллектуальной мощности (серия PD6814z) Производители, поставщики, фабрика — Предложение

На протяжении многих лет мы придерживались концепции «профессионального, предприимчивого и инновационного», уделяя особое внимание области PM2.5 Monitor OC-625, портативный инфракрасный детектор газа SF6, навесной детектор газа C2h5, постоянно внедряющий инновации и развивающийся, чтобы предлагать пользователям лучшие продукты и удобство. Мы твердо верим, что качество удовлетворяет потребности всех клиентов, а также является источником нашего постоянного прогресса и совершенствования. Наша компания придерживается бизнес-философии «клиентоориентированность, низкая цена и высокое качество как основа, и удовлетворение потребностей клиентов как цель», и завоевывает доверие пользователей с помощью льготных цен.

Введение в продукт

Этот многофункциональный измеритель представляет собой электронный прибор, состоящий из транзисторов, интегральных схем и других компонентов. Устройство имеет высокую скорость измерения. Он может обеспечить точное и удобное считывание, может обеспечить вывод цифрового сигнала. Если наш многофункциональный измеритель оснащен дополнительными функциями, он также может обеспечивать сигнализацию измерения и контроль фиксированного значения. Это устройство в основном используется для отображения переменных процесса, таких как температура, давление и расход, для визуального наблюдения, цифровой записи или удаленной обработки данных.Его также можно использовать для прецизионных испытаний в лаборатории.

Есть три типа:

Тип	Звук	PM2.5	CO₂	Температура		0 Влажность 900
535A	√	√	×	√	√	√
03 03	×	√	√	√	√
535C	×	0 0 √ 0 √ 0 √ 0	√	√

Пожалуйста, выберите тот, который вам нужен.Его можно использовать для одновременного мониторинга температуры и влажности окружающей среды, качества воздуха, шума, поэтому его можно использовать во многих местах, таких как: завод, офис, дом, маршрут движения, акустика, кондиционер, холодильник и т. Д.

Технические характеристики:

1. Температура и влажность

	Температура	Влажность
Диапазон	-203 ~ 60 ºC -100% RH
Точность	± 0.3 ℃	± 3% RH
Разрешение	0,1 ℃	0,1% RH
Время отклика	<2 с теплообмен)	8 с (время, в течение которого влажность достигает значения, указанного в заказе, 63%, 25 ℃, расход воздуха 1 м / с)

2. PM2.5

900

1 мкг / м³

Диапазон	0-500 мкг / м³
Стабильность массовой концентрации частиц	± 10% при 100-500 мкг / м³ ± 10 мкг / м³ при 0–100 мкг / м³
Время однократного отклика	<1 с
Время полного отклика	≤10 с
Разрешение
Скорость счета частиц	50% при 0.3 мкм, 98%@≥0,5 мкм
Датчик	Лазерный датчик твердых частиц Plantower
Среднее время безотказной работы	≥3 лет

3. Шум

Диапазон	30-130 дБ
Точность	± 1,5 дБ (на основе стандартного источника звука 94 дБ при 1 кГц)
Отклик	31.5-8,5 кГц
Частотное взвешивание	Взвешивание A и C-взвешивание
Время отклика	БЫСТРО и МЕДЛЕННО
Микрофон	конденсатор
Цифровой дисплей	3 цифры
Разрешение	0,1 дБ (<100 дБ) или 1 дБ (> 100 дБ)

4.CO₂

Диапазон	400–2000 частей на миллион (в пределах нормальной точности), верхний предел может увеличиваться до 9999 частей на миллион, но стоимость — низкая точность
Точность	± 40 ppm ± 3% * значение CO₂ в текущем состоянии
Разрешение	1 ppm
Альтернативное время измерения	4 с
Время отклика	<1 с
Срок службы	> 15 лет

5.Другое

Питание	5 В 2A (≥2A) Питание постоянного тока
Рабочая среда	-20 ~ 60 ℃; 0 ~ 100% относительной влажности
Условия хранения	-10 ~ 60 ℃; 20 ~ 70% относительной влажности
Предупреждение	Звук + предупреждение на дисплее
Вывод предупреждений	√
Вес нетто	1531 г 83	Размер	400 * 230 * 34.5 мм

Чтобы преуспеть в нашей компании, мы доставляем товары с использованием фантастически превосходных по разумной цене трехфазных многофункциональных счетчиков электроэнергии / энергии / умной мощности (серия PD6814z). Мы предоставляем персонализированные услуги в соответствии с характеристиками различных типов клиентов и заранее формулируем безупречные стандарты обслуживания для большего числа клиентов.

Общая характеристика транзистора КТ602

Основные электрические параметры КТ602

Конструкция и корпусирование КТ602

Области применения транзистора КТ602

Особенности использования КТ602 в схемах

Проверка и тестирование транзистора КТ602

Аналоги и замены для КТ602

Сравнение КТ602 с современными транзисторами

Рекомендации по монтажу и эксплуатации КТ602

Заключение

КТ602 транзистор: характеристики, цоколевка, аналоги, параметры

Цоколевка транзистора КТ602

Характеристики транзистора КТ602

Аналоги транзистора КТ602

Транзистор КТ602, КТ602А, КТ602Б

Цоколевка транзистора 2Т602

Цоколевка транзистора КТ602АМ

Электрические параметры транзистора КТ602

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ602

Транзистор КТ602 — DataSheet

Кт602 , 2т602 , kt602 справочник транзисторов, параметры транзисторов, характеристики транзисторов

Транзисторы КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Е, КТ3102Д.

Машина для перевозки баллонов со сжиженным газом КТ-602-1

Цоколевка транзистора КТ602АМ

Транзисторы П701 и КТ602 — маркировка, цоколевка, основные параметры.

Транзисторы КТ602

Наиболее важные параметры.

Транзистор КТ602 —

Кт 602 Содержание Драгметаллов

КТ602АМ, Транзистор NPN, высокочастотный, средней мощности, TO-126 (КТ-27)

Содержание драгметаллов в транзисторах

Радиолом77

Содержание в транзисторах

Транзисторы

FQX-ZY FQX14

us% 20sensor% 20corp% 20Термисторы техническое описание и примечания по применению

HL-3528

EV1527

оазис

К-2013BC

2008 — 1Н6138

2000 — Б 1117с

1117c

1117c

БОБИНАС

114P-US

2012 — JANS1N6620

2012 — 1Н6620

2009 — 1Н6626

2008 — 1N6625

2008 — 1N6623

M39018 / 03

2008 — 1н6631

2008 — 1Н6631

2006 — 1117c

2015 — Контроллер двери лифта Panasonic

SMD 5060 Светодиод

1996 — AN8026

2009 — MA101-SS28

1998 — G6C-1114P-US

2000 — П3686070

Глава 41 — Фиброзно-кистозная болезнь печени у детей

Введение

Одиночная непаразитарная киста печени

Врожденный фиброз печени

Таблица 41.1 Нарушения со стороны почек, ассоциированные с фиброполикистозом печени

Патология

Клинические проявления

Таблица 41.2 Печеночно-фиброзно-кистозные синдромы

Результаты лабораторных исследований

Физикальное обследование

Диагноз

Визуализация

Дифференциальная диагностика врожденного фиброза печени

Терапия

Эпиднадзор

Генетическое консультирование

Аутосомно-рецессивная поликистозная болезнь почек

Болезнь Кароли и синдром Кароли

Аутосомно-доминантная поликистозная болезнь почек