Кт646Б характеристики. КТ646Б: Характеристики и применение высокочастотного биполярного транзистора NPN — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Какие основные параметры транзистора КТ646Б. Где применяется КТ646Б в электронике. Чем отличается КТ646Б от аналогов. Какие особенности эксплуатации КТ646Б следует учитывать. Как правильно выбрать и использовать КТ646Б в схемах.

Содержание

Основные характеристики и параметры транзистора КТ646Б

Транзистор КТ646Б относится к семейству высокочастотных биполярных транзисторов структуры NPN. Рассмотрим его ключевые параметры:

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
Максимальный постоянный ток коллектора: 1 А
Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт (без радиатора)
Граничная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц
Коэффициент передачи тока h21э: не менее 150
Корпус: пластиковый TO-126 (КТ-27)

Эти характеристики делают КТ646Б подходящим для применения в высокочастотных схемах средней мощности. Каковы преимущества данного транзистора? Высокий коэффициент усиления в сочетании с хорошими частотными свойствами позволяет использовать его в широком спектре электронных устройств.

Области применения транзистора КТ646Б в электронике

Благодаря своим характеристикам, КТ646Б находит применение в различных областях электроники:

Усилители высокой и промежуточной частоты
Импульсные схемы
Переключающие устройства
Преобразователи частоты
Генераторы сигналов
Источники питания

Где конкретно можно встретить этот транзистор? КТ646Б часто используется в радиоприемниках, телевизорах, измерительной аппаратуре и промышленной электронике. Его высокая надежность и стабильные параметры обеспечивают длительный срок службы устройств.

Сравнение КТ646Б с аналогами и особенности выбора

При выборе транзистора важно учитывать не только его характеристики, но и сравнивать с аналогами. Как КТ646Б соотносится с другими транзисторами?

КТ646А имеет более высокое напряжение коллектор-эмиттер (50 В), но меньший коэффициент усиления
КТ646В обладает более высоким коэффициентом усиления (150-340), но аналогичным напряжением коллектор-эмиттер
2SC496 является зарубежным аналогом с близкими характеристиками

На что обратить внимание при выборе КТ646Б? Прежде всего, следует учитывать требования конкретной схемы: необходимую частоту работы, ток коллектора и напряжение питания. Также важно обращать внимание на температурный диапазон эксплуатации и условия охлаждения транзистора.

Особенности эксплуатации и монтажа транзистора КТ646Б

Правильная эксплуатация транзистора КТ646Б — залог долгой и надежной работы устройства. Каковы основные моменты, требующие внимания?

Соблюдение температурного режима: не допускать перегрева свыше максимально допустимой температуры перехода
Использование радиатора при работе на мощностях, близких к максимальной
Защита от статического электричества при монтаже
Правильная ориентация выводов при установке на плату

Как правильно осуществить монтаж КТ646Б? Рекомендуется использовать пайку с ограничением температуры и времени воздействия, чтобы не повредить внутреннюю структуру транзистора. При необходимости применения радиатора следует обеспечить надежный тепловой контакт.

Схемотехнические решения с использованием КТ646Б

Рассмотрим некоторые типовые схемы, в которых может быть эффективно использован транзистор КТ646Б:

Усилитель высокой частоты

В схеме усилителя высокой частоты КТ646Б может работать в режиме класса А, обеспечивая хорошее усиление сигнала без значительных искажений. Ключевые моменты при проектировании такой схемы:

Выбор оптимальной рабочей точки
Обеспечение температурной стабилизации
Правильный расчет цепей согласования

Ключевой каскад

КТ646Б хорошо подходит для работы в ключевом режиме благодаря малому времени переключения. При проектировании ключевого каскада следует обратить внимание на:

Обеспечение надежного насыщения транзистора
Защиту от перенапряжений при коммутации индуктивной нагрузки
Оптимизацию скорости переключения

Измерение параметров и диагностика КТ646Б

Для обеспечения надежной работы устройств с применением КТ646Б важно уметь правильно измерять его параметры и проводить диагностику. Какие методы можно использовать?

Измерение статических параметров с помощью мультиметра
Проверка коэффициента усиления в динамическом режиме
Определение частотных характеристик с использованием специализированного оборудования

Как выявить неисправность транзистора КТ646Б? Основные признаки неисправности могут включать:

Значительное отклонение параметров от номинальных значений
Наличие пробоя переходов
Аномальный нагрев при работе

При подозрении на неисправность рекомендуется провести комплексную проверку транзистора вне схемы, используя специализированные приборы или методы.

Перспективы развития и альтернативы КТ646Б

Несмотря на то, что КТ646Б остается популярным выбором для многих применений, развитие электроники не стоит на месте. Какие тенденции наблюдаются в области высокочастотных транзисторов?

Уменьшение размеров корпусов для улучшения частотных характеристик
Повышение предельных параметров по току и напряжению
Улучшение тепловых характеристик
Развитие технологий производства, обеспечивающих более стабильные параметры

Существуют ли альтернативы КТ646Б? В некоторых случаях функции биполярных транзисторов могут выполнять полевые транзисторы, обладающие рядом преимуществ, таких как высокое входное сопротивление и меньшее энергопотребление в статическом режиме. Однако выбор конкретного типа транзистора зависит от требований схемы и условий эксплуатации.

В заключение стоит отметить, что КТ646Б, несмотря на свой возраст, остается надежным и проверенным компонентом для многих электронных устройств. Его широкая доступность, хорошо изученные характеристики и наличие большого количества схемотехнических решений делают его популярным выбором как для любительских проектов, так и для промышленных применений.

Транзисторы КТ645, КТ646 — параметры,цоколевка.

Транзисторы КТ646А, КТ646Б, КТ646В.

Транзисторы КТ646 — кремниевые, высокочастотные, быстродействующие структуры n-p-n .
В настоящее время эти транзисторы производятся на белорусском предприятии «Интеграл», а также в ЗАО»Кремний-Маркетинг»(Брянск).
Корпус пластиковый TO-126.

Наиболее важные параметры.

Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max )

— 1 Вт без радиатора,2,5 Вт — с радиатором.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер(постоянное):
У транзисторов КТ646А — 50 в.
У транзисторов КТ646Б — 40 в.
У транзисторов КТ646В — 40 в.

Максимальное напряжение коллектор — база(постоянное):
У транзисторов КТ646А — 60 в.
У транзисторов КТ646Б — 40 в.
У транзисторов КТ646В — 40 в.

Максимальное напряжение эмиттер-база (постоянное):
У всех транзисторов КТ646 — 4 в.

Максимальный постоянный ток коллектора — 1А, импульсный — 1,2А.

Коэффициент передачи тока в схеме с «общим эмиттером» :

У транзисторов КТ646А — от 40 до 200.
У транзисторов КТ646Б — свыше 150.
У транзисторов КТ646В -от 150 до 340.

Обратный ток коллектор-база при температуре 20 градусов по Цельсию:
У транзисторов КТ646А при напряжении коллектор-база 60в — не более 10мкА.
У транзисторов КТ646Б при напряжении коллектор-база 40в — не более 10мкА.
У транзисторов КТ646В при напряжении коллектор-база 35в — не более 0,05мкА..

Граничная частота передачи тока( fh31э ) — 250 мГц.

Напряжение насыщения коллектор — эмиттер: У транзисторов КТ646А при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА — не более

0,85 в.
У транзисторов КТ646Б при токе колектора 200 мА и токе базы 20 мА — не более 0,25 в.
У транзисторов КТ645Б при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА — не более 0,25 в.

Напряжение насыщения база — эмиттер — при токе колектора 500 мА и токе базы 50 мА — не более 1,2 в.

Аналоги КТ646.

Транзисторы КТ646А, КТ646Б были разработаны на основе импортных 2SC495 и 2SC496, соответственно.
Аналоги получились не полные, но ближайшими их вполне назвать можно.

На главную страницу

Транзистор КТ646 — DataSheet

Перейти к содержимому

Цоколевка транзистора КТ646

**Параметры транзистора КТ646**
Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ646А		*2SC2720 ^1, 2SC3739 ^3, KN100 ^1, 6101 ^1, 2SD1423A ^3, 2SD602A ^3*
Аналог		КТ646Б		*YTS2222 ^3, KST4401 ^1, KN4401 ^3, 2SC4097R ^1, 2SC2411KR ^1, 2SC2411KQ ^1*
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	КТ646А	—	*1(2. 5)**	Вт
		КТ646Б	—	1
		КТ646В	—	1
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h31б,f^_h31э, f^**_max	КТ646А	—	≥200	МГц
		КТ646Б	—	≥200
		КТ646В	—	≥200
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	КТ646А	—	60	В
		КТ646Б	—	40
		КТ646В	—	40
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб. ,}	КТ646А	—	4(5)	В
		КТ646Б	—	4
		КТ646В	—	4
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	КТ646А	—	1; 1.2*	А
		КТ646Б	—	1; 1.2*
		КТ646В	—	1; 1.2*
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	КТ646А	60 В	≤10	мкА
		КТ646Б	40 В	≤10
		КТ646В	40 В	≤10
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	КТ646А	5 В; 0. 2 А	40…200*
		КТ646Б	5 В; 0.2 А	150…200*
		КТ646В	5 В; 0.2 А	150…300*
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	КТ646А	10 В	≤10	пФ
		КТ646Б	10 В	≤10
		КТ646В	10 В	≤10
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К}^*_у.р.	КТ646А	—	≤1.7	Ом, дБ
		КТ646Б	—	≤1. 2
		КТ646В	—	≤0.06
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^_b, P^*_вых	КТ646А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ646Б	—	—
		КТ646В	—	—
		КТ646Г	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	КТ646А	—	≤120; ≤60*	пс
		КТ646Б	—	≤120; ≤60*
		КТ646В	—	≤120; ≤60*