Какие основные параметры у транзистора КТ805. Для чего он используется. Есть ли у него современные аналоги. Как правильно подключать КТ805 в схемах.
Основные характеристики транзистора КТ805
Транзистор КТ805 — это биполярный n-p-n транзистор средней мощности, предназначенный для работы в импульсных и переключающих схемах. Рассмотрим его ключевые параметры:
- Структура: n-p-n
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 60-100 В (зависит от модификации)
- Максимальный ток коллектора: 5 А
- Рассеиваемая мощность: до 30 Вт
- Коэффициент усиления по току: 15-60
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
- Корпус: TO-220 (пластиковый)
Как видно из характеристик, КТ805 обладает хорошим сочетанием мощностных и частотных параметров, что делает его универсальным для различных применений.
Области применения транзистора КТ805
Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ805 нашел широкое применение в следующих областях:
- Импульсные источники питания
- Преобразователи напряжения
- Драйверы электродвигателей
- Усилители мощности звуковой частоты
- Ключевые и коммутирующие схемы
Особенно часто КТ805 использовался в телевизорах советского и раннего постсоветского производства. Его способность работать на высоких частотах при значительных токах и напряжениях делала его идеальным для применения в схемах строчной развертки.
Современные аналоги КТ805
Хотя транзистор КТ805 по-прежнему производится, существует ряд современных аналогов с улучшенными характеристиками:
- BU508A — популярный зарубежный аналог с близкими параметрами
- 2SC5386 — японский транзистор с лучшими частотными свойствами
- КТ8176А — отечественный аналог с повышенным напряжением коллектор-эмиттер
- IRF530 — MOSFET-транзистор, способный заменить КТ805 во многих схемах
При выборе аналога важно учитывать не только основные параметры, но и особенности конкретной схемы применения.
Правила подключения КТ805 в схемах
Для корректной работы транзистора КТ805 в электронных устройствах следует соблюдать несколько важных правил:
- Правильно определить выводы транзистора. Слева направо (если смотреть на плоскую сторону корпуса): эмиттер, коллектор, база.
- Обеспечить надежный теплоотвод. При токах более 1-2 А необходимо использовать радиатор.
- Не превышать максимально допустимые значения напряжений и токов.
- При работе в ключевом режиме использовать цепи защиты от перенапряжений (например, снабберные цепи).
- В линейном режиме обеспечить температурную стабилизацию рабочей точки.
Соблюдение этих правил поможет обеспечить надежную и долговременную работу транзистора в вашем устройстве.
Особенности использования КТ805 в импульсных схемах
Транзистор КТ805 часто применяется в импульсных схемах, где важны его коммутационные свойства. Каковы особенности его использования в таких применениях?
- Быстрое переключение. КТ805 способен работать на частотах до нескольких МГц, что делает его подходящим для многих импульсных схем.
- Высокая нагрузочная способность. Транзистор может коммутировать токи до 5 А, что достаточно для большинства бытовых и промышленных применений.
- Необходимость защиты. При работе с индуктивной нагрузкой требуется защита от выбросов напряжения при выключении.
- Тепловой режим. В импульсных схемах важно учитывать не только среднюю, но и пиковую рассеиваемую мощность.
Правильный учет этих особенностей позволяет создавать эффективные и надежные импульсные устройства на базе КТ805.
Сравнение КТ805 с современными MOSFET-транзисторами
В последние годы во многих применениях биполярные транзисторы, такие как КТ805, заменяются на MOSFET-транзисторы. Сравним их основные характеристики:
| Параметр | КТ805 | Типичный MOSFET |
|---|---|---|
| Управление | Током | Напряжением |
| Входное сопротивление | Низкое | Очень высокое |
| Скорость переключения | Средняя | Высокая |
| Потери в открытом состоянии | Выше | Ниже |
Несмотря на преимущества MOSFET в некоторых аспектах, КТ805 остается востребованным в определенных применениях благодаря своей надежности и простоте использования.
Проверка работоспособности транзистора КТ805
Как убедиться, что ваш транзистор КТ805 исправен и готов к работе? Вот несколько простых способов проверки:
- Проверка мультиметром:
- Измерьте сопротивление между коллектором и эмиттером. Оно должно быть высоким в обоих направлениях.
- Измерьте сопротивление между базой и эмиттером, а затем между базой и коллектором. В одном направлении оно должно быть низким, в другом — высоким.
- Проверка в простой схеме:
- Соберите простой усилительный каскад на транзисторе.
- Подайте на вход небольшой сигнал и проверьте наличие усиленного сигнала на выходе.
Эти методы позволят с высокой вероятностью определить исправность транзистора перед его использованием в вашем устройстве.
Транзистор КТ805БМ
В корзину
- Описание и характеристики
- Отзывы(0)
- Инструкция
Транзистор КТ805БМ n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для применения в выходных каскадах строчной развертки телевизионных приемников и других переключающих устройствах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Номер технических условий
- аАО.336.341 ТУ / 03
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 60 до + 100 С
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
| Вывод | Назначение |
| №1 | Эмиттер |
| №2 | Коллектор |
| №3 | База |
| Параметры | Обозначение | Ед.изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Обратный ток коллектор-эмиттер КТ805АМ КТ805БМ, ВМ | Iкэr | мА | Uкэ и.=160В, Rэб=10 Ом Uкэ и.=135В, Rэб=10 Ом | — | 25 25 |
| Обратный ток коллектор-эмиттер КТ805ИМ | Iкэr | мА | Uкэо=60B, Rэб = | — | 3 |
| Обратный ток эмиттера КТ805АМ, БМ, ВМ КТ805ИМ | Iэбо | мА | Uэб=5В | — | 50 5 |
| Статический коэффициент передачи тока КТ805АМ, БМ, ВМ КТ805ИМ | h31э | Uкэ и. =10B, Iк=2A | 15 25 | — | |
| Напряжение насыщения | Uкэ нас | В | Iк=5A, Iб=0,5A | — | 2,5 |
| коллектор-эмиттер | |||||
| КТ805АМ | |||||
| КТ805БМ | Iк=5A, Iб=0,5A | 5,0 | |||
| КТ805ВМ | Iк=2А, Iб=0,2A | 2,5 | |||
| КТ805ИМ | Iк=2А, Iб=0,2A | 3,0 | |||
| Напряжение насыщения база-эмиттер | Uбэ нас | В | Iк=5A, Iб=0,5мA | — | 2,5 |
| КТ805АМ | |||||
| КТ805БМ | 5,0 | ||||
| КТ805ВМ | 5,0 |
| Параметры | Обозначение | Ед. изм. | Значение |
| Импульсное напряжение коллектор-эмиттер (Rэб=10 Ом, tи 10) КТ805АМ КТ805БМ, ВМ | Uкэ и max | В | 160 135 |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер КТ805ИМ (при Rэб=100 Ом) КТ805АМ, БМ, ВМ, ИМ (при Rэб= Ом) | Uкэr max | В | 70 60 |
| Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5,0 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 5,0 |
| Импульсный ток коллектора КТ805АМ, БМ, ВМ, ИМ (tи 1.5, tнр=tсп | Iки max | А | 8,0 |
| Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 2,0 |
| Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Тк | Pк max | Вт | 30 |
Отзывы
Транзистор КТ805 | Радиодетали в приборах
Транзисторы
30.
06.2019
Arazbor
Транзистор КТ805
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ805
Золото: 0.0004
Серебро: 0.0863
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором.
Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Понравилось это:
Нравится Загрузка…
Tags: транзисторТранзистор%20smd%2010p техническое описание и примечания по применению
org/Product»>
org/Product»>транзистор%20smd%2010p Листы данных Context Search
| Каталог Лист данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
хб*9Д5Н20П Реферат: khb9d0n90n 6v стабилитрон khb * 2D0N60P транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9Схема Д0Н90Н на транзисторе ктд998 | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E хб*9Д5Н20П хб9д0н90н 6В стабилитрон хб*2Д0Н60П транзистор КХБ7Д0Н65Ф Транзистор BC557 киа*278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н транзистор ктд998 | |
КИА78*ПИ Реферат: Транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2Н3904хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ ТРАНЗИСТОР мосфет КИА7812АПИ хб*2Д0Н60П | Оригинал | 2N2904E до н.э.859 КДС135С 2N2906E до н.э.860 KAC3301QN КДС160 2Н3904 BCV71 KDB2151E КИА78*пи транзистор КИА78*р ТРАНЗИСТОР 2N3904 хб*9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004AF ТРАНЗИСТОР MOSFET KIA7812API хб*2Д0Н60П | |
2SC4793 2sa1837 Реферат: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 2sc5198 аналог транзистора 2SC5359Транзистор 2SC5171, эквивалентный транзистору NPN | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2СК5200, 2СА1943, 2СК5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn к-220 эквивалент 2sc5198 транзистор 2SC5359 эквивалент транзистора 2SC5171 НПН-транзистор | |
транзистор Реферат: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор pnp bc547 транзистор BC327 NPN транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP | OCR-сканирование | 2Н3904
2Н3906
2Н4124
2Н4126
2N7000
2Н7002
до н. э.327
до н.э.328
до н.э.337
до н.э.338
транзистор
транзистор ИТТ
BC548 п-н-п транзистор
транзистор п-н-п
BC337 п-н-п транзистор
pnp bc547 транзистор
BC327 NPN-транзистор
MPSA92 168
транзистор 206
2н3904 ТРАНЗИСТОР ПНП | |
Ч520Г2 Реферат: Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47к 22к ПНП НПН ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn переключающий транзистор 60в транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904T1PT | Оригинал | А1100) QFN200 ЧДТА143ЕТ1ПТ ФБПТ-523 100 мА ЧДТА143ЗТ1ПТ ЧДТА144ТТ1ПТ CH520G2 Ч520Г2-30ПТ транзистор цифровой 47k 22k PNP NPN ФБПТ-523 Ч521Г2-30ПТ npn-переключающий транзистор 60 В транзистор Р2-47К транзистор цифровой 47к 22к 500мА 100мА Ч4904Т1ПТ | |
транзистор 45 f 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 tlp 122 634 транзистор транзистор ac 127 TRANSISTOR транзистор 502 транзистор f 421 | OCR-сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор переменного тока 51 Моск 3021 СИМИСТОР 136 тлп 122 634 транзистор транзистор переменного тока 127 ТРАНЗИСТОР транзистор 502 транзистор ф 421 | |
СТХ12С Реферат: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 фн651 SLA4037 sla1004 СТВ-34Д SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Реферат: Транзистор СЭ110Н 2SC5487 2SA2003 Транзистор СЭ090Н высоковольтный Транзистор СЭ090 РБВ-406 2SC5586 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор RU SE110N транзистор 2SC5487 2SA2003 SE090N высоковольтный транзистор SE090 РБВ-406 2SC5586 | |
К2Н4401 Резюме: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 D1N750 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | РД91ЭБ Q2N4401 Д1Н3940 Q2N2907A Д1Н1190 Q2SC1815 Q2N3055 Q2N1132 Д1Н750 D02CZ10 Д1Н751 | |
фн651 Реферат: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 фн651 СТВ-34Д 2SC5586 ХВР-1×7 STR20012 sap17n 2сд2619 РБВ-4156Б SLA4037 2ск1343 | |
2SC5471 Реферат: 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 2Sc5720 транзистор 2SC5766 низкочастотный малошумящий транзистор PNP | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 А1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 транзистор 2са1015 транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Мосфет ФТР 03-Е Резюме: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF V/65e9 транзистор транзистор 2SC337 | OCR-сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Мосфет FTR 03-E мт 1389 фе 2СД122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона DTC114EVA DTC143EF Транзистор V/65e9 транзистор 2SC337 | |
фгт313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A диод SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096 диодов ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 фгт313 транзистор фгт313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 фгт412 РБВ-3006 ФМН-1106С SLA5096 диод ry2a | |
транзистор 91 330 Реферат: tlp 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор R358 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR-сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6Н136 6Н137 6Н138 6Н139 CNY17-L CNY17-M транзистор 91 330 тлп 122 ТРАНЗИСТОР TLP635F 388 транзистор Р358 395 транзистор транзистор ф 421 IC 4N25 симистор 40 РИА 120 | |
1999 — Системы горизонтального отклонения телевизора Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 TV горизонтальные системы отклонения 25 транзистор горизонтальная секция tv Горизонтальное отклонение переключающие транзисторы TV горизонтальные системы отклонения mosfet CRT TV электронная пушка горизонтальная секция в элт-телевидение TV трансформатор обратного хода | Оригинал | 16 кГц
32 кГц,
64 кГц,
100 кГц. Системы горизонтального отклонения телевизора
РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА
Ан363
Системы горизонтального отклонения телевизора 25
транзистор горизонтальной секции телевизор
Переключающие транзисторы с горизонтальным отклонением
Мосфет системы горизонтального отклонения телевизора
ЭЛТ ТВ электронная пушка
горизонтальная секция в ЭЛТ-телевизоре
Обратный трансформатор для телевизора | |
транзистор Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220 | Оригинал | 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор Реферат: POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип n-канальный полевой массив Низкочастотный силовой транзистор транзистор mp40 TRANSISTOR P 3 high hfe транзистор список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) МП-25 О-220) МП-40 МП-45 МП-45Ф О-220 МП-80 МП-10 транзистор МОЩНЫЙ МОП-транзистор FET 2sj 2sk транзистор 2ск тип 2СК n-канальный полевой массив Силовой низкочастотный транзистор транзистор мп40 ТРАНЗИСТОР Р 3 высокочастотный транзистор список | |
транзистор 835 Реферат: Усилитель на транзисторе BC548 TRANSISTOR регулятор АУДИО Усилитель на транзисторе BC548 транзистор 81 110 w 85 транзистор 81 110 w 63 транзистор транзистор 438 TRANSISTOR GUIDE транзистор 649 | OCR-сканирование | БК327;
БК327А;
до н. э.328
БК337;
БК337А;
до н.э.338
до н.э.546;
до н.э.547;
до н.э.548
до н.э.556;
транзистор 835
Усилитель на транзисторе BC548
ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор
Усилитель ЗВУКА на транзисторе BC548
транзистор 81 110 Вт 85
транзистор 81 110 Вт 63
транзистор
транзистор 438
ТРАНЗИСТОР РУКОВОДСТВО
транзистор 649 | |
2002 — SE012 Реферат: SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050e SE110N SLA-7611 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 SE090 SE140N SE115N диод 2SC5487 sta474a 8050е SE110N SLA-7611 | |
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586 диод RU 3AM 2SA2003 диод СВЧ однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 RG-2A диод Dual MOSFET 606 TFD312S-F | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод для микроволновой печи однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A 2SC5487 Диод РГ-2А Двойной МОП-транзистор 606 ТФД312С-Ф | |
PWM ИНВЕРТОРНЫЙ сварочный аппарат Реферат: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 демпфирующий конденсатор powerex инвертор сварочная схема kd2245 kd224510 примечания по применению транзистор KD221K75 | OCR-сканирование | ||
варикап диоды Реферат: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Hitachi SAW Фильтр gsm-модуль с микроконтроллером P-канальный MOSFET Транзисторы MOSFET P-канальный Mosfet-транзистор Hitachi Низкочастотный силовой транзистор VHF FET LNA | OCR-сканирование | PF0032 PF0040 PF0042 ПФ0045А PF0065 ПФ0065А HWCA602 HWCB602 ХВКА606 HWCB606 варикапные диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР МОП-транзистор с двойным затвором в усилителе УКВ Хитачи ПАВ Фильтр gsm модуль с микроконтроллером p-канальный мосфет Транзисторы mosfet p канал МОП-транзистор хитачи Силовой низкочастотный транзистор УКВ Фет лна | |
Транзистор мощности телевизора, техническое описание Реферат: силовой транзистор 2SD2599 эквивалент 2SC5411 транзистор 2sd2499 транзистор 2Sc5858 эквивалент 2SC5570 компоненты в горизонтальном выходе 2SC5855 | Оригинал | 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Технический паспорт силового транзистора телевизора силовой транзистор Эквивалент 2SD2599 транзистор 2sd2499 транзистор эквивалент 2Sc5858 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе 2SC5855 | |
2009 — 2sc3052ef Реферат: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА КОД s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводниковый перекрестный справочник toshiba smd код маркировки транзистора | Оригинал | 24 ГГц BF517 Б132-Х8248-Г5-С-7600 2sc3052ef 2н2222а СОТ23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 смд 1N4148 СОД323 полупроводниковая перекрестная ссылка toshiba smd маркировка код транзистора | |
2007 — ДДА114ТХ Резюме: DCX114EH DDC114TH | Оригинал | DCS/PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22кОм 47кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH | |
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее
Как передать энергию по одному проводу / Хабр Обычно для такой передачи энергии подразумевается заземление, хотя на самом деле это не лучший способ передачи энергии. Лучше всего передавать энергию по проводу, используя схему, показанную ниже.
Соединительный провод можно использовать очень тонкий, в моих экспериментах провод был диаметром 0,08 мм. При удачно подобранных параметрах катушек транзистор можно использовать без дополнительных резисторов, как показано на схеме. У кт315 такое включение работает примерно при 9 вольтах, у кт805 такое включение может быть работоспособно при 12 вольтах. Важно соблюдать правильность подключения катушек в передающей части схемы, иначе работать не будет.
Катушку L2 обычно наматывают большим количеством витков провода диаметром 0,2 — 0,5 мм. Катушки L2 — L4 должны быть одинаковыми! Легко проверить работоспособность схемы; достаточно подобрать светодиод за одну из его ножек и поднести к контакту катушки L2. Он должен начать светиться. Выпрямительные диоды на приемной части цепи должны быть высокочастотными. На выходе выпрямителя также лучше поставить сглаживающий конденсатор.
Видео с работой этой схемы
Вы могли заметить, что схема включения на видео отличается от схемы в статье. В видео базе транзистор подключен к резистивному делителю, состоящему из 27 и 240 Ом. Остальное работает так же. Батарейку на 12 вольт не обязательно ставить мощную, потребляемая мощность от схемы невелика и для опытов достаточно батарейки типа «крона», если сделать устройство малогабаритным по схеме в этой статье.
Конические катушки мотать не нужно, в видео использовались именно они, так как других под рукой просто не было.
Отличие от других схем
Представленные выше две схемы без заземления будут работать тем хуже, чем длиннее соединительный провод. Причем, очень заметно в пределах 3-х метров. При подключении к приемной части массивного токопроводящего предмета потребление энергии улучшается, но все равно остается хуже, чем в самой первой схеме этой статьи. Для первой схемы эффективность приема энергии не так сильно зависит от длины соединительного провода и не требует наличия массивного проводящего предмета, как заземления.
Некоторые опыты Опыт с лампочкой
Если к выходу катушки L2 подключить лампочку с нитью накала, а второй провод лампочки сделать достаточно длинным, то нить накала загорится . Однако гореть он будет не равномерно, а с постепенным затуханием.
Опыт с катушкой вокруг провода
Если сделать катушку и пропустить через нее провод, передающий энергию к приемнику, то на катушке возникает ЭДС, как будто переменное магнитное поле направлено вдоль проводника, и не вокруг него.
