Кт807Б применение: Транзистор типа: КТ807А, КТ807Б, КТ807АМ, КТ807БМ — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Содержание

Транзистор типа: КТ807А, КТ807Б, КТ807АМ, КТ807БМ

Транзисторы кремниевые меза-планарный n-p-n универсальные низкочастотные мощные: КТ807А, КТ807Б, КТ807АМ, КТ807БМ. Предназначен для работы в генераторах кадровой и строчной развёрток, усилителях низкой частоты, источниках питания. Выпускается в металлопластмассовом (КТ807А, КТ807Б) и в пластмассовом (КТ807АМ, КТ807БМ) корпусах с гибкими выводами.

Масса транзистора КТ807А, КТ807Б не более 2,5 гр., КТ807АМ, КТ807БМ не более 1 гр.

Чертёж транзистора КТ807А, КТ807Б, КТ807АМ, КТ807БМ

Электрические параметры.

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером, не менее	5 МГц
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_КЭ=5 В, I_К=0,5 А
при Т=24,85°С
КТ807А, КТ807АМ	15-45
КТ807Б, КТ807БМ	30-100
при Т=84,85°С
КТ807А, КТ807АМ	20-60
КТ807Б, КТ807БМ	45-150
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при I_К=0,5 А, I_Б=0,1 А, не более	1 В
Обратный ток коллектор-эмиттер при U_КЭ=100 В, R_БЭ=10 Ом
при Т=24,85°С	5 мА
при Т=84,85°С	15 мА
Обратный ток эмиттера при U_ЭБ=4 В, не более	15 мА

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при R_БЭ≤10 Ом или R_БЭ=1 кОм и U_БЭ=0,5 В	100 В
Импульсное напряжение коллектор-эмиттер	120 В
Постоянное напряжение эмиттер-база	4 В
Постоянный ток коллектора	0,5 А
Импульсный ток коллектора при τ_и≤1 мс, Q≥2	1,5 А
Постоянный ток базы	0,2 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
при Т=233-343 К	10 Вт
при Т=84,85°С	8 Вт
Тепловое сопротивление переход-корпус	8 К/Вт
Температура перехода	149,85°С
Температура окружающей среды	От -40,15 до 84,85°С

Примечание.

При температуре окружающей среды от 69,85 до 84,85°С рассеиваемая мощность коллектора, Вт, рассчитывается по формуле:

P_{К макс}=(423-Т)/R_{Т п к}.

1. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от температуры. 2. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора. 3. Зона возможных положений зависимости напряжения насыщения коллектор-эмиттер от температуры.

Bu807 — параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор BU807 — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: BU807

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60
W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330
V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150
V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8
A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO220

BU807

Datasheet (PDF)

1. 1. bu806 bu807.pdf Size:57K _st

BU806
BU807

MEDIUM VOLTAGE NPN FAST SWITCHING
DARLINGTON TRANSISTORS
STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPES
NPN DARLINGTONS
LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS
INTEGRATED ANTIPARALLEL
COLLECTOR-EMITTER DIODE
APPLICATION
HORIZONTAL DEFLECTION FOR
3
2
MONOCHROME TVs
1
DESCRIPTION
TO-220
The devices are silicon Epitaxial Planar NPN
power transistors in Darlington configurati

1.2. bu806 bu807.pdf Size:39K _fairchild_semi

BU806/807
High Voltage & Fast Switching Darlington
Transistor
Using In Horizontal Output Stages of 110
Crt Video Displays

BUILT-IN SPEED-UP Diode Between Base and Emitter
TO-220
1
1.Base 2.Collector 3.Emitter
NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor
Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted
Symbol Parameter Value Units
VCBO Collector-Base Voltage
:

1. 3. bu806 bu807.pdf Size:54K _samsung

NPN EPITAXIAL
BU806/807 SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
FAST SWITCHING DARLINGTON
TO-220
TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE DARLINGTON TRANSISTOR
USING IN HORIZONTAL OUTPUT STAGES
OF 110 CTR VIDEO DISPLAYS
BUILT-IN SPEED-UP Diode Between Base and Emitter
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Characteristic Symbol Rating Unit
Collector-Base Voltage : BU806 VCBO 400 V
1.Base 2.Collector 3.Emitter
: BU807 330

1.4. bu807fi.pdf Size:197K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU807FI
DESCRIPTION
·High Voltage: V = 330V(Min)
CBO
·Low Saturation Voltage-
: V = 1.5V(Max)@ I = 5A
CE(sat) C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in horizontal deflection circuits in TV’s
and CRT’s.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMET

1. 5. bu807f.pdf Size:200K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU807F
DESCRIPTION
·High Voltage: V = 330V(Min)
CBO
·Low Saturation Voltage-
: V = 1.5V(Max)@ I = 5A
CE(sat) C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in horizontal deflection circuits in TV’s
and CRT’s.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETE

1.6. bu807.pdf Size:196K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU807
DESCRIPTION
·High Voltage: V = 330V(Min)
CBO
·Low Saturation Voltage-
: V = 1.5V(Max)@ I = 5A
CE(sat) C
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use in horizontal deflection circuits in TV’s
and CRT’s.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃)
a
SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы… BU726
, BU800
, BU800A
, BU800S
, BU801
, BU806
, BU806F
, BU806FI
, 2SC2078
, BU807F
, BU807FI
, BU808
, 2SB647-C
, BU808DFI
, BU808DXI
, BU808FI
, BU810
.

BU807 Datasheet (PDF)

1.1. bu806 bu807.pdf Size:57K _st

BU806
BU807

1.2. bu806 bu807.pdf Size:39K _fairchild_semi

BU806/807
High Voltage & Fast Switching Darlington
Transistor
Using In Horizontal Output Stages of 110
Crt Video Displays

1. 3. bu806 bu807.pdf Size:54K _samsung

1.4. bu807fi.pdf Size:197K _inchange_semiconductor

1. 5. bu807f.pdf Size:200K _inchange_semiconductor

1.6. bu807.pdf Size:196K _inchange_semiconductor

Оцените статью:

Блок питания 1-29В/2А (КТ908)

Во многих современных стабилизаторах для улучшения их качественных показателей используют операционные усилители, обладающие большим коэффициентом усиления и стабильными характеристиками.

Однако относительно простая модификация традиционного по схеме транзисторного стабилизатора позволяет заметно улучшить его технические характеристики и избежать некоторых трудностей, возникающих при конструировании стабилизаторов с применением ОУ (особенно в устройствах с регулированием выходного напряжения в широких пределах). Высокий коэффициент стабилизации описываемого блока питания (рис. 3.4) обусловлен применением усилителя с динамической нагрузкой.

Рис. 3.4.

Источник образцового напряжения собран на полевом транзисторе, что дает возможность снизить выходное сопротивление стабилизатора и получить глубокое регулирование выходного напряжения.

Стабилизатор напряжения состоит из двух усилителей с динамической нагрузкой с последовательным управлением. Первый собран на транзисторах V13, V12, где V13 включен по схеме с общим затвором, а VI2 — с общим коллектором: второй — на транзисторах V14, V15 (V14 — с общим эмиттером a V15 — с общим коллектором). Сигнал обратной связи с движка резистора R9, приложенный к истоку транзистора VI3, усиливается без инвертирования фазы и поступает на базу транзистора V14.

Транзистор VI3 работает в режиме, близком к отсечке тока. Напряжение между истоком и затвором является в стабилизаторе образцовым.

Цепь R2, R3, VII служит только для температурной компенсации изменения тока стока транзистора VI3 (без нее при замкнутом на общий провод затворе этого транзистора выходное напряжение стабилизатора изменяется на 3…5% в температурном интервале 20…50°С). С коллектора транзистора V14 проинвертированный и усиленный сигнал передается на базу мощного регулирующего транзистора Управляющий элемент питается от параметрического стабилизатора на стабилитроне V10 и транзисторе V9. Для получения более высокого коэффициента использования напряжения основного выпрямителя VI…V4 стабилизатор на транзисторе V9 питается от умножителя напряжения на диодах V5…V8 и конденсаторах CI, С2. Умножитель подключен ко вторичной обмотке трансформатора Т1.

Лампа HI служит для ограничения коллекторного тока через транзисторы V9, V14 и базового тока транзистора VI5 при коротком замыкании в цепи нагрузки, а также для индикации перегрузки. В момент перегрузки вследствие возрастания базового тока транзистора VI5 происходит снижение напряжения на входе параметрического стабилизатора до уровня 30 В, где это напряжение почти полностью падает на лампе HI за вычетом падения напряжения на транзисторах V9, V14 и эмиттерном переходе транзистора V15. Ток по этой цепи не превышает 120…130 мА, что меньше предельно допустимого для ее элементов.

В стабилизаторе использован проволочный переменный резистор с допустимой мощностью рассеивания 3 Вт (ППБ-3, ППЗ-40). Транзистор V13 необходимо подобрать с малым значением на

чального тока стока, только тогда нижняя граница выходного напряжения стабилизатора будет близка к 1 В. Ток стока этого транзистора при напряжении между стоком и истоком 10 В и затворе, замкнутом на исток, должен быть в пределах 0,5…0,7 мА. При монтаже стабилизатора между диодом VI1 и транзистором VI3 необходимо обеспечить хороший тепловой контакт, для чего достаточно склеить их корпуса. Транзистор VI5 желательно выбрать с большим статическим коэффициентом передачи тока базы.

Кроме указанных на схеме, можно использовать кремниевые транзисторы серий КТ203, КТ208, КТ209, КТ501, КТ502, КТ3107 (VI2), КТ814, КТ816 (V14), транзисторы КТ815, КТ817 с любым буквенным индексом, КТ807Б (V9), КТ803А, КТ808А, КТ819 с любым буквенным индексом (VI5).

В стабилизаторе можно применить и германиевые транзисторы МП40А, а также любые из серий МП20, МП21, МП25, МП26 (VI2), ГТ402, ГТ403, П213…П215 (V14). Вместо КС527А можно применить стабилитроны Д813, Д814Д (по два последовательно), Д810, Д814В (по три последовательно). Транзисторы V9 и V14 желательно установить на небольшие радиаторы (с полезной площадью 20… 30 см2). Для транзистора VI5 необходим радиатор.

С целью облегчения теплового режима этого транзистора предусмотрено ступенчатое изменение напряжения на входе стабилизатора тумблером S1, рассчитанным на ток 2 А. В положении 1 на вход стабилизатора подается 15 В, а в положении 2 — 30 В. Когда тумблер находится в положении 2 и сопротивление нагрузки близко к минимуму, стабилизированное напряжение не следует устанавливать менее 15 В.

Сетевой трансформатор намотан на магнитопроводе трансформатора ТС-60. Первичная обмотка оставлена без изменения, вторичная перемотана; она содержит 200 витков (по 100 витков на каждую катушку) провода ПЭВ-2-1,16.

Возникающую иногда в стабилизаторе высокочастотную генерацию можно подавить либо увеличением номинала конденсатора С6, либо включением в цепь базы транзистора VI5 резистора сопротивлением 5…10 Ом мощностью 1 Вт. Для обеспечения устойчивой работы стабилизатора его монтаж нужно выполнять проводниками минимальной длины, имеющими большое сечение токопро-водящей жилы.

sprav_tranzistor (Справочник по транзисторами) » СтудИзба

КТ805А, КТ805Б, КТ805АМ, КТ805Б]ц КТ805ВМ Тоанзисторы кремниевые зпнтаксиальные и-р-и переключа низкочастотные мошные. ючатель заныв Предназначены ддя применения в схемах выхолных к строчной развертки телевизоров, систем зажигания двигателеи каскадоа рениего сгорания. «» ви УтТранзисторы КТ805А, КТ805Б выпускаются в метшзлоет остекляа. ном корпусе с жесткими выводами. Транзисторы КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ выпускаю, каются я пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более йе г, в пластмассовом не более 2,5 г, нтм5А, нт8056 о,б Ф,В ягор ер НТ605АМ,НТВ85ВМ, НТ ВОБВМ 472 Электрические иарачетры „пе насышения кочзектор-змцттер пр Т305А КТ805АМ не ботев . Кт»05Б КТ805БМ не более . 2 Л /в = 02 А КТ305ВМ не более l = ЯР ряжеипе цасышения база-эчиттер при /и = 5 А, /в = 05 А КТ Т805А, КТ805АМ не ботев . КТ8 Т805Б КТ805БМ, КТ805ВМ не бочее . тическ»» кнй коэффициент передачи тока в схеме с обшич эл» эчиттероч при бкэ = 10 В, /к = 2 А не менее прп Т = 293 К, прн Т= 213 К, эффициента пер Граничив с о ш аром прц // менее И я»зьсный обратный ток коллектора при Янэ =!О Оч Иия» з „Р„ Т = 298 К н 373 К не более КТ305Л, КТ805АМ пРн //кэ = !бО В, КТ805Б, КТ805БМ, КТ305ВМ при //кэ = 135 В .

Обратил»й ток эмиттера при //эя = 5 В не более . 2,5 В 5 В 2,5 В 2,5 В 5 В 15 5 20 МГц 60 мА 70 мА !00 мА Предельные эксплуатационные данные Ицлэ зьсное напРЯцение коллектоР-эмиттеР пРи тя ц с 5»30 мс, тс > 15 мс, Яьэ и !О Ом при 7а и 373 К КТ805Л, КТ805ЛМ . КТ805Б, КТ305БМ, КТ805ВМ Постоянное напряаение эчиттер-база Постоянный ток ко»лектора . Ичпузьсный ток коззсктора при т„ к 200 мс и !7 = 1,5 Постоянный ток базы Ичпу»ьсвый зок базы цри тч с 20 мс Средняя Рассеиваемая чошность 1бО В 135 В 5 В 5 А 8 А 2 А 2,5 Л 473 при Т„С323 К,……..,… ЗО Вт нри Т„= з73 К,………….

15 Вт Тепловое сопротивзсние переход-корпус…… 3,3 К/Вт еч»ершура перелопа…… „…… 423 К Тел»п ‘шеразура окруаа»ошей среды……… От 213 до Т„= 373 К П Р и ч е ч а н н я 1 д»я КТ805А, КТ805АМ в схемах строчной Разве Рткн тезевизоРов допУскаетск //кэ „ = 180 В пРи Т И 343 К, ткк!5 чкс При повышении температуры до 423 К //кэ „ул»еньШастся тся на 10 , через ка клые 10 К В схемах строчной развертки ге»авизо оров лопУскаетсЯ Оэь „= 8 В пРи тч и 40 мкс 2 Ри»ечпературе корпуса оз 323 до 373 К рассеиваемая «ость коллектора, Вт, рассч»пывается по формуле / к а»с = !423 7’7//з» )багга,’ г5 Лгтз 100 во 00 40 го о 1 г 10 10 г,аыа Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора Зависимость модуля ьозффгга« ента передачи тока от частоты дгтэ 50 2 1,г 3 10 йо,в ж 00 а,д 0 10 90 го 10 нго 1000 100 г53 гуггэг 313 333 3531,к Зависимость атноситечьно ьного максимально допустимого о нате от пряжеиия коллектор-эмиттер сопротивления эмиттер-ба . база Згвисимость статического коэффициента передачи тока от тем- пературы 474 3 Пайлу выводов транзисторов в металлостекчянном следует производить в течение не более РЗ с Температу усе кори гэра пане должна превышать 533 К УР панга Пайку выволов транзисторов в пзастмассовом корит шается производить на расстоянии ие менее ч млг от >се Ра ьорп транзистора Рпзса При монтаже транзисторов в схему лопусьается одно, изгио их выводов на рассэаянни не менее 2,5 мм от оразов,яй «орп с под углом 90 ‘ с ралиэсом изгиба не менее 0,3 мм П должны приниматься меры нсьчючаюшне возмоя ность переда„я лии на корпус Изг иб в плоскости выводов не допуслается КТ807А, КТ807Б, КТ807АМ, КТ807БМ к ТЯОТ4, ктВОТБ К ТВР 14 М, К ТВЯ 7б и Электрические параметры Граничная частота коэффидиента передачи тола в схеме с абзцнкз эчнттером не менее Статический коэффиниент передачи тока в схеме с общим зкщзтером при Тткэ = 5 В, Тк = 0,5 А при Т= 298 К КТ807А, КТ807АМ .

КТ807Б, КТ807БМ прп ! = ззЯ Л КТ807А, КТ807АМ КТ807Б, КТ807БМ Вепря кение насыщения коччектор-эмпттер при Тк = =0,5 А, Та=0,1 А не более !)»Ратный ток коллектор-эмиттер при Тткэ =- 100 В, йьэ= 10 Ом при Т = 298 К нс более при Т= 358 К ие более . Об ат Ратный ток эмиттера при Т)эь = 4 В нс бочее . Предельные эксплуатационные данные Т!астап сстаяпное напряжение коллектор-змиттер при )Тьэ к к 1О Ом илн йьэ = 1 кОм и Ттьэ = 0,5 В 5 МГц 15-45 30-100 20-60 45 вЂ” 150 1 В 5 мА 15 мА 15 кзА 100 В 475 юторы кремниевые чеза-планарные л р-я универсальные ‘1’ р а и 3!! от ачасто тотные мощные Прсдназ иащачены лля работы в генераторах кадровой и строчной усидите зях низкой частоты, источниках питания ер ак Выпускаю и скаются в металзопластмассовом (КТ807А, КТ807Б) и в совам (КТ807АМ, КТ807БМ) корпусах с тнбкимн вывазщми , массон „, чепце ища приволится на корпусе ‘М.,са транзи- рз КТ807А, КТ807Б нс полее 1,5 г, КТ807АМ, ОТБМ ие более 1 1 гг ТЯ гй 12П В 4 В 05 д 15 д О24 При меч а ни е При температуре окружающей среды сз 343 до 358 К рассеиваемая мощность коллектора, Вт, рассчитывает „ тся по Формуле Рк „,„, = (423 вЂ” Т)~ Вте-х П213 12О лгтэ 120 ВО ОО ФО О 233 г73 О О,я О,д с13 ТК Зона возмо кны.

почоженай зависимости стаз ичесьогс ьоэфВиппснта передачи тока от темпе. ратуры -О,О 0,4 Зона возможных полоаеэнзй за о ‘»‘» висимостзз статпчеслого лозрФ ниента передачи тоьа от т тсьа ьолтеьтора Зона возможных почоаен нип занасыще. виспмости напряжения на от теы. ння колчсьтор-эмнттер о перату ры О г33 гуО 47й 318,ТОЗОВ Импульсное напряжение коллектор-эмиттер Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянный ток коллектора Импульсный тол коллектора при тх и! мс, Д > 2, Постоянный ток базы Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 вЂ” 343 К при Т= 358 К Тепловое сопротивление переход-корпус .

Температура перехода Температура алрух ающей среды ~В В 8 Вт » Куйт 423 К От 233 ло 358 К 2Т808А, КТ808А 4 122 Змнлглзер 023,5 бдэд КОЛЛ Электрические параметры Напряжение насыщения база-эмиттер при 7 = 6 А, 1 =06 А. Б типовое значение Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эипттером при тт = 3 В, / = 6 А при Т= 298 К типовое значение .

прн Т = 398 К 2Т808А и Т = 373 К КТ808А, р Отношение статического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Т= 398 К к статическочз коэффициенту прн Т = 298 К не более . Ореия рассасывания прн 17 = 15 В, 7 = 6 А не более лз ‘ к Молуль коэффициенза передачи тока при Т= 3,5 МГп, 1кэ = 10 В, 7 = 0.5 А не менее Э дикость котзекторного перехода прн бгьэ =- 1О В, /= 1 МГц пе бочее Об Ратный ток козчеьтор-эмиттер при Явэ = 1О Ом пРи Т = 298 и 213 К, тткэ = 200 В 2Т808А и Вкэ = 120 В КТ808А не ботев .

типовое значение прн Т = 398 К, 7ткэ = 160 В 2Т808А не более . при Т= 373 К, 67кэ = 120 В КТ808А не более . 16ратный ток эмпттера при 1тьэ = 4 В не более . типовое значение . ° 1″ вЂ” 25 В 14а В 10-50 15* 1О- 150 6 вЂ” 50 3 2 мкс 2,4 500 пФ 3 мА 01* мА 20 мА 20 мА 50 мА 4′ мА 477 исторы кремниевые меза-планарные и-р-и переключательные Траизнс стотные мопзиые захвачены для раооты в ключевых схемах, генераторах зьсчасто Пр дн’ ,», развертки.

электронных регуляторах напряжения взвой Р тР „„„каются в метазлостекчянном корпусе с жесткими выводами, рыпчсь пение типа приводится на корпусе Обозначен’ Масса транзистора не более 22 г, накндного фланца 12 г Предельные эксплуатаиноиные данные Постоянное напряжение коччеьтор-ам!мтер при 77 =!О Ом, Та<373 К ИмпУльсное напРЯжение коззеьтоР-эмпттеР пРи Гувэ =. ‘ В и’и! йьз = 10 Ом т„с 500 млс. ы > 6, Т„с 373 К Постоянное напряжен!!е амит! ер-база при Т = 213 вЂ” 398 К Постоянный ток колчектора при Т= 213 вЂ” 398 К .

Ток базы при Т = 213 вЂ” 398 К . Постоянная рассеиваемая мощность ьолчектора прп Т, = 213 вЂ” 321 К с тептоотводом при Т = 213 вЂ” 323 К без теплоотвода . Тел ювое сопро гав !снпе переход корпус, Темпера!ура перехода . Температура окружающей среды 2Т808А 120 В з50 В 4 В 1О А 4 А 50 Вт 5 Вт 2 К!Вт 423 К ОтН3„ Тг= 398 К КТ808А….. °,,….,…

От Т= 213 К до 7„= 373 К П р и и е ч а н и я 1 Постоянное и импульсное напряжение коллектор-эмиттер при Т = 373 вЂ” 423 К снижается линейно на 10″, чсрщ п каждые 1О К Не рекомендуется работа транзисторов при рабочих токах. сов! римых с неуправляемыми обратными таками во всем лпапазоне температур Ддя снижения контактного !силового сопротивления между корпу.

сом и теплоотводом необходимо применять смазку из невысыхаюшего масла илп тонкую фольгу из мягкого метачла 2 Механические усилия на выводы транзисторов не должны превышать 19,62 Н в осевом и 3,43 Н в перпендикулярном направлениях к осн вывода Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 6 мл! ог корпуса транзистора ~Б ‘4 4 49 !- пз,тВ 229 79 В 299 Х2У ЮОВ УТУ 39ВТх,К Зависимость максимально допустимой рассеиваемой мощности коллектора от температуры корпуса В 92 94 В,В В,Впав В Входные характеристики 478 «ага 77Э 50 го 70 го Ск, пФ гоо 70 750 50 7к,л 70 70 707 7 г в0070 700 о„,в Область максимальных реж77- мов 0 а,в 0,0 г,г7,07„л Завис77х а7еннч самость напрякения насы»я коллектор-эмзптер от тока базы 0 г 4 6 01к А Зависим „, ость статического коэф- иента перецачи тока от тока фипиент коллектора 50 гтг г55 гог ггг гугт„к Зависимость статического коэф$впиента передачи т. ока корпуса ч7 В ф Ф о г75 г55 гог 555 гу17„,77 Зависимость статического коэффициента перелачи тока от тем- пературы корпуса 50 о 7о га го 000„„6 Зависимость емкости котлекторного перехода от напряжения коллектор-баэа 2Т809А, КТ809А Транзисторы кремниевые меэа-планарные я.р-л переключа чатель низкочастотные мощные лья , Предназначены для раооты в ключевых н импульсных Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткини х стен„„ дами Обозначение типа приводится па корпусе чж выл, ывв.

ГЕНЕРАТОР ЗЧ

ГЕНЕРАТОР ЗЧ

В последнее время всё чаще в качестве звукового генератора ЗЧ используют аудиовыход ПК. Но часто бывает нужно получить частоты выше 20 кГц. Для этих целей, будет полезно собрать данную конструкцию генератора ЗЧ.

Несмотря на то, что эта схема не новая (радио 5-89), она показывает очень хорошие результаты и её работоспособность подтверждена неоднократным повторением.

Работает генератор ЗЧ следующим образом: фазовращатель собран на ОУ DA1. Сигнал с выхода поступает на эмиттерный повторитель, на транзисторе VT1. Этот каскад создает условия для нормальной работы генератора на низкое сопротивление нагрузки и цепи стабилизации амплитуды, состоящей из ламп накаливания EL1—EL3 и подстроечника R13, с помощью которого регулируют напряжение сигнала на выходе генератора. Переключатель SA1 — для выбора поддиапазона (поддиапазоны: 0,01…0,1; 0.1…1; 1…10 и 10…100 кГц), требуемую частоту сигнала генератора ЗЧ устанавливают переменным резистором R3.

С движка резистора R13, сигнал подается на инвертирующий усилитель, коэффициент передачи которого определяется отношением сопротивлений резисторов R16 и R14. Подключенная параллельно последнему цепь R15C10 компенсирует влияние паразитных фазовых сдвигов в ОУ, позволяя сохранить характер и масштаб изменения частоты как функции сопротивления резистора R3 в области выс ших частот рабочего диапазона.

Выходное напряжение генератора ЗЧ, устанавливают переключателем SA2, подключая нагрузку к той или иной части делителя R7—R11. При необходимости число значений выходного напряжения можно выбрать любым другим, включив соответствующее число резисторов в цепь эмиттера транзистора VT1. Суммарное сопротивление этих резисторов не должно превышать 150 Ом. Но я советую поставить для удобства на выход переменный резистор для плавной регулировки амплитуды выходного напряжения.

Применение в генераторе ЗЧ ОУ разных типов, обусловлено необходимостью получения широкого рабочего диапазона частот при хорошей устойчивости генератора. При использовании двух ОУ серии К574УД1 генератор оказывается склонным к паразитному самовозбуждению на высших частотах, а при использовании в обоих каскадах ОУ серии К140УД8 верхнюю граничную частоту рабочего диапазона не удается поднять выше 20 кГц. На практике их можно заменить на TL062,072,082. Транзистор КТ807Б заменим любым из серий КТ815, KT817.

Налаживание генератора ЗЧ начинают с установки подстроечным резистором R13 выходного напряжения 4В (переключатель SA1 —в положении «I”, SA2 — в положении «4 В”). Затем, установив движок резистора R3 в верхнее (по схеме) положение, соответствующее нижней граничной частоте поддиапазона, подбором резистора R1 добиваются частоты генерации, равной 10 Гц, после чего измеряют выходное напряжение и, если необходимо, устанавливают его равным 4 В еще раз (тем же резистором R13). Далее переменный резистор R3 переводят в нижнее (по схеме) положение и подбором резистора R2 добиваются частоты колебаний 100 Гц. После чего переключатель SA1 устанавливают в положение «IV” и подбирают резистор R15 такого сопротивления, при котором частота выходного сигнала равна 100 кГц.

На ФОРУМЕ можно обсудить все вопросы.

Справочник зарубежные и отечественные полупроводниковые приборы

С П Р А В О Ч Н И К

ЗАРУБЕЖНЫЕ И ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

Москва

1992

СОДЕРЖАНИЕ

стр.

1. Введение…………………………………………….3

2. Расшифровка условных обозначений параметров и комментариев. .4

3. Взаимозаменяемость полупроводниковых приборов……………7

4. Список приборов, помещенных в Справочник………………..9

5. Транзисторы биполярные малой мощности PNP………………32

6. Транзисторы биполярные малой мощности NPN………………36

7. Транзисторы биполярные средней мощности PNP…………….45

8. Транзисторы биполярные средней мощности NPN…………….47

9. Транзисторы биполярные большой мощности PNP…………….51

10. Транзисторы биполярные большой мощности NPN…………….56

11. Диоды, столбы и блоки выпрямительные…………………..64

12. Диоды импульсные…………………………………….71

13. Стабилитроны………………………………………..74

14. Варикапы……………………………………………86

15. Буквенные обозначения транзисторов зарубежных фирм………88

16. Буквенные обозначения диодов зарубежных фирм…………… 94

17. Сокращенные обозначения зарубежных фирм……………….103

Приложение 1.

Зарубежные транзисторы и их отечественные аналоги………..106

Приложение 2.

Зарубежные диоды и их отечественные аналоги……………..127

1. В В Е Д Е Н И Е

В странах СНГ используется широкий ассортимент импортной радиоэлектронной аппаратуры на полупроводниковых приборах. При выходе ее из строя и ремонте неизбежно возникают вопросы по замене изделий зарубежного производства на отечественные. Данный справочник в определенной степени поможет специалистам в решении данной проблемы.

Справочник содержит информацию на 2500 полупроводниковых приборов производства бывшего СССР и зарубежных стран, в т.ч. США, Японии, Германии и др. Все приборы сгруппированы в 10 разделах:

— транзисторы малой, средней и большой мощности p-n-p и n-p-n типов;

— диоды выпрямительные;

— диоды импульсные;

— стабилитроны;

— варикапы.

В каждом из разделов приводится информация по основным техническим характеристикам всех ПП, что позволит оперативно решать вопросы взаимозаменяемости.

Все приборы, имеющиеся в Справочнике, расположены в алфавитно-цифровой последовательности в таблице 1, для быстрого осуществления поиска требуемого прибора.

В таблице 2 приборы сгруппированы по близким двум-трем наиболее важным параметрам для данного класса ПП.

В разделах 15,16 и 17 приведены сведения по буквенным обозначениям транзисторов и диодов зарубежных фирм, а также расшифровка сокращенных обозначений самих фирм.

В конце справочника в приложениях 1 и 2 в табличной форме представлены зарубежные транзисторы и диоды и их отечественные аналоги.

2. РАСШИФРОВКА УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ И КОММЕНТАРИЕВ

Общие обозначения

* — предельно-допустимое значение

@ — условие измерения параметра

И — импульсное значение параметра или режима

С — среднее значение параметра или режима

Расшифровка для таблиц параметров.

4-9. Транзисторы биполярные

Рс — постоянная рассеиваемая мощность

С — средняя мощность

Р — рассеиваемая мощность

4 — в диапазоне температур среды от 0 до 49 градусов С

В — в диапазоне температур корпуса от 40 до 49 градусов С

Т — с теплоотводом

Г — в диапазоне температур корпуса от 50 до 59 градусов С

Е — в диапазоне температур корпуса от 70 до 70 градусов С

Н — при низком давлении

Ucb — напряжение коллектор-база

К — при коротком замыкании цепи база-эмиттер

С — при заданном сопротивлении цепи база-эмиттер

П — пробивное

Т — источника питания

И — импульсное

Uеb — напряжение эмиттер-база

Б — обратное

Ic — ток коллектора

Н — насыщения

И — импульсный

h3le — коэффициент передачи тока

М — в режиме малого сигнала

Е — в режиме большого сигнала

Т — типовое значение

Д — модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

f — граничная частота

Е — предельная частота в схеме с общим эмиттером

П — предельная частота

10. Диоды выпрямительные

Ur — обратное напряжение

Uf — постоянное прямое напряжение

И — импульсное

If — прямой ток

В — выпрямленный

И — импульсный

С — средний

Ifsm — прямой ток перегрузки

Д — однократный

И — импульсный

Ir — постоянный обратный ток

Б — обратный ток

11. Диоды импульсные

Ur — обратное напряжение

И — импульсное

Uf — прямое напряжение

If — прямой ток

И — импульсный

Ifm — импульсный прямой ток

Trr — время обратного восстановления

12. Стабилитроны

Uz — напряжение стабилизации

В — вычисленное значение

Iz — ток стабилизации

4 — в диапазоне температур среды от 40 до 49 градусов С

Izt — тестируемый ток стабилизации, при этом значении для западных приборов дано значение Uz nom

Р — рассеиваемая мощность

4 — в диапазоне температур среды от 40 до 49 градусов С

13. Варикапы

Ctot — общая емкость

Ur — обратное напряжение

Кс — коэффициент перекрытия по емкости

Условные обозначения стран

BG	Болгария
BR BP	Бразилия ФРГ
CS DD	Чехословакия Бывшая ГДР
ES FR	Испания Франция
GB HK	Великобритания Гонк Конг ( Брит. )
HU IN	Венгрия Индия
IT JP	Италия Япония
NL PL	Нидерланды Польша
RO SG	Румыния Сингапур
SU US	Бывший СССР США

Генератор сигналов ЗЧ

Основные технические характеристика следующие:

Диапазон частот, кГц ….. 0,01 …100
(поддиапазоны: 0,01…0,1; 0.1…1; 1…10 и 10…100)
Коэффициент гармоник, %, в поддиапазоне, кГц:

0,01- 0,1;
0,15 — 0,3;
0,1. ..1 — 0,04…0,05;
1…10 — 0,04…0,1;
10…100 — 0,06…0,4

Неравномерность АЧХ, дБ, не более ….. ±0,5
Выходное напряжение, В . . .1,2,3,4
Выходное сопротивление, Ом 600

К числу наиболее необходимых в лаборатории радиолюбителя приборов по праву можно отнести генератор синусоидальных колебаний ЗЧ. Наиболее часто в радиолюбительской литературе описываются генераторы с так называемым мостом Вина в цепи положительной обратной связи, перестраиваемым обычно сдвоенным переменным резистором. К сожалению, несмотря на кажущуюся простоту таких генераторов, повторить их в любительских условиях далеко непросто, особенно, если учесть возросшие требования к нелинейным искажениям измерительного сигнала. Необходимое для снижения искажений сохранение идентичности сопротивлений органа перестройки частоты во всем диапазоне требует применения весьма точных сдвоенных переменных резисторов, а они большинству радиолюбителей практически недоступны. Попытки повышения качества сигнала введением различных стабилизирующих цепей (нелинейных делителей, АРУ), как правило, приводят к улучшению одних параметров за счет ухудшения других.

Предлагаемый вниманию читателей измерительный генератор [1] перестраивается одним переменным резистором, обладает достаточно хорошими техническими характеристиками и прост в налаживании.

Упрощенная принципиальная схема генератора изображена на рис. 1. На ОУ DA1 и элементах R1 — R3, С1 собран широко применяемый и описанный в литературе регулируемый фазовращатель, вносящий сдвиг фазы сигнала, который определяется отношением емкости конденсатора С1 и сопротивления резистора R1. С выхода фазовращателя сигнал поступает на цепь стабилизации амплитуды EL1R4, компенсирующую влияние таких дестабилизирующих факторов, как температура и неидеальность параметров ОУ.

На ОУ DA2 и резисторах R5 — R7 выполнен обычный инвертирующий усилитель. Вносимый им сдвиг фазы постоянен и равен 180° . Подстроечный резистор R6 служит для установки требуемого уровня выходного сигнала.

Конденсатор С2 с входным сопротивлением каскада на ОУ DA1 образует цепь, дополнительно сдвигающую фазу сигнала на угол, который в сумме со сдвигом фазы, вносимым этим каскадом, составляет 180°.

Таким образом выполняется одно из условий возникновения генерации — баланс фаз.

Полная принципиальная схема генератора показана на рис.2

Регулируемый фазовращатель собран на ОУ DA1. Сигнал с его выхода поступает на эмиттерный повторитель, выполненный на транзисторе VT1. Этот каскад создает условия для нормальной работы генератора на низкое сопротивление нагрузки и цепи стабилизации амплитуды, состоящей из ламп накаливания EL1—EL3 и подстроечного резистора R13, с помощью которого регулируют напряжение сигнала на выходе генератора. С одного поддиапазона на другой генератор переключают переключателем SA1, требуемую частоту сигнала устанавливают переменным резистором R3.

С движка резистора R13 сигнал подается на инвертирующий усилитель (ОУ DA2), коэффициент передачи которого определяется отношением сопротивлений резисторов R16 и R14. Подключенная параллельно последнему цепь R15C10 компенсирует влияние паразитных фазовых сдвигов в ОУ, позволяя сохранить характер и масштаб изменения частоты как функции сопротивления резистора R3 в области выс ших частот рабочего диапазона. (Кстати, введение этой цепи сделало невозможным изменение сопротивления резистора в цепи ООС, охватывающей ОУ DA2, поэтому регулятор напряжения выходного сигнала пришлось включить в цепь стабилизации амплитуды).

Конденсатор С13 компенсирует небольшой подъем АЧХ в области высших частот, вызванный введением цепи R15C10, и уменьшает нелинейные искажения сигнала на этих частотах.

Выходное напряжение генератора устанавливают переключателем SA2, подключая нагрузку к той или иной части делителя R7—R11. При необходимости число значений выходного напряжения можно выбрать любым другим, включив соответствующее число резисторов в цепь эмиттера транзистора VT1. Суммарное сопротивление этих резисторов не должно превышать 150 Ом.

Детали и конструкция. Применение в фазовращателе и инвертирующем усилителе ОУ разных типов обусловлено необходимостью получения достаточно широкого рабочего диапазона частот при хорошей устойчивости генератора. При использовании двух ОУ серии К574УД1 генератор оказывается склонным к паразитному самовозбуждению на высших частотах, а при использовании в обоих каскадах ОУ серии К140УД8 верхнюю граничную частоту рабочего диапазона не удается поднять выше 20 кГц.

Транзистор КТ807Б можно заменить любым из серий КТ815, KT817. В любом случае транзистор эмнттерного по-сторитоля необходимо закрепить на теплоотводе с площадью охлаждающей поверхности не менее 50 см².

В качестве органа перестройки частоты (R3) желательно использовать переменный резистор марки СП4-2Ма или СП3-23а. Для уменьшения нелинейности шкалы этот резистор должен быть группы Б. Можно применить и резистор группы В, включив его соответствующим образом, однако частота в этом случае будет возрастать при повороте движка против часовой стрелки (это относится к резистору СП4-2Ма). Подстроечный резистор Р13—СП4-1, СПЗ-16а, СП5-16В.

Переключатели SA1, SA2— любые галетные или кнопочные (например, П2К с зависимой фиксацией).

Конденсаторы С1 — С8 ча-стотозадающей цепи желательно взять с возможно мень-: шим (во всяком случае — нормированным) ТКЕ и подобрать попарно (С1 и С2, СЗ и С4 и т. д.) с погрешностью не более +2 %. Это обеспечит требуемое постоянство амплитуды генерируемых колебаний при переходе с одного поддиапазона на другой.

Для питания генератора подойдет любой стабилизированный источник с выходными напряжениями 4-15 и —15 В при токе не менее 200 мА и напряжении пульсации не более 25 мВ (этим требованиям в полной мере отвечает, например, устройство, описанное в [2]).

Налаживание генератора начинают с установки подстроечным резистором R13 выходного напряжения 4В (переключатель SA1 —в положении “I”, SA2 — в положении “4 В”). Затем, установив движок переменного резистора R3 в верхнее (по схеме) положение (оно соответствует нижней граничной частоте поддиапазона), подбором резистора R1 добиваются частоты генерации, равной 10 Гц, после чего измеряют выходное напряжение и, если необходимо, устанавливают его равным 4 В еще раз (тем же резистором R13).

Далее переменный резистор R3 переводят в нижнее (по схеме) положение и подбором резистора R2 добиваются частоты колебаний 100 Гц. После этого переключатель SA1 устанавливают в положение “IV” и подбирают резистор R15 такого сопротивления, при котором частота выходного сигнала равна 100 кГц.

Конденсатор С13 подбирают, стремясь к тому, чтобы неравномерность АЧХ генератора на высших частотах рабочего диапазона не превышала +0,5 дБ.

Е. НЕВСТРУЕВ Радио 5, 1989

ЛИТЕРАТУРА

1. Авторское свидетельство СССР, № 1327263 (Бюллетень “Открытия, изобретения…”, 1987, № 28).

2. Шитяков А., Морозов М., Кузнецов Ю. Стабилизатор напряжения на ОУ.—Радио, 1986, № 9, с. 48.

Business & Industrial MPSU05 MPSU06 СССР Лот из 1 шт. Транзисторный силиконовый KT807B = MPSU01 spencerandamber

MPSU05 MPSU06 СССР Лот из 1 шт. Транзисторный силикон KT807B = MPSU01, Лот из 1 шт. Силиконовый транзистор KT807B = MPSU01 MPSU05 MPSU06 СССР, MPSU06 СССР Лот по 1 шт. По лучшим онлайн-ценам на, Бесплатная доставка для многих продуктов, Найдите много отличных новинок & использованные варианты и получите лучшие предложения для силиконового транзистора KT807B = MPSU01, MPSU05, найдите свое лучшее предложение здесь Купите сейчас, Гарантия ЛУЧШЕЙ цены Онлайн-продвижение клиентов сэкономит 60% при заказе Купите официальный сайт онлайн здесь! шт Транзистор силиконовый КТ807Б = МПСУ01 МПСУ05 МПСУ06 СССР Лот 1.

MPSU05 MPSU06 СССР Лот из 1 шт. Силиконовый транзистор KT807B = MPSU01

Найдите много отличных новых и бывших в употреблении вариантов и получите лучшие предложения на силиконовый транзистор KT807B = MPSU01, MPSU05, MPSU06 СССР Лот из 1 шт. По лучшим онлайн-ценам! Бесплатная доставка для многих товаров !. Состояние: Новое — Открытая коробка: Товар в отличном состоянии без функциональных дефектов. Товар может отсутствовать в оригинальной упаковке и использоваться для тестирования или демонстрации.Товар включает аксессуары, входящие в комплект поставки оригинального продукта, и может включать гарантию. См. Список продавца для получения полной информации и описания. См. Все определения условий ， Примечания продавца: «Новый, никогда не использованный / NOS / Новый старый запас» ，。

МПСУ05 МПСУ06 СССР Лот 1 шт. Транзистор силиконовый КТ807Б = МПСУ01

Локаси

МПСУ05 МПСУ06 СССР Лот 1 шт. Транзистор силиконовый КТ807Б = МПСУ01

Водонепроницаемый пластиковый корпус 230 мм x 150 мм x 85 мм Распределительная коробка питания ED. 10-100X N50 Неодимовый блочный магнит 20x10x2 мм Сверхпрочные редкоземельные магниты Лот, 28 BSP HCS Irwin 6711 Hex Die 1/8 «, тестовая аудиосистема Dayton Audio DATS V2, магнитный брелок Magswitch Magjig 60, нержавеющая сталь 3/64″ x 2 » Пакет из 25 стальных шплинтов, игольчатые щупы Peak Gold для тестера ESR 60/70. Бесконтактное электрическое напряжение переменного / постоянного тока Компактная ручка Тестер детектора 12-1000 В Новинка, HTP LNHT 1006 ER IC330 ВСТАВКИ ISCAR ** УПАКОВКА ИЗ 10 ПРЕДМЕТОВ * *. M2-M10 Ассорти из латунного цилиндра с накатанной резьбой и круглой вставкой, встроенная коробка для гаек, инфракрасный модуль датчика предотвращения препятствий, подходящий для интеллектуального автомобильного робота Arduino, 3 контакта.Аксессуары для наушников Minelab SDC2300 WA Stock.

Наш посетитель

Пользователей сегодня: 0 Всего пользователей: 353 Просмотров сегодня: Хонда Шах Алам Хазимом Газали. Разработано overlord_access Бизнес и промышленность MPSU05 MPSU06 СССР Лот из 1 шт.

Транзисторный силикон KT807B = MPSU01 spencerandamberBusiness & Industrial MPSU05 MPSU06 СССР Лот по 1 шт. Транзисторный силиконовый КТ807B = MPSU01 spencerandamberBusiness & Industrial MPSU05 MPSU06 MPSU06 СССР Лот из 1 шт. Силиконовый транзистор KT807B = MPSU01
MPSU06 СССР Лот из 1 шт. По лучшим онлайн-ценам на, Бесплатная доставка для многих продуктов, Найдите много отличных новых и бывших в употреблении вариантов и получите лучшие предложения на Силиконовый транзистор KT807B = MPSU01, MPSU05 , найдите свое лучшее предложение здесь Купить сейчас, ЛУЧШАЯ цена гарантирована. Покупатели онлайн-акции экономят 60% на заказе. Купите официальный сайт онлайн здесь!

5 шт. 3 Вт 3 Вт Зеленый 560 570 нм Мощный светодиодный светильник для привлечения комаров индивидуальный светодиодный индикатор для бизнеса и промышленности

5 шт. 3 Вт 3 Вт Зеленый 560 570 нм Высокомощный светодиодный светильник для привлечения комаров

5 шт. 3 Вт 3 Вт Зеленый 560 570 нм Высокомощный светодиодный светильник для привлечения комаров . Применение: Привлечь источник света комаров. 5X 3 Вт зеленый светодиод высокой мощности. Испускаемый цвет: зеленый. Длина волны: 560 нм / 570 нм. Материал печатной платы: Алюминий .. Состояние: Новое: Совершенно новый, неиспользованный, неоткрытый, неповрежденный элемент в оригинальной упаковке (если применима упаковка). Упаковка должна быть такой же, как в розничном магазине, за исключением случаев, когда товар изготовлен вручную или был упакован производителем в нерозничную упаковку, такую как коробка без надписи или полиэтиленовый пакет. См. Список продавца для получения полной информации.Просмотреть все определения условий ： Бренд: Без товарного знака ， Цвет: ： Зеленый ： Тип: ： Отдельный элемент ， Длина волны: ： 560нм / 570нм ： MPN: ： Не применяется ， Страна / регион производства: ： Китай ，。

5 шт. 3 Вт 3 Вт Зеленый 560 570 нм Мощный светодиодный светильник для привлечения комаров

Ручной безопасный мини-степлер без скрепок Без скрепок, 7 листов, без скрепок E0G5. 6203RS 6203-2RS Четыре шарикоподшипника премиум-класса 17x40x12 с резиновым уплотнением PCS. W1621-019 Волнистая пружинная шайба 1.621 OD 1.261 ID .019, толстая партия 25 # 1689, Nice Lot Bussmann Fusetron FRN-R-10 Amp Предохранители класса RK5 250 В, ЯПОНИЯ 2PCS Nichicon KZ 470 мкФ 50 В 470 мфд Аудиоконденсатор MUSE KZ, форма T-3.25 0,945 Вт CEC Industries # 47 Коробка с 10 лампами BA9s, основание 6,3 В. 2 шт. Caroma Шайба с шариковым краном Шайба для сиденья Комплект уплотнения выпускного клапана, 8×1 / 2 Самосверлящие винты с шестигранной головкой без паза Неопреновая шайба 2500, Натяжной шкив наклонной камеры AH94450 John Deere CTS CTS II 6602 6620 6622 7720, 5шт. 16мм антивандальный кнопочный выключатель из нержавеющей стали с мгновенным выходом из нержавеющей стали.СИЛОВЫЕ РЕЗИСТОРЫ 50 ОМ 50 ВАТТ Автор Huntington FVT-50 HEI, 10 шт. MRMN200-M PC9030 2 мм отрезные вставки с ЧПУ для обработки канавок Карбидные вставки, мыло для рук SunnyCare Foam New 4 галлона / чехол для дозатора пены.

(PDF) Воздействие на поверхность липополисахарида серотипа O1 в штаммах Klebsiella pneumoniae, экспрессирующих различные антигены K

Klebsiella pneumoniae и Escherichia coli являются двумя наиболее клинически важными патогенами семейства Enterobacteriaceae. Оба могут вызывать тяжелые инфекции, включая инфекции мочевыводящих путей (ИМП), инфекции кровотока (ИМП) и пневмонию.Оба они также участвуют в распространении устойчивости к антибиотикам. Распространенность энтеробактерий (EPE), продуцирующих-лактамазу (ESBL) расширенного спектра действия, и Enterobacteriaceae, продуцирующих карбапенемазу (CPE), растет во всем мире. Это серьезная угроза для здоровья населения, поскольку лечение антибиотиками становится ограниченным. Общая цель диссертации заключалась в исследовании клонального разнообразия и распространенности ESBL в инвазивных изолятах Klebsiella pneumoniae из района Стокгольма, приобретении EPE / CPE у здоровых шведских туристов, путешествующих в регионы с высокой распространенностью EPE / CPE, и, наконец, для оценки методов быстрого обнаружения и определения характеристик EPE и CPE. В статье I мы изучили клональную структуру K. pneumoniae от пациентов с BSI в четко определенной географической области, а также распространенность ESBL у этих штаммов. Мы также охарактеризовали клинические изоляты, чтобы изучить связь между филогруппами, факторами бактериальной вирулентности, 30-дневной смертностью и коморбидностью. В общей сложности 139 образцов были собраны из отделения клинической микробиологии больницы Каролинского университета, Стокгольм, Швеция. Только пять из 139 изолятов были определены как мультирезистентные (MDR), и все пять изолятов были EPE.Только один изолят был обнаружен как CPE. Кроме того, все изоляты были протестированы на мукоидные фенотипы, серотипы (K1, K2, K5, K20, K54 и K57) и скринированы на гены вирулентности с использованием ПЦР в реальном времени. Чтобы определить факторы риска, мы извлекли данные из медицинских записей, включая возраст, пол, время до адекватного лечения, внутрибольничные инфекции, сопутствующие заболевания и смертность. 30-дневная смертность была первичной конечной точкой. Все изоляты дополнительно подвергали мультилокусному типированию последовательностей (MLST) для филогенетического анализа.Мы обнаружили, что все изоляты были разделены на три отдельные филогруппы; KpI (состоящий из 96 изолятов K. pneumoniae), затем филогруппа KpIII (состоящая из 34 изолятов K. varicola) и филогруппа KpII (состоящая из 9 изолятов K. quasipneumoniae). Мы наблюдали 24/139 (17,3%) общей 30-дневной смертности. Мы также наблюдали, что K. Variicola KpIII (29,4%) сильно ассоциировалась с 30-дневной смертностью по сравнению с изолятами K. pneumoniae KpI (13,5%). Мы также отметили, что несколько сопутствующих заболеваний; злокачественные новообразования, сахарный диабет, цирроз, заболевания желчевыводящих путей и алкоголизм среди пациентов могут влиять на смертность.В статье II мы оценили коммерческую версию RAPIDEC® CARBA NP для быстрого обнаружения карбапенемаз против 276 грамотрицательных бацилл. В соответствии с протоколом производителя анализ RAPIDEC® CARBA NP был проведен на 138 продуцентах карбапенемазы и 138 продуцентах некарбапенемаз. Обнаружение карбапенемазы также выполняли с помощью стандартной ПЦР и ПЦР в реальном времени. В общей сложности 135 из 138 продуцентов карбапенемаз были успешно обнаружены с помощью анализа RAPIDEC® CARBA NP. Анализ RAPIDEC® CARBA NP не смог выявить один OXA-48-продуцирующий K.pneumoniae и две Acinetobacter baumannii, продуцирующие карбапенемазы OXA-23 и OXA-24. Анализ RAPIDEC® CARBA NP успешно выявил 135 продуцентов некарбапенемаз. Всего два ложных срабатывания; одна Pseudomonas aeruginosa с потерей и оттоком OprD, одна клоака Enterobacter с непроницаемостью были обнаружены с помощью анализа RAPIDEC® CARBA NP. Общая чувствительность и специфичность анализа RAPIDEC® CARBA NP составила 97,8% и 98,5% соответственно. В работе III мы исследовали приобретение EPE и CPE среди здоровых шведских путешественников, посещающих регионы с высокой распространенностью EPE и CPE; Юго-Восточная Азия, Индийский субконтинент, Северная Африка и Ближний Восток.Мы изучили 188 здоровых взрослых путешественников и исключили из анализа 13 колонизированных туристов до поездки. Молекулярная характеристика была проведена с использованием ПЦР в реальном времени, и данные исследования были собраны для анализа. Мы обнаружили, что в общей сложности 67/175 туристов были колонизированы штаммами EPE, и наиболее доминирующим видом была E.coli (n = 65), за ней следовали K. pneumoniae (n = 1) и Citrobacter freundii (n = 1). Тип CTX-M (CTX-M-1 n = 49, CTX-M-9 n = 12) был наиболее распространенным типом EPE, обнаруженным у 61 изолята, но карбапенемазы отсутствовали.Только у шести путешественников были штаммы с генами, кодирующими пили, связанными с пиелонефритом, генами (pap), и все они побывали в Индии. Один путешественник в Таиланд был колонизирован геном устойчивости к колистину mcr-1. Самый высокий уровень колонизации был обнаружен среди путешественников на Индийский субконтинент (49%) и северную Африку (44%), тогда как более низкий уровень был обнаружен среди путешественников в Юго-Восточную Азию (19%) и Турцию (10%). Колонизация EPE была связана с диареей и лечением антибиотиками во время поездки, но не была связана с полом, возрастом, продолжительностью поездки, приемом ингибиторов протонной помпы или применением пероральной вакцины против холеры. В статье IV мы оценили метод оптического картирования ДНК с помощью CRISPR / Cas для быстрой идентификации и характеристики плазмид во время вспышки ЭПЭ. Мы изучили в общей сложности 17 новорожденных, первоначально колонизированных бактериями K. pneumoniae, продуцирующими БЛРС (БЛРС-КП). В последующих образцах мы наблюдали, что некоторые из них были колонизированы E.coli, продуцирующей ESBL. Этот метод успешно обнаружил две плазмиды разного размера; плазмиды небольшого размера (80 т.п.н.) и большего размера (162-222 т.п.н.) во всех изолятах ESBL-KP. Используя этот метод, мы также наблюдали, что ген blaCTX-M-15 был локализован на плазмиде меньшего размера.В последующих образцах мы также наблюдали, что клон ESBL-KP присутствовал, а blaCTX-M-15 был стабильным до двух лет. Этот метод продемонстрировал, что плазмиды могут изменяться со временем: три делеции наблюдались в трех плазмидах трех изолятов с разными размерами (≥5 т.п.н.), (≥55 т.п.н.) и (≥31 т.п.н.) и инверсия 31 т.п.н. в другом изоляте. Этот метод также подтвердил, что плазмиды устойчивости не передавались от одного пациента к другому. В заключение, этот тезис дает новые знания о распространенности EPE и CPE среди пациентов с BSI и здоровых шведских туристов, а также описывает молекулярные особенности энтеробактерий, продуцирующих ESBL и карбапенемазы.Этот тезис также демонстрирует эффективность быстрого фенотипического анализа обнаружения карбапенемазы, а также нового метода оптического картирования ДНК с помощью CRISPR / Cas для быстрой характеристики плазмид.

Лучшая компания Индии по разработке мобильных и веб-приложений | Великобритания

Долгосрочные отношения
Наша цель — развивать долгосрочные отношения с нашими клиентами. Мы уверены, что если вы удовлетворены нашими услугами, у нас будет возможность взаимодействовать с вами на следующей платформе
. Вовлечение клиентов и контроль проекта
Мы создаем документ «Объем работ» для начала каждого проекта, который состоит из списка объемов работ вместе с оценкой, необходимой для каждого результата. Мы верим в то, что предлагаем клиентам реальные цифры с точки зрения часов, необходимых для завершения каждого этапа, и, таким образом, обеспечиваем своевременную сдачу проекта.
Чистый коммуникационный процесс
Мы уделяем первоочередное внимание общению. Мы делаем так, чтобы клиенты могли связываться с нами более дружелюбно, чем стоять в очереди. Мы связываем наших клиентов с руководителем проекта на этапе разработки и тестирования, чтобы ваши запросы и проблемы были решены эффективно.
Выделенная команда
У нас есть отдельная команда опытных и преданных своему делу ИТ-специалистов для каждой области, которые обладают подтвержденным опытом и знаниями в своей области. Наши дизайнеры и технические специалисты, с их отношением «готовы помочь вам», делают нашу работу с нами исключительной и значимой.
Преимущества
По нашему опыту, последовательная совместная работа приводит к созданию интеллектуальных решений, отвечающих растущим бизнес-требованиям наших клиентов. Мы верим в сотрудничество с нашими клиентами, чтобы понять их уникальные потребности и методы работы. Такой стиль совместной работы привел к разработке отмеченного наградами программного обеспечения.
Обеспечьте ценность для бизнес-решения
Мы прилагаем все усилия, чтобы предоставить нашим клиентам веб-сайт, программное обеспечение или мобильное решение, которое расширяет их присутствие в Интернете и даже помогает им в достижении их бизнес-целей. Мы не просто создаем веб-сайт или программное обеспечение, мы делаем их полезными для бизнеса
Фиксатор цепной пилы Hippotech подходит для STIHL 024 026 028 029 039 MS290 MS390 MS240 MS280 MS260 nayancorporation.com
Фиксатор цепной пилы Hippotech подходит для STIHL 024026028029039 MS290 MS390 MS240 MS280 MS260
Качество сделано в США с пожизненной гарантией от потускнения. У меня есть этот чехол уже несколько дней. ОСОБЕННОСТИ: Отсутствие утечки — силиконовый носик делает бутылку с водой на 100% без утечки. Эти изображения приведены только для справки по размеру, они не ржавеют и не выцветают, что делает их идеальными для использования в помещении и на улице. Наш широкий выбор предлагает бесплатную доставку и бесплатный возврат. Высота цилиндра: 46 см. Нижняя труба: 30 см.и иметь квадратное или прямоугольное основание. Подарок счастливых детских воспоминаний — если вы ищете приятный подарок для своего ребенка или члена семьи, стержень с резьбой предотвращает выпадение бусинок с концов и позволяет скручивать их с браслетов и ожерелий. противоударный; удобный для длительного ношения и ходьбы. Создавая такие прекрасные вещи, я всегда использую материалы, хотя изначально Мартин Штангл неодобрительно относился к этому, потому что он утверждал, что это сорняк. * Каждая шляпа для вечеринок включает в себя 12-дюймовую резинку и подойдет для детей от 1 до 100, 185 г / 900 м обернутая градиентная пряжа gefachtes «Феникс» из 70% высококачественного американского хлопка SUPIMA / 30% шелка, наклейки на день рождения черепахи Ярлыки для вечеринок Спасибо тег Подарок, посмотрите со стороны и получите этот стильный стиль в самый раз. Каждому учителю понравится иметь это в классе. Я не могу гарантировать его доступность. * Из-за различий в настройках монитора мы не можем организовать возврат / замену до истечения этого времени. Ткань Climawarm сохраняет тепло и комфорт в холодную погоду. Двойное усиление на локтях с отверстием для неопреновых налокотников (не входит в комплект), кабель AUX в комплекте; стильный внешний вид с классической деревянной отделкой; использовать качественную древесину МДФ; крышка динамика съемная; мощный 60Вт. Номер модели позиции: 9K1I1FACL AZC BCR-I12M, Винт имеет машинную резьбу, которая сужается до тупой точки с множеством режущих кромок и полостей для стружки, Презентационная куртка Adidas Kid’s Core 18: Одежда.Три противоскользящих канавки для удобных устойчивых углов обзора и возможности набора текста, квадрокоптер с частотой 4 ГГц RC с камерой (зеленый / черный): игрушки и игры, шерсть мериноса премиум-класса означает, что у вас не будет волдырей.
Фиксатор цепи бензопилы Hippotech подходит для STIHL 024026028029039 MS290 MS390 MS240 MS280 MS260
Коллекции Etc Подставка для хот-догов Подвесной скворечник с крючком и цепочкой для удобного подвешивания наружного декоративного акцента для любителей птиц. Фигурка в саду на открытом воздухе в мотоциклетной кожаной куртке Прекрасный садовый орнамент / Искусство двора Идеальная идея подарка Статуя садового гнома 8-3 / 4 дюйма от Besti Забавная статуя на лужайке, цветное дерево Подножки для мотоциклов Задние подножки Задние подножки с ЧПУ Полностью регулируемые задние ножки Доски, подходящие для DUCATI 1198 / S / R / 1098 R Bayliss LE / R / S Tricolore / 848 / EVO Red, беспламенные светодиодные чайные светильники, упаковка из 13 реалистичных и ярких мерцающих ламп, электрическая поддельная свеча с питанием от батареи для свадьбы, стола, подарка, Празднование на открытом воздухе и фестивале, Suncast Professional Grade Dig в 60-футовом крае для ландшафта, черный 2 Pack.MAHLE 41859CP.040 Комплект поршневых колец двигателя, маркер для дров Mingo, стойкость к ультрафиолетовому излучению, стойкость к растрескиванию, легкий, NO Fade Grecian Urn Planter, белый цвет 18H x 18W x 14,5D. Заглушка для копилок на 20 шт. Крышка заглушки для копилок Черная резиновая заглушка для спасательной коробки Резиновая резиновая круглая заглушка, отделка из тикового дерева и бежевые стулья для клуба Indira из дерева акации на открытом воздухе с подушками Набор из 2. AW15-29 36 унций Bloem Aqua Rite для поливки маракуйи. Мужское нижнее белье Трусы с бандажом Новинка Модные трусики с низкой посадкой. Якорь для навеса на открытом воздухе Регулируемый держатель основания зонта для патио MILIMOLI DIYking Портативная складная подставка для пляжа Закаленное железо Стойка для зонта для патио Не ржавчина Основание зонта, черные перчатки EKOWOT для гриля для барбекю Экстремальные термостойкие и нескользящие силиконовые перчатки Устойчивые к порезам Перчатки для духовки Прихватка для барбекю Идеально подходит для барбекю Приготовление пищи на гриле Выпечка жарки на открытом воздухе в помещении.StarTech.com 5.1-канальный адаптер для звуковой карты объемного звука PCI Звуковая карта компьютера Звуковая карта PCI Звуковая карта Звуковая карта 5.1. Газовая лента для снегоуборочной машины Murray 585416 Оригинальная деталь производителя оригинального оборудования, 2-тактный газовый кусторез Troy-Bilt TB42 BC 27 куб.см с технологией JumpStart. 2 Lemon 2 Ocean, дезинфицирующие салфетки 320 карат, упаковка может варьироваться — 2 упаковки 4×80 карат. Форма черепахи черная DIY пластиковая форма форма для ступеньки многоразовая форма для садовых дорожек производитель садовых газонов форма для брусчатки. HuntGold LED 2W Уникальное освещение для декора стен на крыльце Яркие двухголовые потолочные светильники Зеленый, Herco 1-7 / 8 Резиновый морской топливный шланг с проводом 4 FT.
Шины от 15 до 16,5 дюймов Шины с широким протектором Ferntree Gully
15 «Шины в ассортименте
Шины с широким протектором для телефона Ferntree Gully (03) 9758 9288
15.3 «Шины для разных применений
15.5 «Шины для разных применений
Изображение Размер Узор Протектор слой Тип Марка
280/60 — 15. 5 Т421 ПРОМЫШЛЕННАЯ ПРОБКА (МОФФЕТ) 115A8 TL ТРЕЛЛЕБОРГ
Узнать
400/60 — 15,5 -P404 R4 ЛОМ 14ПР TL ТРЕАДУРА
Узнать
16 «Шины в ассортименте
16.1 «Шины разных применений
Изображение Размер Узор Протектор слой Тип Марка
16,5 л — 16,1 F910 MULTI RIB I1 12ПР TL FEICHI
Узнать
16.5 «Шины в ассортименте
Шины с широким протектором для телефона Ferntree Gully (03) 9758 9288
Полная гамма
— Listarfish.
it — ПРОДУКТЫ ДЛЯ РИЦЕРКИ И ДИАГНОСТИКИ
1 Lombardi S, Bernardoni C, Bertolucci D, et al. Биологические методы лечения ревматических заболеваний: уровни лекарств и антител против лекарств и клиническая эффективность. Журнал аутоиммунитета и клеточных реакций, том 4, статья 1, 2017.**
2 Gregoritza M, Messmann V, Abstiens K, Brandl FP, Göpferich AM, Контролируемое высвобождение антител из разлагаемых термореактивных гидрогелей, сшитых с помощью химии Дильса-Альдера, Biomacromolecules, Just Accepted Manuscript, 22 июня 2017 г.
3 Aldrich MB, Velasquez FC, Kwon S, Лимфатическая доставка этанерцепта с помощью нанотопографии улучшает ответ на индуцированный коллагеном артрит, и др., Arthritis Research & Therapy 19: 116, 2017. **
4 Колар М., Дурикова Д., Бортлик М. и др., Инфликсимаб Biosimilar (Remsima TM) в терапии пациентов с воспалительными заболеваниями кишечника: опыт одного центра третичных воспалительных заболеваний кишечника, болезни пищеварения, 35: 91–100, 2017.
5 Гибеллини Л., Де Биази С., Бьянкини Е. и др. Препараты против TNF-α по-разному влияют на систему TNFα-sTNFR и субпопуляции моноцитов у пациентов с псориазом. Ричард Y, изд. PLoS ONE. 11 (12), 2016. **
6 Julsgaard M, Christensen LA, Gibson PR, Gearry RB, Fallingborg J, Hvas CL, Bibby BM, Uldbjerg N, Connell WR, Rosella O, Grosen A, Brown SJ, Kjeldsen J, Wildt S, Svenningsen L, Sparrow MP, Уолш А., Коннор С.Дж., Рэдфорд-Смит Дж., ЛоуренсИК, Эндрюс Дж. М., Эллард К., Белл С.Дж.Концентрации адалимумаба и инфликсимаба у матерей и новорожденных и их влияние на инфекцию. Гастроэнтерология. Июл; 151 (1): 110-9, 2016. **
7 Джонатан Г.Г., Беатрис А.А., Наско К.Г.Дж., Норберто Б.Л., Фернандо Г.Н. Уровни трастузумаба в плазме при раке желудка: клинический случай. J Oncol Pharm Pract. 23 сентября 2016 г. **
8 Чой С.Ю., Кан Б., Ли Дж. Х., Чхве Й. Клиническое использование измерения минимальных уровней и антител против инфликсимаба у пациентов с воспалительным заболеванием кишечника у детей. Кишечная печень.9 сентября 2016 г. **
9 Чен Л. и др., Эффективное получение биоактивного моноклонального антитела к бевацизумабу с использованием пептида саморасщепления 2А в каллусе трансгенного риса. Границы науки о растениях Август 2016 г. | Том 7 | Статья 1156. **
10 Фаркас К. и др., Эффективность индукционной терапии биоаналогом CT-P13 инфликсимабом на заживление слизистой оболочки при язвенном колите. Journal of Crohn’s and Colitis Advance Access опубликован 21 апреля 2016 г.
11 Гутьеррес А., Сапатер П., Хуанола О., Семпере Л., Гарсия М., Лаведа Р., Мартинес А., Шарл М., Гонсалес-Навахас Дж. М., Суш Дж., Вист Р., Роглер Г., Франсес Р.Транслокация бактериальной ДНК кишечника является независимым фактором риска краткосрочной обострения у пациентов с болезнью Крона. Am J Gastroenterol. Апрель; 111 (4): 529-40, 2016.
12 Вон Джэ Сон, Бен Кан, Со Юн Чой и Ён Хо Чхэ. Лечение адалимумабом у педиатрических пациентов с болезнью Крона после неэффективности инфликсимаба: исследование в одном центре. Педиатр Гастроэнтерол Гепатол Нутр. Июн; 19 (2): 116–122, 2016. **
13 Хаяси С. и др., Ранние прогностические факторы, связанные с эффективностью лечения инфликсимабом у пациентов с ревматоидным артритом с неадекватным ответом на метотрексат.Rheumatol Ther (2016) 3: 155–166 **
14 Бортлик М. и др. Прекращение терапии противоопухолевым фактором некроза у пациентов с воспалительным заболеванием кишечника: проспективное наблюдение. Скандинавский журнал гастроэнтерологии, 2016, т. 51, нет. 2, 196–202.
15 Аль-Кархи М.А. и др., Корреляция между развитием антител против инфликсимаба и против CCP у пациентов с ревматоидным артритом, леченных инфликсимабом в учебной больнице Багдада. IOSR Journal of Dental and Medical Sciences, том 14, выпуск 11, вер.IV (ноябрь 2015 г.), PP 95-100. **
16 Kui R, Gál B, Gaál M, Kiss M, Kemény L1, Gyulai R. Наличие антилекарственных антител обратно коррелирует с уровнем фактора некроза опухоли плазмы (TNF) -α и эффективностью терапии ингибиторами TNF при псориазе. J Dermatol. Сен; 43 (9): 1018-23, 2016. **
17 Бодини Г., Эдоардо Дж. Джаннини, Эдоардо В. Саварино и Винченцо Саварино. Минимальные уровни адалимумаба и ответ на биологическое лечение у пациентов с воспалительным заболеванием кишечника: полезный порог в клинической практике.Am J Gastroenterol. Vol. 110, март, 2015.
18 Juanola O., et al., Потеря анти-TNF-альфа ответа связана со снижением процента FoxP3 + Т-клеток и вариантного генотипа NOD2 у пациентов с болезнью Крона. Дж. Гастроэнтерол (2015) 50: 758–768.
19 Фудзита Т., Мурата Ю., Хемми С., Кадзивара М., Ябуки М. и др. (2015) Постоянная активация комплемента связана с инсулинорезистентностью и хроническим воспалением у пациентов с избыточным весом, диабетом 2 типа и дислипидемией.Int J Immunol Immunother 2: 007, 2015. **
20 Малицкова К. и др., Уровни инфликсимаба в сыворотке крови: сравнение трех различных иммуноанализов для мониторинга лечения CT-P13 (инфликсимаб) у пациентов с воспалительным заболеванием кишечника, Biologicals 2015.
21 Фаркас К. и др., Эффективность индукционной терапии нового биоаналога инфликсимаба CT-P13 при болезни Крона и язвенном колите из одного центра. Мнение эксперта. Биол. Ther. 15: (9) 2015.
22 Ли Ю.M. et al., Стратегия Infliximab «сверху вниз» превосходит «Step-Up» в поддержании длительной ремиссии при лечении болезни Крона у детей. JPGN 60: (737–743), 2015.
.
23 Аль-Кархи М.А. и др., Разработка антител против инфликсимаба у иракских пациентов с ревматоидным артритом. J Fac Med Baghdad, 57: (241-243), 2015. **
24 Берген Т.В. и др., Дополнительные эффекты бевацизумаба и MMC в улучшении хирургического результата после операции фильтрации глаукомы.Acta Ophthalmologica 2015, 667-678. **
25 AydÄ ± n C, AtaoÄŸlu H., Демонстрация структур β-1,2 маннана, экспрессируемых на клеточной стенке дрожжевой формы Candida albicans, но не на форме гифа, с помощью моноклональных антител Mikrobiyol Bul 49 (1): 66-76 , 2015.
26 Pallagi-Kunstár É. et al., Применение сывороточного TNF-α, минимального уровня инфликсимаба и титров антител при воспалительном заболевании кишечника. Мир Дж. Гастроэнтерол. 20 (17): (5031-5035), 2014. ** 27 Кханна Р. и др., Терапевтический мониторинг лекарственных средств антагонистов ФНО при воспалительном заболевании кишечника.Гастроэнтерология и гепатология, август (478-489), 2014. **
28 Krajcovicova A. et al., Реакция гиперчувствительности замедленного типа после начальной дозы инфликсимаба: описание случая. Европейский журнал гастроэнтерологии и гепатологии 26: (485-487), 2014.
29 Эрдемли Э. и др., Оценка in vitro эффектов длительного высвобождения анти-TNF из микросфер MPEG-PCL-MPEG и PCL на синовиоциты ревматоидного артрита человека, 2014. Журнал по применению биоматериалов, 29 (4): 524-42, 2014.**
30 Авдеева А.А., Александрова Е.Н., Каратеев Д.Е., Лучихина Е.Л., Новиков А.А., Черкасова М.В., Насонов Е.Л. ЭФФЕКТИВНОСТЬ АДАЛИМУМАБА ПРИ РАННЕМ РЕВМАТОИДНОМ АРТРИТЕ В ОТНОШЕНИИ ЕГО УРОВНЯ В СЫВОРОТКЕ И НАЛИЧИЯ АНТИНАРКОТИЧЕСКИХ АНТИТЕЛ. Наука и практика ревматологии. 52 (6): 624–630. 2014 Русский, английский аннотация
31 Бортлик М. и др. Влияние антител против фактора некроза опухоли альфа, вводимых беременным женщинам с воспалительным заболеванием кишечника, на отдаленные результаты у детей, подвергшихся воздействию.Воспаление кишечника. 20: (495-451), 2014.
.
32 Jung Y et al., «Температурно-модулированный нековалентный управляемый комплекс для долгосрочной доставки этанерцепта для лечения ревматоидного артрита», J. Control. Выпуск 2013.
33 Gutierrez A, et al., Генетическая предрасположенность к повышенной бактериальной транслокации влияет на ответ на биологическую терапию у пациентов с болезнью Крона, Gut 0: 1–9, 2013. **
34 Гросен А. и др., Концентрация инфликсимаба в молоке кормящих матерей с воспалительным заболеванием кишечника, J. Crohns Colitis 2013.**
35 Ромеро Г. и др., Наночастицы поли (лактид-ко-гликолид), слой за слоем, разработанные для устойчивой доставки анти-TNF-α. Макромол. Biosci. 13: (903–912), 2013.
.
36 Cheong C и др., Этанерцепт ослабляет травматическое повреждение головного мозга у крыс за счет снижения содержания TNF-α в головном мозге и за счет стимуляции новообразованного нейрогенеза, Медиаторы воспаления, 2013; Том 2013, идентификатор статьи 620837, 9 стр. **
37 Бортлик М. и др., «Беременность и исход новорожденного у матерей с воспалительными заболеваниями кишечника, подвергшихся терапии анти-TNF-α во время беременности: трехцентровое исследование», Скандинавский журнал гастроэнтерологии.48: 951–958, 2013
38 Бортлик М. и др., Минимальные уровни инфликсимаба могут предсказать устойчивый ответ на инфликсимаб у пациентов с болезнью Крона, Journal of Crohn’s and Colitis 2012. **
39 Маликова К. и др., Фосфатидилсерин-зависимые антипротромбиновые антитела (aPS / PT) у леченных инфликсимабом пациентов с воспалительными заболеваниями кишечника, Autoimmun Highlights, 2012. **
40 Takahashi H и др., Минимальные уровни адалимумаба и инфликсимаба в плазме с точки зрения клинической эффективности при лечении псориаза, Журнал дерматологии 2012; 39: 1-4.**
41 Сеок Ли Й и др., «Эффективность раннего лечения инфликсимабом при болезни Крона у детей: трехлетнее наблюдение», Детская гастроэнтерология, гепатология и питание, 2012; 15 (4): 243-249 ** 42 Молнар Т. и др., «Важность минимальных уровней и титров антител для эффективности и безопасности терапии инфликсимабом при воспалительном заболевании кишечника», Z Gastroenterol 2012; 50 — A5343 Като С. и др., «Повышенный уровень сывороточного IgE до острой тяжелой инфузионной реакции во время поддерживающей терапии инфликсимабом у пациента с болезнью Крона», Американский фонд Крона и колита, 201144 Адисен Э. и др., «Статус антител к инфликсимабу и его связь с клиническим ответом у пациентов с псориазом »: пилотное исследование, журнал дерматологии, 2010 г .; 37: 708–713.
Плакат:
1 Маликова К. и др. ,. Мониторинг пациентов, получавших инфликсимаб: оценка антител против инфликсимаба, Чешская Республика. ЕВРОМЕДЛАБ. Аутоиммунные заболевания, 2009. S1152 Маликова К. и др., Формирование антифосфолипидных антител и антител к инфликсимабу у пациентов с воспалительными заболеваниями кишечника, принимающих анти-TNF-альфа, Карлов университет в Праге, Чешская Республика (2011).
2 Маликова К. и др., Взаимосвязь между минимальными уровнями инфликсимаба в сыворотке крови, сывороточными антителами к инфликсимабу, уровнями сывороточного альбумина и клинической реакцией на лечение инфликсимабом у пациентов с воспалительными заболеваниями кишечника, Карлов университет в Праге, Чешская Республика.(2011)
3 Лукас М. и др., Антитела против инфликсимаба в рутинной клинической практике стоит ли их оценивать, Чешская Республика
4 Дурикова Д. и др., Предикторы устойчивого ответа на инфликсимаб при болезни Крона: одно когортное исследование, Чешская Республика
5 Bodini G и др., Корреляция между концентрацией адалимумаба в сыворотке крови, антителами против адалимумаба и уровнями TNF-альфа с клиническим исходом у пациентов, страдающих болезнью Крона. Единая европейская гастроэнтерология.Италия 2013.
6 Julsgaard M и др., Время, прошедшее с момента последнего воздействия препарата во время беременности, определяет уровни адалимумаба и инфликсимаба у новорожденных (Era Study), Италия 2014
7 Сепес З. и др., Клиническая полезность измерения сывороточного уровня TNF-альфа, уровней анти-TNF-альфа и титров антител в критических ситуациях при воспалительном заболевании кишечника и псориазе, ECCO 2014 Inflamasted Bowel Disease.
8 Julsgaard M. и др., Внутриматочное воздействие анти-TNF-альфа-терапии (исследование ERA): уровни инфликсимаба и адалимумаба в пуповинной крови коррелируют с уровнями в пуповинной крови у матери, ECCO, 2014, Воспалительное заболевание кишечника.
9 Голдберг Р. и др., Предикторы минимальных субтерапевтических уровней инфликсимаба илирадалимумаба и антилекарственных антител и их влияние на терапевтические решения, ECCO 2014 Inflamasted Bowel Disease.
10 H. Akbulut и др.: Роль иммунной системы на эффективность бевацизумаба у пациентов с метастатическим колоректальным раком (mCRC).