Транзисторы КТ808, 2Т808А — кремниевые, мощные,
низкочастотные, структуры — n-p-n. Наиболее важные параметры. Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ): Максимальное напряжение коллектор — эмиттер: У транзисторов КТ808А, КТ808АМ, — 120 в, пульсирующее — 250 в. У транзисторов 2Т808А — 200 в, пульсирующее — 300 в. У транзисторов КТ808БМ — 100 в, пульсирующее — 160 в. У транзисторов КТ808ВМ — 80 в, пульсирующее — 135 в. У транзисторов КТ808ГМ — 70 в, пульсирующее — 80 в. Максимальное напряжение эмиттер — база — 4 в. Максимальный ток коллектора — импульсный 10 А. Коэффициент передачи тока: Обратный ток коллектора при температуре окружающей среды +25 по Цельсию —
не более 3 мА у транзисторов 2Т808А при напряжении коллектор — эмиттер 200 в и
у транзисторов КТ808А при напряжении коллектор — эмиттер 120 в. Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4в не более — 50 мА. Напряжение насыщeния база эмиттер при токе коллектора 6 А. и токе базы 0,6 А — не более — 2,5 В. Граничная частота передачи тока: Зарубежные аналоги транзисторов КТ808. КТ808А — 2N4913, 2N4914, 2SD201. КТ808БМ — 2N6374, 2SC1618. КТ808ГМ — 2N6372, 2N6373. На главную страницу Использование каких — либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто». |
Транзистор КТ808 — DataSheet
Перейти к содержимому
Цоколевка транзистора КТ808 | Цоколевка транзистора КТ808-1 |
Цоколевка транзистора КТ808-3 | Цоколевка транзистора КТ808М |
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ808АМ | 2SC1116 *2, 2N5633, MJ4247, KDY56 *2, BD550 *2, 2SC519A *2, КТС1617 *2, 2SC1617 *2, 2SD214, 2SD203 *2 | |||
| КТ808БМ | BDX95, BDW21C *2, 2N5758 *2, 181Т2А *2, KDY24 *2, SDT7733 *2, 2N3446, 2SC1619 *2 | ||||
| КТ808ВМ | MJ2841, BD313, 2N5878, BDX93, BDW21B *2, 2N5874 *2, SDT7732, BDY17 *2 | ||||
| КТ808ГМ | 2N5877, BD311, MJ2840, BDX91, BDW21A *2 | ||||
| КТ808А3 | BD955, BDT41C *2 | ||||
| КТ808Б3 | BD245C, BD303B *2, NTC2334 *2, BDX77 *2, NTD569 *2, BD501В, 2N5496 *2, 2N5497 *2, BDT *2, 2N6131 *2, BD245B *2 | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ808А | — | 50* | Вт |
| КТ808А1 | — | 70* | |||
| КТ808Б1 | — | 70* | |||
| КТ808В1 | — | 70* | |||
| КТ808Г1 | — | 70* | |||
| КТ808А3 | — | 70* | |||
| КТ808Б3 | — | 70* | |||
| КТ808АМ | 50 °С | 60* | |||
| КТ808БМ | 50 °С | 60* | |||
| КТ808ВМ | 50 °С | 60* | |||
| КТ808ГМ | 50 °С | 60* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ808А | — |  2 | МГц |
| КТ808А1 | — | ≥8 | |||
| КТ808Б1 | — | ≥8 | |||
| КТ808В1 | — | ≥8 | |||
| КТ808Г1 | — | ≥8 | |||
| КТ808А3 | — | ≥8 | |||
| КТ808Б3 | — | ≥8 | |||
| КТ808АМ | — | ≥8 | |||
| КТ808БМ | — | ≥8 | |||
| КТ808ВМ | — | ≥8 | |||
| КТ808ГМ | — | ≥8 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ808А | 200 имп. | 120* | В |
| КТ808А1 | — | 130* | |||
| КТ808Б1 | — | 100* | |||
| КТ808В1 | — | 80* | |||
| КТ808Г1 | — | 70* | |||
| КТ808А3 | — | 130 | |||
| КТ808Б3 | — | 100 | |||
| КТ808АМ | 250 имп. | 130* | |||
| КТ808БМ | 160 имп. | 100* | |||
| КТ808ВМ | 150 имп. | 80* | |||
| КТ808ГМ | 80 имп. | 70* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ808А | — | 4 | В |
| КТ808А1 | — | 5 | |||
| КТ808Б1 | — | 5 | |||
| КТ808В1 | — | 5 | |||
| КТ808Г1 | — | 5 | |||
| КТ808А3 | — | 5 | |||
| КТ808Б3 | — | 5 | |||
| КТ808АМ | — | 5 | |||
| КТ808БМ | — | 5 | |||
| КТ808ВМ | — | 5 | |||
| КТ808ГМ | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ808А | — | 10 | А |
| КТ808А1 | — | 10 | |||
| КТ808Б1 | — | 10 | |||
| КТ808В1 | — | 10 | |||
| КТ808Г1 | — | 10 | |||
| КТ808А3 | — | 10(15*) | |||
| КТ808Б3 | — | 10(15*) | |||
| КТ808АМ | — | 10 | |||
| КТ808БМ | — | 10 | |||
| КТ808ВМ | — | 10 | |||
| КТ808ГМ | — | 10 | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ808А | 120 В | ≤3* | мкА |
| КТ808А1 | 130 В | ≤2* | |||
| КТ808Б1 | 100 В | ≤2* | |||
| КТ808В1 | 80 В | ≤2* | |||
| КТ808Г1 | 70 В | ≤2* | |||
| КТ808А3 | 130 В | ≤2* | |||
| КТ808Б3 | 100 В | ≤2* | |||
| КТ808АМ | 120 В | ≤2* | |||
| КТ808БМ | 100 В | ≤2* | |||
| КТ808ВМ | 100 В | ≤2* | |||
| КТ808ГМ | 70 В | ≤2* | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ808А | 3 В; 6 А | 10…50* | |
| КТ808А1 | 3 В; 2 А | 20. .125 | |||
| КТ808Б1 | 3 В; 2 А | 20..125 | |||
| КТ808В1 | 3 В; 2 А | 20..125 | |||
| КТ808Г1 | 3 В; 2 А | 20..125 | |||
| КТ808А3 | 3 В; 2 А | 20..125 | |||
| КТ808Б3 | 3 В; 2 А | 20..125 | |||
| КТ808АМ | 3 В; 2 А | 20..125* | |||
| КТ808БМ | 3 В; 2 А | 20..125* | |||
| КТ808ВМ | 3 В; 2 А | 20..125* | |||
| КТ808ГМ | 3 В; 2 А | 20..125* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ808А | 10 В | ≤500 | пФ |
| КТ808А1 | 10 В | ≤500 | |||
| КТ808Б1 | 10 В | ≤500 | |||
| КТ808В1 | 10 В | ≤500 | |||
| КТ808Г1 | 10 В | ≤500 | |||
| КТ808А3 | 100 В | ≤500 | |||
| КТ808Б3 | 100 В | ≤500 | |||
| КТ808АМ | 100 В | ≤500 | |||
| КТ808БМ | 100 В | ≤500 | |||
| КТ808ВМ | 100 В | ≤500 | |||
| КТ808ГМ | 100 В | ≤500 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у. р. | КТ808А | — | — | Ом, дБ |
| КТ808А1 | — | ≤0.33 | |||
| КТ808Б1 | — | ≤0.33 | |||
| КТ808В1 | — | ≤0.33 | |||
| КТ808Г1 | — | ≤0.33 | |||
| КТ808А3 | — | — | |||
| КТ808Б3 | — | — | |||
| КТ808АМ | — | ≤0.33 | |||
| КТ808БМ | — | ≤0.33 | |||
| КТ808ВМ | ≤0.33 | ||||
| КТ808ГМ | — | ≤0.33 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ808А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ808А1 | — | — | |||
| КТ808Б1 | — | — | |||
| КТ808В1 | — | — | |||
| КТ808Г1 | — | — | |||
| КТ808А3 | — | — | |||
| КТ808Б3 | — | — | |||
| КТ808АМ | — | — | |||
| КТ808БМ | — | — | |||
| КТ808ВМ | — | — | |||
| КТ808ГМ | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ808А | — | ≤2000* | пс |
| КТ808А1 | — | — | |||
| КТ808Б1 | — | — | |||
| КТ808В1 | — | — | |||
| КТ808Г1 | — | — | |||
| КТ808А3 | — | ≤2000* | |||
| КТ808Б3 | — | ≤2000* | |||
| КТ808АМ | — | ≤2000* | |||
| КТ808БМ | — | ≤2000* | |||
| КТ808ВМ | — | ≤2000* | |||
| КТ808ГМ | — | ≤2000* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
kt808 техническое описание и указания по применению
| Каталог техническое описание | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
ку 606 Реферат: КТ808АМ транзистор д 808 транзистор кт транзистор 805А 2110-Б1 КТ 805 РФТ транзистор КТ808 2107Б-2 | OCR-сканирование | 05А-К КТ808 ку 606 КТ808АМ транзистор д 808 транзистор кт транзистор 805А 2110-Б1 КТ 805 РФТ Транзисторен 2107Б-2 | |
2Т931А Реферат: КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А | OCR-сканирование | МОКП51КОБ, KTC631 ТИ2023 II2033 ТТ213 ТИ216 fI217 II302 XI306 н306А 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А | |
2Т908А Реферат: 2T602 2T907A KT604 1HT251 1T813 2t903 KT920A PO6 115,05 KT117 | OCR-сканирование | Т-0574Д. 30Эиаа
Coi03nojiH
2Т908А
2Т602
2Т907А
КТ604
1HT251
1Т813
2т903
КТ920А
ПО6 115,05
КТ117 | |
Диод Е1110 Реферат: lN4002 LN4003 ANA 618 20010 TDB 0123 km b3170 E1110 Диод UB8560D MAA723 moc 2030 | OCR-сканирование | ||
2010 — 2u 62 диода Реферат: Диод КТ808А 2У 81 кт808ам 2Н3076 2СД867У кт808 | Оригинал | SDT3208 SDT7140 БДТ95 БДТ96 диод 2u 62 КТ808А диод 2U 81 кт808am 2Н3076 2SD867Y кт808 | |
2010 — 044х21 Реферат: КТ808Б 044х20 кт808БМ БДЖ 36 кт808 2с021 Б0313 2н1810 | Оригинал | 044:20 КСП1152 КСП1172 OT7A09 OT7S09 2Н3714 B0245B 044ч21 КТ808Б кт808БМ БДЖ 36 кт808 2с021 B0313 2n1810 | |
т110 94в 0 Реферат: PTC SY 16P 2N2955T Philips диод PH 37m 2N3349ASI 2N4948 NJS Trimble R8 модель 2 2n6259 ssi 2SA749 2sd73 | OCR-сканирование | Барселона-28, С-171 СН-5400 т110 94в 0 PTC SY 16P 2Н2955Т диод филипс PH 37m 2N3349 АСИ 2N4948 NJS тримбл R8 модель 2 2n6259 сси 2SA749 2сд73 | |
у51 ч 120с Реферат: bd124 KT368 BFQ59 Silec Semiconductors BD214 al103 AFY18 bd192 MM1711 | OCR-сканирование | 500 мА 500 мА 240 МВт 240 МВт у51 ч 120с бд124 КТ368 БФК59 Силек Полупроводники БД214 ал103 AFY18 бд192 ММ1711 | |
2010 — КТ808АМ Реферат: 2SD867Y KT808a BDX51 2N3076 кт808 7F54 2SC1343 2sd339 BD245C | Оригинал | О-247 ОТ-186 О-111 Т0-61 КТ808АМ 2SD867Y КТ808а BDX51 2Н3076 кт808 7Ф54 2SC1343 2сд339 БД245С | |
2010 — BD607 Резюме: BDY17 sd1536-1 mj2940 Motorola RCA1C07 BD608 | Оригинал | БД607 БД608 БДС10 БДС13 2СД369 2SD3690 2Н5621 2N5622 2СД369И BDY17 сд1536-1 mj2940 моторола RCA1C07 | |
2010 — КТ808АМ Реферат: KT808a kt808 2N3426 2N3076 солитрон 2N3455 Siemens SID 3 2N3414 GE 2n3400 2N3432 | Оригинал | 2Н3495С 2Н3496 2N3497 2N3498 2Н3499 2Н3500 2Н3501 2Н3502 КТ808АМ КТ808а кт808 2Н3426 2Н3076 солитрон 2Н3455 Сименс СИД 3 2N3414 ГЭ 2н3400 2Н3432 | |
2010 — 2u 62 диода Реферат: 2SC1115 bd313 KT808BM sdt7603 2u 87 диод 2u 45 диод диод 2U 66 bdy19 | Оригинал | БД610 БДС11 БДС14 2СД213 2Н5006 2Н5007 2N5623 2Н5624 2SA746 2SA877 диод 2u 62 2SC1115 бд313 КТ808БМ sdt7603 2u 87 диод 2u 45 диод диод 2U 66 бди19 | |
КС156А Реферат: ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KP350A KT808a KT920A KC213 | OCR-сканирование | КсапфаКОБ-57, КС156А ky202e К174ХА2 КТ809А КТ805А КТ610Б КП350А КТ808а КТ920А КС213 |
Спецификация PDF Search Site
| 902:30 |
Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39. Похожие записи |