Каковы основные параметры транзистора КТ808. Для чего используется этот транзистор. Какие есть аналоги КТ808. Как правильно подключить транзистор КТ808 в схему.
Общая характеристика транзистора КТ808
Транзистор КТ808 — это кремниевый биполярный транзистор структуры n-p-n. Он относится к семейству мощных низкочастотных транзисторов и выпускается в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами. КТ808 предназначен для работы в ключевых схемах, генераторах строчной развертки и электронных регуляторах напряжения.
Основные особенности транзистора КТ808:
- Структура n-p-n
- Мощный низкочастотный транзистор
- Металлостеклянный корпус
- Применяется в ключевых схемах и генераторах развертки
- Имеет несколько модификаций (КТ808А, КТ808АМ, КТ808БМ и др.)
Основные электрические параметры КТ808
Транзистор КТ808 характеризуется следующими ключевыми параметрами:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: от 70 до 120 В (зависит от модификации)
- Рассеиваемая мощность: 50-60 Вт (с радиатором)
- Коэффициент усиления по току: 10-150
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 7,5-8 МГц
Как видим, КТ808 способен работать при довольно высоких напряжениях и токах, что позволяет использовать его в мощных схемах. При этом он имеет относительно низкую граничную частоту, что ограничивает его применение в высокочастотных цепях.
Модификации транзистора КТ808
Транзистор КТ808 выпускается в нескольких модификациях, различающихся своими параметрами:
- КТ808А — базовая модель
- КТ808АМ — улучшенная версия с повышенной мощностью рассеивания
- КТ808БМ — версия с пониженным напряжением коллектор-эмиттер
- КТ808ВМ — версия для работы при еще меньших напряжениях
- КТ808ГМ — модификация для низковольтных схем
Выбор конкретной модификации зависит от требований схемы. Например, если нужна работа при высоких напряжениях, подойдет КТ808А или КТ808АМ. Для низковольтных схем оптимальным будет КТ808ГМ.
Области применения транзистора КТ808
Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ808 нашел широкое применение в различных электронных устройствах:
- Ключевые схемы в импульсных источниках питания
- Генераторы строчной развертки в телевизорах и мониторах
- Электронные регуляторы напряжения
- Выходные каскады усилителей низкой частоты
- Мощные драйверы электродвигателей
Где еще можно встретить КТ808? Этот транзистор часто используется в бытовой и промышленной электронике, автомобильных системах, аудиотехнике. Его универсальность и надежность сделали его популярным выбором для многих разработчиков электронных устройств.
Особенности подключения КТ808 в схему
При использовании транзистора КТ808 в электронных схемах важно учитывать следующие моменты:
- Необходимость использования радиатора для отвода тепла при работе на больших мощностях
- Правильный выбор напряжения смещения базы для обеспечения оптимального режима работы
- Учет максимально допустимых значений тока и напряжения для конкретной модификации
- Использование защитных цепей для предотвращения пробоя при работе с индуктивной нагрузкой
Как правильно подключить КТ808? Типовая схема включения предполагает подачу управляющего сигнала на базу, подключение коллектора к нагрузке, а эмиттера — к общему проводу или источнику отрицательного напряжения (в схемах с общим эмиттером).
Аналоги транзистора КТ808
При необходимости замены КТ808 можно использовать следующие отечественные и зарубежные аналоги:
- КТ808А: 2N4913, 2N4914, 2SD201
- КТ808АМ: 2SC1619A, 2SD867
- КТ808БМ: 2N6374, 2SC1618
- КТ808ГМ: 2N6372, 2N6373
Важно отметить, что при замене транзистора необходимо тщательно сравнивать параметры аналога с оригинальным КТ808, чтобы обеспечить корректную работу схемы. Особое внимание следует уделять максимальным значениям напряжения и тока, а также частотным характеристикам.
Преимущества и недостатки КТ808
Как и любой электронный компонент, транзистор КТ808 имеет свои сильные и слабые стороны:
Преимущества:
- Высокая надежность и стабильность параметров
- Способность работать при больших токах и напряжениях
- Хорошие характеристики в ключевом режиме
- Доступность и низкая стоимость
Недостатки:
- Относительно низкая граничная частота
- Необходимость использования радиатора при работе на высоких мощностях
- Чувствительность к статическому электричеству
Несмотря на некоторые ограничения, КТ808 остается популярным выбором для многих применений благодаря своей надежности и хорошим характеристикам в области низких частот и высоких мощностей.
Транзисторы КТ808, 2Т808А — кремниевые, мощные,
низкочастотные, структуры — n-p-n. Наиболее важные параметры. Постоянная рассеиваемая мощность(Рк т max ): Максимальное напряжение коллектор — эмиттер: У транзисторов КТ808А, КТ808АМ, — 120 в, пульсирующее — 250 в. Максимальное напряжение эмиттер — база — 4 в. Максимальный ток коллектора — импульсный 10 А. Коэффициент передачи тока: Обратный ток эмиттера при напряжении эмиттер-база 4в не более — 50 мА. Напряжение насыщeния база эмиттер при токе коллектора 6 А. и токе базы 0,6 А — не более — 2,5 В. Граничная частота передачи тока: Зарубежные аналоги транзисторов КТ808. КТ808А — 2N4913, 2N4914, 2SD201. На главную страницу Использование каких — либо материалов этой страницы,
допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто». |
Транзистор КТ808 — DataSheet
Перейти к содержимому
Цоколевка транзистора КТ808 | Цоколевка транзистора КТ808-1 |
Цоколевка транзистора КТ808-3 | Цоколевка транзистора КТ808М |
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ808АМ | 2SC1116 *2, 2N5633, MJ4247, KDY56 *2, BD550 *2, 2SC519A *2, КТС1617 *2, 2SC1617 *2, 2SD214, 2SD203 *2 | |||
| КТ808БМ | BDX95, BDW21C *2, 2N5758 *2, 181Т2А *2, KDY24 *2, SDT7733 *2, 2N3446, 2SC1619 *2 | ||||
| КТ808ВМ | MJ2841, BD313, 2N5878, BDX93, BDW21B *2, 2N5874 *2, SDT7732, BDY17 *2 | ||||
| КТ808ГМ | 2N5877, BD311, MJ2840, BDX91, BDW21A *2, KDY23 *2 | ||||
| КТ808А3 | BD955, BDT41C *2 | ||||
| КТ808Б3 | BD245C, BD303B *2, NTC2334 *2, BDX77 *2, NTD569 *2, BD501В, 2N5496 *2, 2N5497 *2, BDT *2, 2N6131 *2, BD245B *2 | ||||
| Структура | — | n-p-n | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ808А | — | 50* | Вт |
| КТ808А1 | — | 70* | |||
| КТ808Б1 | — | 70* | |||
| КТ808В1 | — | 70* | |||
| КТ808Г1 | — | 70* | |||
| КТ808А3 | — | 70* | |||
| КТ808Б3 | — | 70* | |||
| КТ808АМ | 50 °С | 60* | |||
| КТ808БМ | 50 °С | 60* | |||
| КТ808ВМ | 50 °С | 60* | |||
| КТ808ГМ | 50 °С | 60* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ808А | — | ≥7. 2 | МГц |
| КТ808А1 | — | ≥8 | |||
| КТ808Б1 | — | ≥8 | |||
| КТ808В1 | — | ≥8 | |||
| КТ808Г1 | — | ≥8 | |||
| КТ808А3 | — | ≥8 | |||
| КТ808Б3 | — | ≥8 | |||
| КТ808АМ | — | ≥8 | |||
| КТ808БМ | — | ≥8 | |||
| КТ808ВМ | — | ≥8 | |||
| КТ808ГМ | — | ≥8 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб. , U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ808А | 200 имп. | 120* | В |
| КТ808А1 | — | 130* | |||
| КТ808Б1 | — | 100* | |||
| КТ808В1 | — | 80* | |||
| КТ808Г1 | — | 70* | |||
| КТ808А3 | — | 130 | |||
| КТ808Б3 | — | 100 | |||
| КТ808АМ | 250 имп. | 130* | |||
| КТ808БМ | 160 имп. | 100* | |||
| КТ808ВМ | 150 имп. | 80* | |||
| КТ808ГМ | 80 имп. | 70* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ808А | — | 4 | В |
| КТ808А1 | — | 5 | |||
| КТ808Б1 | — | 5 | |||
| КТ808В1 | — | 5 | |||
| КТ808Г1 | — | 5 | |||
| КТ808А3 | — | 5 | |||
| КТ808Б3 | — | 5 | |||
| КТ808АМ | — | 5 | |||
| КТ808БМ | — | 5 | |||
| КТ808ВМ | — | 5 | |||
| КТ808ГМ | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ808А | — | 10 | А |
| КТ808А1 | — | 10 | |||
| КТ808Б1 | — | 10 | |||
| КТ808В1 | — | 10 | |||
| КТ808Г1 | — | 10 | |||
| КТ808А3 | — | 10(15*) | |||
| КТ808Б3 | — | 10(15*) | |||
| КТ808АМ | — | 10 | |||
| КТ808БМ | — | 10 | |||
| КТ808ВМ | — | 10 | |||
| КТ808ГМ | — | 10 | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ808А | 120 В | ≤3* | мкА |
| КТ808А1 | 130 В | ≤2* | |||
| КТ808Б1 | 100 В | ≤2* | |||
| КТ808В1 | 80 В | ≤2* | |||
| КТ808Г1 | 70 В | ≤2* | |||
| КТ808А3 | 130 В | ≤2* | |||
| КТ808Б3 | 100 В | ≤2* | |||
| КТ808АМ | 120 В | ≤2* | |||
| КТ808БМ | 100 В | ≤2* | |||
| КТ808ВМ | 100 В | ≤2* | |||
| КТ808ГМ | 70 В | ≤2* | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ808А | 3 В; 6 А | 10…50* | |
| КТ808А1 | 3 В; 2 А | 20. .125 | |||
| КТ808Б1 | 3 В; 2 А | 20..125 | |||
| КТ808В1 | 3 В; 2 А | 20..125 | |||
| КТ808Г1 | 3 В; 2 А | 20..125 | |||
| КТ808А3 | 3 В; 2 А | 20..125 | |||
| КТ808Б3 | 3 В; 2 А | 20..125 | |||
| КТ808АМ | 3 В; 2 А | 20..125* | |||
| КТ808БМ | 3 В; 2 А | 20..125* | |||
| КТ808ВМ | 3 В; 2 А | 20..125* | |||
| КТ808ГМ | 3 В; 2 А | 20..125* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ808А | 10 В | ≤500 | пФ |
| КТ808А1 | 10 В | ≤500 | |||
| КТ808Б1 | 10 В | ≤500 | |||
| КТ808В1 | 10 В | ≤500 | |||
| КТ808Г1 | 10 В | ≤500 | |||
| КТ808А3 | 100 В | ≤500 | |||
| КТ808Б3 | 100 В | ≤500 | |||
| КТ808АМ | 100 В | ≤500 | |||
| КТ808БМ | 100 В | ≤500 | |||
| КТ808ВМ | 100 В | ≤500 | |||
| КТ808ГМ | 100 В | ≤500 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у. р. | КТ808А | — | — | Ом, дБ |
| КТ808А1 | — | ≤0.33 | |||
| КТ808Б1 | — | ≤0.33 | |||
| КТ808В1 | — | ≤0.33 | |||
| КТ808Г1 | — | ≤0.33 | |||
| КТ808А3 | — | — | |||
| КТ808Б3 | — | — | |||
| КТ808АМ | — | ≤0.33 | |||
| КТ808БМ | — | ≤0.33 | |||
| КТ808ВМ | ≤0.33 | ||||
| КТ808ГМ | — | ≤0.33 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ808А | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ808А1 | — | — | |||
| КТ808Б1 | — | — | |||
| КТ808В1 | — | — | |||
| КТ808Г1 | — | — | |||
| КТ808А3 | — | — | |||
| КТ808Б3 | — | — | |||
| КТ808АМ | — | — | |||
| КТ808БМ | — | — | |||
| КТ808ВМ | — | — | |||
| КТ808ГМ | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ808А | — | ≤2000* | пс |
| КТ808А1 | — | — | |||
| КТ808Б1 | — | — | |||
| КТ808В1 | — | — | |||
| КТ808Г1 | — | — | |||
| КТ808А3 | — | ≤2000* | |||
| КТ808Б3 | — | ≤2000* | |||
| КТ808АМ | — | ≤2000* | |||
| КТ808БМ | — | ≤2000* | |||
| КТ808ВМ | — | ≤2000* | |||
| КТ808ГМ | — | ≤2000* |
Описание значений со звездочками(*,**,***) смотрите в таблице параметров биполярных транзисторов.
*1 — аналог по электрическим параметрам, тип корпуса отличается.
*2 — функциональная замена, тип корпуса аналогичен.
*3 — функциональная замена, тип корпуса отличается.
Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.
kt808 техническое описание и указания по применению
| Каталог техническое описание | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
ку 606 Реферат: КТ808АМ транзистор д 808 транзистор кт транзистор 805А 2110-Б1 КТ 805 РФТ транзистор КТ808 2107Б-2 | OCR-сканирование | 05А-К КТ808 ку 606 КТ808АМ транзистор д 808 транзистор кт транзистор 805А 2110-Б1 КТ 805 РФТ Транзисторен 2107Б-2 | |
2Т931А Реферат: КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А | OCR-сканирование | МОКП51КОБ, KTC631 ТИ2023 II2033 ТТ213 ТИ216 fI217 II302 XI306 н306А 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А | |
2Т908А Реферат: 2T602 2T907A KT604 1HT251 1T813 2t903 KT920A PO6 115,05 KT117 | OCR-сканирование | Т-0574Д. 30Эиаа
Coi03nojiH
2Т908А
2Т602
2Т907А
КТ604
1HT251
1Т813
2т903
КТ920А
ПО6 115,05
КТ117 | |
Диод Е1110 Реферат: lN4002 LN4003 ANA 618 20010 TDB 0123 km b3170 E1110 Диод UB8560D MAA723 moc 2030 | OCR-сканирование | ||
2010 — 2u 62 диода Реферат: Диод КТ808А 2У 81 кт808ам 2Н3076 2СД867У кт808 | Оригинал | SDT3208 SDT7140 БДТ95 БДТ96 диод 2u 62 КТ808А диод 2U 81 кт808am 2Н3076 2SD867Y кт808 | |
2010 — 044х21 Реферат: КТ808Б 044х20 кт808БМ БДЖ 36 кт808 2с021 Б0313 2н1810 | Оригинал | 044:20 КСП1152 КСП1172 OT7A09 OT7S09 2Н3714 B0245B 044ч21 КТ808Б кт808БМ БДЖ 36 кт808 2с021 B0313 2n1810 | |
т110 94в 0 Реферат: PTC SY 16P 2N2955T Philips диод PH 37m 2N3349ASI 2N4948 NJS Trimble R8 модель 2 2n6259 ssi 2SA749 2sd73 | OCR-сканирование | Барселона-28, С-171 СН-5400 т110 94в 0 PTC SY 16P 2Н2955Т диод филипс PH 37m 2N3349 АСИ 2N4948 NJS тримбл R8 модель 2 2n6259 сси 2SA749 2сд73 | |
у51 ч 120с Реферат: bd124 KT368 BFQ59 Silec Semiconductors BD214 al103 AFY18 bd192 MM1711 | OCR-сканирование | 500 мА 500 мА 240 МВт 240 МВт у51 ч 120с бд124 КТ368 БФК59 Силек Полупроводники БД214 ал103 AFY18 бд192 ММ1711 | |
2010 — КТ808АМ Реферат: 2SD867Y KT808a BDX51 2N3076 кт808 7F54 2SC1343 2sd339 BD245C | Оригинал | О-247 ОТ-186 О-111 Т0-61 КТ808АМ 2SD867Y КТ808а BDX51 2Н3076 кт808 7Ф54 2SC1343 2сд339 БД245С | |
2010 — BD607 Резюме: BDY17 sd1536-1 mj2940 Motorola RCA1C07 BD608 | Оригинал | БД607 БД608 БДС10 БДС13 2СД369 2SD3690 2Н5621 2N5622 2СД369И BDY17 сд1536-1 mj2940 моторола RCA1C07 | |
2010 — КТ808АМ Реферат: KT808a kt808 2N3426 2N3076 солитрон 2N3455 Siemens SID 3 2N3414 GE 2n3400 2N3432 | Оригинал | 2Н3495С 2Н3496 2N3497 2N3498 2Н3499 2Н3500 2Н3501 2Н3502 КТ808АМ КТ808а кт808 2Н3426 2Н3076 солитрон 2Н3455 Сименс СИД 3 2N3414 ГЭ 2н3400 2Н3432 | |
2010 — 2u 62 диода Реферат: 2SC1115 bd313 KT808BM sdt7603 2u 87 диод 2u 45 диод диод 2U 66 bdy19 | Оригинал | БД610 БДС11 БДС14 2СД213 2Н5006 2Н5007 2N5623 2Н5624 2SA746 2SA877 диод 2u 62 2SC1115 бд313 КТ808БМ sdt7603 2u 87 диод 2u 45 диод диод 2U 66 бди19 | |
КС156А Реферат: ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KP350A KT808a KT920A KC213 | OCR-сканирование | КсапфаКОБ-57, КС156А ky202e К174ХА2 КТ809А КТ805А КТ610Б КП350А КТ808а КТ920А КС213 |
Спецификация PDF Search Site
| 902:30 |
Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39. Похожие записи |