Кт814 параметры. КТ814: характеристики, параметры и применение мощного биполярного транзистора

Какие основные характеристики имеет транзистор КТ814. Для чего используется КТ814 в электронных схемах. Какие существуют аналоги КТ814 среди современных транзисторов. Как выглядит цоколевка КТ814.

Общая информация о транзисторе КТ814

КТ814 — это кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор структуры p-n-p. Он относится к классу мощных низкочастотных транзисторов и предназначен для широкого применения в электронной аппаратуре.

Основные особенности КТ814:

• Структура: p-n-p
• Мощность: средняя (до 10 Вт)
• Рабочая частота: низкая (до 3 МГц)
• Корпус: пластмассовый TO-126 (КТ-27) или D-PAK для поверхностного монтажа
• Применение: ключевые и линейные схемы

Параметры и характеристики КТ814

Транзистор КТ814 выпускается в нескольких модификациях, различающихся максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер:

• КТ814А — 40 В
• КТ814Б — 50 В
• КТ814В — 70 В
• КТ814Г — 100 В

Основные электрические параметры КТ814:

• Максимальный постоянный ток коллектора: 1.5 А
• Максимальный импульсный ток коллектора: 3 А
• Статический коэффициент передачи тока: 40-275
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Максимальная рассеиваемая мощность коллектора: 10 Вт
• Диапазон рабочих температур: от -60°C до +125°C

Цоколевка и корпус КТ814

Транзистор КТ814 выпускается в пластмассовом корпусе TO-126 (отечественное обозначение КТ-27). Для поверхностного монтажа используется корпус D-PAK (в маркировке добавляется цифра 9, например КТ814А9).

Цоколевка КТ814 в корпусе TO-126:

• 1 вывод — эмиттер (Э)
• 2 вывод — коллектор (К)
• 3 вывод — база (Б)

Металлическая пластина корпуса соединена с коллектором. При монтаже транзистора необходимо обеспечить электрическую изоляцию корпуса от радиатора.

Области применения КТ814

Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ814 находит широкое применение в различных электронных устройствах:

• Выходные каскады усилителей низкой частоты
• Импульсные источники питания
• Преобразователи напряжения
• Драйверы электродвигателей
• Ключевые схемы
• Стабилизаторы напряжения

КТ814 часто используется в паре с комплементарным n-p-n транзистором КТ815, что позволяет создавать эффективные двухтактные схемы.

Аналоги КТ814

При разработке новых устройств или ремонте старой техники может потребоваться замена КТ814 на современный аналог. Наиболее близкими зарубежными аналогами являются:

• BD136 — для КТ814А
• BD138 — для КТ814Б и КТ814В
• BD140 — для КТ814Г

Эти транзисторы имеют схожие характеристики и совместимое расположение выводов. При замене необходимо учитывать конкретные параметры схемы.

Особенности применения КТ814

При использовании транзистора КТ814 в электронных схемах следует учитывать некоторые особенности:

• Необходимость теплоотвода при работе на больших токах
• Чувствительность к статическому электричеству
• Возможность самовозбуждения на высоких частотах
• Зависимость параметров от температуры

Для обеспечения надежной работы рекомендуется:

• Использовать радиатор при рассеиваемой мощности более 1-2 Вт
• Применять защитные цепи в базовой цепи
• Соблюдать меры защиты от статического электричества при монтаже
• Учитывать изменение коэффициента усиления при нагреве

Производство и доступность КТ814

Несмотря на то, что КТ814 относится к транзисторам советской разработки, его производство продолжается и в настоящее время. Основными производителями являются:

• ОАО «Интеграл» (Беларусь)
• АО «Кремний-Маркетинг» (Россия)

Транзисторы КТ814 доступны для заказа в специализированных магазинах электронных компонентов и через интернет-магазины. Цена на КТ814 зависит от конкретной модификации и объема партии.

Проверка и тестирование КТ814

Для проверки исправности транзистора КТ814 можно использовать следующие методы:

• Измерение сопротивления переходов мультиметром
• Проверка коэффициента усиления с помощью простого тестера транзисторов
• Измерение тока утечки коллектора
• Проверка работоспособности в реальной схеме

При тестировании важно соблюдать полярность подключения и не превышать предельно допустимые значения напряжений и токов.

Заключение

Транзистор КТ814 остается востребованным компонентом в электронике благодаря своим характеристикам и доступности. Он обеспечивает хорошее соотношение цена/качество для многих применений в области силовой электроники и аудиотехники. Знание особенностей и параметров КТ814 позволяет эффективно использовать этот транзистор при разработке и ремонте электронных устройств.

Транзистор КТ814А

Срок доставки: 

5 — 15 дней

Цена:

По запросу

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы КТ814А предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Особенности

• Диапазон рабочих температур: — 60 до + 125 C
• Комплиментарная пара – КТ815

Обозначение технических условий

• аАО. 336.184 ТУ / 02

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ814А, Б, В, Г
• пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) — КТ814А9, Б9, В9, Г9

Назначение выводов

Вывод (корпус КТ-27)	Назначение (корпус КТ-27)	Вывод (корпус КТ-89)	Назначение (корпус КТ-89)
№1	Эмиттер	№1	База
№2	Коллектор	№2	Коллектор
№3	База	№3	Эмиттер

Основные электрические параметры КТ814 при Токр. среды = 25 С

Параметры	Обозначение	Ед. измер	Режимы измерения	Min	Max
Граничное напряжение колл-эмит	Uкэо гр.	В	Iэ=50mA, tи=0,3 — 1 мс	30	—
КТ814А, А9
КТ814Б, Б9				45
КТ814В, В9				65
КТ814Г, Г9				85
Обратный ток коллектора КТ814А, А9, Б, Б9 КТ814В, В9, Г, Г9	Iкбо	мкА	Uкэ=50 В Uкэ=65 В	—	50 50
Обратный ток коллектор-эмиттер КТ814А, А9, Б, Б9 КТ814В, В9, Г, Г9	Iкэr	мкА	Uкэ=50 В, Rбэ Uкэ=65 В, Rбэ	—	100 100
Статический коэффициент передачи тока	h31э	—	Uкб=2 B, Iэ=0,15A	40	275
КТ814А, А9, Б, Б9, В, В9
КТ814Г, Г9				30	275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Uкэ нас	В	Iк=0,5 A, Iб=50 мA	—	0,6

Предельно допустимые электрические режимы КТ814

Параметры	Обозначение	Единица измер.	Значение
Напряжение  коллектор-эмиттер  (Rэб	Uкэ max	В	40
КТ814А, А9
КТ814Б, Б9			50
КТ814В, В9			70
КТ814Г, Г9			100
Напряжение эмиттер-база	Uэб max	В	5
Постоянный ток коллектора	Iк max	А	1,5
Импульсный ток коллектора	Iки max	А	3
Максимально допустимый постоянный ток базы	Iб max	А	0,5
Рассеиваемая мощность коллектора	Pк max	Вт	10
Температура перехода	Tпер	C	150

Транзистор кт814 аналоги советские — Мастерок

Содержание

1. Аналог КТ814
2. Особенности
3. Корпусное исполнение
4. Цоколевка КТ814 (корпус КТ-27)
5. Характеристики транзистора КТ814
6. Предельные параметры КТ814
7. Значения параметров КТ814 при Тперехода=25 o С
8. Транзисторы КТ814
9. Наиболее важные параметры.
10. Транзисторы КТ827
11. Транзисторы – купить. или найти бесплатно.
12. Основные характеристики транзисторов КТ814:
13. Предельные параметры транзисторов КТ814:

КТ814 – биполярные транзисторы p-n-p большой мощности (Pк max > 1,5 Вт) низкой частоты (Fгр ≤ 3 МГц). Применяются в линейных и ключевых схемах, узлах и блоках радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Аналог КТ814

• Прототип КТ814 Б – BD136
• Прототип КТ814 В – BD138
• Прототип КТ814 Г – BD140

Особенности

• Максимально допустимая температура корпуса – 100 °C
• Комплиментарная пара – КТ815

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126)

Цоколевка КТ814 (корпус КТ-27)

Характеристики транзистора КТ814

Предельные параметры КТ814

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{K max}):

• КТ814А, Б, В, Г – 1,5 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{K, и max}):

• КТ814А, Б, В, Г – 3 А

Граничное напряжение (U_{KЭ0 гр}):

• КТ814А – 25 В
• КТ814Б – 40 В
• КТ814В – 60 В
• КТ814Г – 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}):

• КТ814А, Б, В, Г – 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектоpа (P_{K max}) при температуре корпуса 25° C:

• КТ814А, Б, В, Г – 10 Вт

Максимально допустимая температура перехода (Т_{п max}):

• КТ814А, Б, В, Г – 125° C

Значения параметров КТ814 при Т

_{перехода}=25 o С

Статический коэффициент передачи тока (h_21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (U_КБ) 2 В, при постоянном токе эмиттера (I_Э) 0,15 А:

• КТ814А, Б, В – 40
• КТ814Г – 30

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

• КТ814А, Б, В, Г – 0,6 В

Обратный ток коллектоpа (I_КБО)

• КТ814А, Б, В, Г – 0,05 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

• КТ814А, Б, В, Г – 3 МГц

Емкость коллектоpного перехода (C_К)

• КТ814А, Б, В, Г – 60 пф

Емкость эмиттеpного перехода (C_Э)

• КТ814А, Б, В, Г – 75 пф

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_Тп-к)

• КТ814А, Б, В, Г – 10° С/Вт

– дополнительная информация.

Транзисторы КТ814

Т ранзисторы КТ814 – кремниевые, мощные, низкочастотные, структуры – p-n-p.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса – около 0,7 г. Маркировка буквенно – цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная – в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ814 цифра 4, второй знак – буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже – цоколевка и маркировка КТ814.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока У транзисторов КТ814А, КТ814Б, КТ814В – от 40
У транзисторов КТ814Г – 30

Граничная частота передачи тока. – 3МГц.

Максимальное напряжение коллектор – эмиттер. У транзисторов КТ814А – 25 в.
У транзисторов КТ814Б – 40 в.
У транзисторов КТ814В – 60 в.
У транзисторов КТ814Г – 80 в.

Максимальный ток коллектора(постоянный). У всех транзисторов КТ814 – 1,5 А.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 0,6 в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 0,5А и базовом 0,05А – 1,2 в.

Рассеиваемая мощность коллектора. – 10 Вт(с радиатором).

Обратный ток коллектора при напряжении коллектор-база 40в и температуре окружающей среды не превышающей +25 по Цельсию не более – 50 мкА.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5в при частоте 465 КГц не более – 75 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-эмиттер 5в при частоте 465 КГц не более – 60 пФ.

Транзистор комплементарный КТ814 – КТ815.

Транзисторы КТ827

Транзисторы КТ827 – кремниевые, мощные, низкочастотные,составные(схема Дарлингтона) структуры – n-p-n.
Корпус металло-стекляный(ТО-3). Применяются в усилительных и генераторных схемах.

Внешний вид и расположение выводов на рисунке:

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока – У транзисторов КТ827А – от 500 до 18000.
У транзисторов КТ827Б, КТ827В – от 750 до 18000.

Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер:
У транзисторов КТ827А – 100в.
У транзисторов КТ827Б – 80в.
У транзисторов КТ827В – 60в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при коллекторном токе 10А и базовом 40мА до 2-х в, при типовом значении – 1,75в.

Напряжение насыщения база-эмиттер при коллекторном токе 10 А и базовом 200мА до – 4-х в, при типовом значении – 3 в.

Максимальный ток коллектора – 20 А.

Рассеиваемая мощность коллектора – 125 Вт(с радиатором).

Граничная частота передачи тока – 4МГц.

Обратный ток коллектор-эмиттер при сопротивлении база-эмиттер 1кОм и температуре окружающей среды от -60 до +25 по Цельсию не более – 3 мА.

Обратный ток эмиттера при напряжении база-эмиттер 5в не более – 2 мА.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении база-эмиттер 5в – не более 350 пФ.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10в не более – 400 пФ.

Транзистор комплементарный КТ827 – КТ825.

Транзисторы – купить. или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта – либо купить, либо – получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки – можно купить. Если же нет – всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника – можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из нее.
Транзисторы КТ814 можно найти в магнитофонах – «Весна 205-1», «Вильма 204 стерео», Маяк 240С-1, Маяк 233, Ореанда 204С и. т. д.

Использование каких – либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

КТ814 – кремниевый биполярный p-n-p транзистор низкочастотный средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126, либо в корпусе D-PAK для поверхностного монтажа (в наименовании суффикс 9, например, КТ814А9).

Назначение: КТ814 -транзистор широкого применения для использования в ключевых и линейных схемах.

Типы: КТ814А, КТ814Б, КТ814В, КТ814Г

Комплементарная пара: КТ815 (npn транзистор с такими же характеристиками)

Аналог: BD136, BD138, BD140

Цоколевка КТ814: Э-К-Б , смотри рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ814: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные характеристики с графиками зависимостей параметров)

Основные характеристики транзисторов КТ814:

Подробные параметры КТ814 и многих других отечественных транзисторов приведены в справочнике мощных транзисторов

Параметры	Режим измерения параметра	Min (минимальное значение параметра)	Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока КТ814(А-Г)	Uкб=2B, Iэ=0. 15A	40	275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер КТ814(А-Г)	Iк=0.5А, Iб=0.05A	0.6В
Предельные параметры транзисторов КТ814:
Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp КТ814А КТ814Б КТ814В КТ814Г	Rэб ≤ 100Ом	40В 50В 70В 100В
Напряжение эмиттер-база (обратное)	5В
Постоянный ток коллектора КТ814	1.5А
Импульсный ток коллектора	tи ≤ 10 мс, Т/tи≥100	3А
Максимально допустимый постоянный ток базы	0.5А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора	Тк ≤ 50 °С	10Вт
Температура перехода	-60	+150

android — Jetpack Compose PreviewParameters Render Error

У меня есть составной объект, который принимает 4 параметра

 @Composable
веселая аутентификация(
    владелец: LifecycleOwner,
    authViewModel: AuthenticationViewModel,
    контекст: контекст,
    коммуникационный адаптер: коммуникационный адаптер
)
 

Я хочу иметь предварительный просмотр, поэтому я изучаю @PreviewParameter . Мой код предварительного просмотра ниже.

 @Preview(showBackground = true)
@составной
private fun DefaultPreview(@PreviewParameter(PreviewArgProvider::class) args: Quad) {
    Аутентификация(
        владелец = args.first,
        authViewModel = args.second,
        контекст = аргументы.третий,
        коммуникационный адаптер = args.fourth
    )
}
открытый класс PreviewParameterCombiner(
    первый: PreviewParameterProvider,
    второй: PreviewParameterProvider,
    третий: PreviewParameterProvider,
    четвертый: PreviewParameterProvider ,
) : PreviewParameterProvider> {
переопределить значения val: Sequence> = sequenceOf(Quad(first.values.first(), second.values.first(), Third.values.first(), четвертые.values. первый()))
}
класс PreviewArgProvider (владелец: ComponentActivity, viewModel: AuthenticationViewModel):
PreviewParameterCombiner(
    LifecycleOwnerProvider(владелец),
    AuthenticationViewModelProvider(viewModel),
    КонтекстПровайдер(),
    CommunicationAdapterProvider(CommunicationAdapter())
)
class CommunicationAdapterProvider (адаптер: CommunicationAdapter): PreviewParameterProvider {
 переопределить значения val: Sequence = sequenceOf(адаптер)
}
class ContextProvider @Inject конструктор() : PreviewParameterProvider {
@Inject
@ApplicationContext
lateinit var context: Контекст
переопределить значения val: Sequence = sequenceOf(context)
}
class AuthenticationViewModelProvider(viewModel: AuthenticationViewModel): PreviewParameterProvider {
переопределить значения val: Sequence = sequenceOf(viewModel)
}
класс LifecycleOwnerProvider (владелец: ComponentActivity): PreviewParameterProvider {
переопределить значения val: Sequence = sequenceOf(владелец)
}
класс данных Quad(
первый вал: А,
val секунда: B,
val терция: C,
вал четвертый: E
) : сериализуемый {
переопределить fun toString(): String = "($ first, $ second, $ Third $ Fourth)"
}
 

Я получаю сообщение об ошибке рендеринга при попытке сборки

java. lang.NoSuchMethodException: androidx.lifecycle.LifecycleOwner. ()   на java.lang.Class.getConstructor0(Class.java:3349)   на java.lang.Class.newInstance(Class.java:556)   на com.huntergaming.authentication.ui.AuthenticationComposableKt.DefaultPreview(AuthenticationComposable.kt:133 ) в jdk.internal.reflect.NativeMethodAccessorImpl.invoke0(NativeMethodAccessorImpl.java:-2) в jdk.internal.reflect.NativeMethodAccessorImpl.invoke(NativeMethodAccessorImpl.java:62) в jdk.internal.reflect.MelegatingMethod.AccessorImplating.invoke :43)  на java.lang.reflect.Method.invoke(Method.java:566)  на androidx.compose.ui.tooling.CommonPreviewUtils.invokeComposableMethod(CommonPreviewUtils.kt:149) на androidx.compose.ui.tooling.CommonPreviewUtils.invokeComposableViaReflection$ui_tooling_release(CommonPreviewUtils.kt:188) на androidx.compose.ui.tooling.ComposeViewAdapter$init$3$1$composable$1.invoke(ComposeViewAdapter.kt:571) на androidx .compose.ui.tooling.ComposeViewAdapter$init$3$1$composable$1.invoke(ComposeViewAdapter. kt:569) на androidx.compose.ui.tooling.ComposeViewAdapter$init$3$1.invoke(ComposeViewAdapter.kt:608) на androidx. compose.ui.tooling.ComposeViewAdapter$init$3$1.invoke(ComposeViewAdapter.kt:564) на androidx.compose.runtime.internal.ComposableLambdaImpl.invoke(ComposableLambda.jvm.kt:107) на androidx.compose.runtime.internal. ComposableLambdaImpl.invoke(ComposableLambda.jvm.kt:34) на androidx.compose.runtime.CompositionLocalKt.CompositionLocalProvider(CompositionLocal.kt:215) на androidx.compose.ui.tooling.InspectableKt.Inspectable(Inspectable.kt:64) на androidx .compose.ui.tooling.ComposeViewAdapter$WrapPreview$1.invoke(ComposeViewAdapter.kt:5 13) на androidx.compose.ui.tooling.ComposeViewAdapter$WrapPreview$1.invoke(ComposeViewAdapter.kt:512) на androidx.compose.runtime.internal.ComposableLambdaImpl.invoke(ComposableLambda.jvm.kt:107) на androidx.compose. runtime.internal.ComposableLambdaImpl.invoke(ComposableLambda.jvm.kt:34) на androidx.compose.runtime.CompositionLocalKt.CompositionLocalProvider(CompositionLocal. kt:215) на androidx.compose.ui.tooling.ComposeViewAdapter.WrapPreview(ComposeViewAdapter.kt: 508) на androidx.compose.ui.tooling.ComposeViewAdapter.access$WrapPreview(ComposeViewAdapter.kt:121) на androidx.compose.ui.tooling.ComposeViewAdapter$init$3.invoke(ComposeViewAdapter.kt:564) на androidx.compose. ui.tooling.ComposeViewAdapter$init$3.invoke(ComposeViewAdapter.kt:561) в androidx.compose.runtime.internal.ComposableLambdaImpl.invoke(ComposableLambda.jvm.kt:107) в androidx.compose.runtime.internal.ComposableLambdaImpl.invoke (ComposableLambda.jvm.kt:34)   в androidx.compose.ui.platform.Compos eView.Content(ComposeView.android.kt:384)  на androidx.compose.ui.platform.AbstractComposeView$ensureCompositionCreated$1.invoke(ComposeView.android.kt:228)  на androidx.compose.ui.platform.AbstractComposeView$ensureCompositionCreated$1. invoke(ComposeView.android.kt:227)   в androidx.compose.runtime.internal.ComposableLambdaImpl.invoke(ComposableLambda.jvm.kt:107)   в androidx.compose.runtime.internal. ComposableLambdaImpl.invoke(ComposableLambda.jvm.kt: 34) на androidx.compose.runtime.CompositionLocalKt.CompositionLocalProvider(CompositionLocal.kt:215) на androidx.compose.ui.platform.CompositionLocalsKt.ProvideCommonCompositionLocals(CompositionLocals.kt:150) на androidx.compose.ui.platform.AndroidCompositionLocals_androidKt$ProvideAndroid $3.invoke(AndroidCompositionLocals.android.kt:114)  в androidx.compose.ui.platform.AndroidCompositionLocals_androidKt$ProvideAndroidCompositionLocals$3.invoke(AndroidCompositionLocals.android.kt:113)  в androidx.compose.r untime.internal.ComposableLambdaImpl.invoke(ComposableLambda.jvm.kt:107)  в androidx.compose.runtime.internal.ComposableLambdaImpl.invoke(ComposableLambda.jvm.kt:34)  в androidx.compose.runtime.CompositionLocalKt.CompositionLocalProvider(CompositionLocal. kt:215)  на androidx.compose.ui.platform.AndroidCompositionLocals_androidKt.ProvideAndroidCompositionLocals(AndroidCompositionLocals.android.kt:106)  на androidx.compose.ui.platform. WrappedComposition$setContent$1$1$3.invoke(Wrapper.android.kt:162 ) на androidx.compose.ui.platform.WrappedComposition$setContent$1$1$3.invoke(Wrapper.android.kt:161) на androidx.compose.runtime.internal.ComposableLambdaImpl.invoke(ComposableLambda.jvm.kt:107) на androidx .compose.runtime.internal.ComposableLambdaImpl.invoke(ComposableLambda.jvm.kt:34) на androidx.compose.runtime.CompositionLocalKt.CompositionLocalProvider(CompositionLocal.kt:215) на androidx.compose.ui.platform.WrappedComposition$setContent$1 $1 .invoke(Wrapper.android.kt:161) на androidx.compose.ui.platform.WrappedComposition$setContent$1$1.invoke(Wrapper.android.kt:144) на androidx.compose.runtime.internal.ComposableLambdaImpl.invoke(ComposableLambda.jvm.kt:107) на androidx.compose .runtime.internal.ComposableLambdaImpl.invoke(ComposableLambda.jvm.kt:34)  в androidx.compose.runtime.ComposerKt.invokeComposable(Composer.kt:3332)  в androidx.compose.runtime.ComposerImpl$doCompose$2$5.invoke(Composer .kt:2577) в androidx. compose.runtime.ComposerImpl$doCompose$2$5.invoke(Composer.kt:2566) в androidx.compose.runtime.SnapshotStateKt.observeDerivedStateRecalculations(SnapshotState.kt:540) в androidx.compose.runtime. ComposerImpl.doCompose(Composer.kt:2566) на androidx.compose.runtime.ComposerImpl.composeContent$runtime_release(Composer.kt:2517) на androidx.compose.runtime.CompositionImpl.composeContent(Composition.kt:477) на androidx.compose .runtime.Recomposer.composeInitial$runtime_release(Recomposer.kt:727)   на androidx.compose.runtime.Com positionImpl.setContent(Composition.kt:433)  на androidx.compose.ui.platform.WrappedComposition$setContent$1.invoke(Wrapper.android.kt:144)  на androidx.compose.ui.platform.WrappedComposition$setContent$1.invoke( Wrapper.android.kt:135)   в androidx.compose.ui.platform.AndroidComposeView.setOnViewTreeOwnersAvailable(AndroidComposeView.android.kt:727)   в androidx.compose.ui.platform.WrappedComposition.setContent(Wrapper.android.kt:135) на androidx.compose.ui.platform. WrappedComposition.onStateChanged(Wrapper.android.kt:187) на androidx.lifecycle.LifecycleRegistry$ObserverWithState.dispatchEvent(LifecycleRegistry.java:354) на androidx.lifecycle.LifecycleRegistry.addObserver(LifecycleRegistry.java :196) на androidx.compose.ui.platform.WrappedComposition$setContent$1.invoke(Wrapper.android.kt:142) на androidx.compose.ui.platform.WrappedComposition$setContent$1.invoke(Wrapper.android.kt:135) на androidx.compose.ui.platform.AndroidComposeView.onAttachedToWindow(AndroidComposeView.android.kt:814) на android.view.View.dispatchAttachedToWindow(View.java:20479) на android.view.ViewGroup.dispatchAttachedToWindow(ViewGroup.java:3489 )   в android.view.ViewGroup.dispatchAttachedToWindow(ViewGroup.java:3496) на android.view.ViewGroup.dispatchAttachedToWindow(ViewGroup.java:3496) на android.view.ViewGroup.dispatchAttachedToWindow(ViewGroup.java:3496) на android.view.ViewGroup.dispatchAttachedToWindow(ViewGroup.java:3496) на android. view.ViewGroup.dispatchAttachedToWindow(ViewGroup. java:3496)  в android.view.AttachInfo_Accessor.setAttachInfo(AttachInfo_Accessor.java:44)

795 E Simpson Ave, Джексон, Вайоминг 83001 | MLS #23-47

$4,600,000

3 бод 3 643 кв. Футов

для продажи

: 4 60000 008 долл. США

Загрузка

• Последняя продажа

  Скорее всего, будет продавать более

  • . Парковка2 Гаражные места
  • Участок 6 969 кв.м
  • Цена/кв.м$1,263 цена/кв.м

  Обзор

  Огороженный дворГазовый каминИндивидуальный ландшафтный дизайнДом с открытой планировкойЖилая площадь на открытом воздухе

  Этот современный дом в Ист-Джексоне, построенный в 2015 году, спроектирован местными архитекторами kt814 и построен компанией Everett Building. Спроектированный и построенный в соответствии с очень высокими стандартами, этот дом с открытой планировкой предлагает жилую комнату наверху, водяное отопление в полу, деревянные и бетонные полы, 3 спальни с ванными комнатами, газовый камин и прекрасный вид на Снежного Короля и Хрустальный холм. Южная палуба второго уровня обеспечивает жилое пространство на открытом воздухе рядом со столовой и кухней и исключительный вид на юг. Расположенный на угловом участке с огороженным двором, индивидуальным ландшафтным дизайном и насаждениями, есть приподнятые грядки для садоводства и спринклерная система. Дом с одним собственником, использовался мало, готов к заселению.

  33 дня

  на Zillow

  |

  1 947

  |

  35

  |

  Travel times

• Take a tour with a buyer’s agent

• Facts and features

  Interior details

  Bedrooms and bathrooms

  • Bedrooms: 3
  • Bathrooms: 4
  • Full bathrooms: 2
  • 3/4 санузла: 1
  • 1/2 Ванные комнаты: 1

  Отопление

  • Особенности отопления: гидронный в полу-полу

  Другие интерьеры

  • цоколь: 1,169

  Детали объекта

  Парковка

  • Всего мест: 2
  • Особенности парковки: Гараж
  • Гаражных мест: 2
  • Крытых мест: 2

  Недвижимость

  • Ограждение: Огороженный
  • Описание вида: Гора(ы), Снежный Король

  Участок

  • Площадь участка: 6 969 кв.