Кт815Б. КТ815Б: характеристики, применение и аналоги мощного биполярного транзистора

Какие основные параметры и характеристики имеет транзистор КТ815Б. Где применяется этот мощный биполярный транзистор. Какие существуют аналоги КТ815Б отечественного и зарубежного производства. Как расшифровывается маркировка КТ815Б.

Содержание

Основные характеристики транзистора КТ815Б

КТ815Б — это мощный биполярный транзистор структуры n-p-n. Рассмотрим его ключевые параметры:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 60 В
  • Максимальный ток коллектора: 6 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 40 Вт
  • Коэффициент усиления по току: 15-60
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
  • Корпус: TO-220 (КТ-28)

Транзистор КТ815Б относится к средней мощности и предназначен для работы в усилителях и ключевых схемах. Его характеристики позволяют использовать его в широком спектре электронных устройств.

Применение транзистора КТ815Б

Благодаря своим характеристикам, КТ815Б нашел применение во многих областях электроники:

  • Усилители мощности звуковой частоты
  • Импульсные источники питания
  • Драйверы электродвигателей
  • Ключевые каскады
  • Стабилизаторы напряжения
  • Преобразователи напряжения

Где конкретно используется КТ815Б? Этот транзистор часто встречается в бытовой и автомобильной электронике, промышленном оборудовании, системах автоматики.


Расшифровка маркировки КТ815Б

Маркировка КТ815Б содержит информацию о типе и характеристиках транзистора:

  • К — кремниевый
  • Т — биполярный транзистор
  • 8 — мощный (рассеиваемая мощность более 1,5 Вт)
  • 15 — порядковый номер разработки
  • Б — группа по коэффициенту усиления (вторая группа)

Таким образом, КТ815Б — это кремниевый биполярный мощный транзистор 15-й разработки, относящийся ко второй группе по коэффициенту усиления.

Цоколевка транзистора КТ815Б

КТ815Б выпускается в корпусе TO-220 (отечественное обозначение КТ-28). Цоколевка транзистора следующая:

  • 1 вывод — эмиттер (Э)
  • 2 вывод — коллектор (К)
  • 3 вывод — база (Б)

Важно отметить, что металлическая пластина корпуса соединена с коллектором. Это необходимо учитывать при монтаже на радиатор, используя изолирующие прокладки.

Аналоги транзистора КТ815Б

При необходимости замены КТ815Б можно использовать следующие аналоги:

Отечественные аналоги:

  • КТ817Б
  • КТ818Б
  • КТ819Б
  • КТ8115А

Зарубежные аналоги:

  • TIP31C
  • BD243C
  • 2SC2078
  • MJE3055T

При выборе аналога следует внимательно сравнивать все параметры, так как полного совпадения характеристик может не быть. В некоторых случаях может потребоваться небольшая корректировка схемы.


Особенности эксплуатации КТ815Б

При работе с транзистором КТ815Б следует учитывать несколько важных моментов:

  • Необходимость теплоотвода при работе на больших токах
  • Чувствительность к статическому электричеству
  • Возможность теплового пробоя при неправильном включении
  • Зависимость параметров от температуры

Как обеспечить надежную работу КТ815Б? Рекомендуется использовать радиатор достаточной площади, применять защиту от перегрева и превышения максимальных токов.

Проверка исправности транзистора КТ815Б

Для проверки работоспособности КТ815Б можно использовать следующие методы:

  1. Проверка мультиметром в режиме «прозвонки» диодов
  2. Измерение коэффициента усиления с помощью специального тестера транзисторов
  3. Проверка работы транзистора в реальной схеме

На что обратить внимание при проверке КТ815Б? Основные признаки неисправности: отсутствие «диодного» эффекта между выводами, низкий коэффициент усиления, значительные токи утечки.

Современные альтернативы КТ815Б

Хотя КТ815Б все еще используется, существуют более современные альтернативы:


  • MOSFET-транзисторы (например, IRFZ44N)
  • IGBT-транзисторы
  • Интеллектуальные силовые ключи

Почему стоит рассмотреть замену КТ815Б на современные аналоги? Новые технологии обеспечивают лучшие характеристики, меньшие потери, более высокую надежность. Однако в некоторых применениях КТ815Б остается оптимальным выбором благодаря простоте применения и доступности.

В заключение стоит отметить, что транзистор КТ815Б, несмотря на свой возраст, остается востребованным компонентом в различных электронных устройствах. Его характеристики, доступность и большая база схемотехнических решений обеспечивают ему место в современной электронике. При этом разработчики должны учитывать особенности его применения и рассматривать возможность использования более современных альтернатив в новых проектах.


Транзистор КТ814Б, Г, КТ815Б, В, Г, КТ817В, Г

Транзисторы

30.06.2019

Arazbor

Транзистор КТ814Б, Г, КТ815Б, В, Г, КТ817В, Г
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.

Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)

Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ814Б, Г, КТ815Б, В, Г, КТ817В, Г

Золото: 0.0039
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70

Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.

Типы транзисторов

Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.

1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).

Маркировка транзисторов СССР

Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором. Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Обозначение транзисторов после 1964 года

Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.

Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор

Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.

Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.

Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.

Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.

Понравилось это:

Нравится Загрузка…

Tags: транзистор

Транзистор КТ602АМ КТ602БМ КТ646А КТ683Б КТ814Б КТ814Г КТ815Б КТ815Г КТ816А КТ816Б КТ816Г КТ817А КТ817Г КТ940А КТ940Б КТ972А в Киеве (Полупроводники)

  • org/ListItem»> Украина
  • Киев
  • Комплектующие и материалы для электроники
  • Полупроводники
  • Транзистор КТ602АМ КТ602БМ КТ646А КТ683Б КТ814Б КТ814Г КТ815Б КТ815Г КТ816А КТ816Б КТ816Г КТ817А КТ817Г КТ940А КТ940Б КТ972А в Киеве

Цена: Цену уточняйте

за 1 ед.


Компания ТОВ “СНГ-Комплект“ (Киев) является зарегистрированным поставщиком на сайте BizOrg. su. Вы можете приобрести товар Транзистор КТ602АМ КТ602БМ КТ646А КТ683Б КТ814Б КТ814Г КТ815Б КТ815Г КТ816А КТ816Б КТ816Г КТ817А КТ817Г КТ940А КТ940Б КТ972А с доставкой по одному региону Украины, расчеты производятся в ₽. Если у вас возникли проблемы при заказе товара, пожалуйста, сообщите об этом нам через форму обратной связи.

Описание товара

КТ602АМ КТ602БМ КТ646А КТ683Б КТ814Б КТ814Г КТ815Б КТ815Г КТ816А КТ816Б КТ816Г КТ817А КТ817Г КТ940А КТ940Б КТ972А


Товары, похожие на Транзистор КТ602АМ КТ602БМ КТ646А КТ683Б КТ814Б КТ814Г КТ815Б КТ815Г КТ816А КТ816Б КТ816Г КТ817А КТ817Г КТ940А КТ940Б КТ972А

Вы можете приобрести товар Транзистор КТ602АМ КТ602БМ КТ646А КТ683Б КТ814Б КТ814Г КТ815Б КТ815Г КТ816А КТ816Б КТ816Г КТ817А КТ817Г КТ940А КТ940Б КТ972А в компании ТОВ «СНГ-Комплект» через наш сайт. На данный момент товар находится в статусе «в наличии».

Компания ТОВ «СНГ-Комплект» является зарегистрированным поставщиком на сайте BizOrg.su.

Служебная информация:

На нашей площадке для удобства, каждой компании присвоен уникальный ID. ТОВ «СНГ-Комплект» имеет ID 176142. Транзистор КТ602АМ КТ602БМ КТ646А КТ683Б КТ814Б КТ814Г КТ815Б КТ815Г КТ816А КТ816Б КТ816Г КТ817А КТ817Г КТ940А КТ940Б КТ972А имеет ID на сайте — 6196258. Если у вас возникли сложности при работе с компанией ТОВ «СНГ-Комплект» – сообщите идентификаторы компании и товара/услуги в нашу службу технической поддержки.

Дата создания модели — 06/09/2013, дата последнего изменения — 16/11/2013. За все время товар был просмотрен 468 раз.

Обращаем ваше внимание на то, что торговая площадка BizOrg.su носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой.
Заявленная компанией ТОВ “СНГ-Комплект“ цена товара «Транзистор КТ602АМ КТ602БМ КТ646А КТ683Б КТ814Б КТ814Г КТ815Б КТ815Г КТ816А КТ816Б КТ816Г КТ817А КТ817Г КТ940А КТ940Б КТ972А» может не быть окончательной ценой продажи. Для получения подробной информации о наличии и стоимости указанных товаров и услуг, пожалуйста, свяжитесь с представителями компании ТОВ “СНГ-Комплект“ по указанным телефону или адресу электронной почты.

Часы работы:

Телефоны:

380 (098) 8846545

Купить транзистор КТ602АМ КТ602БМ КТ646А КТ683Б КТ814Б КТ814Г КТ815Б КТ815Г КТ816А КТ816Б КТ816Г КТ817А КТ817Г КТ940А КТ940Б КТ972А в Киеве:

Леваневського (Офис),Киев,Украина

Условия доставки из другого региона:

Доставка в страны:
– Украина

Транзистор КТ602АМ КТ602БМ КТ646А КТ683Б КТ814Б КТ814Г КТ815Б КТ815Г КТ816А КТ816Б КТ816Г КТ817А КТ817Г КТ940А КТ940Б КТ972А

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы Описание Фабрикантес ПДФ
15600
МЕЛОДИЯ IC
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
2SD667 NPN КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
3DU5C Кремниевый фототранзистор в металлическом корпусе
И Т. Д.
ПДФ
9012 КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР PNP
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
9013 NPN КРЕМНИЕВЫЙ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
АМС3132 3A Линейный регулятор с быстрым переходным процессом
АМС
ПДФ
BC546 NPN ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ КРЕМНИЕВЫЙ ТРАНЗИСТОР
Юнисоник Текнолоджиз
ПДФ
К20Т04К-11А СБД
Нихон Интер Электроникс
ПДФ
CY7C1399 32K x 8, 3,3 В, статическое ОЗУ
Сайпресс Полупроводник
ПДФ
EA20QC04 СБД
Нихон Интер Электроникс
ПДФ
EA20QC04-F СБД
Нихон Интер Электроникс
ПДФ
EA20QC06-F СБД
Нихон Интер Электроникс
ПДФ
EA20QC10-F СБД
Нихон Интер Электроникс
ПДФ
EA20QS04-F СБД
Нихон Интер Электроникс
ПДФ

Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (datasheet на английском языке), también ficha de características u hoja de características, es un documento que резюме el funcionamiento y otras caracteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *