Каковы основные параметры транзистора КТ817. Какие существуют разновидности КТ817. Где применяется КТ817 в электронных схемах. Как выбрать аналог КТ817 для замены.

Общая характеристика транзистора КТ817

КТ817 — это серия кремниевых биполярных транзисторов n-p-n типа, изготовленных по эпитаксиально-планарной технологии. Данные транзисторы относятся к категории мощных и универсальных, предназначенных для широкого применения в различных электронных устройствах.

Основные особенности КТ817:

• Структура n-p-n
• Мощность рассеивания до 25 Вт (с радиатором)
• Максимальный ток коллектора до 3 А
• Напряжение коллектор-эмиттер до 100 В (в зависимости от модификации)
• Усиление по току h21э = 25-275
• Граничная частота усиления 3 МГц
• Корпус TO-126 (КТ-27) или DPAK

Благодаря своим характеристикам, КТ817 нашли широкое применение в усилителях низкой частоты, импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и других схемах, где требуются мощные ключевые или линейные режимы работы.

Разновидности транзистора КТ817

Серия КТ817 включает в себя несколько модификаций, различающихся максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер:

• КТ817А — 40 В
• КТ817Б — 45 В
• КТ817В — 60 В
• КТ817Г — 100 В

Кроме того, существуют версии в корпусе DPAK, маркируемые дополнительным индексом «9» (например, КТ817А9). Это позволяет выбрать оптимальный вариант транзистора под конкретные требования схемы по напряжению питания и способу монтажа.

Основные электрические параметры КТ817

Рассмотрим подробнее ключевые характеристики транзисторов серии КТ817:

Параметр	Значение
Максимальный постоянный ток коллектора	3 А
Максимальный импульсный ток коллектора	6 А
Мощность рассеивания (с радиатором)	25 Вт
Коэффициент усиления по току h21э	25-275
Граничная частота коэффициента передачи тока	3 МГц
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	≤0.6 В
Емкость коллекторного перехода	≤60 пФ

Эти параметры обеспечивают хорошие ключевые свойства транзистора и возможность работы с относительно большими токами и напряжениями.

Области применения КТ817

Благодаря своим характеристикам, транзисторы КТ817 нашли применение во многих областях электроники:

• Выходные каскады усилителей низкой частоты
• Ключевые элементы в импульсных источниках питания
• Драйверы электродвигателей
• Стабилизаторы напряжения
• Преобразователи напряжения
• Ключи в схемах управления реле и другими индуктивными нагрузками

КТ817 часто можно встретить в бытовой аудиотехнике, промышленной электронике, автомобильных электронных системах и другом оборудовании, где требуется управление относительно большими токами и напряжениями.

Цоколевка и корпус КТ817

Транзисторы КТ817 выпускаются в двух основных вариантах корпуса:

1. Пластиковый корпус TO-126 (отечественное обозначение КТ-27)
2. Корпус DPAK (для версий с индексом «9»)

Цоколевка транзистора КТ817 в корпусе TO-126:

• 1 вывод — эмиттер
• 2 вывод — коллектор (соединен с металлической пластиной корпуса)
• 3 вывод — база

Важно отметить, что металлическая пластина корпуса электрически соединена с коллектором транзистора. Это необходимо учитывать при монтаже на радиатор, используя изолирующие прокладки при необходимости.

Аналоги и замена КТ817

При необходимости замены КТ817 можно использовать ряд отечественных и зарубежных аналогов. Выбор конкретного аналога зависит от требуемых параметров и доступности. Вот некоторые возможные варианты:

• КТ817А — аналоги BD433, TIP31A
• КТ817Б — аналоги BD233, TIP31B
• КТ817В — аналоги BD235, TIP31C
• КТ817Г — аналоги BD237, 2N5192

При выборе аналога необходимо обратить внимание на следующие ключевые параметры:

1. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер
2. Максимальный ток коллектора
3. Мощность рассеивания
4. Коэффициент усиления по току
5. Корпус и способ монтажа

Всегда следует проверять полное соответствие параметров в технической документации перед заменой транзистора в конкретной схеме.

Особенности применения КТ817

При использовании транзисторов КТ817 в электронных схемах следует учитывать несколько важных моментов:

1. Теплоотвод: Для реализации максимальной мощности рассеивания (25 Вт) необходимо обеспечить эффективный теплоотвод. Без радиатора максимальная мощность ограничена 1 Вт.
2. Защита от перегрева: Рекомендуется использовать схемы температурной защиты для предотвращения выхода транзистора из строя при перегреве.
3. Режим работы: КТ817 может работать как в ключевом, так и в линейном режиме. Выбор режима влияет на схему включения и параметры работы.
4. Параллельное включение: При необходимости увеличения тока возможно параллельное включение нескольких транзисторов с применением выравнивающих резисторов.
5. Защита от пробоя: При работе с индуктивными нагрузками рекомендуется использовать защитные диоды для предотвращения пробоя транзистора обратным напряжением.

Учет этих особенностей позволит максимально эффективно использовать возможности транзисторов КТ817 в различных электронных устройствах.

Заключение

Транзисторы серии КТ817 представляют собой надежные и универсальные компоненты для различных применений в электронике. Их высокая мощность, хорошие ключевые свойства и доступность делают их популярным выбором для многих разработчиков. Правильное применение КТ817 с учетом их особенностей позволяет создавать эффективные и надежные электронные устройства.

Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог

Транзистор КТ817 – это кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Основное назначение КТ817 — применение в линейных и ключевых электрических схемах, модулях и блоках радио-электронных устройствах предназначенных для широкого использования.

Параметры транзистора КТ817

 

Uкбо	— max напряжение коллектор-база
Uкбои	— max напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо	— max напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои	— max напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax	— max постоянный ток коллектора
Iкmax и	— max импульсный ток коллектора
Pкmax	— max рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
Pкmax т	— max рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
h21э	— коэффициент усиления в схеме с ОЭ
Iкбо	— ток коллектора (обратный)
fгр	— граничная частота h21э в схеме с ОЭ
Uкэн	— напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер

 

Цоколевка КТ817

Аналог КТ817

• КТ817А – аналог BD433
• КТ817Б – аналог BD233
• КТ817В – аналог BD235
• КТ817Г – аналог BD237

Тип корпуса

ТО-126 (пластмасса) – КТ817А, Б, В, Г

DPAK (пластмасса) – КТ817А9, Б9, В9, Г9

Маркировка КТ817

Пример маркировки транзистора:

Специфика КТ817

• Допустимая рабочая температура составляет: — 60…+ 150°C

• Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816

Скачать datasheet КТ817 (unknown, скачано: 2 209)

www.joyta.ru

Транзистор КТ817 — DataSheet

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ817А	—	BD433, TIP31, 2N4231 *1, 2SD226 *3, SDT4307 *3, SDT4301 *3, HSE2000 *3, ZT1483A *1, KSh41 *3, 2N1483A *1, MJE520
		КТ817Б	—	BD175, BD233, BD175, BD633 *3, 2N4231 *1, 2SD226 *3, SDT4307 *3, SDT4301 *3, ZT1483A *1, KSh41 *1, 2N1483A *1
		КТ817В	—	BD177. BD235, 2N4232 *1, 2N1079 *1, 2SD226A *3, SDT4308 *3, SDT4302 *3, BD635 *3, ZT1484A *1, 2N1484A *1
		КТ817Г	—	BD179, BD237, MJD31C *1, CJD31C *1, 2N3676 *1, 2SD129 *1, BD179, 2N4233 *1, 2SD390A *3, 2SD389A *3, 2SD366A *3, 2SD365A *3, 2SD318A *3, 2SD317A *3
		КТ817Б-2	—	2SD880, BD933 *3, KD233 *2, BD233 *2,  BD813 *2, 2SD235Y *1, 2SD1189FQ, 2SD1189FP,  2SD1189F, 2SD235G-Y *1
		КТ817Г-2	—	BD179-16, 2SC1826, BD179-16 *1, PG1013 *1, BD179-10 *3, 2SD1381FQ, 2SD1381FP,  2SD1381F, PG1012 *3, 2SD880Y *3, 2SD1902R *3
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	PK max,P*K, τ max,P**K, и max	КТ817А	—	25*	Вт
		КТ817Б	—	25*
		КТ817В	—	25*
		КТ817Г	—	25*
		КТ817Б-2	—	25*
		КТ817Г-2	—	25*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	fгр, f*h31б, f**h31э, f***max	КТ817А	—	≥3	МГц
		КТ817Б	—	≥3
		КТ817В	—	≥3
		КТ817Г	—	≥3
		КТ817Б-2	—	≥3
		КТ817Г-2	—	≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб.	КТ817А	1к	40*	В
		КТ817Б	1к	45*
		КТ817В	1к	60*
		КТ817Г	1к	100*
		КТ817Б-2	1к	45*
		КТ817Г-2	1к	100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	UЭБО проб.,	КТ817А	—	5	В
		КТ817Б	—	5
		КТ817В	—	5
		КТ817Г	—	5
		КТ817Б-2	—	5
		КТ817Г-2	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	IK max, I*К , и max	КТ817А	—	3(6*)	А
		КТ817Б	—	3(6*)
		КТ817В	—	3(6*)
		КТ817Г	—	3(6*)
		КТ817Б-2	—	3(6*)
		КТ817Г-2	—	3(6*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	IКБО, I*КЭR, I**КЭO	КТ817А	25 В	≤0.1	мА
		КТ817Б	45 В	≤0.1
		КТ817В	60 В	≤0.1
		КТ817Г	100 В	≤0.1
		КТ817Б-2	40 В	≤0.1
		КТ817Г-2	40 В	≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h21э,  h*21Э	КТ817А	2 В; 1 А	≥25*
		КТ817Б	2 В; 1 А	≥25*
		КТ817В	2 В;1 А	≥25*
		КТ817Г	2 В; 1 А	≥25*
		КТ817Б-2	5 В; 50 мА	≥100*
		КТ817Г-2	5 В; 50 мА	≥100*
Емкость коллекторного перехода	cк,  с*12э	КТ817А	10 В	≤60	пФ
		КТ817Б	10 В	≤60
		КТ817В	10 В	≤60
		КТ817Г	10 В	≤60
		КТ817Б-2	10 В	≤60
		КТ817Г-2	10 В	≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р.	КТ817А	—	≤0.6	Ом, дБ
		КТ817Б	—	≤0.6
		КТ817В	—	≤0.6
		КТ817Г	—	≤0.6
		КТ817Б-2	—	≤0.08
		КТ817Г-2	—	≤0.08
Коэффициент шума транзистора	Кш, r*b, P**вых	КТ817А	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ817Б	—	—
		КТ817В	—	—
		КТ817Г	—	—
		КТ817Б-2	—	—
		КТ817Г-2	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс)	КТ817А	—	—	пс
		КТ817Б	—	—
		КТ817В	—	—
		КТ817Г	—	—
		КТ817Б-2	—	—
		КТ817Г-2	—	—

rudatasheet.ru

Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог

Содержание страницы

Транзистор КТ817 – это кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии.

Основное назначение КТ817 — применение в линейных и ключевых электрических схемах, модулях и блоках радио-электронных устройствах предназначенных для широкого использования.

Uкбо	— max напряжение коллектор-база
Uкбои	— max напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо	— max напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои	— max напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax	— max постоянный ток коллектора
Iкmax и	— max импульсный ток коллектора
Pкmax	— max рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
Pкmax т	— max рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
h21э	— коэффициент усиления в схеме с ОЭ
Iкбо	— ток коллектора (обратный)
fгр	— граничная частота h21э в схеме с ОЭ
Uкэн	— напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер

Цоколевка КТ817

Аналог КТ817

• КТ817А – аналог BD433
• КТ817Б – аналог BD233
• КТ817В – аналог BD235
• КТ817Г – аналог BD237

Тип корпуса

ТО-126 (пластмасса) – КТ817А, Б, В, Г

DPAK (пластмасса) – КТ817А9, Б9, В9, Г9

Маркировка КТ817

Специфика КТ817

• Допустимая рабочая температура составляет: — 60…+ 150°C

• Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816

Datasheet КТ817

elekt.tech

КТ817 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

КТ817 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка.

Основные технические параметры транзистора КТ817 Прибор Максимальные параметры Параметры при температуре = 25°C RТ п-к, °C/Ватт     при температуре = 25°C                         IК, max, ампер IК и, макс, ампер UКЭ0 гран, вольт UКБ0 макс, вольт UЭБ0 макс, вольт PК макс, ватт TК, °C Tп макс, °C TК макс, °C h21Э UКЭ, вольт IЭ, ампер UКЭ насыщ, вольт IКБ0, мАмпер fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс КТ817А 3 5 25   5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3   60 115     5 КТ817Б 3 5 45   5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3   60 115     5 КТ817В 3 5 60   5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3   60 115     5 КТ817Г 3 5 80   5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3   60 115     5 Обозначение на схеме КТ817   Цоколёвка транзистора КТ817   Внешний вид транзистора на примере КТ817Г

radiohome.ru

Транзисторы КТ315,КТ3102,КТ817 — маркировка и цоколевка,основные параметры.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.

КТ3102А — 2N4123
КТ3102А — 2N2483
КТ3102А — 2SC828
КТ3102А — BC546C
КТ3102А — B547B
КТ3102А — BC547C

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры — n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса — около 0,7 г. Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная — в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20.
У транзистора КТ817Г — 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока — 3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор — эмиттер. У транзистора КТ817А — 25в.
У транзисторовКТ817Б — 45в.
У транзистора КТ817В — 60в.
У транзистора КТ817Г — 80в.

Максимальный ток коллектора. — 3А. Рассеиваемая мощность коллектора — 1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц — не более — 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в — 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.

КТ817А — TIP31A
КТ817Б — TIP31B
КТ817В — TIP31C
КТ817Г — 2N5192.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.

Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.

Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день. Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки — можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги. Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте. Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».

Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и. т. д — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из него.
Проще всего обстоит дело с КТ315. В любой промышленной и бытовой аппаратуре и с середины 70-х годов двадцатого века и заканчивая началом 90-х его можно встретить практически повсеместно.
КТ3102 можно найти в предварительных каскадах усилителей магнитофонов — «Электроника», «Вега», «Маяк», «Вильма» и. т. д.
КТ817 — в стабилизаторах блоков питания тех же магнитофонов, иногда в оконечных каскадах усилителей звука (в магнитолах Вега РМ-238С,РМ338С и. т. п)

На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru

Транзистор кт817г характеристики цоколевка

Кремниевые эпитаксиально — планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Аналоги КТ817

• Прототип КТ817 Б – BD233
• Прототип КТ817 В – BD235
• Прототип КТ817 Г – BD237

Особенности

• Диапазон рабочих температур корпуса от — 60 до + 150 °C
• Комплиментарная пара – КТ816

Обозначение технических условий

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ817 А, Б, В, Г
• пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) — КТ817 А9, Б9, В9, Г9

Назначение выводов

Вывод (корпус КТ-27)	Назначение (корпус КТ-27)	Вывод (корпус КТ-89)	Назначение (корпус КТ-89)
№1	Эмиттер	№1	База
№2	Коллектор	№2	Коллектор
№3	База	№3	Эмиттер

Технические характеристики транзистора КТ817

Таблица 1.Основные электрические параметры КТ817 при Т_{окр.среды}=25 °С

Паpаметpы	Обозн.	Ед.изм.	Режимы измерения	Min	Max
Граничное напряжение колл- эмит
КТ817 А, А9	Uкэо гp.	B	Iэ =0,1 A tи =0,3 — 1 мс	25
КТ817 Б, Б9				45
КТ817 В, В9				60
КТ817 Г, Г9				80
Обратный ток коллектора
КТ817 А, А9	Iкбо	мкА	Uкэ =40 В	100
КТ817 Б, Б9			Uкэ =45 В	100
КТ817 В, В9			Uкэ =60 В	100
КТ817 Г, Г9			Uкэ =100 В	100
Обратный ток коллектор — эмиттер
КТ817 А, А9	I кэr	мкА	Uкэ =40 В, Rбэ≤1 кОм	200
КТ817 Б, Б9			Uкэ =45 В, Rбэ≤1 кОм	200
КТ817 В, В9			Uкэ =60 В, Rбэ≤1 кОм	200
КТ817 Г, Г9			Uкэ =100 В, Rбэ≤1 кОм	200
Статический коэффициент передачи тока	h21э	Uкб =2 B, Iэ =1 A	25	275
Напряжение насыщения коллектор — эмиттер	Uкэ нас	В	Iк=1 A, Iб =0,1 A	0,6

Таблица 2.Предельно допустимые электрические режимы КТ817

Аналоги транзистора КТ817А
2N5190, 2SD234, TIP31, 2N6121, BD433, BD435, BD611, BD613

Цоколевка транзистора КТ817А
Цоколевка и размеры транзистора КТ817А

Характеристики транзистора КТ817А

Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 40 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 40 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 3000(6000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(25) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 25-275
Обратный ток коллектора 3 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора

Биполярный транзистор KT817G — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: KT817G

Тип материала: Si

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

KT817G Datasheet (PDF)

5.2. kt8176.pdf Size:196K _integral

КТ8176 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для использования в усилителях и переключа�

5.3. kt8177.pdf Size:196K _integral

КТ8177 кремниевый биполярный эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор Назначение Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для использования в усилителях и переключа�

5.4. kt817.pdf Size:225K _integral

КТ817 n-p-n кремниевый биполярный транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной апп

5.5. kt8170.pdf Size:195K _integral

КТ8170 высоковольтный биполярный эпитаксиально-планарный n-p-n транзистор Назначение Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный. Предназначен для использования в импульсных источниках питания, пускорегули

vi-pole.ru

КТ817Г — Транзисторы — Радиодетали — Каталог

КТ817Г КТ817Г Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,7 г. Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126). Технические условия: аА0.336.187 ТУ/02. Характеристики транзистора КТ817Г Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 90 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 3000(6000) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(25) Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 25-275 Обратный ток коллектора Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц Коэффициент шума биполярного транзистора Аналоги транзистора КТ817Г 2N5192, 2SD1356, 2SD1408, 2SD526, 2SD1356, 2SD1408, BD937, TIP31C, 2N6123, 2SC1826, 2SC1827, BD179, BD220, BD222, BD237, BD239B, BD441, BD619 Uкбо — Максимально допустимое напряжение коллектор-база Uкбои — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база Uкэо — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер Uкэои — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер Iкmax — Максимально допустимый постоянный ток коллектора Iкmax и — Максимально допустимый импульсный ток коллектора Pкmax — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода Pкmax т — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером Iкбо — Обратный ток коллектора fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером Uкэн — напряжение насыщения коллектор-эмиттер

radan.ucoz.ru