Кт817 характеристики транзистора – Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог

Содержание

Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог

Транзистор КТ817 – это кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Основное назначение КТ817 — применение в линейных и ключевых электрических схемах, модулях и блоках радио-электронных устройствах предназначенных для широкого использования.

Параметры транзистора КТ817

 

Uкбо — max напряжение коллектор-база
Uкбои — max напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо — max напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои — max напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax — max постоянный ток коллектора
Iкmax и — max импульсный ток коллектора
Pкmax — max рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
Pкmax т — max рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
h21э — коэффициент усиления в схеме с ОЭ
Iкбо — ток коллектора (обратный)
fгр — граничная частота h21э в схеме с ОЭ
Uкэн — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер

 

Цоколевка КТ817

Аналог КТ817

  • КТ817А – аналог BD433
  • КТ817Б – аналог BD233
  • КТ817В – аналог BD235
  • КТ817Г – аналог BD237

Тип корпуса

ТО-126 (пластмасса) – КТ817А, Б, В, Г

DPAK (пластмасса) – КТ817А9, Б9, В9, Г9

Маркировка КТ817

Пример маркировки транзистора:

Специфика КТ817

• Допустимая рабочая температура составляет: — 60…+ 150°C

• Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816

Скачать datasheet КТ817 (unknown, скачано: 2 072)

www.joyta.ru

Транзистор КТ817 — DataSheet

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог КТ817А BD433, TIP31, 2N4231 *1, 2SD226 *3, SDT4307 *3, SDT4301 *3, HSE2000 *3, ZT1483A *1, KSh41 *3, 2N1483A *1, MJE520
КТ817Б BD175, BD233, BD175, BD633 *3, 2N4231 *1, 2SD226 *3, SDT4307 *3, SDT4301 *3, ZT1483A *1, KSh41 *1, 2N1483A *1
КТ817В BD177. BD235, 2N4232 *1, 2N1079 *1, 2SD226A *3, SDT4308 *3, SDT4302 *3, BD635 *3, ZT1484A *1, 2N1484A *1
КТ817Г BD179, BD237, MJD31C *1, CJD31C *1, 2N3676 *1, 2SD129 *1, BD179, 2N4233 *1, 2SD390A *3, 2SD389A *3, 2SD366A *3, 2SD365A *3, 2SD318A *3, 2SD317A *3
КТ817Б-2 2SD880, BD933 *3, KD233 *2, BD233 *2,  BD813 *2, 2SD235Y *1, 2SD1189FQ, 2SD1189FP, 

2SD1189F, 2SD235G-Y *1

КТ817Г-2 BD179-16, 2SC1826, BD179-16 *1, PG1013 *1, BD179-10 *3, 2SD1381FQ, 2SD1381FP, 

2SD1381F, PG1012 *3, 2SD880Y *3, 2SD1902R *3

Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ817А 25* Вт
КТ817Б 25*
КТ817В 25*
КТ817Г 25*
КТ817Б-2 25*
КТ817Г-2 25*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ817А ≥3 МГц
КТ817Б ≥3
КТ817В ≥3
КТ817Г ≥3
КТ817Б-2 ≥3
КТ817Г-2 ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. КТ817А 40* В
КТ817Б 45*
КТ817В 60*
КТ817Г 100*
КТ817Б-2 45*
КТ817Г-2 100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ817А 5 В
КТ817Б 5
КТ817В 5
КТ817Г 5
КТ817Б-2 5
КТ817Г-2 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ817А 3(6*) А
КТ817Б 3(6*)
КТ817В 3(6*)
КТ817Г 3(6*)
КТ817Б-2 3(6*)
КТ817Г-2 3(6*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ817А 25 В ≤0.1 мА
КТ817Б 45 В ≤0.1
КТ817В 60 В ≤0.1
КТ817Г 100 В ≤0.1
КТ817Б-2 40 В ≤0.1
КТ817Г-2 40 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ817А 2 В; 1 А ≥25*
КТ817Б 2 В; 1 А ≥25*
КТ817В 2 В;1 А ≥25*
КТ817Г 2 В; 1 А ≥25*
КТ817Б-2 5 В; 50 мА ≥100*
КТ817Г-2 5 В; 50 мА ≥100*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ817А 10 В ≤60 пФ
КТ817Б 10 В ≤60
КТ817В 10 В ≤60
КТ817Г 10 В ≤60
КТ817Б-2 10 В ≤60
КТ817Г-2 10 В ≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ817А ≤0.6 Ом, дБ
КТ817Б ≤0.6
КТ817В ≤0.6
КТ817Г ≤0.6
КТ817Б-2 ≤0.08
КТ817Г-2 ≤0.08
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ817А Дб, Ом, Вт
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ817Б-2
КТ817Г-2
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ817А пс
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ817Б-2
КТ817Г-2

rudatasheet.ru

КТ817 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

КТ817 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка.

Основные технические параметры транзистора КТ817

Прибор Максимальные параметры Параметры при температуре = 25°C RТ п-к, °C/Ватт
    при температуре = 25°C                        
IК, max, ампер IК и, макс, ампер UКЭ0 гран, вольт UКБ0 макс, вольт UЭБ0 макс, вольт PК макс, ватт TК, °C Tп макс, °C TК макс, °C h21Э UКЭ, вольт IЭ, ампер UКЭ насыщ, вольт IКБ0, мАмпер fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс
КТ817А 3 5 25   5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3   60 115     5
КТ817Б 3 5 45   5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3   60 115     5
КТ817В 3 5 60   5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3   60 115     5
КТ817Г 3 5 80   5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3   60 115     5

Обозначение на схеме КТ817

 

Цоколёвка транзистора КТ817

 

Внешний вид транзистора на примере КТ817Г

radiohome.ru

Транзисторы КТ315,КТ3102,КТ817 — маркировка и цоколевка,основные параметры.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.


КТ3102А — 2N4123

КТ3102А — 2N2483

КТ3102А — 2SC828

КТ3102А — BC546C

КТ3102А — B547B

КТ3102А — BC547C

Транзисторы

КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.


Транзисторы КТ817, — кремниевые, универсальные, мощные
низкочастотные, структуры — n-p-n.

Предназначены для применения в усилителях
низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.

Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.

Масса — около 0,7 г.
Маркировка буквенно — цифровая, на боковой поверхности корпуса, может
быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и
некодированная — в две.
Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак — буква, означающая класс.
Два следующих знака, означают месяц и год выпуска.
В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке.
На рисунке ниже — цоколевка и маркировка КТ817.



Наиболее важные параметры.


Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В — 20.

У транзистора КТ817Г — 15.


Граничная частота коэффициента передачи
тока
3 МГц.


Максимальное напряжение коллектор — эмиттер.
У транзистора КТ817А — 25в.

У транзисторовКТ817Б — 45в.

У транзистора КТ817В — 60в.

У транзистора КТ817Г — 80в.


Максимальный ток коллектора.3А.

Рассеиваемая мощность коллектора 1 Вт, без
теплоотвода, 25 Вт — с теплоотводом.


Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 1,5в.


Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А — не более 0,6в.


Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при
напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при
напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при
напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при
напряжении коллектор-база 100 в — 100мкА.


Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на
частоте 1МГц — не более

60 пФ.


Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в


115 пФ.


Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор — КТ816.



Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.


КТ817А — TIP31A

КТ817Б — TIP31B

КТ817В — TIP31C

КТ817Г — 2N5192.

Транзисторы — купить… или найти бесплатно.


Где сейчас можно найти советские транзисторы?
В основном здесь два варианта — либо
купить, либо — получить бесплатно, в ходе разборки старого электронного хлама.


Во время промышленного коллапса начала 90-х, образовались довольно значительные
запасы некоторых электронных комплектующих. Кроме того, полностью производство отечественных электронных никогда не прекращалось и не прекращается по сей день.
Это и обьясняет тот факт, что очень многие детали прошедшей эпохи, все таки
— можно купить. Если же нет — всегда имеются более-менее современные импортные аналоги.
Где и как проще всего купить транзисторы? Если получилось так, что поблизости от вас нет специализированного магазина, то можно попробовать приобрести необходимые детали, заказав их по почте.
Сделать это можно зайдя на сайт-магазин, например -«Гулливер».


Если же у вас, имеется какая-то старая, ненужная техника — сломанные телевизоры, магнитофоны, приемники и. т. д — можно попытаться добыть транзисторы (и другие детали) из него.

Проще всего обстоит дело с КТ315. В любой промышленной и бытовой аппаратуре и с середины 70-х годов двадцатого века и заканчивая началом 90-х его можно встретить практически
повсеместно.

КТ3102 можно найти в предварительных каскадах усилителей магнитофонов
— «Электроника», «Вега», «Маяк», «Вильма» и. т. д.

КТ817 — в стабилизаторах блоков питания тех же магнитофонов, иногда в оконечных
каскадах усилителей звука (в магнитолах Вега РМ-238С,РМ338С и. т. п)




На главную страницу

elektrikaetoprosto.ru

Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог

Содержание страницы

Транзистор КТ817 – это кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии.

Основное назначение КТ817 — применение в линейных и ключевых электрических схемах, модулях и блоках радио-электронных устройствах предназначенных для широкого использования.

Uкбо — max напряжение коллектор-база
Uкбои — max напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо — max напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои — max напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax — max постоянный ток коллектора
Iкmax и — max импульсный ток коллектора
Pкmax — max рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
Pкmax т — max рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
h21э — коэффициент усиления в схеме с ОЭ
Iкбо — ток коллектора (обратный)
fгр — граничная частота h21э в схеме с ОЭ
Uкэн — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер

Цоколевка КТ817

Аналог КТ817

  • КТ817А – аналог BD433
  • КТ817Б – аналог BD233
  • КТ817В – аналог BD235
  • КТ817Г – аналог BD237

Тип корпуса

ТО-126 (пластмасса) – КТ817А, Б, В, Г

DPAK (пластмасса) – КТ817А9, Б9, В9, Г9

Маркировка КТ817

Специфика КТ817

• Допустимая рабочая температура составляет: — 60…+ 150°C

• Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816

Datasheet КТ817

elekt.tech

Параметры транзистора КТ817. Datasheet. Цоколевка, описание, аналоги.

Параметры транзистора КТ817. Datasheet. Цоколевка, описание, аналоги.


КТ817

кремниевый биполярный  n-p-n транзистор низкочастотный
средней мощности, в пластмассовом корпусе TO-126

Назначение: КТ817 -транзистор широкого
применения для использования в ключевых и линейных схемах.

Типы: КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г

Комплементарная пара:
КТ816

Аналог: BD233, BD235, BD237

Цоколевка КТ817: Э-К-Б, смотри рисунок

Производители: Интеграл (Беларусь), Кремний-Маркетинг (Брянск)

Цена КТ817: вывести цену (прямой запрос в интернет-магазины)

Datasheet: (подробные
характеристики с графиками зависимостей параметров)

 

Основные характеристики транзисторов
КТ817:
Параметры Режим измерения Min (минимальное значение параметра) Max (максимальное значение параметра)
Статический коэффициент передачи тока
КТ817(А-Г)
Uкб=2B, Iэ=1A 25 275
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
КТ817(А-Г)
Iк=1А, Iб=0.1A   0.6В
Предельные параметры транзисторов КТ817:
Постоянное напряжение коллектоp-эмиттеp
КТ817А
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
Rэб ≤ 1кОм   40В
45В
60В
100В
Напряжение эмиттер-база (обратное)    
Постоянный ток коллектора КТ817    
Импульсный ток коллектора tи ≤ 20 мс, Т/tи≥100  
Максимально допустимый постоянный ток базы    
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Тк ≤ 50 °С   25Вт
Температура перехода   -60 +150

Подробные параметры КТ817 и многих других отечественных транзисторов приведены в
справочнике мощных транзисторов

www.trzrus.ru

КТ817Г — Транзисторы — Радиодетали — Каталог

КТ817Г

КТ817Г
Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126).
Технические условия: аА0.336.187 ТУ/02.

Характеристики транзистора КТ817Г
Структура n-p-n
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 90 В
Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 3000(6000) мА
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 1(25) Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 25-275
Обратный ток коллектора Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>3 МГц
Коэффициент шума биполярного транзистора Аналоги транзистора КТ817Г
2N5192, 2SD1356, 2SD1408, 2SD526, 2SD1356, 2SD1408, BD937, TIP31C, 2N6123, 2SC1826, 2SC1827, BD179, BD220, BD222, BD237, BD239B, BD441, BD619

Uкбо — Максимально допустимое напряжение коллектор-база
Uкбои — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база
Uкэо — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер
Iкmax — Максимально допустимый постоянный ток коллектора
Iкmax и — Максимально допустимый импульсный ток коллектора
Pкmax — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода
Pкmax т — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Iкбо — Обратный ток коллектора
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Uкэн — напряжение насыщения коллектор-эмиттер

radan.ucoz.ru

Отправить ответ

avatar
  Подписаться  
Уведомление о