Кт817 характеристики транзистора: Транзистор КТ817: характеристики, цоколевка, параметры, аналоги

Содержание

Транзистор КТ817: характеристики, цоколевка, параметры, аналоги

Транзистор КТ817 – отечественный кремниевый эпитаксиально-планарный транзистор n-p-n структуры в пластмассовом корпусе. Используется в ключевых и линейных электрических схемах, блоках и модулях радиоэлектронной аппаратуры предназначенной для широкого использования.

Цоколевка транзистора КТ817

Транзистора КТ817 имеет 2 типа маркировки:
1. Не кодированная. На корпусе указывают полное название транзистора.
2. Кодированная четырехзначная маркировка. Первый знак для КТ817 цифра 7, второй знак – буква указывающая класс. Два последних символа означают год и месяц выпуска.

Характеристики транзистора КТ817

Транзистор Uкбо(и),В Uкэо(и), В Iкmax(и), А Pкmax(т), Вт h31э fгр., МГц
КТ817А 40 40 3 (6) 1 (25) 25-275 3
КТ817Б 45 45 3 (6) 1 (25) 25-275 3
КТ817Б2 45 45 3 (6) 1 (25) ≥100 3
КТ817В 60 60 3 (6) 1 (25) 25-275 3
КТ817Г 100 90 3 (6) 1 (25) 25-275 3
КТ817Г2 100 90 3 (6) 1 (25) ≥100 3

Uкбо(и) - Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) - Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) - Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) - Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э - Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером

Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816

Аналоги транзистора КТ817

КТ817А - BD433
КТ817Б - BD233
КТ817В - BD235
КТ817Г - BD237

КТ817 - биполярный кремниевый NPN транзистор - параметры, использование, цоколёвка. - Биполярные отечественные транзисторы - Транзисторы - Справочник Радиокомпонентов - РадиоДом


КТ817 - биполярный кремниевый NPN транзистор - параметры, использование, цоколёвка.


Основные технические параметры транзистора КТ817
Прибор Максимальные параметры Параметры при температуре = 25°C RТ п-к, °C/Ватт
    при температуре = 25°C                      
 
IК, max, ампер IК и, макс, ампер UКЭ0 гран, вольт UКБ0 макс, вольт UЭБ0 макс, вольт PК макс, ватт TК, °C Tп макс, °C TК макс, °C h21Э UКЭ, вольт IЭ, ампер UКЭ насыщ, вольт IКБ0, мАмпер fгр, МГц Кш, дБ CК, пФ CЭ, пФ tвкл, мкс tвыкл, мкс
КТ817А 3 5 25   5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3   60 115     5
КТ817Б 3 5 45   5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3  
60
115     5
КТ817В 3 5 60   5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3   60 115     5
КТ817Г 3 5 80   5 25 25 150 100 25 2 1 0,6 0,1 3   60 115     5

Обозначение на схеме КТ817  

Цоколёвка транзистора КТ817

 

Внешний вид транзистора на примере КТ817Г

Транзистор КТ817 — DataSheet

Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед. изм.
Аналог
КТ817А BD433, TIP31, 2N4231 *1, 2SD226 *3, SDT4307 *3, SDT4301 *3, HSE2000 *3, ZT1483A *1, KSh41 *3, 2N1483A *1, MJE520
КТ817Б BD175, BD233, BD175, BD633 *3, 2N4231 *1, 2SD226 *3, SDT4307 *3, SDT4301 *3, ZT1483A *1, KSh41 *1, 2N1483A *1
КТ817В BD177. BD235, 2N4232 *1, 2N1079 *1, 2SD226A *3, SDT4308 *3, SDT4302 *3, BD635 *3, ZT1484A *1, 2N1484A *1
КТ817Г BD179, BD237, MJD31C *1, CJD31C *1, 2N3676 *1, 2SD129 *1, BD179, 2N4233 *1, 2SD390A *3, 2SD389A *3, 2SD366A *3, 2SD365A *3, 2SD318A *3, 2SD317A
*3
КТ817Б-2 2SD880, BD933 *3, KD233 *2, BD233 *2,  BD813 *2, 2SD235Y *1, 2SD1189FQ, 2SD1189FP, 

2SD1189F, 2SD235G-Y *1

КТ817Г-2 BD179-16, 2SC1826, BD179-16 *1, PG1013 *1, BD179-10 *3, 2SD1381FQ, 2SD1381FP, 

2SD1381F, PG1012 *3, 2SD880Y *3, 2SD1902R *3

Структура  — n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора PK max,P*K, τ max,P**K, и max КТ817А 25* Вт
КТ817Б 25*
КТ817В 25*
КТ817Г
25*
КТ817Б-2 25*
КТ817Г-2 25*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером fгр, f*h31б, f**h31э, f***max КТ817А ≥3 МГц
КТ817Б ≥3
КТ817В ≥3
КТ817Г ≥3
КТ817Б-2 ≥3
КТ817Г-2 ≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера UКБО проб., U*КЭR проб., U**
КЭО проб.
КТ817А 40* В
КТ817Б 45*
КТ817В 60*
КТ817Г 100*
КТ817Б-2 45*
КТ817Г-2 100*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора UЭБО проб.,  КТ817А 5 В
КТ817Б 5
КТ817В 5
КТ817Г 5
КТ817Б-2 5
КТ817Г-2 5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора IK max, I*К , и max КТ817А 3(6*) А
КТ817Б 3(6*)
КТ817В 3(6*)
КТ817Г 3(6*)
КТ817Б-2 3(6*)
КТ817Г-2 3(6*)
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера IКБО, I*КЭR, I**КЭO КТ817А 25 В ≤0.1 мА
КТ817Б 45 В ≤0.1
КТ817В 60 В ≤0.1
КТ817Г
100 В ≤0.1
КТ817Б-2 40 В ≤0.1
КТ817Г-2 40 В ≤0.1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером h21э,  h*21Э КТ817А 2 В; 1 А ≥25*
КТ817Б 2 В; 1 А ≥25*
КТ817В 2 В;1 А ≥25*
КТ817Г 2 В; 1 А ≥25*
КТ817Б-2 5 В; 50 мА ≥100*
КТ817Г-2 5 В; 50 мА ≥100*
Емкость коллекторного перехода cк,  с*12э КТ817А 10 В ≤60 пФ
КТ817Б
10 В ≤60
КТ817В 10 В ≤60
КТ817Г 10 В ≤60
КТ817Б-2 10 В ≤60
КТ817Г-2 10 В ≤60
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером  rКЭ нас,  r*БЭ нас, К**у.р. КТ817А ≤0.6 Ом, дБ
КТ817Б ≤0.6
КТ817В ≤0.6
КТ817Г ≤0.6
КТ817Б-2 ≤0.08
КТ817Г-2 ≤0.08
Коэффициент шума транзистора Кш, r*b, P**вых КТ817А Дб, Ом, Вт
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ817Б-2
КТ817Г-2
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте τк, t*рас,  t**выкл,  t***пк(нс) КТ817А пс
КТ817Б
КТ817В
КТ817Г
КТ817Б-2
КТ817Г-2

Транзистор кт 817 технические характеристики

Транзистор КТ817 – это кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Основное назначение КТ817 — применение в линейных и ключевых электрических схемах, модулях и блоках радио-электронных устройствах предназначенных для широкого использования.

Транзистор КТ817 – это кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Основное назначение КТ817 — применение в линейных и ключевых электрических схемах, модулях и блоках радио-электронных устройствах предназначенных для широкого использования.

Кремниевые эпитаксиально – планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.

Аналоги КТ817

  • Прототип КТ817 Б – BD233
  • Прототип КТ817 В – BD235
  • Прототип КТ817 Г – BD237

Особенности

  • Диапазон рабочих температур корпуса от – 60 до + 150 °C
  • Комплиментарная пара – КТ816

Обозначение технических условий

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-27 (ТО-126) – КТ817 А, Б, В, Г
  • пластмассовый корпус КТ-89 (DPAK) – КТ817 А9, Б9, В9, Г9

Назначение выводов

Вывод (корпус КТ-27)Назначение (корпус КТ-27)Вывод (корпус КТ-89)Назначение (корпус КТ-89)
№1Эмиттер№1База
№2Коллектор№2Коллектор
№3База№3Эмиттер

Технические характеристики транзистора КТ817

Таблица 1.Основные электрические параметры КТ817 при Токр.среды=25 °С

ПаpаметpыОбозн.Ед.изм.Режимы измеренияMinMax
Граничное напряжение колл- эмит
КТ817 А, А9Uкэо гp.BIэ =0,1 A
tи =0,3 – 1 мс
25
КТ817 Б, Б945
КТ817 В, В960
КТ817 Г, Г980
Обратный ток коллектора
КТ817 А, А9IкбомкАUкэ =40 В100
КТ817 Б, Б9Uкэ =45 В100
КТ817 В, В9Uкэ =60 В100
КТ817 Г, Г9Uкэ =100 В100
Обратный ток коллектор – эмиттер
КТ817 А, А9I кэrмкАUкэ =40 В, Rбэ≤1 кОм200
КТ817 Б, Б9Uкэ =45 В, Rбэ≤1 кОм200
КТ817 В, В9Uкэ =60 В, Rбэ≤1 кОм200
КТ817 Г, Г9Uкэ =100 В, Rбэ≤1 кОм200
Статический коэффициент передачи токаh21эUкб =2 B, Iэ =1 A25275
Напряжение насыщения коллектор – эмиттерUкэ насВIк=1 A, Iб =0,1 A0,6

Таблица 2.Предельно допустимые электрические режимы КТ817

Рекомендуем к прочтению

Навигация по записям

Транзисторы КТ315,КТ3102,КТ817 - маркировка и цоколевка,основные параметры.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ3102.

КТ3102А - 2N4123
КТ3102А - 2N2483
КТ3102А - 2SC828
КТ3102А - BC546C
КТ3102А - B547B
КТ3102А - BC547C

Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзисторы КТ817, - кремниевые, универсальные, мощные низкочастотные, структуры - n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, преобразователях и импульсных схемах.
Корпус пластмассовый, с гибкими выводами.
Масса - около 0,7 г. Маркировка буквенно - цифровая, на боковой поверхности корпуса, может быть двух типов.

Кодированая четырехзначная маркировка в одну строчку и некодированная - в две. Первый знак в кодированной маркировке КТ817 цифра 7, второй знак - буква, означающая класс. Два следующих знака, означают месяц и год выпуска. В некодированной маркировке месяц и год указаны в верхней строчке. На рисунке ниже - цоколевка и маркировка КТ817.

Наиболее важные параметры.

Коэффициент передачи тока у транзисторов КТ817А, КТ817Б, КТ817В - 20.
У транзистора КТ817Г - 15.

Граничная частота коэффициента передачи тока - 3 МГц.

Максимальное напряжение коллектор - эмиттер. У транзистора КТ817А - 25в.
У транзисторовКТ817Б - 45в.
У транзистора КТ817В - 60в.
У транзистора КТ817Г - 80в.

Максимальный ток коллектора. - 3А. Рассеиваемая мощность коллектора - 1 Вт, без теплоотвода, 25 Вт - с теплоотводом.

Напряжение насыщения база-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А - не более 1,5в.

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 3А, а базы 0,3А - не более 0,6в.

Обратный ток коллектора у транзисторов КТ817А при напряжении коллектор-база 25в, транзисторов КТ817Б при напряжении коллектор-база 45в, транзисторов КТ817В при напряжении коллектор-база 60в, транзисторов КТ817Г при напряжении коллектор-база 100 в - 100мкА.

Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в, на частоте 1МГц - не более - 60 пФ.

Емкость эмиттерного перехода при напряжении эмиттер-база 0,5 в - 115 пФ.

Комплиментарный (аналогичный по параметрам, но противоположной проводимости)транзистор - КТ816.

Зарубежные аналоги транзисторов КТ817.

КТ817А - TIP31A
КТ817Б - TIP31B
КТ817В - TIP31C
КТ817Г - 2N5192.


На главную страницу

Справочник по транзисторам мощным отечественным биполярным. Импортные аналоги.


На главную страницу || Карта сайта
  1. Справочник транзисторов маломощных биполярных.

  2. Справочник транзисторов средней мощности высокочастотных, биполярных.
  3. Справочник полевых транзисторов отечественных.
  4. Справочник отечественных smd транзисторов .
  5. Каталог MOSFET транзисторов .
  6. Использование справочных данных транзисторов
    для расчета ключевой схемы с резистивной нагрузкой.
  7. Использование справочных данных транзистора
    для расчета ключевой схемы с индуктивной нагрузкой.
От составителя:

В справочник по мощным транзисторам вошла как документация из изданных еще при СССР каталогов, так и информация из справочных листков и документация с сайтов производителей. Основой является таблица, где приведено наименование транзистора, аналоги, тип проводимости, тип корпуса, максимально допустимые ток и напряжения и коэффициент усиления, то есть основные параметры, по которым выбирается транзистор. Руководствуясь этой таблицей, можно значительно сузить область поиска. Если транзистор по этим данным подходит, можно просмотреть краткий справочный листок (только для распространенных приборов, например, КТ502, КТ503, КТ814, КТ815, КТ816, КТ817, КТ818, КТ819, КТ825, КТ827, КТ829, КТ837, КТ838, КТ846, КТ940, КТ961, КТ972, КТ973, КТ8101, КТ8102), где приведены только основные параметры транзисторов (которых, впрочем, достаточно для грубых расчетов), фото с цоколевкой, аналоги и производители. Для более детального изучения характеристик нужно открыть datasheet, где уже есть графики зависимостей параметров и редко требующиеся характеристики.
Фильтр параметров позволяет сформировать в справочнике списки по функциональным особенностям транзисторам

Содержание:
  1. Раздел составных транзисторов (всего 49 штук)
  2. Раздел мощных высоковольтных транзисторов (всего 64 штук)
  3. Раздел p-n-p транзисторов (всего 56 штук)
  4. Раздел n-p-n транзисторов (всего 138 штук)
Показать/скрыть краткое описание транзисторов
Всего в справочнике приведено подробное описание более 140 отечественных мощных транзисторов и более 100 их импортных аналогов.
Фильтр параметров:
n-p-n   p-n-p   Составные транзисторы   Высоковольтные  
Показать все
Типы корпусов
        
НаименованиеАналогКорпусPDFТипImax, AUmax, Вh31e max  
КТ501(А-Е)BC212 TO-18 pnp0,330240 КТ501 предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Справочные данные транзистора КТ501 содержатся в даташит.
КТ502(А-Е)MPSA56 TO-92

pnp0,1590240Транзистор КТ502(А-Е) в корпусе ТО-92, предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Подробные параметры КТ502 и цоколевка приведены в даташит. Аналог КТ502 - MPSA56. Комплементарная пара КТ503.
КТ503(А-Е)2SC2240TO-92
npn 0,15100240Универсальный транзистор КТ503(А-Е) в корпусе TO-92, предназначен для работы в усилителях НЧ. Подробные характеристики, графики зависимостей параметров и цоколевка КТ503 приведены в datasheet. Аналог КТ503 - 2SC2240. Комплементарная пара (транзистор обратной проводимости с близкими параметрами) - КТ502.
КТ504(А,Б,В)BSS73 TO-39 npn 1350100 КТ504(А-В) в металлическом корпусе, для применения в преобразователях. Цоколевка и характеристики КТ504 содержатся в datasheet. Импортный аналог КТ504 - BSS73.
KТ505(А,Б)BSS76 TO-39 pnp1300100 КТ505(А,Б) в металлическом корпусе предназначен для применения в источниках вторичного электропитания (ИВЭП). Параметры и характеристики приведены в справочном листке.
КТ506(А,Б)BUX54 TO-39npn 280030 КТ506А и КТ506Б для  переключающих устройств. Импортным аналогом КТ506 является BUX54.
2Т509АTO-39pnp0,0245060 2Т509 для высоковольтных стабилизаторов напряжения.
КТ520(А,Б)MPSA42 TO-92
DPAK
npn0.530040Высоковольтный транзистор КТ520 используется в выходных каскадах видеоусилителей и высоковольтных переключательных схемах.
КТ521(А,Б)MPSA92TO-92 pnp0.530040Высоковольтный транзистор КТ521 является комплиментарной парой для КТ520.
КТ529АTO-92pnp160250 КТ529, его параметры рассчитаны под схемы с низким напряжением насыщения. Комплементарная пара - КТ530.
КТ530АTO-92npn160250 Описание транзистора КТ530. Его характеристики аналогичны КТ529, является его комплементарной парой.
КТ538АMJE13001 TO-92 npn0.560090Высоковольтный КТ538 используется в высоковольтных переключательных схемах. Подробно параметры описаны в справочном листке.
КТ704(А-В)MJE18002   npn 2,5500100 КТ704, предназначен для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
ГТ705(А-Д)   npn 3,530250 ГТ705 предназначен для применения в усилителях мощности НЧ.
2Т708(А-В)2SB678TO-39 pnp2,51001500составной транзистор 2Т708 предназначен для применения в усилителях и переключательных устройствах.
2Т709(А-В)BDX86 TO-3 pnp101002000мощный составной транзистор 2Т709 для усилителей и переключательных устройств. Подробно характеристики описаны в справочном листке.
КТ710А TO-3 npn 5300040 КТ710А для применения в высоковольтных стабилизаторах и переключающих устройствах.
КТ712(А,Б)BU806 TO-220 pnp102001000мощные составные транзисторы КТ712А и КТ712Б. Характеристики заточены для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах.
2Т713А  TO-3npn 32500202Т713, параметры адаптированы для применения в высоковольтных стабилизаторах
2Т716 (А-В)2SD472HTO-3npn 10100750 2Т716 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т716 (А1-В1)BDX33 TO-220npn10100750составной 2Т716А1 в пластиковом корпусе. Параметры аналогичны 2Т716.
КТ719АBD139 TO-126 npn 1,512070 КТ719А для применения в линейных и переключающих схемах. Подробные характеристики и описание КТ719 приведено в справочном листке.
КТ720АBD140  pnp1,5100
КТ721АBD237  npn 1,5100BD237, импортный аналог КТ721А
КТ722АBD238  pnp1,5100Справочные данные BD238, аналога КТ722А
КТ723АMJE15028  npn 10100Справочные данные MJE15028, импортного аналога КТ723
КТ724АMJE15029  pnp10100Справочные данные MJE15029, аналога КТ724А
КТ7292N3771  npn 3060 Параметры 2N3771, аналога КТ729
КТ7302N3773  npn16140Характеристики 2N3773, аналога КТ730
КТ732АMJE4343 TO-218 npn1616015 КТ732 используется в преобразователях напряжения.
КТ733АMJE4353 TO-218 pnp1616015 КТ733 - Комплементарная пара для КТ732, их характеристики идентичны.
КТ738АTIP3055 TO-218 npn157070 КТ738 используется в усилителях и ключевых схемах.
КТ739АTIP2955 TO-218 pnp157070 КТ739 - Комплементарная пара для КТ738.
КТ740А,А1MJE4343 TO-220
TO-218
npn2016030 КТ740 предназначен для применения в регуляторах и преобразователях напряжения. Импортный аналог КТ740 - MJE4343
КТ805(А-ВМ)KSD363
BD243
TO-220

npn 516015 КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ в корпусе ТО-220 предназначен для применения в выходных каскадах строчной развертки и переключающих устройствах. Подробные характеристики транзистора КТ805 приведены в datasheet. Транзисторы КТ805А, КТ805Б с аналогичными параметрами выпускаются в металлостеклянном корпусе. Импортные аналоги для КТ805 - транзисторы BD243 и KSD363. По характеристикам в качестве комплиментарной пары для КТ805 подходит транзистор КТ837.
КТ807(А-БМ)   npn 0,5100150 КТ807 для строчной и кадровой разверток, усилителей НЧ и ИВЭП (ИВЭП - источник вторичного электропитания)
КТ808(А-ГМ) TO-3 npn 1013050 КТ808 для кадровой и строчной разверток
КТ812(А-В) TO-3 npn 1070030 КТ812 для применения в импульсных устройствах. Цоколевка приведена в справочном листке.
КТ814(А-Г)BD140
ZTX753
TO-126
DPAK


pnp1,5 100100 Транзистор КТ814. предназначен для усилителей НЧ, импульсных устройств. Подробные характеристики КТ814 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики: входной характеристики, зависимости h31e от тока эмиттера, напряжения насыщения от тока коллектора и другие. Импортный аналог КТ814 - транзистор BD140. Комплементарная
пара для КТ814 (транзистор обратной проводимости с близкими характеристиками) - КТ815.
КТ815(А-Г)BD139
ZTX653
TO-126
DPAK


npn 1,5100 100КТ815 является комплиментарной парой для КТ814. Транзисторы КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815 параметрами отличаются по напряжению. КТ815 предназначен для усилителей НЧ и ключевых схем. Подробные характеристики КТ815 и цоколевку см. в datasheet. Приведена входная характеристика КТ815, график зависимости h31e от тока, график для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ815 является транзистор BD139.
КТ816(А-Г)BD238
MJE172
TO-126
DPAK


pnp380100 КТ816 в два раза мощнее по току, чем КТ814, предназначены для применения в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г отличаются по предельному напряжению. Подробные характеристики КТ816 и цоколевка приведены в datasheet. Там же график входной характеристики КТ816, зависимости усиления от тока, графики для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ816 является транзистор BD238. Комплементарная пара - КТ817.
КТ817(А-Г)BD237
MJE182
TO-126
DPAK


npn 380 100 КТ817 в два раза мощнее по току, чем КТ815. Применяются в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817 параметрами отличаются по Uкэ(max). Подробные характеристики КТ817 и цоколевка даны в datasheet. Кроме характеристик по постоянному току приведены графики входной характеристики, зависимости параметра h31e от тока, взаимосвязи параметров Uкэнас и Iк . Аналоги КТ817Б - транзисторы BD233 и MJE180. Аналоги КТ817В - BD235 и MJE181, импортные аналоги КТ817Г - BD237 и MJE182. Комплементарная пара - КТ816.
КТ818(А-ГМ)BDW22
BD912
TO-220
TO-3


pnp10
15
100100Мощный транзистор КТ818 предназначен для применения в усилителях. КТ818А, КТ818Б, КТ818В и КТ818Г в корпусе TO-220, а КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ и КТ818ГМ в металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ818 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей параметров, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ818 - BDW22 и BD912. Комплементарная пара - транзистор КТ819.
КТ819(А-ГМ)BDW51
BD911
TO-220
TO-3


npn 10
15
100 100Транзистор КТ819 является комплементарной парой для КТ818 и предназначен для применения в усилителях. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В и КТ819Г в корпусе TO-220, а КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ и КТ819ГМ в корпусе TO-3. Подробные параметры КТ819 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ819 - BDW51 и BD911.
КТ825(Г-Е)2Т6050TO-220
TO-3

pnp15
20
10018000Мощный составной pnp транзистор КТ825 для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д и КТ825Е в металлическом корпусе. Подробные характеристики приведены в datasheet. Различие в параметрах по напряжению. Комплементарная пара для КТ825 - транзистор КТ827. Импортный аналог - 2T6050.
КТ826(А-В) TO-3 npn 1700120Биполярный транзистор КТ826 для применения в преобразователях и высоковольтных стабилизаторах. Описание КТ826 и характеристики приведены в документации.
КТ827(А-В)2N6057
BDX87
TO-3
npn 2010018000Мощный составной npn транзистор КТ827 для применения в усилителях, стабилизаторах тока, устройствах автоматики. В металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ827А, КТ827Б, КТ827В приведены в даташит. Различаются параметрами по напряжению. Комплементарная пара для КТ827 - транзистор КТ825. Импортный аналог - 2N6057.
КТ828(А-Г)BU207TO-3 npn 580015характеристики КТ828, графики и параметры см. в даташит
КТ829(А-Г)TIP122
2N6045
TO-220
npn 81003000Составной транзистор КТ829 для применения в усилителях НЧ и переключательных устройствах. Графики входных характеристик. Подробные характеристики транзисторов КТ829А, КТ829Б, КТ829В,КТ829Г в datasheet . Аналоги КТ829 - транзисторы TIP122 и 2N6045.
2Т830(А-Г)2N5781 TO-39 pnp290160транзистор 2Т830 для применения в усилителях мощности и ИВЭП. Аналог 2Т830 - 2N5781.
2Т831(А-В)2N4300 TO-39 npn 250200 2Т831 для усилителей НЧ и преобразователей.
КТ834(А-В)BU323 TO-3 npn 155003000составной транзистор КТ834 для источников тока и напряжения.
КТ835(А,Б)2N6111 TO-220 pnp7,530100транзистор КТ835 для усилителей и преобразователей. Аналог КТ835 - импортный 2N6111
2Т836(А-В)BD180 TO-39 pnp390100 2Т836 для усилителей мощности и ИВЭП.
КТ837(А-Ф)2N6108
2N6111
TO-220

pnp870200pnp транзистор КТ837 предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый TO-220. Подробные параметры КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е-Ф указаны в файле. Аналог для КТ837 - транзистор 2N6108 с близкими характеристиками.
КТ838А2SD1554
BU208
TO-3
npn 5150014 Высоковольтный транзистор КТ838А для строчной развертки телевизоров . Характеристики КТ838А приведены в файле. Импортные аналоги - 2SD1554 и BU208.
КТ839А2SC1172
MJ16212
TO-3 npn 10150012Характеристики и параметры КТ839 аналогичны транзистору КТ838, но круче по току.
КТ840(А,Б)BUX97 TO-3 npn 6400100Биполярный транзисторы КТ840А и КТ840Б для применения в переключающих устройствах. Подробные параметры приведены в файле.
КТ841(А-В)MJ413
2N3442
TO-3 npn 1060035Мощный биполярный транзистор КТ841 для применения в мощных преобразователях. Подробные параметры транзисторов КТ841А, КТ841Б, КТ841В в даташит.
КТ842(А,Б)2SB506 TO-3 pnp530030Биполярный транзистор КТ842 для применения в мощных преобразователях и линейных стабилизаторах напряжения.
КТ844АMJ15011 TO-3 npn 1025060 КТ844 предназначен для импульсных устройств, подробное описание приведено в datasheet
КТ845А TO-3 npn 5400100 КТ845А разработан для применения в импульсных устройствах.
КТ846АBU208 TO-3
npn 5150015 Высоковольтный биполярный транзистор КТ846А, входные характеристики, графики приведены в datasheet.
КТ847АBUX48
2N6678
TO-3 npn 15650100 Подробное описание КТ847А, входные и выходные характеристики. Аналогом для КТ847 является BUX48.
КТ848АBUX37 TO-3 npn 154001000Составной транзистор КТ848А для систем электронного зажигания. Характеристики КТ848 в прикрепленном файле. Аналог КТ848 - BUX37.
КТ850(А-В)2SD401 TO-220 npn 2250200 КТ850 заточен для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах. Подробное описание КТ850А, КТ850Б, КТ850В и графики  приведены в datasheet .
КТ851(А-В)2SB546 TO-220 pnp2200200 КТ851 для усилителей НЧ и переключающих устройств. Параметры КТ851А, КТ851Б, КТ851В см. в файле pdf
КТ852(А-Г)TIP117 TO-220 pnp21001500Составной КТ852 для усилителей и переключающих устройств. Параметры КТ852А в даташит.
КТ853(А-Г)TIP127
2N6042
TO-220 pnp8100750Составной pnp транзистор КТ853. Предназначен для применения в усилительных схемах. Параметры КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г см. в pdf файле.
КТ854(А,Б)MJE13006 TO-220 npn 1050050 КТ854 для применения в преобразователях и линейных стабилизаторах. Справочные данные приведены в datasheet.
КТ855(А-В)MJE9780 TO-220 pnp5250100 КТ855 для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах. Аналог с близкими характеристиками - MJE9780.
2Т856(А-В)BUX48 TO-3 npn 1095060 2Т856 для переключательных устройств. Аналог - BUX48.
КТ856(А1,Б1)BUV48 TO-218 npn 1060060 КТ856 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Справочные данные КТ856А1, КТ856Б1 см. в datasheet .
КТ857АBU408 TO-220 npn 725050 КТ857 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Аналог - BU408.
КТ858АBU406TO-220 npn 740060 транзистор КТ858 предназначен для применения в переключающих устройствах. Аналог - BU406. Подробное описание смотри в datasheet .
КТ859АMJE13005 TO-220 npn 380060Высоковольтный КТ859 заточен для переключающих устройств. Параметры и цоколевка КТ859 приведены в datasheet. Импортный аналог с близкими характеристиками - MJE13005.
2Т860(А-В) TO-39 pnp2901002Т860 предназначен для усилителей мощности и преобразователей.
2Т862(А-Г) TO-3 npn 15400100 2Т862 для применения в импульсных модуляторах и переключающих устройствах.
КТ863Б,ВD44Vh20 TO-220 npn 10160300Транзистор КТ863 предназначен для применения в преобразователях, фотовспышках. Справочные характеристики см. в datasheet. Аналог КТ863 - D44Vh20.
КТ863БСD44Vh20 TO-220
TO-263
npn 12160300 КТ863БС - более свежая разработка. Модификация КТ863БС1 предназначена для поверхностного монтажа.
КТ864А2N3442 TO-3 npn 10200100 КТ864 для применения в ИВЭП, усилителях и стабилизаторах.
КТ865А2SA1073 TO-3 pnp1020060Область применения транзистора КТ865 та же, что и у КТ864.
КТ867АTIP35 TO-3 npn 25200100 КТ867 для применения в ИВЭП. В описании транзистора приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока и график области максимальных режимов.
КТ868(А,Б)BU426   pnp640060 КТ868 предназначен для применения в источниках питания телевизоров. Подробные характеристики см. в datasheet. Функциональный аналог КТ868 - BU426.
КТ872(А-В)BU508
MJW16212
TO-218
npn 870016Высоковольтный npn транзистор КТ872 для применения в строчной развертке телевизоров. Подробное описание КТ872 приведено в справочном листе. Аналоги КТ872 - транзисторы BU508 и MJV16212.
2Т875(А-Г)2SD1940TO-3 npn10902002Т875 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т876(А-Г)MJE2955TO-3 pnp10901402Т876 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
2Т877(А-В)2N6285TO-3 pnp208010000Составной транзистор 2Т877 для применения в усилителях и переключающих устройствах.
КТ878(А-В)BUX98 TO-3 npn 3090050 КТ878 для применения в переключающих устройствах, ИВЭП.
КТ879 npn 5020025 КТ879 для применения в переключающих устройствах.
2Т880(А-В)2N6730 pnp2100140 2Т880 - для усилителей и переключательных устройств.
2Т881(А-Г)2N5150  npn 2100200 2Т881 - применение аналогично 2Т880
2Т882(А-В) TO-220 npn 1300100 2Т882 в корпусе ТО-220 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Цоколевка и характеристики приведены в pdf.
2Т883(А,Б) TO-220 pnp1300100 2Т883 для усилителей и переключающих устройств. Корпус ТО-220.
2Т884(А,Б) TO-220 npn 280040 2Т884 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Подробные параметры см. в datasheet .
2Т885(А,Б) TO-3 npn 4050012 мощный транзистор 2Т885 предназначен для применения в ИВЭП.
КТ886(А1,Б1)MJW16212 TO-218 npn 10140025Высоковольтный транзистор КТ886 для применения в строчной развертке и ИВЭП. Характеристики см. в файле pdf. Аналог для КТ886 - MJW16212.
КТ887 А,Б TO-3 pnp2 700 120 КТ887 для переключательных схем, стабилизаторов напряжения.
КТ888 А,Б TO-39 pnp 0,1 900 120 Высоковольтный транзистор КТ888 для применения в преобразователях и стабилизаторах напряжения ИВЭП.
КТ890(А-В)BU323 TO-218 npn 20350700Составной транзистор КТ890 предназначен для применения в схемах зажигания авто. Подробные характеристики КТ890А, КТ890Б и КТ890В приведены в pdf. Аналогом для КТ890 является BU323.
КТ892(А-В)BU323A TO-3 npn15400300 мощный транзистор КТ892 предназначен для применения в схемах зажигания авто и других схемах с индуктивной нагрузкой.
КТ896 (А,Б)BDW84TO-218 pnp208010000Составной мощный транзистор КТ896 для применения в линейных и переключающих схемах. Характеристики КТ896А и КТ896Б см. в datasheet файле. Аналог для КТ896 - BDW84.
КТ897(А,Б)BU931ZTO-3 npn 203504000Составной транзистор КТ897 для схем зажигания авто и других схем с индуктивной нагрузкой. Аналог для КТ897 - BU931.
КТ898 (А,Б)BU931PTO-218 npn203501500Составной транзистор КТ898 для применения в ИВЭП. Параметры оптимизированы для работы на индуктивную нагрузку. Аналог КТ898 - BU931. Подробные характеристики КТ898А и КТ898Б см. в datasheet.
КТ899АBU806 TO-220npn 81501000Составной транзистор КТ899 для применения в усилительных и переключательных устройствах. Аналог с близкими характеристиками - BU806.
КТ8101(А,Б)MJE4343
2SC3281
TO-218
npn16200100 мощный транзистор КТ8101 предназначен для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах и преобразователях. Подробные характеристики КТ8101А и КТ8101Б см. в datasheet. Аналог для КТ8101 - транзистор MJE4343. Комплементарная пара - КТ8102.
КТ8102(А,Б)MJE4353
2SA1302
TO-218
pnp16200100Мощный транзистор КТ8102, область применения аналогична КТ8101, являющемуся его комплиментарной парой. Характеристики КТ8102А, КТ8102Б приведены в datasheet . Импортный аналог для КТ8102 - MJE4353.
КТ8106 (А,Б)MJH6286 TO-218 npn 20803000Составной транзистор КТ8106 для применения в усилителях мощности и переключающих схемах. Аналог для КТ8106 - MJH6286.
КТ8107(А-В)BU208 TO-218 npn 870012 КТ8107 для применения в каскадах строчной развертки, ИВЭП, высоковольтных схемах. Подробные параметры в datasheet. Импортный аналог для КТ8107 - BU208.
КТ8109TIP151 TO-220 npn 7350150Составной транзистор КТ8109 для схем зажигания авто. Справочные данные см. в datasheet.
КТ8110 (А-В)BUT11 npn 740030Справочные данные BUT11, импортного аналога КТ8110.
КТ8111(А9-Б9)BDV67 TO-218 npn 20100750Составной мощный транзистор КТ8111 для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах тока и напряжения, переключателях. Аналог - BDV67.
КТ8115(А-В)BD650
TIP127
TO-220
pnp8
5
1001000Составной pnp транзистор КТ8115А для применения в усилительных и преобразователях напряжения. Аналог для КТ8115 - BD650. Комплементарная
пара - КТ8116.
КТ8116(А-В)TIP132TO-220
DPAK

npn 8
5
1001000Составной транзистор КТ8116, область применения аналогична КТ8115, являющимся его комплементарной парой.
КТ8117АBUV48 TO-218 npn 1040010 мощный транзистор КТ8117 предназначен для ИВЭП, управления двигателями, стабилизаторов тока.
КТ8118АMJE8503 TO-220 npn 380040 КТ8118 для высоковольтных переключательных схем, усилителей постоянного тока.
КТ8120А TO-220npn 845010 КТ8120 для ИВЭП, схем управления электродвигателями.
КТ8121А,Б TO-220npn 440060 КТ8121 для высоковольтных переключающих схем, преобразователей
КТ8123А TO-220npn 2150 40 КТ8123 для схем вертикальной развертки ТВ, усилителей.
КТ8124(А-В) TO-220npn 10400 7Справочные данные КТ8124, предназначенного для применения в горизонтальной развертке ТВ, переключательных схемах.
КТ8126(А1,Б1)MJE13007 TO-220
npn 840030 мощный транзистор КТ8126 для применения в горизонтальной развертке ТВ, преобразователях. Справочные данные приведены в datasheet .
КТ8130 (А-В)BD676  pnp48015000 
КТ8131 (А,Б)BD677  npn 48015000 
КТ8133 (А,Б)  npn 82403000
КТ8137АMJE13003 TO-126 npn 1,570040Для применения в строчной развертке ТВ, управления двигателями.
КТ8141 (А-Г)   npn 8100750
КТ8143 (А-Ш) КТ-9Мnpn 80 30015 биполярный мощный высоковольтный n-p-n транзистор с диодом КТ8143 для низковольтных источников питания бортовой аппаратуры
КТ8144(А,Б) TO-3npn2580055 
КТ8146(А,Б)
КТ8154(А,Б)
КТ8155(А-Г)
 ТО-3

npn 15
30
50
800
600
600
  мощный высоковольтный транзистор для применения в источниках питания
КТ8156(А,Б)BU807 TO-220 npn82001000  КТ8156 предназначен для применения в горизонтальных развертках малогабаритных ЭЛТ.
КТ8157(А-В) TO-218npn1515008для строчных разверток ТВ с увеличенной диагональю экрана
КТ8158(А-В)BDV65 TO-218 npn12 1001000 КТ8158, параметры заточены для применения в усилителях НЧ, в ключевых и линейных схемах.
КТ8159(А,Б,В)BDV64 TO-218 pnp121001000 КТ8159, Комплементарная пара для КТ8158, параметры и область применения аналогичные.
КТ8163А  npn750040
КТ8164(А,Б)MJE13005 TO-220 npn440060Высоковольтный транзистор КТ8164 для импульсных источников питания.
КТ8167 (А-Г)  pnp280250
КТ8168 (А-Г)  npn 280250
КТ8170(А1,Б1)MJE13003 TO-126 npn1.540040Высоковольтный транзистор КТ8170 для применения в импульсных источниках питания.
КТ8171 (А,Б)  npn 2035010000
КТ8176(А,Б,В)TIP31 TO-220 npn310050 КТ8176 для усилителей и переключательных схем.
КТ8177(А,Б,В)TIP32 TO-220 pnp310050КТ8177 для усилителей и переключательных схем. Комплементарная пара для КТ8176.
КТ8192 (А-В)  ISOTOPnpn 751500 10мощный npn транзистор КТ8192 для применения в электроприводе
КТ8196 (А-В)  npn 10350400
КТ8212(А,Б,В)TIP41 TO-220 npn610075КТ8212 для линейных и ключевых схем.
КТ8213(А,Б,В)TIP42 TO-220 pnp610075 Комплементарная пара для КТ8212.
КТ8214(А,Б,В)TIP112 TO-220 npn21001000Составной транзистор КТ8214 предназначен для применения в ключевых и линейных схемах.
КТ8215(А,Б,В)TIP117 TO-220 pnp21001000Составной транзистор КТ8215 - Комплементарная пара КТ8214.
КТ8216 (А-Г)MJD31B npn2800275
КТ8217 (А-Г)MJD32B pnp10100275
КТ8218 (А-Г)  npn 4100750
КТ8219 (А-Г)  pnp440750
КТ8224(А,Б)BU2508 TO-218 npn87007Высоковольтный транзистор КТ8224 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Аналог - BU2508. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8228(А,Б)BU2525 TO-218 npn1280010Высоковольтный транзистор КТ8228 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Белорусский аналог BU2525. Диод между коллектором э эмиттером, резистор между базой-эмиттером.
КТ8229АTIP35F TO-218 npn2518075КТ8229 для линейных и ключевых схем.
КТ8230АTIP36F TO-218 pnp2518075КТ8230 -Комплементарная пара для КТ8229.
КТ8231АBU941 npn 15500300 datasheet на транзистор BU941
КТ8232 (А,Б)BU941ZPTO-218npn 20350300КТ8232 для применения в переключательных и импульсных схемах, параметры оптимизированы для схем зажигания.
КТ8246(А-Г)КТ829TO-220npn 151509000Составной транзистор КТ8246 для применения в автотракторных регуляторах напряжения.
КТ8247АBUL45D TO-220 npn570022Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в преобразователях напряжения. Аналог - BUL45. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8248АBU2506 TO-218 npn5150060Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в строчных развертках ТВ. Аналог - BU2506. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер.
КТ8251АBDV65 TO-218npn101801000Составной npn транзистор КТ8251 для применения в линейных усилителях и ключевых преобразователях напряжения.
КТД8252(А-Г)BU323Z TO-220
TO-218
npn 153502000для работы на индуктивную нагрузку
КТ8254А  npn 280030
КТ8255АBU407 TO-220 npn7330200 КТ8255 для применения линейных и ключевых схемах.
КТД8257(А-В)SGSD96TO-220npn 20180 1000для применения в усилителях НЧ и переключающих устройствах.
КТ8258(А,Б)MJE 13004 TO-220npn 440080для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, аналог транзистора 13004
КТ8259(А,Б)MJE13007
13007
TO-220npn 840080для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, отечественный аналог импортного транзистора 13007
КТ8260(А-В)MJE13008TO-220npn 1550015для ИВЭП, преобразователей, аналог транзистора 13008.
КТ8261АBUL44TO-126 npn240020 КТ8261 для применения в преобразователях напряжения.
КТД8262(А-В)SEC80TO-220npn 7350 300Для систем зажигания автотракторной техники
КТ8270АMJE13001TO-126 npn0.560090 КТ8270 для использования в преобразователях напряжения. Подробные справочные данные приведены в datasheet.
КТ8271(А,Б,В)BD136TO-126 pnp1.580250 КТ8271 для преобразователей напряжения. Подробные параметры приведены в datasheet.
КТ8272(А,Б,В)BD135TO-126 npn1.580250 КТ8272 для линейных усилителей и преобразователей напряжения. Комплементарная
пара для КТ8271
КТД8278(А-В1)SGSD93STTO-220npn 201801000Для усилителей НЧ, переключательных устройств.
КТД8279(А-В)2SD1071TO-220
TO-218
npn 10 350 300для работы на индуктивную нагрузку, в системах зажигания.
КТД8280(А-В) TO-218npn 60 120 1000Составной транзистор КТД8280 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями, источников бесперебойного питания.
КТД8281(А-В) TO-218pnp601201000Составной транзистор КТД8281 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями.
КТ8283(А-В) TO-218pnp60120100для преобразователей, схем управления двигателями. Параметры описаны в даташит.
КТ8284(А-В)КТ829TO-220npn 12100500для автотракторных регуляторов напряжения, линейных схем.
КТ8285(А-В)BUF410 TO-218
TO-3
npn 3045040для преобразователей напряжения, ИВЭП. Характеристики описаны в даташит.
КТ8286(А-В)2SC1413 TO-218
TO-3
npn 5 800 40для усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, мощных регуляторах напряжения. Подробные характеристики см. в datasheet
КТ8290АBUh200TO-220 npn1070015Высоковольтный биполярный транзистор КТ8290 для использования в импульсных источниках питания.
КТ8296(А-Г)KSD882TO-126 npn330400КТ8296 для использования в импульсных источниках питания, ключевых схемах и линейных усилителях.
КТ8297(А-Г)KSD772TO-126 pnp330400КТ8297 - Комплементарная
пара (транзистор с близкими характеристиками, но обратной проводимости) для КТ8296.
КТ8304А,БTO-220
D2PAK
npn8160250КТ8304 с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения.
ПИЛОН-3TIP122 TO-220npn 151001000для применения в переключающих схемах и преобразователях напряжения. Импортный аналог с близкими характеристиками - транзистор TIP122.
ПИР-1BUV48 TO-218npn 204508ПИР-1 для ключевых схем с индуктивной нагрузкой и усилителей с высокой линейностью.
ПИР-2MJE4343 TO-220
TO-218
npn 2016030ПИР-2 для линейных усилителей и ключевых схем.
Справочник составлен в 2007 году, затем дополнялся и дорабатывался вплоть до 2015г. Соавторы: WWW и Ко

Кт817 характеристики транзистора – Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог

Содержание статьи

Устройство

Биполярный транзистор состоит из трёх полупроводниковых слоёв с чередующимся типом примесной проводимости: эмиттера (обозначается «Э», англ. E), базы («Б», англ. B) и коллектора («К», англ. C). В зависимости от порядка чередования слоёв различают n-p-n (эмиттер — n-полупроводник, база — p-полупроводник, коллектор — n-полупроводник) и p-n-p транзисторы. К каждому из слоёв подключены проводящие невыпрямляющие контакты.

PNP — транзистор прямой проводимости.

NPN — транзистор обратной проводимости.

Определить структура транзистора и проверить его исправность можно при помощи мультиметра.

С точки зрения типов проводимостей эмиттерный и коллекторный слои не различимы, но при изготовлении они существенно различаются степенью легирования для улучшения электрических параметров прибора. Коллекторный слой легируется слабо, что повышает допустимое коллекторное напряжение. Эмиттерный слой — сильно легированный: величина пробойного обратного напряжения эмиттерного перехода не критична, так как обычно в электронных схемах транзисторы работают с прямосмещённым эмиттерным переходом. Кроме того, сильное легирование эмиттерного слоя обеспечивает лучшую инжекцию неосновных носителей в базовый слой, что увеличивает коэффициент передачи по току в схемах с общей базой. Слой базы легируется слабо, так как располагается между эмиттерным и коллекторным слоями и должен иметь большое электрическое сопротивление.

Общая площадь перехода база-эмиттер выполняется значительно меньше площади перехода коллектор-база, что увеличивает вероятность захвата неосновных носителей из базового слоя и улучшает коэффициент передачи. Так как в рабочем режиме переход коллектор-база обычно включён с обратным смещением, в нём выделяется основная доля тепла, рассеиваемого прибором, и повышение его площади способствует лучшему охлаждению кристалла. Поэтому на практике биполярный транзистор общего применения является несимметричным устройством (то есть инверсное включение, когда меняют местами эмиттер и коллектор, нецелесообразно).

Для повышения частотных параметров (быстродействия) толщину базового слоя делают меньше, так как этим, в том числе, определяется время «пролёта» (диффузии в бездрейфовых приборах) неосновных носителей. Но при снижении толщины базы снижается предельное коллекторное напряжение, поэтому толщину базового слоя выбирают исходя из разумного компромисса.

В первых транзисторах в качестве полупроводникового материала использовался металлический германий. Полупроводниковые приборы на его основе имеют ряд недостатков, и в настоящее время биполярные транзисторы изготавливают в основном из монокристаллического кремния и монокристаллического арсенида галлия. Благодаря очень высокой подвижности носителей в арсениде галлия приборы на его основе обладают высоким быстродействием и используются в сверхбыстродействующих логических схемах и в схемах СВЧ-усилителей.

Транзистор КТ817. Параметры, цоколевка, аналог

Транзистор КТ817 – это кремниевый биполярный транзистор n-p-n типа, изготовленный по эпитаксиально-планарной технологии. Основное назначение КТ817 — применение в линейных и ключевых электрических схемах, модулях и блоках радио-электронных устройствах предназначенных для широкого использования.

Параметры транзистора КТ817

 

Uкбо — max напряжение коллектор-база
Uкбои — max напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо — max напряжение коллектор-эмиттер
Uкэои — max напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax — max постоянный ток коллектора
Iкmax и — max импульсный ток коллектора
Pкmax — max рассеиваемая мощность коллектора без радиатора
Pкmax т — max рассеиваемая мощность коллектора с радиатором
h21э — коэффициент усиления в схеме с ОЭ
Iкбо — ток коллектора (обратный)
fгр — граничная частота h21э в схеме с ОЭ
Uкэн — напряжение насыщения перехода коллектор-эмиттер

 

Цоколевка КТ817
Аналог КТ817
  • КТ817А – аналог BD433
  • КТ817Б – аналог BD233
  • КТ817В – аналог BD235
  • КТ817Г – аналог BD237
Тип корпуса

ТО-126 (пластмасса) – КТ817А, Б, В, Г

DPAK (пластмасса) – КТ817А9, Б9, В9, Г9

Маркировка КТ817

Пример маркировки транзистора:

Специфика КТ817

• Допустимая рабочая температура составляет: — 60…+ 150°C

• Комплиментарной парой транзистора КТ817 является КТ816

Скачать datasheet КТ817 (unknown, скачано: 2 072)

www.joyta.ru

kt% 20817% 20 техническое описание транзистора и примечания по применению

FW-07-03-G-D-208-170-P-TR Samtec Inc Разъем для стекирования плат, 14 контактов, 2 ряда, вилка, прямой, клемма для поверхностного монтажа, Бесплатный образец
TSW-208-17-T-S Samtec Inc Разъем для платы, 8 контактов, 1 ряд, вилка, прямой, шаг 0,2 дюйма, клемма под пайку, черный изолятор, розетка, СООТВЕТСТВИЕ ROHS Бесплатный образец
TSW-208-17-F-S Samtec Inc Разъем для платы, 8 контактов, 1 ряд, папа, прямой, 0.Шаг 2 дюйма, вывод для пайки, черный изолятор, розетка, СООТВЕТСТВИЕ ROHS Бесплатный образец
HTSW-208-17-G-S Samtec Inc Разъем для платы, 8 контактов, 1 ряд, вилка, прямой, шаг 0,2 дюйма, клемма под пайку, естественный изолятор, розетка, СООТВЕТСТВИЕ ROHS Бесплатный образец
TSW-208-17-G-S Samtec Inc Разъем для платы, 8 контактов, 1 ряд, папа, прямой, 0.Шаг 2 дюйма, вывод для пайки, черный изолятор, розетка, СООТВЕТСТВИЕ ROHS Бесплатный образец
FW-07-03-G-D-208-170 Samtec Inc Разъем для стекирования плат, 14 контактов, 2 ряда, вилка, прямой, клемма для поверхностного монтажа, Бесплатный образец

40 Вт - 45 В, 0,5 А, NPN-транзистор общего назначения

% PDF-1.4 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj / Название (BC817-40W - 45 V, 0.5 А, NPN-транзистор общего назначения) >> эндобдж 2 0 obj > эндобдж 3 0 obj > поток Acrobat Distiller 10.1.16 (Windows) BroadVision, Inc.2020-10-05T12: 22: 31 + 02: 002016-05-10T09: 37: 52-07: 002020-10-05T12: 22: 31 + 02: 00приложение / pdf

  • BC817-40W - 45 В, 0,5 А, NPN-транзистор общего назначения
  • ON Semiconductor
  • ON Semiconductor BC817−40W - NPN общего назначения Транзистор, заключенный в корпус SC-70 / SOT-323.
  • uuid: 8e0ce1ee-6a31-4339-b58c-3234ad0bb2abuuid: 6782520b-21a4-427b-9301-222317f171af Распечатать конечный поток эндобдж 4 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > эндобдж 13 0 объект > эндобдж 14 0 объект > эндобдж 15 0 объект > эндобдж 16 0 объект > эндобдж 17 0 объект > поток HUMoFz] 9] gd% vIJl1I'Z ^ L% R &) '7'vvI $ 73o-

    | N`KA'4b -R`3uxe0outE3CʼnRCʈL @ (, - (% ɾJkt ^ ERf ݺ XTvV5L *] 6pϚ.uNbh * UGwu = EhRVV ׂ X0 &] Q (J85hE2TUtcJH} 䇒 M! C¸% *> IzD] | @ 1} @

    Эквивалент транзистора

  • ДИСКРЕТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК Транзисторы

    Полярность часть

    68

    Пин-полярный транзистор Совместимость с биполярным транзистором

    C макс,

    Вт

    VCB макс,

    В

    VCEmax,

    V

    VEBmax,

    V

    IC макс, м

    hFE VCEsat, V

    ICBO,

    FT, Гц

    Nf, дБ

    Пакет (колодки)

    2209 2209 2209 2209

    KSC1623 NPN 0.2 60 50 5100

    135270 200400 300600

    0,3 0,1 250 SOT-23

    3102M 3102M 3102M 3102M 3102M 3102M 3102M 3102M 3102M

    BC547A BC547B BC548B BC548C BC549B BC238B BC549C

    50 30 NPN 30 0,2

    50 50 30 20 30 20 50 50 30

    5200 100250 200500 200500 400800 200500

    4001000100250 200500 200500

    0,25 0,05 0,05 0,015 0,015 0,015 0,015 0,05 0,05 0,015

    200200200200300300200200 200

    10 10 10 10 4 4

    -92

    3107 3107 3107 3107 3107 3107 3107 3107 3107 3107

    BC307A BC308A BC308B BC309B BC307B BC308C BC309C

    PNP 0.3 50 50 30 30 30 25 25 50 30 25

    45 45 25 25 25 20 20 45 25 20

    5100 70140 120 ... 220 70140 120220 180460 120220 180460 180460 380800 380800

    0,2 0,1 250 10 10 10 10 10 4 4 10 10 4

    -92

    3117 3117 31171

    2N2221 2N2222 PN2222

    NPN 0,3 0,3 0,5

    60 75 60

    60 75 60

    4 400 40200 100300 40200

    0,6 10 200 TO- 18

    ТО-92 3126 3126

    BF506 PNP 0.15 30 30 3 30 25100 60180

    1,2 0,5 500 5-92

    KT3127A 2N4411 PNP 0,1 20 20 3 25 25150 1,0 600 5 TO-72 KT3128A1 BF272 PNP 0,3 40 35 4 30 35150 0,1 800 5 TO-92 KT3129A9 KT31299 KT3129B9 KT31299 KT31299

    BC857A BC858A BC858B

    PNP 0,1 50 50 30 30 30

    40 40 20 20 20

    5100 30120 80250 80250 200500 200500

    0,2 1,0 200 SOT-23

    KT3130TTE9 KT31309 KT3130931 900 K309 K309 31309

    BCW71 BCW72 BCW32

    NPN 0.1 50 50 30 20 30 20 30

    40 40 20 15 20 15 25

    5100 100250 200500 200500

    4001000200500

    4001000100500

    0,1 150 150 150 300 150 300 150

    10 10 10 4 4

    SOT -23

    3142 2N2369 NPN 0,36 40 40 4,5 200 40120 0,25 0,4 500 TO-18 KT3153A9 BCW60,70,706 NPN 0,3 60 50 5400 100300 0,35 0,05 250 SOT-23KT3157A BF423 PNP 0,2 250 250 5 30> 50 1,0 0,1 60 TO- 92 KT3189A9 KT31899 KT3189B9

    BC847A BC847B BC847C

    NPN 0.225 50 45 6100 110220 200450 420800

    0,6 0,015 300 10 SOT-23

    KT368A9 KT3689

    BF599 KSC2757

    NPN 0,1 15 15 4 30 50300 0,5 900 3,3

    SOT-23

    KT502A KT502 KT250 KT250 KT250 KT250 KT250 KT250 KT

    KSA539 BC212

    PNP 0,35 40 40 60 60 80 90

    25 25 40 40 60 80

    5150 40120 80240 40120 80240 40120 40120

    0,6 1 5 TO-92

  • ДИСКРЕТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК Транзисторы

    69

    Биполярные транзисторы (продолжение) Деталь Совместимость контактов и контактов Полярность

    C max,

    W

    VCB max,

    V

    VCE max,

    V

    VEBmax, V

    IC max, м

    hFE VCE sat, В

    ICBO,

    FT, Гц

    Nf, дБ

    Корпус (колодки)

    KT503A KT503 KT503 KT503 KT503 KT503

    KSC815 BC183

    NPN 0.35 40 40 60 60 80100

    25 25 40 40 60 80

    5150 40120 80240 40120 80240 40120 40120

    0,6 1 5 TO-92

    520 520

    MPSA42 MPSA43

    NPN 0,625 300 200

    300 200

    6500> 40 0,5 0,4

    100 50 TO-92

    521521

    MPSA92 MPSA93

    PNP 0,625 300 200

    300 200

    5500> 40 0,5 0,4

    100 50 TO-92

    KT6109A KT6109 KT6109B KT6109 KT6109

    SS9012D SS9012E SS9012F SS9012G SS9012H

    PNP 0.625 40 20 5500 6491 78112 96135 112166144202

    0,6 0,1 TO-92

    KT6110A KT6110 KT6110B KT6110 KT6110

    SS9013D SS9013E SS9013F SS9013G SS9013H

    NPN 0,625 40 20 5 500

    12 900 0,625 900 9814

    1290 TO-92

    KT6111A KT6111 KT6111B KT6111

    SS9014A SS9014B SS9014C SS9014D

    NPN 0,45 50 45 5100 60150 1003002006004001000

    0,3 0,05 150 10 TO-92

    SSP611261 KT9015

    SSP611261 KT9090 50 45 5100 60150 100300200600

    0,7 0,05 100 10 TO-92

    KT6113A KT6113 KT6113B KT6113 KT6113 KT6113E

    SS9018D SS9018E SS9018F SS9018G SS9018H SS9018I 1326 0 7290 0,409 00 0,99 0,5 0,05 700 TO-92

    KT6114A KT6114 KT6114B KT6114 KT6114 KT6114E

    SS8050B SS8050C SS8050D

    NPN 1.0 1.0 1.0 0.7 0.7

    40 25 6 150015001500110011001100 0200120 090

    090 090

    5 0,1 100 TO-92

    KT6115A KT6115 KT6115B KT6115 KT6115 KT6115E

    SS8550B SS8550C SS8550D

    PNP 1.0 1.0 1.0 0.7 0.7 0.7

    40 25 6 150015001500110011001100 0 100300120

    85

    09 0 85

    900

    KT6116A 6116

    2N5401 2N5400

    PNP 0,625 160 130

    150120

    5600 60240 40180

    0,5 0,05 0,1

    100 8 TO-92

    KT6117A 6117

    2N5551 290 NP5550

    .625180160

    160140

    6600 80250 60250

    0,2 0,25

    0,05 0,1

    100 8 TO-92

    2N5551X NPN 180160 6600 80250 0,15 0,05 100 8 Onlychip KSC1623X NPN 50 40 5100

    0,3 0,1 200 6 Только микросхема KT6128A 6128 6128 KT6128 KT6128 KT6128

    SS9016D SS9016E SS9016F SS9016G SS9016H SS9016I

    NPN 0,4 30 20 4 25 2845 3960 5480 72108 97146

    EMIC

  • 900CR 900 Транзисторы

    70

    Биполярные транзисторы (продолжение) Деталь Полярность между выводами Совместимость

    C max,

    Вт

    VCB max,

    V

    VCE max,

    V

    VEB max,

    V

    IC макс, м

    hFE VCEsat, В

    ICBO,

    FT, Гц

    Nf, дБ

    Корпус (колодки)

    KT6136A 2N3906 PNP 0.625 40 40 5200 100300 0,4 0,05 250 TO-92 KT6137A 2N3904 NPN 0,625 60 40 6200 100300 0,3 0,05 300 TO-92 BC182

    BC182A BC182B

    NPN 0,5 60 50 6 100 120450120220200450

    0,6 0,015 150 10 TO-92

    BC183 BC183A BC183B BC183C

    NPN 0,5 45 30 6100 110800110220200450420800

    0,6 0,015 150 10 TO-92

    607-4 607-4

    2N4073 NPN 1,5 40 30 40

    35 30 35

    4150 0,1 1000 700 ТО-92

    BC639 NPN 0.625100 80 5 1500 25 0,5 0,1 100 TO-92 BC640 PNP 0,625 100 80 5 1500 25 0,5 0,1 100 TO-92 646 646 646

    2SC495 2CS496

    NPN 1.0 60 40 40

    60 40 40

    4 1000 40200 > 150

    150340

    0,850,250,25

    10 10

    0,05

    250 TO-126

    KT660A KT660

    BC337 BC338

    NPN 0,5 50 30

    45 30

    5800 110220200450

    0,5 1,0 200 TO-92

    805 805 805 805

    KSD362 KSD773

    NPN

    30

    300

    45 30

    5

    5000

    VKER> 15> 15> 15> 25

    2.53,0

    1,0

    TO-92

    KT814A KT814 KT814B KT814

    BD136 BD138 BD140

    PNP 10 40 50 70

    100

    5 1500 40275402754027530275

    0,6 50 4090 KT-126

    0,6 50 40 KT-126 KT

    BD135 BD137 BD139

    NPN 10 40 50 70

    100

    5 1500 40275402754027530275

    0,6 50 40 TO-126

    KT816A KT816 KT816B KT816

    BD234 BD236 100 6090 PN 900 2598 4598 900 PN 900 2598 4598 900 PN 900 5 3000 25275 0.6100 3,0 TO-126

    KT817A KT817 KT817B KT817

    BD233 BD235 BD237

    NPN 25 40 45 60

    100

    5 3000 25275 0,6 100 3,0 TO-126

    81261 801261 ​​

    MJE13007 NPN 700600

    400300

    9 8000 860 1.0 1000 4.0 TO-220

    8164 8164

    MJE13005 MJE13004

    NPN 75 700600

    400300

    9 4000 840 1.0 1000 TO-220

    81701 81701

    MJE13003 MJE13002

    NPN 40700600

    400300

    9 9

    1500840

    1.0 1000 4.0 TO-126

    8176 8176 8176

    TIP31A TIP31B TIP31C

    NPN 40 60 80

    100

    60 80

    100

    5 3000> 25 1.2 3.0 TO-220

  • ДИСКРЕТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК Транзисторы

    71

    Биполярные транзисторы (продолжение) Деталь Совместимость контактов и контактов Полярность

    C max,

    W

    VCB max,

    V

    VCE max,

    V

    VEB max,

    V

    IC макс, м

    hFE VCE sat, В

    ICBO,

    FT, Гц

    Nf, дБ

    Корпус (колодки)

    8177 8177 8177

    TIP32A TIP32B TIP32C

    PNP 40 60 80

    100

    60 80

    100

    5 3000> 25 1.2 3.0 TO-220

    8212 8212 8212

    TIP41 TIP41B TIP41A

    NPN 65 60 80

    100

    60 80

    100

    5 6000 1575

    1.5 ICES = 400 3.0 TO-220

    8213 8213 8213

    TIP42C TIP42B TIP42A

    PNP 65 60 80

    100

    60 80

    100

    5 6000 1575

    1,5 ICES = 400 3,0 TO-220

    MJE2955 PNP 75 70 60 5 10000 20100 1,1 1000 TO -220 MJE3055 NPN 75 70 60 5 10000 20100 1.1 1000 TO-220 738739

    TIP3055 TIP2955

    NPN PNP

    90

    70 60 5 15000 20100 1,1 1000 TO-218

    732 733

    MJE4343 MJE4353

    NPN PNP

    125160160 7 16000 815 2,0 750 1,0 TO-218

    8224 8224 *

    BU2508A BU2508D

    NPN 100 1500700 7,5 8000 47 1,0 Iebo = 1,0 100..187

    TO-218

    8225A

    BU941ZP NPN 155 350 5 15000> 300 1,8 Вэб = 5.0V Iebo = 20

    TO-218

    8228 8228 *

    BU2525A BU2525D

    NPN 125 1500800 7,5 12000 5,09,5 5,0 Iebo = 1,0 80150

    TO-218

    8229 TIP35F NPN 125180180 5 25000 1575 1,8 Iceo = 1,0 3,0 TO-218 8230 TIP36F PNP 125180180 5 25000 1575 1,8 1,0 3,0 TO-218 8261 BUD44D2 NPN 25700400 9 2000> 10 0,65 0,1 TO-126 BUL44D2 NPN 40700400 9 5000> 10 0,65 0,1 TO -220 8247 BUL45D2 NPN 75700400 12 5000> 22 0,5 100 TO-220 8248 BU2506F NPN 90 Vcek

    1500700 7.5 5000 3.89.0 3.0 Icek,

    mA 1.0

    TO-218

    KT538A MJE13001 NPN 0,7 600 400 9 0,5 590 0,5 1000 4 TO-92 82481 BU2506F

    NPN

    90

    Ucek1500

    700

    7.5

    5000

    3.89.0

    3.0

    Icek, 1.0 TO-218

    KT8290A BUh200 NPN 100700400 9 1000

  • Тестер полупроводников ESR на ATMEGA8. Тестер транзисторов. Схема без автоотключения

    Но среди радиодеталей есть такие, которые обычным мультиметром проверить сложно, а иногда и невозможно.Сюда могут входить полевые транзисторы (как MOSFET. , так I. J-Fet. ). Также у обычного мультиметра не всегда есть функция измерения конденсаторов, в том числе электролитических. И даже при наличии такой функции прибор обычно не измеряет еще один очень важный параметр электролитических конденсаторов - эквивалентное последовательное сопротивление ( EPS или ESR. ).

    Недавно стала доступна цена на универсальные измерители R, C, L и ESR.Многие из них имеют возможность проверки практически всех работающих радиодеталей.

    Разберемся, какие возможности есть у такого тестера. На фото универсальный тестер R, C, L и ESR - MTester v2.07 (QS2015-T4). Он тестировщик LCR T4. Купил на Алиэкспресс. Не удивляйтесь, что аппарат без корпуса, с ним он намного дороже. Вариант без корпуса, и с корпусом.

    Радиометаллоискатель собран на микроконтроллере ATMEGA328P.Также на печатной плате имеются SMD-транзисторы с маркировкой J6, (Bipolar S9014), M6. (S9015), интегральный стабилизатор 78L05, TL431 - прецизионный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилизатор), SMD-диоды 1N4148, кварцевые на 8,042 МГц. А «разброс» - планарные конденсаторы и резисторы.

    Питается от аккумулятора 9В (размер 6F22). Однако, если таковой под рукой нет, устройство можно запитать от стабилизированного источника питания.

    Зиф панель установлена ​​на печатной плате тестера.Рядом находятся числа 1,2,3,1,1,1,1. Дополнительные клеммы верхнего ряда Зиф-панели (те, что 1,1,1,1) дублируют клемму под номером 1. Это упрощает установку деталей с разделенными выводами. Кстати, стоит отметить, что нижний ряд клемм дублирует клеммы 2 и 3. На 3 закреплены 2 дополнительных клеммы, а на 3 уже 4. Вы можете убедиться, что вы видите разводку печатных проводников на с другой стороны печатной платы.

    Так какие возможности у этого тестера?

    Измерение емкости и параметров электролитического конденсатора.

    Также советую заглянуть на страницу, где рассказано о разновидностях полевых транзисторов и их обозначении на схеме. Это поможет вам понять, что вам показывает устройство.

    Проверить биполярные транзисторы.

    В качестве тестового «кролика» берем наш КТ817. Как видите, у биполярных транзисторов измеряется коэффициент усиления hFE. (He - h31E. ) и сдвиги напряжения b e (открытие транзистора) UF. . Для кремниевых биполярных транзисторов напряжение смещения находится в диапазоне 0.6 ~ 0,7 вольт. Для нашего KT817 оно составило 0,615 В (615 мВ).

    Композитные биполярные транзисторы тоже распознает. Вот только параметры на дисплее, я бы не поверил. Ну правда. Не могу составить транзистор. Имеют коэффициент усиления HFE = 37. Для CT973a минимальный HFE должен быть не менее 750.

    Как выяснилось, структура для CT973A (PNP) и CT972A (NPN) определяет правильно. Но все остальное меряет неправильно.

    Стоит учесть, что при пробое хотя бы одного из переходов транзистора тестер может определить его как диод.

    Проверить диоды универсальным тестером.

    Образец для тестирования - диод 1N4007.

    Для диодов падение напряжения указывается на переходе P-N в разомкнутом состоянии UF. . В технике на диоды указывается как V F. - прямое напряжение (иногда V FM. ). Замечу, что при разном постоянном токе через диод величина этого параметра тоже меняется.

    Для этого диода 1N4007. : V F. = 677мВ (0,677В). Это нормально для низкочастотного выпрямительного диода. Но диоды Шоттки ниже, поэтому их рекомендуется использовать в низковольтных автономных устройствах питания.

    Кроме того, тестер зависает и емкость P-N Transition (C. = 8PF).

    Результат проверки диода КД106А. Как видите, переходная емкость у него во много раз больше, чем у диода 1N4007. Уже 184 пикофарада!

    Если вместо диода установить светодиод и включить проверку, то при проверке будет действительно ноль.

    Для светодиодов тестер показывает переходную емкость и минимальное напряжение, при котором светодиод открывается и начинает излучать. Конкретно для этого красного светодиода было UF = 1.84V.

    Как оказалось, универсальный тестер отлично справляется с проверкой сдвоенных диодов, которые можно встретить в компьютерных блоках питания, автоморетантных преобразователях напряжения, всевозможных блоках питания.

    Проверить сдвоенный диод MBR20100CT. .

    Тестер показывает падение напряжения на каждом из диодов UF = 299MV (в даташитах указано как V F.), а также плащ. Не забывайте, что сдвоенные диоды похожи на общий анод и общий катод.

    Проверить резисторы.

    Данный тестер отлично справляется с измерением сопротивления резисторов, в том числе переменных и подстроечных. Так прибор определяет ходовой резистор типа 3296 на 1 ком. На дисплее переменный или ходовой резистор отображается как два резистора, что неудивительно.

    Также можно проверить постоянные резисторы с сопротивлением до доли Ом.Вот пример. Сопротивление резистора 0,1 Ом (R10).

    Измерение индуктивности катушек и дросселей.

    На практике одинаково востребована функция измерения индуктивности катушек и дросселей. И если на крупногабаритные изделия наносится маркировка с указанием параметров, то на малых и SMD индуктивностях такой маркировки нет. В этом случае поможет устройство.

    На дисплее результат замера параметров дроссельной заслонки на 330 мкг (0.33 миллигени).

    Помимо индуктивности дросселя (0,3 мг), тестером определено его сопротивление dC - 1 Ом (1,0 Ом).

    Малоэтажные симисторы Этот тестер проверяет без проблем. Я, например, их проверил MCR22-8. .

    А вот тиристор посильнее BT151-800R В случае ТО-220 прибор не смог проверить и отобразил надпись на дисплее. "? Нет, неизвестно или повреждена деталь" , что в вольном переводе означает «отсутствующая, неизвестная или поврежденная деталь».

    Среди прочего универсальный тестер может измерять напряжение аккумуляторов и аккумуляторов.

    Еще меня порадовало то, что в этом приборе можно проверить оптопары. Правда, проверять такие «составные» детали можно только в несколько этапов, так как они состоят как минимум из двух изолированных частей.

    Покажи на примере. Здесь внутренняя организация оптронов TLP627.

    Излучающий диод подключаем к выводам 1 и 2. Подключаем их к выводам прибора и смотрим, что он нам покажет.

    Как видим, тестером определено, что диод был подключен к его выводам и отображено напряжение, при котором он начинает излучать UF = 1,15В. Далее подключаем к тестовой группе 3 и 4 выводы оптопар.

    На этот раз тестером определено, что к нему подключен штатный диод. Ничего удивительного. Взгляните на внутреннюю структуру оптопар TLP627, и вы увидите, что диод подключен к выводам эмиттера и коллектора фототранзистора.Он шунтирует выводы транзистора и тестер только его «видит».

    Итак, мы проверили исправность оптронов TLP627. Аналогичным образом мне удалось проверить маломощное твердотельное реле типа К293кп17п.

    Сейчас я расскажу, какие детали этот тестер проверить невозможно.

      Мощные тиристоры. При проверке тиристора BT151-800R прибор показал на дисплее биполярный транзистор с нулевыми значениями HFE и UF. Другой экземпляр тиристора определен как неисправный.Возможно, это действительно так;

      Stabilians. Определяется как диод. Основные параметры Stabilon вы не получите, но вы можете убедиться в целостности p-N Transition. Производитель правильно заявил о распознавании стабилизации с напряжением стабилизации менее 4,5В.
      все же рекомендую не полагаться на показания приборов, а заменить стабилизацию новой, так как бывает, что стабилизаторы хорошие, но стабилизация стабилизация стабилизация;

      Никаких фишек, типа интегральных стабилизаторов 78L05, 79L05 и им подобных.Я считаю объяснения излишними;

      Ресторанов. Собственно, это и понятно, так как Distoror открывается только при напряжении в несколько десятков вольт, например 32V, как в распределенном DB3;

      Ионисторы Устройство тоже не распознает. Видимо из-за долгой зарядки;

      Варисторы определяются как конденсаторы;

      Однонаправленные подавители определяются как диоды.

    Универсальный тестер не останется без дела ни одного радиолюбителя, а радиомеханики сэкономят кучу времени и денег.

    Стоит понимать, что при проверке неисправных полупроводниковых элементов прибор может некорректно определить тип элемента. Итак, биполярный транзистор с одним пробитым p-N переходом, его можно определить как диод. Вздутый электролитический конденсатор с огромной утечкой можно распознать как два бортовых диода. Это произошло. Думаю, нет необходимости объяснять, что это свидетельствует о несогласии с радиометодом.

    Но необходимо учитывать то, что также существует некорректное определение значений из-за плохого контакта деталей в панели ZIF.Поэтому в некоторых случаях необходимо переустановить элемент в панели и проверить.

    Прибор предназначен для измерения параметров радиодеталей. Тестер может определять выход диодов, транзисторов, светодиодов. Показывает емкость конденсаторов и резисторов в определенном диапазоне. Ниже в архиве несколько вариантов печатных плат, в том числе для монтажа на SMD.

    Характеристики устройства следующие:

    Сопротивление: от 1 Ом до 10 МОм

    Конденсаторы: от 190пф до 10000мкф.Чем больше емкость, тем дольше измерение. Сообщите конденсаторам перед измерением!

    Диоды, светодиоды - показывает где какие выводы и один параметр

    Определение и индикация наличия защитных диодов в транзисторах и MOSFET

    Тринисторы, тиристоры - сразу видно, что это тиристор и где какие выводы

    Транзисторы

    - показывает где какие выводы и пара параметров

    Точность замеров у корректно защищенного Даэви зависит от точности шести резисторов, думаю понятно какие.Чем они точнее и по тем же параметрам, тем правильность и правильность измерений будет правильной.

    Схема тестера:

    Чертеж печатной платы в версии DIP:

    Расшифровка отображаемой информации на дисплее этого прибора:

    НПН. - ТРАНЗИСТОР NPN.

    ПНП. - ТРАНЗИСТОР ПНП.

    N-E-MOS N-KANAL - обогащенный канал

    P-E-MOS P-KANAL - обогащенный канал

    N-D-MOS N-KANAL - истощенный канал

    P-D-MOS P-KANAL - истощенный канал

    N-jfet n-kanal - JFet.

    P-JFET P-KANAL - JFet.

    Тиристор - Тиристор

    Симистор - SIMISTOR

    Напряжение размыкания ТН (для полевого МОП-транзистора)

    С =. Мощность затвора (для MOSFET)

    х31Е. (коэффициент усиления) - диапазон до 10,000

    УФ. Напряжение постоянного тока

    Диод. Диод

    IN разные версии Отображаемая информация о прошивке может отличаться.В данной статье описан проект на микроконтроллере ATMEGA8, в сети есть доработанные варианты прошивки и другие микроконтроллеры. Этот аппарат достаточно точный, полного фотоотчета не делал, например несколько снимков сделал ...

    Диодная сборка (два диода в одном корпусе)

    ТРАНЗИСТОР КТ819:

    Светодиод:

    файлов прошивки (~ 8кб.)

    Скачать файлы печатной платы :, options.

    AVR Transistester.

    Дизайн набора

    AVR-TRANSISTERESTER - поставляется в виде набора частей, который включает: цену

    и все элементы, включая резисторы и конденсаторы, которые требуются для создания работоспособного устройства. В комплект не входит чехол. Использование не требует настройки и работает сразу после сборки. Процессор установлен в розетку. Светодиод не отображается на передней панели. Это не ориентировочно, но обязательно для устройства. При работе его свечение может быть не видно.Дисплей подключается к основной плате через «гребешок» с шагом 2,54 мм. Всю документацию, необходимую для сборки устройства (принципиальную схему, схему монтажа и перечень используемых компонентов), можно скачать в конце статьи.

    На фото - готовое устройство в сборе. На втором фото - набор деталей.

    Дизайнерский набор представляет собой набор деталей. Батарея в комплект не входит.



    Возможности устройства.

    Тестер позволяет определять биполярные транзисторы, полевые транзисторы MOSFET и JFET, диоды (в том числе двойные последовательные и встречно-параллельные), тиристоры, симисторы, резисторы, конденсаторы и некоторые их параметры. В частности, для биполярных транзисторов:

    1. Проводимость - NPN или PNP;

    2. Коды в формате - B = *; С = *; Е = *;

    3. Коэффициент усиления по току - HFE;

    5. База-эмиттер постоянного напряжения в милвольтах - УФ.

    Для полевых МОП-транзисторов:

    1.Проводимость (P-канал или N-канал) и тип канала (E - обогащенный, D - обедненный) - P-E-MOS, P-D-MOS или N-E-MOS, N-D-MOS;

    2. Вместимость створки - С;

    3. Коды в формате GDS = ***;

    4. Наличие защитного диода - символ диода;

    5. Пороговое натяжение Заслонки УФ.

    Для транзисторов j-fet:

    1. Проводимость - N-JFET или P-JFET;

    2. Коды в формате GDS = ***.

    Для диодов (включая двойные диоды):

    1.Кодо;

    2. Напряжение постоянное анод-катод - УФ.

    Для Simistors:

    1. Тип - симистор; 2. Кокоовка в формате G = *; А1 = *; А2 = *.

    Для тиристоров:

    1. Тип - Тиристор;

    2. Коды в формате - ГАК = ***.

    Результат отображается на двухстрочном ЖК-дисплее. Время теста менее 2 сек. (За исключением конденсаторов большой емкости) время отображения составляет 10 секунд. Управление одной кнопкой, выключение автоматическое. Ток потребления в выключенном состоянии менее 20, измерение сопротивления периапана от 2 Ом до 20м.Точность не очень высокая. Взаимозаменяемость оценивается примерно от 0,2 до 7000 мкФ. Точность выше 4000 мкФ ухудшается. Измерение больших емкостей может занять до одной минуты. Тест не является точным устройством и не гарантирует 100% надежности идентификации измерения, однако в подавляющем большинстве случаев результат измерения достоверный. Меньший ток удержания.

    Документация

    В статье описывается прибор - тестер полупроводников (Транзистестер).Прототипом этого устройства является статья, размещенная на одном из немецких сайтов автором Маркусом. Подобные статьи есть в Интернете, но устройство заслуживает внимания, и на этом я повторюсь.
    Тестер с высокой точностью определяет базовые выводы и типы транзисторов, тиристоры, диоды, также определяет резисторы и конденсаторы.
    Особенно удобен при определении SMD-компонентов, он специально для этого изготовлен. Будет очень полезно не только начинающему радиолюбителю.
    Типы тестируемых деталей:
    (Название элемента - Индикация дисплея):
    - Транзисторы NPN - на дисплее «NPN»
    - Транзисторы PNP - на дисплее «PNP»
    - MOSFET с N-канальным обогащением - на «NE -MOS »дисплей
    - P-канальный MOSFET - на дисплее« PE-MOS »
    - N -Canal-Depleted MOSFET - на дисплее« ND-MOS »
    - P -Canal-Depleted MOSFET - на дисплее «PD-MOS»
    - N-канальный JFET - на дисплее «n-jfet»
    - P-канальный JFET - на дисплее «P-JFET»
    - Тиристоры - на дисплее «TYRYSTOR» (рус. - «Tyristor »)
    - Симисторы - на дисплее« Триак »(рус. -« Триак »)
    - диоды - на дисплее« ДИОД »(рус. -« Диод »)
    - Двухконтурные сборки диодов - на дисплее« Двойной ». Диод CK »(рус. -« Di Diode CC »)
    - двусторонние сборки диодов - на дисплее« Double Diode Ca »(рус. -« Diode CA »)
    - Два последовательно соединенных диода - на дисплее« 2 DIODE » СЕРИЯ »(русский -« 2 ди ода последняя.»)
    - Симметричные диоды - на дисплее« DIODE SYMMETRIC »(рус. -« 2-диодный счетчик »)
    - Резисторы - диапазон от 1 Ом до 10 МОм [ОМ, КОМ]
    - Конденсаторы - диапазон от 0,2НФ до 5000 мкФ

    Описание дополнительных параметров Измерения:
    - h31E (коэффициент усиления по току) - диапазон до 1000
    - (1-2-3) - порядок подключения клемм элемента
    - наличие элементов защиты - диод - «диод» символ «
    - Постоянное напряжение - UF
    - Открывающее напряжение (для MOSFET) - VT
    - емкость затвора (для MOSFET) - C =

    Схема без автоотключения

    Схема с автоподкопом

    Конденсатор и транзистор

    Предохранители для ponyprog

    С помощью PonyProg вы также можете настроить постоянные измерения C и R (ячейки отмечены на фотографии ниже).

    Число в средней ячейке буфера изменяется на + или - 1 (это зависит от того, в каком направлении вам нужно ввести и сколько, это может быть число 10),

    После изменения числа в ячейке запрограммируйте МК, потом делаем тест известной детали, сравниваем до и после.

    Повторяем при необходимости процедуру.

    Прошивка

    для ATmega8 и Atmega8a, в архиве (английский и русский EEPROM, правильное отображение в Cyrilice µ и Омега.) ProShiva.rar.

    Еще один набор различных прошивок (англ. И рус.) ProShivki.rar

    Различные варианты печатных и контактных (для проверки SMD элементов) плат, скачать архив здесь. Печатки.rar

    Наверное, лучше собрать схему без автоотключения (первая схема), так как проще, и автозапуск иногда может действовать на нервы. После нажатия кнопки «Тест» дисплей длится 10 секунд, затем выключается табло и питание.Это сделано в целях экономии энергии аккумулятора, но если установить индикатор без подсветки (она в принципе и не нужна), то ток потребления тестера не превысит 15 мА и схема автоотключения здесь без нужно.

    В общем, по большому счету регулировок и настроек устройства особо нет, любители наверняка могут настроить показания R и C так что вроде бы детально и проблем быть не должно.

    Изначально автор рекомендовал использовать микроконтроллер ATMEGA8-16PU в тестере, не везде возможно.Микроконтроллер ATMEGA8L-8PU более доступен, и это наиболее точная замена ATMEGA8-16PU в этом AVR-Transistester.
    Эти МК прошиваются одной и тоже прошивкой и особой разницы в работе нет и почти не нужно настраивать на R и S.

    Да, этот тестер не высокоточный прибор, а именно тестер для определения радиоэлементы, а в основном элементы SMD. И это не измеряет танк и сопротивление с высокой точностью. У него тоже могут быть проблемы;

    Проблемы при определении обычных полевых транзисторов:
    Поскольку у большинства полевых транзисторов запас и исток не сильно различаются при измерении или почти не различаются, они могут не распознаваться или распознаваться правильно, но в принципе тип транзистора показано правильно в любом случае.

    Проблемы могут быть также при определении мощных тиристоров и симисторов в результате того, что текущий ток при измерении 7 мА меньше, чем ток удержания тиристора.

    В данной статье представлен прибор - тестер полупроводниковых элементов. Прототипом этого устройства послужила статья, размещенная на одном из немецких сайтов. Тестер с высокой точностью определяет количество и типы конвейеров транзистора, тиристора, диода и т. Д. Будет очень полезен начинающему радиолюбителю.

    Типы тестируемых элементов

    (Название элемента - Индикация дисплея):
    - Транзисторы NPN - на дисплее «NPN»
    - Транзисторы PNP - на дисплее «PNP»
    - MOSFET с N-канальным обогащением - на « Дисплей NE-MOS
    - МОП-транзистор с P-каналом - на дисплее «PE-MOS»
    - МОП-транзистор с обедненным N-каналом - на дисплее «ND-MOS»
    - МОП-транзистор с обедненными P-каналами - дисплей «PD-MOS»
    - N-канальный JFET - на дисплее «n-jfet»
    - P-канальный JFET - на дисплее «P-JFET»
    - Тиристоры - на дисплее «TYRYSTOR»
    - Симисторы - на дисплее «Триак»
    - Диоды - на дисплее «DIODE»
    - Двухцепные сборки диодов - на дисплее «Double Diode CK»
    - двусторонние сборки диодов - на дисплее «Double Diode CA»
    - Два последовательно соединенных диода - на дисплее «2 DIODE SERIES»
    - Симметричные диоды - на дисплее «DIODE SYMMETRIC»
    - Резисторы - диапазон от 0.От 5 до 500к [k]
    - Конденсаторы - Диапазон от 0,2NF до 1000UF
    При измерении сопротивления или емкости прибор не дает высокой точности
    Описание дополнительных параметров измерения:
    - h31E (коэффициент усиления) - диапазон до 10 000
    - (1-2-3) - порядок подключения выводов элемента
    - Наличие элементов защиты - диод - «диодный символ»
    - Постоянное напряжение - UF

    Напряжение открытия (для MOSFET) - VT

    Мощность затвора (для MOSFET) - C =

    Схема устройства:

    Схема устройства без транзисторов:

    Программирование микроконтроллера

    При использовании программы AvrStudio достаточно в настройках FUSE-bit записать 2 бита конфигурации: lfuse = 0xc1 и hfuse = 0xd9.Если вы используете другие программы для настройки битов Fuse в соответствии с шаблоном. В архиве находится прошивка микроконтроллера и прошивка EEPROM, а также бумажный макет.

    Предохранители Mega8

    Процесс измерения довольно прост: подключите тестируемый элемент к разъему (1,2,3) и нажмите кнопку «Тест». Тестер покажет измеренные показания и через 10 секунд. Переходим в режим ожидания, это сделано для экономии заряда аккумулятора. В аккумуляторе используется напряжение 9В «Корона».

    Тестирование Simistor

    Тестирование диодов

    Тестирование светодиода

    Тестирование двойного диода

    Тестирование полевого МОП-транзистора.

    Тестирование транзистора NPN.

    транзистор% 20bu% 205027 техническое описание и примечания по применению

    TLP627M Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage Оптопара (выход фотодарлингтона), вход постоянного тока, 5000 В среднекв., DIP4
    SSM6J801R Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage MOSFET, P-ch, -20 В, -6.0 А, 0,0325 Ом @ 4,5 В, TSOP6F
    TK5R1A08QM Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage МОП-транзистор, N-канал, 80 В, 70 А, 0,0051 Ом при 10 В, TO-220SIS
    SSM6J507NU Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage МОП-транзистор, P-канал, -30 В, -10 А, 0,02 Ом при 10 В, UDFN6B
    TK090A65Z Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage МОП-транзистор, канал N, 650 В, 30 А, 0.09 Ом @ 10В, ТО-220SIS
    TK370A60F Корпорация Toshiba Electronic Devices & Storage МОП-транзистор, N-канал, 600 В, 15 А, 0,37 Ом при 10 В, TO-220SIS

    Колористка своими руками. Различная цветовая гамма машин

    Убыточный район - крысы, мыши, мышки, земляне, гоптеры, «киски», бурундуки, медведи.

    Различные виды грызунов приносят нам много потерь, неприятностей, а иногда и болезней. Это нежелательный район, от которого мы стремимся избавиться разными способами - мы тратим деньги на покупку ядов, ловушек, ловушек, химикатов, биопрепаратов и т. Д. Но часто наши усилия оказываются напрасными.

    Согласитесь, когда ухаживаете за растениями, смотрите, как они растут, цветут ... А "они" приходят, что делать?

    Есть много способов борьбы с грызунами. В этой статье мы поговорим о более новом и безопасном, а в денежном смысле и экономном способе борьбы с нашими «друзьями» меньшего размера.

    Важным открытием стало открытие неприязни грызунов к звукам высокой частоты (ультразвук), которые не слышит обычный человек, и низкочастотным звукам, распространяющимся в земле. Электронные устройства Излучающие частотные данные, безопасные для людей, домашних животных и птиц, подземных насекомых, не вызывают помех в работе тела и радиоаппаратуры.

    Хочу представить вам несколько концептуальных схем отпугивания грызунов. (1 - подземные грызуны, 2 - крысы, мыши и др.)

    1. Подземные грызуны (кроты, земляной, медведь)
    Как вы знаете, они используют свой ухудшенный слух, чтобы улавливать колебания почвы. Вибрация почвы предупреждает грызунов об опасности и заставляет их бежать. Мы можем использовать этот факт.

    Достаточно создать в почве звуковую вибрацию с частотой от 100 до 400 Гц. В качестве излучателя можно использовать динамик от старого маломощного ресивера. Излучатель закапывают в землю на глубину 30-50 см.

    Начнем с самых простых устройств. Для их изготовления используются самые обычные детали.

    Номер опции 1
    Звуковой мультивибратор можно применить к транзисторам P-N-P или N-P-N. При напряжении питания 4,5 - 9 В его мощности достаточно для распространения сигнала на 300 - 1000 м2. Недостаток такой конструкции - постоянная работа. Теоретически сигнал должен приходить периодами и придется включать и выключать мультивибратор.

    При использовании перечисленных деталей частота сигнала составляет около 200 Гц. Динамик B1 - 0,25 Вт или 0,5 Вт.

    Рис. 1.
    R1, R4 - 1 ком; R2, R3 - 39 ком; R5 - 510 Ом; C1, C2, C3 - 0,1 мкФ; V1, V2 - МП 26 или МП42; V3 - GT 402, GT403.


    Рис. 2.
    R1, R4 - 1 ком; R2, R3 - 39 ком; Р5 - 1ком; C1, C2, C3 - 0,1 мкФ; В1, В2 - КТ315; V3 - КТ815

    Номер опции 2.
    Как я отмечал выше, сигнал должен передаваться периодически, поэтому мы имитируем движение слоев земли, как до землетрясения.Этого можно добиться с помощью двух мультивибраторов, один из которых излучает нужный вам сигнал, второй управляет работой первого мультивибратора. В результате мы услышим «Bip-Pause-Bip Pause и т. Д.». Принципиальная схема представлена ​​на рисунке 3.


    Рис. 3.
    Детали: РП - 100ком; R1, R4, R6, R9 - 1 ком; R2, R3 - 47 кОм; R7, R8 - 27 ком; R5, R10 - 510 Ом; C1, C2, - 500 мкФ; C3, C4 - 0,22 мкФ; C5 - 0,1 мкФ; V1, V2, V4, V5 - MP 26 или MP42; V3, V6 - CT 814, CT 816; ВД1, ВД2 - ал 307; В1 - 0.5 или 1 Вт сопротивление 8 Ом.

    Рассмотрим, как работает электронная «начинка» репеллера на рис.3. Основа устройства - мультивибраторы. Один из них на транзисторах V4 и V5 генерирует колебания с частотой около 200 Гц. Транзистор V6 - усиливает мощность этих колебаний. Как видно из схемы мультивибратора, на транзисторах V4, V5, V6 находятся нагрузки правого плеча мультивибратора, собранные на транзисторах V1, V2, V3. Таким образом, питание на этот мультивибратор подается в то время, когда транзисторы V2, V3 открыты.При этом сопротивление их участков эмиттер - коллектор очень мало, а эмиттеры транзисторов V4, V5 и V6 оказываются практически подключенными к плюсовому выводу источника питания. Когда транзисторы V2, V3 закрыты, мультивибратор не генерирует. Другими словами, устройство на транзисторах V1, V2 и V3 играет роль автоматического ключа включения мультивибратора на транзисторах V4, V5, V6. Переменный резистор RP служит для изменения длительности паузы. Светодиоды VD1, VD2 предназначены для визуальной индикации режимов «пауза».В повторе можно использовать любые маломощные транзисторы, например структуры pNP серии MP, CT 361, CT 203, CT3107 и т. Д. Транзистор CT 816 можно заменить на GT402, GT403, P201, P214 и т. Д. В качестве источника питания можно использовать солнечные батареи, две последовательно подключенные батареи типа 3336 или от системы электроснабжения с выходным напряжением 4,5 - 9 В. Это устройство начинает работать сразу и не требует дополнительных настроек.

    Номер опции 3.
    Подземный отпугиватель грызунов можно собрать на очень распространенной микросхеме К155ЛА3 Применяя схему генератора прерывистых сигналов.

    А для усиления звука используйте двухтактный усилитель мощности с трансформатором-битой, как показано на рис. 4.1A и 4.1b, или используйте звуковой трансформатор от маломощных приемников, как показано на рис. 4.2. Напряжение источника питания - 4,5 - 5В. . Принцип работы генератора прерывистых сигналов аналогичен устройству, описанному в версии 2. Также он содержит два генератора, один из которых формирует нужную вам частоту звукового сигнала, он собран на LE и не DD1.3 DD1.4 , второй управляет работой первого и собран на LE и не DD1.1 DD1.2.

    Частота каждого генератора зависит от емкости конденсатора и сопротивления резистора. Для генератора на LE и - не DD1.3 DD1.4 - C2, R2 и, соответственно, для генератора на LE и НЕ DD1.1 DD1.2 - C1, R1. Частота генерируемых импульсов определяется зависимостью F = 1 / T; где T≈2,3кр, при соблюдении ограничительных условий по выбору сопротивления резистора 240 Ом

    рис. 4.1А.


    И так заполните детали устройства на рис.4.1a. Микросхема К155Л3 или К131Л3, С1 - 2200 мкФ, С2 - 4,7 мкФ, С3 - 47 - 100 мкФ, R1-R2 - 430 Ом, R3 - 1 ком, V1 - КТ315, V2 - КТ361 или другие маломощные транзисторы, например серия «МП». Динамическая головка мощностью 0,25 Вт со звуковой катушкой сопротивлением 8-10 Ом. Для увеличения мощности можно использовать транзисторы, например V1 - GT404, V2 GT402. Мощность 4,5 - 5В

    Рис. 4.1b.


    Вариант на рис. 4.1б отличается от варианта на рис. 4.1А. Более мощный выходной звуковой усилитель собран на трех транзисторах.Детали: Микросхема К155Л3 или К131Л3, С1 - 2200 мкФ, С2 - 4,7 мкФ, С3 - 47 - 200 мкФ, R1-R2 - 430 Ом, R3 - 1 ком, R4 - 4,7 ком, R5 - 220 Ом, V1 - КТ361 ( MP 26, MP 42, CT 203 и др.), V2 - GT404 (CT815, KT817), V3 - GT402 (CT814, KT816). Динамическая головка мощностью 0,25 - 0,5 Вт со звуковой катушкой сопротивлением 8 - 10 Ом. Мощность 4,5 - 5В

    Рис. 4.2.


    В варианте на рис. 4.2 в качестве выходного усилителя применяется трансформатор ТВ-12 (применяется трансформатор от любого малогабаритного транзисторного приемника).Динамическая головка мощностью 0,25 Вт со звуковой катушкой сопротивлением 8-10 Ом. Мощность 4,5 - 5В

    Номер опции 4.
    В приведенных схемах генераторов прерывистых сигналов на микросхеме К155Л3 емкость большего бака и резисторы малого сопротивления включают сокращенный диапазон плавной регулировки частоты управляющих импульсов. В репеллерах, схема которых изображена на рис. 5, подобный недостаток устраняется включением транзистора на входы ЛЭ DD1.1, который играет роль эмиттерного повторителя с большим входом и низким выходным сопротивлением. Следовательно, можно использовать резисторы с большим сопротивлением, чем в предыдущих схемах, и ограничивающее условие для выбора сопротивления выглядит как 240 Ом Рис. Пять

    Используемые детали: микросхема K155L3 или K131L3, C1 - 100 мкФ, C2 - 4,7 мкФ, R1 - 260 Ом, R2 - 430 Ом, R3 - 1 com, RP -30 com, V1 - KT361 (MP 26, MP 42, CT203 и др.), V2 - GT404 (CT815, KT817).Динамическая головка мощностью 0,5 Вт со звуковой катушкой сопротивлением 8-10 Ом. Питание 4,5 - 5В.

    Номер опции 5.
    И еще одно устройство на довольно распространенной зарубежной микросхеме из 4000 серии. Эта конструкция взята из книги Ньютона С. Браги «135 любительских устройств на микросхеме». (Устройство звуковой сигнализации Project 25 с мощным выходом (E, P), стр. 73)

    Хоть статья и относится к сигнализации, но это устройство для отпугивания подземных грызунов идеально подходит для нашей темы.У конструкции есть ряд положительных сторон. Рассмотрим подробно принцип работы устройства. Выходной каскад на транзисторах они способны отдать в громкоговорители несколько сотен миллионов сотен миллионов. Как и в предыдущих схемах, устройство состоит из звукового генератора на LE DD1.2 и управляющего генератора на LE DD1.1. Частота повторения сигналов регулируется резистором RP1, переменным резистором аудиотона RP2. Изменение тона и частоты пакетов импульсов может быть выбрано соответствующими конденсаторами C1 и C2.Можно поэкспериментировать, изменяя их значения в соответствии с назначением прибора. Принципиальная схема устройства представлена ​​на рис. 6.

    Ток, потребляемый током - около 50 мА. Питание микросхемы 3-9 В. Для улучшения акустических характеристик громкоговоритель необходимо разместить на пластиковой поверхности или в небольшом корпусе. Микросхема CD 4093, отечественный аналог К561ТЛ1.
    Рис. 6.


    Используемые детали: RP1 - 1,5 МОм, RP2 - 47 ком, R1 - 100 ком, R2 - 47 ом, R3 - 4.7 ком, C1 - 47 мкФ, C2 - 0,1 мкФ, C3 - 47 мкФ, C4 - 100 мкФ. V1 - KT315 (KT815), V2 - KT361 (KT814), динамик 0,25-0,5 Вт- 4-8 Ом. Квадратные батарейки типа 3336 идеально подходят для питания устройства.

    Желаю удачи, смело экспериментируйте, пробуйте. В левом столбце предлагаются варианты изготовления описываемых устройств. И будем гордиться самыми злостными и приносящими ощутимый ущерб - мышам, крысам и т. Д.

    2. Крысы, мыши, лошади, «киски», бурундуки

    Эти надоедливые «соседи» наносят ущерб не только в саду, но и в быту, на складах, в подвалах, в подвалах, местах хранения продуктов, в фуражках кораблей, в гаражах, портят проводку электронной почты.Питание, распространение болезней намного больше. Подумайте - ведь на покупку или изготовление отпугивающего приспособления вы потратите меньше средств и сил, чем постоянно приобретая яды, отравленную приманку, накидки, теряя деньги.

    Дробилки от грызунов

    используются не только в садах и огородах, но и в различных помещениях: хозяйственных, складских, жилых (квартиры, офисы, загородные дома и др.), Подвалах, в зернохранилищах, а также на промышленных и животноводческих предприятиях.

    Каков принцип работы данного устройства? В чем его преимущества перед другими методами? Отпугиватель грызунов излучает ультразвуковые волны (с частотой более 20 кГц), которые, в свою очередь, отпугивают грызунов.

    Частоты ультразвука крайне негативно влияют на крыс и мышей. Излучаемые звуковые волны вызывают у них беспокойство, страх, поэтому грызуны, как правило, покидают помещение, облученное ультразвуком. Отпугиватели крыс прошли лабораторные испытания, в результате которых было установлено, что при постоянном воздействии крыса и мышь нарастающее стрессовое состояние переживает и в течение нескольких недель покидает помещение. Обычно срок их ухода составляет от двух до четырех недель, в зависимости от вида грызунов, их количества и количества ультразвукового излучения.Мыши и бьются в течение двух недель после рождения глухими, поэтому УЗИ сначала на них не действует. Рекомендуемое время воздействия - от четырех до шести недель. А в качестве профилактики прибор может работать постоянно.

    Перейдем к описанию устройств. Заранее хочу предупредить, что на высоких частотах нам нужно более мощное усиление сигнала, чем в устройствах для отпугивания подземных грызунов, это связано с особенностью прохождения высокочастотного сигнала в воздухе и с возможностью воспроизведения сигнал с высокочастотными динамическими головками.В результате репеллеры потребляют больший ток и питают их от сети переменного напряжения или от автомобильного аккумулятора. Среднее потребление тока разрядниками во время работы составляет от 250 до 800 мА для ЭЛ-метра. Подобное потребление энергии практически не заметно, но для аккумуляторов уже существенно.

    Номер опции 1
    Предложенную схему на рис. 7 вы уже видели в устройствах на кротовой разнице в выходном каскаде. Для увеличения выходной мощности здесь применен составной транзистор, а в генераторе сигналов добавлен переменный резистор.Динамик должен быть высокочастотным с сопротивлением динамической головки 8 Ом. Подойдет, например, от телевизора - 2ГД-36К, 8 Ом ГОСТ9010-78, или от колонок. Для увеличения напряжения в наших маленьких подопечных, помимо изменения длины резистора паузы RP1, я добавил переменное сопротивление RP2 для изменения частоты сигнала в пределах 15 кГц. Такое сочетание усиливает стресс у животных, а периодическая смена звуковых частот заставляет крыс и мышей уходить от вас быстрее.

    Отпугиватель излучает звуковой сигнал от 28 кГц до 44 кГц.В аппарате отношение паузы 1/3. Напряжение питания 5 В. Соотношение в выборе сопротивлений такое же, как в описываемых устройствах для подземных грызунов на микросхеме К155Л3 chip3.

    Рис.7.

    Концепция

    IN На рис. 7 Используются следующие детали: Микросхема K155L3 или K131L3, C1 - 100 мкФ, C2 - 0,033 мкФ, R1 - 260 Ом, R2 - 240 Ом, R3 - 1 ком, RP1 -30 ком, RP2 -220 Ом V1 - KT361 ( MP 26, MP 42, KT203 и др.), V3 - GT404 (CT815, KT817). Мощность 4.5 - 5В.

    Номер опции 2.
    По крайней мере, на первый взгляд такая схема кажется сложной, считаю наиболее практичной и универсальной. Как и все предыдущие варианты, при правильной сборке и исправности детали сразу начинают работать. Выходная мощность 0,8 - 1Вт.

    Рис.8.

    Как сделать радиатор для подземных грызунов.
    В разных средах низкочастотная звуковая волна применяется с разной скоростью А на разном расстоянии.В качестве излучателя мы используем обычный динамик от старого радио. Для повышения эффективности работы и увеличения площади распространения звуковой волны можно просто прикрепить динамик к квадратной или круглой пластине из пластика. Смотрите их.

    Диффузор громкоговорителя при движении вперед сжимает воздух впереди и выбрасывает его из сада. Эти области сжатия и разгрузки, усиливающие диффузор, накладываются друг на друга и взаимно разрушаются. При движении диффузора получается такая же картина.Такой эффект называется акустическим «коротким замыканием»: диффузор только различает воздух с одной стороны на другую.

    Для устранения этого эффекта громкоговоритель усилен на экране (экране). В этом случае изменение давления в воздушном слое, непосредственно прилегающем к диффузору, будет передаваться, и идти дальше, т.е. будет более мощное излучение звука.

    Собранный эмиттер поместить в плотный полиэтилен, чтобы влага не падала и могла закапываться в нужном месте на глубину 30-50см.

    Если у вас есть какие-либо вопросы, вы можете оставить сообщение по адресу: [Email Protected] Я с удовольствием поделюсь вашим опытом.

    Конструктивно любая колор-холодная (светомузыкальная) инсталляция состоит из трех элементов. Блок управления, блок усиления мощности и выходное оптическое устройство.

    В качестве выходного оптического устройства можно использовать гирлянды, можно оформить в виде экрана (классический вариант) или применить электрические лампы направленного действия - прожекторы, фары.
    То есть любыми средствами, позволяющими создать определенный набор красочных световых эффектов.

    Блок усиления мощности представляет собой усилитель (усилители) на транзисторах с тиристорным управлением выходом.От параметров используемых в нем элементов зависит напряжение и мощность источников света выходного оптического устройства.

    Блок управления регулирует интенсивность света и чередует цвета. В сложных специальных инсталляциях, предназначенных для оформления сцены во время различных видов шоу - цирковых, театральных и эстрадных, эта установка управляется вручную.
    Соответственно, участие не менее одного обязательно, а максимальное - групп операторов осветителя.

    Если блок управления управляется непосредственно музыкой, он работает для любой заданной программы, блок выбора цвета считается автоматическим.
    Именно таких «колористок» обычно собирают начинающие дизайнеры своими руками - радиолюбители на протяжении последних 50 лет.

    Самая простая (и популярная) схема «цветных баб» на тиристорах ку202н.


    Это самая простая и, пожалуй, самая популярная цветовая схема консоли на тиристорах.
    Тридцать лет назад я впервые увидел возле себя полноценный, работающий «легкий суммутор». Ее собрал мой одноклассник с помощью старшего брата. Это была такая схема. Несомненным плюсом является простота, при достаточно очевидном разделении режимов работы всех трех каналов. Лампы не мигают при этом красный канал низких частот Устойчиво мигает в ритме с ударом, средний - зеленый отвечает в диапазоне человеческого голоса, высокочастотный синий реагирует на все остальное тонкое - звон и окантовку.

    Недостаток - предварительный усилитель мощности на 1-2 Вт. Товарищу пришлось почти «полностью» отключить свою «электронику», чтобы добиться достаточно стабильной работы устройства. В качестве входного трансформатора использовался понижающий тр-п от радиостанции. Вместо этого можно использовать любой малогабаритный понижающий сетевой транс. Например, от 220 до 12 вольт. Просто подключите его, нужно наоборот - обмотка низкого напряжения на входе усилителя. Резисторы любые, мощность от 0.5 Вт. Конденсаторы тоже любые, вместо тиристоров КУ202Н можно взять КУ202М.

    Схема «Токи» на тиристорах CU202N, с активными фильтрами частоты и усилителем тока.

    Схема рассчитана на работу с линейным аудиовыходом (яркость лампы не зависит от уровня громкости).
    Рассмотрим подробнее, как это работает.
    Звуковой сигнал подается с линейного выхода на первичную обмотку разделительного трансформатора. С вторичной обмотки трансформатора сигнал поступает на активные фильтры, через резисторы R1, R2, R3, регулирующие его уровень.
    Отдельная регулировка необходима для настройки качества устройства, путем выравнивания уровня яркости каждого из трех каналов.

    С помощью фильтров сигналы разделяются по частоте - на три канала. По первому каналу идет Самая низкая составляющая сигнала - фильтр отсекает все частоты выше 800 Гц. Настройка фильтра осуществляется подстроечным резистором R9. Емкости конденсаторов С2 и С4 на схеме указаны - 1 мкФ, но как показала практика - их емкость следует увеличить как минимум до 5 мкФ.

    Фильтр второго канала настроен на среднюю частоту - примерно от 500 до 2000 Гц. Настройка фильтра производится с помощью подстроечного резистора R15. Емкости конденсаторов С5 и С7 в схеме указаны - 0,015 мкФ, но их емкость следует увеличить, до 0,33 - 0,47 мкФ.

    Согласно третьему, высокочастотный канал пропускает все, что выше 1500 (до 5000) Гц. Настройка фильтра выполняется с помощью подстроечного резистора R22. Емкости конденсаторов С8 и С10 в схеме указаны - 1000 ПФ, но их емкость следует увеличить до 0.01 мкФ.

    Далее сигналы каждого канала детектируются отдельно (используются немецкие транзисторы серии D9), усиливаются и подаются на оконечный каскад.
    Оконечный каскад выполняется на мощных транзисторах, либо на тиристорах. В данном случае это тиристоры ку202н.

    Далее, это оптическое устройство, конструкция и внешний вид которого зависят от фантазии конструктора, а начинка (лампы, светодиоды) - от рабочего напряжения и максимальной мощности выходного каскада.
    В нашем случае это лампы накаливания 220В, 60Вт (при установке тиристоров на радиаторах - до 10 шт. На канал).

    Порядок сборки схемы.

    О деталях консоли. Транзисторы
    CT315 могут быть заменены другими кремниевыми n-P-N транзисторами со статическим усилением не менее 50. Постоянные резисторы - МЛТ-0,5, переменные и подстроечные - СП-1, СПО-0,5. Конденсаторы - любого типа.
    Трансформатор Т1 с коэффициентом 1: 1, поэтому можно использовать любой с подходящим количеством витков.При самостоятельном изготовлении можно использовать Магнитопровод С10Х10, а обмотки покрывают проводом ПЭВ-1 0,1-0,15 на 150-300 витков каждая.

    Диодный мост для питания тиристоров (220В) выбираем исходя из предполагаемой мощности нагрузки, не менее 2а. Если количество ламп на канал увеличить - потребляемый ток потребляемый.
    Для питания транзисторов (12В) можно использовать любой стабильный блок питания на рабочий ток до минимального - 250 мА (а лучше - больше).

    Сначала каждый канал колористки собирается отдельно на дампинге.
    Причем сборка начинается с выходного каскада. Собрав выходной каскад, проверьте его работоспособность, подав на его вход достаточный уровень.
    Если этот каскад работает нормально, они собирают активный фильтр. Далее - еще раз проверьте работоспособность произошедшего.
    В итоге после тестирования имеем реально рабочий канал.

    Аналогично необходимо собрать и перестроить все три канала.Такая расточка гарантирует безоговорочную работоспособность устройства после «чистовой» сборки на плате, если работа будет проведена без ошибок и с использованием «проверенных» деталей.

    Возможен вариант печати (для текстолита с односторонней фольгой). Если вы используете более общий конденсатор в канале с самой низкой частотой, расстояния между отверстиями и проводниками придется изменить. Более технологичным вариантом может быть использование текстолита с двусторонними пленками - он поможет избавиться от перемычек навесных проводов.

    Использование любых материалов данной страницы, разрешенных при наличии ссылки на сайт

    У каждого настоящего радиолюбителя есть микросхема К155ЛА3. Но они обычно считаются сильно устаревшими и не могут найти им серьезного применения, так как на многих радиолюбительских сайтах и ​​в журналах обычно описываются только вспышки вспышек, игрушки. В рамках данной статьи мы постараемся расширить кругозор радиолюбителя в части использования схем с использованием микросхемы К155Л3.

    Данная схема может использоваться для зарядки мобильного телефона от прикуривателя бортовой сети автомобиля.

    На ввод любительской постройки можно подавать до 23 вольт. Вместо устаревшего транзистора П213 можно использовать более современный аналог КТ814.

    Вместо диодов D9 можно применить D18, D10. Вареники SA1 и SA2 используются для проверки транзисторов с прямой и обратной проводимостью.

    Для исключения перегрева фар можно установить реле времени, которое отключит стоп-сигналы, если они горят более 40-60 секунд, время можно изменить подбором конденсатора и резистора.При отпускании и следующем нажатии педали фонари снова включаются, так что безопасность вождения не влияет на

    Для повышения КПД преобразователя напряжения и предотвращения сильного перегрева на выходном каскаде преобразователя применены полевые транзисторы с низким сопротивлением.


    Сирена используется для подачи мощного и сильного звукового сигнала, чтобы привлечь внимание людей и эффективно защитить левый велосипед, оставленный на короткое время.

    Если вы владелец сада, виноградника или дома в деревне, то вы знаете, какой колоссальный ущерб могут нанести мыши, крысы и другие грызуны, и какой затратный неэффективен, а иногда и опасен стандартными методами борьбы с грызунами

    Практически все радиолюбители и конструкции имеют в своем составе стабилизированный источник питания.А если ваша схема работает от напряжения питания 5 вольт, то лучшим вариантом будет трехпозиционный интегральный стабилизатор 78L05

    .

    Помимо микросхемы в нем есть яркий светодиод и несколько компонентов обвязки. После сборки устройство сразу начинает работать. Регулировка не требуется, кроме регулировки продолжительности вспышек.

    Напомним, что у конденсатора С1 номиналом 470 мкФ в схеме строго соблюдение полярности.


    Используя номиналы резистора резистора R1, можно изменить длину вспышки светодиода.

    Сирена используется для подачи мощного и сильного звукового сигнала для привлечения внимания людей и применяется в системах пожарной сигнализации и автоматизации, а также в сочетании с устройствами сигнализации на различных охраняемых объектах.

    Генераторы на схеме отмечены желтой рамкой. Первый G1 задает частоту изменения тона, а второй G2 сам, который плавно меняется на транзисторе VT1, включенном последовательно через проход R2. Для выбора нужного звука можно использовать подстроечные резисторы того же номинала вместо сопротивлений R1, R2.

    Когда вы включаете напряжение питания, излучатель звука начинает генерировать тональный акустический сигнал, высота тона меняется от высокого к низкому и обратно. Сигнал звучит непрерывно, меняется только тон звука, который переключается с частотой 3-4 Гц.

    В схеме сирены использованы два мультивибратора на элементах D1.1 и D1.2 микросхемы К561ЛН2, управляющие тональным сигналом, и мультивибратор на элементах D1.3 и D1.4 одной микросхемы, генерирующей тональные сигналы.Частота импульсов, генерируемая первым мультивибратором на элементах D1.3 и D1.4, зависит от элементов C2, R2 и C3, R4. Изменение частоты следования импульсов, и поэтому тон звукового сигнала может быть как сопротивлениями, так и баками.

    Предположим, в начальный момент на выходе мультивибратора на элементах D1.1 и D1.2 присутствует уровень логической единицы. Поскольку катод диодов VD1 и VD2 входит в плюс, то диоды будут заблокированы. Сопротивления R4 и R5, в работу схемы не входят и частота на выходе мультивибратора минимальная, звучит негромкий сигнал.

    Как только на выходе этих элементов установится логический ноль, диоды VD1 и VD2 откроются и соединят сопротивления R4 и R5. В результате Мультивибратор прищемил увеличится.

    Транзисторы, используемые в схеме транзисторов CT815, можно заменить на КТ817, а КТ814НА - КТ816. Диоды - КД521, КД522, КД503, КД102.

    Следующее устройство можно использовать в качестве будильника или звукового сигнала для горного велосипеда. Это двумерная сирена, состоящая из тактового генератора на DD1.Элементы 1-DD1.3, два тональных генератора (первый на элементах DD2.1, DD2.2 и второй на элементах DD2.3, DD2.4), согласующие каскад с усилителем мощности на элементе DD1.4 и транзисторе VT1 .

    Схема состоит из двух генераторов. Первый используется для генерации тона, второй - для изменения и модуляции.

    Для максимального объема громкости необходимо, чтобы частота соответствовала его резонансной частоте согласно мостовой схеме.

    Основа конструкции - мощный мультивибратор 4047, работающий в нестабильном режиме.Все это управляется мощным полевым МОП-транзистором VT1, который управляет таймером NE555, генерируя соответствующие прямоугольные низкочастотные импульсы, в результате чего возникает пожарная сирена. Переключение режимов работы непрерывное или прерывистое устанавливается тумблером.

    Выводы 10 и 11 микробрикса 4047 выдают противофазу, сигналы от которой управляют мостом на четырех полевых МОП-транзисторах. Для получения максимальной громкости, то есть установки резонансной частоты пьезоэлемента, в конструкцию добавлено признание сопротивления R6.

    Данная схема представляет собой комбинацию музыкального синтезатора на микросхеме ISMS-8-08 с мощным выходным каскадом электронной сирены. Для запуска схемы применяется реле, обмотка которого имеет гальванический переход от остальной схемы.


    Микросхема UMS имеет стандартную схему подключения. Три кнопочных переключателя S1-S3 позволяют настроить микросхему на исполнение одной из мелодий. При нажатии на первую кнопку начинается воспроизведение мелодии, а при нажатии на третью можно отсортировать мелодии и выбрать нужную.


    Подборка нескольких схемных схем на микроконтроллерах PIC

    Схема представляет собой простую многокожную сирену на базе UM3561 micro

    .

    На схеме использован динамик на 8 Ом, мощностью 0,5 Вт. С помощью двух переключателей, выбирающих и проигрывающих разные тоны звукового сигнала будильника. Каждая позиция генерирует свой звуковой эффект.

    Схема ниже была собрана в подростковом возрасте, в кружке радиотехники. И безуспешно.Возможно, что микросхема К155ЛА3 еще не подходит для аналогичного металлоискателя, частота 465 кГц не самая подходящая для таких устройств, и может возникнуть необходимость экранировать поисковую катушку как в остальной части раздела «Металл. детекторы «

    » В целом получившаяся «Пищака» среагировала не только на металлы, но и на руку и другие неметаллические предметы. К тому же микросхемы 155-й серии слишком экономичны для портативных устройств.

    Радио 1985 г. - 2 л.61. Металлоискатель простой
    .

    Металлоискатель простой

    Металлоискатель

    , схема которого представлена ​​на картинке, можно собрать буквально за несколько минут. Он состоит из двух практически идентичных LC-генераторов, выполненных на элементах DD1.1-DD1.4, детектора по схеме удвоения выпрямленного напряжения на диодах VD1. VD2 и высокопрочные (2 ком) наушники BF1 меняют звук, звук звука которых свидетельствует о наличии металлического предмета антенны под катушкой-антенной.

    Генератор, собранный на элементах DD1.1 и DD1.2, возбуждается сам по себе на частоте резонансного согласованного колебательного контура L1C1, настроенного на частоту 465 кГц (используются элементы FIS-фильтра супергометодинного приемника). Частота второго генератора (DD1.3, DD1.4) определяется индуктивностью катушки-антенны 12 (30 витков провода ПЭЛ 0,4 на оправке диаметром 200 мм) и конденсатора конденсатор емкости С2 переменный.позволяет настроить металлоискатель на обнаружение предметов определенной массы перед поиском. Биения, возникающие в результате смешения колебаний обоих генераторов, регистрируются диодами VD1, VD2. Фильтруются конденсатором C5 и поступают в наушники BF1.

    Все устройство собрано на небольшом PCB, позволяющем питаться от плоского аккумулятора для карманного фонарика, что делает его очень компактным и удобным в обращении

    Janeczek a Prosty Wykrywacz Melalia. - Радиоэлектромк, 1984, № 9 с. 5.

    От редакции.При повторении в металлоискателе можно использовать микросхему К155ЛА3, любые высокочастотные немецкие диоды от Радио от Радио "Альпинист".

    Эта же схема более подробно рассмотрена в сборнике Адаменко М.В. "Металлоискатели" М.2006 (скачать). Более поздняя статья из этой книги

    3.1 Металлоискатель простой на микросхеме К155ЛА33

    Начинающим радиолюбителям можно порекомендовать повторить конструкцию простого металлоискателя, за основу которого легла схема, неоднократно публиковавшаяся в конце 70-х годов прошлого века в различных отечественных и зарубежных специализированных изданиях.Этот металлоискатель, выполненный всего на одной микросхеме типа К155Л3, можно собрать за несколько минут.

    Принципиальная схема

    Предлагаемая конструкция является одним из многочисленных вариантов методик-датчиков типа BFO (Beat Frequency Oscillator), то есть устройство основано на принципе анализа биений двух близких по частоте сигналов (рис. 3.1). При этом в этой конструкции оценка изменения частоты ударов осуществляется на слух.

    Основа прибора - измерительные и опорные генераторы, детектор колебаний ВЧ, схема индикации и стабилизатор напряжения питания.

    В рассматриваемой конструкции используются два простых LC-генератора, выполненных на микросхеме IC1. Схемотехнические решения этих генераторов практически идентичны. В этом случае первый генератор, являющийся эталонным, собран на элементах IC1.1 и IC1.2, а второй, измерительный или перестроенный генератор выполнен на элементах IC1.3 и IC1.4.

    Схема опорного генератора образована конденсатором С1 емкостью 200 ПФ и катушкой L1. В схеме измерительного генератора используется переменный конденсатор С2 максимальной емкостью около 300 ПФ, а также поисковая катушка L2.При этом оба генератора настроены на рабочую частоту примерно 465 кГц.


    Рис. 3.1.
    Концепция металлоискателя на микросхеме К155Л3

    Выходы генераторов через отключающие конденсаторы СЗ и С4 подключены к детектору колебаний ВЧ, выполненных на диодах Д1 и Д2 по схеме удвоения выпрямленного напряжения. . Нагрузкой детектора являются наушники BF1, на которые выдается сигнал низкочастотной составляющей.В этом случае конденсатор C5 шунтирует нагрузку на верхних частотах.

    Когда поисковая катушка L2 приближается по колебательному контуру перестраиваемого генератора к металлическому объекту, ее индуктивность изменяется, что вызывает изменение рабочей частоты этого генератора. В то же время, если рядом с катушкой L2 находится черный металл (ферромагнетик), его индуктивность увеличивается, что приводит к снижению частоты перестраиваемого генератора. Цветной металл снижает индуктивность катушки L2, а рабочая частота генератора увеличивается.

    ВЧ-сигнал, сформированный в результате смешения сигналов измерительного и опорного генераторов после прохождения через конденсаторы С3 и С4, подается на детектор. В то же время амплитуда радиочастотного сигнала зависит от частоты биений.

    Низкочастотная огибающая ВЧ-сигнала выделяется детектором, выполненным на диодах D1 и D2. Конденсатор С5 обеспечивает фильтрацию высокочастотной составляющей сигнала. Далее сигнал биений поступает в наушники BF1.

    Питание на микросхему IC1 подается от источника B1 напряжением 9 В через стабилизатор напряжения, образованный стабилитроном D3, балластным резистором R3 и управляющим транзистором T1.

    Детали и дизайн

    Для изготовления рассматриваемого металлоискателя можно использовать любую серийную плату. Поэтому никаких ограничений, связанных с деталями, не представлено. Габаритные размеры. Установка может быть как прикрепленной, так и распечатанной.

    При повторении металлоискателя можно использовать микросхему К155ЛА3, состоящую из четырех логических элементов 2И без питания от общего источника постоянного тока.В качестве конденсатора С2 можно использовать конденсаторную настройку от рации (например, от Радио «Альпинист»). Диоды D1 и D2 можно заменить любыми высокочастотными немецкими диодами.

    Контур катушки L1 опорного генератора должен иметь индуктивность около 500 мкг. В качестве такой катушки рекомендуется использовать, например, катушку FIS-фильтра супергометодинного приемника.

    Измерительная катушка L2 содержит 30 витков провода ПАЛ диаметром 0,4 мм и выполнена в виде тора диаметром 200 мм.Эту катушку проще сделать на жестком каркасе, но можно и без нее. В этом случае в качестве временного каркаса можно использовать любой подходящий круглый предмет, например банку. Катушки катушки наматываются, после чего они снимаются с рамы и экранируются электростатическим экраном, который представляет собой незафиксированную ленту из алюминиевой фольги, намотанную на жгут проводов. Зазор между началом и концом намотки ленты (зазор между участками экрана) должен быть не менее 15 мм.

    При изготовлении катушки L2 нужно особо следить, чтобы этого не произошло - замыкание концов экранирующей ленты есть, так как в этом случае образуется виток короткого замыкания.Для увеличения механической прочности змеевик можно пропитать эпоксидным клеем.

    Для исходных звуковых сигналов следует применять высокопрочные наушники с большим сопротивлением (около 2000 Ом). Подойдет, например, всем известный телефон Та-4 или тон-2.

    В качестве источника питания B1 можно использовать, например, батарею Krone или две батареи типа 3336l, соединенные последовательно.

    В стабилизаторе напряжения емкость электролитического конденсатора С6 может быть от 20 до 50 мкФ, а конденсатора С7 - от 3300 до 68000 ПФ.Напряжение на выходе стабилизатора, равное 5 В, задается тактовым резистором R4. Такое напряжение будет поддерживаться без изменений даже при значительном разряде аккумуляторов.

    Следует отметить, что микросхема К155ЛАЗ рассчитана на источник питания с напряжением 5 В. Поэтому при желании из схемы можно исключить блок стабилизатора напряжения и использовать один аккумулятор типа 3336л или аналогичный, что позволяет собрать компактную конструкцию. Однако разряд этого аккумулятора очень быстро скажется на функциональных возможностях этого металлоискателя.Поэтому необходим блок питания, обеспечивающий формирование стабильного напряжения 5 В.

    Следует признать, что в качестве источника питания автор использовал четыре больших круглых импортных аккумулятора, соединенных последовательно. В данном случае напряжение 5 В формировалось интегральным стабилизатором типа 7805.

    Плата с расположенными на ней элементами и блоком питания помещается в любой подходящий пластиковый или деревянный корпус. На крышке корпуса, переключателе S1 установлен конденсатор переменной емкости C2, а также разъемы для подключения поисковой катушки L2 и наушников BF1 (эти разъемы и переключатель S1 не указаны на основании).

    Заработная плата

    Как и настройку других металлоискателей, данное устройство следует настраивать в условиях, когда металлические предметы удалены от поисковой катушки L2 на расстояние не менее одного метра.

    Сначала с помощью частотного или осциллографа необходимо настроить рабочие частоты опорного и измерительного генераторов. Частота опорного генератора устанавливается примерно на 465 кГц регулировкой сердечника катушки L1 и, при необходимости, подбором емкости конденсатора С1.Перед настройкой необходимо будет отключить соответствующий конденсатор с С3 от детекторных диодов и конденсатора С4. Далее необходимо отключить соответствующий конденсатор с С4 от детекторных диодов и от конденсатора С3, а регулировку конденсатора С2 установить так, чтобы частота измерительного генератора отличалась от частоты опорного генератора примерно на 1 кГц. . После восстановления всех подключений металлоискатель готов к работе.

    Порядок работы

    Проведение поисковых работ С помощью рассматриваемого металлоискателя никаких особенностей не имеет.Для практического использования Прибор следует с конденсатором C2 с необходимой частотой сигналов beagi, которая меняется при разряде батареи, изменении температуры окружающей среды или отклонении магнитных свойств почвы.

    Если во время работы частота сигнала в наушниках изменится, это говорит о наличии неметаллического предмета в зоне действия поисковой катушки L2. При приближении к одним металлам частота бега увеличивается, а при приближении к другим - уменьшается.Изменяя тональность сигнала биений, имея определенный опыт, можно легко определить, из какого металла, магнитного или немагнитного, сделан обнаруженный объект.

    Цепь регулятора скорости вентилятора 12 В

    Элементы питания блоков питания или усилителей мощности, которые нуждаются в охлаждении, не всегда работают на полную мощность, и если для охлаждения используется вентилятор 12 В, он будет создавать избыточный шум из-за разбазаривания радиатора. Предлагаемое устройство позволит минимизировать шум за счет изменения скорости вращения лопастей пропорционально температуре нагрева радиатора.

    Схема регулятора представлена ​​ниже.

    Переход база-эмиттер транзистора VT1 используется как датчик температуры. Когда через переход транзистора проходит стабильный ток, изменение температуры на 1 градус вызывает прямое падение напряжения примерно на 2,1 мВ. Источник стабильного тока 1,25 мА собран на стабилизаторе DA3, а источник опорного напряжения 2,5 В - на DA1. Оба стабилизатора способствуют получению стабильных характеристик регулятора при изменении температуры окружающей среды и напряжения питания.

    При нагревании транзистора VT1 прямое падение напряжения на нем начинает уменьшаться. Операционный усилитель DA2.1 вычитает это напряжение из опорного напряжения, установленного подстроечным резистором R2, и умножает его на 5. Таким образом, нагрев транзистора VT1 приводит к линейному увеличению напряжения на выходе DA2.1 - 10,5 мВ на каждые градус Цельсия. Далее сигнал поступает на выходной усилитель, собранный на элементах DA2.2, VT2, VT4. Элементы VT3, VD1, R16, R17 образуют ограничитель, не позволяющий выходному напряжению превышать уровень 12.75 В. Этот уровень определяется суммой падения напряжения на стабилитроне VD1 и напряжения база-эмиттер транзистора VT3, при котором последний при открытии начинает ограничивать токовую базу VT2 и, следовательно, выходную мощность. Напряжение. Это позволяет без риска для вентилятора запитать регулятор от источника питания напряжением до 18 В и использовать его в уже собранных конструкциях, не имеющих источника +12 В. Резистор R9 обеспечивает начальное смещение выходного напряжения усилителя, так как вращение лопастей 12-вольтовых вентиляторов в зависимости от их мощности прекращается при напряжении меньше 5... Резисторы R11, R12 ООС 4 В. определяют коэффициент усиления, или, другими словами, значение температуры, при котором скорость вращения достигает максимума. С номиналами, указанными на диаграмме, это около 65 градусов.

    Чертежи расположения элементов, печатная плата и фото собранного устройства показаны ниже.




    Наладка регулятора начинается с подбора номинала резистора R9 - установки минимальной скорости вращения.Для этого на плату подается питание 12 ... 18В, подключается вентилятор, регулировочный винт R2 откручивается в нижнее положение согласно схеме. Напряжение, подаваемое на вентилятор, должно быть в диапазоне 4,5 ... 4,9 В. Удерживая и отпуская лопасти, убедитесь, что установленное напряжение достаточно для их запуска и вращения. Если это окажется неверным, уменьшите номинал R9, если выходное напряжение мало для надежного запуска лопастей, или увеличьте, если начальная скорость высока.

    На следующем этапе регулировочный винт R2 плавно закручивается в верхнее положение по схеме, при этом напряжение на выводе 1 ОУ DA2.1 контролируется вольтметром. Управляемое напряжение от начального значения 37 ... 47 мВ доводят до 50 ... 60 мВ. После этого шага настройка завершена, контроллер готов к работе.

    Если требуется более интенсивное охлаждение, необходимо увеличить сопротивление резистора R12. В этом случае температура радиатора будет ниже, но шум от вентилятора станет более заметным.

    В качестве датчика температуры можно использовать любой транзистор или диод. Транзисторы p-n-p структуры должны быть включены с обратной полярностью - эмиттер на вход 1, база - на вход 2 платы регулятора. Для большей точности усиления желательно выбирать пару резисторов R5, R6 и R7, R10 с минимальным разбросом сопротивлений соответственно. Стабилизатор сохраняет работоспособность при напряжении питания до 22 В. Однако не стоит забывать, что на транзисторе VT4 остается избыточное напряжение, что приводит к его интенсивному нагреву и необходимости более эффективного радиатора, чем на фото.

    Ниже представлено видео работы устройства. Мультиметр слева измеряет температуру датчика, прикрепленного к алюминиевой пластине, а мультиметр справа измеряет напряжение, подаваемое на вентилятор. На видео показан уровень ограничения выходного напряжения, а также температура, при которой скорость вращения оборотов начинает уменьшаться.

    Список радиоэлементов
    Обозначение Тип Номинал сумма Примечание Оценка Моя записная книжка
    DA1 Опорное напряжение IC

    LM385-2.5

    1 Поиск LCSC К ноутбуку
    DA2 Операционный усилитель

    LM358N

    1 Поиск LCSC К ноутбуку
    DA3 Линейный регулятор

    LM317L

    1 Поиск LCSC К ноутбуку
    VT1 Транзистор биполярный

    Bd139

    1 Поиск LCSC К ноутбуку
    VT2, VT3 Транзистор биполярный

    C945

    2 Поиск LCSC К ноутбуку
    VT4 Транзистор биполярный

    Bd140

    1 Поиск LCSC К ноутбуку
    Vd1 Стабилитрон 12 В 1 Поиск LCSC К ноутбуку
    C1-C3 Конденсатор 1 мкФ 3 Поиск LCSC К ноутбуку
    C4 Конденсатор 0.01 мкФ 1 Поиск LCSC К ноутбуку
    C5, C6 Конденсатор 100 мкФ 2 Поиск LCSC К ноутбуку
    R1 Резистор

    4,3 кОм

    1 Поиск LCSC К ноутбуку
    R2 Подстроечный резистор 2.2 кОм 1 Поиск LCSC К ноутбуку
    R3, R5, R13, R16 Резистор

    20 кОм

    4 Поиск LCSC К ноутбуку
    R4 Резистор

    1,5 кОм

    1 Поиск LCSC К ноутбуку
    R6, R7 Резистор

    100 кОм

    2 Поиск LCSC К ноутбуку
    R8, R17 Резистор

    1 кОм

    2


    Шум, производимый вентиляторами в современных компьютерах, довольно сильный, и это довольно распространенная проблема среди пользователей.Чтобы снизить уровень шума, производимого компьютерными вентиляторами системного блока, вы можете управлять скоростью вентилятора или кулера. В продаже имеются различные регуляторы, имеющие различные дополнительные функции и возможности (регулирование температуры, автоматическое регулирование скорости и т. Д.).

    Схема регулятора скорости вращения вентилятора.



    Схема довольно проста и содержит всего три электронных компонента: транзистор, резистор и переменный резистор.

    В схему специально введен постоянный резистор R2, цель которого - ограничить минимальную скорость вентилятора, чтобы обеспечить его надежный запуск даже на самой низкой скорости.В противном случае пользователь может установить на вентилятор слишком низкое напряжение, при котором он будет продолжать вращаться, но которого будет недостаточно для его запуска при включении.

    Детали


    • В схеме используется довольно распространенный транзистор КТ815, его несложно достать на радиорынке или вообще выпасть из старой советской техники. Подойдет любой транзистор из серии КТ815, КТ817 или КТ819 с любой буквой в конце.
    • Используемый в схеме переменный резистор может быть абсолютно любого подходящего размера, главное, он должен иметь сопротивление 1 кОм.
    • Постоянный резистор может быть любого типа сопротивлением 1 или 1,2 кОм.
    Кроме того, стоит отметить, что если у вас возникнут трудности с приобретением переменного резистора необходимого сопротивления, то в схеме можно использовать переменный резистор R1 сопротивлением 470 Ом на 4,7 кОм, но также придется поменять сопротивление резистора R2, оно должно быть таким же, как в R1.

    Монтаж и подключение регулятора скорости.
    Вся схема монтируется непосредственно на ножках переменного резистора, и это очень просто:



    Наш подключает

    регулятор скорости

    разрыв цепи + 12В, как показано.
    Внимание! Если у вашего вентилятора 4 выхода, и их цвета: черный, желтый, зеленый и синий (на такой плюс питание подается по желтому проводу), то регулятор входит в разрыв желтого провода.

    Готовый, собранный регулятор скорости вращения вентилятора устанавливается в любое удобное место системного блока, например, в передней части заглушки, пятидюймового отсека или в заглушке карт расширения. Для этого просверливается отверстие необходимого диаметра под используемый вами переменный резистор, затем он вставляется в него и затягивается специальной гайкой, которая идет в комплекте.На ось переменного резистора можно надеть подходящую ручку, например, от старой советской техники.

    Стоит отметить, что если транзистор в вашем регуляторе сильно нагревается (например, при большом энергопотреблении вентилятора кулера или если через него подключено несколько вентиляторов), то его следует установить на небольшой радиатор. Радиатор может представлять собой кусок алюминиевой или медной пластины толщиной 2-3 мм, длиной 3 см и шириной 2 см. Но как показала практика, если обычный компьютерный вентилятор с потреблением тока 0.К регулятору подключается 1 - 0,2 А, тогда в радиаторе нет необходимости, так как транзистор очень слабо нагревается.

    • 02.12.2014

      Эта схема идеально подходит в качестве зарядного устройства для автомобильного аккумулятора с максимальным зарядным током 1,5 А. Основным преимуществом этой схемы является широкий диапазон входного напряжения, которое может варьироваться от 5 до 13 В. Основным элементом схемы является импульсный стабилизатор напряжения MC34063. Микросхема MC34063A используется в импульсных источниках питания с входом...

    • 29.11.2015

      На микросхеме TDA2050V можно собрать простой и недорогой одноканальный УМЗЧ мощностью 32Вт. Микросхема имеет низкий уровень искажений, защиту от короткого замыкания, тепловую защиту. Технические параметры: Количество каналов 1 Выходная мощность, Вт 32 Напряжение питания, В ± 25 Тип корпуса to220-5 Напряжение на нагрузке, В ± 22,5 Сопротивление нагрузки, Ом 4 Тип ...

    • 22.09.2014

      Эта схема предотвращает перезаряд аккумуляторов. По окончании заряда напряжение на одной батарее равно 1.4 ... 1,45В, на трех 4,2В плюс 1,5В на красном светодиоде и 1,8В на зеленом и даже 5,7В.

    Добавить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *