Какие основные характеристики транзистора КТ818. Для каких целей применяется КТ818. Какие особенности нужно учитывать при использовании КТ818 в электронных схемах.
Основные характеристики транзистора КТ818
Транзистор КТ818 представляет собой кремниевый биполярный транзистор p-n-p типа. Он относится к мощным низкочастотным транзисторам и выпускается в пластмассовом корпусе КТ-28 (TO-220). Рассмотрим основные характеристики данного транзистора:
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 40-90 В (в зависимости от модификации)
- Максимальный постоянный ток коллектора: 10 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 60 Вт
- Статический коэффициент передачи тока: 15-20 (в зависимости от модификации)
- Граничная частота коэффициента передачи тока: до 3 МГц
- Диапазон рабочих температур: от -45°C до +100°C
Транзистор КТ818 выпускается в нескольких модификациях — КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г, которые отличаются максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер и некоторыми другими параметрами.
Области применения транзистора КТ818
Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ818 находит широкое применение в различных электронных устройствах:
- Усилители мощности звуковой частоты
- Импульсные источники питания
- Регуляторы напряжения и тока
- Драйверы электродвигателей
- Ключевые и линейные схемы
КТ818 часто используется в качестве выходного транзистора в усилителях мощности, работающих в классе АВ. Его высокая допустимая мощность рассеивания позволяет получать значительную выходную мощность.
Особенности использования КТ818 в электронных схемах
При применении транзистора КТ818 в электронных устройствах следует учитывать ряд особенностей:
- Необходимость эффективного теплоотвода. Из-за высокой рассеиваемой мощности транзистор требует установки на радиатор достаточной площади.
- Чувствительность к перегреву. Превышение максимальной температуры перехода может привести к выходу транзистора из строя.
- Относительно низкое быстродействие. КТ818 не подходит для работы на высоких частотах.
- Большой разброс параметров. Коэффициент усиления по току может значительно отличаться у разных экземпляров.
Сравнение КТ818 с аналогами
КТ818 имеет ряд отечественных и зарубежных аналогов. Рассмотрим некоторые из них:
- КТ819 — комплементарная пара для КТ818, транзистор n-p-n типа
- КТ837 — близкий аналог с несколько меньшей мощностью
- TIP32 — зарубежный аналог с похожими характеристиками
- 2N6488 — мощный p-n-p транзистор с близкими параметрами
При выборе между КТ818 и его аналогами следует учитывать конкретные требования схемы по максимальному напряжению, току и мощности.
Схемотехнические решения с использованием КТ818
Рассмотрим несколько типовых схем применения транзистора КТ818:
Простой усилитель мощности звуковой частоты
Схема однотактного усилителя класса А на КТ818:
- Входной сигнал подается на базу через разделительный конденсатор
- В цепь эмиттера включен резистор для температурной стабилизации
- Нагрузка (динамик) подключается к коллектору через разделительный конденсатор
- Питание осуществляется от источника +30В
Стабилизатор напряжения
Схема простого стабилизатора на КТ818:
- Опорное напряжение формируется с помощью стабилитрона
- Операционный усилитель сравнивает выходное напряжение с опорным
- КТ818 работает в режиме эмиттерного повторителя
- Выходное напряжение регулируется делителем в цепи обратной связи
Рекомендации по монтажу и эксплуатации КТ818
Для обеспечения надежной работы транзистора КТ818 следует соблюдать ряд правил:
- Использовать качественный теплоотвод достаточной площади
- Применять теплопроводящую пасту между корпусом транзистора и радиатором
- Не превышать максимально допустимые токи и напряжения
- Обеспечить защиту от короткого замыкания в нагрузке
- При пайке использовать теплоотвод на выводах транзистора
Соблюдение этих рекомендаций позволит повысить надежность и долговечность устройств на основе КТ818.
Перспективы применения КТ818 в современной электронике
Несмотря на то, что транзистор КТ818 был разработан достаточно давно, он по-прежнему находит применение в современной электронике. Это обусловлено следующими факторами:
- Высокая надежность и проверенная временем конструкция
- Доступность и невысокая стоимость
- Простота применения в типовых схемах
- Наличие большого количества опубликованных схем и рекомендаций по применению
Однако следует отметить, что в новых разработках КТ818 все чаще заменяется на более современные транзисторы или интегральные схемы. Тем не менее, этот транзистор остается востребованным для ремонта и модернизации существующей аппаратуры.
Транзистор КТ818, КТ819 | Радиодетали в приборах
Транзисторы
30.06.2019
Arazbor
Транзистор КТ818, КТ819
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ818, КТ819
Золото: 0
Серебро: 0.0407
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором.
Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Понравилось это:
Нравится Загрузка…
Tags: транзисторТранзистор КТ818В
Срок доставки:
5 — 15 дней
Цена:
По запросу
Транзистор КТ818В p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- аАО.336.188 ТУ / 02
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 45 до + 100 С
- комплиментарная пара КТ819
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
| Вывод | Назначение |
| №1 | Эмиттер |
| №2 | Коллектор |
| №3 | База |
| Параметры | Обозначение | Ед.изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Обратный ток коллектора | Iкбо | мА | Uкб=40B | — | 1 |
| Статический коэффициент передачи тока КТ818А, В КТ818Б КТ818Г | h31э | — | Uкб = 5 B, Iэ =5 A | 15 20 12 | — |
| Граничное напряжение | Uкэо гр | В | Iэ =0. 3 A,tи= 270 330 мкс | 25 | — |
| КТ818А | |||||
| КТ818Б | 40 | ||||
| КТ818В | 60 | ||||
| КТ818Г | 80 | ||||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас | В | Iк=5A, Iб=0.5A | — | 2 |
| Параметры | Обознач. | Ед. изм. | Значение |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб | Uкэ max | В | 40 |
| КТ818А | |||
| КТ818Б | 50 | ||
| КТ818В | 70 | ||
| КТ818Г | 90 | ||
| Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 10 |
| Импульсный ток коллектора tи 100 | Iки max | А | 15 |
| Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 3 |
| Импульсный ток базы tи 100 | Iби max | А | 5 |
Рассеиваемая мощность при Ткорп. | Рк мах | Вт | 60 |
kt818 техническое описание и примечания по применению
ООО «Апекс Тул Групп»
КТ-8-18М-9 Ключ Unv, шестигранник 7/16, диаметр 18 мм, шестигранник 262,4 мм | Apex KT-8-18M-9ООО «Апекс Тул Групп»
КТ-8-18М-12 Гаечный ключ Unv 7/16 Hex Dr 18Mm Hex 338,6Mm | Apex KT-8-18M-12Технический паспорт kt818 (15)
| Деталь | ECAD-модель | Производитель | Описание | Тип | ПДФ |
|---|---|---|---|---|---|
| КТ818 | Другие | линейный транзистор | Сканировать | ||
| КТ818А | интеграл | Русский Транзистор | Оригинал | ||
| КТ818А | Другие | Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные) | Сканировать | ||
| КТ818А | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Сканировать | ||
| КТ818А | Другие | Shortform Transistor PDF Лист данных | Сканировать | ||
| КТ818АМ | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Сканировать | ||
| КТ818Б | интеграл | Русский Транзистор | Оригинал | ||
| КТ818Б | Другие | Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные) | Сканировать | ||
| КТ818Б | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Сканировать | ||
| КТ818Б | Другие | Транзистор Shortform PDF Лист данных | Сканировать | ||
| КТ818БМ | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Сканировать | ||
| КТ818Г | Другие | Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные) | Сканировать | ||
| КТ818Г | Другие | Транзистор Shortform PDF Лист данных | Сканировать | ||
| КТ818В | Другие | Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные) | Сканировать | ||
| КТ818В | Другие | Транзистор Shortform PDF Лист данных | Сканировать | ||
kt818 Листы данных Context Search
| Каталог данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
КТ805М Реферат: кт805бм КТ872А КТ837 КТ837К КТ818 КТ805 КТ837Б КТ837А КТ610А | Оригинал | KSC1623 3102М КТ805М кт805бм КТ872А КТ837 КТ837К КТ818 КТ805 КТ837Б КТ837А КТ610А | |
2T6551 Реферат: информационное приложение информационное приложение микроэлектроник микроэлектроник Heft KD 605 KT825 транзисторный KT 960 A Микроэлектроник информационное приложение KT827 микроэлектроник DDR | OCR-сканирование | ||
2Т931А Реферат: КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А | OCR-сканирование | МОКП51КОБ, KTC631 ТИ2023 II2033 ТТ213 ТИ216 fI217 II302 XI306 н306А 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А | |
2Т908А Реферат: 2T602 2T907A KT604 1HT251 1T813 2t903 KT920A PO6 115,05 KT117 | OCR-сканирование | Т-0574Д. 30Эиаа Coi03nojiH 2Т908А 2Т602 2Т907А КТ604 1HT251 1Т813 2т903 КТ920А ПО6 115,05 КТ117 | |
2010 — B0346 Аннотация: KT818G SM2184 B0744C b0912 KT818 SM2183 BOW46 2SA1444 2SB554R | Оригинал | v10торола 2САл116 2SAl169 2СБ600 2СБ645Р IOA1302 О-247вар B0346 КТ818Г СМ2184 B0744C б0912 КТ818 СМ2183 ЛУК46 2SA1444 2СБ554Р | |
т110 94в 0 Резюме: PTC SY 16P 2N2955T Philips диод PH 37m 2N3349 ASI 2N4948 NJS Trimble R8 модель 2 2n6259 ssi 2SA749 2sd73 | OCR-сканирование | Барселона-28, С-171 СН-5400 т110 94в 0 PTC SY 16P 2Н2955Т диод филипс PH 37m 2Н3349КАК И Я 2N4948 NJS тримбл R8 модель 2 2n6259 сси 2SA749 2сд73 | |
2010 — СМ2174 Реферат: SM2184 2N3055H MOTOROLA 2SD878 mj2955 TO-218 BDY73 BD130 BDY20 2SD151 2SA1042 | Оригинал | БДТ56 БДТ58 БД907 БД908 MJE1291 MJE1661 СМ2174 СМ2184 2N3055H МОТОРОЛА 2SD878 mj2955 ТО-218 БДИ73 БД130 BDY20 2СД151 2SA1042 | |
2010 — 2SD556 санкен Реферат: SDT9207 SM2176 2sd556 KT819G SDT9202 Bd184 SDT9803 KT818G 2N3055-7 | Оригинал | БДВ41 БДВ46 БДТ53 СМ2176 СМ2183 БД909 БД910 SDT9803 2СД556 санкен SDT9207 2сд556 КТ819Г SDT9202 BD184 КТ818Г 2Н3055-7 | |
КТ805АМ Реферат: КТ805 КТ610А КТ837Б BD140 npn КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818 | Оригинал | КТ3126А КТ3126Б КТ3127А КТ3128А КТ3128А1 КТ3128 КТ3129А9 КТ3129 КТ3129Б9 КТ805АМ КТ805 КТ610А КТ837Б БД140 нпн КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818 | |
2010 — КТ819Б Реферат: KT818A BD347 MJE1660 2SB629 BD191 1561-0403 BDT52 KT818B 2sb757 | Оригинал | MJE1290 MJE1660 SDT9801 КТ818А КТ819А 2СБ757-09 КТ819Б БД347 2СБ629БД191 1561-0403 БДТ52 КТ818Б 2сб757 | |
КТ 819 транзистор Реферат: 2N2222A 338 SF129D SF137D SSY20B KT819W SF127E KFY18 321 KP303W KFY18 | OCR-сканирование | ||
КС156А Реферат: ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KP350A KT808a KT920A KC213 | OCR-сканирование | КсапфаКОБ-57, КС156А ky202e К174ХА2 КТ809А КТ805А КТ610Б КП350А КТ808а КТ920А КС213 | |
2010 — B0708 Реферат: b0744 B0706 2SB681A BOW52 KT818A 2sa1227p 2SB5550 2SB681 2SB922р | Оригинал | О-220АБ О-127вар О-218 B0708 б0744 B0706 2SB681A ЛУК52 КТ818А 2sa1227p 2СБ5550 2SB681 2СБ922Р |
203 2Т818 (А, Б, Б), 2Т818 (А2, Б2, Б2), КТ818 (АМ, БМ, БМ, ФМ), КТ818 (А, Б, Б, Т
AUY10 vorhanden SC237D,E, F BD237 BD238 BD237 BD238 KT819G.W KT818G ,* KT819G.W KT819G,W KT819G Sp Sn Sp Sn Sp 60 100 80 , BD245B BD245B Sn Sp Sp 5 Sn Sp 4 80 1,2 1,2 КТ818Г ,В КТ818Г ,В КТ818Г , 45 60 40 40 40 60 >12 12 60 3 3 40 80 80 10 1,2 10 3 5 5 КТ818Г КТ818Г BD255A,2N3740Лист данных PDF Search Site
Вы устали рыскать по Интернету в поисках нужных вам спецификаций? Не ищите ничего, кроме Datasheet39. Похожие записи |