КТ818 характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги
Технические характеристики серии транзисторов КТ818, можно определить по группе, обозначенной на корпусе. Она указана в конце маркировки буквами от А до Г (АМ-АГ). Немаловажное значение при этом имеют виды корпуса, которые будут рассмотрены ниже. Вся серия относится к низкочастотным биполярным полупроводниковым триодам большой мощности, имеющим p-n-p-структуру.
Эти устройства производятся с применением эпитаксиально-планарной технологии. Из-за неплохих выходных параметров и невысокой стоимости они были широко распространены в советское время в различных бытовых приборах: выходных каскадах УНЧ, стабилизаторах напряжения, а также различных схемах в качестве силового ключа.
Цоколевка
Распиновка КТ818 зависит от его исполнения. Как говорилось ранее, эти транзисторы бывают двух видов: пластиковой упаковке КТ-28 (аналог импортного ТО220) и металлостеклянной КТ-9(ТО3). Обозначение типа приводится на корпусе.
Таким устройство впервые появилось еще во времена СССР и с тех пор никак не изменилось. В техническом описании обычно указаны оба варианта.
Внимательно рассмотрим цоколевку у КТ-28. Если смотреть на обозначение транзистора, то слева будет эмиттер (Э), в центре коллектор (К), а справа база (Б).
В металлостеклянном корпусе КТ818 практически перестали выпускать. Связано это с их моральным устареванием и непригодностью применения при создании новой техники. Старое оборудование, в котором они использовались ранее, уже сильно уступает современным техническим новинкам по своим параметрам. В тоже время их можно использовать в учебных целях и ремонта оборудования советских времен.
На рисунке ниже указано расположение выводов для КТ818(КТ-9). Если перевернуть транзистор и посмотреть на него, то вывод Б будет слева, а Э справа. Корпус устройства – это контакт К.
Технические характеристики
Серия кремниевых биполярных транзисторов КТ818, в зависимости от групповой принадлежности, обладает такими максимальными эксплуатационными параметрами:
- напряжение между выводами: К-Э – 40…90 В; К-Б – 40…90 В; Э-Б – 5 В;
- ток коллектора: постоянный до 10 А; импульсный до 15 А;
- ток базы: постоянный до 3 А; импульсный до 5 А;
- рассеиваемая мощность с использование радиатора от 60 до 100 Вт, без него 1,5-3 Вт;
- температура перехода от +125 до +150 oC;
- диапазон рабочих температур от -45 до +100 oC;
В техописаний транзистора, по современным меркам, данных не так много. В некоторых версиях документации отсутствует даже информация о статическом коэффициенте передачи по току H21Э – в графе стоит прочерк. Многие значения тестирования вообще не указываются. Это связано моральным устареванием серии и нежеланием современных производителей заниматься её совершенствованием, а так же разрабатывать на неё новую документацию. Электрические параметры приводятся с указанием дополнительных условий их измерения, с учетом температуры окружающей среды до +25 oC.
Комплементарная пара
КТ819 являются комплементарными транзисторами с n-p-n-структурой, по отношению к семейству КТ818.
Аналоги
Отечественным аналогом для серии КТ818 считается КТ816. Также рассмотрим в качестве возможных вариантов для его замены импортные транзисторы. Распределим их по группам:
для устройств в корпусе КТ-28 (ТО220):
- А- 2N6111, BD292, 2N6132;
- Б- 2N6132, 2SB754, BD202, BD294, BD534, BD664, BD706, BD950, BDT92, BDV92, TIP42;
- В- 2N5194, 2N6109, 2N6133, 2SB1019, 2SB553, BD204, BD296, BD536,BDT94, BDW94, КТ816В;
- Г-2N5195, 2N6107, 2N6134, 2SB1016, 2SB1018, BD538, BD710, BD954, BDT96, BDV96;
для устройств в корпусе КТ-9(ТО3):
- АМ – аналогов нет;
- БМ -2N6469, BDW22, BDW52, BDX92, 2N6246;
- ГМ- 2N6247, 2N6248, 2SB558, BDW22B, BDW22C, BDW52B, BDW52C, BDX18, BDX96;
- ВМ — 2N6246, BDW22A, BDW52A, BDX94.
Маркировка
Ознакамливаясь со свойствами необходимо знать, что они так же имеют и другую, отличную от привычной маркировку. В свое время, для того чтобы выполнить условия ОСТ 11.336.919-81, производители применяли наименование 2Т818. Таким образом обозначали устройства, выпускавшиеся для нужд армии. Они имели лучшие характеристики по отношению версии КТ. При их изготовлении использовались более дорогие материалы. Для того, чтобы избежать путаницы у конечного потребителя, в новых версиях даташит приводятся оба варианта обозначений.
Производители
На российский рынок старичёк КТ818 продолжает поступать благодаря минскому предприятию «Интеграл». Сейчас такие устройства уже являются раритетом и их производство продолжает неумолимо сокращаться. Небольшие партии также изготавливаются отечественным заводом «Кремний» в г.Брянск. Рекомендуем скачать техническое описание советских времен, содержащее более полные данные.
Транзистор КТ818 — характеристики, цоколевка, параметры, аналоги
Транзистор КТ818 — отечественный кремниевый, мощный, низкочастотный транзистор с p-n-p структурой. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Изготовляется в металлическом корпусе с жесткими выводами (2Т818А, 2Т818Б, 2Т818В, КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ) и пластмассовом с жесткими выводами (КТ818А, КТ818Б, КТ818В, КТ818Г).
Цоколевка транзистора КТ818
Характеристики транзистора КТ818
| Транзистор | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), А | Pкmax(т), Вт | h31э | fгр., МГц |
| КТ818А | 40 | 40 | 10 (15) | 1.5 (60) | 15-225 | 3 |
| КТ818Б | 50 | 50 | 10 (15) | 1.5 (60) | 20-225 | 3 |
| КТ818В | 70 | 70 | 10 (15) | 1.5 (60) | 15-225 | 3 |
| КТ818Г | 90 | 90 | 10 (15) | 1.5 (60) | 12-225 | 3 |
| КТ818АМ | 40 | 40 | 15 (20) | 2 (100) | 15-225 | 3 |
| КТ818БМ | 50 | 50 | 15 (20) | 2 (100) | 20-225 | 3 |
| КТ818ВМ | 70 | 70 | 15 (20) | 2 (100) | 15-225 | 3 |
| КТ818ГМ | 90 | 90 | 15 (20) | 2 (100) | 12-225 | 3 |
| 2Т818А | 100 | 100 | 15 (20) | 3 (100) | 20-225 | 3 |
| 2Т818Б | 80 | 80 | 15 (20) | 3 (100) | 20-225 | 3 |
| 2Т818В | 60 | 60 | 15 (20) | 3 (100) | 20-225 | 3 |
Uкбо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-база
Uкэо(и) — Максимально допустимое напряжение (импульсное) коллектор-эмиттер
Iкmax(и) — Максимально допустимый постоянный (импульсный) ток коллектора
Pкmax(т) — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом)
h31э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
fгр — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
Аналоги транзистора КТ818
КТ818А — 2N5193
КТ818Б — 2N6132
КТ818В — 2N5194
КТ818БМ — 2N6469
КТ818ВМ — 2N6246
КТ818ГM — 2N6247
2Т818А — BD292
2Т818Б — BD202
Транзисторы КТ818 и КТ825 — Основные параметры, маркировка и цоколевка.
Транзисторы КТ825
Транзисторы КТ825 — кремниевые, составные(схема Дарлингтона), усилительные мощные
низкочастотные, структуры p-n-p.
Применяются в усилительных и генераторных схемах.
Цоколевка КТ825 и разновидности корпусов такие же как и у КТ818.
КТ825 — можно заменить эквивалентной схемой на двух транзисторах. Обычно, для этой цели используются КТ818 и КТ814. Сама схема выглядит вот таким образом.
Наиболее важные параметры.
Коэффициент передачи тока —
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 750.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — от 500 , до 18000 .
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825В2, 2Т825Б2 — от 750 , до 18000 .
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер
У транзисторов КТ825Д, 2Т825В, 2Т825В2 — 45 в.
У транзисторов КТ825Е — 25 в.
У транзисторов 2Т825Б, 2Т825Б2 — 60 в.
У транзисторов КТ825Г — 70 в.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825А2 — 45 в.
Максимальный ток коллектора.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е, 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 20 А.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 15 А.
Рассеиваемая мощность коллектора.(на радиаторе)
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — 125 Вт.
У транзисторов 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В — 160 Вт.
У транзисторов 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 — 30 Вт.
Без радиатора — 3 Вт.
Напряжение насыщения база — эмиттер
— 3 в, при токе коллектора 20 А и базовом токе 200 мА — 4в
Емкость коллекторного перехода при напряжении коллектор-база 10 в на частоте 100 КГц — не более 600пФ.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при токе коллектора 10А, базы 40мА
— не более 2в.
Максимальная температура перехода:
У транзисторов КТ825А, КТ825Б, КТ825В — +175 Цельсия.
У транзисторов КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е — +150 Цельсия.
Граничная частота передачи тока — 4 МГц.
Зарубежные аналоги транзисторов КТ825
КТ825Г — 2N6051.
КТ825Д — 2N6050.
КТ825Е — BDX64.
КТ825ГM — 2N6052G.
2Т825В -2N6285.
2Т825Б — 2N6286.
2Т825А — TIP147, TIP142
На главную страницу
Характеристики транзисторов кт818, аналоги, цоколевка
КТ818 – биполярные транзисторы p-n-p большой мощности низкой частоты.
Зарубежный аналог КТ818
- В некоторых случаях можно заменить на TIP42C (расположение выводов другое, ток меньше и т.д.)
Особенности
- Комплиментарная пара – КТ819
Корпусное исполнение и цоколевка КТ818
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Характеристики транзистора КТ818
Предельные параметры КТ818
Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (IК max):
- КТ818А — 10 А
- КТ818Б — 10 А
- КТ818В — 10 А
- КТ818Г — 10 А
Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (IК, и max):
- КТ818А — 15 А
- КТ818Б — 15 А
- КТ818В — 15 А
- КТ818Г — 15 А
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю (UКЭ0 гр) при Тп = 25° C:
- КТ818А — 25 В
- КТ818Б — 40 В
- КТ818В — 60 В
- КТ818Г — 80 В
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (UЭБ0 max) при Тп = 25° C:
- КТ818А — 5 В
- КТ818Б — 5 В
- КТ818В — 5 В
- КТ818Г — 5 В
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора (PК max) при Тк = 25° C:
- КТ818А — 60 Вт
- КТ818Б — 60 Вт
- КТ818В — 60 Вт
- КТ818Г — 60 Вт
Максимально допустимая температура перехода (T п max):
- КТ818А — 125 ° C
- КТ818Б — 125 ° C
- КТ818В — 125 ° C
- КТ818Г — 125 ° C
Максимально допустимая температура корпуса (Tк max):
- КТ818А — 100 ° C
- КТ818Б — 100 ° C
- КТ818В — 100 ° C
- КТ818Г — 100 ° C
Электрические характеристики транзисторов КТ818 при Т
п = 25oССтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (UКБ) 5 В, при постоянном токе коллектоpа (IК) 5 А:
- КТ818А — 15
- КТ818Б — 20
- КТ818В — 15
- КТ818Г — 12
Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (UКЭ нас)
- КТ818А — 2 В
- КТ818Б — 2 В
- КТ818В — 2 В
- КТ818Г — 2 В
Обратный ток коллектоpа (IКБ0)
- КТ818А — 1 мА
- КТ818Б — 1 мА
- КТ818В — 1 мА
- КТ818Г — 1 мА
Граничная частота коэффициента передачи тока (fгр)
- КТ818А — 3 МГц
- КТ818Б — 3 МГц
- КТ818В — 3 МГц
- КТ818Г — 3 МГц
Емкость коллекторного перехода (CК)
- КТ818А — 1000 пФ
- КТ818Б — 1000 пФ
- КТ818В — 1000 пФ
- КТ818Г — 1000 пФ
Время выключения биполярного транзистора (tвыкл)
- КТ818А — 2,5 мкс
- КТ818Б — 2,5 мкс
- КТ818В — 2,5 мкс
- КТ818Г — 2,5 мкс
Тепловое сопротивление переход-корпус (RТ п-к)
- КТ818А — 1,67 ° C/Вт
- КТ818Б — 1,67 ° C/Вт
- КТ818В — 1,67 ° C/Вт
- КТ818Г — 1,67 ° C/Вт
Опубликовано 05.02.2020
DC-DC понижающий преобразователь — ссылка на товар.
| Параметр | Обозначение | Маркировка | Условия | Значение | Ед. изм. |
| Аналог | КТ818А | BD292, BD202, 2N6132 *2, TIP42 *2 | |||
| КТ818Б | BD202, BDT92, 40876, BD664, BD244 *2, BD246 *2 | ||||
| КТ818В | BD204, BDT94, RCA1C08, BD500A, BD244A *2 | ||||
| КТ818Г | BD538, BDT96, BD500B *2, NTE197 *2, ECG197 *2, BDW22B *3, BD710, BD244B *2 | ||||
| КТ818АМ | 2N6469, BDW52, MJ2901 | ||||
| КТ818БМ | BDW22, BDX92, 2N6469, BDW52 | ||||
| КТ818ВМ | BDW52A, 2N5867, 2N6246 *2, BDX18N, 2N5879, BDW52A, MJ2940 *2, 2N5875 *2, 2N4908 *2, BDX92 *2 | ||||
| КТ818ГМ | BDW22C, BDX18, SM2183 *1, АР1119, BD910 *1, BD710 *3, BDW22B *2 | ||||
| КТ818А-1 | BD546C, MJE1290 *1, TIP34F *3 | ||||
| КТ818Б-1 | BD546B, BD906 *3, BDW52 *1, BD706 *1, BD664 *3, TIP74 *3 | ||||
| КТ818В-1 | BD546A, BD908, BD500A, BD708 *2, BD244A *2 | ||||
| КТ818Г-1 | BD546, АР1119 *1, BD910, BD710 *2, SM2183 | ||||
| Структура | — | p-n-p | |||
| Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | PK max,P*K, τ max,P**K, и max | КТ818А | — | 60* | Вт |
| КТ818Б | — | 60* | |||
| КТ818В | — | 60* | |||
| КТ818Г | — | 60* | |||
| КТ818АМ | — | 100* | |||
| КТ818БМ | — | 100* | |||
| КТ818ВМ | — | 100* | |||
| КТ818ГМ | — | 100* | |||
| КТ818А-1 | — | 100* | |||
| КТ818Б-1 | — | 100* | |||
| КТ818В-1 | — | 100* | |||
| КТ818Г-1 | — | 100* | |||
| Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером | fгр, f*h31б, f**h31э, f***max | КТ818А(М,-1) | — | ≥3 | МГц |
| КТ818Б(М,-1) | — | ≥3 | |||
| КТ818В(М,-1) | — | ≥3 | |||
| КТ818Г(М,-1) | — | ≥3 | |||
| Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UКБО проб., U*КЭR проб., U**КЭО проб. | КТ818А(М,-1) | 0.1к | 40* | В |
| КТ818Б(М,-1) | 0.1к | 50* | |||
| КТ818В(М,-1) | 0.1к | 70* | |||
| КТ818Г(М,-1) | 0.1к | 90* | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора | UЭБО проб., | КТ818А(М,-1) | — | 5 | В |
| КТ818Б(М,-1) | — | 5 | |||
| КТ818В(М,-1) | — | 5 | |||
| КТ818Г(М,-1) | — | 5 | |||
| Максимально допустимый постоянный ток коллектора | IK max, I*К , и max | КТ818А | — | 10(15*) | А |
| КТ818Б | — | 10(15*) | |||
| КТ818В | — | 10(15*) | |||
| КТ818Г | — | 10(15*) | |||
| КТ818АМ(-1) | — | 15(20*) | |||
| КТ818БМ(-1) | — | 15(20*) | |||
| КТ818ВМ(-1) | — | 15(20*) | |||
| КТ818ГМ(-1) | — | 15(20*) | |||
| Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | IКБО, I*КЭR, I**КЭO | КТ818А(М,-1) | 40 В | ≤1 | мА |
| КТ818Б(М,-1) | 40 В | ≤1 | |||
| КТ818В(М,-1) | 40 В | ≤1 | |||
| КТ818Г(М,-1) | 40 В | ≤1 | |||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером | h21э, h*21Э | КТ818А(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥15* | |
| КТ818Б(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥20* | |||
| КТ818В(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥15* | |||
| КТ818Г(М,-1) | 5 В; 5 А | ≥12* | |||
| Емкость коллекторного перехода | cк, с*12э | КТ818А(М,-1) | 5 В | ≤1000 | пФ |
| КТ818Б(М,-1) | 5 В | ≤1000 | |||
| КТ818В(М,-1) | 5 В | ≤1000 | |||
| КТ818Г(М,-1) | 5 В | ≤1000 | |||
| Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером | rКЭ нас, r*БЭ нас, К**у.р. | КТ818А(М) | — | ≤0.27 | Ом, дБ |
| КТ818Б(М) | — | ≤0.27 | |||
| КТ818В(М) | — | ≤0.27 | |||
| КТ818Г(М) | — | ≤0.27 | |||
| КТ818А-1 | — | ≤0.4 | |||
| КТ818Б-1 | — | ≤0.4 | |||
| КТ818В-1 | — | ≤0.4 | |||
| КТ818Г-1 | — | ≤0.4 | |||
| Коэффициент шума транзистора | Кш, r*b, P**вых | КТ818А(М,-1) | — | — | Дб, Ом, Вт |
| КТ818Б(М,-1) | — | — | |||
| КТ818В(М,-1) | — | — | |||
| КТ818Г(М,-1) | — | — | |||
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте | τк, t*рас, t**выкл, t***пк(нс) | КТ818А(М,-1) | — | ≤2500** | пс |
| КТ818Б(М,-1) | — | ≤2500** | |||
| КТ818В(М,-1) | — | ≤2500** | |||
| КТ818Г(М,-1) | — | ≤2500** |
Основные технические параметры транзистора КТ818, 2Т818
Обозначение на схеме КТ818, 2Т818 Цоколёвка транзистора КТ818, 2Т818Цоколёвка транзистора КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМВнешний вид транзистора на примере КТ818А Внешний вид транзистора на примере КТ818ГМ | |||||||||||||||||||||
Транзисторы КТ819 и КТ818 (А-Г, АМ…ГМ) характеристики, цоколевка (datasheet)
September 10, 2012 by admin Комментировать »Транзисторы КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818 широко применяются в радиоаппаратуре в качестве ключевых элементов или выходных транзисторов в звуковоспроизводящих устройствах. Транзисторы достаточно дешевы и имеют сравнительно неплохие параметры что способствовало их широкому распостранению в странах СНГ.
В статье представлены основные параметры и характеристики (даташиты) транзисторов КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818. Для каждого транзистора представлена цоколевка при выполнении в пластмассовом и металическом корпусе.
КТ819 , 2Т819 (кремниевый транзистор, n-p-n)
КТ819 (А…Г), 2Т819 (А2…В2) КТ819 (АМ…ГМ), 2Т819 (А…В)
Основные технические характеристики транзисторов КТ819:
| Прибор | Предельные параметры | Параметры при T = 25°C | RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||||
| при T = 25°C | |||||||||||||||||||||
| IК, max, А | IК и, max, А | UКЭ0 гр, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, Вт | TК, °C | Tп max, °C | TК max, °C | h21Э | UКЭ (UКБ), В | IК (IЭ), А | UКЭ нас, В | IКБ0, мА | fгр, МГц | Кш, дБ | CК, пФ | CЭ, пФ | tвкл, мкс | tвыкл, мкс | ||
| КТ819А | 10 | 15 | 25 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 15 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||||
| КТ819Б | 10 | 15 | 40 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 20 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||||
| КТ819В | 10 | 15 | 60 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 15 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||||
| КТ819Г | 10 | 15 | 80 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 12 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||||
| КТ819АМ | 15 | 20 | 25 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 15 | 5 | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | ||||
| КТ819БМ | 15 | 20 | 40 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | ||||
| КТ819ВМ | 15 | 20 | 60 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 15 | 5 | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | ||||
| КТ819ГМ | 15 | 20 | 80 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 12 | 5 | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | ||||
| 2Т819А | 15 | 20 | 80 | 100 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||||
| 2Т819Б | 15 | 20 | 60 | 80 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||||
| 2Т819В | 15 | 20 | 40 | 60 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||||
| 2Т819А2 | 15 | 20 | 80 | 100 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 700 | 2000 | 1,2 | 3,13 | |||
| 2Т819Б2 | 15 | 20 | 60 | 80 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 700 | 2000 | 1,2 | 3,13 | |||
| 2Т819В2 | 15 | 20 | 40 | 60 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 700 | 2000 | 1,2 | 3,13 | |||
КТ818 , 2Т818 (кремниевый транзистор, p-n-p)
КТ818(А…Г), 2Т818(А-2…В-2) КТ818(АМ…ГМ), 2Т818(А…В)
Основные технические характеристики транзисторов КТ818:
| Прибор | Предельные параметры | Параметры при T = 25°C | RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||||
| при T = 25°C | |||||||||||||||||||||
| IК, max, А | IК и, max, А | UКЭ0 гр, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, Вт | TК, °C | Tп max, °C | TК max, °C | h21Э | UКЭ (UКБ), В | IК (IЭ), А | UКЭ нас, В | IКБ0, мА | fгр, МГц | Кш, дБ | CК, пФ | CЭ, пФ | tвкл, мкс | tвыкл, мкс | ||
| КТ818А | 10 | 15 | 25 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 15 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||||
| КТ818Б | 10 | 15 | 40 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 20 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||||
| КТ818В | 10 | 15 | 60 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 15 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||||
| КТ818Г | 10 | 15 | 80 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 12 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||||
| КТ818АМ | 15 | 20 | 25 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | |||||
| КТ818БМ | 15 | 20 | 40 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | |||||
| КТ818ВМ | 15 | 20 | 60 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | |||||
| КТ818ГМ | 15 | 20 | 80 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | |||||
| 2Т818А | 15 | 20 | 80 | 100 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||||
| 2Т818Б | 15 | 20 | 60 | 80 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||||
| 2Т818В | 15 | 20 | 40 | 60 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||||
| 2Т818А2 | 15 | 20 | 80 | 100 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2000 | 1,2 | 3,13 | |||
| 2Т818Б2 | 15 | 20 | 60 | 80 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2000 | 1,2 | 3,13 | |||
| 2Т818В2 | 15 | 20 | 40 | 60 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2000 | 1,2 | 3,13 | |||
| PART | Описание | Производитель |
| BLX97 | U.H.F. ТРАНЗИСТОР ЛИНЕЙНОЙ СИЛЫ | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. New Jersey Semi-Conductor P … |
| MRF6401 | RF ТРАНЗИСТОР ЛИНЕЙНОЙ СИЛЫ | Motorola, Inc |
| AAT3221IJS-18-T1 AAT3221IJS-24-T1 AAT3221IJS-30-T1 | 150 мА NanoPower ?? Линейный стабилизатор LDO Шестнадцатеричные буферы / драйверы с выходами высокого напряжения с открытым коллектором 14-SO от 0 до 70 150 мА稳压 器 150mA NanoPowerLDO Linear Regulator 150mA 的 NanoPower⑩LDO 线性 稳压 器 POT 10K OHM SLIDE 100MM MONO FAD 150mA NanoPower? / A> LDO Linear Regulator 150mA NanoPower LDO Linear Regulator 150mA NanoPANINE Linear Regulator 150mA NanoPANINE Line Regulator 150mA NanoPANINE Line Regulator РЕГУЛЯТОР | Advanced Analogic Technologies, Inc. ANALOGICTECH [Передовые аналоговые технологии] |
| BLW33 | Транзистор линейный силовой УВЧ | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| TPV3100 | УКВ-линейный силовой транзистор | TRW |
| MS1278 | ВЧ И СВЧ-ТРАНЗИСТОРНЫЕ ТВ / ЛИНЕЙНЫЕ ПРИЛОЖЕНИЯ | Передовые энергетические технологии |
| BLV33F | Транзистор линейный силовой УКВ | PHILIPS [Philips Semiconductors] |
| LBE2003S | Транзистор линейной мощности СВЧ | Philips Semiconductors / NXP Semiconductors |
| BLV58 | UHF линейный двухтактный силовой транзистор | PHILIPS [Philips Semiconductors] |
| LS3550CPDIP | Линейные системы Монолитный двойной транзистор PNP | Компоненты Micross |
| BLV861 | UHF линейный двухтактный силовой транзистор | PHILIPS [Philips Semiconductors] |
КТ3102 Реферат: KT 3127 TM100 UF 3004 lg led схема kt3117 LED Tr KT 1117 3121 LG LED | Оригинал | ||
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
кт 30 Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
MA704WA Аннотация: MA700 MA4S713 MA2S784 HSU88 HSU276 HSS102 610C 420C ma741 | OCR сканирование | HSS102 HSU88 HSU276 30 МГц) MA2S784 MA4S713 MA743 MA704AÂ MA721В MA744 MA704WA MA700 610C 420C ma741 | |
кабель Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
2008 — КТ 6396 Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
КТ920Б Аннотация: KT920A KT920 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Funkamateur kt9205 UdSSR BT320 920a 920B4 | OCR сканирование | 175 МГц КТ920Б КТ920А KT920 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Funkamateur kt9205 СССР BT320 920a 920B4 | |
пластик Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
кт21 Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
1827 Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
1827 Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
узлы 6306 Абстракция: KT5211 KT6396 kt 6217 KT6209 | Оригинал | ||
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен | Оригинал | ||
Справочник транзисторов Kt315
Справочник транзисторов Kt315Кремниевые npn-транзисторы Toshiba эпитаксиального типа 2sc2878.Он разработан для низкого и среднего тока, малой мощности, среднего напряжения и может работать на умеренно высоких скоростях. K30a datasheet, pdf кремний n channel fet toshiba, 2sk30atm datasheet, k30a pdf, распиновка k30a, эквивалент, данные k30a, схема k30a, схема k30a. Он разработан для низкого тока и мощности, среднего напряжения и может работать на умеренно высоких скоростях. 09 декабря 2016 г. это советский npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, заключенный в пластиковый корпус kt.Описание эпитаксиального планарного npn-транзистора общего назначения, коммутационного. B 33 z электрические характеристики входного напряжения. Знание того, как заменить транзистор другого типа, может ускорить процесс.
Kt315b — параметры, поиск аналогов. Техническое описание транзисторов и диодов Texas Instruments, 1-е издание 1973 г., для диодов от 1n251 на и транзисторов от 2n117 на acrobat 7 pdf 34. Его переходная частота ft составляет 250 МГц, с бета не менее 100. Двойной кремниевый npn-транзистор планарного типа с r .Этот тип был зарегистрирован Motorola Semiconductor в середине 1960-х вместе с дополнительным pnp-типом 2n3906, и это привело к значительному увеличению затрат на производительность, поскольку пластиковый корпус to92 заменил металлические банки. Кт315а 2н2712, 2с633, бфп719 транзистор ссср лот.
Ktn2222as datasheetpdf 1 страница keckorea electronics html. Это советский npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения, заключенный в пластиковый корпус kt.Kt805 kt610a kt837b bd140 npn kt872a kt837k kt315b kt315 kt818. Первоначально он был изготовлен из металлической банки to18, как показано на рисунке, 2n2222 считается очень распространенным транзистором, и так оно и есть. Mmbt5551m3 npn транзистор высокого напряжения устройство mmbt5551m3 спин. В технических паспортах содержится информация о продукте, который Macom Technology Solutions рассматривает для разработки.
Очень хорошая схема FM-передатчика 1 Вт, очень простая в сборке. 2n2907 — это широко доступный pnp-транзистор с биполярным переходом, используемый для общих маломощных усилительных или коммутационных приложений.Самый старый kt315a, который нам удалось найти, был изготовлен в марте 1978 года. 7 ноября 2016 года техническое описание k30a pdf, кремниевый n-канал fet toshiba, 2sk30atm datasheet, k30a pdf, распиновка k30a, эквивалент, данные k30a, схема k30a, схема k30a. Bc107, bc108 и bc109 — это кремниевые npn-транзисторы общего назначения с биполярным переходом малой мощности, которые очень часто используются в оборудовании и электронике. Процесс pct эпитаксиального типа pnp кремния Toshiba транзистора.
Dec 09, 2016 kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, kt315a datasheet, kt315 pdf, kt315 pinout, kt315 manual, kt315 schematic, kt315 эквивалент, kt315 data.Даташитархив автора поисковой системы. Kt853a компоненты транзистора техническое описание pdf техническое описание бесплатно из технического описания техническое описание поиск интегральных схем ic, полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды. Детали разделены на три таблицы: биполярные, полевые транзисторы и цифровые ИС. Первая страница каталога kec электроники Кореи, таблица данных, поиск в таблице данных, таблица данных, таблицы данных, сайт поиска электронных компонентов и полупроводников, интегральные схемы.Силовые кремниевые npn-транзисторы 2sd600 2sd600k описание с корпусом to126 дополнение к типу 2sb631631k высокое напряжение пробоя v ceo100120v сильноточные 1a приложения с низким напряжением насыщения для низкочастотных усилителей мощности описание выводов 1 эмиттер 2. Список перекрестных ссылок полупроводниковых транзисторов peavey. Ktn2222as datasheetpdf 1 страница keckorea electronics part no. Kt315 datasheet, kt315 pdf, kt315 data sheet, kt315 manual, kt315 pdf, kt315, datenblatt, electronics kt315, alldatasheet, free, datasheet, datasheets, data sheet.Если на транзистор будет подано напряжение, превышающее максимально допустимое, он может быть необратимо поврежден. KT315 — это советский кремниевый биполярный npn-транзистор, используемый для универсальных маломощных усилителей или коммутационных устройств, заключенный в пластиковый корпус kt.
Маркировка радиодеталей, коды smd k5, k5. Если вы установите неправильную полярность, бутерброд не подойдет. 2n2219 аналогичен с более высоким рейтингом рассеиваемой мощности. Он имеет 4 транзистора, один из которых является очень стабильным генератором, за ним следует буферный каскад, чтобы предотвратить изменение частоты при настройке передатчика.KT361 является дополнением к транзистору KT315, поэтому он часто соединялся с ним в двухтактных каскадах. Ukbo max максимальное напряжение коллекторной базы для данного обратного тока коллектора и эмиттера разомкнутой цепи.
KT361 является комплементарным для транзистора KT315, поэтому он часто использовался в паре с ним в двухтактных каскадах, транзисторы KT315 и KT361 стали первыми, когда. Коэффициент Wl обменника электротехнического стека mosfet. Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor datasheetcafe.Smd код пакет имя устройства данные производителя. Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов январь 2003 г. содержание страница продукта транзисторы общего назначения стр. обычно используемый pnp-транзистор с биполярным переходом, предназначенный для общих маломощных усилительных или коммутационных приложений.2n3904 — это обычный npn-транзистор с биполярным переходом, используемый для маломощных усилительных или коммутационных приложений общего назначения. Книга данных по силовым транзисторам и полупроводникам Toshiba, 1983 г., корпорация toshiba, 1983 г., acrobat 7, pdf 52. Вы можете увидеть дефекты, связанные с размерами кубиков, и большое количество дополнительного пространства вокруг транзистора. Mospec или кто-либо от его имени не несет ответственности за любые ошибки или. Как выбрать замену транзистору биполярному тоталу.
Для kt315 используйте практически любой тип npn малой мощности.При максимальном напряжении, также называемом напряжением пробоя bv, электроны. Dtc114em dtc114ee dtc114eua dtc114eka dtc114esa 100ma. Книга данных по силовым транзисторам и полупроводникам Toshiba за 1983 год. Следовательно, коэффициент w l является переменной конструкции транзистора.
B 23 z Технические характеристики упаковки zэквивалентная схема tl emt3 smt3 sptumt3 dtc114ee dtc114em арт. Производительность основывается на целевых характеристиках, результатах моделирования и / или измерениях прототипа. Руководство по выбору биполярных силовых транзисторов январь 2003 г. содержание страница продукта транзисторы общего назначения горизонтальное отклонение выходные транзисторы страница продукта dpak d2pak sot223 ipak to126 транзисторы тодарлингтона dpak ipak to126 to220 to220f to3p to3pf переключающие транзисторы dpak d2pak to92 to126.Kt312ab, кремниевый npn-транзистор общего назначения, почти такой же, как kt315, за исключением корпуса. Здесь я собрал всю имеющуюся у меня информацию о заменах западных частей на российские компоненты, которые я использую в своих конструкциях. Эпитаксиальный планарный npn-транзистор общего назначения, коммутационный, даташит ktn2222a, схема ktn2222a, техпаспорт ktn2222a. Kt805 datasheet, kt805 pdf, распиновка kt805, аналог, замена транзистора и т. Д., Схема, схема, руководство. Kec, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегрированный.Эпитаксиальный планарный npn-транзистор общего назначения, коммутационный, даташит ktn2222as, схема ktn2222as, техпаспорт ktn2222as. KT361 является дополнительным pnp для транзистора KT315, поэтому он часто соединялся с ним в двухтактных каскадах. Это PDF-формат хорошо известной книги по распайке оборудования, в которой описаны распиновки различных компьютеров, электрических и электронных устройств.
Korea electronics kec datasheet, pdf каталог первая страница. Далее идет резонансный каскад и последний каскад, построенный с использованием транзистора минимум 1 Вт, который должен иметь радиатор.Npn-транзистор средней мощности имеет сильноточное низкое напряжение насыщения, дополняющее 2sb772, драйвер реле регулирования напряжения, общий переключатель, аудио усилитель мощности, преобразователь постоянного тока, описание, устройство представляет собой npn-транзистор, изготовленный с использованием планарной технологии, что приводит к созданию прочных высокопроизводительных устройств. Все рабочие характеристики транзистора указаны в его техническом паспорте. Дополнительным npn-транзистором к 2n3906 является 2n3904. Транзистор биполярный 315 npn советский 19451991.Силовой транзистор для высокоскоростного переключения. Оригинальный транзистор может нуждаться в особом заказе или быть снят с производства и быть недоступным. Чтобы узнать, может ли деталь обрабатывать частоту или дать вам необходимое усиление, посмотрите данные. 2n3906 имеет ток коллектора 200 мА, напряжение коллекторной базы и коллектора-передатчика 40 В для рассеиваемой мощности 300 мВт. C106d1 тиристор scr 4a 400v to225aa на полупроводниковом техническом паспорте pdf технический паспорт бесплатно из технического паспорта поиск интегральных схем ic, полупроводников и других электронных компонентов, таких как резисторы, конденсаторы, транзисторы и диоды.
Korea electronics kec каталог первая страница, техническое описание, поиск по даташиту, технический паспорт, даташит, сайт поиска по техническим характеристикам для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов, полупроводников. Он разработан для низкого электрического тока и мощности и среднего напряжения и может работать на умеренно высоких скоростях. 21 сентября 2009 г. для kt315 используйте практически любой тип npn малой мощности. Замещающий транзистор должен иметь ту же полярность (pnp или npn), что и исходный. Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, kt315a datasheet, kt315 pdf, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, kt315.Транзистор 2sc495 2sc496 2sa496 sc496 sc495 2sa505 ac46c 2sc496x 2sc4952sc496 текст. Без дополнительных деталей схемы я не могу сказать наверняка, но, вероятно, рассчитан как минимум на 10 ампер и 30 вольт. Таблицы эквивалентов между русской и западной частями. Справочник по транзисторам и диодам, 1236 страниц, 1973, Texas Instruments. Гора старых советских транзисторов кт315 и кт361.
Уведомление MOSPEC оставляет за собой право вносить изменения в содержание документа в любое время без уведомления. 2n2222 — это обычный npn-транзистор с биполярным переходом bjt, используемый для усиления или коммутации малой мощности общего назначения.Безгалогенные диоды с барьером Шоттки, v rrm 200 в, v r 200 в, i o 5a. Замена транзистора Распайка и замена транзистора занимает очень мало времени. Больше времени уходит на выяснение того, что заменить, а иногда и чем заменить. Dtc114em dtc114ee dtc114eua транзисторы dtc114eka dtc114esa rev. Ktn2222as datasheetpdf 1 страница keckorea electronics. Компания Texas Instruments выпустила лист данных для своей версии этой детали, датированный март 1973 года. Оба типа были зарегистрированы Motorola Semiconductor в середине 1960-х годов.Kt315 datasheet npn bipolar junction transistor, kt315a datasheet, kt315 pdf, распиновка kt315, руководство kt315, схема kt315, эквивалент kt315, данные kt315. Kec, alldatasheet, datasheet, сайт поиска данных для электронных компонентов и полупроводников, интегральных схем, диодов, симисторов и других полупроводников. KT315 — это советский кремниевый биполярный npn-транзистор общего назначения. Kt853a datasheet, kt853a pdf, kt853a распиновка, эквивалент, замена транзистора и т. Д., Схема, схема, руководство.
Цепь транзисторного усилителя звука мощностью 200 Вт
Эта схема аудиоусилителя обеспечивает мощность до 200 Вт высочайшего качества для громкоговорителей от 4 до 16 Ом. Рабочее напряжение от 24 до 36 В, макс. 5 А. Частотная характеристика от 20 до 20000 Гц.
Пожалуйста, обратите особое внимание на то, чтобы транзисторы и ИС были надежно закреплены и использовались только один или два отдельных охлаждающих элемента достаточных размеров для этой цели (тепловое сопротивление
При этом необходимо установить транзисторы и ИС изолированными ( с слюдяными промывками и пластиковым ниппелем ).Перед первой работой убедитесь, что транзисторы и ИС действительно не имеют электрического соединения с охлаждающей пластиной! Транзисторы необходимо установить на охлаждающий элемент ровно и прочно! Чрезвычайно важно для этого мощного усилителя значительное рассеивание тепла. Уже установленный охлаждающий элемент должен находиться в хорошо вентилируемом корпусе.
Схема усилителя мощности 200 Вт
БП должен быть достаточно мощным, потребляемая мощность усилителя может увеличиться до 5А.В случае использования нестабильного источника питания. Рекомендуется разместить трансформатор не более 28 В.
Усилитель покажет прибл. 120Вт при 4-омном динамике, для него напряжение холостого хода блока питания не будет завышенным. Если желательно использовать полную мощность, необходимо разместить стабилизированный источник питания с прибл. 36В 5А. Напряжение холостого хода не должно превышать 44В!
Кабели, идущие к источнику тока и к громкоговорителям, должны иметь поперечное сечение мин.2. Подключенный громкоговоритель должен быть оборудован в соответствии с высокой выходной мощностью и не должен иметь сопротивление ниже 4 Ом! При более низком импедансе соединения и коротком замыкании в проводке громкоговорителя транзисторы будут разрушены.
Усилитель имеет входную чувствительность прибл. 500… 800 мВ. Следовательно, возможно подключение непосредственно к магнитофонным декам усилителя, тюнерам и т. Д. В случае подключения источников сигнала с более низким выходным напряжением необходимо предварительно подключить предусилитель.Тогда также можно будет подключить микрофоны и т. Д.
Печатная плата усилителя звука 200 Вт
Компоненты усилителя мощности звука
IC1, IC2 = 2 IC TDA2030
T1, T3 = 2 транзистора KT818 или BD708
T2, T4 = 2 транзистора KT819 или BD705
C1, C2, C3, C4, C7 = 5 конденсаторов 150 нФ
C5 = 1 elca 10 мкФ 63V
C8 — 1 конденсатор 1,8 нФ
R1, R7, R9 = 3 сопротивления 100K
R2, R3, R10, R11 = 4 сопротивления 2,2 Ом
R4, R5 = 2 резистора.2K
R6, R8 = 2 рез. 1 Ом
R12, R13 = 2 рез. 2 рез. 3.3K
D1… D4 = 1N4001, 1N4002, 1N4003
1 печатная плата примерно 56 × 51 мм
| Российская часть | Краткое описание | Западный аналог |
| KT3102A | кремниевый транзистор общего назначения n-p-n | BCY43, BC107A, BC170, BC207A, 2N4123, MPS3709 |
КТ3102Е | кремниевые npn-транзисторы с высоким h31e (> 600) | 2N5210, например |
| KT312A-B | кремниевый транзистор общего назначения n-p-n | Практически то же, что и KT315, за исключением типа корпуса. |
| KT608A | ВЧ кремниевый n-p-n транзистор средней мощности | BSX21, 2SC796 |
| KT606A-B | кремниевый n-p-n транзистор средней мощности для использования на ВЧ и Заявки на УКВ | Не удалось найти, извините |
| КТ326 | Обычное общего назначения p-n-p кремниевое устройство. Думаю, любой подходящий западный транзистор сможет заменить его. | Интересно, а почему я не могу найти его в своих базах … |
| KT602B | довольно старый кремниевый транзистор n-p-n, специально разработанный для работы в оконечных каскадах широкополосных усилителей. | BSY71 |
| GT308 | Очень старый универсальный p-n-p германиевый транзистор. | Не могу найти, извините. |
| GT311 | Старый, но еще хороший германиевый n-p-n прибор для работы с частотами до 800 МГц. | Не могу найти, извините. |
| КТ315 | кремниевый транзистор общего назначения n-p-n, старая конструкция | BC146, |
| GT402 | германий низкочастотный п-н-п транзистор, старая конструкция | Затрудняюсь ответить * |
| GT404 | дополнительная пара для GT402 | Затрудняюсь ответить * |
| MP25A-B | Очень старый п-н-п транзистор чернового назначения | ACY19, ACY23, 2N190-191 |
| KT503A | кремниевый транзистор общего назначения n-p-n (для довольно низких частот) | 2SD762, например |
| P214A | Очень старый п-н-п транзистор большой мощности для низких частот | AD142, например |
| KT368A-B | Очень хороший высокочастотный транзистор n-p-n с низким уровнем шума фактор | BFS17, 2SC252 |
| KT812A | транзистор большой мощности для низких частот (n-p-n) | КУ601, КУ602 |
| КТ815 | Кремниевый транзистор n-p-n средней мощности для использования в низкочастотном диапазоне схемы | BD165 |
| КТ814 | Дополнительная пара ( p-n-p ) для KT815 | BD170 |
| KT818G | Высокомощный p-n-p транзистор, широко используемый в источниках питания и выходных каскадах усилителей НЧ. | AD142 |
| KT819G | То же, что KT 818G, но со структурой n-p-n | BDY20, BDY23 |
| KT940A | Высоковольтный транзистордля оконечных каскадов видеоусилителей в ТВ | BF338 |
Схема переменного источника питания LM324
Представленную универсальную схему источника питания можно использовать для чего угодно, вы можете использовать ее в качестве зарядного устройства для солнечных батарей, настольного источника питания, схемы зарядного устройства от сети или для любого другого применения, независимо от диапазон напряжения и тока, которые очень гибкие и полностью регулируемые.
Основные характеристики:
Основные характеристики этого источника питания заключаются в том, что он очень гибок и позволяет получать переменное напряжение от 0 до 30 В и переменный ток от 0 до 3 ампер. Оба параметра можно контролировать с помощью потенциометра.
Предел тока можно повысить, соответствующим образом увеличив номинал VT1 и изменив значение R20.
Использование одного LM324 в качестве основного управляющего устройства
Конструкция простого источника питания на базе операционного усилителя не является сложной и использует обычные детали, такие как IC LM324, несколько BJT и другие связанные пассивные компоненты, но она слишком гибкая и может быть откалиброванным для любого желаемого диапазона напряжения и тока, от 0 до 100 В или от 0 до 100 ампер.
Я случайно нашел этот дизайн на онлайн-сайте и нашел его довольно интересным, хотя у меня уже есть похожий дизайн, опубликованный на этом сайте под названием «Схема солнечного зарядного устройства с нулевым падением напряжения», показанная выше схема выглядит более тщательно разработанной и, следовательно, более точной .
Ссылаясь на предложенную выше универсальную принципиальную схему источника питания, функциональные детали можно понять с помощью плавных точек:
Как работает схема
Микросхема LM324 является сердцем схемы и отвечает за задействована сложная обработка.
Это микросхема с четырьмя операционными усилителями, что означает, что у нее четыре операционных усилителя в одном корпусе, и все 4 операционных усилителя (OP1 —- OP4) из этой ИС можно увидеть эффективно используемыми для их соответствующих функций.
Входное питание, получаемое либо от сетевого трансформатора, либо от солнечной панели, соответствующим образом понижается с помощью шунтирующей стабилитронной сети VD1 для обеспечения безопасного рабочего напряжения для IC LM324, а также для генерации стабилизированного опорного напряжения для неинвертирующего OP1. вход, через R5 и предустановку R4.
OP1 в основном сконфигурирован как компаратор, в котором на его контакт 3 подается заданное задание, а на его контакт 2 подается делитель потенциала на выходе источника питания для определения конечного напряжения на нагрузке.
В зависимости от настройки R4, который может быть потенциометром, OP1 сравнивает уровень выходного напряжения, выдаваемого VT1, и снижает его до указанного уровня. Таким образом, потенциометр R4 становится ответственным за определение эффективного выходного напряжения и может непрерывно регулироваться для получения желаемого напряжения на указанных выходных клеммах схемы.
Вышеупомянутая операция учитывает функцию переменного напряжения предлагаемой универсальной схемы источника питания. VT1 и VT2 должны быть правильно выбраны в соответствии с диапазоном входного напряжения, чтобы устройства могли работать правильно без повреждений.
Функция переменного тока в конструкции реализуется через оставшиеся три операционных усилителя, которые совместно используются операционными усилителями OP2, OP3 и OP4.
OP4 сконфигурирован как датчик напряжения и усилитель, и он контролирует напряжение, возникающее на R20.
Обнаруженный сигнал подается на вход OP2, который сравнивает уровень с опорным уровнем, установленным потенциометром (или предустановкой) R13.
В зависимости от настройки R13, OP2 постоянно переключает OP3, так что выход из OP3 отключает каскад VT1 / VT2 привода всякий раз, когда выходной ток стремится превысить фиксированный уровень (установленный R13).
Следовательно, здесь можно эффективно использовать R13 для установки максимально допустимого тока на выходе для подключенной нагрузки.
Резистор R20 может иметь соответствующие размеры для калибровки максимально допустимого тока нагрузки, который может быть изменен с помощью R13 от 0 до максимума.
Вышеупомянутые универсальные особенности делают эту универсальную схему источника питания чрезвычайно эффективной, точной и отказоустойчивой, так что ее можно использовать для большинства электронных приложений, о которых можно только подумать.
Можно ожидать, что конструкция будет полностью защищена от короткого замыкания и перегрузки при условии, что VT1 и VT2 должным образом охлаждаются путем установки их над соответствующими радиаторами.
Схемы усилителей мощности низкой частоты Автор aculinis. Схема транзисторного урч с глубоким ООС и униполярным питанием (24Вт)
Усилитель прост и обеспечивает неплохие параметры, в первую очередь за счет введения глубокого ООС.
Особо следует отметить его высокую линейность на самых высоких звуковых частотах, малый ток покоя, возможность работы без специального устройства защиты громкоговорителя от постоянной составляющей тока, сохранение работоспособности при снижении напряжения питания.
Параметры усилителя:
- Номинальная выходная мощность УМП на нагрузке 8 Ом — 16 Вт,
- Номинальная выходная мощность УМП на нагрузке 4 Ом — 24 Вт;
- диапазон воспроизводимых частот — 20… 20000 Гц;
- коэффициент гармоник, измеряемый селектором дефекта-сигнала, на частоте 1 кГц — 0,005%,
- на частоте 20 кГц — 0,008% при максимальном уровне выходного сигнала.
Принципиальная схема
Рис. 1. Принципиальная схема транзисторного урза с глубоким ООС и униполярным питанием (24Вт).
Усилитель предоконного типа UMP представляет собой двойной усилитель с инвертирующим входом высокого уровня. Транзисторы VT1, VT2 первого каскада оконечного усилителя Включены по схеме составного эмиттерного повторителя.
Торцевой каскад усилителя построен на комплементарных парах транзисторов, включенных в схему с общим коллектором.
Для стабилизации токового режима и гашения коммутационных процессов на входе УМП включен транзисторный шунт VT7, VT8, управляемый напряжением на базах транзисторов выходного каскада VT11, VT12.
Данный способ стабилизации обеспечивает работоспособность УМР при трехкратном снижении его питающего напряжения.
Детали
Питает умзч от автономного выпрямителя, подключенного к отдельной обмотке сетевого трансформатора. Катушка L1 намотана на резисторе R15 и содержит 30 витков провода PAL 0.8. Подробно описан этот усилитель.
Литература: Николаев А.П., Малкина М.В. — 500 схем для радиолюбителей. 1998, 143 с.
Звуковая инженерия
Для реализации возможностей линеаризации широкополосного OOS было решено отказаться от многоступенчатого UMP и ограничить количество его каскадов только крайне необходимо.Кроме того, необходимо было отказаться от использования элементов, создающих задержку усиленного сигнала, что позволяло использовать УС в частотном спектре коммутационных искажений в результате с помощью ООС, действующего в диапазоне 40 … 60 кГц, удалось добиться снижения коэффициента нелинейных искажений на частоте 20 кГц до 005.D01%, при использовании выходного каскада выходного каскада с нулевым током и током покоя.
Этот усилитель долгое время использовался в качестве контрольного при сравнительных испытаниях непреобразованных вариантов ВСУЧ, его повторили конструкторы, заинтересованные в его схеме, и в настоящее время надежно работает в нескольких стереокомплексах.
Принципиальная схема UMP Broadband OOS показана на рис. 1.
Упомянутый выше усилитель напряжения построен на двух транзисторах VT1 и VT2. Через конденсатор С1 входной сигнал поступает в базу данных транзисторов VT1, а резисторы R3, R4 уравновешивают напряжение питания. Для гарантии стабильной работы Емкостный конденсаторный усилитель. С6 и С8 не должны отличаться от обозначенных на концепте Больше + 50%. В целях защиты от случайных перегрузок по току резистор R7 R7 включен в коллекторную цепь транзистора VT1.
Каскад на транзисторе VT2 обеспечивает основное увеличение сигнала. Цепочка резисторов R11R12 с традиционным вольтоднадом через конденсатор С8 дает увеличение амплитуды усиленного сигнала на 10 … 12%. Синхронизацию функциональных процессов в плечах усилителя обеспечивает конденсатор С5.
Окончание усилителя построено на комплементарной паре транзисторов VT5-VT8, включенных по схеме с общим коллектором, соединенных между собой эмиттерами Транзисторы VT3, VT4 подключены к базам баз данных транзисторов VT7, VT8, а коллекторы — к В базах транзисторов VT5, VT6 с помощью токовой цепи обратной связи «переменный резистор R13 регулирует напряжение на транзисторных базах VT3, VT4 и, таким образом, обеспечивается установка напряжения на транзисторах VT7, VT8 на 0.1 … 0,2 на обычную и работу оконечных транзисторов в режиме усиления с корневым током покоя
Питает умзч от автономного выпрямителя без гальванической связи с общим проводом. Благодаря этому удалось надежно защитить динамики от постоянной составляющей тока транзисторов, не вводя в усилитель сложных устройств релейно-транзисторной защиты.
Ump выполнен в виде единого блока с выпрямителем.Его размеры (135x90x60 мм) определяются размерами радиаторов и конденсаторов фильтров. Масса блока — 560 г. Установлен блок на двух пластинах размером 130х58, между которыми размещены радиаторы и фильтрующие конденсаторы на одной из пластин выпрямителя.
с широкополосным ООС
«В свое время тестировал в работе набор УМЗ, описанный в журнале« Радио ». Сейчас слушаю музыку через Умж, предложенный И. Акулиничевым. Подбором деталей (транзисторов) не делал не производил, уменьшил только конденсатор С2 конденсатор с 5 до 1 мкФ._ Честно говоря, я «Ошлел» от этого умзч — он имеет очень большие преимущества, если не брать в расчет выходную мощность 24 Вт. Но она мне подходит. Спасибо большое, Иван Тимофеевич. «
Изящное письмо радиолюбителя из города Ревды Свердловской области Хаматнуровой — не единственное после публикации статьи члена редколлегии журнала И. Акулиничьева» Умж с Deep EOS «(Радио , 1989, № 10. С. 56-58) .В настоящее время на базе этого усилителя Иваном Тимофеевичем разработан еще более простой умзч, параметры которого не хуже прототипа.Это усилитель ВКЛ. Долгое время использовался в качестве контроля при сравнительных испытаниях различных вариантов ВСУЧ. В публикуемой ниже статье предлагается его описание.
Главной особенностью нового умзч является использование в нем широкополосного ООС, частотная характеристика которого, в отличие от ООС обычных многокаскадных УМЗ, не имеет глубокого среза на высоких звуковых частотах.
Для проверки параметров собранного усилителя и эффективности использованных в нем технических решений Рекомендуется произвести сборку селектора сигнала неисправности.Его схема представлена на рис. 2. Переменные резисторы — R1 и R8 обеспечивают балансировку и компенсацию задержки управляемого сигнала.
Поскольку селектор адаптирован для управления работой UMP с коэффициентом усиления 10 и с минимальным запаздыванием выходного сигнала, пределы его настройки сознательно ограничены. Использование его для управления безвинтовыми вариантами усилителей с коэффициентом усиления 15-20 потребует подключения резистора R2 постоянного или переменного сопротивления резистора к 1… Многокаскадные UMP 2 кОм обычно создают значительную задержку выходного сигнала, и поэтому в этих случаях может потребоваться увеличить емкость конденсатора SZ до 350,500 пФ или вместо этого включить конденсатор переменной емкости.
И в заключение хотелось бы отметить: если умзч с широкополосным доступом EOS будет интересен радиолюбителям. Это автор сочтет полезным вкладом в преодоление страха перед режимом подкрепления с нулевым током и током покоя.
Акулиничев И.
с. Архангельск Московская область
1- СЕ 200 НК Че
диоды и выходные цепи, а с другой — все транзисторы, конденсаторы и резисторы. Большинство соединений выполнено на собственных выходах из составных элементов.
Резистор R6, конденсаторы C11 C12, входные цепи и цепи нагрузки подключены к общему проводу в одной точке. Если рекомендация моноблочной конструкции УМЗ не используется, то потребуются блокирующие конденсаторы силовой цепи ёмкостью 0.1 мкФ.
Начну с того, что я не фанат «направленных проводов и ламповых усилителей» и думаю, что любые «чудеса звука» можно объяснить с научной точки зрения. Я без малого занимаюсь электроникой 20 лет. Усилители никогда не собирались профессионально, так как не было нормальных устройств для настройки (от лучшего советского осциллографа и китайского мультиметра). Здесь я приведу результат своего исследования на тему «Какой усилитель / источник лучше.«Это то, что», а не «что». Поскольку со временем он будет оценен как сложное устройство, предназначенное в первую очередь для получения удовольствия от прослушивания. Умзч с глубокой ООС Акулиничиева И., опубликовано в журнале «Радио», 1989. №10, с. 56.
Акуличев Умзч — первый собранный усилитель. Точный год сборки уже не помню, это были 90-е. «Поигрался» очень хорошо на двух колонках 5GDN. Несколько лет спустя я заменил выходные транзисторы на скосах IRF540 / IRF9540. Стоят как остальной усилитель.Звук стал мягче. Так вышло. Далее была покупка более хороших динамиков (как тогда думали) — Defender Mercury 55a, нескольких звуковых карт (остановил [Email Protected]). Купил книгу «Гендин Г.С. Качественные ламповые усилители звуковой частоты. 2-е издание»
Собрал ламповый одноступенчатый усилитель на 6П14П / TWZ 1-9. Что сказать, после усилителя акуличева лампа детальностью порадовала. Басов было несколько меньше. Это насторожило, потому что везде пишут, что трансформатор TWZ плохо с басом.
Он звучал для меня давно. Далее была покупка хорошей акустики — Acoustic Energy Aelite Three
Высокая мощность для AEELITE Три динамика не нужны. Чувствительность 89ДБ (!) в помещении 20кв.м. Позволяет комфортно (даже громко, если вечером) слушать 2х2Вт. И со временем — звук E-MU0404 USB, так как компьютер отказался отдать предпочтение ноутбуку HTPC +. На работе не было работы, поэтому решил собрать усилитель на микросхеме и сравнить звук с лампой.
После долгих поисков выбор пал на микросхему TDA155Q и схему включения моста.
Несмотря на относительно низкую мощность в 2х22Вт, для качественного звука требуется либо стабилизированное питание, либо мощный трансформатор в БП. В фильтре БП достаточно поставить конденсаторы 2 × 10000 мкФ, а выпрямительные диоды (или диодную сборку) скрыть пленочные конденсаторы емкостью 0,1МКФ. В итоге сравнение микрочипа и ламповых усилителей ушло на покой.
Мне случайно попался современный выставочный усилитель вещания Amp-1600 мощностью 1600Вт. После его взлома обнаружил 7 пар транзисторов выходного дня 2SC5200 / 2SA1943. Прочитав даташит на них, захотелось собрать усилитель и сравнить с микросхемой. В это время у меня уже был цифровой осциллограф и нормальное паяльное оборудование. Долгие поиски информации дали результат — было решено собрать одиночный усилитель класса А по схеме «усилитель Джона Линсли-Гуда класса-А» на выходных транзисторах такой же проводимости (NPN).Заодно сравните советские транзисторы Кт819г с импортными 2SC5200. Изменена схема JLH-2005. Усилитель заработал сразу, без азарта. Резисторы, задающие работу транзисторов, качающиеся триггеры многооборотные. Запуск усилителя JLH с расчетными значениями резисторов и советский CT819g сразу отправил усилитель на микросхеме TDA155Q в Nocudown. А замена транзисторов на 2Sc5200 отправила на Нокдаун советский CT819g.Далее последовали эксперименты с напряжением питания и током покоя. Кратко:
1. Для транзисторов CT819 нужно брать остаток 0,3-0,6а — это наиболее оптимальный интервал. Внизу — заметно падение качества. Вверху — заметный прирост качества, требуются только дополнительные конденсаторы в фильтре. Напряжение питания было от 15 до 30 вольт. Замечена разница, кроме нагрева транзисторов и повышенной мощности. 2. Для транзисторов 2SC5200 важно напряжение питания.При напряжении 30В и мощности от 1 Вт были заметны дополнительные нюансы фонограммы по сравнению с мощностью 15В. Ток покоя 0,5А при напряжении 30В и использование радиаторов от компьютера (70х75х45) — наиболее оптимальный вариант по соотношению температура / качество. Само качество перестает расти при остатке остатка более 1,3А. При этом радиаторы в ближайшем 65-70 0 ° C нагреваются до 65-70 0. Соответственно кристалл транзистора на 20 ° C больше. Критическая температура 125 0 ° С.Так что такой режим нежелателен. Нужно либо увеличить площадь радиатора, либо отогнать от него тепло.
В данный момент Собрать версию усилителя класса А на комплиментарных транзисторах. Напишу о результатах.
Основной особенностью опубликованного ниже ISP является использование в нем широкополосного OOS, частотная характеристика которого, в отличие от OOS обычных многокаскадных UMP, не имеет глубокого среза на более высоких звуковых частотах.Для реализации возможностей линеаризации широкополосного OOS было решено отказаться от многоступенчатого UMP и ограничивать количество его каскадов только крайне необходимо. Кроме того, пришлось отказаться от использования элементов, создающих задержку усиленного сигнала, что позволило использовать УС в частотном спектре коммутационных искажений. В результате с помощью ООС, действующей в диапазоне 40..60 кГц, удалось добиться снижения коэффициента нелинейных искажений на частоте 20 кГц до 0.05 … 0,01% при использовании рабочего каскада выходного каскада с нулевым током и током покоя.
Предсердечный усилитель напряжения построен на двух ТРАНЗИСТОРАХ UT1 и
В. 2. Через конденсатор С1 на базу транзистора VT. 1 Поступает входной сигнал, а через резисторы R 3, R 4 — балансирующее напряжение питания. Для обеспечения стабильной работы емкостного усилителя С1, С6 и С8, он не должен отличаться от указанного исходя из расчета более 50%. Для защиты от случайных токовых перегрузок в коллекторную цепь транзистора включен резистор R.7. Каскад на транзисторе Вт. 2 обеспечивает усиление основного сигнала. Цепь резисторов R 1 R 12 При традиционном вольтамперном режиме через конденсатор С8 амплитуда амплитуды повышенного сигнала увеличивается на 10..12%. Синхронизацию функциональных процессов в плечах усилителя обеспечивает конденсатор С5.Усилитель тока поворота построен на комплементарной паре транзисторов
VT 5 — VT 8, включенных по схеме с общим коллектором. Между собой эмиттеры транзисторов VT 3, VT 4 соединены базами с базами транзисторов VT 7, VT 8, а коллекторы — с базами транзисторов VT 5, VT 6.С помощью цепи обратной связи по току переменного резистора R. 13 регулирует напряжение на базе транзисторов VT 3, VT 4 и тем самым обеспечивает установку напряжения на базе транзисторов VT 7, VT 8 0,1..0,2 в обычном режиме и работу оконечных транзисторов в режиме усиления с нулевым резервуаром. . Питает умзч от автономного выпрямителя без гальванической связи с общим проводом. Благодаря этому удалось надежно защитить динамики от постоянной составляющей тока транзисторов, не вводя в усилитель сложных устройств релейно-транзисторной защиты.Ump выполнен в едином блоке с выпрямителем. Его размеры (135x90x60 мм) определяются размерами теплоотводов и конденсаторов фильтра. Масса блока 560. Блок смонтирован на двух пластинах размером 130х58, между которыми затоптаны радиаторы и фильтрующие конденсаторы. На одной из пластин размещены выпрямительные диоды и выходные цепи, а на другой — все транзисторы, конденсаторы и резисторы.
Большинство соединений получают путем собственных выводов о составных элементах.Резистор R. 6, КОНДЕНСАТОРЫ C11 и C12, входные цепи и цепь нагрузки подключены к общему проводу в одной точке. Если Рекомендация по конструкции моноблока UMR не будет использоваться, тогда блоки силовой цепи будут заблокированы конденсаторами 0,1 мкФ.Для проверки параметров собранного усилителя и эффективности использованного в нем рекомендуется собрать неисправный селектор сигналов. Его схема представлена на картинке. Переменные резисторы —
R 1 и R 8 обеспечивают балансировку и компенсацию задержки управляемого сигнала.Отдельное спасибо за печатную плату и подготовку в описании Хочу выразить другу и просто хорошему человеку Под Ником Четланин. .
Источник питания:
Качество можно улучшить, применив транзисторы лучше к аутстерам, например КТ814-815 на 2SC4793-2SA1837, а вместо КТ818-819 поставить КТБ688-КТД718 или 2SD718-2SB688. Правда, эти развязки в упаковке TU247 вам нужно будет настроить на плате.
В программе на максимальной мощности усилитель потребляет (не превышается): 1.6-1,7 А.
Проволочный резистор нужен при первом включении, чтобы не заглушать выходные транзисторы, если в установке какой-то косяк.
При первом включении резистор, если до упора, то снимаешь и выставляешь настройки, ставим, вставляем предохранитель, включаем и слушаем.
Предохранитель (или вместо него неважно) необходим для моей разводки платы, так как для настройки нужно пробить + шину питания.
Печатная плата (.Lay) и схема усилителя (.spl) расположены.
.