Какое содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ818А. Какие особенности конструкции имеет КТ818А. Каковы основные электрические параметры КТ818А. Для каких применений используется транзистор КТ818А.
Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ818А
Транзистор КТ818А относится к кремниевым транзисторам большой мощности, выполненным в пластмассовом корпусе ТО-220. Согласно имеющимся данным, содержание драгоценных металлов в КТ818А составляет:
- Золото: 0,118 мг
- Серебро: не содержится
Наличие драгоценных металлов в конструкции транзистора обусловлено технологическими особенностями его производства. Золото используется для создания контактных площадок и проводников внутри корпуса транзистора, обеспечивая надежное электрическое соединение между кристаллом полупроводника и внешними выводами.
Особенности конструкции транзистора КТ818А
КТ818А имеет ряд конструктивных особенностей, определяющих его характеристики и области применения:
- Корпус ТО-220 (КТ-28-2) из опрессованной пластмассы
- Кремниевый полупроводниковый кристалл
- Структура p-n-p типа
- Встроенный теплоотвод для эффективного охлаждения
- Три вывода: эмиттер, база, коллектор
Пластмассовый корпус ТО-220 обеспечивает хорошую теплоотдачу и удобство монтажа транзистора на печатную плату или радиатор. Встроенный теплоотвод позволяет эффективно отводить тепло, выделяемое при работе транзистора на больших мощностях.
Основные электрические параметры КТ818А
КТ818А относится к мощным биполярным транзисторам p-n-p типа. Его ключевые электрические характеристики:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Максимальный ток коллектора: 10 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 75 Вт
- Коэффициент усиления по току: 20-100
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
Высокие значения допустимых токов и напряжений в сочетании с хорошими частотными свойствами делают КТ818А универсальным транзистором для применения в силовой электронике.
Области применения транзистора КТ818А
Благодаря своим характеристикам, КТ818А находит широкое применение в различных электронных устройствах и системах:
- Источники питания
- Усилители мощности звуковой частоты
- Импульсные преобразователи напряжения
- Драйверы электродвигателей
- Системы управления промышленным оборудованием
- Автомобильная электроника
В источниках питания КТ818А часто используется в качестве регулирующего элемента, обеспечивая стабилизацию выходного напряжения. В усилителях мощности этот транзистор применяется в выходных каскадах, работая в ключевом или аналоговом режиме.
Аналоги и замены транзистора КТ818А
При необходимости замены КТ818А можно использовать следующие аналоги с близкими характеристиками:
- TIP42 — зарубежный аналог с идентичными параметрами
- КТ819А — комплементарная пара n-p-n типа
- 2Т818А — силовой вариант с увеличенным током коллектора
- КТ837 — транзистор со схожими характеристиками в корпусе ТО-220
При выборе замены следует учитывать не только электрические параметры, но и особенности применения транзистора в конкретной схеме. В ряде случаев может потребоваться корректировка режимов работы или параметров цепей смещения.
Особенности эксплуатации и монтажа КТ818А
Для обеспечения надежной работы транзистора КТ818А необходимо соблюдать ряд правил при его эксплуатации и монтаже:
- Использование теплоотвода при работе на больших мощностях
- Применение теплопроводящей пасты для улучшения теплового контакта
- Соблюдение полярности подключения и допустимых режимов работы
- Защита от статического электричества при монтаже
- Механическая фиксация корпуса при монтаже на печатную плату
Правильный монтаж транзистора на теплоотвод с использованием теплопроводящей пасты позволяет существенно снизить тепловое сопротивление и повысить допустимую рассеиваемую мощность. При работе на предельных режимах рекомендуется использовать принудительное воздушное охлаждение теплоотвода.
Проверка и диагностика исправности КТ818А
Для оценки работоспособности транзистора КТ818А можно использовать следующие методы:
- Измерение статических параметров мультиметром
- Проверка коэффициента усиления с помощью простого тестера транзисторов
- Измерение токов утечки на предельных напряжениях
- Оценка теплового режима работы в реальной схеме
При проверке мультиметром следует измерить сопротивление переходов база-эмиттер и база-коллектор в прямом и обратном направлении. Исправный транзистор должен показывать низкое сопротивление в прямом направлении и высокое — в обратном. Отклонение от этих значений может свидетельствовать о неисправности транзистора.
Типичные неисправности КТ818А
В процессе эксплуатации транзистора КТ818А могут возникать следующие характерные неисправности:
- Пробой перехода коллектор-эмиттер при превышении допустимого напряжения
- Снижение коэффициента усиления из-за деградации полупроводниковой структуры
- Обрыв внутренних соединений при механических воздействиях
- Тепловой пробой кристалла при перегреве
Большинство неисправностей связано с нарушением режимов эксплуатации транзистора. Соблюдение допустимых электрических и тепловых режимов позволяет значительно повысить надежность и срок службы КТ818А в аппаратуре.
Перспективы применения и развития транзисторов типа КТ818А
Несмотря на появление новых типов полупроводниковых приборов, биполярные транзисторы типа КТ818А продолжают широко применяться в современной электронике. Это обусловлено рядом факторов:
- Хорошо отработанная технология производства
- Низкая стоимость
- Простота применения в схемотехнике
- Высокая надежность при правильной эксплуатации
Дальнейшее развитие транзисторов данного типа идет по пути повышения предельных параметров и улучшения частотных свойств. Появляются новые модификации с увеличенным допустимым током коллектора и напряжением пробоя.
В то же время в ряде применений биполярные транзисторы постепенно вытесняются полевыми транзисторами и IGBT, обладающими лучшими характеристиками управления. Однако в областях, где важна линейность усиления, биполярные транзисторы типа КТ818А сохраняют свои позиции.
Драгметаллы в транзисторах, корпус ТО-220 — Архив радиодеталей
Особенности конструкций
Транзисторы
Комментарии
Кремниевые транзисторы большой мощности конструктивно выполненные в корпусах из опрессованной пластмассы ТО-220 (КТ-9; КТ-28-2), технологически нередко содержат серебро и золото, данные по содержанию которых обобщены в таблице в миллиграммах
| Транзистор в корпусе ТО-220 | Содержание драгоценных металлов | |
|---|---|---|
| Золото (мг.) | Серебро (мг.) | |
| 2Т709А-2 – В-2 | 6,0 | 40,61 |
| КТ805АМ–ВМ, ИМ | 0,118 | — |
| 2Т818А2 – В2 | 0,724 | — |
| КТ818А–Г (TIP42) | 0,118 | — |
| 2Т819А2 – В2 | 0,724 | — |
| КТ819А–Г (TIP41) | 0,118 | — |
| 2Т825А2 – В2 | 0,724 | — |
| КТ829А–Г* | 0,335 | — |
| КТ837А–Ф | 0,118 | — |
| 2Т841А1, Б1 | 29,092 | 10, 27 |
| 2Т842А1, Б1 | 26,177 | 10, 27 |
| КТ857А | 0,5605 | — |
| КТ858А | 0,5604 | — |
| КТ859А | 0,396 | — |
| КТ872А, Б* | 0,356 | — |
| КТ872А–Г* (BU508) | — | 0,2887 |
| 2Т882А–В; 2Т883А,Б | 22,711 | 10,271 |
| 2Т884А,Б | 24,025 | 10,271 |
| КТ8115А–В; КТ8116А–В | — | 0,0842 |
| КТ8126А/ Б (MJE13006/7) | — | 0,2037 |
| КТ8156А, Б (BU807) | — | 0,1183 |
| КТ8158А–В* (BDV-65) | — | 0,2037 |
| КТ8159А–В* (BDV-64) | — | 0,2037 |
| КТ8164А/ Б (MJE13004/ 5) | — | 0,1183 |
| КТ8176А–В (TIP31) | — | 0,0334 |
| КТ8177А–В (TIP32) | — | 0,0334 |
| КТ999* | 1,54 | — |
| 2Т999А* | 1,538 | — |
| КП723А–Г | 0,2334 | — |
| КП724 | — | 0,362 |
| КП726 | — | 0,2135 |
Перечень кремниевых мощных транзисторов в пластмассовых корпусах ТО-220 (и подобных*) не содержащих драгметаллов (данных не найдено):
КТ712А; 2Т716-1; КТ723А; КТ724А; 2Т825А–В*; КТ835; 2Т837А–Г; КТ850; КТ851; КТ852; КТ853А–Г, К; КТ854; КТ855; КТ856-1; КТ863А; КТ886-1; КТ896А*; КТ898А*; КТ898А1*; КТ899А; КТ8101*; КТ8102*; КТ8106*; КТ8107*; КТ8108; КТ8109; КТ8111*; КТ8114*; КТ8117А*; КТ8118А; КТ8120А; КТ8121, КТ8121-1; КТ8123А; КТ8124; КТ8127В-1*; КТ8136А; КТ8140А; КТ8149-1*; КТ8149А-1; КТ8149-2; КТ8150А-1; КТ8150-2; КТ8225А*; КТ8229А*; КТ8230А*; КТ902АМ*; КТ950А; КТ997; КТ999А*;
КП704; КП709; КП717-1*; КП718-1*; КП728-1; КП728*; КП728-2*; КП752; КП775; КП780; КП805; КП921А; КП922-1; КП931-1, -2; КП932А; КП934В1; КП954.
*)- корпус ТО-3РВ (КТ43; КТ43-2; ТО-218).
← Предыдущий пост
Следующий пост →
Архив радиодеталей © 2018-2023 |
Оставляя комментарий
или используя обратную связь, вы соглашаетесь с правилами обработки персональных данныхТранзисторы МП в Курске: 23-товара: бесплатная доставка [перейти]
Партнерская программаПомощь
Курск
Каталог
Каталог Товаров
Одежда и обувь
Одежда и обувь
Стройматериалы
Стройматериалы
Здоровье и красота
Здоровье и красота
Текстиль и кожа
Текстиль и кожа
Детские товары
Детские товары
Продукты и напитки
Продукты и напитки
Электротехника
Электротехника
Дом и сад
Дом и сад
Мебель и интерьер
Мебель и интерьер
Сельское хозяйство
Сельское хозяйство
Вода, газ и тепло
Вода, газ и тепло
Все категории
ВходИзбранное
Транзистор N-MOSFET полевой NEXPERIA NX3020NAKW.
115 (NX3020NAKW.115) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕ
транзистор BFY50 TO-39 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
Транзистор TIP115 TO220 Тип: транзистор, Производитель: Без бренда
ПОДРОБНЕЕ
Транзистор МП15А Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
Транзистор D13N3LT, K35-35 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
Транзистор МП16 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
Транзистор МП26Б Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
Транзистор TIP41A TO220 Тип: транзистор, Производитель: Без бренда
ПОДРОБНЕЕ
Транзистор IRFB4310Z, K10-41 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
МП 40 А транзистор Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
Транзистор полевой IRFZ44N (41A, 55V) Тип: транзистор, Производитель: Без бренда
ПОДРОБНЕЕ
Транзистор BSR52, K153-41 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
Транзистор N-канал IRFZ44NPBF, N-канал 55В 41А Тип: транзистор, Производитель: Oem
ПОДРОБНЕЕ
Транзистор N-MOSFET полевой Infineon (IRF) IRFIB41N15DPBF (IRFIB41N15DPBF) Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕ
Транзистор МП101 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
Транзистор МП15 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
IRFB41N15DPBF, Транзистор полевой N-канальный 150В 41A Infineon Technologies Тип: транзистор,
ПОДРОБНЕЕ
P2504BDG, Транзистор полевой N-канальный 40В 12А 41Вт NIKO SEMICONDUCTOR CO.
, LTD. Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
МП40 транзистор биполярный Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
МП40А транзистор биполярный Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
4039253811540 цоколевка40 содержание драгметалловМП 26 Б транзистор Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
Транзистор мп13 германиевый Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
Транзистор МП25 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
Транзистор AOD4286, K241-35 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
2N4403G, Транзистор PNP 40В 0.6А Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
МП 38 транзистор Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
МП40А Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
транзистор МП101 Тип: транзистор
ПОДРОБНЕЕ
2 страница из 3
Транзисторы МП
Национальный фондовый номер (NSN)
Национальный фондовый номер (NSN) 208.
7301 Определения. Как используется в этом подразделе-
«Центр оборонных промышленных поставок (DISC)» означает полевую деятельность Агентства материально-технического снабжения Министерства обороны, расположенную по адресу: 700 Robbins Avenue, Philadelphia, PA 19111-5096, которое является назначенным менеджером по товарным интегрированным материалам для аффинированных драгоценных металлов и отвечает за хранение и выпуск такого материала.
«Процедура оценки двойного ценообразования» означает процедуру, при которой оференты представляют две цены на изделия, содержащие драгоценные металлы: одну на основе драгоценных металлов, поставляемых государством, и другую, основанную на драгоценных металлах, поставляемых подрядчиком. Сотрудник по контрактам оценивает цены, чтобы определить, какая из них лучше всего отвечает интересам правительства.
«Индикаторный код драгоценных металлов (PMIC)» означает однозначный буквенно-цифровой код, присвоенный товарам, пронумерованным на национальном складе, в Общем реестре предметов Интегрированной системы оборонных данных, используемый для указания наличия или отсутствия драгоценных металлов в предмете.
«Очищенный драгоценный металл» означает восстановленное серебро, золото, платину, палладий, иридий, родий или рутений в слитках, гранулятах или губчатой форме, которые были очищены до чистоты не менее 0,999%.
DoD направлена на максимальное участие в Программе восстановления драгоценных металлов (PMRP). Компоненты Министерства обороны должны поставлять восстановленные драгоценные металлы, содержащиеся в запасах DISC, производственным подрядчикам, а не использовать драгоценные металлы, предоставленные подрядчиком, всякий раз, когда должностное лицо по контракту определяет, что это отвечает интересам правительства. (См. DoDD 4160.22, Извлечение и использование драгоценных металлов.)
(a) Менеджеры по товарам и сотрудники по контрактам будут использовать PMIC и/или другие соответствующие данные, предоставленные вместе с запросом на закупку, для определения применимости этой части.
(b) Когда оферент сообщает о потребностях в драгоценных металлах, сотрудник по контрактам должен использовать процедуры, изложенные в Главе X Министерства обороны США 4160.21-M «Руководство по оборонному использованию и утилизации», для определения наличия требуемых активов из драгоценных металлов и текущих материальных средств, предоставленных государством. (GFM) цены за единицу. Если драгоценные металлы доступны, сотрудник по контрактам должен оценить предложения и присудить контракт на основе предложения, которое отвечает интересам правительства.
(c) Если пункт, предписанный 208.7305, включен в заявку, сотрудник по контрактам должен убедиться, что Раздел B, График поставок или услуг и цены, структурирован в соответствии с
(1) Разрешить вставку альтернативных цен для каждого номера позиции поставляемого контракта, в которой используются драгоценные металлы; и
(2) Используйте процедуры оценки двойного ценообразования.
Следующие аффинированные драгоценные металлы в настоящее время находятся под управлением DISC:
208.7305 Пункт договора.(a) Используйте пункт 252.208-7000 «Намерение предоставить драгоценные металлы в качестве материала, предоставленного государством» во всех предложениях и контрактах, кроме
.(1) Когда сотрудник по контрактам определил, что требуемые драгоценные металлы недоступны в DISC;
(2) Когда должностному лицу по контракту известно, что приобретаемые предметы не требуют драгоценных металлов для их изготовления; или
(3) Для приобретений ниже порога небольшой покупки в FAR 13.000.
(b) Чтобы принять решение, указанное в пункте (a)(1) настоящего раздела, сотрудник по контракту должен проконсультироваться с менеджером по запасам конечной продукции и выполнить процедуры, указанные в Главе X, DoD 4160.
21-M, Использование и утилизация в оборонных целях. Руководство.
PGI 208.73 — ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ДРАГОЦЕННЫХ МЕТАЛЛОВ, ПРИНАДЛЕЖАЩИХ ГОСУДАРСТВУ
« ПредыдущийСледующий »
PGI 208.73 — ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ГОСУДАРСТВЕННЫХ ДРАГОЦЕННЫХ МЕТАЛЛОВ
PGI 208.7301 Определения.
В данном подразделе —
«Процедура оценки двойного ценообразования» означает процедуру, при которой оференты представляют две цены на изделия, содержащие драгоценные металлы: одну на основе драгоценных металлов, предоставленных государством, и другую, основанную на драгоценных металлах, предоставленных подрядчиком. Сотрудник по контрактам оценивает цены, чтобы определить, какая из них лучше всего отвечает интересам правительства.
«Индикаторный код драгоценных металлов (PMIC)» означает однозначный буквенно-цифровой код, присвоенный товарам, пронумерованным национальным запасом, в Общей записи товаров Интегрированной системы данных Министерства обороны, используемый для указания наличия или отсутствия драгоценных металлов в предмете.
PMIC и значение содержимого соответствующих элементов перечислены в DoD 4100.39-M, Руководство по процедурам Федеральной логистической информационной системы (FLIS), том 10, глава 4, таблица 160.
PGI 208.7303 Процедуры.
(1) Руководители позиций и должностные лица по контрактам будут использовать PMIC и/или другие соответствующие данные, предоставленные вместе с запросом на закупку, для определения применимости этой части.
(2) Когда оферент уведомляет о потребности в драгоценных металлах, сотрудник по контрактам должен использовать процедуры, описанные в главе 11 DoD 4160.21-M, Руководство по распоряжению военными материальными средствами, для определения наличия требуемых активов из драгоценных металлов и текущих материальных средств, предоставленных государством. (GFM) цены за единицу. Если драгоценные металлы доступны, сотрудник по контрактам должен оценить предложения и присудить контракт на основе предложения, которое отвечает наилучшим интересам правительства.
