Какие основные параметры имеют транзисторы КТ818 и КТ819. Где они применяются. Какие у них есть современные аналоги. Как правильно подобрать замену этим транзисторам.
Основные характеристики транзисторов КТ818 и КТ819
КТ818 и КТ819 — это мощные биполярные транзисторы, разработанные в СССР в 1970-х годах. КТ818 имеет структуру p-n-p, а КТ819 — n-p-n. Эти транзисторы выпускались в нескольких модификациях с буквенными индексами от А до Г.
Основные параметры транзисторов КТ818 и КТ819:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40-100 В (зависит от модификации)
- Максимальный ток коллектора: 10-15 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 50-125 Вт
- Коэффициент усиления по току: 12-20
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 3-4 МГц
Корпуса и цоколевка транзисторов КТ818 и КТ819
Транзисторы КТ818 и КТ819 выпускались в двух основных вариантах корпусов:
- Пластиковый корпус КТ-28 (аналог TO-220) — для модификаций без индекса «М»
- Металлический корпус КТ-9 (аналог TO-3) — для модификаций с индексом «М»
Цоколевка транзисторов в корпусе КТ-28:
- Эмиттер
- Коллектор
- База
В металлическом корпусе КТ-9 коллектор соединен с корпусом, а выводы базы и эмиттера расположены на изолированных выводах.
Области применения КТ818 и КТ819
Благодаря своим характеристикам, транзисторы КТ818 и КТ819 нашли широкое применение в различных областях электроники:
- Выходные каскады усилителей звуковой частоты
- Импульсные источники питания
- Схемы управления электродвигателями
- Ключевые и линейные стабилизаторы напряжения
- Мощные переключатели
Особенно популярным было использование комплементарных пар КТ818 и КТ819 в выходных каскадах усилителей мощности звуковой частоты.
Преимущества и недостатки транзисторов КТ818/КТ819
Основные преимущества транзисторов КТ818 и КТ819:
- Высокая мощность и большой допустимый ток коллектора
- Широкий диапазон рабочих напряжений
- Доступность и низкая стоимость
- Наличие комплементарных пар
К недостаткам можно отнести:
- Относительно низкий коэффициент усиления по току
- Большой разброс параметров между экземплярами
- Низкая граничная частота
- Склонность к самовозбуждению в некоторых схемах
Современные аналоги КТ818 и КТ819
В настоящее время производство транзисторов КТ818 и КТ819 практически прекращено. Для замены этих транзисторов можно использовать современные аналоги:
- TIP3055 и TIP2955 — наиболее близкие зарубежные аналоги
- 2N3055 и MJ2955 — классические мощные транзисторы с похожими параметрами
- BD249 и BD250 — транзисторы в корпусе TO-3 с улучшенными характеристиками
- MJE3055T и MJE2955T — транзисторы в корпусе TO-220 с высоким коэффициентом усиления
Особенности замены КТ818 и КТ819 на современные аналоги
При замене транзисторов КТ818 и КТ819 на современные аналоги следует учитывать несколько важных моментов:
- Проверьте соответствие основных параметров: напряжение коллектор-эмиттер, максимальный ток коллектора, рассеиваемую мощность.
- Обратите внимание на коэффициент усиления по току — у современных транзисторов он обычно выше, что может потребовать корректировки схемы.
- Учитывайте разницу в корпусах и способах монтажа.
- При замене в выходных каскадах УНЧ может потребоваться подбор и настройка режима покоя.
- Проверьте устойчивость схемы после замены, так как современные транзисторы имеют более высокую граничную частоту.
Выбор транзисторов для выходных каскадов УНЧ
При выборе транзисторов для замены КТ818 и КТ819 в выходных каскадах усилителей низкой частоты следует обратить внимание на следующие параметры:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер — должно быть не меньше, чем у оригинальных транзисторов
- Максимальный ток коллектора — определяет максимальную выходную мощность
- Рассеиваемая мощность — влияет на тепловой режим работы
- Коэффициент усиления по току — желательно выбирать транзисторы с близкими значениями h21E
- Граничная частота — должна быть не ниже, чем у оригинальных транзисторов
Рекомендации по использованию КТ818 и КТ819 в современных схемах
Несмотря на то, что транзисторы КТ818 и КТ819 считаются устаревшими, они все еще могут использоваться в некоторых применениях. Вот несколько рекомендаций по их использованию в современных схемах:
- Тщательно подбирайте пары транзисторов по коэффициенту усиления для уменьшения нелинейных искажений.
- Используйте эффективные системы охлаждения для обеспечения нормального теплового режима.
- Применяйте схемы температурной стабилизации режима покоя.
- Используйте цепи коррекции для улучшения частотных характеристик.
Заключение
Транзисторы КТ818 и КТ819 сыграли важную роль в развитии отечественной электроники. Несмотря на некоторые недостатки, они обеспечивали хорошие характеристики усилителей и других устройств. В настоящее время эти транзисторы можно заменить на современные аналоги, обладающие улучшенными параметрами. При замене необходимо учитывать особенности конкретной схемы и проводить тщательный подбор и настройку компонентов.
Аналоги для кт818 — Аналоги
КТ818А 2N5193Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818А 2N6111 Отечественный и зарубежный аналоги КТ818А BD292Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818А КТ816АОтечественный и зарубежный аналоги
КТ818Б 2N6132Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Б 2SB754Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Б BD202Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Б BD294Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Б BD664Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Б BD706Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Б BD950Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Б BDT92Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Б BDV92 Отечественный и зарубежный аналоги КТ818Б TIP42Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818БМ 2N6469Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818БМ BDW22Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818БМ BDW52Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818БМ BDX92Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818В 2N6109Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818В 2N6133Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818В 2SB1019Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818В 2SB553Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818В BD204Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818В BD296Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818В BD536Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818В BD708Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818В BD952Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818В BDT94Отечественный и зарубежный аналоги
Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818В BDW94Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818В КТ816ВОтечественный и зарубежный аналоги
КТ818ВМ 2N6246Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818ВМ BDW22AОтечественный и зарубежный аналоги
КТ818ВМ BDW52AОтечественный и зарубежный аналоги
КТ818ВМ BDX94Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Г 2N5195Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Г 2N6107Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Г 2N6134Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Г 2SB1016Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Г 2SB1018Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Г BD538Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Г BD710Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Г BD954Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Г BDT96Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Г BDV96Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Г BDX78Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818Г КТ816ГОтечественный и зарубежный аналоги
КТ818ГМ 2N6247Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818ГМ 2N6248Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818ГМ 2SB558Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818ГМ BDW22BОтечественный и зарубежный аналоги
КТ818ГМ BDW22CОтечественный и зарубежный аналоги
КТ818ГМ BDW52BОтечественный и зарубежный аналоги
КТ818ГМ BDW52CОтечественный и зарубежный аналоги
КТ818ГМ BDX18Отечественный и зарубежный аналоги
КТ818ГМ BDX96Отечественный и зарубежный аналоги
Транзистор кт819гм параметры аналоги — Морской флот
В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств «интернета вещей» и «носимых гаджетов»
Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.
Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер»
Амбициозная цель компании MediaTek – сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик – порог входа очень низкий.
Семинар и тренинг «ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!» (14-15.10.2013, Новосибирск)
Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений. который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.
Популярные материалы
Комментарии
люди куплю транзистар кт 827А 0688759652
как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время
Светодиод – это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не «ИК светодиод» и «Светодиод инфракрасный», как указано на сайте.
Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок
Тип | Предельные параметры | Параметры при T = 25°C | RТ п-к, °C/Вт | Корп. | ||||||||||
IК, max, А | IК и, max, А | UЭБ0 max, В при T = 25°C | PК max, Вт | Tп max, °C | TК max, °C | UКЭ (UКБ), В | IК (IЭ), А | UКЭ нас, В | CК, пФ | CЭ, пФ | tвыкл, мкс | |||
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г | 10 | 15 | 5 | 60 | 125 | 100 | (5) | 5 | 2 | 1000 | 2,5 | 1,67 | КТ-28 | |
КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ | 15 | 20 | 5 | 100 | 125 | 100 | 5 | 5 | 2 | 1000 | 2,5 | 1 | КТ-9 | |
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В | 15 | 20 | 5 | 100 | 150 | 125 | (5) | 5 | 1000 | 2,5 | 1,25 | КТ-9 | ||
2Т819А2, 2Т819Б2, 2Т819В2 | 15 | 20 | 5 | 40 | 150 | 100 | (5) | (5) | 700 | 2000 | 1,2 | 3,13 | КТ-28 |
- IКmax — максимальный ток коллектора;
- IК и. max — максимальный импульсный ток коллектора;
- Pкmax — максимальная мощность коллектора без радиатора;
- Uкэо — максимальное напряжение коллектор-эмиттер;
- Iкбо = 1 мА — обратный ток коллектора;
- fгр. = 3 МГц — максимальная рабочая частота в схемах с общим эмиттером.
В следующей таблице представлена зависимость максимально допустимого (импульсного) напряжения коллектор-эмиттер от типа транзистора КТ819:
Тип | UКЭ0 гр, В |
КТ819А, КТ819АМ | 25 |
КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819В, 2Т819В2 | 40 |
КТ819В, КТ819ВМ, 2Т819Б, 2Т819Б2 | 60 |
КТ819Г, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819А2 | 80 |
И ещё один немаловажный параметр минимальный статический коэффициент передачи тока КТ819:
Тип | h21Э |
КТ819Г, КТ819ГМ | 12 |
КТ819А, КТ819АМ, КТ819В, КТ819ВМ | 15 |
КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819А, 2Т819А2, 2Т819Б, 2Т819Б2, 2Т819В, 2Т819В2 | 20 |
КТ819 — применение
Сразу стоит упомянуть, что КТ819 имеет комплементарную пару — транзистор КТ818 с p-n-p структурой. Параметры КТ818 аналогичны параметрам КТ819 с совпадающими буквами.
И вот в паре с КТ818, КТ819 часто применялся в оконечных каскадах звуковоспроизводящей аппаратуры. Также благодаря своей дешевизне нашел применение в ключевых и линейных стабилизаторах постоянного напряжения.
КТ819 имеет серьезные минусы:
- низкий коэффициент усиления по току (от 12 до 20 в зависимости от подтипа), и это требует серьезной раскачки на предварительном каскаде;
- плохая повторяемость параметров от экземпляра к экземпляру, из-за этого чтобы подобрать две пары транзисторов по коэффициенту усиления может потребоваться перебрать целое ведро КТ819
Так что если потребуется отремонтировать отечественный усилитель, то лучше сразу покупать импортные аналоги.
Например вместо КТ819 и КТ818 в корпусе КТ-9, поставить зарубежную пару в корпусе TO-3:
MJ15001 и MJ15002 или MJ15003 и MJ15004.
В принципе аналогов много и в интернете много информации на этот счет, только вот не факт, что конкретно в этом усилителе замена подойдет. Поэтому перед заменой необходимо свериться с документацией производителя, транзистор которого собираетесь устанавливать так как от производителя к производителю у одного и того же типа транзистора могут отличатся параметры.
Вот ещё аналоги:
- КТ818ГМ — 2N2955
- КТ819ГМ — 2N3055
- 2Т819А — 2N5068
8 thoughts on “ КТ819 параметры ”
Не считаю, что низкий коэффициент передачи тока, данных транзисторов, являлся серьезным минусом, при использовании в выходных каскадах УМЗЧ. Скорее наоборот, особенно в экономичном режиме усиления АБ, когда часть работы выходного каскада брал на себя предварительный. К тому-же, многокаскадность позволяет использовать разнообразные цепи коррекции АЧХ. А для любых биполярных транзисторов, в таком применении, без этого никак не обойтись. А для простых, но мощных УНЧ (мегафонных, сиренных…), да, не очень подходят. Только для схематично-сложных Hi-Fi.
Разброс КПТ, при его изначальной малости, тоже довольно мал, так что подобрать пару несложно, не путайте с 825-ми и 827-ми.
По настоящему хороши 2Т818ГМ, 2Т819ГМ и их аналоги 2N2955, 2N3055.
Много «дохлых» попадается среди непользованных 818/819, с утечкой, звонящихся между коллектором и эмиттером.
Для пары КТ819 и КТ818 небольшие начальные утечки тока почти норма, и при их прямой замене на зарубежные аналоги, придется провести тщательную перенастройку всех предыдущих каскадов, включенных в обратную связь по току.
Паразитная проводимость обязательно учитывается при проектировании схем, и даже в некоторых случаях предотвращает самовозбуждение.
И если речь идет о замене транзистора в высококлассном многокаскадном УМЗЧ, то лучше будет после этого сделать настройку с помощью осциллографа и генератора низкой частоты.
Транзисторы с утечкой в выходном каскаде — ни ток покоя, ни ноль на выходе уже не выставишь без плясок с бубном.
Помню времена , когда за пару 818-819 нужно было отвалить чуть-ли не ползарплаты инженера.Зато усилители радовали. Сегодня вытеснила интегральная электроника — дискретную. Но для тренировки ума и рук — очень полезная деталь. Я, кстати, просто как ленивый радиолюбитель рассуждаю.
Ну, те что в железе, действительно, были дороговаты… Правда, у радиоинженера были возможности их просто выписать на складе, сдав взамен сгоревшие, для отчетности ) А те, что пошли попозже и были одеты в пластик, дорого уже не стоили. И не потому, что так уж хуже были по параметрам, а потому, что технология производства гораздо проще и дешевле. Сегодня ситуация не изменилась — один и тот же кристалл одетый в железо стоит на порядок (!) дороже аналогичного в пластике. Это касается и отечественных и зарубежных транзисторов.
Ребята, используйте 2Т819 и никакой 2N3055 вам не понадобится!
Ну. Всё захаили всё советское это не так,это не то,всё гавно -а. забугорное не гавно- это сладость. Как ламповые уселители так и транзисторные. Радиотехника… Бердский радиозавод. и т.д. Что-то все хотели купить 1 класса . и 0 высшего. А кто знает какого параметра была ихняя электроника ?Вы кто-то производил снятия характеристик?Я давно выписываю журнал Радио. И не надо хаить советскую радиопромышленность. Что то сейчас в тренде опять советские ламповые уселители.
Кт838а технические характеристики, схемы применения и аналоги
Содержание драгметаллов
Транзистор КТ803А(2T803А) содержит драгоценные металлы. В современных справочниках обычно приводится следующая информация: содержание золота — 0,02982гр., серебра — 0,154042гр. Вместе с тем, в различных даташит советских времен могут встречается и другие данные, очень близкие к указанным.
В основном ценятся изделия выпущенные по декабрь 1989 г. После этой даты встречается бракованные экземпляры или с пониженным содержанием драгметаллов. Поэтому, перед покупкой такого лома для аффинажа, они просят надпиливать шляпки у устройств, чтобы было видно золотистую подложку. На фотографии ниже продемонстрировано, как это обычно делают.
Распиновка
Цоколевка КТ819 зависит от его назначения. В советские времена устройство выпускали в двух вариантах корпусов: пластиковом КТ-28 (аналог зарубежного ТО-220) и металлостеклянном КТ-9(ТО-3). В настоящее время такое разделение продолжается и встречается в некоторых технических описаниях. Рассмотрим поподробней расположение выводов у указанного транзистора в пластмассовой упаковке КТ-28, cлева на право у него: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).
Подобные устройства, особенно в металлическом корпусе, встречаются на российском рынке с каждым годом все реже. Это происходит из-за практически полного сокращения их производства в нашей стране и наличия в большом количестве недорогих аналогов от зарубежных компаний. Вот так выглядит КТ819 в корпусе КТ-9.
Если смотреть на него снизу, то база расположена слева, эмиттер справа. Металлическая подложка-корпус — это коллектор. Рассмотрим другие данные этой серии полупроводниковых триодов.
Технические характеристики
В 70-х годах, с ростом советской промышленности, появляются кремниевые мезапланарные переключательные NPN-транзисторы повышенной мощности
Важной особенностью таких устройств были повышенные характеристики предельно допустимых параметров
Максимальные
Предельно допустимые эксплуатационные характеристики КТ808 были достаточно высокими для того времени. Эти устройства обладали хорошим статическим коэффициентом усиления по току (h31е) – от 10 до 50. Имели увеличенное быстродействие: время включения-выключения составляло от 0.1 до 0.3 мкс, а рассасывания (Ts) от 0.75 до 3 мкс. Приведем другие основные параметры:
- максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и эмиттером (условия измерения сопротивление перехода база – эмиттер RБЭ = 10 Ом, температура кристалла не более 100 ОС) – 100…120 В.
- предельное импульсное напряжение между коллектором и эмиттером (условия измерения Uбэ = 2 В или Rбэ = 10 Ом, tu < 500 мкс tф > 30 мкс, Q > 7, Тп < +100 ОС) – до 250 В.
- наибольшее возможное напряжение между эмиттером и базой – до 4 В.
- предельно допустимый постоянный ток коллектора – до 10 А.
- наибольшая постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе (при температуре корпуса от -60 ОС до + 50ОС) с теплоотводом – 50 Вт, и без него – 5 Вт.
- максимальная температура кристалла до + 150 ОС.
- рабочая температура окружающей среды от- 60 до +100 ОС.
- вес устройства с фланцем — не более 34 гр.
Электрические
Далее приведем значения электрических значений у КТ808A. Производитель приводит эти данные для температуры окружающей среды не более +25 ОС. Условия, при которых проводилась проверка, представлены в дополнительных пояснениях к наименованиям параметров.
Аналоги
У старичка КТ808A есть современный аналог 2T808А. Он представлен во всех спецификациях российского предприятии АО «Научно производственное предприятие «Завод Искра», как усилительный транзистор специального назначения. КТ808АМ, КТ808А3 тоже являются полными аналогами этого отечественного производителя, но имеют другой корпус КТ-9. Других полноценных замен у данного прибора не существует. Встречаются конечно достаточно редкие 2Т808Б и КТ808АТ, но они были выпущены ограниченными партиями и даже сейчас их сложно найти в продаже.
Как можно заметить, замену сильно усложняет нестандартный корпус КТЮ-3-20, который никогда не производился за рубежом. Несмотря на это некоторые умельцы находят возможность подмены в ближайших по характеристикам: КТ808БМ, КТ808Б3, 2Т819 (КТ819), 2Т827 (КТ827), 2Т908 (КТ908), 2Т945 (КТ945).
В зависимости от типа схемы можно рассмотреть и зарубежные варианты: BDY47, 2N3055, 2N4913, 2N4914, 2N4915, 2N5427, 2N5429, 2SD201, 2SD202, 2SD203, KU606, 2SC1113, 2SC1618, 2SC1619, KD602, BUY55, KU606, 2SD867. Все они оснащены другими типами корпусов ТО-3 или ТО-66, поэтому перед заменой необходимо продумывать способ монтажа и охлаждения.
Комплементарная пара
У транзистора КТ808А отсутствует комплементарная пара. У самых первых «Бриг-001» в выходном каскаде усиления, в пару для КТ808АМ подбирали почти идентичный КТ808БМ. Такая конструкция обеспечивала хорошее усиление, но как оказалось имела и свои минусы, влияющие на качество звука. В последующем они были устранены с помощью комплементарных между собой КТ818ГМ и КТ819ГМ, что позволило значительно улучшить звучание указанных Hi-Fi-устройств.
Биполярный транзистор KT829B — описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: KT829B
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
KT829B
Datasheet (PDF)
5.1. kt829a.pdf Size:33K _no
n-p-n,
829
Ik max,A 8
Uo (U max),B100
U max,B 100
P max(P max), 60
T max,C 150
h31(h31) 750
U(U),B 3
I(I),A 3
U ,B 2
I(IR), 1500
f(fh31), 4
R -(R -),/ 2.08
5.2. kt829a.pdf Size:213K _inchange_semiconductor
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor KT829A
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V = 100V(Min)
(BR)CEO
·High DC Current Gain
: h = 750(Min) @I = 3A
FE C
·Low Saturation Voltage
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
APPLICATIONS
·Designed for use as complementary AF push-pull output
stage applications
ABSOLUTE
5.3. kt829a-b-v-g.pdf Size:713K _russia
5.4. kt8297.pdf Size:194K _integral
КТ8297
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
p-n-p транзистор
Назначение
Транзистор p-n-p кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для
использования в линейных усилителях, сх
5.5. kt8296.pdf Size:194K _integral
КТ8296
кремниевый биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для
использования в линейных усилителях, сх
5.6. kt8290.pdf Size:199K _integral
КТ8290А
высоковольтный биполярный
эпитаксиально-планарный
n-p-n транзистор
Назначение
Транзистор n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе. Предназначен для
использования в импульсных источн
Другие транзисторы… 2SC4355
, 2SC4356
, 2SC4357
, 2SC4358
, 2SC4359
, 2SC436
, 2SC4360
, 2SC4361
, BD139
, 2SC4363
, 2SC4364
, 2SC4365
, 2SC4366
, 2SC4367
, 2SC4368
, 2SC4369
, 2SC437
.
КТ818 , 2Т818 — кремниевый транзистор структуры p-n-p
Рис. 4. Изображение транзистора КТ818 на принципиальных схемах.
Рис. 5. КТ818(А…Г), 2Т818(А-2…В-2) в пластиковом корпусе, внешний вид и цоколевка.
Рис. 6. КТ818(АМ…ГМ), 2Т818(А…В) в металлическом корпусе, внешний вид и цоколевка.
Основные технические характеристики транзисторов КТ818:
Прибор | Предельные параметры | Параметры при T = 25°C | RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||||
при T = 25°C | |||||||||||||||||||||
IК, max, А | IК и, max, А | UКЭ0 гр, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, Вт | TК, °C | Tп max, °C | TК max, °C | h21Э | UКЭ(UКБ),В | IК (IЭ), А | UКЭ нас, В | IКБ0, мА | fгр, МГц | Кш, дБ | CК, пФ | CЭ, пФ | tвкл, мкс | tвыкл, мкс | ||
КТ818А | 10 | 15 | 25 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 15 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||||
КТ818Б | 10 | 15 | 40 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 20 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||||
КТ818В | 10 | 15 | 60 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 15 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||||
КТ818Г | 10 | 15 | 80 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 12 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||||
КТ818АМ | 15 | 20 | 25 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | |||||
КТ818БМ | 15 | 20 | 40 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | |||||
КТ818ВМ | 15 | 20 | 60 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | |||||
КТ818ГМ | 15 | 20 | 80 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | |||||
2Т818А | 15 | 20 | 80 | 100 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||||
2Т818Б | 15 | 20 | 60 | 80 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||||
2Т818В | 15 | 20 | 40 | 60 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||||
2Т818А2 | 15 | 20 | 80 | 100 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2000 | 1,2 | 3,13 | |||
2Т818Б2 | 15 | 20 | 60 | 80 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2000 | 1,2 | 3,13 | |||
2Т818В2 | 15 | 20 | 40 | 60 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2000 | 1,2 | 3,13 |
Подготовлено для сайта RadioStorage.net
Применение
На транзисторе КТ838 можно собрать регулируемый источник переменного тока. В данной схеме его включают последовательно с нагрузкой. Преимущество данной схемы, перед тиристорными, заключается в следующем: отсутствие дорогостоящих деталей, синусоидальное напряжение на выходе, простота схемы, отсутствие дефицитных деталей, во время работы не создает помех в электросеть.
Данный регулируемый источник переменного тока можно использовать вместо лабораторного автотрансформатора. С его помощью можно регулировать температуру паяльника, скорость вращения электродвигателя. Данный прибор можно использовать для регулирования напряжения, как при активной, так и при реактивной нагрузке.
При работе в такой схеме транзистор КТ838 выделяет много тепла и поэтому возникает проблема с его отводом.
Диодный мост VD1 обеспечивает протекание прямого тока через транзистор при любом полупериоде переменного напряжения сети. Выпрямленное диодным мостом VD2 напряжение сглаживается электролитическим конденсатором С1. При помощи переменного резистора R2 регулируется ток базы транзистора VТ1, а значит и его сопротивление в цепи переменного тока. Резистор R1 выступает в роли ограничителя тока. Диод VD3 нужен для того, чтобы напряжение отрицательной полярности не попало на базу транзистора. Таким образом, регулируя напряжение на базе, мы управляем сопротивлением транзистора, а значит и током в коллекторной цепи. Изменяя ток коллектора, мы меняем ток нагрузки.
В диодном мосте VD1 используется четыре диода Д223. Для диодного моста VD2 можно использовать диоды КЦ405А. Диод VD3 это Д226Б. Электролитический конденсатор С1 имеет емкость 200 мкФ и рассчитан на напряжение 16 В. Переменный резистор R2 обязательно должен быть проволочным ППБ15 или ППБ16 мощностью не менее 2,5 Вт. Его сопротивление 1 кОм. Трансформатор Т1 рассчитывается на мощность от 12 до 15 Вт. Напряжение на вторичной обмотке трансформатора 6 — 10 В. Транзистор должен быть установлен на радиаторе площадью не менее 250 см2.
Чтобы увеличить мощность регулируемого источника переменного тока, нужно заменить транзистор VТ1 и диоды, используемые в диодном мостике VD1. При замене транзистора КТ838 на КТ856 можно будет подключать нагрузку 150 Вт, при замене на КТ834 — 200 Вт, КТ847 — 250 Вт.
Данный регулируемый источник тока гальванически связан с электрической сетью. Поэтому его корпус должен быть сделан из диэлектрика, а на переменный резистор R2 нужно надеть изолированную ручку.
Также можете скачать DataSheet от компании ООО «Электроника и Связь»
Оцените статью:На главную страницу || Карта сайта
| ||||||||
От составителя:В справочник по мощным транзисторам вошла как документация из
изданных еще при СССР каталогов, так и информация из справочных
листков и документация с сайтов производителей. Основой является таблица, где приведено наименование транзистора, аналоги, тип проводимости, тип корпуса, максимально допустимые ток и напряжения и коэффициент усиления,
то есть основные параметры, по которым выбирается транзистор.
Руководствуясь этой таблицей, можно значительно сузить область поиска.
Если транзистор по этим данным подходит, можно просмотреть
краткий справочный листок (только для распространенных приборов, например,
КТ502, КТ503,
КТ814, КТ815,
КТ816, КТ817,
КТ818, КТ819,
КТ825,
КТ827, КТ829,
КТ837,
КТ838, КТ846,
КТ940,
КТ961, КТ972,
КТ973,
КТ8101, КТ8102), где приведены только основные параметры транзисторов (которых, впрочем, достаточно для грубых расчетов), фото с цоколевкой,
аналоги и производители. Для более детального изучения характеристик
нужно открыть datasheet, где уже есть графики зависимостей параметров и редко требующиеся характеристики.
Всего в справочнике приведено подробное описание более 140 отечественных мощных транзисторов и более 100 их импортных аналогов. | ||||||||
Фильтр параметров: n-p-n p-n-p Составные транзисторы Высоковольтные Показать все | ||||||||
Типы корпусов | ||||||||
Наименование | Аналог | Корпус | Тип | Imax, A | Umax, В | h31e max | ||
КТ501(А-Е) | BC212 | TO-18 | pnp | 0,3 | 30 | 240 | КТ501 предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Справочные данные транзистора КТ501 содержатся в даташит. | |
КТ502(А-Е) | MPSA56 | TO-92 | | pnp | 0,15 | 90 | 240 | Транзистор КТ502(А-Е) в корпусе ТО-92, предназначен для применения в усилителях низкой частоты. Подробные параметры КТ502 и цоколевка приведены в даташит. Аналог КТ502 — MPSA56. Комплементарная пара КТ503. |
КТ503(А-Е) | 2SC2240 | TO-92 | | npn | 0,15 | 100 | 240 | Универсальный транзистор КТ503(А-Е) в корпусе TO-92, предназначен для работы в усилителях НЧ. Подробные характеристики, графики зависимостей параметров и цоколевка КТ503 приведены в datasheet. Аналог КТ503 — 2SC2240. Комплементарная пара (транзистор обратной проводимости с близкими параметрами) — КТ502. |
КТ504(А,Б,В) | BSS73 | TO-39 | npn | 1 | 350 | 100 | КТ504(А-В) в металлическом корпусе, для применения в преобразователях. Цоколевка и характеристики КТ504 содержатся в datasheet. Импортный аналог КТ504 — BSS73. | |
KТ505(А,Б) | BSS76 | TO-39 | pnp | 1 | 300 | 100 | КТ505(А,Б) в металлическом корпусе предназначен для применения в источниках вторичного электропитания (ИВЭП). Параметры и характеристики приведены в справочном листке. | |
КТ506(А,Б) | BUX54 | TO-39 | npn | 2 | 800 | 30 | КТ506А и КТ506Б для переключающих устройств. Импортным аналогом КТ506 является BUX54. | |
2Т509А | TO-39 | pnp | 0,02 | 450 | 60 | 2Т509 для высоковольтных стабилизаторов напряжения. | ||
КТ520(А,Б) | MPSA42 | TO-92 DPAK | npn | 0.5 | 300 | 40 | Высоковольтный транзистор КТ520 используется в выходных каскадах видеоусилителей и высоковольтных переключательных схемах. | |
КТ521(А,Б) | MPSA92 | TO-92 | pnp | 0.5 | 300 | 40 | Высоковольтный транзистор КТ521 является комплиментарной парой для КТ520. | |
КТ529А | TO-92 | pnp | 1 | 60 | 250 | КТ529, его параметры рассчитаны под схемы с низким напряжением насыщения. Комплементарная пара — КТ530. | ||
КТ530А | TO-92 | npn | 1 | 60 | 250 | Описание транзистора КТ530. Его характеристики аналогичны КТ529, является его комплементарной парой. | ||
КТ538А | MJE13001 | TO-92 | npn | 0.5 | 600 | 90 | Высоковольтный КТ538 используется в высоковольтных переключательных схемах. Подробно параметры описаны в справочном листке. | |
КТ704(А-В) | MJE18002 | npn | 2,5 | 500 | 100 | КТ704, предназначен для применения в импульсных высоковольтных модуляторах. | ||
ГТ705(А-Д) | npn | 3,5 | 30 | 250 | ГТ705 предназначен для применения в усилителях мощности НЧ. | |||
2Т708(А-В) | 2SB678 | TO-39 | pnp | 2,5 | 100 | 1500 | составной транзистор 2Т708 предназначен для применения в усилителях и переключательных устройствах. | |
2Т709(А-В) | BDX86 | TO-3 | pnp | 10 | 100 | 2000 | мощный составной транзистор 2Т709 для усилителей и переключательных устройств. Подробно характеристики описаны в справочном листке. | |
КТ710А | TO-3 | npn | 5 | 3000 | 40 | КТ710А для применения в высоковольтных стабилизаторах и переключающих устройствах. | ||
КТ712(А,Б) | BU806 | TO-220 | pnp | 10 | 200 | 1000 | мощные составные транзисторы КТ712А и КТ712Б. Характеристики заточены для применения в источниках вторичного электропитания и стабилизаторах. | |
2Т713А | TO-3 | npn | 3 | 2500 | 20 | 2Т713, параметры адаптированы для применения в высоковольтных стабилизаторах | ||
2Т716 (А-В) | 2SD472H | TO-3 | npn | 10 | 100 | 750 | 2Т716 для применения в усилителях и переключающих устройствах. | |
2Т716 (А1-В1) | BDX33 | TO-220 | npn | 10 | 100 | 750 | составной 2Т716А1 в пластиковом корпусе. Параметры аналогичны 2Т716. | |
КТ719А | BD139 | TO-126 | npn | 1,5 | 120 | 70 | КТ719А для применения в линейных и переключающих схемах. Подробные характеристики и описание КТ719 приведено в справочном листке. | |
КТ720А | BD140 | pnp | 1,5 | 100 | ||||
КТ721А | BD237 | npn | 1,5 | 100 | BD237, импортный аналог КТ721А | |||
КТ722А | BD238 | pnp | 1,5 | 100 | Справочные данные BD238, аналога КТ722А | |||
КТ723А | MJE15028 | npn | 10 | 100 | Справочные данные MJE15028, импортного аналога КТ723 | |||
КТ724А | MJE15029 | pnp | 10 | 100 | Справочные данные MJE15029, аналога КТ724А | |||
КТ729 | 2N3771 | npn | 30 | 60 | Параметры 2N3771, аналога КТ729 | |||
КТ730 | 2N3773 | npn | 16 | 140 | Характеристики 2N3773, аналога КТ730 | |||
КТ732А | MJE4343 | TO-218 | npn | 16 | 160 | 15 | КТ732 используется в преобразователях напряжения. | |
КТ733А | MJE4353 | TO-218 | pnp | 16 | 160 | 15 | КТ733 — Комплементарная пара для КТ732, их характеристики идентичны. | |
КТ738А | TIP3055 | TO-218 | npn | 15 | 70 | 70 | КТ738 используется в усилителях и ключевых схемах. | |
КТ739А | TIP2955 | TO-218 | pnp | 15 | 70 | 70 | КТ739 — Комплементарная пара для КТ738. | |
КТ740А,А1 | MJE4343 | TO-220 TO-218 | npn | 20 | 160 | 30 | КТ740 предназначен для применения в регуляторах и преобразователях напряжения. Импортный аналог КТ740 — MJE4343 | |
КТ805(А-ВМ) | KSD363 BD243 | TO-220 | | npn | 5 | 160 | 15 | КТ805АМ, КТ805БМ, КТ805ВМ в корпусе ТО-220 предназначен для применения в выходных каскадах строчной развертки и переключающих устройствах. Подробные характеристики транзистора КТ805 приведены в datasheet. Транзисторы КТ805А, КТ805Б с аналогичными параметрами выпускаются в металлостеклянном корпусе. Импортные аналоги для КТ805 — транзисторы BD243 и KSD363. По характеристикам в качестве комплиментарной пары для КТ805 подходит транзистор КТ837. |
КТ807(А-БМ) | npn | 0,5 | 100 | 150 | КТ807 для строчной и кадровой разверток, усилителей НЧ и ИВЭП (ИВЭП — источник вторичного электропитания) | |||
КТ808(А-ГМ) | TO-3 | npn | 10 | 130 | 50 | КТ808 для кадровой и строчной разверток | ||
КТ812(А-В) | TO-3 | npn | 10 | 700 | 30 | КТ812 для применения в импульсных устройствах. Цоколевка приведена в справочном листке. | ||
КТ814(А-Г) | BD140 ZTX753 | TO-126 DPAK | | pnp | 1,5 | 100 | 100 | Транзистор КТ814. предназначен для усилителей НЧ, импульсных устройств. Подробные характеристики КТ814 и цоколевка приведены в datasheet. Там же
графики: входной характеристики, зависимости h31e от тока эмиттера, напряжения насыщения от тока коллектора и другие. Импортный аналог КТ814 — транзистор BD140. Комплементарная пара для КТ814 (транзистор обратной проводимости с близкими характеристиками) — КТ815. |
КТ815(А-Г) | BD139 ZTX653 | TO-126 DPAK | | npn | 1,5 | 100 | 100 | КТ815 является комплиментарной парой для КТ814. Транзисторы КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815 параметрами отличаются по напряжению. КТ815 предназначен для усилителей НЧ и ключевых схем. Подробные характеристики КТ815 и цоколевку см. в datasheet. Приведена входная характеристика КТ815, график зависимости h31e от тока, график для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ815 является транзистор BD139. |
КТ816(А-Г) | BD238 MJE172 | TO-126 DPAK | | pnp | 3 | 80 | 100 | КТ816 в два раза мощнее по току, чем КТ814, предназначены для применения в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ816А, КТ816Б, КТ816В, КТ816Г отличаются по предельному напряжению. Подробные характеристики КТ816 и цоколевка приведены в datasheet. Там же график входной характеристики КТ816, зависимости усиления от тока, графики для напряжения насыщения. Импортным аналогом КТ816 является транзистор BD238. Комплементарная пара — КТ817. |
КТ817(А-Г) | BD237 MJE182 | TO-126 DPAK | | npn | 3 | 80 | 100 | КТ817 в два раза мощнее по току, чем КТ815. Применяются в ключевых и линейных схемах. Транзисторы КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817 параметрами отличаются по Uкэ(max). Подробные характеристики КТ817 и цоколевка даны в datasheet. Кроме характеристик по постоянному току приведены графики входной характеристики, зависимости параметра h31e от тока, взаимосвязи параметров Uкэнас и Iк . Аналоги КТ817Б — транзисторы BD233 и MJE180. Аналоги КТ817В — BD235 и MJE181, импортные аналоги КТ817Г — BD237 и MJE182. Комплементарная пара — КТ816. |
КТ818(А-ГМ) | BDW22 BD912 | TO-220 TO-3 | | pnp | 10 15 | 100 | 100 | Мощный транзистор КТ818 предназначен для применения в усилителях. КТ818А, КТ818Б, КТ818В и КТ818Г в корпусе TO-220, а КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ и КТ818ГМ в металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ818 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей параметров, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ818 — BDW22 и BD912. Комплементарная пара — транзистор КТ819. |
КТ819(А-ГМ) | BDW51 BD911 | TO-220 TO-3 | | npn | 10 15 | 100 | 100 | Транзистор КТ819 является комплементарной парой для КТ818 и предназначен для применения в усилителях. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В и КТ819Г в корпусе TO-220, а КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ и КТ819ГМ в корпусе TO-3. Подробные параметры КТ819 и цоколевка приведены в datasheet. Там же графики зависимостей, входная и выходная характеристика. Импортные аналоги КТ819 — BDW51 и BD911. |
КТ825(Г-Е) | 2Т6050 | TO-220 TO-3 | pnp | 15 20 | 100 | 18000 | Мощный составной pnp транзистор КТ825 для применения в усилителях и переключающих устройствах. 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д и КТ825Е в металлическом корпусе. Подробные характеристики приведены в datasheet. Различие в параметрах по напряжению. Комплементарная пара для КТ825 — транзистор КТ827. Импортный аналог — 2T6050. | |
КТ826(А-В) | TO-3 | npn | 1 | 700 | 120 | Биполярный транзистор КТ826 для применения в преобразователях и высоковольтных стабилизаторах. Описание КТ826 и характеристики приведены в документации. | ||
КТ827(А-В) | 2N6057 BDX87 | TO-3 | npn | 20 | 100 | 18000 | Мощный составной npn транзистор КТ827 для применения в усилителях, стабилизаторах тока, устройствах автоматики. В металлическом корпусе. Подробные характеристики КТ827А, КТ827Б, КТ827В приведены в даташит. Различаются параметрами по напряжению. Комплементарная пара для КТ827 — транзистор КТ825. Импортный аналог — 2N6057. | |
КТ828(А-Г) | BU207 | TO-3 | npn | 5 | 800 | 15 | характеристики КТ828, графики и параметры см. в даташит | |
КТ829(А-Г) | TIP122 2N6045 | TO-220 | npn | 8 | 100 | 3000 | Составной транзистор КТ829 для применения в усилителях НЧ и переключательных устройствах. Графики входных характеристик. Подробные характеристики транзисторов КТ829А, КТ829Б, КТ829В,КТ829Г в datasheet . Аналоги КТ829 — транзисторы TIP122 и 2N6045. | |
2Т830(А-Г) | 2N5781 | TO-39 | pnp | 2 | 90 | 160 | транзистор 2Т830 для применения в усилителях мощности и ИВЭП. Аналог 2Т830 — 2N5781. | |
2Т831(А-В) | 2N4300 | TO-39 | npn | 2 | 50 | 200 | 2Т831 для усилителей НЧ и преобразователей. | |
КТ834(А-В) | BU323 | TO-3 | npn | 15 | 500 | 3000 | составной транзистор КТ834 для источников тока и напряжения. | |
КТ835(А,Б) | 2N6111 | TO-220 | pnp | 7,5 | 30 | 100 | транзистор КТ835 для усилителей и преобразователей. Аналог КТ835 — импортный 2N6111 | |
2Т836(А-В) | BD180 | TO-39 | pnp | 3 | 90 | 100 | 2Т836 для усилителей мощности и ИВЭП. | |
КТ837(А-Ф) | 2N6108 2N6111 | TO-220 | | pnp | 8 | 70 | 200 | pnp транзистор КТ837 предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый TO-220. Подробные параметры КТ837А, КТ837Б, КТ837В, КТ837Г, КТ837Д, КТ837Е-Ф указаны в файле. Аналог для КТ837 — транзистор 2N6108 с близкими характеристиками. |
КТ838А | 2SD1554 BU208 | TO-3 | npn | 5 | 1500 | 14 | Высоковольтный транзистор КТ838А для строчной развертки телевизоров . Характеристики КТ838А приведены в файле. Импортные аналоги — 2SD1554 и BU208. | |
КТ839А | 2SC1172 MJ16212 | TO-3 | npn | 10 | 1500 | 12 | Характеристики и параметры КТ839 аналогичны транзистору КТ838, но круче по току. | |
КТ840(А,Б) | BUX97 | TO-3 | npn | 6 | 400 | 100 | Биполярный транзисторы КТ840А и КТ840Б для применения в переключающих устройствах. Подробные параметры приведены в файле. | |
КТ841(А-В) | MJ413 2N3442 | TO-3 | npn | 10 | 600 | 35 | Мощный биполярный транзистор КТ841 для применения в мощных преобразователях. Подробные параметры транзисторов КТ841А, КТ841Б, КТ841В в даташит. | |
КТ842(А,Б) | 2SB506 | TO-3 | pnp | 5 | 300 | 30 | Биполярный транзистор КТ842 для применения в мощных преобразователях и линейных стабилизаторах напряжения. | |
КТ844А | MJ15011 | TO-3 | npn | 10 | 250 | 60 | КТ844 предназначен для импульсных устройств, подробное описание приведено в datasheet | |
КТ845А | TO-3 | npn | 5 | 400 | 100 | КТ845А разработан для применения в импульсных устройствах. | ||
КТ846А | BU208 | TO-3 | | npn | 5 | 1500 | 15 | Высоковольтный биполярный транзистор КТ846А, входные характеристики, графики приведены в datasheet. |
КТ847А | BUX48 2N6678 | TO-3 | npn | 15 | 650 | 100 | Подробное описание КТ847А, входные и выходные характеристики. Аналогом для КТ847 является BUX48. | |
КТ848А | BUX37 | TO-3 | npn | 15 | 400 | 1000 | Составной транзистор КТ848А для систем электронного зажигания. Характеристики КТ848 в прикрепленном файле. Аналог КТ848 — BUX37. | |
КТ850(А-В) | 2SD401 | TO-220 | npn | 2 | 250 | 200 | КТ850 заточен для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах. Подробное описание КТ850А, КТ850Б, КТ850В и графики приведены в datasheet . | |
КТ851(А-В) | 2SB546 | TO-220 | pnp | 2 | 200 | 200 | КТ851 для усилителей НЧ и переключающих устройств. Параметры КТ851А, КТ851Б, КТ851В см. в файле pdf | |
КТ852(А-Г) | TIP117 | TO-220 | pnp | 2 | 100 | 1500 | Составной КТ852 для усилителей и переключающих устройств. Параметры КТ852А в даташит. | |
КТ853(А-Г) | TIP127 2N6042 | TO-220 | pnp | 8 | 100 | 750 | Составной pnp транзистор КТ853. Предназначен для применения в усилительных схемах. Параметры КТ853А, КТ853Б, КТ853В, КТ853Г см. в pdf файле. | |
КТ854(А,Б) | MJE13006 | TO-220 | npn | 10 | 500 | 50 | КТ854 для применения в преобразователях и линейных стабилизаторах. Справочные данные приведены в datasheet. | |
КТ855(А-В) | MJE9780 | TO-220 | pnp | 5 | 250 | 100 | КТ855 для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах. Аналог с близкими характеристиками — MJE9780. | |
2Т856(А-В) | BUX48 | TO-3 | npn | 10 | 950 | 60 | 2Т856 для переключательных устройств. Аналог — BUX48. | |
КТ856(А1,Б1) | BUV48 | TO-218 | npn | 10 | 600 | 60 | КТ856 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Справочные данные КТ856А1, КТ856Б1 см. в datasheet . | |
КТ857А | BU408 | TO-220 | npn | 7 | 250 | 50 | КТ857 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Аналог — BU408. | |
КТ858А | BU406 | TO-220 | npn | 7 | 400 | 60 | транзистор КТ858 предназначен для применения в переключающих устройствах. Аналог — BU406. Подробное описание смотри в datasheet . | |
КТ859А | MJE13005 | TO-220 | npn | 3 | 800 | 60 | Высоковольтный КТ859 заточен для переключающих устройств. Параметры и цоколевка КТ859 приведены в datasheet. Импортный аналог с близкими характеристиками — MJE13005. | |
2Т860(А-В) | TO-39 | pnp | 2 | 90 | 100 | 2Т860 предназначен для усилителей мощности и преобразователей. | ||
2Т862(А-Г) | TO-3 | npn | 15 | 400 | 100 | 2Т862 для применения в импульсных модуляторах и переключающих устройствах. | ||
КТ863Б,В | D44Vh20 | TO-220 | npn | 10 | 160 | 300 | Транзистор КТ863 предназначен для применения в преобразователях, фотовспышках. Справочные характеристики см. в datasheet. Аналог КТ863 — D44Vh20. | |
КТ863БС | D44Vh20 | TO-220 TO-263 | npn | 12 | 160 | 300 | КТ863БС — более свежая разработка. Модификация КТ863БС1 предназначена для поверхностного монтажа. | |
КТ864А | 2N3442 | TO-3 | npn | 10 | 200 | 100 | КТ864 для применения в ИВЭП, усилителях и стабилизаторах. | |
КТ865А | 2SA1073 | TO-3 | pnp | 10 | 200 | 60 | Область применения транзистора КТ865 та же, что и у КТ864. | |
КТ867А | TIP35 | TO-3 | npn | 25 | 200 | 100 | КТ867 для применения в ИВЭП. В описании транзистора приведены графики зависимости коэффициента усиления от тока и график области максимальных режимов. | |
КТ868(А,Б) | BU426 | pnp | 6 | 400 | 60 | КТ868 предназначен для применения в источниках питания телевизоров. Подробные характеристики см. в datasheet. Функциональный аналог КТ868 — BU426. | ||
КТ872(А-В) | BU508 MJW16212 | TO-218 | | npn | 8 | 700 | 16 | Высоковольтный npn транзистор КТ872 для применения в строчной развертке телевизоров. Подробное описание КТ872 приведено в справочном листе. Аналоги КТ872 — транзисторы BU508 и MJV16212. |
2Т875(А-Г) | 2SD1940 | TO-3 | npn | 10 | 90 | 200 | 2Т875 для применения в усилителях и переключающих устройствах. | |
2Т876(А-Г) | MJE2955 | TO-3 | pnp | 10 | 90 | 140 | 2Т876 для применения в усилителях и переключающих устройствах. | |
2Т877(А-В) | 2N6285 | TO-3 | pnp | 20 | 80 | 10000 | Составной транзистор 2Т877 для применения в усилителях и переключающих устройствах. | |
КТ878(А-В) | BUX98 | TO-3 | npn | 30 | 900 | 50 | КТ878 для применения в переключающих устройствах, ИВЭП. | |
КТ879 | npn | 50 | 200 | 25 | КТ879 для применения в переключающих устройствах. | |||
2Т880(А-В) | 2N6730 | pnp | 2 | 100 | 140 | 2Т880 — для усилителей и переключательных устройств. | ||
2Т881(А-Г) | 2N5150 | npn | 2 | 100 | 200 | 2Т881 — применение аналогично 2Т880 | ||
2Т882(А-В) | TO-220 | npn | 1 | 300 | 100 | 2Т882 в корпусе ТО-220 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Цоколевка и характеристики приведены в pdf. | ||
2Т883(А,Б) | TO-220 | pnp | 1 | 300 | 100 | 2Т883 для усилителей и переключающих устройств. Корпус ТО-220. | ||
2Т884(А,Б) | TO-220 | npn | 2 | 800 | 40 | 2Т884 для применения в усилителях и переключающих устройствах. Подробные параметры см. в datasheet . | ||
2Т885(А,Б) | TO-3 | npn | 40 | 500 | 12 | мощный транзистор 2Т885 предназначен для применения в ИВЭП. | ||
КТ886(А1,Б1) | MJW16212 | TO-218 | npn | 10 | 1400 | 25 | Высоковольтный транзистор КТ886 для применения в строчной развертке и ИВЭП. Характеристики см. в файле pdf. Аналог для КТ886 — MJW16212. | |
КТ887 А,Б | TO-3 | pnp | 2 | 700 | 120 | КТ887 для переключательных схем, стабилизаторов напряжения. | ||
КТ888 А,Б | TO-39 | pnp | 0,1 | 900 | 120 | Высоковольтный транзистор КТ888 для применения в преобразователях и стабилизаторах напряжения ИВЭП. | ||
КТ890(А-В) | BU323 | TO-218 | npn | 20 | 350 | 700 | Составной транзистор КТ890 предназначен для применения в схемах зажигания авто. Подробные характеристики КТ890А, КТ890Б и КТ890В приведены в pdf. Аналогом для КТ890 является BU323. | |
КТ892(А-В) | BU323A | TO-3 | npn | 15 | 400 | 300 | мощный транзистор КТ892 предназначен для применения в схемах зажигания авто и других схемах с индуктивной нагрузкой. | |
КТ896 (А,Б) | BDW84 | TO-218 | pnp | 20 | 80 | 10000 | Составной мощный транзистор КТ896 для применения в линейных и переключающих схемах. Характеристики КТ896А и КТ896Б см. в datasheet файле. Аналог для КТ896 — BDW84. | |
КТ897(А,Б) | BU931Z | TO-3 | npn | 20 | 350 | 4000 | Составной транзистор КТ897 для схем зажигания авто и других схем с индуктивной нагрузкой. Аналог для КТ897 — BU931. | |
КТ898 (А,Б) | BU931P | TO-218 | npn | 20 | 350 | 1500 | Составной транзистор КТ898 для применения в ИВЭП. Параметры оптимизированы для работы на индуктивную нагрузку. Аналог КТ898 — BU931. Подробные характеристики КТ898А и КТ898Б см. в datasheet. | |
КТ899А | BU806 | TO-220 | npn | 8 | 150 | 1000 | Составной транзистор КТ899 для применения в усилительных и переключательных устройствах. Аналог с близкими характеристиками — BU806. | |
КТ8101(А,Б) | MJE4343 2SC3281 | TO-218 | npn | 16 | 200 | 100 | мощный транзистор КТ8101 предназначен для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах и преобразователях. Подробные характеристики КТ8101А и КТ8101Б см. в datasheet. Аналог для КТ8101 — транзистор MJE4343. Комплементарная пара — КТ8102. | |
КТ8102(А,Б) | MJE4353 2SA1302 | TO-218 | | pnp | 16 | 200 | 100 | Мощный транзистор КТ8102, область применения аналогична КТ8101, являющемуся его комплиментарной парой. Характеристики КТ8102А, КТ8102Б приведены в datasheet . Импортный аналог для КТ8102 — MJE4353. |
КТ8106 (А,Б) | MJH6286 | TO-218 | npn | 20 | 80 | 3000 | Составной транзистор КТ8106 для применения в усилителях мощности и переключающих схемах. Аналог для КТ8106 — MJH6286. | |
КТ8107(А-В) | BU208 | TO-218 | npn | 8 | 700 | 12 | КТ8107 для применения в каскадах строчной развертки, ИВЭП, высоковольтных схемах. Подробные параметры в datasheet. Импортный аналог для КТ8107 — BU208. | |
КТ8109 | TIP151 | TO-220 | npn | 7 | 350 | 150 | Составной транзистор КТ8109 для схем зажигания авто. Справочные данные см. в datasheet. | |
КТ8110 (А-В) | BUT11 | npn | 7 | 400 | 30 | Справочные данные BUT11, импортного аналога КТ8110. | ||
КТ8111(А9-Б9) | BDV67 | TO-218 | npn | 20 | 100 | 750 | Составной мощный транзистор КТ8111 для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах тока и напряжения, переключателях. Аналог — BDV67. | |
КТ8115(А-В) | BD650 TIP127 | TO-220 | pnp | 8 5 | 100 | 1000 | Составной pnp транзистор
КТ8115А для применения в усилительных и преобразователях напряжения. Аналог для
КТ8115 — BD650. Комплементарная пара — КТ8116. | |
КТ8116(А-В) | TIP132 | TO-220 DPAK | | npn | 8 5 | 100 | 1000 | Составной транзистор КТ8116, область применения аналогична КТ8115, являющимся его комплементарной парой. |
КТ8117А | BUV48 | TO-218 | npn | 10 | 400 | 10 | мощный транзистор КТ8117 предназначен для ИВЭП, управления двигателями, стабилизаторов тока. | |
КТ8118А | MJE8503 | TO-220 | npn | 3 | 800 | 40 | КТ8118 для высоковольтных переключательных схем, усилителей постоянного тока. | |
КТ8120А | TO-220 | npn | 8 | 450 | 10 | КТ8120 для ИВЭП, схем управления электродвигателями. | ||
КТ8121А,Б | TO-220 | npn | 4 | 400 | 60 | КТ8121 для высоковольтных переключающих схем, преобразователей | ||
КТ8123А | TO-220 | npn | 2 | 150 | 40 | КТ8123 для схем вертикальной развертки ТВ, усилителей. | ||
КТ8124(А-В) | TO-220 | npn | 10 | 400 | 7 | Справочные данные КТ8124, предназначенного для применения в горизонтальной развертке ТВ, переключательных схемах. | ||
КТ8126(А1,Б1) | MJE13007 | TO-220 | | npn | 8 | 400 | 30 | мощный транзистор КТ8126 для применения в горизонтальной развертке ТВ, преобразователях. Справочные данные приведены в datasheet . |
КТ8130 (А-В) | BD676 | pnp | 4 | 80 | 15000 | |||
КТ8131 (А,Б) | BD677 | npn | 4 | 80 | 15000 | |||
КТ8133 (А,Б) | npn | 8 | 240 | 3000 | ||||
КТ8137А | MJE13003 | TO-126 | npn | 1,5 | 700 | 40 | Для применения в строчной развертке ТВ, управления двигателями. | |
КТ8141 (А-Г) | npn | 8 | 100 | 750 | ||||
КТ8143 (А-Ш) | КТ-9М | npn | 80 | 300 | 15 | биполярный мощный высоковольтный n-p-n транзистор с диодом КТ8143 для низковольтных источников питания бортовой аппаратуры | ||
КТ8144(А,Б) | TO-3 | npn | 25 | 800 | 55 | |||
КТ8146(А,Б) КТ8154(А,Б) КТ8155(А-Г) | ТО-3 | | npn | 15 30 50 | 800 600 600 | мощный высоковольтный транзистор для применения в источниках питания | ||
КТ8156(А,Б) | BU807 | TO-220 | npn | 8 | 200 | 1000 | КТ8156 предназначен для применения в горизонтальных развертках малогабаритных ЭЛТ. | |
КТ8157(А-В) | TO-218 | npn | 15 | 1500 | 8 | для строчных разверток ТВ с увеличенной диагональю экрана | ||
КТ8158(А-В) | BDV65 | TO-218 | npn | 12 | 100 | 1000 | КТ8158, параметры заточены для применения в усилителях НЧ, в ключевых и линейных схемах. | |
КТ8159(А,Б,В) | BDV64 | TO-218 | pnp | 12 | 100 | 1000 | КТ8159, Комплементарная пара для КТ8158, параметры и область применения аналогичные. | |
КТ8163А | npn | 7 | 500 | 40 | ||||
КТ8164(А,Б) | MJE13005 | TO-220 | npn | 4 | 400 | 60 | Высоковольтный транзистор КТ8164 для импульсных источников питания. | |
КТ8167 (А-Г) | pnp | 2 | 80 | 250 | ||||
КТ8168 (А-Г) | npn | 2 | 80 | 250 | ||||
КТ8170(А1,Б1) | MJE13003 | TO-126 | npn | 1.5 | 400 | 40 | Высоковольтный транзистор КТ8170 для применения в импульсных источниках питания. | |
КТ8171 (А,Б) | npn | 20 | 350 | 10000 | ||||
КТ8176(А,Б,В) | TIP31 | TO-220 | npn | 3 | 100 | 50 | КТ8176 для усилителей и переключательных схем. | |
КТ8177(А,Б,В) | TIP32 | TO-220 | pnp | 3 | 100 | 50 | КТ8177 для усилителей и переключательных схем. Комплементарная пара для КТ8176. | |
КТ8192 (А-В) | ISOTOP | npn | 75 | 1500 | 10 | мощный npn транзистор КТ8192 для применения в электроприводе | ||
КТ8196 (А-В) | npn | 10 | 350 | 400 | ||||
КТ8212(А,Б,В) | TIP41 | TO-220 | npn | 6 | 100 | 75 | КТ8212 для линейных и ключевых схем. | |
КТ8213(А,Б,В) | TIP42 | TO-220 | pnp | 6 | 100 | 75 | Комплементарная пара для КТ8212. | |
КТ8214(А,Б,В) | TIP112 | TO-220 | npn | 2 | 100 | 1000 | Составной транзистор КТ8214 предназначен для применения в ключевых и линейных схемах. | |
КТ8215(А,Б,В) | TIP117 | TO-220 | pnp | 2 | 100 | 1000 | Составной транзистор КТ8215 — Комплементарная пара КТ8214. | |
КТ8216 (А-Г) | MJD31B | npn | 2 | 800 | 275 | |||
КТ8217 (А-Г) | MJD32B | pnp | 10 | 100 | 275 | |||
КТ8218 (А-Г) | npn | 4 | 100 | 750 | ||||
КТ8219 (А-Г) | pnp | 4 | 40 | 750 | ||||
КТ8224(А,Б) | BU2508 | TO-218 | npn | 8 | 700 | 7 | Высоковольтный транзистор КТ8224 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Аналог — BU2508. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер. | |
КТ8228(А,Б) | BU2525 | TO-218 | npn | 12 | 800 | 10 | Высоковольтный транзистор КТ8228 для применения в высоковольтных схемах ТВ приемников. Белорусский аналог BU2525. Диод между коллектором э эмиттером, резистор между базой-эмиттером. | |
КТ8229А | TIP35F | TO-218 | npn | 25 | 180 | 75 | КТ8229 для линейных и ключевых схем. | |
КТ8230А | TIP36F | TO-218 | pnp | 25 | 180 | 75 | КТ8230 -Комплементарная пара для КТ8229. | |
КТ8231А | BU941 | npn | 15 | 500 | 300 | datasheet на транзистор BU941 | ||
КТ8232 (А,Б) | BU941ZP | TO-218 | npn | 20 | 350 | 300 | КТ8232 для применения в переключательных и импульсных схемах, параметры оптимизированы для схем зажигания. | |
КТ8246(А-Г) | КТ829 | TO-220 | npn | 15 | 150 | 9000 | Составной транзистор КТ8246 для применения в автотракторных регуляторах напряжения. | |
КТ8247А | BUL45D | TO-220 | npn | 5 | 700 | 22 | Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в преобразователях напряжения. Аналог — BUL45. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер. | |
КТ8248А | BU2506 | TO-218 | npn | 5 | 1500 | 60 | Высоковольтный транзистор КТ8247 для применения в строчных развертках ТВ. Аналог — BU2506. Интегральный демпфирующий диод и резистор база-эмиттер. | |
КТ8251А | BDV65 | TO-218 | npn | 10 | 180 | 1000 | Составной npn транзистор КТ8251 для применения в линейных усилителях и ключевых преобразователях напряжения. | |
КТД8252(А-Г) | BU323Z | TO-220 TO-218 | npn | 15 | 350 | 2000 | для работы на индуктивную нагрузку | |
КТ8254А | npn | 2 | 800 | 30 | ||||
КТ8255А | BU407 | TO-220 | npn | 7 | 330 | 200 | КТ8255 для применения линейных и ключевых схемах. | |
КТД8257(А-В) | SGSD96 | TO-220 | npn | 20 | 180 | 1000 | для применения в усилителях НЧ и переключающих устройствах. | |
КТ8258(А,Б) | MJE 13004 | TO-220 | npn | 4 | 400 | 80 | для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, аналог транзистора 13004 | |
КТ8259(А,Б) | MJE13007 13007 | TO-220 | npn | 8 | 400 | 80 | для использования в преобразователях, в линейных и ключевых схемах, отечественный аналог импортного транзистора 13007 | |
КТ8260(А-В) | MJE13008 | TO-220 | npn | 15 | 500 | 15 | для ИВЭП, преобразователей, аналог транзистора 13008. | |
КТ8261А | BUL44 | TO-126 | npn | 2 | 400 | 20 | КТ8261 для применения в преобразователях напряжения. | |
КТД8262(А-В) | SEC80 | TO-220 | npn | 7 | 350 | 300 | Для систем зажигания автотракторной техники | |
КТ8270А | MJE13001 | TO-126 | npn | 0.5 | 600 | 90 | КТ8270 для использования в преобразователях напряжения. Подробные справочные данные приведены в datasheet. | |
КТ8271(А,Б,В) | BD136 | TO-126 | pnp | 1.5 | 80 | 250 | КТ8271 для преобразователей напряжения. Подробные параметры приведены в datasheet. | |
КТ8272(А,Б,В) | BD135 | TO-126 | npn | 1.5 | 80 | 250 | КТ8272 для линейных усилителей и преобразователей напряжения.
Комплементарная пара для КТ8271 | |
КТД8278(А-В1) | SGSD93ST | TO-220 | npn | 20 | 180 | 1000 | Для усилителей НЧ, переключательных устройств. | |
КТД8279(А-В) | 2SD1071 | TO-220 TO-218 | npn | 10 | 350 | 300 | для работы на индуктивную нагрузку, в системах зажигания. | |
КТД8280(А-В) | TO-218 | npn | 60 | 120 | 1000 | Составной транзистор КТД8280 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями, источников бесперебойного питания. | ||
КТД8281(А-В) | TO-218 | pnp | 60 | 120 | 1000 | Составной транзистор КТД8281 для преобразователей напряжения, схем управления двигателями. | ||
КТ8283(А-В) | TO-218 | pnp | 60 | 120 | 100 | для преобразователей, схем управления двигателями. Параметры описаны в даташит. | ||
КТ8284(А-В) | КТ829 | TO-220 | npn | 12 | 100 | 500 | для автотракторных регуляторов напряжения, линейных схем. | |
КТ8285(А-В) | BUF410 | TO-218 TO-3 | npn | 30 | 450 | 40 | для преобразователей напряжения, ИВЭП. Характеристики описаны в даташит. | |
КТ8286(А-В) | 2SC1413 | TO-218 TO-3 | npn | 5 | 800 | 40 | для усилителей низкой частоты, переключающих устройствах, мощных регуляторах напряжения. Подробные характеристики см. в datasheet | |
КТ8290А | BUh200 | TO-220 | npn | 10 | 700 | 15 | Высоковольтный биполярный транзистор КТ8290 для использования в импульсных источниках питания. | |
КТ8296(А-Г) | KSD882 | TO-126 | npn | 3 | 30 | 400 | КТ8296 для использования в импульсных источниках питания, ключевых схемах и линейных усилителях. | |
КТ8297(А-Г) | KSD772 | TO-126 | pnp | 3 | 30 | 400 | КТ8297 —
Комплементарная пара (транзистор с близкими характеристиками, но обратной проводимости) для КТ8296. | |
КТ8304А,Б | TO-220 D2PAK | npn | 8 | 160 | 250 | КТ8304 с демпферным диодом для автомобильных регуляторов напряжения. | ||
ПИЛОН-3 | TIP122 | TO-220 | npn | 15 | 100 | 1000 | для применения в переключающих схемах и преобразователях напряжения. Импортный аналог с близкими характеристиками — транзистор TIP122. | |
ПИР-1 | BUV48 | TO-218 | npn | 20 | 450 | 8 | ПИР-1 для ключевых схем с индуктивной нагрузкой и усилителей с высокой линейностью. | |
ПИР-2 | MJE4343 | TO-220 TO-218 | npn | 20 | 160 | 30 | ПИР-2 для линейных усилителей и ключевых схем. | |
Справочник составлен в 2007 году, затем дополнялся и дорабатывался вплоть до 2015г. Соавторы: WWW и Ко | ||||||||
Транзисторы кт808, кт818, кт819 кт825, кт827 и др | Festima.Ru
Имeются из личныx запaсoв нe паянные полупрoводникoвые элeменты в оснoвнoм отечecтвeннoгo производcтва для усилителeй, пpиемников и дpугoй бытoвой элeктpоники. Mикpocхeмы, трaнзистоpы, диоды, тиpиcторы, оптоэлектронные паpы продaются зa нeнадoбнoстью (цeны рaзличные, нaчинaя от 30р., утoчняйте пожaлуйcта пpи обращении): — микросхемы цифровые серий К131, К133, К155, К161, К1561, К555, К531, К533, К1533, К158, К500, К501, К511, К514, К172, К176, К561, К580, К589, К1802, К1810, К565, К559, К537 и др.; — микросхемы аналоговые серий К142, К153, К157, К174, К224, К235, К237, К416, К521, К553, К547, К544, К548, К572, К1021, КРЕН и др.; — микросхемы специализированные для часов и др. оборудования 1016ХЛ1, 145ИК1901, 145ИК1911,, К1005 серия, К145АП2, — микроконтроллеры АТiny2313, АТМЕGА, РIС*** и др. — импортные различных серий, включая ТDА, МСА; — транзисторы германиевые МП9, МП10, МП11, МП13, МП14, МП15, МП20, МП21, МП25, МП26, МП35-МП38, МП39, МП40, МП41, МП42, ГТ108, ГТ109, ГТ305, ГТ308, ГТ309, ГТ311, ГТ313, ГТ320, ГТ321, ГТ322, ГТ328, ГТ338, ГТ346, ГТ806, ГТ813, ГТ905, ГТ906, П4, П13-П16, П25, П26, П28, П29, П30, П201-П203, П210, П213-П217, П401, П402, П403, П414, П415, П416, П410, П411, П417, П418, П422, П423, П601, П602, П605, П606, П607, П608, П609 и др.; — транзисторы кремниевые КТ201-КТ209, КТ301, КТ306. КТ312, КТ315, КТ316, КТ342, КТ361, КТ371, КТ372, КТ502, КТ503, КТ601, КТ602, КТ603, КТ604, КТ605, КТ606, КТ608, КТ610, КТ611, КТ626, КТ639, КТ660, КТ704, КТ801, КТ802, КТ803, КТ805, КТ808, КТ809, КТ812, КТ825, КТ826, КТ827, КТ828, КТ829, КТ834, КТ838, КТ839, КТ840, КТ841, КТ842, КТ846, КТ848, КТ851-КТ854, КТ902, КТ903, КТ908, КТ926, КТ931, КТ972, КТ973, КТ8101, КТ8102, КТ8114, КТ8127, КТ9115, П304, П302, П306, П307, П308, П309, П701, П702 и др.; — транзисторы полевые и однопереходные КП103, КП301, КП302, КП303, КП307, КП504, КП744, IRF830, IRF630, IRF530, КТ117, КТ118 и др.; — диоды германиевые и кремниевые Д2, Д9, Д101-Д106, Д201-Д247, Д302, Д303, Д304, Д310, Д311, Д405, Д406, Д605, Д901, Д902, Д1009, КЦ103-КЦ106, КЦ109А, КД201-КД247, КД503, КД509, ГД507 и др.; — светодиоды АЛ307, АЛ310, АЛ102, КИПД и др., — отечественные фотодиоды СФ и фототранзисторы ФТ и др.; — тиристоры и симисторы КУ201, К202, КУ203, КУ204, Д235, Д238, КУ208, КУ221, КУ101, КУ102, КУ103, КУ113, КУ114, КУ106, КУ112, КУ602 и др.; — различные оптопары серий АОД-ххх, АОТ-ххх; — кварцевые резонаторы в корпусах РК-169, РК-170, РГ-06, РГ-07, НС-49, стеклянном исполнении на частоты от 8кГц до 50мГц; — испытатель транзисторов малой и средней мощности (1700р.) или комплект деталей для его сборки (1100р). Могу измерить обратный ток коллектора и коэффициент усиления любого транзистора, подобрать транзисторы в пары и квартеты. Отправляю в регионы почтой России, предоплату принимаю на карту сбербанка.
Аудио и видео техника
Кт803а технические характеристики транзистора, цоколевка, применение
КТ818 , 2Т818 — кремниевый транзистор структуры p-n-p
Рис. 4. Изображение транзистора КТ818 на принципиальных схемах.
Рис. 5. КТ818(А…Г), 2Т818(А-2…В-2) в пластиковом корпусе, внешний вид и цоколевка.
Рис. 6. КТ818(АМ…ГМ), 2Т818(А…В) в металлическом корпусе, внешний вид и цоколевка.
Основные технические характеристики транзисторов КТ818:
Прибор | Предельные параметры | Параметры при T = 25°C | RТ п-к, °C/Вт | ||||||||||||||||||
при T = 25°C | |||||||||||||||||||||
IК, max, А | IК и, max, А | UКЭ0 гр, В | UКБ0 max, В | UЭБ0 max, В | PК max, Вт | TК, °C | Tп max, °C | TК max, °C | h21Э | UКЭ(UКБ),В | IК (IЭ), А | UКЭ нас, В | IКБ0, мА | fгр, МГц | Кш, дБ | CК, пФ | CЭ, пФ | tвкл, мкс | tвыкл, мкс | ||
КТ818А | 10 | 15 | 25 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 15 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||||
КТ818Б | 10 | 15 | 40 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 20 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||||
КТ818В | 10 | 15 | 60 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 15 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||||
КТ818Г | 10 | 15 | 80 | 5 | 60 | 25 | 125 | 100 | 12 | (5) | 5 | 2 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,67 | ||||
КТ818АМ | 15 | 20 | 25 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | |||||
КТ818БМ | 15 | 20 | 40 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | |||||
КТ818ВМ | 15 | 20 | 60 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | |||||
КТ818ГМ | 15 | 20 | 80 | 5 | 100 | 25 | 125 | 100 | 20 | 5 | 5 | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1 | |||||
2Т818А | 15 | 20 | 80 | 100 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||||
2Т818Б | 15 | 20 | 60 | 80 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||||
2Т818В | 15 | 20 | 40 | 60 | 5 | 100 | 25 | 150 | 125 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2,5 | 1,25 | ||||
2Т818А2 | 15 | 20 | 80 | 100 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2000 | 1,2 | 3,13 | |||
2Т818Б2 | 15 | 20 | 60 | 80 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2000 | 1,2 | 3,13 | |||
2Т818В2 | 15 | 20 | 40 | 60 | 5 | 40 | 25 | 150 | 100 | 20 | (5) | (5) | 1 | 3 | 1000 | 2000 | 1,2 | 3,13 |
Подготовлено для сайта RadioStorage.net
Технические характеристики
Важными характеристиками КТ803А, определяющими возможности транзистора, являются предельные эксплуатационные данные. Если, в процессе эксплуатации, значение любого из них будет превышено, то устройство может выйти из строя. Также недопустима длительная работа изделия при равных рабочих параметрах или близких к максимальным. Рассмотрим их ниже:
- предельное напряжение К-Э (UКЭМАКС): постоянное ( при RБЭ ≤ 100 Ом) — 60 В; импульсное К-Э (при Uбэ = 2 В, tИ < 500 мкс, Q > 2) — 80 В;
- постоянное напряжение между Э — Б (UЭБМАКС) до 4 В;
- постоянный ток коллектора (IКМАКС) – 10 А;
- постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе (PКМАКС), при температуре p-n-перехода (ТК): от – 40 до 50 °C до 60 Вт; до 100 °C – 30 Вт;
- предельно возможная ТК до 150 °C ;
- тепловое сопротивление кристалл-корпус (RTп-к) – 0,0166 °C/Вт;
- граничная частота, в схеме с общим Э (f) до 20 МГц;
- статический коэффициент H21Э до 70;
- диапазон рабочих температур (Токр) от -40 до 100 °C
Возможная PKМАКС применения КТ803А (при Токр. до 50 °C) определяется по следующей формуле: 60 – (Токр. – 50 °C ) / RTп-к. Не допускается выходить за границы диапазона предельных значений параметров, так как устройство может выйти из строя.
Электрические
Электрические параметры КТ803А приведены ниже
При ознакомлении с транзистором им уделяют особое внимание, так как они содержат дополнительную, не менее интересную информацию об устройстве. В таблице ниже, приведены основные из них
В столбце «Режимы измерения» указаны условия, при которых производилось тестирование и фактически рекомендуемые изготовителем для дальнейшего использования изделия. В следующих «min» и «max» представлен диапазон возможных значений, при такой эксплуатации.
Комплементарная пара для у КТ803А отсутствует.
Аналоги
Вот список зарубежных транзисторов серии 2N, которые очень похожи на КТ803А по своим физическим и электрическим свойствам: 2N1702, 2N3054A, 2N3055, 2N5067, 2N5068, 2N5069. Среди устройств других серий можно отметить: 2SC44, 2SC493, 2SC521A, 2SC793, BDY23, BDY24, BUYP54, KD601, MJ480, MJ481. Полным отечественным аналогом является 2Т803А, выпускавшийся для военной промышленности, а сейчас и для гражданской. В качестве замены укажем также российский КТ808А.
Транзисторы отечественные КТ818 и КТ819 от 4.27 Грн, Одесса
Регион: вся Украина, Одесская обл. / г. Одесса (Ул. Успенская, 78)
——
В интернет-магазине Радиодетали у Бороды продаются комплементарные пары:
транзисторы отечественные КТ818 и КТ819 от 4.27 Грн.
Торг и розница возможны.
—
Ниже приведены основные параметры и цены:
КТ818БМ p 50v 15(20)a 100w to3 7mhz β=20…275 корпус металлический to3 (комплементарный к КТ819БМ) 71 шт. по цене 10.04 Грн.
КТ818В 1996 p 70v 10(15)a 60w to220 7mhz β=15…275 корпус пластмассовый to220 (комплементарный к КТ819В) 104 шт. по цене 4.27 Грн.
КТ819БМ n 50v 15(20)a 100w to3 7mhz β=20…275 корпус металлический to3 (комплементарный к КТ818БМ) 209 шт. По цене 8.13 Грн.
КТ819В 1990 n 70v 10(15)a 60w to220 7mhz β=15…275 корпус пластмассовый to220 (комплементарный к КТ818В) 49 шт. по цене 4.27 Грн.
—
Смотрите и другие мои объявления о транзисторах.
транзисторы NPN КТ848А производства 1992 года фирмы Электронприбор Фрязино
транзисторы отечественные средней и большой мощности
транзисторы Германиевые отечественные
—
Также продаются электронные компоненты, радиодетали, радиокомпоненты и сопутствующие материалы. (//www.ukrhard.com.ua)
С полным перечнем всего ассортимента можно ознакомиться в магазине
Радиодетали у Бороды — известном в г. Одессе торговом бренде.
—
Прайс-лист можно скачать по запросу на e-mail или по ссылке:
https://drive.google.com/open?id=1bfr6QLyFentycmDq5u1WIYO6hD3q494f
—
Покупателем скачивается PriceList, где:
Цена С1 — розничная.
Цена С10 — на 10 единиц товара одного артикула или на весь заказ
независимо от количества при общей сумме от 200 Грн. по ценам С10.
Цена С100 — на 100 единиц товара одного артикула или на весь заказ
независимо от количества при общей сумме от 500 Грн. по ценам С100.
Цена С1000 — на 1000 единиц товара одного артикула или на весь заказ
независимо от количества при общей сумме от 1000 Грн. по ценам С1000.
При заказе обязательно указывать артикул и не превышающее наличие количество.
Цены при серьёзном заказе можно обсуждать.
—
С вопросами и заказами прошу обращаться непосредственно на мой e-mail:
[email protected] или на Viber: +38067 939 79 52 или по телефону: +38067 954 79 16
кб * 9Д5Н20П Аннотация: Стабилитрон khb9d0n90n 6v транзистор khb * 2D0N60P KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI KHB9D0N90N схема транзистора ktd998 | Оригинал | 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n Стабилитрон 6в хб * 2Д0Н60П транзистор KHB7D0N65F BC557 транзистор kia * 278R33PI Схема КХБ9Д0Н90Н ktd998 транзистор | |
KIA78 * pI Реферат: транзистор КИА78 * п ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П хб9д0н90н КИД65004АФ транзистор mosfet хб * 2Д0Н60П KIA7812API | Оригинал | 2N2904E BC859 KDS135S 2N2906E BC860 KAC3301QN KDS160 2N3904 BCV71 KDB2151E KIA78 * pI транзистор KIA78 * р ТРАНЗИСТОР 2Н3904 хб * 9Д5Н20П khb9d0n90n KID65004AF Транзистор MOSFET хб * 2Д0Н60П KIA7812API | |
2SC4793 2sa1837 Аннотация: 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор npn to-220 транзистор 2SC5359 2SC5171 эквивалент транзистора 2sc5198 эквивалентный транзистор NPN | Оригинал | 2SA2058 2SA1160 2SC2500 2SA1430 2SC3670 2SA1314 2SC2982 2SC5755 2SA2066 2SC5785 2SC4793 2sa1837 2sC5200, 2SA1943, 2sc5198 2sC5200, 2SA1943 транзистор 2SA2060 силовой транзистор нпн к-220 транзистор 2SC5359 Транзисторный эквивалент 2SC5171 2sc5198 эквивалент NPN транзистор | |
транзистор Аннотация: транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 транзистор PNP | OCR сканирование | 2N3904 2N3906 2N4124 2N4126 2N7000 2N7002 BC327 BC328 BC337 BC338 транзистор транзистор ITT BC548 pnp транзистор транзистор pnp BC337 pnp транзистор BC327 NPN транзистор pnp bc547 транзистор MPSA92 168 транзистор 206 2n3904 ТРАНЗИСТОР PNP | |
CH520G2 Аннотация: Транзистор CH520G2-30PT цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn коммутирующий транзистор 60в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT | Оригинал | A1100) QFN200 CHDTA143ET1PT FBPT-523 100 мА CHDTA143ZT1PT CHDTA144TT1PT CH520G2 CH520G2-30PT транзистор цифровой 47к 22к PNP NPN FBPT-523 транзистор npn переключающий транзистор 60 в CH521G2-30PT R2-47K транзистор цифровой 47k 22k 500ma 100ma Ch4904T1PT | |
транзистор 45 ф 122 Реферат: Транзистор AC 51 mos 3021, TRIAC 136, 634, транзистор tlp 122, транзистор, транзистор переменного тока 127, транзистор 502, транзистор f 421. | OCR сканирование | TLP120 TLP121 TLP130 TLP131 TLP160J транзистор 45 ф 122 Транзистор AC 51 mos 3021 TRIAC 136 634 транзистор TLP 122 ТРАНЗИСТОР транзистор ac 127 транзистор 502 транзистор f 421 | |
CTX12S Аннотация: SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 CTX12S SLA4038 fn651 SLA4037 sla1004 CTB-34D SAP17N 2SC5586 2SK1343 CTPG2F | |
Варистор RU Аннотация: Транзистор SE110N 2SC5487 SE090N 2SA2003 Транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 RBV-406 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 Варистор РУ SE110N транзистор 2SC5487 SE090N 2SA2003 транзистор высокого напряжения 2SC5586 SE090 РБВ-406 | |
Q2N4401 Аннотация: D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 | Оригинал | RD91EB Q2N4401 D1N3940 Q2N2907A D1N1190 Q2SC1815 Q2N3055 D1N750 Q2N1132 D02CZ10 D1N751 | |
fn651 Абстракция: CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 RBV-4156B SLA4037 2sk1343 | Оригинал | 2SA744 2SA745 2SA746 2SA747 2SA764 2SA765 2SA768 2SA769 2SA770 2SA771 fn651 CTB-34D 2SC5586 hvr-1×7 STR20012 sap17n 2sd2619 РБВ-4156Б SLA4037 2sk1343 | |
2SC5471 Аннотация: Транзистор 2SC5853 2sa1015 Транзистор 2sc1815 Транзистор 2SA970 Транзистор 2SC5854 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | Оригинал | 2SC1815 2SA1015 2SC2458 2SA1048 2SC2240 2SA970 2SC2459 2SA1049 A1587 2SC4117 2SC5471 2SC5853 2sa1015 транзистор 2sc1815 транзистор 2SA970 транзистор 2SC5854 транзистор 2sc1815 Транзистор 2Sc5720 2SC5766 Низкочастотный малошумящий транзистор PNP | |
Mosfet FTR 03-E Аннотация: mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона V / 65e9 транзистор 2SC337 mosfet ftr 03 транзистор DTC143EF | OCR сканирование | 2SK1976 2SK2095 2SK2176 О-220ФП 2SA785 2SA790 2SA790M 2SA806 Mosfet FTR 03-E mt 1389 fe 2SD122 dtc144gs малошумящий транзистор Дарлингтона Транзистор V / 65e9 2SC337 MOSFET FTR 03 транзистор DTC143EF | |
fgt313 Реферат: транзистор fgt313 SLA4052 RG-2A Diode SLA5222 fgt412 RBV-3006 FMN-1106S SLA5096, диод ry2a | Оригинал | 2SA1186 2SC4024 2SA1215 2SC4131 2SA1216 2SC4138 100 В переменного тока 2SA1294 2SC4140 fgt313 транзистор fgt313 SLA4052 Диод РГ-2А SLA5222 fgt412 РБВ-3006 FMN-1106S SLA5096 диод ry2a | |
транзистор Аннотация: ТРАНЗИСТОР tlp 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | OCR сканирование | 4Н25А 4Н29А 4Н32А 6Н135 6N136 6N137 6N138 6N139 CNY17-L CNY17-M транзистор ТРАНЗИСТОР TLP 122 R358 TLP635F 388 транзистор 395 транзистор транзистор f 421 IC 4N25 симистор 40 RIA 120 | |
1999 — ТВ системы горизонтального отклонения Реферат: РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРОВ an363 TV горизонтальные отклоняющие системы 25 транзисторов горизонтального сечения tv горизонтального отклонения переключающих транзисторов TV горизонтальных отклоняющих систем mosfet горизонтального сечения в электронном телевидении CRT TV электронная пушка TV обратноходовой трансформатор | Оригинал | 16 кГц 32 кГц, 64 кГц, 100 кГц.Системы горизонтального отклонения телевизора РУКОВОДСТВО ПО ЗАМЕНЕ ТРАНЗИСТОРА an363 Системы горизонтального отклонения телевизора 25 транзистор горизонтального сечения тв Транзисторы переключения горизонтального отклонения Системы горизонтального отклонения телевизора MOSFET горизонтальный участок в ЭЛТ телевидении Электронная пушка для ЭЛТ-телевизора Обратный трансформатор ТВ | |
транзистор Реферат: силовой транзистор npn к-220 транзистор PNP PNP МОЩНЫЙ транзистор TO220 демпферный диод транзистор Дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn транзистор Дарлингтона TO220 | Оригинал | 2SD1160 2SD1140 2SD1224 2SD1508 2SD1631 2SD1784 2SD2481 2SB907 2SD1222 2SD1412A транзистор силовой транзистор нпн к-220 транзистор PNP ПНП СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР ТО220 демпферный диод Транзистор дарлингтона силовой транзистор 2SD2206A npn darlington транзистор ТО220 | |
1999 — транзистор Реферат: МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2sk 2SK тип Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив fet высокочастотный транзистор TRANSISTOR P 3 транзистор mp40 список | Оригинал | X13769XJ2V0CD00 О-126) MP-25 О-220) MP-40 MP-45 MP-45F О-220 MP-80 MP-10 транзистор МОП-МОП-транзистор POWER MOS FET 2sj 2sk транзистор 2ск 2СК типа Низкочастотный силовой транзистор n-канальный массив FET высокочастотный транзистор ТРАНЗИСТОР P 3 транзистор mp40 список | |
транзистор 835 Аннотация: Усилитель на транзисторе BC548, стабилизатор на транзисторе AUDIO Усилитель на транзисторе BC548 на транзисторе 81 110 Вт 85 транзистор 81 110 Вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 ПУТЕВОДИТЕЛЬ ТРАНЗИСТОРА | OCR сканирование | BC327; BC327A; BC328 BC337; BC337A; BC338 BC546; BC547; BC548 BC556; транзистор 835 Усилитель на транзисторе BC548 ТРАНЗИСТОРНЫЙ регулятор Усилитель АУДИО на транзисторе BC548 транзистор 81110 вт 85 транзистор 81110 вт 63 транзистор транзистор 438 транзистор 649 НАПРАВЛЯЮЩАЯ ТРАНЗИСТОРА | |
2002 — SE012 Аннотация: sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 sanken SE140N STA474 UX-F5B | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 SE012 sta474a SE140N диод SE115N 2SC5487 SE090 Санкен SE140N STA474 UX-F5B | |
2SC5586 Реферат: транзистор 2SC5586, диод RU 3AM 2SA2003, СВЧ диод 2SC5487, однофазный мостовой выпрямитель ИМС с выходом 1A RG-2A Diode Dual MOSFET 606 2sc5287 | Оригинал | 2SA1186 2SA1215 2SA1216 2SA1262 2SA1294 2SA1295 2SA1303 2SA1386 2SA1386A 2SA1488 2SC5586 транзистор 2SC5586 диод РУ 3АМ 2SA2003 диод СВЧ 2SC5487 однофазный мостовой выпрямитель IC с выходом 1A Диод РГ-2А Двойной полевой МОП-транзистор 606 2sc5287 | |
pwm инверторный сварочный аппарат Аннотация: KD224510 250A транзистор Дарлингтона Kd224515 Powerex демпфирующий конденсатор инвертор сварочный аппарат KD221K75 kd2245 kd224510 применение транзистора | OCR сканирование | ||
варикап диоды Аннотация: БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР GSM-модуль с микроконтроллером МОП-транзистор с p-каналом Hitachi SAW-фильтр с двойным затвором МОП-транзистор в УКВ-усилителе Транзисторы МОП-транзистор с p-каналом Mosfet-транзистор Hitachi VHF fet lna Низкочастотный силовой транзистор | OCR сканирование | PF0032 PF0040 PF0042 PF0045A PF0065 PF0065A HWCA602 HWCB602 HWCA606 HWCB606 варикап диоды БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР модуль gsm с микроконтроллером P-канал MOSFET Hitachi SAW фильтр МОП-транзистор с двойным затвором в УКВ-усилителе Транзисторы mosfet p channel Мосфет-транзистор Hitachi vhf fet lna Низкочастотный силовой транзистор | |
Лист данных силового транзистора для ТВ Аннотация: силовой транзистор 2SD2599, эквивалент 2SC5411, транзистор 2sd2499, 2Sc5858, эквивалентный компонент транзистора 2SC5387, 2SC5570 в строчной развертке. | Оригинал | 2SC5280 2SC5339 2SC5386 2SC5387 2SC5404 2SC5411 2SC5421 2SC5422 2SC5445 2SC5446 Техническое описание силового транзистора телевизора силовой транзистор 2SD2599 эквивалент транзистор 2sd2499 2Sc5858 эквивалент транзистор 2SC5570 компоненты в горизонтальном выводе | |
2009 — 2sc3052ef Аннотация: 2n2222a SOT23 ТРАНЗИСТОР SMD МАРКИРОВКА s2a 1N4148 SMD LL-34 ТРАНЗИСТОР SMD КОД ПАКЕТ SOT23 2n2222 sot23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 полупроводник перекрестная ссылка toshiba smd marking code транзистор | Оригинал | 24 ГГц BF517 B132-H8248-G5-X-7600 2sc3052ef 2n2222a SOT23 КОД МАРКИРОВКИ SMD ТРАНЗИСТОРА s2a 1Н4148 СМД ЛЛ-34 ПАКЕТ SMD КОДА ТРАНЗИСТОРА SOT23 2н2222 сот23 ТРАНЗИСТОР S1A 64 smd 1N4148 SOD323 перекрестная ссылка на полупроводник toshiba smd маркировочный код транзистора | |
2007 — DDA114TH Аннотация: DCX114EH DDC114TH | Оригинал | DCS / PCN-1077 ОТ-563 150 МВт 22 кОм 47 кОм DDA114TH DCX114EH DDC114TH |
от начального уровня до высокого уровня Схема сабвуфера модели t310
Усилитель для сабвуфера — необходимая часть хорошей акустической системы… Без него невозможно нормальное воспроизведение. низкие частоты … Впрочем, покупать это устройство не обязательно: обладая достаточными знаниями в электронике, вы можете сделать его самостоятельно.
Как воспроизводится звук — и зачем вам сабвуфер с усилителем?
Для начала нужно вспомнить, зачем вообще нужен усилитель для сабвуфера. Сам сабвуфер представляет собой отдельный акустический элемент (или, проще говоря, динамик), предназначенный для воспроизведения низких частот.Это не обязательная деталь: хорошие и большие колонки вполне способны самостоятельно качественно воспроизводить звуки от 20 до 120 Гц. Однако у этих динамиков есть два неизбежных недостатка:
- Размеры. Против банальной физики не поспоришь: чем ниже частота, тем больше должна быть площадь излучающего звук элемента. Кстати, именно поэтому ультразвуковой генератор может быть выполнен в виде брелка, но для инфразвука иногда требуется устройство размером в несколько метров.Если мы говорим об автомобильной акустике, то двум (для стереозвучания) таких динамиков в салоне обычно просто некуда поставить.
- Цена. Хорошие колонки, оптимально воспроизводящие все частоты, стоят недешево и не каждому по карману.
СМОТРЕТЬ ВИДЕО
Лучший выход здесь — разделить низкие частоты в отдельный элемент, который можно разместить где угодно. Физиология человеческого слуха такова, что звуки из сабвуфера записываются не по направлению, и стереозвук не нарушается.
Сами сабвуферы делятся на два типа:
- пассивный, питание от аудиовыходов системы, как у обычных динамиков;
- активный, оснащенный собственным усилителем, где от системы воспроизведения требуется только послать сигнал — а энергия для «раскачивания» диффузора будет поступать из отдельного источника.
Первый тип хорош тем, что не требует дополнительных устройств — однако массивный низкочастотный диффузор «съедает» изрядную мощность.В результате либо басы не воспроизводятся должным образом, либо высокие частоты начинают «проваливаться» и звучать грязно. Поэтому для качественного звучания лучше всего использовать сабвуферы активного типа с усилителем.
Типы усилителей, подходящие для установки в автомобиле
На практике усилитель для сабвуфера в автомобиле может быть одного из следующих типов:
- Mono — Питание одного динамика, то есть только самого сабвуфера. Остальные динамики довольствуются сигналом с аудиовыхода магнитолы.
- Двухканальный — энергия идет на два штатных динамика и один сабвуфер.
- Quad Channel — два низкочастотных динамика и четыре обычных динамика.
Более сложные системы, разработанные для большого количества звуковых элементов, такие как автомобильные усилители мощности
для сабвуфера, непрактичны и почти никогда не используются.
Кроме того, вы можете выбрать мощность усилителя для сабвуфера. По мощности самого сабвуфера (СКО) они делятся на следующие типы:
- Меньше мощности.Не рекомендуется, так как не позволит полностью использовать возможности акустики.
- Равное среднеквадратичное значение. Безопасно для подводной лодки, но не для машины. Дело в том, что в обычной бортовой сети с выходами 12 вольт напряжение может меняться. Если во время работы усилителя включить какие-то другие электроприборы, система легко войдет в обойму. Этот термин обозначает ситуацию, когда они пытаются получить от усилителя больше напряжения, чем в системе питания. Обрезанный сигнал — это быстрая смерть говорящего.
- Превышение среднеквадратичного значения. Здесь есть подводные камни: если постоянно слушать «тяжелую» музыку с обилием низких частот на большой громкости, такой усилитель тоже сожжет саб. Однако при осторожном использовании этот вариант остается самым безопасным.
Можно ли своими руками сделать простой усилитель для сабвуфера?
Обычно усилитель звука для сабвуфера приобретается в специализированных магазинах. Однако в этом нет необходимости. Обладая определенными знаниями в области электротехники и навыками работы с паяльником, вы сможете самостоятельно собрать практически любую конструкцию.При современной доступности микросхем и транзисторов приобрести какие-либо детали несложно.
Для того, чтобы сделать усилитель для сабвуфера своими руками, вам потребуется:
Микросхема- ;
- резисторов; Конденсаторы
- ;
- транзисторов.
В зависимости от используемой схемы могут потребоваться дополнительные элементы (например, готовый или самодельный трансформатор), но этих деталей должно хватить на простой усилитель для сабвуфера.
Схема автомобильного усилителя 12 В
Для того, чтобы собрать усилитель, необходимо сначала определиться со схемой для него. Здесь есть несколько вариантов:
Самый простой вариант основан на микросхеме TDA1562. Его преимущества:
- простота установки;
- низкое энергопотребление.
Недостаток схемы в том, что от нее нельзя получить мощность более 50 Вт.
Более сложная схема усилителя для сабвуфера — вариант на базе TDA7294.Он включает в себя преобразователь сабвуфера и фильтр нижних частот, установленный на общей печатной плате.
Наконец, вот схема усилителя для сабвуфера мощностью 1000 Вт на базе TDA2500. Два канала по киловатту каждый. Однако этот вариант рекомендуется только в крайнем случае: чтобы использовать такой мощный усилитель для сабвуфера, придется дополнительно решить проблемы с питанием.
Наконец, чуть более простой усилитель для сабвуфера на 800 Вт. Вот схема его питания:
Как собрать усилитель?
Для надежности и компактности сборки монтаж должен производиться на печатной плате.Для этого потребуется:
- Компьютер.
- Программа Sprint-layout (или аналогичная) для расчета и проектирования плат.
- Лазерный принтер.
- Текстолит фольгированный.
- Раствор хлорида железа.
Последовательность действий здесь будет следующая:
- Программа создает печатную плату.
- Плата напечатана на лазерном принтере … Настоятельно рекомендуется использовать фотобумагу и фирменный картридж — повторно заправленные картриджи могут иметь слишком низкую плотность тонера.У вас должно получиться примерно следующее:
- Полученный рисунок аккуратно вырезается по контуру и накладывается на текстолитовую заготовку. Перед этим заготовку необходимо отшлифовать мелкой наждачной бумагой (для удаления оксидов) и обезжирить ацетоном. Затем лист бумаги, уложенный в узор, гладят горячим утюгом. Это важнейшая операция, от нее зависит качество доски. При правильной эксплуатации у вас получится заготовка с нанесенным на нее тонером с рисунком разводки.Температуру нужно выставить на максимум, чтобы тонер снова плавился и прилипал к фольге.
- Заготовка остывает после замачивания утюга в воде, после чего промокшая бумага аккуратно удаляется.
- Чертеж проверен. Если какие-то элементы не напечатаны, их можно дополнить перманентным маркером. Однако не следует злоупотреблять этим: маркер не так надежен, как тонер.
- Затем заготовка протравливается в хлорном железе. В результате получается чистый текстолит с сохраненной медью только там, где она была защищена слоем тонера или маркера.
На получившейся плате уже можно смонтировать микросхему и другие детали в соответствии с выбранной конструкцией. Но перед этим нужно определиться с диетой. Здесь снова понадобится компьютер и программа для расчета трансформаторов: необходимо преобразовать бортовые 12 В как минимум в 80. После расчета обмотка монтируется на сердечник с изоляцией каждого слоя. Отличный вариант самодельного автомобильного сабвуфера — использовать старые ТВ-трансформаторы с соответствующим пересчетом обмоток.
СМОТРЕТЬ ВИДЕО
Фильтр нижних частот устанавливается в последнюю очередь. Без него высокочастотные сигналы пойдут на саб — и тогда само использование сабвуфера бессмысленно. Фильтр монтируется так же, как и остальной усилитель, после чего можно переходить к тестированию в бортовой сети и магнитоле.
Важно: при тестировании усилителя необходимо подключать его только через резисторы и лампу накаливания! В противном случае есть риск обжечь детали еще до того, как конструкция будет готова.
Установка усилителя в корпус и использование проводки
После того, как электроника будет готова, нужно подумать о корпусе и проводах для питания и сигналов. Здесь есть много вариантов в зависимости от того, какие материалы доступны. В частности, вы можете использовать:
- фанера;
- алюминиевый профиль;
- ДВП и др.
Отдельно нужно позаботиться о проводах. Они должны быть должным образом изолированы, чтобы избежать электромагнитных помех и искажения сигнала.
В этой статье мы подробно рассмотрим, как сделать сабвуфер своими руками, если нет профессиональных знаний в области электроакустики и нет желания использовать ранее неизвестные и непонятные схемы, хотя конечно у вас все еще есть сделать несколько измерений.
Что такое сабвуфер и для чего он нужен?
Сабвуфер в народе называют просто сабом, и если перевести это слово дословно, звучит довольно забавно — подгавкиватель.По сути, это настоящая басовая колонка с низкой частотой, оформленная в специальной коробке с чрезвычайно сложным устройством.
На сегодняшний день, если вы посмотрите фото сабвуфера своими руками, то заметите, что они используются в огромном количестве самых разных мест, начиная от простых бытовых ситуаций, когда он устанавливается дома и заканчивая при том, что сегодня многие используют сабвуферы в своих автомобилях.
Если вам удастся найти хороший чертеж сабвуфера и сделать его правильно, то вы точно сможете взять на себя практически любую сложность колонки, так как именно воспроизведение низких частот является одним из самых сложных моментов в мир электроакустики.
Важно только, чтобы схема сабвуфера полностью соответствовала вашему представлению об идеальной акустике.
Немного о басе
Воспроизведение различных басов в принципе довольно сложно. В целом, низкочастотный участок абсолютно любого спектра доступных звуковых волн различается в зависимости от его сильного психофизиологического воздействия на несколько областей.
Чтобы не ошибиться в выборе баса, действительно качественный динамик, и впоследствии ящик для сабвуфера достроили достаточно быстро, в первую очередь необходимо иметь в виду их ключевое значение и соответствующие границы .
Глубина
Для различных духовых органов в залах, специально отремонтированных для музыкальных инструментов, суббас оказывает существенное влияние на тембр звука. Именно для звуков природы и различных техногенных катаклизмов, таких как неожиданные взрывы, характерны довольно сильные суббасовые составляющие.
Стоит отметить, что большинство людей либо вообще не слышат суб-бас, либо слышат его, но недостаточно хорошо. Например, если мы отфильтруем звуки ядерного взрыва и сильного урагана, которые принципиально отличаются по своей природе, как торнадо в тропиках, от всего, кроме суб-басов, то со стопроцентной уверенностью можно сказать, что вряд ли кто-либо из них слушатели смогут понять, что на самом деле происходит то же самое.
Именно по этой причине сабвуфер для дома почти полностью оптимизирован исключительно для мидбаса.
Как выбрать колонку?
При выборе обязательно стоит обратить внимание на то, что полный расчет всего акустического оформления всегда проводится только по известным параметрам Тиля-Смолла.
При самостоятельном создании хорошего сабвуфера важно учитывать только абсолютную добротность головки именно на ее основной резонансной частоте.Это связано с тем, что с его помощью подбирают идеальный вариант будущего акустического оформления.
Автомобильные сабвуферы
Если вас интересуют автомобильные сабвуферы, то обязательно имейте в виду, что чаще всего их устанавливают либо непосредственно под сиденьем водителя, либо в багажном отделении.
При установке в качестве второго варианта автомобильный сабвуфер может занимать много полезного места, поэтому он используется не так часто. Однако даже если сабвуфер находится под сиденьем, есть определенные риски, связанные, например, с тем, что его достаточно легко поранить ногой.
На все остальное стоит обратить особое внимание по важному моменту, заключающемуся в том, что в достаточно тесном салоне автомобиля не обойтись без обязательного маскирующего эффекта различных шумов.
Именно по этой причине почти все автомобильные сабвуферы оптимизированы в первую очередь для сабвуфера.
В заключение стоит отметить, что в принципе любой желающий может сделать усилитель для сабвуфера самостоятельно, и это будет довольно увлекательное занятие, полезное не только для развития умения, но и ума.
Примечание!
Сабвуфер своими руками фото
Примечание!
Всем привет! Однажды, сидя в машине друга и слушая его музыку, он пообещал ему собрать усилитель для сабвуфера, если он сам купит сабвуфер. Прошло какое-то время, звонит друг, говорит, купил пассивный саб — сделай усилитель, делать нечего — пришлось собирать… Микросхема TDA1562 идеально подошла для автомобильного сабвуфера, я вытравил одну плату для усилителя, другую для сумматора и ФНЧ.
Цепь и плата УНЧ
Схемы были с просторов сети. Сработало с первого раза. Настраивать нечего и не требуется — просто паять без ошибок.
Корпус УМЗЧ — алюминиевый профиль от двери, просверлены отверстия под силовые клеммы, клеммы динамика, светодиоды, переменные сопротивления.
Прикрутил все это, припаял провода, на оси резисторов поставил ручки. Верхнюю, нижнюю и боковые стенки от китайской магнитолы немного порезал по глубине, а с баллона выдул краску. Это даже не выглядело плохо.
У знакомого он в ВАЗ-2109 сзади на полке, сигнал подключен на задние динамики — ФНЧ не гасит сигнал, если он с магнитолы.
Постоянное питание через предохранитель на 15 А.И дежурный режим от магнитолы.
Здесь мы рассмотрим классический качественный 100-ваттный сабвуферный усилитель для автомобиля. Этот автомобильный усилитель для саба намного мощнее известных, которые с трудом выдают 50 Вт. В основе лежит очень достойная проверенная многими микросхема TDA7294 плюс преобразователь 12 — 2х40 В. Есть встроенный фильтр нижних частот, и все расположено на одной односторонней плате 75 х 125 мм. Вот картинки. Схема состоит из трех блоков:
Преобразователь питания сабвуфера УМЗЧ
Этот преобразователь основан на драйвере TL494 (KA7500).Есть защита от перенапряжения — отключение при превышении напряжения на входе 15 вольт. Защита от пониженного напряжения защитит от сильного разряда батареи — драйвер отключится, если напряжение упадет до 9 В. Защита по току позаботится о выходных транзисторах и общей безопасности всей схемы. Зеленый диод означает нормальную работу, красный диод — одна из защит отключила драйвер. Схема плавного пуска позволяет инвертору запускаться медленно, несмотря на большую выходную емкость.
Вы можете сделать трансформатор самостоятельно или взять его от блока ATX (в блоке питания компьютера). Используйте линии 5В и 12В, коэффициент преобразования будет 2,4х. Это означает, что если мы подадим 14 В напряжения батареи на линию 5 В, мы получим в 2,4 раза больше напряжения на линии 12 В — примерно +/- 33 В для питания ИС усилителя. Это очень хорошее и простое решение. Частота переключения — 50 кГц. Его можно изменить, установив конденсатор на вывод 5 TL494. Например, 1 нФ даст частоту около 50 кГц, 1.5nF — 30 кГц.
Полевой IRFZ44N можно заменить на другие транзисторы, нужно только обеспечить выходную мощность более 100 Вт, а на IRFZ44N — до 300 Вт.
Предварительный усилитель и фильтр низких частот
это простая схема с одним операционным усилителем TL072. Питается он симметричным биполярным напряжением + 12В / -12В, образованным стабилитронами 12В от основных.
Встроенный усилитель мощности
Микросхема TDA7294 в типичном включении, ничего особенного.Выводы MUTE и ST-BY постоянно подключены к плюсу через необходимые цепочки R-C.
- Используйте толстые провода в цепях питания. Входной конденсатор C4 должен иметь емкость не менее 4700 мкФ, это зависит от его эффективности на выходе … Обязательно используйте предохранитель 10А на линии батареи. Будьте осторожны — схема не для новичков, запуск инвертора требует определенных знаний и оборудования. При первом запуске используйте источник питания с ограничением по току.
- Масса развелась удачно — боялись, что будет фон, шум, самовозбуждение, но оказалось, что все нормально.Сначала были проблемы с небольшим гудением в фильтре, но оказалось, что виноват LM358 — эта микросхема совершенно не подходит для качественного звука. Обычный TL072 или NE5532 намного лучше.
- Преобразователь устойчив к КЗ во вторичной обмотке и выходных ЛЭП — мгновенно отключается, поэтому не бойтесь сжечь его при случайных коротких замыканиях на плате УМЗЧ. Про УНЧ корпус для автомобильного сабвуфера сказать нечего — кто что хочет, применит — главное правильно настроить саму схему, а дальше дело фантазии…
Подскажите, как определить, где какой элемент находится на плате, а то не пойму … Просто еще не испытал …
На рисунке над диаграммой показана сборка на нем и определено, где разместить какой элемент
▼ Показать все комментарии ▼
На сборочном конвейере стоят два конденсатора по 4700 мкФ 50 В, и есть другие элементы, для чего они нужны? Не пинайте меня за такие глупые вопросы, просто я мало разбираюсь в электронике…
, если вы удвоите количество транзисторов в выходном каскаде, возможно ли увеличить мощность? Или давайте заменим их на кт825 и кт827?
Всем привет. Как я понял, общее напряжение питания униполярное, от блока идет 70 вольт, делится по проводникам и получается по 35в?
нет. Кондеры не могут делиться едой. трансформатор должен иметь два вторичных блока с общим проводом, т.е.е. трансформатор имеет 3 провода на вторичной обмотке. напряжение каждого плеча от средней точки должно быть 24 (25) вольт переменного тока. после диодного моста и конденсаторов напряжение увеличивается в 1,4 раза (всего 35 вольт на плечо. см. схемы биполярного питания.
спасибо доктору Алексею. Я хочу сделать такую машину .. а эта схема с преобразователем будет работать? http://goo.gl/aqlfZ есть усилок и конвертер. Я только что сделал это, и эти кольца до сих пор у меня в наличии… сколько витков и как наматывать, подскажите плиз … желательно проводом 1 мм …
спасибо доктору Алексею. а на этот усилок 35в 200в хватит?
в смысле 35 вольт на усилитель на 200 ватт? в принципе 160-170 ватт у вас точно получится (хотя можно и 200). при условии, что трансформатор имеет мощность 200-250 Вт, он рассчитан на вторичный ток 4 ампера. (сечение вторичного провода 1-1.4 мм) конденсаторы блока питания на плече не менее 30 000 мкФ.
как показывает практика, дома хватает мощности 30-70 Вт на канал. для машины 100 ватт за глаза вполне хватает. это примеры для комфортного прослушивания.
Ребята и 45 вольт на одно плечо, он будет в порядке?
Можете ли вы изменить выходные для KT837 и KT805? Если да, то сколько мощности упадет ???
текст
Учитывая максимальную рассеиваемую мощность пары, которую вы выбрали, 30 Вт Вт 20 с хрипом, вы вытащите оттуда.Можно взять неметаллические варианты КТ818-819, они доступнее и дешевле, а с радиаторами им проще.
Я вам скажу, я сделал этот усилитель, но поставил отечественные вместо импортных и работает у меня сделал 2 канала на выходе поставил kt818g kt819g и он тихо, без проблем качает s90 колонки хоть и добились, но оно того стоило !!! без предусилителя даже на поддоне качаться не будет! до того как я поставил усилитель от телевизора на un14 где-то около 120w мне это дает !!!
Переменное напряжение на выходе при максимальной громкости 30В где-то около 120Вт !!!
Выходной конденсатор изношен ??? А потом сжег кучу динамиков, С-90 жечь не хочу))
сделавший сей прибор может сказать какой из дешевых и доступных трансюков желательно иметь буржуйскую наводку, чтобы атом в мага пошел спрашивать сколько будет цена и желание отпало :)))
Classic 2SC5200 / 2SA1943 не вариант? Сотку можно встретить.
Ааа .. ну люди хорошо ответьте на вопрос! Нужен ли данному УНЧ выходной конденсатор ??? А потом ломаю голову, как будто что-то не сжечь! Кто это вообще запустил ???
Нет, это не так. Но вход желателен. Около 1 мкФ.
Спасибо добрый человек !!!
хоть и написано, что для саба, но поинтересуюсь у собравших, как этот усилок передает басы, ладно? Просто планирую в саб засунуть)))) Думаю на выходных поставить 2SC5200 / 2SA1943.Q4 и Q5 есть именно bc557 и bc546, не перегорают? вот читал что без предварительного усилителя не качается при всем это правда
Этот усилитель мне до сих пор играет на советских транзисторах !!!
Для Chron:… чтобы ничего не сжечь «наверняка», нужно взять 2 е-мейла. Кондер, подключи их последовательно. Получившийся 3-полюсный соединить «плюсом» с «плюсом» блока питания; «Минус» — к «минусу» ИП, а к «середине» — 2-й провод от динамика (вместо «земли»).Таким образом, динамик никогда не выйдет из строя (это самая дорогая деталь), так как на стыке «кодировщиков» никогда не будет «константы», а по «смене» — всегда НОЛЬ. Пожалуйста, обрати внимание! Максимальное напряжение электрического энкодера должно быть в 2 раза выше, чем напряжение 1 ″ плеча »источника питания, а также их номинальные значения должны быть одинаковыми.
Разве это не вариант проверить и настроить усилитель с эквивалентной нагрузкой и только потом подключить динамики и слушать? 🙂
Собрал усилитель по этой схеме, транзисторы поставил наши КТ827А и КТ819ВМ, подключаю, от динамика, а как воткнет, в чем может быть проблема, кто подскажет?
Замените KT819VM на KT825 или транзистор KT827A на KT818VM, так как KT827A и KT819VM не дополняют друг друга, т.е. взаимно дополняют друг друга, их рекомендуется использовать так, примерно KT818VM и KT819VM или KT825 и KT827. Потому что КТ827 — составной, а КТ819ВМ — нет.
Я немного «новичок» в этом деле, и поэтому есть пара вопросов:
распечатать топологию платы как показано или в зеркальном отображении;
необходимо установить фильтр нижних частот;
динамик на 8 ом будет работать? спасибо
Кто-нибудь собирал из кт825 и кт827 на выходе? Или 2sc5200 и 2sa1943? Схема работает?
Уровень линейного выхода (0.7В) не хватает для полного привода?
а какие силовые резисторы брать все кроме R7 и R8?
не работает. Я криво
Проверить печатную плату, исправны ли дорожки и должно ли быть между ними короткое замыкание там, где его не должно быть, соответствуют ли номиналы резисторов цепи, конденсаторы, транзисторы правильно припаяны и для исправности, исправен ли блок питания, и хотелось бы иметь фото вашего усилителя и что именно не работает, а то так сложно предположить, что или, а схема на 100% исправна , Все детали по схеме проделал, только выходные транзисторы КТ818ГМ и КТ819ГМ на выходе сумели получить максимум 17В при нагрузке 4 Ом, а питание усилителя 35В на плечо.
Паял эту схему. Я использовал TIP 142 и TIP 147 на выходном каскаде. Сразу заработало, звучит нормально. Но как узнать, сколько ватт он производит? Везде пишут, что точно измерить можно только с помощью генератора и осциллографа. Выходное напряжение при работе с сабвуфером на 4 Ом колеблется (стрелка мультиметра) до 25 вольт. Ток на входе преобразователя в среднем 9 ампер (при напряжении 11.7 В)
Но как узнать, сколько ватт он производит?
Я собрал этот усилитель. Хочу сказать, что он играет очень хорошо (без проблем качал мой саб на 75гн). Запитываю его напряжением 37в в плече. Вместо bc546 поставил kt3102, вместо bc557-kt3107, 2n3055-kt819gm, MJ2955-kt818gm. Играет нормально без каких-либо предусилителей прямо с компьютера. Если он у вас при подключении входа к чему-то будет пердеть или хлопать, поставьте 2.Конденсатор на 2-10 мкФ и резистор 22-47кФ перед входом, мне это помогло. Еще накормил его с ремнем 27с на плече и тоже играл нормально, но в 2 раза тише. Резюк R6 греется не слабо, поэтому ставьте резюк емкостью половину ваты (проще всего на половину ваты получить миллилитр 2,4кВт). Желаю удачи в сборке этого усилителя).
Понял, включаю, в динамике небольшой фон и КТ818 греется до предела.На сигнал реакции 0. Собрал на КТ819ГМ и КТ818ГМ. Как дела ?!
Юра оставьте свои контакты мы решим проблему! Я уже знаю этот усилитель наизусть
бесплатный электронный лист данных: 2010
ХарактеристикиСверхэффективный громкоговорительный усилитель класса D с расширенным спектром, работающий с КПД 93%
Низковольтный усилитель для наушников с заземлением
Высокопроизводительный стерео ЦАП с соотношением сигнал / шум 103 дБ
Высокопроизводительный стерео АЦП с соотношением сигнал / шум 97 дБ
Воспроизведение стереозвука до 96 кГц
До Стереозапись 48 кГц
Двойные двунаправленные аудиоинтерфейсы, совместимые с I 2S или PCM
Интерфейс управления, совместимый с I 2C для чтения / записи
Гибкий цифровой микшер с преобразованием частоты дискретизации
Сигма-дельта-тактовая частота PLL, поддерживающая системные тактовые частоты до 50 МГц, включая 13 МГц, 19.2 МГц и 26 МГц
Двойные 5-полосные стереофонические параметрические эквалайзеры
Каскадные эффекты DSP, обеспечивающие параметрическую 10-полосную стереофоническую эквалайзер
ALC / ограничитель / компрессор на каналах ЦАП и АЦП
Выделенный усилитель динамика для наушников
Дополнительные стереовходы и монодифференциальный вход
Дифференциальный микрофон вход с несимметричным входом
Автоматическая регулировка уровня для цифровых аудиовходов, моно-дифференциального входа, микрофонного входа и дополнительных стереовходов
Гибкая маршрутизация аудиосигнала от входа к выходу
16 Пошаговая регулировка громкости для микрофона с шагом 2 дБ
32 Пошаговая регулировка громкости для вспомогательные входы в 1.Шаг 5 дБ
4-ступенчатый регулятор громкости для усилителя громкоговорителя класса D
8-ступенчатый регулятор громкости для усилителя для наушников
Режим отключения микропитания
Доступен в корпусе micro SMD с 36 выступами 3,3 x 3,3 мм
Описание
LM49352 — это высокопроизводительный смешанный сигнал аудиоподсистема. LM49352 включает в себя высококачественный стерео ЦАП, высококачественный стерео АЦП, усилитель для стереонаушников, который поддерживает работу с заземлением, усилитель громкоговорителя с низким уровнем электромагнитных помех класса D и усилитель динамика для наушников.Он сочетает в себе усовершенствованную обработку звука, преобразование, микширование и усиление на минимально возможной площади, увеличивая время автономной работы многофункциональных портативных устройств.
LM49352 имеет двойной двунаправленный аудиоинтерфейс I 2S или PCM и совместимый интерфейс I 2C для управления. Стерео тракт ЦАП имеет отношение сигнал / шум 103 дБ при 24-битном входе 48 кГц. Усилитель для наушников выдает 65 мВт (тип.) На несимметричную стереонагрузку 32 Ом с искажениями менее 1% (THD + N) при HP_VDD = 2.8В. Усилитель громкоговорителя обеспечивает мощность до 970 мВт при нагрузке 8 Ом с искажениями менее 1% при LS_VDD = 4,2 В.
LM49352 использует передовые методы для продления срока службы батареи, уменьшения нагрузки на контроллер, ускорения времени разработки и устранения артефактов щелчков и щелчков. Усилители мощности звука Boomer разработаны специально для мобильных устройств и требуют минимальной площади печатной платы и внешних компонентов.
Приложения
Смартфоны
Мобильные телефоны и телефоны VOIP
Портативный GPS-навигатор и портативные игровые устройства
Переносные DVD / CD / AAC / MP3 / MP4-плееры
Цифровые камеры / видеокамеры
загрузить техническое описание с http: // www.national.com/
УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ ВК-5 — Скачать PDF бесплатно
Транзисторные усилители
Physics 3330 Эксперимент № 7, осень 1999 г. Транзисторные усилители Назначение Целью этого эксперимента является разработка биполярного транзисторного усилителя с коэффициентом усиления по напряжению минус 25.Усилитель должен принимать вход
. Дополнительная информацияУсилители на биполярных транзисторах
Physics 3330 Эксперимент № 7 Осень 2005 г. Усилители на биполярных транзисторах Назначение Целью этого эксперимента является создание усилителя на биполярных транзисторах с коэффициентом усиления минус 25. Усилитель должен иметь значение
. Дополнительная информацияКомплект 106. Усилитель звука мощностью 50 Вт
Комплект 106 Аудиоусилитель мощностью 50 Вт Этот комплект основан на замечательном модуле усилителя IC от ST Electronics, TDA7294. Он предназначен для использования в качестве высококачественного аудио усилителя класса AB в hi-fi приложениях
ПодробнееГлава 19 Операционные усилители
Глава 19 Операционные усилители Операционный усилитель, или операционный усилитель, является основным строительным блоком современной электроники.Операционные усилители появились еще на заре электронных ламп, но стали обычным явлением только
. ПодробнееВ стереосистеме, радио или телевидении входной сигнал слабый. После нескольких. ступени усиления напряжения, однако, сигнал становится большим и использует
Глава 12 Усилители мощности В стереосистеме, радио или телевизоре входной сигнал слабый. Однако после нескольких этапов увеличения напряжения сигнал становится большим и использует всю нагрузочную линию.В этих
ПодробнееЧастотная характеристика фильтров
Школа инженерии Департамент электротехники и вычислительной техники 332: 224 Принципы электротехники II Лабораторный эксперимент 2 Частотная характеристика фильтров 1 Введение Цели для
ПодробнееУсилитель мощности Yamaha. Белая бумага
Официальный документ по усилителям мощности Yamaha, август 2008 г. Содержание 1.О EEEngine … 2 1.1. Введение … 2 1.2. Пояснения к различным топологиям усилителей … 2 2. Технология Yamaha … 5 2.1. Двойной моноусилитель
ПодробнееПрецизионные диодные выпрямители
Кеннет А. Кун 21 марта 2013 г. Прецизионные полуволновые выпрямители Операционный усилитель может использоваться для линеаризации нелинейной функции, такой как передаточная функция полупроводникового диода. Классический
ПодробнееКомплект 27.УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ 1Вт TDA7052
Комплект 27. УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ TDA7052 1 Вт Это модуль моно усилителя мощностью 1 Вт, использующий TDA7052 от Philips. (Обратите внимание, без суффикса.) Он предназначен для использования в качестве строительного блока в других проектах, где
ПодробнееОписание. 5 тыс. (10 тыс.) — + 5 тыс. (10 тыс.)
THAT Corporation Низкий уровень шума, высокопроизводительный микрофонный предусилитель. ХАРАКТЕРИСТИКИ ИС. Превосходные шумовые характеристики во всем диапазоне усиления. Исключительно низкий коэффициент нелинейных искажений + шум во всей полосе пропускания звука. Подробнее
Расчет среднеквадратичного значения G
Расчет G rms QualMark Corp.Neill Doertenbach Метрика G rms обычно используется для определения и сравнения энергии в системах повторяющихся ударных колебаний. Однако способ прибытия
ПодробнееОперационный усилитель — IC 741
Операционный усилитель — IC 741 Tabish, декабрь 2005 г. Цель: изучить работу операционного усилителя 741 путем проведения следующих экспериментов: (a) Измерение входного тока смещения (b) Входное смещение
ПодробнееКоллекция схем операционных усилителей
Сборник схем операционных усилителей Примечание: National Semiconductor рекомендует заменять согласованные пары 2N2920 и 2N3728 на LM394 во всех схемах применения.Раздел 1 Основные схемы Разница в инвертирующем усилителе
ПодробнееТЕХНИЧЕСКИЕ ЗАМЕЧАНИЯ MATRIX
200 WOOD AVENUE, MIDDLESEX, NJ 08846 ТЕЛЕФОН (732) 469-9510 ФАКС (732) 469-0418 MATRIX ТЕХНИЧЕСКИЕ ЗАМЕЧАНИЯ ИСПЫТАТЕЛЬНАЯ УСТАНОВКА MTN-107 ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ X-MOD, CTB И CSO С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЦЕПИ СРЕДНЕЙ КВАДРАТЫ В КАЧЕСТВЕ ДЕТЕКТОРА
ПодробнееЧАСТОТНЫЙ МОНИТОР SR2000
МОНИТОР ЧАСТОТЫ SR2000 ДЕТАЛИ ФУНКЦИИ ПОИСКА БПФ Поиск БПФ — это поиск сигнала с использованием технологии БПФ (быстрое преобразование Фурье).Функция поиска БПФ впервые появилась в SR2000 Frequency
. ПодробнееМасштабирование и смещение аналоговых сигналов
Масштабирование и смещение аналоговых сигналов Ноябрь 2007 г. Введение Масштабирование и смещение диапазона и смещения аналоговых сигналов — полезный навык для работы с разнообразной электроникой. Мало того, что он может взаимодействовать с
ПодробнееЛабораторная работа 1: Цифровой осциллограф.
PHYSICS 220 Лаборатория физической электроники 1. Цифровой осциллограф. Цель: познакомиться с осциллографом, широко распространенным инструментом для наблюдения и измерения электронных сигналов.Аппарат: Tektronix
ПодробнееУсилитель с общим эмиттером
Усилитель с общим эмиттером A. Перед тем, как мы начнем Как следует из названия этой лабораторной работы, эта лабораторная работа посвящена разработке усилителя с общим эмиттером, и на данном этапе лабораторного курса это, на мой взгляд, преждевременно,
ПодробнееЛаборатория 5 Операционные усилители
Лаборатория 5 Операционные усилители Автор: Гэри А.Ибарра Кристофер Э. Крамер Факультет электротехники и вычислительной техники Университета Дьюка Дарем, Северная Каролина. Цель Цель данной лабораторной работы — изучить свойства
ПодробнееЭлектрический резонанс
Электрический резонанс (последовательная цепь R-L-C) УСТРОЙСТВО 1. Печатная плата R-L-C 2. Генератор сигналов 3. Осциллограф Tektronix TDS1002 с двумя наборами проводов (см. Введение в осциллограф) ВВЕДЕНИЕ
ПодробнееCX Zoner Руководство по установке и эксплуатации
CX Zoner Руководство по установке и эксплуатации Cloud Electronics Limited 140 Staniforth Road, Sheffield, S9 3HF England Тел. +44 (0) 114 244 7051 Факс +44 (0) 114 242 5462 электронная почта info @ cloud.веб-сайт co.uk http://www.cloud.co.uk
ПодробнееСетевые реакторы и приводы переменного тока
Сетевые реакторы и приводы переменного тока Rockwell Automation Mequon Wisconsin Довольно часто линейные и нагрузочные реакторы устанавливаются на приводы переменного тока без четкого понимания того, почему и каковы положительные и отрицательные последствия
ПодробнееЛучший британский тестер клапанов
ОБОРУДОВАНИЕ ДЛЯ ИСПЫТАНИЙ Ultimate British Valve Tester AVO VCM 163 от Курта Шмида, Dh4PJ Для оценки качества термоэмиссионных клапанов амбициозные тестеры клапанов (США: тестер трубок) могут диагностировать пару
ПодробнееМАС.836 КАК СДВИГАТЬ ОП-УСИЛИТЕЛЬ
MAS.836 КАК СДВИГАТЬ ЦЕПИ ОУ-УСИЛИТЕЛЯ OP-AMP: Смещение в электронной схеме описывает рабочие характеристики установившегося режима без подачи сигнала. В схеме операционного усилителя рабочая характеристика
ПодробнееПонимание делителей мощности
Понимание того, как работают разветвители мощности, какие параметры критичны и как выбрать лучшее значение для вашего приложения.По сути, разветвитель 0 — это пассивное устройство, которое принимает входной сигнал
. ПодробнееЗамечания по применению Компоненты SAW
Примечание по применению Компоненты на ПАВ Принципы работы генераторов и передатчиков, стабилизированных на ПАВ. Приложение: Примечание №1 В этом документе описывается физический принцип генератора, стабилизированного на ПАВ. Осциллятор
ПодробнееОсобенности, преимущества и работа
Характеристики, преимущества и работа 2014 Decibel Eleven Содержание Введение… 2 Характеристики … 2 Задняя панель … 3 Подключения … 3 Питание … 3 MIDI … 3 Петли для педалей … 4 Примеры схем подключения … 5,6
ПодробнееОсновы работы с РЧ-анализатором цепей
Основы RF Network Analyzer Учебное пособие, информация и обзор основ RF Network Analyzer. Что такое анализатор цепей и как их использовать, включая скалярный анализатор цепей (SNA),
ПодробнееТЕХНИЧЕСКОЕ ОБСЛУЖИВАНИЕ И РЕГУЛИРОВКА
ТЕХНИЧЕСКОЕ ОБСЛУЖИВАНИЕ И НАСТРОЙКА Теория схем Концепция синтеза частот системы ФАПЧ не является недавней разработкой, однако прошло совсем немного времени с тех пор, как цифровая теория была соединена с
. ПодробнееLH0091 Преобразователь истинного среднеквадратичного значения в постоянный ток
LH0091 Преобразователь истинного среднеквадратичного значения в постоянный ток Общее описание Преобразователь действующего значения постоянного тока в постоянный ток LH0091 генерирует выходной сигнал постоянного тока, равный среднеквадратичному значению любого входа в соответствии с передаточной функцией E OUT (DC) e 0 1 T T 0 E IN 2 (t) dt
ПодробнееПонимание делителей мощности
Общие сведения о делителях мощности Как они работают, какие параметры являются критическими и как выбрать наилучшее значение для вашего приложения.По сути, разветвитель 0 — это пассивное устройство, которое принимает входной сигнал
. ПодробнееW a d i a D i g i t a l
Обзор декодирующего компьютера Wadia Определение Что такое декодирующий компьютер? Компьютер декодирования Wadia — это цифро-аналоговый преобразователь малого форм-фактора с возможностями цифрового предварительного усилителя. Это
ПодробнееМОДЕЛЬ 2202IQ (1991 г. — рекомендованная цена 549 долл. США).00)
МОДЕЛЬ 2202IQ (1991 г. — рекомендованная цена 549 долларов США) РУКОВОДСТВО ПО УСТАНОВКЕ И РУКОВОДСТВО ПОЛЬЗОВАТЕЛЯ ВВЕДЕНИЕ Поздравляем вас с решением приобрести LINEAR
Подробнееспецификации электронных компонентов: 2010
ХарактеристикиСверхэффективный громкоговорительный усилитель класса D с расширенным спектром, который работает с КПД 93%
Низковольтный усилитель для наушников с заземлением
Высокопроизводительный стереофонический ЦАП с соотношением сигнал / шум 103 дБ
Высокопроизводительный стерео АЦП
с соотношением сигнал / шум 97 дБ Воспроизведение стереозвука до 96 кГц
Стереозапись до 48 кГц
Двойные двунаправленные аудиоинтерфейсы I 2S или PCM
Интерфейс управления, совместимый с I 2C, чтение / запись
Гибкий цифровой микшер с преобразованием частоты дискретизации
Сеть тактовой сигма-дельта ФАПЧ, которая поддерживает системные тактовые частоты до 50 МГц, включая 13 МГц, 19.2 МГц и 26 МГц
Двойные стереофонические 5-полосные параметрические эквалайзеры
Каскадные эффекты DSP, обеспечивающие параметрическую 10-полосную стереофоническую эквализацию
ALC / лимитер / компрессор на путях ЦАП и АЦП
Выделенный наушник-динамик-усилитель
Дополнительные стерео входы и моно дифференциальный вход
Дифференциальный микрофонный вход с несимметричным входом
Автоматический контроль уровня для цифровых аудиовходов, моно-дифференциального входа, микрофонного входа и дополнительных стереовходов
Гибкая маршрутизация звука от входа к выходу
16 ступенчатый регулятор громкости микрофона с шагом 2 дБ
32 ступенчатый регулятор громкости для дополнительных входов в 1.5 дБ с шагом
4-ступенчатый регулятор громкости для усилителя громкоговорителя класса D
8 ступенчатый регулятор громкости для усилителя наушников
Режим отключения микропитания
Доступен в корпусе micro SMD размером 3,3 x 3,3 мм, 36 выступов.
Описание
LM49352 — это высокопроизводительная аудиоподсистема со смешанными сигналами. LM49352 включает в себя высококачественный стерео ЦАП, высококачественный стерео АЦП, усилитель для стереонаушников, который поддерживает работу с заземлением, усилитель громкоговорителя с низким уровнем электромагнитных помех класса D и усилитель динамика для наушников.Он сочетает в себе усовершенствованную обработку звука, преобразование, микширование и усиление на минимально возможной площади, увеличивая время автономной работы многофункциональных портативных устройств.
LM49352 имеет двойной двунаправленный аудиоинтерфейс I 2S или PCM и совместимый интерфейс I 2C для управления. Стерео тракт ЦАП имеет отношение сигнал / шум 103 дБ при 24-битном входе 48 кГц. Усилитель для наушников выдает 65 мВт (тип.) На несимметричную стереонагрузку 32 Ом с искажениями менее 1% (THD + N) при HP_VDD = 2.8В. Усилитель громкоговорителя обеспечивает мощность до 970 мВт при нагрузке 8 Ом с искажениями менее 1% при LS_VDD = 4,2 В.
LM49352 использует передовые методы для продления срока службы батареи, уменьшения нагрузки на контроллер, ускорения времени разработки и устранения артефактов щелчков и щелчков. Усилители мощности звука Boomer разработаны специально для мобильных устройств и требуют минимальной площади печатной платы и внешних компонентов.
Приложения
Смартфоны
Мобильные телефоны и телефоны VOIP
Портативный GPS-навигатор и портативные игровые устройства
Переносные DVD / CD / AAC / MP3 / MP4-плееры
Цифровые камеры / видеокамеры
загрузить техническое описание с http: // www.national.com/
Схема моноблочного сабвуфераQ9000. Простой самодельный усилитель для сабвуфера. Про компьютерные расчеты
Здравствуйте! Однажды, сидя в машине друга и слушая его музыку, он пообещал ему собрать усилитель для сабвуфера, если он сам купит сабвуфер. Прошло какое-то время, звонит приятель, говорит, купил пассивный саб — сделай усилитель, делать нечего — пришлось собрать … Микросхема TDA1562 идеально подошла для автомобильного сабвуфера, протравил одну плату для усилителя , еще один для сумматора и фильтра нижних частот.
Цепь и плата УНЧ
Схемы были с просторов сети. Сработало с первого раза. Настраивать нечего и не требуется — просто паять без ошибок.
Корпус УМЗЧ — алюминиевый профиль от двери, просверлены отверстия под силовые клеммы, клеммы динамика, светодиоды, переменные сопротивления.
Прикрутил все это, припаял провода, на оси резисторов поставил ручки.Верхнюю, нижнюю и боковые стенки, от китайской магнитолы, немного порезал по глубине, а с баллона выдул краску. Это даже не выглядело плохо.
У знакомого он в ВАЗ-2109 сзади на полке, сигнал подключен на задние динамики — ФНЧ не гасит сигнал, если он с магнитолы.
Постоянное питание через предохранитель на 15 А. И дежурный режим от магнитолы.
Из этой статьи вы узнаете, как сделать усилитель для автомобильного сабвуфера среднего уровня.
В представленном усилителе, как и во многих промышленных усилителях, отсутствуют различные защиты. Но это никак не сказывается на надежности усилителя. Это устройство способно работать очень долго, если никто ничего не закрывает.
Чтобы добиться отсечки порядка 100 Гц (все вышеперечисленные частоты отсутствуют), в схему вводится фильтр второго порядка.
Это обычный двухтактный преобразователь, повышающий двухтактный. Задающий генератор построен на микросхеме TL494.
Next — это небольшой драйвер транзистора с прямой проводимостью. Эта часть разряжает емкость затворных полевых транзисторов после их закрытия.
Как известно, если на затвор полевого транзистора подать какое-то напряжение, в данном случае управляющий импульс, то последний откроется. И если снять напряжение на затворе, транзистор все равно останется открытым.
Поэтому некоторые схемы дополнены отдельным драйвером, который может вовремя закрыть транзистор.Хотя многие специализированные контроллеры PWM имеют для этой цели довольно мощный встроенный выходной каскад, TL494 к их числу не относится.
В драйвере модно использовать буквально любые pnp транзисторы. Наши КТ3107 тоже идеальны.
Полевые транзисторы, как всегда, n-канальные — в данном случае IRFZ44, но возможны и другие. Выбирая транзисторы, нужно обращать внимание на документацию. Расчетное напряжение ключа должно быть не менее 40 В, а сила тока не менее 30 А.Идеальным вариантом будут ключи на 60 В с током 50-60 А.
Первичная обмотка имеет от 2 до 5 витков, намотанных пучком из 5 проводов по 0,7 мм каждый. Вторичная обмотка 11 витков, 6 жил по 0,33 мм. Естественно, для каждого сердечника будут разные данные обмотки, поэтому расчет нужно производить независимо.
Холостой ход инвертора оказался не более 50 мА, а с подключенными фильтром и усилителем около 250 мА с учетом того, что сигнал на вход усилителя не поступал.Холостой ход минимальный.
Усилитель работает по классу A-B, а радиатор должен быть достаточно большим с учетом мощности. Обязательно изолировать корпус полевых транзисторов и микросхемы усилителя от радиатора с помощью теплопроводящих прокладок и изоляционных шайб.
Прикрепленные файлы:
Приобрести хороший усилитель да и сам сабвуфер на машину может потянуть несколько сотен долларов. С другой стороны, если у вас есть хоть какие-то базовые знания в области электроники, вы можете все сделать самостоятельно.А самый простой вариант автомобильного усилителя для сабвуфера — это многократно проверенная схема на УМЗЧ ТДА1562. Вот технические характеристики микросхем TDA1562:
Напряжение питания — 8..18В;
Пиковое значение выходного тока 10А;
Ток покоя — 0,15А;
Сопротивление нагрузки — 4 Ом;
Выходная мощность при гармонических искажениях
-0,03% — 1 Вт
-0,06% — 20 Вт
-0,5% — 55 Вт
-10% — 70 Вт
Коэффициент усиления по напряжению — 26 дБ
Диапазон воспроизводимых частот — 16… 20000 Гц
Входное сопротивление — 10 кОм
Цена TDA1562 около 6уе.
Данная микросхема с повышением напряжения, суть которой сводится к тому, что при воспроизведении звуковых сигналов требуется высокая выходная мощность на короткий промежуток времени, а в остальное время выходная мощность остается небольшой. Таким образом, пока выходная мощность не превышает 18 Вт, устройство работает как обычный УНЧ с питанием от источника 12 В. При превышении выходной мощности 18 Вт внутреннее напряжение питания на короткое время повышается с помощью преобразователя, в состав которого входят конденсаторы повышения напряжения.Такое решение позволяет получить высокую пиковую мощность на нагрузке при штатном питании бортовой сети авто — 12В.
При замыкании контактов микросхема переводится из дежурного режима в рабочий и наоборот. Не рекомендуется подключать усилитель к сабвуферам со встроенными фильтрами, имеющими значительную емкость. Микросхема TDA1562 достаточно чувствительна к питающему напряжению, поэтому не подавайте на нее больше 18В.развивает выходную мощность 70 Вт при нагрузке 4 Ом при питании от униполярного источника с напряжением 15 В.
Для монтажа микросхемы используйте толстые провода, так как есть ток потребления до 10 ампер. Это также относится к проводам, идущим к динамику сабвуфера, потому что даже небольшое увеличение сопротивления линии приведет к потерям мощности.
Микросхема усилителя самодельного сабвуфера должна быть установлена на радиаторе площадью не менее 500 см2.В качестве радиатора можно использовать металлический корпус или автомобильное шасси. Как вариант можно использовать принудительный обдув микросхемы с кулером на 12 вольт от.
Корпус сабвуфера изготовлен из ДВП достаточной толщины, чтобы не было дребезга и искажений. Снаружи обклеиваем мягкой тканью для поглощения вибрации. В качестве разъемов мы используем стандартные тюльпаны и подпружиненные педали.
Для индикации режимов сабвуфера их два.Зеленый цвет указывает на подачу напряжения питания 12 В на схему, а красный указывает на перегрузки и срабатывания защиты в TDA1562
Блок питания 12 В должен быть прикручен для улучшения контакта и снижения потерь. Испытания готового сабвуфера показали, что звук не хуже, чем у фирменных сабвуферов среднего диапазона, и собрать в машине хорошую басовую систему своими руками вполне реально всего за 35 долларов и два вечера. Материал прислал — in_sane
Обсудить статью САБВУФЕР
своими рукамиВсе началось с того, что полтора года назад я купил двенадцатидюймовый вуфер, чтобы собрать автомобильный сабвуфер.Но времени не хватило, а колонка у меня в квартире просохла. И вот спустя полтора года я наконец решил собрать, но не автомобиль, а активный домашний сабвуфер. В этой статье я опишу пошаговую инструкцию по расчету и сборке этого типа сабвуфера.
1. Расчет и конструкция корпуса (коробки) сабвуфера
Для расчета корпуса сабвуфера нам потребуется:
- Параметры Тиля-Смолла для громкоговорителя,
- Программа для расчета акустических конструкций
1.1 Измерение параметров Тиля-Смолла для громкоговорителя
Обычно эти параметры указывает производитель в паспорте громкоговорителя или на своем сайте. Но сейчас у большинства громкоговорителей, выставленных на продажу на рынках (включая мой громкоговоритель), эти параметры не указаны или не соответствуют им (несмотря на многочисленные попытки, мне не удалось найти свой громкоговоритель в Интернете, а про Thiel -Маленькие параметры уже и не могло быть и речи).Следовательно, нам придется все измерять самим.
Для этого нам понадобится:
- Компьютер или ноутбук с ХОРОШЕЙ (то есть с линейной частотной характеристикой) звуковой картой,
- Программа-генератор звукового сигнала с помощью выхода на наушники звуковой карты (лично мне программа нравится,
- Вольтметр переменного тока с возможностью измерения напряжения порядка 0,1 мВ,
- Блок фазоинвертора,
- Резистор 150-220 Ом,
- Разъемы, провода и т. Д.…… ..
1.1.1. Для начала проверим линейность АЧХ звуковой карты. Существует большое количество программ, которые автоматически измеряют АЧХ в диапазоне 20-20000 Гц (когда состояние выхода наушников подключено к микрофонному входу звуковой карты). Но здесь я опишу ручной метод измерения АЧХ в диапазоне 10-500 Гц (только этот диапазон важен для измерения параметров Тиля Смолла низкочастотного излучателя).Если у вас под рукой нет вольтметра переменного тока с возможностью измерения напряжения порядка 0,1 мВ, не расстраивайтесь, можно воспользоваться обычным недорогим мультиметром (Тестером). Обычно эти мультиметры измеряют переменное напряжение с точностью до 0,1 В и постоянное напряжение с точностью до 0,1 мВ. Чтобы измерить переменное напряжение порядка нескольких мВ, достаточно поставить перед входом мультиметра диодный мост и измерить его в режиме измерителя постоянного напряжения в диапазоне до 200 мВ.
Сначала подключаем вольтметр к выходу для наушников (либо к правому, либо к левому каналу).
Отключите все звуковые эффекты и эквалайзеры, откройте свойства динамика и установите уровень громкости на 100%.
Откройте программу, нажмите «Параметры», выберите «Частота» в «Интервал тона» и установите шаг на 1 Гц.
Закройте «Параметры», установите уровень громкости на 100%, установите начальную частоту на 10 Гц и нажмите «Воспроизвести».Используя кнопку «+», начните плавно, с шагом 1 Гц, чтобы увеличить частоту генератора до 500 Гц.
В данном случае смотрим значение напряжения на вольтметре. Если максимальная разница амплитуд находится в пределах 2 дБ (1,259 раза), то такая звуковая карта подходит для измерения параметров колонок. Для меня, например, максимальное значение было 624 мВ, а минимальное — 568 мВ, 624/568 = 1,09859 (0,4 дБ), что вполне приемлемо.
1.1.2. Перейдем к долгожданным параметрам Тиля-Смолла.Минимальные параметры, по которым можно рассчитать и спроектировать акустическое оформление (в данном случае сабвуфер):
- Резонансная частота (Fs),
- Суммарная электромеханическая добротность (Qts),
- Эквивалентный объем (Vas).
Для более профессиональных расчетов необходимо еще больше параметров, таких как механическая добротность (Qms), электрическая добротность (Qes), чувствительность (SPL) и т. Д.
1.1.2.1. Определение резонансной частоты (Fs) громкоговорителя.
Собираем вот такую схему.
В этом случае динамик должен находиться на свободном пространстве как можно дальше от стен, пола и потолка (я повесил его на люстру). Снова откройте программу тонального генератора NCH, отрегулируйте громкость, как описано выше, установите начальную частоту на 10 Гц и начните постепенно увеличивать частоту с шагом 1 Гц. В этом случае мы снова смотрим на значение вольтметра, которое сначала увеличится, достигнет точки максимума (Umax) на собственной резонансной частоте (Fs) и начнет уменьшаться до точки минимума (Umin).При дальнейшем увеличении частоты напряжение будет постепенно увеличиваться. График зависимости напряжения (активного сопротивления динамика) от частоты сигнала выглядит так.
Частота, при которой значение вольтметра является максимальным, является приблизительной резонансной частотой (с шагом 1 Гц). Чтобы определить точную резонансную частоту, в области приблизительной резонансной частоты нужно изменять частоту шагами не на 1 Гц, а на 0,05 Гц (точность 0.05 Гц). Записываем резонансную частоту (Fs), минимальное значение вольтметра (Umin), значение вольтметра на резонансной частоте (Umax) (позже они пригодятся для расчета следующих параметров).
1.1.2.2. Определение общей электромеханической добротности (Qts) громкоговорителя.
Найдите UF1, F2 по следующей формуле.
Изменяя частоту, добиваемся значений вольтметра, соответствующих напряжению UF1, F2.Будет две частоты. Один ниже резонансной частоты (F1), другой — выше (F2).
Вы можете проверить правильность расчетов по этой формуле.
Если разница между Fs ‘и Fs не превышает 1 Гц, можно смело продолжать измерения. Если нет, то придется повторить все заново. Найдите механическую добротность (Qms) по этой формуле.
Электрический показатель качества (Qes) находится по этой формуле.
Наконец, мы определяем общую электромеханическую добротность (Qts) по этой формуле.
1.1.2.3. Определение эквивалентной громкости (Vas) динамика.
Чтобы определить точную эквивалентную громкость, нам понадобится предварительно изготовленный прочный герметичный фазоинвертор с отверстием для нашего динамика.
Объем коробки зависит от диаметра динамика и подбирается согласно этой таблице.
Крепим динамик к коробке и подключаем по схеме, описанной выше (рис. 9). Снова откройте программу тонального генератора NCH, установите начальную частоту на 10 Гц и с помощью кнопки «+» начните плавно, с шагом 1 Гц, чтобы увеличить частоту генератора до 500 Гц. При этом смотрим на значение вольтметра, которое снова начнет увеличиваться до частоты FL, затем уменьшаться, достигая минимальной точки на частоте фазоинвертора (Fb), снова увеличиваться и достигать максимальной точки на частоте FH. , затем уменьшите и снова медленно увеличьте.График зависимости напряжения от частоты сигнала выглядит как двугорбый верблюд.
И, наконец, по этой формуле находим эквивалентный объем (Vas) (где Vb — объем коробки с фазоинвертором).
Все измерения повторяем 3-5 раз и берем среднее арифметическое всех параметров. Например, если мы получили значения Fs, соответственно 30,45 Гц 30,75 Гц 30,55 Гц 30,6 Гц 30,8 Гц, то мы берем (30,45 + 30,75 + 30.55 + 30,6 + 30,8) / 5 = 30,63 Гц.
В результате всех замеров я получил следующие параметры для моей колонки:
- Fs = 30,75 Гц
- Qts = 0,365
- Vas = 112,9≈113 л
1.2 Моделирование и расчет корпуса (коробки) сабвуфера программой JBL Speakershop.
Существует несколько вариантов акустического оформления, из которых наиболее распространены следующие.
- Вентилируемая коробка с фазоинвертором,
- Полоса пропускания 4-го, 6-го и 8-го порядка,
- Пассивный радиатор-бокс с пассивным радиатором,
- Закрытый ящик — закрытый ящик.
Тип акустического оформления выбирается на основе параметров громкоговорителя Тиле-Смолла. Если Fs / Qts100, то только в вентилируемом боксе, полосе пропускания или закрытом боксе. Если 50
Сначала загрузите и установите программу. Эта программа написана для Windows XP и не работает в Windows 7. Чтобы программа работала в Windows 7, вам необходимо скачать и установить виртуальную машину Windows Virtual PC-XP Mode (вы можете скачать ее с официального сайта Microsoft) , и запустите через него установку JBL Speakershop.Вам также необходимо открыть JBL Speakershop через виртуальную машину. После открытия программы мы видим этот интерфейс.
Нажмите «Громкоговоритель» и выберите «Параметры — минимум», в открывшемся окне напишите, соответственно, значение резонансной частоты (Fs), значение эквивалентного объема (Vas), значение общей электромеханической добротности ( Qts) и нажмите «Принять».
В этом случае программа предложит два оптимальных (с наиболее плавной частотной характеристикой) варианта, один в закрытом исполнении (Closed box), другой в Vented box (бокс с фазоинвертором).Нажмите «график» (как в области вентилируемого окна, так и в области закрытого бокса) и посмотрите на график частотной характеристики. Выбираем конструкцию, АЧХ которой максимально соответствует нашим требованиям.
В моем случае это вентилируемый бокс, поскольку на низких частотах ах (20-50 Гц) закрытый бокс имеет гораздо больший спад, чем вентилируемый бокс (рисунок выше).
Если объем коробки является оптимальным вариантом, то можно построить коробку с такой громкостью и наслаждаться звучанием сабвуфера.Если нет (при слишком больших объемах), то нужно выставить свою громкость (чем ближе к оптимальной громкости, тем лучше) и рассчитать оптимальную частоту настройки фазоинвертора.
Для этого в области Vented box нажмите «Custom», в открывшемся окне укажите свой объем поля, нажмите «Optimum Fb» (программа рассчитает оптимальную частоту настройки фазоинвертора, при которой частотная характеристика акустической конструкции будет наиболее линейной), а затем «Принять».
Нажмите «Box» и выберите «Vent …», в открывшемся окне в области «Custom» напишите диаметр трубы (Dv), которую мы будем использовать в качестве фазоинвертора. Если мы используем два фазоинвертора, то ставим точку на «Площадь» и записываем общую площадь поперечного сечения труб.
Нажмите «Принять» и в области «Custom» на строке Lv появится длина лампы фазоинвертора. Теперь, когда мы знаем внутренний объем коробки, диаметр и длину трубы фазоинвертора, мы можем смело переходить к проектированию акустической конструкции, но если вы действительно хотите узнать оптимальное соотношение сторон коробки, вы можете нажмите «Коробка», выберите «Размеры…».
1.3 Конструкция корпуса (коробки) сабвуфера
Для получения качественного звука необходимо не только правильно рассчитать, но и тщательно изготовить акустическое оформление. Определив внутренний объем коробки, длину и диаметр трубы фазоинвертора, можно смело переходить к изготовлению корпуса сабвуфера. Материал коробки должен быть достаточно прочным и прочным. Наиболее подходящий материал для мощных акустических ограждений — МДФ толщиной 20 мм.Стенки коробки крепятся между собой саморезами, а промежутки между ними замазываются герметиком или силиконом. После изготовления коробки проделываются отверстия для ручек, и ими приступают к отделке внешней поверхности. Все неровности выравниваются шпатлевкой или эпоксидной смолой (в шпатлевку я добавляю немного клея ПВА, который не дает со временем появляться трещинам и снижает уровень вибрации). После высыхания шпатлевки поверхности необходимо отшлифовать до получения идеально ровных стен.Готовую коробку можно покрасить или накрыть самоклеющейся декоративной пленкой, либо просто приклеить плотную ткань. С внутренней стороны к стенкам ящика приклеен звукопоглощающий материал, состоящий из ваты и марли (в моем случае ватин приклеил). В качестве фазоинвертора можно использовать пластиковую канализационную трубу или бумажный стержень из разных рулонов, а также готовый фазоинвертор, который можно купить практически в любом музыкальном магазине.
Корпус активного сабвуфера состоит из двух отсеков.В первом отсеке расположен сам громкоговоритель, а во втором — вся электрическая часть (формирователь сигнала, усилитель, блок питания ……). В моем случае я разместил блок сумматора и блок фильтра в отдельном отсеке от блока усилителя мощности, блока питания и блока охлаждения. С внутренней стороны к стенкам отсека сумматора и блока фильтров приклеил фольгу, которую соединил с землей (GND). Фольга предотвращает воздействие внешних полей и снижает уровень шума.
Если вы будете использовать мои печатные платы, эти отсеки должны иметь следующие размеры.
2. Электрическая часть активного сабвуфера
Перейдем к электрической части активного сабвуфера. Общая схема и принцип работы устройства представлены этой схемой.
Устройство состоит из четырех блоков, собранных на отдельных печатных платах.
- Блок Summators,
- Блок фильтров (драйвер сабвуфера),
- Блок усилителя мощности,
- Блок питания и радиатор весело.
Сначала звуковой сигнал поступает в блок Summators, где суммируются сигналы правого и левого каналов. Затем он попадает в банк фильтров (драйвер сабвуфера), где формируется сигнал сабвуфера, который включает в себя регулятор громкости, дозвуковой фильтр (инфракрасный фильтр нижних частот), усилитель низких частот (увеличение громкости на определенной частоте) и кроссовер (фильтр нижних частот). ).После формирования сигнал поступает на блок усилителя мощности, а затем на громкоговоритель.
Давайте обсудим эти блоки отдельно.
2.1 Блок сумматоров
2.1.1. Схема
Сначала рассмотрим схему сумматора, показанную на рисунке ниже.
Beep с внешних устройств (компьютер, проигрыватель компакт-дисков …… ..) поступает в сумматор, имеющий 6 стереовходов. 5 из них — обычные линейные входы, отличающиеся друг от друга только типом разъема.А шестой — это высоковольтный вход, к которому можно подключить выход динамиков (например, стереосистемы или автомагнитолы, у которой нет линейного выхода). Каждый вход имеет отдельный сумматор на операционных усилителях, который смещает сигналы правого и левого каналов, что предотвращает передачу звукового сигнала от одного внешнего устройства к другому, позволяя одновременно подключать несколько внешних устройств к сабвуферу. А еще есть выходы (5 выходов, 6-й просто не поместился на плате, а потому и не установил), которые дают возможность подавать тот же сигнал, что идет на сабвуфер, на вход широкополосной стереосистемы.Это очень удобно, когда источник звука имеет только один выход.
2.1.2 Компоненты
В качестве операционных усилителей использован TL074 (5 шт.). Резисторы рассчитаны на 0,25 Вт или выше (номинальное сопротивление показано на диаграмме). Все электролитические конденсаторы имеют номинальное напряжение 25 В или выше (номинальные емкости показаны на диаграмме). В качестве неполярных конденсаторов можно использовать керамические или пленочные конденсаторы (желательно пленочные), но при очень желании можно поставить специальные аудиоконденсаторы (конденсаторы, предназначенные для использования в качественных аудиосистемах).Дроссели в цепи питания операционных усилителей предназначены для подавления «шума», исходящего от источника питания. Катушки L1-L4 содержат 20 витков, намотанных медной проволокой диаметром 0,7 мм на стержень гелевой ручки (3 мм). Также используются RCA, аудиоразъем 3,5 мм, аудиоразъем 6,35 мм, разъемы XLR, WP-8.
2.1.3. Печатная плата
Печатная плата изготовлена фирмой.После пайки деталей на печатную плату следует нанести покрытие, чтобы избежать окисления меди.
2.1.4. Фото готового блока сумматоров
Блок сумматора питается от двухполюсного блока питания с напряжением ± 12В. Входное сопротивление составляет 33 кОм.
2.2 Фильтрующий блок (драйвер сабвуфера)
2.2.1. Схема
Рассмотрим схему драйвера сабвуфера, показанную на рисунке ниже.
Суммарный сигнал с сумматора поступает в блок фильтров, который состоит из следующих частей:
- Регулятор объема,
- Инфракрасный фильтр нижних частот (дозвуковой фильтр),
- Усилитель басов определенной частоты (Bass Booster),
- Фильтр низких частот (кроссовер).
Регулировка громкости осуществляется на двух уровнях. Первый, когда сигнал поступает в банк фильтров, что снижает уровень собственного «шума» блока сумматора, второй, когда сигнал выходит из банка фильтров, что снижает уровень внутреннего «шума» блока фильтров. .Громкость регулируется с помощью переменного резистора VR3. После первого уровня регулировки громкости сигнал поступает в так называемый «усилитель низких частот», который представляет собой устройство, увеличивающее амплитуду сигналов определенной частоты. То есть, если частота настройки усилителя низких частот вставлена, например, на 44 Гц, а уровень усиления равен 14 дБ, то частотная характеристика будет выглядеть так ( Row1 ).
Row2 — частота настройки = 44 Гц, уровень усиления = 9 дБ,
Row3 — частота настройки = 44 Гц, уровень усиления = 2 дБ,
Row4 — частота настройки = 33 Гц, уровень усиления = 3 дБ,
Row5 — частота настройки = 61 Гц, уровень усиления = 6 дБ.
Частота настройки усилителя низких частот вводится с помощью переменного резистора VR5 (в пределах 25… 125 Гц), а уровень усиления — резистором VR4 (в пределах 0… + 14 дБ). После усилителя низких частот сигнал поступает в дозвуковой фильтр, который отсекает нежелательные сверхнизкие сигналы, которые больше не слышны людям, но могут сильно перегрузить усилитель, тем самым уменьшив фактическую выходную мощность системы. Частота среза фильтра регулируется переменным резистором VR2 в диапазоне 10… 80 Гц.Если, например, частота среза установлена на 25 Гц, то частотная характеристика будет следующей.
После инфракрасного фильтра нижних частот сигнал поступает в фильтр нижних частот (кроссовер), который отсекает высокие частоты, которые не нужны для сабвуфера (средние и высокие частоты). Частота среза регулируется переменным резистором VR1 в диапазоне 30… 250 Гц. Крутизна затухания составляет 12 дБ / октаву. Амплитудно-частотная характеристика выглядит так (на частоте среза 70 Гц).
2.2.2 Компоненты
В качестве операционных усилителей использовалисьTL074 (2 штуки), TL072 (1 штука) и NE5532 (1 штука). Резисторы рассчитаны на 0,25 Вт или выше (номинальное сопротивление показано на диаграмме). Все электролитические конденсаторы имеют номинальное напряжение 25 В или выше (номинальные емкости показаны на диаграмме). В качестве неполярных конденсаторов можно использовать керамические или пленочные конденсаторы (желательно пленочные). Дроссели в цепи питания операционных усилителей предназначены для подавления «шума», исходящего от источника питания.Также были использованы три сдвоенных (50кОм-2шт., 20кОм-1шт.) И два учетверенных переменных (50кОм-6шт.) Резистора. В качестве учетверенных переменных резисторов можно использовать два сдвоенных.
2.2.3 Печатная плата
PCB файлов в формате * .lay и * .pdf можно скачать в конце статьи.
2.2.4 Фотография готового фильтрующего блока
Блок фильтров питается от биполярного источника питания напряжением ± 12В.
2.3 Блок усилителя мощности.
2.3.1. Схема
В качестве усилителя мощности используется усилитель Энтони Холтона с полевыми транзисторами в выходном каскаде. В интернете очень много статей, описывающих принцип работы, сборку и настройку усилителя. Поэтому я ограничусь вложением схемы и моей версии печатной платы.
2.3.2 Печатная плата
файлов печатной платы в формате *.Lay и формат * .pdf можно скачать в конце статьи. Блок усилителя мощности питается от биполярного блока питания напряжением ± 50 … 63В. Выходная мощность усилителя зависит от напряжения питания и количества пар полевых транзисторов (IRFP240 + IRFP9240) в выходном каскаде.
2.4. Блок питания и охлаждения (Блок питания)
2.4.1. Схема
2.4.2 Компоненты
В качестве силового трансформатора можно использовать как готовый, так и самодельный трансформатор мощностью примерно 200Вт.Напряжения вторичных обмоток показаны на схеме.
Диодный мост Br2 рассчитан на ток 25А. Конденсаторы С1 … С12, С29 … С31 должны иметь номинальное напряжение 25 В. Конденсаторы C13 … C28 должны иметь номинальное напряжение 63 В (при напряжении питания ниже 60 В) или 100 В (при напряжении питания выше 60 В). В качестве неполярных конденсаторов лучше использовать пленочные. Все резисторы рассчитаны на 0,25 Вт. Термистор R5 смазан термопастой и прикреплен к радиатору усилителя.Рабочее напряжение вентилятора 12 В.
2.4.3 Печатная плата
PCB файлов в формате * .lay и * .pdf можно скачать в конце статьи.
3. Завершающий этап сборки сабвуфера
Перечень радиоэлементов
Обозначение | Тип | Номинал | Кол. Акций | Примечание | Магазин | Мой блокнот | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
У1-У5 | Операционный усилитель | TL074 | 5 | В блокнот | |||
C1-C4, C15, C16, C25-C27, C29, C39-C42 | 10 мкФ | 14 | В блокнот | ||||
C5-C10, C23, C24, C28, C30, C35-C38 | Конденсатор | 33 пФ | 14 | В блокнот | |||
C11-C14, C19-C22, C31-C34 | Конденсатор | 0.1 мкФ | 12 | В блокнот | |||
C17, C18 | Конденсатор электролитический | 470 мкФ | 2 | В блокнот | |||
R1, R2 | Резистор | 390 Ом | 2 | В блокнот | |||
R3, R12 | Резистор | 15 кОм | 2 | В блокнот | |||
R4, R16-R18 | Резистор | 20 кОм | 4 | В блокнот | |||
R5, R13-R15 | Резистор | 13 кОм | 4 | В блокнот | |||
R6, R10, R23, R24, R31, R33, R40, R41, R46, R47 | Резистор | 68 кОм | 10 | В блокнот | |||
R7, R11, R21, R22, R32, R34, R37, R38, R45, R48 | Резистор | 22 кОм | 10 | В блокнот | |||
R8, R9, R25, R26, R29, R30, R39, R42, R49, R50 | Резистор | 10 кОм | 10 | В блокнот | |||
R19, R20, R27, R28, R35, R36, R43, R44 | Резистор | 22 Ом | 8 | В блокнот | |||
L1-L4 | Индуктор | 20×3 мм | 4 | 20 витков, 0.Проволока 7мм, обод 3мм | В блокнот | ||
L5-L13 | Индуктор | 100 мГн | 10 | В блокнот | |||
Фильтрующий блок | |||||||
U1 | Операционный усилитель | TL072 | 1 | В блокнот | |||
У2, У4 | Операционный усилитель | TL074 | 2 | В блокнот | |||
U3 | Операционный усилитель | NE5532 | 1 | В блокнот | |||
C1-C5, C7-C10, C15-C17, C20, C23 | Конденсатор | 0.1 мкФ | 14 | В блокнот | |||
C6 | Конденсатор | 15 нФ | 1 | В блокнот | |||
C11-C14 | Конденсатор | 0,33 мкФ | 4 | В блокнот | |||
C21, C22 | Конденсатор | 82 нФ | 2 | В блокнот | |||
VR1-VR3, VR5 | Переменный резистор | 50 кОм | 4 | В блокнот | |||
VR4 | Переменный резистор | 20 кОм | 1 | В блокнот | |||
R1, R3, R4, R6 | Резистор | 6.8 кОм | 4 | В блокнот | |||
R2, R10, R11, R13, R14 | Резистор | 4,7 кОм | 5 | В блокнот | |||
R5, R8 | Резистор | 10 кОм | 2 | В блокнот | |||
R7, R9 | Резистор | 18 кОм | 2 | В блокнот | |||
R12, R15-R17, R20, R22, R26, R27 | Резистор | 2 кОм | 8 | В блокнот | |||
R18, R25 | Резистор | 3.6 кОм | 2 | В блокнот | |||
R19, R21 | Резистор | 1,5 кОм | 2 | В блокнот | |||
R23, R24, R30, R31, R33 | Резистор | 20 кОм | 5 | В блокнот | |||
R28 | Резистор | 13 кОм | 1 | В блокнот | |||
R29 | Резистор | 36 кОм | 1 | В блокнот | |||
R32 | Резистор | 75 кОм | 1 | В блокнот | |||
R34, R35 | Резистор | 15 кОм | 2 | В блокнот | |||
L1-L8 | Индуктор | 100 мГн | 1 | В блокнот | |||
Блок усилителя мощности | |||||||
Т1-Т4 | Транзистор биполярный | 2N5551 | 4 | В блокнот | |||
Т5, Т9, Т11, Т12 | Транзистор биполярный | MJE340 | 4 | В блокнот | |||
Т7, Т8, Т10 | Транзистор биполярный | MJE350 | 3 | В блокнот | |||
Т13, Т15, Т17 | МОП-транзистор | IRFP240 | 3 | В блокнот | |||
Т14, Т16, Т18 | МОП-транзистор | IRFP9240 | 3 | В блокнот | |||
D1, D2, D5, D7 | Выпрямительный диод | 1N4148 | 4 | В блокнот | |||
D3, D4, D6 | Стабилитрон | 1N4742 | 3 | В блокнот | |||
D8, D9 | Выпрямительный диод | 1N4007 | 2 |
Подскажите, как определить, где какой элемент находится на плате, а то не пойму… Просто еще не испытал …
На рисунке над диаграммой показана сборка на нем и определено, где разместить какой элемент
▼ Показать все комментарии ▼
На сборочном конвейере стоят два конденсатора по 4700 мкФ 50 В, и есть другие элементы, для чего они нужны? Не пинайте за такие глупые вопросы, просто я в электронике мало разбираюсь …
если в выходном каскаде в два раза больше транзисторов, можно ли увеличить мощность? Или давайте заменим их на кт825 и кт827?
Всем привет. Как я понял, общее напряжение питания униполярное, от блока идет 70 вольт, делится по проводникам и получается по 35в?
нет. Кондеры не могут делиться едой. трансформатор должен иметь два вторичных блока с общим проводом, т.е.е. трансформатор имеет 3 провода на вторичной обмотке. напряжение каждого плеча от средней точки должно быть 24 (25) вольт переменного тока. после диодного моста и конденсаторов напряжение увеличивается в 1,4 раза (всего 35 вольт на плечо. см. схемы биполярного питания.
спасибо доктору Алексею. Я хочу сделать такую машину .. а эта схема с преобразователем будет работать? http://goo.gl/aqlfZ есть усилок и конвертер. Я только что сделал это, и эти кольца до сих пор у меня в наличии… сколько витков и как наматывать, подскажите плиз … желательно проводом 1 мм …
спасибо доктору Алексею. а на этот усилок 35в 200в хватит?
в смысле 35 вольт на усилитель на 200 ватт? в принципе 160-170 ватт у вас точно получится (хотя можно и 200). при условии, что трансформатор имеет мощность 200-250 Вт, он рассчитан на вторичный ток 4 ампера. (сечение вторичного провода 1-1.4 мм) конденсаторы блока питания на плече не менее 30 000 мкФ.
как показывает практика, дома хватает мощности 30-70 Вт на канал. для машины 100 ватт за глаза вполне хватает. это примеры для комфортного прослушивания.
Ребята и 45 вольт на одно плечо, он будет в порядке?
Можете ли вы изменить выходные для KT837 и KT805? Если да, то сколько мощности упадет ???
текст
Учитывая максимальную рассеиваемую мощность пары, которую вы выбрали, 30 Вт Вт 20 с хрипом, вы вытащите оттуда.Можно взять неметаллические варианты КТ818-819, они доступнее и дешевле, а с радиаторами их достать проще.
Я вам скажу, я сделал этот усилитель, но поставил отечественные вместо импортных и работает у меня сделал 2 канала на выходе поставил kt818g kt819g и он тихо, без проблем качает s90 колонки хоть и добились, но оно того стоило !!! без предусилителя он даже не качается! до этого я поставил усилитель от телевизора на un14 где-то около 120 ватт мне дает !!!
Выходное напряжение переменного тока при максимальной громкости 30В где-то около 120Вт !!!
Выходной конденсатор изношен ??? А потом сжег кучу динамиков, С-90 жечь не хочу))
сделавший сей прибор может сказать какой из дешевых и доступных трансюков желательно иметь буржуйскую наводку, чтобы атом в маг пошел и спросил сколько будет цена и желание отпало :)))
Classic 2SC5200 / 2SA1943 не вариант? Сотку можно встретить.
Ааа .. ну люди хорошо ответьте на вопрос! Нужен ли данному УНЧ выходной конденсатор ??? А потом ломаю голову, как будто что-то не сжечь! Кто это вообще запустил ???
Нет, это не так. Но вход желателен. Около 1 мкФ.
Спасибо добрый человек !!!
хоть и написано, что для сабвуфера, но поинтересуюсь у собравших, как этот усилок передает басы, ладно? Просто планирую в саб засунуть)))) Думаю на выходных поставить 2SC5200 / 2SA1943.Q4 и Q5 есть именно bc557 и bc546, не перегорают? вот читал что без предварительного усилителя не качается при всем это правда
Этот усилитель мне до сих пор играет на советских транзисторах !!!
Для Chron: … чтобы ничего не сжечь «наверняка» нужно взять 2 е-мейла. Кондер, подключи их последовательно. Получившийся 3-полюсный соединяется «плюсом» с «плюсом» блока питания; «Минус» — к «минусу» ИП, а к «середине» — 2-й провод от динамика (вместо «земли»).Таким образом, динамик никогда не выйдет из строя (это самая дорогая деталь), так как на стыке «кодировщиков» никогда не будет «константы», а по «смене» — всегда НОЛЬ. Пожалуйста, обрати внимание! Максимальное напряжение электрического энкодера должно быть в 2 раза выше, чем напряжение 1 ″ плеча »источника питания, а также их номинальные значения должны быть одинаковыми.
Разве это не вариант проверить и настроить усилитель с эквивалентной нагрузкой и только потом подключить динамики и слушать? 🙂
Собрал усилитель по этой схеме, транзисторы поставили наши КТ827А и КТ819ВМ, подключаю, от динамика, а как воткнет, в чем может быть проблема, кто подскажет?
Замените KT819VM на KT825 или транзистор KT827A на KT818VM, так как KT827A и KT819VM не дополняют друг друга, т.е. взаимно дополняют друг друга, их рекомендуется использовать так, примерно KT818VM и KT819VM или KT825 и KT827. Потому что КТ827 — составной, а КТ819ВМ — нет.
Я немного «новичок» в этом деле, и поэтому есть пара вопросов:
распечатать топологию платы как показано или в зеркальном отображении;
необходимо установить фильтр нижних частот;
динамик на 8 ом будет работать? спасибо
Кто-нибудь собирал из кт825 и кт827 на выходе? Или 2sc5200 и 2sa1943? Схема работает?
Уровень линейного выхода (0.7В) не хватает для полного привода?
а какие силовые резисторы брать все кроме R7 и R8?
не работает. Я криво
Проверьте печатную плату, если дорожки целы и нет ли между ними короткого замыкания там, где его не должно быть, номиналы резисторов соответствуют схеме, конденсаторы, транзисторы правильно паял и для исправности, если блок питания в норме, хотелось бы иметь фото вашего усилителя и что именно не работает, иначе сложно что-либо подсказать, но схема на 100% рабочая, я сделал Работает все детали по схеме, только на выходных транзисторах КТ818ГМ и КТ819ГМ на выходе удалось получить максимум 17В при нагрузке 4 Ом, а питание усилителя 35В на плечо.
Паял эту схему. Я использовал TIP 142 и TIP 147 на выходном каскаде. Сразу заработало, звучит нормально. Но как узнать, сколько ватт он производит? Везде пишут, что точно измерить можно только с помощью генератора и осциллографа. На выходе при работе с 4-омным сабвуфером переменное напряжение колеблется (стрелка мультиметра) до 25 вольт. Ток на входе преобразователя в среднем 9 ампер (при напряжении 11.7 В)
Но как узнать, сколько ватт он производит?
Я собрал этот усилитель. Хочу сказать, что играет очень хорошо (без проблем качнул мой саб на 75гн). Запитываю его напряжением 37в в плече. Вместо bc546 поставил kt3102, вместо bc557-kt3107, 2n3055-kt819gm, MJ2955-kt818gm. Играет нормально без каких-либо предусилителей прямо с компьютера. Если он у вас есть, при подключении входа к чему-то он будет пердеть или хлопать, поставьте 2.Конденсатор на 2-10 мкФ и резистор 22-47кФ перед входом, мне это помогло. Еще накормил его с ремнем 27с на плече и тоже играл нормально, но в 2 раза тише. Резюк R6 греется не слабо, поэтому поставьте резюк мощностью пол ваты (проще всего на пол ваты миллилитр 2,4 Ом). Желаю удачи в сборке этого усилителя).
Собрал, включай, в динамике небольшой фон и КТ818 греется до предела.На сигнал реакции 0. Собрал на КТ819ГМ и КТ818ГМ. Как дела ?!
Юра оставьте свои контакты мы решим проблему! Я уже знаю этот усилитель наизусть
Микросхема усилителя TDA2030. Детальное описание
Схема очень простого и качественного усилителя низкой частоты на TDA2030 с выходной мощностью 100 Вт
Как и обещал, расскажу, как на TDA2030 сделать УНЧ мощностью 100 ватт .
Схема не претендует на оригинальность, давно в интернете гуляет.
Повторял много раз и в разных вариантах:
R1, R2 и R3 — 100 кОм
R4 — 3,3 кОм
R5 — 30 кОм
R6, R7 — 1,5 Ом, 2 Вт
R8 — 1 Ом
C1 — 1 мкФ
C2, C7 — 2200 мкФ
C3 — 10 микрофарад
C4, C5, C6 — 0,22 мкФ
D1, D2 — KD209, KD226
О транзисторах стоит сказать подробнее.
Резисторы R6 и R7 включены в цепь питания микросхем, падение напряжения на которых открывается для транзисторов VT1 и VT2.
При малой выходной мощности падения напряжения на резисторах R6 и R7 недостаточно для открытия транзисторов VT1 и VT2. Внутренние транзисторы микросхемы исправны. По мере увеличения выходной мощности и потребления тока падение напряжения на резисторах R6 и R7 достигнет значения открытия транзисторов VT1 и VT2, при этом они будут включены параллельно внутренним транзисторам микросхемы.Ток, подаваемый на нагрузку, увеличится, и соответственно увеличится выходная мощность.
В качестве VT1 и VT2 я использовал КТ818ГМ и КТ819ГМ в металле:
В микросхеме обязательно использовать TDA2030A — она на букву «А», так как эта микросхема рассчитана на питание ± 22 вольт, в нашем случае + 44 вольта униполярного напряжения.
При нагрузке 2 Ом выходная мощность около 100 Вт.
Блок питания нестабилизирован, способен подавать на нагрузку ток 5 Ампер.При более слабом питании наблюдаются хрипы и искажения на пиках громкости. Конденсатор фильтра питания не менее 5000 мкФ.
от SW. Бешеный.
Микросхема TDA2030 довольно популярна и дешева, позволяя собрать качественный усилитель с минимальными затратами. Он может работать как от биполярного, так и от однополярного источника питания.
Микросхема усилителя НЧ ST Microelectronics пользуется заслуженной популярностью у радиолюбителей. Он имеет высокие электрические характеристики и невысокую стоимость, что позволяет собирать качественные УНЧ мощностью до 18 Вт с минимальными затратами.
Кроме того, TDA2030 имеет дополнительные функции. Его можно использовать в качестве повторителя сигнала, в схеме масштабирования источника питания, в качестве лабораторного источника питания, а также в качестве генератора импульсов.
Но основное его применение — производство ULF класса AB.
Микросхема обеспечит качественный звук с низким уровнем гармоник и перекрестных искажений.
Основные характеристики усилителя:
Напряжение питания ………………………… ..от ± 4,5 до ± 25 В
Ток потребления (Vin = 0) ………………….90 мА макс.
Выходная мощность …………………………… .18 Вт тип. при ± 18 В, 4 Ом и d = 10%
………………………………………………………… .. 14 Вт тип. при ± 18 В, 4 Ом и d = 0,5%
Диапазон номинальных частот ……… .20 — 80,000 Гц
Микросхема может питаться как от биполярного, так и от однополярного источника питания.
Если нужно получить более мощный звук, то усилитель можно собрать по мостовой схеме.
Мостовая схема с однополярным питанием
Для получения наилучшего качества звука лучше использовать биполярный источник питания., почему именно это можно просмотреть Тем, кому я не хочу переходить по ссылке, я объясню здесь. Для оптимальных условий и близких к идеальным, есть текущие требования, для подключения УНЧ и динамиков требуется постоянный ток без шума (полная тишина), и только нулевое напряжение на выходе может дать полную тишину. Вот почему, если вы решите построить Hi-Fi или Hi-End систему, биполярная мощность является чрезвычайно важным параметром.
Выяснив, в чем суть блока питания, приступаем к изготовлению УНЧ с двухполюсным блоком питания.
Мостовая схема с биполярным питаниемПриступим к сборке. Для этого нам понадобятся следующие реквизиты:
Общая стоимость запчастей около 200 руб. Не забываем, что это количество деталей только для одного канала, поэтому для стереозвука мы берем в 2 раза больше. Также не стоит забывать о радиаторах.
Печатная плата предназначена для подключения стерео / моно, что позволяет без проблем использовать ее как для сателлитов, так и для канала сабвуфера.
Делаем дорожки ЛУТ, после травления оловируем и сверлим.
Перенес маску на другую сторону. Очень удобно.
В этой статье я расскажу, как собрать простой усилитель низкой частоты для начинающего радиолюбителя на распространенной и в то же время недорогой микросхеме TDA2030A (D2030A, TDA2030).
Введение:
Итак, усилитель низкой частоты (УНЧ) на микросхеме TDA2030A очень прост в сборке, не требует дополнительной настройки, невысокой стоимости и подходит для любых стандартных небольших динамиков, которые вы используете с компьютером или другим. устройств.
(banner_drnovosti)
Технические характеристики микросхемы TDA2030A:
Напряжение питания (биполярное): ± 6 … ± 22 В
Максимальный выходной ток: 3,5 А
Рассеиваемая мощность при Tcase = 90 ° C: 20 Вт
Рабочая температура : От — 40 ° C до + 150 ° C
Типичная выходная мощность при нагрузке 4 Ом: 18 Вт
Принципиальная схема:
Соответственно, для 2-канального (стерео) усилителя необходимо собрать две идентичные схемы.
Лучше всего собирать усилитель с биполярным питанием, это дает большую выходную мощность и большую стабильность.
(banner_universal)
Детали для 2-х канального усилителя:
Конденсаторы:
C1 — пленочные типа К73-17 емкостью от 1 до 4,7 мкФ
С2 — электролитические Jamicon 22 мкФ 50 В
C3 — пленочные типа К73- 17 емкостью 0,1 мкФ
C4 — пленочный типа К73-17 емкостью 0,1 мкФ
С5 — электролитический Jamicon от 100 мкФ 25 В до 1000 мкФ 25 В
C6 — электролитический Jamicon от 100 мкФ 25 В до 1000 мкФ 25 В
С7 — пленка типа К73-17 емкостью 0.1 мкФ
Резисторы:
R1 — сопротивление 22 кОм, мощность 0,25 Вт
R2 — сопротивление 680 Ом, мощность 0,25 Вт
R3 — сопротивление 22 кОм, мощность 0,25 Вт
R4 — сопротивление от 1 до 4 Ом, мощность 2 Вт
Диоды:
Нужны для защиты выходных транзисторов микросхемы.
D1, D2 — любые кремниевые выпрямительные диоды 1N4001 — 1N4007
Также понадобится радиатор, на который мы будем крепить микросхемы, термопасту и слюдяные изолирующие прокладки для микросхем.
Сборка:
Этот усилитель я собрал, просто припаяв проволокой элементы на кусок старой платы, выглядит не очень аккуратно, но быстро и просто.
Печатную плату лучше всего протравить. Его рисунок можно найти в даташите.
При установке микросхемы TDA2030 на радиатор нужно учитывать, что корпус этой микросхемы подключается к минусу блока питания. Если на один радиатор устанавливаются сразу две микросхемы, то необходимо предусмотреть установку изоляционных прокладок.Изоляционные прокладки могут быть выполнены из любого материала, обеспечивающего зазор 0,03 … 0,05 мм между сопрягаемыми поверхностями. Например, вы можете использовать бинт, марлю или холст, пропитанный теплопроводной пастой. Но лучше всего использовать слюду как лучший проводник тепла.
Однако есть несколько простых правил, позволяющих обеспечить надежное охлаждение любых компонентов электронного оборудования:
1) Необходимо обеспечить хороший контакт микросхемы с радиатором. Для этого желательно хорошо выровнять контактную поверхность радиатора и нанести теплопроводную пасту КПТ-8 или любую другую.Когда ничего не подходит, можно использовать силиконовую смазку.
2) При использовании изолирующих прокладок между микросхемой и радиатором обязательно использование теплопроводной пасты.
3) Снижение температуры на 10 ° С увеличивает срок службы микросхемы вдвое.
4) Не поднимайте температуру радиатора выше 60 … 65 ° С, а температуру корпуса микросхемы выше 80 … 85 ° С.
Вот и все. Наш усилитель готов и работает … вернее, должен работать.
Пользуется заслуженной популярностью у радиолюбителей. Обладает высокими электрическими характеристиками и невысокой стоимостью, что дает возможность собирать качественные УНЧ мощностью до 18 Вт с минимальными затратами. Однако не все знают о ее «скрытых преимуществах»: оказывается, на этой ИС можно собрать ряд других полезных устройств. Микросхема TDA2030A представляет собой усилитель мощности Hi-Fi класса AB мощностью 18 Вт или драйвер на УНЧ мощностью до 35 Вт (с мощными внешними транзисторами).Он обеспечивает высокий выходной ток, низкие гармонические и интермодуляционные искажения, широкую полосу частот усиливаемого сигнала, очень низкий уровень собственных шумов, встроенную защиту от короткого замыкания на выходе, автоматическую систему ограничения рассеиваемой мощности, которая сохраняет рабочую точку выходных транзисторов ИС в безопасной зоне. Встроенная тепловая защита обеспечивает отключение ИМС при нагреве кристалла выше 145 ° С. Микросхема выполнена в пентаваттном корпусе и имеет 5 выводов.Сначала кратко рассмотрим несколько схем стандартного использования ИС — НЧ-усилителей. Типичная электрическая схема TDA2030A показана на рис. . 1.
Микросхема включена по схеме неинвертирующего усилителя. Коэффициент усиления определяется соотношением сопротивлений резисторов R2 и R3, образующих цепь ООС. Он рассчитывается по формуле Gv = 1 + R3 / R2 и может быть легко изменен подбором сопротивления одного из резисторов.Обычно это делается с помощью резистора R2. Как видно из формулы, уменьшение сопротивления этого резистора вызовет увеличение коэффициента усиления (чувствительности) УНЧ. Емкость конденсатора С2 выбирается так, чтобы его емкость Xc = 1/2? FC на самой низкой рабочей частоте как минимум в 5 раз меньше R2. В данном случае на частоте 40 Гц Xc 2 = 1 / 6,28 * 40 * 47 * 10 -6 = 85 Ом. Входное сопротивление определяется резистором R1. В качестве VD1, VD2 можно использовать любые кремниевые диоды с током I пр 0.5 … 1 А и У ОБР более 100 В, например КД209, КД226, 1N4007. Схема включения ИМС при использовании однополярного источника питания показана на рис. . 2 .
Делитель R1R2 и резистор R3 образуют цепь смещения для получения напряжения на выходе IC (вывод 4), равного половине напряжения питания. Это необходимо для симметричного усиления обеих полуволн входного сигнала. Параметры этой схемы при Vs = + 36 В соответствуют параметрам схемы, представленной на рис.1, при питании от источника ± 18 В. Пример использования микросхемы в качестве драйвера для УНЧ с мощными внешними транзисторами показан на рис. . 3 .
При Vs = ± 18 В на нагрузке 4 Ом усилитель развивает мощность 35 Вт. В цепь питания ИМС включены резисторы R3 и R4, падение напряжения на которых открывается для транзисторов VT1 и VT2 соответственно. При малой выходной мощности (входном напряжении) ток, потребляемый ИМС, невелик, а падения напряжения на резисторах R3 и R4 недостаточно для открытия транзисторов VT1 и VT2.Внутренние транзисторы микросхемы исправны. По мере увеличения входного напряжения выходная мощность и ток, потребляемый микросхемой, увеличиваются. Когда они достигнут значения 0,3 … 0,4 А, падение напряжения на резисторах R3 и R4 составит 0,45 … 0,6 В. Транзисторы VT1 и VT2 начнут открываться, при этом они будут подключены параллельно с внутренние транзисторы ИС. Ток, подаваемый на нагрузку, увеличится, и соответственно увеличится выходная мощность. В качестве VT1 и VT2 можно использовать любую пару комплементарных транзисторов соответствующей мощности, например, КТ818, КТ819.Мостовая схема включения ИМС показана на рис. . 4.
Сигнал с выхода ИМС DA1 через делитель R6R8 поступает на инвертирующий вход DA2, обеспечивающий работу микросхем в противофазе. Это увеличивает напряжение на нагрузке и, как следствие, увеличивает выходную мощность. При Vs = ± 16 В на нагрузку 4 Ом выходная мощность достигает 32 Вт. Для вентиляторов двух-, трехполосных УНЧ данная ИС является идеальным вариантом, поскольку можно собрать активные фильтры нижних частот и верхних частот. -проходить фильтры прямо на нем.Схема трехдиапазонного УНЧ показана на рис. . 5.
Низкочастотный канал (НЧ) выполнен по схеме с мощными выходными транзисторами. На входе ИМС DA1 фильтр нижних частот R3C4, R4C5 включен, и первое звено фильтра нижних частот R3C4 включено в схему усилителя ООС. Такая схемотехника позволяет простыми средствами (без увеличения количества звеньев) получить достаточно высокий наклон частотной характеристики фильтра.Среднечастотный (СЧ) и высокочастотный (ВЧ) каналы усилителя собраны по типовой схеме на ИС DA2 и DA3 соответственно. На входе среднечастотного канала включены фильтры верхних частот C12R13, C13R14 и фильтры нижних частот R11C14, R12C15, которые вместе обеспечивают полосу пропускания 300 … 5000 Гц. Фильтр ВЧ канала собран на элементах C20R19, C21R20. Частоту среза каждого звена фильтра нижних или верхних частот можно рассчитать по формуле fСР = 160 / RC, где частота f выражена в герцах, R — в килоомах, C — в микрофарадах.Приведенные примеры не исчерпывают возможности использования микросхемы TDA2030A в качестве усилителя низких частот. Так, например, вместо биполярного питания микросхемы (рис. 3.4) можно использовать однополярный источник питания. Для этого минус блока питания следует заземлить, подать смещение на неинвертирующий (вывод 1) вход, как показано на рис. 2 (элементы R1-R3 и C2). Наконец, на выходе ИС между контактом 4 и нагрузкой должен быть включен электролитический конденсатор, а блокирующие конденсаторы по цепи -Vs должны быть исключены из схемы.
Рассмотрим другие возможные варианты использования данной микросхемы. IC TDA2030A — не что иное, как операционный усилитель с мощным выходным каскадом и очень хорошими характеристиками. Исходя из этого, было разработано и протестировано несколько схем его нестандартного включения. Некоторые схемы тестировались «вживую» на макетной плате, некоторые моделировались в программе Electronic Workbench.
Мощный ретранслятор сигналов.
Сигнал на выходе прибора рис.6 повторяет форму и амплитуду входа, но имеет большую мощность, т.е. схема может работать на низкоомной нагрузке. Повторитель можно использовать, например, для включения источников питания, увеличения выходной мощности низкочастотных генераторов (чтобы вы могли напрямую тестировать головки громкоговорителей или громкоговорители). Полоса частот ретранслятора линейна от постоянного тока до 0,5 … 1 МГц, что более чем достаточно для НЧ-генератора.
Включение источников питания.
Микросхема включена как повторитель сигнала, выходное напряжение (вывод 4) равно входному (вывод 1), а выходной ток может достигать 3.5 А. Благодаря встроенной защите схема не боится коротких замыканий в нагрузке. Стабильность выходного напряжения определяется стабильностью опорного сигнала, т.е. стабилитрона VD1 рис. 7 и интегральный стабилизатор DA1 рис. 8 … Естественно, по схемам, показанным на рис. 7 и рис. 8, можно собрать стабилизаторы на другое напряжение, просто нужно учесть, что общая (суммарная) мощность, рассеиваемая микросхемой не должна превышать 20 Вт.Например, нужно соорудить стабилизатор на 12 В и ток 3 А. Имеется готовый источник питания (трансформатор, выпрямитель и конденсатор фильтра), дающий U SP = 22 В при необходимом токе нагрузки. Затем на микросхеме происходит падение напряжения U IC = U PI — U OUT = 22 В -12 В = 10 В, и при токе нагрузки 3 А рассеиваемая мощность достигнет значения P RAS = U IC * IH = 10V. * 3A = 30 Вт, что превышает максимально допустимое значение для TDA2030A. Максимально допустимое падение напряжения на ИС можно рассчитать по формуле:
U IC = P RAS.Max / I N. В нашем примере U IC = 20 Вт / 3 A = 6,6 В, поэтому максимальное напряжение выпрямителя должно быть U PI = U OUT + U IC = 12 В + 6,6 В = 18,6 В. трансформатора, количество витков вторичной обмотки придется уменьшить. Сопротивление балластного резистора R1 в схеме, показанной на рис.7, можно рассчитать по формуле:
R1 = (U SP — U CT) / I CT, где U CT и I CT — напряжение и ток стабилизации стабилитрон соответственно. Пределы тока стабилизации можно найти в справочнике; на практике для маломощных стабилитронов он выбирается в пределах 7… 15 мА (обычно 10 мА). Если ток в приведенной выше формуле выражен в миллиамперах, то значение сопротивления будет получено в килоомах.
Простой лабораторный источник питания.
рис. 9 … Изменяя напряжение на входе IC с помощью потенциометра R1, получается плавно регулируемое выходное напряжение. Максимальный ток, подаваемый микросхемой, зависит от выходного напряжения и ограничивается такой же максимальной мощностью, рассеиваемой на ИС.Вы можете рассчитать его по формуле:
I MAX = P RAS.MAX / U IC
Например, если выходное напряжение установлено на U OUT = 6 В, на микросхеме происходит падение напряжения U IC = U SP — U OUT = 36 В — 6 В = 30 В, следовательно, максимальный ток будет I MAX = 20 Вт / 30 В = 0,66 А. При U OUT = 30 В максимальный ток может достигать максимум 3,5 А, поскольку Падение напряжения на ИС незначительное (6 В).
Стабилизированный лабораторный источник питания.
Схема подключения источника питания показана на рис. .10 … Источник стабилизированного опорного напряжения — микросхема DA1 — запитывается параметрическим стабилизатором 15 В, собранным на стабилитроне VD1 и резисторе R1. Если DA1 IC питается напрямую от источника +36 В, он может выйти из строя (максимальное входное напряжение для 7805 IC составляет 35 В). Микросхема DA2 включается по схеме неинвертирующего усилителя, коэффициент усиления которого определяется как 1 + R4 / R2 и равен 6. Следовательно, выходное напряжение при регулировке потенциометром R3 может принимать значение практически от нуля до 5 В * 6 = 30 В.Что касается максимального выходного тока, то для данной схемы все вышесказанное справедливо для простого лабораторного блока питания (рис. 9). Если предполагается более низкое регулируемое выходное напряжение (например, от 0 до 20 В при U IP = 24 В), элементы VD1, C1 можно исключить из схемы, а вместо R1 установить перемычку. При необходимости максимальное выходное напряжение можно изменить, подобрав сопротивление резистора R2 или R4.
Регулируемый источник тока.
Электрическая схема стабилизатора приведена на рис. .11 … На инвертирующем входе микросхемы DA2 (вывод 2) из-за наличия ООС через сопротивление нагрузки сохраняется напряжение U BX. Под действием этого напряжения через нагрузку протекает ток I N = U BX / R4. Как видно из формулы, ток нагрузки не зависит от сопротивления нагрузки (естественно, до определенных пределов из-за конечного напряжения питания ИМС). Следовательно, изменяя U BX от нуля до 5 В с помощью потенциометра R1, при фиксированном значении сопротивления R4 = 10 Ом, можно регулировать ток через нагрузку в диапазоне 0… 0,5 А. Это устройство можно использовать для зарядки аккумуляторов и гальванических элементов. Зарядный ток стабилен на протяжении всего цикла зарядки и не зависит от степени разряда аккумулятора или нестабильности питающей сети. Максимальный зарядный ток, установленный с помощью потенциометра R1, можно изменить, увеличивая или уменьшая сопротивление резистора R4. Например, при R4 = 20 Ом он имеет значение 250 мА, а при R4 = 2 Ом достигает 2,5 А (см. Формулу выше).Для этой схемы действительны ограничения максимального выходного тока, как и для схем регулятора напряжения. Еще одно применение мощного стабилизатора тока — измерение малых сопротивлений с помощью вольтметра по линейной шкале. Действительно, если выставить значение тока, например, 1 А, то подключив в схему резистор 3 Ом, по закону Ома мы получим на ней падение напряжения U = l * R = l A * 3 Ом = 3 В, а подключив, скажем, резистор 7,5 Ом, мы получим падение напряжения 7,5 В. Конечно, на этом токе можно измерить только мощные низкоомные резисторы (3 В на 1 А — 3 Вт, 7.5 В * 1 А = 7,5 Вт), однако можно уменьшить измеряемый ток и использовать вольтметр с меньшим пределом измерения.
Мощный генератор прямоугольных сигналов.
Схемы мощного генератора прямоугольных импульсов показаны на рис. . 12 (с двухполюсным источником питания) и рис. 13 (с однополярным питанием). Схемы можно использовать, например, в устройствах охранной сигнализации. Микросхема включена как триггер Шмитта, а вся схема представляет собой классический релаксационный RC-генератор.Рассмотрим работу схемы, показанной на рис. 12. Предположим, что в момент включения питания выходной сигнал микросхемы переходит на уровень положительного насыщения (U OUT = + U SP). Конденсатор C1 начинает заряжаться через резистор R3 с постоянной времени Cl R3. Когда напряжение на C1 достигает половины напряжения положительного источника питания (+ U PI / 2), микросхема DA1 переключается в состояние отрицательного насыщения (U OUT = -U PI). Конденсатор C1 начнет разряжаться через резистор R3 с той же постоянной времени Cl R3 до напряжения (-U IP / 2), когда ИС вернется в состояние положительного насыщения.Цикл будет повторяться с периодом 2,2C1R3, независимо от напряжения питания. Частоту следования импульсов можно рассчитать по формуле:
f = l / 2,2 * R3Cl. Если сопротивление выражено в килоомах, а емкость — в микрофарадах, тогда частота будет в килогерцах.
Мощный генератор синусоидальных колебаний низкой частоты.
Электрическая схема мощного низкочастотного синусоидального генератора представлена на рис.14. Генератор собран по схеме моста Вина, образован элементами DA1 и C1, R2, C2, R4, обеспечивающими необходимый фазовый сдвиг в цепи ПОС. Коэффициент усиления по напряжению ИС при одинаковых значениях Cl, C2 и R2, R4 должен быть точно равен 3. При меньшем значении Ku колебания затухают, при более высоком значении искажение выходного сигнала увеличивается. резко. Коэффициент усиления по напряжению определяется сопротивлением нитей ламп ELI, EL2 и резисторов Rl, R3 и равен Ky = R3 / Rl + R EL1,2.Лампы ЭЛИ, ЭЛ2 работают как элементы с переменным сопротивлением в цепи ООС. С увеличением выходного напряжения сопротивление нитей ламп увеличивается из-за нагрева, что вызывает уменьшение коэффициента усиления DA1. Таким образом стабилизируется амплитуда выходного сигнала генератора и сводится к минимуму искажение синусоидальной формы волны. Минимальные искажения при максимально возможной амплитуде выходного сигнала достигаются подстроечным резистором R1. Чтобы исключить влияние нагрузки на частоту и амплитуду выходного сигнала, на выходе генератора включается схема R5C3.Частоту генерируемых колебаний можно определить по формуле:
f = 1 / 2piRC. Генератор можно использовать, например, при ремонте и проверке головок громкоговорителей или систем громкоговорителей.
В заключение следует отметить, что микросхему необходимо устанавливать на радиатор с площадью охлаждаемой поверхности не менее 200 см2. При разводке проводников печатной платы усилителей низкой частоты необходимо: убедитесь, что шины «заземления» для входного сигнала, а также питания и выходного сигнала подключены с разных сторон (проводники к этим клеммам не должны быть продолжением друг друга, а соединяться между собой в виде «звезды»).Это необходимо для минимизации шума переменного тока и устранения возможного самовозбуждения усилителя, когда выходная мощность близка к максимальной.
По материалам журнала «Радиоаматор»
Перечень радиоэлементов
Обозначение | Тип | Номинал | Кол. Акций | Примечание | Магазин | Мой блокнот | |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Рис. 1 | |||||||
DA1 | Усилитель звука | TDA2030A | 1 | В блокнот | |||
VD1, VD2 | Выпрямительный диод | 1N4001 | 2 | В блокнот | |||
C1 | 1 мкФ | 1 | В блокнот | ||||
C2 | Конденсатор электролитический | 47 мкФ | 1 | В блокнот | |||
C3, C6 | Конденсатор электролитический | 220 мкФ | 2 | В блокнот | |||
C4, C5 | Конденсатор | 100 нФ | 2 | В блокнот | |||
R1 | Резистор | 47 кОм | 1 | В блокнот | |||
R2 | Резистор | 680 Ом | 1 | В блокнот | |||
R3 | Резистор | 13 кОм | 1 | В блокнот | |||
R4 | Резистор | 1 Ом | 1 | В блокнот | |||
BA1 | Динамическая головка | 1 | В блокнот | ||||
Рис.2 | |||||||
DA1 | Усилитель звука | TDA2030A | 1 | В блокнот | |||
VD1, VD2 | Выпрямительный диод | 1N4001 | 2 | В блокнот | |||
C1, C2, C4 | Электролитический конденсатор | 10 мкФ | 3 | В блокнот | |||
C3 | Конденсатор электролитический | 220 мкФ | 1 | В блокнот | |||
C5, C7 | Конденсатор | 100 нФ | 2 | В блокнот | |||
C6 | Конденсатор электролитический | 2200 мкФ | 1 | В блокнот | |||
R1-R3, R5 | Резистор | 100 кОм | 4 | В блокнот | |||
R4 | Резистор | 4.7 кОм | 1 | В блокнот | |||
R6 | Резистор | 1 Ом | 1 | В блокнот | |||
BA1 | Динамическая головка | 1 | В блокнот | ||||
Рис. 3 | |||||||
DA1 | Усилитель звука | TDA2030A | 1 | В блокнот | |||
VT1 | Транзистор биполярный | BD908 | 1 | В блокнот | |||
VT2 | Транзистор биполярный | BD907 | 1 | В блокнот | |||
VD1, VD2 | Выпрямительный диод | 1N4001 | 2 | В блокнот | |||
C1 | Конденсатор электролитический | 1 мкФ | 1 | В блокнот | |||
C2 | Конденсатор электролитический | 47 мкФ | 1 | В блокнот | |||
C3, C4 | Конденсатор электролитический | 100 мкФ | 2 | В блокнот | |||
C5, C6, C8 | Конденсатор | 100 нФ | 3 | В блокнот | |||
C7 | Конденсатор | 220 нФ | 1 | В блокнот | |||
R1 | Резистор | 47 кОм | 1 | В блокнот | |||
R2 | Резистор | 1.5 кОм | 1 | В блокнот | |||
R3, R4 | Резистор | 1,5 Ом | 2 | В блокнот | |||
R5 | Резистор | 30 кОм | 1 | В блокнот | |||
R6 | Резистор | 1 Ом | 1 | В блокнот | |||
BA1 | Динамическая головка | 1 | В блокнот | ||||
Рис.4 | |||||||
DA1, DA2 | Усилитель звука | TDA2030A | 2 | В блокнот | |||
VD1-VD4 | Выпрямительный диод | 1N4001 | 4 | В блокнот | |||
C1 | Конденсатор электролитический | 1 мкФ | 1 | В блокнот | |||
C2, C9 | Конденсатор электролитический | 47 мкФ | 2 | В блокнот | |||
C3, C5 | Конденсатор электролитический | 100 мкФ | 2 | В блокнот | |||
C4, C8 | Конденсатор | 100 нФ | 2 | В блокнот | |||
C6, C7 | Конденсатор | 220 нФ | 2 | В блокнот | |||
R1, R9 | Резистор | 47 кОм | 2 | В блокнот | |||
R2, R8 | Резистор | 1 кОм | 2 | В блокнот | |||
R3, R6, R7 | Резистор | 22 кОм | 3 | В блокнот | |||
R4, R5 | Резистор | 1 Ом | 2 | В блокнот | |||
BA1 | Динамическая головка | 1 | В блокнот | ||||
Рис.5 | |||||||
DA1-DA3 | Усилитель звука | TDA2030A | 3 | В блокнот | |||
VT1 | Транзистор биполярный | BD908 | 1 | В блокнот | |||
VT2 | Транзистор биполярный | BD907 | 1 | В блокнот | |||
VD1-VD6 | Выпрямительный диод | 1N4007 | 6 | В блокнот | |||
C1, C9, C16 | Конденсатор электролитический | 100 мкФ | 3 | В блокнот | |||
C2, C3, C10, C12, C13, C19, C24 | Конденсатор | 100 нФ | 7 | В блокнот | |||
C4 | Конденсатор | 33 нФ | 1 | В блокнот | |||
C5 | Конденсатор | 15 нФ | 1 | В блокнот | |||
C6 | Электролитический конденсатор | 10 мкФ | 1 | В блокнот | |||
C7 | Конденсатор электролитический | 220 мкФ | 1 | В блокнот | |||
C8, C11, C17, C18, C23 | Конденсатор | 220 нФ | 5 | В блокнот | |||
C14, C20, C21 | Конденсатор | 1.5 нФ | 3 | В блокнот | |||
C15 | Конденсатор | 750 пФ | 1 | В блокнот | |||
C22 | Конденсатор электролитический | 47 мкФ | 1 | В блокнот | |||
R1, R8 | Резистор | 1,5 Ом | 2 | 2 Вт | В блокнот | ||
R2 | Резистор | 100 кОм | 1 | В блокнот | |||
R3, R4, R11, R12, R20 | Резистор | 22 кОм | 5 | В блокнот | |||
R5, R13 | Резистор | 3.3 кОм | 2 | В блокнот | |||
R6, R10, R18 | Переменный резистор | 47 кОм | 3 | В блокнот | |||
R7, R17 | Резистор | 100 Ом | 2 | В блокнот | |||
R9, R15, R21 | Резистор | 1 Ом | 3 | В блокнот | |||
R14 | Резистор | 6.8 кОм | 1 | В блокнот | |||
R16, R23 | Резистор | 2.2 кОм | 2 | В блокнот | |||
R19 | Резистор | 12 кОм | 1 | В блокнот | |||
R22 | Резистор | 150 Ом | 1 | В блокнот | |||
BA1 | Динамическая головка | 1 | LF | В блокнот | |||
VA2 | Динамическая головка | 1 | Среднечастотный | В блокнот | |||
VA3 | Динамическая головка | 1 | ВЧ | В блокнот | |||
Мощный ретранслятор сигнала | |||||||
DA1 | Усилитель звука | TDA2030A | 1 | В блокнот | |||
Включение источников питания | |||||||
DA1 | Усилитель звука | TDA2030A | 1 | В блокнот | |||
VD1 | Стабилитрон | BZX55C5V1 | 1 | В блокнот | |||
C1 | Электролитический конденсатор | 10 мкФ | 1 | В блокнот | |||
C2 | Конденсатор | 100 нФ | 1 | В блокнот | |||
R1 | Резистор | 470 Ом | 1 | В блокнот | |||
DA1 | Линейный регулятор | LM78L05 | 1 | В блокнот | |||
DA2 | Усилитель звука | TDA2030A | 1 | В блокнот | |||
C1 | Конденсатор электролитический | 1 мкФ | 1 | В блокнот | |||
C2 | Конденсатор | 100 нФ | 1 | В блокнот | |||
Простой лабораторный источник питания | |||||||
DA1 | Усилитель звука | TDA2030A | 1 | В блокнот | |||
C1 | Электролитический конденсатор | 10 мкФ | 1 | В блокнот | |||
C2 | Конденсатор электролитический | 100 мкФ | 1 | В блокнот | |||
R1 | Переменный резистор | 33 кОм | 1 | В блокнот | |||
R2 | Резистор | 4.3 кОм | 1 |
Усилитель на интегральной схеме TDA2030, а также аналоги этой микросхемы A2030H, B165, ECG1376, ECG1378, ECG1380, TDA2006, TDA2030A, TDA2030, TDA2040, TDA2051. Он позволяет без особых вложений получить звучание усилителей в ценовой категории до 100-150 долларов. Подробнее о возможностях микросхемы TDA2030 вы можете прочитать в этой статье :.
Основные характеристики усилителя:
Напряжение питания………………………….. от ± 4,5 до ± 25 В
Потребление тока (Vin = 0) …. ……………… 90 мА макс.
Выходная мощность ……………………………. 18 Вт тип. при ± 18 В, 4 Ом и d = 10%
………………………………. …………. ……………… 14 Вт тип. при ± 18 В, 4 Ом и d = 0,5%
Диапазон номинальных частот ………. 20 — 80,000 Гц
:
Мостовая цепь:
Печатная плата предназначена для подключения стерео / моно, что позволяет без проблем использовать ее как для сателлитов, так и для канала сабвуфера.Очень хорошо воспроизводит низкие частоты.
Необходимые детали (на плату):
— два керамических конденсатора по 4,7 мкФ (предпочтительно K73-17)
— шесть керамических конденсаторов по 0,1 мкФ каждый
— четыре электролитических конденсатора по 2200 мкФ каждый
— два электролитических конденсатора по 22 мкФ каждый
— пять по 22 кОм резисторы
— два резистора по 680 Ом
— два резистора по 2,2 Ом, мощностью 5Вт
— две микросхемы
Общая стоимость такого усилителя примерно 200 руб.
Перечень радиоэлементов
Обозначение | Тип | Номинал | Кол. Акций | Примечание | Магазин | Мой блокнот |
---|---|---|---|---|---|---|
DA1 | Усилитель звука | TDA2030 | 1 | В блокнот | ||
C1 | Конденсатор | 4,7 мкФ | 1 | В блокнот | ||
C2 | 22 мкФ | 1 | В блокнот | |||
C3, C4, C7 | Конденсатор | 0. |