Кт819 параметры. КТ819: характеристики, параметры и применение мощного биполярного транзистора — Производство и поставка электростанций, Бензиновые и дизельные генераторы от 1 до 100 кВт. Мини ТЭЦ на базе двигателя Стирлинга.

Каковы основные параметры транзистора КТ819. Какие существуют модификации КТ819. Как правильно использовать КТ819 в схемах. Какие есть аналоги транзистора КТ819.

Содержание

Общая характеристика транзистора КТ819

КТ819 — это серия мощных биполярных транзисторов структуры n-p-n, разработанных в СССР в 1970-х годах. Данные транзисторы получили широкое распространение в радиоэлектронной аппаратуре благодаря следующим преимуществам:

Высокая мощность рассеивания (до 100 Вт)
Большой максимальный ток коллектора (до 15-20 А)
Относительно высокое максимальное напряжение коллектор-эмиттер (до 80-100 В)
Низкая стоимость

Транзисторы КТ819 выпускались в нескольких модификациях, отличающихся параметрами и типом корпуса. Рассмотрим основные характеристики и особенности применения этих популярных советских транзисторов.

Основные параметры транзисторов серии КТ819

Транзисторы КТ819 имеют следующие ключевые параметры:

Структура: n-p-n
Максимальная рассеиваемая мощность: 60-100 Вт (зависит от модификации)

Максимальный ток коллектора: 10-15 А
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 25-100 В
Статический коэффициент передачи тока: 12-20
Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц

Как видно, параметры могут существенно различаться в зависимости от конкретной модификации транзистора. Поэтому при выборе важно ориентироваться на полное обозначение, включающее буквенный индекс.

Модификации транзисторов КТ819

Транзисторы КТ819 выпускались в следующих основных модификациях:

КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г — в пластиковом корпусе КТ-28 (аналог ТО-220)
КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ — в металлическом корпусе КТ-9 (аналог ТО-3)
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В — улучшенные версии в металлическом корпусе для военного применения

Буквы А, Б, В, Г обозначают группы по напряжению коллектор-эмиттер:

А — 25 В
Б — 40 В
В — 60 В
Г — 80-100 В

Индекс «М» означает металлический корпус с повышенной мощностью рассеивания. Транзисторы серии 2Т819 имели улучшенные параметры для применения в военной технике.

Особенности применения КТ819 в электронных схемах

Транзисторы КТ819 широко использовались в следующих типах устройств:

Выходные каскады усилителей низкой частоты
Ключевые каскады импульсных источников питания
Регуляторы и стабилизаторы напряжения
Драйверы электродвигателей

При разработке схем с КТ819 следует учитывать ряд особенностей:

Обязательно использование радиатора для отвода тепла при токах более 1-2 А
Необходимость обеспечения достаточного тока базы из-за невысокого коэффициента усиления
Возможный значительный разброс параметров между экземплярами
Относительно низкая предельная частота (3 МГц)

Для надежной работы рекомендуется выбирать транзистор с запасом по напряжению и току. Например, при напряжении питания 30 В лучше использовать КТ819В или КТ819Г.

Цоколевка и корпуса транзисторов КТ819

Транзисторы КТ819 выпускались в двух основных типах корпусов:

Пластиковый корпус КТ-28 (аналог ТО-220)
Металлический корпус КТ-9 (аналог ТО-3)

Цоколевка транзисторов в корпусе КТ-28:

1 — база (Б)
2 — коллектор (К)
3 — эмиттер (Э)

Цоколевка транзисторов в корпусе КТ-9:

1 — база (Б)
2 — эмиттер (Э)
Корпус — коллектор (К)

При монтаже важно правильно определить выводы транзистора, так как неправильное подключение может привести к выходу его из строя.

Аналоги и замена транзисторов КТ819

В современных схемах транзисторы КТ819 часто заменяют на более современные аналоги. Наиболее близкими заменами являются:

TIP31, TIP41 — для КТ819 в корпусе КТ-28
2N3055, MJ15003 — для КТ819 в корпусе КТ-9

При замене следует учитывать, что параметры современных транзисторов могут отличаться. Как правило, они имеют более высокий коэффициент усиления и лучшие частотные свойства. Это может потребовать корректировки схемы, например, изменения номиналов резисторов в цепи базы.

Проблемы и недостатки транзисторов КТ819

Несмотря на широкое распространение, транзисторы КТ819 имели ряд недостатков:

Низкий коэффициент усиления по току (h21э = 12-20)
Значительный разброс параметров между экземплярами
Относительно низкая предельная частота
Склонность к самовозбуждению в некоторых схемах

Эти недостатки необходимо учитывать при разработке и отладке устройств. Например, низкий коэффициент усиления требует обеспечения большего тока базы для достижения требуемых характеристик.

Измерение параметров и проверка исправности КТ819

Для проверки исправности и измерения основных параметров КТ819 можно использовать следующие методы:

Прозвонка переходов мультиметром в режиме «диод»
Измерение коэффициента усиления с помощью специального тестера транзисторов
Проверка тока утечки коллектора при заданном напряжении коллектор-эмиттер
Измерение напряжения насыщения коллектор-эмиттер

При проверке важно соблюдать меры предосторожности, так как неправильное подключение может повредить транзистор или измерительный прибор.

КТ819 характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги

Технические характеристики транзистора КТ819 зависят от классификации, которая указывается в конце маркировки на корпусе устройства буквами: А…Г, АМ…ГМ. Вся серия относятся к кремниевым, среднечастотным n-p-n биполярным устройствам высокой мощности – от 60 до 100 Вт (в металлизированном ТО-3). Производится по меза-эпитаксиально-планарной технологии. Известна с советских времен благодаря массовому применению в выходных каскадах УНЧ, схемах стабилизации блоков питания, ключевых схемах.

Распиновка

Цоколевка КТ819 зависит от его назначения. В советские времена устройство выпускали в двух вариантах корпусов: пластиковом КТ-28 (аналог зарубежного ТО-220) и металлостеклянном КТ-9(ТО-3). В настоящее время такое разделение продолжается и встречается в некоторых технических описаниях. Рассмотрим поподробней расположение выводов у указанного транзистора в пластмассовой упаковке КТ-28, cлева на право у него: эмиттер (Э), коллектор (К), база (Б).

Подобные устройства, особенно в металлическом корпусе, встречаются на российском рынке с каждым годом все реже. Это происходит из-за практически полного сокращения их производства в нашей стране и наличия в большом количестве недорогих аналогов от зарубежных компаний. Вот так выглядит КТ819 в корпусе КТ-9.

Если смотреть на него снизу, то база расположена слева, эмиттер справа. Металлическая подложка-корпус — это коллектор. Рассмотрим другие данные этой серии полупроводниковых триодов.

Технические характеристики

Семейство кремниевых биполярных транзисторов КТ819, в зависимости от модификации, могут иметь следующие предельные эксплуатационные характеристики:

напряжение между: коллектором и базой от 25 до 60 В; коллектором и эмиттером (при R_БЭ ≤ 100 Ом) от 40 до 100 В; базой и эмиттером – 5 В;
постоянный ток на коллекторе от 10 до 15 А; проходящий через базу – 3 А;
импульсный ток (при t_и ≤ 10 мс, Q ≥ 100): коллектора от 15 до 20 А; базы– 5 А;
максимальная рассеиваемая мощность (при Т_К≤ 25 ^oC) с теплоотводом от 60 до 100 Вт и без него от 1,5 до 3 Вт;
температура p-n перехода от +125 до +150 ^oC;
диапазон рабочих температур от -45 до +150 ^oC;

Основные параметры представлены в документации от производителя. Значения приводятся с учетом температуры окружающей среды не более +25 ^oC. Рассмотрим их подробнее, в зависимости от классификации устройств.

В связи с тем, что транзистор устарел, современные производители указывают в его техописании только минимальный набор параметров. Более подробную информацию по серии можно найти в старой версии даташит. Там данные приведены вместе с графиками передаточных характеристик, зависимостями статического коэффициента усиления от тока эмиттера и др.

Маркировка

Изучая параметры КТ819, стоит знать и другую маркировку этой серии транзисторов. Выполняя условия отраслевого стандарта ОСТ 11.336.919-81 различные отечественные производители обозначали его так — 2Т819. Первые символы «2T» указывают на кремневые биполярные транзисторы. В старых технических описаниях данные об этих устройствах приводят вместе с рассматриваемыми в этой статье.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для него будет транзистор КТ818 с p-n-p структурой.

Аналоги

Почти полные аналоги КТ819 (в корпусе ТО-220) будут следующие зарубежные транзисторы: BD243, BD243A, BD243B, BD243C. Отечественной замены в таком исполнении нет. Зато в металлостеклянном ТО-3, похожих по своим параметрам устройств достаточно много: КТ834, КТ841, КТ844, КТ847, КТ729А. Ниже представлен их более подробный перечень.

Производители

Транзисторы серии КТ819 продолжают выпускать небольшими партиями на российском заводе «Кремний» г.Брянск и белорусском предприятии «Интеграл» г. Минск. С каждым годом их производство сокращается из-за низкого спроса и появления на рынке более новых и качественных устройств.

Транзистор КТ819 — DataSheet

Параметр	Обозначение	Маркировка	Условия	Значение	Ед. изм.
Аналог		КТ819А		*BD2921, TIP41, 2SC1354 ^3, SDT9307 ^3, SDT9304 ^3, SDT9301 ^3, TIP41 ^2, SSP82 ^3*
		КТ819Б		BD202, BDT91, 40875, BD278A, BD278, *BD245, 40624 ^2, BD663, BD553^2*
		КТ819В		*BD201, BDT93, 2SC2098 ^2, 2N5493, 2N5492, TIP3055T, STI3055T, РН3055Т, MJE3055T, BD501A^2, 2N6099, 2N6098,* BDX71, *BDT91, BD535 ^2, KSE3055T, BEL3055, 2N6099E**
		КТ819Г		*BD203, BDT95, BD711 ^2, BDW21C ^1, BLY17A ^3, TIP41С ^2, SSP82C ^3, SDT9309 ^3, SDT9306 ^3, SDT9303 ^3, 2SC681AYL ^3, 2SC681ARD ^3, 2N4130^3**
		КТ819АМ		*BD181,BD130, MJ2801, 1561-0404, BD142, MJE1660 ^1, SDT9307 ^2, SDT9304 ^2, SDT9301 2, BDX13, BLV38 ^3, 40251, 40325, 2N3055/5**
		КТ819БМ		*BD142, BDW21A, 2N6470, 2N3667 ^2, BD743 ^1, BDW51, BDW21 ^2, SDT9201, BD245 ^3, SDT9205 ^2**
		КТ819ВМ		*BD182, BDX91, BD207 ^3, BDW21A ^2, BD907 ^1, BDS10 ^1, BDS10SM*
		КТ819ГМ		BD183, 2N3055, 2N6371HV, *BD711^3, BDW21C ^2, SDT9208, 2N3055/7,* *2N3055/6, 2N3239 ^2, 2N3238 ^2, BD909 ^3, BDW21B ^2, SDT9207 ^2**
		КТ819А-1		*BD545C, MJE1660^2, BLV38 ^3*
		КТ819Б-1		*BD545B, 2N3667 ^1, 2N6253 ^1, BD278 ^3, BD278A ^3, BD743 ^1, BD705^1*
		КТ819В-1		*BD545A, 40363 ^3, BD207 ^3, BD501A ^3, BDS10SM ^1, BDS10 ^1, BD907 ^1*
		КТ819Г-1		*BD545, 2N3236^1, 2N3239 ^3, 2N3238 ^3, BD909^1, BD709 ^3, SDT9207^3, SM2176 ^1**
Структура			—	n-p-n
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора	P_K max,P^_{K, τ max},P^*_{K, и max}	КТ819А	—	1.5; 60*	Вт
		КТ819Б	—	1.5; 60*
		КТ819В	—	1.5; 60*
		КТ819Г	—	1.5; 60*
		КТ819АМ	—	2; 100*
		КТ819БМ	—	2; 100*
		КТ819ВМ	—	2; 100*
		КТ819ГМ	—	2; 100*
		КТ819А-1	—	2; 100*
		КТ819Б-1	—	2; 100*
		КТ819В-1	—	2; 100*
		КТ819Г-1	—	2; 100*
Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером	f_гр,f^_h31б,f^_h31э, f^**_max	КТ819А(М,-1)	—	≥3	МГц
		КТ819Б(М,-1)	—	≥3
		КТ819В(М,-1)	—	≥3
		КТ819Г(М,-1)	—	≥3
Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_{КБО проб.,}U^_{КЭR проб.,}U^*_{КЭО проб.}	КТ819А(М,-1)	0.1к	40*	В
		КТ819Б(М,-1)	0.1к	50*
		КТ819В(М,-1)	0.1к	70*
		КТ819Г(М)	0.1к	100*
		КТ819Г-1	0.1к	90*
Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора	U_{ЭБО проб.,}	КТ819А(М,-1)	—	5	В
		КТ819Б(М,-1)	—	5
		КТ819В(М,-1)	—	5
		КТ819Г(М,-1)	—	5
Максимально допустимый постоянный ток коллектора	I_{K max,} I^*_{К , и max}	КТ819А	—	*10(15)**	А
		КТ819Б	—	*10(15)**
		КТ819В	—	*10(15)**
		КТ819Г	—	*10(15)**
		КТ819АМ(-1)	—	*15(20)**
		КТ819БМ(-1)	—	*15(20)**
		КТ819ВМ(-1)	—	*15(20)**
		КТ819ГМ(-1)	—	*15(20)**
Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера	I_КБО, I^_КЭR, I^*_КЭO	КТ819А(М,-1)	40 В	≤1	мА
		КТ819Б(М,-1)	40 В	≤1
		КТ819В(М,-1)	40 В	≤1
		КТ819Г(М,-1)	40 В	≤1
Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером	h_21э, h^*_21Э	КТ819А(М,-1)	5 В; 5 А	≥15*
		КТ819Б(М,-1)	5 В; 5 А	≥20*
		КТ819В(М,-1)	5 В; 5 А	≥15*
		КТ819Г(М,-1)	5 В; 5 А	≥12*
Емкость коллекторного перехода	c_к, с^*_12э	КТ819А(М,-1)	5 В	≤1000	пФ
		КТ819Б(М,-1)	5 В	≤1000
		КТ819В(М,-1)	5 В	≤1000
		КТ819Г(М,-1)	5 В	≤1000
Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером	r_{КЭ нас}, r_{БЭ нас, К}^*_у.р.	КТ819А(М)	—	≤0.4	Ом, дБ
		КТ819Б(М)	—	≤0.4
		КТ819В(М)	—	≤0.4
		КТ819Г(М)	—	≤0.4
		КТ819А-1	—	≤1
		КТ819Б-1	—	≤1
		КТ819В-1	—	≤1
		КТ819Г-1	—	≤1
Коэффициент шума транзистора	К_ш, r^_b, P^*_вых	КТ819А(М,-1)	—	—	Дб, Ом, Вт
		КТ819Б(М,-1)	—	—
		КТ819В(М,-1)	—	—
		КТ819Г(М,-1)	—	—
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте	τ_к, t_рас, t^_выкл, t^**_пк(нс)	КТ819А(М,-1)	—	≤2500**	пс
		КТ819Б(М,-1)	—	≤2500**
		КТ819В(М,-1)	—	≤2500**
		КТ819Г(М,-1)	—	≤2500**

Транзисторы КТ819 и КТ818 (А-Г, АМ…ГМ) характеристики, цоколевка (datasheet)

Транзисторы КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818 широко применяются в радиоаппаратуре в качестве ключевых элементов или выходных транзисторов в звуковоспроизводящих устройствах. Транзисторы достаточно дешевы и имеют сравнительно неплохие параметры что способствовало их широкому распространению в странах СНГ.

В статье представлены основные параметры и характеристики (даташиты) транзисторов КТ819 , 2Т819 и КТ818 , 2Т818. Для каждого транзистора представлена цоколевка при выполнении в пластмассовом и металлическом корпусе.

КТ819 , 2Т819 — кремниевый транзистор структуры n-p-n.

Рис. 1. Изображение транзистора КТ819 на принципиальных схемах.

Рис. 2. КТ819 (А…Г), 2Т819 (А2…В2) в пластиковом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Рис. 3. КТ819 (АМ…ГМ), 2Т819 (А…В) в металлическом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Основные технические характеристики транзисторов КТ819:

Прибор	Предельные параметры									Параметры при T = 25°C											R_{Т п-к}, °C/Вт
			при T = 25°C
	I_{К, max}, А	I_{К и, max}, А	U_{КЭ0 гр}, В	U_{КБ0 max}, В	U_{ЭБ0 max}, В	P_{К max}, Вт	T_К, °C	T_{п max}, °C	T_{К max}, °C	h_21Э	U_КЭ (U_КБ), В	I_К (I_Э), А	U_{КЭ нас}, В	I_КБ0, мА	f_гр, МГц	К_ш, дБ	C_К, пФ	C_Э, пФ	t_вкл, мкс	t_выкл, мкс
КТ819А	10	15	25		5	60	25	125	100	15	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ819Б	10	15	40		5	60	25	125	100	20	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ819В	10	15	60		5	60	25	125	100	15	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ819Г	10	15	80		5	60	25	125	100	12	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ819АМ	15	20	25		5	100	25	125	100	15	5	5	2	1	3		1000			2,5	1
КТ819БМ	15	20	40		5	100	25	125	100	20	5	5	2	1	3		1000			2,5	1
КТ819ВМ	15	20	60		5	100	25	125	100	15	5	5	2	1	3		1000			2,5	1
КТ819ГМ	15	20	80		5	100	25	125	100	12	5	5	2	1	3		1000			2,5	1
2Т819А	15	20	80	100	5	100	25	150	125	20	(5)	5	1		3		1000			2,5	1,25
2Т819Б	15	20	60	80	5	100	25	150	125	20	(5)	5	1		3		1000			2,5	1,25
2Т819В	15	20	40	60	5	100	25	150	125	20	(5)	5	1		3		1000			2,5	1,25
2Т819А2	15	20	80	100	5	40	25	150	100	20	(5)	(5)	1		3		700	2000		1,2	3,13
2Т819Б2	15	20	60	80	5	40	25	150	100	20	(5)	(5)	1		3		700	2000		1,2	3,13
2Т819В2	15	20	40	60	5	40	25	150	100	20	(5)	(5)	1		3		700	2000		1,2	3,13

КТ818 , 2Т818 — кремниевый транзистор структуры p-n-p

Рис. 4. Изображение транзистора КТ818 на принципиальных схемах.

Рис. 5. КТ818(А…Г), 2Т818(А-2…В-2) в пластиковом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Рис. 6. КТ818(АМ…ГМ), 2Т818(А…В) в металлическом корпусе, внешний вид и цоколевка.

Основные технические характеристики транзисторов КТ818:

Прибор	Предельные параметры									Параметры при T = 25°C											R_{Т п-к}, °C/Вт
			при T = 25°C
	I_{К, max}, А	I_{К и, max}, А	U_{КЭ0 гр}, В	U_{КБ0 max}, В	U_{ЭБ0 max}, В	P_{К max}, Вт	T_К, °C	T_{п max}, °C	T_{К max}, °C	h_21Э	U_КЭ (U_КБ), В	I_К (I_Э), А	U_{КЭ нас}, В	I_КБ0, мА	f_гр, МГц	К_ш, дБ	C_К, пФ	C_Э, пФ	t_вкл, мкс	t_выкл, мкс
КТ818А	10	15	25		5	60	25	125	100	15	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ818Б	10	15	40		5	60	25	125	100	20	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ818В	10	15	60		5	60	25	125	100	15	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ818Г	10	15	80		5	60	25	125	100	12	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ818АМ	15	20	25		5	100	25	125	100	20	5	5	1		3		1000			2,5	1
КТ818БМ	15	20	40		5	100	25	125	100	20	5	5	1		3		1000			2,5	1
КТ818ВМ	15	20	60		5	100	25	125	100	20	5	5	1		3		1000			2,5	1
КТ818ГМ	15	20	80		5	100	25	125	100	20	5	5	1		3		1000			2,5	1
2Т818А	15	20	80	100	5	100	25	150	125	20	(5)	(5)	1		3		1000			2,5	1,25
2Т818Б	15	20	60	80	5	100	25	150	125	20	(5)	(5)	1		3		1000			2,5	1,25
2Т818В	15	20	40	60	5	100	25	150	125	20	(5)	(5)	1		3		1000			2,5	1,25
2Т818А2	15	20	80	100	5	40	25	150	100	20	(5)	(5)	1		3		1000	2000		1,2	3,13
2Т818Б2	15	20	60	80	5	40	25	150	100	20	(5)	(5)	1		3		1000	2000		1,2	3,13
2Т818В2	15	20	40	60	5	40	25	150	100	20	(5)	(5)	1		3		1000	2000		1,2	3,13

Подготовлено для сайта RadioStorage.net

Транзисторы КТ819(1Т819), КТ805 — маркировка и цоколевка.

Транзисторы КТ805 и качер Бровина.

Качер Бровина — черезвычайно популярное устройство, представляющее из себя фактически, настольный трансформатор Тесла — источник высокого напряжения. Схема самого генератора предельно проста — он очень напоминает обычный блокинг-генератор на одном транзисторе, хотя как утверждают многие, им вовсе не является.

В качере(как в общем-то и в блокинг-генераторе) теоретически, можно использовать любые транзисторы и радиолампы. Однако, практически очень неплохо себя зарекомендовали именно транзисторы КТ805, в частости — КТ805АМ.

В самостоятельной сборке качера самый серьезный момент — намотка вторичной обмотки(L2). Как правило она содержит в себе от 800 до 1200 витков. Намотка производится виток, к витку проводом диаметром 0,1 — 0,25 мм на диэлектрическое основание, например — пластиковую трубку. Соответствено, габариты полученного трансформатора (длина) напрямую зависят от толщины используемого провода. Диаметр каркаса при этом некритичен — может быть от 15мм, но при его увеличении эффективность качера должна возрастать (как и ток потребления).

После намотки витки покрываются лаком(ЦАПОН).
К неподключенному концу катушки можно подсоединить иглу — это даст возможность наблюдать «стример» — коронообразное свечение, которое возникнет на ее кончике, во время работы устройства. Можно обойтись и без иглы — стример точно так же будет появляться на конце намоточного провода, без затей отогнутого к верху.

Вторичная обмотка представляет из себя бескаркасный четырехвитковой соленоид намотаный проводом диаметром(не сечением!) от 1,5 до 3 мм. Длина этой катушки может составлять от 7-8 до 25-30 см, а диаметр зависит от расстояния между ее витками и поверхностью катушки L2. Оно должно составлять 1 — 2 см. Направление витков обеих катушек должно совпадать обязательно.

Резисторы R1 и R2 можно взять любого типа с мощностью рассеивания не менее 0,5 Вт. Конденсатор C1 так же любого типа от 0,1 до 0,5 мФ на напряжение от 160 в. При работе от нестабилизированного источника питания необходимо подсоединить параллельно C1 еще один, сглаживающий конденсатор 1000 — 2000 мФ на 50 в.
Транзистор обязательно устанавливается на радиатор — чем больше, тем лучше.

Источник питания для качера должен быть рассчитан на работу при токе до 3 А (с запасом), с напряжением от 12 вольт, а желательно — выше. Будет гораздо удобнее, если он будет регулируемым по напряжению.
Например, в собранном мной образце качера, при диаметре вторичной катушки 3 см (длина — 22см), а первичной — 6см (длина — 10 см) стример возникал при напряжении питания 11 в, а наиболее красочно проявлялся при 30 в. Причем, обычные эффекты, вроде зажигания светодиодных и газоразрядных ламп на расстоянии, возникали уже с начиная с уровня напряжения — 8 в.

В качестве источника питания был использован обычный ЛАТР + диодный мост + сглаживающий электролитический конденсатор 2000 мФ на 50 в. Больше 30 вольт я не давал, ток при этом не превышал значения в 1 А, что более чем приемлимо для таких транзисторов как КТ805, при наличии приличного радиатора.

При попытке заменить(из чистого интереса) КТ805 на более брутальный КТ8102, обнаружилось что режимы работы устройства значительно поменялись. Заметно упал рабочий ток. Он составил всего — от 100 до 250 мА.
Но стример стал загораться только при достижения предела напряжения 24 в, при напряжении 60 в выглядя гораздо менее эффектно, нежели с КТ805 при 30.

На главную страницу

Характеристики транзисторов кт819, аналоги, цоколевка

КТ819 – биполярные транзисторы n-p-n большой мощности низкой частоты.

Зарубежный аналог КТ819

В некоторых случаях можно заменить на TIP41C (расположение выводов другое, ток меньше и т.д.)

Особенности

Комплиментарная пара – КТ818

Корпусное исполнение и цоколевка КТ819

пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)

Характеристики транзистора КТ819

Предельные параметры КТ819

Максимально допустимый постоянный ток коллектоpа (I_{К max}):

КТ819А — 10 А
КТ819Б — 10 А
КТ819В — 10 А
КТ819Г — 10 А

Максимально допустимый импульсный ток коллектоpа (I_{К, и max}):

КТ819А — 15 А
КТ819Б — 15 А
КТ819В — 15 А
КТ819Г — 15 А

Граничное напряжение биполярного транзистора (U_{КЭ0 гр}) при Т_п = 25° C:

КТ819А — 25 В
КТ819Б — 40 В
КТ819В — 60 В
КТ819Г — 80 В

Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттеp-база при токе коллектоpа, равном нулю (U_{ЭБ0 max}) при Т_п = 25° C:

КТ819А — 5 В
КТ819Б — 5 В
КТ819В — 5 В
КТ819Г — 5 В

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора (P_{К max}) при Т_к = 25° C:

КТ819А — 60 Вт
КТ819Б — 60 Вт
КТ819В — 60 Вт
КТ819Г — 60 Вт

Максимально допустимая температура перехода (T_{п max}):

КТ819А — 125 ° C
КТ819Б — 125 ° C
КТ819В — 125 ° C
КТ819Г — 125 ° C

Максимально допустимая температура корпуса (T_{к max}):

КТ819А — 100 ° C
КТ819Б — 100 ° C
КТ819В — 100 ° C
КТ819Г — 100 ° C

Электрические характеристики транзисторов КТ819 при Т

_п = 25^oС

Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора (h_21Э) при постоянном напряжении коллектор-база (U_КБ) 5 В, при постоянном токе коллектоpа (I_К) 5 А:

КТ819А — 15
КТ819Б — 20
КТ819В — 15
КТ819Г — 12

Напряжение насыщения коллектор-эмиттеp (U_{КЭ нас})

КТ819А — 2 В
КТ819Б — 2 В
КТ819В — 2 В
КТ819Г — 2 В

Обратный ток коллектоpа (I_КБ0)

КТ819А — 1 мА
КТ819Б — 1 мА
КТ819В — 1 мА
КТ819Г — 1 мА

Граничная частота коэффициента передачи тока (f_гр)

КТ819А — 3 МГц
КТ819Б — 3 МГц
КТ819В — 3 МГц
КТ819Г — 3 МГц

Емкость коллекторного перехода (C_К)

КТ819А — 1000 пФ
КТ819Б — 1000 пФ
КТ819В — 1000 пФ
КТ819Г — 1000 пФ

Время выключения биполярного транзистора (t_выкл)

КТ819А — 2,5 мкс
КТ819Б — 2,5 мкс
КТ819В — 2,5 мкс
КТ819Г — 2,5 мкс

Тепловое сопротивление переход-корпус (R_{Т п-к})

КТ819А — 1,67 ° C/Вт
КТ819Б — 1,67 ° C/Вт
КТ819В — 1,67 ° C/Вт
КТ819Г — 1,67 ° C/Вт

Опубликовано 05.02.2020

DC-DC понижающий преобразователь — ссылка на товар.

КТ819 параметры | Практическая электроника

Под КТ819 понимают целое семейство кремниевых биполярных транзисторов с n-p-n структурой.

Параметры транзистора КТ819 сильно зависят от модификации (от букв следующих после КТ819). Основных групп четыре, они образуются по тому из чего сделан корпус: пластик (КТ-28) или металл (КТ-9) и применению: гражданскому (КТ819) и военному (2Т819).

Характеристики КТ819 параметры которых являются общими внутри групп:

Основные технические характеристики транзисторов КТ819

Тип	Предельные параметры						Параметры при T = 25°C						R_{Т п-к}, °C/Вт	Корп.
Тип	I_{К, max}, А	I_{К и, max}, А	U_{ЭБ0 max}, В при T = 25°C	P_{К max}, Вт	T_{п max}, °C	T_{К max}, °C	U_КЭ (U_КБ), В	I_К (I_Э), А	U_{КЭ нас}, В	C_К, пФ	C_Э, пФ	t_выкл, мкс	R_{Т п-к}, °C/Вт	Корп.
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	10	15	5	60	125	100	(5)	5	2	1000		2,5	1,67	КТ-28
КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ	15	20	5	100	125	100	5	5	2	1000		2,5	1	КТ-9
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	15	20	5	100	150	125	(5)	5		1000		2,5	1,25	КТ-9
2Т819А2, 2Т819Б2, 2Т819В2	15	20	5	40	150	100	(5)	(5)		700	2000	1,2	3,13	КТ-28

Где:

I_Кmax — максимальный ток коллектора;
I_{К и.}max — максимальный импульсный ток коллектора;
P_кmax — максимальная мощность коллектора без радиатора;
U_кэо — максимальное напряжение коллектор-эмиттер;
I_кбо = 1 мА — обратный ток коллектора;
f_гр. = 3 МГц — максимальная рабочая частота в схемах с общим эмиттером.

В следующей таблице представлена зависимость максимально допустимого (импульсного) напряжения коллектор-эмиттер от типа транзистора КТ819:

Тип	U_{КЭ0 гр}, В
КТ819А, КТ819АМ	25
КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819В, 2Т819В2	40
КТ819В, КТ819ВМ, 2Т819Б, 2Т819Б2	60
КТ819Г, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819А2	80

И ещё один немаловажный параметр минимальный статический коэффициент передачи тока КТ819:

Тип	h_21Э
КТ819Г, КТ819ГМ	12
КТ819А, КТ819АМ, КТ819В, КТ819ВМ	15
КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819А, 2Т819А2, 2Т819Б, 2Т819Б2, 2Т819В, 2Т819В2	20

КТ819 — применение

Сразу стоит упомянуть, что КТ819 имеет комплементарную пару — транзистор КТ818 с p-n-p структурой. Параметры КТ818 аналогичны параметрам КТ819 с совпадающими буквами.
И вот в паре с КТ818, КТ819 часто применялся в оконечных каскадах звуковоспроизводящей аппаратуры. Также благодаря своей дешевизне нашел применение в ключевых и линейных стабилизаторах постоянного напряжения.
КТ819 имеет серьезные минусы:

низкий коэффициент усиления по току (от 12 до 20 в зависимости от подтипа), и это требует серьезной раскачки на предварительном каскаде;

плохая повторяемость параметров от экземпляра к экземпляру, из-за этого чтобы подобрать две пары транзисторов по коэффициенту усиления может потребоваться перебрать целое ведро КТ819

Так что если потребуется отремонтировать отечественный усилитель, то лучше сразу покупать импортные аналоги.
Например вместо КТ819 и КТ818 в корпусе КТ-9, поставить зарубежную пару в корпусе TO-3:
MJ15001 и MJ15002 или MJ15003 и MJ15004.

В принципе аналогов много и в интернете много информации на этот счет, только вот не факт, что конкретно в этом усилителе замена подойдет. Поэтому перед заменой необходимо свериться с документацией производителя, транзистор которого собираетесь устанавливать так как от производителя к производителю у одного и того же типа транзистора могут отличатся параметры.

Вот ещё аналоги:

КТ818ГМ — 2N2955
КТ819ГМ — 2N3055
2Т819А — 2N5068

КТ819, 2Т819 — биполярный кремниевый NPN транзистор — параметры, использование, цоколёвка. — Биполярные отечественные транзисторы — Транзисторы — Справочник Радиокомпонентов — РадиоДом

Основные технические параметры транзистора КТ819, 2Т819

Модель	Максимальные допустимые параметры									Параметры при температуре = 25°C											R_{Т п-к}, °C/ватт
			при температ. = 25°C
	I_{К, макс}, ампер	I_{К и, макс}, ампер	U_{КЭ0 гран}, вольт	U_{КБ0 макс}, вольт	U_{ЭБ0 макс}, вольт	P_{К макс}, ватт	T_К, °C	T_{п макс}, °C	T_{К макс}, °C	h_21Э	U_КЭ (U_КБ), вольт	I_К(I_Э), ампер	U_{КЭ нас}, вольт	I_КБ0, мАмпер	f_гр, МГерц	К_ш, дБ	C_К, пФ	C_Э, пФ	t_вкл, мкс	t_выкл, мкс
КТ819А	10	15	25		5	60	25	125	100	15	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ819Б	10	15	40		5	60	25	125	100	20	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ819В	10	15	60		5	60	25	125	100	15	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ819Г	10	15	80		5	60	25	125	100	12	(5)	5	2	1	3		1000			2,5	1,67
КТ819АМ	15	20	25		5	100	25	125	100	15	5	5	2	1	3		1000			2,5	1
КТ819БМ	15	20	40		5	100	25	125	100	20	5	5	2	1	3		1000			2,5	1
КТ819ВМ	15	20	60		5	100	25	125	100	15	5	5	2	1	3		1000			2,5	1
КТ819ГМ	15	20	80		5	100	25	125	100	12	5	5	2	1	3		1000			2,5	1
2Т819А	15	20	80	100	5	100	25	150	125	20	(5)	5	1		3		1000			2,5	1,25
2Т819Б	15	20	60	80	5	100	25	150	125	20	(5)	5	1		3		1000			2,5	1,25
2Т819В	15	20	40	60	5	100	25	150	125	20	(5)	5	1		3		1000			2,5	1,25
2Т819А2	15	20	80	100	5	40	25	150	100	20	(5)	(5)	1		3		700	2000		1,2	3,13
2Т819Б2	15	20	60	80	5	40	25	150	100	20	(5)	(5)	1		3		700	2000		1,2	3,13
2Т819В2	15	20	40	60	5	40	25	150	100	20	(5)	(5)	1		3		700	2000		1,2	3,13

Обозначение на схеме КТ819, 2Т819

Цоколёвка транзистора КТ819, 2Т819

Цоколёвка транзистора КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ

Внешний вид транзистора на примере КТ819В

Внешний вид транзистора на примере КТ819ГМ

Параметры транзистора КТ819, его распиновка и аналоги. Параметры транзистора КТ819, его распиновка и аналоги Параметры транзистора 819

Фото транзистора КТ819Г КТ819Г биполярный транзистор NPN проводимости, аналог 2Н6110. Благодаря хорошим техническим характеристикам широко использовался в отечественной радиотехнике. Максимум. например к b для данного обратного тока к … Википедия

Структура p n p Uce 10 25V … Википедия

Обозначение биполярных транзисторов на схемах.Простейшая наглядная схема устройства на транзисторе. Биполярный транзистор — трехэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. Электроды подключаются к трем последовательно расположенным … … Википедия

Распиновка КТ3102 КТ3102 — кремниевый биполярный транзистор n p n проводимости высокочастотный маломощный усилитель с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначен для использования в усилителях и… Wikipedia

Транзисторы КТ3107 Тип КТ3107 кремниевый биполярный транзистор, p n p проводимость, высокочастотный маломощный усилитель с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначен для использования в усилении и генерации … … Википедия

Распиновка КТ815 Транзистор биполярный кремниевый типа КТ815, n p n проводимость, универсальный силовой низкочастотный транзистор. Предназначен для работы с усилителями низкой частоты, операционными и дифференциальными … Википедия

Транзистор КТ819 представляет собой кремниевый полупроводниковый прибор структуры n — p — n. Конструктивно транзистор выполнен в двух вариантах — в металлическом и пластиковом корпусе. Основная сфера применения: работа в качестве ключевого элемента, работа в выходных каскадах мощных усилителей звуковой частоты.

Отличительная черта — дешевизна. с относительно высокими техническими характеристиками. Именно поэтому этот полупроводниковый прибор широко используется при производстве электронного оборудования в республиках бывшего СССР и после его распада в странах СНГ. Более того, несмотря на достаточно большой ассортимент зарубежных транзисторов, который предлагает современный рынок электронных компонентов, КТ819 активно используется радиолюбителями при проектировании различных устройств.

Распиновка транзистора

Схема подключения полупроводникового прибора показана на рисунке 1.Как видите, вывод коллектора соединен с корпусом транзистора. Для установки на радиатор предусмотрены лепестки с отверстиями диаметром 4,1 мм. В пластиковом корпусе для крепления к радиатору охлаждения имеется один лепесток с отверстием 3,6 мм.

основные параметры

Основные характеристики КТ819 приведены в таблице 1 .

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 дефицитной деталью не назовешь. Тем не менее бывают случаи, когда по тем или иным причинам необходимо выбрать его аналог — то есть транзистор, максимально соответствующий его характеристикам.В целом при выборе аналога к любому отечественному или импортному транзистору основными характеристиками являются:

допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эмиттера;
допустимый ток коллектора;
усиление;
рабочая частота.

Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену на тот или иной отечественный и зарубежный транзистор.

Отечественные аналоги

Заменить КТ819 на следующие отечественные транзисторы:

CT834;
CT841;
CT844;
КТ847.

Зарубежные аналоги

КТ819 можно заменить на следующие зарубежные полупроводниковые приборы:

2 N6288;
BD705;
TIP41;
BD533.

Отдельно стоит упомянуть аналог КТ819ГМ. Все дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используется КТ819ГМ. Как заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор — 2 Н 3055.Кроме того, некоторые схемы на KT819GM могут успешно работать с V D 183, 2 N 6472, KT729.

Тест транзистора

Проверить КТ819 можно обычным тестером. Для тестирования измерительный прибор переводят в режим измерения сопротивления. По схеме КТ819ГМ (расположение выводов) или другому компоненту этой серии подключаем плюсовой щуп прибора к штырю базы, а минусовой — к штырю коллектора. Измерительный прибор должен показывать напряжение пробоя.Далее, не отсоединяя положительный щуп от базы, подключаем отрицательный щуп к выводу эмиттера. В этом случае прибор должен показывать почти такое же значение, как и при измерении перехода база-коллектор.

После процедуры, описанной выше, вы должны проверить переходы во время обратной активации . По схеме КТ819 (расположение выводов) отрицательный щуп тестера подключаем к выводу базы, а положительный — к выводу коллектора. На приборе не должно быть никаких указаний.После этого, не отключая отрицательный щуп от базы, подключаем положительный щуп к эмиттеру — как и в случае с переходом база-коллектор, на тестере не должно быть показаний. Тест можно считать успешным, и транзистор исправен, если переходы не повреждены.

Важный момент: любой полупроводниковый элемент следует проверять только при его снятии с цепи. Проще говоря — проверка элемента, подключенного к другим компонентам схемы, может быть некорректной.

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» мы представляем простую схему усилителя, в которой используется KT819 и его дополнительная пара KT818. Простейшая схема усилителя показана на рисунке 2.

Отличительной особенностью усилителя, изображенного на рисунке 2, является его мощность от биполярного источника . Благодаря такому схемотехническому решению можно подключать нагрузку напрямую между выходом каскада усилителя и общим проводом. Также стоит отметить, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термической стабильностью.

При использовании элементов, указанных на схеме, с напряжением ± 40 В и нагрузкой 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений 0,07%.

После сборки усилителя не требуется никаких операций по его настройке . Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя (VT 6 и VT 7) следует установить на радиаторах. Если используется один общий радиатор, транзисторы необходимо крепить к нему через изолирующие прокладки.

kt% 20819% 20 Техническое описание транзистора и примечания по применению

КТ3102 Реферат: KT 3127 TM100 UF 3004 lg led схема kt3117 LED Tr KT 1117 3121 LG LED Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
кт 30 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
MA704WA Аннотация: MA700 MA4S713 MA2S784 HSU88 HSU276 HSS102 610C 420C ma741 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	HSS102 HSU88 HSU276 30 МГц) MA2S784 MA4S713 MA743 MA704AÂ MA721В MA744 MA704WA MA700 610C 420C ma741
кабель Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
2008 — КТ 6396 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
КТ920Б Аннотация: KT920A KT920 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Funkamateur kt9205 UdSSR BT320 920a 920B4 Текст: нет текста в файле	OCR сканирование	PDF	175 МГц КТ920Б КТ920А KT920 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Funkamateur kt9205 СССР BT320 920a 920B4
пластик Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
кт21 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF

Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
1827 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
1827 Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
узлы 6306 Абстракция: KT5211 KT6396 kt 6217 KT6209 Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF
Нет в наличии Аннотация: абстрактный текст недоступен Текст: нет текста в файле	Оригинал	PDF

Мощный источник питания 12 В / 10 А

Мощный источник питания 12 В / 10 А требует безопасного источника питания 220 В, с помощью которого можно создавать и тестировать электронные устройства, собранные самостоятельно, а также ремонтировать устройства промышленного производства.

Мощный блок питания 12 В / 10 ампер Детали:
Транзисторы VT1, VT2 можно заменить на КТ808, КТ819 с любым буквенным индексом. Эти транзисторы желательно использовать в металлическом корпусе диаметром «шляпки» 23,5 мм. Они устанавливаются на радиаторах с площадью охлаждения не менее 100 см2, изолируя тепло от корпуса.

Транзистор VT3 можно заменить на КТ815, КТ817 с любым буквенным индексом. Трансформатор Т1 стандарта
мощностью не менее 100 Вт должен обеспечивать переменное напряжение на вторичной обмотке (нагрузке) 14-16 В.Это напряжение получается с выводов трансформатора 7 и 16 TH 54-127 / 220, и между выводами 8-9, 10-11 и 13-14 должна быть перемычка.

Первичная обмотка трансформатора Т1 — выводы 1 и 2. АКБ — стандартные АКБ с номинальным напряжением 12 В. Реле К1 — на срабатывание напряжения 200-220 В с двумя и более группами контактов и током. включение не менее 3 А Сетевой предохранитель FU1 типа ВИ -1-3, ПК-30-3 на ток 3 А предохранитель FU2 на ток 10 А типа ПДК-1-2.

Диодный мостовой выпрямитель типа КЦ405А, КЦ407А или собран из дискретных элементов — диодов Д231, Д242 с любым буквенным индексом.Диод VD6 можно заменить на КД202, КД213, КД258 с любым буквенным индексом и т.п.

Стабилитрон

VD2-VD5 желательно установить в соответствии с таковыми на схеме Powerfull 12 В / 10 Ампер. От их параметров зависит и стабилизация выходного напряжения. Конденсаторы КИ, С2 типа К40-У9, К10-17 или аналогичные, рассчитанные на рабочее напряжение не менее 250 В. Конденсаторы оксидные типа К50 типа СТ, К50-24 или аналогичные.

Постоянные резисторы R2, R3 типа МЛТ-0, 5. Резисторы Rl, R4 типа SEW-10 Exp-S.

Теги: Блок питания 10 А Блок питания 12 В Блок питания 12 В / 10 А Мощный блок питания

Тестер полупроводников atmega8 своими руками. Радио для всех

Устройство предназначено для измерения параметров радиодеталей. тестер умеет определять выходы диодов, транзисторов, светодиодов. Показывает емкость конденсаторов и резисторов в определенном диапазоне.Ниже в архиве несколько вариантов печатных плат, в том числе для монтажа на SMD.

Характеристики устройства следующие:

Сопротивления: от 1 Ом до 10 МОм

Конденсаторы

: от 190 пФ до 10000 мкФ, чем больше емкость, тем больше времени занимает измерение. Перед измерением разрядите конденсаторы!

Диоды, светодиоды — показывает где какие выходы и один параметр

Обнаружение и индикация наличия защитных диодов в транзисторах и полевых МОП-транзисторах

SCR, тиристоры — просто показывает, что такое тиристор и где выводы

Транзисторы — показывает где какие клеммы и пара параметров

Точность измерения правильно собранного прибора зависит от точности шести резисторов, думаю понятно какие.Чем они точнее и параметры совпадают, тем точнее и правильнее будут измерения.

Схема тестера:

Изображение печатной платы в DIP версии:

Расшифровка информации, отображаемой на дисплее данного устройства:

NPN — Транзистор NPN

PNP — Транзистор PNP

Н-Э-МОС Н-Канал — обогащенный канал

P-E-MOS P-Kanal — обогащенный канал

Н-Д-МОС Н-Канал — истощенный канал

P-D-MOS P-Kanal — истощенный канал

N-JFET N-канал — JFET

P-JFET P-Kanal — JFET

Тиристор — Тиристор

Симистор — Симистор

Вт Открытое напряжение (для MOSFET)

C = Емкость затвора (для MOSFET)

h31e (текущий прирост) — диапазон до 10000

Uf Прямое напряжение

Диод Диод

В разных версиях отображаемая информация о прошивке может отличаться.В данной статье рассматривается проект на микроконтроллере Atmega8, есть модифицированные версии прошивки в сети на других микроконтроллерах. Аппарат довольно точный, полный фотоотчет не делал, например несколько фото сделал …

Диодная сборка (два диода в одном корпусе)

Транзистор КТ819:

Светодиод:

файлов прошивки (~ 8кб.)

Скачать файлы печатной платы :, опций.

AVR transistortestter

AVR-Transistortester Construction Kit — поставляется в виде набора деталей, который включает: печатную плату

и все детали, включая резисторы и конденсаторы, необходимые для сборки функционального устройства. В комплект не входит чехол. Устройство не требует настройки и готово к работе сразу после сборки. Процессор установлен на сокет. Светодиод не отображается на передней панели. Это не показатель, но он необходим для работы устройства.Во время работы его свечение может быть не видно. Дисплей подключается к основной плате через «гребешок» с шагом 2,54 мм. Всю документацию, необходимую для сборки устройства (принципиальную схему, схему подключения и список используемых компонентов), можно скачать в конце статьи.

На фото представлен готовый собранный прибор. На втором фото представлен комплект деталей.

Конструктор представляет собой набор деталей. Батарея в комплект не входит.

Возможности устройства.

Тестер позволяет определять биполярные транзисторы, полевые транзисторы MOSFET и JFET, диоды (в том числе двойные последовательные и антипараллельные), тиристоры, симисторы, резисторы, конденсаторы и некоторые их параметры. В частности, для биполярных транзисторов:

1. проводимость — NPN или PNP;

2. распиновка в формате — B = *; С = *; Е = *;

3. усиление по току — hFE;

5. Прямое напряжение база-эмиттер в милливольтах — Uf.

Для транзисторов MOSFET:

1.проводимость (P-канал или N-канал) и тип канала (E — обогащенный, D — обедненный) — P-E-MOS, P-D-MOS или N-E-MOS, N-D-MOS;

2. Вместимость ворот — С;

3. распиновка в формате GDS = ***;

4. наличие защитного диода — символ диода;

5. Пороговое напряжение затвор-исток Uf.

Для транзисторов J-FET:

1. проводимость — N-JFET или P-JFET;

2. распиновка в формате GDS = ***.

Для диодов (включая двойные диоды):

1.распиновка;

2. Прямое напряжение анод-катод — Uf.

Для симисторов:

1. тип — симистор; 2. распиновка в формате G = *; А1 = *; А2 = *.

Для тиристоров:

1. тип — тиристор;

2. распиновка в формате — ГАК = ***.

Результат отображается на двухстрочном ЖК-дисплее. Время тестирования менее 2 сек. (кроме больших конденсаторов) время отображения результата 10 сек. Управление одной кнопкой, автоматическое отключение. Потребление тока в выключенном состоянии менее 20 нА.Диапазон измерения сопротивления от 2 Ом до 20 МОм. Точность не очень высокая. Конденсаторы рассчитаны на диапазон от 0,2 нФ до 7000 мкФ. Выше 4000 мкФ ухудшается точность. Измерение больших емкостей может занять до одной минуты. Тестер не является точным прибором и не гарантирует 100% надежности идентификации и измерений, но в большинстве случаев результат измерения верный. При измерении мощных тиристоров и симисторов могут возникнуть проблемы, если испытательный ток (7 мА) окажется меньше тока удержания.

Документация

В данной статье представлен прибор — тестер полупроводников. О прототипе этого устройства была опубликована статья на одном из немецких сайтов. Тестер с высокой точностью определяет количество и типы выходов транзистора, тиристора, диода и т. Д. Он будет очень полезен начинающему радиолюбителю.

Типы испытуемых элементов

(название элемента — индикация на дисплее):
— транзисторы NPN — на дисплее «NPN»
— транзисторы PNP — на дисплее «PNP»
— N-канальный MOSFET — дисплей » NE-MOS »
— МОП-транзистор с P-каналом — отображение« PE-MOS »
— МОП-транзисторы с обедненным N-каналом — отображается« ND-MOS »
— МОП-транзисторы с истощенным P-каналом — отображается« PD-MOS »
— N-канальные полевые транзисторы — на дисплее «N-JFET»
— Р-канальные полевые транзисторы — на дисплее «P-JFET»
— Тиристоры — на дисплее «Tyrystor»
— Симисторы — на дисплее «Triak»
— Диоды — на дисплее «Диод»
— Двухкатодные диодные сборки — на дисплее «Двойной диод СК»
— Двуханодные диодные сборки — на дисплее «Двойной диод СА»
— Два последовательно соединенных диода — дисплей показывает «2 диода»
— Диоды симметричны — на дисплее отображается «Диод симметричный»
— Резисторы — Диапазон 0.От 5K до 500K [K]
— Конденсаторы — Диапазон от 0,2 нФ до 1000 мкФ
При измерении сопротивления или емкости прибор не обеспечивает высокой точности
Описание дополнительных параметров измерения:
— h31e (коэффициент усиления по току) — диапазон до 10000
— ( 1-2-3) — порядок подключения выводов элемента
— Наличие элементов защиты — диод — «Диодный символ»
— Прямое напряжение — Uf

Напряжение открытия (для MOSFET) —

Вт

Емкость затвора (для MOSFET) — C =

Схема устройства:

Схема устройства без транзисторов:

Программирование микроконтроллера

Если вы используете программу AVRStudio, достаточно записать в настройках fuse-bits 2 бита конфигурации: lfuse = 0xc1 и hfuse = 0xd9.Если вы используете другие программы, отрегулируйте биты предохранителей в соответствии с рисунком. В архиве находится прошивка микроконтроллера и прошивка EEPROM, а также макет печатной платы.

Предохранители mega8

Процесс измерения довольно прост: подключите проверяемый объект к разъему (1,2,3) и нажмите кнопку «Тест». Тестер покажет измеренные показания и через 10 сек. перейдет в режим ожидания, это сделано для экономии заряда аккумулятора.Батарея используется напряжением 9В типа «Крона».

Тестирование симистора

Тестирование диодов

Тестирование светодиодов

Тестирование двух диодов

Испытания полевого МОП-транзистора

Тестирование транзисторов NPN

AVR Semiconductor, R, L, C, ESR, FRQ и т.д. 🙂 ТЕСТЕР на микроконтроллерах ATmega

В этом разделе представляю вашему вниманию устройство — тестер полупроводников, измеритель емкости конденсаторов и сопротивления резисторов, одним словом, очень полезная вещь 🙂 Описание этого измерительного прибора взято из статьи Маркузе Фрейека и Карла-Хайнца Кюббелера выложил на свои сайт.Это устройство было разработано ими еще в 2009 году и сейчас не дает покоя всем радиолюбителям. Схема претерпела незначительные изменения, пока авторами и другими программистами выпущено множество версий прошивок для микроконтроллеров (МК) серий ATmega8, ATmega48, ATmega168, ATmega328 (распиновка всех этих МК одинакова, поэтому нет необходимо внести изменения в топологию печатной платы). Я не специалист в области радиоэлектроники и не программист, я обычный радиолюбитель-самоучка, поэтому буду излагать информацию так, как я ее воспринимаю. Я сначала тоже подумал, что это китайская разработка 🙂 — всякие китайские интернет-магазины кишат наборами и готовыми тестерами, но оказалось, что все не совсем так. Вдобавок нашел чешский клон этого тестера. Мне это было интересно и я попробовал варианты тестеров на (MK) серии ATmega8 (два варианта прошивки) и ATmega328. Этот тестер не измеряет конденсаторы емкостью менее 25 пФ и индуктивностью менее 0,01 мГн (индуктивность и ESR измеряются только тестером на ATmega168 и ATmega328).Но меня, как радиолюбителя, интересуют только «маленькие» емкости и индуктивности, так как часто приходится выбирать именно их. Кроме того, как заявляют авторы, точность измерения индуктивности и емкости невысока — это так: (Кроме того, прибор на ATmega328 может измерять частоту и напряжение, работать как генератор, а также работать в режиме циклического измерения — без необходимости постоянно нажимать кнопку «ТЕСТ». Насколько я понимаю, этот прибор — золотая середина между дорогими специализированными промышленными измерительными приборами и дешевыми китайскими мультиметрами, которыми завалены все рынки, и аналоговыми самоделками.Но, как показывает практика, одного устройства мало. Мне достаточно двух устройств: тестера на базе ATmega8 для определения полупроводниковых компонентов, измерения сопротивления резисторов и примерной емкости конденсаторов, так как он не измеряет правильно конденсаторы с большой емкостью; Тестер R / L / C / ESR на PIC16F690, описание которого я выложил, для точного измерения емкостей различных конденсаторов, катушек индуктивности, ESR (ESR) и тангенса угла диэлектрических потерь диэлектрика электролитических конденсаторов.Конечно, у меня на полке еще есть несколько мультиметров для измерения напряжений, токов, целостности цепи и т. Д. Ну куда же без них :))) — чем больше приборов, тем лучше!

Учитывая вышесказанное, предлагаю вашему вниманию комплект для самостоятельной сборки тестера полупроводниковых приборов на МК ATmega8 и прошивки для МК в двух вариантах: вариант №1 и вариант №2 … Для программирования использую самый дешевый и самый распространенный программаторUSBasp, который можно купить ну просто везде :)… Запаковал архивы: драйверы Windows для программатора USBasp, файл прошивки * .hex FLASH, файл прошивки * .eep EEPROM, программа Kazarma для прошивки самого МК, предохранители для настройки МК и принципиальная схема с указанием необходимых доработок для этой версии прошивки. Никакой разницы в работе устройства при тактировании МК от внешнего кварца или от встроенного RC я не заметил. Отличие прошивки в визуальном отображении информации на дисплее (мне нравятся оба варианта).В прошивке №2 повышена точность измерения емкости конденсаторов. Тестер с высокой точностью определяет номера и названия выводов транзистора, тиристора, диода и т.д. Он будет очень полезен не только начинающему радиолюбителю. С помощью этого тестера очень удобно сортировать полупроводниковые элементы по параметрам, например, выбирать транзисторы по коэффициенту усиления. Те. это простой, но эффективный тестер для быстрой проверки, сортировки и распознавания большинства полупроводников — транзисторов, диодов, полевых транзисторов, МОП-транзисторов, двойных диодов, маломощных тиристоров, динисторов и т. д.Прибор удобен для определения параметров SMD компонентов; для этого в комплект входят соответствующие платки из стекловолокна с тремя пронумерованными участками. Позволяет измерять сопротивление резисторов и емкость конденсаторов. Все вышеперечисленное возможно для устройства на базе микроконтроллера ATmega8. На ЖК-дисплее мы сразу видим распиновку, тип и параметры, и не идем в интернет за даташитом, т.е. если у вас неизвестный SMD элемент с тремя ножки без маркировки, то с помощью этого прибора можно определить, что это — транзистор, диодная сборка и т. д.

Схема для прошивки # 1:

Схема для прошивки №2 (добавлен только один резистор, т.к. автор программно отключил подтягивающие резисторы в МК — больше ничего не меняйте!):

Характеристики устройства:

0. Обладая очень завидной функциональностью, тестер очень прост в сборке и не требует дефицитных деталей.

1.Автоматическое обнаружение транзисторов NPN и PNP, МОП-транзисторов с каналом N и P, диодов, двойных диодов, тиристоров, симисторов, резисторов и конденсаторов.

2. Автоматическое определение и отображение контактов тестируемого компонента.

3. Обнаружение и отображение защитного диода в транзисторах.

4. Определение коэффициента усиления и прямого напряжения база-эмиттер биполярных транзисторов.

5. Измерение порогового напряжения затвора и емкости затвора МОП-транзисторов.

6. Измерение прямого напряжения для простых диодов (светодиодов), а не для двойных диодов.

7. Измерение сопротивления резисторов — от 1 Ом до 50 МОм.

8. Измерение емкости конденсаторов — от 25 пФ до 100 мФ.

9. Отображение значений на текстовом ЖК-дисплее (2х16 знаков).

10. Продолжительность тестирования детали менее 2 секунд (за исключением больших конденсаторов).

11. Управление одной кнопкой и автоматическое отключение питания.

12. Энергопотребление в выключенном состоянии.

13. Проблемы с определением мощных тиристоров и симисторов, из-за того, что ток при измерении составляет 7 мА, что меньше тока удержания тиристора.

14. Проблемы с определением обычных полевых транзисторов, так как для большинства полевых транзисторов сток и исток при измерении мало или почти не отличаются, поэтому их можно не распознать, при тестировании полевых транзисторов неправильный обозначение стока и истока возможно, но, в принципе, тип транзистора в любом случае показан правильно.

15. Устройство может питаться от батареи «Крона» 9В или от адаптера питания постоянного тока 9-12В … Подсветка дисплея не включается при работе от батареи. При использовании адаптера переменного тока подсветка включена постоянно. Сетевой адаптер в комплект не входит, в комплекте только штекер.

ВИДЕО № 1 РАБОТА С ТЕСТЕРОМ ПОЛУПРОВОДНИКА

ВИДЕО №2 РАБОТЫ ТЕСТЕРА (повышенная точность и расширенные диапазоны измерений ПДУ)

ВИДЕО No.3 РАБОТЫ ТЕСТЕРА (в ideo от покупателя Андрея из Донецка, зайдите на его канал и найдите там много интересной и полезной информации)

Отображение тестируемых элементов на дисплее прибора:

— Транзисторы NPN — на дисплее «НПН»

— Транзисторы PNP — на дисплее «ПНП»

— МОП-транзистор с N-канальным обогащением — на дисплее «N-E-MOS»

— МОП-транзистор с P-каналом — на дисплее «П-Э-МОС»

— N-канальный MOSFET — на дисплее «Н-Д-МОС»

— МОП-транзистор с истощенным P-каналом — на дисплее «П-Д-МОС»

— N-канальный JFET — на дисплее «N-JFET»

— P-канальный JFET — на дисплее «P-JFET»

— Тиристоры — на дисплее «Тыристор»

— Симисторы — на дисплее «Симистор»

— Диоды — на дисплее «Диод»

— Диодные сборки со сдвоенным катодом и общим катодом — на дисплее «Двойной диод СК»

— Сдвоенные анодные диодные сборки с общим анодом — на дисплее «Двойной диод СА»

— Два диода, включенные последовательно — на дисплее «2 диода серии»

— Симметричные диоды — на дисплее «Диод симметричный»

— Резисторы — «Сопротивление»

— Конденсаторы — «Конденсатор»

Описание дополнительных параметров измерения:

— h31e — текущий прирост

— (1-2-3) — порядок подключаемых выводов элемента и, наоборот, их наименование

— Наличие элементов защиты — диод — «Диодный символ»

— Прямое напряжение — Uf мВ

— Напряжение размыкания (для MOSFET) — Вт мВ

— Емкость затвора (для MOSFET) — C нФ

Совсем забыл! Если вам нужна прошивка на другом языке, то вы можете найти ее в соответствующем архиве.Также есть альтернативные прошивки!

Стоимость печатной платы с маской и маркировкой: 65 грн.

Стоимость полного комплекта деталей для сборки тестера (включая плату, ЖК-дисплей (синий фон и белые символы), «прошитый» ATmega8 MK с прошивкой №2): 330 грн.

Стоимость собранной платы тестера на ATmega8: 365 грн

Инструкцию к комплекту с кратким описанием и списком деталей, входящих в комплект можно увидеть

Для заказа обращайтесь по телефону , как показано на схеме:

Результатом будет устройство, описание которого можно найти :).В архиве с прошивкой №3 есть все, что я описал выше, но с небольшой поправкой! Дело в том, что при программировании программы Kazarma без вопросов «закачивал» содержимое файлов FLASH и EEPROM в МК, но отказывался «заливать» предохранители. Может у меня руки кривые, а может что-то еще мне мешало. Поэтому я пошел другим путем. Скачал программу AVRDUDESS (она есть в архиве), с ее помощью мне удалось запрограммировать предохранители FLASH, EEPROM и MK. Скриншот настроек предохранителей в архиве. В инструкции к тестеру все подробно описано! Отмечу только, что в этой версии есть возможность автокалибровки устройства.

Всем удачи, мира, добра, 73!

Усилитель мощности ЗЧ (улучшенный вариант). Старый добрый усилитель Брагина Брагин на импорт

Предлагаемое вниманию читателей Усилитель мощности ЗЧ (УМП) имеет низкий коэффициент гармоник при относительно простой графике, способен выдерживать кратковременное короткое замыкание нагрузки и не требует термостабилизации продолжающегося тока оконечные каскадные транзисторы.

Основные технические характеристики

Номинальная (максимальная) мощность на нагрузке сопротивлением 4 Ом, Вт. . 60 (80)

Диапазон номинальных частот, Гц. . . 20 … 20 000

Коэффициент гармоник при номинальной выходной мощности в номинальном частотном диапазоне,% . . . 0,03

Номинальное входное напряжение, В … 0,775

Выходное сопротивление в номинальном диапазоне частот, ОМ, не более. . . 0,08

Скорость увеличения выходного напряжения (без конденсатора С2), В / мкс.. . 40.

Принципиальная схема усилителя представлена на рис.1. Основное повышение напряжения обеспечивает каскад на быстродействующем DA1. Передний каскад собран на транзисторах VT1-VT4. Выход эмиттерного повторителя выполнен на транзисторах VT5, VT6, работающих в режиме В.

При разработке усилителя особое внимание было уделено первоочередности. Для уменьшения нелинейных искажений был выбран режим AB с относительно большим током покоя (около 20 мА). Температурная стабильность достигается включением в коллекторные цепи транзисторов VT3, VT4 резисторов относительно большого сопротивления R19, R20.Однако из-за отсутствия 100% ЭВМ в переднем каскаде при изменении его температурного режима ток покоя возможен в пределах 15 … 25 мА, что вполне допустимо, так как не нарушает надежность работы каскада. усилитель в целом. Для компенсации возможной нестабильности напряжения база — эмиттер транзисторов VT1, VT2 при изменении температуры в их базовых цепях включены диоды VD3-VD5. Каждое плечо переднего каскада охвачено телефонной цепью глубиной не менее 20 дБ.Напряжение ОЭ снимается с коллекторных нагрузок транзисторов VT3, VT4 и через делители R11R14 и R12R15 поступает на эмиттерные цепи транзисторов VT1, VT2. Частотную коррекцию и стабильность по схеме ООС обеспечивают конденсаторы С10, С11. Резисторы R13, R16 и R19, R20 ограничивают максимальные токи переднего и оконечного каскадов усилителя при коротком замыкании нагрузки. При любых перегрузках максимальный ток транзисторов VT5, VT6 не превышает 3.5 … 4 А, и в этом случае они не перегреваются, так как предохранители FU1 и FU2 перегорели и отключают питание усилителя.

Диод VD6, включенный между базами транзисторов VT5, VT6 снижает искажения типа «Step». Падающее на него напряжение (около 0,75 В) сужает интервал напряжений на эмиттерных переходах транзисторов, в которых они закрыты. Тем самым обеспечивая их открытие с меньшей амплитудой сигнала и одновременно надежное закрытие при его отсутствии.При слабых сигналах текущий каскадный поток протекает через резистор R21. К выходу оконечного каскада подключен фильтр конечной частоты L1, C14 и R23, который снижает амплитуду резких всплесков сигнала (длительностью около 1 мкс) в момент переключения транзисторов выходного каскада и устраняет колебательные процессы. в выходном каскаде. Заметного влияния на скорость увеличения выходного сигнала не оказывает фильтр.

Уменьшение коэффициента гармоник достигается за счет введения глубокого (не менее 70 дБ) полного ООС, напряжение которого снимается с выхода усилителя и через делитель C3-C5, R3 и R4 подается на инвертирующий вход OU DA1.Конденсатор C5 регулирует усилитель ACH по цепи OOS.

Жесткая стабилизация постоянного выходного напряжения на уровне не более ± 20 мВ достигается за счет использования 100% ООС в усилителе постоянного тока. Чтобы снизить это напряжение до ± 1 мВ и менее, он должен быть сбалансирован DA1. Подключив к соответствующему выводу (в зависимости от знака напряжения) резистор R24 или R25 сопротивлением 200 … 820 кОм.

Схема R1C1, включенная на входе усилителя, ограничивает его полосу пропускания 160 кГц.Максимально возможная линеаризация УМЗ АКН в диапазоне 10 … 200 Гц достигается соответствующим выбором емкости конденсаторов С1, С3 и С4.

Усилитель может питаться как от стабильных, так и от нестабилизированных источников питания, а его работоспособность поддерживается за счет снижения питающих напряжений до ± 25 В (разумеется, с соответствующим уменьшением выходной мощности). При использовании стабилизированного источника питания необходимо учитывать возможность больших (до 10 В) пульсаций на выходе больших (до 10 В) пульсаций с частотой сигнала расширения сигнала на мощность близка к номинальной.

Усилитель собран на плате из фольгированного стекловолокна толщиной 2 мм, подключенной к внешним цепям разъема MRN32-1. Транзисторы VT3, VT4 снабжены радиаторами (рис. 2), гнутыми из листового алюминиевого сплава толщиной 1 мм и установленными на плате. Транзисторы оконечного каскада VT5, VT6 закреплены снаружи платы на радиаторах с площадью теплоносителя по 400 см2 каждый. В усилителе применены резисторы МЛТ, Конденсаторы К73-17 (С1), Км (С2, С8-С11), К53-1 (С3, С4, С6, С7), КД (С5), МБМ (С14) и К73-16В ( C12, C13).Катушка L1 намотана проводом ПЭВ-2 0,8 в три слоя на корпусе резистора R22 (МТ-1) и содержит 40 витков.

Вместо схемы, указанной в схеме, можно использовать ОУ К574УД1А, К574УД1В и транзисторы таких же типов, но с индексами g, d (VT1, VT2) и в (VT3-VT6).

Усилитель, собранный из хороших деталей, почти не требует наладки. Как уже было сказано выше, ток покоящихся транзисторов VT3, VT4 устанавливается необходимым подбором резистора R6, а минимальное постоянное давление На выходе усилителя — резистором R24 или R25.

Коэффициент гармоник был измерен в полосе 20 000 Гц с помощью метода компенсации. Первый выброс выходного напряжения (при отключенном конденсаторе С2) не превышал 3%, что свидетельствует о хорошей стабильности усилителя.

При импорте:

Журнал «Радио» 4/87, Брагин, Чапаевск, Куйбышевская область.

Предлагаемый УМП (рис. 1) построен на базе операционного усилителя КР544УД2.

Питание операционного усилителя DA1 осуществляется через транзисторы VT1 и T2, которые снижают напряжения питания до значений, определяемых делителями R3, R4 и R5, R6. Напряжение смещения транзисторов ѵtz, ѵt4 определяется падением напряжения на резисторах R8, R9. При необходимости DA1 можно сбалансировать с помощью делителя R14, R15.

Рис. 1. Схема УМЗ

Ток покоящихся транзисторов ѵtz, ѵT4 определяет напряжение смещения на резисторах R11, R12 (0,35 … 0,4 В), который при низких уровнях сигналов поддерживает транзисторы VT5, VT6 в закрытом состоянии даже при увеличении напряжения питания на 10… 15% или перегреве на 60… 80 °. Резисторы R11, R12 одновременно стабилизируют режим работы предвиткового каскада tz, ѵt4, создавая для тока локальные отрицательные фидеры (ООС). Суммарное напряжение OE формируется делителем R7, R10.

Основные параметры УМЗ

Фильтры низких частот R2, C2 и R13, C7 с частотами среза в области 60 кГц предотвращают самовозбуждение усилителя на высоких частотах.Конденсаторы C5, Sat Correction Фазово-частотная характеристика линейного и оконечного каскадов. Катушка L1 повышает устойчивость усилителя при работе с нагрузкой с повышенной реактивностью.

Сборка и монтаж

При сборке конструкции нужно использовать паяльник с хорошей изоляцией и мощностью не более 40 Вт. Чертеж печатной платы показан на рис. 2, а сборочный чертеж — на рис. 3.

Порядок сборки Далее: перемычка S1, резисторы, конденсаторы, катушка L1, операционный усилитель (DA1), транзисторы ѵT1… T4, после предварительной настройки — транзисторы 5T5, ѵT6. Бескаркасная катушка L1 содержит 10 витков любого медного обмоточного провода диаметром 1 … 2 мм. Его наматывают на временную оправку диаметром 4 … 6 мм, например на тонкую шариковую ручку или карандаш.

Рис. 2. Печатный платеж

Рис. 3. Сборочный чертеж

Для минимизации нелинейных искажений транзисторы VT3 … VT6 необходимо подключать к pCB Explorer длиной не более 50 мм.Оптимальная конструкция УМР показана на рис. 3. С помощью двух частей плата прикручивается к радиатору, а транзисторы продаются прямо в плату. Удобнее всего это делать в следующей последовательности:

Следите за радиатором, просверлите необходимые отверстия и нарежьте в них резьбу M3. Конструкция водонагревателя может быть произвольной, однако площадь его поверхности для максимальной выходной мощности 60 Вт должна быть не менее 500 см2;

Винт крепления платы к радиатору;

Установите транзисторы tz, t4 в соответствующие отверстия на плате, затем притащите их к радиатору, а затем припаяйте;

После предварительной настройки аналогичен транзисторам t5, t6;

После этого припаиваем провода для подключения питания и нагрузки сечением не менее 0.5 мм2.

Корректировка

Для настройки усилителя необходимы осциллограф, низкочастотный генератор, тестер, эквивалент нагрузки и биполярный блок питания с выходным напряжением ± 30 В при токе нагрузки не менее 4 А.

Высокая стабильность умзч позволяет питать его от простейшего нестабильного источника питания. Питание усилителя при его настройке и работе осуществляется через предохранители на 5 А. Настройка начинается с отключенных транзисторов ѵT5, ѵT6 и входа короткого замыкания (точки 1 и 2 соединены).

Подключите осциллограф в осциллографе максимальной чувствительности к выходу без нагрузки и ненадолго включите питание. Если на выходе нет переменного напряжения, т.е. усилитель не возбуждается, измерить режимы работы ѵtz, ѵt4; Напряжения на выходах 7 и 4 DA1. Они должны быть в пределах 13,4 … 14 В и отличаться между собой не более чем на 0,3 В. Падения напряжения на резисторах R11, R12 должны быть в пределах 0,35 … 0,4 В. Если они отличаются более чем на 10%, необходимо выбираем резисторы R8, R9.При этом их новые значения по-прежнему должны быть примерно равны друг другу.

В случае самовозбуждения усилителя необходимо увеличить емкость конденсаторов С5, Сат, либо, обрезав дорожку, соединяющую выводы 1 и 8 DA1, упасть на них конденсатор СД-5 емкостью 5 … 10 пф.

Измерьте постоянное напряжение на выходе и, если оно превышает 30 мВ, удалите DA1. Для этого у нас есть переменный резистор сопротивлением 100… 200 кОм вместо резисторов R14 и R15 (средний вывод до точки их соединения с выводом 7 DA1). Вращением оси этого резистора добиваются нужного значения выходного напряжения, измеряют полученные значения сопротивления и соответствующие постоянные резисторы R14 и R15. Нежелательно использовать в качестве балансировочного подстроечного резистора — из-за старения этого резистора возможен выход из строя балансировки усилителя в процессе его работы.

Установить на радиатор и на ТРАНЗИСТОР ТРАНЗИСТОР VT6.Кратко подавая блюда, убедитесь, что умзч не возбужден.

Подключить к выходу урч резистора сопротивлением 16 Ом мощностью 10 … 15 Вт, и подать с генератора на вход (точки 1 и 2 отключения) сигнал с уровнем 0,05 по частоте. 1 кГц. Постепенно увеличивая уровень входного сигнала до 1,0 В, проверьте симметрию ограничения обоих полукровок синусоид.

При необходимости, конечной балансировкой DA1 добиться минимального постоянного напряжения на выходе OMPC.

Подключите резистор номинальной нагрузки сопротивлением 4 … 8 Ом мощностью не менее 50 Вт (например, розница) — и еще раз замерьте основные характеристики УМР.

После окончательной настройки подключите источник музыкального сигнала и настоящую акустическую систему.

Для работы усилителя мощности от источников сигнала со стандартным линейным выходом 250 мВ (магнитофон, проигрыватель и т. Д.) Следует использовать предварительный усилитель с возможностью регулировки громкости и тембра.

Если входной сигнал собран по схеме с однополярным питанием При включении усилителя могут быть занесены щелчки в акустических системах. Для устранения этого явления можно собрать схему задержки подключения акустической системы и защиты динамиков от короткого замыкания, например, по схемам, приведенным в.

Литература:

Радио, 1990, №8, с.63.
Радио, 1991, №1, с.59.
Радио, 1992, №4, с.37.

Страница 2 из 2

Версия усилителя Брагина (переделан входной стабилизатор мощности и ОУ заменены на выходные транзисторы) прислал Василий

Пакет выкройки с расположением деталей, размер платы 140х101мм.

Описание:

Итак, пломба новая. Разработана штатная печать, самая удачная. Стрикстолит 1,5мм, стандартный, односторонний. Сектор спроектирован и рассчитан на установку постоянных резисторов МЛТ (СЧ, КФ и др.), Мощность не подписана 0,25Вт. R37, R38 типа SQP (лучше купить заводской, чем мучиться самоделкой). Конденсаторы полипропиленовые пленочные (С1 — К78-2, С10.11 — К78-31). С3,12,13 — Керамика (НПО), остальные К73 (подходят по размеру С4, С5). OU можно заменить на LF411 и тому подобное.Родной по схеме К574 не рекомендуется, из-за риска потери устойчивости. Резисторы желательно брать с допуском не более 5%, чтобы не сломать балки плеч. R11-R15 Отмычка с допуском 1%.

Транзисторы попарно подобраны по коэффициенту усиления (H FE, H 21). Особенно внимательно нужно подбирать транзисторы первой ступени, т.к. он определяет смещение. На приставку можно поставить пару Hitachi 2SB649 и 2SD669 как VT7 и VT8 соответственно.VT5 и VT6 следует поменять на более высокую частоту.

И естественно установка:
Перед включением надо проверить возможные ошибки, а это капли олова между дорожками, unpains, некорректные детали (бывает, что резисторы путаются). После тщательной проверки усилитель подключается к БП через мощные резисторы (минимум 2 Вт), Ом на 20. Не забываем о контрольных точках предохранителей (проверяется напряжение, указанное на схеме земли и возрастность рифленых деталей.Также оценил нагрев резисторов питания, если они очень горячие, значит где-то коротит или очень длительный ток покоя.

Ток покоя (закрыт вход в землю):

Выбор диодов, это самый главный момент. Стоит выбирать диоды с минимальным прямым сопротивлением. Чем меньше, тем меньше ток покоя и проще его настроить.
После выбора диодов необходимо установить ток покоя R13, уменьшать его не нужно.1.5ком уже дает шику около 70мА.
Еще можно изменить выбор R27, R28. Но несущественно, нужно поменять номинал, например, два раза. Рядом не стоит.

Затем сигнал подключается ко входу и проверяется работоспособность усилителя и наличие на выходе сигнала, не указанного в списке (никакие требования мощности не отключены!). Если все нормально, проверил на нагрузке. При хороших деталях и аккуратном монтаже усилитель сразу начинает работать, требуется только ограничение тока в резервуаре.Но излишняя осторожность не помешает.

Для более экологичной работы советую применять радиаторы больших размеров, чтобы они выдерживали нагрев транзисторов. Изначально ток покоя должен быть около 200 мА, но благодаря специальным приемам, описанным выше, его можно выставить в довольно широких пределах. Главное — не перегружать комплектующие. В моем усилителе применены игольчатые радиаторы -110, 1100см кв. на канале.

Земля соединена с точкой между C19 и C20.Дрова из динамиков впаяны в ту же точку.

Для питания этого стереоксилтера используется трансформатор ТС-180-2 от лампового телевизора. Желательно поставить трансформатор тороидальный, он дает меньше подачи и имеет больший КПД. Зато ТК прост в плане доставки и перемотки катушек, т.к. его сердечник легко разбирается. Можно применить более мосперы, например TS-270,
. Усилитель получит больше свободы в плане мощности. Также рекомендуется увеличить конденсаторы фильтра BP (C19, C20), если требуются мощные и правильные низкие частоты.

Ответы на вопросы будут пополняться по мере поступления ..

Предлагаемые к вниманию радиоусилители Усилитель ВК имеет очень низкие коэффициенты гармонических и интермодуляционных искажений, он относительно прост, способен выдерживать кратковременное короткое замыкание в нагрузке, не требует выносных элементов теплового стабилизация токового выхода каскадных транзисторов.

Основные характеристики:
Максимальная мощность при сопротивлении 4-й нагрузки, Вт 80
Максимальная мощность на нагрузке с сопротивлением 8 Ом, Вт 45
Номинальное входное напряжение UMPs, при 0.8
Входное сопротивление com 100 … 120
Относительный уровень шума дБ не более -90
Номинальный диапазон частот, Гц 20 … 20 000
Коэффициент гармоник при максимальной выходной мощности 80 Вт,%, на частоте:
1 кГц 0,002.
20 кГц 0,004.
Коэффициент интермодуляционных искажений,% 0,0015
Максимальная частота, на которой максимальная мощность снижается на 1 дБ, кГц 50
Скорость увеличения выходного напряжения (без конденсатора С2), В / мкс 40

Концепция усилителя показана на рис.1. Изменения коснулись выходного каскада. Для увеличения входного сопротивления VT1 в усилитель VT2 ввели транзисторы VT2. Это облегчило работу ОУ DA1 и позволило обеспечить стабильное напряжение транзистора-эмиттера VT3, VT4 при изменении температуры. Кроме того, усилитель дополнен каскадом на транзисторах VT5, VT6, который вместе с датчиками тока R33, R34 и выходными каскадами на транзисторах VT7-VT10 образуют два генератора тока, что исключает разрез -отключает эмиттерный ток оконечных каскадных транзисторов и снижает коммутационные искажения.Последнее, как известно, благоприятно сказывается на спектре гармоник.

В дополнение к этим изменениям, более глубокий локальный OOS был введен в каждое плечо выходного каскада из-за увеличения сопротивления резисторов в эмиттерных цепях транзисторов VT3, VT4, что сделало выходной каскад более линейным. Поскольку резисторы R20, R21 подключены к датчикам тока R33, R34, получается достаточно жесткая термостабилизация продолжающегося тока транзисторов оконечного каскада (при колебаниях температуры радиаторов выходных транзисторов от 20 до 90 ° С, ток покоя изменяется в пределах 150… 180 мА). Наличие в базовых схемах транзисторов VT9, VT10 датчиков тока R33, R34, сильноточных постоянных и токоограничивающих резисторов приводит к ограничению их коллекторных токов до допустимого значения при коротких замыканиях в нагрузке.

Резистор R14 устанавливается симметрией плеча выходного каскада. Других изменений в усилителе не было.

Нелинейные искажения были измерены осциллографом С1-68 с использованием генератора сигналов GZ-118 ZC-118 (кг примерно 0.002%) и прецизионный двойной Т-образный мост, входящий в состав генераторной установки. Измерения проводились по методике, описанной в статье Ю. Митрофанова «Экономичный режим А в усилителе мощности» (см. Радио, 1986, № 5, с. 40-43).

Коэффициент интермодуляционных искажений измерялся согласно рекомендациям, приведенным в статье В. Костина «Психоакустические критерии качества звука и выбор параметров UMR» (см. «Радио», 1987, № 12, с. 40-43), используя измерительную установку, показанную на рис.2. Здесь изображена полная схема измерения.
Рис. 2.

При тестировании усилителя наблюдался сигнал эмиссии импульсного выходного напряжения.

Об усилителе мощности.

При тестировании автор использовал нестабилизированный источник питания с фильтрующими конденсаторами емкостью 10 000 мкФ (50В). Отмечено заметное улучшение технических характеристик при питании из стабилизированного источника. При работе допустимо снижение питающего напряжения до +20 и -20 В, естественно, при соответствующем подборе резисторов R12, R16 (ток через стабилизаторы VD1, VD2 должен быть в пределах 10… 12 мА). Максимальная выходная мощность При этих силовых нагрузках она будет снижена примерно до 12 … 13 Вт. Быстрые скачки напряжения питания, превышающие значения, указанные в статье (+35 и -35 c), не рекомендуется, так как это приведет к значительному снижению надежности работы УМР.

Данные — катушка L1.

Катушка L1 (индуктивность — 0,3 мкГн) намотана на корпусе резистора R35 (МЛТ-2) и содержит 12 витков провода ПАЛ 0,8 мм.

Детали замены.

Без ухудшения технических характеристик УМР возможна замена транзисторов CT3107A (VT1, VT6) на КТ502Б — КТ502Е; CT3102A (VT2, VT5) — на КТ503В — КТ503Е; CT639D (VT7) и CT961A (VT8) — соответственно на KT626B, CT626B и CT646A, KT646B; CT819GM (VT9) и KT818GM (VT10) — соответственно на KT819V, KT819G и KT818V, KT818g. Транзистор СТ3102А (VT3) можно заменить на КТ3102Б, а КТ3107А (VT4) — на КТ3107Б. Вместо К574УД1Б можно применить К574УД1А.Заменой диодов КД105 (VD3, VD4) могут служить любые диоды серий D220, D223, KD522 и др.

При понижении напряжения питания вместо транзисторов с позиционным обозначением VT1-VT6 можно применить CT315V — KT315D и CT361B — KT361D. В случае использования в оконечном каскаде транзисторов в корпусах платформы (серия CT818, KT819) между их теплопроводными пластинами и радиаторами необходимо разместить медные площадки диаметром 30 и толщиной 0 мкм.5 … 0,8 мм, смазанная теплопроводной пастой.

Транзисторы VT7 и VT8 необходимо устанавливать на радиаторах с охлаждающей поверхностью не менее 40 см2.

Детали усилителя (за исключением транзисторов VT9, VT10 и предохранителей FU1, FU2) смонтированы на печатной плате (см. Рис.3), выполненной из фольгированного каскада толщиной 1,5 мм. Плата предназначена для установки постоянных резисторов МЛТ, обрезных СП3-38А, Конденсаторов К53-1 (С3, С4, С6, С7), К50-6 (С13, С16), КД-1 (С5), К73- 11 (C12, C15) и км (другие).Емкость разделительных конденсаторов Конденсатор (также Км), шунтирующих стабилизаторов VD1, VD2, — 0,1 мкФ. Резисторы R33 и R34 изготовлены из отрезков нихромовой проволоки диаметром 0,8 мм. Для подключения к оконечному каскаду транзисторов и источника питания использован разъем МРН-32.
Радио № 12 1990

Предложение читателей Усилитель мощности ЗЧ (УМР) имеет низкий коэффициент гармоник с относительно простым схемным решением.

Способен выдерживать кратковременное короткое замыкание нагрузки и не требует термостабилизации целостности оконечных транзисторов каскада.

Основные технические характеристики

Номинальная мощность на нагрузке сопротивлением 4 Ом: 60 Вт

Максимальная мощность на нагрузке сопротивлением 4 Ом: 80 Вт

Номинальный диапазон частот: 20 — 20000 Гц

Коэффициент гармоник при номинальной выходной мощности в номинальном частотном диапазоне: 0,03%

Номинальное входное напряжение: 0,775 В

Выходное сопротивление в номинальном частотном диапазоне: не более 0,08 Ом

Скорость увеличения выходного напряжения (без конденсатора C2): 40 В / мкс

Показана принципиальная схема усилителя

Основное повышение напряжения обеспечивает каскад на быстродействующем DA1. Передний каскад собран на транзисторах VT1-VT4. Выход эмиттерного повторителя выполнен на транзисторах VT5, VT6, работающих в режиме В.

При разработке усилителя особое внимание было уделено первоочередности. Для уменьшения нелинейных искажений был выбран режим AB с относительно большим током покоя (около 20 мА). Температурная стабильность достигается включением в коллекторные цепи транзисторов VT3, VT4 резисторов относительно большого сопротивления R19, R20.Однако из-за отсутствия 100% ЭВМ в переднем каскаде при изменении его температурного режима ток покоя возможен в пределах 15 … 25 мА, что вполне допустимо, так как не нарушает надежность работы каскада. усилитель в целом. Для компенсации возможной нестабильности напряжения база — эмиттер транзисторов VT1, VT2 при изменении температуры в их базовых цепях включены диоды VD3-VD5. Каждое плечо переднего каскада охвачено телефонной цепью не менее 20 дБ.Напряжение ОЭ снимается с коллекторных нагрузок транзисторов VT3, VT4 и через делители R11R14 и R12R15 поступает на эмиттерные цепи транзисторов VT1, VT2. Частотную коррекцию и стабильность по схеме ООС обеспечивают конденсаторы С10, С11. Резисторы R13, R16 и R19, R20 ограничивают максимальные токи бокового и оконечного каскада усилителя при коротком замыкании нагрузки. При любых перегрузках максимальный ток транзисторов VT5, VT6 не превышает 3,5 … 4 А, и в этом случае они не перегреваются, так как предохранители FU1 и FU2 задыхаются и отключают питание усилителя.

Диод VD6, включенный между базами транзисторов VT5, VT6 снижает искажения типа «Step». Падающее на него напряжение (около 0,75 В) сужает интервал напряжений на эмиттерных переходах транзисторов, в которых они закрыты. Тем самым обеспечивая их открытие с меньшей амплитудой сигнала и одновременно надежное закрытие при его отсутствии. При слабых сигналах текущий каскадный поток протекает через резистор R21. К выходу оконечного каскада подключен фильтр конечной частоты L1, C14 и R23, который снижает амплитуду резких всплесков сигнала (длительностью около 1 мкс) в момент переключения транзисторов выходного каскада и устраняет колебательные процессы. в выходном каскаде.Заметного влияния на скорость увеличения выходного сигнала не оказывает фильтр.

Уменьшение коэффициента гармоник достигается за счет введения глубокого (не менее 70 дБ) полного ООС, напряжение которого снимается с выхода усилителя и через делитель C3-C5, R3 и R4 подается на инвертирующий вход OU DA1. Конденсатор C5 регулирует усилитель ACH по цепи OOS.

Жесткая стабилизация постоянного выходного напряжения на уровне не более ± 20 мВ достигается за счет использования 100% DCO в усилителе.Чтобы снизить это напряжение до ± 1 мВ и менее, он должен быть сбалансирован DA1. Подключив к соответствующему выводу (в зависимости от знака напряжения) резистор R24 или R25 сопротивлением 200 … 820 кОм.

Схема R1C1, включенная на входе усилителя, ограничивает его полосу пропускания 160 кГц. Максимально возможная линеаризация УМЗ АКН в диапазоне 10 … 200 Гц достигается соответствующим выбором емкости конденсаторов С1, С3 и С4.

Усилитель может питаться как от стабильных, так и от нестабилизированных источников питания, а его работоспособность поддерживается за счет снижения питающих напряжений до ± 25 В (разумеется, с соответствующим уменьшением выходной мощности).При использовании стабилизированного источника питания необходимо учитывать возможность больших (до 10 В) пульсаций на выходе больших (до 10 В) пульсаций с частотой сигнала расширения сигнала на мощность близка к номинальной.

Усилитель собран на плате из фольгированного стекловолокна толщиной 2 мм.

Транзисторы VT3, VT4 снабжены радиаторами, гнутыми из листового алюминиевого сплава толщиной 1 мм, и установлены на плате.Транзисторы оконечного каскада VT5, VT6 закреплены снаружи платы на радиаторах с площадью теплоносителя по 400 см2 каждый. В усилителе применены резисторы МЛТ, Конденсаторы К73-17 (С1), Км (С2, С8-С11), К53-1 (С3, С4, С6, С7), КД (С5), МБМ (С14) и К73-16В ( C12, C13). Катушка L1 намотана проводом ПЭВ-2 0,8 в три слоя на корпусе резистора R22 (МТ-1) и содержит 40 витков.

Усилитель, собранный из хороших деталей, почти не требует наладки. Как уже говорилось выше, в резервуаре транзисторов VT3, VT4 устанавливается при необходимости подбором резистора R6, а минимальное постоянное напряжение на выходе усилителя — резистором R24 или R25.

Транзисторы выходного дня размещены на индивидуальных радиаторах

Вариант на иностранные реквизиты

Трансформатор бесшумности на 200Вт

Индикатор выходной мощности выполнен на специализированной микросхеме К161ПП1А.

Блок защиты громкоговорителя выполнен по схеме Бриг УЦУ.

Петля отрицательной обратной связи, опосредованная малой РНК, контролирует динамику восприятия кворума у Vibrio harveyi

% PDF-1.2 % 1 0 объект > эндобдж 5 0 obj > эндобдж 2 0 obj > ручей uuid: 30ad88b9-9a8e-11dd-893b-00145117260euuid: 0E62037A-CFB4-22C7-67AB-3F1C184549D82009-02-04T20: 12: 08Z: 2009-02-04T20: 12: 08Z: XyEnterprise XPP 8.0C.1 Patch # 32008-10-15T15: 02: 27 + 08: 00PDFlib PLOP 3.0 (.NET / Win32) / Acrobat Distiller 7.0.5 (Windows) application / pdf

Петля отрицательной обратной связи, опосредованная малой РНК, контролирует кворум -чувство динамики в Vibrio harveyi

конечный поток эндобдж 3 0 obj > эндобдж 4 0 obj > эндобдж 6 0 obj > эндобдж 7 0 объект > эндобдж 8 0 объект > эндобдж 9 0 объект > эндобдж 10 0 obj > эндобдж 11 0 объект > эндобдж 12 0 объект > / XObject> >> / Аннотации [33 0 R 34 0 R 35 0 R] / Родитель 8 0 R / MediaBox [0 0 595 842] >> эндобдж 13 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text] / ExtGState> >> / CropBox [0 0 595.276 782,362] / MediaBox [0 0 595.276 782.362] / Аннотации [50 0 R 51 0 R] / Родитель 8 0 R / Содержание [52 0 R 53 0 R 54 0 R 55 0 R 56 0 R 57 0 R 58 0 R 59 0 R] / Большой палец 60 0 R >> эндобдж 14 0 объект > / Шрифт> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / Свойства> / ExtGState> >> / CropBox [0 0 595.276 782.362] / MediaBox [0 0 595.276 782.362] / Родитель 8 0 R / Содержание 66 0 руб. / Большой палец 67 0 R >> эндобдж 15 0 объект > / Шрифт> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / Свойства> / ExtGState> >> / CropBox [0 0 595.276 782,362] / MediaBox [0 0 595.276 782.362] / Родитель 8 0 R / Содержание 70 0 руб. / Большой палец 71 0 R >> эндобдж 16 0 объект > / Шрифт> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / Свойства> / ExtGState> >> / CropBox [0 0 595.276 782.362] / MediaBox [0 0 595.276 782.362] / Родитель 8 0 R / Содержание 74 0 руб. / Большой палец 75 0 R >> эндобдж 17 0 объект > / Шрифт> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / Свойства> / ExtGState> >> / CropBox [0 0 595.276 782.362] / MediaBox [0 0 595.276 782.362] / Родитель 8 0 R / Содержание 78 0 руб. / Большой палец 79 0 R >> эндобдж 18 0 объект > / Шрифт> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB / ImageC] / Свойства> / ExtGState> >> / CropBox [0 0 595.276 782,362] / MediaBox [0 0 595.276 782.362] / Родитель 8 0 R / Содержание 84 0 руб. / Большой палец 85 0 R >> эндобдж 19 0 объект > / Шрифт> / ProcSet [/ PDF / Text / ImageB] / Свойства> / ExtGState> >> / CropBox [0 0 595.276 782.362] / MediaBox [0 0 595.276 782.362] / Родитель 8 0 R / Содержание 90 0 руб. / Большой палец 91 0 R >> эндобдж 20 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text] / ExtGState> >> / CropBox [0 0 595.276 782.362] / MediaBox [0 0 595.276 782.362] / Родитель 8 0 R / Содержание 92 0 руб. / Большой палец 93 0 R >> эндобдж 21 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text] / ExtGState> >> / CropBox [0 0 595.276 782,362] / MediaBox [0 0 595.276 782.362] / Родитель 8 0 R / Содержание 94 0 руб. / Большой палец 95 0 R >> эндобдж 22 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text] / ExtGState> >> / CropBox [0 0 595.276 782.362] / MediaBox [0 0 595.276 782.362] / Родитель 8 0 R / Содержание 96 0 руб. / Большой палец 97 0 R >> эндобдж 23 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text] / ExtGState> >> / CropBox [0 0 595.276 782.362] / MediaBox [0 0 595.276 782.362] / Родитель 9 0 R / Содержание 98 0 руб. / Большой палец 99 0 R >> эндобдж 24 0 объект > / ProcSet [/ PDF / Text] / ExtGState> >> / CropBox [0 0 595.[k’LhY3) -KKƉh! $ 8n) ҽW

Capstone завершила предварительное технико-экономическое обоснование на этапе V расширения медно-золотого рудника Minto

ВАНКУВЕР, Британская Колумбия, 14 марта 2011 г. / PRNewswire / —

— Исследование продлевает срок службы рудника до 2020 года со среднегодовой добычей меди в размере 43 миллионов фунтов при средней денежной стоимости 1,34 доллара за фунт подлежащей оплате меди

Capstone Mining Corp. (CS: TSX) сегодня сообщила о результатах предварительного технико-экономического обоснования для фазы V расширения («Phase V PFS») своего высокосортного медно-золотого рудника Minto на Юконе.В этом исследовании рекомендуется увеличить производительность мельницы до средней производительности 3750 тонн в день («т / сутки»), или 1,37 миллиона тонн в год, перерабатываемых на оптимизированной мельнице, с извлечением руды из новых минерализованных участков, открытых в 2009 г. 2010 год не учитывался в предыдущих исследованиях. Фаза V PFS нацелена на производство 400 миллионов фунтов меди в концентрате в течение 10-летнего срока службы рудника, начиная с января 2011 года. Новые месторождения, не учтенные в исследовании фазы IV, опубликованном в декабре 2009 года, послужили основой для начала PFS фазы V. .

«Эта фаза V PFS представляет собой еще одну важную веху в развитии шахты Минто», — сказал Даррен Пайлот, президент и главный исполнительный директор Capstone. «Фаза V PFS на руднике Минто успешно преобразовала недавние открытия новых полезных ископаемых в увеличение запасов полезных ископаемых, которые, как было показано, поддаются комбинированию открытых и подземных горных работ, что увеличит срок службы рудничного производства меди».

«Кроме того, в результате успешной разведки в 2009 и 2010 годах PFS фазы V представляет собой привлекательный вариант для еще большего увеличения добычи в будущем.Мы уже находимся на стадии планирования, чтобы кристаллизовать эту потенциальную дополнительную ценность, и в настоящее время ведется значительная разведочная кампания, сосредоточенная на недавних открытиях в Wildfire и Inferno и расширениях до Copper Keel. Мы ожидаем появления новых моделей минеральных ресурсов в 2011 году, которые, как мы ожидаем, будут стимулировать дальнейшую технико-экономическую оценку, необходимую для оценки будущих сценариев расширения или увеличения срока службы рудников. Начало подземной добычи во втором квартале 2011 года приведет к увеличению срока службы рудника, переработке руды с более высоким содержанием на более раннем этапе срока эксплуатации и дальнейшему улучшению с точки зрения охраны окружающей среды.«

Особенности

(Все суммы в канадских долларах, если не указано иное)

    - Чистая приведенная стоимость при постоянной цене на медь, не хеджируемую, в 2,75 доллара США за фунт.
      производство и ставка дисконтирования 7,5%, 284 миллиона долларов до налогообложения и
      206 миллионов долларов после уплаты налогов;

    - Доказанные и вероятные запасы полезных ископаемых в карьерах и подземных выработках
      увеличился до 12,9 млн тонн с содержанием меди 1,53%, золота 0,60 г / т,
      и 5,2 г / т серебра для содержания 435 миллионов фунтов меди,
      247000 унций золота и 2.2 миллиона унций серебра;

    - Срок службы рудника продлен до 2020 года в среднем на 43 миллиона фунтов стерлингов.
      производство меди в год с дополнительными возможностями роста
      определены, как обсуждается ниже;

    - Капитальные затраты на жизненный цикл рудника в размере 76,0 млн долларов США (без учета затрат на закрытие).
      резерва в размере 16 миллионов долларов США), в основном исходя из предположения о том, что
      переход на самостоятельный майнинг, решение о котором будет зависеть от
      анализ затрат и выгод по сравнению с контрактом на добычу полезных ископаемых; и

    - Денежные затраты при эксплуатации рудника в размере 1 доллара США.34 / фунт * подлежащей оплате меди после
      кредиты на побочные продукты (золото по цене 300 долларов США за унцию и серебро по цене 3,90 доллара США за унцию,
      по соглашению с Silver Wheaton).

* Это показатель эффективности, не относящийся к GAAP, и читатели должны обратиться к примечанию «Показатели эффективности без GAAP» в конце этого пресс-релиза для получения более подробной информации.

Фаза V PFS

Фаза V PFS была завершена SRK Consulting (Canada) Inc. («SRK»), которую наняла 100-процентная дочерняя компания Capstone, Minto Explorations Ltd.(«MintoEx»), чтобы детализировать новые оценки минеральных ресурсов и минеральных запасов для собственности Minto Mine, изучить возможности повышения мощности завода на основе увеличения запасов полезных ископаемых, разработать план нового жизненного цикла рудника («LOMP») с открытым карьером, а также подземная разработка и обновление сметы операционных и капитальных затрат. Подробности этой PFS представлены в техническом отчете, который будет отправлен в SEDAR в течение 45 дней.

Выполнена новая оценка минеральных ресурсов для Участка 2/118, Минто-Ист и Риджтоп на основе результатов разведочного бурения 2009 и 2010 годов.Оценка минеральных ресурсов Minto Main была обновлена, чтобы отразить изменения, связанные с добычей полезных ископаемых, в то время как оценка Minto North осталась неизменной. Новый LOMP был создан с использованием запасов полезных ископаемых, полученных из вышеуказанных оценок минеральных ресурсов, после принятия соответствующих экономических и технических соображений. Этот новый PFS включает подземные запасы полезных ископаемых и включает методологию захоронения хвостов в карьере.

PFS фазы V заменяет предыдущие исследования разработки, на которые больше не следует полагаться.

Оценка минеральных ресурсов

Совокупная оценка минеральных ресурсов, полученная для данной ЧТП Фазы V, показана в таблице ниже. Для получения дополнительной информации, включая вклад каждого месторождения в общие минеральные ресурсы, оценки минеральных ресурсов для различных бортовых содержаний, параметры, использованные для проведения оценки, и соответствующий национальный инструмент 43-101 («NI 43-101» ) раскрытие, читателям следует обратиться к техническому отчету.

Отчет о совокупных минеральных ресурсах на 0.Отсечка по меди 5% для месторождений Риджутоп, Минто-Майн, Минто-Север и Минто-Восток. (1)

        Класс Тонны Медь Золото Серебро Медь Золото Серебро
                 (000) (%) (г / т) (г / т) (тысячи (000 унций) (000 унций)
                                                  фунт)

    Измерено (M) 13,136 1,40 0,57 4,71 406,624 239 1989
    Указанные (I) 24,341 0,93 0,31 3,33 498917 240 2604
    M&I 37 476 1.10 0,40 3,82 905 540 479 4592
    Предполагаемый 5,955 0,83 0,25 2,82 107,879 48 540

    (1) Сумма может не совпадать из-за округления.

По мнению SRK, оценка минеральных ресурсов блочной модели и классификация минеральных ресурсов, представленные в настоящем документе, являются разумным представлением минеральных ресурсов на месторождениях Area2 / 118, Ridgetop, Minto North и Minto East на текущем уровне выборки. Минеральные ресурсы, представленные здесь, были оценены в соответствии с общепринятыми рекомендациями CIM «Оценка минеральных ресурсов и минеральных запасов передовой практики» и представлены в соответствии с NI 43-101 канадских администраторов ценных бумаг.Минеральные ресурсы не являются запасами полезных ископаемых и не продемонстрировали экономической целесообразности. В предварительном технико-экономическом обосновании, описанном в этом отчете, использовались только измеренные и выявленные минеральные ресурсы.

База данных, использованная для оценки месторождений Района 2/118 и Риджтоп, была проверена SRK, а границы минерализации были смоделированы SRK на основе литологических и структурных интерпретаций. NI 43-101 Квалифицированный специалист Garth Kirkham, P.Geo., Оценил ресурсы для месторождений Minto North и Minto East, проверил базу данных Minto North и Minto East и смоделировал границы минерализации.

SRK считает, что текущая информация о бурении достаточно надежна, чтобы с уверенностью интерпретировать границы минерализованных областей, и что данные анализов достаточно надежны для поддержки оценки минеральных ресурсов.

Чтобы продемонстрировать разумное ожидание рентабельности добычи, SRK ограничила общие минеральные ресурсы с помощью программной оболочки Whittle ™ для оптимизации карьеров, используя коэффициенты, указанные в таблице ниже. Только минеральные ресурсы в оболочке, которые соответствовали бортовому содержанию, считались ресурсами.

Параметры оптимизации Уиттла для ограничения оценки минеральных ресурсов

    Ограничивающее значение параметра параметра

    Цена на медь 2,85 долл. США / фунт
                                   C $ / фунт 3,17
    Цена на золото
                                  900 долларов США за унцию
                                   1000 канадских долларов за унцию
    Цена серебра
                                  Долларов США за унцию 12
                                   C $ / унция 13.33
    Обменный курс в канадских долларах: 1,11 доллара США
    Стоимость добычи C $ / т добытая 1,50
    Затраты на переработку и G&A C $ / т помол 5,00
    Роялти% 0,5
    Углы наклона градусов (габаритные) 50

Запасы полезных ископаемых

План разработки месторождений для исследования предполагает дату начала 1 января 2011 года. Открытые разработки на Основном месторождении планируется завершить с завершением Этапа V во втором квартале 2011 года.Месторождения Риджетоп и Минто-Норт предлагается разрабатывать исключительно открытым способом после завершения добычи на месторождении Минто-Майн. Месторождение «Площадь 2/118» предлагается разрабатывать с использованием сочетания открытых и подземных методов разработки. Месторождение Минто Восток будет разрабатываться как подземный рудник, доступ к которому будет производиться на продолжении спада участка 2/118.

Исходя из даты начала работ в январе 2011 года, на открытых и подземных рудниках Minto Phase V будет добыто 12 штук.9 миллионов тонн («Мт») руды (включая баланс запасов основного рудника на конец 2010 года) и 58,5 Мт отходов для размещения на свалках или обратной засыпки в карьеры. Майнинг длится 7,5 лет и заканчивается в середине 2018 года. На фабрике будет продолжена переработка складированной руды еще на два года до середины 2020 года. Для выполнения предложенного графика LOMP в третьем квартале 2012 года потребуются поправки к действующим разрешениям на добычу полезных ископаемых и лицензии на водопользование. Запасы полезных ископаемых по месторождениям подробно описаны ниже.

Затем было проведено детальное проектирование, планирование и планирование оптимальных корпусов карьера для создания текущих проектов карьера. Параметры Уиттла для проектирования карьера показаны в следующей таблице.

Сводка параметров Уиттла (TM), используемых для проектирования карьера

    Стоимость единицы товара
    Цены на металлы и обменный курс
    МедьUS $ / фунт 2,25
    Золото * 300 долларов США за унцию.00
    Серебро * 3,90 долл. США за унцию
    Обменный курс 0,86 доллара США за канадский доллар
    Обработка
    Извлечение меди в концентрат не более 92%
    Извлечение золота в концентрат не более 70%
    Извлечение серебра до концентрата не более 80%

* На основе условий соглашения о потоке роялти с Silver Wheaton.

Планирование подземных горных выработок также началось с блочной модели Net Smelter Return (NSR), а затем было принято бортовое содержание в эквиваленте 1,2% Cu (COG).Программное обеспечение Datamine ™ MRO использовалось для определения экономичных форм добычи при подземной добыче. Небольшие минерализованные зоны, удаленные от предполагаемого доступа, были исключены из плана рудника.

Запасы полезных ископаемых по классам для фазы V

      Депозит Минерал Разбавленный сорт Металл
                  Резервные тонны
                   Класс (Mt)
                                   Cu Au Ag Cu Au Ag
                                  (%) (г / т) (г / т) (Млнн) (тыс. унций) (тыс. унций)
       Главная * Проверено 2.25 1,35 0,46 4,79 67 33 346
                 Вероятный
                 Итого 2,25 1,35 0,46 4,79 67 33 346
       Северный Провен 1,52 2,36 1,28 8,55 79 63 419
                 Вероятное 0,01 2,25 0,81 9,38 0 0 2
                 Итого 1,53 2,36 1,27 8,56 79 63 421
      Ridgetop Proven 0,63 1,10 0,25 2,05 15 5 41
                 Вероятный 0,71 1,11 0,37 3,55 17 9 81
                 Промежуточный итог 1.34 1,11 0,32 2,85 33 14 122
       Область 2 Проверено 3,37 1,41 0,53 4,94 105 58 536
                 Вероятный 1,45 1,08 0,31 3,59 35 15 167
                 Итого 4,82 1,32 0,47 4,53 140 72703
        118 Проверено
                 Вероятный 0,49 1,29 0,09 1,73 14 1 27
                 Итого 0,49 1,29 0,09 1,73 14 1 27
    Проверено под землей
                 Вероятный 2,44 1,90 0,82 6,71 102 64 527
                 Промежуточный итог 2.44 1,90 0,82 6,71 102 64 527
       Всего проверенных 7,77 1,56 0,63 5,37 266 158 1343
                 Вероятный 5,09 1,50 0,54 4,91 169 89 804
                 Итого 12,87 1,53 0,60 5,19 435 247 2146

* включает остаток запасов в размере 1 631 тыс. Тонн на начало 2011 г. для основного карьера, но не включает приблизительно 0,25 млн. Тонн частично окисленного материала из запасов.

График жизненного цикла рудника

Последовательность добычи была разделена на несколько этапов.На первом этапе завершается добыча на основном карьере (этап 5), за ним следует первый этап участка 2 (добыча подрядчиком), за которым следует разработка участка Минто-Норт, участок 118, второй этап участка 2, затем два этапа на участке Риджтоп. и, наконец, последние два этапа в Зоне 2. Как указано в таблице ниже, подземная добыча дополняет руду, поступающую в открытый карьер. Этапы были спроектированы таким образом, чтобы обеспечить необходимое питание для мельницы за период, для более быстрой обработки руды с более высоким содержанием, для максимально возможного отсрочки зачистки отходов и для размещения хвостохранилищ в карьере.

График жизнеспособности рудника (без учета существующих запасов)

        Единица измерения 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018
    Главная очередь 5 кт 618 - - - - - - -
         UG Кт 13 630 730 730 338 - - -
    Минто Норт Кт - - 281 1248 - - - -
      Ridgetop Kt - - - - - 773 564 -
    A2 Этапы 1 и 2 тыс. 188 1338 - 65 1217 742 - -
        118 тыс. Тонн - - - 491 - - - -
    A2 Этапы 3 и 4 тыс. - - - - - - 449 822
       Итого 819 1968 1011 2534 1555 1515 1013 822

Обработка

Профиль переработки мельницы, используемый в PFS Фазы V, основан на сочетании трехлетнего опыта эксплуатации комбината Minto в сочетании с новыми металлургическими и испытательными работами по измельчению, проведенными на каждом из месторождений, содержащих минеральные запасы PFS Фазы V.Извлечение металлов было усреднено по всем месторождениям, но содержание концентрата определялось индивидуально для каждого месторождения. График обработки LOM показан ниже:

График жизнеспособности мельницы

    Параметр UNIT 2011- Y E A R
                      2020 г.
                      Всего
                                     '11 '12 '13 '14 '15

    Корм для мельниц, т / д 3,718 3,442 3,750 3,750 3,750 3,750
       Показатель
    Корм для мельниц 12.9 1,256 1,373 1,369 1,369 1,369
      Всего
    Содержание меди в сырье% 1,53 1,60 1,86 1,70 2,86 1,62
                Au 0,6 0,6 0,7 0,7 1,5 0,6
               г / т
                Ag 5,2 6,0 7,2 5,4 10,0 5,8
               г / т
     % Извлечения Cu 92 92 92 92 92 92
     к Конц.
               % Au 70 70 70 70 70 70
               % Ag 78 78 78 78 78 78
      Конц.% Cu 39 41,5 38,0 39,0 38,0 38,0
      Оценка
      Конц. dmt 470,478 44,633 61,728 54,846 94,937 53,519
    Производство
      Конц. Млн фунтов 400,4 40,8 51,7 47,2 79,5 44,8
      Металл Cu
                унция 173 146 16 807 22 531 22 259 45 118 19 488
                Au
                унция 1,673,940 188,612 246,680 184,654 341,791 197,647
                Ag

(продолжение таблицы)

                     ГОД
      
        '16 '17 '18 '19 '20

      3,750 3,750 3,750 3,750 3,750
      1.373 1,369 1,369 1,369 0,653
       1,68 1,11 0,96 0,78 0,78
        0,7 0,3 0,3 0,2 0,2
        5,7 2,9 3,2 2,2 2,2
         92 92 92 92 92
         70 70 70 70 70
         78 78 78 78 78
       38,0 38,6 38,6 38,7 38,7
     55 956 36 066 31 201 25 449 12 134
       46,9 30,7 26,6 21,7 10,4
     20 538 9 375 8 246 5 948 2 836
    194 509 100 627 110 290 73 897 35 234

Оценка капитальных затрат

Капитальные затраты в течение срока эксплуатации рудника оцениваются в 76 долларов США.0 млн, из которых 32,0 млн долларов в основном связаны с переводом на самостоятельную добычу в 2012 году, а 34,1 млн долларов связаны с началом подземной добычи; остаток — это непредвиденные расходы и капитал на поддержание, возникшие в течение оставшегося срока эксплуатации рудника. В соответствии с оценкой, завершенной в 2010 году, в анализе денежных потоков был использован дополнительный резерв на закрытие в размере 16 миллионов долларов. Ранее оценочный резерв на закрытие в 2009 году составлял 20 миллионов долларов, но считался предварительной оценкой. Оценка 2010 года была сделана более детально с повышенной точностью.

Смета капитальных затрат PFS фазы V

                      Площадь - Сметная стоимость в канадских долларах

    Парк карьерного оборудования M $ 32,0
    Подземное оборудование (стационарное и мобильное) M $ 18,3
    Подземная застройка M $ 15,8
    Технологическая установка M $ 5,0
    Непредвиденные расходы M $ 3,1
    Поддерживаемый капитал M $ 1.8
    ОБЩАЯ СТОИМОСТЬ КАПИТАЛА, МЛН $ 76,0

Метод финансирования возможного приобретения оборудования для открытых горных работ, который может быть денежным, капитальным лизингом или другим способом, будет оцениваться после принятия решения о самостоятельной добыче. В качестве альтернативы контрактная добыча может продолжаться, если подрядчики смогут достичь целей, изложенных в разделе «Оценка операционных затрат» ниже, устраняя необходимость в капитале для открытых горных работ, указанном выше.

Смета операционных затрат

Прямые операционные затраты для PFS фазы V были оценены с использованием фактических производственных данных шахты Minto с использованием контрактной добычи и различных запланированных оптимизаций, связанных с расширением фазы V и подземной добычей.

Смета операционных затрат PFS по фазе V

                      Площадь - Сметная стоимость в канадских долларах

    Открытые разработки * $ / т добытой 13,37
    Подземная добыча * $ / т добытой 35,17
    Всего горнодобывающей промышленности $ / т добытой 20,04
    Переработка $ / т помол 12,94
    Общие, администрация, лагерь, роялти $ / т помол 12,13
    Итого $ / т переработано 45.11

* Из 12,87 млн тонн запасов 2,44 млн тонн добыто подземными методами

Оценка операционных затрат равна средней общей денежной себестоимости за весь срок эксплуатации рудника, за вычетом затрат на продажу и за вычетом кредитов на побочные продукты, в размере 1,34 доллара США за фунт подлежащей оплате меди. Фактические среднегодовые затраты, указанные в финансовой отчетности Capstone, могут отличаться от этой суммы из-за учета запасов, отложенных затрат на вскрышные работы и складских запасов на годовой основе.

Экономика

SRK сообщает, что предполагаемая экономическая выгода от разработки месторождений Minto Phase V достаточна для продолжения дальнейших работ, таких как подземная разработка и, в частности, получение необходимой лицензии и внесение поправок в разрешения от различных регулирующих органов.

Расширение рудника на этапе V увеличивает экономическую выгоду для рудника, обеспечивая базовый вариант «A» (2,75 доллара США за фунт для нехеджированного производства меди) чистую приведенную стоимость до вычета налогов при ставке дисконтирования 7,5% («NPV7,5%» «) в размере 284 млн долларов США. Допущения NPV и цен на медь для всех трех случаев, использованных в исследовании:

                                                   До налогообложения После налогообложения
                                                   ЧПС7,5% ЧПС7,5%

      - Случай A (базовый вариант) (2 доллара США.75 / фунт Cu): 284 млн долл. США 206 млн долл. США
      - Вариант B (2,25 доллара США за фунт Cu): 180 миллионов долларов США 142 миллиона долларов США
      - Вариант C (переменная от 3,60 долл. США за фунт меди до 266 млн долл. США 194 млн долл. США).
      2,25 доллара США / фунт Cu):

Вариант B представляет цену металла, использованную в последней оценке запасов полезных ископаемых.

В следующей таблице приведены три экономических сценария:

Сравнение базового и альтернативного вариантов PFS фазы V

                 Элемент Единица Коробка A Коробка B Коробка C
                                                                    
              Добытые отходы Mt 58.5
               Добыто руды Мт 11,2
              Всего добыто Мт 69,7
              Корм для мельниц * Kt 12,9
         Медь прокатная,% Cu 1,53
          Жидкое содержание золота г / т Au 0.60
         Серебро прокатное содержание серебра г / т Ag 5,2
            Медь в минусах 400 Млн.
             Золото в минусах 173 тыс. Унций
            Серебро в минусах 1,674 тыс. Унций
           Концентрат Марка% Cu 39
    Базовая цена на медь (например,хеджирования) долл. США / фунт 2,75 2,25 3,60 до
                                                                        2,25
    Средняя цена на медь (вкл. Долл. США / фунт 2,73 2,25 2,65
    хеджирование)
       Цена на золото (с учетом хеджирования) 331 324 333 долл. США за унцию
      Цена на серебро (включая хеджирование) US $ / унция 3,90 3,90 3,90
      Обменный курс (средний LOM) C $ / US $ 1,09 1,16 1,08
         NSR (включая роялти) C $ / т переработка 84.29 73,99 80,63
            Сумма OPEX на единицу, $ / т помол 45,11
           Операционные расходы на месте установки, долл. США / фунт Cu 1,50
                                        подлежащий оплате
          Операционные расходы за пределами площадки, долл. США / фунт Cu 0,30 0,31 0,30
                                        подлежащий оплате
        Удельная стоимость побочного продукта, долл. США / фунт Cu 0,16 0,15 0,16
                                        подлежащий оплате
    Операционные затраты на единицу, чистый побочный продукт, долл. США / фунт Cu 1.34 1,35 1,34
    кредиты к оплате
    Общий капитал (первоначальный и 76 млн канадских долларов)
    поддерживая)
      Резерв на закрытие обошелся в 16 млн канадских долларов
            NPV 7,5% до налогообложения 284 180 266 канадских долларов

* Корм для мельниц включает запас руды.

Разрешение и рекламация

На Юконе горнодобывающие проекты требуют экологической оценки до выдачи или изменения значительных разрешений на добычу полезных ископаемых, включая лицензию на водопользование типа А и лицензию на добычу кварца («QML»).Элементы проекта Minto ранее прошли экологическую экспертизу. Увеличение объемов добычи и переработки (2008 г.) и расширение Фазы IV (2010 г.) недавно были оценены Советом по экологической и социально-экономической оценке Юкона («YESAB»).

Основные инструменты, разрешающие и регулирующие операции по проекту, включают лицензии на водопользование типов A и B, выданные Советом по водным ресурсам Юкона, и QML, выданные правительством Юкона, Energy Mines and Resources.

Планирование управления водными ресурсами, как и ожидалось, представляет особый интерес для заинтересованных сторон.Ожидается, что поправка к лицензии на водопользование типа А будет выпущена в первом квартале 2011 года. Расширение рудника Минто на этапе развития IV получило экологическую оценку в соответствии с Законом об экологической и социально-экономической оценке Юкона («YESAA») и потребуются поправки QML. Ожидается, что первая такая поправка QML будет выпущена в первом квартале 2011 года, а остальные необходимые поправки QML — во втором квартале 2011 года. Некоторые компоненты фазы IV потребуют внесения еще одной поправки в лицензию на водопользование типа A, которая может будет выпущен до конца третьего квартала 2011 года.

Проект собирается снова войти в процесс YESAA для проекта расширения Фазы V с предположением, что соответствующие поправки к лицензии будут выпущены к концу 2012 года.

Риски и возможности

Основными областями риска, выявленными в этом исследовании, являются:

1. Сроки и утверждение изменений разрешений на разработку месторождений Фазы IV и Фазы V;

2. Курсы валют, цены на металлы и внешние факторы;

3. Возможность разработки подземного рудника согласно графику горных работ;

4.Возможность преобразования открытых горных работ в флот, управляемый владельцем; и

5. Способность поддерживать минимальное разбавление за счет эффективных методов контроля содержания.

Наиболее важные возможности для улучшения проекта:

1. Оптимизация плана горных работ;

2. Открытие новых полезных ископаемых и их переработка в запасы полезных ископаемых; и

3. Потенциал расширения мощности завода.

Заглядывая в будущее

Имея PFS Фазы V, MintoEx теперь может приступить к подаче разрешения на Фазу V, разработав систему снижения подземного доступа и построив вспомогательную инфраструктуру, такую как системы наземной вентиляции.

Технический отчет

Полная версия PFS фазы V, подготовленная как технический отчет, соответствующий стандарту NI 43-101, будет размещена в профиле Capstone на сайте SEDAR по адресу http://www.sedar.com в течение 45 дней.

Обеспечение качества

Техническая информация в этом пресс-релизе была подготовлена в соответствии с канадскими нормативными требованиями, изложенными в National Instrument 43-101, и проверена Джоном Сагманом, П. Энгом, менеджером проектов, Capstone Mining Corp. Гордоном Дёрксеном, П.Англ. из SRK проверил этот пресс-релиз на предмет соответствия отчету PFS по фазе V. Геологоразведочные работы на руднике Минто проводятся под руководством Брэда Мерсера, П. Геол., Вице-президента по разведке Capstone Mining Corp.

Заявления о перспективах

Этот документ может содержать «прогнозную информацию» в значении канадского законодательства о ценных бумагах и «прогнозные заявления» в значении Закона США о реформе судебных разбирательств по частным ценным бумагам 1995 года (в совокупности «прогнозные заявления»).Эти прогнозные заявления сделаны на дату настоящего документа, и Capstone Mining Corp. («Компания») не намеревается и не принимает на себя никаких обязательств обновлять эти прогнозные заявления.

Заявления о перспективах относятся к будущим событиям или будущим результатам и отражают ожидания или убеждения руководства Компании в отношении будущих событий и включают, помимо прочего, заявления относительно оценки минеральных запасов и минеральных ресурсов, реализации оценок минеральных запасов , сроки и объем предполагаемой будущей добычи, производственные затраты, капитальные затраты, успешность горных работ, экологические риски, непредвиденные затраты на рекультивацию, споры о праве собственности или претензии и ограничения на страховое покрытие.В некоторых случаях прогнозные заявления можно определить по таким словам, как «планы», «ожидает» или «не ожидает», «ожидается», «бюджет», «запланировано», «оценки», « прогнозы »,« намеревается »,« ожидает »или« не ожидает », или« полагает », или вариации таких слов и фраз или заявлений, что определенные действия, события или результаты« могут »,« могли »,« могли бы », «может» или «будет взят», «произойдет» или «будет достигнуто», либо отрицательные значения этих терминов или сопоставимой терминологии. По самой своей природе заявления о перспективах включают известные и неизвестные риски, неопределенности и другие факторы, которые могут привести к тому, что фактические результаты, показатели или достижения Компании будут существенно отличаться от любых будущих результатов, показателей или достижений, выраженных или подразумеваемых прогнозирующим лицом. смотря заявления.К таким факторам относятся, среди прочего, риски, связанные с фактическими результатами текущей геологоразведочной деятельности; изменения в параметрах проекта по мере уточнения планов; будущие цены на ресурсы; возможные изменения в запасах руды, содержании или степени извлечения; несчастные случаи, трудовые споры и другие риски горнодобывающей отрасли; задержки с получением государственных разрешений или финансирования либо с завершением работ по развитию или строительству; а также факторы, которые время от времени подробно описываются в промежуточной и годовой финансовой отчетности Компании, а также в ходе обсуждения и анализа руководством этих отчетов, которые хранятся и доступны для просмотра на сайте SEDAR по адресу www.sedar.com. Несмотря на то, что Компания попыталась определить важные факторы, которые могут привести к тому, что фактические действия, события или результаты будут существенно отличаться от описанных в прогнозных заявлениях, могут быть и другие факторы, которые могут привести к тому, что действия, события или результаты будут не такими, как ожидалось, оценено или предназначена. Компания не дает никаких гарантий того, что прогнозные заявления окажутся точными, поскольку фактические результаты и будущие события могут существенно отличаться от тех, которые предполагались в таких заявлениях.

Соответственно, читатели не должны чрезмерно полагаться на прогнозные заявления.

* Показатели эффективности не по GAAP

«Общие денежные затраты» и «Общие операционные затраты на единицу» не являются показателями эффективности согласно GAAP. Эти показатели эффективности включены, потому что эти статистические данные являются ключевыми показателями эффективности, которые руководство использует для мониторинга производительности. Руководство использует эту статистику для оценки результатов деятельности Компании при планировании и оценке общей эффективности и результативности горных работ.Эти показатели эффективности не имеют значения в ОПБУ, и, следовательно, представленные суммы могут быть несопоставимы с аналогичными данными, представленными другими горнодобывающими компаниями. Эти показатели эффективности не следует рассматривать изолированно в качестве замены показателей эффективности в соответствии с GAAP.

Для дополнительной информации:

    Capstone Mining Corp.
    Синди Бернетт, вице-президент по связям с инвесторами
    Телефон: + 1-604-637-8157
    Электронная почта: [email protected]

Веб-сайт: http: // www.capstonemining.com

ИСТОЧНИК Capstone Mining Corp.

Общая характеристика транзистора КТ819

Основные параметры транзисторов серии КТ819

Модификации транзисторов КТ819

Особенности применения КТ819 в электронных схемах

Цоколевка и корпуса транзисторов КТ819

Аналоги и замена транзисторов КТ819

Проблемы и недостатки транзисторов КТ819

Измерение параметров и проверка исправности КТ819

КТ819 характеристики транзистора, datasheet, цоколевка и аналоги

Распиновка

Технические характеристики

Маркировка

Комплементарная пара

Аналоги

Производители

Транзистор КТ819 — DataSheet

Транзисторы КТ819 и КТ818 (А-Г, АМ…ГМ) характеристики, цоколевка (datasheet)

КТ819 , 2Т819 — кремниевый транзистор структуры n-p-n.

КТ818 , 2Т818 — кремниевый транзистор структуры p-n-p

Транзисторы КТ819(1Т819), КТ805 — маркировка и цоколевка.

Транзисторы КТ805 и качер Бровина.

Характеристики транзисторов кт819, аналоги, цоколевка

Зарубежный аналог КТ819

Особенности

Корпусное исполнение и цоколевка КТ819

Характеристики транзистора КТ819

Предельные параметры КТ819

Электрические характеристики транзисторов КТ819 при Т

КТ819 параметры | Практическая электроника

Основные технические характеристики транзисторов КТ819

КТ819 — применение

Параметры транзистора КТ819, его распиновка и аналоги. Параметры транзистора КТ819, его распиновка и аналоги Параметры транзистора 819

Распиновка транзистора

основные параметры

Возможные аналоги

Отечественные аналоги

Зарубежные аналоги

kt% 20819% 20 Техническое описание транзистора и примечания по применению

КТ3102

Нет в наличии

Нет в наличии

кт 30

Нет в наличии

Нет в наличии

Нет в наличии

MA704WA

кабель

Нет в наличии

2008 — КТ 6396

КТ920Б

пластик

кт21

Нет в наличии

Нет в наличии

Нет в наличии

Нет в наличии

Нет в наличии

1827

Нет в наличии

1827

Нет в наличии

узлы 6306

Нет в наличии

Мощный источник питания 12 В / 10 А

Тестер полупроводников atmega8 своими руками. Радио для всех

Диодная сборка (два диода в одном корпусе)

Транзистор КТ819:

Светодиод:

AVR transistortestter

Усилитель мощности ЗЧ (улучшенный вариант). Старый добрый усилитель Брагина Брагин на импорт

Петля отрицательной обратной связи, опосредованная малой РНК, контролирует динамику восприятия кворума у ​​Vibrio harveyi

Capstone завершила предварительное технико-экономическое обоснование на этапе V расширения медно-золотого рудника Minto

Похожие записи

Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

Добавить комментарий Отменить ответ

Петля отрицательной обратной связи, опосредованная малой РНК, контролирует динамику восприятия кворума у Vibrio harveyi