Каковы основные характеристики транзистора КТ819А. Какие особенности конструкции делают его подходящим для силовых применений. В каких типах схем он чаще всего используется. Каковы предельные режимы его эксплуатации.
Общие сведения о транзисторе КТ819А
КТ819А — это мощный биполярный транзистор структуры NPN, выпускаемый компанией «Интеграл». Он относится к семейству кремниевых эпитаксиально-планарных транзисторов и выпускается в пластмассовом корпусе КТ-28 (аналог TO-220).
Основные характеристики КТ819А:
- Структура: NPN
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
- Максимальный ток коллектора: 10 А
- Рассеиваемая мощность: 60 Вт
- Граничная частота усиления: 3 МГц
- Статический коэффициент передачи тока: 15-60
Конструктивные особенности КТ819А
КТ819А имеет ряд конструктивных особенностей, которые делают его подходящим для силовых применений:
- Эпитаксиально-планарная структура обеспечивает высокую надежность и стабильность параметров
- Корпус КТ-28 (TO-220) с металлическим теплоотводом позволяет эффективно отводить тепло
- Большая площадь кристалла снижает тепловое сопротивление и повышает допустимую мощность рассеяния
- Толстая база обеспечивает высокую пробивную прочность
Области применения транзистора КТ819А
Благодаря своим характеристикам, КТ819А находит широкое применение в следующих областях:
- Ключевые схемы средней и большой мощности
- Линейные усилители мощности звуковой частоты
- Импульсные источники питания
- Драйверы электродвигателей
- Регуляторы напряжения
- Зарядные устройства
Предельные режимы эксплуатации КТ819А
При использовании КТ819А важно не превышать следующие предельно допустимые параметры:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора: 10 А
- Максимальный импульсный ток коллектора: 15 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 60 Вт
- Диапазон рабочих температур: от -45°C до +100°C
Основные электрические параметры КТ819А
Ключевые электрические характеристики транзистора КТ819А при температуре окружающей среды 25°C:
- Статический коэффициент передачи тока (h21э): 15-60 (при Uкэ = 5В, Iэ = 5А)
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: не более 2 В (при Iк = 5А, Iб = 0,5А)
- Граничное напряжение: не менее 25 В
- Обратный ток коллектора: не более 1 мА (при Uкб = 40В)
Особенности применения КТ819А в ключевых схемах
При использовании КТ819А в ключевых схемах следует учитывать следующие особенности:
- Для минимизации потерь в открытом состоянии транзистор следует насыщать
- Для быстрого переключения рекомендуется использовать схемы ускоренного вывода из насыщения
- При работе на индуктивную нагрузку необходимо применять цепи защиты от перенапряжений
- Для повышения надежности рекомендуется обеспечить эффективный теплоотвод
Применение КТ819А в линейных усилителях
При проектировании линейных усилителей на КТ819А следует обратить внимание на следующие аспекты:
- Выбор рабочей точки в линейной области характеристик транзистора
- Обеспечение температурной стабилизации режима работы
- Применение отрицательной обратной связи для улучшения линейности
- Использование комплементарных пар с транзисторами PNP-типа для двухтактных схем
Выбор рабочей точки
Для линейной работы КТ819А рекомендуется выбирать рабочую точку так, чтобы ток коллектора составлял 1-3 А, а напряжение коллектор-эмиттер было не менее 5-10 В. Это обеспечит достаточный коэффициент усиления и линейность.
Температурная стабилизация
Для стабилизации режима работы КТ819А при изменении температуры рекомендуется использовать эмиттерную термокомпенсацию и диодную термокомпенсацию в цепи смещения базы. Это позволит минимизировать дрейф рабочей точки.
Применение обратной связи
Использование глубокой отрицательной обратной связи позволяет значительно улучшить линейность усилителя на КТ819А и снизить искажения. Рекомендуется применять как общую ООС, так и местные обратные связи.
Комплементарные пары
В двухтактных усилителях КТ819А хорошо работает в паре с комплементарным PNP транзистором КТ818. Это позволяет реализовать простые и эффективные схемы усилителей класса АВ.
Особенности монтажа и эксплуатации КТ819А
При монтаже и эксплуатации транзистора КТ819А следует соблюдать ряд правил:
- Обеспечить надежный тепловой контакт корпуса транзистора с радиатором
- Использовать теплопроводящую пасту между корпусом и радиатором
- Не допускать механических напряжений на выводах при монтаже
- Соблюдать полярность включения и не превышать предельные режимы
- Обеспечить защиту от статического электричества при монтаже
Монтаж на радиатор
При монтаже КТ819А на радиатор важно обеспечить хороший тепловой контакт. Поверхность радиатора должна быть ровной и чистой. Между корпусом транзистора и радиатором необходимо нанести тонкий слой теплопроводящей пасты. Усилие затяжки крепежного винта не должно превышать 0,7 Н·м.
Защита от статического электричества
КТ819А чувствителен к воздействию статического электричества. При монтаже следует использовать заземленный паяльник и антистатический браслет. Выводы транзистора рекомендуется припаивать в последнюю очередь.
Охлаждение
Для эффективного охлаждения КТ819А при работе на большой мощности рекомендуется использовать радиатор с площадью поверхности не менее 100-150 см². При необходимости следует применять принудительное воздушное охлаждение.
Транзистор КТ819Б
В корзину
- Описание и характеристики
- Отзывы(0)
- Инструкция
Транзистор КТ819Б n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- аАО.336.189 ТУ / 02
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 45 до + 100 С
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
| Вывод | Назначение |
| №1 | Эмиттер |
| №2 | Коллектор |
| №3 | База |
| Параметры | Обозначение | Ед.изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Обратный ток коллектора | Iкбо | мА | Uкб=40B | 1 | |
| Статический коэффициент передачи тока КТ819А, В КТ819Б КТ819Г | h31э | — | Uкб = 5 B, Iэ =5 A | 15 20 12 | — |
| Граничное напряжение | Uкэо гр | В | Iэ =0,3 A, tи= 270 330 мкс | 25 | — |
| КТ819А | |||||
| КТ819Б | 40 | ||||
| КТ819В | 60 | ||||
| КТ819Г | 80 | ||||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас | В | Iк=5A, Iб=0,5A | — | 2 |
среды = + 25 С| Параметры | Обознач. | Ед. изм. | Значение |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб | Uкэ max | В | 40 |
| КТ819А | |||
| КТ819Б | 50 | ||
| КТ819В | 70 | ||
| КТ819Г | 100 | ||
| Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 10 |
| Импульсный ток коллектора tи 100 | Iки max | А | 15 |
| Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 3 |
| Импульсный ток базы tи 100 | Iби max | А | 5 |
Рассеиваемая мощность при Ткорп. | Рк мах | Вт | 60 |
Отзывы
Транзистор КТ819Г
- Главная>
- Радиотехническое оборудование>
- Транзисторы>
- Кремниевые транзисторы>
- Транзистор КТ819Г
Транзистор КТ819Г n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Транзистор КТ819Г n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- аАО.336.189 ТУ / 02
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 45 до + 100 С
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
| Вывод | Назначение |
| №1 | Эмиттер |
| №2 | Коллектор |
| №3 | База |
| Параметры | Обозначение | Ед.изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Обратный ток коллектора | Iкбо | мА | Uкб=40B | 1 | |
| Статический коэффициент передачи тока КТ819А, В КТ819Б КТ819Г | h31э | — | Uкб = 5 B, Iэ =5 A | 15 20 12 | — |
| Граничное напряжение | Uкэо гр | В | Iэ =0,3 A, tи= 270 330 мкс | 25 | — |
| КТ819А | |||||
| КТ819Б | 40 | ||||
| КТ819В | 60 | ||||
| КТ819Г | 80 | ||||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас | В | Iк=5A, Iб=0,5A | — | 2 |
| Параметры | Обознач. | Ед. изм. | Значение |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб | Uкэ max | В | 40 |
| КТ819А | |||
| КТ819Б | 50 | ||
| КТ819В | 70 | ||
| КТ819Г | 100 | ||
| Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 10 |
| Импульсный ток коллектора tи 100 | Iки max | А | 15 |
| Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 3 |
| Импульсный ток базы tи 100 | Iби max | А | 5 |
| Рассеиваемая мощность при Ткорп. | Рк мах | Вт | 60 |
Вместе с Транзистор КТ819Г смотрят
Транзистор КТ8224А
Транзистор КТ818В
Транзистор КТ817Б
Транзистор КТ817Г9
kt819a техпаспорт и примечания по применению
kt819a техпаспорт (6)
| Часть | Модель ECAD | Производитель | Описание | Тип | ПДФ |
|---|---|---|---|---|---|
| КТ819А | интеграл | Русский Транзистор | Оригинал | ||
| КТ819А | Другие | Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные) | Сканировать | ||
| КТ819А | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Сканировать | ||
| КТ819А | Другие | Транзистор Shortform PDF Лист данных | Сканировать | ||
| КТ819А | УДССР | Транзистор | Сканировать | ||
| КТ819АМ | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Сканировать |
org/Product»>
org/Product»>kt819a Спецификации Context Search
| Каталог Спецификация | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
КТ805АМ Реферат: КТ805 КТ610А КТ837Б BD140 npn КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818 | Оригинал | КТ3126А КТ3126Б КТ3127А КТ3128А КТ3128А1 КТ3128 КТ3129А9 КТ3129 КТ3129Б9 КТ805АМ КТ805 КТ610А КТ837Б БД140 нпн КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818 | |
2010 — б0743 Реферат: KT819A B0545 BOT54 PT9784 2N3055-5 mje1660 40636 1561-0403 044Vh5 | Оригинал | БУВ26А БУВ26АФ EST062S EUT069 EUT069R EUT069RS EUT069S BUW17 BUW44 б0743 КТ819А B0545 БОТ54 PT9784 2Н3055-5 mje1660 40636 1561-0403 044Вх5 | |
2010 — КТ819Б Реферат: KT818A BD347 MJE1660 2SB629 BD191 1561-0403 BDT52 KT818B 2sb757 | Оригинал | MJE1290 MJE1660 SDT9801 КТ818А КТ819А 2СБ757-09 КТ819Б БД347 2СБ629 БД191 1561-0403 БДТ52 КТ818Б 2сб757 | |
КТ805М Реферат: кт805бм КТ872А КТ837 КТ837К КТ818 КТ805 КТ837Б КТ837А КТ610А | Оригинал | KSC1623 3102М КТ805М кт805бм КТ872А КТ837 КТ837К КТ818 КТ805 КТ837Б КТ837А КТ610А | |
2Т908А Реферат: 2T602 2T907A KT604 1HT251 1T813 2t903 KT920A PO6 115,05 KT117 | OCR-сканирование | Т-0574Д. 30Эиаа Coi03nojiH 2Т908А 2Т602 2Т907А КТ604 1HT251 1Т813 2т903 КТ920А ПО6 115,05 КТ117 | |
2Т931А Реферат: КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А | OCR-сканирование | МОКП51КОБ, KTC631 ТИ2023 II2033 ТТ213 ТИ216 fI217 II302 XI306 н306А 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А | |
КС156А Реферат: ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KP350A KT808a KT920A KC213 | OCR-сканирование | КсапфаКОБ-57, КС156А ky202e К174ХА2 КТ809А КТ805А КТ610Б КП350А КТ808а КТ920А КС213 | |
т110 94в 0 Резюме: PTC SY 16P 2N2955T Philips диод PH 37m 2N3349 ASI 2N4948 NJS Trimble R8 модель 2 2n6259 ssi 2SA749 2sd73 | OCR-сканирование | Барселона-28, С-171 СН-5400 т110 94в 0 PTC SY 16P 2Н2955т диод филипс PH 37m 2N3349 АСИ 2N4948 NJS тримбл R8 модель 2 2n6259 сси 2SA749 2сд73 |
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
