Кт819А: КТ819А, Биполярный транзистор, NPN, 40В, 10А, 60Вт, 3МГц [КТ-28 / TO-220], Интеграл

Транзистор КТ819Б

В корзину

  • Описание и характеристики
  • Отзывы(0)
  • Инструкция

Транзистор КТ819Б n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Номер технических условий

  • аАО.336.189 ТУ / 02

Особенности

  • Диапазон рабочих температур:  — 45 до + 100 С

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Эмиттер
№2 Коллектор
№3 База
Основные электрические параметры КТ819 при Токр. среды = + 25 С
Параметры Обозначение Ед.изм. Режимы измерения Min Max
Обратный ток коллектора Iкбо мА Uкб=40B   1
Статический коэффициент передачи тока

КТ819А, В

КТ819Б

КТ819Г

h31э Uкб = 5 B, Iэ =5 A 15

20

12

Граничное напряжение Uкэо гр В Iэ =0,3 A,

tи= 270 330 мкс

25
КТ819А
КТ819Б 40
КТ819В 60
КТ819Г 80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас В Iк=5A, Iб=0,5A 2
Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ819
Параметры Обознач. Ед. изм. Значение
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб Uкэ max В 40
КТ819А
КТ819Б 50
КТ819В 70
КТ819Г 100
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 5
Постоянный ток коллектора Iк max А 10
Импульсный ток коллектора tи 100 Iки max А 15
Максимально допустимый постоянный ток базы Iб max А 3
Импульсный ток базы tи 100 Iби max А 5
Рассеиваемая мощность при Ткорп. Рк мах Вт 60

Отзывы

Транзистор КТ819Г

  • Главная>
  • Радиотехническое оборудование>
  • Транзисторы>
  • Кремниевые транзисторы>
  • Транзистор КТ819Г

Транзистор КТ819Г n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Транзистор КТ819Г n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Номер технических условий

  • аАО.336.189 ТУ / 02

Особенности

  • Диапазон рабочих температур:  — 45 до + 100 С

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Назначение выводов
ВыводНазначение
№1Эмиттер
№2Коллектор
№3База
Основные электрические параметры КТ819 при Токр. среды = + 25 С
ПараметрыОбозначениеЕд.изм.Режимы измеренияMinMax
Обратный ток коллектораIкбомАUкб=40B 1
Статический коэффициент передачи тока

КТ819А, В

КТ819Б

КТ819Г

h31эUкб = 5 B, Iэ =5 A15

20

12

Граничное напряжениеUкэо гр
В
Iэ =0,3 A,

tи= 270 330 мкс

25
КТ819А
КТ819Б40
КТ819В60
КТ819Г80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерUкэ насВIк=5A, Iб=0,5A2
Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ819
ПараметрыОбознач.Ед. изм.Значение
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RэбUкэ maxВ40
КТ819А
КТ819Б50
КТ819В70
КТ819Г100
Напряжение эмиттер-базаUэб maxВ5
Постоянный ток коллектораIк maxА10
Импульсный ток коллектора tи 100Iки maxА15
Максимально допустимый постоянный ток базыIб maxА3
Импульсный ток базы tи 100Iби maxА5
Рассеиваемая мощность при Ткорп.Рк махВт60

Вместе с Транзистор КТ819Г смотрят

Транзистор КТ8224А

Транзистор КТ818В

Транзистор КТ817Б

Транзистор КТ817Г9

kt819a техпаспорт и примечания по применению

kt819a техпаспорт (6)

org/Product»>
org/Product»>
Часть Модель ECAD Производитель Описание Тип ПДФ
КТ819А интеграл Русский Транзистор Оригинал PDF
КТ819А Другие Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные) Сканировать PDF
КТ819А Другие Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) Сканировать PDF
КТ819А Другие Транзистор Shortform PDF Лист данных Сканировать PDF
КТ819А УДССР Транзистор Сканировать PDF
КТ819АМ Другие Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) Сканировать PDF

kt819a Спецификации Context Search

org/Product»> org/Product»> org/Product»>
Каталог Спецификация MFG и тип ПДФ Теги документов
КТ805АМ

Реферат: КТ805 КТ610А КТ837Б BD140 npn КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818
Текст: КТ818Б КТ818В КТ819А КТ819В КТ819Б КТ819В ВТ8212А ВВ8212В ВВ8212В ВВ8213В ВВ8213В ВВ8213В


Оригинал
PDF КТ3126А КТ3126Б КТ3127А КТ3128А КТ3128А1 КТ3128 КТ3129А9 КТ3129 КТ3129Б9 КТ805АМ КТ805 КТ610А КТ837Б БД140 нпн КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818
2010 — б0743

Реферат: KT819A B0545 BOT54 PT9784 2N3055-5 mje1660 40636 1561-0403 044Vh5
Текст: MJ2801 MJ2801 MJ2801 KT819A 1561-0403 1561-0404 1561-0404 BOX13/40251 MJE1660 MJE1660 MJEl660 SOT9801


Оригинал
PDF БУВ26А БУВ26АФ EST062S EUT069 EUT069R EUT069RS EUT069S BUW17 BUW44 б0743 КТ819А B0545 БОТ54 PT9784 2Н3055-5 mje1660 40636 1561-0403 044Вх5
2010 — КТ819Б

Реферат: KT818A BD347 MJE1660 2SB629 BD191 1561-0403 BDT52 KT818B 2sb757

Текст: СИЛОВЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Номер изделия Номер детали Изготовитель Тип «c Max V(BR)CEO PD Max hFE fT (Hz) ‘CBO t0N r (CE)eat Max Max (A) Of) ON) Min (A) (s) ) Max (Ом) Toper Max (°C) Устройства корпусного типа 20 Вт или более, (продолжение) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 . . . . . 15 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 … 35 40 · MJE1290 MJE1660 MJE1660 MJE1660 SDT9801 SDT9801 SDT9801 KT818A KT819A 2SB757-09 2SD847-09MJ2801 MJ2801 MJ2801 MJ2901 1561-0403 SDT9901


Оригинал
PDF MJE1290 MJE1660 SDT9801 КТ818А КТ819А 2СБ757-09 КТ819Б БД347 2СБ629 БД191 1561-0403 БДТ52 КТ818Б 2сб757
КТ805М

Реферат: кт805бм КТ872А КТ837 КТ837К КТ818 КТ805 КТ837Б КТ837А КТ610А
Текст: TIP32A 8177 TIP32B 8177 TIP32C 8177 PNP KT818A KT818 KT818B KT818 NPN KT819A KT819 KT819B


Оригинал
PDF KSC1623 3102М КТ805М кт805бм КТ872А КТ837 КТ837К КТ818 КТ805 КТ837Б КТ837А КТ610А
2Т908А

Реферат: 2T602 2T907A KT604 1HT251 1T813 2t903 KT920A PO6 115,05 KT117
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF Т-0574Д. 30Эиаа Coi03nojiH 2Т908А 2Т602 2Т907А КТ604 1HT251 1Т813 2т903 КТ920А ПО6 115,05 КТ117
2Т931А

Реферат: КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF МОКП51КОБ, KTC631 ТИ2023 II2033 ТТ213 ТИ216 fI217 II302 XI306 н306А 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А
КС156А

Реферат: ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KP350A KT808a KT920A KC213
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF КсапфаКОБ-57, КС156А ky202e К174ХА2 КТ809А КТ805А КТ610Б КП350А КТ808а КТ920А КС213
т110 94в 0

Резюме: PTC SY 16P 2N2955T Philips диод PH 37m 2N3349 ASI 2N4948 NJS Trimble R8 модель 2 2n6259 ssi 2SA749 2sd73
Текст: Нет доступного текста файла


OCR-сканирование
PDF Барселона-28, С-171 СН-5400 т110 94в 0 PTC SY 16P 2Н2955т диод филипс PH 37m 2N3349 АСИ 2N4948 NJS тримбл R8 модель 2 2n6259 сси 2SA749 2сд73

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы Описание Фабрикантес ПДФ
АСМ3П2107А Решение для снижения электромагнитных помех
ПО Полупроводник
ПДФ
АСМ3П2180А Решение для снижения электромагнитных помех
ПО Полупроводник
ПДФ
АСМ3П2182А ЖК-панель ИС подавления электромагнитных помех
ПО Полупроводник
ПДФ
АСМ3П2760А Решение для снижения электромагнитных помех
ПО Полупроводник
ПДФ
АСМ3П2775А Решение для снижения пиковых электромагнитных помех малой мощности
Полупроводник PulseCore
ПДФ
АСМ3П2775А Решение для снижения пиковых электромагнитных помех малой мощности
ПО Полупроводник
ПДФ
АСМ3П2853А Решение для снижения электромагнитных помех
ПО Полупроводник
ПДФ
BCV61 Двойной транзистор NPN общего назначения
Филипс
ПДФ
BD202 Кремниевый силовой транзистор PNP
Сменный полупроводник
ПДФ
BD202 PNP ПЛАСТМАССОВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
CDIL
ПДФ
BD204 Кремниевый силовой транзистор PNP
Сменный полупроводник
PDF
BD204 PNP ПЛАСТМАССОВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
CDIL
ПДФ
BD546 Кремниевый силовой транзистор PNP
Сменный полупроводник
ПДФ
БД546А КРЕМНИЕВЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ PNP
Электронные решения Bourns
ПДФ

Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (datasheet на английском языке), también ficha de characterísticas u hoja de características, es un documento que резюме el funcionamiento y otras characteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronico) o subsistema por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *