Транзистор КТ819Б
В корзину
- Описание и характеристики
- Отзывы(0)
- Инструкция
Транзистор КТ819Б n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- аАО.336.189 ТУ / 02
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 45 до + 100 С
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Вывод | Назначение |
№1 | Эмиттер |
№2 | Коллектор |
№3 | База |
Параметры | Обозначение | Ед.изм. | Режимы измерения | Min | Max |
Обратный ток коллектора | Iкбо | мА | Uкб=40B | 1 | |
Статический коэффициент передачи тока КТ819А, В КТ819Б КТ819Г | h31э | — | Uкб = 5 B, Iэ =5 A | 15 20 12 | — |
Граничное напряжение | Uкэо гр | В | Iэ =0,3 A, tи= 270 330 мкс | 25 | — |
КТ819А | |||||
КТ819Б | 40 | ||||
КТ819В | 60 | ||||
КТ819Г | 80 | ||||
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас | В | Iк=5A, Iб=0,5A | — | 2 |
Параметры | Обознач. | Ед. изм. | Значение |
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб | Uкэ max | В | 40 |
КТ819А | |||
КТ819Б | 50 | ||
КТ819В | 70 | ||
КТ819Г | 100 | ||
Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 10 |
Импульсный ток коллектора tи 100 | Iки max | А | 15 |
Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 3 |
Импульсный ток базы tи 100 | Iби max | А | 5 |
Рассеиваемая мощность при Ткорп. | Рк мах | Вт | 60 |
Отзывы
Транзистор КТ819Г
- Главная>
- Радиотехническое оборудование>
- Транзисторы>
- Кремниевые транзисторы>
- Транзистор КТ819Г
Транзистор КТ819Г n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Транзистор КТ819Г n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- аАО.336.189 ТУ / 02
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 45 до + 100 С
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Вывод | Назначение |
№1 | Эмиттер |
№2 | Коллектор |
№3 | База |
Параметры | Обозначение | Ед.изм. | Режимы измерения | Min | Max |
Обратный ток коллектора | Iкбо | мА | Uкб=40B | 1 | |
Статический коэффициент передачи тока КТ819А, В КТ819Б КТ819Г | h31э | — | Uкб = 5 B, Iэ =5 A | 15 20 12 | — |
Граничное напряжение | Uкэо гр | В | Iэ =0,3 A, tи= 270 330 мкс | 25 | — |
КТ819А | |||||
КТ819Б | 40 | ||||
КТ819В | 60 | ||||
КТ819Г | 80 | ||||
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас | В | Iк=5A, Iб=0,5A | — | 2 |
Параметры | Обознач. | Ед. изм. | Значение |
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб | Uкэ max | В | 40 |
КТ819А | |||
КТ819Б | 50 | ||
КТ819В | 70 | ||
КТ819Г | 100 | ||
Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 10 |
Импульсный ток коллектора tи 100 | Iки max | А | 15 |
Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 3 |
Импульсный ток базы tи 100 | Iби max | А | 5 |
Рассеиваемая мощность при Ткорп. | Рк мах | Вт | 60 |
Вместе с Транзистор КТ819Г смотрят
Транзистор КТ8224А
Транзистор КТ818В
Транзистор КТ817Б
Транзистор КТ817Г9
kt819a техпаспорт и примечания по применению
kt819a техпаспорт (6)
Часть | Модель ECAD | Производитель | Описание | Тип | ПДФ |
---|---|---|---|---|---|
КТ819А | интеграл | Русский Транзистор | Оригинал | ||
КТ819А | Другие | Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные) | Сканировать | ||
КТ819А | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Сканировать | ||
КТ819А | Другие | Транзистор Shortform PDF Лист данных | Сканировать | ||
КТ819А | УДССР | Транзистор | Сканировать | ||
КТ819АМ | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Сканировать |
kt819a Спецификации Context Search
Каталог Спецификация | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
---|---|---|---|
КТ805АМ Реферат: КТ805 КТ610А КТ837Б BD140 npn КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818 | Оригинал | КТ3126А КТ3126Б КТ3127А КТ3128А КТ3128А1 КТ3128 КТ3129А9 КТ3129 КТ3129Б9 КТ805АМ КТ805 КТ610А КТ837Б БД140 нпн КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818 | |
2010 — б0743 Реферат: KT819A B0545 BOT54 PT9784 2N3055-5 mje1660 40636 1561-0403 044Vh5 | Оригинал | БУВ26А БУВ26АФ EST062S EUT069 EUT069R EUT069RS EUT069S BUW17 BUW44 б0743 КТ819А B0545 БОТ54 PT9784 2Н3055-5 mje1660 40636 1561-0403 044Вх5 | |
2010 — КТ819Б Реферат: KT818A BD347 MJE1660 2SB629 BD191 1561-0403 BDT52 KT818B 2sb757 | Оригинал | MJE1290 MJE1660 SDT9801 КТ818А КТ819А 2СБ757-09 КТ819Б БД347 2СБ629 БД191 1561-0403 БДТ52 КТ818Б 2сб757 | |
КТ805М Реферат: кт805бм КТ872А КТ837 КТ837К КТ818 КТ805 КТ837Б КТ837А КТ610А | Оригинал | KSC1623 3102М КТ805М кт805бм КТ872А КТ837 КТ837К КТ818 КТ805 КТ837Б КТ837А КТ610А | |
2Т908А Реферат: 2T602 2T907A KT604 1HT251 1T813 2t903 KT920A PO6 115,05 KT117 | OCR-сканирование | Т-0574Д. 30Эиаа Coi03nojiH 2Т908А 2Т602 2Т907А КТ604 1HT251 1Т813 2т903 КТ920А ПО6 115,05 КТ117 | |
2Т931А Реферат: КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А | OCR-сканирование | МОКП51КОБ, KTC631 ТИ2023 II2033 ТТ213 ТИ216 fI217 II302 XI306 н306А 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А | |
КС156А Реферат: ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KP350A KT808a KT920A KC213 | OCR-сканирование | КсапфаКОБ-57, КС156А ky202e К174ХА2 КТ809А КТ805А КТ610Б КП350А КТ808а КТ920А КС213 | |
т110 94в 0 Резюме: PTC SY 16P 2N2955T Philips диод PH 37m 2N3349 ASI 2N4948 NJS Trimble R8 модель 2 2n6259 ssi 2SA749 2sd73 | OCR-сканирование | Барселона-28, С-171 СН-5400 т110 94в 0 PTC SY 16P 2Н2955т диод филипс PH 37m 2N3349 АСИ 2N4948 NJS тримбл R8 модель 2 2n6259 сси 2SA749 2сд73 |