Транзистор КТ819Б
Срок доставки:
5 — 15 дней
Цена:
По запросу
Транзистор КТ819Б n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- аАО.336.189 ТУ / 02
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 45 до + 100 С
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
| Вывод | Назначение |
| №1 | Эмиттер |
| №2 | Коллектор |
| №3 | База |
| Параметры | Обозначение | Ед.изм. | Режимы измерения | Min | Max |
| Обратный ток коллектора | Iкбо | мА | Uкб=40B | 1 | |
| Статический коэффициент передачи тока КТ819А, В КТ819Б КТ819Г | h31э | — | Uкб = 5 B, Iэ =5 A | 15 20 12 | — |
| Граничное напряжение | Uкэо гр | В | Iэ =0,3 A, tи= 270 330 мкс | 25 | — |
| КТ819А | |||||
| КТ819Б | 40 | ||||
| КТ819В | 60 | ||||
| КТ819Г | 80 | ||||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас | В | Iк=5A, Iб=0,5A | — | 2 |
| Параметры | Обознач. | Ед. изм. | Значение |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб | Uкэ max | В | 40 |
| КТ819А | |||
| КТ819Б | 50 | ||
| КТ819В | 70 | ||
| КТ819Г | 100 | ||
| Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 10 |
| Импульсный ток коллектора tи 100 | Iки max | А | 15 |
| Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 3 |
| Импульсный ток базы tи 100 | Iби max | А | 5 |
Рассеиваемая мощность при Ткорп. | Рк мах | Вт | 60 |
КТ819Б транзистор NPN (10А 50В) 60W (ТО220), цена 25.20 грн — Prom.ua (ID#35613631)
К сожалению, товар недоступен. Просмотрите товары от других продавцов
Характеристики и описание
| Наимен. | тип | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), мА | Pкmax(т), Вт | h31э | Iкбо, мкА | fгр., МГц | Uкэн, В |
| КТ819А | n-p-n | 40 | 40 | 10000 (15000) | 1.5(60) | 15-225 | 1000 | 3 | <2 |
| КТ819Б | 50 | 50 | 10000 (15000) | 1.5(60) | 20-225 | 1000 | 3 | <2 | |
| КТ819В | 70 | 70 | 10000 (15000) | 1.5(60) | 15-225 | 1000 | 3 | <2 | |
| КТ819Г | 100 | 100 | 10000 (15000) | 1. 5(60) | 12-225 | 1000 | 3 | <2 |
Корпус:
| Наимен. | тип | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), мА | Pкmax(т), Вт | h31э | Iкбо, мкА | fгр., МГц | Uкэн, В |
| КТ819АМ | n-p-n | 40 | 40 | 15000 (20000) | 2(100) | 15-225 | 1000 | 3 | <2 |
| КТ819БМ | 50 | 50 | 15000 (20000) | 2(100) | 20-225 | 1000 | 3 | <2 | |
| КТ819ВМ | 70 | 70 | 15000 (20000) | 2(100) | 15-225 | 1000 | 3 | <2 | |
| КТ819ГМ | 100 | 100 | 15000 (20000) | 2(100) | 12-225 | 1000 | 3 | <2 | |
| 2Т819А | 100 | 100 | 15000 (20000) | 3(100) | 20-225 | 1000 | 3 | <1 | |
| 2Т819Б | 80 | 80 | 15000 (20000) | 3(100) | 20-225 | 1000 | 3 | <1 | |
| 2Т819В | 60 | 60 | 15000 (20000) | 3(100) | 20-225 | 1000 | 3 | <1 |
Корпус:
| Uкбо | — Максимально допустимое напряжение коллектор-база |
| Uкбои | — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база |
| Uкэо | — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер |
| Uкэои | — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер |
| Iкmax | — Максимально допустимый постоянный ток коллектора |
| Iкmax и | — Максимально допустимый импульсный ток коллектора |
| Pкmax | — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода |
| Pкmax т | — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом |
| h31э | — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером |
| Iкбо | — Обратный ток коллектора |
| fгр | — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером |
| Uкэн | — напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
Код: КТ819Б
Недоступен
25.
20 грн
kt819b техпаспорт и примечания по применению
kt819b техпаспорт (6)
| Часть | Модель ECAD | Производитель | Описание | Тип | ПДФ |
|---|---|---|---|---|---|
| КТ819Б | интеграл | Русский Транзистор | Оригинал | ||
| КТ819Б | Другие | Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные) | Сканировать | ||
| КТ819Б | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Сканировать | ||
| КТ819Б | Другие | Транзистор Shortform PDF Лист данных | Сканировать | ||
| КТ819Б | УДССР | Транзистор | Сканировать | ||
| КТ819БМ | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Сканировать |
org/Product»>kt819b Листы данных Context Search
| Лист данных по каталогу | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
КТ819Б Реферат: KT819 DSAGER00036 ZM 8 h4 | OCR-сканирование | 8и19А; КТ819Б КТ819 DSAGER00036 ЗМ 8 ч4 | |
2010 — КТ819Б Реферат: KT818A BD347 MJE1660 2SB629 BD191 1561-0403 BDT52 KT818B 2sb757 | Оригинал | MJE1290 MJE1660 SDT9801 КТ818А КТ819А 2СБ757-09 КТ819Б БД347 2СБ629 БД191 1561-0403 БДТ52 КТ818Б 2сб757 | |
КТ805АМ Реферат: КТ805 КТ610А КТ837Б BD140 npn КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818 | Оригинал | КТ3126А КТ3126Б КТ3127А КТ3128А КТ3128А1 КТ3128 КТ3129А9 КТ3129 КТ3129Б9 КТ805АМ КТ805 КТ610А КТ837Б БД140 нпн КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818 | |
КТ805М Реферат: кт805бм КТ872А КТ837 КТ837К КТ818 КТ805 КТ837Б КТ837А КТ610А | Оригинал | KSC1623 3102М КТ805М кт805бм КТ872А КТ837 КТ837К КТ818 КТ805 КТ837Б КТ837А КТ610А | |
2Т908А Реферат: 2T602 2T907A KT604 1HT251 1T813 2t903 KT920A PO6 115,05 KT117 | OCR-сканирование | Т-0574Д. 30Эиаа Coi03nojiH 2Т908А 2Т602 2Т907А КТ604 1HT251 1Т813 2т903 КТ920А ПО6 115,05 КТ117 | |
2Т931А Реферат: КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А | OCR-сканирование | МОКП51КОБ, KTC631 ТИ2023 II2033 ТТ213 ТИ216 fI217 II302 XI306 н306А 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А | |
КС156А Реферат: ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KP350A KT808a KT920A KC213 | OCR-сканирование | КсапфаКОБ-57, КС156А ky202e К174ХА2 КТ809А КТ805А КТ610Б КП350А КТ808а КТ920А КС213 | |
т110 94в 0 Резюме: PTC SY 16P 2N2955T Philips диод PH 37m 2N3349 ASI 2N4948 NJS Trimble R8 модель 2 2n6259 ssi 2SA749 2sd73 | OCR-сканирование | Барселона-28, С-171 СН-5400 т110 94в 0 PTC SY 16P 2Н2955Т диод филипс PH 37m 2N3349 АСИ 2N4948 NJS тримбл R8 модель 2 2n6259 сси 2SA749 2сд73 | |
2T3130A9 Реферат: HEP310 kp303g kt117 HEP-310 kt117b kt117a KT117G kt816g kt3102e | Оригинал | КТ117АМ КТ117БМ КТ117Г КТ117ГМ КТ117ВМ 2Н1923 2Н739 БСВ56С, HEP310 2Н844 2Т3130А9 HEP310 КП303Г кт117 ГЭП-310 кт117б кт117а КТ117Г кт816г кт3102е |
t8i9r=»» kt.81.9r=»» ifoe.=»» t3=»» p=»» b3=»»>
org/Product»>
org/Product»>Лист данных PDF Search Site
Новые списки
| Номер детали | Функция | Производители | ПДФ |
| 1N6533 | Диод (спецификация) | Американский микрополупроводник | |
| 3DD56 | NPN кремниевые низкочастотные мощные транзисторы | И Т.  Похожие записи |