Каковы основные характеристики транзистора КТ819Б. Какие параметры важны при его выборе. Где применяется КТ819Б. Как правильно использовать этот транзистор в электронных схемах. Каковы аналоги КТ819Б.
Общие сведения о транзисторе КТ819Б
КТ819Б — это мощный биполярный NPN транзистор, предназначенный для использования в ключевых и линейных схемах различной радиоэлектронной аппаратуры. Данный транзистор относится к семейству КТ819, в которое также входят модификации КТ819А, КТ819В и КТ819Г.
Основные характеристики КТ819Б:
- Структура: n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Максимальный ток коллектора: 10 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 60 Вт
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
- Корпус: пластмассовый TO-220 (КТ-28)
Электрические параметры и предельные режимы эксплуатации
Для правильного применения транзистора КТ819Б важно знать его основные электрические параметры и предельные режимы эксплуатации. Рассмотрим их подробнее.
Ключевые электрические параметры
- Обратный ток коллектора (IКБО): не более 1 мА при UКБ = 40 В
- Статический коэффициент передачи тока (h21Э): 20-225 при UКЭ = 5 В, IЭ = 5 А
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (UКЭ нас): не более 2 В при IК = 5 А, IБ = 0,5 А
Предельно допустимые режимы эксплуатации
- Максимальное постоянное напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Максимальное напряжение эмиттер-база: 5 В
- Максимальный постоянный ток коллектора: 10 А
- Максимальный импульсный ток коллектора: 15 А (при длительности импульса 100 мкс)
- Максимальный постоянный ток базы: 3 А
- Максимальный импульсный ток базы: 5 А (при длительности импульса 100 мкс)
- Максимальная рассеиваемая мощность: 60 Вт (при температуре корпуса 25°C)
Особенности применения КТ819Б в электронных схемах
Транзистор КТ819Б широко используется в различных электронных устройствах благодаря своим характеристикам. Рассмотрим некоторые особенности его применения.
Ключевые схемы
В ключевых схемах КТ819Б может использоваться для коммутации больших токов. При этом важно обеспечить достаточный ток базы для полного открытия транзистора и минимизации потерь на нем. Типичное отношение тока базы к току коллектора в ключевом режиме составляет 1:10 — 1:20.
Линейные усилители
При использовании КТ819Б в линейных усилителях необходимо учитывать его температурную стабилизацию. Для этого часто применяют схемы с отрицательной обратной связью по току и термокомпенсацию. Важно также обеспечить эффективный теплоотвод для предотвращения перегрева транзистора.
Сравнение КТ819Б с аналогами
КТ819Б имеет несколько аналогов как отечественного, так и зарубежного производства. Рассмотрим некоторые из них:
- BD501 — зарубежный аналог с очень близкими характеристиками
- КТ818Б — отечественный аналог с несколько меньшим максимальным током (8 А)
- 2N3055 — популярный зарубежный транзистор с похожими параметрами, но меньшей граничной частотой
При выборе между КТ819Б и его аналогами следует учитывать конкретные требования схемы, доступность компонентов и их стоимость.
Рекомендации по монтажу и эксплуатации
Для обеспечения надежной работы транзистора КТ819Б следует соблюдать ряд рекомендаций:
- Использовать качественный теплоотвод, обеспечивающий эффективное рассеивание тепла
- Применять теплопроводящую пасту между корпусом транзистора и теплоотводом
- Соблюдать правила электростатической безопасности при монтаже
- Не превышать максимально допустимых значений напряжений и токов
- Обеспечивать достаточную вентиляцию устройства для предотвращения перегрева
Области применения транзистора КТ819Б
Благодаря своим характеристикам, КТ819Б находит применение в различных областях электроники. Вот некоторые из них:
- Источники питания: в качестве регулирующего элемента или ключа
- Усилители мощности звуковой частоты
- Драйверы электродвигателей
- Системы управления мощной нагрузкой
- Импульсные преобразователи напряжения
- Зарядные устройства для аккумуляторов
В каждой из этих областей КТ819Б может эффективно выполнять свои функции, обеспечивая надежную работу устройства.
Особенности выбора КТ819Б для конкретных применений
При выборе транзистора КТ819Б для конкретного применения необходимо учитывать ряд факторов:
- Максимальный ток коллектора в схеме
- Напряжение коллектор-эмиттер
- Требуемую рассеиваемую мощность
- Частотные характеристики схемы
- Температурный режим работы
Важно также учитывать возможные перегрузки и выбирать транзистор с некоторым запасом по параметрам. Это повысит надежность и долговечность устройства.
Измерение параметров и проверка работоспособности КТ819Б
Для проверки работоспособности транзистора КТ819Б и измерения его параметров можно использовать следующие методы:
- Проверка статического коэффициента передачи тока с помощью тестера или специализированного прибора
- Измерение напряжения насыщения коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и базы
- Проверка обратного тока коллектора при заданном напряжении коллектор-база
- Измерение граничной частоты коэффициента передачи тока с помощью специального оборудования
Эти измерения позволяют оценить соответствие параметров транзистора заявленным характеристикам и выявить возможные дефекты.
Транзистор КТ819Б
Срок доставки:5 — 15 дней
Цена:
По запросу
Транзистор КТ819Б n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- аАО.336.189 ТУ / 02
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 45 до + 100 С
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
| Вывод | Назначение |
| №1 | Эмиттер |
| №2 | Коллектор |
| №3 | База |
| Обозначение | Ед.изм. | Режимы измерения | Min | Max | |
| Обратный ток коллектора | Iкбо | мА | Uкб=40B | 1 | |
| Статический коэффициент передачи тока КТ819А, В КТ819Б КТ819Г | h31э | — | Uкб = 5 B, Iэ =5 A | 15 20 12 | — |
| Граничное напряжение | Uкэо гр | В | Iэ =0,3 A, tи= 270 330 мкс | 25 | — |
| КТ819А | |||||
| КТ819Б | 40 | ||||
| КТ819В | 60 | ||||
| КТ819Г | 80 | ||||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас | В | Iк=5A, Iб=0,5A | — | 2 |
среды = + 25 С| Параметры | Обознач. | Ед. изм. | Значение |
| Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб | Uкэ max | В | 40 |
| КТ819А | |||
| КТ819Б | 50 | ||
| КТ819В | 70 | ||
| КТ819Г | 100 | ||
| Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
| Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 10 |
| Импульсный ток коллектора tи 100 | Iки max | А | 15 |
| Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 3 |
| Импульсный ток базы tи 100 | Iби max | А | 5 |
Рассеиваемая мощность при Ткорп. | Рк мах | Вт | 60 |
КТ819Б транзистор NPN (10А 50В) 60W (ТО220), цена 25.20 грн — Prom.ua (ID#35613631)
К сожалению, товар недоступен. Просмотрите товары от других продавцов
Характеристики и описание
| Наимен. | тип | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), мА | Pкmax(т), Вт | h31э | Iкбо, мкА | fгр., МГц | Uкэн, В |
| КТ819А | n-p-n | 40 | 40 | 10000 (15000) | 1.5(60) | 15-225 | 1000 | 3 | <2 |
| КТ819Б | 50 | 50 | 10000 (15000) | 1.5(60) | 20-225 | 1000 | 3 | <2 | |
| КТ819В | 70 | 70 | 10000 (15000) | 1.5(60) | 15-225 | 1000 | 3 | <2 | |
| КТ819Г | 100 | 100 | 10000 (15000) | 1. 5(60) | 12-225 | 1000 | 3 | <2 |
Корпус:
| Наимен. | тип | Uкбо(и),В | Uкэо(и), В | Iкmax(и), мА | Pкmax(т), Вт | h31э | Iкбо, мкА | fгр., МГц | Uкэн, В |
| КТ819АМ | n-p-n | 40 | 40 | 15000 (20000) | 2(100) | 15-225 | 1000 | 3 | <2 |
| КТ819БМ | 50 | 50 | 15000 (20000) | 2(100) | 20-225 | 1000 | 3 | <2 | |
| КТ819ВМ | 70 | 70 | 15000 (20000) | 2(100) | 15-225 | 1000 | 3 | <2 | |
| КТ819ГМ | 100 | 100 | 15000 (20000) | 2(100) | 12-225 | 1000 | 3 | <2 | |
| 2Т819А | 100 | 100 | 15000 (20000) | 3(100) | 20-225 | 1000 | 3 | <1 | |
| 2Т819Б | 80 | 80 | 15000 (20000) | 3(100) | 20-225 | 1000 | 3 | <1 | |
| 2Т819В | 60 | 60 | 15000 (20000) | 3(100) | 20-225 | 1000 | 3 | <1 |
Корпус:
| Uкбо | — Максимально допустимое напряжение коллектор-база |
| Uкбои | — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база |
| Uкэо | — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер |
| Uкэои | — Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер |
| Iкmax | — Максимально допустимый постоянный ток коллектора |
| Iкmax и | — Максимально допустимый импульсный ток коллектора |
| Pкmax | — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода |
| Pкmax т | — Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом |
| h31э | — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером |
| Iкбо | — Обратный ток коллектора |
| fгр | — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером |
| Uкэн | — напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
Код: КТ819Б
Недоступен
25.
20 грн
kt819b техпаспорт и примечания по применению
kt819b техпаспорт (6)
| Часть | Модель ECAD | Производитель | Описание | Тип | ПДФ |
|---|---|---|---|---|---|
| КТ819Б | интеграл | Русский Транзистор | Оригинал | ||
| КТ819Б | Другие | Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные) | Сканировать | ||
| КТ819Б | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Сканировать | ||
| КТ819Б | Другие | Транзистор Shortform PDF Лист данных | Сканировать | ||
| КТ819Б | УДССР | Транзистор | Сканировать | ||
| КТ819БМ | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Сканировать |
org/Product»>kt819b Листы данных Context Search
| Лист данных по каталогу | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
КТ819Б Реферат: KT819 DSAGER00036 ZM 8 h4 | OCR-сканирование | 8и19А; КТ819Б КТ819 DSAGER00036 ЗМ 8 ч4 | |
2010 — КТ819Б Реферат: KT818A BD347 MJE1660 2SB629 BD191 1561-0403 BDT52 KT818B 2sb757 | Оригинал | MJE1290 MJE1660 SDT9801 КТ818А КТ819А 2СБ757-09 КТ819Б БД347 2СБ629 БД191 1561-0403 БДТ52 КТ818Б 2сб757 | |
КТ805АМ Реферат: КТ805 КТ610А КТ837Б BD140 npn КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818 | Оригинал | КТ3126А КТ3126Б КТ3127А КТ3128А КТ3128А1 КТ3128 КТ3129А9 КТ3129 КТ3129Б9 КТ805АМ КТ805 КТ610А КТ837Б БД140 нпн КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818 | |
КТ805М Реферат: кт805бм КТ872А КТ837 КТ837К КТ818 КТ805 КТ837Б КТ837А КТ610А | Оригинал | KSC1623 3102М КТ805М кт805бм КТ872А КТ837 КТ837К КТ818 КТ805 КТ837Б КТ837А КТ610А | |
2Т908А Реферат: 2T602 2T907A KT604 1HT251 1T813 2t903 KT920A PO6 115,05 KT117 | OCR-сканирование | Т-0574Д. 30Эиаа Coi03nojiH 2Т908А 2Т602 2Т907А КТ604 1HT251 1Т813 2т903 КТ920А ПО6 115,05 КТ117 | |
2Т931А Реферат: КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А | OCR-сканирование | МОКП51КОБ, KTC631 ТИ2023 II2033 ТТ213 ТИ216 fI217 II302 XI306 н306А 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А | |
КС156А Реферат: ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KP350A KT808a KT920A KC213 | OCR-сканирование | КсапфаКОБ-57, КС156А ky202e К174ХА2 КТ809А КТ805А КТ610Б КП350А КТ808а КТ920А КС213 | |
т110 94в 0 Резюме: PTC SY 16P 2N2955T Philips диод PH 37m 2N3349 ASI 2N4948 NJS Trimble R8 модель 2 2n6259 ssi 2SA749 2sd73 | OCR-сканирование | Барселона-28, С-171 СН-5400 т110 94в 0 PTC SY 16P 2Н2955Т диод филипс PH 37m 2N3349 АСИ 2N4948 NJS тримбл R8 модель 2 2n6259 сси 2SA749 2сд73 | |
2T3130A9 Реферат: HEP310 kp303g kt117 HEP-310 kt117b kt117a KT117G kt816g kt3102e | Оригинал | КТ117АМ КТ117БМ КТ117Г КТ117ГМ КТ117ВМ 2Н1923 2Н739 БСВ56С, HEP310 2Н844 2Т3130А9 HEP310 КП303Г кт117 ГЭП-310 кт117б кт117а КТ117Г кт816г кт3102е |
t8i9r=»» kt.81.9r=»» ifoe.=»» t3=»» p=»» b3=»»> 
org/Product»>
org/Product»>Лист данных PDF Search Site
Новые списки
| Номер детали | Функция | Производители | ПДФ |
| 1N6533 | Диод (спецификация) | Американский микрополупроводник | |
| 3DD56 | NPN кремниевые низкочастотные мощные транзисторы | И Т.  Похожие записи |