Кт819Б характеристики транзистора: КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются. Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, транзисторы 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В — в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Масса транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г не более 2,5 гр., транзисторов 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В не более 20 гр. Чертёж транзистора КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В Электрические параметры. Граничное напряжение при IК=0,1 А, τи≤300 мкс, Q≥100 КТ819А, не более 25 В КТ819Б, 2Т819В 40-60-80 В КТ819В, 2Т819Б 60-80-100 В КТ819Г, 2Т819А 80-100-110 В Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более при IК=5 А, IБ=0,5 А 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 1 В КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 2 В при IК=20 А, IБ=4 А 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 5 В при IК=15 А, IБ=3 А КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 4 В Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=5 А, IБ=0,5 А, не более 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 1,5 В КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 3 В Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=5 В, IК=5 А, не менее при Т=24,85°С и Т=ТК макс 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 20 КТ819А, КТ819В 15 КТ819Б 20 КТ819Г 12 при Т=-60,15°С 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 9 при Т=-40,15°С КТ819А, КТ819В 10 КТ819Б 15 КТ819Г 7 Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=5 В, IЭ=0,5 А 3-5-12 МГц Время выключения при IК=5 А, I Б=0,5 А, не более 2,5 мкс Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=5 В 360-600-1000 пФ Пробивное напряжение коллектор-база при Т=213-298 К, IК=1 мА и при Т=124,85°С, IК=5 мА, не менее 2Т819А 100 В 2Т819Б 80 В 2Т819В 60 В Обратный ток коллектора при UКБ=40 В, не более КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г при Т=233-298 К 1 мА при Т=99,85°С 10 мА Пробивное напряжение эмиттер-база при IЭ=5 мА, не менее 5 В Предельные эксплуатационные данные. Постоянное напряжение коллектор-база 2Т819А 25 В 2Т819Б 40 В 2Т819В 60 В Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤100 Ом, Т=Тмин-323 К КТ819А 40 В КТ819Б 50 В КТ819В 70 В КТ819Г, 2Т819А 100 В 2Т819Б 80 В 2Т819В 60 В Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В Постоянный ток коллектора КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 10 А 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 15 А Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥100 КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 15 А 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 20 А Постоянный ток базы 3 А Импульсный ток базы при τи≤10 мс, Q≥100 5 А Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при Тк≤24,85°С КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 60 Вт 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 100 Вт без теплоотвода при Тк≤24,85°С КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 1,5 Вт 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 3 Вт Температура перехода КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 124,85°С 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 149,85°С Температура окружающей среды КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г От -40,15 до Тк=99,85°С 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В От -60,15 до Тк=124,85°С Примечания: 1. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при Тк=298÷373 К снижается линейно на 0,015 Вт через 1 К КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г. 2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При монтаже в схему транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии не менее 2,5 мм от корпуса под углом 90°, радиусом не менее 0,8 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается. 1-2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 3. Входная характеристика. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 1-2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 3. Входная характеристика. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 1. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость времени выключения от тока коллектора. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса. 1. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость времени выключения от тока коллектора. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса.

Параметры транзистора КТ819, его цоколевка и аналоги. Параметры транзистора КТ819, его цоколевка и аналоги Транзистор 819 параметры

Фотография транзистора КТ819Г КТ819Г биполярный транзистор NPN проводимости, аналог 2N6110. Благодаря неплохим техническим характеристикам получил широкое распространение в отечественной радиотехнике. Макс. напр. к б при заданном обратном токе к … Википедия

Структура p n p Uce 10 25В … Википедия

Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая наглядная схема устройства транзистора Биполярный транзистор трёхэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзистора. Электроды подключены к трём последовательно расположенным… … Википедия

Цоколевка КТ3102 КТ3102 тип кремниевого биполярного транзистора, n p n проводимости, усилительный высокочастотный маломощный с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилительных и г … Википедия

Транзисторы КТ3107 КТ3107 тип кремниевого биполярного транзистора, p n p проводимости, усилительный высокочастотный маломощный с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилительных и генераторных… … Википедия

Цоколевка КТ815 КТ815 тип кремниевого биполярного транзистора, n p n проводимости, универсальный низкочастотный мощный транзистор. Предназначен для работы в усилителях низкой частоты, оперативных и дефференциальны … Википедия

Транзистор КТ819 представляет собой кремневый полупроводниковый прибор структуры n — p — n . Конструктивно транзистор выполняется в двух вариантах – в металлическом и пластиковом корпусах.

Основная сфера применения: работа в качестве ключевого элемента, работа в выходных каскадах мощных усилителей звуковой частоты.

Отличительной особенностью является дешевизна при относительно высоких технических характеристиках. Именно поэтому данный полупроводниковый прибор нашел широкое распространение при производстве радиотехнической аппаратуры в республиках бывшего СССР и после его распада – в странах СНГ. Более того, несмотря на достаточно большой ассортимент зарубежных транзисторов, которые предлагает современный рынок радиоэлектронных компонентов, КТ819 активно применяется радиолюбителями при конструировании различных устройств.

Цоколевка транзистора

Цоколевка полупроводникового прибора показана на рисунке 1. Как можно заметить, вывод коллектора соединен с корпусом транзистора. Для возможности крепления на радиатор предусмотрены лепестки с отверстиями диаметром 4,1мм. При исполнении в пластиковом корпусе для крепления к охлаждающему радиатору предусмотрен один лепесток с отверстием 3,6 мм.

Основные параметры

Основные характеристики КТ819 отражены в таблице 1 .

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 нельзя назвать дефицитной деталью. Тем не менее, встречаются случаи, когда по тем или иным причинам необходимо подобрать его аналог – то есть транзистор, который больше всего соответствует его характеристикам. В целом при подборе аналога для любого отечественного или импортного транзистора основополагающими характеристиками являются:

• допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эммитера;
• допустимый ток коллектора;
• коэффициент усиления;
• рабочая частота.

Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену теми или иными отечественными и зарубежными транзисторами.

Отечественные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими отечественными транзисторами:

• КТ834;
• КТ841;
• КТ844;
• КТ847.

Зарубежные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими зарубежными полупроводниковыми приборами:

• 2 N6288 ;
• BD705 ;
• TIP41 ;
• BD533 .

Отдельно стоит сказать об аналоге для КТ819ГМ. Все дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используются именно КТ819ГМ. Чем заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор – 2 N 3055. Кроме этого, некоторые схемы на КТ819ГМ могут успешно работать с В D 183, 2 N 6472, КТ729.

Проверка транзистора

Проверить КТ819 можно обыкновенным тестером. Для проверки измерительный прибор переводится в режим измерения сопротивлений. Согласно схеме КТ819ГМ (расположению выводов) или другого компонента этой серии подключаем плюсовой щуп прибора к выводу базы, а минусовой – к выводу коллектора. Измерительный прибор должен показать пробивное напряжение. Далее, не отсоединяя плюсовой щуп от базы, подключаем минусовой щуп к выводу эмиттера. В данном случае прибор должен показать практически то же значение, что и при измерении перехода база-коллектор.

После описанной выше процедуры следует проверить переходы при обратном включении . Согласно схеме КТ819 (расположению выводов) подключаем минусовой щуп тестера к выводу базы, а плюсовой – к выводу коллектора. Каких-либо показаний на приборе быть не должно. После этого, не отключая минусовой щуп от базы, подключаем плюсовой щуп к эмиттеру – как и в случае с переходом база-коллектор, показаний на тестере быть не должно. Проверку можно считать успешной, а транзистор – исправным, если переходы не повреждены.

Важный момент: проверять любой полупроводниковый элемент следует исключительно при демонтаже его из схемы. Проще говоря – проверка элемента, соединенного с другими компонентами схемы, может быть некорректной.

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» приведем простую схему усилителя, в котором используется КТ819 и его комплементарная пара КТ818. Схема простейшего усилителя показана на рисунке 2.

Отличительной особенностью усилителя, изображенного на рисунке 2, является питание его от двухполярного источника . Благодаря такому схемотехническому решению обеспечивается возможность подключения нагрузки непосредственно между выходом усилительного каскада и общим проводом. Также стоит отметить и то, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термостабильностью.

При использовании элементов, указанных на схеме, при питании напряжением ±40 В и при нагрузке сопротивлением 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений – 0,07%.

После сборки усилителя каких-либо операций по его настройке не требуется . Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя (VT 6 и VT 7) должны быть установлены на радиаторах. Если будет использован один общий радиатор, транзисторы должны быть закреплены к нему через изоляционные прокладки.

Транзистор кт819гм параметры аналоги — Морской флот

В 14 раз выросло количество россиян на MediaTek Labs ? проекте по созданию устройств «интернета вещей» и «носимых гаджетов»

Сравнив статистику посещения сайта за два месяца (ноябрь и декабрь 2014 года), в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины ? в 12. Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs.mediatek.com превысила одну десятую от общего количества зарегистрированных на MediaTek Labs пользователей.

Новое поколение Джобсов или как MediaTek создал свой маленький «Кикстартер»

Амбициозная цель компании MediaTek – сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники. Начать проектировать гаджеты может любой талантливый разработчик – порог входа очень низкий.

Семинар и тренинг «ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений!» (14-15.10.2013, Новосибирск)

Компания Компэл, приглашает вас принять участие в семинаре и тренинге ?ФеST-TIваль инноваций: MAXIMум решений. который пройдет 14 и 15 октября в Новосибирске.

Популярные материалы

Комментарии

люди куплю транзистар кт 827А 0688759652

как молоды мы были и как быстро пробежали годы кулотино самое счастливое мое время

Светодиод – это диод который излучает свет. А если диод имеет ИК излучение, то это ИК диод, а не «ИК светодиод» и «Светодиод инфракрасный», как указано на сайте.

Подскажите 2т963а-2 гарантийный срок

Тип	Предельные параметры						Параметры при T = 25°C						RТ п-к, °C/Вт	Корп.
	IК, max, А	IК и, max, А	UЭБ0 max, В при T = 25°C	PК max, Вт	Tп max, °C	TК max, °C	UКЭ (UКБ), В	IК (IЭ), А	UКЭ нас, В	CК, пФ	CЭ, пФ	tвыкл, мкс
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г	10	15	5	60	125	100	(5)	5	2	1000	2,5	1,67	КТ-28
КТ819АМ, КТ819БМ, КТ819ВМ, КТ819ГМ	15	20	5	100	125	100	5	5	2	1000	2,5	1	КТ-9
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В	15	20	5	100	150	125	(5)	5	1000	2,5	1,25	КТ-9
2Т819А2, 2Т819Б2, 2Т819В2	15	20	5	40	150	100	(5)	(5)	700	2000	1,2	3,13	КТ-28

• I_Кmax — максимальный ток коллектора;
• I_{К и.} max — максимальный импульсный ток коллектора;
• P_кmax — максимальная мощность коллектора без радиатора;
• U_кэо — максимальное напряжение коллектор-эмиттер;
• I_кбо = 1 мА — обратный ток коллектора;
• f_гр. = 3 МГц — максимальная рабочая частота в схемах с общим эмиттером.

В следующей таблице представлена зависимость максимально допустимого (импульсного) напряжения коллектор-эмиттер от типа транзистора КТ819:

Тип	UКЭ0 гр, В
КТ819А, КТ819АМ	25
КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819В, 2Т819В2	40
КТ819В, КТ819ВМ, 2Т819Б, 2Т819Б2	60
КТ819Г, КТ819ГМ, 2Т819А, 2Т819А2	80

И ещё один немаловажный параметр минимальный статический коэффициент передачи тока КТ819:

Тип	h21Э
КТ819Г, КТ819ГМ	12
КТ819А, КТ819АМ, КТ819В, КТ819ВМ	15
КТ819Б, КТ819БМ, 2Т819А, 2Т819А2, 2Т819Б, 2Т819Б2, 2Т819В, 2Т819В2	20

КТ819 — применение

Сразу стоит упомянуть, что КТ819 имеет комплементарную пару — транзистор КТ818 с p-n-p структурой. Параметры КТ818 аналогичны параметрам КТ819 с совпадающими буквами.
И вот в паре с КТ818, КТ819 часто применялся в оконечных каскадах звуковоспроизводящей аппаратуры. Также благодаря своей дешевизне нашел применение в ключевых и линейных стабилизаторах постоянного напряжения.
КТ819 имеет серьезные минусы:

низкий коэффициент усиления по току (от 12 до 20 в зависимости от подтипа), и это требует серьезной раскачки на предварительном каскаде;

плохая повторяемость параметров от экземпляра к экземпляру, из-за этого чтобы подобрать две пары транзисторов по коэффициенту усиления может потребоваться перебрать целое ведро КТ819

Так что если потребуется отремонтировать отечественный усилитель, то лучше сразу покупать импортные аналоги.
Например вместо КТ819 и КТ818 в корпусе КТ-9, поставить зарубежную пару в корпусе TO-3:
MJ15001 и MJ15002 или MJ15003 и MJ15004.

В принципе аналогов много и в интернете много информации на этот счет, только вот не факт, что конкретно в этом усилителе замена подойдет. Поэтому перед заменой необходимо свериться с документацией производителя, транзистор которого собираетесь устанавливать так как от производителя к производителю у одного и того же типа транзистора могут отличатся параметры.

Вот ещё аналоги:

• КТ818ГМ — 2N2955
• КТ819ГМ — 2N3055
• 2Т819А — 2N5068

8 thoughts on “ КТ819 параметры ”

Не считаю, что низкий коэффициент передачи тока, данных транзисторов, являлся серьезным минусом, при использовании в выходных каскадах УМЗЧ. Скорее наоборот, особенно в экономичном режиме усиления АБ, когда часть работы выходного каскада брал на себя предварительный. К тому-же, многокаскадность позволяет использовать разнообразные цепи коррекции АЧХ. А для любых биполярных транзисторов, в таком применении, без этого никак не обойтись. А для простых, но мощных УНЧ (мегафонных, сиренных…), да, не очень подходят. Только для схематично-сложных Hi-Fi.
Разброс КПТ, при его изначальной малости, тоже довольно мал, так что подобрать пару несложно, не путайте с 825-ми и 827-ми.
По настоящему хороши 2Т818ГМ, 2Т819ГМ и их аналоги 2N2955, 2N3055.

Много «дохлых» попадается среди непользованных 818/819, с утечкой, звонящихся между коллектором и эмиттером.

Для пары КТ819 и КТ818 небольшие начальные утечки тока почти норма, и при их прямой замене на зарубежные аналоги, придется провести тщательную перенастройку всех предыдущих каскадов, включенных в обратную связь по току.
Паразитная проводимость обязательно учитывается при проектировании схем, и даже в некоторых случаях предотвращает самовозбуждение.
И если речь идет о замене транзистора в высококлассном многокаскадном УМЗЧ, то лучше будет после этого сделать настройку с помощью осциллографа и генератора низкой частоты.

Транзисторы с утечкой в выходном каскаде — ни ток покоя, ни ноль на выходе уже не выставишь без плясок с бубном.

Помню времена , когда за пару 818-819 нужно было отвалить чуть-ли не ползарплаты инженера.Зато усилители радовали. Сегодня вытеснила интегральная электроника — дискретную. Но для тренировки ума и рук — очень полезная деталь. Я, кстати, просто как ленивый радиолюбитель рассуждаю.

Ну, те что в железе, действительно, были дороговаты… Правда, у радиоинженера были возможности их просто выписать на складе, сдав взамен сгоревшие, для отчетности ) А те, что пошли попозже и были одеты в пластик, дорого уже не стоили. И не потому, что так уж хуже были по параметрам, а потому, что технология производства гораздо проще и дешевле. Сегодня ситуация не изменилась — один и тот же кристалл одетый в железо стоит на порядок (!) дороже аналогичного в пластике. Это касается и отечественных и зарубежных транзисторов.

Ребята, используйте 2Т819 и никакой 2N3055 вам не понадобится!

Ну. Всё захаили всё советское это не так,это не то,всё гавно -а. забугорное не гавно- это сладость. Как ламповые уселители так и транзисторные. Радиотехника… Бердский радиозавод. и т.д. Что-то все хотели купить 1 класса . и 0 высшего. А кто знает какого параметра была ихняя электроника ?Вы кто-то производил снятия характеристик?Я давно выписываю журнал Радио. И не надо хаить советскую радиопромышленность. Что то сейчас в тренде опять советские ламповые уселители.

Транзистор КТ819Б

Транзистор КТ819Б n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Номер технических условий

Особенности

• Диапазон рабочих температур:  — 45 до + 100 С

Корпусное исполнение

• пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)

Назначение выводов

Вывод	Назначение
№1	Эмиттер
№2	Коллектор
№3	База

Основные электрические параметры КТ819 при Токр. среды = + 25 С

Параметры	Обозначение	Ед. изм.	Режимы измерения	Min	Max
Обратный ток коллектора	Iкбо	мА	Uкб=40B		1
Статический коэффициент передачи тока КТ819А, В КТ819Б КТ819Г	h31э	—	Uкб = 5 B, Iэ =5 A	15 20 12	—
Граничное напряжение	Uкэо гр	В	Iэ =0,3 A, tи= 270 330 мкс	25	—
КТ819А
КТ819Б				40
КТ819В				60
КТ819Г				80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	Uкэ нас	В	Iк=5A, Iб=0,5A	—	2

Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ819

Параметры	Обознач.	Ед. изм.	Значение
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб	Uкэ max	В	40
КТ819А
КТ819Б			50
КТ819В			70
КТ819Г			100
Напряжение эмиттер-база	Uэб max	В	5
Постоянный ток коллектора	Iк max	А	10
Импульсный ток коллектора tи 100	Iки max	А	15
Максимально допустимый постоянный ток базы	Iб max	А	3
Импульсный ток базы tи 100	Iби max	А	5
Рассеиваемая мощность при Ткорп.	Рк мах	Вт	60

Vt6 – кт819б, vt7 – кт818б

Их предельно допустимые параметры:

Входная и выходная характеристики транзистора КТ819Б представлены на рисунках 6 и 7 соответственно.

Рисунок 6 – Входная характеристика транзистора КТ819Б

Рисунок 7 – Выходная характеристика транзистора КТ819Б

По заданию на нагрузке требуется мощность 10 Вт. Так как выходной каскад представлен двухтактным усилителем, то один транзистор (так как пара КТ818Б и КТ819Б является комплиментарной) должен выдавать в нагрузку (с учётом влияние ООС) мощность, примерно, 5,5 Вт.

По рисунку 7 Uкэm и Iкэm подбираются таким образом, чтобы была равна пяти с половиной ваттам (половина произведения берётся из-за того, что мощность рассчитывается как произведение действующих значений тока и напряжения, которые враз меньше амплитудных). Пускай транзисторVT6 работает в режиме АВ. Тогда по рисунку 7:

Напряжение определяется по входной характеристике транзистора (рисунок 6):

По рисунку 6 определяется амплитудное значение напряжения и тока на базе транзистора VT6:

Резистор R11 для верхнего плеча оконечного каскада соединён последовательно с резистором Rн. Резисторы R11 и R12 полезны в том смысле, что улучшают стабильность режима, способствуют снижению частотных искажений и несколько выравнивают параметры плеч двухтактного каскада, что приводит к уменьшению нелинейных искажений, обусловленных асимметрией плеч. То есть транзистор VT6 работает на нагрузку. Тогда сопротивлениеможно определить из следующего соотношения:

Входное сопротивление транзистора VT6 (VT6 включён по схеме с общим коллектором) определяется по формуле:

,

где h21 — входное сопротивление транзистора (определяется по входной характеристике),

h31 – коэффициент передачи по току (определяется по выходной характеристике).

По рисункам 6 и 7 определяются соответственно:

Зная эти параметры можно найти входное сопротивление каскада:

Следующие два транзистора, VT4 и VT5, должны обеспечивать базы транзисторов VT6 и VT7 токами по 52 мА. Такие токи могут дать следующие транзисторы:

Vt4 – кт815а, vt5 – кт814а

Их предельно допустимые параметры:

Входная и выходная характеристики транзистора КТ815А представлены на рисунках 8 и 9 соответственно.

Рисунок 8 – Входная характеристика для транзистора КТ815А

Рисунок 9 – Выходные характеристики для транзистора КТ815А

Напряжение и токнеобходимо подобрать таким образом, чтобы на последующем каскаде (который для верхнего плеча состоит из входного сопротивления транзистораVT6 и сопротивления R9) рассеивалась оптимальная мощность.

Путём подбора по рисунку 9 были выбраны следующие значения:

Резисторы R9 и R10 выполняют такую же функцию, как и резисторы R11 и R12 для каскада с транзисторами VT6 и VT7.

Ток на резисторе R10 определяется из условия

Отсюда следует:

Нагрузкой для транзистора VT4 служит параллельное соединение .

Зная ток, протекающий в этой нагрузке (; это амплитудное значение), можно найти мощность, рассеиваемую в:

(здесь производится деление на 2 из-за того, что для нахождения мощности необходимо знать действующее значение тока, которое враз меньше амплитудного).

По определённым по рисунку 9 параметрам можно определить мощность, выдаваемую транзистором в последующий каскад:

Запас мощности взят с учётом ООС.

По рисунку 9 определяется амплитудное значение тока базы транзистора VT4:

Так же по рисунку 9 определяется коэффициент передачи VT4 по току:

По рисунку 8 – входное сопротивление транзистора VT4:

Зная эти параметры можно определить входного сопротивление каскада на транзисторе VT4:

Как проверить транзистор кт819гм

Транзистор КТ819 представляет собой кремневый полупроводниковый прибор структуры n — p — n . Конструктивно транзистор выполняется в двух вариантах – в металлическом и пластиковом корпусах. Основная сфера применения: работа в качестве ключевого элемента, работа в выходных каскадах мощных усилителей звуковой частоты.

Отличительной особенностью является дешевизна при относительно высоких технических характеристиках. Именно поэтому данный полупроводниковый прибор нашел широкое распространение при производстве радиотехнической аппаратуры в республиках бывшего СССР и после его распада – в странах СНГ. Более того, несмотря на достаточно большой ассортимент зарубежных транзисторов, которые предлагает современный рынок радиоэлектронных компонентов, КТ819 активно применяется радиолюбителями при конструировании различных устройств.

Цоколевка транзистора

Цоколевка полупроводникового прибора показана на рисунке 1. Как можно заметить, вывод коллектора соединен с корпусом транзистора. Для возможности крепления на радиатор предусмотрены лепестки с отверстиями диаметром 4,1мм. При исполнении в пластиковом корпусе для крепления к охлаждающему радиатору предусмотрен один лепесток с отверстием 3,6 мм .

Основные параметры

Основные характеристики КТ819 отражены в таблице 1.

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 нельзя назвать дефицитной деталью. Тем не менее, встречаются случаи, когда по тем или иным причинам необходимо подобрать его аналог – то есть транзистор, который больше всего соответствует его характеристикам. В целом при подборе аналога для любого отечественного или импортного транзистора основополагающими характеристиками являются:

• допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эммитера;
• допустимый ток коллектора;
• коэффициент усиления;
• рабочая частота.

Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену теми или иными отечественными и зарубежными транзисторами.

Отечественные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими отечественными транзисторами:

Зарубежные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими зарубежными полупроводниковыми приборами:

Отдельно стоит сказать об аналоге для КТ819ГМ. Все дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используются именно КТ819ГМ. Чем заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор – 2 N 3055. Кроме этого, некоторые схемы на КТ819ГМ могут успешно работать с В D 183, 2 N 6472, КТ729.

Проверка транзистора

Проверить КТ819 можно обыкновенным тестером. Для проверки измерительный прибор переводится в режим измерения сопротивлений. Согласно схеме КТ819ГМ (расположению выводов) или другого компонента этой серии подключаем плюсовой щуп прибора к выводу базы, а минусовой – к выводу коллектора. Измерительный прибор должен показать пробивное напряжение. Далее, не отсоединяя плюсовой щуп от базы, подключаем минусовой щуп к выводу эмиттера. В данном случае прибор должен показать практически то же значение, что и при измерении перехода база-коллектор.

После описанной выше процедуры следует проверить переходы при обратном включении. Согласно схеме КТ819 (расположению выводов) подключаем минусовой щуп тестера к выводу базы, а плюсовой – к выводу коллектора. Каких-либо показаний на приборе быть не должно. После этого, не отключая минусовой щуп от базы, подключаем плюсовой щуп к эмиттеру – как и в случае с переходом база-коллектор, показаний на тестере быть не должно. Проверку можно считать успешной, а транзистор – исправным, если переходы не повреждены.

Важный момент: проверять любой полупроводниковый элемент следует исключительно при демонтаже его из схемы. Проще говоря – проверка элемента, соединенного с другими компонентами схемы, может быть некорректной.

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» приведем простую схему усилителя, в котором используется КТ819 и его комплементарная пара КТ818. Схема простейшего усилителя показана на рисунке 2.

Отличительной особенностью усилителя, изображенного на рисунке 2, является питание его от двухполярного источника. Благодаря такому схемотехническому решению обеспечивается возможность подключения нагрузки непосредственно между выходом усилительного каскада и общим проводом. Также стоит отметить и то, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термостабильностью.

При использовании элементов, указанных на схеме, при питании напряжением ±40 В и при нагрузке сопротивлением 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений – 0,07%.

После сборки усилителя каких-либо операций по его настройке не требуется. Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя ( VT 6 и VT 7) должны быть установлены на радиаторах. Если будет использован один общий радиатор, транзисторы должны быть закреплены к нему через изоляционные прокладки.

Транзистор КТ819 представляет собой кремневый полупроводниковый прибор структуры n — p — n . Конструктивно транзистор выполняется в двух вариантах – в металлическом и пластиковом корпусах. Основная сфера применения: работа в качестве ключевого элемента, работа в выходных каскадах мощных усилителей звуковой частоты.

Отличительной особенностью является дешевизна при относительно высоких технических характеристиках. Именно поэтому данный полупроводниковый прибор нашел широкое распространение при производстве радиотехнической аппаратуры в республиках бывшего СССР и после его распада – в странах СНГ. Более того, несмотря на достаточно большой ассортимент зарубежных транзисторов, которые предлагает современный рынок радиоэлектронных компонентов, КТ819 активно применяется радиолюбителями при конструировании различных устройств.

Цоколевка транзистора

Цоколевка полупроводникового прибора показана на рисунке 1. Как можно заметить, вывод коллектора соединен с корпусом транзистора. Для возможности крепления на радиатор предусмотрены лепестки с отверстиями диаметром 4,1мм. При исполнении в пластиковом корпусе для крепления к охлаждающему радиатору предусмотрен один лепесток с отверстием 3,6 мм .

Основные параметры

Основные характеристики КТ819 отражены в таблице 1.

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 нельзя назвать дефицитной деталью. Тем не менее, встречаются случаи, когда по тем или иным причинам необходимо подобрать его аналог – то есть транзистор, который больше всего соответствует его характеристикам. В целом при подборе аналога для любого отечественного или импортного транзистора основополагающими характеристиками являются:

• допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эммитера;
• допустимый ток коллектора;
• коэффициент усиления;
• рабочая частота.

Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену теми или иными отечественными и зарубежными транзисторами.

Отечественные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими отечественными транзисторами:

Зарубежные аналоги

Заменить КТ819 можно следующими зарубежными полупроводниковыми приборами:

Отдельно стоит сказать об аналоге для КТ819ГМ. Все дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используются именно КТ819ГМ. Чем заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор – 2 N 3055. Кроме этого, некоторые схемы на КТ819ГМ могут успешно работать с В D 183, 2 N 6472, КТ729.

Проверка транзистора

Проверить КТ819 можно обыкновенным тестером. Для проверки измерительный прибор переводится в режим измерения сопротивлений. Согласно схеме КТ819ГМ (расположению выводов) или другого компонента этой серии подключаем плюсовой щуп прибора к выводу базы, а минусовой – к выводу коллектора. Измерительный прибор должен показать пробивное напряжение. Далее, не отсоединяя плюсовой щуп от базы, подключаем минусовой щуп к выводу эмиттера. В данном случае прибор должен показать практически то же значение, что и при измерении перехода база-коллектор.

После описанной выше процедуры следует проверить переходы при обратном включении. Согласно схеме КТ819 (расположению выводов) подключаем минусовой щуп тестера к выводу базы, а плюсовой – к выводу коллектора. Каких-либо показаний на приборе быть не должно. После этого, не отключая минусовой щуп от базы, подключаем плюсовой щуп к эмиттеру – как и в случае с переходом база-коллектор, показаний на тестере быть не должно. Проверку можно считать успешной, а транзистор – исправным, если переходы не повреждены.

Важный момент: проверять любой полупроводниковый элемент следует исключительно при демонтаже его из схемы. Проще говоря – проверка элемента, соединенного с другими компонентами схемы, может быть некорректной.

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» приведем простую схему усилителя, в котором используется КТ819 и его комплементарная пара КТ818. Схема простейшего усилителя показана на рисунке 2.

Отличительной особенностью усилителя, изображенного на рисунке 2, является питание его от двухполярного источника. Благодаря такому схемотехническому решению обеспечивается возможность подключения нагрузки непосредственно между выходом усилительного каскада и общим проводом. Также стоит отметить и то, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термостабильностью.

При использовании элементов, указанных на схеме, при питании напряжением ±40 В и при нагрузке сопротивлением 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений – 0,07%.

После сборки усилителя каких-либо операций по его настройке не требуется. Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя ( VT 6 и VT 7) должны быть установлены на радиаторах. Если будет использован один общий радиатор, транзисторы должны быть закреплены к нему через изоляционные прокладки.

01 Окт 2012г | Раздел: Радио для дома

Здравствуйте уважаемые читатели сайта sesaga.ru. Сегодня хочу рассказать, как проверить исправность транзистора обычным мультиметром. Хотя для этого существуют специальные пробники, и даже в самом мультиметре имеется гнездо для проверки транзисторов, но, на мой взгляд, все они не совсем практичны. Вот чтобы подобрать пару транзисторов с одинаковым коэффициентом усиления (h31э) пробники вещь даже очень нужная. А для определения исправности достаточно будет и обыкновенного мультика.

Мы знаем, что транзистор имеет два p-n перехода, причем каждый переход можно представить в виде диода (полупроводника). Поэтому можно утверждать, что транзистор — это два диода включенных встречно, а точка их соединения будет являться «базой».

Отсюда получается, что один диод образован выводами, например, базы и коллектора, а другой диод выводами базы и эмиттера. Тогда нам будет достаточно проверить прямое и обратное сопротивление этих диодов, и если они исправны, значит, и транзистор работоспособен. Все очень просто.

Начнем с транзисторов структуры (проводимость) p-n-p. На принципиальных схемах структура транзисторов обозначается стрелкой эмиттерного перехода. Если стрелка направлена к базе, значит это структура p-n-p, а если от базы, значит это транзистор структуры n-p-n. Смотрите рисунок выше.

Так вот, чтобы открыть p-n-p транзистор, на вывод базы подается отрицательное напряжение (минус). Мультиметр переводим в режим измерения сопротивлений на предел «2000», можно в режиме «прозвонка» — не критично.

Минусовым щупом (черного цвета) садимся на вывод базы, а плюсовым (красного цвета) поочередно касаемся выводов коллектора и эмиттера — так называемые коллекторный и эмиттерный переходы. Если переходы целы, то их прямое сопротивление будет находиться в пределах 500 – 1200 Ом.

Теперь проверяем обратное сопротивление коллекторного и эмиттерного переходов.
Плюсовым щупом садимся на вывод базы, а минусовым касаемся выводов коллектора и эмиттера. На этот раз мультиметр должен показать большое сопротивление на обоих p-n переходах.

В данном случае на индикаторе высветилась «1», означающая, что для предела измерения «2000» величина сопротивления велика, и составляет более 2000 Ом. А это говорит о том, что коллекторный и эмиттерный переходы целы, а значит, наш транзистор исправен.

Таким способом можно проверять исправность транзистора и на печатной плате, не выпаивая его из схемы.

Конечно, встречаются схемы, где p-n переходы транзистора сильно зашунтированы низкоомными резисторами. Но это редкость. Если при измерении будет видно, что прямое и обратное сопротивление коллекторного или эмиттерного переходов слишком мало, тогда придется выпаять вывод базы.

Исправность транзисторов структуры n-p-n проверяется так же, только уже к базе подключается плюсовой щуп мультиметра.

Мы рассмотрели, как проверить исправный транзистор. А как понять, что транзистор неисправный?
Здесь тоже все просто. Если прямое и обратное сопротивление одного из p-n переходов бесконечно велико, т.е. на пределе измерения «2000» и выше мультиметр показывает «1», значит, этот переход находится в обрыве, и транзистор однозначно неисправен.

Вторая распространенная неисправность транзистора – это когда прямое и обратное сопротивления одного из p-n переходов равны нулю или около того. Это говорит о том, что переход пробит, и транзистор не годен.

И тут уважаемый читатель Вы меня спросите: — А где у этого транзистора находится база, коллектор и эмиттер. Я его вообще в первый раз вижу. И будете правы. А ведь действительно, где они? Как их определить? Значит, будем искать.

В первую очередь, нужно определить вывод базы.
Плюсовым щупом мультиметра садимся, например, на левый вывод транзистора, а минусовым касаемся среднего и правого выводов. При этом смотрим, какую величину сопротивления показывает мультиметр.

Между левым и средним выводами величина сопротивления составила «1», а между левым и правым мультиметр показал 816 Ом. На данном этапе это нам ничего не говорит. Идем дальше.
Плюсовым щупом садимся на средний вывод, а минусовым касаемся левого и правого.

Здесь результат измерения получился почти таким же, как и на рисунке выше. Между средним и левым величина сопротивления составила «1», а между средним и правым получилось 807 Ом. Тут опять ничего не ясно, поэтому идем дальше.

Теперь садимся плюсовым щупом на правый вывод, а минусовым касаемся среднего и левого выводов транзистора.

На рисунке видно, что величина сопротивления между правым-средним и правым-левым выводами одинаковая и составила бесконечность. То есть получается, что мы нашли и измерили обратное сопротивление обоих p-n переходов транзистора. В принципе, уже можно смело утверждать, что вывод базы найден. Он оказался правым. Но нам еще надо определить, где у транзистора коллектор и эмиттер. Для этого измеряем прямое сопротивление переходов. Минусовым щупом садимся на вывод базы, а плюсовым касаемся среднего и левого выводов.

Величина сопротивления на левой ножке транзистора составила 816 Ом – это эмиттер, а на средней 807 Ом – это коллектор.

Запомните! Величина сопротивления коллекторного перехода всегда будет меньше по отношению к эмиттерному. Т.е. вывод коллектора будет там, где сопротивление p-n перехода меньше, а эмиттера, где сопротивление p-n перехода больше.

Отсюда делаем вывод:

1. Транзистор структуры p-n-p;
2. Вывод базы находится с правой стороны;
3. Вывод коллектора в середине;
4. Вывод эмиттера – слева.

А если у Вас остались вопросы, то можно дополнительно посмотреть мой видеоролик о проверке обычных транзисторов мультиметром.

Ну и напоследок надо сказать, что транзисторы бывают малой, средней мощности и мощные. Так вот, у транзисторов средней мощности и мощных, вывод коллектора напрямую связан с корпусом и находится в середине между базой и эмиттером. Такие транзисторы устанавливаются на специальные радиаторы, предназначенные для отвода тепла от корпуса транзистора.

Зная расположение коллектора, базу и эмиттер определить будет легко.
Удачи!

Транзистор КТ819В —

Драгоценные металлы в транзисторе КТ819В согласно данных и паспортов-формуляров. Бесплатный онлайн справочник содержания ценных и редкоземельных драгоценных металлов с указанием его веса вида которые используются при производстве электрических радио транзисторов.

Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ819В.
Золото: 0 грамм.
Серебро: 0.00408 грамм.
Платина: 0 грамм.
Палладий:  0 грамм.
Примечание: Из перечней ЛАЭС.

Если у вас есть интересная информация о транзисторе КТ819В сообщите ее нам мы самостоятельно разместим ее на сайте.

Вопросы справочника по транзисторах которые интересуют наших посетителей: найти аналог транзистора, усилитель на транзисторе, замена транзистора, как проверить транзистор или чем заменить транзистор в схеме, правила включения транзистора,

Также интересны ваши рекомендации по мощным транзисторам, импортным и отечественным комплектующим, как самостоятельно проверить транзистор,

Фото транзистора марки КТ819В:

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия «перпендикулярного» току электрического поля, создаваемого напряжением на затворе.

Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда только одного знака (электронами или дырками), поэтому такие приборы часто включают в более широкий класс униполярных электронных приборов (в отличие от биполярных).

Схемы включения полевых транзисторов

Так же, как и биполярные транзисторы, полевые транзисторы могут иметь три схемы включения: с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Схема включения определяется тем, какой из трех электродов транзистора является общим и для входной и выходной цепи. Очевидно, что рассмотренный нами пример (рис. 4.2) является схемой с общим истоком (рис. а).

Схема с общим затвором (рис. ) аналогична схеме с общей базой у биполярных транзисторов. Она не дает усиления по току, а входное сопротивление здесь маленькое, так как входным током является ток стока, вследствие этого данная схема на практике не используется.

Схема с общим стоком (рис в) подобна схеме эмиттерного повторителя на биполярном транзисторе и ее называют истоковым повторителем. Для данной схемы коэффициент усиления по напряжению близок к единице. Выходное напряжение по величине и фазе повторяет входное. В этой схеме очень высокое входное сопротивление и малое выходное.

Справочные данные на транзисторы (DataSheet) КТ819В включая его характеристики:

Актуальные Даташиты (datasheets) транзисторов – Схемы радиоаппаратуры:

Транзистор доступное описание принципа работы.

Жуткая вещь, в детстве все не мог понять как он работает, а оказалось все просто.
В общем, транзистор можно сравнить с управляемым вентилем, где крохотным усилием мы управляем мощнейшим потоком. Чуть повернул рукоятку и тонны дерьма умчались по трубам, открыл посильней и вот уже все вокруг захлебнулось в нечистотах. Т.е. выход пропорционален входу умноженному на какую то величину. Этой величиной является коэффициент усиления.

Делятся эти устройства на полевые и биполярные.
В биполярном транзисторе есть эмиттер, коллектор и база (смотри рисунок условного обозначения). Эмиттер он со стрелочкой, база обозначается как прямая площадка между эмиттером и коллектором. Между эмиттером и коллектором идет большой ток полезной нагрузки, направление тока определяется стрелочкой на эмиттере. А вот между базой и эмиттером идет маленький управляющий ток. Грубо говоря, величина управляющего тока влияет на сопротивление между коллектором и эмиттером. Биполярные транзисторы бывают двух типов: p-n-p и n-p-n принципиальная разница только лишь в направлении тока через них.

Полевой транзистор отличается от биполярного тем, что в нем сопротивление канала между истоком и стоком определяется уже не током, а напряжением на затворе. Последнее время полевые транзисторы получили громадную популярность (на них построены все микропроцессоры), т.к. токи в них протекают микроскопические, решающую роль играет напряжение, а значит потери и тепловыделение минимальны.
Обозначение транзисторов или камень преткновения всех студентов. Как запомнить тип биполярного транзистора по его условной схеме? Представь что стрелочка это направление твоего движения на машине… Если едем в стенку то дружный вопль «Писец Нам Писец.

В общем, транзистор позволяет тебе слабеньким сигналом, например с ноги микроконтроллера, управлять мощной нагрузкой типа реле, двигателя или лампочки. Если не хватит усиления одного транзистора, то их можно соединять каскадами – один за другим, все мощней и мощней. А порой хватает и одного могучего полевого MOSFET транзистора. Посмотри, например, как в схемах сотовых телефонов управляется виброзвонок. Там выход с процессора идет на затвор силового MOSFET ключа.
Купить транзисторы или продать а также цены на  КТ819В:

Оставьте отзыв или бесплатное объявление о покупке или продаже транзисторов (полевых транзисторов, биполярных транзисторов, КТ819В:

Параметры транзистора КТ819, его распиновка и аналоги. Параметры транзистора КТ819, его распиновка и аналоги Параметры транзистора 819

Фото транзистора КТ819Г КТ819Г биполярный транзистор NPN проводимости, аналог 2Н6110. Благодаря хорошим техническим характеристикам широко использовался в отечественной радиотехнике. Максимум. например к b для данного обратного тока к … Википедия

Структура p n p Uce 10 25V … Википедия

Обозначение биполярных транзисторов на схемах.Простейшая наглядная схема устройства на транзисторе. Биполярный транзистор — трехэлектродный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов. Электроды подключены к трем последовательно расположенным … … Википедия

Распиновка КТ3102 КТ3102 — кремниевый биполярный транзистор n p n проводимости высокочастотный маломощный усилитель с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначен для использования в усилителях и… Wikipedia

Транзисторы КТ3107 Тип КТ3107 кремниевый биполярный транзистор, p n p проводимость, высокочастотный усилитель малой мощности с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначен для использования в усилении и генерации … … Википедия

Распиновка КТ815 Транзистор биполярный кремниевый типа КТ815, n p n проводимость, универсальный силовой низкочастотный транзистор. Предназначен для работы с усилителями низкой частоты, операционными и дифференциальными … Википедия

Транзистор КТ819 представляет собой кремниевый полупроводниковый прибор структуры n — p — n. Конструктивно транзистор выполнен в двух вариантах — в металлическом и пластиковом корпусе. Основная сфера применения: работа в качестве ключевого элемента, работа в выходных каскадах мощных усилителей звуковой частоты.

Отличительная черта — дешевизна. с относительно высокими техническими характеристиками. Именно поэтому этот полупроводниковый прибор широко используется при производстве электронной техники в республиках бывшего СССР и после его распада в странах СНГ. Более того, несмотря на довольно большой ассортимент зарубежных транзисторов, который предлагает современный рынок электронных компонентов, КТ819 активно используется радиолюбителями при проектировании различных устройств.

Распиновка транзистора

Схема подключения полупроводникового прибора показана на рисунке 1.Как видите, вывод коллектора соединен с корпусом транзистора. Для установки на радиатор предусмотрены лепестки с отверстиями диаметром 4,1 мм. В пластиковом корпусе для крепления к радиатору охлаждения имеется один лепесток с отверстием 3,6 мм.

основные параметры

Основные характеристики КТ819 приведены в таблице 1 .

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 дефицитной деталью не назовешь. Тем не менее бывают случаи, когда по тем или иным причинам необходимо выбрать его аналог — то есть транзистор, максимально соответствующий его характеристикам.В целом при выборе аналога к любому отечественному или импортному транзистору основными характеристиками являются:

• допустимое напряжение между выводом коллектора и выводом эмиттера;
• допустимый ток коллектора;
• усиление;
• рабочая частота.

Чем можно заменить КТ819? Рассмотрим возможную замену на тот или иной отечественный и зарубежный транзистор.

Отечественные аналоги

Заменить КТ819 на следующие отечественные транзисторы:

• CT834;
• CT841;
• CT844;
• КТ847.

Зарубежные аналоги

КТ819 можно заменить на следующие зарубежные полупроводниковые приборы:

• 2 N6288;
• BD705;
• TIP41;
• BD533.

Отдельно стоит упомянуть аналог КТ819ГМ. Все дело в том, что в большинстве схем усилителей звуковой частоты используется КТ819ГМ. Как заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор — 2 Н 3055.Кроме того, некоторые схемы на KT819GM ​​могут успешно работать с V D 183, 2 N 6472, KT729.

Тест транзистора

Проверить КТ819 можно обычным тестером. Для тестирования измерительный прибор переводят в режим измерения сопротивления. По схеме КТ819ГМ (расположение выводов) или другому компоненту этой серии подключаем плюсовой щуп прибора к штырю базы, а минусовой — к штырю коллектора. Измерительный прибор должен показывать напряжение пробоя.Далее, не отсоединяя положительный щуп от базы, подключаем отрицательный щуп к выводу эмиттера. В этом случае прибор должен показывать практически то же значение, что и при измерении перехода база-коллектор.

После процедуры, описанной выше, вы должны проверить переходы во время обратной активации . По схеме КТ819 (расположение выводов) отрицательный щуп тестера подключаем к выводу базы, а положительный — к выводу коллектора. На приборе не должно быть никаких указаний.После этого, не отключая отрицательный щуп от базы, подключаем положительный щуп к эмиттеру — как и в случае с переходом база-коллектор, на тестере не должно быть показаний. Тест можно считать успешным, и транзистор исправен, если переходы не повреждены.

Важный момент: любой полупроводниковый элемент следует проверять только при его снятии с цепи. Проще говоря — проверка элемента, подключенного к другим компонентам схемы, может быть некорректной.

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» мы представляем простую схему усилителя, в которой используется KT819 и его дополнительная пара KT818. Простейшая схема усилителя показана на рисунке 2.

Отличительной особенностью усилителя, изображенного на рисунке 2, является его мощность от биполярного источника . Благодаря такому схемотехническому решению можно подключать нагрузку напрямую между выходом каскада усилителя и общим проводом. Также стоит отметить, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термической стабильностью.

При использовании элементов, указанных на схеме, с напряжением ± 40 В и нагрузкой 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений 0,07%.

После сборки усилителя не требуется никаких операций по его настройке . Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя (VT 6 и VT 7) следует установить на радиаторах. Если используется один общий радиатор, транзисторы необходимо крепить к нему через изолирующие прокладки.

Параметры транзистора Кт819, его базового и аналогов. Параметры транзистора КТ819, его базового и аналогов транзистора КТ 819 ТУ

Транзистор CT819 представляет собой кремневый полупроводниковый прибор N — P — N. Конструктивно транзистор выполнен в двух вариантах — в металлическом и пластиковом корпусе. Основная сфера применения: работа в качестве ключевого элемента, работа в выходные дни, каскады мощных усилителей частоты звука.

Отличительная черта — невысокая стоимость При относительно высоких технических характеристиках.Поэтому этот полупроводниковый прибор получил широкое распространение при производстве радиотехнического оборудования в республиках бывшего СССР, а после его распада — в странах СНГ. Более того, несмотря на достаточно большой ассортимент зарубежных транзисторов, который предлагает современный рынок радиоэлектронных компонентов, CT819 активно используется радиолюбителями при проектировании различных устройств.

Кодолка транзистор

База полупроводникового прибора показана на рисунке 1. Как вы можете видеть, выход коллектора соединен с корпусом транзистора.Для возможности крепления на радиатор предусмотрены лепестки с отверстиями диаметром 4,1 мм. При выполнении в пластиковом футляре для крепления к радиатору охлаждения один лепесток с отверстием составляет 3,6 мм.

Основные настройки

Основные характеристики КТ819 отражены в таблице 1 .

Возможные аналоги

Транзистор КТ819 дефицитной деталью не назовешь. Тем не менее бывают случаи, когда по тем или иным причинам необходимо выбрать его аналог — то есть транзистор, который больше всего соответствует его характеристикам.В целом при подборе аналога к любому отечественному или импортному транзистору основными характеристиками являются:

• допустимое напряжение между выходом коллектора и выходом выхода;
• допустимый ток коллектора;
• усиление;
• рабочая частота.

Чем можно заменить кт819? Рассмотрим возможную замену тех или иных отечественных и зарубежных транзисторов.

Отечественные аналоги

Заменить КТ819 на следующие отечественные транзисторы:

• Kt834;
• Kt841;
• Kt844;
• Кт847.

Зарубежные аналоги

Заменить КТ819 на следующие зарубежные полупроводниковые приборы:

• 2 N6288;
• BD705;
• TIP41;
• BD533.

Отдельно стоит сказать об аналоге для CT819MM. Дело в том, что в большинстве усилителей звуковой частоты используются усилители КТ819ГМ. Как заменить КТ819ГМ? Полного аналога этого транзистора не существует. Однако наиболее близким по параметрам является зарубежный транзистор — 2 Н 3055.Кроме того, некоторые схемы на KT819GM ​​могут успешно работать с D 183, 2 N 6472, CT729.

Проверочный транзистор

Проверить КТ819 можно обычным тестером. Для проверки измерительный прибор переводят в режим измерения сопротивления. Согласно схеме (положение вывода) KT819GM ​​или другому компоненту этой серии, подключите плюсовый щуп к основанию базы, а минус — к выводу коллектора. Измерительный прибор должен показывать напряжение штампа.Далее, не отсоединяя плюсовой щуп от базы, подключите минусовой щуп к концу эмиттера. В этом случае прибор должен показывать практически то же значение, что и при замере перехода базового коллектора.

После описанной выше процедуры следует проверить переходы на обратное включение . По схеме КТ819 (расположение вывода) подключите тестер отрицательного щупа к основанию базы, а плюс к выводу коллектора. Никаких указаний на приборе быть не должно.После этого, не отключая минусовой щуп от базы, подключите плюсовой щуп к эмитенту — как и в случае с переходом baseler, показаний на тестере быть не должно. Проверку можно считать успешной, и транзистор исправен, если переходы не повреждены.

Важный момент: Проверять любой полупроводниковый элемент следует исключительно при демонтаже его со схемы. Проще говоря — проверка элемента, подключенного к другим компонентам схемы, может быть некорректной.

Усилитель на КТ819

В качестве «бонуса» мы приводим простую схему усилителя, в котором используется KT819, и его комплементарной пары CT818. Схема простейшего усилителя представлена ​​на рисунке 2.

Отличительной особенностью усилителя, изображенного на Рисунке 2, является его питание от двухполюсного источника . Благодаря этой схеме, реализующей решение, можно подключать нагрузку напрямую между выходом усилительного каскада и общим проводом.Также стоит отметить, что входной каскад является дифференциальным и обладает высокой термической стабильностью.

При использовании элементов, указанных на схеме, с напряжением ± 40 В и нагрузкой 4 Ом выходная мощность может достигать 55 Вт. Коэффициент нелинейных искажений составляет 0,07%.

После сборки усилителя никаких операций по его настройке не потребовалось. . Для облегчения теплового режима выходные элементы усилителя (ТН 6 и ТН 7) необходимо установить на радиаторах.Если используется один общий радиатор, транзисторы необходимо крепить к нему через изолирующие прокладки.

Фотография транзистора Кт819г Кт819г Транзистор биполярный NPN проводимости, аналог 2N6110. Благодаря хорошим техническим характеристикам получил широкое распространение в отечественной радиотехнике. Максимум. например, к b с заданным обратным током к … Wikipedia

Структура P n p UCE 10 25V … Википедия

Обозначение биполярных транзисторов на схемах Простейшая визуальная схема устройства транзистора Биполярный транзистор — трехэлектронный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов.Электроды подключаются к трем последовательно расположенным … … Википедия

CT3102 CT3102 CT3102 Тип Тип кремниевого биполярного транзистора, N P N N N N N N N Prooms, A, усиливающий высокочастотный шум с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначен для использования в усилителе и г … Википедия

Транзисторы CT3107 КТ3107 Тип кремниевого биполярного транзистора, P N P проводимости, усиливающий высокочастотный маломощный с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначен для использования в усилителе и генераторе… … Википедия

CT815 CT815 CT815 Тип кремниевого биполярного транзистора, N P N No. Проводимость, универсальный низкочастотный мощный транзистор. Предназначен для работы с усилителями низкой частоты, оперативными и дифференциальными … Википедия

2Т313Б (КТ313Б) = 2Н3250А Транзистор кремниевый СССР 60В Лот 10 шт.

Номер позиции eBay:

141008599143

Продавец принимает на себя всю ответственность за это объявление.

Описание товара

Состояние:

Новые прочие (см. Подробности) : Товар в отличном, новом состоянии, без износа.У товара может отсутствовать оригинальная упаковка или защитная упаковка, или он может быть в оригинальной упаковке, но не запечатан. Изделие может включать оригинальные аксессуары. Изделие может быть заводским вторым (т. Е. Имеет небольшой дефект, который не влияет на работу изделия, например, царапина или вмятина). См. Список продавца для получения полной информации и описания. Просмотреть все определения условий — открывается в новом окне или на вкладке

Примечания продавца:

«Новый, никогда не использованный / Б / У / Новый старый сток»

MPN:	Не применяется	Торговая марка:	СССР

Продавец принимает на себя всю ответственность за это объявление.

Почтовая оплата и упаковка

Стоимость пересылки не может быть рассчитана. Пожалуйста, введите действительный почтовый индекс.

Местонахождение товара: г. Томск, Томская область, Российская Федерация

Почтовые отправления:

по всему миру

Исключено: Российская Федерация

Изменить страну: -Выберите-AfghanistanAlbaniaAlgeriaAmerican SamoaAndorraAngolaAnguillaAntigua и BarbudaArgentinaArmeniaArubaAustraliaAustriaAzerbaijan RepublicBahamasBahrainBangladeshBarbadosBelarusBelgiumBelizeBeninBermudaBhutanBoliviaBosnia и HerzegovinaBotswanaBrazilBritish Virgin IslandsBrunei DarussalamBulgariaBurkina FasoBurundiCambodiaCameroonCanadaCape Verde IslandsCayman IslandsCentral African RepublicChadChileChinaColombiaComorosCongo, Демократическая Республика theCongo, Республика theCook IslandsCosta RicaCôte-д’Ивуар (Берег Слоновой Кости) Хорватия, Республика ofCyprusCzech RepublicDenmarkDjiboutiDominicaDominican RepublicEcuadorEgyptEl SalvadorEquatorial GuineaEritreaEstoniaEthiopiaFalkland острова (Мальвинские) ФиджиФинляндияФранцияФранцузская ГвианаФранцузская ПолинезияРеспублика ГабонГамбияГрузияГерманияГанаГибралтарГрецияГренландияГренадаГваделупаГуамГватемалаГерманияГвинеяГвинея-БисауГайанаГайтиГондураГонконгГенгрияИндияИндияИндияИндурасГонконгИндияИндияИндияИндия Корея, SouthKuwaitKyrgyzstanLaosLatviaLebanonLesothoLiberiaLibyaLiechtensteinLithuaniaLuxembourgMacauMacedoniaMadagascarMalawiMalaysiaMaldivesMaliMaltaMarshall IslandsMartiniqueMauritaniaMauritiusMayotteMexicoMicronesiaMoldovaMonacoMongoliaMontenegroMontserratMoroccoMozambiqueNamibiaNauruNepalNetherlandsNetherlands AntillesNew CaledoniaNew ZealandNicaraguaNigerNigeriaNiueNorwayOmanPakistanPalauPanamaPapua Новый GuineaParaguayPeruPhilippinesPolandPortugalPuerto RicoQatarReunionRomaniaRwandaSaint HelenaSaint Киттс-NevisSaint LuciaSaint Пьер и MiquelonSaint Винсент и GrenadinesSan MarinoSaudi ArabiaSenegalSerbiaSeychellesSierra LeoneSingaporeSlovakiaSloveniaSolomon IslandsSomaliaSouth AfricaSpainSri LankaSurinameSwazilandSwedenSwitzerlandTaiwanTajikistanTanzaniaThailandTogoTongaTrinidad и TobagoTunisiaTurkeyTurkmenistanTurks и Кайкос IslandsTuvaluUgandaUkraineUnited Arab EmiratesUnited KingdomUnited StatesUruguayUzbekistanVanuatuVatican Город StateVenezuelaVietnamVirgin острова (У.S.) Уоллис и Футуна Западная Сахара Западное Самоа Йемен Замбия Зимбабве Доступно 1 ед. Введите число, меньшее или равное 1. Выберите допустимую страну.

Почтовый индекс: Пожалуйста, введите действительный почтовый индекс. Пожалуйста, введите до 7 символов в почтовый индекс

Этот товар не отправляется в Российскую Федерацию

Время отправки внутри страны
Обычно отправка осуществляется в течение 1 рабочего дня после получения оплаты.

Политика возврата

После получения товара отмените покупку в течение	Возврат будет выполнен как
30 дней	Возврат денег

Покупатель несет ответственность за возврат почтовых расходов.

Тестер полупроводников

ESR на ATMEGA8. Тестер транзисторов. Схема без автоотключения

Но среди радиодеталей есть такие, которые обычным мультиметром проверить сложно, а иногда и невозможно. Это могут быть полевые транзисторы (например, MOSFET. , I. J-Fet. ). Также у обычного мультиметра не всегда есть функция измерения конденсаторов, в том числе электролитических.И даже при наличии такой функции прибор обычно не измеряет еще один очень важный параметр электролитических конденсаторов — эквивалентное последовательное сопротивление ( EPS или ESR. ).

Недавно стала доступна цена на универсальные измерители R, C, L и ESR. Многие из них имеют возможность проверки практически всех работающих радиодеталей.

Разберемся, какими возможностями обладает такой тестер. На фото универсальный тестер R, C, L и ESR — MTester v2.07 (QS2015-T4). Он тестировщик LCR T4. Купил на Алиэкспресс. Не удивляйтесь, что аппарат без корпуса, с ним он намного дороже. Вариант без корпуса, и с корпусом.

Радиометаллоискатель собран на микроконтроллере ATMEGA328P. Также на печатной плате есть SMD-транзисторы с маркировкой J6. (биполярный S9014), M6. (S9015), интегральный стабилизатор 78L05, TL431 — прецизионный стабилизатор напряжения (регулируемый стабилизатор), SMD диоды 1N4148, кварцевые на 8.042 МГц. А «разброс» — планарные конденсаторы и резисторы.

Устройство питается от батареи 9В (размер 6F22). Однако, если таковой под рукой нет, устройство можно запитать от стабилизированного источника питания.

Зиф панель устанавливается на печатную плату тестера. Рядом находятся числа 1,2,3,1,1,1,1. Дополнительные клеммы верхнего ряда Зиф-панели (те, что 1,1,1,1) дублируют клемму под номером 1. Это упрощает установку деталей с разделенными выводами.Кстати, стоит отметить, что нижний ряд клемм дублирует клеммы 2 и 3. На 3 закреплены 2 дополнительных клеммы, а на 3 уже 4. Вы можете убедиться, что разводку печатных проводников вы видите на с другой стороны печатной платы.

Так какие возможности у этого тестера?

Измерение емкости и параметров электролитического конденсатора.

Также советую заглянуть на страницу, где рассказано о разновидностях полевых транзисторов и их обозначении на схеме.Это поможет вам понять, что показывает устройство.

Проверить биполярные транзисторы.

В качестве тестового «кролика» берем наш КТ817. Как видите, биполярные транзисторы измеряются коэффициентом усиления hFE. (He — h31E. ) и сдвиги напряжения b e (открытие транзистора) UF. . Для кремниевых биполярных транзисторов напряжение смещения находится в диапазоне 0,6 ~ 0,7 В. Для нашего KT817 оно составило 0,615 В (615 мВ).

Композитные биполярные транзисторы тоже распознает.Вот только параметры на дисплее, я бы не поверил. Ну правда. Не могу составить транзистор. Имеют коэффициент усиления HFE = 37. Для CT973a минимальный HFE должен быть не менее 750.

Как выяснилось, структура для CT973A (PNP) и CT972A (NPN) определяет правильно. Но все остальное меряет неправильно.

Стоит учесть, что при пробое хотя бы одного из переходов транзистора тестер может определить его как диод.

Проверить диоды универсальным тестером.

Образец для испытаний — диод 1N4007.

Для диодов падение напряжения указывается на переходе P-N в открытом состоянии UF. . В технической документации на диоды указывается как V F. — прямое напряжение (иногда V FM. ). Замечу, что при разном постоянном токе через диод величина этого параметра тоже меняется.

Для этого диода 1N4007. : В F. = 677мВ (0,677В). Это нормально для низкочастотного выпрямительного диода .. Но диоды Шоттки более низкие, поэтому их рекомендуется использовать в низковольтных автономных устройствах питания.

Кроме того, тестер зависает и емкость P-N Transition (C. = 8PF).

Результат проверки диода КД106А. Как видите, переходная емкость у него во много раз больше, чем у диода 1N4007. Уже 184 пикофарада!

Если вместо диода установить светодиод и включить проверку, то при проверке действительно будет ноль.

Для светодиодов тестер показывает контейнер перехода и минимальное напряжение, при котором светодиод открывается и начинает излучать. Конкретно для этого красного светодиода было UF = 1.84V.

Как оказалось, универсальный тестер отлично справляется с проверкой сдвоенных диодов, которые можно встретить в компьютерных блоках питания, автоморетантных преобразователях напряжения, всевозможных блоках питания.

Проверить сдвоенный диод MBR20100CT .

Тестер показывает падение напряжения на каждом из диодов UF = 299MV (в даташитах указано как V F.), а также плащ. Не забывайте, что сдвоенные диоды похожи на общий анод и общий катод.

Проверить резисторы.

Этот тестер отлично справляется с измерением сопротивления резисторов, в том числе переменных и подстроечных. Так прибор определяет ходовой резистор типа 3296 на 1 ком. На дисплее переменный или ходовой резистор отображается как два резистора, что неудивительно.

Также можно проверить постоянные резисторы с сопротивлением до долей Ом.Вот пример. Сопротивление резистора 0,1 Ом (R10).

Измерение индуктивности катушек и дросселей.

На практике одинаково востребована функция измерения индуктивности катушек и дросселей. И если на крупногабаритные изделия наносится маркировка с указанием параметров, то на малых и SMD индуктивностях такой маркировки нет. В этом случае поможет устройство.

На дисплее результат замера параметров дроссельной заслонки на 330 мкг (0.33 миллигена).

Помимо индуктивности дросселя (0,3 мг), тестером определено его сопротивление dC — 1 Ом (1,0 Ом).

Симисторы малой высоты Этот тестер проверяет без проблем. Я, например, их проверил MCR22-8. .

А вот тиристор посильнее BT151-800R В случае ТО-220 прибор не смог проверить и отобразил надпись на дисплее. «? Нет, деталь неизвестна или повреждена» , что в вольном переводе означает «отсутствующая, неизвестная или поврежденная деталь».

Среди прочего универсальный тестер может измерять напряжение аккумуляторов и аккумуляторов.

Еще меня порадовало то, что в этом приборе можно проверить оптопары. Правда, проверять такие «составные» детали можно только в несколько этапов, поскольку они состоят как минимум из двух изолированных частей.

Покажи на примере. Здесь внутренняя организация оптронов TLP627.

Излучающий диод подключаем к выводам 1 и 2. Подключаем их к выводам прибора и смотрим, что он нам покажет.

Как видим, тестером определено, что диод был подключен к его выводам и отображено напряжение, при котором он начинает излучать UF = 1,15В. Далее подключаем к тестовой группе 3 и 4 выводы оптопар.

На этот раз тестер определил, что к нему подключен штатный диод. Ничего удивительного. Взгляните на внутреннюю структуру оптопар TLP627, и вы увидите, что диод подключен к выводам эмиттера и коллектора фототранзистора.Он шунтирует выводы транзистора и «видит» его только тестер.

Итак, мы проверили исправность оптронов TLP627. Аналогичным образом мне удалось проверить маломощное твердотельное реле типа К293кп17п.

Теперь я расскажу, какие детали этот тестер не проверяется.

Мощные тиристоры. При проверке тиристора BT151-800R прибор показал на дисплее биполярный транзистор с нулевыми значениями HFE и UF. Другой экземпляр тиристора определен как неисправный.Возможно, это действительно так;

Стабилианцы. Определяется как диод. Основные параметры Stabilon вы не получите, но вы можете убедиться в целостности p-N Transition. Производитель правильно заявил о распознавании стабилизации с напряжением стабилизации менее 4,5В.
Еще рекомендую не полагаться на показания приборов, а заменить стабилизацию на новую, так как бывает, что стабилизаторы хорошие, но стабилизация стабилизация стабилизация;

Никаких микросхем, типа интегральных стабилизаторов 78L05, 79L05 и им подобных.Я считаю объяснения излишними;

Дисторанты. Собственно, это и понятно, так как Distoror открывается только при напряжении в несколько десятков вольт, например 32V, как в распределенном DB3;

Ионисторы Устройство тоже не распознает. Видимо из-за долгой зарядки;

Варисторы определяются как конденсаторы;

Однонаправленные ограничители определяются как диоды.

Универсальный тестер не останется без дела ни одного радиолюбителя, а радиомеханики сэкономят кучу времени и денег.

Стоит понимать, что при проверке неисправных полупроводниковых элементов прибор может неправильно определить тип элемента. Итак, биполярный транзистор с одним пробитым p-N переходом, его можно определить как диод. Вздутый электролитический конденсатор с огромной утечкой можно распознать как два бортовых диода. Это произошло. Думаю, нет необходимости объяснять, что это свидетельствует о несогласии с радиометодом.

Но необходимо учитывать то, что также существует некорректное определение значений из-за плохого контакта деталей в панели ЗИФ.Поэтому в некоторых случаях необходимо переустановить элемент в панели и проверить.

Устройство предназначено для измерения параметров радиокомпонентов. Тестер может определять выход диодов, транзисторов, светодиодов. Показывает емкость конденсаторов и резисторов в определенном диапазоне. Ниже в архиве несколько вариантов печатных плат, в том числе для монтажа на SMD.

Характеристики устройства следующие:

Сопротивление: от 1 Ом до 10 МОм

Конденсаторы: от 190пф до 10000мкф.Чем больше емкость, тем дольше измерение. Сообщите конденсаторам перед измерением!

Диоды, светодиоды — показывает где какие выводы и один параметр

Определение и индикация наличия защитных диодов в транзисторах и MOSFET

Тринисторы, тиристоры — сразу видно, что это тиристор и где какие выводы

Транзисторы — показывает где какие выводы и пара параметров

Точность замеров корректно защищенного даэви зависит от точности шести резисторов, думаю понятно какие.Чем они точнее и по тем же параметрам, тем правильность и правильность измерений будет правильной.

Схема тестера:

Чертеж печатной платы в версии DIP:

Расшифровка отображаемой информации на дисплее данного прибора:

НПН. — ТРАНЗИСТОР NPN.

ПНП. — ТРАНЗИСТОР ПНП.

N-E-MOS N-KANAL — обогащенный канал

P-E-MOS P-KANAL — обогащенный канал

N-D-MOS N-KANAL — истощенный канал

P-D-MOS P-KANAL — истощенный канал

N-jfet n-kanal — JFet.

P-JFET P-KANAL — JFet.

Тиристор — Тиристор

Симистор — SIMISTOR

VT Напряжение размыкания (для MOSFET)

С =. Мощность затвора (для MOSFET)

х31Е. (коэффициент усиления) — диапазон до 10,000

ст. Постоянное напряжение

Диод. Диод

В разных версиях Отображаемая информация о прошивке может отличаться.В данной статье описан проект на микроконтроллере ATMEGA8, в сети есть доработанные варианты прошивки и другие микроконтроллеры. Этот аппарат достаточно точный, полного фотоотчета не делал, например несколько снимков сделал …

Диодная сборка (два диода в одном корпусе)

ТРАНЗИСТОР КТ819:

Светодиод:

файла прошивки (~ 8кб.)

Скачать файлы печатной платы :, options.

AVR Transistester.

Дизайн набора

AVR-TRANSISTERESTER — поставляется в виде набора частей, который включает:

цен и все элементы, включая резисторы и конденсаторы, которые требуются для создания работоспособного устройства. В комплект не входит чехол. Использование не требует настройки и работает сразу после сборки. Процессор установлен в розетку. Светодиод не отображается на передней панели. Это не показательно, но обязательно для устройства. При работе его свечение может быть не видно.Дисплей подключается к основной плате через «гребешок» с шагом 2,54 мм. Всю документацию, необходимую для сборки устройства (принципиальную схему, схему монтажа и перечень используемых компонентов), можно скачать в конце статьи.

На фото — готовое устройство в сборе. На втором фото — набор деталей.

Дизайнерский набор представляет собой набор деталей. Батарея в комплект не входит.

Возможности устройства.

Тестер позволяет определять биполярные транзисторы, полевые транзисторы MOSFET и JFET, диоды (в том числе двойные последовательные и встречно-параллельные), тиристоры, симисторы, резисторы, конденсаторы и некоторые их параметры. В частности, для биполярных транзисторов:

1. Проводимость — NPN или PNP;

2. Коды в формате — B = *; С = *; Е = *;

3. Коэффициент усиления по току — HFE;

5. База-эмиттер постоянного напряжения в милвольтах — УФ.

Для транзисторов MOSFET:

1.Проводимость (P-канал или N-канал) и тип канала (E — обогащенный, D — обедненный) — P-E-MOS, P-D-MOS или N-E-MOS, N-D-MOS;

2. Вместимость створки — С;

3. Коды в формате GDS = ***;

4. Наличие защитного диода — символ диода;

5. Пороговое натяжение Заслонки УФ.

Для транзисторов j-fet:

1. Проводимость — N-JFET или P-JFET;

2. Коды в формате GDS = ***.

Для диодов (включая двойные диоды):

1.Кодо;

2. Постоянное напряжение анод-катод — УФ.

Для Simistors:

1. Тип — симистор; 2. Кокоовка в формате G = *; А1 = *; А2 = *.

Для тиристоров:

1. Тип — Тиристор;

2. Коды в формате — ГАК = ***.

Результат отображается на двухстрочном ЖК-дисплее. Время теста менее 2 сек. (За исключением конденсаторов большой емкости) время отображения составляет 10 секунд. Управление одной кнопкой, выключение автоматическое. Ток потребления в выключенном состоянии менее 20, измерение сопротивления периапана от 2 Ом до 20м.Точность не очень высокая. Взаимозаменяемость оценивается примерно от 0,2 до 7000 мкФ. Точность выше 4000 мкФ ухудшается. Измерение больших емкостей может занять до одной минуты. Тест не является точным прибором и не гарантирует 100% достоверности идентификации измерения, однако в подавляющем большинстве случаев результат измерения верный. При измерении мощных тиристоров и симисторов могут возникнуть проблемы, если испытательный ток (7 м) меньше удерживающего тока.

Документация

В статье описывается прибор — тестер полупроводников (Транзистестер).Прототипом этого устройства является статья, размещенная на одном из немецких сайтов автором Маркусом. Подобные статьи есть в Интернете, но устройство заслуживает внимания, и на этом я повторюсь.
Тестер с высокой точностью определяет базовые выводы и типы транзисторов, тиристоры, диоды, также определяет резисторы и конденсаторы.
Особенно удобен при определении компонентов SMD, он для этого изготовлен. Будет очень полезно не только начинающему радиолюбителю.
Типы тестируемых деталей:
(Название элемента — Индикация дисплея):
— Транзисторы NPN — на дисплее «NPN»
— Транзисторы PNP — на дисплее «PNP»
— MOSFET с N-каналом — на «NE -MOS »дисплей
— P-канальный MOSFET — на дисплее« PE-MOS »
— N-канальный MOSFET — на дисплее« ND-MOS »
— P — канальный MOSFET — на дисплее «PD-MOS»
— N-канальный JFET — на дисплее «n-jfet»
— P-канальный JFET — на дисплее «P-JFET»
— Тиристоры — на дисплее «TYRYSTOR» (рус. — «Tyristor »)
— Симисторы — на дисплее« Триак »(рус. -« Триак »)
— диоды — на дисплее« ДИОД »(рус. -« Диод »)
— Двухконтурные сборки диодов — на дисплее« Двойной ». Диод CK »(рус. -« Di Diode CC »)
— двусторонние сборки диодов — на дисплее« Double Diode Ca »(рус. -« Diode CA »)
— Два последовательно соединенных диода — на дисплее« 2 DIODE » СЕРИЯ »(русский -« 2 ди ода последняя.»)
— Симметричные диоды — на дисплее« DIODE SYMMETRIC »(рус. -« 2 диодный счетчик »)
— Резисторы — диапазон от 1 Ом до 10 МОм [ОМ, КОМ]
— Конденсаторы — диапазон от 0,2НФ до 5000 мкФ

Описание дополнительных параметров Измерения:
— h31E (коэффициент усиления по току) — диапазон до 1000
— (1-2-3) — порядок подключения клемм элемента
— наличие элементов защиты — диод — «диод» символ «
— Постоянное напряжение — UF
— Открывающее напряжение (для MOSFET) — VT
— емкость затвора (для MOSFET) — C =

Схема без автоотключения

Схема с автоподкопом

Конденсатор и транзистор

Фубусы для понипрог.

Вы также можете с помощью PonyProg настроить постоянные измерения C и R (ячейки отмечены на фотографии ниже).

Число в средней ячейке буфера изменяется на + или — 1 (это зависит от того, в каком направлении вам нужно ввести и сколько, это может быть число 10),

После изменения числа в ячейке запрограммируйте МК, потом делаем тест известной детали, сравниваем до и после.

Повторяем при необходимости процедуру.

Прошивка для ATmega8 и Atmega8a, в архиве (английский и русский EEPROM, правильное отображение в Cyrilice µ и Омега.) ProShiva.rar.

Еще один набор различных прошивок (англ. И рус.) ProShivki.rar

Различные варианты печатных и контактных (для проверки SMD элементов) плат, архив скачать здесь. Печатки.rar

Наверное, лучше собрать схему без автоотключения (первая схема), так как проще, и автозапуск иногда может действовать на нервы. После нажатия кнопки «Тест» дисплей длится 10 секунд, затем выключается табло и питание.Это сделано в целях экономии энергии аккумулятора, но если установить индикатор без подсветки (она в принципе и не нужна), то ток потребления тестера не превысит 15 мА и схема автоотключения здесь без нужно.

В общем, по большому счету регулировок и настроек устройства особо нет, любители наверняка могут настроить показания R и C так что вроде бы детально и проблем быть тоже не должно.

Изначально автор рекомендовал использовать микроконтроллер ATMEGA8-16PU в тестере, не везде возможно.Микроконтроллер ATMEGA8L-8PU более доступен, и это наиболее точная замена ATMEGA8-16PU в этом AVR-Transistester.
Эти МК прошиваются одной и тоже прошивкой и особой разницы в работе нет и почти не нужно настраивать на R и S.

Да этот тестер не высокоточный прибор, а именно тестер для определения радиоэлементы, а в основном элементы SMD. И это не измеряет танк и сопротивление с высокой точностью. У него тоже могут быть проблемы;

Проблемы при определении обычных полевых транзисторов:
Поскольку у большинства полевых транзисторов запас и источник не сильно различаются при измерении или почти не отличаются, они могут быть неправильно распознаны или распознаны, но в принципе тип транзистора является одинаковым. показано правильно в любом случае.

Проблемы могут быть также при определении мощных тиристоров и симисторов в результате того, что текущий ток при измерении 7 мА меньше, чем ток удержания тиристора.

В данной статье представлен прибор — тестер полупроводниковых элементов. Прототипом этого устройства послужила статья, размещенная на одном из немецких сайтов. Тестер с высокой точностью определяет количество и типы конвейеров транзистора, тиристора, диода и т. Д. Будет очень полезен начинающему радиолюбителю.

Типы тестируемых элементов

(Название элемента — Индикация дисплея):
— Транзисторы NPN — на дисплее «NPN»
— Транзисторы PNP — на дисплее «PNP»
— MOSFET с N-канальным обогащением — на « Дисплей NE-MOS »
— MOSFET с P-каналом — на дисплее« PE-MOS »
— MOSFET с обедненным N-каналом — на дисплее« ND-MOS »
— MOSFET с P-каналом — на Дисплей «PD-MOS»
— N-канальный JFET — на дисплее «n-jfet»
— P-канальный JFET — на дисплее «P-JFET»
— Тиристоры — на дисплее «TYRYSTOR»
— Симисторы — на дисплее «Триак»
— Диоды — на дисплее «DIODE»
— Двухконтурные сборки диодов — на дисплее «Double Diode CK»
— двусторонние сборки диодов — на дисплее «Double Diode CA»
— Два последовательно соединенных диода — на дисплее «2 DIODE SERIES»
— Симметричные диоды — на дисплее «DIODE SYMMETRIC»
— Резисторы — диапазон от 0.От 5 до 500к [k]
— Конденсаторы — Диапазон от 0,2NF до 1000UF
При измерении сопротивления или емкости прибор не дает высокой точности
Описание дополнительных параметров измерения:
— h31E (коэффициент усиления) — диапазон до 10 000
— (1-2-3) — порядок подключения выводов элемента
— Наличие элементов защиты — диод — «диодный символ»
— Постоянное напряжение — UF

Напряжение открытия (для MOSFET) — VT

Мощность затвора (для MOSFET) — C =

Схема устройства:

Схема устройства без транзисторов:

Программирование микроконтроллера

При использовании программы AvrStudio достаточно в настройках FUSE-bit записать 2 бита конфигурации: lfuse = 0xc1 и hfuse = 0xd9.Если вы используете другие программы для настройки битов Fuse в соответствии с шаблоном. В архиве находится прошивка микроконтроллера и прошивка EEPROM, а также бумажный макет.

Предохранители Mega8

Процесс измерения довольно прост: подключите тестируемый элемент к разъему (1,2,3) и нажмите кнопку «Тест». Тестер покажет измеренные показания и через 10 секунд. Переходим в режим ожидания, это сделано для экономии заряда аккумулятора. В аккумуляторе используется напряжение 9В «Корона».

Тестирование Simistor

Тестирование диодов

Тестирование светодиода

Проверка двойного диода

Тестирование Мосфета.

Тестирование транзистора NPN.

Тестер полупроводников atmega8 своими руками. Радио для всех

Устройство предназначено для измерения параметров радиодеталей. тестер умеет определять выходы диодов, транзисторов, светодиодов.Показывает емкость конденсаторов и резисторов в определенном диапазоне. Ниже в архиве несколько вариантов печатных плат, в том числе для монтажа на SMD.

Характеристики устройства следующие:

Сопротивления: от 1 Ом до 10 МОм

Конденсаторы

: от 190 пФ до 10000 мкФ, чем больше емкость, тем больше времени занимает измерение. Перед измерением разрядите конденсаторы!

Диоды, светодиоды — показывает где какие выходы и один параметр

Обнаружение и индикация наличия защитных диодов в транзисторах и полевых МОП-транзисторах

SCR, тиристоры — просто показывает, что такое тиристор и где выводы

Транзисторы — показывает где какие клеммы и пара параметров

Точность измерения правильно собранного прибора зависит от точности шести резисторов, думаю понятно какие.Чем они точнее и параметры совпадают, тем точнее и правильнее будут измерения.

Схема тестера:

Изображение печатной платы в DIP версии:

Расшифровка информации, отображаемой на дисплее данного устройства:

NPN — Транзистор NPN

PNP — Транзистор PNP

Н-Э-МОС Н-Канал — обогащенный канал

P-E-MOS P-Kanal — обогащенный канал

Н-Д-МОС Н-Канал — истощенный канал

P-D-MOS P-Kanal — истощенный канал

N-JFET N-канал — JFET

P-JFET P-Kanal — JFET

Тиристор — Тиристор

Симистор — Симистор

Вт Открытое напряжение (для MOSFET)

C = Емкость затвора (для MOSFET)

h31e (текущий прирост) — диапазон до 10000

Uf Прямое напряжение

Диод Диод

В разных версиях отображаемая информация о прошивке может отличаться.В данной статье рассматривается проект на микроконтроллере Atmega8, есть модифицированные версии прошивки в сети на других микроконтроллерах. Аппарат довольно точный, полный фотоотчет не делал, например несколько фото сделал …

Диодная сборка (два диода в одном корпусе)

Транзистор КТ819:

Светодиод:

файлов прошивки (~ 8кб.)

Скачать файлы печатной платы :, опций.

AVR transistortestter

AVR-Transistortester Construction Kit — поставляется в виде набора деталей, который включает: печатную плату

и все детали, включая резисторы и конденсаторы, необходимые для сборки функционального устройства. В комплект не входит чехол. Устройство не требует настройки и готово к работе сразу после сборки. Процессор установлен на сокет. Светодиод не отображается на передней панели. Это не показатель, но он необходим для работы устройства.Во время работы его свечение может быть не видно. Дисплей подключается к основной плате через «гребешок» с шагом 2,54 мм. Всю документацию, необходимую для сборки устройства (принципиальную схему, схему подключения и список используемых компонентов), можно скачать в конце статьи.

На фото представлен готовый собранный прибор. На втором фото представлен комплект деталей.

Конструктор представляет собой набор деталей. Батарея в комплект не входит.

Возможности устройства.

Тестер позволяет определять биполярные транзисторы, полевые транзисторы MOSFET и JFET, диоды (в том числе двойные последовательные и антипараллельные), тиристоры, симисторы, резисторы, конденсаторы и некоторые их параметры. В частности, для биполярных транзисторов:

1. проводимость — NPN или PNP;

2. распиновка в формате — B = *; С = *; Е = *;

3. усиление по току — hFE;

5. Прямое напряжение база-эмиттер в милливольтах — Uf.

Для транзисторов MOSFET:

1.проводимость (P-канал или N-канал) и тип канала (E — обогащенный, D — обедненный) — P-E-MOS, P-D-MOS или N-E-MOS, N-D-MOS;

2. Вместимость ворот — С;

3. распиновка в формате GDS = ***;

4. наличие защитного диода — символ диода;

5. Пороговое напряжение затвор-исток Uf.

Для транзисторов J-FET:

1. проводимость — N-JFET или P-JFET;

2. распиновка в формате GDS = ***.

Для диодов (включая двойные диоды):

1.распиновка;

2. Прямое напряжение анод-катод — Uf.

Для симисторов:

1. тип — симистор; 2. распиновка в формате G = *; А1 = *; А2 = *.

Для тиристоров:

1. тип — тиристор;

2. распиновка в формате — ГАК = ***.

Результат отображается на двухстрочном ЖК-дисплее. Время тестирования менее 2 сек. (кроме больших конденсаторов) время отображения результата 10 сек. Управление одной кнопкой, автоматическое отключение. Потребление тока в выключенном состоянии менее 20 нА.Диапазон измерения сопротивления от 2 Ом до 20 МОм. Точность не очень высокая. Конденсаторы рассчитаны на диапазон от 0,2 нФ до 7000 мкФ. Выше 4000 мкФ ухудшается точность. Измерение больших емкостей может занять до одной минуты. Тестер не является точным прибором и не гарантирует 100% надежности идентификации и измерений, но в большинстве случаев результат измерения верен. При измерении мощных тиристоров и симисторов могут возникнуть проблемы, если испытательный ток (7 мА) окажется меньше тока удержания.

Документация

В данной статье представлен прибор — тестер полупроводников. О прототипе этого устройства была опубликована статья на одном из немецких сайтов. Тестер с высокой точностью определяет количество и типы выходов транзистора, тиристора, диода и т. Д. Он будет очень полезен начинающему радиолюбителю.

Типы испытуемых элементов

(название элемента — индикация на дисплее):
— транзисторы NPN — на дисплее «NPN»
— транзисторы PNP — на дисплее «PNP»
— N-канальный MOSFET — дисплей » NE-MOS »
— МОП-транзистор с P-каналом — отображение« PE-MOS »
— МОП-транзисторы с обедненным N-каналом — отображается« ND-MOS »
— МОП-транзисторы с истощенным P-каналом — отображается« PD-MOS »
— N-канальные полевые транзисторы — на дисплее «N-JFET»
— Р-канальные полевые транзисторы — на дисплее «P-JFET»
— Тиристоры — на дисплее «Tyrystor»
— Симисторы — на дисплее «Triak»
— Диоды — на дисплее «Диод»
— Двухкатодные диодные сборки — на дисплее «Двойной диод СК»
— Двуханодные диодные сборки — на дисплее «Двойной диод СА»
— Два последовательно соединенных диода — дисплей показывает «2 диода»
— Диоды симметричны — на дисплее отображается «Диод симметричный»
— Резисторы — Диапазон 0.От 5K до 500K [K]
— Конденсаторы — Диапазон от 0,2 нФ до 1000 мкФ
При измерении сопротивления или емкости прибор не обеспечивает высокой точности
Описание дополнительных параметров измерения:
— h31e (коэффициент усиления по току) — диапазон до 10000
— ( 1-2-3) — порядок подключения выводов элемента
— Наличие элементов защиты — диод — «Диодный символ»
— Прямое напряжение — Uf

Напряжение открытия (для MOSFET) —

Вт

Емкость затвора (для MOSFET) — C =

Схема устройства:

Схема устройства без транзисторов:

Программирование микроконтроллера

Если вы используете программу AVRStudio, достаточно записать в настройках fuse-bits 2 бита конфигурации: lfuse = 0xc1 и hfuse = 0xd9.Если вы используете другие программы, отрегулируйте биты предохранителей в соответствии с рисунком. В архиве находится прошивка микроконтроллера и прошивка EEPROM, а также макет печатной платы.

Предохранители mega8

Процесс измерения довольно прост: подключите проверяемый объект к разъему (1,2,3) и нажмите кнопку «Тест». Тестер покажет измеренные показания и через 10 сек. перейдет в режим ожидания, это сделано для экономии заряда аккумулятора.Батарея используется напряжением 9В типа «Крона».

Тестирование симистора

Тестирование диодов

Тестирование светодиодов

Тестирование двух диодов

Испытания полевого МОП-транзистора

Тестирование транзисторов NPN

AVR Semiconductor, R, L, C, ESR, FRQ и т.д. 🙂 ТЕСТЕР на микроконтроллерах ATmega

В этом разделе представляю вашему вниманию устройство — тестер полупроводников, измеритель емкости конденсаторов и сопротивления резисторов, одним словом, очень полезная вещь 🙂 Описание этого измерительного прибора взято из статьи Маркузе Фрейека и Карла-Хайнца Кюббелера выложил на свои сайт.Это устройство было разработано ими еще в 2009 году и сейчас не дает покоя всем радиолюбителям. Схема претерпела незначительные изменения, пока авторами и другими программистами выпущено множество версий прошивок для микроконтроллеров (МК) серий ATmega8, ATmega48, ATmega168, ATmega328 (распиновка всех этих МК одинакова, поэтому нет необходимо внести изменения в топологию печатной платы). Я не специалист в области радиоэлектроники и не программист, я обычный радиолюбитель-самоучка, поэтому буду излагать информацию так, как я ее воспринимаю. Я сначала тоже подумал, что это китайская разработка 🙂 — всякие китайские интернет-магазины кишат наборами и готовыми тестерами, но оказалось, что все не совсем так. Вдобавок нашел чешский клон этого тестера. Мне это было интересно и я попробовал варианты тестеров на (MK) серии ATmega8 (два варианта прошивки) и ATmega328. Этот тестер не измеряет конденсаторы емкостью менее 25 пФ и индуктивностью менее 0,01 мГн (индуктивность и ESR измеряются только тестером на ATmega168 и ATmega328).Но меня, как радиолюбителя, интересуют как раз «маленькие» емкости и индуктивности, так как часто приходится выбирать именно их. Кроме того, как заявляют авторы, точность измерения индуктивности и емкости невысока — это так: (Кроме того, прибор на ATmega328 может измерять частоту и напряжение, работать как генератор, а также работать в режиме циклических измерений — без необходимости постоянно нажимать кнопку «ТЕСТ». Насколько я понимаю, этот прибор — золотая середина между дорогими специализированными промышленными измерительными приборами и дешевыми китайскими мультиметрами, которыми завалены все рынки, и аналоговыми самоделками.Но, как показывает практика, одного устройства мало. Мне достаточно двух устройств: тестера на базе ATmega8 для определения полупроводниковых компонентов, измерения сопротивления резисторов и примерной емкости конденсаторов, так как он не измеряет правильно конденсаторы с большой емкостью; Тестер R / L / C / ESR на PIC16F690, описание которого я выложил, для точного измерения емкостей различных конденсаторов, катушек индуктивности, ESR (ESR) и тангенса угла диэлектрических потерь диэлектрика электролитических конденсаторов.Конечно, у меня на полке еще есть несколько мультиметров для измерения напряжений, токов, целостности цепи и т. Д. Ну куда же без них :))) — чем больше приборов, тем лучше!

Учитывая вышесказанное, предлагаю вашему вниманию комплект для самостоятельной сборки тестера полупроводниковых приборов на ATmega8 MK и прошивку для МК в двух вариантах: вариант №1 и вариант №2 … Для программирования использую самый дешевый и самый распространенный программаторUSBasp, который можно купить ну просто везде :)… Запаковал архивы: драйверы Windows для программатора USBasp, файл прошивки * .hex FLASH, файл прошивки * .eep EEPROM, программа Kazarma для прошивки самого МК, предохранители для настройки МК и принципиальная схема с указанием необходимых доработок для этой версии прошивки. Никакой разницы в работе устройства при тактировании МК от внешнего кварца или от встроенного RC я не заметил. Отличие прошивки в визуальном отображении информации на дисплее (мне нравятся оба варианта).В прошивке №2 повышена точность измерения емкости конденсаторов. Тестер с высокой точностью определяет номера и названия выводов транзистора, тиристора, диода и т.д. Он будет очень полезен не только начинающему радиолюбителю. С помощью этого тестера очень удобно сортировать полупроводниковые элементы по параметрам, например, выбирать транзисторы по коэффициенту усиления. Те. это простой, но эффективный тестер для быстрой проверки, сортировки и распознавания большинства полупроводников — транзисторов, диодов, полевых транзисторов, МОП-транзисторов, двойных диодов, маломощных тиристоров, динисторов и т. д.Прибор удобен для определения параметров SMD компонентов; для этого в комплект входят соответствующие платки из стекловолокна с тремя пронумерованными участками. Позволяет измерять сопротивление резисторов и емкость конденсаторов. Все вышеперечисленное возможно для устройства на базе микроконтроллера ATmega8. На ЖК-дисплее мы сразу видим распиновку, тип и параметры, и не идем в интернет за даташитом, т.е. если у вас неизвестный SMD элемент с тремя ножки без маркировки, то с помощью этого прибора можно определить, что это — транзистор, диодная сборка и т. д.

Схема для прошивки # 1:

Схема для прошивки №2 (добавлен только один резистор, т.к. автор программно отключил подтягивающие резисторы в МК — больше ничего не меняйте!):

Характеристики устройства:

0. Обладая очень завидной функциональностью, тестер очень прост в сборке и не требует дефицитных деталей.

1.Автоматическое обнаружение транзисторов NPN и PNP, МОП-транзисторов с каналом N и P, диодов, двойных диодов, тиристоров, симисторов, резисторов и конденсаторов.

2. Автоматическое определение и отображение контактов тестируемого компонента.

3. Обнаружение и отображение защитного диода в транзисторах.

4. Определение коэффициента усиления и прямого напряжения база-эмиттер биполярных транзисторов.

5. Измерение порогового напряжения затвора и емкости затвора МОП-транзисторов.

6. Измерение прямого напряжения для простых диодов (светодиодов), а не для двойных диодов.

7. Измерение сопротивления резисторов — от 1 Ом до 50 МОм.

8. Измерение емкости конденсаторов — от 25 пФ до 100 мФ.

9. Отображение значений на текстовом ЖК-дисплее (2х16 знаков).

10. Продолжительность тестирования детали менее 2 секунд (за исключением больших конденсаторов).

11. Управление одной кнопкой и автоматическое отключение питания.

12. Энергопотребление в выключенном состоянии.

13. Проблемы с определением мощных тиристоров и симисторов, из-за того, что ток при измерении составляет 7 мА, что меньше тока удержания тиристора.

14. Проблемы с определением обычных полевых транзисторов, так как для большинства полевых транзисторов сток и исток при измерении мало или почти не отличаются, поэтому их можно не распознать, при тестировании полевых транзисторов неправильный обозначение стока и истока возможно, но, в принципе, тип транзистора в любом случае показан правильно.

15. Устройство может питаться от батареи «Крона» 9В или от адаптера питания постоянного тока 9-12В … Подсветка дисплея не включается при работе от батареи. При использовании адаптера переменного тока подсветка включена постоянно. Сетевой адаптер в комплект не входит, в комплект входит только штекер для него.

ВИДЕО № 1 РАБОТА С ТЕСТЕРОМ ПОЛУПРОВОДНИКА

ВИДЕО №2 РАБОТЫ ТЕСТЕРА (повышенная точность и расширенные диапазоны измерения ПДУ)

ВИДЕО No.3 РАБОТЫ ТЕСТЕРА (в ideo от покупателя Андрея из Донецка, зайдите на его канал и найдите там много интересной и полезной информации)

Индикация тестируемых элементов на дисплее прибора:

— Транзисторы NPN — на дисплее «НПН»

— Транзисторы PNP — на дисплее «ПНП»

— МОП-транзистор с N-канальным обогащением — на дисплее «N-E-MOS»

— МОП-транзистор с P-каналом — на дисплее «П-Э-МОС»

— N-канальный MOSFET — на дисплее «Н-Д-МОС»

— МОП-транзистор с истощенным P-каналом — на дисплее «П-Д-МОС»

— N-канальный JFET — на дисплее «N-JFET»

— P-канальный JFET — на дисплее «P-JFET»

— Тиристоры — на дисплее «Тыристор»

— Симисторы — на дисплее «Симистор»

— Диоды — на дисплее «Диод»

— Диодные сборки с двойным катодом и общим катодом — на дисплее «Двойной диод СК»

— Сдвоенные анодные диодные сборки с общим анодом — на дисплее «Двойной диод СА»

— Два диода, соединенные последовательно — на дисплее «2 диода серии»

— Симметричные диоды — на дисплее «Диод симметричный»

— Резисторы — «Сопротивление»

— Конденсаторы — «Конденсатор»

Описание дополнительных параметров измерения:

— h31e — текущий прирост

— (1-2-3) — порядок подключаемых выводов элемента и, наоборот, их наименование

— Наличие элементов защиты — диод — «Диодный символ»

— Прямое напряжение — Uf мВ

— Напряжение размыкания (для MOSFET) — Вт мВ

— Емкость затвора (для MOSFET) — C нФ

Совсем забыл! Если вам нужна прошивка на другом языке, то вы можете найти ее в соответствующем архиве.Также есть альтернативные прошивки!

Стоимость печатной платы с маской и маркировкой: 65 грн.

Стоимость полного комплекта деталей для сборки тестера (включая плату, ЖК-дисплей (синий фон и белые символы), «прошитый» ATmega8 MK с прошивкой №2): 330 грн.

Стоимость собранной платы тестера на ATmega8: 365 грн

Инструкцию к комплекту с кратким описанием и списком деталей, входящих в комплект можно увидеть

Для заказа обращайтесь по телефону , как показано на схеме:

В результате будет устройство, описание которого можно найти :).В архиве с прошивкой №3 есть все, что я описал выше, но с небольшой корректировкой! Дело в том, что при программировании программы Kazarma без вопросов «закачивал» содержимое файлов FLASH и EEPROM в МК, но отказывался «заливать» предохранители. Может у меня руки кривые, а может что-то еще мне мешало. Поэтому я пошел другим путем. Скачал программу AVRDUDESS (она есть в архиве), с ее помощью мне удалось запрограммировать предохранители FLASH, EEPROM и MK. Скриншот настроек предохранителей в архиве. В инструкции к тестеру все подробно описано! Отмечу только, что в этой версии есть возможность автокалибровки устройства.

Всем удачи, мира, добра, 73!

Как работает биполярный транзистор. Зачем нужен полевой транзистор

Условно биполярный транзистор можно нарисовать в виде полупроводниковой пластины с изменяющимися участками разной проводимости, состоящей из двух P-N переходов. Причем крайние участки пластины имеют однотипную проводимость, а средние участки противоположного типа, каждая из областей имеет свой личный выход.

В зависимости от чередования этих областей транзисторы имеют проводимость P-N-P и N-P-N соответственно.

А если взять и накрыть одну любую часть транзиста, то у нас будет полупроводник с одним P-N переходом или диодом. Это говорит о том, что биполярный транзистор может быть обычным и может быть представлен как два полупроводника с одной общей областью, соединенной друг с другом.

Часть транзистора, предназначенная для инжекции носителей заряда в базу данных, называется эмиттером, а соответствующий PN переход эмиттера, а часть элемента, назначение которой состоит в выводе или извлечение носителей заряда из базы, получившее название коллектор, и Pn-переходное коллектор.Общая зона была названа базовой.

Разница в обозначениях разных структур заключается только в направлении стрелки эмиттера: в П-Н-П она направлена ​​в сторону базы, а в Н-П-Н, наоборот, от базы.

В чем разница между транзисторами PNP и NPN? В этом видео я попытался показать разницу двух типов биполярных транзисторов. Я использовал доступные радиокомпоненты, такие как светодиод (и резистор для защиты), чтобы продемонстрировать работу.В CRIMER я использовал транзисторы типа 2N2907 и BC337. Напряжение регулируется с помощью переменного резистора (потенциометра).

В начальный период развития полупроводниковой электроники они производились только в Германии по технологии зашвартовки примесей, поэтому их назвали сплавом. Например, в ней сплавливается основа хрусталя Германия и мелкие кусочки Индии.

Индийские атомы проникают в тело немецкого кристалла, создают в нем две области — коллектор и эмиттер.Между ними остается очень тонкий в несколько микрон слой полупроводника противоположного типа — основа. А чтобы скрыть кристалл от света, он спрятан в футляре.

На рисунке показано, что держатель кристалла приварен к металлическому диску, который является базовым выводом, а его внешний проводной вывод доступен ниже.

Внутренние выводы коллектора и эмиттера приварены к проводникам внешних электродов.

С развитием электроники были разработаны кремниевые кристаллы и были изобретены кремниевые устройства, практически полностью сегментированные немецкими транзисторами.

Они способны работать при более высоких температурах, в них ниже значения обратного тока и более высокого напряжения пробоя.

Основной метод производства — планарные технологии. В таких транзисторах P-N переходы расположены в одной плоскости. Принцип метода основан на диффузии или плавлении в кремниевой пластине примеси, которая может находиться в газообразном, жидком или твердом состоянии. При нагреве до строго фиксированной температуры происходит диффузия примесных элементов в кремнии.

В этом случае один из шаров создает тонкую базовую область, а другой — эмиттер. В результате в кремнии образуются два перехода P-n. По этой технологии на заводе производятся самые распространенные типы кремниевых транзисторов.

Кроме того, для изготовления транзисторных структур широко используются комбинированные методы: комбинированные методы: кольцевая и диффузионная или различные варианты диффузии, например двусторонний или двусторонний односторонний.

Проведем практический эксперимент, для этого нам понадобится какой-нибудь транзистор и лампа накаливания от старого фонарика и чуть чуть крепежный провод, чтобы мы смогли собрать эту схему.

Эксплуатация транзистора Практический опыт для начинающих

Лампочка горит, потому что через коллекторный переход поступает постоянное напряжение смещения, которое удаляет коллекторный переход, и через него протекает коллекторный ток IK. Его номинал зависит от сопротивления нити накала лампы и внутреннего сопротивления батареи или источника питания.

А теперь представьте эту схему в структурном виде:

Поскольку в области n основными носителями заряда являются электроны, они проходят через потенциальный барьер P-N.Переход попадает в область дырочного p-типа и становится неосновными носителями заряда, где они начинают поглощаться основными носителями дырок. Эти же дырки от коллектора стремятся попасть в область базы и поглощаются основными носителями заряда электронами.

Начиная с базы на минус источника питания, то будет набор электронов, компенсирующих потери из области базы. Коллектор, подключенный к плюсу через резьбу лампы, способен принять такое же количество, поэтому концентрация дырок восстановится.

Проводимость P-n перехода значительно увеличится, и ток коллектора начнет проходить через коллектор IK . И чем он будет выше, тем сильнее будет гореть лампа накаливания.

Аналогичный процесс происходит в переходной цепи эмиттера. На рисунке показан вариант подключения схемы для второго опыта.

Возьмем еще один практический опыт и подключим базу транзистора к БП плюс.Лампочка не загорается, так как переход транзистора включен в обратном направлении и сопротивление перехода резко увеличилось, и только очень небольшой обратный ток коллектора ICBO не может быть зажжен.

Реализуем еще один интересный эксперимент, подключив лампочку по шаблону. Лампочка не светит, разберемся почему.

Если напряжение подается на эмитент и коллектор, то при любой полярности источника питания один из переходов будет прямым, а другой — обратным включением, и поэтому не будет потока и света лампочка не горит.

Из структурной схемы очень ясно, что эмиттерный переход смещен в прямом направлении и открыт и ожидает приема свободных электронов. Коллекторный переход, напротив, подключен в обратном направлении и мешает электронам в базе. Между коллектором и цоколем образуется потенциальный барьер, который оказывает большое сопротивление, и лампа не горит.

Мы добавляем в нашу схему только одну перемычку, которая соединяет эмиттер и базу данных, но лампочку это не волнует.

Тут в принципе все понятно, когда база и эмиттер замкнуты, коллекторный переход превращается в диод, на который смещено обратное напряжение.

Установка вместо перемычки сопротивления РБ номиналом 200 — 300 Ом и еще одного источника питания на 1,5 вольта. Минус соединяется через РБ с базой, а плюс с эмиттером. И случилось чудо, загорелась лампочка.

Лампа загорелась, потому что мы подключили дополнительный источник питания между базой и эмиттером и тем самым подали постоянное напряжение на переход эмиттера, что привело к его открытию и через него постоянный ток, который разблокировал переход коллектора транзистор.Транзистор открывается, и через него ток коллектора IK во много раз превышает ток базы эмиттера. И поэтому эта текущая лампочка загорелась.

Если поменять полярность дополнительного блока питания и поставить плюс на базу, то эмиттерный переход замыкается, а коллектор за ним. Через транзистор потечет обратный ICBO и лампочка перестанет гореть.

Основная функция резистора RB ограничивает ток в базовой цепи. Если все 1.На базу поступает 5 вольт, тогда переход зайдет слишком далеко, в результате чего произойдет тепловой пробой и транзистор может сгореть. Для немецких транзисторов напряжение откручивания должно быть около 0,2 вольт, а для кремниевых — 0,7 вольт.

Обратимся к блок-схеме: при подаче дополнительного напряжения на базу эмиттерный переход и свободные дырки открываются от эмиттера, взаимно поглощаются электронами базы, создавая постоянный ток базы ИБ.

Но не все дырки, попадающие в базу, рекомбинируются с электронами.Поскольку площадь основания довольно узкая, электроны базы поглощают лишь небольшую часть дырок.

Основной объем эмиттерных отверстий скользит по базе и попадает под более высокий уровень отрицательного напряжения в коллекторе, и вместе с отверстиями коллектора перетекает на его отрицательный выход, где он взаимно определяется электроном из основного ГБ. источник питания. Сопротивление коллекторной цепи эмиттер-база-коллектор резко падает и по ней начинает течь постоянный ток резервуара IK, во много раз превышающий ток базы IB цепи базы эмиттера.

Чем выше уровень разблокирующего напряжения по базе, тем больше дырок выпадает от эмиттера к базе, тем выше значение тока в коллекторе. И наоборот, чем ниже напряжение откручивания по базе, тем меньше ток в коллекторной цепи.

В этих экспериментах начинающего радиолюбителя по принципам работы транзистора он находится в одном из двух состояний: открытом или закрытом. Переключение его из одного состояния в другое осуществляется под действием напряжения разблокировки на основе УБ.Такой режим работы транзистора в электронике получил название ключевой. Применяется в приборах и устройствах автоматики.

В режиме усиления транзисторный усилитель работает в цепях приемника и усилителей звуковой частоты (УЖ и УНГ). Во время работы в основной цепи используются малые токи, контролирующие большие токи в коллекторе. В этом отличие режима усиления от режима переключения, который только открывает или закрывает транзистор в зависимости от напряжения на основе базы данных

.

Транзистор — очень распространенный активный радиокомпонент, который встречается практически во всех схемах, и очень часто, особенно во время экспериментальных курсов по изучению азовской электроники, выходит из строя.Поэтому, не имея навыков тестирования транзисторов, вам лучше снять свою электронику. Итак, давайте разберемся, как проверить транзистор.

Транзистор — это полупроводниковое устройство, которое может усиливать, преобразовывать и генерировать электрические сигналы. Первый работоспособный биполярный транзистор был изобретен в 1947 году. Материалом для его изготовления послужила Германия. А в 1956 году в мире появился кремниевый транзистор.

В биполярном транзисторе используются два типа носителей заряда — электроны и дырки, поэтому такие транзисторы называют биполярными.Помимо биполярных, существуют униполярные (полевые) транзисторы, в которых используется только один тип носителей — электроны или дырки. Эта статья будет рассмотрена.

Большинство кремниевых транзисторов имеют структуру N-P-N, что также объясняется технологией производства, хотя есть и кремниевые транзисторы транзистора P-N-P, но они несколько меньше, чем структура N-P-N. Такие транзисторы используются в составе комплементарных пар (транзисторов разной проводимости с одинаковыми электрическими параметрами).Например, CT315 и CT361, CT815 и KT814, а также в выходных каскадах транзисторных УМП КТ819 и КТ818. В импортных усилителях очень часто используется мощный комплементарный пар 2SA1943 и 2SC5200.

Часто транзисторы структуры P-N-P называют транзисторами с прямой проводимостью, а структуры N-P-N — обратными. В литературе это название почему-то почти не встречается, но в кругу радиошоу и радиолюбителей употребляется везде, всем сразу понятно, о чем идет речь.На рисунке 1 показано схематическое устройство транзисторов и их условные графические обозначения.

Рисунок 1.

Помимо разницы в типе проводимости и материале, биполярные транзисторы классифицируются по мощности и рабочей частоте. Если мощность рассеивания на транзисторе не превышает 0,3 Вт, такой транзистор считается малым. При мощности 0,3 … 3 Вт транзистор называют транзистором средней мощности, а при мощности более 3 Вт мощность считается большой.Современные транзисторы способны рассеивать мощность в несколько десятков и даже сотен ватт.

Транзисторы

усиливают электрические сигналы не одинаково хорошо: с увеличением частоты коэффициент усиления транзисторного каскада падает, а на определенной частоте останавливается вовсе. Поэтому для работы в широком диапазоне частот транзисторы изготавливаются с разными частотными свойствами.

По рабочей частоте транзисторы делятся на низкочастотные, — рабочая частота не выше 3 МГц, средняя частота — 3… 30 МГц, высокочастотный — более 30 МГц. Если рабочая частота превышает 300 МГц, то это уже сверхчастотные транзисторы.

Вообще в серьезных толстых справочниках приводится более 100 различных параметров транзисторов, что тоже говорит об огромном количестве моделей. А количество современных транзисторов таково, что в полном объеме их уже невозможно поставить ни в какую директорию. Причем модельный ряд постоянно увеличивается, позволяя решать практически все задачи, поставленные разработчиками.

Существует множество схем транзисторов (достаточно, чтобы вспомнить количество хотя бы бытовой техники) для усиления и преобразования электрических сигналов, но при всем разнообразии эти схемы состоят из отдельных каскадов, основой которых служат транзисторы. Для достижения необходимого усиления сигнала необходимо использовать несколько последовательно включенных каскадов ходов. Чтобы понять, как работают усиленные каскады, необходимо более подробно ознакомиться со схемами включения транзисторов.

Сам по себе транзистор ничего усилить не сможет.Его усилительные свойства заключаются в том, что небольшие изменения входного сигнала (тока или напряжения) приводят к значительным изменениям напряжения или тока на выходе каскада из-за расхода энергии от внешнего источника. Это свойство широко используется в аналоговых схемах — усилителях, телевидении, радио, связи и т. Д.

Для упрощения изложения здесь будут рассмотрены схемы на транзисторах структуры N-P-N. Все, что будет сказано об этих транзисторах, в равной степени относится и к транзисторам P-N-P.Достаточно просто поменять полярность источников питания, и, если есть, получить исправную схему.

Всего таких схем используется три: схема с общим эмиттером (ОЭ), схема с общим коллектором (ОК) и схема с общей базой (ОВ). Все эти схемы показаны на рисунке 2.

Рисунок 2.

Но прежде чем приступить к рассмотрению этих схем, следует ознакомиться с тем, как транзистор работает в ключевом режиме.Это знакомство должно упростить понимание в режиме усиления. В некотором смысле ключевую схему можно рассматривать как своего рода схему с оригинальным оборудованием.

Работа транзистора в ключевом режиме

Прежде чем изучать работу транзистора в режиме усиления сигнала, необходимо вспомнить, что транзисторы часто используются в ключевых.

Этот режим работы транзистора рассматривался давно. В августовском номере журнала «Радио» за 1959 г. была опубликована статья Лаврова «Полупроводниковый тригод в ключевом режиме».Автор статьи предложил изменение длительности импульсов в обмотке управления (ОУ). Сейчас этот способ регулирования называется ШИМ и применяется довольно часто. Схема из журнала того времени представлена ​​на рисунке 3.

Рисунок 3.

Но ключевой режим используется не только в системах ШИМ. Часто транзистор просто включается и выключается.

В этом случае можно использовать реле как нагрузку: входной сигнал — реле включено, нет — сигнал реле выключено.Вместо реле в ключевом режиме часто используются лампочки. Обычно это делается для обозначения: свет либо горит, либо погашен. Схема такого ключевого каскада показана на рисунке 4. Ключевые каскады также используются для работы со светодиодами или с оптопарами.

Рисунок 4.

Рисование каскада управляется обычным контактом, хотя вместо него это может быть цифровая микросхема или. Автомобильная лампочка, она используется для подсветки панели приборов в «Жигулях». Следует обратить внимание на то, что используется напряжение 5В, а напряжение коммутируемого коллектора — 12В.

В этом нет ничего странного, так как напряжения в этой схеме не играют никакой роли, значение имеют только токи. Следовательно, свет может быть не менее 220 В, если транзистор рассчитан на такие нагрузки. Напряжение источника коллектора также должно соответствовать напряжению нагрузки. С помощью подобных каскадов нагрузка подключается к цифровым микросхемам или микроконтроллерам.

В этой схеме ток базы управляет током коллектора, который из-за мощности блока питания больше в несколько десятков, а затем в сотни раз (в зависимости от нагрузки коллектора), чем ток базы.Легко заметить усиление тока. Когда транзистор работает в ключевом режиме, его обычно используют для расчета каскада, называемого «Текущий коэффициент усиления в режиме большого сигнала» — в справочниках обозначается буквой β. Это отношение тока коллектора, которое определяется нагрузкой, к минимально возможному базовому току. В виде математической формулы это выглядит так: β = Ik / Ib.

Для большинства современных транзисторов коэффициент β довольно велик, как правило, от 50 и выше, поэтому при расчете ключевого каскада его можно принять равным всего 10.Даже если ток базы больше рассчитан, то транзистор его не превысит, он не откроет транзистор. и ключевой режим.

Чтобы зажечь лампочку, показанную на рисунке 3, Ib = Ik / β = 100м / 10 = 10ma, это не менее. При управляющем напряжении 5В на базовом резисторе RB за вычетом падения напряжения на участке B-e останется 5В — 0,6В = 4,4В. Сопротивление базового резистора составит: 4,4В / 10 мА = 440 Ом. Из стандартного ряда выбирается резистор сопротивлением 430 Ом.Напряжение 0,6В — это напряжение на переходе B-E, и при его расчете не следует забывать!

Для того, чтобы база транзистора при размыкании управляющего контакта оставалась «висящей в воздухе», переход B-e обычно шунтируется резистором RBE, который надежно закрывает транзистор. Об этом резисторе не стоит забывать, хотя в некоторых схемах его почему-то нет, что может привести к ложному срабатыванию каскада от помех. Собственно про этот резистор все знали, но почему-то забыли, и снова пришли к «граблям».

Номинал этого резистора должен быть таким, чтобы при размытии контакта напряжение на базе не было меньше 0,6В, иначе каскад будет неуправляемым, как если бы секция B-E просто замкнула специю. Практически резистор RBE выставлен номиналом примерно в десять раз больше, чем RB. Но даже при рейтинге РБ 10ком схема будет работать достаточно надежно: потенциалы базы и эмиттера будут равны, что приведет к закрытию транзистора.

Такой ключевой каскад, если он исправен, может как на полный нагрев лампочки, так и выключиться вовсе.В этом случае транзистор может быть полностью открыт (состояние насыщения) или полностью закрыт (состояние отключения). Сразу само по себе говорит о том, что есть такое «граничное» состояние, когда лампочка светит правильно. В этом случае транзистор наполовину открыт или наполовину закрыт? Это похоже на наполнение стакана: оптимист видит стакан наполовину налитый, а пессимист считает его наполовину пустым. Такой режим работы транзистора называется усилительным или линейным.

Работа транзистора в режиме усиления сигнала

Практически все современное электронное оборудование состоит из микросхем, в которых транзисторы «спрятаны».Достаточно просто выбрать режим работы операционного усилителя, чтобы получить желаемое усиление или полосу пропускания. Но, несмотря на это, в дискретных («рыхлых») транзисторах часто используются каскады, а потому понимание работы усилительного каскада просто необходимо.

Наиболее частое включение транзистора по сравнению с ОК и представляет собой схему с общим эмиттером (ОЭ). Причина такого преобладания — это, прежде всего, высокий коэффициент усиления по напряжению и по току. Наибольший коэффициент усиления каскада ОЭ обеспечивается, когда на нагрузку коллектора приходится половина напряжения источника питания ЭПИТ / 2.Соответственно, вторая половина приходится на транзисторную площадку К-Е. Это достигается настройкой каскада, которая будет описана чуть ниже. Этот режим увеличения называется классом A.

При включении транзистора ОЕ выходной сигнал на коллекторе находится в противофазе с входным. Из недостатков можно отметить, что входное сопротивление ОЕ небольшое (не более нескольких сотен Ом), а на выходных в пределах десяти кОм.

Если в ключевом режиме транзистор характеризуется коэффициентом усиления по току в режиме β большого сигнала, то в режиме усиления используется «коэффициент усиления по току в режиме малого сигнала», указанный в справочниках h31E.Такое обозначение произошло от представления транзистора в виде четырехполюсного. Буква «Е» говорит о том, что измерения производились при включенном транзисторе с общим эмиттером.

Коэффициент h31 обычно несколько больше β, хотя его можно использовать в первом приближении. В любом случае разброс параметров β и h31E настолько велик даже для одного типа транзисторов, что расчеты получаются только приближенными. После таких расчетов, как правило, требуется настройка схемы.

Коэффициент усиления транзистора зависит от толщины базы, поэтому изменить его невозможно. Отсюда и большой разброс коэффициентов усиления транзисторов, взятых даже из одной коробки (читал одну партию). У маломощных транзисторов этот коэффициент колеблется в пределах 100 … 1000, а у мощных 5 … 200. Чем тоньше база, тем выше коэффициент.

Простейшая схема включения транзистора OE показана на рисунке 5. Это всего лишь небольшой фрагмент рисунка 2, показанного во второй части статьи.Такая схема называется схемой с фиксированной токовой базой.

Рисунок 5.

Схема исключительно проста. Входной сигнал подается на базу транзистора через разделительный конденсатор С1 и, будучи усиленным, снимается с коллектора транзистора через конденсатор С2. Назначение конденсаторов — защитить входные цепи от постоянной составляющей входного сигнала (достаточно вспомнить угольный или электретный микрофон) и обеспечить необходимую полосу пропускания каскада.

Резистор R2 является коллекторной нагрузкой каскада, а R1 обеспечивает постоянный сдвиг к базе данных. С помощью этого резистора стараются сделать так, чтобы напряжение на коллекторе было EPIT / 2. Такое состояние называется рабочей точкой транзистора, и в этом случае коэффициент усиления каскада будет максимальным.

Примерно сопротивление резистора R1 можно определить по простой формуле R1 ≈ R2 * h31E / 1,5 … 1,8. Коэффициент 1,5… 1.8 заменяется в зависимости от напряжения питания: при низком напряжении (не более 9В) значение коэффициента не более 1,5, а начиная с 50В приближается к 1,8… 2,0. Но, действительно, формула настолько приблизительна, что чаще всего приходится подбирать резистор R1, иначе требуемое значение EPIT / 2 на коллекторе не будет получено.

Коллекторный резистор R2 определяется как условие проблемы, поскольку коллекторный ток зависит от его значения в целом: чем больше сопротивление резистора R2, тем выше усиление.Но с этим резистором надо быть осторожным, ток коллектора должен быть меньше максимально допустимого для данного типа транзистора.

Схема очень простая, но эта простота придает ей отрицательные свойства, и за эту простоту приходится платить. Во-первых, усиление каскада зависит от конкретного экземпляра транзистора: заменил транзистор при ремонте, — подбирал анестен, вывод на рабочую точку.

Во-вторых, от температуры окружающей среды обратный ток коллектора ввода-вывода увеличивается с повышением температуры, что приводит к увеличению тока коллектора.А где половина питающего напряжения на коллекторе ЭПИТ / 2, самая рабочая точка? В результате транзистор еще сильнее нагревается, после чего выходит из строя. Чтобы избавиться от этой зависимости или хотя бы свести ее к минимуму, в каскад транзисторов вводятся дополнительные элементы отрицательной обратной связи — ООС.

На рисунке 6 показана диаграмма с фиксированным напряжением смещения.

Рисунок 6.

Казалось бы, делитель напряжения РБ-К, РБ-Э обеспечит необходимое начальное смещение каскада, но на самом деле такой каскад присущ всем недостаткам схемы фиксированного тока.Таким образом, показанная схема является лишь разновидностью схемы с фиксированным током, показанной на рисунке 5.

Схемы с термостабилизацией

Ситуация несколько лучше, если применить схемы, показанные на рисунке 7.

Рисунок 7.

На схеме со стабилизацией коллектора резистор смещения R1 подключен не к источнику питания, а к коллектору транзистора. В этом случае, если обратный ток увеличивается с ростом температуры, транзистор оказывается сильнее, напряжение на коллекторе уменьшается.Это уменьшение приводит к уменьшению напряжения смещения, подаваемого на базу через R1. Транзистор начинает закрываться, ток коллектора снижается до допустимого значения, восстанавливается положение рабочей точки.

Совершенно очевидно, что такая мера стабилизации приводит к некоторому снижению усиления каскада, но это не имеет значения. Недостающее усиление обычно добавляется путем увеличения количества усиливающих каскадов. Но такой ООС позволяет существенно расширить диапазон рабочих температур каскада.

Несколько сложных схем инженерного каскада со стабилизацией эмиттера. Усиливающие свойства таких каскадов остаются неизменными в даже более широком диапазоне температур, чем схема со стабилизацией коллектора. И еще одно неоспоримое преимущество — при замене транзистора не нужно заново выбирать режимы каскада.

Эмиттерный резистор R4, обеспечивающий стабилизацию температуры, также снижает усиление каскада. Это для округа Колумбия. Чтобы исключить влияние резистора R4 на усиление переменного тока, резистор R4 шунтируется конденсатором CE, который для переменного тока представляет собой небольшое сопротивление.Его величина определяется частотным диапазоном усилителя. Если эти частоты лежат в звуковом диапазоне, емкость конденсатора может составлять от единиц до десятков и даже сотен микрофрейд. Для радиочастот это уже сотые или тысячные, но в некоторых случаях схема отлично работает и без этого конденсатора.

Чтобы лучше понять, как работает стабилизация эмиттера, необходимо рассмотреть схему включения транзистора с общим ОК.

Схема с общим коллектором (ОК) показана на рисунке 8. Эта схема представляет собой фрагмент рисунка 2 из второй части статьи, где показаны все три схемы включения транзисторов.

Рисунок 8.

Нагрузкой каскада является эмиттерный резистор R2, входной сигнал подается через конденсатор C1, а выходной сигнал удаляется через конденсатор C2. Здесь вы можете спросить, почему эта схема называется ок? Ведь если вспомнить схему OE, четко видно, что эмиттер подключен к общему проводу, относительно которого подается и снимается выходной сигнал.

В схеме коллектор просто подключается к источнику питания, и на первый взгляд кажется, что связь не имеет отношения к входному и выходному сигналу. Но на самом деле источник ЭДС (силовой аккумулятор) имеет очень маленькое внутреннее сопротивление, для сигнала это практически одна точка, один и тот же контакт.

Более подробно схему ОК можно увидеть на Рисунке 9.

Рисунок 9.

Известно, что для кремниевых транзисторов напряжение перехода B-e находится в пределах 0.5 … 0,7В, так что в среднем можно взять 0,6В, если не ставить цель проводить расчеты до десятых долей процента. Следовательно, как видно на Рисунке 9, выходное напряжение всегда будет меньше входного на величину UB-E, а именно на само 06V. В отличие от схемы OE, эта схема не инвертирует входной сигнал, а просто повторяет его и даже снижает 0,6 В. Эту схему еще называют эмиттерным повторителем. Почему такая схема нужна, чтобы приносить пользу?

Схема ОК усиливает сигнал тока в h31 каждый раз, что указывает на то, что входное сопротивление схемы в h31E раз больше, чем сопротивление эмиттерной цепи.Другими словами, можно не бояться сжечь транзистор для подачи непосредственно на базу (без ограничительного резистора) напряжения. Просто возьмите выход базы данных и подключите его от блока питания + U.

Высокое входное сопротивление позволяет подключать входной источник с высоким импедансом (комплексное сопротивление), например, пьезоэлектрический датчик. Если такой датчик подключить к Каскаду по схеме OE, то низкое входное сопротивление этого каскада просто «посадит» сигнал датчика, «радио не сыграет».

Отличительной особенностью схемы ОК является то, что ее коллекторный ток ИК зависит только от сопротивления нагрузки и напряжения источника входного сигнала. При этом параметры транзистора здесь совершенно не играют никакой роли. В этих схемах сказано, что они покрываются стопроцентной обратной связью по напряжению.

Как показано на рисунке 9 ток в нагрузке эмиттера (это ток эмиттера) IH = IK + IB. Учитывая, что ток базы ИБ ничтожно мал по сравнению с током коллектора тока ИК, можно предположить, что ток нагрузки равен току резервуара IH = IK.Ток в нагрузке будет (URH — UBE) / RN. В этом случае мы предполагаем, что UBE известно и всегда равно 0,6 В.

Отсюда следует, что токосъемник = (URH — UBE) / RN зависит только от входного напряжения и сопротивления нагрузки. Сопротивление нагрузки можно изменять в широких пределах, однако экстрадиции не требуется. Ведь если вместо РН поставить гвоздь — соткать, то ни один транзистор не выдержит!

Схема ОК позволяет легко измерить статический коэффициент передачи тока h31E.Как это сделать, показано на рисунке 10.

Рисунок 10.

Сначала следует измерить ток нагрузки, как показано на рисунке 10a. При этом база транзисторов нигде недоступна, как показано на рисунке. После этого измеряется базовый ток в соответствии с рисунком 10. Измерения следует проводить в обоих случаях в некоторых значениях: либо в амперах, либо в миллиамперах. Напряжение источника питания и нагрузка должны оставаться неизменными при обоих измерениях.Чтобы узнать статический коэффициент передачи тока, достаточно тока нагрузки, чтобы разделить его на базовый ток: h31E ≈ IH / IB.

Следует отметить, что с увеличением тока нагрузки h31E немного уменьшается, а с увеличением напряжения питания увеличивается. Эмиттерные повторители часто строят по двухтактной схеме с использованием комплементарных пар транзисторов, что позволяет увеличить выходную мощность устройства. Такой эмиттерный ретранслятор показан на рисунке 11.

Рисунок 11.

Рисунок 12.

Включение транзисторов по схеме с общей базой

Такая схема дает только выигрыш по напряжению, но имеет лучшие частотные свойства по сравнению со схемой OE: те же транзисторы могут работать на более высоких частотах. Основное применение схемы про антенные усилители ДМВ диапазонов. Схема антенного усилителя представлена ​​на рисунке 12.

Исходное название радиодеталей — триод, по количеству контактов.Этот радиоэлемент способен регулировать ток в электрической цепи под воздействием внешнего сигнала. Уникальные свойства используются в усилителях, генераторах и других подобных схемных решениях.

Обозначение транзисторов на схеме

В электронике долгое время царили ламповые триодики. Внутри герметичной колбы три основных компонента триода помещались в специальную газовую или вакуумную среду:

Когда сигнал управления малой мощностью подавался в сеть, между катодом и анодом можно было пропустить несравненно большие значения.Величина рабочего тока тройки в разы выше, чем у управляющей. Это свойство позволяет радиоэлементу выполнять роль усилителя.

ТРАТЫ на основе радиоламп работают достаточно эффективно, особенно на больших мощностях. Однако габариты не позволяют применять их в современных компактных устройствах.

Представьте себе мобильный телефон или карманный плеер, сделанный на таких элементах.

Вторая проблема — наладить питание. Для нормального функционирования катод должен быть сильно прогрет до эмиссии электронов.Нагревательная спираль требует много электроэнергии. Поэтому ученые всего мира всегда стремились создать более компактное устройство с такими же свойствами.

Первые образцы появились в 1928 году, а в середине прошлого века был представлен рабочий полупроводниковый триод, выполненный по биполярной технологии. За ним было получено название «Транзистор».

Что такое транзистор?

Транзистор — это полупроводниковый электроприбор в или без него или без него, имеющий три контакта для работы и управления.Основное свойство такое же, как и в трио — изменение параметров тока между рабочими электродами с помощью управляющего сигнала.

Из-за отсутствия необходимости в нагреве транзисторы тратят скудное количество энергии для обеспечения собственной работоспособности. А компактные размеры рабочего полупроводникового кристалла позволяют использовать радиокомпоненты в малогабаритных структурах.

Благодаря независимости от рабочего тела, полупроводниковые кристаллы могут использоваться как в отдельном корпусе, так и в микросхемах.Транзисторы в комплекте с другими радиоэлементами выращиваются непосредственно на монокристалле.

Выдающиеся механические свойства полупроводника нашли применение в мобильных и портативных устройствах. Транзисторы нечувствительны к вибрации, резким ударам. Обладают хорошей термостойкостью (радиаторы охлаждения используются при сильной нагрузке).

Любое электронное устройство состоит из радиоэлементов. Они могут быть пассивными, не требующими источника питания, и активными, работа которых возможна только при подаче напряжения.Активные элементы называются полупроводниками. Одним из важнейших полупроводниковых устройств является транзистор. Этот радиоэлемент пришел на замену ламповым приборам и полностью изменил схемотехнику приборов. Вся микроэлектроника и работа любого чипа на ее основе.

Название TRANSISTOR произошло от слияния двух английских слов: Transfer — переносной, и resistor — сопротивление. В общепринятом понимании это полупроводниковый элемент с тремя выводами.В нем значение тока на двух выводах зависит от третьего, при изменении силы тока или напряжения контролируется ток цепи тока. Изменение тока контролируется биполярными устройствами, а напряжение — полевым.

Первые разработки транзистора были начаты в ХХ веке. В Германии ученый Юлиус Эдгар Лилиенфельд описал принцип работы транзистора, и уже в 1934 году прибор, названный в честь транзистора, был зарегистрирован врачом Оскаром Хейлом.Такой прибор работал на эффекте электростатического поля.

Physics Уильям Шокли, Уолтер Братски вместе с Джоном Бардином в конце 40-х сделали первый макет точечного транзистора. С открытием N-P перехода выпуск точечного транзистора прекратился, и вместо него начали разрабатывать самолетные устройства из Германии. Действующий прототип транзистора в декабре 1947 года был официально представлен. В этот день появился первый биполярный транзистор. Летом 1948 года начали продаваться устройства, выполненные на транзисторной основе.С этого момента электронные лампы (триододы) стали обычным явлением, тогда как стали уходить в прошлое.

В середине 50-х первый плоский транзистор был выпущен в серию Texas Instruments, материалом для его изготовления служил кремний. На тот момент при производстве радиоэлемента вышло много брака, но это не помешало технологическому развитию устройства. В 1953 году на транзисторах была создана схема, используемая в слуховых аппаратах, а через год американские физики получили за свое открытие Нобелевскую премию.

Март 1959 года ознаменовался созданием первого кремниевого планарного устройства, его разработчиком был физик из Швейцарии Жан Эрни. Пара транзисторов была успешно размещена на монокристалле кремния. С этого момента началась разработка оборудования на интегральных схемах. На сегодняшний день в один кристалл помещен миллиард транзисторов. Например, на популярном 8-ядерном компьютерном процессоре Core i7-5960x их количество составляет 2,6 миллиарда штук.

Параллельно с усовершенствованиями биполярного транзистора в 60-х годах началась разработка прибора на основе соединения металла с полупроводником.Такой радиоэлемент получил название МДП (металл-оксид-полупроводник) транзистор, сегодня более известен под обозначением «Мосфет».

Изначально понятие «транзистор» относилось к сопротивлению, величина которого регулировалась напряжением, поскольку транзистор можно представить как резистор, регулируемый приложенным потенциалом на одном выходе. Для полевых транзисторов, сравнение с которыми более корректно — потенциал на затворе, а для биполярных транзисторов — потенциал на основе или по току на базе.

В основе работы устройства лежит способность N-P перехода пропустить текущий в одну сторону. При приложении напряжения на одном переходе происходит прямое падение, а на другом — обратное. Зона перехода постоянного напряжения имеет низкое сопротивление, а при обратном — большое. Между базой и эмиттером протекает небольшой управляющий ток. Сопротивление между коллектором и эмиттером изменяется от значения этого тока. Биполярное устройство бывает двух типов:

Отличие заключается только в основных носителях заряда, т.е.е. текущее направление.

Если соединить между собой два полупроводника разного типа, то на границе соединения есть область или, как принято, переход P-N. Тип проводимости зависит от атомной структуры материала, а именно от того, насколько прочна связь в материале. Атомы в полупроводнике расположены в виде решетки, и сам этот материал не является проводником. Но если вы добавите в сетку атомы другого материала, то физические свойства полупроводника изменятся.Отмеченные атомы образуются, в зависимости от их природы, свободными электронами или дырками.

Образовавшиеся свободные электроны образуют отрицательный заряд, а дырки — положительный. В переходной зоне есть потенциальный барьер. Он образован контактной разностью потенциалов, а его высота не превышает десятых долей вольта, препятствуя протеканию носителей заряда вглубь материала. Если переход находится под постоянным напряжением, то величина потенциального барьера уменьшается, а величина тока, проходящего через него, увеличивается.При подаче обратного напряжения значение барьера увеличивается, а сопротивление барьера тока увеличивается. Разобравшись в работе P-N перехода, можно разобраться, как устроен транзистор.

В первую очередь такие устройства делятся на одиночные и составные. Есть еще так называемые сложные радиоэлементы. У них три вывода, и они сделаны в целом. Такие сборки содержат как однотипные, так и разные по своему типу транзисторы. Основное разделение устройств происходит по следующим признакам:

Общее определение радиоэлемента можно сформулировать следующим образом: Транзистор — это полупроводниковый элемент, предназначенный для преобразования электрических величин.Основное приложение — усиление сигнала или работа в ключевом режиме.

Принцип работы транзистора для чайника проще описать по аналогии с водопроводом. Сам элемент можно представить в виде клапана. Кран с небольшим поворотом позволяет регулировать расход воды (силу тока). Если немного повернуть ручку, вода потечет по трубе (кондуктору), если еще больше открыть кран, поток воды тоже увеличится. Таким образом, выходной поток воды пропорционален его входу, умноженному на определенную величину.Эта величина и есть коэффициент усиления.

Биполярный транзистор имеет три выхода: эмиттер, база, коллектор. Эмиттер и коллектор имеют одинаковый тип проводимости, отличный от базы. Дырочные транзисторы состоят из двух областей проводимости P-типа и одной N-типа. Электронный вид наоборот. У каждой области свой вывод.

Когда сигнал подается на эмиттер, ток проводимости в области базы увеличивается. Основные носители заряда перемещаются в базовую зону, что приводит к увеличению тока и в тыльной части соединения.Есть объемная зарядка. Электрическое поле начинает втягиваться в зону обратного соединения носителя другого знака. В базе происходит частичная рекомбинация (разрушение) зарядов противоположного знака, за счет чего возникает ток базы.

Эмиттером называется область устройства, которая служит для передачи носителей заряда на базу. Коллектором называется зона, предназначенная для извлечения носителей заряда из базы. А база — это площадка для передачи эмиттера противоположного заряда.Основная характеристика устройства — это вольт-амперная характеристика, функция которой описывает соотношение между током и напряжением.

На схеме устройство подписано латинскими буквами VT или Q. Оно выглядит как круг со стрелкой внутри, где стрелка указывает направление потока потока. Для PNP (прямая проводимость) — стрелка внутри, а для NPN (обратная проводимость) — стрелка наружу. Для изготовления транзистора используется германий или кремний. Эти материалы отличаются рабочей зоной основного переходного напряжения.Для Германии он лежит в пределах 0,1-0,4 В, а кремний обычно используется для кремния от 0,4 до 1,2 В ..

Отличие полевого транзистора от биполярного в том, что в нем по прохождению тока соответствует значению напряжения, приложенного к управляемому контакту.

Основное назначение МОП-транзисторов связано с их хорошей скоростью переключения при очень малой мощности, подаваемой на управление. Полевой элемент имеет три выхода: затвор, приклад, источник. Когда МОП-транзистор с управлением N-p, потенциал перехода на затворе либо равен нулю (устройство открыто), либо имеет определенное значение больше нуля (устройство закрыто).Когда обратное напряжение достигает определенного уровня, запирающий слой открывается, и устройство переходит в режим отсечки.

В Mosphore с P-N электрод управления переходом (затвор) служит полупроводниковым слоем с проводимостью p-типа, а противоположная проводимость — каналом N-типа.

Его изображение на схеме похоже на биполярный прибор, только все линии выполнены прямыми, а стрелка внутри подчеркивает тип инструмента. Принцип работы МОП устройств основан на эффекте изменения проводимости полупроводника на границе области с диэлектриком при воздействии электрического поля. Полевые устройства в зависимости от контролируемого P-n перехода могут быть:

Каждый вид может иметь проводимость как p-типа, так и n-типа. В общем понимании принцип работы не зависит от проводимости, меняется только полярность источника напряжения.

Транзистор представляет собой сложное устройство, физические процессы, протекающие в котором, сложны для понимания начинающими радиолюбителями (чайниками). Принцип работы транзистора можно объяснить следующим образом: транзистор представляет собой электронный ключ, степень открытия которого зависит от уровня тока или напряжения, приложенного к его управляемому выходу (базе или затвору).

Зачем нужен транзистор, можно описать в обобщенном виде. Например, основанием (створкой) устройства является дверь. Он открывается при внешнем воздействии, т.е. напряжением той же полярности, что и коллектор (источник). Чем больше напряжение, тем больше будет открываться дверь. Перед дверью очередь людей (носителей заряда), которые хотят пробежать через нее (коллектор-эмиттер или исток-сток). Чем сильнее удар по двери, тем больше она открыта, а значит, люди больше бегают.

Следовательно, изображая дверь в виде сопротивления перехода, можно сделать вывод: чем больше воздействие на основание (затвор), тем меньше сопротивление основным носителям заряда (людям) в случае прямой полярности.Если полярность изменится (дверь на замок закрывается), то движения зарядов (людей) не будет.

С каждым годом появляется все больше электронных средств, и они часто ломаются. Ремонт — это большие деньги, иногда доходящие до 50 процентов стоимости устройства. И что досадно, некоторые из этих поломок можно было устранить сам, имея начальные знания о том, как работает транзистор. Почему он? Это транзисторы чаще всего выходят из строя.

Типы транзисторов

Для облегчения понимания работы транзистора необходимо иметь представление о нем.Это полупроводник, что указывает на его способность проводить ток в одном направлении и не пропускать его в другом. Для достижения таких характеристик используются разные способы изготовления. Все эти устройства по своему характеру работы делятся на две группы. :

1. биполярный
2. полярный

Хотя и те, и другие относятся к одному классу — транзисторы, происходящие в них процессы очень разные.

Биполярный

Движение электронов по замкнутой цепи называется поражением электрическим током.Грубо говоря, чем больше электронов, тем больше ток. Если атом отдает электроны, он становится положительно заряженным и, наоборот, притягивая лишние электроны, он становится отрицательно заряженным.

При добавлении примесей кремния и германия они становятся необходимым материалом для изготовления биполярных транзисторов.

Биполярными называют электронные устройства, состоящие из двух, имеющих разный заряд слоев . И у двух крайностей одинаковый заряд.Тот слой, который имеет положительный заряд, называется «P», а отрицательный — «n». В связи с этим различают следующие виды:

Граница между этими слоями называется переходом . Внутренняя область, разделенная двумя переходами, называется базой. Две внешние области называют эмиттером и коллектором. Монокристалл выполнен таким образом, что одна внешняя область передает энергоносители в базу данных и называется эмиттером. Другая внешняя область принимает эти носители и называется коллектором.

На электрической схеме биполярный транзистор обозначен в виде круга, внутри которого нарисована аббревиатура, и для него подходят три прямые жизни. Один идет под углом 90 градусов и обозначает основание, два других — под наклоном. Тот из них, что стрелка указывает на эмиттер, другой — на коллектор. Само устройство, как правило, имеет три выхода, соответствующих этим областям.

Поле

Другой вид называется полевым или униполярным.В отличие от биполярного P-N, переход работает иначе. Его монокристалл имеет однородный состав. Канал, по которому движутся энергоносители, может быть дырочным или электронным. В дырочных носителях находятся положительно заряженные фиксированные ионы, в электронных — отрицательно заряженные. Эти каналы также обозначаются буквами «P» и «N» соответственно.

Вокруг и почти по всей длине этого канала инжектируются ионы противоположной полярности. . Эта зона называется заслонкой, она регулирует проводимость канала.Край канала, по которому заряженные частицы входят в кристалл, называется источником, а по которому выходит — запасом.

Для улучшения электрических характеристик между металлическим каналом и затвором стали добавлять диэлектрик. Если классифицировать транзисторы по структуре, можно выделить два семейства:

• TIR (их также можно отнести к MOS — Metal-Oxide Explorer)

МДП расшифровывается как проводник металл-диэлектрик.Это поле. Новый транзистор JGBT сочетает в себе преимущества биполярного, но имеет изолированный затвор.

Принцип действия

Одним из сложных радиоэлементов является транзистор. Принцип работы сводится к следующему :

• регулировка
• усиление
• поколение

Биполярные обладают большей мощностью и могут работать с высокими частотами. Однако если вам нужен широкий спектр усиления, то без поля не обойтись.

Полевые работы

Рассмотрим, как работает транзистор. Начинающим радиолюбителям сложно разобраться во всех этих переходах. Чтобы показать принцип работы транзистора простым языком, обратите внимание на следующий пример .

Клапан крана кран кран способен очень сильно менять давление воды. Это достигается за счет постепенного изменения забинтованного отверстия. По такому же принципу работает и полевой транзистор.

Затвор ограничивает полосу пропускания.Когда к нему прикладывается запирающее напряжение, электрическое поле сжимает проход, тем самым уменьшая поток заряженных частиц. Как и при закрытии крана, необходимо приложить небольшое усилие и мощность затвора, по сравнению с основным каналом, очень мала. Сходство еще и в том, что при небольших изменениях напряжения на затворе прохождение прохода тоже немного меняется.

Как работает биполярный режим

Работа биполярного устройства несколько отличается от поля поля .Прежде всего различают способ управления движением заряженных частиц. В поле используется электрическое поле, в биполярном — ток между базой и эмиттером.

В зависимости от типа устройства стрелка эмиттера на диаграмме будет указывать либо на базу данных, тогда это тип P-N-P, либо от базы, тогда это N-P-N. При подключении к этим одноименным зажимам («P» подключается к «+», а «N» подключается к «-») в цепи эмиттера — возникает база. В базе больше носителей заряда и становится тем больше, чем больше ток в этой цепочке.

Обратное напряжение подается на коллектор, т. Е. «P» подключает «-», а «n» — «+». Поскольку возникает разность потенциалов между эмиттером и коллектором, между этими выводами появляется ток. Он будет тем больше, чем больше носителей заряда будет доступно в базе данных.

При подключении эмиттера и базы данных к источнику питания противоположного знака ток прекращается, транзистор закрывается. Что сможет лучше понять принцип работы транзистора? Для чайников важно понимать одну истину.Если эмиттерный переход открыт — база (подается постоянное напряжение), то само устройство разомкнуто, в противном случае — замкнуто.

Меры предосторожности

Полевые транзисторы очень чувствительны к повышенному напряжению. При работе с ними необходимо исключить возможность статистической нагрузки на них. Этого можно добиться, надев заземленный браслет. При выборе аналога важно учитывать не только рабочее напряжение, но и допустимый ток.А если аппарат работает в частотном режиме, то его частотный.

Схемы сенсорных выключателей света. Сенсорный переключатель на двух транзисторах

Простейший тач-девайс можно собрать по нескольким имеющимся позициям. Там всего три транзистора, три резистора и один светодиод, и все. Можно даже схему по приставке собрать, все будет работать.

Транзисторы Любые структуры NPN: CT315, CT3102 или BC547 или любые другие.Резисторы 0,125-0,25 Вт. Светодиод любого цвета, но лучше красного, так как падение напряжения минимальное. Питание 5 вольт, больше меньше может быть тоже меньше.

Все компоненты были компактно соединены между собой на миниатюрной печатной плате, что можно сделать, просто вырезав лишний медный резак, оставив таким образом остро-коронковые многоугольники. Детали, используемые для поверхностного монтажа, транзисторы в СОТ-26 НПН, резисторы 0805, перемычки — отрезки провода, вместо них, если брать большие резисторы 2512 с нулевым (условным) сопротивлением.Сенсорное устройство работает сразу, без настройки.

Объяснение работы схемы

Доливом на базу транзистора Q3 вы его открываете, в результате чего через его КЭ и резистор 1 МОм протекает ток, который открывает следующий полупроводник Q2, он открывает Q3, который уже управляет светодиодом, открывается через его потоки CATE, с минуса переходит на катодный светодиод, а он уже подключен к аноду. Резистор 220 Ом здесь «ток-ревиант», на него падает лишнее напряжение, что предохраняет диод от деградации кристалла и полного выхода из строя LED1

Application

Ну светодиод от прикосновения пальца горит — и что? Но дело в том, что вместо этого светодиода поставили реле и теперь мы можем управлять практически любой нагрузкой, в зависимости от характеристик применяемого реле.Ставим подключенную к сети мощную лампу накаливания, а в разрыв этой цепи контакты реле. Теперь при нажатии, а точнее касании сенсорная лампа светится.

Так же можно организовать включение / отключение нагрузки с помощью оптопары, если реле нет, то еще будет гальванический переход. Эта красивая штука состоит из светодиода и фототранзистора, когда первый светит, он открывает транзистор и через его CE может течь ток. Включите нужные прототипы оптопары в схему датчика вместо светодиода LED1, а два других в блок питания блока питания и любой нагрузки.Этот пункт можно снять с зарядки от телефона. Взять, к примеру, PC-17L1.

Ниже вы видите дополнение к основной схеме, где показано подключение к оптрону к схеме датчика, также добавлен один транзистор, это необходимо для того, чтобы можно было подключить увесистую нагрузку, и не только светодиоды на 20 мА.

Более того, вместо реле и оптопар можно использовать два NPN-транзистора. Я сделал это, вы видите схему. Работает это так: Q5 всегда должен быть открыт, через резистор 10 ком, но через Open Q4 KE на базу Q5 приходит «минус» и потому он закрыт.При прикосновении к сенсору — то минус проходит через открытый Q1 на базу Q4 и замыкает его, теперь Q5 ничего не мешает оставаться открытым — нагрузка работает, а в моем случае ярко светит мощный светодиод на 1 ватт.

Так выглядит в собранном состоянии.

Датчик не имеет фиксации, прикоснулся — светит, отпустил — не светит. Если хотите сделать фиксацию — просто добавьте в схему триггер, например, на микросхеме КМ555ТМ2 или любой другой (можно даже реализовать на таймере 555).С добавлением триггерной системы при прикосновении к датчику нагрузка будет включена до следующего касания или до тех пор, пока не появится питание цепи.

На практике может применяться для быстрого включения и выключения освещения в помещении. Очень удобно, прикоснулся к небольшому чувствительному участку, и комната загорелась, второе касание выключит свет. Будет потеряно небольшое количество энергии, но этим можно пренебречь.

Комментарии

Схема работает, но из-за своей простоты не идеальна.Если сенсор большой, то схема может работать только тогда, когда вы его тоже еще не трогали, если у вас есть рука с волосами, возле светодиодного сенсора тоже может загореться. Выход из этой ситуации простой — миниатюрный сенсорный датчик.

Как уже было сказано — открытие Q3 происходит за счет печати, это можно увидеть на видео, светодиод светит не постоянно, а мигает с высокой частотой, но при съемке это хорошо заметно.

Яркость рабочего диода не велика, если прикоснуться только к базе третьего транзистора, но стоит потрогать и вас, и плюсовое питание, ваше тело выступит в роллере резистора и транзистора Q3 войдет в насыщение.Но при такой ситуации для некоторых теряется смысл датчика.

Схема очень простая и предназначена только для понимания принципа работы.

Сегодня сенсорные панели Входы можно найти повсюду. Они устанавливаются на дисплеи смартфонов и планшетов, сенсорные панели ноутбуков, графические планшеты, платежные терминалы и банкоматы, а также на медицинское и промышленное оборудование. Производители делают сенсорные моноблоки и телевизоры, но большинство дисплеев ПК по-прежнему нечувствительны к прикосновениям.

Насчет того, как сделать штатный монитор — сенсорный, наверное, многие думали. Ведь в некоторых операциях (чтение, работа с графикой, редактирование текстов) ударить по странице, выбрать нужный элемент или выделить область на экране пером или пальцем намного проще, быстрее и удобнее, чем светодиодный курсор или крутить колесо мыши. На первый взгляд это начинание кажется фантастическим, и реализовать его сложно. Но на самом деле все проще. Как сделать сенсорный монитор Alone — рассказывает этот материал.

Немного теории

Сенсорные поверхности экранов конструктивно представляют собой отдельный элемент, непосредственно связанный с матрицей дисплея. Конечно, в последних поколениях смартфонов и планшетов используются так называемые OGS-панели, в которых чувствительный элемент встроен между пикселями, но все они равны контролю. Есть три типа сенсорных экранов, каждый со своими характеристиками.

резистивный

Резистивная технология построения сенсорных экранов самая простая и дешевая.По принципу действия такие тачскрины относятся к компьютерным клавиатурам. На двух слоях прозрачной подложки расположены дорожки из почти прозрачного проводящего материала. Эти два слоя расположены друг на друге с зазором в несколько микрометров. Верх обязательно гибкий и при прикосновении пальца становится траекторией закрытия. Чем дальше расположена локация — тем больше по пути проходит ток и тем выше сопротивление. По его значению (с точностью до Ом) контроллер датчика рассчитывает, в каком месте произошло местонахождение.

Резистивные сенсорные экраны Недорогие, простые, реагируют на любой предмет, но недостаточно надежны (вывести тачскрин можно с небольшим порезом) и имеют ограниченную прозрачность (проводящие дорожки тоже видны под определенным углом).

Емкостный

Емкостный сенсорный экран

является самым распространенным в наше время (по состоянию на 2016 год). Он более совершенный и надежный. Количество слоев уменьшилось до одного, толщина стала меньше. На поверхность сенсорного стекла или пленки нанесена сетка из прозрачных проводников, которые отличаются низким сопротивлением.Организм человека не проводит электричество и может накапливать электрический заряд, поэтому при прикосновении пальца к стеклу происходит небольшая утечка тока, место которой определяет контроллер.

Волна

В волновом сенсорном экране для регистрации прикосновений используются акустические (ультразвук, технология поверхностно-активных веществ) или световые (инфракрасные, ультрафиолетовые, технология PSV) волны. По периметру экрана установлена ​​рамка, объединяющая излучатель и регистратор.Когда палец касается поверхности — он поглощает и частично отражает волну, а датчики фиксируют место.

.

Экраны ПАВ и ПСВ надежны, абсолютно прозрачны (нет сетчатых электродов), имеют неисчерпаемый теоретический ресурс (реально зависит от качества комплектующих), при наличии защитного каркаса сам датчик не может быть поврежден, и использование бронетранспортера делает матрицу неуязвимой и экранной. Поэтому они часто используются в банкоматах, платежных терминалах, промышленных машинах и медицинском оборудовании.Но точность определения координат пальца посредственная. Кроме того, волновые сенсорные панели требуют регулярного протирания (грязь на стекле вызывает фантомные реакции).

Существуют и другие типы датчиков для дисплеев, но они наиболее распространены. К тому же эти методы сложно реализовать в домашних условиях, потому что они не рассматриваются.

Практическое применение датчиков

Применительно к сенсорным мониторам все три технологии востребованы. Резистивный тип раньше широко использовался, но встречается сейчас.Именно он интересуется кругом, но об этом чуть ниже. Емкостные датчики применяются практически во всех современных дисплеях, изначально сенсорных. Волновые сенсорные экраны, как уже упоминалось выше, используются в банковском, промышленном, медицинском и другом специфическом оборудовании. Благодаря предприимчивым китайцам они интересны и при переделке обычного монитора на ощупь.

Сразу стоит отметить, что пропадание обычного монитора на сенсорную емкостность: такой тачскрин относительно дорогой, специфичный и отдельно не встречается.Но гораздо интереснее в этом плане резистивные и волновые технологии. Также стоит упомянуть чисто световой (не на ПСВ, а инфракрасный) вариант.

Метод 1: Легкий

Первый способ самый простой и доступный, но требует определенных навыков и желания работать. Перед тем, как сделать монитор сенсорным, необходимо запастись камерой с инфракрасной веб-камерой (как в ТВ панели), кусочком пленки (не выпускается), аккумулятором и корпусом для самодельного стилуса (например, лазерной указки), так как а также программа Community Core Vision.Что со всем этим хорошо делать — пункты ниже.

Прежде чем, как обычный монитор Сделать сенсорным данным методом, необходимо убедиться, что уровень технической подготовки достаточен, и ситуация не препятствует воплощению идеи. Ведь веб-камера требуется точно позиционировать, а для этого нужно место на столе, это еще не все. К тому же небольшое смещение ее или экрана заставляет заново все настраивать.

Способ дешевле: из оборудования покупать только самую дешевую камеру рублей за 500 (самая и т. Д. В наличии), ИК-диод (можно вытащить из сломанной консоли), лазерную указку (можно взять маркер или другой тонкий трубка вместо нее), батарейки («мини-пальцы» или «таблетка»).Самое сложное с фильмом: большинство людей фильм «Мыльницы» последний раз держали в руках более 10 лет назад. Кроме того, из недостатков метода — сложность настройки, нестабильность конструкции, не высший уровень удобства.

Некоторые китайские производители предлагают готовые решения этого типа, позволяющие сделать монитор сенсорным. Такие изделия представляют собой специальную широкоугольную веб-камеру, закрепленную на дисплее и стилусе. Этот вариант не лишен указанных недостатков, но выглядит привлекательно и не требует навыков работы с самоделкой.

Метод 2: Волна

Существуют готовые сенсорные панели, работающие по принципу поверхностно-световых (ПСВ) и поверхностно-акустических (ПАВ) волн. Они представляют собой стекло с рамкой, к которой подключен специальный контроллер с интерфейсом USB или COM (RS-232). Подобные решения предназначены в первую очередь для создания терминалов и спецтехники, но никто не запрещает использовать их дома.

Процесс переделки дисплея с их помощью предельно прост.

1. Перед тем, как сделать монитор сенсорным, необходимо протереть его микрофиброй со специальным чистящим средством или универсальным салфеткой. Важно помнить: если экран имеет антибликовое покрытие — пользоваться им нельзя. для этого средства, содержащие аммиак (нашатырный спирт), так как смывают этот слой!
2. После этого на экран накладывается сенсорное стекло, которое закреплено в комплекте креплений или имеет качественное двустороннее склеивание (но все же лучше приклеить).
3. Дальнейшая процедура настройки заключается в установке фирменного драйвера и другого программного обеспечения (поставляется на диске с датчиком или загружается с сайта производителя) и калибровки сенсорного экрана.

Основным недостатком такой переделки монитора на сенсорную является относительная дороговизна. Новый сенсор стоит от нескольких тысяч до десятков тысяч рублей в зависимости от диагонали. К тому же найти нужный размер на современных широкоформатных матрицах часто бывает сложно с большой диагональю.Это связано с тем, что экраны узкого формата (4: 5 или 3: 4) имеют наилучшее соотношение диагоналей и полезную площадь, поэтому такие сенсорные экраны выпускаются чаще. Кроме того, стекло с рамкой может испортить эстетичный вид монитора, не вписываясь в его внешний вид.

Метод 3: резистивный

С точки зрения цены, эффективности и простоты использования резистивный сенсорный экран является наиболее предпочтительным. Китайские производители создают специальные сенсорные пленки разного уровня точности, прочности и функциональности, разного размера.

Некоторые из них можно обрезать по размеру дисплея, другие не поддерживают такую ​​модификацию. Поэтому перед покупкой такого тачскрина нужно изучить его описание и характеристики.

1. Раньше, как штатный монитор делаю тач, его тоже нужно протирать от пыли и разводов.
2. Далее следует снять переднюю рамку с экрана (обычно это делается с помощью посредника, ненужной банковской карты или другого тонкого предмета из прочного пластика, который вставляется в щель) и снова протереть дисплей из микрофибры.
   
3. Если тачскрин не влезает, но поддерживает обрезку — нужно снять мерки с матрицы, чтобы сенсор под него поместился. Делать это необходимо в соответствии с инструкцией производителя датчика. Также рекомендуется посмотреть видео оформление по разборке дисплея, чтобы он не сломал его. Напоследок важно помнить: модификация лишит вас гарантий производителя дисплея.
4. По краям матрицы монитора (вне видимой области) нужно наклеить специальные прокладки, на которые будет садиться тач.Это необходимо для защиты дисплея от давления пальцев во время работы.
5. Далее необходимо расположить датчик и наклеить его на матрицу.
6. Чтобы спрятать контроллер тачскрина и закрепить его, нужно снять заднюю крышку монитора. Для этого нужно отсоединить ножку или подставку, открутить сзади винты (если есть).
   
7. Рядом с платой скейлера (матричным контроллером) желательно найти свободное место, где контроллер будет насаживаться на винт или двусторонний скотч (первый вариант).
8. Кабель питания контроллера и передачи данных должен быть выведен в имеющееся отверстие рядом с разъемом VGA / HDMI / DVI или другим интерфейсом подключения. Если отверстий нет — это можно сделать дрелью или горячим гвоздем (диаметр подбирать по толщине шнура).
   
9. При установке контроллера важно следить за целостностью петли, не допуская ее перекручивания, острых гербинов и т. Д.
10. Если матрица плотно прилегает к корпусу монитора — в том месте, куда поезд будет возвращаться, лучше сделать на корпусе выдавливание наждачной бумагой, собственноручно или горячим ножом для снятия пластикового слоя.
11. Тогда заднюю часть корпуса можно ставить обратно.
12. Чтобы рама монитора вернулась, его нужно будет переделать. В зависимости от особенностей конструкции вам придется подправить крепеж, отрезать или немного прогнать внутренние стороны и т. Д. После примерки его можно будет устанавливать.
    
13. Заключительный этап — Подключение датчика и его калибровка. Для этого устанавливаем драйвер (скачивается с сайта производителя датчика или идет в комплекте), а затем настраиваем точность, касаясь точек, которые отображает программа драйвера.

Предлагаю собрать интересную радиолюбительскую конструкцию, которую легко повторить даже начало своими руками. Этот сенсорный выключатель, схема которого приведена ниже, может использоваться в различных ситуациях. В сенсорных устройствах хоть и нет гальваники с электросетью, но они полностью безопасны и не навредят здоровью человека

Принцип работы схемы заключается в том, что как только биологический объект попадает в зону действия сенсора, включается свет.Если он выйдет из зоны контроля ИК-датчика, то освещение выключит прибор через указанный промежуток времени.

В момент включения напряжения схемы счетчик CD4040 находится в состоянии сброса и на его выходе логический ноль, а на выходе элемента инвертора или не-DD1.6 блока, а на транзисторе разомкнут, а реле с нормально замкнутыми контактами шунтирует кнопку переключателя.

Для работы инфракрасного датчика используется он на элементах DD1 или нет.1 и DD1.2. Для применяемого фотоприемника выбрана частота импульсов 36 кГц. Если использовать другой, то для него нужно будет настроить генератор на частоту, на которую рассчитан фотоприемник.

Для увеличения импульсного тока, идущего от генератора к инфракрасному светодиоду HL2, на элементах DD1.3 и DD1.4 используется усилитель. Особенность фотодатчика заключается в том, что при вводе модулированного ИК-излучения на его выходе будет установлен сигнал логического нуля.

Пройдя через инвертирующий элемент DD1.5, на одиннадцатом выходе счетчика появится логическая единица, которая его запретит. Если отраженный луч не попадает в фотоприемник, то на этом же входе будет логический ноль, и счетчик начнет отсчет импульсов, поступающих на десятый вход от мигающего светодиода HL1.

Элементы схемы подобраны таким образом, чтобы за двадцать минут работы, если в зоне доступа датчика биологического объекта не наблюдается, на выходе будет установлен логический блок, а на выходе DD1.6 элемент. В этом случае транзистор выключит реле К1 и загорится.

При включении схема переключает триггер в одно из устойчивых состояний и включает свет при первом повороте датчика касания на датчик касания, при повторении триггер переключает триггер в противоположное состояние и тем самым выключает освещение.

Продолжительность срабатывания триггера ни при каких условиях не устанавливается, пока напряжение не приложено к схеме.

Триггер подключается по типовой схеме для микросхемы К561ТМ.С первого выпуска микросхемы управляющий сигнал поступает в усилитель тока, выполненный на биполярном транзисторе. Управляющий выход тиристора подключен к эмиттеру этого транзистора, и при достижении на нем напряжения тиристор открывается и включает свет.

Поскольку полевой транзистор имеет большее сопротивление к переходу сток-исток-затвор, плюс в цепи датчика есть обратные резисторы, это не позволит опасному потенциалу на сенсорной пластине.Полевой транзистор открывается под действием напряжения питания, которое ориентируется датчиком руки. Триггер входа шунта резистора R3 3. Триггер срабатывает при каждом положительном сигнале на третьем входе. Если первый выход триггера — логический ноль, биполярный транзистор закрывается и подсветка отключена. Когда появляется логическая единица, транзистор и тиристор открыты и горит лампочка.

Датчик может быть изготовлен из любого металла диаметром не менее 30 мм. Такая схема гарантирует, что питание включается и выключается мощностью не более 60Вт.Для большей мощности тиристор нужно будет установить на радиатор.

Вы можете управлять светом двумя способами. Первым поднесите руку к оптическому датчику на десять сантиметров. Второй с помощью пульта дистанционного управления ИК-излучением.

Реле можно взять практически любые, главное, чтобы напряжение срабатывания триггера проходило в диапазоне от 6 до 12 вольт. Датчик представляет собой кусок фольгированного текстолита. Оба транзистора можно заменить на КТ315 или СТ3102. Можно взять любой импульсный диод на напряжение от 100 вольт и.

Схема работает как усилитель сигнала — при прикосновении к датчику за счет внутреннего сопротивления человека открывается VT1, а за ним и VT2 реле срабатывает и замыкает цепь, в которую по принципу можно подключить любую нагрузку ( видеть). Контакты реле служат переключателем, один из выходов этих контактов подключен к сети 220, а другой — к нагрузке, например, лампам освещения.

Коммутатор подходит для сенсорного управления любой нагрузкой, практически независимо от мощности.В случае низковольтного источника питания реле можно удалить, а второй транзистор заменить на более мощный, например КТ819.

Универсальный таймер используется для генерации повторяющихся и одиночных импульсов со стабильными временными характеристиками.

NE555 B. Этот вариант работает в режиме компаратора. При прикосновении к сенсорной пластине сработает переключатель компаратора, к выходу которого подключены два светодиода. Поскольку максимальный ток NE555 составляет 200 мА, вместо светодиодов можно подключить реле для управления нагрузкой.Напряжение питания конструкции может быть в пределах от 5 до 15 вольт.

Электромагнитные помехи могут нарушить работу сотового телефона и ухудшить качество приема сигнала. Но они могут стать ключом к преобразованию традиционных ЖК-дисплеев с управлением жестами.

Группа исследователей из компьютерной лаборатории Вашингтонского университета разработала метод преобразования обычного жидкокристаллического дисплея (ЖКД) в сенсорный с помощью метода электромагнитных помех.Технология Utouch подразумевает использование простого сенсора и программного обеспечения. В основе этой технологии лежит слабое электромагнитное излучение, источником которого является бытовая электроника.

«Устройства вокруг нас являются источником всех этих сигналов. Но люди не придают им значения, потому что они воспринимают их как тревожные», — говорит исследователь и соавтор книги Сидхант Гупта.

Если для планшетных компьютеров и смартфонов сенсорные экраны успели стать нормой, то в телевизионных панелях и компьютерных мониторах они только начинают получать распространение.

Существующие методы преобразования пассивных дисплеев в сенсорные экраны, как правило, основаны на камерах или других датчиках. Однако такое решение не всегда практично. Результаты последнего исследования будут представлены в рамках майской научной конференции в Париже, где будут обсуждаться вопросы взаимодействия человека и компьютера.

Авторы исследования отмечают, что они измерили и проанализировали характер сигналов, поступающих с ЖК-дисплеев при обращении к ручному экрану. Эти сигналы регистрируются как электромагнитные помехи, и их измерение может производиться с помощью 5-долларового датчика, подключенного к домашней розетке.

Датчик собирал информацию об электромагнитных помехах и отправлял ее на компьютер, подключенный к системе со специальным программным обеспечением. Программа использовала метод машинного обучения для предсказания сигнала, который распознается как шум, или как один из пяти установленных жестов. После регистрации касания или жеста экран выполнил команду пользователя.

«Мы пытаемся лучше понять природу изменения сигнала, его интенсивность», — говорит Гупта.

Каждый дисплей создает собственные электромагнитные помехи.Датчик способен видеть разницу между ними. Это позволяет научить обычные жидкокристаллические дисплеи распознавать прикосновения и жесты.

Но технология Utouch имеет свои ограничения. Этим методом нельзя включить обычный дисплей с интерактивным экраном iPhone или -смартфон. Устройство реагирует на незамысловатые жесты, воспроизводящие видео, запускают и останавливают приложения. Более сложные движения кончиков пальцев по экрану пока непонятны.

Исследователи не планируют коммерциализировать технологию, но, по словам гупты, необходимые компоненты доступны в свободной продаже, а все алгоритмы рассмотрены в отчете.Поэтому при желании систему можно собрать самостоятельно.

Команда продолжит работу над улучшением технологии Utouch.

«Умирающий» рынок ПК можно спасти.

Поставка доставки и сопровождения

Китайцы подарили мне странный трек UA ****** YP. Сначала подумал, что товар ошибочно отправили в Украину, как писал продавец.
Продавец заверил, что с отправкой все в порядке. Что у них есть новая логистика для ускорения доставки и что эти треки можно отслеживать по адресам
или
Но эти сайты ничего не сказали по моему треку 🙁

Симистор Перепания — минутный бизнес

У меня было сломать немного иначе нагреть электролитические конденсаторы, как одно касалось корпуса симистора.А у него BT137, увы, не изолирован.

Включаю — все работает как часы. В итоге получаю сенсорный выключатель «1-Way 5a» на китайской градуировке;)))
По факту Симистор в корпусе TW 220 без радиатора можно переключить 150-200Вт.

Но кому мешает симистор на радиаторе. Например радиатор 25см2 позволяет переключать уже 800Вт, если полная нагрузка этого симистора стандартная 8 (не китайские амперы)?
А для того, чтобы на радиаторе не было высокого напряжения, крепится сормистор к таким вещам — изоляторы пластиковые под винт и силиконовые прокладки:

которые продаются за копейки 50-100 шт

— 1 доллар.42/100
— 0,99 $ / 100

Ну или по старинке на пластинах слюны.

Итак коммутаторы приехали, успешно модернизированы и введены в эксплуатацию.

В активе остаются 5 бывших в употреблении Mac97 маломощных Simistor и пара 3-ходовых переключателей на китайский 3A.

Давно изучаемые печатные платы Переключатели.

К сожалению, никаких перемычек, задающих режим работы «1-ходовой / 3-ходовой», не обнаружено. Видимо разные микросхемы «черные кляксы» или их прошивки, если это PLC.

Подведем итог

Достоинства:
— Работает без нареканий (если сразу не сгорает в питании)
— Низкая цена
— Маленькие габариты
— Простое подключение
— возможны апгрейды для увеличения желаемой мощности
Недостатки :
— максимальный ток переключения существенно меньше заявленного
— очень харвестеры

Датчик на кота не реагирует, но экспериментом крайне недоволен

.