Каковы основные характеристики транзистора КТ819Г. Какие особенности конструкции делают его подходящим для применения в силовой электронике. В чем преимущества использования КТ819Г по сравнению с аналогами. Как правильно применять этот транзистор в схемах.
Общее описание и назначение транзистора КТ819Г
КТ819Г представляет собой мощный биполярный транзистор структуры NPN, предназначенный для работы в ключевых и линейных схемах силовой электроники. Данный транзистор относится к серии КТ819 и выпускается в пластмассовом корпусе КТ-28 (TO-220).
Основные области применения КТ819Г включают:
- Импульсные источники питания
- Преобразователи напряжения
- Драйверы электродвигателей
- Усилители мощности звуковой частоты
- Регуляторы и стабилизаторы напряжения
Ключевые электрические параметры КТ819Г
Рассмотрим основные электрические характеристики транзистора КТ819Г:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Максимальный постоянный ток коллектора: 10 А
- Максимальная рассеиваемая мощность: 60 Вт
- Статический коэффициент передачи тока: 12-60
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
Какие преимущества дают эти параметры? Высокое напряжение коллектор-эмиттер позволяет использовать транзистор в высоковольтных схемах. Большой ток коллектора и высокая рассеиваемая мощность обеспечивают возможность работы с мощными нагрузками.
Особенности конструкции и технологии производства
КТ819Г изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии на кремниевой подложке. Такая технология обеспечивает следующие преимущества:
- Высокая устойчивость к электрическим и тепловым нагрузкам
- Малые токи утечки
- Хорошие частотные характеристики
- Низкое тепловое сопротивление переход-корпус
Корпус TO-220 с металлическим теплоотводом позволяет эффективно отводить тепло от кристалла транзистора. Это критически важно для мощных применений.
Сравнение КТ819Г с аналогами
Как КТ819Г соотносится с другими мощными биполярными транзисторами? Рассмотрим сравнение с некоторыми аналогами:
Параметр | КТ819Г | 2N3055 | TIP3055 |
---|---|---|---|
Макс. напряжение К-Э | 100 В | 60 В | 60 В |
Макс. ток коллектора | 10 А | 15 А | 15 А |
Макс. рассеиваемая мощность | 60 Вт | 115 Вт | 90 Вт |
КТ819Г превосходит аналоги по максимальному рабочему напряжению, что позволяет использовать его в высоковольтных схемах. При этом он несколько уступает по максимальному току и рассеиваемой мощности.
Рекомендации по применению КТ819Г в схемах
При использовании КТ819Г в электронных устройствах следует учитывать ряд важных моментов:
- Обеспечение эффективного теплоотвода. Рекомендуется использовать радиатор площадью не менее 50 см².
- Защита от перенапряжений. Необходимо применять защитные диоды для ограничения выбросов напряжения.
- Ограничение тока базы. Максимальный постоянный ток базы не должен превышать 3 А.
- Учет температурной зависимости параметров. При нагреве транзистора его характеристики могут существенно изменяться.
Типовые схемы включения транзистора КТ819Г
Рассмотрим несколько базовых схем с использованием КТ819Г:
Ключевой режим
В ключевом режиме транзистор работает в режиме насыщения или отсечки. Это позволяет управлять мощной нагрузкой с минимальными потерями.
Линейный усилитель
В схеме линейного усилителя КТ819Г работает в активном режиме, обеспечивая усиление входного сигнала. Важно обеспечить правильный выбор рабочей точки.
Импульсный стабилизатор напряжения
В импульсных преобразователях КТ819Г может применяться как силовой ключ, коммутирующий ток через индуктивность.
Особенности монтажа и эксплуатации КТ819Г
При работе с транзистором КТ819Г следует соблюдать ряд правил:
- Пайку выводов производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса.
- Допускается однократный изгиб выводов на расстоянии не менее 2,5 мм от корпуса.
- При монтаже исключить механические напряжения на корпус транзистора.
- Обеспечить надежный тепловой контакт с радиатором, используя теплопроводящую пасту.
Заменители и аналоги транзистора КТ819Г
В случае отсутствия КТ819Г можно использовать следующие аналоги:
- КТ819А — отличается меньшим максимальным напряжением (40 В)
- КТ819Б — промежуточный вариант с напряжением 60 В
- 2N3055 — популярный зарубежный аналог
- TIP3055 — улучшенная версия 2N3055
При замене необходимо тщательно сравнивать параметры и при необходимости корректировать схему.
Транзистор КТ819Г
В корзину
- Описание и характеристики
- Отзывы(0)
- Инструкция
Транзистор КТ819Г n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Номер технических условий
- аАО.336.189 ТУ / 02
Особенности
- Диапазон рабочих температур: — 45 до + 100 С
Корпусное исполнение
- пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Вывод | Назначение |
№1 | Эмиттер |
№2 | Коллектор |
№3 | База |
Параметры | Обозначение | Ед.изм. | Режимы измерения | Min | Max |
Обратный ток коллектора | Iкбо | мА | Uкб=40B | 1 | |
Статический коэффициент передачи тока КТ819А, В КТ819Б КТ819Г | h31э | — | Uкб = 5 B, Iэ =5 A | 15 20 12 | — |
Граничное напряжение | Uкэо гр | В | Iэ =0,3 A, tи= 270 330 мкс | 25 | — |
КТ819А | |||||
КТ819Б | 40 | ||||
КТ819В | 60 | ||||
КТ819Г | 80 | ||||
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Uкэ нас | В | Iк=5A, Iб=0,5A | — | 2 |
Параметры | Обознач. | Ед. изм. | Значение |
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб | Uкэ max | В | 40 |
КТ819А | |||
КТ819Б | 50 | ||
КТ819В | 70 | ||
КТ819Г | 100 | ||
Напряжение эмиттер-база | Uэб max | В | 5 |
Постоянный ток коллектора | Iк max | А | 10 |
Импульсный ток коллектора tи 100 | Iки max | А | 15 |
Максимально допустимый постоянный ток базы | Iб max | А | 3 |
Импульсный ток базы tи 100 | Iби max | А | 5 |
Рассеиваемая мощность при Ткорп. | Рк мах | Вт | 60 |
Отзывы
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В
Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, транзисторы 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В — в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Масса транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г не более 2,5 гр., транзисторов 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В не более 20 гр. Чертёж транзистора КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В Электрические параметры.
Предельные эксплуатационные данные.
Примечания: 1. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при Тк=298÷373 К снижается линейно на 0,015 Вт через 1 К КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г. 2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При монтаже в схему транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии не менее 2,5 мм от корпуса под углом 90°, радиусом не менее 0,8 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается. 1-2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 3. Входная характеристика. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 1-2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 3. Входная характеристика. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера. 1. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость времени выключения от тока коллектора. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса. 1. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость времени выключения от тока коллектора. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса. |
kt819 техпаспорт и примечания по применению
kt819 техпаспорт (17)
Часть | Модель ECAD | Производитель | Описание | Тип | ПДФ |
---|---|---|---|---|---|
КТ819А | интеграл | Русский Транзистор | Оригинал | ||
КТ819А | Другие | Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные) | Сканировать | ||
КТ819А | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Сканировать | ||
КТ819А | Другие | Короткий транзистор PDF Лист данных | Сканировать | ||
КТ819А | УДССР | Транзистор | Сканировать | ||
КТ819АМ | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Сканировать | ||
КТ819Б | интеграл | Русский Транзистор | Оригинал | ||
КТ819Б | Другие | Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные) | Сканировать | ||
КТ819Б | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Сканировать | ||
КТ819Б | Другие | Короткий транзистор PDF Лист данных | Сканировать | ||
КТ819Б | УДССР | Транзистор | Сканировать | ||
КТ819БМ | Другие | Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) | Сканировать | ||
КТ819Г | Другие | Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные) | Сканировать | ||
КТ819Г | Другие | Короткий транзистор PDF Лист данных | Сканировать | ||
КТ819Т | УДССР | Транзистор | Сканировать | ||
КТ819В | Другие | Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные) | Сканировать | ||
КТ819В | Другие | Короткий транзистор PDF Лист данных | Сканировать |
kt819 Листы данных Context Search
Каталог данных | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
---|---|---|---|
КТ819БАннотация: KT819e H H e 1 s % & o O o \o BVD O S ‘CS- o > O V Fp | OCR-сканирование | 8и19А; КТ819Б КТ819 DSAGER00036 ЗМ 8 ч4 | |
КТ805М Реферат: кт805бм КТ872А КТ837 КТ837К КТ818 КТ805 КТ837Б КТ837А КТ610А | Оригинал | KSC1623 3102М КТ805М кт805бм КТ872А КТ837 КТ837К КТ818 КТ805 КТ837Б КТ837А КТ610А | |
КТ 819 транзистор Реферат: 2N2222A 338 SF129D SF137D SSY20B KT819W SF127E KFY18 321 KP303W KFY18 | OCR-сканирование | ||
2T908A Реферат: 2T602 2T907A KT604 1HT251 1T813 2t903 KT920A PO6 115,05 KT117 | OCR-сканирование | Т-0574Д. 30Эиаа Coi03nojiH 2Т908А 2Т602 2Т907А КТ604 1HT251 1Т813 2т903 КТ920А ПО6 115,05 КТ117 | |
2Т931А Реферат: КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А | OCR-сканирование | МОКП51КОБ, KTC631 ТИ2023 II2033 ТТ213 ТИ216 fI217 II302 XI306 н306А 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А | |
т110 94в 0 Резюме: PTC SY 16P 2N2955T Philips диод PH 37m 2N3349 ASI 2N4948 NJS Trimble R8 модель 2 2n6259 ssi 2SA749 2sd73 | OCR-сканирование | Барселона-28, С-171 СН-5400 т110 94в 0 PTC SY 16P 2Н2955Т диод филипс PH 37m 2N3349 АСИ 2N4948 NJS тримбл R8 модель 2 2n6259 сси 2SA749 2сд73 | |
2010 — SM2174 Аннотация: SM2184 2N3055H MOTOROLA 2SD878 mj2955 ТО-218 БДЙ73 БД130 БДЫ20 2СД151 2СА1042 | Оригинал | БДТ56 БДТ58 БД907 БД908 MJE1291 MJE1661 СМ2174 СМ2184 2N3055H МОТОРОЛА 2SD878 mj2955 ТО-218 БДИ73 БД130 BDY20 2СД151 2SA1042 | |
2010 — б0743 Реферат: KT819A B0545 BOT54 PT9784 2N3055-5 mje1660 40636 1561-0403 044Vh5 | Оригинал | БУВ26А БУВ26АФ EST062S EUT069 EUT069R EUT069RS EUT069S BUW17 BUW44 б0743 КТ819А B0545 БОТ54 PT9784 2Н3055-5 mje1660 40636 1561-0403 044Вх5 | |
2010 — 2SD556 санкен Реферат: SDT9207 SM2176 2sd556 KT819G SDT9202 Bd184 SDT9803 KT818G 2N3055-7 | Оригинал | БДВ41 БДВ46 БДТ53 СМ2176 СМ2183 БД909 БД910 SDT9803 2СД556 санкен SDT9207 2сд556 КТ819Г SDT9202 BD184 КТ818Г 2Н3055-7 | |
КТ805АМ Реферат: КТ805 КТ610А КТ837Б BD140 npn КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818 | Оригинал | КТ3126А КТ3126Б КТ3127А КТ3128А КТ3128А1 КТ3128 КТ3129А9 КТ3129 КТ3129Б9 КТ805АМ КТ805 КТ610А КТ837Б БД140 нпн КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818 | |
2T3130A9 Реферат: HEP310 kp303g kt117 HEP-310 kt117b kt117a KT117G kt816g kt3102e | Оригинал | КТ117АМ КТ117БМ КТ117Г КТ117ГМ КТ117ВМ 2Н1923 2Н739 БСВ56С, HEP310 2Н844 2Т3130А9 HEP310 КП303Г кт117 ГЭП-310 кт117б кт117а КТ117Г кт816г кт3102е | |
2T6551 Реферат: информационное приложение информационное приложение микроэлектроник микроэлектроник Heft KD 605 KT825 транзисторный KT 960 A Микроэлектроник информационное приложение KT827 микроэлектроник DDR | OCR-сканирование | ||
2010 — кт819г Реферат: SOT9202 SM2174 2N3055-1 044Vh20 B0450 2N3055-6 диод ГГ 71 SOT9903 STS107 | Оригинал | B0183 B0450 ОТ9202 ЛУК51Б ОТС105 STS105 2N5882 2Н5970 OT9803 кт819г SOT9202 СМ2174 2Н3055-1 044Вх20 2Н3055-6 диод ГГ 71 СОТ9903 STS107 | |
2010 — B0347 Реферат: B0907 st TIp3055 BOY20 sk322 2SC3694 mje1661 PTC140 700U 2N3055H MOTOROLA | Оригинал | ФГТ3055 ВСТАВКА 10 SGS3055 2Н3055А 2Н5412 ОТ9206 B0907 БОТ81 B0743A B0347 ст TIp3055 МАЛЬЧИК20 ск322 2SC3694 mje1661 PTC140 700U 2N3055H МОТОРОЛА | |
2010 — КТ819Б Реферат: KT818A BD347 MJE1660 2SB629 BD191 1561-0403 BDT52 KT818B 2sb757 | Оригинал | MJE1290 MJE1660 SDT9801 КТ818А КТ819А 2СБ757-09КТ819Б БД347 2СБ629 БД191 1561-0403 БДТ52 КТ818Б 2сб757 | |
КС156А Реферат: ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KP350A KT808a KT920A KC213 | OCR-сканирование | КсапфаКОБ-57, КС156А ky202e К174ХА2 КТ809А КТ805А КТ610Б КП350А КТ808а КТ920А КС213 |