Кт819Г. КТ819Г: Мощный биполярный транзистор NPN для ключевых и линейных схем

alexxlabРазное
Каковы основные характеристики транзистора КТ819Г. Какие особенности конструкции делают его подходящим для применения в силовой электронике. В чем преимущества использования КТ819Г по сравнению с аналогами. Как правильно применять этот транзистор в схемах.

Общее описание и назначение транзистора КТ819Г

КТ819Г представляет собой мощный биполярный транзистор структуры NPN, предназначенный для работы в ключевых и линейных схемах силовой электроники. Данный транзистор относится к серии КТ819 и выпускается в пластмассовом корпусе КТ-28 (TO-220).

Основные области применения КТ819Г включают:

  • Импульсные источники питания
  • Преобразователи напряжения
  • Драйверы электродвигателей
  • Усилители мощности звуковой частоты
  • Регуляторы и стабилизаторы напряжения

Ключевые электрические параметры КТ819Г

Рассмотрим основные электрические характеристики транзистора КТ819Г:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
  • Максимальный постоянный ток коллектора: 10 А
  • Максимальная рассеиваемая мощность: 60 Вт
  • Статический коэффициент передачи тока: 12-60
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц

Какие преимущества дают эти параметры? Высокое напряжение коллектор-эмиттер позволяет использовать транзистор в высоковольтных схемах. Большой ток коллектора и высокая рассеиваемая мощность обеспечивают возможность работы с мощными нагрузками.


Особенности конструкции и технологии производства

КТ819Г изготавливается по эпитаксиально-планарной технологии на кремниевой подложке. Такая технология обеспечивает следующие преимущества:

  • Высокая устойчивость к электрическим и тепловым нагрузкам
  • Малые токи утечки
  • Хорошие частотные характеристики
  • Низкое тепловое сопротивление переход-корпус

Корпус TO-220 с металлическим теплоотводом позволяет эффективно отводить тепло от кристалла транзистора. Это критически важно для мощных применений.

Сравнение КТ819Г с аналогами

Как КТ819Г соотносится с другими мощными биполярными транзисторами? Рассмотрим сравнение с некоторыми аналогами:

ПараметрКТ819Г2N3055TIP3055
Макс. напряжение К-Э100 В60 В60 В
Макс. ток коллектора10 А15 А15 А
Макс. рассеиваемая мощность60 Вт115 Вт90 Вт

КТ819Г превосходит аналоги по максимальному рабочему напряжению, что позволяет использовать его в высоковольтных схемах. При этом он несколько уступает по максимальному току и рассеиваемой мощности.


Рекомендации по применению КТ819Г в схемах

При использовании КТ819Г в электронных устройствах следует учитывать ряд важных моментов:

  1. Обеспечение эффективного теплоотвода. Рекомендуется использовать радиатор площадью не менее 50 см².
  2. Защита от перенапряжений. Необходимо применять защитные диоды для ограничения выбросов напряжения.
  3. Ограничение тока базы. Максимальный постоянный ток базы не должен превышать 3 А.
  4. Учет температурной зависимости параметров. При нагреве транзистора его характеристики могут существенно изменяться.

Типовые схемы включения транзистора КТ819Г

Рассмотрим несколько базовых схем с использованием КТ819Г:

Ключевой режим

В ключевом режиме транзистор работает в режиме насыщения или отсечки. Это позволяет управлять мощной нагрузкой с минимальными потерями.

Линейный усилитель

В схеме линейного усилителя КТ819Г работает в активном режиме, обеспечивая усиление входного сигнала. Важно обеспечить правильный выбор рабочей точки.

Импульсный стабилизатор напряжения

В импульсных преобразователях КТ819Г может применяться как силовой ключ, коммутирующий ток через индуктивность.


Особенности монтажа и эксплуатации КТ819Г

При работе с транзистором КТ819Г следует соблюдать ряд правил:

  • Пайку выводов производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса.
  • Допускается однократный изгиб выводов на расстоянии не менее 2,5 мм от корпуса.
  • При монтаже исключить механические напряжения на корпус транзистора.
  • Обеспечить надежный тепловой контакт с радиатором, используя теплопроводящую пасту.

Заменители и аналоги транзистора КТ819Г

В случае отсутствия КТ819Г можно использовать следующие аналоги:

  • КТ819А — отличается меньшим максимальным напряжением (40 В)
  • КТ819Б — промежуточный вариант с напряжением 60 В
  • 2N3055 — популярный зарубежный аналог
  • TIP3055 — улучшенная версия 2N3055

При замене необходимо тщательно сравнивать параметры и при необходимости корректировать схему.


Транзистор КТ819Г

В корзину

  • Описание и характеристики
  • Отзывы(0)
  • Инструкция

Транзистор КТ819Г n-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный в пластмассовом корпусе предназначен для использования в ключевых и линейных схемах; другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Номер технических условий

  • аАО.336.189 ТУ / 02

Особенности

  • Диапазон рабочих температур:  — 45 до + 100 С

Корпусное исполнение

  • пластмассовый корпус КТ-28 (ТО-220)
Назначение выводов
Вывод Назначение
№1 Эмиттер
№2 Коллектор
№3 База
Основные электрические параметры КТ819 при Токр. среды = + 25 С
Параметры Обозначение Ед.изм. Режимы измерения Min Max
Обратный ток коллектора Iкбо мА Uкб=40B   1
Статический коэффициент передачи тока

КТ819А, В

КТ819Б

КТ819Г

 h31э — Uкб = 5 B, Iэ =5 A 15

20

12

 —
Граничное напряжение Uкэо гр В Iэ =0,3 A,

tи= 270 330 мкс

 25 —
КТ819А
КТ819Б 40
КТ819В 60
КТ819Г 80
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Uкэ нас В Iк=5A, Iб=0,5A — 2
Значения предельно допустимых электрических режимов эксплуатации КТ819
Параметры Обознач. Ед. изм. Значение
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при Rэб Uкэ max В 40
КТ819А
КТ819Б 50
КТ819В 70
КТ819Г 100
Напряжение эмиттер-база Uэб max В 5
Постоянный ток коллектора Iк max А 10
Импульсный ток коллектора tи 100 Iки max А 15
Максимально допустимый постоянный ток базы Iб max А 3
Импульсный ток базы tи 100 Iби max А 5
Рассеиваемая мощность при Ткорп. Рк мах Вт 60

Отзывы

КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

Все картинки в новостях кликабельные, то есть при нажатии они увеличиваются.

Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные мощные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных схемах. Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, транзисторы 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В — в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами.

Масса транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г не более 2,5 гр., транзисторов 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В не более 20 гр.

Чертёж транзистора КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г, 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В

Электрические параметры.

Граничное напряжение при IК=0,1 А, τи≤300 мкс, Q≥100
КТ819А, не более 25 В
КТ819Б, 2Т819В 40-60-80 В
КТ819В, 2Т819Б 60-80-100 В
КТ819Г, 2Т819А 80-100-110 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер не более при IК=5 А, IБ=0,5 А
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 1 В
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 2 В
при IК=20 А, IБ=4 А 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 5 В
при IК=15 А, IБ=3 А КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 4 В
Напряжение насыщения база-эмиттер при IК=5 А, IБ=0,5 А, не более
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 1,5 В
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 3 В
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=5 В, IК=5 А, не менее
при Т=24,85°С и Т=ТК макс
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 20
КТ819А, КТ819В 15
КТ819Б 20
КТ819Г 12
при Т=-60,15°С 2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 9
при Т=-40,15°С
КТ819А, КТ819В 10
КТ819Б 15
КТ819Г 7
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ=5 В, IЭ=0,5 А 3-5-12 МГц
Время выключения при IК=5 А, IБ=0,5 А, не более 2,5 мкс
Ёмкость коллекторного перехода при UКБ=5 В 360-600-1000 пФ
Пробивное напряжение коллектор-база при Т=213-298 К, IК=1 мА и при Т=124,85°С, IК=5 мА, не менее
2Т819А 100 В
2Т819Б 80 В
2Т819В 60 В
Обратный ток коллектора при UКБ=40 В, не более КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г
при Т=233-298 К 1 мА
при Т=99,85°С 10 мА
Пробивное напряжение эмиттер-база при IЭ=5 мА, не менее 5 В

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор-база
2Т819А 25 В
2Т819Б 40 В
2Т819В 60 В
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при RБЭ≤100 Ом, Т=Тмин-323 К
КТ819А 40 В
КТ819Б 50 В
КТ819В 70 В
КТ819Г, 2Т819А 100 В
2Т819Б 80 В
2Т819В 60 В
Постоянное напряжение база-эмиттер 5 В
Постоянный ток коллектора
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 10 А
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 15 А
Импульсный ток коллектора при τи≤10 мс, Q≥100
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 15 А
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 20 А
Постоянный ток базы 3 А
Импульсный ток базы при τи≤10 мс, Q≥100 5 А
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом при Тк≤24,85°С
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 60 Вт
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 100 Вт
без теплоотвода при Тк≤24,85°С
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 1,5 Вт
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 3 Вт
Температура перехода
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г 124,85°С
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В 149,85°С
Температура окружающей среды
КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г От -40,15 до Тк=99,85°С
2Т819А, 2Т819Б, 2Т819В От -60,15 до Тк=124,85°С

Примечания: 1. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода при Тк=298÷373 К снижается линейно на 0,015 Вт через 1 К КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г.

2. Пайку выводов разрешается производить на расстоянии не менее 5 мм от корпуса. При монтаже в схему транзисторов КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г допускается одноразовый изгиб выводов на расстоянии не менее 2,5 мм от корпуса под углом 90°, радиусом не менее 0,8 мм. При этом должны приниматься меры, исключающие возможность передачи усилий на корпус. Изгиб в плоскости выводов не допускается.

1-2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 3. Входная характеристика. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

1-2. Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры корпуса. 3. Входная характеристика. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера.

1. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость времени выключения от тока коллектора. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса.

1. Зависимость напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер. 2. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора. 3. Зависимость времени выключения от тока коллектора. 4. Зависимость статического коэффициента передачи тока от температуры корпуса.


kt819 техпаспорт и примечания по применению

kt819 техпаспорт (17)

Часть Модель ECAD Производитель Описание Тип ПДФ
КТ819А интеграл Русский Транзистор Оригинал PDF
КТ819А Другие Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные) Сканировать PDF
КТ819А Другие Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) Сканировать PDF
КТ819А Другие Короткий транзистор PDF Лист данных Сканировать PDF
КТ819А УДССР Транзистор Сканировать PDF
КТ819АМ Другие Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) Сканировать PDF
КТ819Б интеграл Русский Транзистор Оригинал PDF
КТ819Б Другие Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные) Сканировать PDF
КТ819Б Другие Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) Сканировать PDF
КТ819Б Другие Короткий транзистор PDF Лист данных Сканировать PDF
КТ819Б УДССР Транзистор Сканировать PDF
КТ819БМ Другие Краткие данные и перекрестные ссылки (Разное) Сканировать PDF
КТ819Г Другие Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные) Сканировать PDF
КТ819Г Другие Короткий транзистор PDF Лист данных Сканировать PDF
КТ819Т УДССР Транзистор Сканировать PDF
КТ819В Другие Краткое техническое описание микросхем и компонентов (плюс перекрестные справочные данные) Сканировать PDF
КТ819В Другие Короткий транзистор PDF Лист данных Сканировать PDF

kt819 Листы данных Context Search

Каталог данных MFG и тип ПДФ Теги документов
КТ819Б

Аннотация: KT819e H H e 1 s % & o O o \o BVD O S ‘CS- o > O V Fp
OCR-сканирование		 PDF 8и19А; КТ819Б КТ819 DSAGER00036 ЗМ 8 ч4
КТ805М

Реферат: кт805бм КТ872А КТ837 КТ837К КТ818 КТ805 КТ837Б КТ837А КТ610А
Текст: TIP32A 8177 TIP32B 8177 TIP32C 8177 PNP KT818A KT818 KT818B KT818 NPN KT819A KT819 KT819B KT819 NPN TIP41C 8212 TIP41B 8212 TIP41 8212 PNP TIP4 2 8213 TIP42B 8213 TIP42 8213 8224
Оригинал		 PDF KSC1623 3102М КТ805М кт805бм КТ872А КТ837 КТ837К КТ818 КТ805 КТ837Б КТ837А КТ610А
КТ 819 транзистор

Реферат: 2N2222A 338 SF129D SF137D SSY20B KT819W SF127E KFY18 321 KP303W KFY18
Текст: BD237 BD238 BD237 BD238 KT819G. W KT818G,* KT819G.W KT819G ,W KT819G Sp Sn Sp Sn Sp 60 100 80 , KT816 G *kpl. zu BD139 2N3055 2N3055 KT819 G,w SF359 50 80 45 300 27 / 26 26 26 26 26 26 , 45 60 45 60 1,2 KT819G KT819G « f — 10 — Zonenfolge Ersatztyp Материал
OCR-сканирование		 PDF
2T908A

Реферат: 2T602 2T907A KT604 1HT251 1T813 2t903 KT920A PO6 115,05 KT117
Текст: KT819 (A, E, B, T, AM, EM, BM, TM ). 487 7 КТ821 КТ823 2Т824 КТ826
OCR-сканирование		 PDF Т-0574Д. 30Эиаа Coi03nojiH 2Т908А 2Т602 2Т907А КТ604 1HT251 1Т813 2т903 КТ920А ПО6 115,05 КТ117
2Т931А

Реферат: КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А
Текст: 8 И9 (А2, 52, Б 2), КТ819 (А, Б, В Н БМ, БМ, ТМ). . . . . КТ821 (А-л, Б-л, Б-л) КТ823 (А-л, Б
OCR-сканирование		 PDF МОКП51КОБ, KTC631 ТИ2023 II2033 ТТ213 ТИ216 fI217 II302 XI306 н306А 2Т931А КТ853 2Т926А КТ838А 2Т803А 2Т809А 2Т904А 2Т808А 2Т603 2Т921А
т110 94в 0

Резюме: PTC SY 16P 2N2955T Philips диод PH 37m 2N3349 ASI 2N4948 NJS Trimble R8 модель 2 2n6259 ssi 2SA749 2sd73
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF Барселона-28, С-171 СН-5400 т110 94в 0 PTC SY 16P 2Н2955Т диод филипс PH 37m 2N3349 АСИ 2N4948 NJS тримбл R8 модель 2 2n6259 сси 2SA749 2сд73
2010 — SM2174

Аннотация: SM2184 2N3055H MOTOROLA 2SD878 mj2955 ТО-218 БДЙ73 БД130 БДЫ20 2СД151 2СА1042
Текст: -8 2N6471 KT818V KT819V 2SA1042 2SC2432 2N6246 BDX60 BDX60 BDX60 2N6488 2N6491 PBD160 D45Vh20 SK3620 TIP73B
Оригинал		 PDF БДТ56 БДТ58 БД907 БД908 MJE1291 MJE1661 СМ2174 СМ2184 2N3055H МОТОРОЛА 2SD878 mj2955 ТО-218 БДИ73 БД130 BDY20 2СД151 2SA1042
2010 — б0743

Реферат: KT819A B0545 BOT54 PT9784 2N3055-5 mje1660 40636 1561-0403 044Vh5
Текст: MJ2801 MJ2801 MJ2801 KT819A 1561-0403 1561-0404 1561-0404 BOX13/40251 MJE1660 MJE1660 MJEl660 SOT9801
Оригинал		 PDF БУВ26А БУВ26АФ EST062S EUT069 EUT069R EUT069RS EUT069S BUW17 BUW44 б0743 КТ819А B0545 БОТ54 PT9784 2Н3055-5 mje1660 40636 1561-0403 044Вх5
2010 — 2SD556 санкен

Реферат: SDT9207 SM2176 2sd556 KT819G SDT9202 Bd184 SDT9803 KT818G 2N3055-7
Текст: BDT55 BD912 SDT9804 SDT9804 SDT9804 KT819G 2SC2750M 2SD375 2SC2750L 2SC2750K 2SB1031K 2NJ055/6 2N3055/7
Оригинал		 PDF БДВ41 БДВ46 БДТ53 СМ2176 СМ2183 БД909 БД910 SDT9803 2СД556 санкен SDT9207 2сд556 КТ819Г SDT9202 BD184 КТ818Г 2Н3055-7
КТ805АМ

Реферат: КТ805 КТ610А КТ837Б BD140 npn КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818
Текст: КТ818Б КТ818Г КТ819А КТ819В КТ819Б КТ819В КТ8212А КТ8212А КТ8212В КТ8213А КТ8213А КТ8213В
Оригинал		 PDF КТ3126А КТ3126Б КТ3127А КТ3128А КТ3128А1 КТ3128 КТ3129А9 КТ3129 КТ3129Б9 КТ805АМ КТ805 КТ610А КТ837Б БД140 нпн КТ872А КТ837К КТ315Б КТ315 КТ818
2T3130A9

Реферат: HEP310 kp303g kt117 HEP-310 kt117b kt117a KT117G kt816g kt3102e
Текст: КТ816Г КТ816В КТ817А КТ819БМ, ГМ КТ838Б КТ846В КТ856Б1 КТ868А КТ9142А КТ9151АС КТ9152А КТ917А
Оригинал		 PDF КТ117АМ КТ117БМ КТ117Г КТ117ГМ КТ117ВМ 2Н1923 2Н739 БСВ56С, HEP310 2Н844 2Т3130А9 HEP310 КП303Г кт117 ГЭП-310 кт117б кт117а КТ117Г кт816г кт3102е
2T6551

Реферат: информационное приложение информационное приложение микроэлектроник микроэлектроник Heft KD 605 KT825 транзисторный KT 960 A Микроэлектроник информационное приложение KT827 микроэлектроник DDR
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF
2010 — кт819г

Реферат: SOT9202 SM2174 2N3055-1 044Vh20 B0450 2N3055-6 диод ГГ 71 SOT9903 STS107
Текст: 2N5972 BOX23 B0451 ​​BOX23/40636 BOT55 BOT55 2Nltsl { 2N21H KT819G 2N3055/6 2N305517 SOT9208 SOT9208 B0911
Оригинал		 PDF B0183 B0450 ОТ9202 ЛУК51Б ОТС105 STS105 2N5882 2Н5970 OT9803 кт819г SOT9202 СМ2174 2Н3055-1 044Вх20 2Н3055-6 диод ГГ 71 СОТ9903 STS107
2010 — B0347

Реферат: B0907 st TIp3055 BOY20 sk322 2SC3694 mje1661 PTC140 700U 2N3055H MOTOROLA
Текст: SK3222 S01407-S PTC140 KT819V BOX60 BOX60 BOX60 TIP3055 2N6471 2SC2432 BOT53 BOT53 2N323S PB0160 SOT9207
Оригинал		 PDF ФГТ3055 ВСТАВКА 10 SGS3055 2Н3055А 2Н5412 ОТ9206 B0907 БОТ81 B0743A B0347 ст TIp3055 МАЛЬЧИК20 ск322 2SC3694 mje1661 PTC140 700U 2N3055H МОТОРОЛА
2010 — КТ819Б

Реферат: KT818A BD347 MJE1660 2SB629 BD191 1561-0403 BDT52 KT818B 2sb757
Текст: SDT9801 SDT9801 SDT9801 KT818A KT819A 2SB757-09 2SD847-09 MJ2801 MJ2801 MJ2801 MJ2901 1561-0403 SDT9901, 2N6469 2N6470 2SB629 2SD1 065 КТ818Б КТ819Б СПТ3055-1 2Н3667 2Н1816 2Н2116 2Н3235 РТ9798 РТ9790 2Н6487
Оригинал		 PDF MJE1290 MJE1660 SDT9801 КТ818А КТ819А 2СБ757-09КТ819Б БД347 2СБ629 БД191 1561-0403 БДТ52 КТ818Б 2сб757
КС156А

Реферат: ky202e K174XA2 KT809A KT805A KT610B KP350A KT808a KT920A KC213
Текст: Нет доступного текста файла
OCR-сканирование		 PDF КсапфаКОБ-57, КС156А ky202e К174ХА2 КТ809А КТ805А КТ610Б КП350А КТ808а КТ920А КС213

Hoja de datos ( техническое описание в формате PDF ) электронных компонентов

Номер пьезы Описание Фабрикантес ПДФ
1M110Z Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды
Тайвань Полупроводник		 ПДФ
1M120Z Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды
Тайвань Полупроводник		 ПДФ
1M130Z Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды
Тайвань Полупроводник		 ПДФ
1M150Z Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды
Тайвань Полупроводник		 ПДФ
1M160Z Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды
Тайвань Полупроводник		 ПДФ
1M180Z Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды
Тайвань Полупроводник		 ПДФ
1M200Z Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды
Тайвань Полупроводник		 ПДФ
1N4740A Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды
Тайвань Полупроводник		 PDF
1N4741A Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды
Тайвань Полупроводник		 ПДФ
1N4742A Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды
Тайвань Полупроводник		 ПДФ
1N4743A Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды
Тайвань Полупроводник		 ПДФ
1N4744A Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды
Тайвань Полупроводник		 ПДФ
1N4745A Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды
Тайвань Полупроводник		 ПДФ
1N4746A Стеклянные пассивированные кремниевые зенеровские диоды
Тайваньский полупроводник		 ПДФ

Una ficha técnica, hoja técnica u hoja de datos (техническое описание на английском языке), también ficha de características u hoja de características, es un documento que резюме el funcionamiento y otras caracteristicas de un componente (por ejemplo, un componente electronic) о подсистема ( por ejemplo, una fuente de alimentación) con el suficiente detalle para ser utilizado por un ingeniero de diseño y diseñar el componente en un sistema.

Похожие записи

21.11.2024 0

Особенности питания кормящей мамы: что можно и нельзя есть при грудном вскармливании

19.11.2024 0

Новорожденный какает слизью: причины появления слизи в кале грудничка

19.11.2024 0

Гемангиома у новорожденных: причины, виды, лечение и профилактика

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *