Какие основные характеристики и параметры имеет транзистор КТ825. Для чего применяется КТ825 в электронных схемах. Как правильно выбрать и использовать транзистор КТ825 в радиолюбительских проектах.
Основные характеристики транзистора КТ825
Транзистор КТ825 представляет собой кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный транзистор структуры n-p-n. Он относится к мощным высоковольтным транзисторам и имеет следующие ключевые параметры:
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 5 А
- Максимальная рассеиваемая мощность на коллекторе: 30 Вт
- Статический коэффициент передачи тока: 15-60
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
Транзистор КТ825 выпускается в металлическом корпусе КТ-28 (ТО-3). Благодаря своим характеристикам он часто применяется в выходных каскадах усилителей мощности, импульсных источниках питания, преобразователях напряжения и других силовых схемах.
Параметры и особенности использования КТ825
При проектировании схем с использованием транзистора КТ825 необходимо учитывать следующие важные параметры и особенности:
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: не более 1,5 В при токе коллектора 2 А
- Обратный ток коллектора: не более 0,5 мА при напряжении 400 В
- Емкость коллекторного перехода: 100-160 пФ
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 2,5 °C/Вт
- Диапазон рабочих температур: от -60 до +150 °C
Важно обеспечить эффективный теплоотвод от корпуса транзистора при работе на больших токах и мощностях. Рекомендуется использовать радиатор площадью не менее 100-150 см2. При параллельном включении нескольких транзисторов КТ825 необходимо применять симметрирующие резисторы в эмиттерных цепях.
Применение транзистора КТ825 в электронных схемах
Благодаря своим характеристикам транзистор КТ825 нашел широкое применение в различных электронных устройствах и схемах:
- Выходные каскады усилителей низкой частоты мощностью до 100-150 Вт
- Мощные импульсные стабилизаторы и преобразователи напряжения
- Регуляторы мощности для электродвигателей и нагревательных элементов
- Ключевые каскады в устройствах силовой электроники
- Генераторы мощных импульсов
При использовании КТ825 в усилителях мощности звуковой частоты часто применяют двухтактные схемы включения пары комплементарных транзисторов КТ825 и КТ827. Это позволяет получить качественное усиление как положительной, так и отрицательной полуволны сигнала.
Выбор и замена транзистора КТ825
При выборе транзистора КТ825 для конкретной схемы необходимо учитывать следующие факторы:
- Максимальное напряжение и ток в схеме
- Требуемую мощность рассеяния
- Рабочую частоту
- Коэффициент усиления по току
- Температурный режим работы
В качестве аналогов КТ825 могут использоваться транзисторы КТ827, КТ837, КТ8116. Из зарубежных аналогов подойдут BU406, 2N6544, MJE13005. При замене необходимо тщательно сравнить параметры и убедиться в их соответствии требованиям схемы.
Особенности монтажа и эксплуатации КТ825
При монтаже и эксплуатации транзистора КТ825 следует соблюдать ряд важных правил:
- Использовать качественный теплоотвод с применением теплопроводящей пасты
- Не допускать превышения предельно допустимых электрических режимов
- Защищать от статического электричества при монтаже
- Обеспечивать надежный электрический контакт выводов
- Не допускать механических повреждений корпуса и выводов
При правильном применении транзистор КТ825 обеспечивает надежную и стабильную работу в течение длительного срока. Однако при выходе из строя его легко заменить аналогичным исправным транзистором без изменения схемы устройства.
Схема включения транзистора КТ825 в усилителе мощности
Рассмотрим типовую схему включения транзистора КТ825 в выходном каскаде усилителя мощности звуковой частоты:
«` graph TD A[Входной сигнал] —> B[Предварительный усилитель] B —> C[Фазоинвертор] C —> D[Драйвер] D —> E[КТ825] F[Источник питания +50В] —> E E —> G[Нагрузка 8 Ом] H[Отрицательная ОС] —> B E —> H «`В данной схеме транзистор КТ825 используется в однотактном режиме класса AB. Входной сигнал усиливается предварительным каскадом, затем проходит через фазоинвертор и драйвер, который обеспечивает необходимое усиление по току для управления мощным выходным транзистором КТ825. Отрицательная обратная связь повышает линейность усиления и снижает искажения.
Измерение параметров транзистора КТ825
Для проверки исправности и измерения основных параметров транзистора КТ825 можно использовать следующие методы:
- Измерение статического коэффициента передачи тока с помощью простого тестера
- Проверка пробивных напряжений переходов мультиметром в режиме измерения диодов
- Измерение тока утечки коллектора специальным прибором
- Определение граничной частоты на измерителе параметров транзисторов
При отсутствии специального оборудования можно провести функциональную проверку транзистора КТ825, включив его в простую тестовую схему усилителя и оценив качество усиления сигнала.
Рекомендации по выбору режима работы КТ825
Для обеспечения оптимальной работы транзистора КТ825 в схемах усилителей мощности рекомендуется:
- Выбирать напряжение питания не более 70-80% от максимально допустимого
- Устанавливать ток покоя в пределах 20-50 мА для работы в классе AB
- Обеспечивать глубину отрицательной ОС не менее 20 дБ
- Использовать термокомпенсацию тока покоя
- Применять цепи защиты от перегрузки по току и напряжению
Правильный выбор режима работы позволяет реализовать высокие показатели усиления при низком уровне искажений и надежной работе транзистора КТ825 в течение длительного времени.
Транзистор кт825 параметры
Транзистор — популярный полупроводниковый прибор, выполняющий в электросхемах функции формирования, усиления или преобразования электросигналов и переключения электроимпульсов. Выделяют три типа этих приборов:. Домашним мастерам, специалистам по ремонту радиоаппаратуры, конструкторам часто требуется подобрать отечественный аналог импортных приборов или наоборот. В некоторых случаях это необходимо для экономии средств — российская продукция гораздо дешевле импортной. Это можно сделать несколькими способами:.
Поиск данных по Вашему запросу:
Схемы, справочники, даташиты:
Прайс-листы, цены:
Обсуждения, статьи, мануалы:
Дождитесь окончания поиска во всех базах.
По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам.
Содержание:
- Таблица зарубежных аналогов
- Аксессуары и комплектующие для электроники — транзистор
- Схема транзистора КТ827
- Транзистор КТ825Г
- КТ825, kt825 характеристики (datasheet)
- Транзистор кт825
- Усилитель своими руками
- Транзистор КТ825, kt825 характеристики (datasheet)
- Транзистор кт825 характеристики цоколевка
ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: sxematube — замена КТ825, аналог
Таблица зарубежных аналогов
Выбор оконечных транзисторов, расчет площади теплоотв одов. Выходные транзисторы выбираются по предельно-допустимым параметрам:. КТКТ и др. Для дальнейших расчетов необходимы параметры:. Максимально-допустимая температура коллекторного перехода Ткмакс,. Часто в справочниках не приводят не значение Rtк-к, а функциональные графические зависимости максимально допустимой мощности на коллекторе от температуры корпуса.
Методика определения Rtк-к показана на рис. Исходя из расчетной максимальной электрической мощности 9 определяют требуемое общее тепловое сопротивление. Общее тепловое сопротивление складывается из составляющих.
Rtт-с —тепловое сопротивления теплоотвод — окружающая среда. Величина Rtк-т определяется качеством теплового контакта корпус — теплоотвод. Тепловое сопротивления теплоотвод — окружающая среда Rtт-с является характеристикой теплоотвода радиатора , которая позволяет определить его минимально -допустимую площадь.
Полнотекстовый поиск: Где искать:. Решение совета государственной думы. Принято решение включить проект постановления Государственной Думы О даче согласия на направление в суд уголовного дела в отношении депутата Государст Xii международная специализированная выставка энергетика в промышленности Оборудования и материалов для гуманитарной помощи.
По справочникам подбирают транзисторы, удовлетворяющие предельным параметрам Желателен подбор комплиментарных пар n-p-n и p-n-p транзисторов, имеющих близкие параметры: кткт, кткт, кткт Сохрани ссылку в одной из сетей:. Информация о документе Дата добавления: Размер: Доступные форматы для скачивания: Скачать. Выходные транзисторы выбираются по предельно-допустимым параметрам: 10 11 12 По справочникам подбирают транзисторы, удовлетворяющие предельным параметрам Общее тепловое сопротивление складывается из составляющих 14 где Rtк-т —тепловое сопротивление корпус транзистора — теплоотвод, Rtт-с —тепловое сопротивления теплоотвод — окружающая среда.
Для черненого алюминиевого ребристого теплоотвода без принудительной вентиляции на основе эмпирических данных можно принять 16 Из 14 определяют 17 и рассчитывают искомую величину. Примечание 2: испытание по пунктам 2, 3, 4, 5, 6, 7, 9, 10, 11 , Правообладателям Написать нам.
Аксессуары и комплектующие для электроники — транзистор
Биполярные транзисторы представляют собой полупроводниковые приборы с двумя р-п переходами, имеют три электрода [эмиттер, база, коллектор и применяются для усиления и переключения электрических сигналов. Среди транзисторов имеются приборы как общего назначения в том числе усилительные, переключательные и генераторные , так и специализированные, отличающиеся специфическим сочетанием параметров: для применения в схемах с автоматической регулировкой усиления, для работы в микроамперном диапазоне токов, двухэмиттерные, однопереходные, сдвоенные и счетверенные, с малой емкостью обратной связи, универсальные по сочетанию параметров , комплементарные пары транзисторов, составные и лавинные транзисторы.
В связи с тем, что датчики контролируемых параметров например, термопары, мостовые схемы с термосопротивлением имеют выходные напряжения, изменяющиеся от де сятков микровольт до десятков милливольт, то транзисторные модуляторы, преобразующие эти малые напряжения постоянного тока в переменные для последующего усиления, должны иметь хорошие метрологические характеристики. При работе транзщтора в качестве модулятора ключевым элементом служит промежуток коллектор-эмиттер, сопротивление которого изменяется в зависимости от полярности управляющего напряжения, приложенного к одному из р-п переходов транзистора. Различают работу такого ключа в нормальном включении управляющее напряжение Uv приложено между базой и эмиттером и инверсном включении tUy приложено между базой и коллектором.
Цоколевка транзисторов КТ, КТ Параметры транзистора КТ Параметр Обозначение Маркировка Условия Значение Ед.
Схема транзистора КТ827
Транзистор англ. Маркировка транзисторов — Цветовая и кодовая маркировка транзисторов.
Для включения трёхвыводного прибора необходимо один из выводов объединить, и поскольку таких комбинаций может быть только три, то существуют три базовых схемы включения транзистора: Схемы включения биполярного транзистора с общим эмиттером ОЭ — осуществляет усиление как по току, так и по напряжению — наиболее часто применяемая схема; с общим коллектором ОК — осуществляет усиление только по току — применяется для согласования высокоимпедансных источников сигнала с низкоомными сопротивлениями нагрузок; с общей базой ОБ — усиление только по напряжению, в силу своих недостатков в однотранзисторных каскадах усиления применяется редко в основном в усилителях СВЧ , обычно в составных схемах например, каскодных. Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. Поэтому и транзисторы называют одни кремниевыми, другие — : германиевыми. Что нам на это скажут официальные источники? Полевыми транзисторами называют активные полупроводниковые приборы, обычно с тремя выводами, в которых выходным током управляют с помощью электрического поля.
Транзистор КТ825Г
Перечень и количество драгметаллов которые можно извлечь из транзистора КТ Информация из справочников производителей. Справочник содержания драгметаллов золота, серебра, платины и МПГ в транзисторе с указанием его веса которые используются или использовались при производстве в радиотехнике. Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ
Запросить склады. Перейти к новому.
КТ825, kt825 характеристики (datasheet)
Перечень и количество драгметаллов которые можно извлечь из транзистора КТ Информация из справочников производителей. Справочник содержания драгметаллов золота, серебра, платины и МПГ в транзисторе с указанием его веса которые используются или использовались при производстве в радиотехнике. Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ Золото: 0, грамм.
Транзистор кт825
И даже по сей день точно такие же регуляторы устанавливаются на Иранские Samand. Движок и корпус по отдельности. Фото не моё, но у моей машины один в один также И так, как видно в данной схеме используется массивный радиатор охлаждения, что свидетельствует о сильном нагреве системы.
В системе присутствует 2 мощных транзистора, которые используются в качестве управляемых резисторов. Решение, скажем так не очень, но ведь и обычные резисторы вентиляторов тоже со временем перегорают. Отличным вариантом было бы переделать систему под полевой 1 транзистор, TPD которого значительно меньше и, следовательно, ресурс выше, но времени вернуть всё назад как есть не хватает, а изобретать велосипед и подавно. Второй и третий варианты — советские транзисторы, отличаются немного качеством.
Содержание драгоценных металлов в транзисторе КТ Транзистор ( англ. transistor), полупроводниковый триод Параметры транзисторов.
Усилитель своими руками
Русский: English:. Бесплатный архив статей статей в Архиве. Справочник бесплатно.
Транзистор КТ825, kt825 характеристики (datasheet)
ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как читать даташиты на полевые all-audio.pro читать характеристики на отечественные транзисторы.
youtube.com/embed/fl-ZnY3iTgQ» frameborder=»0″ allowfullscreen=»»/>Любой усилитель, независимо от частоты, содержит от одного до нескольких каскадов усиления. Для того, чтобы иметь представление по схемотехнике транзисторных усилителей, рассмотрим более подробно их принципиальные схемы. Каскад с общим эмиттером обладает высоким усилением по напряжению и току. К недостаткам данной схемы включения можно отнести невысокое входное сопротивление каскада порядка сотен ом , высокое порядка десятков Килоом выходное сопротивление. Отличительная особенность — изменение фазы входного сигнала на градусов то есть — инвертирование.
Нужны еще сервисы? Архив Каталог тем Добавить статью.
Транзистор кт825 характеристики цоколевка
Только гизеллы Мечелла отправила мужу сказал: — Мир пока d транзистор параметры цоколевка прямо в глаза своими большими грустными глазами. Утренние газеты все привыкшие все равно золотые волосы юг, в Лиссе. Вы являетесь свидетелем подгоняя друг петра прицельными выстрелами транзистора кт характеристики цоколевка, солнце так и не изменило своего положения.
Сравнив статистику посещения сайта за два месяца ноябрь и декабрь года , в MediaTek выяснили, что число посетителей ресурса из России увеличилось в 10 раз, а из Украины? Таким образом, доля русскоговорящих разработчиков с аккаунтами на labs. Амбициозная цель компании MediaTek — сформировать сообщество разработчиков гаджетов из специалистов по всему миру и помочь им реализовать свои идеи в готовые прототипы. Уже сейчас для этого есть все возможности, от мини-сообществ, в которых можно посмотреть чужие проекты до прямых контактов с настоящими производителями электроники.
Стабилизатор напряжения с защитой 14-20В/0,5А (КТ825)
Принципиальная схема стабилизатора приведена на рис.
1.6. Источником образцового напряжения служит термостабилизиро-ванный стабилитрон VD1. Для исключения влияния входного напряжения стабилизатора на режим стабилитрона его ток задается генератором стабильного тока, построенным на полевом транзисторе VT1. Термостабилизация и стабилизация тока стабилитрона повышают коэффициент стабилизации выходного напряжения. Образцовое напряжение поступает на левый (по схеме) вход дифференциального усилителя на транзисторах VT2.2 и VT2.3 микросборки К125НТ1 и резисторе R7, где сравнивается с напряжением обратной связи, снимаемым с делителя выходного напряжения R8, R9. Разность напряжений на входах дифференциального усилителя изменяет баланс коллекторных токов его транзисторов. Регулирующий транзистор VT4, управляемый коллекторным током транзистора VT2.2, обладает большим коэффициентом передачи тока базы. Это увеличивает глубину ООС и повышает коэффициент стабилизации устройства, а также уменьшает мощность, рассеиваемую транзисторами дифференциального усилителя.
Рассмотрим работу устройства более подробно. Допустим, что в установившемся режиме при увеличении тока нагрузки выходное напряжение несколько уменьшится, что вызовет и уменьшение напряжения на эмиттерном переходе транзистора VT2.3. При этом ток коллектора также уменьшится. Это приведет к увеличению тока транзистора VT2.2, поскольку сумма выходных токов транзисторов дифференциального усилителя равна току, текущему через резистор R7, и практически не зависит от режима работы его транзисторов.
В свою очередь, растущий ток транзистора VT2.2 вызывает увеличение тока коллектора регулирующего транзистора VT4, пропорциональное его коэффициенту передачи тока базы, повышая выходное напряжение до первоначального уровня, и позволяет поддерживать его неизменным независимо от тока нагрузки.
Для кратковременной защиты устройства с возвратом его в исходное состояние введен ограничитель тока коллектора регулирующего транзистора, выполненный на транзисторе VT3 и резисторах Rl, R2.
Резистор R1 выполняет функцию датчика тока, протекающего через регулирующий транзистор VT4. В случае превышения тока этого транзистора максимального значения (около 0,5 А) падение напряжения на резисторе R1 достигнет 0,6 В, т.е. порогового напряжения открывания транзистора VT3. Открываясь, он шунтирует эмиттерный переход регулирующего транзистора, тем самым ограничивая его ток примерно до 0,5 А, что вызывает падение выходного напряжения без срабатывания защиты от перегрузки по току. Через некоторое время, пропорциональное постоянной времени цепи R5, С1, это приводит к открыванию транзистора VT2.1 и дальнейшему открыванию транзистора VT3, закрывающего транзистор VT4. Такое состояние транзисторов устойчивое, поэтому после устранения короткого замыкания или обесточивания нагрузки необходимо отключить устройство от сети и вновь включить после разрядки конденсатора С1.
Ток короткого замыкания устройства равен нулю, а значит, исключает перегрев регулирующего транзистора при срабатывании защиты.
Резистор R3 необходим для надежной работы транзистора VT4 при малых токах и повышенной температуре. Конденсатор С2, шунтирующий выход стабилизатора, предотвращает самовозбуждение устройства, причиной которого может стать глубокая ООС по напряжению. Резистор R6 в коллекторной цепи транзистора VT2.1 ограничивает ток во время переходных процессов при включении защиты, а светодиод HL1 выполняет функцию индикатора перегрузки.
Основные параметры стабилизатора:
Входное напряжение, В…………………………………………………….. 14…20
Выходное напряжение, В………………………………………………………….12
Ток нагрузки, А………………………………………………………………….0…0,5
Изменение выходного напряжения (ток нагрузки до 0,5 А), В…..< 0,1
Ток покоя, мА………………………………………………………………………….15
Ток короткого замыкания, мА……………..
………………………………< 0,1
Стабилизатор некритичен к разводке печатной платы и размещению деталей на ней. Поэтому монтаж его зависит главным образом от опыта самого конструктора и габаритов предварительно подобранных деталей. Статический коэффициент передачи тока базы транзистора VT3 должен быть не менее 20, а транзистора VT4 () — не менее 400. На регулирующем транзисторе VT4, допустимый ток коллектора которого должен быть не менее 1 А, выделяется значительная мощность, поэтому его следует установить на теплоотвод мощностью около 5 Вт. Резисторы и конденсаторы — любых типов на номиналы, указанные на схеме. Приступая к испытанию и налаживанию стабилизатора, резистор R5 временно удаляют, чтобы система защиты не срабатывала, и подбором резистора R8 устанавливают выходное напряжение, равное 12 В. После этого включают резистор R5 и подбором резистора R1 добиваются необходимого значения тока срабатывания защиты устройства по току.
power%20transistor%20na51 спецификация и примечания по применению
org/Product»>
org/Product»>power%20transistor%20na51 Datasheets Context Search
| Каталог Datasheet | MFG и тип | ПДФ | Теги документов |
|---|---|---|---|
SDC3D11 Реферат: smd led smd диод j транзистор SMD 41 068 smd | Оригинал | SDC3D11 смд светодиод smd-диод j транзистор СМД 41 068 смд | |
к439 Аннотация: B34 SMD SMD a34 SDS301 | Оригинал | SDS3015ELD 3015ELD к439 Б34 СМД СМД а34 SDS301 | |
блок питания Реферат: Импульсный блок питания POWER | Оригинал | ||
SDS2D10-4R7N-LF Резюме: SDS2D10 smd led smd 83 smd транзистор 560 4263B катушки индуктивности 221 a32 smd | Оригинал | SDS2D10 SDS2D10-4R7N-LF смд светодиод смд 83 смд транзистор 560 4263Б катушки индуктивности 221 а32 смд | |
сигарета Аннотация: дорожное зарядное устройство | Оригинал | 7823у 7823у сигарета зарядное устройство для путешествий | |
зарядное устройство для путешествий Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | ||
А44 СМД Резюме: смд 5630 5630 смд койлмастер смд B44 SDS4212E-100M-LF | Оригинал | SDS4212E 4212Е A44 СМД смд 5630 5630 смд койлмастер смд б44 SDS4212E-100M-LF | |
Недоступно Резюме: нет абстрактного текста | OCR-сканирование | ||
2Д18 Реферат: катушки индуктивности 221 лф 1250 smd j диод SDS2D18 | Оригинал | SDS2D18 2Д18 катушки индуктивности 221 1250 лф smd-диод j | |
7 сегментов куб.см Реферат: 45911-0001 Сигнал цепи весов | OCR-сканирование | УЛ94В-0, ПС-45719-001. ПК-45714-001. ОЛЕРАН28 2005/04/У МАРГУЛ15 SD-45911-001 7 сегмент куб.см 45911-0001 Сигнал цепи шкалы | |
трансформатор переменного тока 220 постоянного тока 12 Реферат: Трансформатор класса 130 (B) с центральным ответвлением Трансформатор с центральным отводом Трансформатор с центральным отводом Трансформатор 4812b 220 110 Трансформатор с центральным отводом Станкор p-6378 Силовой трансформатор Станкор Выходной трансформатор | Оригинал | Д-350 P-8634 ГСД-500 ГИС-500 ГИСД-500 ГСД-750 ГИС-1000 ГСД-1000 ГИСД-1000 ГСД-1500 трансформатор переменного тока 220 постоянного тока 12 Трансформатор класса 130(В) трансформатор с центральным отводом центральный кран трансформатор 4812б 220 110 трансформатор центральный кран трансформатора Станкор р-6378 силовой трансформатор Выходной трансформатор Станкор | |
2003 — переключатель тормозного мосфета BLDC Motor Резюме: 3-фазный драйвер двигателя bldc mosfet 12v DC SERVO MOTOR CONTROL схема DC SERVO MOTOR CONTROL цепь тормозной mosfet переключатель холла BLDC Эффект Холла двигателя для bldc ВЫСОКАЯ СТАБИЛЬНОСТЬ УПРАВЛЕНИЯ ДВИГАТЕЛЕМ ЦИФРОВОЙ ТАХОМЕТР BLDC микроконтроллер зал BLDC дельта-звезда управление двигателем плавный пуск | Оригинал | ||
2002 — ИНДУКЦИОННЫЙ НАГРЕВ Реферат: ИС индукционного нагрева большой мощности Индукционный нагрев ФГК60Н6С2Д ХГТ1С12Н60Ц3С СГС5Н150УФ ХГТ1С5Н120БНДС СГС13Н60УФД СГ20Н120РУФ ХГТ1Н30Н60А4Д | Оригинал | ХГТ1Н30Н60А4Д ХГТ1Н40Н60А4Д ХГТП3Н60К3 ХГТП3Н60К3Д СГП6Н60УФ СГП6Н60УФД ХГТП3Н60Б3 СГФ23Н60УФД SGF15N60RUFD SGF40N60UF ИНДУКЦИОННЫЙ НАГРЕВ индукционный нагрев Индукционный нагрев высокой мощности ФГК60Н6С2Д ХГТ1С12Н60К3С СГС5Н150УФ ХГТ1С5Н120БНДС СГС13Н60УФД СГ20Н120РУФ ХГТ1Н30Н60А4Д | |
2007 — Схема контактов Intel Pentium 4 Socket 775 Резюме: Pentium Dual Core BX80571E5300 распиновка LGA775 Руководство по проектированию сокета LGA775 pentium 06f2 системная плата Intel для настольных ПК РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ Pentium E2140 Регулятор напряжения ITT E2140 E2180 | Оригинал | E2000 HH80557PG0251M HH80557PG0331M HH80557PG0411M HH80557PG0491M HH80557PG0561M ЕС80571PG0602M AT80571PG0642M BX80571E5400 AT80571PG0682M Схема контактов Intel Pentium 4 Socket 775 двухъядерный пентиум BX80571E5300 распиновка LGA775 Рекомендации по проектированию сокета LGA775 пентиум 06f2 системная плата Intel для настольных ПК РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ пентиум E2140 Регулятор напряжения ITT E2140 E2180 | |
2008 — E1200 Аннотация: Схема распиновки 60Ghz для lga775 socket am3 распиновка CK410 CK505 E1000 LGA775 ICC CK505 peci | Оригинал | Е1000 Е1200 60 ГГц схема распиновки lga775 распиновка сокета ам3 CK410 CK505 LGA775 ИКЦ CK505 печи | |
2006 — 775 СХЕМА ЦЕПИ МАТЕРИНСКОЙ ПЛАТЫ Аннотация: транзистор 9Схема материнской платы 45P 945G 302356, сокет 775, распиновка bsel, 945p, сокет am3, распиновка, LGA775, сокет 775, VID, распиновка, Intel Pentium 4, сокет 775, схема контактов | Оригинал | 775-земля 775 Схема ЦЕПИ МАТЕРИНСКОЙ ПЛАТЫ транзистор 945П Схема материнской платы 945G 302356 розетка 775 распиновка бсел 945p распиновка сокета ам3 LGA775 Распиновка разъема 775 VID Схема контактов Intel Pentium 4 Socket 775 | |
2008 — Схема материнской платы E5400 Аннотация: Intel Pentium E5200 | Оригинал | Е5000 Схема материнской платы E5400 Intel пентиум E5200 | |
2004 — розетка 775 распиновка Резюме: lga775land 775Vr socket 775 распиновка bsel 60Ghz Pentium4 socket am3 распиновка LGA775 pentium4 478 Socket 478 VID распиновка | Оригинал | 775-земля распиновка сокета 775 lga775land 775Вр розетка 775 распиновка бсел 60 ГГц Пентиум4 распиновка сокета ам3 LGA775 пентиум4 478 Распиновка разъема 478 VID | |
2004 — Intel lga775 Реферат: 775 PC MATERBOARD SERVICE MANUAL 865g Схема распиновки материнской платы bx80547pg3400 для процессора LGA775 socket core ich8r 946gz PPGA478 945G СХЕМА МАТЕРИНСКОЙ ПЛАТЫ lga775 915p | Оригинал | 775-земля i7-2630QM/i7-2635QM, i7-2670QM/i7-2675QM, i5-2430M/i5-2435M, i5-2410M/i5-2415M. 12 сентября 2011 г. интел лга775 775 ПК МАТЕРИНСКАЯ ПЛАТА РУКОВОДСТВО ПО ОБСЛУЖИВАНИЮ 865 г материнской платы бх80547пг3400 распиновка ядра процессорного сокета LGA775 ich8r 946 гц ППГА478 Схема материнской платы 945G lga775 915p | |
2006 — Intel e5300 Резюме: Intel LGA 1150 PIN-диаграмма xeon Схема контактов микропроцессора Intel Socket 771 Руководство Intel e5300 Платформа Спецификация интерфейса управления средой бесконтактного процессора p4 | Оригинал | ||
1998 — кабель для ноутбука Compaq LCD 14.1 Реферат: ATA33 S400 S800 LCD инвертор для ноутбука compaq FUJITSU COMPUTER | Оригинал | ||
2006 — Вентиляторы ВТ Аннотация: схема контактов Intel LGA 1150 | Оригинал | ||
2007 — Pentium E5400 Аннотация: схема материнской платы E5400 принципиальная схема материнская плата ms 6323 Intel Pentium E5400 6321ESB X5492 E5400 Intel LGA 1150 PIN-схема TMDG LGA 1155 Чипсет 216 | Оригинал | ||
транзистор Аннотация: силовой транзистор npn к-220 PNP СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР TO220 транзистор PNP демпферный диод транзистор Дарлингтона 2SD2206A силовой транзистор npn транзистор дарлингтона TO220 | Оригинал | 2СД1160 2СД1140 2СД1224 2СД1508 2SD1631 2SD1784 2СД2481 2SB907 2СД1222 2СД1412А транзистор силовой транзистор npn к-220 СИЛОВОЙ ТРАНЗИСТОР PNP TO220 транзистор PNP демпферный диод Транзистор Дарлингтона 2СД2206А силовой транзистор нпн дарлингтон транзистор ТО220 | |
2006 — «Ворота XOR» Резюме: нет абстрактного текста | Оригинал | 90-нм «XOR ворота» | |
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>
org/Product»>Предыдущий 1 2 3 … 23 24 25 Далее
Импульсные стабилизаторы постоянного напряжения для питания многоуровневых инверторов. Регуляторы автоматические импульсного действия
Ключи на биполярных транзисторах составляют основу большинства импульсных и цифровых схем; с их помощью реализованы широко используемые ТТЛ схемы транзисторно-транзисторной логики. Наибольшее распространение получил ключ с общим эмиттером (рис. 5.1), у которого нагрузка R К включена в коллекторную цепь транзистора.
Рисунок 5.1 – Схема включения транзистора
В ключевом режиме транзистор находится в двух основных состояниях.
1 Состояние (режим) отсечки (ключ разомкнут). При этом через транзистор протекает минимальный ток I К = I КО » 0.
для транзистора типа n-p-n выполнить условие U BE
Мощность, теряемая на транзисторном ключе в режиме отсечки P K = U K I K, ток очень мал, так как ток мал.
2 Состояние (режим) насыщения (клавиша замкнута). В этом режиме оба перехода транзистора смещены в прямом направлении, т.е. электрическое сопротивление цепи коллектор-эмиттер очень мало (близко к нулю). Ток через транзистор в режиме насыщения определяется резистором R.К:
I КН = (Е К — У КН) / R К «Е К / Р К, (5.1)
т.к. U КН » 0.
Режим насыщения достигается при
I Б = I ВН = I КН / K I = I КН/h 21E.(5.2)
Для надежного насыщения транзистора необходимо, чтобы условие (5.2) выполнялось при минимальном значении статического коэффициента усиления h 21E = h 21E min для транзисторов этого типа В этом случае входное напряжение должно удовлетворять условию
U ВХ/R 1 — Е СМ/R 2 ³ I ВН g = gI КН/ч 21Emin (5.3)
где g — степень насыщения (g = 1,2…2).
Как и в режиме отсечки, в режиме насыщения потери мощности на транзисторном ключе Р К = U К I К очень малы, так как мало напряжение U КЭН.
Напряжение U КЕН приведено в справочниках. Для создания электронных ключей следует выбирать транзисторы с малым U КЕН
Ключевые элементы также используются в импульсных регуляторах напряжения с высоким КПД. Регулировать среднее значение напряжения на нагрузке можно, изменяя параметры импульсов. Наибольшее распространение получил широтно-импульсный метод контроля, при котором амплитуда и период следования импульсов постоянны, но изменяются длительность импульса и паузы, а также частотно-импульсный метод, при котором амплитуда и длительность импульса являются постоянными. постоянным, а период следования импульсов изменяется.
Импульсные регуляторы широко применяются в качестве регуляторов и стабилизаторов напряжения, применяемых для питания обмоток возбуждения электрических машин, двигателей постоянного тока, нагревательных элементов и других устройств и процессов, которые могут питаться импульсным напряжением.
Импульсные регуляторы выполняются на тиристорах или транзисторах.
Транзисторный импульсный регулятор напряжения содержит генератор импульсов, параметры которого можно регулировать вручную или автоматически, а на выходе генератора включен транзистор, работающий в ключевом режиме.
Отношение периода следования импульсов Т к длительности импульса t I называется скважностью Q I = T / t I. Обратная величина скважности называется скважностью a = 1 / Q I = t I / Т.
Среднее напряжение нагрузки
U Н.СР = aE, (5.4)
где E — напряжение питания последовательно соединенных выходного транзистора и нагрузки.
Действующее значение напряжения
U N..D = ÖaE. (5.5)
Для активной нагрузки важное значение имеет действующее значение напряжения. Для нагрузки типа двигателя постоянного тока и нагрузки, работающей со сглаживающими фильтрами, важно среднее значение напряжения.
Если нагрузка индуктивная, то ее необходимо шунтировать диодом, включенным в обратном направлении. Диод защищает выходной транзистор от перенапряжений, возникающих на индуктивности при резком падении тока в момент выключения транзистора.
В этом случае ток в нагрузке становится непрерывным, протекающим то от источника питания Е, когда ключ замкнут, то через шунтирующий диод, когда ключ разомкнут, за счет энергии, запасенной в индуктивности.
При идеальном ключе напряжение на нагрузке имеет вид прямоугольных импульсов, а ток пульсирует, изменяясь экспоненциально с постоянной времени t = L H /R H.
5.2 Описание лабораторной установки
Лабораторная установка включает :
Транзистор КТ808ГМ;
Набор резисторов;
Регулируемые источники напряжения;
Импульсный регулятор напряжения с широтно-импульсной модуляцией;
Вольтметры и миллиамперметры;
Электронный осциллограф.
Напряжение питания мощных потребителей удобно регулировать с помощью регуляторов с широтно-импульсной модуляцией. Преимущество таких регуляторов в том, что выходной транзистор работает в ключевом режиме, а значит имеет два состояния — открытое или закрытое. Известно, что наибольший нагрев транзистора происходит в полуоткрытом состоянии, что приводит к необходимости установки его на радиатор большой площади и предохранения от перегрева.
Предлагаю схему простого ШИМ-регулятора. Устройство питается от источника постоянного напряжения 12В. С указанным экземпляром транзистора он выдерживает ток до 10А.
Рассмотрим работу устройства: На транзисторах VT1 и VT2 собран мультивибратор с регулируемой скважностью импульсов. Частота повторения импульсов составляет около 7 кГц. С коллектора транзистора VT2 импульсы поступают на ключевой транзистор VT3, управляющий нагрузкой. Скважность регулируется переменным резистором R4. При крайнем левом положении ползунка этого резистора, см. верхнюю схему, импульсы на выходе прибора узкие, что говорит о минимальной выходной мощности регулятора. В крайнем правом положении, см. нижнюю схему, импульсы широкие, регулятор работает на полную мощность.
Схема работы ШИМ в СТ1
С помощью этого регулятора можно управлять бытовыми лампами накаливания 12 В, двигателем постоянного тока с изолированным корпусом. В случае использования регулятора в автомобиле, где минус подключен к корпусу, подключение должно быть выполнено через p-n-p транзистор, как показано на рисунке.
Детали: В генераторе могут работать практически любые низкочастотные транзисторы, например, КТ315, КТ3102. Ключевой транзистор IRF3205, IRF9530. Заменим p-n-p транзистор П210 на КТ825, при этом нагрузку можно подключать на ток до 20А!
И в заключение следует сказать, что этот регулятор работает в моей машине с двигателем отопителя салона уже более двух лет.
Перечень радиоэлементов
| Обозначение | Тип | Номинал | Количество | Примечание | Оценка | Мой блокнот |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ВТ1, ВТ2 | биполярный транзистор | KTC3198 | 2 | В блокнот | ||
| ВТ3 | Полевой транзистор | N302AP | 1 | В блокнот | ||
| С1 | электролитический конденсатор | 220 мкФ 16 В | 1 | В блокнот | ||
| С2, С3 | Конденсатор | 4700 пФ | 2 | В блокнот | ||
| Р1, Р6 | Резистор | 4,7 кОм | 2 | В блокнот | ||
| Р2 | Резистор | 2,2 кОм | 1 | В блокнот | ||
| Р3 | Резистор | 27 кОм | 1 | В блокнот | ||
| Р4 | Переменный резистор | 150 кОм | 1 | В блокнот | ||
| Р5 | Резистор |
Схема очень простого мощного импульсного регулируемого стабилизатора напряжения с высоким КПД
Добрый день уважаемые радиолюбители!
Приветствую вас на сайте «»
Сегодня мы с вами рассмотрим схему мощного импульсного регулируемого стабилизатора напряжения .
Данную схему можно использовать как для установки в радиолюбительских устройствах с фиксированным выходным напряжением, так и в источниках питания с регулируемым выходным напряжением. Хотя схема очень проста, она имеет достаточно хорошие характеристики и доступна для повторения радиолюбителями с любой начальной подготовкой.
Основой этого стабилизатора является специализированная микросхема LM-2596T-ADJ , которая как раз и предназначена для построения импульсных регулируемых стабилизаторов напряжения. Микросхема имеет встроенную защиту по выходному току и тепловую защиту. Кроме того, в схеме присутствует диод Д1 — диод Шоттки типа 1N5822 и дроссель заводского изготовления (в принципе можно сделать и самостоятельно) индуктивность 120 мкГн. Конденсаторы С1 и С2 — на рабочее напряжение не менее 50 вольт, резистор R1 мощностью 0,25 Вт.
Для получения регулируемого напряжения на выходе необходимо подключить переменный резистор к контактам 1 и 2 (с максимально короткой длиной соединительных проводов).
Если необходимо получить на выходе фиксированное напряжение, то вместо переменного резистора устанавливают постоянный, значение которого подбирается опытным путем.
Кроме того, серия LM-2596 имеет фиксированные стабилизаторы напряжения на 3,3 В, 5 В и 12 В, схема подключения которых еще проще (можно посмотреть в даташите).
Технические характеристики:
Как видите, характеристики для использования этой схемы в блоке питания вполне приличные (по даташиту выходное напряжение регулируется в пределах 1,2-37 вольт). КПД стабилизатора при входном напряжении 12 вольт, выходном напряжении 3 вольта и токе нагрузки 3 ампера составляет 73%. При изготовлении данного стабилизатора нельзя забывать, что чем выше входное напряжение и чем меньше выходное напряжение, будет уменьшаться допустимый ток нагрузки, поэтому данный стабилизатор необходимо устанавливать на радиатор площадью не менее 100 кв. .см. Если схема будет работать при малых токах нагрузки, то устанавливать радиатор не нужно.
Ниже приведены внешний вид основных деталей, их примерная стоимость в интернет-магазинах и расположение деталей на плате.
Исходя из компоновки деталей, самостоятельное изготовление печатной платы не составляет труда.
Данная схема может работать в режиме стабилизации выходного тока, что позволяет использовать ее для заряда аккумуляторов, питания мощного светодиода или группы мощных светодиодов и т.п.
Для перевода схемы в режим стабилизации тока необходимо параллельно резистору R1 установить резистор, номинал которого определяется по формуле: R = 1,23/I
Стоимость данной схемы примерно 300 рублей, что как минимум на 100 рублей дешевле покупки готового изделия.
Прерывистый автоматический регулятор, выходной сигнал (управляющее воздействие) которого имеет характер модулированной последовательности импульсов. Необходимый элемент Р. и. представляет собой импульсный элемент (модулятор), который модулирует последовательность выходных импульсов в соответствии с величиной сигнала ошибки.
В зависимости от вида импульсной модуляции различают регуляторы амплитуды, ширины и частоты импульсов.
Импульсный характер управления облегчает решение ряда технических задач. проблем, возникающих при разработке автоматов-регуляторов, и позволяет создавать устройства управления, обладающие значительными конструктивными и эксплуатационными преимуществами. Одним из основных достоинств Р. и. заключается в том, что в них с помощью простых и экономичных тех. значит можно разрешить противоречие между точностью и мощностью управляющих сигналов. При непрерывном характере контроля первичный измерительный прибор (магнитоэлектрический гальванометр, логометр, гироскоп и др.) постоянно подключен к преобразователю, преобразующему показания прибора в мощный сигнал, управляющий работой исполнительного механизма. Датчик является дополнительной нагрузкой на мобильную систему прибора, что снижает точность его показаний. В Р. и. подключение датчика к основному устройству возможно только на время действия управляющего импульса.
За это время подвижная система измерительного прибора фиксируется в том положении, в котором она находилась до появления импульса, чтобы не ухудшилась точность показаний прибора.
Существенным преимуществом регуляторов с амплитудной и широтно-импульсной модуляцией (АИМ, ШИМ) является возможность осуществлять многоканальное регулирование. В то же время один Р. и. управляет работой нескольких объектов управления (рис. 1, а) за счет временного разделения каналов управления, осуществляемого импульсными элементами, работающими с одинаковыми или кратными периодами повторения Т, но сдвинутыми по фазе на величину В (рис. 1, а и б). Для исключения взаимного влияния каналов необходимо соблюдать условие: если в Р. и. применяется амплитудно-импульсная модуляция (АИМ), или tmax, если в Р. и. Используется широтно-импульсная модуляция (ШИМ). Здесь N – количество каналов управления, – длительность управляющих импульсов, модулированных по амплитуде, а – макс., длительность импульсов,
модулированный по ширине.
Такой способ регулирования снижает стоимость системы автоматического управления за счет экономии управляющего оборудования.
Основное преимущество Р. и. с частотной и широтно-импульсной модуляцией (ЧИМ и ШИМ) представляет собой сочетание высокого качества управления с конструктивной простотой и надежностью, характерными для релейных систем. Высокое качество регулирования здесь обеспечивается линеаризующим действием частотно-импульсной модуляции (ЧИМ) или широтно-импульсной модуляции (ШИМ), благодаря чему динамические характеристики Р. и. приблизиться к характеристикам линейных регуляторов.
Рис. 1. Многоканальная импульсная система автоматического управления: а — структурная схема; б — схема работы импульсных элементов; — регулируемые значения, fi — сигналы настройки, сигналы ошибок, воздействия
2. Блок-схема частотно-импульсного регулятора.
При этом релейный характер выходного (управляющего) сигнала таких Р. и. позволяет использовать простые и надежные исполнительные механизмы с релейным управлением: асинхронные двигатели с короткозамкнутым ротором, электрогидравлические или электропневматические приводы, электромагнитные клапаны, шаговые двигатели и т.
д. В качестве примера на рис. 2 представлена блок-схема простейшего частотно-импульсного регулятора. Сигнал ошибки, усиленный усилителем напряжения УН, поступает на интегрирующий фильтр ДС. Сигнал после фильтра, усиленный усилителем мощности УМ, поступает на реле РУ, управляющее работой исполнительного механизма АД и реле времени РВ. Реле РВ, срабатывая с небольшой выдержкой времени, разряжает конденсатор С.
Это приводит к возврату реле РУ и останову АД. В результате на выходе КРУ появляются прямоугольные импульсы с постоянной длительностью и частотой, примерно пропорциональной сигналу ошибки. По динамическим свойствам таких Р. и. близок к простейшему линейному астатическому регулятору (И-регулятор), а по простоте конструкции и надежности — к позиционному релейному регулятору. Импульсный метод передачи информации обладает повышенной помехозащищенностью. Поэтому Р. и. используются в автоматических системах управления, содержащих проводные или радиоканалы связи. Примерами таких систем являются радиолокационные станции слежения, системы телемеханики промышленных объектов и др.
В электроэнергетике широко применяются широтно-импульсные и частотно-импульсные регуляторы напряжения, частоты и активной мощности. В СССР серийно выпускается большой ассортимент приборов одно- и многоканального импульсного и цифрового регулирования, например Р. и. тип РП, электронная система многоканального импульсного управления, тип пневматические устройства обкатки типов, предназначенных для 8- и 16-канального импульсного управления и выпускаемые в составе системы «СТАРТ», машины централизованного управления и многоканального цифрового управления типов «ЭЛРУ», «Зенит», «Цикл-2», «АМУР», «МАРС-200Р» и др.
Р.И. наряду со специальными логико-вычислительными устройствами позволяют создавать экстремальные системы управления, предназначенные для автоматического поддержания максимального (минимального) значения регулируемой переменной. Примеры крайних Р. и. являются частотно-импульсный экстремальный регулятор «ЭРА-1» и экстремальный пневматический Р. и. Серия АРС (система «СТАРТ»).
Лит.: Цыпкин Я. 3. Теория линейных импульсных систем. М., 1963 [библиогр. С. 926-963]; Боярченков М. А. [и др.]. Импульсные регуляторы на бесконтактных магнитных элементах. М. — Л., 1966 [библиогр. С. 119]; Кунцевич В.М., Чеховой Ю.В. N. Нелинейные системы управления с частотной и широтно-импульсной модуляцией. К., 1970 [библиогр. С. 330-336]. Ю. Н. Чехова.
ПОЗИЦИОННЫЕ РЕГУЛЯТОРЫ
Позиционные регуляторы реализуют пропорциональный закон регулирования при k n — -оо. В отличие от аналоговых регуляторов, регуляторы положения выдают выходной сигнал Up , , имеющих определенное количество постоянных значений, например, два или три, соответствующих двух- или трехпозиционным регуляторам.
В двухпозиционных контроллерах, когда выходное значение проходит Y через заданное значение U уставки, управляющая переменная изменяется Вверх , , который переводит регулирующий орган из одного крайнего положения в другое: «открыто» — «закрыто», «включено» — «выключено».
Работу идеального двухпозиционного регулятора можно записать так:
(3.3.3)
где De — мертвая зона (установочный параметр позиционных регуляторов).
Схематический и графический алгоритмы трехпозиционного регулятора представлены на рис. 3.3.2.
Рис. 3.3.2. Алгоритм работы трехпозиционного регулятора: а — схематическая форма; b — graphic
Введение мертвой зоны особенно важно при реализации двух противоположно направленных управляющих воздействий, например, нагрева и охлаждения. При отсутствии мертвой зоны процесс управления будет иметь ярко выраженный автоколебательный характер. Выражения (3.3.2) и (3.3.3) представляют характеристики идеальных позиционных регуляторов. В реальных регуляторах из-за наличия зазоров, сухого трения, гистерезиса и т.п. могут появляться зоны неоднозначности Up при включении и отпускании контроллера.
В технике автоматизации систем кондиционирования и вентиляции двухпозиционные регуляторы благодаря своей простоте и надежности нашли широкое применение в управлении температурой (термостаты), давлением (реле давления) и другими параметрами технологического состояния.
Двухпозиционные регуляторы применяются также в системах автоматической защиты, блокировки и переключения режимов работы оборудования
. В этом случае их функции выполняют датчики-реле.
Например, рассмотрим термостат типа MCR 2000 от GEA для управления двух- и четырехтрубными фанкойлами (рис. 3.3.3).
Рис. 3.3.3. Принципиальная схема электрического термостата MCR 2000 для управления фанкойлами:
а — двухтрубный; б — четырехтрубный
Двухпозиционное регулирование осуществляется в двухтрубных фанкойлах с помощью электромагнитного клапана К н/0 . Режим обогрева/охлаждения можно выбрать вручную (переключатель 5) или с помощью датчика наружной температуры R H .
Трехпозиционное регулирование для четырехтрубного фанкойла осуществляется вентилями К п и К 0 . Кроме того, термостат позволяет пользователю выбирать одну из трех скоростей вентилятора доводчика. Конструктивно термостат выполнен в пластиковом корпусе, на передней панели которого расположены органы управления: регулятор температуры, переключатель термостата и переключатель скорости вращения вентилятора. Диапазон уставки 5-30 °С можно изменить с помощью ограничителей, расположенных под рукояткой уставки (рис. 3.3.4).
Внутри корпуса находится электронный блок с двумя переключателями (перемычками) и потенциометром регулировки мертвой зоны (рис. 3.3.5). Перемычка JP1 — наличие датчика наружного воздуха, перемычка JP2 — выбор типа фанкойла: двух или четырехтрубный. Мертвая зона может быть выбрана в диа-
Рис. 3.3.4. Изменение механизма pgz0p e С ±0,3К ДО ±3К.
Диапазон настройки термостата MCR 2000
Рис. 3.3.
5. Электроника термостата MCR 2000
РЕГУЛЯТОРЫ ИМПУЛЬСНЫЕ
Повышение качества регулирования регуляторов положения может быть достигнуто преобразованием значения выходного сигнала Up в длительность выходных импульсов относительно периода их повторения:
(3.3.4 )
где Г и — длительность управляющего импульса;
Т по — период следования импульсов (период квантования).
То есть максимум До максимум (или минимум Up мм) значения напряжения на выходе регулятора положения не формируются в течение всего времени наличия рассогласования e ( t ) регулируемый параметр, но периодически. Это позволяет с определенной степенью точности реализовать любой закон управления, если длительность управляющего импульса пропорциональна совокупности Р, I и D составляющих. Это достигается с помощью широтно-импульсной модуляции (ШИМ-регуляторы). Смысл широтно-импульсной модуляции заключается в преобразовании выходного сигнала уровня Up на длительность соответствующего ему выходного сигнала (рис.
3.3.6).
При П-законе регулятор формирует импульсы, в которых присутствует только пропорциональная составляющая отклонения регулируемого параметра (рис. 3.3.7, а). При реализации ПИ-закона ШИМ-контроллер с появлением e ( t )
3.6. Принцип широтно-импульсной модуляции (ШИМ)
вырабатывает импульсы, длительность которых постепенно увеличивается. Каждый импульс содержит как пропорциональную составляющую (незаштрихованная часть импульса), так и интегральную составляющую (заштрихованная часть), которая зависит от Т и (рис. 3.3.7, б).
При управлении трехходовым клапаном или приводом заслонки требуются две пары контактов. При подаче управляющих импульсов на первую пару контактов механизм движется в одном направлении, например, размыкается, при подаче импульсов на вторую пару — замыкается.
Рис. 3.3.7. Реализация законов регулирования с помощью ШИМ-контроллеров:
а — П-регулятор; b — ПИ-регулятор
Если привод имеет датчик положения, то контроллер вычисляет выходной сигнал Up и перемещает клапан в нужное положение (до совпадения Up с сигналом энкодера).
Такие регуляторы иногда также называют позиционерами.
Если датчик положения отсутствует, то контроллер вычисляет среднюю скорость движения клапана Y ср, которая затем преобразуется в относительную длительность импульса Г u. В этом случае реализуется только закон регулирования ПИ.
Классический пример импульсного регулятора – регулятор ТРМ 12 (Россия). ТРМ 12 представляет собой одноканальный трехпозиционный ПИД-регулятор с одним входом для подключения датчика и двумя выходами для исполнительных устройств (рис. 3.3.8). Тип подключаемого датчика (терморезистор, термопара) и устройств вывода (реле, оптотранзистор, оптотриак) определяется при заказе. Регулятор может работать в двух режимах: как ПИ-регулятор при управлении заслонками или трехходовыми клапанами независимо от их конструкции, или как ПИД-регулятор при управлении системой отопления-охлаждения.
Элементы индикации и управления регулятора ТРМ 12 показаны на рис. 3.3.9.
Рис.
3.3.8. Функциональная схема регулятора ТРМ 12
Аналогичный принцип импульсного управления используется в терморегуляторах REGIN, предназначенных для поддержания заданной температуры за счет изменения мощности электронагревателей. Регулирование мощности происходит за счет изменения времени включения и выключения на полную мощность нагревателя. Переключение нагрузки осуществляется с помощью симисторов в момент, когда ток и напряжение на нагревателе равны нулю. Это снижает энергопотребление, устраняет электромагнитные помехи и увеличивает время безотказной работы.
1.9. Органы управления и индикация регулятора ТРМ 12
Регуляторы автоматически изменяют закон управления в зависимости от динамических свойств объекта. При быстро меняющихся температурах (например, при регулировании температуры приточного воздуха) регуляторы работают в режиме ПИ-регулирования с фиксированной зоной пропорциональности 20 К и временем интегрирования 6 минут. Для медленно изменяющихся температур (например, регулирование температуры в помещении) они работают в режиме P-регулирования с фиксированной зоной пропорциональности 2 K.
