Какие основные параметры и характеристики имеет транзистор КТ829. Для каких целей применяется КТ829 в электронных схемах. Какие существуют отечественные и зарубежные аналоги транзистора КТ829.
Основные характеристики транзистора КТ829
КТ829 — это мощный биполярный NPN-транзистор, предназначенный для работы в усилителях мощности и импульсных схемах. Рассмотрим его ключевые параметры:
- Структура: n-p-n
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100-140 В (в зависимости от варианта)
- Максимальный ток коллектора: 10-15 А
- Рассеиваемая мощность: 60-90 Вт
- Коэффициент усиления по току: 10-50
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 3-4 МГц
- Корпус: TO-220
КТ829 выпускается в нескольких вариантах (КТ829А, КТ829Б, КТ829В, КТ829Г), отличающихся максимальным напряжением коллектор-эмиттер и некоторыми другими параметрами.
Области применения транзистора КТ829
Благодаря своим характеристикам, транзистор КТ829 находит широкое применение в различных электронных устройствах:
- Выходные каскады усилителей мощности звуковой частоты
- Импульсные источники питания
- Преобразователи напряжения
- Регуляторы напряжения и тока
- Мощные ключевые схемы
- Драйверы электродвигателей
Особенности использования КТ829 в схемах
При проектировании схем с применением КТ829 следует учитывать некоторые особенности:
- Необходимость эффективного теплоотвода из-за высокой рассеиваемой мощности
- Относительно низкий коэффициент усиления по току
- Возможность работы в ключевом режиме на частотах до нескольких сотен кГц
- Чувствительность к статическому электричеству
Аналоги транзистора КТ829
Существует ряд отечественных и зарубежных транзисторов, которые могут использоваться в качестве аналогов КТ829 в зависимости от конкретного применения:
Отечественные аналоги:
- КТ837
- КТ8101
- КТ8102
- КТ8122
Зарубежные аналоги:
- 2N3055
- MJE3055T
- TIP3055
- BDX53C
При замене КТ829 на аналог необходимо тщательно сравнивать их параметры и при необходимости корректировать схему.
Конструкция и маркировка транзистора КТ829
КТ829 выпускается в пластиковом корпусе TO-220 с тремя выводами. Маркировка на корпусе обычно включает:
- Тип транзистора (КТ829)
- Вариант (А, Б, В или Г)
- Дата изготовления (год и неделя)
- Логотип производителя
Расположение выводов стандартное для корпуса TO-220:
- Эмиттер (E)
- Коллектор (C)
- База (B)
Рекомендации по монтажу КТ829
При монтаже транзистора КТ829 следует соблюдать следующие правила:
- Использовать теплопроводящую пасту между корпусом транзистора и радиатором
- Обеспечить надежное крепление к радиатору
- Соблюдать меры защиты от статического электричества
- Не допускать перегрева при пайке выводов (не более 10 секунд при температуре 260°C)
Примеры схем с использованием КТ829
Рассмотрим несколько типовых схем, в которых может применяться транзистор КТ829:
1. Простой усилитель мощности звуковой частоты
В этой схеме КТ829 используется в качестве выходного каскада усилителя мощности класса AB:
«` «`Эта схема обеспечивает усиление входного сигнала с коэффициентом около 20-30 дБ и выходную мощность до 30-40 Вт на нагрузке 4-8 Ом.
2. Импульсный стабилизатор напряжения
В этой схеме КТ829 работает в ключевом режиме, обеспечивая стабилизацию выходного напряжения:
«` «`Данная схема позволяет получить стабильное выходное напряжение 5В при входном напряжении 12В и токе нагрузки до 5А.
Сравнение КТ829 с современными аналогами
Хотя КТ829 все еще используется в некоторых приложениях, современные транзисторы часто имеют лучшие характеристики. Сравним КТ829 с некоторыми современными аналогами:
| Параметр | КТ829 | TIP35C | BDX53C |
|---|---|---|---|
| Макс. напряжение К-Э, В | 100-140 | 100 | 100 |
| Макс. ток коллектора, А | 10-15 | 25 | 8 |
| Рассеиваемая мощность, Вт | 60-90 | 125 | 60 |
| Коэффициент усиления | 10-50 | 15-75 | 750-18000 |
| Граничная частота, МГц | 3-4 | 3 | 50 |
Как видно из таблицы, современные аналоги часто превосходят КТ829 по ряду параметров, особенно по коэффициенту усиления и граничной частоте.
Заключение о применимости КТ829 в современной электронике
Несмотря на то, что КТ829 является относительно старым транзистором, он все еще находит применение в некоторых областях:
- Ремонт и обслуживание старой техники
- Бюджетные схемы, где не требуются высокие частотные характеристики
- Образовательные цели и любительские проекты
- Промышленные применения, где важна проверенная временем надежность
Однако в новых разработках, особенно требующих высокой эффективности и компактности, чаще используются более современные транзисторы или полевые транзисторы MOSFET.
Транзистор КТ829В | Радиодетали в приборах
Транзисторы
30.06.2019
Arazbor
Транзистор КТ829В
Справочник содержания драгоценных металлов в радиодеталях основанный на справочных данных различных организаций занимающихся переработкой лома радиодеталей, паспортах устройств, формулярах и других открытых источников. Стоит отметить, что реальное содержание может отличатся на 20-30% в меньшую сторону.
Радиодетали могут содержать золото, серебро, платину и МПГ (Металлы платиновой группы, Платиновая группа, Платиновые металлы, Платиноиды, ЭПГ)
Содержание драгоценных металлов в транзисторе: КТ829В
Золото: 0.0003
Серебро: 0
Платина: 0
МПГ: 0
По данным: Справочник по драгоценным металлам ПРИКАЗ №70
Транзистор, полупроводниковый триод — радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов.
В настоящее время транзистор является основой схемотехники подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Типы транзисторов
Существует два основных типа транзисторов: биполярные и полевые.
1. Биполярные транзисторы. Они являются, вероятно, более распространенным типом (именно о них, например, шла речь в предыдущих разделах этой главы). В базу такого транзистора подается небольшой ток, а он, в свою очередь, управляет количеством тока, протекающего между коллектором и эмиттером.
2. Полевые транзисторы. Имеют три вывода, но они называются затвор (вместо базы у биполярного), сток (вместо коллектора) и исток (вместо эмиттера). Аналогично воздействие на затвор транзистора (но на этот раз не тока, а напряжения) управляет током между стоком и истоком. Полевые транзисторы также имеют разную полярность: они бывают N-канальные (аналог NPN-биполярного транзистора) и Р-канальные (аналог PNP).
Маркировка транзисторов СССР
Обозначение транзисторов до 1964 года
Первый элемент обозначения — буква П, означающая, что данная деталь и является, собственно, транзистором.
Биполярные транзисторы в герметичном корпусе обозначались двумя буквами — МП, буква М означала модернизацию. Второй элемент обозначения — одно, двух или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и подкласс транзистора, по роду полупроводникового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощности и граничной(или предельной) частоты.
От 1 до 99 — германиевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 101 до 199 — кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы.
От 201 до 299 — германиевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 301 до 399 — кремниевые мощные низкочастотные транзисторы.
От 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы.
От 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
От 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.
Обозначение транзисторов после 1964 года
Первый символ необходим для обозначения типа используемого материала
Буква Г или цифра 1 — германий.
Буква К или цифра 2 — кремний.
Буква А или цифра 3 — арсенид галлия.
Второй символ обозначает тип транзистора
П — полевой транзистор
Т — биполярный транзистор
Третий символ необходим для обозначения мощности и граничной частоты
1 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) низкочастотные(до 3 МГц).
2 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) средней частоты(до 30 МГц).
3 — транзисторы маломощные(до 0,3 ватт) высокочастотные.
4 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
5 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),средней частоты(до 30 МГц).
6 — транзисторы средней мощности(до 1,5 ватт),высокочастотные и СВЧ.
7 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), низкочастотные(до 3 МГц).
8 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), средней частоты(до 30 МГц).
9 — транзисторы мощные(свыше 1,5 ватт), высокочастотные и СВЧ.
Четвертый и пятый элементы обозначения — определяют порядковый номер разработки.
Изменения в маркировке вступившие в силу в 1978 году. Изменения коснулись обозначения функциональных возможностей — третьего элемента.
Для биполярных транзисторов:
1 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
2 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
4 — транзистор с рассеиваемой мощностью до 1 ватта и граничной частотой более 300 МГц.
7 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 30 МГц.
8 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой до 300 МГц.
9 — транзистор с рассеиваемой мощностью более 1 ватта и граничной частотой свыше 300 МГц.
Отечественные аналоги импортных транзисторов серии BD. Справочник по транзисторам.
РАДИОСВАЛКА: Отечественные аналоги импортных транзисторов серии BD. Справочник по транзисторам.| |
|
.. 2N2… 2N3… 2N4… 2N5…
2N6… 2N7… 2N8… 2N9… 2NU… 2SA…
2SB… 2SC… 2SD…
A… BC… BD… BF… BL… BS… BU… D… E… G… K… M… N…
O… P… R… S… T…
| |||||||||||||||||||||||||||||
829, кт829 , ,
829, кт829 , ,829 ( , n-p-n)
| Т = 25°С | Р — , К/ | ||||||||||||||||||||
| Т = 25С | |||||||||||||||||||||
| я , макс , | I , макс. Похожие записи | ||||||||||||||||||||